Professional Documents
Culture Documents
Lession 3 Diode
Lession 3 Diode
☺
1/72
Nội dung
2/72
Tiếp giáp PN
3/72
4/72
Dòng khuếch tán Ikt
• Do chªnh lÖch nång ®é h¹t dÉn gi÷a hai phÝa cña khu
vùc mÆt ghÐp PN: pp >> pn vµ nn >> np nªn x¶y ra qu¸
tr×nh khuyÕch t¸n lç trèng tõ b¸n dÉn P sang b¸n dÉn N
vµ ®iÖn tö tõ N sang P t¹o thµnh dßng khuyÕch t¸n Ikt
• Ikt = Ipkt + Inkt : dßng cña h¹t dÉn ®a sè
5/72
ðiện thế tiếp xúc Utx
6/72
7/72
Utx
• Do tån t¹i líp ®iÖn tÝch kÐp Q, h×nh thµnh mét ®iÖn thÕ
tiÕp xóc Utx t¹i vïng tiÕp gi¸p. Gi¸ trÞ Utx tÝnh theo c«ng
thøc sau:
KT Pp KT n n
U tx = ln = ln
q P q n
n p
• Víi chÊt b¸n dÉn
Ge: Utx ≅ 0,3V Si: Utx ≅ 0,7V
• Itr«i = In tr«i + I p tr«i : dßng cña h¹t dÉn thiÓu sè
• IΣ = Ikt - I tr«i = 0 : ?
8/72
Phân cực cho diode
9/72
10/72
Figure 1: Closeup of a
diode, showing the
square shaped
semiconductor crystal
12/72
13/72
Ph©n lo¹i diode
14/72
ðặc tuyến V-A
15/72
ðặc tuyến V-A
UD
• I=Is[exp( mU ) -1]
T
16/72
ðặc tuyến V-A
17/72
• §iÖn ¸p më cña §iot Ge nhá h¬n so víi §iot Si:
UD0 = 0,3V (Ge)
UD0 = 0,7V (Si)
• §iot Si cã ®iÖn ¸p ng−îc ®¸nh thñng lín h¬n §iot Ge, (§iot Si
gi¸ trÞ nµy cã thÓ ®¹t tíi 1000V cßn §iot Ge chØ cì kho¶ng
400V.)
• §iot Si cã d¶i nhiÖt ®é lµm viÖc lín h¬n §iot Ge (nhiÖt ®é cùc ®¹i
cña §iot Si cã thÓ ®¹t tíi 2000C cßn ®èi víi §iot Ge lµ kh«ng qu¸
1000C).
• Dßng ng−îc cña §iot Si nhá h¬n nhiÒu so víi §iot Ge
IS (Si) << IS (Ge).
18/72
¶nh h−ëng cña nhiÖt ®é lªn ®Æc tuyÕn cña §iot
ID(mA)
15
10
UD(V)
-60 -50 -40 -30 -20 -10 0
0,3 0,5 0,7
0,1µA
19/72
20/72
• §èi víi §iot b¸n dÉn, cø t¨ng nhiÖt ®é thªm 100C dßng
IS sÏ t¨ng gÊp ®«i (®iÒu nµy sÏ kh«ng tèt, ®Æc biÖt ®èi
víi §iot lo¹i Ge).
VÝ dô ë 250C, IS ≈ 1µA th× ë 1000C, IS > 0,1mA
• NhiÖt ®é t¨ng, ®iÖn ¸p ng−îc ®¸nh thñng t¨ng
• NÕu gi÷ dßng ID thuËn kh«ng ®æi th× ®iÖn ¸p trªn §iot
sÏ ph¶i gi¶m ®i khi nhiÖt ®é t¨ng (ng−êi ta nãi hÖ sè
nhiÖt - ®iÖn ¸p lµ ©m) vµ b»ng kho¶ng:
δ UD
= - 2 mV 0
δT K
I = const
D
21/72
C¸c tham sè chÝnh cña §iot b¸n dÉn
22/72
C¸c tham sè giíi h¹n
23/72
C¸c tham sè ®iÖn
24/72
C¸c hä ®−êng cong ®Æc tuyÕn cña tham sè ®iÖn
25/72
VÝ dô
26/72
§iÖn trë cña §iot
• - §iÖn trë mét chiÒu:
UD
RD =
ID
• - §iÖn trë xoay chiÒu rD: hay cßn gäi lµ ®iÖn trë ®éng,
®−îc x¸c ®Þnh bëi ®¹o hµm t¹i ®iÓm Q:
dU D ∆UD
rD = ≡
dID ∆ID
UD UD
1 dI D d 1 ID + 1 =
= = I
S (e
mU T
- 1) = I
S mU
1 e mU T = I
S mU
1
(ID + I S )
rD dU D dU D T IS
T mU
T
27/72
S¬ ®å t−¬ng ®−¬ng cña ®iot
• §iot lý t−ëng
ID
A DLT K
0 UD
• D → DLT nÕu:
Umth >> UD0
Rt + Rth >>rD
fmax cña §iot >> fth
28/72
29/72
30/72
S¬ ®å t−¬ng ®−¬ng ë tÇn sè thÊp
31/72
32/72
Diode Zener
33/72
C¸c tham sè chÝnh cña §iot Zener
• - UZ: §iÖn ¸p danh ®Þnh - lµ ®iÖn ¸p trung b×nh tiªu biÓu cña §iot
Zener ë vïng lµm viÖc. Th«ng th−êng ®èi víi c¸c lo¹i §iot Zener
UZ n»m trong kho¶ng tõ 1,8V ®Õn 200V, c«ng suÊt tiªu t¸n ë chÕ
®é Zener tõ 0,25W ®Õn 50W
• - IZ min: Dßng ®iÖn tèi thiÓu - lµ dßng ®ñ ®Ó §iot duy tr× ®−îc ë
chÕ ®é Zener.
• - IZ max: Dßng ®iÖn tèi ®a cho phÐp - nÕu I > IZ max §iot sÏ chuyÓn
sang vïng ®¸nh thñng vÒ nhiÖt, tiÕp gi¸p bÞ nãng côc bé vµ §iot
bÞ ph¸ huû kh«ng håi phôc ®−îc.
• - IZ 0: Dßng danh ®Þnh - lµ dßng øng víi 1/4 c«ng suÊt cùc ®¹i vµ
®−îc tÝnh b»ng c«ng thøc
I z max + I z min
I zo =
2
34/72
• RZ: §iÖn trë tÜnh
• rZ: §iÖn trë xoay chiÒu (®iÖn trë ®éng)
• Z: HÖ sè æn ®Þnh
dI z dU z R z
Z= : =
Iz Uz rz
• ϒTZ: HÖ sè nhiÖt - ®−îc x¸c ®Þnh b»ng sù thay ®æi t−¬ng ®èi
cña ®iÖn ¸p UZ tÝnh b»ng % khi nhiÖt ®é thay ®æi 10C.
∆U Z
γ TZ = x 100% %/ 0 C
UZ (T - T0 )
• PZ max: C«ng suÊt tiªu t¸n cùc ®¹i trªn §iot Zener
PZ max = IZ maxUZ
• IS: Dßng ng−îc bJo hoµ cùc ®¹i
35/72
Sơ ñồ tương ñương
36/72
VÝ dô 2-6: Cho §iot Zener 1N961 cã c¸c tham sè sau (ë nhiÖt ®é 250C):
UZ = 10V ; IZ min = 0,25mA ; IZ max = 32mA;
rZ = 8,5Ω ; IS = 10µA ; ϒTZ = + 0,072%/0C;
a/ TÝnh ®iÖn ¸p trªn §iot t¹i gi¸ trÞ IZ max
b/ TÝnh ®iÖn ¸p trªn §iot ë nhiÖt ®é 650C
G : a/ Víi dßng IZ max = 32mA sÏ g©y nªn mét gia t¨ng ®iÖn ¸p trªn rZ lµ:
IZ max x rZ = 32mA x 8,5Ω = 272mV
VËy ®iÖn ¸p trªn §iot Zener t¹i gi¸ trÞ dßng IZ max sÏ b»ng:
U’Z = UZ + IZ max rZ = 10V + 272mV = 10,272V
b/ ϒTZ ë nhiÖt ®é T = 650C:
UZ (T) = UZ (T0) [1 + ϒTZ (T - T0)]
ë ®©y: T0 = 250C, T = 650C
VËy UZ (650C) = 10V [1+ 0,072%/0C x (650C - 250C)] = 10,288V
37/72
§iot biÕn dung (Varicap hoÆc Varactor)
38/72
A
Cv = ε
d tx
39/72
1
f0 =
2π LC tñ
40/72
Mét sè øng dông phæ biÕn cña §iot b¸n dÉn
• ChØnh l−u
• H¹n chÕ
• æn ¸p
41/72
ChØnh l−u nöa chu kú
U0 98,64V
I0 = = = 98,64m
Rt 1KΩ
Ung D = 310,2V
43/72
• UngD <=2Um
44/72
45/72
Ripple
46/72
Diode Bridge
47/72
Diode Bridge
48/72
• §iÖn ¸p chØnh l−u: U0 = 0,636Um
• NÕu tÝnh ®−îc h¹ ¸p trªn §iot
U0 = 0,636 (Um - 2UD0)
Uo
• Dßng chØnh l−u: I o =
Rt
• §iÖn ¸p ng−îc ®Æt trªn §iot ë møc nöa chu kú ©m:
UngD = Um
49/72
Có tụ lọc
U0 ≈ Um
50/72
ChØnh l−u c¶ chu kú cã ®iÓm gi÷a
53/72
M¹ch nh©n ®iÖn ¸p n lÇn
54/72
M¹ch h¹n møc dïng §iot b¸n dÉn
55/72
M¾c nèi tiÕp
56/72
57/72
58/72
M¾c song song
59/72
60/72
61/72
62/72
Mạch hạn chế
63/72
64/72
M¹ch dÞch møc (Clamper)
• §iÒu kiÖn :
65/72
• VÝ dô 2-9: VÏ tÝn hiÖu ra ®èi víi m¹ch dÞch møc biÕt R
= 100KΩ, C = 1µF, ftÝn hiÖu = 1000Hz.
66/72
M¹ch æn ¸p dïng §iot Zener
67/72
M¹ch kh«ng t¶i
• VÝ dô 2-10: Cho m¹ch æn ¸p dïng §iot Zener kh«ng t¶i víi c¸c
th«ng sè sau: R0 = 1KΩ, IZmin = 0,5mA, IZmax = 11,5mA, UZ =
10V. Coi §iot Zener lµ lý t−ëng, hhy t×m ®iÓm lµm viÖc Q øng
víi ®iÓm gi÷a cña vïng Zener. Hhy tÝnh ®iÖn ¸p ®Æt vµo cùc ®¹i
Emax, vµ cùc tiÓu Emin? TÝnh c«ng suÊt tiªu t¸n trªn §iot Zener t¹i
®iÓm lµm viÖc Q .
• NÕu tÝnh tõ ®iÓm Q th× sù thay ®æi ®iÖn ¸p vµo vÒ 2 phÝa
sÏ ®−îc tÝnh b»ng mét nöa toµn bé l−îng thay ®æi trªn
tøc lµ b»ng = 5,5V vµ th−êng ®−îc viÕt ∆E = ±5,5V
68/72
M¹ch cã t¶i
U Z + IZ rZ
E = IZ R 0 + R 0 + U Z + IZ rZ
R t
(rZ + rZ + U 1 + R o
E = I Z R 0 1 + Ro Rt Z ) ( Rt
)
E = IZ R 0 +U Z (1 + RR )
o
t
69/72
• VÝ dô 2-11: X¸c ®Þnh gi¸ trÞ cùc tiÓu vµ cùc ®¹i cña
®iÖn ¸p vµo: Emin, Emax nÕu biÕt IZmin = 1mA, IZmax =
15mA, UZ = 5V, rZ = 10Ω, R0 = 1KΩ, Rt = 1KΩ.
70/72
Tãm t¾t
71/72
72/72