Chương 3: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP

Trong kỹ thuật từ khuếch đại được định nghĩa là “dùng một năng lượng nhỏ
để điều khiển một năng lượng khác lớn hơn gấp nhiều lần”.
Vậy mạch khuếch đại là một thiết bị điện tử được đặc trưng bởi mạng bốn cực,
khi đưa tín hiệu ngõ vào công suất nhỏ thì nhận ở ngõ ra công suất lớn nhưng tín hiệu
không bị biến dạng. Trong lĩnh vực điện tử linh kiện có tính năng khuếch đại như:
Transistor lưỡng cực (BJT), Transistor đơn cực (FET)... vì các linh kiện trên nhận tín hiệu
ngõ vào Vin(t) rất nhỏ, điều khiển được tín hiệu ở ngõ ra lớn hơn gấp nhiều lần.
Trong chương này chủ yếu sẽ khảo sát khi BJT làm việc với tín hiệu nhỏ. Nghĩa là
trên cơ sở các điện áp một chiều DC phân cực cho mối nối B-E, B-C (xác định Q), mạch
có thêm điện áp xoay chiều biên độ nhỏ đưa đến ngõ vào BJT khuếch đại thành tín hiệu
xoay chiều có biên độ đáng kể ở ngõ ra.
Ta sẽ dùng phương pháp giải tích nghĩa là thay thế mạch cụ thể bằng sơ đồ tương
đương xoay chiều rồi tiến hành đơn giản hoá để tính các thông số đặc trưng của mạch như:
Trở kháng ngõ vào (Zin), trở kháng ngõ ra (Zout), Độ lợi điện áp (Av), Độ lợi dòng điện
(Ai)... đối với tín hiệu xoay chiều.
3.1. Các thông số hybrid
Ta đã biết Transistor là linh kiện có 3 cực, khi sử dụng sẽ đưa tín hiệu xoay chiều
vào 2 cực và lấy ra trên 2 cực, do đó mạch tương đương của BJT ở trạng thái xoay chiều
tín hiệu nhỏ được xem là một mạng bốn cực:
+ i1 i2 +
v1 v2
- -

Hình 3.1: Mạng bốn cực (2 cửa)

Hình 3.2: Mạng bốn cực thay thế cho BJT

Mạng 2 cửa có các tín hiệu điện áp, dòng điện ngõ vào v1, i1 và tín hiệu điện áp,
dòng điện ngõ ra v2, i2 có chiều quy ước như hình vẽ. Tuy nhiên khi áp dụng cho từng sơ
đồ cụ thể thì chúng có chiều thích hợp trên các cực tương ứng của transistor và loại
transistor.
 Khi diễn tả quan hệ giữa các đại lượng 𝐯𝟏 , 𝒊𝟏 , v2, i2 có thể có sáu cách chọn biến
số và hàm số. Trên thực tế có 3 hệ tham số thông dụng đặc trưng cho BJT: hệ tham số trở
kháng z (impedance), dẫn nạp y (addmittance ), hybrid h. Tài liệu chỉ trình bày loại thông
dụng nhất là hệ tham số h với biến số độc lập 𝒊𝟏 , v2 và hàm số của chúng là 𝐯𝟏 , i2. Khi đó
hoạt động và tính năng của BJT có thể diễn tả bởi hệ phương trình sau:
𝑣 = ℎ 𝑖 + ℎ 𝑣
𝑖 = ℎ 𝑖 + ℎ 𝑣
Như mạng bốn cực thay thế cho BJT ở hình 3.2 thì ta có:
𝑣 = ℎ𝑖 + ℎ 𝑣
(3.1)
𝑖 = ℎ 𝑖 + ℎ 𝑣
Các thông số h ở (3.1) được định nghĩa như sau:

ℎ = Trở kháng ngõ vào khi ngõ ra ngắn mạch (𝑣 = 0).

ℎ = Độ lợi điện áp truyền nghịch khi hở mạch ngõ vào (𝑖 = 0).

ℎ = Độ lợi dòng thuận khi ngắn mạch ngõ ra (𝑣 = 0).

ℎ = Dẫn nạp ngõ ra khi ngõ vào hở mạch (𝑖 = 0).

Lưu ý:
- v , 𝑖 , v2, i2 là các đại lượng tín hiệu nhỏ.
- Các thông số hybrid h phụ thuộc vào tĩnh điểm Q của BJT.
- Các thông số hybrid h cho các cấu hình khác nhau (CE, CB, CC) được ký hiệu
bằng cách thêm vào các chỉ số thích hợp (e, b, c): Ví dụ: hfe là hf cho cấu hình CE, …
Tuy nhiên trên thực tế, BJT thường có giá trị h r = h0= 0, do đó sơ đồ tương đương
đơn giản hoá dùng tham số h như sau:

Hình 3.3: Sơ đồ tương đương đơn giản hoá tham số h của BJT
ở chế độ xoay chiều tín hiệu nhỏ
3.2. Cách mắc Emitter chung (CE)
Xét mạch khuếch đại CE như hình 3.4.
Tác dụng của linh kiện trong mạch
- Điện trở R1, R2 phân áp cấp nguồn cho cực B tạo chế độ làm việc tĩnh.
 - Điện trở RE phân cực cho cực E và tạo ổn định nhiệt.
- Điện trở RC phân cực cho cực C.
- Tụ C2 (CE) để ngăn phản hồi âm theo thành phần dòng xoay chiều iE, là phản hồi
làm giảm hệ số khuếch đại của tầng khuếch đại.
- Tụ điện C1 (CB), C3 (CC) ngăn dòng một chiều (DC) ở ngõ vào và ra.

Hình 3.4: Mạch khuếch đại tín hiệu Emitter chung

Khảo sát DC. Các tụ xem như hở mạch, cho nguồn xoay chiều bằng 0

Hình 3.5: Mạch tương đương một chiều Emitter chung

Biến đổi nguồn VCC và cầu R1,R2 thành nguồn điện thế tương đương Thevenin
như hình 3.5 với:
𝑉 = 𝑉
. (3.2)
𝑅 = 𝑅 //𝑅 =

𝐼 =
(3.3)
𝑉 =𝑉 − 𝐼 (𝑅 + 𝑅 )
Khảo sát AC: Mạch khuếch đại tương đương xoay chiều như sau:
 Hình 3.6: Mạch tương đương xoay chiều Emitter chung
Các thông số mạch tín hiệu nhỏ của BJT:
Tổng dẫn ngõ ra hở mạch:
∆
ℎ = =
∆

(trong hầu hết các BJT hoe thường có giá trị < 10-4 s nên 1/hoe » tải, nên có thể
được bỏ qua)
Độ lợi dòng ngắn mạch:
∆
ℎ = = = 𝛽
∆

Điện trở ngõ vào ngắn mạch:

ℎ = = = = 𝑉 = 𝑚. 25𝑚𝑉. = 𝛽.

Ở nhiệt độ phòng VT = 25mV và m: phụ thuộc vào vật liệu và cấu tạo BJT, thường
m = 1÷2
Độ lợi điện áp ngược khi hở mạch:

ℎ = ≈ 0

Hình 3.7: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ Emitter chung
Tính các thông số của mạch khuếch đại:
Tổng trở vào:

𝑍 = = 𝑅 //ℎ
 Tổng trở ra:

𝑍 = = 𝑅 //𝑅

Hộ số khuếch đại dòng:

𝐴 = = .

𝐼 = −ℎ 𝑖 và 𝑖 = 𝑖

Suy ra: 𝐴 = . =−ℎ .

Khi thiết kế mạch khuếch đại CE, để có hệ số khuếch đại dòng lớn nhất, người ta
thường chọn:

1 ≪ 𝑅  ≅ 1
ℎ

𝑅 ≫ℎ  ≅ 1

 𝐴 =−ℎ
Nhân xét: Mạch khuếch đại CE có chức năng khuếch đại dòng điện và khuếch
đại điện áp, ngõ vào và ra ngược pha nhau.
Ví dụ 1: Cho mạch khuếch đại như hình vẽ bên dưới, Với BJT có V =0,7V; β = 100,
bỏ qua hoe và hre. Các tụ c → ∞

a. Xác định phân cực.

b. Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ
c. Xác định độ lợi dòng Ai = iL/ ii
d. Xác định trở kháng vào Zi nhìn từ iL. Xác định trở kháng ra Zo nhìn từ tải.
Giải:
a. Xác định phân cực.
 𝑉 = 𝑉 = 24 = 4𝑉
. .
𝑅 = 𝑅 //𝑅 = = = 8,3𝑘Ω
Vẽ mạch tương đương DC. Ta có:
𝑉 = 𝐼 𝑅 + 𝑉 + 𝐼 𝑅
,
𝐼 = = , = 1,45𝑚𝐴
,

Và 𝑉 = 𝐼 𝑅 + 𝑉 + 𝐼 𝑅 )
 𝑉 = 𝑉 − 𝐼 (𝑅 + 𝑅 ) = 24 − 1,45(3,8 + 2,2) = 15,3𝑉
Vậy Q(15,8V 1,45mA)
b. Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ

.
ℎ = 𝛽. = 100 = 1,7 𝑘Ω
,
ℎ = 𝛽 = 100
c. Xác định độ lợi dòng Ai = iL/ ii
𝐴 = = .
,
𝐼 = −ℎ 𝑖  = −100 = −79,2
,
// ,
và 𝑖 = 𝑖  = = 0,34
// , ,

Suy ra: 𝐴 = . = − 79,2 . 0,34 = − 26,9

d. Xác định trở kháng vào Zi nhìn từ ii. Xác định trở kháng ra Zo nhìn từ tải.
, . ,
𝑍 = 𝑟 // 𝑅 // ℎ = = 0,58𝑘Ω
, ,
𝑍 = 𝑅 = 3,8𝑘Ω
Đặc tuyến ngõ vào:
Biểu diễn sự thay đổi của dòng điện IB theo điện thế ngõ vào VBE. Trong đó
hiệu thế thu phát VCE chọn làm thông số. Dạng đặc tuyến như hình 3.8.
Đặc tuyến ngõ ra:
Biểu diễn dòng điện cực thu IC theo điện thế ngõ ra VCE với dòng điện ngõ vào IB
được chọn làm thông số. Dạng đặc tuyến như hình 3.9.
- Ta thấy cũng có 3 vùng hoạt động của transistor: vùng bão hòa, vùng tác động và
vùng ngưng.
- Khi nối tắt VBE (tức IB=0) dòng điện cực thu xấp xĩ dòng điện rĩ ICEO.
Đặc tuyến truyền: (Transfer characteristic curve)
Từ đặc tuyến ngõ vào và đặc tuyến ngõ ra. Ta có thể suy ra đường đặc tuyến truyền
của transistor. Đặc tuyến truyền biểu diễn sự thay đổi của dòng điện ngõ ra IC theo điện
thế ngõ vào VBE với điện thế ngõ ra VCE làm thông số. Dạng đặc tuyến như hình 3.10.

Hình 3.8: Đặc tuyến ngõ vào mạch khuếch đại CE

Hình 3.9: Đặc tuyến ngõ ra mạch khuếch đại CE

Hình 3.10: Đặc tuyến truyền mạch khuếch đại CE

 Đối với transistor Si, vùng hoạt động có VBE nằm trong khoảng 0,5-0,8V. Trong
vùng này, đặc tuyến truyền có dạng hàm mũ. Ở vùng bão hoà, dòng I C tăng nhanh khi VBE
thay đổi. Ở vùng ngưng, khi VBE còn nhỏ, dòng rỉ qua transistor ICEO rất nhỏ, thường xấp
xĩ ICBO.
Ngay cả trong vùng họat động, khi VBE thay đổi một lượng nhỏ (từ dòng IB thay
đổi) thì dòng IC thay đổi một lượng khá lớn. Vì thế, trong các ứng dụng, người ta dùng điện
thế cực nền VBE làm điện thế điều khiển và cực B còn gọi là cực khiển.
3.3. Cách mắc Base chung
Xét mạch khuếch đại CB:

Hình 3.11: Mạch khuếch đại ghép B chung

Khảo sát DC:

𝐼 =
(3.4)
𝑉 =𝑉 − 𝐼 (𝑅 + 𝑅 )

Hình 3.12: Mạch tương đương DC

Khảo sát AC:
Các thông số mạch tín hiệu nhỏ của BJT:
𝑣 = ℎ (𝑖 ) + ℎ 𝑣 = ℎ (−𝑖 ) + ℎ 𝑣
 𝑖 = ℎ 𝑖 +ℎ 𝑣 = ℎ 𝑖 +ℎ 𝑣
Chiều qui ước của 𝑖 , 𝑖 như hình vẽ

Hình 2.13: Mạch tương đương AC

Hình 2.14: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ

Các thông sế mạch tín hiệu nhỏ của BJT:
Tổng dẫn ngõ ra hở mạch:

ℎ = Trong các BJT hob thường có giá trị < 10-6 s nên 1/hoe » RL, nên
có thể được bỏ qua. Nhưng nếu muốn tính hob ta có thể đưa về mạch tươg đương CE để tìm
hob trong mạch mắc CB.
Sử dụng mạch tương đương CE có hoe hình 3.15:
Từ mạch CE ta có:
𝑖 = −𝑖
Và 𝑖 = (ℎ + 1)𝑖
 𝑣 = 𝑣 +𝑣 = (−𝑖 )(ℎ + 1). + (−𝑖 )ℎ

𝑣 ≈ (−𝑖 )(ℎ + 1). = 𝑖 (ℎ + 1).

Vậy ℎ = =
( )

Hình 2.15: Mạch biến đổi tương đương kiểu CE

Độ lợi dòng ngắn mạch:
∆
ℎ = = = = = <1
∆ ( ) ( )

Điện trở ngõ vào ngắn mạch:

ℎ = = = = =
( ) ( )

Mà ở mạch CE ta có: ℎ =

Suy ra: ℎ =
( )

Độ lợi điện áp ngược khi hở mạch:

ℎ = ≈ 0

⎧ℎ =
( )
⎪
Tóm lại: ℎ =
( )
⎨
⎪ℎ =
⎩ ( )

Mạch tương đương tín hiệu nhỏ ở chế độ AC:

Hình 3.16: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ thông số h ở chế độ AC ghép B chung
 Tính các thông số của mạch khuếch đại:
Tổng trở vào:

𝑍 = = 𝑅 //ℎ ≈ ℎ (Zi rất nhỏ)

Tổng trở ra:

𝑍 = = 𝑅 // ≈ 𝑅

Hộ số khuếch đại dòng:

𝐴 = = .

𝐼 = −ℎ 𝑖 và 𝑖 = −𝑖

Sauy ra: 𝐴 = = . = (− ℎ ). (− )

Vậy: - Mạch khuếch đại CB không có chức năng khuếch đại dòng điện nhưng có
chức năng khuếch đại điện áp, ngõ vào và ra cùng pha.
- hrb và hob thường rất nhỏ: Bỏ qua.
- Các thông số hybrid CB (hib, hfb, hob) có được bằng cách lấy các thông số
CE tương ứng chia cho (1+hfe).
Ví dụ 2: Cho mạch khuếch đại CB như
hình bên, BJT có V= 0,7V; β=hfe=100;
hie=0,83K; hre=0; 1/hoe=10K. Các tụ C→ ∞.
Với ri = 100, RL= 5K.
a. Tìm các thông số mạch CB?
b. Xác định Ai, Av?
Giải:
a. Tìm các thông số mạch CB
,
ℎ = = = 0,0083𝑘Ω

ℎ = = =1

ℎ = =0

= = = 0,1

b. Xác định Ai, Av?

Sơ đồ mạch tương dương tín hiệu nhỏ như hình sau
 𝐴 = = .

,
𝐼 = −𝑖  = − = −0,02
,

và 𝑖 = −𝑖  = = −0,92
,

Suy ra: 𝐴 = . = (− 0,02) . (− 0,92) = 0,018

Mặt khác: 𝐴 = = .

, .
𝑣 = − 𝑖 .( //𝑅 )  =− = − = −0,1
,

Và 𝑖 = −𝑖 = −  =− =− = −9,23
, ,

Suy ra: 𝐴 = . = (−0,1). (−9,23) = 0,92

Đặc tuyến ngõ vào (input curves).

Là đặc tuyến biểu diễn sự thay đổi của dòng điện I theo điện thế ngõ vào V BE với
VCB được chọn là thông số

Hình 3.17: Đặc tuyến vào mạch khuếch đại CB

- Khi nối thu nền để hở, đặc tuyến có dạng như đặc tuyến của diode khi phân cực
thuận.
- Điện thế ngưỡng (knee voltage) của đặc tuyến giảm khi VCB tăng.
Đặc tuyến ngõ ra (output curves)
 Là đặc tuyến biểu diễn sự thay đổi của dòng điện cực thu IC theo điện thế thu nền
VCB i dòng điện cực phát IE làm thông số.
Đặc tuyến có dạng như sau: Ta chú ý đến ba vùng hoạt động của transistor.

Hình 3.18: Đặc tuyến ra mạch khuếch đại CB

Vùng tác động: Nối nền phát phân cực thuận, nối thu nền phân cực nghịch. Trong
vùng này đặc tuyến là những đường thẳng song song và cách đều. Trong các ứng dụng
thông thường, transistor được phân cực trong vùng tác động.
Vùng ngưng: nối nền phát phân cực nghịch (IE=0), nối thu nền phân cực nghịch.
Trong vùng này transistor không hoạt động.
Vùng bảo hoà: nối phát nền phân cực thuận, nối thu nền phân cực thuận. Trong
các ứng dụng đặc biệt, transistor mới được phân cực trong vùng này.
3.4. Mạch khuếch đại Collector chung (CC: Common Collector) hay được gọi là
tầng đệm (Buffer)

Hình 3.19: Mạch khuếch đại ghép C chung

Mạch tương đương DC:

𝐼 =

𝑉 =𝑉 − 𝐼 𝑅

Hình 3.20: Mạch tương đương DC

Mạch tương đương AC: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ ở chế độ AC:

Hình 3.21: Mạch tương đương AC tín hiệu nhỏ

Áp dụng định lý chuyển vị nguồn dòng:

Hình 3.22: Mạch chuyển vị nguồn dòng

Hình 3.23: Áp dụng định lý chuyển vị nguồn dòng

v = i h + R (h i + i ) = i [h + R (h + 1)]
 v = i (h + R h ) (3.5)
Từ biểu thức (3.5), ta có mạch tương đương:
 Hình 3.24: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ thông số h ở chế độ AC ghép c chung
Tính các thông số của mạch khuếch đại:
Tổng trở vào:
𝑍 = 𝑅 //(ℎ + 𝑅 ℎ (Zi rất lớn)
Tổng trở ra:

𝑍 =

Tổng trở ra Z0 = ? ta phải phản ánh trở kháng về cực E, và kết luận thế nào xem
phần tiếp theo về phản ánh trở kháng.
Hộ số khuếch đại dòng:

A = = .

v = i R h và v = i (h + R h )

Sauy ra: A =

PHẢN ÁNH TRỞ KHÁNG TRONG BJT

Xét sơ đồ tương đương AC:

Hình3.25: Mạch tương đương ở chế độ AC

Phản ánh về cực B: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ ở hình 3.26
Ta có: v = i h + R [(h i + i ) + 𝑖 ]
= i h + R [(h + 1)i + 𝑖 ]
= i h + R (h + 1)[i + ]
 Hình 3.26: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ

Hình 3.27: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ chuyển vị nguồn dòng
Do đó từ hình 3.27 và biểu thức (3.5) ta có mạch tương đương phản ánh về cực B
như sau:

Hình 3.28: Mạch tương đương phản ánh về cực B

Vậy ta có sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ được phản ánh về cực B như sau:
- Các phần tử cực B và C giữ nguyên
- Nguồn áp giữ nguyên.
- Các phần tử cực E sẽ biến đổi:
𝑅 → 𝑅. (ℎ + 1) 𝑅 → 𝑅. ℎ
Do ℎ ≫ 1 nên
𝑖→ 𝑖→
( )
Phản ánh về cực E: Ta có hình 3.25 tương đương

Hình 3.29: Mạch tương đương phản ánh về cực E

 Ta có: v = −i h + R (i − i )
=− h + R (i − )

= −𝑖 + [i (h + 1) − 𝑖 ]

Vậy từ sơ đồ như hình 3.29, ta có mạch tương đương như hình vẽ sau:

Hình 3.30: Mạch tương đương phản ánh về cực B

Do đó ta có sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ được phản ánh về cực E như sau:
- Các phần tử cực E và C giữ nguyên
- Nguồn áp giữ nguyên.
- Các phần tử cực B sẽ biến đổi:
𝑅→ 𝑅→
Do ℎ ≫ 1 nên
𝑖 → 𝑖. (ℎ + 1) 𝑖 → 𝑖 .ℎ
Trở lại mạch CC trên, để xác định tổng trở ra Zo ta phản ánh trở kháng về cực E
như sau:

Hình 3.31: Mạch tương đương ZO phản ánh về cực E

Z = = 𝑅 // ≈ℎ Z0 rất nhỏ

Kết luận: Vậy mạch CC không khuếch đại điện áp, tín hiệu vào/ra cùng pha có
tổng trở vào Zi lớn, tổng trở ra Z0 rất nhỏ phù hợp cho các mạch phối hợp trở kháng.
Ví du 3: Cho mạch khuếch đại như hình dưới, BJT có V = 0,5; β= 100. Các tụ C →∞.
a) Xác định phân cực.
b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ.
c) Xác định Av, Zi, Zo?
Giải:
a) Xác định phân cực:
𝑉 = 𝑉 = 12 = 6𝑉
. .
𝑅 = 𝑅 //𝑅 = = = 50𝑘Ω
Vẽ mạch tương đương DC. Ta có:
𝑉 = 𝐼 𝑅 + 𝑉 + 𝐼 𝑅
,
𝐼 = = = 1,45𝑚𝐴
,

Và 𝑉 = 𝑉 + 𝐼 𝑅 )
 𝑉 = 𝑉 − 𝐼 𝑅 = 12 − 1,45.3,3 = 7,22𝑉
Vậy Q(7,22V 1,45mA)
b. Vẽ mạch tương dương tín hiệu nhỏ AC:

. .
ℎ = 𝛽= = 1,7𝑘Ω
,

c) Xác định Av, Zi, Zo

Ta có: 𝐴 = = .

𝑣 = 𝑖 . β. 𝑅  = β. 𝑅 = 100.3,3 = 330

Và 𝑣 = 𝑖 (ℎ + 𝛽𝑅 )  = = = 0,003
, . ,

Suy ra: 𝐴 = . = 330.0,003 = 0,995

 .( ) ( , )
Ta có: 𝑍 = 𝑅 //(ℎ + 𝛽𝑅 ) = = = 43,45𝑘Ω
( ) ( , )

Để tính ZO ta phản ánh trở kháng về cực B:

ℎ 𝑅 1 1
𝑍 = 𝑅 // // = = = 0,017𝑘Ω
𝛽 𝛽 1 𝛽 𝛽 1 100 100
+ + + +
𝑅 ℎ 𝑅 3,3 1,7 50
Ví dụ 4: Cho mạch khuếch đại CB không tụ như hình vẽ
a) Vẽ lại mạch CB dùng phản ánh trở kháng cực E.
b) Xác định Av, Zi, Zo?

Giải:
Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ AC

A = = .
.
Với v = i (R / / R )  = (1)
// //
Và 𝑖 =  = (2)
// ( ) // ( )

. //
Suy ra: A = . = . .
// ( )

𝑍 = 𝑅 //(ℎ + )
𝑍 =𝑅
Ví dụ 5: Cho mạch khuếch đại như hình vẽ, BJT có V = 0,5; β = 100. Các tụ C →∞.
a) Xác định Av, Zi, Zo?
b) Tìm Vomax đế tín hiệu ra không bị méo?
c) Xác định Vi max mà không méo?
Mạch tương đương AC tín hiệu nhỏ:
b. Tìm Vomax để tín hiệu ra không bị mco?

c. Xác định Vimax mà không méo?

 BÀI TẬP CHƯƠNG 3
3.1. Cho mạch khuếch đại như hình vẽ, BJT có V =0,7V; β = 100. Các tụ C→∞.
a) Xác định phân cực.
b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ
c) Xác định độ lợi dòng Ai, Zi, Zo

3.2. Cho mạch khuếch đại như hình vẽ, BJT có V =0,7V ; β = 100. Các tụ c →∞.
a) Xác định phân cực.
b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ.
c) Xác định Av, Zi, Zo?

3.3. Cho mạch khuếch đại như hình vẽ, BJT có Vy = 0,5; ß = 100. Các tụ C→∞.
a) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ.
b) Xác định Av, Zi, Zo?
3.4. Cho mạch khuếch đại như hình vẽ, BJT có V = 0,5; β = 50.
Các tụ C →∞. Xác định Av, Zi, Zo?

3.5. Cho mạch khuếch đại như hình vê, BJT có hfe= 100, V = 0,5V, các tụ C →∞.
Xác định Av, Zi?

3.6. Xét mạch khuếch đại như hình vẽ, BJT có: h fe = 100, V = 0,5V, các tụ c →∞.
a) Xác định điểm tĩnh Q?
b) Vẽ sơ đồ tương đương. Tính Ai, Zj, Z0.
c) Xác định iomax mà không méo?
d) Xác định iimax mà không méo?
 3.7. Cho mạch khuếch đại như hình vẽ, BJT có hfe = 80, Vy = 0,5V, các tụ c →∞.
a) Tìm Re để ICQ = 1.5mA
b) Xác định Ai, Zi, Zo

3.8. Cho mạch khuếch đại như hình vẽ, BJT có hfe = 100, V = 0,5V, c →∞.
a) Tìm R2: để mạch thỏa điều kiện Maxswing.
b) Nếu R2 = 10KΩ:
- Vẽ mạch tưong đương tín hiệu nho tần số thấp.
- Xác định Ai, Zi, Zo.
- Tìm iimax để đạt iLmax mà không méo.

3.9. Cho mạch khuếch đại như hình vẽ, BJT có hfe = 80, V = 0,5V, c →∞. Hãy xác định
A v , Zi , Z o ?
3.10. Trong mạch điện hình sau
a. Xác định các trị phân cực IB, IC, VE, VCE.
b. Vẽ mạch tương đương xoay chiều với
tín hiệu nhỏ (không có CE)
c. Tính tổng trở vào Zi và độ lợi điện thế
Av của mạch (không có CE)
d. Lập lại câu b, c khi mắc CE vào mạch

3.11. Trong mạch điện hình sau:

a. Xác định trị phân cực IC, VC, VE, VCE .
b. Vẽ mạch tương đương xoay chiều với
tín hiệu nhỏ (không có CE)
c. Tính tổng trở vào Zi và độ lợi điện thế
Av của mạch (không có CE)
d. Lập lại câu b, c khi mắc CE vào mạch.

3.12. Trong mạch điện hình

a. Vẽ mạch tương đương xoay chiều với tín hiệu nhỏ
b. Thiết lập công thức tính Zi, Av
c . Áp dụng bằng số để tính Zi và Av

3.13. Trong mạch điện hình

a. Xác định A =
b. Xác định A =
3.14. Trong mạch điện hình
a. Vẽ mạch tương đương xoay chiều với
tín hiệu nhỏ
b. Thiết lập công thức tính tổng trở vào
Zi và độ lợi điện thế Av
c. Áp dụng bằng số để tính Zi và Av.

3.15. Trong mạch điện hình bên, Hãy xác định:

A = A = Z =

3.16. Cho mạch sau, giả

sử hfe = hFE = 50.
Xác định:
a. Tĩnh điểm Q
b. Mạch tương đương tín
hiệu nhỏ, giả sử bỏ qua hoe
và hre
c. Độ lợi dòng Ai = iL / ii
d. Trở kháng ngõ vào nhìn
từ nguồn dòng
e. Trở kháng ngõ ra nhìn từ tải 1K
3.17. Với mạch điện ở bài 3.16
a) Xác định các thông số CB của khi 1/hoe = 10K.
b) Thông số h trên được sử dụng trong cấu hình CB với ri = 100; RL = 5K. Xác
định độ lợi dòng Ai ; áp Av , trở kháng vào Zi; ra Zo