TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ

BỘ MÔN ĐIỆN TỬ
BÁO CÁO THIẾT KẾ VI MẠCH TƯƠNG TỰ
THIẾT KẾ MẠCH COMMON-SOURCE AMPLIFIER
Môn: Thiết kế vi mạch - Lớp: L06 Tên nhóm: Nhóm 4

STT MSSV Họ Tên

1 1913258 Nguyễn Ngọc Hải

2 1913929 Trần Thị Mỹ Lệ

3 1915446 Hồ Minh Thức

4 1915642 Ngô Huỳnh Ngọc Trinh

5 1913064 Nguyễn Tiến Đạt

NHẬN XÉT, 
ĐÁNH GIÁ CỦA
GIẢNG VIÊN

Họ và tên nhóm trưởng: Hồ Minh Thức, Số ĐT: 0335937761, Email: thuc.ho211@hcmut.edu.vn

1
1. Tổng quan lý thuyết.
1.1. Giới thiệu chung.
Mạch Common Source Amplifier có một số mạch phổ biến như: mạch tải trở, tải là nguồn dòng, tải

là PMOS… Trong bài thí nghiệm sẽ mô phỏng hoạt động, các thông số của mạch CS tải trở.
Là bộ khuếch đại điện áp đầu vào và điều chỉnh dòng điện chạy qua MOSFET, thay đổi điện áp
trên điện trở đầu ra theo định luật Ohms. Tuy nhiên, điện trở đầu ra của thiết bị thường không cao
cho bộ khuếch đại hợp lý (lý tưởng là vô hạn), cũng không đủ thấp cho bộ khếch đại điện áp tốt (lý
tưởng là bằng 0).

1.2. Phân tích các thông số thiết kế.

- Bảng đặc tả kỹ thuật CMOS công nghệ 180nm:

2
 Thông số kỹ thuật CMOS (chung cho họ công nghệ 180 nm)
Lithography 180nm
Điện áp (VDD) 1.8V
Tùy chọn cung cấp điện bổ sung 2.5V / 3.3V I/O
NFET/PFET tiêu chuẩn
Lmin 0.18um
Leff 0.11um / 0.14um
Vt 0.43V / -0.38V
IDsat 600mA/260mA
Ioff <80 pA/um (tại 25° C)
Tox 3.5nm
NFET/PFET lớp oxit dày
Lmin 0.4um
Leff 0.29um
Vt 0.64V / -0.67V
IDsat 550mA / 235mA
Ioff <1 pA/um (tại 25° C)
Tox 7nm
- Công thức liên quan:
Chế độ DC:

- Vin < VTH : M0 off => ID = 0 => Vout =VDD = 1.8V

- Vin = VTH : M0 bắt đầu dẫn: chế độ bão hòa => VDSsat = Vin - VTH ≈ 0

=> Vout = VDD = 1.8V

- Vin > VTH : VGS ↑ => ID ↑ => VD ↑ => Vout ↓ : chế độ bão hòa

+ Vin > VTH => chế độ bão hòa

1 W 2
I D = μ n C ox (V ¿ −V TH )
2 L

1 W 2
V out =VDD−I D R D =VDD− μ n C ox ( V ¿−V TH ) RD
2 L

3
 + Vout = Vin - VTH => chế độ bão hòa sang chế độ triode

=> tiệm cận về 0

1 W
V ¿1 −V TH =VDD− μn Cox (V ¿1 −V TH )2 R D
2 L

Với V ¿1 =
√ 1+4 α VDD−1 +V 1 W
(trong đó : α = μ Cox R D )
2α TH
2 n L

+ Vin > Vin1

1 W
V out =VDD− μn C ox R D [2(V ¿ −V TH )V out −V out ]
2 L

+ Vout << 2(Vin - VTH) => deeptriode

VDD
V out =
W
1+ μn C ox R D (V ¿ −V TH )
L

Chế độ AC:

W
gm =μ n C ox (V ¿ −V TH )
L

1 1 1
= v ớ i λ=
r0 λ I D L

Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ:

4
Độ lợi:

V OUT W
A v= =−R D μ n C ox ( V ¿−V TH )=−gm R D
V¿ L

Có điều chế kênh dẫn:

A v =−gm RD /¿ r 0

1.3. Mô hình thiết kế lý thuyết.

Dựa vào thông số kỹ thuật và các công thức trong phần 1.1 và 1.2 thực hiện tính toán theo lý
thuyết:
Chế độ DC:

- Vin < VTH : Vout = VDD = 1.8V chế độ off

- Vin = VTH : Vout = VDD = 1.8V chế độ bão hòa

- Vin > VTH :

+Vin > VTH : chế độ bão hòa

−6
1 −4 32. 10
V out =1,8− .1,34225 .10 . .(0,8−0,43)2 .500 ≈ 0 , 983(V )
2 180.10 −9

+ Vout = Vin - VTH : Vout ≈ 0 chế độ triode

Chế độ AC:

5
 |
gm = 1,34225.10 .
−4 32. 10−6
180.10
−9 |
.(0,2−0,43) =0.006

1
r0 = .0,6=3,33 MO h ms
180. 10−9

Độ lợi:

A v =−0,006 ×500=−2,74

Có điều chế kênh dẫn: vì r0 >> RD mà r0 //RD => bỏ qua r0

=> độ lợi không đổi

2. Thực hiện thiết kế

2.1. Mạch thiết kế cấp CMOS
- Hình ảnh của thiết kế:
-

6
- Hình ảnh thiết kế symbol:

7
2.2. Mạch mô phỏng, kiểm tra.
- Mạch Testbench kiểm tra thiết kế:

8
Cho VGS=Vin thực hiện kiểm tra hoạt động của NMOS. DC: V in (0V  1.8V), Transient: Vin
=100mV, trans: 0.5us

- Hình ảnh thiết kế layout

9
- Kiểm tra DRC và LVS

DRC:

LVS:

2.3. Kết quả mô phỏng

Kết quả mô phỏng chế độ DC:

10
- Vin < VTH : Vout = VDD = 1.8V chế độ off

- Vin = VTH = 0.42V: Vout = VDD = 1.8V chế độ bão hòa

- Vin > VTH :

+Vin > VTH : chế độ bão hòa

V out giảm dần điện áp từ 1.8V - 0.1V

+ Vout = Vin - VTH : Vout ≈ 0 chế độ triode

Kết quả mô phỏng chế độ AC:

11
- Độ lợi:

12
 V OUT
A v= =−6,2 dB+43 °
V¿

A v ≈−2.04

3. Kết luận
3.1. Nhận xét

Thiết kế, kiểm tra hoạt động của mạch Common-Source Amplifier tải là trở. Khó khăn: DRC
còn một số lỗi, LVS không đọc được tài nguyên.

3.2. Kết luận

Nhìn chung kết quả đồ thị mô phỏng Testbench đúng với lý thuyết. Kết quả Vout có sai số so
với lý thuyết.

4. Tài liệu tham khảo

Foundry technologies 180-nm CMOS, RF CMOS and SiGe BiCMOS.

13