РОБОТА 6.

1
ВИВЧЕННЯ ЗАЛЕЖНОСТІ ОПОРУ НАПІВПРОВІДНИКІВ ВІД
ТЕМПЕРАТУРИ ТА ВИЗНАЧЕННЯ ШИРИНИ ЗАБОРОНЕНОЇ ЗОНИ
Мета роботи: вивчити залежність опору напівпровідника від
температури і визначити параметри термістора – ширину забороненої зони,
температурний коефіцієнт опору, коефіцієнт температурної чутливості, сталу
часу.
Прилади та обладнання: термістор, міст постійного струму,
термометр, секундомір, термостат.
Як зазначалося раніше, з підвищенням температури електропровідність
напівпровідників різко зростає (за експоненціальним законом). Практично
при дослідженні температурної залежності провідності напівпровідників
зручно користуватися не електропровідністю, а просто опором
напівпровідника. Відповідно до формул (1) – (4) у вступній частині для
залежності опору напівпровідника від температури можна записати такі
вирази:
а) в області власної провідності
E
R  Ro  e ;
2 kT
(1)
б) в області домішкової провідності відповідно для напівпровідників
n- і р-типу:
Eп E р

Rn  R eo
n
2 kT
; (2) R p  R e 2 kT ,
o
p (3)

0 0
де R0, Rn , R p – умовні опори напівпровідника відповідного типу при
T .
Прилад, побудований на сильній залежності опору напівпровідника від
температури, називається термістором або терморезистором.
Термістором служить зразок, виготовлений із напівпровідникового
матеріалу і вміщений у балончик зі скла, кераміки чи металу (для запобігання
механічним пошкодженням). Невеликі габарити, мала маса, механічна
міцність і висока чутливість визначають широке практичне застосування
термісторів. Вони використовуються для реєстрації зміни температури
навколишнього середовища, вимірювання потужності електромагнітного
випромінювання тощо.
Область застосування кожного типу термістора визначається його
властивостями та параметрами.
У даній роботі термістор служить об’єктом дослідження, на якому
вивчається його температурна характеристика та визначаються його
параметри: коефіцієнт температурної чутливості В, ширина забороненої зони
Е, температурний коефіцієнт опору , час релаксації термістора .
1. Температурною характеристикою термістора називають
залежність опору напівпровідникового матеріалу термістора від температури.
Для власного напівпровідника вона має вигляд
 B
R  Ro e 2 kT
 Ro e ,
T
(4)
де
ΔΕ
B (5)
2k
Коефіцієнт температурної чутливості, який характеризує фізичні
властивості матеріалу термістора; Е – параметр, що називається шириною
забороненої зони напівпровідника. Ця величина є найбільш важливою
характеристикою електричних властивостей напівпровідника. Дійсно, щоб
перекинути електрон із верхнього рівня валентної зони на нижній рівень зони
провідності, за рахунок різних зовнішніх факторів (температури,
опромінення, сильних електричних полів тощо) витрачається енергія
активації, рівна ширині забороненої зони ΔЕ для власного напівпровідника.
2. Коефіцієнт температурної чутливості В визначає, як швидко
зменшується опір напівпровідника при підвищенні його температури.
Згідно з (4)
1
lnR  lnRo + B  ,
T
а отже, В визначає нахил температурної характеристики, зображеної
1
графічно в координатах x  , y  lnR .
T
Коефіцієнт В може бути визначений з даних щодо вимірювання опору
термістора при будь-яких двох температурах Т1 і Т2:
B B

R1  Ro e ,
T1
R2  Ro e .T2
(6)
При почленному діленні першого з виразів (6) на другий і
логарифмуванні результату, знаходимо:

lnR2  lnR1 (7)

B
1 1

T2 T1

Знаючи В, визначимо ширину забороненої зони напівпровідника

Е = 2 кВ (8)
 3. Температурний коефіцієнт опору матеріалу  чисельно дорівнює
відносній зміні опору при зміні температури на один кельвін.
Тобто за визначенням
1 dR
 .
R dT
Враховуючи (4), знаходимо
1 B 
B
B
    2 R0 e    2
T
(9)
R T  T
4. Стала часу  (час релаксації) визначається як проміжок часу, після
закінчення якого температура термістора при його охолодженні в спокійному
повітрі зменшується на 63% від різниці температур термістора і
навколишнього середовища (це відповідає зменшенню різниці температур в е
разів). Стала часу характеризує теплову інерційність термістора.

Порядок виконання роботи

1. Збирають електричну схему містка Уітстона (рис.1), включаючи
термістор у коло містка.
2. Вміщують термістор у термостат на одному рівні з головкою
ртутного термометра.
3. Вимірюють опір термістора Rt при різних температурах, починаючи
від кімнатної до температури 80-900С (див. доповнення).
4. Заносять одержані значення температури t і опору Rt до таблиці,
враховуючи, що при l1=l2 Rt=R.
1
5. За даними таблиці будують графік залежності y = lnR від x  .
T
Проводять пряму лінію, намагаючись, щоб експериментальні точки
розташувалися приблизно симетрично по обидва боки від прямої (рис.2)
6. За двома довільними точками 1 і 2, максимально віддаленими на
графіку, визначають коефіцієнт температурної чутливості В за формулою:
Y2  Y1
B .
X 2  X1
7. Визначають ширину забороненої зони ΔΕ за формулою (8),
виражаючи її в електрон-вольтах:
k=1,3810 -23 Дж/К, 1 еВ = 1,610 -19 Дж.

8. Визначають температурний коефіцієнт опору при кімнатній

температурі:
B
  2 .
Tкімн
 9. Визначають сталу часу . Для цього попередньо при знятті
температурної характеристики вимірюють опір термістора при температурі tн
= tв - 0,63·(tв - tкімн.), де tв – максимальна температура, до якої мають намір
нагрівати термістор. Потім доводять температуру в термостаті до значення tв
і знову вимірюють опір. Після цього термістор швидко виймають із
термостата, вмикають секундомір і вимірюють час , за який опір термістора
зростає до значення, що відповідає температурі tн.
D y=lnR

y2 2
×
Rt R
× ×
G ×

y1 1 ×

a l1 l2 b ×
_ C x 1
+ T
x1 x2
Рис. 1 Рис. 2
1. Робоча таблиця до лабораторної роботи 6.1

№ Результати
п/п прямих Результати непрямих вимірювань.
вимірювань.
0
t, С R, Т, 1/Т, ln R B, K E, , , c
Oм К К 1
eB К 1

Доповнення. Місток Уітстона

На рис.1 зображена електрична схема містка Уітстона. R – опір, який
набирається на магазині опорів; Rt – опір напівпровідника; аb – реохорд.

Порядок вимірювання
1. Виставляють повзунок реохорда так, щоб l1= l2.
2. Змінюючи опір магазина R, досягають того, щоб струм через
гальванометр був відсутній, тобто I= 0. У цьому випадку

l1
Rt  R
l2
 Запитання для самоконтролю
1. Поясніть якісно механізм утворення енергетичних зон у твердому тілі.
2. Як відрізняються між собою зонна структура ізолятора, провідника,
напівпровідника?
3. Що таке “дірка” з точки зору зонної теорії?
4. Поясніть механізм власної і домішкової провідності напівпровідника.
5. Чим пояснюється різний хід температурної залежності електропровідності
(опору) металів і напівпровідників?
6. Поясніть фізичний зміст енергії Е і параметрів термістора В, , . Як
вони знаходяться експериментально?
7. Назвіть основні області застосування термісторів.