Bil104 Elektronik Devreler

Genel Bilgiler Genel Bilgiler
Büyüklük Birim Sembol Büyüklük Birim Sembol

Uzunluk metre m Frekans Hertz Hz
Kütle kilogram kg İş/Enerji Newton N
Zaman saniye s Güç Watt W
Elektrik akımı amper A Elektrik yükü coulomb C
Sıcaklık Kelvin K Elektrik potansiyeli volt V
Madde parçacığı mol mol Elektrik direnci ohm Ω
Işık şiddeti candela cd Elektrik iletkenliği Siemens S
Kapasite farad f
Endüktance Henry H
BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

ELEKTRONİK DEVRELER GİRİŞ ELEKTRONİK DEVRELER GİRİŞ
Genel Bilgiler Genel Bilgiler

• İletkenler • Yalıtkanlar • Yarı iletkenler
Atomlarının son yörüngelerinde Atomlarının son yörüngelerinde Atomlarının son yörüngelerinde
1,2 veya 3 elektron bulunur. 5,6,7,8 elektron bulunur. tam olarak 4 elektron bulunur.
Örnek olarak metaller Cam, Kağıt vb. Belli koşullar altında iletken
verilebilir. olabilirler, bu koşullar
olmadığında yalıtkan gibi
davranırlar.
Örneğin silisyum ve
germanyum.

Genel Bilgiler
• Elektrik akımı bir noktadan geçen elektrik yükünün akış hızıdır. Elektrik • Doğru Akım
yükü, yük taşıyıcı parçacıklar tarafından sağlanır. Elektrik devrelerinde bu • Akımın yönü zamanla değişime uğramaz yani her zaman pozitif
kutup (+), negatif kutup (-)’dir.
yük taşıyıcı parçacıklar genellikle iletken tel içerisindeki elektronlardır.
• Gösterimi → DC (Direct Current) ya da DA (Doğru Akım)

• Alternatif Akım
• Akımın yönü zamanla değişime uğrar, belli bir zaman pozitif

DC_V kutup artı –eksi olarak yer değiştirir.
DC_I
• Gösterimi → AC (Alternating Current) ya da AA (Alternatif
t Akım)

AC gerilim nasıl oluşur?
AC_1
I
AC_
2

Faraday yasası-Lenz yasası

Akım taşıyan bir iletkenin etrafında bir manyetik alan oluşur. Bir iletken sabit bir manyetik alan içerisinde hareket
ederse veya iletken sabitken manyetik alan değişirse iletken uçlarında bir gerilim indüklenir .Buna Faraday Yasası
denir . Üretilen gerilimin yönü kendisini doğuran manyetik alanın değişim yönüne terstir. Buna Lenz yasası denir.

• Periyot
• Bir dalganın kendini tekrar etme süresidir. Birimi «saniye» dir. T ile
gösterilir.
• Bir saykılın oluşması için geçen süredir.
• İletkenin manyetik alanda tam tur döndürülmesiyle elde edilen emk’dır.

• Periyot • Frekans
• Frekansla periyot birbirinin tersidir • Bir sinyalin 1 saniyelik süre içerisindeki periyot sayısına denir. «f» ile
1 1 gösterilir ve birimi Hz «Hertz» dir.
•𝑇= =
𝑓 𝐻𝑧
1 1 • 1Hz =10-9GHz
•𝑓= =
𝑇 𝑠 • 1Hz =10-6MhHz
• 1Hz =10-3kHz

Aşağıdaki sinyalin periyotu ve frekansı kaçtır? Aşağıdaki sinyalin periyotu ve frekansı kaçtır?
𝑇 = 2𝑚𝑠𝑛 = 2.10 − 3𝑠
103
𝑓= = 500𝐻𝑧
2

Aşağıdaki sinyalin periyotu ve frekansı kaçtır? Aşağıdaki sinyalin periyotu ve frekansı kaçtır?
𝑇 = 0.1 𝑚𝑠 = 1. 10−4 𝑠
104
𝑓 = 1 = 10000𝐻𝑧 = 5𝑘𝐻𝑧

AC sinyal • 60Hz, Vmax=100V’luk emk’nın 5ms’lik ani değerini hesaplayınız.

A sin(2πft) • A sin(2πft)
A= genlik • A sin(ωt)
F=frekans • A sin(α)
• ω=2πf=2*π*60=120π=377rad/s
t=zaman (ani hız hesaplarken)
• α=377.0,005=1,88 radyan = 107.7o
• e=100.sin(107.7)=95,26V

• Ani değer: belli bir andaki endüklenen emk • Ortalama değer:
• Maksimum değer: emk’nın tepe değeri
• Ortalama değer:

• Efektif (etkin) değer: • Tepe değeri 5V olan sinyalin,

• Root Mean Square • VPP
• Vrms
• Vavg
değerlerini bulunuz.

Faz ve faz farkı Faz ve faz farkı
• A sin(α)
• A sin(α+φ)
• φ faz farkıdır

Faz ve faz farkı Sin dalga Tümleşik dalga
Amplitude
(Genlik)
y1(t)=A sin(α) t t
y2(t)=A sin(α+φ2)
y3(t)=A sin(α-φ3)
üçgen dalga kare dalga
Amplitude
(Genlik)
t t

Örnek 1: Aşağıdaki devreyi çevre akımları yöntemine göre
çözünüz.
BIL104 1.Hafta
ELEKTRONİK DEVRELER GİRİŞ
Örnek 1: Aşağıdaki devreyi çevre akımları yöntemine göre Örnek 1: Aşağıdaki devreyi çevre akımları yöntemine göre
çözünüz. çözünüz.
Örnek 2: Aşağıdaki devrede IR1, IR2, IR3,IR4 ve IR5 akımlarını çevre Örnek 2: Aşağıdaki devrede IR1, IR2, IR3,IR4 ve IR5 akımlarını çevre
akımları yöntemine göre çözünüz. akımları yöntemine göre çözünüz.
Örnek 2: Aşağıdaki devrede IR1, IR2, IR3,IR4 ve IR5 akımlarını çevre Örnek 3: Şekildeki devrede dirençler üzerinden geçen akımları düğüm
akımları yöntemine göre çözünüz.
gerilimleri yöntemine göre çözünüz.
Örnek 3: Şekildeki devrede dirençler üzerinden geçen akımları düğüm Örnek 3: Şekildeki devrede dirençler üzerinden geçen akımları düğüm
gerilimleri yöntemine göre çözünüz. gerilimleri yöntemine göre çözünüz.
Örnek 4: Şekildeki devrede dirençler üzerinden geçen akımları düğüm Örnek 4: Şekildeki devrede dirençler üzerinden geçen akımları düğüm
gerilimleri yöntemine göre çözünüz. gerilimleri yöntemine göre çözünüz.
Örnek 4: Şekildeki devrede dirençler üzerinden geçen akımları düğüm
gerilimleri yöntemine göre çözünüz.
Bohr atom
modeli
İletkenler
Bohr atom
modeli Tanecik
Proton
Sembol
p
Bağıl Yük
+1
Yük (C)
1,6x10-19
Kütle (g)
1,67x10-24
Nötron n 0 0 1,675x10-24
Elektron e -1 1,6x10-19 9,11x10-28
Yalıtkanlar Yarı iletkenler
PN eklemi PN eklemi
PN eklemi PN eklemi
Diyot Diyot
Doğru Polarma Ters Polarma
PN eklemi Ters Polarma

Diyot akımı
Diyotlarda akım • 27 oC’lik sıcaklıkta VT termal gerilimini bulunuz.
Diyot ters yön doyma akımı
𝑉𝐷
• 𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑇 −1 İdealite faktörü
Termal gerilim
𝑘𝑇
• 𝑉𝑇 =
𝑞
Boltman sabiti
Mutlak Sıcaklık
Elektron Yükü
Diyot Karakteristiği Diyot Karakteristiği

Diyot Karakteristiği Diyot Direnci
𝑉𝐷
• 𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
Diyot Direnci Örnek 1

𝑉𝐷
• 𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
Örnek 2 Örnek 3
Örnek 4
Diyot devreleri Örnek 1 Diyot devreleri Örnek 1
Devrede diyot eşik gerilimi 1,5V’tur. Buna Devrede diyot eşik gerilimi 1,5V’tur. Buna
göre göre
A. V1 kaynağı 3V A. V1 kaynağı 3V
B. V1 kaynağı 5V B. V1 kaynağı 5V
C. V1 kaynağı 10V, C. V1 kaynağı 10V,
İçin R3 direnci üzerindeki akımı hesaplayınız. İçin R3 direnci üzerindeki akımı hesaplayınız.
Diyot devreleri Örnek 1 Alternatif Dalga Formları
Devrede diyot eşik gerilimi 1,5V’tur. Buna

göre
A. V1 kaynağı 3V
B. V1 kaynağı 5V
C. V1 kaynağı 10V,
İçin R3 direnci üzerindeki akımı hesaplayınız.

Alternatif Dalga Formları Alternatif Dalga Formları
Alternatif Dalga Formları Alternatif Dalga Formları

Doğrultucu Devreler
AC gerilimi DC gerilime dönüştürmek Diyotların tek yönde akım
için doğrulma devrelerine ihtiyaç geçirmesinde faydalanır!!
duyulur. Doğrulma devreleri

2 gruba ayrılır:
• Yarım Dalga Doğrultucu
• Tam Dalga Doğrultucu
• Köprü Tipi Doğrultucu
VDC=0V VDC=0,318. (Vm)
Yarım dalga doğrultucu devresi Yarım dalga doğrultucu devresi
VDC=0,318 (Vm-VD)
Örnek
Tam Dalga Doğrultucu Tam Dalga Doğrultucu
VDC=0,636. (Vm) VDC=0,636. (Vm-2VD)

Zener Diyot Zener Diyot
Doğru polarma altında kristal Zener diyotların çalışması için
diyot gibi davranan zener diyotlar ihtiyaçları olan minimum akım ve
ters polarma altında üzerlerindeki çalışabilecekleri maksimum akım
gerilimi kırılma gerilimine sabitler. değerlerine dikkat edilmesi
2V ila 200V arasında üretilen gerekir.
zener diyotlar vardır.
Şekildeki devrede zener diyotun maksimum Şekildeki devrede zener diyotun maksimum
akım değeri 32mA olduğuna göre R2 direnci akım değeri 32mA olduğuna göre R2 direnci
a. en az a. en az
b. en çok b. en çok
Kaç ohm olabilir? Kaç ohm olabilir?
Şekildeki devrede Vi ile gösterilen

sinyal giriş olduğuna göre çıkış sinyali
Vo’yu önce matematiksel olarak
hesaplayınız sonra Vi üzerine çiziniz.
(Zener silisyumdur).
Şekildeki devrede Vi ile gösterilen

sinyal giriş olduğuna göre çıkış sinyali
Vo’yu önce matematiksel olarak
hesaplayınız sonra Vi üzerine çiziniz.
Schottky Diyot Varikap Diyot

Kristal diyotlardan daha az eşik Varikap diyotlar ayarlı kondansatör
değerine sahiptir. Böylelikle çok gibi çalışırlar. Ters polarma altında,
daha yüksek hızda tepki uygulanan gerilimin büyüklüğüne
oluştururlar. oranda kapasite değeri düşer.
Şotki diyotlar yüksek frekanslı
devrelerde kullanılırlar.
Tünel Diyot LED
Tunnel diyotlar yüksek hızda Light Emitting Diode
çalışabilir. Asıl ayıran özellik ise Işık yayan diyot çeşididir. LED’e
negatif direnç bölgesine sahip doğru polarma uygulandığında
olmasıdır. diyotta oluşan elektron-oyuk
hareketinden dolayı ışık ortaya
çıkar.
7-parçalı gösterge, RGB LED gibi
çeşitleri vardır.
Foto Diyot
Ters polarma altında üzerine Diyotlar, işaretin belirli bir kısmını sınırlandırmak ya da belirli bir
düşen ışık şiddetine göre iletime seviyeye kenetlemek gibi dalgaların şekillendirilmesinde ve bunun
geçen diyot çeşididir. yanında işaretin DC gerilim seviyesini kaydırmak amacıyla
kullanılabilirler. Bu devrelere sırasıyla “kırpıcı” ve “kenetleyici” devreler
adı verilir.
Kırpıcı Devreler
Negatif Kırpıcı: Giriş sinyalinin negatif alternansını kırparak, negatif

alternansların geçişine izin vermeyen devrelerdir.
• Negatif Kırpıcı
• Pozitif Kırpıcı
• Beslemeli Kırpıcı
• Bileşik Kırpıcı
Pozitif Kırpıcı: Giriş sinyalinin pozitif alternansını kırparak, pozitif Beslemeli (Ön gerilimli) Kırpıcı: Negatif ve/veya pozitif kırpıcı devreler DC
alternansların geçişine izin vermeyen devrelerdir. güç kaynağı bağlanarak sinyalin ötelenmesi yapan devrelerdir.
Bileşik Kırpıcı: Giriş sinyalinin hem negatif hem de pozitif alternansını

kırpan devrelerdir. Bu devrelere öngerilim kaynakları da bağlanabilir. Kenetleyici Devreler
Zamana göre değişen bir işaretin belirli bir seviyesini istenen bir değere
öteleyen ve bu değerde tutan devrelere kenetleme devreleri denir.
AC sinyalin özelliklerini değiştirmeden sadece DC seviyesini pozitif veya
negatif yöne kaydırma özelliğine sahip devrelerdir.
Negatif Kenetleyici
Öngerilimli Negatif Kenetleyici Pozitif Kenetleyici

Öngerilimli Pozitif Kenetleyici
Transistör
BJT FET
NPN PNP JFET MOSFET
N-Kanal P-Kanal Depletion Enhancement
P-Kanal N-Kanal P-Kanal N-Kanal
Bipolar Junction Transistör Yapısı BJT akımı

Giriş Karakteristiği Çıkış Karakteristiği
Çalışma Bölgeleri
• Aktif Bölge → BJT yükselteç olarak çalışır • IE≈IC
• Kesim Bölgesi → BJT kapalı, akım akmaz • VBE = 0.7V
• Doyum Bölgesi → BJT tüm akımı geçirir 𝐼𝐶
•𝛼 =
𝐼𝐸
𝐼𝐶
•𝛽 = (ℎ𝒻ℯ )
𝐼𝐵
Ortak Emiter Bağlantısı Ortak Emiter Bağlantısı
Sabit Polarma
• IE≈IC
• VBE = 0.7V
𝐼𝐶
•𝛼 =
𝐼𝐸
𝐼𝐶
•𝛽 = (ℎ𝒻ℯ )
𝐼𝐵
Yandaki devrede
VCC=15V, RC=2k, RB=70k ve Beta 20 olduğuna göre; IB, IC , VCE
Örnek 1 Örnek 1 değerlerini bulunuz
transistörün hangi bölgede çalıştığını gösteriniz.
Yandaki devrede
VCC=15V
RC=2k
RB=70k ve Beta 20 olduğuna göre;
IB
IC
VCE değerlerini bulunuz
transistörün hangi bölgede çalıştığını
gösteriniz.
Yandaki devrede
VCC=15V, RC=2k, RB=70k ve Beta 20 olduğuna göre; IB, IC , VCE
Örnek 1 değerlerini bulunuz
transistörün hangi bölgede çalıştığını gösteriniz.
Yandaki devrede
VCC=20V, RC=RE=1k, RB=200k ve Beta 100 olduğuna göre; Vo değerini bulunuz
Örnek 2 Örnek 2
Yandaki devrede
VCC=20V
RC=RE=1k
RB=200k ve Beta 100 olduğuna göre;
Vo değerini bulunuz
Yandaki devrede
VCC=20V, RC=RE=1k, RB=200k ve Beta 100 olduğuna göre; Vo değerini bulunuz
Örnek 2 Örnek 3
Yandaki devrede
VCC=22V
RC=10k , RE=1.5k
R1=39k , R2=3,9k (IB ihmal edilebilir)
VCE gerilimi bulunuz.
Yandaki devrede Yandaki devrede

VCC=22V, RC=10k , RE=1.5k R1=39k , R2=3,9k (IB ihmal edilebilir) VCC=22V, RC=10k , RE=1.5k R1=39k , R2=3,9k (IB ihmal edilebilir)
Örnek 3 VCE gerilimi bulunuz.
Örnek 3 VCE gerilimi bulunuz.
Örnek 4 Örnek 4
Yandaki devrede
Yandaki devrede VCC=12V
VCC=12V RC=2.2k
RC=2.2k RB=240k ve Beta 50 olduğuna göre;
RB=240k ve Beta 50 olduğuna göre; IB
IB IC
IC VCE değerlerini bulunuz
VCE değerlerini bulunuz
Örnek 4 Örnek 5 Yandaki devrede

Yandaki devrede Beta= 75
VCC=12V VCC=18V
RC=2.2k RC=2.4k
RB=240k ve Beta 50 olduğuna göre; RB=300k ve RE =510 Ω olduğuna göre;
IB IB
IC IC
VCE değerlerini bulunuz Vo değerlerini bulunuz
Örnek 5 Örnek 5
Beta= 75 Beta= 75
VCC=18V VCC=18V
RC=2.4k RC=2.4k
RB=300k ve RB=300k ve
RE =510 Ω RE =510 Ω
IB IB
IC IC
Vo değerlerini bulunuz Vo değerlerini bulunuz
Örnek 5 Örnek 6 Yandaki devrede

Beta= 45
Yandaki devrede VEE=-9V
Beta= 75 RC=1.2k
VCC=18V RB=100k olduğuna göre;
RC=2.4k IB
RB=300k ve IC
RE =510 Ω VC değerlerini bulunuz
IB
IC
Vo değerlerini bulunuz
Örnek 6 Örnek 6
Beta= 45 Beta= 45
VEE=-9V VEE=-9V
RC=1.2k RC=1.2k
RB=100k olduğuna göre; RB=100k olduğuna göre;
IB IB
IC IC
VC değerlerini bulunuz VC değerlerini bulunuz
BIL104 ELEKTRONİK DEVRELER JFET

Hafta 8
Field Effect Transistor
Alan Etkili Transistör
FET
Junction FET Metall-Oxide FET Metal-Semiconductor FET
Jonksiyon FET Metal Oksit FET Metal Yarıiletken FET
JFET MOSFET MESFET

VGS=?
VGS=0 iken ?
VGS=VP iken?
Sabit Polarmalı JFET Bağlantısı
Örnek
RD
VDD
G
RG
VGG
VDD
Kendinden Polarmalı JFET Bağlantısı
RD
RG RS
Gerilim Bölücü Polarmalı JFET Bağlantısı

BIL104 ELEKTRONİK DEVRELER Metal-Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör
Hafta 9 Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
MOSFET MOSFET
Azalan Tip MOSFET
Transistör D-MOSFET (Depletion MOSFET)
BJT FET
NPN PNP JFET MOSFET
N-Kanal P-Kanal Azalan Çoğalan
N-Kanal P-Kanal N-Kanal P-Kanal

Yapısı
Azalan
Mod Çoğalan
Mod
Örnek 1)
VGS=VP
IDSS=5mA
VGS=VP/2
VP=-4V
VGS=0.3VP
IDQ=?
VGS=0
VSGQ=?
VD=?
VS=?
VDS=?
IDQ=?
VSGQ=?
VD=?
VS=?
VDS=?
𝐼𝐷𝑄 ≅ 3,1𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆𝑄 ≅ −0,95𝑉
Çoğalan tip MOSFET
E-MOSFET (Enhancement MOSFET)
Örnek 2)
IDQ=?
VDSQ=?
VGSQ=?
Örnek 1
Örnek 2
Örnek 3
Örnek 4
Örnek 5
Örnek 6
▪ Op-amp’ın eviren (-) ve evirmeyen

(+) girişleri arasında potansiyel
fark yoktur. Kısaca gerilim farkı
sıfırdır.
▪ Op-amp’ın eviren (-) ve evirmeyen
(+) uçlarından, op-amp içerisine
küçük bir akım akar. Bu akım çok
küçük olduğundan ihmal edilebilir.
▪ Op-amp’ın içine akım akmaz, giriş
direnci sonsuzdur.
Yükselteçler; girişlerine uygulanan elektriksel işaretleri yükselterek
(kuvvetlendirerek) çıkışlarına aktaran sistemlerdir.
• Eviren Yükselteç
• Evirmeyen Yükselteç
• Toplayıcı
Fark alıcı devre, genelde ölçme ve kontrol sistemlerinin tasarımında kullanılan temel
yükselteç devresidir. Oldukça hassas ve kararlı bir çalışma karakteristiğine sahiptir.
Gerilim izleyici devreler; yüksek giriş, alçak çıkış empedansa sahip olmaları
nedeniyle pek çok uygulama ve tasarımda sıklıkla kullanılırlar.
Temel türev ve entegral alıcı

EVIRMEYEN YÜKSELTEÇ EVIRMEYEN YÜKSELTEÇ
FARK ALICI FARK ALICI
GERİLİM İZLEYİCİ

Bil104 Elektronik Devreler

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Bil104 Elektronik Devreler

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Genel Bilgiler Genel Bilgiler

Büyüklük Birim Sembol Büyüklük Birim Sembol

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

Genel Bilgiler Genel Bilgiler

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

• Akımın yönü zamanla değişime uğrar, belli bir zaman pozitif

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

Faraday yasası-Lenz yasası

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

AC sinyal • 60Hz, Vmax=100V’luk emk’nın 5ms’lik ani değerini hesaplayınız.

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

• Maksimum değer: emk’nın tepe değeri

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

• Efektif (etkin) değer: • Tepe değeri 5V olan sinyalin,

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

Faz ve faz farkı Sin dalga Tümleşik dalga

BIL104 1.Hafta BIL104 1.Hafta

PN eklemi Ters Polarma

Diyot Karakteristiği Diyot Karakteristiği

Diyot Direnci Örnek 1

Diyot devreleri Örnek 1 Alternatif Dalga Formları

Devrede diyot eşik gerilimi 1,5V’tur. Buna

İçin R3 direnci üzerindeki akımı hesaplayınız.

Alternatif Dalga Formları Alternatif Dalga Formları

duyulur. Doğrulma devreleri

Yarım dalga doğrultucu devresi Yarım dalga doğrultucu devresi

Tam Dalga Doğrultucu Tam Dalga Doğrultucu

VDC=0,636. (Vm) VDC=0,636. (Vm-2VD)

Zener Diyot Zener Diyot

Şekildeki devrede Vi ile gösterilen

Şekildeki devrede Vi ile gösterilen

Schottky Diyot Varikap Diyot

Negatif Kırpıcı: Giriş sinyalinin negatif alternansını kırparak, negatif

Bileşik Kırpıcı: Giriş sinyalinin hem negatif hem de pozitif alternansını

Öngerilimli Negatif Kenetleyici Pozitif Kenetleyici

NPN PNP JFET MOSFET

N-Kanal P-Kanal Depletion Enhancement

P-Kanal N-Kanal P-Kanal N-Kanal

Bipolar Junction Transistör Yapısı BJT akımı

Yandaki devrede Yandaki devrede

Örnek 4 Örnek 5 Yandaki devrede

Örnek 5 Örnek 6 Yandaki devrede

BIL104 ELEKTRONİK DEVRELER JFET

Field Effect Transistor

Alan Etkili Transistör

Junction FET Metall-Oxide FET Metal-Semiconductor FET

Jonksiyon FET Metal Oksit FET Metal Yarıiletken FET

JFET MOSFET MESFET

Kendinden Polarmalı JFET Bağlantısı

Gerilim Bölücü Polarmalı JFET Bağlantısı

Azalan Tip MOSFET

Transistör D-MOSFET (Depletion MOSFET)

NPN PNP JFET MOSFET

N-Kanal P-Kanal Azalan Çoğalan

N-Kanal P-Kanal N-Kanal P-Kanal

E-MOSFET (Enhancement MOSFET)