Zastosowania

optoelektroniki
wstęp

dr hab. inż. Ryszard Korbutowicz

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Politechnika Wrocławska

Informacje wstępne
Ryszard.Korbutowicz@pwr.wroc.pl
eportal.pwr.edu.pl
http://tiny.pl/gfhfh lub
156.17.46.1/rkorbutowicz/
tel.: 71-3204951
ul. Długa 61-65, bud. M11, p. 140
lub
ul. Janiszewskiego 11/17, bud. C2, p. 306a
Materiały: http://tiny.pl/hm35x

Zaliczenie
Zaliczenie można uzyskać po napisaniu
kolokwium na ocenę pozytywną.

Najprawdopodobniej będą 22 pytania po 5

punktów za pytanie.

Suma punktów dzielona przez 20 daje ocenę

końcową.

1
 4

Karta przedmiotu

WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH 6

KOMPETENCJI
1. Znajomość podstaw fizyki (w tym optyki geometrycznej) i podstaw fizyki ci ała stałego
2. Ukończenie kursu Podstawy elektrotechniki
3. Ukończenie kursu Elementy i układy elektroniczne

CELE PRZEDMIOTU
C_01 Zapoznanie studentów z podstawowymi zjawiskami optycznymi w półprzewodnikach, w tym z transmis ją
światła w półprzewodnikach i światłowodzie
C_02 Zapoznanie studentów z konstrukcją, parametrami oraz warunkami pracy elementów optoelektronicznych
C_03 Utrwalanie umiejętności pracy w grupie
C_04 Przygotowanie do prowadzenia badań z zastosowań światłowodów, emiterów i detektorów światła

PRZEDMIOTOWE EFEKTY KSZTAŁCENIA

Z zakresu wiedzy
Ma uporządkowana wiedzę teoretyczną w zakresie fotoniki, w tym wiedzę niezbędną do
zrozumienia fizycznych podstaw działania elementów optycznego toru telekomunikacyjnego or az
PEK_W01 zna obszary zastosowań systemów fotonicznych w szczególn ości w motoryzacji, energetyce
i mikrosystemach
Z zakresu umiejętności
Potrafi wykorzystać poznane elementy optoelektroniczne oraz proste systemy światłowodowe
PEK_U01 w praktyce inżynierskiej
Z zakresu kompetencji społecznych
PEK_K01 Potrafi współdziałać i pracować w grupie laboratoryjnej, przyjmując w niej różne role

2
 7

Tematy wykładów
1. Wstęp do optoelektroniki
2. Podstawy zjawisk optycznych w półprzewodnikach
3. Technika światłowodowa
4. Źródła światła
5. Detektory światła
6. Ogniwa słoneczne — podstawy
7. Obszary zastosowań przyrządów optoelektronicznych
8. Kolokwium

Literatura przedmiotu
B. Mroziewicz, M. Bugajski, Wł. Nakwaski, Lasery półprzewodnikowe, WNT 1985,
J. E. Midwinder, Y. L. Guo, Optoelektronika i technika światłowodowa, WKŁ 1995,
J. I. Pankove, Zjawiska optyczne w półprzewodnikach, WNT 1984,
J. Piotrowski, A. Rogalski, Półprzewodnikowe detektory podczerwieni, WNT 1985,
B. Ziętek, Optoelektronika, Wyd. UMK, 2004
Z. Bielecki, A. Rogalski, Detekcja sygnałów optycznych, WNT 2001,
A. Smoliński, Optoelektronika światłowodowa, WKŁ 1985,
J. Hennel, Podstawy elektroniki półprzewodnikowej, WNT 1986,
J. Godlewski, Generacja i detekcja promieniowania optycznego, PWN 1997,
J. Siuzdak, Wstęp do współczesnej telekomunikacji światłowodowej, WKŁ 1997,
C. H. Gooch, Przyrządy elektroluminescyjne ze złączem p-n, WNT, 1977,
M. Marciniak, Łączność światłowodowa. WKŁ 1998,
G. Einarsson, Podstawy telekomunikacji światłowodowej, WKŁ 1998,
K. Booth, S. Hill, Optoelektronika, WKŁ, Warszawa 2001,
R. Bacewicz, Optyka ciała stałego, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej,
Warszawa 1995
etc, etc.

Promieniowanie elektromagnetyczne

Promieniowanie elektromagnetyczne czyli fala

elektromagnetyczna — rozchodzące się w przestrzeni
zaburzenie pola elektromagnetycznego.

TEM Transverse ElectroMagnetic

TE Transverse Electric
TM Transverse Magnetic

3
 10

Pasma promieniowania elektromagnetycznego

Wikimedia Commons

11

Pasma promieniowania
Pasmo optyczne:
 = 0,01 ÷ 1000 m
h = 100 ÷ 0,001 eV
 = 3•1016 ÷ 3•1013 Hz
Pasmo widzialne:
 = 0,38 ÷0,75 m
h = 3,3 ÷ 1,65 eV
Pasmo obecnie stosowane 200 nm – 50 µm
Podstawowa zależność pozwalająca szybko przeliczyć energię na długość fali
świetlnej (i odwrotnie):
1,24
λ[ m] 
hν [eV]

12

Pasma promieniowania
Ta sama fala rozchodząca się w różnych ośrodkach ma
różną długość, bo przy stałej częstotliwości zmienia się
jej prędkość propagacji:
v - prędkość fazowa
 = v /f

Pojawiają się pytania (np. na kolokwium):

Co to jest fala?
Co to jest długość fali?
Od czego zależy prędkość propagacji w danym ośrodku?
Co to jest: prędkość grupowa i prędkość fazowa?
Miarą czego jest prędkość grupowa?

4
 14

Trochę historii
1. 1907 rok
Henry Joseph Round (1881-1966) zaobserwował
emisję światła widzialnego z kryształu węglika
krzemu (SiC) przewodnictwa typu n.
Złącze metal–półprzewodnik (złącze Schottky’ego)
spolaryzowane w kierunku przewodzenia emitowało
światło o różnych barwach: żółtej, zielonej,
Henry J. Round
pomarańczowej oraz niebieskiej. (1881-1966)

Kapitan H.J. Round – osobisty asystent Marconiego, posiadacz 117 patentów, pionier
radia. Pierwsza znana publikacja na temat zjawiska elektroluminescencji to jego artykuł:
„A Note on Carborundum," Electrical World, v. 19 (February 9, 1907), p. 309

15

Trochę historii
Oleg Władymirowicz Łosiew (1903–1942),
radziecki naukowiec i wynalazca

2. 1923 i 1928 rok

Oleg Władymirowicz Łosiew opublikował
prace dotyczące rekombinacji promienistej w
węgliku krzemu SiC. Między innymi dowiódł,
że przyczyną luminescencji w SiC nie jest
żarzenie się struktury (jak ma to miejsce w
żarówce Edisona) oraz założył, że
luminescencja diod z SiC jest zjawiskiem
odwrotnym do Einsteinowskiego efektu
fotoelektrycznego.

16

Trochę historii
3. 1952 i 1953 rok
H. Walker opublikował wyniki prac nad nowymi związkami
półprzewodnikowymi grupy III-V (InSb, AlP, AlAs, AlSb, GaP,
GaAs, GaSb, InP, InAs).

4. 1962 rok
Kilka zespołów badawczych zaprezentowało pierwsze diody
elektroluminescencyjne DEL (LED) i diody laserowe (lasery
półprzewodnikowe) LD z GaAs emitujące w bliskiej podczerwieni
(870-980 nm) (Holonyak Jr. i Bavacqua)
Tym samym, 55 lat po odkryciu elektroluminescencji przez
Rounda, narodziła się nowa dziedzina techniki:
optoelektronika (fotonika)

5
 17

Trochę historii
4a
Na podłożu z arsenku galu GaAs wykonano metodą VPE (po raz
pierwszy) diodę z materiału Ga(As1-xPx). W temperaturze
ciekłego azotu dioda ta emitowała światło spójne (akcja
laserowa) o długości fali 710 nm oraz szerokości połówkowej
1,2 nm.

W temperaturze pokojowej pierwsza dioda zachowywała

się jak typowa dioda LED: promieniowanie nie było
koherentne, a szerokość połówkowa wynosiła 12,5 nm.

LED — 260 $ Laser — 2600 $

18

Trochę historii
5. Jacques I. Pankove 1969/1971

W 1969 Pankove napisał, a w 1971 roku wydano książkę

Optical Processes in Semiconductors, Dover
Publications Inc. New York (1971).

Polskie wydanie „Zjawiska optyczne w półprzewodnikach”

WNT Warszawa 1974 rok.
400 stron, nakład 2 000 + 210 egzemplarzy.

BIBLIA OPTOELEKTRONIKI

19

Trochę historii
6. 1972 rok
Herbert Paul Maruska i Jacques I. Pankove, wykonali na
bazie GaN (mimo dużych problemów z otrzymaniem
warstwy typu p) i zaprezentowali działający emiter
światła niebieskiego o długości fali 475 nm.
Nie była to jednak typowa dioda LED ze złączem p-n, lecz
dioda metal-izolator-półprzewodnik (struktura MIS).

1997 rok

6
 20

Trochę historii
7. 1992 — 1994
Shuji Nakamura
Jako pierwszy wytworzył diodę
DEL świecącą w zakresie
światła niebieskiego.
Otrzymał, także jako pierwszy,
złącze p–n w azotku galu GaN.
Jako pierwszy zrobił „niebieski”
laser z zastosowaniem hetero-
struktury InGaN/GaN.

21

Trochę współczesności

7. 1992 — 1994
Shuji Nakamura

22

Definicje optoelektroniki

7
 23

Definicje optoelektroniki

Optoelektronika jest działem elektroniki

zajmującym się oddziaływaniem energii
promieniowania i energii elektrycznej oraz
wykorzystaniem tego oddziaływania
w systemach informacyjno–elektronicznych.

24

Dziedziny optoelektroniki
I Optoelektronika światłowodowa
 technika światłowodowa
 optoelektronika zintegrowana
 optotelekomunikacja
II Optoelektronika obrazowa
III Optoelektronika fotowoltaiczna
IV Optoelektronika informatyczna
V Optoelektronika laserowa
VI Optoelektronika oświetleniowa

25

Optoelektronika fotowoltaiczna organiczna

8
 26

Logika optyczna

27

Optoelektronika oświetleniowa
Kształt tradycyjnej żarówki
17 W (75 W),
Zwykły trzonek (E27)
Ciepłe, białe światło
Uwaga! To poniżej jest reklamą
Stworzona z myślą o doskonałej jakości światła Od 40 - 60% E -> generowanie światła
• Światło ze wszystkich kierunków (310°)
• Prawdziwie ciepłe, białe światło (2700K), jak w wypadku
reszta -> ciepło
zwykłej żarówki
• Duży współczynnik oddawania barw (CRI > 80) zapewnia żywe
kolory
• Możliwość przyciemniania
• Pierwszy prawdziwy zamiennik żarówki o mocy 75 W
• Strumień świetlny 1055 lumenów
• Natychmiastowe oświetlenie po włączeniu (0,2 s; Warm up
time to 60% light: <2 s)
• Działa nawet 25 lat (50 000 cykli, 25 000 godzin)
• Małe zużycie energii (17 W) Informacja Philipsa

28

Optoelektronika oświetleniowa

9
 29

Zalety optoelektroniki

Dobroć układów elektronicznych i optoelektronicznych

1  w
Q P f 2  cm 2 
C2  
 w
Qel  103  cm 2  1 W/10 GHz
 
 w
Qoe  1010  cm 2  10 mW/300T Hz
 

30

Zalety optoelektroniki

Dobroć układów elektronicznych i optoelektronicznych

1  w
Q P f 2  cm 2 
C2  
 w Q oe
Qel  103  cm 2  1 W/10 GHz  10 7
  Q el
 w
Qoe  1010  cm 2  10 mW/300T Hz
 

31

Zalety optoelektroniki

* możliwość wytworzenia emiterów i detektorów

* wysoka pojemność informatyczna kanału
* mała tłumienność (ciężko podsłuchiwać sygnał tak żeby nie był
* duża dobroć układu podsłuch wykryty - utrata mocy itp)
* jednokierunkowość sprzężenia i brak sprzężenia
zwrotnego odbiornika ze źródłem promieniowania
* izolacja galwaniczna: 1016 Ω, 105 V, 10-6 pF
* izolacja kanałów komunikacyjnych — foton jest
nośnikiem informacji

10
 32

Zalety optoelektroniki
* duża obciążalność
• FM (modulacja częstotliwości)
• AM (modulacja amplitudy)
• kierunek rozprzestrzeniania się fali
• polaryzacja fali i faza drgań
* możliwość realizacji końcowej informacji w postaci
obrazu
* taniość i dostępność surowca (światłowody),
* technologia planarna lub wertykalna, kompatybilność
technologii z innymi technologiami

33

Zastosowania optoelektroniki
* telekomunikacja światłowodowa
* czujniki dla potrzeb metrologii, automatyki i robotyki
* komputerowe sieci odporne na zakłócenia
* przekształcanie informacji obrazowych z obszaru
widma niewidzialnego na widzialne
* wzmacnianie kontrastowości i jaskrawości obrazu
* mikroobróbka laserowa układów elektronicznych
* obróbka tworzyw za pomocą wysokoenergetycznych
wiązek laserowych
* tworzenie nowych narzędzi i metod chirurgicznych

34

Zastosowania optoelektroniki
* technika holograficzna
* przetwarzanie energii promieniowania słonecznego na
energię elektryczną
* konstrukcja płaskich monitorów (ciekłokrystaliczne,
diodowe lub OLED)
* magazynowanie danych (cd-rom, dvd)
* światła sygnalizacyjne i ostrzegawcze o dużej jasności
oraz niezawodności
* oświetlanie pomieszczeń za pomocą diod i zespołów
diod elektroluminescencyjnych o dużej jasności
* etc. etc.

11
 35

Ważniejsze cechy emiterów

• Duża sprawność energetyczna  50%
• Duża szybkość działania  15 GHz
• Możliwość doboru długości fali
• Wąska charakterystyka widmowa
(45 nm dla DEL, 0,01 Å dla laserów)
• Napięcie zasilania kompatybilne z układami scalonymi
• Małe wymiary źródła optycznego
• Duża niezawodność
• Długi czas pracy  106 godzin
• Małe rozmiary
• Niewielki ciężar
• Odporność mechaniczna

36

Ważniejsze cechy detektorów

• Duża sprawność kwantowa oraz duża czułość  0,7 A/W
• Duża szybkość działania – zakres nanosekund
• Dobra liniowość
• Relatywnie niski poziom szumów – NEP ~ 4•10-15 W/Hz-½
• Szerokie pasmo czułości widmowej
• Możliwość wykonania detektorów o dużej selektywności
widmowej ~ 10 nm
• Duża niezawodność
• Długi czas pracy  106 godzin
• Małe rozmiary
• Niewielki ciężar
• Odporność mechaniczna

37

Tyle tytułem wstępu

12