JP 6910320 B2 2021.7.

28

(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御器から指示された設定パルス周波数、設定デューティ比、Ｈｉｇｈレベルの設定パ
ワー及びＬｏｗレベルの設定パワーにそれぞれ応じたパルス周波数、デューティ比、Ｈｉ
ｇｈレベル及びＬｏｗレベルとなるようにパワーがパルス変調されたマイクロ波を発生す
るマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波発生部から伝搬されたマイクロ波を出力する出力部と、
を備え、
前記マイクロ波発生部は、
制御器から指示された設定周波数及び設定帯域幅にそれぞれ応じた中央周波数及び帯域 10
幅を有するマイクロ波と、制御器から指示された設定周波数に応じた中央周波数において
単一周波数ピークを有するマイクロ波とを、前記マイクロ波の前記パワーのＨｉｇｈレベ
ル及びＬｏｗレベルの切り替えと同期して交互に発生する、
マイクロ波出力装置。
【請求項２】
前記マイクロ波発生部は、
Ｌｏｗレベルの前記設定パワーが閾値パワーより大きい場合には、中央周波数及び帯域
幅を有するマイクロ波と中央周波数において単一周波数ピークを有するマイクロ波とを、
前記パワーのＨｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルの切り替えと同期して交互に発生し、
Ｌｏｗレベルの前記設定パワーが前記閾値パワー以下である場合には、中央周波数及び 20
 (2) JP 6910320 B2 2021.7.28

帯域幅を有するマイクロ波であって、パルス変調された該マイクロ波を発生する、
請求項１に記載のマイクロ波出力装置。
【請求項３】
Ｌｏｗレベルの前記閾値パワーは０Ｗである請求項２に記載のマイクロ波出力装置。
【請求項４】
前記マイクロ波発生部は、
パルス同期信号に基づいて、制御器から指示された設定周波数及び設定帯域幅にそれぞ
れ応じた中央周波数及び帯域幅を有する第１波形と、制御器から指示された設定周波数に
応じた中央周波数において単一周波数ピークを有する第２波形とが交互に出現するマイク
ロ波の波形を生成し、 10
前記生成されたマイクロ波の波形と、前記パルス同期信号と、前記第１波形及び前記第
２波形にそれぞれ対応した設定パワーとに基づいて、前記第１波形のパワー及び前記第２
波形のパワーを制御する、
請求項１∼３の何れか一項に記載のマイクロ波出力装置。
【請求項５】
前記マイクロ波発生部から前記出力部に伝搬される進行波の一部を出力する第１の方向
性結合器と、
前記第１の方向性結合器から出力される前記進行波の前記一部に基づいて前記出力部に
おける前記進行波のパワーのＨｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルのそれぞれを示す第１のＨ
ｉｇｈ測定値及び第１のＬｏｗ測定値を決定する測定部と、 20
をさらに備え、
前記測定部は、
前記第１のＨｉｇｈ測定値及び前記第１のＬｏｗ測定値を所定の移動平均時間及び所定
のサンプリング間隔で平均化し、
前記マイクロ波発生部は、
平均化された前記第１のＨｉｇｈ測定値及び前記Ｈｉｇｈレベルの設定パワーに基づい
て、パルス変調された前記マイクロ波のＨｉｇｈレベルのパワーを制御し、
平均化された前記第１のＬｏｗ測定値及び前記Ｌｏｗレベルの設定パワーに基づいて、
パルス変調された前記マイクロ波のＬｏｗレベルのパワーを制御する、
請求項１∼４の何れか一項に記載のマイクロ波出力装置。 30
【請求項６】
前記出力部に戻された反射波の一部を出力する第２の方向性結合器をさらに備え、
前記測定部は、前記第２の方向性結合器から出力される前記反射波の一部に基づいて前
記出力部における前記反射波のパワーのＨｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルのそれぞれを示
す第２のＨｉｇｈ測定値及び第２のＬｏｗ測定値をさらに決定するとともに、前記第２の
Ｈｉｇｈ測定値及び前記第２のＬｏｗ測定値を所定の移動平均時間及び所定のサンプリン
グ間隔で平均化し、
前記マイクロ波発生部は、
平均化された前記第１のＨｉｇｈ測定値、平均化された前記第２のＨｉｇｈ測定値及び
前記Ｈｉｇｈレベルの設定パワーに基づいて、パルス変調された前記マイクロ波のＨｉｇ 40
ｈレベルのパワーを制御し、
平均化された前記第１のＬｏｗ測定値、平均化された前記第２のＬｏｗ測定値及び前記
Ｌｏｗレベルの設定パワーに基づいて、パルス変調された前記マイクロ波のＬｏｗレベル
のパワーを制御する、
請求項５に記載のマイクロ波出力装置。
【請求項７】
チャンバ本体と、
請求項１∼６の何れか一項に記載のマイクロ波出力装置であり、前記チャンバ本体内に
供給されるガスを励起させるためのマイクロ波を出力する該マイクロ波出力装置と、
を備えるプラズマ処理装置。 50
 (3) JP 6910320 B2 2021.7.28

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、マイクロ波出力装置及びプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスといった電子デバイスの製造においてはプラズマ処理装置が利用される
。プラズマ処理装置は、容量結合型のプラズマ処理装置、誘導結合型のプラズマ処理装置
といった種々のタイプがある。近年、マイクロ波を用いてガスを励起させるタイプのプラ
ズマ処理装置が用いられるようになってきている。 10
【０００３】
特許文献１は、マイクロ波を用いたプラズマ処理装置を開示する。このプラズマ処理装
置は、帯域幅を有するマイクロ波を出力するマイクロ波出力装置を備える。この装置は、
帯域幅を有するマイクロ波を出力することにより、プラズマの安定化を図ることができる
。
【０００４】
特許文献２は、プラズマ励起用のマイクロ波をパルス変調する装置を開示する。この装
置は、プラズマの不安定性を抑えて電子温度及びイオン温度を低下させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】 20
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１０９０８０号公報
【特許文献２】特開平６−２６７９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子デバイスの製造分野において、被処理体へのダメージを一層低減させるために、マ
イクロ波の低パワー化が進んでいる。しかしながら、マイクロ波のパワーを小さくし過ぎ
るとプラズマが不安定となったり失火したりするおそれがある。つまり、低パワー化のア
プローチには限界がある。別なアプローチとして、プラズマの電子温度をより低くするこ 30
とが考えられる。
【０００７】
このため、特許文献１記載の装置のように、帯域幅を有するマイクロ波を採用しつつ、
特許文献２に記載の装置のように、マイクロ波のパワーをパルス変調することが考えられ
る。そして、プラズマをより安定維持するためには、パルス変調のＬｏｗレベルのパワー
をプラズマ励起がされる程度のパワーに設定することが考えられる。このようなパルス変
調をするにあたっては、マイクロ波出力装置から出力された進行波のパワーがパルス変調
されていることを確認する必要がある。
【０００８】
本開示は、パルス変調されたマイクロ波のパルス周波数及びデューティ比をモニタしや 40
すいマイクロ波を出力するための技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一態様においては、マイクロ波出力装置が提供される。マイクロ波出力装置は、マイク
ロ波発生部及び出力部を有する。マイクロ波発生部は、制御器から指示された設定パルス
周波数、設定デューティ比、Ｈｉｇｈレベルの設定パワー及びＬｏｗレベルの設定パワー
にそれぞれ応じたパルス周波数、デューティ比、Ｈｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルとなる
ようにパワーがパルス変調されたマイクロ波を発生する。出力部は、マイクロ波発生部か
ら伝搬されたマイクロ波を出力する。マイクロ波発生部は、制御器から指示された設定周
波数及び設定帯域幅にそれぞれ応じた中央周波数及び帯域幅を有するマイクロ波と、制御 50
 (4) JP 6910320 B2 2021.7.28

器から指示された設定周波数に応じた中央周波数において単一周波数ピークを有するマイ
クロ波とを、パワーのＨｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルの切り替えと同期して交互に発生
する。
【００１０】
このマイクロ波出力装置では、帯域幅を有するマイクロ波と単一周波数ピークを有する
マイクロ波とがＨｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルと同期して交互に出力される。帯域幅を
有するマイクロ波は、時間的に上下する波形であり、単一周波数ピークを有するマイクロ
波は時間的に大きく上下しない波形である。このため、このマイクロ波出力装置は、帯域
幅を有するマイクロ波をパルス変調する場合と比べて、Ｈｉｇｈレベルのパワー区間とＬ
ｏｗレベルのパワー区間との境界をわかりやすくすることができる。よって、このマイク 10
ロ波出力装置は、パルス変調されたマイクロ波のパルス周波数及びデューティ比をモニタ
しやすいマイクロ波を出力することができる。
【００１１】
一実施形態において、マイクロ波発生部は、Ｌｏｗレベルの設定パワーが閾値パワーよ
り大きい場合には、中央周波数及び帯域幅を有するマイクロ波と中央周波数において単一
周波数ピークを有するマイクロ波とを、パワーのＨｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルの切り
替えと同期して交互に発生し、Ｌｏｗレベルの設定パワーが閾値パワー以下である場合に
は、中央周波数及び帯域幅を有するマイクロ波であって、パルス変調された該マイクロ波
を発生してもよい。
【００１２】 20
この場合、このマイクロ波出力装置は、２つの出力モードを有する。第１の出力モード
では、帯域幅を有するマイクロ波と単一周波数ピークを有するマイクロ波とがＨｉｇｈレ
ベル及びＬｏｗレベルの切り替えと同期して交互に出力される。第２のモードでは、帯域
幅を有するマイクロ波と単一周波数ピークを有するマイクロ波との切り替えは行われず、
帯域幅を有するマイクロ波のパワーが単にパルス変調されて出力される。このように、こ
のマイクロ波出力装置は、Ｌｏｗレベルの設定パワーに応じて、出力モードを切り替える
ことができる。
【００１３】
一実施形態において、Ｌｏｗレベルの閾値パワーは０Ｗであってもよい。Ｌｏｗレベル
のパワーが０Ｗより大きい場合、設定されたパルスはＬｏｗレベルにおいてパワーを有す 30
るＨｉｇｈ／Ｌｏｗパルスとなる。Ｌｏｗレベルのパワーが０Ｗの場合、設定されたパル
スはパルスＯＮ時以外は０ＷとなるＯＮ／ＯＦＦパルスである。ＯＮ／ＯＦＦパルスの場
合、ＯＦＦ区間では波形が出現しないことからＯＮ区間とＯＦＦ区間との境界がわかりや
すい。このため、このマイクロ波出力装置は、ＯＮ／ＯＦＦパルスに基づいたパルス変調
をする場合には、全ての区間で帯域幅を有するマイクロ波を採用することで、プラズマの
安定化を図る。そして、このマイクロ波出力装置は、Ｈｉｇｈ／Ｌｏｗパルスに基づいた
パルス変調をする場合には、Ｈｉｇｈ区間又はＬｏｗ区間のいずれかにおいて単一周波数
ピークを有するマイクロ波に切り替えることで、プラズマの安定化とマイクロ波のモニタ
のしやすさとを両立することができる。
【００１４】 40
一実施形態において、マイクロ波発生部は、パルス同期信号に基づいて、制御器から指
示された設定周波数及び設定帯域幅にそれぞれ応じた中央周波数及び帯域幅を有する第１
波形と、制御器から指示された設定周波数に応じた中央周波数において単一周波数ピーク
を有する第２波形とが交互に出現するマイクロ波の波形を生成し、生成されたマイクロ波
の波形と、パルス同期信号と、第１波形及び第２波形にそれぞれ対応した設定パワーとに
基づいて、第１波形のパワー及び第２波形のパワーを制御してもよい。
【００１５】
この場合、マイクロ波出力装置は、パルス同期信号に基づいて第１波形と第２波形とが
交互に出現するマイクロ波の波形を生成し、パルス同期信号に基づいて波形ごとにパワー
制御をすることができる。 50
 (5) JP 6910320 B2 2021.7.28

【００１６】
一実施形態において、マイクロ波出力装置は、第１の方向性結合器及び測定部をさらに
備えてもよい。第１の方向性結合器は、マイクロ波発生部から出力部に伝搬される進行波
の一部を出力する。測定部は、第１の方向性結合器から出力される進行波の一部に基づい
て出力部における進行波のパワーのＨｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルのそれぞれを示す第
１のＨｉｇｈ測定値及び第１のＬｏｗ測定値を決定する。測定部は、第１のＨｉｇｈ測定
値及び第１のＬｏｗ測定値を所定の移動平均時間及び所定のサンプリング間隔で平均化す
る。マイクロ波発生部は、平均化された第１のＨｉｇｈ測定値及びＨｉｇｈレベルの設定
パワーに基づいて、パルス変調されたマイクロ波のＨｉｇｈレベルのパワーを制御し、平
均化された第１のＬｏｗ測定値及びＬｏｗレベルの設定パワーに基づいて、パルス変調さ 10
れたマイクロ波のＬｏｗレベルのパワーを制御してもよい。
【００１７】
この場合、マイクロ波出力装置では、平均化された第１のＨｉｇｈ測定値及びＨｉｇｈ
レベルの設定パワーに基づいて、パルス変調されたマイクロ波のＨｉｇｈレベルのパワー
が制御される。さらに、平均化された第１のＬｏｗ測定値及びＬｏｗレベルの設定パワー
に基づいて、パルス変調されたマイクロ波のＬｏｗレベルのパワーが制御される。このよ
うに、マイクロ波のパワーがパルス変調され、かつ、Ｈｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルの
パワーが設定パワーに基づいて制御されることにより、マイクロ波のパルス変調されたパ
ワーを制御することができる。
【００１８】 20
一実施形態において、マイクロ波出力装置は、第２の方向性結合器をさらに備えてもよ
い。第２の方向性結合器は、出力部に戻された反射波の一部を出力する。測定部は、第２
の方向性結合器から出力される反射波の一部に基づいて出力部における反射波のパワーの
Ｈｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルのそれぞれを示す第２のＨｉｇｈ測定値及び第２のＬｏ
ｗ測定値をさらに決定するとともに、第２のＨｉｇｈ測定値及び第２のＬｏｗ測定値を所
定の移動平均時間及び所定のサンプリング間隔で平均化してもよい。マイクロ波発生部は
、平均化された第１のＨｉｇｈ測定値、平均化された第２のＨｉｇｈ測定値及びＨｉｇｈ
レベルの設定パワーに基づいて、パルス変調されたマイクロ波のＨｉｇｈレベルのパワー
を制御し、平均化された第１のＬｏｗ測定値、平均化された第２のＬｏｗ測定値及びＬｏ
ｗレベルの設定パワーに基づいて、パルス変調されたマイクロ波のＬｏｗレベルのパワー 30
を制御してもよい。
【００１９】
このマイクロ波出力装置では、平均化された第１のＨｉｇｈ測定値、平均化された第２
のＨｉｇｈ測定値及びＨｉｇｈレベルの設定パワーに基づいて、パルス変調されたマイク
ロ波のＨｉｇｈレベルのパワーが制御される。さらに、平均化された第１のＬｏｗ測定値
、平均化された第２のＬｏｗ測定値及びＬｏｗレベルの設定パワーに基づいて、パルス変
調されたマイクロ波のＬｏｗレベルのパワーが制御される。このように、マイクロ波のパ
ワーがパルス変調され、かつ、Ｈｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルのパワーが設定パワーを
用いて制御されることにより、マイクロ波のパルス変調されたパワーを制御することがで
きる。 40
【００２０】
別の態様においては、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ
本体及びマイクロ波出力装置を備える。マイクロ波出力装置は、チャンバ本体内に供給さ
れるガスを励起させるためのマイクロ波を出力するように構成されている。このマイクロ
波出力装置は、上述の態様及び複数の実施形態のうち何れかのマイクロ波出力装置である
。
【発明の効果】
【００２１】
本開示の種々の態様および実施形態によれば、パルス変調されたマイクロ波のパルス周
波数及びデューティ比をモニタしやすいマイクロ波を出力するための技術が提供される。 50
 (6) JP 6910320 B2 2021.7.28

【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す図である。
【図２】パワーがパルス変調されたマイクロ波の一例である。
【図３】マイクロ波出力装置の一例を示す図である。
【図４】波形発生器におけるマイクロ波の生成原理を説明する図である。
【図５】同期信号及びマイクロ波の波形の一例である。
【図６】マイクロ波のパワー制御に関する構成の一例を示す図である。
【図７】移動平均の一例を説明する図である。
【図８】測定部によるサンプリングの一例を示す波形である。 10
【図９】同期信号、ＳＰ波形とＢＢ波形とが交互に出現する波形、パルス変調された波形
、及び、サンプリングされた波形のタイムチャートである。
【図１０】マイクロ波出力装置の動作を示すフローチャートである。
【図１１】プラズマ処理装置の他の例を示す図である。
【図１２】プラズマ処理装置の他の例を示す図である。
【図１３】比較例１（単一周波数ピークを有するマイクロ波）における、時間と進行波パ
ワーとの関係を、デューティ比ごとにシミュレーションした結果である。
【図１４】比較例２（広帯域周波数を有するマイクロ波）における、進行波パワーと時間
との関係を、Ｌｏｗパワーごとにシミュレーションした結果である。
【図１５】比較例３（広帯域周波数を有するマイクロ波）における、進行波パワーと時間 20
との関係を、デューティ比ごとにシミュレーションした結果である。
【図１６】実施例１（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波）に
おける、進行波パワーと時間との関係を、Ｌｏｗパワーごとにシミュレーションした結果
である。
【図１７】実施例２（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波）に
おける、進行波パワーと時間との関係を、デューティ比ごとにシミュレーションした結果
である。
【図１８】実施例３（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波）に
おける、進行波パワーと時間との関係を、Ｌｏｗパワーごとにシミュレーションした結果
である。 30
【図１９】実施例４（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波）に
おける、進行波パワーと時間との関係を、デューティ比ごとにシミュレーションした結果
である。
【図２０】比較例４（広帯域周波数を有するマイクロ波）のパルスモニタ精度をシミュレ
ーションした結果である。
【図２１】実施例５（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波）の
パルスモニタ精度をシミュレーションした結果である。
【図２２】実施例６（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波）の
パルスモニタ精度をシミュレーションした結果である。
【発明を実施するための形態】 40
【００２３】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。各図面において同一又
は相当の部分に対しては同一の符号を附す。
【００２４】
［第１実施形態］
［プラズマ処理装置］
図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。図１に示されるように、
プラズマ処理装置１は、チャンバ本体１２、及び、マイクロ波出力装置１６を備える。プ
ラズマ処理装置１は、ステージ１４、アンテナ１８、及び、誘電体窓２０を更に備え得る
。 50
 (7) JP 6910320 B2 2021.7.28

【００２５】
チャンバ本体１２は、その内部に処理空間Ｓを提供する。チャンバ本体１２は、側壁１
２ａ及び底部１２ｂを有する。側壁１２ａは、略筒形状に形成される。この側壁１２ａの
中心軸線は、鉛直方向に延びる軸線Ｚに略一致する。底部１２ｂは、側壁１２ａの下端側
に設けられる。底部１２ｂには、排気用の排気孔１２ｈが設けられる。また、側壁１２ａ
の上端部は開口である。
【００２６】
側壁１２ａの上端部の上には誘電体窓２０が設けられる。この誘電体窓２０は、処理空
間Ｓに対向する下面２０ａを有する。誘電体窓２０は、側壁１２ａの上端部の開口を閉じ
ている。この誘電体窓２０と側壁１２ａの上端部との間にはＯリング１９が介在する。こ 10
のＯリング１９により、チャンバ本体１２がより確実に密閉される。
【００２７】
ステージ１４は、処理空間Ｓ内に収容される。ステージ１４は、鉛直方向において誘電
体窓２０と対面するように設けられる。また、ステージ１４は、誘電体窓２０と当該ステ
ージ１４との間に処理空間Ｓを挟むように設けられる。このステージ１４は、その上に載
置される被加工物ＷＰ（例えば、ウエハ）を支持するように構成される。
【００２８】
一実施形態において、ステージ１４は、基台１４ａ及び静電チャック１４ｃを含む。基
台１４ａは、略円盤形状を有しており、アルミニウムといった導電性の材料から形成され
ている。基台１４ａの中心軸線は、軸線Ｚに略一致する。この基台１４ａは、筒状支持部 20
４８によって支持される。筒状支持部４８は、絶縁性の材料から形成されており、底部１
２ｂから垂直上方に延びる。筒状支持部４８の外周には、導電性の筒状支持部５０が設け
られる。筒状支持部５０は、筒状支持部４８の外周に沿ってチャンバ本体１２の底部１２
ｂから垂直上方に延びる。この筒状支持部５０と側壁１２ａとの間には、環状の排気路５
１が形成される。
【００２９】
排気路５１の上部には、バッフル板５２が設けられる。バッフル板５２は、環形状を有
する。バッフル板５２には、当該バッフル板５２を板厚方向に貫通する複数の貫通孔が形
成される。このバッフル板５２の下方には上述した排気孔１２ｈが設けられる。排気孔１
２ｈには、排気管５４を介して排気装置５６が接続される。排気装置５６は、自動圧力制 30
御弁（ＡＰＣ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｖａｌｖｅ）
と、ターボ分子ポンプといった真空ポンプとを有する。この排気装置５６により、処理空
間Ｓを所望の真空度まで減圧することができる。
【００３０】
基台１４ａは、高周波電極を兼ねる。基台１４ａには、給電棒６２及びマッチングユニ
ット６０を介して、高周波バイアス用の高周波電源５８が電気的に接続される。高周波電
源５８は、被加工物ＷＰに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波
数、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波を、設定されたパワーで出力する。
【００３１】
さらに、高周波電源５８は、パルス生成器を有し、高周波パワー（ＲＦパワー）をパル 40
ス変調して基台１４ａに印加してもよい。この場合、高周波電源５８は、Ｈｉｇｈレベル
のパワーとＬｏｗレベルのパワーとが周期的に繰り返される高周波パワーとなるようにパ
ルス変調する。高周波電源５８は、パルス生成器により生成された同期信号ＰＳＳ−Ｒに
基づいてパルス調整する。同期信号ＰＳＳ−Ｒは、高周波パワーの周期及びデューティ比
を決定する信号である。パルス変調時の設定の一例として、パルス周波数は１０Ｈｚ∼５
０ｋＨｚであり、パルスのデューティ比（パルス周期に対するＨｉｇｈレベルパワー時間
の比）は１０％∼９０％である。
【００３２】
マッチングユニット６０は、高周波電源５８側のインピーダンスと、主に電極、プラズ
マ、チャンバ本体１２といった負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器 50
 (8) JP 6910320 B2 2021.7.28

を収容する。この整合器の中には自己バイアス生成用のブロッキングコンデンサが含まれ
る。マッチングユニット６０は、高周波パワーがパルス変調される場合、同期信号ＰＳＳ
−Ｒに基づいて整合をとるように動作する。
【００３３】
基台１４ａの上面には、静電チャック１４ｃが設けられる。静電チャック１４ｃは、被
加工物ＷＰを静電吸着力で保持する。静電チャック１４ｃは、電極１４ｄ、絶縁膜１４ｅ
、及び、絶縁膜１４ｆを含んでおり、概ね円盤形状である。静電チャック１４ｃの中心軸
線は軸線Ｚに略一致する。この静電チャック１４ｃの電極１４ｄは、導電膜によって構成
されており、絶縁膜１４ｅと絶縁膜１４ｆとの間に設けられる。電極１４ｄには、直流電
源６４がスイッチ６６及び被覆線６８を介して電気的に接続される。静電チャック１４ｃ 10
は、直流電源６４より印加される直流電圧により発生するクーロン力によって、被加工物
ＷＰを吸着保持することができる。また、基台１４ａ上には、フォーカスリング１４ｂが
設けられる。フォーカスリング１４ｂは、被加工物ＷＰ及び静電チャック１４ｃを囲むよ
うに配置される。
【００３４】
基台１４ａの内部には、冷媒室１４ｇが設けられる。冷媒室１４ｇは、例えば、軸線Ｚ
を中心に延在するように形成される。この冷媒室１４ｇには、チラーユニットからの冷媒
が配管７０を介して供給される。冷媒室１４ｇに供給された冷媒は、配管７２を介してチ
ラーユニットに戻される。この冷媒の温度がチラーユニットによって制御されることによ
り、静電チャック１４ｃの温度、ひいては被加工物ＷＰの温度が制御される。 20
【００３５】
また、ステージ１４には、ガス供給ライン７４が形成される。このガス供給ライン７４
は、伝熱ガス、例えば、Ｈｅガスを、静電チャック１４ｃの上面と被加工物ＷＰの裏面と
の間に供給するために設けられる。
【００３６】
マイクロ波出力装置１６は、チャンバ本体１２内に供給される処理ガスを励起させるた
めのマイクロ波を出力する。マイクロ波出力装置１６は、マイクロ波の周波数、パワー、
及び、帯域幅を可変に調整するよう構成される。マイクロ波出力装置１６は、例えば、マ
イクロ波の帯域幅を略０に設定することによって、単一周波数のマイクロ波を発生するこ
とができる。また、マイクロ波出力装置１６は、その中に複数の周波数成分を有する帯域 30
幅を有したマイクロ波を発生することができる。これら複数の周波数成分のパワーは同一
のパワーであってもよく、帯域内の中央周波数成分のみが他の周波数成分のパワーよりも
大きいパワーを有していてもよい。一例において、マイクロ波出力装置１６は、マイクロ
波のパワーを０Ｗ∼５０００Ｗの範囲内で調整することができ、マイクロ波の周波数又は
中央周波数を２４００ＭＨｚ∼２５００ＭＨｚの範囲内で調整することでき、マイクロ波
の帯域幅を０ＭＨｚ∼１００ＭＨｚの範囲で調整することができる。また、マイクロ波出
力装置１６は、帯域内におけるマイクロ波の複数の周波数成分の周波数のピッチ（キャリ
アピッチ）を０∼２５ｋＨｚの範囲内で調整することができる。
【００３７】
マイクロ波出力装置１６は、パルス生成器を有し、マイクロ波のパワーをパルス変調し 40
て出力してもよい。この場合、マイクロ波出力装置１６は、ＨｉｇｈレベルのパワーとＬ
ｏｗレベルのパワーとが周期的に繰り返されるパワーとなるようにマイクロ波をパルス変
調する。マイクロ波出力装置１６は、パルス生成器により生成された同期信号ＰＳＳ−Ｍ
に基づいてパルス調整する。同期信号ＰＳＳ−Ｍは、マイクロ波パワーの周期及びデュー
ティ比を決定する信号である。パルス変調時の設定の一例として、パルス周波数は１Ｈｚ
∼５０ｋＨｚであり、パルスのデューティ比（パルス周期に対するＨｉｇｈレベルパワー
時間の比）は１０％∼９０％である。マイクロ波出力装置１６は、高周波電源５８により
出力される、パルス変調させた高周波パワーと同期させるように、マイクロ波パワーをパ
ルス変調してもよい。
【００３８】 50
 (9) JP 6910320 B2 2021.7.28

プラズマ処理装置１は、導波管２１、チューナ２６、モード変換器２７、及び、同軸導
波管２８を更に備える。マイクロ波出力装置１６の出力部は、導波管２１の一端に接続さ
れる。導波管２１の他端は、モード変換器２７に接続される。導波管２１は、例えば、矩
形導波管である。導波管２１には、チューナ２６が設けられる。チューナ２６は、スタブ
２６ａ，２６ｂ，２６ｃを有する。スタブ２６ａ，２６ｂ，２６ｃの各々は、導波管２１
の内部空間に対するその突出量を調整可能なように構成される。チューナ２６は、基準位
置に対するスタブ２６ａ，２６ｂ，２６ｃの各々の突出位置を調整することにより、マイ
クロ波出力装置１６のインピーダンスと負荷、例えば、チャンバ本体１２のインピーダン
スとを整合させる。
【００３９】 10
モード変換器２７は、導波管２１からのマイクロ波のモードを変換して、モード変換後
のマイクロ波を同軸導波管２８に供給する。同軸導波管２８は、外側導体２８ａ及び内側
導体２８ｂを含む。外側導体２８ａは、略円筒形状を有しており、その中心軸線は軸線Ｚ
に略一致する。内側導体２８ｂは、略円筒形状を有しており、外側導体２８ａの内側で延
在する。内側導体２８ｂの中心軸線は、軸線Ｚに略一致する。この同軸導波管２８は、モ
ード変換器２７からのマイクロ波をアンテナ１８に伝送する。
【００４０】
アンテナ１８は、誘電体窓２０の下面２０ａの反対側の面２０ｂ上に設けられる。アン
テナ１８は、スロット板３０、誘電体板３２、及び、冷却ジャケット３４を含む。
【００４１】 20
スロット板３０は、誘電体窓２０の面２０ｂ上に設けられる。このスロット板３０は、
導電性を有する金属から形成されており、略円盤形状を有する。スロット板３０の中心軸
線は軸線Ｚに略一致する。スロット板３０には、複数のスロット孔３０ａが形成される。
複数のスロット孔３０ａは、一例においては、複数のスロット対を構成する。複数のスロ
ット対の各々は、互いに交差する方向に延びる略長孔形状の二つのスロット孔３０ａを含
む。複数のスロット対は、軸線Ｚ周りの一以上の同心円に沿って配列される。また、スロ
ット板３０の中央部には、後述する導管３６が通過可能な貫通孔３０ｄが形成される。
【００４２】
誘電体板３２は、スロット板３０上に設けられる。誘電体板３２は、石英といった誘電
体材料から形成されており、略円盤形状である。この誘電体板３２の中心軸線は軸線Ｚに 30
略一致する。冷却ジャケット３４は、誘電体板３２上に設けられる。誘電体板３２は、冷
却ジャケット３４とスロット板３０との間に設けられる。
【００４３】
冷却ジャケット３４の表面は、導電性を有する。冷却ジャケット３４の内部には、流路
３４ａが形成される。この流路３４ａには、冷媒が供給されるように構成される。冷却ジ
ャケット３４の上部表面には、外側導体２８ａの下端が電気的に接続される。また、内側
導体２８ｂの下端は、冷却ジャケット３４及び誘電体板３２の中央部分に形成された孔を
通って、スロット板３０に電気的に接続される。
【００４４】
同軸導波管２８からのマイクロ波は、誘電体板３２内を伝搬して、スロット板３０の複 40
数のスロット孔３０ａから誘電体窓２０に供給される。誘電体窓２０に供給されたマイク
ロ波は、処理空間Ｓに導入される。
【００４５】
同軸導波管２８の内側導体２８ｂの内孔には、導管３６が通っている。また、上述した
ように、スロット板３０の中央部には、導管３６が通過可能な貫通孔３０ｄが形成される
。導管３６は、内側導体２８ｂの内孔を通って延在しており、ガス供給系３８に接続され
る。
【００４６】
ガス供給系３８は、被加工物ＷＰを処理するための処理ガスを導管３６に供給する。ガ
ス供給系３８は、ガス源３８ａ、弁３８ｂ、及び、流量制御器３８ｃを含み得る。ガス源 50
 (10) JP 6910320 B2 2021.7.28

３８ａは、処理ガスのガス源である。弁３８ｂは、ガス源３８ａからの処理ガスの供給及
び供給停止を切り替える。流量制御器３８ｃは、例えば、マスフローコントローラであり
、ガス源３８ａからの処理ガスの流量を調整する。
【００４７】
プラズマ処理装置１は、インジェクタ４１を更に備え得る。インジェクタ４１は、導管
３６からのガスを誘電体窓２０に形成された貫通孔２０ｈに供給する。誘電体窓２０の貫
通孔２０ｈに供給されたガスは、処理空間Ｓに供給される。そして、誘電体窓２０から処
理空間Ｓに導入されるマイクロ波によって、当該処理ガスが励起される。これにより、処
理空間Ｓ内でプラズマが生成され、当該プラズマからのイオン及び／又はラジカルといっ
た活性種により、被加工物ＷＰが処理される。 10
【００４８】
プラズマ処理装置１は、制御器１００を更に備える。制御器１００は、プラズマ処理装
置１の各部を統括制御する。制御器１００は、ＣＰＵといったプロセッサ、ユーザインタ
フェース、及び、記憶部を備え得る。
【００４９】
プロセッサは、記憶部に記憶されたプログラム及びプロセスレシピを実行することによ
り、マイクロ波出力装置１６、ステージ１４、ガス供給系３８、排気装置５６等の各部を
統括制御する。
【００５０】
ユーザインタフェースは、工程管理者がプラズマ処理装置１を管理するためにコマンド 20
の入力操作等を行うキーボード又はタッチパネル、プラズマ処理装置１の稼働状況等を可
視化して表示するディスプレイ等を含んでいる。
【００５１】
記憶部には、プラズマ処理装置１で実行される各種処理をプロセッサの制御によって実
現するための制御プログラム（ソフトウエア）、及び、処理条件データ等を含むプロセス
レシピ等が保存される。プロセッサは、ユーザインタフェースからの指示等、必要に応じ
て、各種の制御プログラムを記憶部から呼び出して実行する。このようなプロセッサの制
御下で、プラズマ処理装置１において所望の処理が実行される。
【００５２】
［マイクロ波の一例］ 30
マイクロ波出力装置１６から出力されるマイクロ波パワーは、Ｈｉｇｈレベルのパワー
とＬｏｗレベルのパワーとを繰り返すようにパルス状に変調された波形となる。図２は、
パワーがパルス変調されたマイクロ波の一例である。図２に示されるように、マイクロ波
は、Ｈｉｇｈパワー時においては、制御器１００から指示された設定周波数及び設定帯域
幅にそれぞれ応じた中央周波数及び帯域幅を有し、制御器１００から指示された設定パル
ス周波数、設定デューティ比、Ｈｉｇｈレベルの設定パワーにそれぞれ応じたパルス周波
数、デューティ比、Ｈｉｇｈレベルのパワーを有する。マイクロ波は、Ｌｏｗパワー時に
おいては、制御器１００から指示された設定周波数に応じた中央周波数において単一周波
数ピークを有し、制御器１００から指示された設定パルス周波数、設定デューティ比、Ｌ
ｏｗレベルの設定パワーにそれぞれ応じたパルス周波数、デューティ比、Ｌｏｗレベルの 40
パワーを有する。Ｌｏｗレベルのパワーは、Ｈｉｇｈレベルのパワーよりも低いパワーで
ある。
【００５３】
Ｌｏｗレベルのパワーは、プラズマ生成状態を維持するのに必要な最も低いレベルのパ
ワー以上であってもよい。一例として、Ｌｏｗレベルの設定パワーは、５００Ｗ以上であ
ってもよい。なお、Ｌｏｗレベルの設定パワーが０Ｗのとき、マイクロ波パワーは、ＯＮ
／ＯＦＦ制御となる。Ｌｏｗレベルの設定パワーが０Ｗを超えて４００Ｗ以下のとき、マ
イクロ波パワーは、Ｌｏｗレベルにおいてプラズマ励起がなされない程度のＨｉｇｈ／Ｌ
ｏｗ制御となる。
【００５４】 50
 (11) JP 6910320 B2 2021.7.28

［マイクロ波出力装置１６の構成例］
図３は、マイクロ波出力装置の一例を示す図である。図３に示されるように、マイクロ
波出力装置１６は、演算装置１００ａに接続されている。演算装置１００ａは、制御器１
００、波形発生器１０１、第１パルス生成器１０２、第２パルス生成器１０３、第３パル
ス生成器１０４、及び、第４パルス生成器１０５を有する。
【００５５】
波形発生器１０１は、マイクロ波の波形を発生する。波形発生器１０１は、２種類のマ
イクロ波の波形を発生することができる。第１波形として、波形発生器１０１は、制御器
１００により指定された設定周波数及び設定帯域幅にそれぞれ応じた中央周波数及び帯域
幅を有するマイクロ波の波形を発生する。第２波形として、波形発生器１０１は、制御器 10
１００から指示された設定周波数に応じた中央周波数において単一周波数ピークを有する
マイクロ波の波形を発生する。
【００５６】
第１パルス生成器１０２は、同期信号を生成する。同期信号は、２種類のマイクロ波の
波形生成のタイミングを決定するために、さらに、マイクロ波出力装置１６にてマイクロ
波パワーをパルス変調する際に利用される。第１パルス生成器１０２は、制御器１００に
よって設定された設定プロファイルにおけるマイクロ波パワーの設定パルス周波数及び設
定デューティ比に基づいて、同期信号ＰＳＳ−Ｍを生成する。第１パルス生成器１０２は
、同期信号ＰＳＳ−Ｍを波形発生器１０１及びマイクロ波出力装置１６へ出力する。
【００５７】 20
波形発生器１０１は、帯域幅を有するマイクロ波の波形と、単一周波数ピークを有する
マイクロ波の波形とを交互に出力する。波形発生器１０１は、第１パルス生成器１０２か
ら出力された同期信号ＰＳＳ−Ｍに基づいて動作する。波形発生器１０１は、同期信号Ｐ
ＳＳ−Ｍに基づいて、帯域幅を有するマイクロ波の波形の発生タイミング、単一周波数ピ
ークを有するマイクロ波の波形の発生タイミングを決定する。波形発生器１０１は、マイ
クロ波の波形をマイクロ波出力装置１６へ出力する。
【００５８】
第２パルス生成器１０３は、パワーがパルス変調されたマイクロ波をチューナ２６にて
インピーダンス整合する際に利用される同期信号を生成する。第２パルス生成器１０３は
、第１パルス生成器１０２と同様に、制御器１００によって設定された設定プロファイル 30
におけるマイクロ波パワーの設定パルス周波数及び設定デューティ比に基づいて、同期信
号ＰＳＳ−ＭＴを生成する。同期信号ＰＳＳ−ＭＴは、同期信号ＰＳＳ−Ｍと同一のパル
ス周波数及びデューティ比を有する。第２パルス生成器１０３は、同期信号ＰＳＳ−ＭＴ
をチューナ２６へ出力する。
【００５９】
第３パルス生成器１０４は、高周波電源５８にて高周波パワーをパルス変調する際に利
用される同期信号を生成する。第３パルス生成器１０４は、制御器１００によって設定さ
れた設定プロファイルにおける高周波パワーの設定パルス周波数及び設定デューティ比に
基づいて、同期信号ＰＳＳ−Ｒを生成する。第３パルス生成器１０４は、同期信号ＰＳＳ
−Ｒを高周波電源５８へ出力する。 40
【００６０】
第４パルス生成器１０５は、パワーがパルス変調された高周波をマッチングユニット６
０にてインピーダンス整合する際に利用される同期信号を生成する。第４パルス生成器１
０５は、第３パルス生成器１０４と同様に、制御器１００によって設定された設定プロフ
ァイルにおける高周波パワーの設定パルス周波数及び設定デューティ比に基づいて、同期
信号ＰＳＳ−ＲＭを生成する。同期信号ＰＳＳ−ＲＭは、同期信号ＰＳＳ−Ｒと同一のパ
ルス周波数及びデューティ比を有する。第４パルス生成器１０５は、同期信号ＰＳＳ−Ｒ
Ｍをマッチングユニット６０へ出力する。
【００６１】
第１パルス生成器１０２は、同期信号ＰＳＳ−Ｒと同期した同期信号ＰＳＳ−Ｍを生成 50
 (12) JP 6910320 B2 2021.7.28

してもよい。この場合、マイクロ波パワーのパルス変調と高周波パワーのパルス変調とを
同期させることができるので、安定したプラズマ生成が可能となる。
【００６２】
マイクロ波出力装置１６は、波形発生器１０１により発生されたマイクロ波の波形を、
制御器１００の設定に応じてパルス変調し、マイクロ波として出力する。マイクロ波出力
装置１６は、マイクロ波発生部１６ａ、導波管１６ｂ、サーキュレータ１６ｃ、導波管１
６ｄ、導波管１６ｅ、第１の方向性結合器１６ｆ、第２の方向性結合器１６ｈ、測定部１
６ｋ（測定部の一例）、及び、ダミーロード１６ｊを有する。
【００６３】
マイクロ波発生部１６ａは、制御器１００から指示された設定パルス周波数、設定デュ 10
ーティ比、Ｈｉｇｈレベルの設定パワー及びＬｏｗレベルの設定パワーにそれぞれ応じた
パルス周波数、デューティ比、Ｈｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルとなるようにパワーがパ
ルス変調された該マイクロ波を発生する。
【００６４】
マイクロ波発生部１６ａは、パワー制御部１６２、減衰器１６３、増幅器１６４、増幅
器１６５、及び、モード変換器１６６を有する。
【００６５】
波形発生器１０１は、減衰器１６３に接続される。減衰器１６３は、一例として、印加
電圧値によって減衰量（減衰率）を変更可能な機器である。減衰器１６３には、パワー制
御部１６２が接続される。パワー制御部１６２は、印加電圧値を用いて減衰器１６３にお 20
けるマイクロ波の減衰率（減衰量）を制御する。パワー制御部１６２は、波形発生器１０
１により出力されたマイクロ波が、制御器１００により指示された設定パルス周波数、設
定デューティ比、Ｈｉｇｈレベルの設定パワー及びＬｏｗレベルの設定パワーに応じたパ
ワーを有するマイクロ波となるように、減衰器１６３におけるマイクロ波の減衰率（減衰
量）を制御する。
【００６６】
パワー制御部１６２は、一例として、制御部１６２ａを有する。制御部１６２ａは、プ
ロセッサであり得る。制御部１６２ａは、制御器１００から設定プロファイルを取得する
。制御部１６２ａは、第１パルス生成器１０２から同期信号ＰＳＳ−Ｍを取得する。制御
部１６２ａは、同期信号ＰＳＳ−Ｍ、及び、制御器１００によって設定された設定プロフ 30
ァイルに基づいてマイクロ波の減衰率（減衰量）を決定する。
【００６７】
減衰器１６３の出力は、増幅器１６４及び増幅器１６５を介してモード変換器１６６に
接続される。増幅器１６４及び増幅器１６５は、マイクロ波をそれぞれに所定の増幅率で
増幅する。モード変換器１６６は、増幅器１６５から出力されるマイクロ波の伝搬モード
をＴＥＭからＴＥ０１に変換する。このモード変換器１６６におけるモード変換によって
生成されたマイクロ波は、マイクロ波発生部１６ａの出力マイクロ波として出力される。
【００６８】
マイクロ波発生部１６ａの出力は導波管１６ｂの一端に接続される。導波管１６ｂの他
端は、サーキュレータ１６ｃの第１ポート２６１に接続される。サーキュレータ１６ｃは 40
、第１ポート２６１、第２ポート２６２Ａ、及び、第３ポート２６３Ａを有する。サーキ
ュレータ１６ｃは、第１ポート２６１に入力されたマイクロ波を第２ポート２６２Ａから
出力し、第２ポート２６２Ａに入力したマイクロ波を第３ポート２６３Ａから出力するよ
うに構成される。サーキュレータ１６ｃの第２ポート２６２Ａには導波管１６ｄの一端が
接続される。導波管１６ｄの他端は、マイクロ波出力装置１６の出力部１６ｔである。
【００６９】
サーキュレータ１６ｃの第３ポート２６３Ａには、導波管１６ｅの一端が接続される。
導波管１６ｅの他端はダミーロード１６ｊに接続される。ダミーロード１６ｊは、導波管
１６ｅを伝搬するマイクロ波を受けて、当該マイクロ波を吸収する。ダミーロード１６ｊ
は、例えば、マイクロ波を熱に変換する。 50
 (13) JP 6910320 B2 2021.7.28

【００７０】
第１の方向性結合器１６ｆは、導波管１６ｂの一端と他端との間に設けられる。第１の
方向性結合器１６ｆは、マイクロ波発生部１６ａから出力されて、出力部１６ｔに伝搬す
るマイクロ波（即ち、進行波）の一部を分岐させて、当該進行波の一部を出力するように
構成される。
【００７１】
第２の方向性結合器１６ｈは、導波管１６ｅの一端と他端との間に設けられる。第２の
方向性結合器１６ｈは、出力部１６ｔに戻されたマイクロ波（即ち、反射波）について、
サーキュレータ１６ｃの第３ポート２６３Ａに伝送された反射波の一部を分岐させて、当
該反射波の一部を出力するように構成される。 10
【００７２】
測定部１６ｋは、導波管内のマイクロ波を測定する機器である。測定部１６ｋは、測定
制御部１６７、第１検波部１６８及び第２検波部１６９を有する。
【００７３】
第１検波部１６８は、導波管内のマイクロ波の進行波パワーに応じた測定値を検出する
。第１検波部１６８は、第１の方向性結合器１６ｆから出力された進行波を入力する。第
２検波部１６９は、導波管内のマイクロ波の反射波パワーに応じた測定値を検出する。第
２検波部１６９は、第２の方向性結合器１６ｈから出力された反射波を入力する。
【００７４】
測定制御部１６７は、第１検波部１６８により取得された進行波の一部に基づき、出力 20
部１６ｔにおける進行波のパワーのＨｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルのそれぞれを示す第
１のＨｉｇｈ測定値ｐｆ（Ｈ）及び第１のＬｏｗ測定値ｐｆ（Ｌ）を決定する。測定制御
部１６７は、第２検波部１６９により取得された反射波の一部に基づき、出力部１６ｔに
おける反射波のパワーのＨｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルのそれぞれを示す第２のＨｉｇ
ｈ測定値ｐｒ（Ｈ）及び第２のＬｏｗ測定値ｐｒ（Ｌ）を決定する。
【００７５】
測定制御部１６７は、第１検波部１６８により検出された測定値に基づいて、進行波パ
ワーの周波数及びデューティ比を取得する。
【００７６】
測定部１６ｋは、パワー制御部１６２に接続される。測定部１６ｋは、測定値をパワー 30
制御部１６２に出力する。パワー制御部１６２は、進行波と反射波との測定値の差、即ち
ロードパワー（実効パワー）が、制御器１００によって指定される設定パワーに一致する
ように、減衰器１６３を制御する（パワーフィードバック制御）。
【００７７】
チューナ２６は、チューナ制御部２６０及びチューナ検波部２６４を有する。チューナ
制御部２６０は、制御器１００の信号及びチューナ検波部２６４の検出結果に基づいて、
マイクロ波出力装置１６側のインピーダンスとアンテナ１８側のインピーダンスとを整合
するようにスタブ２６ａ、２６ｂ，２６ｃの突出位置を調整する。チューナ検波部２６４
は、一例として三探針検波器であり、３本のダイオード付きプローブを有する。チューナ
制御部２６０は、図示しないドライバ回路及びアクチュエータにより、スタブ２６ａ、２ 40
６ｂ，２６ｃを動作させる。
【００７８】
チューナ制御部２６０は、第２パルス生成器１０３により生成されたマイクロ波パワー
用の同期信号ＰＳＳ−ＭＴを取得する。チューナ制御部２６０は、同期信号を考慮して、
スタブ２６ａ、２６ｂ，２６ｃを動作させる。高周波電源５８は、第３パルス生成器１０
４により生成された高周波パワー用の同期信号ＰＳＳ−Ｒを取得する。高周波電源５８は
、同期信号ＰＳＳ−Ｒに基づいて高周波パワーをパルス変調する。マッチングユニット６
０は、第４パルス生成器１０５により生成された高周波パワー用の同期信号ＰＳＳ−ＭＴ
を取得する。マッチングユニット６０は、同期信号ＰＳＳ−ＭＴに基づいて、パルス変調
された高周波パワーを整合する。 50
 (14) JP 6910320 B2 2021.7.28

【００７９】
［波形発生器の詳細］
図４は、波形発生器におけるマイクロ波の生成原理を説明する図である。図４に示され
るように、波形発生器１０１は、例えば、基準周波数と位相を同期させたマイクロ波を発
振することが可能なＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）発振器と、ＰＬＬ発
振器に接続されたＩＱデジタル変調器とを有する。波形発生器１０１は、ＰＬＬ発振器に
おいて発振されるマイクロ波の周波数を制御器１００により指定された設定周波数に設定
する。そして、波形発生器１０１は、ＰＬＬ発振器からのマイクロ波と、当該ＰＬＬ発振
器からのマイクロ波とは９０°の位相差を有するマイクロ波とを、ＩＱデジタル変調器を
用いて変調する。これにより、波形発生器１０１は、帯域内において複数の周波数成分を 10
有するマイクロ波、又は、単一周波数のマイクロ波を生成する。
【００８０】
波形発生器１０１は、例えば、Ｎ個の複素データシンボルに対する逆離散フーリエ変換
を行って連続信号を生成することにより、複数の周波数成分を有するマイクロ波を生成す
ることが可能である。この信号の生成方法は、ディジタルテレビ放送等で用いられるＯＦ
ＤＭＡ（Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ−Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐ
ｌｅ Ａｃｃｅｓｓ）変調方式と同様の方法であり得る（例えば特許５３２０２６０号参
照）。
【００８１】
一例では、波形発生器１０１は、予めデジタル化された符号の列で表された波形データ 20
を有する。波形発生器１０１は、波形データを量子化し、量子化したデータに対して逆フ
ーリエ変換を適用することにより、ＩデータとＱデータとを生成する。そして、波形発生
器１０１は、Ｉデータ及びＱデータの各々に、Ｄ／Ａ（Ｄｉｇｉｔａｌ／Ａｎａｌｏｇ）
変換を適用して、二つのアナログ信号を得る。波形発生器１０１は、これらアナログ信号
を、低周波成分のみを通過させるＬＰＦ(ローパスフィルタ）へ入力する。波形発生器１
０１は、ＬＰＦから出力された二つのアナログ信号を、ＰＬＬ発振器からのマイクロ波、
ＰＬＬ発振器からのマイクロ波とは９０°の位相差を有するマイクロ波とそれぞれミキシ
ングする。そして、波形発生器１０１は、ミキシングによって生成されたマイクロ波を合
成する。これにより、波形発生器１０１は、一又は複数の周波数成分を有するマイクロ波
を生成する。 30
【００８２】
［波形発生器により生成される波形の一例］
波形発生器１０１は、同期信号ＰＳＳ−Ｍに基づいて、一の周波数成分を有するマイク
ロ波と、複数の周波数成分を有するマイクロ波とを交互に生成することもできる。以下、
同期信号、及び、波形発生器により生成されるマイクロ波の波形の一例を示す。図５は、
同期信号及びマイクロ波の波形の一例である。図５の（Ａ）に示されるように、同期信号
ＰＳＳ−Ｍは、ＯＮ状態（Ｈｉｇｈ状態）とＯＦＦ状態（Ｌｏｗ状態）とが交互に出現す
るパルス信号となる。同期信号ＰＳＳ−Ｍのパルス周期ＰＴは、Ｈｉｇｈレベルとなるタ
イミングの間隔で定義する。パルス周期ＰＴに対するＨｉｇｈ時間ＨＴの比がデューティ
比である。第１パルス生成器１０２は、制御器１００により指定されたパルス周波数（１ 40
／ＰＴ）及びデューティ比（ＨＴ／ＰＴ×１００［％］）に基づいて、図５の（Ａ）に示
されるような同期信号を生成する。
【００８３】
波形発生器１０１は、Ｈｉｇｈ時間ＨＴの間は広帯域周波数を有するマイクロ波の波形
を生成し、Ｌｏｗ時間ＬＴの間は単一周波数ピークを有するマイクロ波の波形を生成する
。図５の（Ｂ）では、広帯域周波数を有するマイクロ波の波形をＢＢ（Broad Band）波形
、単一周波数ピークを有するマイクロ波の波形をＳＰ（SinglePeak）波形として示してい
る。波形発生器１０１は、ＢＢ波形とＳＰ波形との生成タイミングを逆にしてもよい。つ
まり、波形発生器１０１は、Ｈｉｇｈ時間ＨＴの間は単一周波数ピークを有するマイクロ
波の波形を生成し、Ｌｏｗ時間ＬＴの間は広帯域周波数を有するマイクロ波の波形を生成 50
 (15) JP 6910320 B2 2021.7.28

してもよい。
【００８４】
［マイクロ波のパワー制御の一例］
波形発生器により生成された波形は、パワーが変調及び増幅されて出力される。図６は
、マイクロ波のパワー制御に関する構成の一例を示す図である。図６に示されるように、
パワー制御は、測定制御部１６７及び制御部１６２ａによって実現する。
【００８５】
図６に示されるように、波形発生器１０１は、ＳＰ波形及びＢＢ波形が交互に出現する
マイクロ波の波形を出力する。制御部１６２ａは、減衰器１６３を動作させてマイクロ波
のパワーをパルス変調する。制御部１６２ａは、第１パルス生成器１０２から出力された 10
同期信号ＰＳＳ−Ｍに基づいてＨｉｇｈ時間及びＬｏｗ時間を決定する。制御部１６２ａ
は、Ｈｉｇｈ時間においては制御器１００から出力された設定ＨｉｇｈパワーＰＨとなる
ように、Ｌｏｗ時間においては設定ＬｏｗパワーＰＬとなるように、減衰器１６３を動作
させる。これにより、ＳＰ波形部分のみが減衰したマイクロ波が得られる。マイクロ波は
、増幅器１６４及び増幅器１６５によって増幅され、チャンバ本体１２へと送られる。
【００８６】
測定制御部１６７は、第１の方向性結合器１６ｆ及び第２の方向性結合器１６ｈから進
行波のパワーの測定値ｐｆ０及び反射波のパワーの測定値ｐｒ０を取得する。測定制御部
１６７は、測定値をサンプリングして制御部１６２ａへ出力する。制御部１６２ａは、進
行波のパワーの測定値ｐｆと反射波のパワーの測定値ｐｒとの差分が設定値となるように 20
パワーフィードバックを行う。このようなフィードバックループによって、制御器１００
によって指定された設定値を実現する。
【００８７】
マイクロ波のパワーがパルス変調されている場合においては、Ｈｉｇｈレベルのパワー
及びＬｏｗレベルのパワーを、それぞれ個別にフィードバック制御する必要がある。つま
り、測定制御部１６７は、第１のＨｉｇｈ測定値ｐｆ（Ｈ）、第１のＬｏｗ測定値ｐｆ（
Ｌ）、第２のＨｉｇｈ測定値ｐｒ（Ｈ）及び第２のＬｏｗ測定値ｐｒ（Ｌ）を計測し、計
測結果を制御部１６２ａへ出力する。制御部１６２ａは、同期信号ＰＳＳ−Ｍに基づいて
、ＨｉｇｈレベルのパワーのフィードバックとＬｏｗレベルのパワーのフィードバックと
を切り替える。 30
【００８８】
制御部１６２ａは、Ｈｉｇｈレベルのパワーのフィードバック時には、第１のＨｉｇｈ
測定値ｐｆ（Ｈ）、第２のＨｉｇｈ測定値ｐｒ（Ｈ）及びＨｉｇｈレベルの設定パワーに
基づいて、パルス変調されたマイクロ波のＨｉｇｈレベルのパワーを制御する。制御部１
６２ａは、Ｌｏｗレベルのパワーのフィードバック時には、第１のＬｏｗ測定値ｐｆ（Ｌ
）、第２のＬｏｗ測定値ｐｒ（Ｌ）及びＬｏｗレベルの設定パワーに基づいて、パルス変
調されたマイクロ波のＬｏｗレベルのパワーを制御する。
【００８９】
より具体的には、制御部１６２ａは、Ｈｉｇｈレベルのパワーのフィードバック時には
、第１のＨｉｇｈ測定値ｐｆ（Ｈ）と第２のＨｉｇｈ測定値ｐｒ（Ｈ）との差を制御器１ 40
００によって指定された設定Ｈｉｇｈパワーに近づけるように、マイクロ波出力装置１６
から出力されるマイクロ波のＨｉｇｈレベルのパワーを制御する。また、制御部１６２ａ
は、Ｌｏｗレベルのパワーのフィードバック時には、第１のＬｏｗ測定値ｐｆ（Ｌ）と第
２のＬｏｗ測定値ｐｒ（Ｌ）との差を制御器１００によって指定された設定Ｌｏｗパワー
に近づけるように、マイクロ波出力装置１６から出力されるマイクロ波のＬｏｗレベルの
パワーを制御する。これにより、出力部１６ｔに結合される負荷に供給されるマイクロ波
のロードパワーが、設定パワーに近づけられる。
【００９０】
［測定制御部のデータサンプリングの一例］
測定制御部１６７は、パルス変調された進行波パワーを正確に測定するためにデータを 50
 (16) JP 6910320 B2 2021.7.28

平均化してもよい。図７は、移動平均の一例を説明する図である。図７において、ａはサ
ンプリング間隔［μｓ］、ｂは移動平均時間［μｓ］、ｃはサンプル数である。なお，サ
ンプリング間隔は、０．１μｓ以下である。サンプル数ｃはｂ/ａで表現される。測定制
御部１６７は、時刻ｔ＝０のとき、Ｐｆ（１）∼Ｐｆ（ｃ）までのｃ個のサンプルをサン
プリング間隔ａで取得し、平均化する。測定制御部１６７は、時刻ｔ＝１のとき、Ｐｆ（
２）∼Ｐｆ（ｃ＋１）までのｃ個のサンプルをサンプリング間隔ａで取得し、平均化する
。測定制御部１６７は、時刻ｔ＝ｋのとき、Ｐｆ（ｋ＋１）∼Ｐｆ（ｃ＋ｋ）までのｃ個
のサンプルをサンプリング間隔ａで取得し、平均化する。数式で表すと以下の通りである
。
【数１】 10

20

これにより、強弱を有するパワー波形が平均化される。なお、上記例では進行波の例を示
したが、反射波も同一の手法で平均化することができる。
【００９１】
［サンプリングの結果の一例］
図８は、測定部によるサンプリングの一例を示す波形である。図８の（Ａ）の波形は、
第１の方向性結合器１６ｆにより測定された、パルス変調されたＳＰ波形である。図８の
（Ｂ）の波形は、図８の（Ａ）のＳＰ波形を測定制御部１６７によってサンプリングした
波形である。図８の（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、パルス変調されたＳＰ波形は、
サンプリング後においてＨｉｇｈ及びＬｏｗの信号を明確に区別することができる。図８ 30
の（Ｃ）の波形は、第１の方向性結合器１６ｆにより測定された、パルス変調されたＢＢ
波形である。図８の（Ｄ）の波形は、図８の（Ｃ）のＢＢ波形を測定制御部１６７によっ
てサンプリングした波形である。図８の（Ｃ）及び（Ｄ）に示されるように、パルス変調
されたＢＢ波形は、サンプリング後においてＨｉｇｈ及びＬｏｗの信号の境界が不明確と
なる。図８の（Ｅ）の波形は、第１の方向性結合器１６ｆにより測定されたパルス変調さ
れた波形であり、ＳＰ波形とＢＢ波形とが交互に出現する波形である。図８の（Ｆ）の波
形は、図８の（Ｅ）の波形を測定制御部１６７によってサンプリングした波形である。図
８の（Ｅ）及び（Ｆ）に示されるように、ＳＰ波形とＢＢ波形とが交互に出現する波形は
、サンプリング後においてＨｉｇｈ及びＬｏｗの信号を明確に区別することができる。
【００９２】 40
［タイムチャートの一例］
上述した、同期信号、ＳＰ波形とＢＢ波形とが交互に出現する波形、パルス変調された
波形、サンプリングされた波形を、それぞれの時間軸を一致させた状態で図９に示す。図
９は、同期信号、ＳＰ波形とＢＢ波形とが交互に出現する波形、パルス変調された波形、
及び、サンプリングされた波形のタイムチャートである。図９の（Ａ）は第１パルス生成
器１０２により生成された同期信号ＰＳＳ−Ｍ、図９の（Ｂ）は波形発生器１０１により
生成された波形、図９の（Ｃ）は制御部１６２ａによりパルス変調された波形、図９の（
Ｄ）は測定制御部１６７によりサンプリングされた波形である。
【００９３】
図９の（Ｂ）に示されるように、図９の（Ａ）に示される同期信号ＰＳＳ−ＭのＯＮ／ 50
 (17) JP 6910320 B2 2021.7.28

ＯＦＦと同期して、ＳＰ波形とＢＢ波形とが交互に出現する。つまり、図９の（Ｂ）に示
される波形の周期及びデューティ比は、同期信号ＰＳＳ−Ｍの周期及びデューティ比と一
致する。図９の（Ｃ）に示されるように、図９の（Ａ）に示される同期信号ＰＳＳ−Ｍの
ＯＮ／ＯＦＦと同期して、ＳＰ波形とＢＢ波形とのパワーがそれぞれ区別されて変調され
る。つまり、図９の（Ｃ）に示される波形の周期及びデューティ比は、同期信号ＰＳＳ−
Ｍの周期及びデューティ比と一致する。そして、図９の（Ｄ）に示されるように、マイク
ロ波のＨｉｇｈ部分とＬｏｗ部分とがそれぞれ区別されて検出される。
【００９４】
［出力モードの切り替えの一例］
マイクロ波発生部１６ａは、２つの出力モードを有してもよい。第１の出力モードでは 10
、パルス変調されたＢＢ波形及びＳＰ波形を有するマイクロ波が出力される。第２の出力
モードでは、パルス変調されたＢＢ波形を有するマイクロ波が出力される。マイクロ波発
生部１６ａは、Ｌｏｗレベルの設定パワーと閾値パワーとに基づいて、出力モードの切り
替えを決定する。閾値パワーは、出力モードの切り替えの決定のために予め定められたパ
ワー値である。閾値パワーは、０∼５００Ｗの間で設定され得る。一例として、閾値パワ
ーは０Ｗである。閾値パワーは、一例として、制御器１００の記憶部に記憶される。マイ
クロ波発生部１６ａは、Ｌｏｗレベルの設定パワーが閾値パワーより大きい場合には第１
の出力モードで動作し、Ｌｏｗレベルの設定パワーが閾値パワー以下である場合には第２
の出力モードで動作する。
【００９５】 20
図１０は、マイクロ波出力装置の動作を示すフローチャートである。図１０に示される
フローチャートは、一例として、マイクロ波発生部１６ａがマイクロ波の出力前に実行す
る。
【００９６】
最初に、判定工程（Ｓ１０）として、マイクロ波発生部１６ａは、Ｌｏｗレベルの設定
パワーが閾値パワー以下であるか否かを判定する。マイクロ波発生部１６ａは、制御器１
００からＬｏｗレベルの設定パワー及び閾値パワーを取得する。
【００９７】
Ｌｏｗレベルの設定パワーが閾値パワー以下であると判定された場合（Ｓ１０：ＹＥＳ
）、マイクロ波発生部１６ａは、第２出力工程（Ｓ１２）として、第２の出力モードで動 30
作する。この場合、マイクロ波発生部１６ａは、パルス変調されたＢＢ波形を有するマイ
クロ波を出力する。
【００９８】
Ｌｏｗレベルの設定パワーが閾値パワー以下でないと判定された場合（Ｓ１０：ＮＯ）
、マイクロ波発生部１６ａは、第１出力工程（Ｓ１４）として、第１の出力モードで動作
する。この場合、マイクロ波発生部１６ａは、パルス変調されたＢＢ波形及びＳＰ波形を
有するマイクロ波を出力する。
【００９９】
第２出力工程（Ｓ１２）及び第１出力工程（Ｓ１４）が終了すると、図１０に示される
フローチャートは終了する。このように、マイクロ波出力装置１６は、Ｌｏｗレベルの設 40
定パワーに応じて、出力モードを切り替えることができる。
【０１００】
［測定制御部による進行波パワーのＨｉｇｈ／Ｌｏｗ判定の一例］
測定制御部１６７は、パルス変調された進行波パワーのＨｉｇｈ及びＬｏｗを正確に判
定するために、複数の閾値を用いてもよい。例えば、Ｈｉｇｈレベルの設定パワーよりも
所定値だけ大きい第１上限閾値と、Ｈｉｇｈレベルの設定パワーよりも所定値だけ小さい
第１下限閾値が設定される。例えば、Ｌｏｗレベルの設定パワーよりも所定値だけ大きい
第２上限閾値と、Ｌｏｗレベルの設定パワーよりも所定値だけ小さい第２下限閾値が設定
される。
【０１０１】 50
 (18) JP 6910320 B2 2021.7.28

測定制御部１６７は、サンプリングした値が第１上限閾値と第１下限閾値との間にｎ回
連続で含まれている場合には、Ｈｉｇｈレベルであると判定する。測定制御部１６７は、
サンプリングした値が第２上限閾値と第２下限閾値との間にｎ回連続で含まれている場合
には、Ｌｏｗレベルであると判定する。ｎは判定回数であり、予め設定された値である。
測定制御部１６７は、Ｈｉｇｈレベルの判定条件及びＬｏｗレベルの判定条件の何れも満
たさない場合には、前回判定値を保持する。つまり、前回の判定処理においてＨｇｉｈレ
ベルと判定されていた場合には、今回の判定処理においてもＨｉｇｈレベルと判定する。
同様に、前回の判定処理においてＬｏｗレベルと判定されていた場合には、今回の判定処
理においてもＬｏｗレベルと判定する。
【０１０２】 10
［測定制御部の設定の一例］
測定制御部１６７は、測定誤差が小さくなる範囲で測定するように設定されていてもよ
い。測定誤差は、周波数精度及びデューティ比誤差を含む。周波数精度は、設定パルス周
波数に対する検出パルス周波数の誤差である。具体的な一例として、周波数精度は、以下
の数式（１）で表現される。
【数２】

20
ただし、数式（１）の右辺の計算値が１００％以上となった場合は、周波数精度は１００
％とする。デューティ比誤差は、設定デューティ比に対する検出デューティ比の誤差であ
る。具体的な一例として、デューティ比誤差は、以下の数式（２）で表現される。
【数３】

【０１０３】
測定制御部１６７は、周波数精度及びデューティ比誤差のうち大きい方を最大誤差とし
て採用してもよい。上述した測定制御部１６７の判定回数ｎは、最大誤差が小さくなるよ
うに設定される。 30
【０１０４】
［第１実施形態のまとめ］
マイクロ波出力装置１０では、ＢＢ波形（帯域幅を有するマイクロ波）とＳＰ波形（単
一周波数ピークを有するマイクロ波）とがＨｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルと同期して交
互に出力される。ＢＢ波形は、時間的に上下する波形であり、ＳＰ波形は時間的に大きく
上下しない波形である。このため、マイクロ波出力装置１０は、ＢＢ波形をパルス変調す
る場合と比べて、Ｈｉｇｈレベルのパワー区間とＬｏｗレベルのパワー区間との境界をわ
かりやすくすることができる。よって、マイクロ波出力装置１０は、パルス変調されたマ
イクロ波のパルス周波数及びデューティ比をモニタしやすいマイクロ波を出力することが
できる。 40
【０１０５】
マイクロ波出力装置１０は、Ｌｏｗレベルの設定パワーに応じて、出力モードを切り替
えることができる。これにより、マイクロ波出力装置１０は、ＯＮ／ＯＦＦパルスに基づ
いたパルス変調をする場合には、ＢＢ波形のマイクロ波を採用することで、プラズマの安
定化を図る。マイクロ波出力装置１０は、Ｈｉｇｈ／Ｌｏｗパルスに基づいたパルス変調
をする場合には、Ｈｉｇｈ区間又はＬｏｗ区間のいずれかにおいてＳＰ波形を有するマイ
クロ波に切り替えることで、プラズマの安定化とマイクロ波のモニタのしやすさとを両立
することができる。
【０１０６】
マイクロ波出力装置１０は、パルス同期信号に基づいてＢＢ波形とＳＰ波形とが交互に 50
 (19) JP 6910320 B2 2021.7.28

出現するマイクロ波の波形を生成し、パルス同期信号に基づいて波形ごとにパワー制御を
することができる。
【０１０７】
マイクロ波出力装置１０では、平均化された第１のＨｉｇｈ測定値及びＨｉｇｈレベル
の設定パワーに基づいて、パルス変調されたマイクロ波のＨｉｇｈレベルのパワーが制御
される。さらに、平均化された第１のＬｏｗ測定値及びＬｏｗレベルの設定パワーに基づ
いて、パルス変調されたマイクロ波のＬｏｗレベルのパワーが制御される。このように、
マイクロ波のパワーがパルス変調され、かつ、Ｈｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルのパワー
が設定パワーに基づいて制御されることにより、マイクロ波のパルス変調されたパワーを
制御することができる。 10
【０１０８】
マイクロ波出力装置１０では、平均化された第１のＨｉｇｈ測定値、平均化された第２
のＨｉｇｈ測定値及びＨｉｇｈレベルの設定パワーに基づいて、パルス変調されたマイク
ロ波のＨｉｇｈレベルのパワーが制御される。さらに、平均化された第１のＬｏｗ測定値
、平均化された第２のＬｏｗ測定値及びＬｏｗレベルの設定パワーに基づいて、パルス変
調されたマイクロ波のＬｏｗレベルのパワーが制御される。このように、マイクロ波のパ
ワーがパルス変調され、かつ、Ｈｉｇｈレベル及びＬｏｗレベルのパワーが設定パワーを
用いて制御されることにより、マイクロ波のパルス変調されたパワーを制御することがで
きる。マイクロ波出力装置１０を備えるプラズマ処理装置１は、マイクロ波出力装置１０
と同一の効果を奏する。 20
【０１０９】
［第２実施形態］
第２実施形態に係るプラズマ処理装置１Ａは、第１実施形態に係るプラズマ処理装置１
と比べて、チューナ２６の制御部がマイクロ波のモニタ装置として機能する点が相違し、
その他は同一である。以下では、プラズマ処理装置１とプラズマ処理装置１Ａとの相違点
を中心に説明し、重複する説明は繰り返さない。
【０１１０】
図１１は、プラズマ処理装置の他の例を示す図である。図１１に示されるように、測定
部１６ｋは、測定制御部１６７Ａ及び第１検波部１６８Ａを備える。測定制御部１６７Ａ
及び第１検波部１６８Ａは、測定制御部１６７及び第１検波部１６８と比較して、モニタ 30
機能を有しない点で相違し、その他は同一である。
【０１１１】
チューナ２６は、チューナ制御部２６０Ａ及びチューナ検波部２６４Ａを有する。チュ
ーナ制御部２６０Ａ及びチューナ検波部２６４Ａは、チューナ制御部２６０及びチューナ
検波部２６４と比較して、モニタ機能を有する点で相違し、その他は同一である。つまり
、チューナ制御部２６０Ａは、チューナ検波部２６４Ａによって検出された検波信号を分
岐して、マイクロ波の進行波パワーの周波数及びデューティ比を取得する。モニタの仕方
、つまり、移動平均時間、判定回数、閾値については、第１実施形態と同一である。
【０１１２】
上記以外のプラズマ処理装置１Ａの構成は、プラズマ処理装置１と同一である。 40
【０１１３】
［第３実施形態］
第３実施形態に係るプラズマ処理装置１Ｂは、第１実施形態に係るプラズマ処理装置１
と比べて、復調部８０及び復調制御部８１を備える点が相違し、その他は同一である。以
下では、プラズマ処理装置１とプラズマ処理装置１Ｂとの相違点を中心に説明し、重複す
る説明は繰り返さない。
【０１１４】
図１２は、プラズマ処理装置の他の例を示す図である。図１２に示されるように、測定
部１６ｋは、測定制御部１６７Ａ及び第１検波部１６８Ａを備える。測定制御部１６７Ａ
及び第１検波部１６８Ａは、測定制御部１６７及び第１検波部１６８と比較して、パルス 50
 (20) JP 6910320 B2 2021.7.28

モニタ機能を有しない点で相違し、その他は同一である。
【０１１５】
プラズマ処理装置１Ｂは、復調部８０（検波部の一例）及び復調制御部８１（取得部の
一例）を備える。復調部８０は、例えば導波管２１におけるチューナ２６とアンテナ１８
（図１参照）との間に設けられる。復調部８０は、導波管２１内を進行する進行波のパワ
ーである進行波パワー、及び、アンテナ１８側からの反射波のパワーである反射波パワー
を周波数ごとに取得する。
【０１１６】
復調部８０は、方向性結合器を有する。方向性結合器は、一例として、４つのポートを
有する双方向性結合器である。方向性結合器は、マイクロ波発生部１６ａから出力されて 10
、導波管２１内に伝搬するマイクロ波（即ち、進行波）の一部を分岐させて、当該進行波
の一部を出力するように構成されている。同様に、方向性結合器は、モード変換器から戻
ってくるマイクロ波（即ち、反射波）の一部を分岐させて、当該反射波の一部を出力する
ように構成されている。
【０１１７】
復調制御部８１は、プロセッサ及びメモリを有する演算器である。復調制御部８１は、
方向性結合器から出力された進行波の一部に基づき、方向性結合器における進行波パワー
を測定する。同様に、復調制御部８１は、方向性結合器から出力された反射波の一部に基
づき、方向性結合器における反射波パワーを測定する。モニタの仕方、つまり、移動平均
時間、判定回数、閾値については、第１実施形態と同一である。 20
【０１１８】
上記以外のプラズマ処理装置１Ｂの構成は、プラズマ処理装置１と同一である。
【０１１９】
以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることな
く種々の変形態様を構成可能である。
【０１２０】
上述した実施形態では、マイクロ波発生部１６ａと波形発生器１０１とが分離している
例を説明したが、一つの装置として構成されていてもよい。また、演算装置１００ａが第
１パルス生成器１０２∼第４パルス生成器１０５を備える例を説明したが、これに限定さ
れない。例えば、パワー制御部１６２が第１パルス生成器１０２を備えてもよい。 30
【０１２１】
プラズマ処理装置がマイクロ波の進行波パワーを利用するモードのみ用いる場合、測定
部１６ｋは反射波を測定する構成を備えていなくてもよい。
【実施例】
【０１２２】
以下、本開示の効果を説明するシミュレーション結果を説明する。
［進行波パワーの波形］
マイクロ波のパワーがパルス変調された場合の波形をシミュレーションにより確認した
。
（比較例１） 40
比較例１は、単一周波数ピークを有するマイクロ波がパルス変調された波形である。シ
ミュレーションの条件は以下のとおりである。
Ｈｉｇｈレベルの設定パワー：２５００Ｗ
Ｈｉｇｈレベルの波形 ：ＳＰ波形
Ｌｏｗレベルの設定パワー ：１０００Ｗ
Ｌｏｗレベルの波形 ：ＳＰ波形
設定周波数 ：２４６０ＭＨｚ
設定パルス周波数 ：２０ｋＨｚ
設定デューティ比 ：１０％，５０％，９０％
結果を図１３に示す。 50
 (21) JP 6910320 B2 2021.7.28

【０１２３】
図１３は、比較例１（単一周波数ピークを有するマイクロ波）における、時間と進行波
パワーとの関係を、デューティ比ごとにシミュレーションした結果である。図１３の（Ａ
）はデューティ比が１０％のときの波形である。図１３の（Ｂ）はデューティ比が５０％
のときの波形である。図１３の（Ｃ）はデューティ比が５０％のときの波形である。図１
３の（Ａ）∼（Ｃ）に示されるように、単一周波数ピークを有するマイクロ波をパルス変
調した場合、デューティ比にかかわらず、Ｈｉｇｈ区間及びＬｏｗ区間を明確に区別でき
ることが確認された。
【０１２４】
（比較例２） 10
比較例２は、広帯域周波数を有するマイクロ波がパルス変調された波形である。シミュ
レーションの条件は以下のとおりである。
Ｈｉｇｈレベルの設定パワー：２５００Ｗ
Ｈｉｇｈレベルの波形 ：ＢＢ波形
Ｌｏｗレベルの設定パワー ：５００Ｗ，１０００Ｗ，２０００Ｗ
Ｌｏｗレベルの波形 ：ＢＢ波形
設定周波数 ：２４６０ＭＨｚ
設定帯域幅 ：１０Ｍｚ
設定パルス周波数 ：２０ｋＨｚ
設定デューティ比 ：５０％ 20
結果を図１４に示す。
【０１２５】
図１４は、比較例２（広帯域周波数を有するマイクロ波）における、進行波パワーと時
間との関係を、Ｌｏｗパワーごとにシミュレーションした結果である。図１４の（Ａ）は
Ｌｏｗレベルの設定パワーが５００Ｗのときの波形である。図１４の（Ｂ）はＬｏｗレベ
ルの設定パワーが１０００Ｗのときの波形である。図１４の（Ｃ）はＬｏｗレベルの設定
パワーが２０００Ｗのときの波形である。図１４の（Ａ）∼（Ｃ）に示される矩形信号は
、同期信号ＰＳＳ−Ｍである。図１４の（Ａ）∼（Ｃ）に示されるように、広帯域周波数
を有するマイクロ波をパルス変調した場合、Ｈｉｇｈ区間とＬｏｗ区間との境界が不明確
であることが確認された。特に、Ｌｏｗレベルの設定パワーが大きくなるほど境界が不明 30
確になることが確認された。
【０１２６】
（比較例３）
比較例３は、広帯域周波数を有するマイクロ波がパルス変調された波形である。シミュ
レーションの条件は以下のとおりである。
Ｈｉｇｈレベルの設定パワー：２５００Ｗ
Ｈｉｇｈレベルの波形 ：ＢＢ波形
Ｌｏｗレベルの設定パワー ：１０００Ｗ
Ｌｏｗレベルの波形 ：ＢＢ波形
設定周波数 ：２４６０ＭＨｚ 40
設定帯域幅 ：１０Ｍｚ
設定パルス周波数 ：２０ｋＨｚ
設定デューティ比 ：１０％，５０％，９０％
結果を図１５に示す。
【０１２７】
図１５は、比較例３（広帯域周波数を有するマイクロ波）における、進行波パワーと時
間との関係を、デューティ比ごとにシミュレーションした結果である。図１５の（Ａ）は
デューティ比が１０％のときの波形である。図１５の（Ｂ）はデューティ比が５０％のと
きの波形である。図１５の（Ｃ）はデューティ比が９０％のときの波形である。図１５の
（Ａ）∼（Ｃ）に示される矩形信号は、同期信号ＰＳＳ−Ｍである。図１５の（Ａ）∼（ 50
 (22) JP 6910320 B2 2021.7.28

Ｃ）に示されるように、広帯域周波数を有するマイクロ波をパルス変調した場合、Ｈｉｇ
ｈ区間とＬｏｗ区間との境界が不明確であることが確認された。特に、デューティ比が大
きくなるほど境界が不明確になることが確認された。
【０１２８】
（実施例１）
実施例１は、広帯域周波数を有するマイクロ波と単一周波数ピークを有するマイクロ波
とが交互に出現し、かつ、パルス変調された波形である。シミュレーションの条件は以下
のとおりである。
Ｌｏｗレベルの波形 ：ＳＰ波形
その他の条件は、比較例２と同一である。結果を図１６に示す。 10
【０１２９】
図１６は、実施例１（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波）
における、進行波パワーと時間との関係を、Ｌｏｗパワーごとにシミュレーションした結
果である。図１６の（Ａ）はＬｏｗレベルの設定パワーが５００Ｗのときの波形である。
図１６の（Ｂ）はＬｏｗレベルの設定パワーが１０００Ｗのときの波形である。図１６の
（Ｃ）はＬｏｗレベルの設定パワーが２０００Ｗのときの波形である。図１６の（Ａ）∼
（Ｃ）に示される矩形信号は、同期信号ＰＳＳ−Ｍである。図１６の（Ａ）∼（Ｃ）に示
されるように、広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波をパルス変
調した場合、Ｌｏｗレベルの設定パワーにかかわらず、Ｈｉｇｈ区間及びＬｏｗ区間を明
確に区別できることが確認された。また、実施例１は、比較例２と比べて、パルス変調さ 20
れたマイクロ波のパルス周波数及びデューティ比をモニタしやすいことが確認された。
【０１３０】
（実施例２）
実施例２は、広帯域周波数を有するマイクロ波と単一周波数ピークを有するマイクロ波
とが交互に出現し、かつ、パルス変調された波形である。シミュレーションの条件は以下
のとおりである。
Ｌｏｗレベルの波形 ：ＳＰ波形
その他の条件は、比較例３と同一である。結果を図１７に示す。
【０１３１】
図１７は、実施例２（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波） 30
における、進行波パワーと時間との関係を、デューティ比ごとにシミュレーションした結
果である。図１７の（Ａ）はデューティ比が１０％のときの波形である。図１７の（Ｂ）
はデューティ比が５０％のときの波形である。図１７の（Ｃ）はデューティ比が９０％の
ときの波形である。図１７の（Ａ）∼（Ｃ）に示される矩形信号は、同期信号ＰＳＳ−Ｍ
である。図１７の（Ａ）∼（Ｃ）に示されるように、広帯域周波数及び単一周波数ピーク
を交互に有するマイクロ波をパルス変調した場合、設定デューティ比にかかわらず、Ｈｉ
ｇｈ区間及びＬｏｗ区間を明確に区別できることが確認された。また、実施例２は、比較
例３と比べて、パルス変調されたマイクロ波のパルス周波数及びデューティ比をモニタし
やすいことが確認された。
【０１３２】 40
（実施例３）
実施例３は、広帯域周波数を有するマイクロ波と単一周波数ピークを有するマイクロ波
とが交互に出現し、かつ、パルス変調された波形である。シミュレーションの条件は、以
下のとおりである。
Ｈｉｇｈレベルの波形 ：ＳＰ波形
Ｌｏｗレベルの波形 ：ＢＢ波形
その他の条件は、比較例２と同一である。結果を図１８に示す。
【０１３３】
図１８は、実施例３（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波）
における、進行波パワーと時間との関係を、Ｌｏｗパワーごとにシミュレーションした結 50
 (23) JP 6910320 B2 2021.7.28

果である。図１８の（Ａ）はＬｏｗレベルの設定パワーが５００Ｗのときの波形である。
図１８の（Ｂ）はＬｏｗレベルの設定パワーが１０００Ｗのときの波形である。図１８の
（Ｃ）はＬｏｗレベルの設定パワーが２０００Ｗのときの波形である。図１８の（Ａ）∼
（Ｃ）に示される矩形信号は、同期信号ＰＳＳ−Ｍである。図１８の（Ａ）∼（Ｃ）に示
されるように、広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波をパルス変
調した場合、Ｌｏｗレベルの設定パワーにかかわらず、Ｈｉｇｈ区間及びＬｏｗ区間を明
確に区別できることが確認された。また、実施例３は、比較例２と比べて、パルス変調さ
れたマイクロ波のパルス周波数及びデューティ比をモニタしやすいことが確認された。
【０１３４】
（実施例４） 10
実施例４は、広帯域周波数を有するマイクロ波と単一周波数ピークを有するマイクロ波
とが交互に出現し、かつ、パルス変調された波形である。シミュレーションの条件は以下
のとおりである。
Ｈｉｇｈレベルの波形 ：ＳＰ波形
Ｌｏｗレベルの波形 ：ＢＢ波形
その他の条件は、比較例３と同一である。結果を図１９に示す。
【０１３５】
図１９は、実施例４（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波）
における、進行波パワーと時間との関係を、デューティ比ごとにシミュレーションした結
果である。図１９の（Ａ）はデューティ比が１０％のときの波形である。図１９の（Ｂ） 20
はデューティ比が５０％のときの波形である。図１９の（Ｃ）はデューティ比が９０％の
ときの波形である。図１９の（Ａ）∼（Ｃ）に示される矩形信号は、同期信号ＰＳＳ−Ｍ
である。図１９の（Ａ）∼（Ｃ）に示されるように、広帯域周波数及び単一周波数ピーク
を交互に有するマイクロ波をパルス変調した場合、設定デューティ比にかかわらず、Ｈｉ
ｇｈ区間及びＬｏｗ区間を明確に区別できることが確認された。また、実施例４は、比較
例３と比べて、パルス変調されたマイクロ波のパルス周波数及びデューティ比をモニタし
やすいことが確認された。
【０１３６】
［測定誤差］
測定制御部の測定誤差と判定回数との関係をシミュレーションした。 30
（比較例４）
比較例４は、広帯域周波数を有するマイクロ波がパルス変調された波形である。マイク
ロ波を検出し、測定誤差を確認した。式（１）を用いて周波数精度を算出した。式（２）
を用いてデューティ比誤差を算出した。周波数精度及びデューティ比誤差から最大誤差を
算出した。シミュレーションの条件は以下のとおりである。
Ｈｉｇｈレベルの設定パワー：２５００Ｗ
Ｈｉｇｈレベルの波形 ：ＢＢ波形
Ｌｏｗレベルの設定パワー ：１０００Ｗ
Ｌｏｗレベルの波形 ：ＢＢ波形
設定周波数 ：２４６０ＭＨｚ 40
設定パルス周波数 ：２０ｋＨｚ
設定デューティ比 ：５０％
第１上限閾値，第１下限閾値：２５００Ｗ＋１０Ｗ，２５００Ｗ−１０Ｗ
第２上限閾値，第２下限閾値：１０００Ｗ＋１０Ｗ，１０００Ｗ−１０Ｗ
移動平均時間 ：０∼７μｓ
判定回数 ：１∼４回
結果を図２０に示す。
以下、判定回数を用いたパワーのＨｉｇｈレベルとＬｏｗレベルの判定について説明す
る。図７における進行波パワーのデータＰｆ（ｔ）において、Ｐｆ（ｔ）が第１上限閾値
と第１下限閾値との間に判定回数だけ連続で滞在した場合、進行波パワーはＨｉｇｈレベ 50
 (24) JP 6910320 B2 2021.7.28

ルであると判定される。つまり、判定回数が１回の場合には、第１上限閾値≧Ｐｆ（ｔ）
≧第１下限閾値を満たすときに、進行波パワーはＨｉｇｈレベルであると判定される。判
定回数が３回の場合には、第１上限閾値≧Ｐｆ（ｔ），Ｐｆ（ｔ−１），Ｐｆ（ｔ−２）
≧第１下限閾値を満たすときに、進行波パワーはＨｉｇｈレベルであると判定される。進
行波パワーがひとたびＨｉｇｈレベルであると判定された場合、Ｐｆ（ｔ）が第１上限閾
値と第１下限閾値との間から外れたとしても、進行波パワーがＬｏｗレベルであると判定
されるまでは、進行波パワーはＨｉｇｈレベルであるとの判定を継続する。また、図７に
おける進行波パワーのデータＰｆ（ｔ）のデータにおいて、Ｐｆ（ｔ）が第２上限閾値と
第２下限閾値との間に判定回数だけ連続で滞在した場合、進行波パワーはＬｏｗレベルで
あると判定される。つまり、判定回数が１回の場合には、第２上限閾値≧Ｐｆ（ｔ）≧第 10
２下限閾値を満たすときに、進行波パワーはＬｏｗレベルであると判定される。判定回数
が３回の場合には、第２上限閾値≧Ｐｆ（ｔ），Ｐｆ（ｔ−１），Ｐｆ（ｔ−２）≧第２
下限閾値を満たすときに、進行波パワーはＬｏｗレベルであると判定される。進行波パワ
ーがひとたびＬｏｗレベルであると判定された場合、Ｐｆ（ｔ）が第２上限閾値と第２下
限閾値との間から外れてたとしても、進行波パワーがＨｉｇｈレベルであると判定される
までは、進行波パワーはＬｏｗレベルであるとの判定を継続する。
【０１３７】
図２０は、比較例４（広帯域周波数を有するマイクロ波）のパルスモニタ精度をシミュ
レーションした結果である。図２０の（Ａ）は、判定回数と周波数精度との関係を移動平
均時間ごとに算出した結果である。図２０の（Ｂ）は、判定回数とデューティ比誤差との 20
関係を移動平均時間ごとに算出した結果である。図２０の（Ｃ）は、移動平均時間と誤差
（最大誤差）との関係を判定回数ごとに算出した結果である。図２０の（Ａ）∼（Ｃ）に
示されるように、広帯域周波数を有するマイクロ波の測定においては、判定回数及び移動
平均時間を変更しても十分な精度（例えば３％以下）を得ることが難しいことが確認され
た。
【０１３８】
（実施例５）
実施例５は、広帯域周波数を有するマイクロ波と単一周波数ピークを有するマイクロ波
とが交互に出現し、かつ、パルス変調された波形である。マイクロ波を検出し、測定誤差
を確認した。式（１）を用いて周波数精度を算出した。式（２）を用いてデューティ比誤 30
差を算出した。周波数精度及びデューティ比誤差から最大誤差を算出した。シミュレーシ
ョンの条件は以下のとおりである。
Ｌｏｗレベルの波形 ：ＳＰ波形
その他の条件は、比較例４と同一である。結果を図２１に示す。
【０１３９】
図２１は、実施例５（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波）
のパルスモニタ精度をシミュレーションした結果である。図２１の（Ａ）は、判定回数と
周波数精度との関係を移動平均時間ごとに算出した結果である。図２１の（Ｂ）は、判定
回数とデューティ比誤差との関係を移動平均時間ごとに算出した結果である。図２１の（
Ｃ）は、移動平均時間と誤差（最大誤差）との関係を判定回数ごとに算出した結果である 40
。図２１の（Ａ）∼（Ｃ）に示されるように、広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互
に有するマイクロ波の測定においては、判定回数は大きくするほど、移動平均時間は短く
するほど精度が向上する傾向にあることが確認された。そして、判定回数及び移動平均時
間を適切に選択することにより、十分な精度（例えば３％以下）となることが確認された
。例えば、移動平均時間を１．２μｓとし、判定回数を３回以上とすることで、３％以下
の誤差を実現できることが確認された。
【０１４０】
（実施例６）
実施例６は、広帯域周波数を有するマイクロ波と単一周波数ピークを有するマイクロ波
とが交互に出現し、かつ、パルス変調された波形である。マイクロ波を検出し、測定誤差 50
 (25) JP 6910320 B2 2021.7.28

を確認した。式（１）を用いて周波数精度を算出した。式（２）を用いてデューティ比誤
差を算出した。周波数精度及びデューティ比誤差から最大誤差を算出した。シミュレーシ
ョンの条件は以下のとおりである。
Ｈｉｇｈレベルの波形 ：ＳＰ波形
その他の条件は、比較例４と同一である。結果を図２２に示す。
【０１４１】
図２２は、実施例６（広帯域周波数及び単一周波数ピークを交互に有するマイクロ波）
のパルスモニタ精度をシミュレーションした結果である。図２２の（Ａ）は、判定回数と
周波数精度との関係を移動平均時間ごとに算出した結果である。図２２の（Ｂ）は、判定
回数とデューティ比誤差との関係を移動平均時間ごとに算出した結果である。図２２の（ 10
Ｃ）は、移動平均時間と誤差（最大誤差）との関係を判定回数ごとに算出した結果である
。図２２の（Ａ）∼（Ｃ）に示されるように、判定回数は大きくするほど、移動平均時間
は短くするほど精度が向上する傾向にあることが確認された。そして、判定回数及び移動
平均時間を適切に選択することにより、十分な精度（例えば３％以下）となることが確認
された。例えば、移動平均時間を１．２μｓとし、判定回数を３回以上とすることで、３
％以下の誤差を実現できることが確認された。
【符号の説明】
【０１４２】
１，１Ａ，１Ｂ…プラズマ処理装置、１２…チャンバ本体、１６…マイクロ波出力装置
、１６ａ…マイクロ波発生部、１６ｆ…第１の方向性結合器、１６ｈ…第２の方向性結合 20
器、１６ｋ…測定部、１６ｔ…出力部、１８…アンテナ、２０…誘電体窓、２６…チュー
ナ、２７…モード変換器、２８…同軸導波管、３０…スロット板、３２…誘電体板、３４
…冷却ジャケット、３８…ガス供給系、５８…高周波電源、６０…マッチングユニット、
１００…制御器、１０１…波形発生器、１０２…第１パルス生成器、１６２…パワー制御
部、１６３…減衰器、１６４…増幅器、１６５…増幅器、１６６…モード変換器。
【図１】 【図２】
 (26) JP 6910320 B2 2021.7.28

【図３】 【図４】

【図５】 【図６】
 (27) JP 6910320 B2 2021.7.28

【図７】 【図８】

【図９】 【図１０】
 (28) JP 6910320 B2 2021.7.28

【図１１】 【図１２】

【図１３】 【図１４】
 (29) JP 6910320 B2 2021.7.28

【図１５】 【図１６】

【図１７】 【図１８】
 (30) JP 6910320 B2 2021.7.28

【図１９】 【図２０】

【図２１】 【図２２】
 (31) JP 6910320 B2 2021.7.28

フロントページの続き

(72)発明者 花田 幸紀
宮城県黒川郡大和町テクノヒルズ１番 東京エレクトロン宮城株式会社内

審査官 中尾 太郎

(56)参考文献 特開平０６−２６７９００（ＪＰ，Ａ）
特開２００９−２４６０９１（ＪＰ，Ａ）
特開２０１２−１０９０８０（ＪＰ，Ａ） 10
特開２０１３−１７６０４０（ＪＰ，Ａ）
特開２０１６−０６６５９３（ＪＰ，Ａ）
特開２０１６−１０５４８９（ＪＰ，Ａ）
特開２０１８−０６７４１７（ＪＰ，Ａ）
米国特許第０６２００６５１（ＵＳ，Ｂ１）
国際公開第２０１６／１０４０９８（ＷＯ，Ａ１）

(58)調査した分野(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｈ １／４６
Ｃ２３Ｃ １６／５１１ 20
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５