基础知识总结

黑磷相关基本性质
磷的同素异形体，在室温下最稳定，与石墨结构类似，有四种晶体类型无定形，正交、菱
形、简单。层与层之间通过范德华作用力堆叠，层内通过共价键进行连接。每个黑磷原子
通过 sp3 杂化并与三个磷原子相连。
直接带隙半导体，且带隙在 0.3-2.0ev 之间可调，通常带隙宽度与黑磷的层数相关，
单层黑鳞的带隙可达 2.0ev，块状约为 0.3ev，同时在不同方向上施加应力也可改变带隙宽
度。
各向异性明显
在黑磷结构中的声子、光子和电子表现出高度的各向异性，线偏振光沿扶手椅方向的吸收
阈值比沿垂直于扶手椅方向的吸收阈值低。
单层黑磷具有非常高的迁移率，在室温下( 37 )，对于~10nm 厚度的器件，迁移率可以达到
1000 cm2 / V⋅s。

主要制备方法：高压法、机械球磨法、铋熔化法、汞回流法和矿化法

范德华异质结：即两种不同的材料通过分子间作用组合起来的异质结，

二维材料的基本性质：

比较热门的：过渡金属硫族化合物（TMD）、六方氮化硼、黑磷、

二维材料的自净机理：

晶体界面可以达到原子级平整，原因可能是两种晶体之间的亲和力大于警惕与污染

物的作用力，但在某些晶体中起作用
文献阅读
Observation of ballistic avalanche phenomena in nanoscale vertical InSe/BP heterostructures
南京大学 缪峰老师课题组 2019.03
摘要：在垂直结构的 In Se /黑磷( BP ) 5 - 9 异质结中观察到的弹道雪崩现象，并以此制备了
具有灵敏的中红外光探测( 4 μ m 波长)和具有陡峭亚阈值摆幅的碰撞电离晶体管的雪崩光电
探测器，器件具有较低的雪崩阈值( < 1 V )、较低的噪声系数和独特的密度谱形状。并对雪
崩机理进行了阐释。
器件结构：

器件主要由一个薄的 γ -菱形 In Se / BP 异质结构组成，连接在衬底上的底部和顶部金属电

极上。在测量过程中，我们将与 BP ( ~ 10 nm )相连的偏置电极定义为漏极，与 InSe (也有~
10nm)相连的接地电极定义为源极。
计算了垂直 vd-W 结的能带分布。在固定的背栅电压( Vbg )为 10 V 时，从 0 到- 2 V 的不同
偏压下的垂直能带弯曲。图 1d 中的红色、绿色和蓝色曲线分别表示在 0，- 1 和- 2 V 偏压
下计算的能带轮廓。随着反向偏压的增加，能带弯曲和电场显著增加，能带倾斜度大，使
得黑磷层中的载流子能够很快的获得足够的能量，进而发生雪崩击穿。
主要分析的器件性质：
输出特性曲线 在-4.3V 下发生击穿，并获得 3*10 的倍增因子

反向偏压下的电流噪声密度谱: 比传统雪崩的理论噪声更低且接近于 1/f 的理想曲线

不同漏源偏压下的转移特性曲线：

亚阈值区域分析：（有点看不懂）
雪崩机制解释：
弹道雪崩，每个初级载流子的碰撞次数均为一，一个空穴碰撞产生一个空穴电子对，电子
返回加速，空穴被收集，往复循环。

对于传统的雪崩机制，主要通过级联碰撞，由于会受到晶格散射，碰撞过程相对随机，并
伴随着额外噪声。但垂直结构的 In Se / BP 异质结没有晶格散射的干扰，同时电子和空穴的
电离碰撞过程相对固定，能够形成循环。

器件优势：
1、 ，由于器件在纳米尺度雪崩阈值电压低
2、 比传统雪崩的理论噪声更低
3、 阈值电压随温度变换，且温度系数为正，相比传统有着更好的性能。
加州大学伯克利分校的 James Bullock 等人 2018.10
基于黑磷薄层表面无悬挂键以及即使晶格不匹配也能制备异质结的优势，制备了基于黑磷
二硫化钼的异质结光电二极管，实现了室温下中红外波段 35%的外量子效率和 1.1*1010
HZ1/2 W-1 的高探测度.
器件结构

该器件由 b P / Mo S2 异质结构成，其中薄的(10 ~ 20nm) n 型 Mo S2 层作为电子选择接触

和 MWIR 窗口。孔通过后方的 Au 焊盘接触，同时作为 MWIR 背反射器。，MoS2 异质结提
供了与 bP 不对称的能带偏移，允许电子流向 MoS2 接触，同时阻止了空穴的流动。
模拟了在 x 轴与 y 轴方向上反射率随黑磷、光子能量和二硫化钼厚度的变化
原则上应尽量减小 bP 层的厚度，以降低由产生-复合引起的噪声，并提高载流子的提取效
率。然而，从光学角度来看，bP 层内的吸收应该是最大的，这对于非常薄的层来说是很小
的。
 Near-Infrared Photodetector Based on MoS2/Black Phosphorus Heterojunction
香港中文大学许建斌教授课题组 2016.03
制备了基于黑磷、二硫化钼的范德华异质结光电探测器，在可见光到近红外具有良好
的探测性能，器件可通过栅极电压进行电调谐，实现整流行为。相应探测器在 532nm
波长处的光响应度为 22.3A*W-1，在 1.55μm 处为 153.4 mA*W-1，室温下的比探测率在
λ = 532 nm 处有最大值 3.1 × 1011 Jones，而在 λ = 1550 nm 处有最大值 2.13 × 109 Jones。
器件结构：

I-V 特性曲线：

栅压调谐 I-V 曲线：

Asymmetric Contacts on Narrow-Bandgap Black
Phosphorus for Self-Driven Broadband Photodetectors
电子科技大学王显福教授团队 2023.09
提出了一种窄带隙黑磷(BP)的非对称接触结构，以实现自驱动宽带光电探测器。设计了
Cr/BP/WTe2 异质结构的能带结构，在 BP 通道的末端产生电位屏障，从而实现自驱动操作。
该器件在零偏压下， 532 和 1550 nm 光照下的响应度分别为 283 和 193 m A / W，对应的探
测率分别为 2.3 × 1011 和 1.2 × 1011 Jones。

器件结构示意图

器件能带示意图

由于 Cr 的功函数为 4.6ev 黑磷为 4.37ev WTe2 为 4.39ev，故在 Cr 与 BP 的界面处 bp 的能带

上偏，产生了肖特基势垒。但对于 WTe2 与 bp 界面由于功函数相近，几乎无能带弯曲，产
生了欧姆接触。
这个结构会产生单边内建电场，因而光生载流子产生时能够迅速被分开，实现了稳定的短
路电流，因而可用于光电探测。
所谓自驱动，是指在零偏压下光生载流子在内建电场的作用下自动被两极收集，产生电信
号，从而实现光电流探测。
在不同照明功率下短路电流的随漏源电压的变化

在 10.21nw 下短路电流达到最大值 3.3nA

同时由于 Cr 与 BP 界面间有着较大范围的耗尽区，因此暗电流的很小。
1550nm 下短路电流的时间分辨度

快速的光响应说明光电流是基于光生伏特效应产生的
通过验证自驱动光电流的光功率依赖性证实其原理为光生伏特效应。
理论上，光电流与入射光功率密度呈线性关系，数据与理论关系十分契合。

还计算了探测器的响应度、归一化探测率以及外量子效率说明器件的光电探测性能

在 532 和 1550 nm 光照下，响应度分别可达 283 和 193 m A / W。

在 532、808 和 1550 nm 波长处，对应的比探测率分别约为 2.3 × 1011、3.50 × 1010 和 1.2 ×
1011Jones。
在可见光区( λ = 532nm)的 EQE 为 67 %，而在 808 和 1550 nm 波长处的 EQEs 分别下降到 8
%和 15 %。
自驱动光电探测器在 198，248 和 298 K 下对 1550 nm 波长的时间分辨光电流
用于说明温度对于探测器时间分辨的影响

不同温度下响应度的变化

文章主要创新点：通过构建一种窄带隙黑磷(BP)的非对称接触结构，在黑磷两端建立内建
电场，利用光生伏特效应，实现光电探测器的自驱动
Waveguide-integrated self-powered van der Waals heterostructure photodetector with high
performance at telecom wavelength
西工大甘雪涛课题组 2022.3.20
结合 p 型黑磷( BP )和 n 型二硫化钼( MoS2 )，我们提出了一种集成在氮化硅光子平台上的
高性能范德瓦尔斯( vdWs )异质结构光电探测器，该探测器在 1527.4 nm 光照射下，在微弱
的非耦合功率下实现了超过 11.26 mA / W 的响应度、103mW - 1 的高 NPDR（归一化光暗电
流比）和 2.08 / 3.54 μ s 的快速响应时间
结构：

通过 AFM 对黑磷与 MoS2 的原子层厚度进行了测量

对每一步制备过程都进行了透射谱测试
BP、MoS2 和结区的拉曼光谱：

测试了器件在线性及对数尺度的 I-V 特性曲线以及在不同非耦合光功率下的 I - V 曲线

为啥要测对数尺度的 I-V 曲线呢？？

光电流随光功率的变化，及响应度
光的时间分辨响应特性
1 Hz 和 50 kHz 的波形发生器驱动下对波长为 1527.4 nm：

表明器件在宽频率范围内具有良好的稳定性和可重复性，能够探测快速变化的光信号

通过分析上升沿和下降沿的上升时间( τr )和下降时间( τf )可以得到响应速度 100 k Hz 下 τ

r / τ f 为 2.08 / 3.54 μ s，相比其他自供电探测器高出很多。
究其原因可能是
转移印刷法获得了较好的 BP/MoS2 界面特性，缺陷较少，降低了载流子在界面处的复合
波导集成增强了光与物质的相互作用以及本身异质结的强内建电场对载流子传输的促进作
用。

借鉴与启发：除了选择异质结的材料外，衬底的选择对探测器性能的改善也有很大帮助，
（氮化硅衬底的波导集成作用）
可以尝试不同的方法去改善 BP 与其他材料形成的异质结的质量，如文章中的转移印刷法，
提升了异质结的界面质量，因而获得了突出的探测性能。
Alhazmi, A., Alolaiyan, O., Alharbi, M., Alghamdi, S., Alsulami, A., Alamri, F., Albawardi,
S., Aljalham, G., Alsaggaf, S., Alhamdan, K., Amer, Moh. R., van der Waals Doping and
Room Temperature Resonant Tunneling Observed in Black Phosphorus/Germanium
Sulfide Transistors. Adv. Funct. Mater. 2022, 32, 2110251.
1. Shi, H. et al. Molecularly Engineered Black Phosphorus Heterostructures with Improved
Ambient Stability and Enhanced Charge Carrier Mobility. Adv. Mater. 33, 2105694 (2021).
Shi 等人核心是用 BP 和六氮杂苯并菲衍生物( BP / HATs )组成分子异质结构，去提高异质结
的环境稳定性和电荷传输性能。BP / HAT 片的环境稳定性提高了长达 21 d
HATs 大大延长了 BP / HATs 的散射时间，使 BP / HATNA 薄膜的载流子迁移率达到 97 ± 3
cm2 V-1 s - 1。