Mở Đầu

1. Lý do chọn đề tài
Thế giới đang chứng kiến sự thay đổi chóng mặt của khoa học công
nghệ. Sự phát triển của khoa học công nghệ đã đem lại những diện mạo mới
cho cuộc sống con người và công nghệ điện tử viễn thông . Tuy nhiên, công
nghệ điện tử truyền thống đang tiến đến những giới hạn cuối cùng của kích
thước thang vi mô, mà đang bắt đầu được thay thế bởi một thế hệ mới với sự
ra đời của khoa học và công nghệ nano.
Hơn mười năm trở lại đây, ngành vật lý vật liệu đã tiến một bước vượt
bật với hai khám phá khoa học quan trọng : Tính chất siêu dẫn ở nhiệt độ cao
và từ trở khổng lồ. Cả hai đang và sẽ đem lại cho công kỹ nghệ những ứng
dụng phi thường. Đặc biệt là các nghiên cứu về từ trở khổng lồ đã đưa đến
những tiến bộ khó tưởng trong khả năng dự trữ thông tin của máy vi tính ngày
nay. Hội đồng bình xét giải Nobel Vật lý năm 2007 của Viện Hàn lâm Khoa
học Hoàng gia Thuỵ Điển vừa quyết định trao giải Nobel Vật lý năm 2007 cho
hai nhà vật lý là Albert Fert (quốc tịch Pháp, Đại học Paris-Sud, Orsay, Pháp)
và Peter Grünberg (quốc tịch Đức, Trung tâm Nghiên cứu Juelich, Đức) cho
những phát kiến của họ về hiệu
ứng từ điện trở khổng lồ. Phát kiến
này góp phần tạo ra một lĩnh vực
mới là spintronics (điện tử học
spin), ngành nghiên cứu nhằm tạo
ra một thế hệ linh kiện điện tử

mới, sử dụng đồng thời hai thuộc

Hình 1: Peter Gründberg và Albert Fert
tính của điện tử là điện tích và
spin. Spintronic- điện tử học Spin là sản phẩm của khoa học và công nghệ
nano mà đối tượng của nó là điều khiển spin tạo ra một thế hệ linh kiện điện tử
mới. Thuật ngữ này bắt đầu xuất hiện từ những tập niên 1990 và đang bắt đầu
trở thành một xu hướng nghiên cứu nóng bỏng trên thế giới với nhiều triển
vọng phát triển hứa hẹn. Trong thời gian hơn 10 năm qua, ba trung tâm khoa
học công nghệ lớn của thế giới là: Mỹ, Châu Âu và Nhật Bản đã liên tục tăng
cường đầu tư cho lĩnh vực khoa học công nghệ mới vừa mang tính mạo hiểm
nhưng đầy triển vọng này. Đến tháng 11 năm 2001, Trung tâm đánh giá công
nghệ của Mỹ (WTEC) đã tổ chức một cuộc Hội nghị chiến lược quan trọng
nhằm:
 Gặp mặt và trao đổi thông tin trong cộng đồng nghiên cứu về tình
trạng và khuynh hướng nghiên cứu phát triển trên thế giới trong lĩnh vực
Spintronics
 Cung cấp một sự đánh giá so sánh 3 cường quốc Khoa học công
nghệ thế giới nói trên để xác định các trung tâm 'excerlence', làm rõ các thời
cơ, chiến lược nghiên cứu triển khai và khả năng hợp tác trong lĩnh vực khoa
học công nghệ mới mẻ này. Các nước Đông Á khác như Hàn Quốc, Đài Loan,
Singapore cũng đang chú trọng tới hướng khoa học công nghệ này. Tháng 10
năm 1998 Bộ Khoa học Công nghệ Hàn Quốc đã cho thành lập ở Taejeon một
Trung tâm Nanospinics làm về Vật liệu spintronic (CNSM), do GS. Sung-
Chul Shin làm giám đốc. Đến năm 2000 một Trung tâm nghiên cứu Khoa học
về spin điện tử (eSSC) lại được tiếp tục thành lập ở Đại học Pohang do GS.
Yoon Hee Jeong làm giám đốc. Các Trung tâm này được ưu tiên lớn cả về
kinh phí và tổ chức, mỗi dự án cỡ trên 1 triệu USD/ năm và kéo dài khoảng 5
năm. Ở Đài Loan, Viện Vật Lý thuộc Viện Hàn lâm khoa học Đài Loan cũng
chú trọng ưu tiên hướng Khoa học Công nghệ spintronics. Ở Singapore
Trường Tổng hợp quốc gia và Viện nghiên cứu tích trữ dữ liệu cũng thành lập
các chương trình nghiên cứu spintronics. Đề tài spintronics đã chiếm một vị
thế quan trọng tại các cuộc hội nghị về Từ, về Bán dẫn, về Công nghệ nanô và
về Điện tử trên thế giới. Vấn đề kết hợp nghiên cứu với đào tạo, nghiên cứu
với công nghiệp, hợp tác giữa các Phòng thí nghiệm trong lĩnh vực spintronics
đang được bàn đến ở nhiều diễn đàn. Sau khoảng 10 năm Spintronics không
còn là một khoa học mơ tưởng của một nhóm người nữa, mà đã là một ngành
khoa học công nghệ vừa có ý nghĩa cách mạng vừa có ý nghĩa kinh tế thực sự
đối với phát triển khoa học công nghệ của thế giới trong thế kỷ 21. Người ta
đã không ngần ngại mà kết luận rằng: Spintronics sẽ là thế hệ linh kiện thế kỷ
21 thay cho các linh kiện điện tử truyền thống điều khiển điện tích của điện tử
đã lỗi thời. Spintronics không chỉ là một trong những hướng công nghệ sẽ phát
triển mạnh trong tương lai, sẽ có tác động mạnh mẽ đến các công nghệ điện
tử-tin học-viễn thông, kể cả trong lĩnh vực quân sự, của thế kỷ 21, mà còn là
một trong những hướng quan trọng của công nghệ nano nhằm tạo ra những
linh kiện, dụng cụ điện tử hoạt động theo những nguyên lý mới hoàn toàn.
Ở Việt Nam hiện nay khi nhắc đến công nghệ nano, vật liệu nano thì
không còn mới lạ nữa mà vấn đề này đang được nghiên cứu rất nhiều. Năm
1996 Hiệu ứng GMR trong các màng mỏng từ dạng hạt và các cấu trúc van
spin lần đầu tiên nghiên cứu ở trong nước là ở viện ITIMS . Nhiều năm sau
một số viện, trường đại học khác đã bắt đầu quan tâm, như Viện Khoa Học
Vật Liệu (IMS), trường đại học Khoa Học Tự Nhiên, Đại Học Quốc Gia Hà
Nội. Gần đây nhiều vấn đề khác của spintronics đã được tiếp cận và triển khai
nghiên cứu rộng rãi hơn ở một số cơ sở đào tạo đại học và nghiên cứu khoa
học. Dự kiến trong những năm tới, xu hướng nghiên cứu về spintronics ở
trong nước sẽ được quan tâm rộng rãi hơn, phát triển các vấn đề phong phú và
sâu sắc hơn. Những kết quả nghiên cứu nổi bật gần đây nhất ở viện ITIMS
liên quan đến spintronics được trình bày trong các báo cáo tổng kết của các đề
tài như “Vật liệu từ có hiệu ứng đặc biệt và cấu trúc nano”, “Chế tạo và ghiên
cứu các tính chất của vật liệu từ cấu trúc nano”, và đề tài cấp Bộ “Chế tạo bộ

chuyển đổi từ-điện sử dụng cảm biến van spin”. (bổ sung)
Spintronics là vấn đề rất mới và đang được nghiên cứu nhiều ở nước ta
hiện nay. Đó chính là lí do tôi quyết định chọn đề tài này: “Công nghệ
Spintronics”.
2. Mục đích nghiên cứu
Ngày nay cùng với việc phát triển chóng mặt của khoa học thì thế giới
cũng đang chạy đua tìm ra vật liệu mới với nhiều tính năng ưu việt.
Spintronics là một lĩnh vực rất mới hiện nay và được nhiều nhà khoa học trên
thế giới quan tâm. Mục đích tôi nghiên cứu đề tài này là:
- Biết ứng dụng của công nghệ Spintronics trong cuộc sống
- Hiểu thêm về các kinh kiện điện tử được tạo ra từ công nghệ
Spintronics
- Có cái nhìn tổng quan hơn về việc nghiên cứu tạo ra vật liệu mới
- Biết trào lưu chế tạo ra các vật liệu mới ngày nay.
3. Nhiệm vụ nghiên cứu
Để hoàn thành tốt đề tài này nhiệm vụ cụ thể đặt ra là:
- Tổng quan và nghiên cứu các tài liệu liên quan đến đề tài .
- Tìm hiểu các linh kiện điện tử thực tế.
- Nghiên cứu cơ sở lý luận của công nghệ Spintronics.
- Nghiên cứu ưu điểm, nhược của linh kiện Spintronics.
4. Đối tượng nghiên cứu
 Để đạt được mục đích nghiên cứu và nhiệm vụ nêu ra tôi xác định đối
tượng nghiên cứu như sau:
- Cơ sở lý luận của công nghệ Spintronics.
- Cấu tạo, hoạt động của các linh kiện được tạo ra từ công nghệ
Spintronics.
- Nghiên cứu các công nghệ chế tạo ra các linh kiện Spintronics.
5. Phạm vi nghiên cứu
Đề tài nghiên cứu tìm hiểu sơ lược về công nghệ Spintronics, nghiên
cứu một số linh kiện Spintronics điển hình, sơ lược về kỹ thuật sử dụng trong
công nghệ Spintronics.
6. Phương pháp nghiên cứu
- Nghiên cứu lý thuyết.
- Thu thập, xử lý, tổng hợp, khái quát tài liệu.
 Nội Dung
Chương I: Cơ sở lý thuyết
I.1. Điện tích điện tử
Điện tích của điện tử được gọi là điện tích nguyên tố và có giá trị đặc
trưng là e = -1,6.10-19 C, và đã được con người khai thác từ rất lâu mà đặc
trưng đơn giản đó là dòng điện. Các linh kiện điện tử truyền thống sử dụng
điện trường để điều khiển điện tích của điện tử trong các linh kiện.
I. 2. Spin của điện tử
Năm 1925, hai nhà vật lý người Hà Lan là G. E Uhlenbeck và S. A.
Goudsmit đã nhận thấy rằng một khối lượng lớn các số liệu khó hiểu liên quan
đến những tính chất của ánh sáng phát xạ và
hấp thụ bởi các nguyên tử có thể giải thích
được nếu như giả thiết rằng electron có những
tính chất từ rất đặc biệt. Điện tử ngoài mômen
động lượng và mômen từ do chuyển động quay
xung quanh hạt nhân mà có còn có mômen
động lượng riêng và mômen từ riêng do chuyển động tự quanh mình nó.
Mômen động lượng riêng được gọi là mômen động lượng spin hay đôi khi gọi

tắt là spin, kí hiệu là S . Spin là một đặc trưng của điện tử, là một đại lượng
động lực gắn liền với lưỡng tính sóng- hạt của các đối tượng vi mô. Mỗi
electron trong vũ trụ luôn luôn và mãi mãi quay với một tốc độ cố định và
không bao giờ thay đổi. Spin của electron không phải là một trạng thái chuyển
động nhất thời như đối với những vật quen thuộc mà vì một nguyên nhân nào
đó khiến cho chúng tự quay. Spin của electron là một tính chất nội tại, cố hữu
giống như khối lượng và điện tích của nó. Spin của điện tử có độ lớn là ±1/2,
và có thể định hướng theo 2 chiều là chiều lên ↑ (spin up) và chiều xuống ↓
(spin down). Mômen động lượng riêng được đặc trưng bởi số lượng tử s và
hình chiếu của spin lên trục z được đặc trưng bởi số lượng tử ms.

S  s ( s  1) và S z  ms 

Thực tế mô tả spin như chuyển động quay chỉ là cách mô tả đơn giản
mang tính chất hình ảnh nhưng không hoàn toàn chính xác, spin thực tế là đặc
trưng của các hạt cơ bản. Các hạt cơ bản có spin bán nguyên gọi là các
fermion chúng tuân theo phân bố Fermi-Dirac, còn các hạt cơ bản có spin
nguyên gọi là các boson chúng tuân theo phân bố Bose-Einstein.
I. 3. Dòng phân cực Spin
Nếu như dòng trong các linh kiện truyền thống là dòng của điện tích,
các bit tạo ra nhờ sự chênh lệch về điện tích thì dòng trong linh kiện
spintronics là dòng spin phân cực và các bit 0 - 1 tạo ra nhờ 2 trạng thái định
hướng của spin là "up" và "down". Khái niệm về dòng phân cực spin thực ra
có từ trước khi phát hiện ra hiệu ứng GMR, được Mott đề xuất năm 1935
nhằm lý giải hiệu ứng AMR. Mott cho rằng ở nhiệt độ đủ thấp sao cho tán xạ
trên magnon đủ nhỏ thì các dòng chuyển dời điện tử chiếm đa số (có spin song
song với từ độ) và thiểu số (có spin đối song song với từ độ) sẽ không bị pha
trộn trong quá trình tán xạ. Sự dẫn điện có thể coi là tổng hợp của hai dòng
độc lập và không cân bằng của hai loại spin có chiều khác nhau. Đó chính là
khái niệm về dòng phân cực spin. Và mô hình của Mott được gọi là mô hình
hai dòng điện, và sau đó được nhóm của Campel mở rộng vào năm 1937, và
sau đó tiếp tục được bổ sung hoàn thiện và là một khái niệm quan trọng để mô
tả hiệu ứng từ điện trở cũng như các quá trình trong linh kiện spintronics.
 Ở điều kiện không có từ trường, từ độ ở hai lớp sẽ phải định hướng
phản song song với nhau. Điện tử khi truyền qua các lớp từ tính sẽ tán xạ phụ
thuộc vào sự định hướng tương đối giữa véctơ từ độ và spin của điện tử. Nếu
spin cùng chiều với từ độ thì sẽ ít tán xạ (tương ứng với điện trở nhỏ), còn
ngược chiều nhau thì sẽ gây ra sự tán xạ lớn
(tương ứng với điện trở lớn). Hai dòng spin có
chiều ngược nhau sẽ tương đương với 2 mạch
điện mắc song song. Khi có từ trường từ hóa,
véctơ từ độ sẽ đảo chiều hướng theo chiều từ
trường, dẫn đến việc thay đổi sự tán xạ của
hai dòng điện tử (xem hình vẽ) do vậy thay
đổi điện trở của "mạch điện". Cơ chế này
được lý giải bằng một câu ngắn gọn là "Tán
xạ phụ thuộc vào spin của điện tử".
Như vậy, ta thấy rằng nếu mật độ giữa
các spin up và down khác nhau, sẽ dẫn đến sự thay đổi về khả năng tán xạ trên
mômen từ do đó dẫn đến việc thay đổi các tính chất của mạch điện. Người ta
đưa ra khái niệm độ phân cực spin của dòng điện tử cho bởi công thức:
n  n
P (%) 
n  n

Với n , n lần lượt là mật độ spin up và down. Độ phân cực có độ lớn từ 0 đến
100%. Có những vật liệu dù là sắt từ, nhưng lại có P rất nhỏ, có nghĩa là
không khả dĩ cho các linh kiện spintronics. Ta nhận thấy rằng, tính chất điện
của linh kiện được điều khiển chính là việc điều khiển sự thay đổi của độ phân
cực spin, hay điều khiển dòng spin phân cực.
 Dòng phân cực spin được tạo ra sẽ được vận chuyển và điều khiển để
tạo ra tín hiệu cho linh kiện. Trong các quá trình vận chuyển, dòng spin phân
cực có thể tương tác với vật liệu bên trong (ví dụ như tương tác với vách
đômen... trong các linh kiện dựa trên việc vận chuyển vách đômen...) và các
quá trình tương tác này đều được điều khiển để tạo nên các tính chất khác
nhau của linh kiện. Ví dụ người ta điều khiển sự hình thành, di chuyển và
tương tác của các vách đômen dạng các xoáy để điều khiển dòng phân cực
spin trong các linh kiện chuyển vận vách đômen...
I. 4. Vách Đômen

Bổ sung
Các chất sắt từ (mà điển hình là sắt) chứa các "vùng" nhỏ mà trong mỗi vùng đó các mômen từ định hướng song song theo
một chiều nhất định. Trong toàn bộ vật sắt từ ở trạng thái khử từ, các mômen từ của các vùng này (gọi là các đômen) sẽ
định hướng theo nhiều phương khác nhau, tuy nhiên khi ta đặt từ trường vào thì các mômen từ của các đômen có xu
hướng định hướng theo cùng một chiều tạo nên từ độ khối của vật từ - và từ độ này được giữ lại khi từ trường bị ngắt bỏ
(trạng thái từ dư).

Từ lâu người ta cũng biết rằng năng lượng nhiệt có thể gây ra các dịch chuyển ngẫy nhiên tại biên giữa các đômen (gọi là
vách đômen). Các nhiễu loạn này có thể ghi nhận thông qua việc quan sát các bước nhảy bậc trong quá trình từ hóa (gọi là
bước nhảy Bakhausen) khi từ hóa các vật sắt từ. Tuy nhiên, đo đạc những thăng giáng như thế trong các vật liệu phản sắt
từ thì lại không dễ dàng chút nào. Vấn đề ở chỗ các vật liệu này có các mômen từ sắp xếp thành 2 phân mạng đối song
song với nhau và chúng không có từ độ trên toàn khối. Vì thế mà không thể ghi nhận những thăng giáng này bằng các
phương pháp dò từ truyền thống được.

Mới đây, nhóm của Shpyrko cùng các cộng sự ở Phòng Thí nghiệm Quốc gia Argone (Chicago, Mỹ) đã xây dựng một
phương pháp để có thể "nghe trộm" những thăng giáng trong vách đômen của kim loại phản sắt từ Cr bằng cách sử dụng
chùm tia X kết hợp ở nguồn bức xạ Argone's Advanced Photon Sourse, cùng với sự hợp tác của các nhóm nghiên cứu đến
từ Đại học Chicago (Mỹ) và University College London (Anh). Nhóm đã khai thác một đặc tính là tính phản sắt từ trong
Cr chủ yếu phát sinh từ các điện tử dẫn hơn là từ các mômen từ nguyên tử. Các điện tử này tồn tại trong các sóng mật độ
spin (Spin density waves - SDWs), mà ở đó mật độ spin của điện tử thay đổi theo hàm sin (cả về chiều, độ lớn) với vị trí -
gọi là sóng spin. Mặc dù tia X không thể dò tìm một cách trực tiếp sóng spin, mỗi sóng spin lại tỉ lệ với sóng mật độ điện
tích điện tử (charge density wave - CDW), mà sự có mặt của sóng này có thể được ghi nhận bằng cách sử dụng kỹ thuật
phổ tương quan photon tia X (X-ray photon correlation spectroscopy - XPCS).
 I.5. Hiệu ứng từ điện trở (MR)
Hiệu ứng từ điện trở (MagnetoResistance- MR) là sự thay đổi điện trở
của một vật dẫn gây bởi từ trường ngoài.
Hiệu ứng này lần đầu tiên được phát hiện bởi William Thomson
(Kelvin) vào năm 1856 với sự thay đổi điện trở không quá 5%. Hiệu ứng này
được gọi là hiệu ứng từ điện trở thường. Gần đây, các nhà khoa học đã phát
hiện ra nhiều loại hiệu ứng từ điện trở trong nhiều loại vật liệu khác nhau đem
lại khả năng ứng dụng hết sức to lớn. Người ta thường dùng khái niệm tỉ số từ
trở để nói lên độ lớn của hiệu ứng từ điện trở, cho bởi công thức:
  (0)   ( H ) R(0)  R( H )
MR   
  (0) R(0)

Đôi khi, trong một số thiết bị, tỉ số này cũng được định nghĩa bởi:
  ( H )   ( H max ) R( H )  R( H max )
MR   
  ( H max ) R( H max )

Với: ρ(H): Điện trở xuất của vật dẫn khi có từ trường ngoài đặt vào
ρ(0): Điện trở xuất của vật dẫn khi không có từ trường ngoài đặt vào
R(H): Điện trở của vật dẫn khi có từ trường ngoài đặt vào
R(0): điện trở của vật dẫn khi không có từ trường ngoài đặt vào.
Hmax : là từ trường cực đại
Hai cách định nghĩa này hoàn toàn tương đương nhau.
Trong các vật dẫn không có từ tính như kim loại Cu, Au thì hiệu ứng
MR xảy ra do lực Lorentz tác động lên chuyển động của các điện tử. Hiệu ứng
này rất nhỏ và có giá trị âm. Trong các chất sắt từ hiệu ứng MR liên quan đến
tán xạ bởi các Spin bất trật tự. Trạng thái bất trật tự của các spin luôn làm tăng
điện trở. Khi đặt từ trường ngoài vào thì mức độ bất trật tự của các spin giảm,
ta sẻ nhận được hiệu ứng từ điện trở dương nhưng đẳng hướng. Hiệu ứng này
rất nhỏ trong các kim loại chuyển tiếp sắt từ nhưng lại rất lớn trong các vật
liệu đất hiếm- kim loại chuyển tiếp có chuyển pha từ giả bền như RCO2, gốm
Perovskites… Trong một vật dẫn kim loại, dòng điện được mang đi nhờ sự
chuyển động của electron. Nếu electron bị khuếch tán khỏi hướng chính của
dòng điện thì dòng điện bị yếu đi, nghĩa là điện trở tăng lên.
Trong một vật liệu từ thì
sự khuếch tán electron bị ảnh
hưởng bởi hướng từ hóa
(magnetization). Sự liên quan
giữa từ hóa và điện trở trong
hiệu ứng GMR được giải thích
nhờ spin của electron. Trong Hình 4. Trong vật dẫn từ các spin của phần lớn
vật liệu từ phần lớn các spin electron hướng cùng chiều với chiều từ hóa (các
xếp song song với nhau, theo vòng tròn màu đỏ). Một số ít electron (các vòng tròn
chiều từ hóa, tuy nhiên cũng màu trắng) có spin ngược chiều với chiều từ hóa sẽ
có một số spin có chiều đối bị khuếch tán nhiều hơn.
nghịch với chiều từ hóa và số electron có spin đối chiều này sẽ khuếch tán
mạnh hơn khi gặp phải các tâm dị thường và tâm bẩn trong vật liệu và đặc biệt
tại giao diện các lớp, do đó dòng điện giảm đi, nghĩa là điện trở tăng lên.
I.5.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
I.5.1.1. Định nghĩa
Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (tiếng Anh: Giant MagnetoResistance,
viết tắt là GMR) là sự thay đổi lớn (nhảy vọt) của điện trở ở các vật liệu từ
dưới tác dụng của từ trường ngoài.
 Ta có một lớp kim loại không có từ tính
(lớp 2) bị ép giữa hai lớp kim loại từ (lớp
1&3) như hình A & B. Trên hình A hai
lớp kim loại từ 1&3 có cùng chiều từ hóa,
lúc này số electron có spin cùng chiều với
chiều từ hóa sẽ đi qua các lớp dễ dàng và
như thế điện trở nhỏ. Nếu ta thay đổi
chiều từ hóa đối với lớp kim loại từ 3
(nằm bên phải cùng) như trong hình B thì
các electron lại có spin ngược chiều với
chiều từ hóa trong lớp cuối cùng bên phải
do đó bị khuếch tán nhiều hơn, dòng điện
giảm đi và điều đó có nghĩa điện trở tăng
mạnh lên gây nên hiệu ứng GMR. Vậy
hiệu ứng GMR là hiệu ứng làm cho điện
trở trở thành khổng lồ nhờ tác động của từ
trường.
I.5.1.2. Lịch sử nghiên cứu của hiệu ứng
GMR là một hiệu ứng từ điện trở nhưng là một hiệu ứng lượng tử khác
với hiệu ứng từ điện trở thông
thường được nghiên cứu từ cuối thế
kỷ 19. Hiệu ứng này lần đầu tiên
được phát hiện vào năm 1988.
Nhóm nghiên cứu của Albert Fert ở
Đại học Paris-11 trên các siêu mạng

Hình 5: Hiệu ứng từ điện trở biểu diễn

bằng tỉ số R/R(H=0) của các mỏng đa
Fe(001)/Cr(001) cho tỉ số từ trở tới vài chục %.(Hình bên). Nhóm nghiên cứu
của Peter Grünberg ở Trung tâm Nghiên cứu Jülich (Đức) phát hiện ứng này
trên màng mỏng kiểu "bánh kẹp" (sandwich) 3 lớp Fe(12nm/Cr(1 nm)/Fe(12
nm) chế tạo bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử trên đế GaAs. Hai tác
giả này đã nhận giải thưởng Nobel Vật lý năm 2007 cho phát minh này.
Đây là hai nhóm độc lập nghiên cứu và phát hiện ra hiệu ứng GMR trên
các màng đa lớp có các lớp sắt từ bị phân cách bởi lớp phản sắt từ hoặc phi từ,
đồng thời đưa ra các giả thiết để giải thích hiệu ứng này.
Năm 1992, nhóm của A. E. Berkowitz (Đại học California, San Diego,
Mỹ) phát hiện ra hiệu ứng GMR trên các màng hợp kim dị thể Co-Cu với cấu
trúc là các hạt Co siêu thuận từ trên nền Cu có tỉ số từ trở đạt tới hơn 20%.
Các nghiên cứu về sau tiếp tục phát triển và lý giải hiệu ứng này, và tính từ
"khổng lồ" không còn được hiểu theo nghĩa độ lớn của hiệu ứng từ điện trở
nữa, mà hiểu theo cơ chế tạo nên hiệu ứng: đó là cơ chế tán xạ phụ thuộc spin
của điện tử.
I.5.1.3. Cơ chế của hiệu ứng.
Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ có thể được giải thích với sự tổ hợp đồng
thời của 3 giả thiết sau:
- Vì độ dày của của lớp không từ chỉ vào cỡ 1nm, tức là nhỏ hơn
hoặc xấp xỉ bằng quãng đường tự do trung bình của điện tử, nên điện tử có
khả năng vượt qua lớp đệm không từ tính để chuyển động từ lớp từ tính này
sang lớp từ tính khác.
- Khi di chuyển trong các lớp vật liệu có từ tính hoặc trong vùng
chuyển tiếp với các lớp từ tính, sự tán xạ của các điện tử phụ thuộc vào định
hướng spin của chúng.
 - Định hướng tương đối của các vectơ từ độ trong các lớp có thể
thay đổi dưới tác dụng của từ trường ngoài.
Điện trở của các chất rắn được tạo ra do sự tán xạ của điện tử, gồm có 4
loại tán xạ sau:
 Tán xạ trên mạng tinh thể do dao động mạng tinh thể gọi là tán xạ trên
phonon.
 Tán xạ trên spin của các phần tử mang từ tính, gọi là tán xạ trên
magnon.
 Tán xạ trên sai hỏng mạng tinh thể.
 Gần đây còn có các nghiên cứu chỉ ra sự tán xạ của điện tử trên các
polaron từ để giải thích hiệu ứng CMR.
Như vậy, hiệu ứng GMR có được là do sự tán xạ của điện tử trên
magnon. Khi có các phần tử mang từ tính (ví dụ các lớp sắt từ trong các màng
đa lớp hay các hạt siêu thuận từ trong các màng hợp kim dị thể) có sự định
hướng khác nhau về mômen từ (do tác động của từ trường ngoài), sẽ dẫn đến
sự thay đổi về tính chất tán xạ của điện tử và do đó sẽ làm thay đổi điện trở
của chất rắn.
Độ lớn của GMR liên
quan đến độ lớn của hiệu ứng
tán xạ phụ thuộc spin, mà đại
lượng sau này lại liên quan đến
tương quan quãng đường tự do
trung bình và chiều dày của lớp
kim loại phi từ. Cụ thể là hai
hiệu ứng này sẽ bị triệt tiêu nếu
quãng đường tự do của điện tử nhỏ hơn chiều dày màng ngăn cách.
 I.5.3. Hiệu ứng từ điện trở chui hầm
I.5.3.1. Định nghĩa
Hiệu ứng từ điện trở chui hầm hay từ điện trở xuyên hầm, (tiếng Anh:
Tunnelling magnetoresistance, thường viết tắt là TMR) là một hiệu ứng từ
điện trở xảy ra trong các màng mỏng đa lớp có các lớp sắt từ được ngăn cách
bởi các lớp điện môi. Hiểu một cách đơn giản hơn hiệu ứng từ điện trở chui
hầm là sự thay đổi lớn của điện trở suất xảy ra ở các tiếp xúc từ chui hầm (là
các màng mỏng với các lớp màng mỏng sắt từ được ngăn cách bởi lớp điện
môi, đóng vai trò lớp rào ngăn cách chuyển động của điện tử).
I.5.3.2. Lịch sử nghiên cứu
Hiệu ứng từ điện trở xuyên hầm được Julliére phát hiện và công bố năm
1975 khi nghiên cứu hệ vật liệu ba lớp bao gồm một lớp vật liệu ôxit vô định
hình a-Ge2O3 cách điện nằm xen giữa hai lớp kim loại sắt từ Fe và Co: Fe/a-
Ge2O3/Co.
Sau phát minh của Julliére một vài nhóm thực nghiệm khác trên thế giới
đã cố gắng nghiên cứu hiệu ứng xuyên hầm giữa hai điện cực sắt từ. Thí
nghiệm đầu tiên của Maekawa và Gafvert thực hiện vào năm 1982 cho tỉ số
TMR xấp xỉ 3% ở 4,2K trên cấu trúc Ni/NiO/Co. Một vài nhóm khác cũng
nghiên cứu hiệu ứng TMR trên các cấu trúc với các vật liệu cách điện nhưng
tất cả các thí nghiệm đều cho tỉ số TMR không lớn hơn 7% ở nhiệt độ 4,2K và
thậm chí chỉ đạt được giá trị 1% ở nhiệt độ phòng.
Năm 1995 các nhà khoa học mới thu được thành công đáng kể cho giá
trị TMR bằng 10% ở nhiệt độ phòng trên cấu trúc Fe/Al-O/CoFe.
Đến năm 2000 tỉ số TMR đã đạt đến giá trị 70%. Cũng vào thời gian đó,
với việc thay thế lớp điện môi Al-O bằng MnO, các nhà khoa học đã đạt được
tỉ số TMR vào khoảng 270% ở nhiệt độ phòng.
 Năm 2007 các nhà khoa học đại học Tohuku (Nhật Bản) đã đạt được giá
trị kỷ lục TMR bằng 500% ở nhiệt độ phòng và bằng 1010% ở nhiệt độ 5K.
I.5.3.3. Cơ chế hiệu ứng
Với hệ vật liệu ba lớp bao gồm một lớp vật liệu ôxit vô định hình a-
Ge2O3 cách điện nằm xen giữa hai lớp kim loại sắt từ Fe và Co: Fe/a-
Ge2O3/Co. Độ dày của lớp ôxit thường được chọn để thõa mãn điều kiện cực
tiểu cho năng lượng tương tác từ giữa hai điện cực sắt từ. Trong trường hợp
này, hai điện
cực sắt từ có
cùng trục từ
hóa dễ nhưng
có lực kháng từ
khác nhau
(
0 H C (Co)  0 H C ( Fe)

). Trạng thái từ độ phản song song

làm tăng điện trở của hệ. Ngược lại
trạng thái từ độ song song ở vùng từ
trường nhỏ và từ trường lớn làm

giảm điện trở của hệ.

Đối với các tiếp xúc từ chui
Hìnhcó17:
hầm 2 Lớp
lớp tiếp
sắt xúc
từ kẹp giữahầm
từ chui bởi một

Hình 6: Cơ chế tạo hiệu ứng từ điện trở chui

hầm trong các tiếp xúc từ chui hầm
lớp điện môi, tỉ số từ điện trở (trong trường hợp này sử dụng là TMR) phụ
thuộc vào độ phân cực spin của 2 lớp (P1, P2), và được cho bởi công thức:
P1 P2
TMR 
1  P1 P

Các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu ứng từ điện trở xuyên hầm:
- Độ hoàn hảo của tiếp xúc xuyên hầm.
- Nhiệt độ
- Hiệu điện thế
- Chiều cao rào thế và tính chất chuyển cục bộ.
- Spin kép

Chương II: Công nghệ Spintronics

II.1. Định nghĩa Spintronics, công nghệ Spintronic
II.1.1. Định nghĩa Spintronics
Spintronics là từ ghép giữa Spin electronics được dịch ra là Điện tử học
spin hay kỹ thuật điện tử spin.
Spintronics là thế hệ linh kiện mới khai thác đồng thời hai thuộc tính
của điện tử là spin và điện tích.
 Spintronics đang là chủ đề nóng bỏng của khoa học và công nghệ hiện
đại hứa hẹn khả năng thay thế linh kiện bán dẫn truyền thống, và là cơ sở cho
máy tính lượng tử. Các linh kiện điện tử cơ bản (linh kiện logic) dựa trên sự
vận chuyển các vách đômen là một hướng nóng bỏng trong thế giới
Spintronics.
II.1.2. Định nghĩa công nghệ Spintronics.
Công nghệ Spintronics chính là sự kết hợp của hai lĩnh vực điện tử học
và từ học nhằm tạo ra các chức năng mới cho vi điện tử hiện đại. Công nghệ
Spintronics là một kỹ thuật liên ngành với một mục tiêu chính là thao tác và
điều khiển các bậc tự do của spin trong các hệ chất rắn. Nói một cách đơn
giản, công nghệ Spintronics là một ngành nghiên cứu mới nhằm tạo ra các linh
kiện mới dựa trên việc điều khiển và thao tác spin của điện tử.
Mục tiêu quan trọng của công nghệ Spintronics là hiểu về cơ chế tương
tác giữa spin của các hạt và môi trường chất rắn, từ đó có thể điền khiển cả về
mật độ cũng như sự chuyển vận của dòng spin trong vật liệu.
Ngày nay người ta đồng nhất hai khái niệm Spintronics và công nghệ
Spintronics thành một khái niệm tương đối.
II.2. Lịch sử hình thành và phát triển của Spintronics
Tám mươi năm trước, các nhà vật lý lý thuyết gặp phải một vấn đề: họ
thiếu một cách mô tả các hạt cơ bản sao cho phù hợp với những nguyên lý
trong lý thuyết tương đối hẹp của Eistein và lý thuyết mới hình thành là cơ học
lượng tử. Vào năm 1927, Erwin Schrödinger đã thiết lập phương trình cho
chuyển động cơ học lượng tử cho các điện tử, nhưng nó lại cũng vấp phải vấn
đề là chính các điện tử cũng là các hạt tương đối tính. Bị băn khoăn bởi vấn đề
này, Paul Dirac đã xây dựng hệ thống để giải các bài toán. Phương trình Dirac
đến sau năm đó là một thành công rực rỡ về mặt toán học cho phép giải thích
hai hiện tượng vật lý không mong muốn. Đầu tiên là sự tồn tại của các phản
hạt, lần đầu tiên được xác nhận vào năm 1932 với sự phát hiện ra các pozitron
(phản hạt của điện tử). Thứ hai là điện tử phải có một mômen động lượng
riêng, hay còn gọi là spin, mà chỉ có hai chiều định hướng (hướng lên trên -
up, hướng xuống dưới - down) theo chiều của từ trường đặt vào. Trong ngành
điện tử thì cuộc cách mạng về điện tử bắt đầu vào năm 1947 khi nhóm của
William Shockley, John Bardeen và Walter Brattain ở Phòng thí nghiệm Bell
phát minh ra transistor bán dẫn đầu tiên dẫn đến việc hình thành lên nền công
nghiệp các linh kiện điện tử bán dẫn. Đỉnh cao của công nghệ bán dẫn là các
bộ vi xử lý thông minh chứa hàng triệu linh kiện trong một diện tích cực nhỏ.
Về mặt bản chất vật lý, các linh kiện này dựa trên việc điều khiển dòng điện
tích của điện tử. Các linh kiện điện tử, từ các lò vi sóng cho đến các thiết bị
trong thiên văn, vũ trụ học vẫn chỉ khai thác duy nhất thuộc tính điện tích của
điện tử, hay nói cách khác, công nghiệp bán dẫn đã chút nữa bỏ quên mất
thuộc tính spin của điện tử sau hơn 70 năm phát hiện spin của điện tử. Một lý
do "biện hộ" cho vấn đề này là sự thành công trong việc tý hon hóa các linh
kiện. Số lượng transistor trên một đơn vị diện tích có thể ăn mòn trong một
chíp Si, cứ 18 tháng lại tăng gấp đôi theo đúng xu hướng của định luật Moore.
Nhưng rồi chúng ta cũng nhanh chóng tiến tới giới hạn mà kích thước nhỏ và
sự xếp chặt các transistor có thể gặp phải là lượng nhiệt sản sinh ra không thể
tản mát một cách đủ nhanh, và những hiệu ứng cơ học lượng tử không mong
muốn có thể loại chúng đến những thuộc tính mà ta không mong muốn chút
nào. Các hạn chế này đã thúc đẩy các nhà vật lý tìm kiếm những linh kiện mới
dựa trên những thành tựu của công nghệ nano. Nếu như định luật Moore còn
tiếp tục, ta sẽ phải tìm ra một cách khác với kỹ thuật vi điện tử truyền thống -
và đây chính là thời kì mà spin của điện tử cần được khai thác trong các linh
kiện điện tử.
Khái niệm từ điện trở bắt đầu xuất hiện trong các sách vật lý sau năm
1856 khi Wiliam Thomson phát hiện ra sự thay đổi điện trở suất trong một số
vật liệu khi chúng được đặt dưới từ trường ngoài. Từ những phát hiện của
Thomson vào năm 1988 hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR) được phát hiện
đồng thời bởi 2 nhóm nghiên cứu ở Pháp lãnh đạo bởi Albert Fert và ở Đức do
Peter Grünberg đứng đầu và hiệu ứng từ điện trở chui hầm (TMR) vào năm
1995. Hai tác giả đứng đầu hai nhóm này là Albert Fert và Peter Grünberg đã
nhận được giải thưởng Nobel Vật lý năm 2007 cho những đóng góp quan
trọng cho sự hình thành của spintronics trên cơ sở phát minh về hiệu ứng từ
điện trở khổng lồ. Việc hai nhà vật lý này nhận được giải thưởng Nobel có lẽ
cũng không làm các nhà vật lý bất ngờ, bởi trước khi nhận được giải Nobel,
họ đã nhận được khá nhiều giải thưởng uy tín cho phát minh này: Giải thưởng
Quốc tế APS cho các phát minh vật liệu mới (1994); Giải Hewlett-Packard
Europhysics (1997); Giải Medaille d’or du CNRS (2003), Giải thưởng Wolf
(2007)... Lễ trao giải Nobel Vật lý đã được tiến hành vào ngày 10/12/2007 tại
Stockholm (Thuỵ Điển). Những người đoạt giải sẽ nhận được Huân chương
Nobel và tiền thưởng từ Nhà vua Thuỵ Điển King Carl XVI Gustaf. Sự phát
hiện ra hiệu ứng GMR đã mở ra khả năng chế tạo các linh kiện điện tử kiểu
mới, hoạt động dựa trên việc điều khiển dòng spin, gọi là spintronics. Năm
1988 được coi là năm khai sinh ra Spintronics. Công nghệ spintronics được
đánh giá là một trong những hướng mũi nhọn của thế kỷ 21, là một hướng
phát triển mới của điện tử học mà ở đó spin của điện tử là đối tượng được
quan tâm khai thác nhằm bổ xung hoặc thay thế cho việc sử dụng điện tích của
điện tử, để tạo ra những chức năng mới và ưu việt cho các linh kiện và thiết bị
điện tử hiện đại.
Trong khi mà các linh kiện truyền thống trên nguyên lý chỉ là sự điều
khiển dòng các điện tích thì một linh kiện spintronic cũng sẽ là điều khiển
dòng spin của điện tử (gọi là dòng spin) trong các linh kiện, tạo ra thêm một
bậc tự do nữa. Bởi vì spin của điện tử có thể đảo chiều (đảo giữa 2 chiều up và
down) nhanh hơn rất nhiều so với việc điều khiển dòng điện tích chạy trong
mạch điện, do đó các linh kiện spintronic sẽ hoạt động nhanh hơn và tiêu tốn ít
nhiệt hơn nhiều so với các phần tử vi điện tử truyền thống. Một trong những
mục tiêu cơ bản là xây dựng lên các transistor trên cơ sở spin mà có thể thay
thế các transistor truyền thống trong mạch tích hợp và các linh kiện nhớ, và do
đó cho phép sự "tí hon hóa" vẫn được tiếp tục. Tuy nhiên, spintronics cũng mở
ra một cánh cửa tới một loại linh kiện hoàn toàn mới. Và nhìn xa hơn nữa về
tương lai, các linh kiện spintronics thậm chí có thể sử dụng để tạo nên các bit
lượng tử, đơn vị của thông tin được xử lý bởi máy tính lượng tử. Tuy nhiên, để
có thể tạo ra cuộc cách mạng spintronic, các nhà nghiên cứu cần tìm ra cách
để tiêm, thao tác và ghi nhận spin của điện tử trong các chất bán dẫn bởi
dường như các vật liệu này vẫn chiếm vị trí trung tâm trong vật lý các linh
kiện trong một tương lai có thể dự đoán được. Thao tác trên các spin dường
như đang trên đà thẳng tiến, nhưng tiêm và ghi nhận spin vẫn còn vấp phải
hàng loạt vấn đề dưới các trở ngại thực
tế, tạo nên một thử thách lớn.
Nhìn chung các linh kiện
spintronics được đánh giá là có thể sẽ giữ
vai trò chủ đạo và thay thế các linh kiện
điện tử truyền thống vào khoảng từ 2020 trở đi (hình 7). Những mục tiêu đang
được spintronics hướng tới trong thế kỷ 21 là các linh kiện thuộc nhóm thế hệ
II và III.
II.3. Ứng dụng của linh kiện Spintronics
II.3.1. Sơ lược về các thế hệ Spintronics
Một cách tương đối, có thể chia các linh kiện spintronics thành 3 thế hệ:
 Thế hệ thứ nhất: Gồm các linh kiện dựa trên các hiệu ứng
GMR, TMR, trong các màng mỏng đa lớp, các màng mỏng từ tiếp xúc dị thể
kim loại-kim loại hoặc kim loại-điện môi..., ví dụ như các cảm biến, đầu đọc
từ điện trở trong các đĩa cứng, các bộ nhớ RAM từ điện trở (MRAM), các
transitor kim loại (hay transitor lưỡng cực), transitor valse spin, công tắc/khoá
đóng mở spin, ...
 Thế hệ thứ hai: Bao gồm các linh kiện hoạt động dựa trên việc
tiêm hoặc bơm dòng phân cực spin qua tiếp xúc dị thể bán dẫn- sắt từ hay bán
dẫn từ- bán dẫn (điều này giúp cho việc tận dụng được các kỹ thuật vi điện tử
hiện nay). Đó là các mạch khoá siêu nhanh, các bộ vi xử lý spin và mạch logic
lập trình được,... Các linh kiện này sử dụng các vật liệu bán dẫn pha loãng từ,
bán dẫn sắt từ hay các bán kim, các linh kiện vận chuyển đạn đạo (ballistic
electron transport) sử dụng hiệu ứng từ điện trở xung kích, và các loại
transistor spin như ở thế hệ thứ nhất. Một thế hệ linh kiện spin mới đang được
phát triển mạnh và rất có triển vọng hiện nay là các bộ nhớ từ và các cổng
lôgic dựa trên điều khiển vách đômen để tạo thành các bit thông tin trong các
cấu trúc nano từ tính. Bạn có thể tưởng tượng, thông tin được mã hoá 0 và 1
thông qua sự định hướng của các mômen từ trong các đômen. Sự điều khiển
các vách đômen chính là điều khiển các bit thông tin. Vách đômen có thể điều
khiển dễ dàng bằng từ trường hoặc dòng điện. Và hiện nay, hướng spintronics
này mục tiêu là tạo ra, và điều khiển các quá trình dịch chuyển, hãm, huỷ...
các vách đômen trong các phần tử nhỏ (ví dụ các nanowire, các nanodot, các
bẫy đômen)
 Thế hệ thứ ba: Là các linh kiện sử dụng các cấu trúc nano (dạng
chấm lượng tử, dây và sợi nano) và sử dụng các trạng thái spin điện tử đơn lẻ
như cổng logic lượng tử (là cơ sở cho máy tính lượng tử), các transistor đơn
spin (SFET), ...
Cảm biến van spin thuộc thế hệ linh kiện đầu tiên đã được chế tạo và
đưa vào sử dụng ở mức độ thương phẩm từ cuối thế kỷ 20. Một số linh kiện
điển hình của thế hệ này là kính hiển vi từ điện trở, robot xúc giác hay robot
thông minh, đầu đọc ghi ổ cứng tốc độ cao, phím bấm không tiếp xúc, động cơ
không chổi than, giải mã vạch, đếm tốc độ,điều chỉnh đánh lửa bugi động cơ
đốt trong máy trợ thính, ... Các bộ nhớ MRAM không tự xóa đang bắt đầu có
sản phẩm thương phẩm, và được dự đoán là sẽ chiếm lĩnh thị trường thương
mại và tiêu dùng trong những năm gần đây. Hiện nay việc phòng chống tội
phạm và khủng bố đang rất được ngành an ninh và quân đội quan tâm. Ngành
tư pháp và quân đội Mỹ đã có những dự án nghiên cứu chế tạo các thiết bị
điện tử nhạy với từ trường yếu theo nguyên lý của spintronics, đến mức có thể
đo được từ xa từ trường có cường độ chỉ cỡ femto-Tesla.
II.3.2. Giới thiệu một số linh kiện Spintronics trong thực tế
II.3.2.1. Bộ nhớ MRAM (Magnetic Ramdom Access
Memories)
Ta biết rằng bộ nhớ truy nhập ngẫu nhiên (RAM) là phần tử nhớ không
thể thiếu trong các máy tính hiện nay. Điểm kém của bộ nhớ RAM hiện nay là
dữ liệu bị xóa mất sau khi ngắt nguồn điện và tốc độ truy nhập còn hạn chế.
Bộ nhớ RAM từ điện trở (MRAM) đang được nghiên cứu mạnh mẽ và sẽ là
một thay thế hữu hiệu cho RAM truyền thống. MRAM có những đặc tính
tuyệt vời như: Không tự xóa, duy trì thong tin tốt, số lần ghi, đọc thông tin
cao, thế hiệu thấp,…
II.3.2.1.1. Sơ lược lịch sử nghiên cứu MRAM
Bộ nhớ MRAM được mở đầu từ năm 1984 bởi 2 tiến sĩ Arthur Pohm và
Jim Daughton lúc đó đang làm việc cho Honeywell, đưa ý tưởng về một loại
bộ nhớ sử dụng hiệu ứng từ điện trở cho phép tạo ra các bộ nhớ với mật độ lưu
trữ thông tin cao, truy nhập ngẫu nhiên, và không tự xóa.
Năm 1989, Daughton rời Honeywell và ý tưởng này bắt đầu được phát
triển thành thương phẩm.
Năm 2000, hãng IBM và Infineon thiết lập chương trình nghiên cứu
chung để phát triển MRAM.
Từ năm 2003 đến nay MRAM được nâng cấp không chỉ dung lượng
ngày càng lớn mà kích thước ngày càng nhỏ và nhiều ưu điểm hơn.
II.3.2.1.2. Cấu trúc của MRAM
Trong MRAM, thông tin không được lưu trữ bởi điện tích của điện tử
như bộ nhớ bán dẫn mà được lưu trữ bởi spin của điện tử, mà cụ thể là theo sự
định hướng của moment từ
theo 2 chiều. Một ô nhớ cơ
bản của MRAM được gọi là
MTJ gồm 2 lớp từ tính kẹp
giữa là một lớp cách điện
mỏng (cỡ dưới nm) như
hình 3. Moment từ của một
Hình 3. Ô nhớ của MRAM và các bit (0), (1) tương ứng
lớp đóng vai trò lớp chuẩn, với trạng thái điện trở thấp và cao
bị giữ cố định theo một chiều, còn moment từ của lớp còn lại như là lớp lưu
trữ có thể đảo dưới tác dụng của từ trường từ song song đến phản song song
với lớp chuẩn do đó dẫn đến sự thay đổi về điện trở của cấu hình (do sự tán xạ
khác nhau của điện tử trong các trạng thái song song và phản song song). Các
bit (0) và (1) được quy ước tương ứng với trạng thái điện trở thấp và cao.
 Bộ nhớ MRAM dựa trên cơ chế đảo từ bằng từ trường.
MRAM được thiết kế thành một ma trận của các đường ghi bit theo trục
x và đường ghi word theo trục y. Các ô nhớ đặt tại vị trí giao nhau của đường
ghi bit và đường word (hình 12).
Bổ sung hình Ma trận Nhớ
Thế hệ bộ nhớ MRAM hoàn chỉnh đầu tiên của hãng IBM và Motorola đã sử
dụng 1 tiếp xúc xuyên hầm TMR tích hợp với một Transitor CMOS được chế
tạo theo một qui trình liên tục, tạo ra một linh kiện tích hợp.

Hình 4: Nguyên tắc ghi và đọc thông tin trong các bộ nhớ MRAM

Khi đọc dữ liệu, một dòng xung công suất thấp sẽ đi vào qua cổng
Control và mở transistor dẫn tới địa chỉ ô nhớ được chọn, điện trở của ô được
xác định bằng cách điều khiển dòng qua "word line" qua tiếp xúc chui hầm từ
và so sánh với ô lấy mẫu trong dãy (hình 4).
 Dữ liệu được ghi theo nguyên lý từ trễ. Các "word line" và "bit line" sắp
xếp qua 2 cực của tiếp xúc chui hầm từ và được hoạt động nhờ một dòng xung
đồng bộ để tạo ra một từ trường tại địa chỉ ô nhớ. Cường độ dòng được chọn
sao cho chỉ lớp nhớ của tiếp xúc từ có thể bị đảo từ còn các lớp lấy mẫu vẫn
giữ nguyên trạng thái. Điều này có thể tạo được là do đặc tính của các cấu trúc
nano.
 Bộ nhớ MRAM dựa trên chế độ đảo từ nhờ nhiệt TAS.

Với nhu cầu tăng

mật độ thông tin buộc
kích thước bộ nhớ ngày
càng phải giảm. Đó là
một thách thức cho
MRAM. Một kỹ thuật
Hình 5. Ảnh chụp một MRAM phát triển bởi
ghi khác phát triển bởi SPINTEC.
SPINTECH có thể loại
bỏ điều này là đảo từ nhờ nhiệt (TAS). Điều này thực hiện nhờ đặc tính phụ
thuộc nhiệt độ của trường đảo từ trong các hạt nano. Trong chế độ TAS, các
transistor CMOS sẽ mở ở chế độ ghi, và sẽ có một dòng xung ngắn chạy qua
lớn tiếp xúc từ đồng thời với dòng xung tạo ra từ trường ghi và sinh ra nhiệt
tại lớp rào thế chui hầm (như một điện trở) và nhanh tróng đốt nóng lớp kim
loại của tiếp xúc từ. Kết quả là trường đảo từ bị giảm xuống tại lớp lưu trữ và
cho phép ghi dễ dàng hơn (hình 20) . Nhiệt độ Curie hoặc nhiệt độ Blocking
thường được chọn để làm điểm ghi. Để thiết lập một từ trường đảo từ theo trục
dễ, cần phải tạo một đường ghi riêng biệt.
 Cách này có nhiều ưu thế hơn so với phương pháp cũ:
- Lỗi địa chỉ bị giảm xuống do quá trình lựa chọn ghi lúc này hầu như bị điều
khiển bởi nhiệt độ.
- Dù dòng đốt bổ sung, nhưng công suất ghi toàn thể có thể giảm giảm rất
nhiều so với chế độ FIMS và hầu như không phụ thuộc vào kích thước ô nhớ.
- Tốc độ ghi được tăng lên do khả năng địa chỉ đồng thời (song song) với xác
suất lỗi thấp.
- Sự bền nhiệt có thể cải tiến bằng cách thay thế các vật liệu có trường đảo từ
lớn hơn tại nhiệt độ hoạt động.
 Bộ nhớ MRAM dựa trên cơ chế đảo từ bằng hiệu ứng truyền Spin
(CIS).
Bức tranh đơn giản của CIS là khi dòng chạy qua vậy liệu từ, các spin
bị phân cực, ví dụ như sự mất cân bằng giữa spin up và down. Khi dòng điện
đi vào các lớp từ tính khác, sự mất cân bằng spin này sinh ra các mômen xoắn
tại các từ độ địa phương và có thể gây ra một sự đảo từ.

Đảo từ nhờ hiệu ứng truyền Spin cần cường độ dòng điện cỡ 0,5mA. MRAM
không cần chế tạo các kênh “bit” và “word” để tạo từ trường. Có thể nói,
MRAM sẽ là một tiến bộ thay thế cho các bộ nhớ RAM truyền thống (SRAM,
DRAM) với các ưu điểm:
- Mật độ cao (tăng dung lượng)
- Dữ liệu không bị xóa mất
- Tốc độ truy xuất cao hơn
- Công suất tiêu tốn giảm
MRAM chính là một sản phẩm của công nghệ spintronics, điều khiển
các spin của điện tử trong các linh kiện mới mà những thành tựu của nó được
phát triển từ các kết quả nghiên cứu về vật liệu từ nano (hiệu ứng từ điện trở,
từ trễ...). Trong một tương lai không xa, bộ nhớ MRAM sẽ trở thành thương
phẩm phổ biến thay thế cho các bộ nhớ cũ. Bảng dưới đây so sánh MRAM với
các loại RAM truyền thống.
 II.3.2.2. Cảm biến sinh học dựa trên kỹ thuật điện tử spin
Một lĩnh vực ứng dụng mới rất được quan tâm của các vật liệu sử dụng
công nghệ Spintronics có cấu trúc nano là việc kết hợp nó với công nghệ sinh
học và y sinh học. Việc nhận biết các phân tử sinh học đã đóng một vai trò rất
quan trọng trong ngành công nghiệp dược phẩm, phân tích môi trường và
nhiều ứng dụng rộng rãi của công nghệ sinh học. Đặc biệt, nó đang mở ra một
khả năng lớn trong việc phát triển các công cụ vừa có giá trị sử dụng cao vừa
có giá thành rẻ dùng cho việc nhận biết lai hóa ADN - ADN trong chuẩn đoán
các bệnh về gen, nhận biết biến dị hoặc mô tả định lượng của gen và nhận biết
tương tác kháng thể - kháng nguyên trong nhận dạng các vi sinh vật và vũ khí
sinh học. Các đầu dò có các chức năng nêu trên gọi là các cảm biến sinh học
hoặc các biochip.
Một biochip sử dụng công nghệ spin điện tử cơ bản gồm có một dãy các
phần tử cảm biến; một dãy các đầu dò được cố định trên bề mặt của các sensơ;
một buồng lai hóa; và một cơ cấu dùng để sắp xếp các bia tùy chọn theo dãy
(xem hình dưới).
 Hình 1. Sơ đồ một biochip sử dụng công nghệ spin điện tử, bao gồm một dãy các bộ
chuyển tín hiệu sử dụng công nghệ spin điện tử, một dãy đầu dò phân tử sinh học được
cố định trên bề mặt sensơ (trong trường hợp này là các phân tử ADN đơn), dung dịch
chứa các phân tử cần dò (các chuỗi ADN) và các hạt từ được có thể liên kết được với
bề mặt cảm biến thông qua thông qua các lai hóa phân tử sinh học (các lai hóa ADN).
Ở hình bên cạnh, nhận dạng phân tử sinh học đạt được bằng cách nhận biết từ trường
tán xạ tạo bởi label từ nhờ bộ chuyển tín hiệu sử dụng công nghệ spin điện tử.

Các đối tượng dò tìm được nhỏ lên chip để quá trình nhận dạng được
tiến hành. Các phân tử này có thể được gắn hạt từ tính trước hoặc sau bước lai
hóa. Dưới tác dụng của từ trường, các hạt này sẽ bị từ hóa và từ độ tổng cộng
xuất hiện. Từ trường sinh ra từ các hạt từ bị từ hóa có thể thay đổi điện trở của
cảm biến sử dụng công nghệ spin điện tử, do đó có thể giúp chúng ta nhận biết
được các phân tử sinh học cần phân tích.
Nguyên lý của biochip sử dụng công nghệ spin điện tử đã được sử dụng
để dò tìm các biểu hiện của các phân tử sinh học trong các mô hình liên kết
như liên kết biotin-streptavidin, immunoglobulinG - Protein A và AND -
cADN, trong các phát triển ứng dụng dùng cho việc dò tìm các chất độc trong
vũ khí sinh học và gần đây nhất là ứng dụng trong việc dò tìm các tế bào từ vi
sinh vật gây bệnh. Các cảm biến cỡ nhỏ (2×6 mm2) có dải hoạt động nhỏ chứa
được vào khoảng 200 hạt nano với đường kính 250nm, nhưng cho tín hiệu trên
từng hạt lớn hơn. Cảm biến với kích cỡ này phù hợp nhất với các phép đo chỉ
đòi hỏi câu trả lời “có” hoặc “không hay là những tín hiệu chỉ cần giá trị định
lượng nhỏ. Nó mở ra một khả năng ứng dụng trong việc nhận biết các biến dị
trong ADN có ở một vài nucleotide, gọi là SNP. Trong trường hợp này, nó sẽ
rất nhiều thuận lợi cho việc phân biệt chính xác hầu hết các chuỗi ADN gần
giống nhau và vấn đề duy nhất là một biến dị cụ thể cần dò tìm có xuất hiện
hay không.
Bộ chuyển đổi tín hiệu sử dụng công nghệ spin điện tử có tiềm năng lớn
trong việc tích hợp các cảm biến sinh học tiên tiến. Các khả năng đặc biệt như:
cơ chế chuyển từ trường thành tín hiệu điện ở đầu ra, hưởng ứng nhanh, độ
nhạy cao, khả năng giải quyết vấn đề ở các quy mô khác nhau, tính tự động và
có thể tạo được tổ hợp xử lý CMOS đơn giản, đã làm cho các biochips trở nên
rất linh họat trong việc thiết kế các cấu trúc cho các ứng dụng trong các lĩnh
vực trong y sinh học, công nghệ sinh học cho tới ngành phân tích thực phẩm
và môi trường. Do vậy, sự quan tâm của các phòng thí nghiệm và các công ty
cũng như số lượng các nghiên cứu trong lĩnh vực sử dụng công nghệ spin điện
tử này vẫn đang tiếp tục tăng lên không ngừng.
 Ở Việt Nam, nhóm nghiên cứu ở
trường Đại Học Công Nghệ đã hợp tác với
các nhà khoa học đại học Chung Nam (Hàn
Quốc) chế tạo được biochip dựa trên hiệu
ứng Hall mặt phẳng.

Cảm biến sinh học dựa trên kỹ thuật

điện tử spin đang được nghiên cứu tại
phòng thí nghiệm công nghệ micro-
nano, trường ĐH Công nghệ.

III.3.2.3. Transitor Spin

Lý thuyết về spin transitor được giới thiệu lần đầu tiên ở Mỹ vào năm
1990, các nhà khoa học trên khắp thế giới đã thực hiện rất nghiên cứu liên
quan đến công nghệ “up-and-coming”. Các nhà khoa học đã mất nhiều thời
gian đến thế để nghiên cứu
chế tạo spin transitor đầu
tiên trên thế giới. Mặc dù, lý
thuyết về spin transitor
tương đối đơn giản nhưng
rất khó đưa lý thuyết này
vào thực tế. Vì sự khác biệt
khá lớn trong truyền dẫn
điện giữa chất bán dẫn và kim loại, nên gần như không thể kiểm soát được
hướng chuyển động tự do của các hạt electron. Gần đây, các nhà khoa học
Hàn Quốc đã chế tạo thành công linh kiện điện tử thế hệ mới có tên là “spin
transitor” . Một transitor hiệu ứng trường spin, kiểm soát phương hướng spin
của các hạt, là một đột phá trong lĩnh vực Spintronics. Không giống các thiết
bị bán dẫn truyền thống chỉ kiểm soát được dòng điện, spin transitor mới có
thể sử dụng spin của các hạt chuyển động quanh hạt nhân. Sử dụng phương
hướng spin của các electron, một electron có thể gửi một bit dữ liệu. Spin
transitor không chỉ giúp ích cho việc phát triển loại máy tính có thể bật lên
ngay lập tức, không cần quá trình khởi động mà còn thực sự tích hợp được
thiết bị nhớ và CPU vào một con chip đơn giản.
 Transitor spin lưỡng cực (bipolar).
Transitor spin lưỡng cực thực chất là cấu hình gần như van spin: bao
gồm hai lớp sắt từ kẹp một lớp kim loại không từ tính.
 Transitor spin trường (Spin FET)
Linh kiện SFET có cấu trúc giống các transistor hiệu ứng trường (FET)
cổ điển, có điều hai cực S (Sourse) và cực D (Drain) là các vật liệu sắt từ có
chức năng tạo dòng spin phân cực. Cực S sẽ tiêm các điện tử có spin song
song với chiều truyền
dẫn và điện tử chỉ có
thể chuyển động trong
một kênh đó. Khi đến
cực D, spin của điện
tử sẽ được ghi nhận
nhờ cực sắt từ và một
cách đơn giản, chỉ
điện tử nào có spin
cùng chiều với từ độ sẽ được đi vào. Cực G (Gate) đóng vai trò tạo ra một từ
trường (hoặc điện trường) có tác dụng điều khiển dòng spin. Có những vật liệu
không có spin phân cực, người ta có thể tạo ra dòng spin phân cực vận chuyển
trong các kênh dẫn nhờ quá trình truyền từ bên ngoài, gọi là tiêm spin. Sự tiêm
spin này có thể nhờ một nguồn vật liệu sắt từ bên ngoài (giống như thông qua
cực S sắt từ có vai trò tạo dòng phân cực) hoặc đôi khi có thể tạo ra spin phân
cực nhờ sự tác động của ánh sáng bên ngoài (có nghĩa là nó kết hợp cả tính
chất quang - giống như các photodiode hay phototransistor... trong các linh
kiện quang điện tử).
 Transitor van spin (SVT)
Transitor van spin là một cấu trúc ba cực trong đó cực đáy là một cấu
trúc van spin kim loại bị kẹp giữa hai lớp bán dẫn làm cực phát và cực góp.
Trong SVT các điện tử chuyển động vuông góc với các lớp van spin với năng
lượng cao hơn độ cao của hang rào Schottky ở cực góp.
 Transitor từ xuyên hầm (MTT).
Transitor từ xuyên hầm cũng có nguyên lý giống SVT, sự khác biệt đơn
giản chỉ liên quan đến bản chất của cấu trúc Spintronics. Trong MTT lớp đáy
không sử dụng cấu trúc van spin mà chỉ là một lớp sắt từ đơn.
III.3.2.4. Máy tính lượng tử từ cặp chấm lượng tử
Máy tính lượng tử này dựa trên công nghệ Si, Ge và GaAs đã và đang là
nền tảng của công nghiệp điện tử - viễn thông hiện đại: sử dụng tính chất xoay
của các điện tử trong cặp chấm lượng tử. Đây cũng chính là một ứng dụng của
công nghệ mới spin tử (spintronics). Mẫu thiết kế (Friesen et al, 2003) diễn tả
trên hình được chế tạo bằng các công nghệ đang có hiện nay.
Hình 4. Mẫu máy tính lượng tử từ cặp a) Cấu trúc máy tính lượng tử từ cặp
chấm lượng tử. chấm lượng tử: ở chính giữa là một
giếng lượng tử, tiếp hai bên là lớp rào
thông hầm lượng tử, mặt trên khắc theo thiết kế.
b) Các cổng ở mặt trên của máy tính lượng tử với một dãy chấm lượng tử, các
chấm lượng tử được đặt ở các khe đánh dấu bằng các chữ thập X. Lớp ở giữa
là một giếng lượng tử dày 6 nm giam cầm điện tử theo chiều thẳng đứng được
làm từ bán dẫn Si không pha tạp, hai rào thế hai bên dày 10 nm (dưới) và 20
nm (trên) được làm từ bán dẫn không pha tạp cho chiều cao rào thế tương ứng.
Cổng dưới được làm từ bán dẫn pha tạp, cổng trên làm từ kim loại được khắc
chia thành các ô. Các chấm lượng tử sẽ được đặt ở các khe như trên hình vẽ.
Tùy theo các điện áp đặt vào cổng trên mà, hai điện tử sẽ tách ra xa nhau hoặc
xích lại gần nhau.
Bộ nhớ của máy tính lượng tử cũng có thể "sống còn" và giữ lại được
thông tin khi mất hoàn toàn điện. Hơn thế nữa, khi có được một lượng lớn
qubits trong sự chồng chất trạng thái xoay chiều, máy tính lượng tử có thể
vận hành như một bộ xử lý song song cho phép những thuật toán lượng tử
giải nhiều số cùng một lúc. Các máy tính lượng tử sẽ không dùng logic nhị
phân mà dùng vô số trạng thái của các spin cùng với các phối hợp giữa
những trạng thái này.
II.4. Các kỹ thuật sử dụng trong công nghệ Spintronics
II.4.1. Các phương pháp Lithography
 Lithography là một
phương pháp vật lý, dùng
để khắc hình các chi tiết
nhỏ lên bề mặt vật liệu, để
tạo ra các chi tiết, các linh
kiện có hình dạng và kích
thước đúng theo thiết kế.
Nguyên lý của lithography
được mô tả như hình 2.
Người ta phủ một lớp chất
hữu cơ, gọi là chất cản
quang lên bề mặt của đế.
Dùng các bức xạ chiếu lên
để làm biến đổi các tính
chất của cản quang. Cản Hình 2: Nguyên lý phương pháp Lythotrong EBL: a)
quang là các chất có tính kỹ thuật liff-off, b) kỹ thuật ăn mòn

chất bị biến đổi dưới tác dụng của các bức xạ (ánh sáng, điện tử...). Tùy theo
loại cản quang mà có thể có 2 cách như sau:
a) Kỹ thuật lift-off
Kỹ thuật này tạo ra vật liệu sau khi đã có khuôn. Tức là ban đầu người
ta phủ cản quang trực tiếp lên đế. Loại cản quang này có tính chất là sau khi bị
chiếu các bức xạ sẽ bị biến đổi tính chất và bị hòa tan trong dung dịch tráng
rửa (phần không bị chiếu xạ sẽ không bị hòa tan). Bức xạ sẽ tạo hình của chi
tiết cần tạo và được chiếu lên cản quang. Sau khi rửa qua dung dịch tráng rửa,
ta sẽ có các khe, giống như việc ta đóng dấu lên bề mặt mềm. Sau đó, bằng
cách kỹ thuật tạo màng, người ta sẽ bay bốc vật liệu cần tạo lên các khe để có
các chi tiết như thiết kế. Sau khi tạo vật liệu cần thiết, cả khối được rửa qua
dung môi hữu cơ để rửa trôi phần cản quang còn dư sẽ loại bỏ cả vật liệu thừa
bám trên bề mặt cản quang, chỉ còn lại phần vật liệu có hình dạng như đã tạo.
b) Kỹ thuật ăn mòn
Trong kỹ thuật ăn mòn, cản quang sẽ có tác dụng bảo vệ phần vật liệu
muốn tạo hình. Người ta phủ vật liệu cần tạo lên đế, sau đó phủ chất cản
quang rồi đem chiếu điện tử. Cản quang sử dụng là cản quang âm, tức là thay
đổi tính chất sao cho không bị rửa trôi sau khi qua dung dịch tráng rửa, có tác
dụng bảo vệ phần vật liêu bên dưới. Sau đó cả mẫu sẽ được đưa vào buồng ăn
mòn, phần vật liệu không có cản quang sẽ bị ăn mòn và giữ lại phần được bảo
vệ, có hình dạng của cản quang. Cuối cùng là rửa cản quang bằng dung môi
hữu cơ. Các kỹ thuật ăn mòn thường dùng là ăn mòn khô, sử dụng các plasma
hoặc hỗn hợp khí có tính phá hủy mạnh (CH4/O2/H2, F2...); hay ăn mòn hóa
ướt bằng cách dung dịch hóa chất. Cản quang bị hòa tan trong dung môi hữu
cơ, hoặc dung dịch tráng rửa, nhưng lại không bị phá hủy trong các quá trình
ăn mòn nên có tác dụng bảo vệ phần
vật liệu bên dưới.
Đây là nguyên lý chung của các
phương pháp lithography. Tùy theo
bức xạ sử dụng mà ta sẽ có các
phương pháp lithography khác nhau
như photolithography (quang khắc)
hay electron beam lithography (quang
khắc chùm điện tử)...
Hình 3: Nguyên lý Photolithography
 Photolithography (quang khắc): là phương pháp khắc bằng cách sử
dụng ánh sáng (tử ngoại hoặc tia X) để tạo các chi tiết trên bề mặt. Bức xạ
dùng để biến đổi cản quang ở đây là ánh sáng tử ngoại (hoặc có thể dùng tia
X). Phương pháp này được sử dụng phổ biến trong công nghiệp bán dẫn và vi
điện tử.
 Electron beam lithography
(quang khắc chùm điện tử, EBL) là
phương pháp khắc bằng cách sử
dụng chùm điện tử có năng lượng Sơ đồ nguyên lý thiết bị
cao làm biến đổi các chất cản quang EBL

phủ trên bề mặt phiến. Đây là một

công cụ phổ biến trong để tạo ra các
chi tiết, các linh kiện có kích thước
nhỏ với độ chính xác cực cao.

II.4.2. Kỹ thuật chế tạo bằng phương pháp chùm ion hội tụ
Chùm iôn hội tụ (FIB) là kỹ thuật sử dụng trong các ngành vật lý chất
rắn, khoa học và công nghệ vật liệu, bằng cách điều khiển một chùm iôn được
gia tốc ở năng lượng cao và được
điều khiển để hội tụ trên điểm nhỏ
nhờ các hệ thấu kính điện, từ.
Các thiết bị chùm iôn hội tụ
hiện nay bao gồm 2 chùm tia: một
chùm iôn để thực hiện các thao tác
chế tạo, và một chùm điện tử hẹp
dùng để tạo ảnh, quan sát trực tiếp Nguyên lý của kỹ thuật chùm iôn hội tụ 2 chùm
quá trình làm việc. tia: một chùm iôn để thao tác, một chùm điện tử
hẹp để ghi lại ảnh quá trình thao tác
 Thiết bị FIB hoạt động dựa trên nguyên tắc
một hệ phún xạ. Khi chùm iôn hẹp có năng
lượng cao quét trên bề mặt, động năng của
các iôn sẽ làm cho các nguyên tử chất rắn
tại bề mặt bị bốc bay tức thời. Độ sâu, rộng
của phần chất rắn bị bốc bay phụ thuộc vào
thế gia tốc và cường độ chùm iôn. Cường
độ dòng điện của chùm iôn có thể thay đổi
từ vài chục pA, cho đến vài chục nA. Để
tạo hình cho các chi tiết, chùm iôn được
điều khiển quét. Để bảo vệ chi tiết chế tạo
Tương tác của chùm iôn với bề mặt
chất rắn: gây các nguyên tử bị bốc khỏi bị phá hủy bởi chùm iôn, người ta có
bay, phún xạ, phát xạ điện tử thứ
cấp... thể phủ một lớp platin (Pt) hoặc tungsten
(thường pha trộn thêm cácbon để dễ bay
bốc). Các lớp này có thể tạo thành hình các chi tiết, cấu kiện cần tạo nhờ sự
điều khiển của hệ thấu kính. Nói một cách đơn giản, chùm iôn có năng lượng
cao hoạt động như một "lưỡi dao", có tác dụng phá hủy những phần mẫu
không cần dùng để tạo ra các cấu kiện như ý muốn.
II.4.3. Các kỹ thuật chế tạo màng mỏng
Các kỹ thuật chế tạo màng mỏng bắt đầu được phát triển từ cuối thế kỷ
19, có rất nhiều phương pháp được dùng tùy theo mục đích và điều kiện kinh
tế, kỹ thuật:
 Kỹ thuật mạ điện
Kỹ thuật mạ điện hay kỹ thuật Galvano là tên gọi của quá trình điện hóa
phủ lớp kim loại lên một vật.
 Trong quá trình mạ điện, vật cần mạ được gắn với cực âm catôt, kim
loại mạ gắn với cực dương anôt của nguồn điện trong
dung dịch điện môi. Cực dương của nguồn điện sẽ hút
các electron e- trong quá trình ôxi hóa và giải phóng các
ion kim loại dương, dưới tác dụng lực tĩnh điện các ion
Mạ đồng
dương này sẽ di chuyển về cực âm, tại đây chúng nhận
lại e- trong quá trình ôxi hóa khử hình thành lớp kim loại
bám trên bề mặt của vật được mạ. Độ dày của lớp mạ tỉ
lệ thuận với cường độ dòng điện của nguồn và thời gian mạ.
 Bay bốc nhiệt trong chân không
Bay bốc nhiệt hoặc bay bốc nhiệt trong chân không là kỹ thuật tạo màng
mỏng bằng cách bay hơi các vật liệu cần tạo trong môi trường chân không cao
và ngưng tụ trên đế.
Bộ phận chính của các thiết bị
bay bốc nhiệt là một buồng chân
không được hút chân không cao nhờ
Sơ đồ nguyên lý hệ bay bốc nhiệt các bơm chân không. Người ta dùng
một thuyền điện trở (thường làm bằng
các vật liệu chịu nhiệt và ít tương tác
với vật liệu, ví dụ như vônphram,
tantan, bạch kim...) đốt nóng chảy các
vật liệu nguồn, và sau đó tiếp tục đốt sao cho vật liệu bay hơi. Vật liệu bay hơi
sẽ ngưng đọng lên các đế được gắn vào giá phía trên. Đôi khi đế còn được đốt
nóng (tùy theo mục đích tạo màng tinh thể hay vô định hình...) để điều khiển
các quá trình lắng đọng của vật liệu trên màng. Chiều dày của màng thường
được xác định trực tiếp trong quá trình chế tạo bằng biến tử thạch anh. Khi
màng bay hơi sẽ bám lên biến tử đặt cạnh đế, biến thiên tần số dao động của
biến tử sẽ tỉ lệ với chiều dày của màng bám vào biến tử.
 Phún xạ catốt
Phún xạ hay Phún xạ catốt là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên
nguyên lý truyền động năng bằng cách dùng các iôn khí hiếm được tăng tốc
dưới điện trường bắn phá bề mặt vật liệu từ bia vật liệu, truyền động năng cho
các nguyên tử này bay về phía đế và lắng đọng trên đế.
Nguyên lý của quá trình phún
xạ khác với phương pháp bay
bốc nhiệt, phún xạ không làm
cho vật liệu bị bay hơi do đốt
Nguyên lý của quá trình phún xạ
nóng mà thực chất quá trình
phún xạ là quá trình truyền
động năng. Vật liệu nguồn
được tạo thành dạng các tấm
bia và được đặt tại điện cực,
trong buồng được hút chân
không cao và nạp khí hiếm
với áp suất thấp. Dưới tác dụng của điện trường, các nguyên tử khí hiếm bị iôn
hóa, tăng tốc và chuyển động về phía bia với tốc độ lớn và bắn phá bề mặt bia,
truyền động năng cho các nguyên tử vật liệu tại bề mặt bia. Các nguyên tử
được truyền động năng sẽ bay về phía đế và lắng đọng trên đế. Các nguyên tử
này được gọi là các nguyên tử bị phún xạ. Như vậy, cơ chế của quá trình phún
xạ là va chạm và trao đổi xung lượng, hoàn toàn khác với cơ chế của phương
pháp bay bốc nhiệt trong chân không.
 Epitaxy chùm phân tử
 Epitaxy chùm phân tử (MBE) là thuật ngữ chỉ một kỹ thuật chế tạo
màng mỏng bằng cách sử dụng các chùm phân tử lắng đọng trên đế đơn tinh
thể trong chân không siêu cao, để thu được các màng mỏng đơn tinh thể có
cấu trúc tinh thể gần với cấu trúc của lớp đế.
Kỹ thuật MBE chỉ có thể thực hiện được trong môi trường chân không
siêu cao, do đó cho phép tạo ra các màng mỏng vật liệu có độ tinh khiết rất
cao. Điểm khác biệt cơ bản nhất của MBE so với các kỹ thuật màng mỏng
khác là các màng mỏng đơn tinh thể được mọc lên từ lớp đế đơn tinh thể với
tốc độ cực thấp và có độ hoàn hảo rất cao. Vì thế, kỹ thuật MBE cho phép tạo
ra các siêu mỏng, thậm chí chỉ vài lớp nguyên tử với chất lượng rất cao. Tuy
nhiên, chất lượng màng cũng như tốc độ tạo màng phụ thuộc nhiều vào độ
hoàn hảo của môi trường chân không. Lớp đế bên dưới là đơn tinh thể, có tác
dụng như một mầm để lớp màng phát triển lên trong quá trình ngưng đọng.
 Phương pháp sol-gel
Theo phương pháp này các dung dịch chứa ion khác nhau được trộn với
nhau theo một tỷ phần thích hợp, dưới tác động của nhiệt độ, áp suất mà các
vật liệu được kết tủa từ dung dịch. Sau các quá trình lọc, sấy khô, ta thu được
các vật liệu. Sol- gel là một quá trình các phản ứng hoá học bắt đầu đi từ dung
dịch đến sản phẩm cuối cùng ở trạng thái rắn. Từ “Sol” là từ đầu của danh từ
“Solution” nghĩa là hệ phân tán vi dị thể rắn trong lỏng, còn từ “Gel” là các từ
đầu của danh từ “Gelation” nghĩa là phân tán vi dị thể lỏng phân tán trong rắn
và rắn phân tán trong lỏng.
 Lắng đọng hơi hóa học (CVD)
 Lắng đọng chùm laser
 Kỹ thuật phun tĩnh điện

II.4.4. Kính hiển vi điện tử

 II.4.4.1. Kính hiển vi điện tử quét (tiếng Anh:
Scanning Electron Microscope, thường viết tắt là SEM), là một loại kính hiển
vi điện tử có thể tạo ra ảnh với độ phân giải cao của bề mặt mẫu vật bằng cách
sử dụng một chùm điện tử (chùm các electron) hẹp quét trên bề mặt mẫu. Việc
tạo ảnh của mẫu vật được thực hiện thông qua việc ghi nhận và phân tích các
bức xạ phát ra từ tương tác của chùm điện tử với bề mặt mẫu vật.

Thiết bị kính hiển vi Sơ đồ khối kính hiển vi

điện tử quét Jeol 5410 LV tại Trung điện tử quét
tâm Khoa học Vật liệu, Đại học
Quốc gia Hà Nội

II.4.4.2. Kính hiển vi điện tử truyền qua (tiếng Anh:

transmission electron microscopy, viết tắt: TEM) là một thiết bị nghiên cứu vi cấu trúc vật
rắn, sử dụng chùm điện tử có năng lượng cao chiếu xuyên qua mẫu vật rắn mỏng và sử
dụng các thấu kính từ để tạo ảnh với độ phóng đại lớn (có thể tới hàng triệu lần), ảnh có thể
tạo ra trên màn huỳnh quang, hay trên film quang học, hay ghi nhận bằng các máy chụp kỹ
thuật số.
 II.4.5. Các phương pháp phân tích vận chuyển, phân tích
tính chất từ
II.5. Ưu điểm của linh kiện Spintronics
Có thể nói rằng, spintronics sẽ là tương lai của công nghệ điện tử hiện
nay, dựa trên nền tảng của từ học, kết hợp với nhiều thành tựu của các ngành
khác: quang, điện tử học..., với những ưu điểm nổi trội hơn hẳn công nghệ
điện tử hiện nay:
 Tiêu thụ ít năng lượng hơn: Việc chuyển trạng thái 0 và 1 trong
các linh kiện điện tử truyền thống được thực hiện bằng cách vận chuyển điện
tích vào/ra khỏi các kênh của transistor. Điều đó đòi hỏi phải tiêu tốn năng
lượng vì việc vận chuyển điện tích đòi hỏi phải tạo ra được độ dốc của trường
thế (hay điện trường), do đó bị tổn hao thành nhiệt và không thể bù đắp được,
trong khi các linh kiện spintronics đảo trạng thái dựa trên việc đổi định hướng
spin.
 Không gây ồn/nhiễu như điện tích: spin không liên kết dễ dàng
với điện trường phát tán (trừ khi tương tác spin- quỹ đạo rất mạnh ở trong các
vật liệu) nên tránh được nhiễu và ồn của điện tích.
 Thao tác nhanh hơn vì không phải mất thời gian cho việc vận
chuyển điện tích, chỉ mất thời gian đảo phương spin. Tóm lại, đối với spin chỉ
cần đảo chiều theo 2 chiều “lên” và “xuống” nên đòi hỏi tiêu tốn ít năng lượng
và mất ít thời gian hơn nhiều.
 Người ta dự đoán rằng công nghệ spintronics sẽ góp phần quan
trọng vào sự phát triển của công nghệ điện tử - tin học - viễn thông trong thế
kỷ 21. Các đặc trưng của các thiết bị điện tử thế hệ mới này có tính tổ hợp cao
(cả điện tử hoc, từ học và quang tử), đa chức năng, thông minh, nhỏ gọn, tiêu
thụ ít năng lượng nhưng hiệu suất cao, xử lý và khả làm tươi thông tin với tốc
độ rất cao và đặc biệt là có khả năng kết nối internet, liên lạc không dây và
điều khiển từ xa... Những thành tựu của lĩnh vực này cũng sẽ không thể tránh
khỏi việc tham gia vào các lĩnh vực khoa học-công nghệ và kỹ thuật của quân
sự.
 Làm cho các linh kiện điện tử trở nên nhỏ hơn, chất lượng hơn,
nhanh hơn, rẻ hơn, góp phần nâng cao chất lượng cuộc sống và tạo ra các yếu
tố cạnh tranh cho nền kinh tế tri thức của quốc gia.
II. 6. Nhược điểm của linh kiện Spintronics
 Tuy nhiên, để có thể tạo ra cuộc cách mạng spintronic, các nhà
nghiên cứu cần tìm ra cách
để tiêm (inject), thao tác (manipulate) và ghi nhận spin của điện
tử trong các chất bán dẫn bởi
dường như các vật liệu này vẫn chiếm vị trý trung tâm trong vật
lý các linh kiện trong một
tương lai có thể dự đoán được. Thao tác trên các spin dường
như đang trên đà thẳng tiến,
nhưng tiêm và ghi nhận spin vẫn còn vấp phải hàng loạt vấn đề
dưới các trở ngại thực tế, tạo
nên một thử thách lớn.
Kết Luận
Người ta dự đoán rằng công nghệ spintronics sẽ góp phần quan trọng vào sự phát triển của công
nghệ điện tử - tin học - viễn thông trong thế kỷ 21. Các đặc trưng của các thiết bị điện tử thế hệ mới này có
tính tổ hợp cao (cả điện tử hoc, từ học và quang tử), đa chức năng, thông minh, nhỏ gọn, tiêu thụ ít năng
lượng nhưng hiệu suất cao, xử lý và khả làm tươi (refresh) thông tin với tốc độ rất cao...
Spintronics, sự kết hợp giữa từ học với điện tử học, sẽ tạo ra một thể loại mới về mặt chức năng trong công
nghệ vi điện tử và tạo nên những linh kiện điện tử có những tính năng hoàn toàn mới. Cơ sở vật lý cho các
linh kiện spintronics là cơ chế phân cực spin trong chất rắn, các quá trình động học và vận chuyển spin.
Spin có thể thay thế điện tích để mã hóa và truyển tải thông tin, đặc biệt là trong việc để mã hóa thành bit
thông tin lượng tử (Q-bits) sử dụng trong máy tính lượng tử (Q-computer) của tương lai.
Còn có nhiều thách thức ở phía trước, nhưng Spintronics sẽ góp phần đưa công nghệ điện tử-tin học-viễn
thông lên một tầm phát triển ở trình độ mới, cao hơn ở trong thế kỷ 21. Ở trong nước, mặc dù spintronics đã
bắt đầu được nghiên cứu khoảng chục năm nay, nhưng sẽ ngày càng được quan tâm rộng rãi, trong đó sẽ có
sự tham gia của các nhà khoa học quân đội.
Cuối cùng, chúng tôi xin nêu lên (nguyên văn) một nhận xét có tính tiên đoán từ năm 1959 của nhà vật lý Mỹ
Richard Feynman về khả năng sử dụng đến spin của điện tử trong tương lai để kết luân rằng spin chính là cái
đích tiếp theo của điện tử truyền thống (bài nói chuyện với câu nói nổi tiếng của Feynman:“There’s Plenty of
Room at the Bottom”, 1959 APS Meeting): “...computers with wires no wider than 100 atoms, a microscope
that could view individual atoms, machines that could manipulate atoms 1 by 1, and circuits involving
quantized energy levels or the interactions of quantized spins”. Có thể nhận thấy rằng hiện nay dường như tất
cả những điều dự đoán trên đây đều đã được thực hiện.

Tài Liệu Tham Khảo

1. Lê Đình, Bài giảng cơ học lượng tử (2009), Đại học huế-
Đại học sư phạm.
2. Phạm Quý Tư, Đỗ Đình Thanh, Cơ học lượng tử (1999),
NXB Đại học quốc gia Hà Nội.