种掩 膜 精 度 、缺 陷密 度 和 光 掩 膜 的耐用 性 能等 都 提 出 了极 高 的 要 求 〔

31。
随着 半 导体 工 艺用 光 掩 膜 的发展 越 来 越 活跃 ，其 尖 端 工 艺 用 光 掩 膜 的需求 也
渐 渐 呈 现 出 上 升 趋 势 。 目前 国 内外 0 .6 5 p m 工 艺 用 掩 模 己进 入 大 生 产 阶 段 ，
0 .45 p m 工 艺用 掩 模 也 从 开 发 阶 段 进 入 批 量 生 产 。
在 研 究 开发 方 面 ，目前 4 5nm 对 应 光掩 模 己取 代 了 65nm 成 为 关 注 的重 点 ，以
及 在 这 一 领 域 中 的 OPC (光 邻 近 效 应 补 偿 ) ， 光 掩 膜 的上 下 层 对 应 和 高分 辨 率 成
了主 要 的 开 发 课 题 。 同 时 ，在 浸 液 技 术 的 使 用 后 ，对 应 于 45nm 以后 的确 能 生 存
的 Ar F 光 刻 掩 膜 的 开 发 也 在 快 速 发 展 ，现 在 已进 入 了面 向 实 用 化 的最 后 阶 段 。
目前 ，国 内 的光 掩 膜 企 业 主 要 集 中在 上 海 、北 京 、深 圳 及 江 浙 等 地 方 。上 海
地 区 主 要 的 光 掩 膜 制 造 企 业 包 括 上 海 凸版 光 掩 模 公 司 (原 上 海 杜 邦 光 掩 模 公 司 )
和 中芯 国 际 掩 模 制 造 厂 ，这 些 企 业 主 要 服 务 于 高 端 工 艺 客 户 。江 浙 地 区 ，无 锡 华
润 电子 和 五 十 八 所 合 作 的掩 模 工 厂 以其 价 格 有 优 势 和 生 产 周 期 赢 得 了不 少 中低
端 用 户 。在 北 京 ，中 国科 学 院微 电子 中 心 光 掩 膜 及 微 细 加 工 实 验 室 是 我 国最 早 从
事光掩模 技 术研 究 的单位 之 一 。
在 2009 年 迎 来 了 4 5/32nm 工 艺 的 时代 。4 5nm 情 况 下 ，采 用 ArF 曝 光+浸 液
技术 、使 用 与干 式 曝 光 相 同 的光 掩 膜 仍 可 满 足 。但 是 随着 微 细 化 的进 程 ，帮 助 步
进 式 曝 光 设 备 析 像 的 OPC (光 学 接近 效 果 校 正 ) 图形 变 得 越 来 越 复 杂 ，设计 数 据
容 量 也 越 来 越 大 ，从 而 使 模 版 的制 造 越 来 越 困难 ，成 本 也 越 来 越 高 。在 45nm 以
后 的 32nm 情 况 下 ，光 掩 膜 的制 造 必 将 变 得 更 加 严 酷 。
随 着 O PC 的 复 杂 化 以及 光 掩 膜 结 构 的 多样 化 ，不 仅 制 造 光 掩 膜 的难 度 越 来 越
大 ，成 本 也 不 断 上 升 。另 一 方 面 ，圆 片 制 造 厂 商 又 不 断地 提 出要 求 “降价 、迅 速
交货 ”等 苛刻 要 求 。 同 时为 了开 发 、制 造 高 端 工 艺用 的光 掩 膜 ，还 必 须每年 进 行

一 定 的设 备 投 资 。因此 ，为 了开 发 高 端 光 掩 膜 ，不 仅 光 掩 膜 厂 商 、圆 片 厂 商 、装
置 设 备 厂 商 ，以及 软 件 、设 计 厂 商 都 必 须 携 起 手 来 ，在 紧 密 合 作 的 基 础 上 求 得 发
展 。而 圆片 厂 商 则 是 这 一 合 作 的 中流 砒 柱 ，如 何 掌 握 方 向 ，为 各 合 作 方 带来 利益
共 赢 ，是 非 常 重 要 的 。

第三 节 光掩 膜 制 造技 术 简 介

光掩 膜 制 作 是 集 成 电路 设 计 工程 师 设 计 电路 ，透 过 计 算 机 辅 助 设 计 系统 ，以
电子 束 或 雷 射 曝 光 方 式 将 此 电 路 成 型 在 玻 璃 基 板 上 ，此 玻 璃 基 板 即 称 为光 掩 膜
(M a s k ) 。

芯 片 制 造 厂 借 由光 掩 膜 曝 光 ，将 电路 转 移 到 硅 片 上 再 送 切 割 ，而 后 由芯 片 封
装厂 搭 配 导 线架 (Lead Fr am e) 予 以构 装 并 包 装 成 型 测试 ，即 为市 面 所 见之 集 成
电路 (IC ) 。
 设 计 者 的观 念 经 由 下 列 项 目将 观 念 实 体 化 ，如 图所 示 。

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图 l 半 导体 工 业架构 图

一 般 工 艺 制 造 过 程 光 掩 膜 分 为 Binar
y 和 P SM 两 种 。Bin ar
y 光 掩 膜 是 由玻 璃
的基 板 和 覆 盖 在 上 面 的 铬 金 属 层 组 成 ，铬 金 属 上 形 成 光 掩 膜 的 图形 ( 图 2 )。而
随着 线 宽 的变 细 ，对 解 析 度 要 求 的提 高又 出现 了 P S M 相 位 移 光 掩 膜 ( 图 3)。P s M
光 掩 膜 是 由玻 璃 的基 板 和 覆 盖 在 上 面 的相 位 移 层 组 成 。它 相 对 于 B inar
y 光掩 膜
的 区别 在 于 ，它 的 图形 是 形 成 在 相位 移层 上 的 ，相 位 移 层 有 6% 的透 光 率 ，但 是
它 的相 位 与玻 璃 区 的 相 位 差 是 180 度 ，当 曝 光 光 源 透 过 图形 区 时 ，透 过 玻 璃 区 的
光 源 的干 涉 第 一 极 大 与 透 过 图形 区 的 6% 光 源 的干 涉 第 一 极 大 相 位 相 反 ，互 相 抵
消 。从 而 通 过 干 涉 作 用 改 善 对 细 小 线 宽 的解 析 度 ( 图 4 )。
相 位 移 层 的 成 分 是 M os i。

Q uartz lay er

图 Z Bi n 脚 光 掩 膜 示 意 图
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图 3 P SM 光掩 膜 示意 图

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图 4 P SM 光掩 膜相 位 干 涉示 意 图
不 管 是 Bin ary 还 是 P s M 光 掩 膜 ，它 们 的制 造 流 程 基 本 相 似 。如 图 5 所 示 。

图 5 光 掩 膜 制作 流程 图
在 它 们 的起 始 状 态 ，基 版 表 面 都 覆 盖 有 光 阻层 。首 先 要 经 过 激 光 或 聚 焦 电子
束 曝 光机 器 的 图形 直 写 (W riter)，接 下 来 是 制 程 (P roc ess )。在 显 影 液 的作 用 下 ，
曝 光 过 的 区 域 ，光 阻 就 会 被 去 除 。接 下 来 就 是 蚀 刻 ，可 分 类 为 湿 蚀 刻 和 干 蚀 刻 。
湿 蚀 刻 是 使 用 相 应 的蚀 刻 液 达 到 在 铬 金 属 层 上 形 成 图形 的 目的 ，而 干 蚀 刻 是 使 用
等 离 子 电浆 来 形 成 图形 。图 形 形 成 之 后 就 可 以把 光 阻 层 剥 离 ，传 统 的 方 式 是 使 用
硫 酸清 洗 的方 式 。这 之 后 是 关 键 尺 寸 的量 测 及 各 层 光 掩 膜 的对 准 确 认

(M etro fogy )。到 这 里 为 止 ，是 属 于 光 掩 膜 的 前 段 制 程 ，所 有 的 器 件 图形 都 已经

在 光 掩膜 上 了 。在 后 段 制 程 中 ，首 先 是 缺 陷 的检 验 (1 s‘insPeet) ; 如 果 有 缺 陷 存
在 ，就 需 要 修 补 (R 即air ) ，
使 用 激 光 、聚 焦 离 子 束 或 聚 焦 电子 束 来 完 成 ; 接 下 来
是 清 洗 和 镀 膜 (Cl eaJ岁m ount ) ;在 镀 膜 后 ， 再 次 检 验 有 无 缺 陷 (T hr‘
in spee t) ;如
果 没 有 问题 就 可 以 出货 到 客 户 端 了 (Shipp ing )。 以上 就 是 目前 较 为 典 型 的 光 掩
膜 制造 流 程 。

第 四节 传 统光掩膜 清洗技术

传 统 光 掩 膜 清 洗 技 术 源 自美 国 R C A (美 国无 线 电公 司 ) 为 清 洗 晶 圆 (w af
e r)
所 发 展 的洗 净 技 术 。于 1970 年 发 表 清洗 过 程 。R C A 清 洗 方 法 为 二 段 步 骤 : 湿 式
氧 化及 络 合 反应 〔
4，
。光 掩 膜 主 要 清 洗 对 象 包 括 :
l ) 光 阻 剂 (aft er d ev elop/etoh nro eess);
2 ) 有 机污 染 物(人 体 皮 屑 ，指 故 …)
3 ) 金属碎屑
4) 尘埃
5) 残胶
R C A 清 洗 法 可 以有 效 去 除 晶 圆和 光 掩 膜 的各 种 污 染 物 ，一 般 亦 称 之 为 标 准
清 洗 。 R c A 用两 种 溶 液 sC 一
l/s c 一
2(sC: Sta
n dard Clean
) 分 别 除去 w 副免r 表 面 的微
粒 污染 及 金 属 碎 屑 ，光 掩 膜 的清 洗 只 用 S C 一
1 来 移 除微 粒 污 染 。
传 统 清 洗 机 器 的架 构 示 意 图 ，如 图 6 所 示 。在 设备 的最 前 端 和 最 后 端 分 别
是 进 料 区 (L oad ) 和 出料 区 (U uload )，在 工 作 槽 中首 先 是 两个 硫 酸 槽 ，接 下 来
是 去 离 子 水 清 洗 槽 (Q ulck D rain 形n se，简 称 Q D R )、S C 一
1 溶 液 槽 、离 子 水 清 洗
槽 和 异 丙 醇 (IPA ) 干 燥 槽 。

图 6 传统 清 洗机 器 的架构 示意 图
 传 统 清 洗 流 程 中 ， 光 掩 膜 首 先 会 进 入 到 硫 酸 步 骤 中 ，在 此 步 骤 主 要 进 行 的
是 对 污 染 物 的氧 化 。在 硫 酸 溶 液 中会 加 入 一 定 比例 的双 氧 水 以增 强 氧 化 性 ，反 应
式如下 :
H ZS O 4+ H ZO Z 奋 于 H ZS O S+ H ZO

从 硫 酸 溶 液 中 出 来 之 后 ， 一 般 会 进 行 大 量 的 清 水 冲 洗 。然 后 再 次 进 入 S C 一l
溶 液 中 。S C 一
1 对 微 粒 污 染 物 有 很 强 的 去 除 能力 ， 反 应 式 如 下 :
5 1+ 2 H 2O 2 斗 5 10 2+ Z H ZO

N H 3+ H ZO 份 净 N 氏 O H

5 10 2创 风 o H 奄 斗 5 1(o H )4州 H 3 汇
5〕
在 SC 一
1 溶 液 中还 同 时 作 用 有 超 音 波 震 荡 ，这 对 微 粒 污 染 物 的 去 除 有 决 定 性
的作 用 。从 S C 一
1 溶 液 中 出来 之 后 ，也 会 进 行 大 量 的清 水 冲 洗 ， 以去 除所 有 的化
学物 残 留〔
6，
。最 后 就 是 光 掩 膜 表 面 的干 燥 处 理 。
传 统 的 光 掩 膜 清 洗 方 式 优 点是 技 术 应 用 已经 非 常 的稳 定 成 熟 ，几 乎 对 所 有
微 粒 污 染 物 都 有 很 强 的 去 除 能力 ，而 且 产 出非 常 快 ，设 备 的 维 护 保 养 都 相 对 简 单 ，
制 程 良率 会 比较 高 ，可 达 到 99 % 以上 ; 缺 点是 因 为 应 用 了大 量 高 温 的硫 酸 和 碱 ，
整 个 制 程 过 后 就 会 有 一 些 硫 酸 根 和 氨 根 离 子 残 留 在 光 掩 膜 的 整 个 表 面 ，而 它 们 正
是 H aze 产 生 的 根 源 。
目前 光 掩 膜 厂 所 使 用 的光 掩 膜 清 洗机 台有 相 当 多是 沿 用 R C A 晶 圆清 洁 法 的
技 术 。在 经 过 最 终 的清 洗 之 后 ，会 在 光 掩 膜 上 豁 附 一 层 保 护 膜 。如 图 7 所 示 。保
\

护 膜 在 曝 光 光 源 下 有 接 近 100 % 的透 光 率 。它 可 以保 护 光 掩 膜 在 使 用 过 程 中 不 会
有微 小 污 染 物 直 接 落 在 光 掩 膜 图形 上 ，造 成 晶 圆 的报 废 。

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G !ass D ou ble S ide

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图 7 粘 贴 了保 护 膜 的 光 掩 膜
 图 8 光掩 膜 清 洗 流程 图

在 整 个 光 掩 膜 的 制 造 流 程 中 ，清 洗 是 一 个 必 不 可 少 的 工 序 ， 而 且 它 进 行 的
次 数 非 常 多 ， 图 8 为 典 型 的 P S M 光 掩 膜 清 洗 工 艺 流 程 图 。它 包 含 了光 掩 膜 制 作
过 程 的 各 个 步 骤 ，分 别 是 第 一 次 去 光 阻 (1 ’
‘Str
i p )、M 。蚀 刻 前 清 洗 (B ef-M o dry

elean )、M o 蚀 刻 后 清 洗 (A ft一

M o d珊 elean )、涂 光 阻 前 清 洗 (B ef-eo at elean )、第
二 次 去 光 阻 (Z nd strip )、简 略 清 洗 (short clean )、修 补 后 清 洗 (A t尽rep ai: clean :
可 选 )、贴 膜 前 检 验 清 洗 (B ef-m ount elean )、修 补 后 清 洗 (从 f-rep air elean :可 选 )
和 贴 膜 前 最 终 清 洗 (.F inal clean )。可 见在 光 掩膜 制 备 工 艺 中使 用 最 多 次 数 的是 清
洗 工 艺 ， 所 以清 洗 的 效 果会 极 大 的影 响光 掩 膜 的整 个 寿 命 周 期 。

第五节 本章 小结

本 章 对 半 导 体 制 造 技 术 和 进 行 了简 介 。随 着 半 导 体 集 成 电路 制 造 技 术 的 不
断 发 展 ， 目前 的 技 术 已经 走 到 了 4 5nm 时代 。随着 集 成 电路 线 宽 的变 细 ，从 IC
设 计 到 封 装 测 试 都 受 到 了越 来 越 多 的挑 战 。光掩 膜 是 负 责 把 设 计 的 图形 导 到硅 晶
圆上 ，起 到 一 个 模 版 的作用 ，光 掩 膜 的质 量 与维 持 稳 定 就 显 得 非 常 重 要 。但 是 随
着 微 细 化 的进 程 ， 帮 助 步 进 式 曝 光 设 备 析 像 的 O P C ( 光 学 接 近 效 果 校 正 ) 图 形
变 得 越 来 越 复 杂 ，设 计 数据 容 量 也 越 来越 大 ，从而 使 光掩 膜 版 的制 造 越 来 越 困难 ，
成 本 也 越 来 越 高 。在 65 nm 以后 的 45 nm 情 况 下 ，掩 模 板 的制 造 必 将 变 得 更 加 严
酷。
光 掩 膜 制 造 是 整 个 半 导 体 非 常 重 要 的一 环 。光 掩 膜 分 类 为 Bi n ar
y 和 PS M 两
种 ，高 端 的 晶 圆 工 艺 需 要 的 是 P S M 光 掩 膜 。在 制 造 过 程 中 也 涉 及 到 曝 光 、蚀 刻 、
清 洗 等 与 晶 圆 制 造 类 似 的工 艺 。其 中 的光 掩 膜 清 洗 的传 统 工 艺 主 要 是 以硫 酸 为 氧
化 剂 ，再 加 以 S C 一1 溶 液 的 超 声 波 振 荡 来 达 到 去 除 光 掩 膜 表 面 污 染 物 的 目的 。在
所 有 光 掩 膜 工 艺 中 清 洗 工 艺 出现 的 次 数 最 多 ，会 极 大 的 影 响光 掩 膜 质 量 与 寿 命 。
 第二章 光掩膜 结 晶生长及清洗 良率 降低 原 因分析
对 于 光 掩 膜 厂 商 而 言 ， 目前 在 清 洗 工 艺 中 的 主 要 问题 有 两 个 。其 一 是 光 掩
膜 在 使 用 一 段 时 间 之 后 在 图 形 表 面 会 有 结 晶 生 长 出来 ， 而 造 成 晶 圆上 器 件 的 缺
陷 ，这 种 结 晶和 清 洗 中残 留 的化 学 溶 液 残 留浓 度 直 接 相 关 ; 其 二 是 在 清 洗 过 程 中
对 微 粒 污 染 物 去 除 能 力 不 足 造 成 的 良率 下 降 ，直 接 影 响 光 掩 膜 生 产 成 本 和 交 货 周
期。

第 一 节 光 掩膜 结 晶 生 长 及 对 晶 圆生产 的影 响

目前 lC 制 造 者 发 现 ，在 24 8nln 的微 影 技 术 时 代 ，大 部 分 厂 家 发 现 在 光 掩 膜
使 用 一 年 之 后 ，光 掩 膜 清 洗 后 残 留 的 离 子会 析 出产 生 一 些 硫 酸 盐 晶体 。在 半 导 体
业 内称 其 为 “h aze ”。如 果 没 有 及 时 发 现 就 会 造 成 晶 圆 上 产 生 重 复 性 的 缺 陷 ， 而
且 晶 体 在 越 高 阶 的光 掩 膜 上 出现 的 几 率 越 高 〔
7J。
在 微 影 技 术 进 入 到 193 nm 技 术 时代 之 后 ， 随着 曝 光 能 量 的增 加 ，haze 出现
的几 率 已经 大 大 提 前 了 。而 且 H aze 的种 类 也 大 大 增 加 了 。并 且 目前 还 不 能 很 好
的预 测 它 的 出现 ， 同样 大 小 的 结 晶在 248 lu
n 时 代 可 能 不 会 影 响 曝 光 ，但 是 在
19 3nm 时代 下 就 会 显 影 ，这 就 往 往 造 成 了晶 圆厂 极 大 的 损 失 。所 以业 内迫 切 需 要
解 决 这 个 问题 。这 对 提 高 晶 圆 厂 的 良率 ，降低 成 本 可 以起 到 很 大 的积 极 作 用 。甚
至对 光 掩膜 行 业 的未 来 都 会 有 重大 的影 响 。
光 掩 膜 结 晶 的种 类 非 常 多 ，如 图 9 所 示 ，至 今 业 内 已经 观 察 到 的 haze 种 类
已有 51 种 之 多 。它 们 的 成 分 也 是 非 常 多样 ， 比较 常 见 的 是 硫 酸 氨 、碳 酸 氨 、磷
酸 氨 、氰 尿 酸 以及 草 氨 酸 等 化 合 物 的 结 晶体 。

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图 9 光 掩 膜 结 晶名 称 分 类 图 〔
刃
---
--
-

由图 10 给 出 的 示 意 图 中 ，可 以看 到 各 种 haze 发 生 的 位 置 各 不 相 同 。它 有 可
能在 光 掩 膜 的 图形 面 ，也 有 可 能在 光 掩 膜 的背 面 ，或 在 保 护 膜 上 。各 种 不 同 成 分
的 haze 会 在 任 何 适 合 其 生 长 的位 置 发 生 。
 d :
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升华性物 皮 、硫 砍胶
. . .
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图 10 光 掩 膜 结 晶 位 置 成 分 图 〔
9〕

在 所 有 种 类 的 h aze 当 中 ，有 一 种 最 常 见 的 ，也 是对 晶 圆生 产 良率 影 响 最 大
的 ，就 是 硫 酸 氨 结 晶 。结 晶 的成 分 和 残 留在 光 掩 膜 表 面 的 离 子 类 型 是 直 接 相 关 的 。
因 为 光 掩 膜 生产 过 程 中 使 用 频 繁 的清 洗 溶 液 就 是 浓 硫 酸 和 S C 一
1 (主 要 化 学 品 为
氨 水 )，所 以最 常 见 的 还 是 硫 酸 氨 晶 体 ，这 在 化 学 成 份 分 析 中得 到 了证 实 。 结 合
某 半 导 体 公 司 实 际遇 到 的 结 晶都 能被 水 溶 解 这 一 特 性 ，成 份 分 析 的试 验 流 程 如
下 : 首 先 选 用 一 片 己经 生 长 结 晶 的 光 掩 膜 和 一 片 刚 刚 清 洗 完 的 光 掩 膜 ，分 别 放 入

一 清 洗 干 净 的玻 璃 容 器 中 ，再 分 别倒 入 500 ml 水 ; 然 后 密 闭容 器 ，进行 1 小 时
90 ℃ 的 水 浴 加 热 ; 接 下 来 提 取 加 热 后 的液 体 进 行 离 子 光 谱 分 析 。从 试 验 的 结 果 得
出两 片 光掩 膜 析 出 的 的 离 子 成 份 一致 ，硫 酸根 和 氨 根 离 子 的浓 度 都 达 到 8、IOPPB
左 右 ，其 他 没 有 浓 度 超 过 IPPB 的 离 子 〔
10
]。
硫 酸氨 结 晶 的生 长 原 理 如 图 n 所 示 。清洗 后 的光 掩 膜 表 面 残 留有 硫 酸 根 和
氨 根 离 子 。在 晶 圆 曝 光 时 ，高 能 量 的 光 子 激 发 了这 些 离 子 ，使 得 离 子 在 光 掩 膜 表
面 析 出聚集 。 同 时在 环 境 中少 量 的水 分子 ，透 过 保 护膜 的气 孔 进 入 到表 面 附近 。
在 曝 光 能量 的加 速 作 用 下 ，硫 酸 根 、氨 根 、水 分 子 一 起 作 用 生 成 硫 酸 氨 ，逐 渐 在
光 掩 膜 表 面 形 成 化 合 物 ，当积 累 到 一 定 量 时 ，就 会 发 生 聚 合 ，生 成 晶 体 ，而 且 会
不 断地 长 大 。生 长 在 光 掩 膜 透 光 区 的 结 晶 ，在 最 初 的阶 段 并 不 会 对 晶 圆 曝 光 量 产
生 影 响 ，因为 它 自身 的透 光 率 也 非 常 高 。不 过 当 晶体长 大 到 一 定 大 小 的时候 ，其
透 光 率 就 会 下 降 而 足 以影 响 晶 圆 曝 光 的 能量 ，从 而 影 响 晶 圆 关 键 线 条 尺 寸 ，对 良
率造 成 杀伤 。
 H Zo + 比 50 . + ZN H 4o H 一) (N H 4)25 0 4 + H Zo

)黝鞭撇鞭撇
) 撇「黔黝嘿粼噢
噢

图 11 硫 酸 氨 结 晶 的 生 长 原 理 图 〔
，”
图 12 为 某 光 掩 膜 表 面 的 结 晶 造 成 晶 圆缺 陷 的 示 意 图 ，a 图 是 光 掩 膜 上 所 看
到 的 结 晶 ，b 图是 晶 圆 上 的缺 陷 图 形 ，可 以看 到 结 晶造 成 了桥 接 缺 陷 。

a) 光掩 膜表 面 结 晶

b) 晶 圆表 面缺 陷
图 12 光 掩 膜 结 晶 造 成 晶 圆缺 陷 示 意 图

一 般 来 说 ，只 要 出现 haze ，数 量 都会 特 别 的 多 ，对 良率 的 杀 伤 是 全 面 性 的 。
虽 然 单 个 晶 体 的 穿 透 率 非 常 的 高 ，但 是 在 大 量 的硫 酸 盐 晶体 作 用 下 ，光 掩 膜 的 整
体 穿 透 率 就 会 降低 ，从 而 影 响 微 影 制 程 的线 宽控 制 。通 常 在 这 个 时候 ，晶 圆 厂 只
能 将 此 光 掩 膜 送 修 处 理 。然 而 光 掩 膜 厂 在 接 到 这 种 送 修 案 例 时 ，唯 一 的 处 理 方 式
又 是 清 洗 ，如 果 又 是 使 用 硫 酸 溶 液 清 洗 ，只 能把 光 掩 膜 表 面 己经 生 成 的 结 晶去 除 ，
但 是 会 进 一 步 增 加 光 掩 膜 表 面 的硫 酸 根 和 氨 根 的 离 子 残 留浓 度 。所 以 ，虽 然 送 修
后 h aze 的 状 况 暂 时 改 善 了 ，但 是 不 久 之 后 h aze 又 会 重 新 生 长 出来 ，而 且 出现 的
周 期 会 变 得 更 短 。在 经 过 几 个 送 修 的 过 程 之 后 ， 此 光 掩 膜 就 只 能 报 废 了 。
光 掩 膜 的 结 晶 问题 ， 最 近 几 年 有 越 来 越 严 重 的趋 势 ，其 原 因就 是 随 着 曝 光
波 长 的 减 短 ，结 晶 出现 的 周 期 越 来 越 短 了 。因 为 曝 光 波 长 越 短 ，能 量 就 越 强 (波
长越 短 ，
光 子 的 能 量 越 大 .e=h c/ 入，e 是 能量 ， 入是 波 长 h二6.63 x 10E ‘
34 ，c 是 光
速 )，光 照 催 化 作 用 越 明 显 反 应 的 离 子 就 越 容 易 被 激 发 和 聚 合 。硫 酸 和 氨 离 子 的
反应 浓 度 临 界 值 变 得 越 来 越 小 了 。如 图 13 所 示 。从 130 lun 制 程 开始 ，曝光 光 源
需 使 用 Ar F( 193 nxn )光 源 ，结 晶 的 发 生 与 H Zs O 4，N 风 O H 的安 全 浓 度 区 域 已经 比
R淦F (248 nl
n )光 源 时 代 小 了很 多 。而 在 I一
line (36 5nm )光 源 时 代 ，就 几 乎 没 有 提 及 结
晶 的 问题 。

今
高
eslwe
.se
se

炭
派
HN

图 13 结 晶 生 长 与 曝 光 波 长 关 系 图 〔
12，

因 为 晶 圆 厂 没 有 办 法 直 接 预 测 H aze 会 在 什 么 时候 出现 。 如 果 恰 巧 出现 在
图形 区 域 ，会 在 晶 圆 上 产 生 重 复 性 的 缺 陷 ，当 发 现 时 已经 造 成 了 巨大 的 损 失 。为
了尽 可 能 及 时 地 发 现 H aze ， 晶 圆 厂 需 要 购 买 足 够 的光 掩 膜 检 验 机 台 ， 定 期 地 对
使用 中 的光 掩 膜 进 行 检 验 ，以监 测 结 晶状 况 。花 大 量 的精 力频 繁 对 光 掩 膜 进 行 检
验 ，成 本 很 高 。如 图 14 所 示 。使 用 光 掩 膜 检 验 机 台来 监 测 结 晶生长 状 况 ，如 果
检 验 的频 率 增 大 ，由结 晶造 成 的 晶 圆报废 成 本 就 会 下 降 ，同时就 需要 配 备 更 多 的
光掩 膜 检 验 机 台 ，设 备 成本 就 会 快 速 上 升 。 目前 130lun 光掩 膜 检 验 设 备 的价 格
都 在 千 万 美 元 水 平 ，价 格 非 常 高 昂 。所 以晶 圆 厂 对 光 掩 膜 结 晶 的 问题 非 常 困扰 ，
非 常 迫 切 地 需 要 解 决 光 掩 膜 改 善 结 晶 控 制 的技 术 问题 。
 一
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图 14 光 掩 膜 结 晶造 成 成 本 上 升 关 系 图 〔
，3〕
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第 二 节 清 洗 良率 降 低 的 原 因分 析

如 果 要 改 善 光 掩 膜 结 晶 状 况 ，那 么 就 需 要 从 光 掩 膜 清 洗 制 程 的 改 善 着 手 ，
其 中提 高 光 掩 膜 清 洗 良率 ，减 少 清 洗 次 数 是 很 重 要 的 一 环 。
因 为 在 13Onl
n 制 程 以后 ，所 有 的 关 键 层 光 掩 膜 都 使 用 相 位 移 光 掩 膜 ，而 且
在 晶 圆厂 发 现 结 晶现 象 的 90 % 以上 都 是 此 种 光 掩 膜 。以相 位 移 光 掩 膜 为例 ，把 相
位 移 光 掩 膜 的制 程 细 项 展 开 ，其 中蓝 色 的部 分 都 是 清 洗 的 步 骤 ，其 中 的清 洗 步 骤
多 达 10 项 之 多 ，如 图 巧 所 示 。如 果其 中 的最 终清 洗 (fina l clean ) 失 败 ，就 还
要 涉 及 到保 护 膜 拆 除 (dispe llid e ) ，
还 要 经 过 去 胶 清 洗 ， 然 后 再 次 的经

图 巧 光掩膜 详 细制程 图
过 最 终 清 洗 ，这 里 就 会 有 一 个 小 循 环 ，如 图 16 所 示 。 如 果 清 洗 的 良率 不 高 ，那
么 这 个 清 洗 循 环 就 要 反 复进 行 。

图 16 光 掩 膜 重 贴 膜 循 环 图
 由此 可 见 ， 清 洗 良率 对 减 少 清 洗 次 数 有 直 接 的 关 系 ， 与 光 掩 膜 结 晶 状 况 的
改 善 也 有 密 切 的 联 系 ，所 以提 高 光 掩 膜 清 洗 良率 也 变 得 迫 切 起 来 。在 对 影 响 清 洗
成 功 率 的 原 因 进 行 分 析 之 后 发 现 ，主 要 有 两 种 主 要 的 失 效 模 式 : 第 一 种 是 清 洗 过
程 中造 成 的 ; 第 二 种 是清 洗 之 后 在 传 送 过 程 当 中 由环 境 造 成 的 〔
’
‘，。
首 先 看 第 一 种 失 效 模 式 。 此 类 缺 陷尺 寸 非 常 小 ，和 光 掩 膜 图 形 尺 寸 相 当 ，
有 的 甚 至 比 图 形 尺 寸 还 小 得 的 多 ， 都 是 亚 微 米 级 别 的 缺 陷 ， 如 图 17 所 示 。 但 是
它 们 却 对 晶 圆 上 的 器 件 构 成 致 命 威 胁 。所 以 发 现 此 类 缺 陷 之 后 就 一 定 要 重 新 清
洗 。这 种 缺 陷 形 成 的 的 原 因 可 能 是 :
l) 工 艺 参 数 没 有 最 优 化 ，清 洗 能 力 不 够 强 ， 造 成 光 掩 膜 原 来 就 带 有 的 一 些 污 染
物 不 能完全 去 除 ;
2) 清 洗 机 台 硬 件 功 能 性 损 坏 ，造 成 清 洗 能 力 不 够 强 ，造 成 一 些 污 染 物 不 能 完 全
去除;

3) 在 化 学 药 液 或 者 去 离 子 水 管 路 中有 污 染 物 在 清 洗 过 程 中 带 到 光 掩 膜 表 面 ;
4) 在 清 洗 腔 体 中 有 污 染 物 ，造 成 清 洗 过 程 中污 染 光 掩 膜 表 面 。
由 以上 分 析 可 见 ，对 第 一 种 缺 陷 的 改 善 主 要 集 中在 工 艺 参 数 的 调 整 和 机 台 内 部 问
题 的完善 。

光掩 膜 表 面 小尺 寸缺 陷

图 18 光掩 膜 表 面 大尺 寸缺 陷 S E M 图
再 看 第 二 种 失 效 模 式 。如 图 18 所 示 ，此 种 缺 陷 尺 寸 较 大 ，通 常 都 在 5 微 米
以上 ，
和 周 边 的 图 形 比 较 起 来 要 大 的 多 ，所 以对 晶元 器 件 的 影 响 是 更 为 巨大 的 ，
而 且 此 种 缺 陷 还 有 可 能 会 在 光 掩 膜 表 面 移 动 ，位 置 具 有 不 确 定 性 ，所 有 是 特 别 危
险 的 一 种 缺 陷 。这 种 缺 陷 形 成 的 的 原 因可 能 是 : I) 在 清 洗 过 后 ，光 掩 膜 在 机 台
内部 的传 送 过 程 中 ， 由环 境 中掉 到 光 掩 膜 表 面 。2) 机 台 内部 组 件 磨 损 或 腐 蚀 产
生 此 类 微 粒 ，会 掉 到 光 掩 膜 表 面 。3) 操 作 员 操 作 过 程 中 产 生 此 类 微 粒 。所 以对
第 二 种 缺 陷 的 改 善 主 要 集 中 在 对 环 境 、操 作 、 设 备 维 护 的 完 善 。

第 三节 本 章小结

本 章 主 要 分 析 讨 论 了光 掩 膜 结 晶产 生 的原 理 ，及 其 对 晶 圆 良率 的 影 响 。
目前 光 掩 膜 结 晶 的 问题 已经 给 晶 圆 生 产 商 带 来 了 巨大 的 经 济 损 失 ， 而 从 晶
圆厂 来 监 测 的 话 又 需 要 投 入 巨大 的成 本 。半 导 体 业 内 已经 有 迫 切 的 需 求 来 寻 求 一
种 有 效 经 济 的方 法 来 改 善 结 晶 问题 。从 结 晶 原 理研 究 表 明光 掩 膜 结 晶 的类 型 种 类
繁 多 ，其 中最 常 见 的是 硫 酸 氨 结 晶〔
‘
51。我 们 可 以 了解 到 ，光 掩 膜 结 的 晶生 长 和 传
统 的 清 洗 方 式 有 着 直 接 的 联 系 ，所 以要 改 善 结 晶状 况 就 要 从 光 掩 膜 清 洗 的 技 术 改
善着手，
同 时 光 掩 膜 的 清 洗 还 面 临 到 颗 粒 污 染 物 难 去 除 造 成 清 洗 良率 下 降 的 问
题 。这 一 问题 的 主 要 成 因可 能 和清 洗 的程 序 优 化 ，清 洗 设 备 的维 护 有 着 很 大 的关
系 。所 以 ，要 提 高 光 掩 膜 清 洗 的 良率 以减 少 清 洗 次 数 以及 围 绕 着 清 洗 技 术 的 改 善
和 清 洗 良率 的提 高 是 光 掩 膜 生 产 者 需要 大 力 研 究 的课 题 。
 第三章 新 光 掩 膜 清 洗 技 术 导 入 以解 决 结 晶 生 长 问题
半 导 体 业 界在 最 近 几 年 开始 重 点尝 试 各 种 新 的光 掩 膜清 洗 技 术 ，并 且 在 近
几 年 验 证 了几 种 主 要 的 并 且 有 效 的方 法 并 开 始 使 用 在 工 业 生 产 中 〔
’61。这 几 种 新 的
清 洗 技 术 包 括 臭 氧 水 清 洗 技 术 、深 紫 外 光 曝 光 技 术 等 。本 章 在 介 绍 了这 两 种 新 型
清 洗 技 术 的 基 本 原 理 后 ， 将 两 种 技 术 分 别 引入 到 深 亚 微 米 光 刻 掩 模 版 的 清 洗 中 ，
围绕 着 这 几 种 清 洗 技 术 的 一 些 特 性 及 对 光 掩 膜 本 身 的 一 些 交 互 反 应 作 了定 性 和
定量 的研 究 ，找 出 了相 对 优 化 的参 数 并且 组 合 了完 整 的清洗 程 序 ，用 新 清 洗 技 术
的导 入 来 改 善 光 掩 膜 的 结 晶 问题 。

第一 节 新 清 洗技 术 的 工 作 原 理
1. 臭 氧 水 清 洗 技 术
臭 氧 水 (0 3一
H ZO ) 取 代 硫 酸 溶 液 (H ZS O 4) 以减 少 硫 酸 根 的 残 留浓 度 。那 么
臭 氧 水 就 要 承 担 起 强 氧 化 剂 的 作 用 。 由于 臭 氧 具 有 极 强 的 电势 能 ，如 表 1 所 示 ，
这
表 l 不 同化 学键 电势 能表 〔
17
]

使 得 臭 氧 水 能 对 绝 大 部 分 的有 机 物 和 金 属 进 行 氧 化 和 腐 蚀 。其 中对 金 属 氧 化 的 反
应 过程 ，如 图 19 所 示 。 金 属 颗 粒 污 染 物 被 氧 化 成 金 属 离 子而 脱 离 光 掩 膜 表 面 ，
随着 清 洗 溶 液 一起 被 排 走 。臭 氧 水 对 有机 污 染 物 的 反应 过程 如 图 20 所 示 ，不 管
是饱 和 还 是 非 饱 和 有 机 物 都 可 以和 臭 氧 反 应 生 成 二 氧 化 碳 (C O :) 和 水 。在 反 应
过 程 中 臭 氧 浓 度 会 衰 减 ，同 时 会 产 生 一 部 分 强 活 性 的氢 氧 离 子 ，这 些 离 子 的 电势
能 甚 至 比臭 氧 还 高 ，氧 化 性 也 比臭 氧 强 ，有 这 些 氢 氧 离 子 的参 与 反 应 ，有 机 物 会
更 快 速 的 被 氧 化 成 二 氧 化 碳 (c O Z) 和 水 〔
l8
]，得 以去 除 。
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图 19 臭氧 水 与金 属 反 应 流程 图

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图 20 臭氧 水与有机 物反 应 流程 图

2. 深紫外光 光照技 术 。

深 紫 外 光 (D U V ) 曝 光 的 主 要 目的有 以下 几 个 : l) 打 断 长 链 化 合 物 的化 学
键 ，从 而 使 得 化 合 物 在 之 后 清 洗 中容 易去 除 ; 2) 高 能 量 光 子 的 能量 ，激 发 残 留
在 光 掩 膜 表 面 上 的化 学 离 子 结 晶 ，以加 速 其 反应 速 度 ，以达 到清 洗 过 程 中照 射 萃
取 出残 留离 子 的作 用 ; 3) 增 加 光 掩 膜 表 面 的活 性 ， 由疏 水 性 转 化 为 亲 水 性 ，使
化 学 药 液 较 容 易 地 均 匀 分 布 在 光 掩 膜 表 面 ; 4) 在 用 化 学 药 液 清 洗 的 同 时 照 射 ，
可 加 速 化 学 反 应 的速 度 〔
l0
]。 图 21 ，分 别 给 出 了碳 碳 单 键 、碳 碳 双 键 、碳 氧 单 键 、
碳 氧 双 键 等 有 机 物 化 学 键 的 电势 能 ， 结 果 发 现 只 有 两 种 化 学 键 势 能 略 微 大 于
7.2 1eV 。 以 172nl
n 波 长 深 紫 外 光 来讲 ，其 光 子 能量 就 达 到 了 7.2l ev ，所 以运 用
172nl
n 波 长 紫 外 光 可 以打 断大 部 分有 机化 合 物 的化 学 键 。
 图 21 化 合 物 的化 学键 能 图

第二 节 新型 清 洗技 术 工艺导 入 的方法 与结果 分析

国 内某 光 掩 膜 厂 在 2 008 年 引进 了一 台具 有 先 进 清 洗 技 术 的光 掩 膜 清 洗 设备 ，
如 图 22 所 示 。此 清 洗 设 备 配 备 的 新 清 洗 技 术 有 臭 氧 水 清 洗 和 深 紫 外 线 曝 光
( 172 nm 波 长 )，此 外 还 具 有 传 统 的超 声 波 震 荡 S C 一1 溶 液 清 洗 以 及 高 温 热 水 清 洗
等 技 术 。 图 23 ， 为 该 设 备 的 结 构 示 意 图 。面 向操 作 端 的 为进 料 区 (L o ad Po rt)
和 出料 区 (U uloa d P ort); 在 操 作 端 和 工 艺 腔 体 之 间 的是 机 械 手 臂 传 送 区 (D ry
R ob ert); 工 艺 腔 体 主 要 有 两 个 ，分 别 是 172nx
n U V 工艺 腔体 和 整合 清 洗 工 艺 腔
体 ，简 称 IM c 一
1 (Integ rated M ix c ham ber)。在 默 认 的工 艺程 序 中 ，光 掩 膜 首 先
会 进 入 172 nm U V 腔 体 进 行 曝 光 ，然 后 在 机 械 手 臂 的传 送 下 进 入 IM C 一
1 。接 下 来
的臭 氧 水 清 洗 、S C 一
1 超 声 波 震 荡 和 高温 热 水 清洗 ，及 最 后 的甩 干 动 作 都 在 IM C 一
1
腔 体 中完 成 。
 图 22 新型 光掩膜 清洗设 备 外形 图

L D M as k U n !O 日d U LD M aS
LO 8d
F liP P e r k F liP P e r
P O rt P O rt

图 23 新 型光掩膜 清 洗设 备 内部 构 造 图

在 以下 的工 艺 导 入 调 试 中 主 要研 究 了此 设 备 4 种 主 要 清 洗 技 术 的特 性 。 因
为 高 端 光 掩 膜 大 多 使 用 相 位 移 类 型 ，在 以下 的 论 述 中 ，都 以相 位 移 光 刻 掩 模 版 的
实验 数 据 为例 。在 新 型 清 洗 方 法 导入 中 ，我 们 重 点 需 要 关 注 的 指 标 有 : l) 清 洗
洁 净 度 /清 洗 良率 ; 2) 相 位 移 层 清 洗 损 耗 ，包 括 相 位 损 耗 (p hase shiftd ecay ); 3)
离 子 残 留度 (fon C on ceniration ，以下 简 称 IC )，包 括 硫 酸 根 离 子 、氨 根 离 子 。具
体 指 标 如 表 2 所 示 ，其 中 的 清 洗 良率 的计 算 方 法 为 : 清 洗 后 要 求 掩 模 版 表 面 污 染
物 颗 粒 为 O 颗 ，才 能认 定 为 清 洗 成 功 ，成 功 次 数 除 以总 的清 洗 次 数 为清 洗 良率 。
表 2 光 掩 膜 清洗规格要 求表

阴
阴脚 脚 雄 粼 峭 徽 {{{
娜濒鹜瀚麟蒸黯麟弊}}}
清
清洗 良率率 > = 85%%%
相
相位 损 耗 <= 1 度
硫
硫酸 根 离 子 残 留 量
量 < = 5 P P BBB

本 次 清 洗 技 术 的 导 入 采 取 的 方 法 为 针 对 所 使 用 的 4 项 主 要 的清 洗 技 术 进 行
分 别 的研 究 ，然 后 选 取 各 自最 优 的 参 数 整 合 成 完 整 的清 洗 工 艺 再 进 行 最 后 的验 证
与 调 试 。其 中优 化 的 工 序 步 骤 包 括 : DUV 曝 光 辅 助 清 洗 、 臭 氧 水 清 洗 、 SCI 超 声
清 洗 和 高温 热 水 清 洗 等 。
本 次 实 验 中所 使 用 的 光 掩 膜 表 面 污 染物 颗 粒 检 测 设 备 为 K LA 公 司 的 sx x 系
列 检 测 设 备 ， 使 用 ST A RL IG H T P 125 模 式 ; 相 位 损 耗 量 测 使 用 的 是 LA SE RT ECH 公
司 的 M PM 248 相 位 量 测 设 备 ; 离 子 残 留量 测 量 使 用 的 是 M ETR OHM 公 司 的 85 0 离 子
色谱仪 。

1. 172 nm D U V 曝 光 辅 助 清 洗 工 艺 的研 究 。

对 172 lu
n D U V 曝 光 工 艺 的研 究 主 要 侧 重 于 两 个 方 面 ， 一 是 D U V 光 照 对 残
留硫 酸 根 离 子 的萃 取 能 力 分 析 ; 二 是 D U V 曝光对 P S M 掩模 版 相位 损 耗 的影 响 。
首 先 看 深 紫 外 线 曝 光 对 残 留硫 酸 根 离 子 的萃 取 能 力 。实 验 中 使 用 的 172 nln

D U V 灯 的 功 率 为 Zm w/ cm Z，灯 离 开 光 掩 膜 表 面 的距 离 是 1。
m 。选 取 一 片 P s M 光
掩 膜 ，先 进 行 一 次 完 整 的硫 酸 传 统 清 洗 。这 个 时候 光 掩 膜 表 面 虽 然 有 硫 酸 根 离 子
残 留 ，但 是 还 没 有 h az e 生 成 。选 用 光 掩 膜 检 测 设 备 扫 描 光 掩 膜 表 面 确 认 h aze 生
成 的数 目。分 别 记 录 了 深 紫 外 线 积 累 曝 光 O 分 钟 、1 分 钟 、6 分 钟 及 16 分 钟 光 掩
膜 表 面 状 况 ，如 图 24 所 示 。 由 图 可 见 ，深 紫 外 线 曝 光 确 实 可 以加 速 萃 取 出残 留
离 子 ，而 且 是 一 种 积 累 效 应 ，在 曝 光 时 间积 累 到 6 分 钟 至 16 分 钟 时效 果 十 分 明
显。
2. 对 臭 氧 水 清 洗 的工 艺 研 究 。

对 臭 氧 水 清 洗 工 艺 的 优 化 研 究 主 要侧 重 于 两 个 方 面 ，一 是 臭 氧 水 清 洗 对 光
掩 膜 表 面 污 染 物 颗 粒 去 除 能力 的 分 析 ; 二 是 臭 氧 水 清 洗 对 P SM 掩 模 版 相 位 损 耗
的影 响 。
由前 面 分 析 得 知 ， 臭 氧 水 的 功 效 主 要 是 取 代 硫 酸 的氧 化 作 用 。 光 掩 膜 清 洗
最 常 见 需 要 去 除 的 就 是 有 机 污 染 物 。本 试 验 使 用 的臭 氧 水 浓 度 为 85 m 留1，温 度 为
30 ℃ ，流 量 为 50 0 m l/m in。选 取 带 有 有 机 光 阻 的 光 掩 膜 ，设 定 不 同长 度 的臭 氧 水
处 理 时 间 ，处 理 后 用 目测 和 检 验 设 备 测 定 臭 氧 水 对 有 机 污 染物 的去 处 效 果 。如 表
3 所 示 ，每 个 测 定 程 序 的 时 间 间 隔 长 度 为 1 分 钟 ，测 定 了经 1 分 钟 到 8 分 钟 不 同
时 间 长 度 的臭 氧 水 处 理 程 序 的掩 膜 版 。可 以看 出 当 作 用 时 间大 于 5 分 钟 时 ，大 部
分 有 机 光 阻 己被 去 除 ，目测 己不 可 见 ; 但 是 光 掩 膜 检 测 设 备 还 是 能 扫 描 出大 量 的
污 染 颗 粒 (>1 0 00) ，这 表 明 单 靠 臭 氧 水 的氧 化 作 用 不 能 完 成 光 掩 膜 的 清 洗 工 作 。

表 3 臭 氧水清 洗 效果表

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崛礁器必照澎器再吸饥处勇舰脾涵
崛 梦l胜 侧 鞭
l 翻 鹅州 暇翻 刃翻口翻 哪 鱿 侧 侧

11
1 光 队l残 留 不可检验
22
2 } 光阻残 留 不可检验
验
333 微 量 光 阻残 留 不可检验
44
4 微量 光阻残 留 不可检 验
555 无 可 见 光 阻残 留 > 10000 00
66
6 无 可 见 光 阻残 留 > 50 00
00
77
7 无 可 见 光 阻残 留 > 10 00
00
888 无 可 见 光 阻残 留 > 1000
00

接 下 来 研 究 臭 氧 水 与 掩 膜 版 相 位 损 耗 的相 互 关 系 。实 验 方 法 为 选 取 一 片
P SM 光 掩 膜 ，设 定 只 用 臭 氧 水 的清 洗 程 序 ，每 次 用 臭 氧 水 清 洗 2 分 钟 ，清 洗 之
后 量 测 其 相 位 损 耗 。总 共 累 计 处 理 了 8 分 钟 ，总 的 曝 光 时 间 与 相 位 损 耗 的关 系 如
图 26 所 示 。 由 图 中 可 见 ， 臭 氧 水 会 造 成 光 掩 膜 相 位 缓 慢 损 耗 ，每 分 钟 的臭 氧 水
冲 洗 大 约 造 成 相 位 损 耗 0 .03 度 。
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图 27 超 声 波震 荡 S C 一
1 溶 液 与相位 损 耗 关 系图

综 合 以上 的 实 验 分 析 ，相 位 的损 耗 在 可 接 受 的 范 围之 内选 用 尽 量 长 的 时 间 ，
SC 一
1 溶 液 超 声 清 洗 合 理 的 使 用 时 间 不 能 超 过 30 0 秒 。

4. 高温热水 清 洗 的工 艺研 究 。

对 高 温 热 水 清 洗 工 艺 的优 化 研 究 主 要 侧 重 于 两 个 方 面 ， 一 是 高温 热 水 清 洗
对 光 掩 膜 表 面 离 子 残 留度 降低 的作 用 ; 二 是 高温 热 水 清 洗 对 P S M 掩 模 版 相 位 损
耗 的影 响 。
实验 选 取 一 片 光 掩 膜 使 用 硫 酸 清 洗 设 备 清 洗 ，测 得 硫 酸 根 离 子 残 留浓 度 为

12P P B 。设 定 只 用 高 温 热 水 的清 洗 程 序 ，水 温 设 定 为 92 ℃ ，流 量 为 150 0m F m in 。
分 别 设 定冲 洗 时 间 为 3 分 钟 、6 分钟 、9 分 钟 、 12 分 钟 和 巧 分 钟 的清 洗 程 序 ，
然 后 分 别 测 定 每 个 清 洗 程 序 之 后 的硫 酸 根 离 子 残 留浓 度 。 由 图 28 中可 看 出 ， 高
温 热 水 对 降低 硫 酸 根 离 子 残 留有 显 著 效 果 。在 12 分 钟 清洗 时 间 内 ，清 除效 果 与
清 洗 时 间关 联 度 高 。
第 三 节 完整 清 洗 程 序 的清 洗效 果测 定

在 分 别 对 上 述 四个 步 骤 的 关键 清 洗 步 骤 进 去测 定 之 后 ，他 们 对 光 掩 膜 清 洗
清 洗 三 项 主 要 技 术 指 标 的影 响 如 表 4 所 示 。根 据 对 各 项 指 标 的 影 响 关 系 ，初 步 设
定 各 清 洗 步 骤 所 需 的 时 间 : 1) 172 U V 曝 光 8 分 钟 ; 2) 臭 氧 水 清 洗 5 分 钟 ; 3)
超 声 波 震 荡 S C 一1 溶 液 处 理 4 分 钟 ; 4) 高温 热 水 冲 洗 10 分 钟 。

表 4 清 洗技 术 与效 果指 标 关 系表
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臭臭氧水作用用 越愉 幽 子 0.(B度 分钟
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辗巍 ~~~~一_~~~
巍盛 论
盛
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超
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II 越愉幽子
子 020度琳中
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匡羹领
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领缀蒸稍餐感
滚毅袭熬疑盖
疑准蠢
拐
蠢
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高
高嫣出冰 无明显相关
关 无明显相关
关 货俪介副
1么lixl
ll 拳
薰攀羹璨葬
葬耀
耀

使 用 这 一 完 整 的 清 洗 程 序 对 新 清 洗 技 术 及 设 备 进 行 评 估 。方 法 为 选 取 2 0 片
193nm P SM 光 掩 膜 ，清 洗 之 后 分 别 测 定 光 掩 膜 表 面有 无 污 染 颗 粒 ，计 算 量 率 ;
测 定 相 位 损 耗 和 硫 酸 根 离 子 残 留浓 度 等 。测 得 的各 项 指 标 的 平 均 值 如 表 5 所 示 。
可 见 ，测 试 结 果 都 达 到 了 我 们 预 先 设 定 的 规 范 。
表 5 新 技 术 清 洗 效 果表

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屡黝蘸黝蘸麒撇藻簇
簇.姗
刘
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口
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二，
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清
清洗 良率 率 > = 85%%% 9 1%%%
相相位 损 耗 < 二1 度 0.9 度
硫
硫酸 根 离 子 残 留量
量 < = 5 P P BBB 3 .SP P BBB

第 四节 本 章 小结

本 章 主 要 介 绍 了两 种 新 的清 洗 技 术 ，臭 氧 水 清 洗 和 深 紫 外 照 射 的原 理 。然 后
逐 个 对 新 设 备 所 拥 有 的 四种 主 要 清 洗 技 术 进 行 清 洗 效 能 的 测 定 ， 主 要 是 清 洗 能
力 、相 位 损 耗 和 离 子 残 留量 三 指 标 。分 别 对 这 四种 清 洗 工序 进 行 了优 化 分析 研 究 ，
研 究表 明在 预 先 设 定 了温 度 、功 率 、流 量 等 参 数 之 后 ，各 项 清 洗 技 术 的使 用 效 果
与使 用 时 间直 接 相 关 ，根 据 对 清 洗 效 果 的要 求 ，针 对 每 种 清 洗 技 术 都 选 定 了合 理
的适 用 范 围 。
在 了解 了各 个 技 术 对 各 个 指 标 的 影 响 之 后 ，综 合 相 对 合 理 的 工 艺 参 数 整 合 唯

一 完 整 的 清 洗 程 序 。同过 对 采 用 完 整 程 序 清 洗 后 的样 品测 定 ，所 有 指 标 都 达 到 规
范 要 求 ，可 用 于 实 际 的 生产 使 用 。重 要 的是 用 此 新 清 洗 程 序 清 洗 的 光 掩 膜 硫 酸 根
离子 浓度 从 传 统 清 洗 程 序 的 IOPPB 左 右 ，大 幅 降低 到 只 有 平 均 3.SPPB 。此 以改
善 将 大 大 降低 光 掩 膜 在 使 用 过 程 中 h az e 发 生 的几 率 。这 也 是 引进 此 新 清 洗 技 术
的 目标 。至 此 新 光 掩 膜 清 洗 技 术 的 引入 基 本 解 决 了结 晶 生 长 这 一 问题 的产 生 。
在 完 成 新 技 术 的 引 进 之 后 ，还 需 要 继 续 在 清 洗 程 序 及 其 他 配 套 制 程 上 进 行
优化 。
第 四章 新 光 掩 膜 清 洗 参 数 及 流 程 优 化 以改 善 结 晶 生 长 问

题
仅 仅 依 靠 新 型 清 洗 技 术 导 入 并 不 足 以完 全 解 决 光 掩 膜 的 结 晶 问 题 。还 必 须
依 靠 量 产 之 后 的 实 际 效 果 数 据 ，进 行 更 细 致 的 分 析 ，继 续 找 出 改 善 相 应 措 施 ，以
从 工 艺 参 数 、 工 艺流 程 等 方 面 作 进 一 步 的调 整 。

第 一 节 新 的 清 洗 技 术 引 入 后 所 面 临 的 问题

对 一 些 目前 最 先 进 制 程 的 光 掩 膜 ，在 晶 圆 生 产 中所 使 用 的 都 是 19 3nm 曝 光
波 长 。使 用 传 统 清 洗 技 术 清 洗 的光 掩 膜 ，如 果 曝 光 量 大 ，在 3 个 月 之 后 就 可 能 会
有 haze 生 长 。在 导 入 了臭 氧 水 及 172UV 曝 光 技 术 取 代 硫 酸 作 用 的清 洗 技 术 之 后 ，
如 果 曝 光 量 大 ，在 6 个 月 之 后 有 些 光 掩 膜 也 发 生 了 ha ze 生 长 的 问题 ，如 图 30
所 示 。所 以虽 然 上 一 章 节 提 到 的新 型 清 洗 工 序 的 成 功 引 进 ，但 是 还 不 能满 完 全 足
半 导 体 业 者 的 需 求 。还 必 须 在 现 有 已导 入 新 技 术 的 基 础 上 继 续 优 化 相 关 参 数 和 流
程 ， 以抑 制 光 掩 膜 版 上 结 晶 的 生 长 。

H a z e Is s u e im a g e

图 30 光掩 膜 表 面结 晶 图

第 二 节 改 善 的方 法 与 结 果 分 析

首 先 需要 全 面分 析 在 现 有 设备 及 清 洗 流程 上 有 哪 些 因素 会 影 响 光掩膜 结 晶
生 长 的 时 间 。经 研 究 发 现 ，影 响 因 素 有 多 个 ，并 且 它 们 之 间 也 会 互 相 影 响 ，如 图

31 所 示 。对 结 晶 周 期 有 影 响 的 因 素 有 以下 一 些 : 清 洗 流 程 中 使 用 臭 氧 水 技 术 的
步 骤 (N ew 0 3 e lean step ) 、备 用 程 序 的设 定 (Ba ekup f low ) 、清 洗 流 程 中 的
应 急 措 施 (Se t a larm m eeha n ism ) 、清 洗 程 序 中对 DUV 灯 的硬 件 控 制 (UV C。n tro l )
以及 清 洗 程 序 中 参 数 的优 化 (R eci Pe 叩 t imi ze) 等 。在 这 些 因 素 中 我们 选 择 了
认 为 最 有 效 且 最 有 可 实 施 性 的 因 素 来 改 善 。其 间 ，优 先 选 择 了清 洗 流 程 中使 用 的
臭 氧 水 技 术 步 骤 和 清 洗 程 序 中相 关 参 数 来 优 化 改 善 。

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图 31 影 响 结 晶周 期 因素 关联 图

1. 清 洗 流 程 的 优 化 。

由上 述 实 验 结 果 ， 已知 对 残 留 离 子 的萃 取 效 果 ， 172nfn
D UV 照 射 的 时 间 和 高
温 热 水 冲 洗 的作 用 时 间有 积 累 效 果 ，作 用 时 间越 长 萃 取 效 果 越 好 。但 是 为 了不 破
坏 光 掩 膜 表 面 和 控 制 相位 损 耗 ，对 单 个 清 洗 程 序 不 能设 定太 长 的作 用 时 间 。同 时
试 验 又 发现 ，残 留硫 酸 根 离 子浓 度 与 使 用 新 清 洗 程 序 的 次数 有 很 大 的 关 联 性 ，如
图 32 所 示 。

图 32 硫 酸根 离子 残 留浓度 与使 用新 技 术 清 洗 次数 关联 图

这 里 设 定 了一 个 可 量 化 指 标 ， 为硫 酸 程 序 清 洗 次 数 减 去 臭 氧 水 程 序 清 洗 次
数 。由图可 知 ，随着 这 个 指 标 的减 小 ，残 留硫 酸 根 离子 浓 度 相 应 减 少 ，当这 个 指
标 小 于 3 时 ， 残 留离 子 浓 度 可 小 于 IPPB 。所 以只 要 尽 可 能用 臭 氧 水 清 洗 程 序 取
代 硫 酸 清 洗 程 序 ，就 可 以达 到 降低 残 留离 子 浓 度 的 目的 。现 有 光 掩 膜 制 程 中 用 到
的 清 洗 程 序 如 图 33 所 示 。在 初 期 新 清 洗 技 术 导 入 之 后 ，用 到 臭 氧 水 清 洗 的 只 有
两 步 : Be f一mo u n t C lean 和 fi nal c lean 。验 证 之 后 不 能 用 到 臭 氧 水 清 洗 的 只 有

三 步 : 1“
‘Str ip 、 B ef一m o s i dry C lean 和 Zn‘Str ip 。其 他 图 中 圆 环 圈 出 来 的
五 步 清 洗 都 可 以用 臭 氧 水 程 序 : A ft一m o s i dry e lea n · B ef一coa t C lea n · S hor

。lean 、af t一r 即 ai r c lean 和 r epai r c lean 。逐 步 地 把 一 些 清 洗 步骤 替 代 为 臭 氧

水 清 洗 之 后 ，代 表 清 洗 次 数 的 指 标 迅 速 下 降 到 了一2 到 一3 ，残 留离 子 浓 度 随 之 迅
速 下 降 ，如 图 34 所 示 。 以上 研 究 说 明减 少 原 来 的 硫 酸 清 洗 程 序 次数 ，增 加 使 用
臭 氧 水 清 洗 程 序 次 数 就 可 以有 效 降低 硫 酸 根 离 子 的残 留 量 ，达 到 了改 善 结 晶 问 题
的 目的 。
应三 巴退任鱼丝 (他 d :S P M 1 B lu e : T S T )

图 33 清 洗技 术 与 流程 分 布 图

图 34 逐 步 改 善 清 洗 步 骤 图

2. 清洗程 序优 化

在 清 洗 程 序 的 设 定 中 主 要 包 括 了各 清 洗 步 骤 的 作 用 时 间 、化 学 溶 液 的 温 度
和 浓 度 以及 超 声 波 清 洗 的 功 率 等 等 ，如 表 6 和 表 7 所 示 。由前 研 究 可 知 为 了 达 到
较 好 的清 洗 良率 ，4 个 主 要 清 洗 步 骤 的 时 间 应 尽 量 延 长 ，但 为 了控 制 相 位 损 耗 ，
在 延 长 各 步 骤 时 间 的 同 时 ，也 针 对 化 学 溶 液 的浓 度 和 纯 水 的温 度 进 行 了调 整 。在
收 集 了 大 于 50 片 产 品 的 实 际 数 据 之 后 ，确 定 了各 项 参 数 的 设 定 数 值 。 通 过 对 完
整 清 洗 程 序 的测 定 ，各 项 清 洗 指 标 都 达 到 规 范 ，而 且 与 最 初 的 清 洗 程 序 相 比 ，在
保 持 了清 洗 量 率 和 相 位 损 耗 并 稍 有 改 善 之 外 ，单 次清 洗 之 后 硫 酸 根 离 子 的残 留量
从 之 前 的 3 .SPPB 降低 到 了 2 .6P PB ，如 表 8 所 示 。
表 6 清 洗步骤 时 间 变 更表

表 7 清洗 步骤 参数 变更表

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助
}慈藻耀瀚
彝
彝彰缓靛靛
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麟 蒸熬黝
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瓢撇 麒 巅
珊
珊麟 撇
}}
颤锄巍毓
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表 8 新 技 术程序 变 更后 清 洗效 果表

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瞰麟渊蹦瀚颧然藻 {{{
麟碳酬獭麟}}
}撒
} 粼彰黝麟}}
麟卿缮猎黝.
} ..
清清洗 良率率 > = 85 %%% 9 1%%% 9 3%%%
相相位 损 耗 ... <= 1 度 0 .9 度 0 .8 度
硫
硫酸 根 离 子 残 留量
量 < = 5 P P BBB 3 .SP P BBB 2 .6P P BBB

第 三 节 批 量 生 产 良率 验 证
在 掌 握 了 降低 硫 酸 根 离 子 残 留 的方 法 和 规 律 之 后 ，通 过 大 量 的试 验 找 出 了最
佳 的 各 项 参 数 。使 得 光掩 膜 结 晶 生 长 问题 又 得 到 了 明显 改 善 。 如 图 35 所 示 ，研
究 中 分 析 了 从 08 年 1 月份 到 n 月份 每 个 月使 用 新 清 洗 技 术 的 193 nm 光 掩 膜 产 品
在 六 个 月 之 内 的 结 晶 发 生 率 。在 优 化 之 前 ，08 年 1 月 、2 月和 3 月 分 别 有 1 片 、
6 片 和 2 片 光 掩 膜 在 六 个 月 之 内 出现 结 晶 ，发 生 的 比率 在 l% 到 7% 之 间 ; 而 在 优
化 了 清 洗 程 序 和 流 程 之 后 ， 从 08 年 4 月 到 08 年 n 月 ，六 个 月 之 内光 掩 膜 在 使
用 过 程 中 再 无 一 例 有 发 生 结 晶 的 问题 出现 。清 洗 程 序 和 流 程 的优 化 取 得 了非 常 好
的效果 。

图 35 批 量 生 产 后 结 晶发 生 分 布 图

第 四节 本 章 小 结

本 章 主 要 介 绍 了在 己成 功 导 入 新 的清 洗 技 术 和 设 备 之 后 ，继 续 分 析 了在 现 有
清 洗 流 程 和 程 序 下 还 有 哪 些 条 件 会 影 响光 掩 膜 的 结 晶 生 长 ，挑 选 了其 中 影 响 最 大
也 比较 可 执 行 的 两 个 方 向来 改 善 ，它们 分 别 是 清 洗 流 程 中使 用 臭 氧 水 技 术 的 步 骤
和 清 洗 程 序 中 参 数 的优 化 。
通 过 实 验 发 现 清 洗 之 后 硫 酸 根 的 离 子 残 留量 和 新 技 术程 序 清 洗 的 次 数 有 极
大 相 关性 ，只 要 减 少 原 来 使 用 的硫 酸 清 洗 步 骤 ，增 加 臭 氧 水清 洗 步骤 就 可 以有 效
降 低 结 晶产 生 的 根 源 硫 酸 根 离 子 的 残 留量 。
针 对 目前 常 见 流程 中 的 7 到 9 次 清 洗 ，
其 中 只 有 三 次 清 洗 不 能用 臭 氧 水 清 洗 程 序 取 代 ，其 他 可 取 代 的清 洗 程 序 都 作 了替
代。
在 对 清 洗 程 序 的优 化 中 ，经 过 试 验 分 别 对 172nmD UV 照射 时 间 、臭 氧 水 的作
用 时 间 、浓 度 和 温 度 、SC 一1 溶 液 的作 用 时 间 、浓 度 和 温 度 以及 高 温 热 水 的 冲 洗
时 间和温 度 都 进 行 了优 化 。
在 接 下 来 的 批 量 生 产 验 证 中 ，发 现 结 晶 6 个 月 之 内的发 生 率 在 优 化 之 前 的
1犷 7% ， 降 至 优 化 之 后 的 0% 。这 一 验 证 结 果 完 全 达 到 了我 们 最 初 的要 求 。
第 五 章 改 进 设 备 操 作 与 维 护 方 法 以提 高 掩 模 版 清 洗 良率

一 台合 格 的 清 洗 设 备 不 光 需 要 解 决 光 掩 膜 的 结 晶 问题 ，还 需 要 有 非 常 高 的 清
洗 良率 ，才 符 合 批 量 生 产 的 经 济 效 益 。成 熟 的 设 备 和 工 艺 通 常 良率 要 达 到 95 % 以
上 。 由前 所 述 ，在 没 有 特 别 针 对 良率 改 善 之 前 ， 良率 只 能 达 到 9 3% ，所 以还 不 能
符 合 要 求 。在 这 一 章 节 里 有 针 对 性 地 对 清 洗 良率 的 改 善 问题 进 行 了 一 些 研 究 ，期
望 会 取 得 良好 的 效 果 。

第 一 节 清 洗 良率 降 低 的 机 理 分 析

在 光 掩 膜 清 洗 中 ，对 清 洗 良率 杀 伤 最 大 的 就 是 有 污 染 物 颗 粒 残 留 在 光 掩 膜 表
面 ，因 为 污 染 物 遮 蔽 了 图 形 ，会 造 成 晶 圆 器 件 功 能 的 丧 失 ，所 以 必 须 重 新 进 行 清
洗 。这 样 会 造 成 额 外 的 成 本 。有 的情 况 下 因 为 有 些 颗 粒 无 法 移 涂 ，还 会 造 成 光 掩
膜 报 废 ，造 成 更 大 的 额 外 成 本 和 交 货 延 迟 。一 个 成 熟 的 清 洗 制 程 ，清 洗 良宜 应 该
达 到 9 5% 以上 ，造 成 光 掩 膜 的报 废 率 应 该 在 0 .5% 以 下 ( 即 光 掩 镇 良宜 在 拍 .5，以
上 ) 。

图 36 清 洗后 污 染 物 颗 杜

典 型 的 污 染 物 颗 粒 如 图 36 所 示 。大 小 从 小 于 1 微 米 到 上 百 微 米 都 有 。对 于

一 个 新 导 入 的清 洗 制 程 来 说 ，这 些 颗 粒 的来 源 也 受 到 多 方 面 因 素 的 影 响 ，如 图
37 所 示 。在 这 些 影 响 因 素 中 ，又 以 以下 三 个 方 面 问题 为 主 : 1) 某 些 硬 件 设 计 不
合 理 ，不 符 合 半 导 体 生 产 规 范 ，容 易在 制 程 过 程 中 引 入 污 染 物 ，需 要 对 其 进 行 局
部 的 设 计 优 化 与 改 造 。2) 设 备 特 性 问题 ，需 要 一 些 个 性 化 的 维 护 ; 在 内部 环 境 、
硬 件 控 制 、操 作 、程 序 设 定 上 要 做 整 体 的 整 合 优 化 。 3) 来 自设 备 内部 和 外 部 环
境 的 污 染 物 颗 粒 ， 需 制 订 周 密 的 日常 维 护 控 制 计 划 与 执 行 。
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图 37 影 响 清 洗 良率 因素 关联 图

已经 知 道 了 主 要 的 改 善 方 向 ， 在 接 下 来 的研 究 中 将 主 要 针 对 这 几 方 面 的 问
题来优化 。

第 二 节 改 善 的方 法 与 结 果 分析

设 备 局部 设 计 的优 化 与改造 。

设 备 内 部 有 非 常 多 的 气 动 部 件 和 机 械 手 臂 动 作 ，部 件 之 间 的 摩 擦 会 产 生 一
些 微 小颗 粒 也 很 正 常 。这 些 颗 粒 就 需 要 通 过 一 个 合 理 的 方 式 带 走 ，而 不 要 留在 设
备 内部 造 成 污 染 光 掩 膜 的风 险 。所 以原 有 设 备 就 设 计 有 自上 而 下 的 气 流 和 设 备 下
部有 的抽 气 管路 ，以形 成 一 个 良性 的气 流 回路 ，保 持 内部环 境 无 污 染 。对 原 有 气
流 进 行 液 氮 气 流 测 试 之 后 发 现 ，部 分 区域 存 在 有 扰 流 、回流 现 象 ，如 图 38 所 示 。
所 以对 于 局 部 区 域 加 装 导 流 板 ，并 且 调 节 内部 气 压 平 衡 ，避 免 了所 有 局 部 区 域 的
扰流 和 回流 。

图 38 液 氮 气 流 测 试
在 对 清 洗 腔 体 的 检 查 中 发 现 ，新 设 备 腔 体 内 并 没 有 除 静 电装 置 。光 掩 膜 清
洗 过 程 中要 与 水 流 和 各 种 溶 液 高 速 摩 擦 ，很 容 易 产 生 静 电 ，而 且 各 种 污 染 物 颗 粒
也 很 有 可 能 带 有 静 电 。如 果 静 电不 及 时 去 除 ，污 染 物 颗 粒 很 容 易 吸 附 在 光 掩 膜 表
面 而 不 易 被 清 洗 去 除 。为 了避 免 这 一 问题 ，在 光 掩 膜 清 洗 位 置 上 方 加 装 除 静 电棒 ，
如 图 39 所 示 。经 过 调 试 之 后 ， 除 静 电棒 可 在 光 掩 膜 清 洗 平 面 产 生 很 好 的 除 静 电
效 果 。 实验 表 明 ，在 没 有 加 装 除 静 电棒 的 情 况 下 ，清 洗 了 20 片 光 掩 膜 ，其 中有
2 片 有 类 似 静 电破 坏 的缺 陷 产 生 ; 在 加 装 除静 电棒 之 后 ，观 察 清 洗 了 50 片 光 掩
膜 ，没 有 发 一例 现 静 电破 坏 的缺 陷产 生 。试 验 结 果 表 明 除 静 电棒 效 果 良好 ，达 到
了预 期 设 计 要 求 。

图 39 加 装 除静 电棒

2 . 设 备 内部 环 境 、硬 件 控 制 、操 作 与 程 序 设 定 的整 合 优 化

图 4 0 详 细 地 罗 列 了所 有 与 清 洗 良率 相 关 的项 目。主 要 归 纳 为 三 大 项 : l)
环 境 控 制 相 关 ，这 一 项 又 包 括 子 项 目臭 氧 水 和 超 声 波 震 荡 喷 嘴 的 清 洁 和 操 作 员 操
作 流 程 的优 化 ; 2) 硬 件 控 制 相 关 ，这 一 项 又 包 括 了子 项 目超 声 波 震 荡 的功 率 和
位 置 的 控 制 、臭 氧 水 中气 泡 的 控 制 和 定 期 更 换 过 滤 器 ; 3) 程 序 设 定 相 关 ，这 一
项 又 包 括 子 项 目 SC一1 的浓 度 优 化 、臭 氧 水 浓 度 优 化 和 清 洗 中 旋 转 速 度 的优 化 。
针 对 所 有 这 些 子 项 目建 立 关 联 图模 型 ，每 一 子 项 目考 虑 其 影 响 力 、可 操 作 性 、重
要 性 的 高 低 逐 个 实 施 落 实 整 合 计 划 ，消 除 明显 不 合 理 的 设 定 以达 到 提 高 整 体 清 洗
效 能和 清 洗 稳 定性 的 目标 。
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图 40 所有 与清洗 良率相 关的所有 项 目关联 图

. 制 订 日常维 护 控 制 计 划 与 执 行
新 设 备 在 使 用 一 段 时 间 之 后 ， 总 结 日常 维 护 的 问题 。发 现 设 备 不 同部 件 出
问题 或 变 脏 的速 度 都 不 一 致 。 如 图 41 所 示 ，光 掩 膜 清 洗 直 接 接 触 的 区 域 需 要 每
天 进 行 擦 拭 清 洁 ; 设 备 内部 清 洗 腔 体 需 要 每 两 个 星 期 擦 拭 清 洁 一 次 ; 内部 其 他 接
触 光 掩 膜 的 部 件 需 要 每 个 月擦 拭 清 洁 一 次 ; 在 清 洗 之 后 光 掩 膜 与 其 他 设 备 的连 接
段 ，需 要 每 个 季 度 擦 拭 清 洁 一 次 。

图 41 日常维护控 制 计划 图

第 三 节 优 化 成 效评 估
在 陆 续 进 行 以上 三 个 改 善 运 作 的 同 时 ，对 生 产 线 上 清 洗 之 后 有 大 颗 粒 污 染
物 残 留 的 比列 进 行 追 踪 统 计 ， 结 果 如 图 42 所 示 。 图 中列 举 了从 0S 年 3 月 份 到

08 年 12 月 份 用 臭 氧 水 新 技 术 清 洗 设 备 对 19 3nm PS M 光掩 膜 进 行 清 洗 时大 颗 粒 污
染 物 的发 生 率 。柱 状 图形 代 表 大颗 粒 污 染 物 发 生 的次 数 ，由左 侧 纵 坐标 表 示 。折
线 图 代 表 大 颗 粒 污 染 物 发 生 的 比率 ， 曲线 为 比 率 的 趋 势 线 ， 由右 侧 纵 坐 标 表 示 。
由产 品 结 果 可 知 ， 以 08 年 6 月 份 之 前 作 为 改 善 前 数 据 ， 大 颗 粒 污 染 物 的 发 生 率
从 改 善 前 的 5 . 1% ， 下 降 到 改 善 后 的 约 2 .3% 。 改 善 效 果 非 常 的 明 显 。

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图 42 大颗 粒 污 染 物 残 留 比 例 图

再 对 清 洗 良率 和 清 洗 的光 掩 膜 良率 进 行 持 续 的 追 踪 统 计 ，结 果 如 图 43 所 示 。
图 中 列 举 了从 08 年 1 月 份 到 08 年 n 月份 用 臭 氧 水 新 技 术 清 洗 设 备 对 19 3nm PSM
光 掩 膜 进 行 清 洗 时清 洗 良率和 清 洗 的光 掩 膜 良率 的变 化 曲线 。柱 状 图形 代 表 清 洗
的 光 掩 膜 次数 ，由右 侧 纵 坐标 表 示 。较 高 的折 线 图代 表 清 洗 良率 的 变 化 ，较 低 的
折 线 图代 表 清 洗 的 光 掩 膜 良率 ，这 两 条 折 线 由左 侧 纵 坐 标 表 示 。由产 品 结 果 可 知 ，
以 08 年 6 月 份 之 前 作 为 改善 前 数 据 ，清 洗 良率 从 改 善 前 的 91 . 3% ，提 高 到 改 善
后 的 约 9 7 .2% ， 光 掩 膜 良率 从 改 善 前 的 96 .2% ，提 高 到 改 善 后 的 约 99 .9% ， 改 善
效 果 非 常 的 明显 。

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图 43 清 洗 良率 和 光掩 膜 良率 图
第 四节 本章 小结

本 章对 导 入 的 新 技 术 新 设 备 改善 了结 晶 生 长 问题 之 外 ，重 点 分 析 了影 响 清
洗 良率 的原 因 和 机 理 ，分 别 为 : l) 某 些 硬 件 设 计 不 合 理 ，需 要 进 行 局 部 的 设 计
优 化 与 改 造 ; 2) 设 备 特 性 问 题 ，需 要 一 些 个 性 化 的 维 护 ，要 做 整 体 的整 合 优 化 ;

3 ) 来 自设备 内部 和 外 部 环 境 的 污 染 物 颗 粒 ， 需 要 制 订 周 密 的 日常 维 护 控 制 计 划
与 执 行 。针 对 这 些 原 因采 取 了 多 种 改 善 措 施 之 后 ，在 经 过 大 量 生 产 线 产 品 的 验 证
之 后 ， 证 明 所 采 取 的 措 施 非 常 有 效 ，达 到 了预 定 的 目标 。
 第六 章 结论

第一节 结论

半 导 体 技 术 的发 展 日新 月异 ，产 品性 能每 18 个 月增 加 一 倍 ，集 成 电路 线 宽
也 减 小 一 半 (M oo re Law )， 目前 最 先 进 半 导体 公 司 已经 量 产 了 32nm 技 术 产 品 。
光 掩 膜 制 造 技 术 目前 作 为 半 导 体 技 术 中 的 重 要 一 环 ，也 实 现 着 同 步 的 发 展 。目前
先 进 的光 掩 膜 主 力 应 用 于 晶 圆 厂 193 nm 光 刻 时 代 。在 这 一 光 刻 时 代 光 掩 膜 面 临 的

一 个 重 大 挑 战 是 使 用 一 段 时 间 之 后 发 生 的 结 晶 生 长 问题 ，业 内 俗 称 ha ze 。据 统
计 ， 半 导 体 业 界 由于 ha z e 造 成 的 损 失 和 为 了避 免 损 失 而 采 取 的 措 施 合 计 的 成 本
达 到 10 亿 美元 之 巨 。面 对 如 此 大 的 损 失 ，业 界采 取 了非 常 多 的有 效 方法 来 解 决
这 一 问题 。在 光 掩 膜 制 作 过 程 中 淘 汰 硫 酸 清 洗 制 程 是 其 中 的一 项 核 心 技 术 。具 体
的手 段 为使 用 172nm 深 紫 外 曝光 技 术 和 臭 氧 水清 洗 技 术代 替硫 酸 。
淘汰 硫 酸 制 程 意 味着 光 掩 膜 清 洗 技 术 的完 全 改变 。新 制 程 对 光 掩 膜 本 身会 产
生 什 么样 的影 响 ，会 改变 那 些 特 性 ，又 会 取 得 怎 么样 的 实 际 良率 ，能 否适 用 于 量
产 ，这 些 问题 都 要 通 过 实 际 的 实 验 数 据 来 解 答 。
本 文 首 先 根 据 各 项 光 掩 膜 清 洗 的 需 求 进 行 了逐 个 的试 验 测 定 。首 先 把 新 清 洗
技 术 分 为 四个 主 要 的 子 技 术 ，分 别 为 172n m 深 紫 外 曝 光 、 臭 氧 水 清 洗 、超 声波
SC一l 震 荡 和 高 温 热 水 冲 洗 。然 后 制 定 三 项 指 标 要 求 ， 分 别 是 清 洗 良率 、相 位 损
耗 和 离 子 残 留量 。单 独 对 每 项 子 技 术 与 三 项 指 标 的 关 系 求 证 之 后 ，归 纳 出 了符 合
生 产 需 求 的 的清 洗 程 序 。在 新 技 术 的 导入 中考 虑 了 改 善 对 光 掩 膜 洁 净 问题 的 改
善 ， 生产 数 据 证 明完 全 符 合 期 望 。
在 完 成 了技 术 导 入 之 后 ，根 据 生 产 需 求 继 续 对 结 晶 问题 和 良率 问题 进 行 改
善 。通 过 清 洗 流 程 和 清 洗 程 序 的调 整 ，清 洗 之 后 光 掩 膜 的 结 晶状 况 继 续 改 善 。结
晶 周 期 延 长 到 1 年 以上 。另 外 通 过 对 设 备 的局 部 改造 、工 程 整 合 和 制 定 合 理 维 护
制度 ，清 洗 良率 提 高 到 96% 以上 ，毫 不逊 色 于传 统清 洗 技 术 与 设 备 。
本 文 论 述 的 工 程 工 艺 导 入 和 改 善 着 眼 于 半 导 体 生 产 企 业 实 际 面 临 到 的技 术
瓶 颈 与 需 求 ，应 用 的测 试 产 品和 试 验 设 备 完全 与最 先 进 的光 掩 膜 制 造 厂 家 一 致 。
改 善 的验 证 结 果 来 自于先 进 晶 圆厂 实 际应 用 之 后 的 反 馈 。通 过 科 研 与 生 产 的 结
合 ，理 论 与 实 践碰 撞 之 后 解 决 了一 些 实 际 问题 是 本 文 的最 大 目标 。

第二节 未来展望

半 导体 制造 业 如 何 降低 成 本 、缩 短交 货 周 期 、提 升 成 品率 ，成 为 在全 球 竞 争
中 取 胜 的 关 键 。 随 着 半 导 体 制 造 工 艺 向 32 nm 及 更 高 技 术 节 点 发 展 ， 各 种 新 问题
越 来 越 严 重 的 影 响 到 成 品 率 的 提 升 ，因而 对 工 艺 步 骤 的控 制 变 得 越 来 越 重 要 。新
工 艺 的导 入 和 整 合 优 化 是 一 项 系 统 工 程 ，需要 用 到 各 方 面 的分 析 手 法 ，改善 措 施
需 要 用 到机 械 设 计 、软 件 、化 学 、 自动 化 和 管 理 学 各 个 门类 的知 识 。这 就 需 要 我
们 每 个 半 导 体 工 作 者 扎 扎 实 实在 日常 工 作 中积 累 各 项 技 能 ，并 且 积 极 的追 踪 国 际
先 进 的各 项 半 导 体 技 术 ，只有 这 样 我 们 国 内的半 导体 事 业才 会 在 国 际上 有立 足 之
地。
 参考 文 献

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43
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S tu d y in g H az e G r ow t h 【
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[2 0] A .A.Bu sn a ina，1.1.K ashkou sh，and G .W.Ga le. A n exper i二enta l一stud y o f m ega son ie e lea n ing o f

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44
 致谢

本 课 题 在 研 究 过 程 中得 到 复 旦 导 师 焚 伟 峰 老 师 和 中 芯 国 际 导 师 古 宏 宽 先 生

的悉 心 指 导 ，在 这 里 对 他 们 无 微 不 至 的关 怀 和 指 导 表 示 忠 心 地 感 谢 ，他 们 多 次 询

问研 究 进 程 ，并 为 我 指 点 迷 津 ，帮 助 我 开 拓 研 究 思 路 ，精 心 点 拨 、热 忱 鼓 励 。他

们 一 丝 不 苟 的 作 风 ，严 谨 求 实 的态 度 ，踏 踏 实 实 的精 神 ，不 仅 授 我 以文 ，而 且 教

我做人 。

同 时 还 要 感 谢 中 芯 国 际 光 掩 膜 部 门的 同 事 们 ，在 我 做 项 目的过 程 中 给 予 我 很

大 的帮 助 ， 由于 他 们 的帮 助 和 协 助 下 我才 能 顺 利 地 完 成 此 课 题 项 目。