การทดลองที่8 เรื่อง การออกแบบวงจรไบอัสบีเจที

DESIGN OF BJT BIAS CIRCUITS

ผู้ทำาการทดลอง

วีรวัชช พันธนะสุวรรณ
ชื่อ – สกุล …………………...………………..………..………………… 65073718
รหัส …………...………………………..
001
กลุ่มเรียน …………………… เลขที่ ………………………...
6
16\ต.ค\66
วันที่ทำาการทดลอง …………………………………………..

อาจารย์ผู้รับรองการทดลอง ………….………………….
ผศ.เติมพงษ ศรีเทศ

ผู้ตรวจรายงานการทดลอง

วันที่ส่งรายงานการทดลอง …………………………………………..
คะแนนรายงานการทดลอง…………………………………………..
อาจารย์ผู้ตรวจรายงานการทดลอง ………..………….………….

EEG315 ปฏิบัติการอิเล็กทรอนิกส์ ปีการศึกษา 1/2563

 การทดลองที่ 8

การออกแบบวงจรไบอัสบีเจที
DESIGN OF BJT BIAS CIRCUITS

8.1 การออกแบบวงจรไบอัสบีเจที

8.1.1 จุดประสงค์การทดลอง
- เพื่อให้นักศึกษาสามารถออกแบบ ต่อและใช้งานวงจรบีเจทีในลักษณะต่างๆได้

8.1.2 เครื่องมือและเครื่องมือวัด
- ดิจิตอลมัลติมิเตอร์ จำานวน 1 เครื่อง
- แหล่งจ่ายไฟกระแสตรง จำานวน 1 เครื่อง

8.1.3 อุปกรณ์การทดลอง
- ตัวต้านทาน 300 W จำานวน 1 ตัว
- ตัวต้านทาน 1.2 kW จำานวน 1 ตัว
- ตัวต้านทาน 1.5 kW จำานวน 1 ตัว
- ตัวต้านทาน 3 kW จำานวน 1 ตัว
- ตัวต้านทาน 15 kW จำานวน 1 ตัว
- ตัวต้านทาน 100 kW จำานวน 1 ตัว
- ตัวต้านทานปรับค่าได้ 1 MW จำานวน 1 ตัว
- ทรานซิสเตอร์เบอร์ 2N3904 จำานวน 1 ตัว
- ทรานซิสเตอร์เบอร์ 2N4401 จำานวน 1 ตัว
- ตัวต้านทานอีกจำานวนหนึ่งโดยค่าความต้านทานขึ้นอยู่กับการออกแบบ

8.1.4 ทฤษฎีเบื้องต้น
วงจรการไบอัสทรานซิสเตอร์ที่จะทำาการออกแบบและทดลองในการทดลองนี้มีอยู่ด้วยกันสามวงจรคือ วงจรทรานซิสเตอร์
แบบป้อนกลับคอลเล็กเตอร์ วงจรทรานซิสเตอร์แบบไบอัสอิมิตเตอร์ และวงจรทรานซิสเตอร์แบบไบอัสแบ่งแรงดัน การออกแบบค่า
ของอุปกรณ์ต่างๆที่ต่ออยู่ในวงจรแตกต่างจากการวิเคราะห์หรือคำานวณกระแสและแรงดันที่เกิดขึ้นจากวงจรที่ก ำาหนดค่าต่างๆไว้แล้ว
สำาหรับการออกแบบนั้นค่าจุดทำางานของทรานซิสเตอร์จะเป็นค่าที่ถูกกำาหนด นั่นคือจุดคิวของกระแส ICQ และแรงดัน VCEQ จากนั้นจึง
คำานวณหาค่าความต้านทานที่ใช้ต่อวงจรเพื่อให้ได้ค่าที่กำาหนด เมื่อได้ค่าความต้านทานจากการคำานวณแล้ว จะพบว่าอาจไม่สามารถหา
ค่าความต้านทานดังกล่าวมาต่อในวงจรได้ จำาเป็นจะต้องเลือกค่าความต้านทานที่เป็นค่ามาตรฐาน ผลคือค่าความต้านทานที่ใช้ทำาให้ค่า
กระแส ICQ และแรงดัน VCEQ เปลี่ยนไปจากที่ทำาการออกแบบ และส่งผลอัตราการขยายและเสถียรภาพของวงจรที่จะลดลงจากที่
ออกแบบไว้
สำาหรับการออกแบบเพื่อกำาหนดจุดคิว สมการการคำานวณต่างๆได้สรุปไว้สำาหรับแต่ละวงจรดังแสดงด้านล่างนี้

วงจรทรานซิสเตอร์แบบป้อนกลับคอลเล็กเตอร์

V CC −V CEQ
RC =
I CQ
(8.1)

การทดลองที่ 8 การออกแบบวงจรไบอัสบีเจที 8-1

 V RB V CEQ −V BE V CEQ−V BE
R B= = =β
IB I CQ I CQ (8.2)
β

โดยมีข้อกำาหนดที่ต้องพิจารณาเพิ่มคือ
RB
เมื่อเพิ่ม β RC
จะลดเสถียรภาพวงจร (8.3)

วงจรทรานซิสเตอร์แบบไบอัสอิมิตเตอร์

VE
R E=
I CQ
(8.4)

V C =V CEQ +V E (8.5)

V RC V CC−V C
RC =
I CQ
=
I CQ
(8.6)
V RB V CC −V BE−V E V −V BE −V E
R B=
IB
=
I CQ
=β CC
I CQ ( ) (8.7)
β

โดยมีข้อกำาหนดที่ต้องพิจารณาเพิ่มคือ
RB
เมื่อเพิ่ม β RE
จะลดเสถียรภาพวงจร (8.8)

วงจรทรานซิสเตอร์แบบไบอัสแบ่งแรงดัน

V CC −V CEQ−V E
RC =
I CQ
(8.9)

VE
R E=
I CQ
(8.10)

β R E >10 R 2 (8.11)

R 2 V CC
V B=
R 1 +R 2
=V BE +V E (8.12)

โดยมีข้อกำาหนดที่ต้องพิจารณาเพิ่มคือ
R1∥R2
เมื่อเพิ่ม β RE
จะลดเสถียรภาพวงจร (8.13)

8-2 ปฏิบัติการอิเล็กทรอนิกส์ (Electronic Laboratory)

8.1.5 ขั้นตอนการทดลอง
8.1.5.1 วงจรทรานซิสเตอร์แบบป้อนกลับคอลเล็กเตอร์
(1) กำาหนดค่าจุดคิวที่ต้องการคือ ICQ = 5 mA และ VCEQ = 7.5 V โดยป้อน VCC = 15 V

(2) จากรูปที่ 8.1 วัดค่าความต้านทาน และบันทึกผลเพื่อใช้คำานวณ โดยทำาการคำานวณหาค่าความต้านทาน RB และ RC เพื่อ

ให้ได้ค่ากระแสและแรงดันตามที่กำาหนด และทำาการเลือกค่าความต้านทาน RC ที่เป็นค่ามาตรฐาน
VCC

RC
1MW
RF 1
ค่าจากการวัด VCC = .…...........................
15.02 V
ค่าจากการวัด RF2 = …...........................
&4.9 #
W
RB RF 2

2N3904
100kW

รูปที่ 8.1 วงจรทรานซิสเตอร์แบบป้อนกลับคอลเล็กเตอร์

1 .5h
ค่าจากการคำานวณ RB = ….......
204L W ค่าจากการคำานวณ RC = .….......
1.5
W ค่าความต้านทานมาตรฐาน RC ที่เลือกใช้ = …….... W

แสดงการคำานวณค่า RB และ RC
Boo

Vez - VzE
Post 5

V20
&o · 20CAR
2. เส..ส
· 7.5

(3) ต่อวงจรตามรูปที่ 8.1 ปรับแรงดันแหล่งจ่าย VCC = 15 V เลือกใช้ตัวต้านทานมาตรฐาน RC ที่ออกแบบในส่วนที่ 2 จาก

นัน้ ทำาการปรับค่าตัวต้านทาน RF1 จนกระทั่งได้ค่าแรงดัน VCE = 7.5 V

(4) ปิดแหล่งจ่ายไฟและถอดตัวต้านทาน RF1 และ RF2 เพื่อวัดค่าและบันทึกผลความต้านทานรวม ซึ่งมีค่าเท่ากับความ

ต้านทาน RB และทำาการเลือกค่าความต้านทาน RB ที่เป็นค่ามาตรฐาน
ค่าจากการวัด RB = RF1 + RF2 = …...........................# W
226 K W
ค่าความต้านทานมาตรฐาน RB ที่เลือกใช้ = …...........................
220

(5) นำาตัวต้านทานค่ามาตรฐาน RB ที่ได้จากส่วนที่ 4 ต่อกลับเข้าไปในวงจรในรูป 8.1 แทนที่ตัวต้านทาน RF1 และ RF2 และ
ทำาการวัดค่าแรงดัน VRC และ VCEQ และจากค่าที่ได้จากการวัด ทำาการคำานวณหาค่ากระแส ICQ และ IB รวมถึงค่าเบต้า และเปรียบ
เทียบกับค่าที่ได้นี้กับค่าที่ได้จากการคำานวณ
1.ระ
ค่าจากการวัด VRC = …........................... V ค่าจากการวัด VCEQ = .…...........................
7.ล
V น

ค่าจากการคำานวณ ICQ = VRC / RC = …...........................

ส.อน
A ค่าจากการคำานวณ
m
IB = (VCE – VBE)/ RB = …...................... A
&ไ M

ค่าจากการคำานวณ b = …...........................
163.23

ค่า IB มีความแตกต่าง = …...........................

&

0.12 U
ค่า ICQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …...........................
0.06 mA
ค่า VCEQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …...........................

การทดลองที่ 8 การออกแบบวงจรไบอัสบีเจที 8-3

แสดงการคำานวณค่า ICQ , IB และ b
เ
back. Via
· er
sovo 2205--2
· cosmet
เ

1.สน
·JIMA
-5.062A

(6) คำานวณหาค่าอัตราส่วน RB / bRC

(2N3904) ค่าอัตราส่วน RB / bRC = …...........................

(7) ทำาการทดลองเช่นเดียวกับที่ผ่านมา โดยใช้วงจรดังรูปที่ 8.1 แต่เปลี่ยนทรานซิสเตอร์เป็นเบอร์ 2N4401 และค่าจุดคิวที่

ต้องการเป็นค่าเดิมคือ ICQ = 5 mA และ VCEQ = 7.5 V โดยป้อน VCC = 15 V
ค่าจากการวัด RF2 = …........................... W ค่าจากการวัด VCC = .…........................... V
ค่าจากการคำานวณ RB = …........................... W ค่าจากการคำานวณ RC = …........................... W
ค่าความต้านทานมาตรฐาน RC ที่เลือกใช้ = …........................... W
แสดงการคำานวณค่า RB และ RC

ค่าจากการวัด RB = RF1 + RF2 = …........................... W ค่าความต้านทานมาตรฐาน RB ที่เลือกใช้ = …........................... W

ค่าจากการวัด VRC = …........................... V ค่าจากการวัด VCEQ = .…........................... V
ค่าจากการคำานวณ ICQ = VRC / RC = …........................... A ค่าจากการคำานวณ IB = (VCE – VBE)/ RB = …........................... A
ค่าจากการคำานวณ b = …...........................
แสดงการคำานวณค่า RB , RC , ICQ และ IB

8-4 ปฏิบัติการอิเล็กทรอนิกส์ (Electronic Laboratory)

 ค่า IB มีความแตกต่าง = …........................... (2N4401) ค่าอัตราส่วน RB / bRC = …...........................
ค่า ICQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …........................... ค่า VCEQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …...........................

(8) จากวงจรที่ต่ออยู่ด้วยทรานซิส เตอร์เบอร์ 2N4401 ค่ากระแส ICQ มีค่าเท่ากับ ….......................... ให้ทำาการเปลี่ย น

ทรานซิสเตอร์จากเบอร์ 2N4401 เป็น 2N3904 โดยยังคงใช้การไบอัสเดิม ซึ่งค่าเบต้าของทรานซิสเตอร์เบอร์ 2N3904 มีค่าน้อยกว่า
2N4401 ทำาการวัดค่า VRC และคำานวณหาค่ากระแส ICQ ว่ามีการเปลี่ยนแปลงอย่างไร
ค่าจากการวัด VRC = …........... V ค่าจากการคำานวณ ICQ = VRC / RC = …............ A ค่า ICQ มีความแตกต่าง = …....................
แสดงการคำานวณค่า ICQ

8.1.5.2 วงจรทรานซิสเตอร์แบบไบอัสอิมิตเตอร์
(1) กำาหนดค่าจุดคิวที่ต้องการคือ ICQ = 5 mA และ VCEQ = 7.5 V โดยป้อน VCC = 15 V
(2) จากรูปที่ 8.2 วัดค่าความต้านทาน และบันทึกผลเพื่อใช้ค ำานวณ โดยทำาการคำานวณหาค่าความต้านทาน RB RC และ RE
เพื่อให้ได้ค่ากระแสและแรงดันตามที่กำาหนด และทำาการเลือกค่าความต้านทาน RC และ RE ที่เป็นค่ามาตรฐาน
VCC

อบ
วส.
R1 1MW RC ค่าจากการวัด VCC = .…........................... V
ค่าจากการวัด RF2 = …........................... W
9.. % #
RB R2
2N3904
100kW
VE =0.1VCC
RE

รูปที่ 8.2 วงจรทรานซิสเตอร์แบบไบอัสอิมิตเตอร์

ค่าจากการคำานวณ RB = …...........................
ลอย W ค่าจากการคำานวณ RC = …...........................# W
1.

ค่าจากการคำานวณ VE = 0.1VCC = …........................... V

1. ส
ค่าจากการคำานวณ RE = …........................... W
ลอม

ค่าความต้านทานมาตรฐาน RC ที่เลือกใช้ = …........................W ค่าความต้านทานมาตรฐาน RE ที่เลือกใช้ = …....................... W

1. ↓ ลอบ

แสดงการคำานวณค่า RB RC และ RE
Eco
#ac RE:/ Poste
~> 30-&

~A · เรม/ มารวรร
เสะ

~
1.2 5 -&
~เธน N

การทดลองที่ 8 การออกแบบวงจรไบอัสบีเจที 8-5

 (3) ต่อวงจรตามรูปที่ 8.2 ปรับแรงดันแหล่งจ่าย VCC = 15 V เลือกใช้ตัวต้านทานมาตรฐาน RC และ RE ที่ออกแบบในส่วนที่
2 จากนั้นทำาการปรับค่าตัวต้านทาน RF1 จนกระทั่งได้ค่าแรงดัน VCE = 7.5 V

(4) ปิดแหล่งจ่ายไฟและถอดตัวต้านทาน RF1 และ RF2 เพื่อวัดค่าและบันทึกผลความต้านทานรวม ซึ่งมีค่าเท่ากับความ

ต้านทาน RB และทำาการเลือกค่าความต้านทาน RB ที่เป็นค่ามาตรฐาน
220
ค่าจากการวัด RB = RF1 + RF2 = …........................... W 220 K W
ค่าความต้านทานมาตรฐาน RB ที่เลือกใช้ = …...........................
·H

(5) นำาตัวต้านทานค่ามาตรฐาน RB ที่ได้จากส่วนที่ 4 ต่อกลับเข้าไปในวงจรในรูป 8.2 แทนที่ตัวต้านทาน RF1 และ RF2 และ
ทำาการวัดค่าแรงดัน VRC และ VCEQ และจากค่าที่ได้จากการวัด ทำาการคำานวณหาค่ากระแส ICQ และ IB รวมถึงค่าเบต้า และเปรียบ
เทียบกับค่าที่ได้นี้กับค่าที่ได้จากการคำานวณ

10.19
ค่าจากการวัด VRC = …........................... V 2.267
ค่าจากการวัด VCEQ = .…........................... V
ค่าจากการคำานวณ ICQ = …...........................
8.475 M
A ค่าจากการคำานวณ IB = …...................... A
9. 12 M

ค่าจากการคำานวณ b = …...........................
14 อ

lnA
ค่า IB มีความแตกต่าง = …...........................
2

0.475 m ค่า V
ค่า ICQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …........................... 5.2 ลบ
CEQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …...........................

แสดงการคำานวณค่า ICQ , IB และ b

↓!
pos
Seas #2 -
0.175
-
#A

7.12 MA
ht
·0.475

~- 114 ม

·7.12 MA

(6) คำานวณหาค่าอัตราส่วน RB / bRC

(2N3904) ค่าอัตราส่วน RB / bRE = …...........................

(7) ทำาการทดลองเช่นเดียวกับที่ผ่านมา โดยใช้วงจรดังรูปที่ 8.2 แต่เปลี่ยนทรานซิสเตอร์เป็นเบอร์ 2N4401 และค่าจุดคิวที่

ต้องการเป็นค่าเดิมคือ ICQ = 5 mA และ VCEQ = 7.5 V โดยป้อน VCC = 15 V

ค่าจากการวัด RF2 = …........................... W ค่าจากการวัด VCC = .…........................... V

ค่าจากการคำานวณ RB = …........................... W ค่าจากการคำานวณ RC = …........................... W
ค่าจากการคำานวณ VE = 0.1VCC = …........................... V ค่าจากการคำานวณ RE = …........................... W
ค่าความต้านทานมาตรฐาน RC ที่เลือกใช้ = …................ W ค่าความต้านทานมาตรฐาน RE ที่เลือกใช้ = …........................... W

8-6 ปฏิบัติการอิเล็กทรอนิกส์ (Electronic Laboratory)

นั
แสดงการคำานวณค่า RB , RC และ RE

ค่าจากการวัด RB = RF1 + RF2 = …........................... W ค่าความต้านทานมาตรฐาน RB ที่เลือกใช้ = …........................... W

ค่าจากการวัด VRC = …........................... V ค่าจากการวัด VCEQ = .…........................... V
ค่าจากการคำานวณ ICQ = …........................... A ค่าจากการคำานวณ IB = …...................... A
ค่าจากการคำานวณ b = …...........................
ค่า IB มีความแตกต่าง = …...........................
ค่า ICQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …........................... ค่า VCEQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …...........................
(2N4401) ค่าอัตราส่วน RB / bRE = …...........................
แสดงการคำานวณค่า ICQ , IB และ b

(8) จากวงจรที่ต่ออยู่ด้วยทรานซิส เตอร์เบอร์ 2N4401 ค่ากระแส ICQ มีค่าเท่ากับ ….......................... ให้ทำาการเปลี่ย น

ทรานซิสเตอร์จากเบอร์ 2N4401 เป็น 2N3904 โดยยังคงใช้การไบอัสเดิม ซึ่งค่าเบต้าของทรานซิสเตอร์เบอร์ 2N3904 มีค่าน้อยกว่า
2N4401 ทำาการวัดค่า VRC และคำานวณหาค่ากระแส ICQ ว่ามีการเปลี่ยนแปลงอย่างไร
ค่าจากการวัด VRC = …........... V ค่าจากการคำานวณ ICQ = VRC / RC = …............ A ค่า ICQ มีความแตกต่าง = …....................
แสดงการคำานวณค่า ICQ

การทดลองที่ 8 การออกแบบวงจรไบอัสบีเจที 8-7

 8.1.5.3 วงจรทรานซิสเตอร์แบบไบอัสแบ่งแรงดัน
(1) กำาหนดค่าจุดคิวที่ต้องการคือ ICQ = 5 mA และ VCEQ = 7.5 V โดยป้อน VCC = 15 V

(2) จากรูปที่ 8.3 วัดค่าความต้านทาน และบันทึกผลเพื่อใช้คำานวณ โดยทำาการคำานวณหาค่าความต้านทาน R1, R2, RC และ

RE เพื่อให้ได้ค่ากระแสและแรงดันตามที่กำาหนด และทำาการเลือกค่าความต้านทาน R1, R2, RC และ RE ที่เป็นค่ามาตรฐาน

VCC

I1
RC ค่าจากการวัด VCC = .…........................... V
15 . 02

R1 IC

2N3904
IB
I2 IE

R2 RE

รูปที่ 8.3 วงจรทรานซิสเตอร์แบบไบอัสอิมิตเตอร์

# W
ค่าจากการคำานวณ RC = …...........................
1.2

ค่าจากการคำานวณ VE = 0.1VCC = …...........................

1.ส
V ค่าจากการคำานวณ RE = …...........................
ลอบ
W

ค่าความต้านทานมาตรฐาน RC ที่เลือกใช้ = …........................W ค่าความต้านทานมาตรฐาน RE ที่เลือกใช้ = ….......................

1. #
ลอบ
W

แสดงการคำานวณค่า RC และ
-เ
RE
·30
R. .
Vas. t#ry -1. 2 for

(3) คำานวณหาค่า R1 และ R2 โดยการคำานวณมีความสัมพันธ์ของสมการที่ 8.11 และสมการที่ 8.12 ที่ต้องพิจารณา หากค่า

b = 150 และค่า RE ใช้ค่าความต้านทานมาตรฐานที่ได้จากส่วนที่ 2 จะสามารถคำานวณหาค่า R2 ได้ จากนั้นนำาค่าความต้านทาน R2
คำานวณหาค่าความต้านทาน R1
<4. ส
ค่าจากการคำานวณ R2 = …...........................
#
W ค่าความต้านทานมาตรฐาน R2 ที่เลือกใช้ = …...........................
2
W #

# # W
ค่าจากการคำานวณ R1 = …...........................
11. "
W ค่าความต้านทานมาตรฐาน R1 ที่เลือกใช้ = …...........................
12

แสดงการคำานวณค่า R1 และ R2

#1. /RCI BOR

22 เรอ เล ออ ญา -5 เอ R2

:10.6 #-e R2 < อ. นภา

8-8 ปฏิบัติการอิเล็กทรอนิกส์ (Electronic Laboratory)

รุ่
ปิ
 (4) ต่อวงจรตามรูปที่ 8.3 ปรับแรงดันแหล่งจ่าย VCC = 15 V เลือกใช้ตัวต้านทานมาตรฐาน R1, R2, RC และ RE ที่ออกแบบ
ในส่วนที่ 2 จากนั้นทำาการวัดค่าแรงดัน VRC และ VCEQ และจากค่าที่ได้จากการวัด ทำาการคำานวณหาค่ากระแส ICQ
ส.ส
ค่าจากการวัด VRC = …........................... V ค่าจากการวัด VCEQ = .…...........................
8.เส
V
4-
ค่าจากการคำานวณ ICQ = …........................... A -
ค่าจากการคำานวณ IB = …...................... A
ลม N

เร
ค่าจากการคำานวณ b = …...........................
แสดงการคำานวณค่า ICQ , IB และ b
Vor - V น
30 ↓ เธ
~

- -

Ja BonIBAIRE
·fol -ไ 2.1 ผล - 0.9
1.2 # ~

mt
/
1.7 ใน : แร มะเ ว เล
·4.58

7 SUNRA
#5.2.14 ส

120 2

(4) การวัดค่าแรงดัน VR1 และ VR2 และจากค่าที่ได้จากการวัด ทำาการคำานวณหาค่ากระแส I1 และ I2 โดยกระแสที่คำานวณได้

สามารถนำาไปหาค่า IB รวมถึงค่าเบต้าได้ และเปรียบเทียบกับค่าที่ได้นี้กับค่าที่ได้จากการคำานวณ
ค่าจากการวัด VR1 = …...........................
12. โ V ค่าจากการวัด VR2 = …...........................
2.08
V
ค่าจากการคำานวณ I1 = …...........................
1.ข M
A ค่าจากการคำานวณ I2 = …...........................M A
ว.

เร
ค่าจากการคำานวณ IB = …...........................
7ม /
A ค่าจากการคำานวณ b = …...........................
20 MA
ค่า IB มีความแตกต่าง = …...........................
ป
ค่า ICQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …........................... ค่า VCEQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …...........................
&

แสดงการคำานวณค่า I1 , I2 , IB และ b

เว.
<

18. 6 2
5 . + %8
Up
↳

I
5.0
โล อ. - %2
-4. somt
<

·
·
40 MUA

12 0.2
5000.00 my - 1.0 imA

~ เส
·20 MA

·1. oomt ·1.0 ↑ A

(5) คำานวณหาค่าอัตราส่วน R1 || R2 / bRE

(2N3904) ค่าอัตราส่วน R1 || R2 / bRE = …...........................
-ธ M

การทดลองที่ 8 การออกแบบวงจรไบอัสบีเจที 8-9

อั
ธี
น่
 (6) ทำาการทดลองเช่นเดียวกับที่ผ่านมา โดยใช้วงจรดังรูปที่ 8.3 แต่เปลี่ยนทรานซิสเตอร์เป็นเบอร์ 2N4401 และค่าจุดคิวที่
ต้องการเป็นค่าเดิมคือ ICQ = 5 mA และ VCEQ = 7.5 V โดยป้อน VCC = 15 V
ค่าจากการคำานวณ RC = …........................... W
ค่าจากการคำานวณ VE = 0.1VCC = …........................... V ค่าจากการคำานวณ RE = …........................... W
ค่าความต้านทานมาตรฐาน RC ที่เลือกใช้ = …........................W ค่าความต้านทานมาตรฐาน RE ที่เลือกใช้ = …....................... W
ค่าจากการคำานวณ R2 = …........................... W ค่าความต้านทานมาตรฐาน R2 ที่เลือกใช้ = …........................... W
ค่าจากการคำานวณ R1 = …........................... W ค่าความต้านทานมาตรฐาน R1 ที่เลือกใช้ = …........................... W
แสดงการคำานวณค่า RC , RE , R1 และ R2

ค่าจากการวัด VRC = …........................... V ค่าจากการวัด VCEQ = .…........................... V

ค่าจากการคำานวณ ICQ = …........................... A ค่าจากการคำานวณ IB = …...................... A
ค่าจากการคำานวณ b = …...........................
แสดงการคำานวณค่า ICQ , IB และ b

8-10 ปฏิบัติการอิเล็กทรอนิกส์ (Electronic Laboratory)

 %
ค่าจากการวัด VR1 = …........................... V ค่าจากการวัด VR2 = …........................... V
ค่าจากการคำานวณ I1 = …........................... A ค่าจากการคำานวณ I2 = …........................... A
ค่าจากการคำานวณ IB = …........................... A ค่าจากการคำานวณ b = …...........................
ค่า IB มีความแตกต่าง = …...........................
ค่า ICQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …........................... ค่า VCEQ มีความแตกต่างจากค่าที่กำาหนด = …...........................

(7) คำานวณหาค่าอัตราส่วน R1 || R2 / bRE

(2N4401) ค่าอัตราส่วน R1 || R2 / bRE = …...........................

8.1.6 คำาถามท้ายการทดลอง
วงจรทรานซิสเตอร์แบบป้อนกลับคอลเล็กเตอร์ และวงจรทรานซิสเตอร์แบบไบอัสอิมิตเตอร์ มีคุณสมบัติทางวงจร
อิเล็กทรอนิกส์แตกต่างกันอย่างไร?
วงจรทรานซิสเตอรแบบยอนกลับ คอลเล็กเตอรไปยังเบส มีความคงที่ตออุณหภูมิทําใหไบอัสคงที่และวงจรทรานซิสเตอรแบบไบอัสอิลิตเตอร

8.1.7 สรุปผลการทดลอง

จากการทดลองการออกแบบวงจรไบอัส BJT มีอยู 3 รูปแบบคือวงจรทรานซิสเตอรแบบยอนกลับคอลเล็กเตอรวงจร

ทรานซิสเตอรแบบไบอัสอิมิตเนอรและวงจรทรานซิสเตอรแบบไบอัสแบงแรงดันการออกแบบจุดทํางานจะถูกกําหนดไวแลว
คํานวณหาคาความตานทานที่ไวตอกับวงจรพบวาไมสามารถหาคาความตานทานได จึงจําเปนตองใชคาแรงดันที่เปนมาตรฐาน
และที่ไดมาคือ Vce และ Ic เปลี่ยนไปจากที่คํานวณ

8.1.8 วิจารณ์ผลการทดลอง
การทดลองและการคํานวณอาจจะมีการคลาดเคลื่อนเพราะ อุปกรณ หรือ ความชํานาญของผูทดลอง

การทดลองที่ 8 การออกแบบวงจรไบอัสบีเจที 8-11