‫درس ساخت قطعات نیمههادی ‪1‬‬

‫الیه نشانی‬
‫‪Film Deposition‬‬

‫دکتر وحید غفاری نیا‬

‫ترم پائیز ‪1402‬‬

 Application of Deposition

FEOL Depositions:
Si3N4
SiO2
Poly-Si
Ni/Ti

BEOL Depositions:
Dielectric
Contact
Metal
Dielectric
Via
Metal
Dielectric
Via
Metal
⁞

2 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪TEM Cross-section of a Microprocessor‬‬
‫‪0.13 μm Technology Node‬‬
‫‪8 Layer Cu Metallization‬‬

‫‪3‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 ‫)‪Example of Layer Thicknesses (0.13 μm Tech.‬‬

‫‪4‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 ‫‪The Deposition Process‬‬

‫‪Source‬‬ ‫‪Source‬‬

‫‪Vapor/Solution‬‬ ‫‪Vapor/Solution‬‬

‫‪Substrate‬‬

‫‪5‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 Deposition Methods

• CVD • CSD (Sol-gel)

– APCVD
– LPCVD • Electroplating
– PECVD • Spin Coating
• ALD
• Dip Coating
• PVD
– Evaporation
• Thermal
• E-beam
– Sputtering
• MBE
6 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 Thin Film Properties

• Quality
– Composition
– Contamination Levels
– Defect Density
– Mechanical Properties
– Electrical Properties
• Thickness (Uniform)
• Step Coverage (Conformal)
• Filling (Good)
• Flatness (Planar)
7 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪Step Coverage‬‬

‫‪Nonplanar Topography‬‬

‫‪Conformal Step Coverage‬‬ ‫‪Poor Step Coverage‬‬

‫‪8‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 ‫)‪Filling (Gap/Trench/Via/Contact‬‬

‫‪Via‬‬ ‫‪Gap‬‬ ‫‪Contact/Trench‬‬

‫‪𝐻𝑒𝑖𝑔ℎ𝑡 𝑜𝑓 𝐹𝑒𝑎𝑡𝑢𝑟𝑒 ℎ‬‬

‫‪Aspect Ratio:‬‬ ‫= 𝑅𝐴‬ ‫=‬
‫𝑤 𝑒𝑟𝑢𝑡𝑎𝑒𝐹 𝑓𝑜 ‪𝑊𝑖𝑑𝑡ℎ‬‬

‫‪9‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 Chemical Vapor Deposition (CVD)
RF Induction Coils
Quartz Reaction Chamber Cold Wall
Reactor
Silicon Wafers
Vent

Graphite Susceptor
SiCl4 Hot Zone
HCl
H2+B2H6 H2
H2+PH3
Ar • Carrier Gas
H2 • Diluent Gas
• Purge Gas
• Dopant Gas

10 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 CVD Principal Process Steps
Transport of reactants by forced
1
convection to the deposition region

Transport of reactants by diffusion

2
through the boundary layer
1 7 Adsorption of reactants
Gas Stream 3
on the wafer surface
2 6 Surface Processes: Decomposition,
Boundary 4
Reaction, Migration
Layer
3 4 5 Desorption of byproducts
5
Wafer from the surface
Susceptor Transport of byproducts by diffusion
6
through the boundary layer

Transport of byproducts by forced

7
convection away from the deposition region

11 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 Gas-Solid Interaction in CVD Reactor
Boundary Layer
Gas Stream

CG

Boundary CS
Layer
F1 F2

Gas Silicon

Flux of reactant species from the gas phase to the wafer surface

Flux of reactant consumed by the reaction at the wafer surface

12 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 Mass Transfer Process

𝜕𝐶 ∆𝐶 𝐶𝑆 − 𝐶𝐺
Boundary Layer 𝐹1 = −𝐷𝐺 ≈ −𝐷𝐺 = −𝐷𝐺
𝜕𝑥 ∆𝑥 𝛿𝑆
δS
𝐷𝐺
𝐹1 = ℎ𝐺 𝐶𝐺 − 𝐶𝑆 ℎ𝐺 =
𝛿𝑆
CG 𝑚𝑜𝑙𝑒𝑐𝑢𝑒𝑠
𝐹 Flux of reactants from gas to surface
𝑐𝑚2 𝑠
CS
𝛿𝑆 𝑐𝑚 Thickness of the boundary layer
F1
𝑐𝑚2
𝐷𝐺 Diffusion Coefficient
𝑠

𝑐𝑚
ℎ𝐺 Mass transfer coefficient
𝑠

13 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪The Diffusion-Reaction Model‬‬

‫𝑆𝐶 𝑆𝑘 = ‪𝐹2‬‬
‫𝑚𝑐‬
‫𝑆𝑘‬ ‫‪Surface reaction rate‬‬
‫𝑠‬

‫‪Steady State Deposition‬‬

‫𝐹 = ‪𝐹1 = 𝐹2‬‬

‫𝑆𝐶 𝑆𝑘 = 𝑆𝐶 ‪ℎ𝐺 𝐶𝐺 −‬‬ ‫→‬ ‫𝑆𝐶 𝐺‪ℎ𝐺 𝐶𝐺 = 𝑘𝑆 + ℎ‬‬

‫𝐺‪ℎ‬‬ ‫𝐺𝐶‬
‫= 𝑆𝐶‬ ‫𝐶‬ ‫= 𝑆𝐶‬
‫𝐺 𝐺‪𝑘𝑆 + ℎ‬‬ ‫𝑘‬
‫𝑆 ‪1+‬‬
‫𝐺‪ℎ‬‬

‫𝐺‪𝑘𝑆 ℎ‬‬
‫= 𝑆𝐶 𝑆𝑘 = 𝐹‬ ‫𝐺𝐶‬
‫𝐺‪𝑘𝑆 + ℎ‬‬
‫‪14‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 The Diffusion-Reaction Model

𝐹 𝑘𝑆 ℎ𝐺 𝐶𝐺 𝑘𝑆 ℎ𝐺 𝐶𝑇
𝑣= 𝑣= 𝑣= 𝑌
𝑁 𝑘𝑆 + ℎ𝐺 𝑁 𝑘𝑆 + ℎ𝐺 𝑁
𝑐𝑚
𝑣 Deposition Rate
𝑠
1
𝑁 Density of the deposited film
𝑐𝑚3

𝐶𝑇 = 𝐶𝐺1 + 𝐶𝐺2 + 𝐶𝐺3

Gas 1 𝐶𝐺1
𝑃𝐺1 = 𝑃 Partial Pressure
Gas 2 𝐶𝑇 𝑇

Gas 3
𝐶𝐺1 𝑃𝐺1
𝑌= = Mole Fraction
𝐶𝑇 𝑃𝑇

15 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪Gas Pressure Units‬‬

‫‪For an ideal Gas:‬‬ ‫𝑇𝐶𝑅 = 𝑃‬

‫𝑁‬
‫‪SI Unit:‬‬ ‫‪𝑃𝑎 = 2‬‬
‫𝑚‬

‫‪Non-SI Unit:‬‬ ‫𝑎𝑃 ‪𝑎𝑡𝑚 ≈ 𝑏𝑎𝑟 = 105‬‬

‫‪1‬‬
‫≡ 𝑟𝑟𝑜𝑇‬ ‫𝑎𝑃 ‪𝑎𝑡𝑚 ≈ 1 𝑚𝑚𝐻𝑔 ≅ 133‬‬
‫‪760‬‬
‫𝑓𝑏𝑙‬
‫𝑎𝑃 ‪𝑝𝑠𝑖 ≡ 2 ≅ 6.8 × 10−2 𝑎𝑡𝑚 ≅ 6.9 × 103‬‬
‫𝑛𝑖‬

‫‪32 psi=2.2 atm‬‬

‫‪16‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 ‫‪Example: Epitaxial Si Deposition by APCVD‬‬
‫)‪SiCl4 (g) + 2H2 (g) → Si (s) + 4 HCl (g‬‬

‫𝑚𝑐‬
‫‪ℎ𝐺 = 1‬‬ ‫𝑇𝐶 𝐺‪𝑘𝑆 ℎ‬‬
‫𝑠‬
‫=𝑣‬ ‫𝑌‬
‫𝑚𝑐‬ ‫𝑁 𝐺‪𝑘𝑆 + ℎ‬‬
‫‪𝑘𝑆 = 10‬‬
‫𝑠‬ ‫𝑚𝑐‬
‫× ‪𝑣 = 2.4‬‬ ‫‪10−7‬‬
‫‪𝑃𝐺 = 1 Torr‬‬ ‫𝑠‬
‫𝑚𝑛‬
‫‪𝑃𝑇 = 1 atm=760 Torr‬‬ ‫‪𝑣 = 140‬‬
‫𝑛𝑖𝑚‬
‫‪𝐶𝑇 = 1019 𝑐𝑚−3‬‬

‫‪𝑁 = 5 × 1022 𝑐𝑚−3‬‬

‫‪17‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 CVD Model: Two Limiting Cases

𝑘𝑆 ℎ𝐺 𝐶𝑇
𝑣= 𝑌
𝑘𝑆 + ℎ𝐺 𝑁

𝑘𝑆 ℎ𝐺 𝐶𝑇 𝐶𝑇
𝑘𝑆 ≪ ℎ𝐺 𝑣≅ 𝑌 𝑣 ≅ 𝑘𝑆 𝑌 Surface Reaction Controlled
ℎ𝐺 𝑁 𝑁

𝑘𝑆 ℎ𝐺 𝐶𝑇 𝐶𝑇
ℎ𝐺 ≪ 𝑘𝑆 𝑣≅ 𝑌 𝑣 ≅ ℎ𝐺 𝑌 Mass Transfer Controlled
𝑘𝑆 𝑁 𝑁
Gas Diffusion Controlled

18 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 CVD Model: The Effect of Temperature

𝑘𝑆 ℎ𝐺 𝐶𝑇 v: Deposition Rate
𝑣= 𝑌
𝑘𝑆 + ℎ𝐺 𝑁 Y: Molar Fraction
N: Film Density
CT: Total Gas Concentration
𝑘𝑆 = 𝑘0 𝑒𝑥𝑝 −𝐸𝑎 Τ𝑘𝑇 T ↑ → kS ↑ ↑ kS: Reaction Rate
hG: Mass Transfer Coeff.
Ea: Activation Energy
T ↑ → hG ↑
DG: Diffusivity
1 1 M: Molar Mass
1.858 × 10−3 𝑇 3/2 +
𝑀1 𝑀2 P: Gas Pressure
𝐷𝐺 =
𝑃𝜎 2 Ω σ: Mean Collision Diameter
𝐷𝐺 Ω: Collision Integral
ℎ𝐺 =
𝛿𝑆 μ: Gas Viscosity
𝜇𝑥 ρ: Gas Density
𝛿𝑆 =
𝜌𝑈 U: Gas Velocity

19 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪The Effect of Temperature‬‬

‫‪kS‬‬
‫‪hG‬‬

‫𝑣 𝑔𝑜𝑙‬

‫‪Mixed‬‬ ‫𝑇‪1/‬‬
‫𝑆𝑘 ≪ 𝐺‪ℎ‬‬ ‫𝐺‪𝑘𝑆 ≪ ℎ‬‬
‫‪Diffusion‬‬ ‫‪Reaction‬‬
‫‪Controlled‬‬ ‫‪Controlled‬‬

‫‪20‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 ‫)‪Deposition of Silicon (Experimental Data‬‬
‫)℃( 𝑇‬
‫‪1200‬‬ ‫‪1000‬‬ ‫‪900‬‬ ‫‪800‬‬ ‫‪700‬‬ ‫‪600‬‬
‫‪1‬‬

‫‪Growth‬‬
‫‪Rate‬‬
‫𝑚𝜇‬ ‫‪0.1‬‬
‫𝑛𝑖𝑚‬
‫𝑚𝑡𝑎 ‪𝑃𝑇 = 1‬‬

‫𝑟𝑟𝑜𝑇 ‪𝑃𝐺 = 0.8‬‬

‫‪SiCl4‬‬ ‫‪SiH4‬‬
‫‪SiH2Cl2‬‬
‫‪𝐷𝑖𝑙𝑢𝑒𝑛𝑡: 𝐻2‬‬
‫‪SiHCl3‬‬
‫‪0.01‬‬
‫‪𝐶𝑎𝑟𝑟𝑖𝑒𝑟: 𝐻2‬‬
‫‪0.6‬‬ ‫‪0.7‬‬ ‫‪0.9‬‬ ‫‪0.9‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1.1‬‬
‫‪1000‬‬ ‫‪1‬‬
‫𝑇‬ ‫𝐾‬
‫‪21‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 ‫‪A Comparison of Deposition Regimes‬‬

‫‪Diffusion‬‬ ‫‪Reaction‬‬
‫‪ • Controlled‬نرخ الیه نشانی باال‬ ‫‪Controlled‬‬ ‫• نرخ الیه نشانی پایین‬
‫• وابستگی کم به تغییرات دما‬ ‫• وابستگی زیاد به تغییرات دما‬
‫• فلوی گاز تعیین کننده است‬ ‫• واکنش سطحی تعیین کننده است‬

‫وابستگی زیاد به نحوه‬ ‫𝑣 𝑔𝑜𝑙‬ ‫وابستگی کم به نحوه‬

‫قرار گرفتن ویفرها‬ ‫قرار گرفتن ویفرها‬

‫𝑇‪1/‬‬

‫‪Wafer Placement‬‬ ‫‪Wafer Placement‬‬

‫‪22‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 ‫‪Variation of Boundary Layer by Position‬‬
‫𝐺𝐶 𝐺‪𝐹 = ℎ‬‬
‫‪Gas Stream‬‬

‫‪U‬‬

‫‪δS‬‬ ‫‪δS‬‬ ‫‪δS‬‬

‫‪x‬‬ ‫↓ 𝐺𝐶 ↓ 𝐺‪ℎ‬‬
‫𝐺𝐷‬
‫= 𝐺‪ℎ‬‬
‫𝑆𝛿‬
‫𝑥𝜇‬ ‫‪μ : Gas Viscosity‬‬
‫= )𝑥( 𝑆𝛿‬ ‫‪ρ : Gas Density‬‬
‫𝑈𝜌‬ ‫‪U : Gas Velocity‬‬

‫‪23‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 ‫‪The Effect of Pressure‬‬
‫‪P2 < P1‬‬
‫‪kS‬‬
‫↑ 𝐺𝐷 → ↓ 𝑃‬

‫↑ 𝑆𝛿 → ↓ 𝑃‬

‫𝑣 𝑔𝑜𝑙‬

‫↑ 𝐺‪𝑃 ↓ → ℎ‬‬

‫𝑇‪1/‬‬

‫𝐺𝐷‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫𝑥𝜇‬

‫‪1.858 × 10−3 𝑇 3/2‬‬ ‫‪+‬‬
‫= 𝐺‪ℎ‬‬ ‫‪𝑀1 𝑀2‬‬ ‫= )𝑥( 𝑆𝛿‬
‫𝑆𝛿‬ ‫= 𝐺𝐷‬ ‫𝑈𝜌‬
‫‪𝑃𝜎 2 Ω‬‬
‫‪24‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 Low Pressure CVD (LPCVD)
Temperature Gradient

Resistive Heating Elements

Silicon Wafers Exhaust
Scrubber
Trap

Hot Wall
Reactor Vacuum Pump
Gas Flow
Control and
Sequencer

High Throughput
Reaction Limited Regime
Uniform Deposition Source
Gases P: 0.25 – 2.0 torr
T: 300 – 900 oC
Compensation for the reactant depletion
25 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 Directional Transport at Low Pressures

Randomly Directed Diffusional Transport Line-of-sight Transport

Conformal Deposition Shadowing
26 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 Doping During Film Deposition

Arsine (AsH3) 𝐶 ∝ 𝑃𝑖
Phosphine (PH3) 𝑃𝑖
Diborane (B2H6) 𝐶∝
𝑣
Partial pressure of the doping gas

The actual relationship is

determined experimentally
for each particular reactor

27 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪Unwanted Doping‬‬

‫‪Outdiffusion‬‬ ‫‪Autodoping‬‬

‫‪Gas Stream‬‬

‫‪Deposited Film‬‬

‫‪Substrate‬‬

‫‪Susceptoer‬‬

‫‪28‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 ‫‪Outdiffusion Profile‬‬
‫‪Error Function Solution in an Infinite Medium‬‬

‫𝑥‬
‫‪Deposited Layer‬‬
‫‪𝑥=0‬‬
‫)𝑥(𝐶‬

‫‪Heavily Doped Substrate‬‬

‫‪𝐶0‬‬

‫‪𝐶0‬‬ ‫𝑥‬ ‫)𝑥(𝐶‬

‫= 𝑡 ‪𝐶 𝑥,‬‬ ‫𝑓𝑟𝑒 ‪1 −‬‬
‫‪2‬‬ ‫𝑡𝐷 ‪2‬‬

‫‪𝐶0‬‬ ‫𝑥‬
‫= 𝑡 ‪𝐶 𝑥,‬‬ ‫𝑐𝑓𝑟𝑒‬
‫‪2‬‬ ‫𝑡𝐷 ‪2‬‬
‫‪0‬‬ ‫𝑥‬

‫‪29‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 ‫‪The Profile of the Unwanted Doping‬‬

‫‪30‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 Plasma Enhanced CVD (PECVD)
T: 200 – 350 oC Parallel Plate Plasma Chamber
P: 0.05 – 5 torr RF Source
~ (13.56 MHz)

Electrode

Wafers
Electrode
Heater

Vacuum
System
Reactant gases
(Example: SiH4+O2)

31 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 High-Density Plasma CVD (HDPCVD)

• Provides very good filling also planarized and

void free films
• Is primarily used for SiO2 deposition
• Utilizes PECVD+Sputtering
– Substrate is biased for increased bombardment
• Very Low Pressures: 1 – 10 mtorr
• Lower Temperatures: below 150 oC
• Energy Sources
– Electron Cyclotron Resonance (ECR)
– Inductively Coupled Plasma (ICP)
32 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪CVD Systems‬‬

‫‪1000‬‬ ‫‪800-1100 oC‬‬

‫‪APCVD‬‬ ‫‪760 torr‬‬

‫‪100‬‬
‫‪200-350 oC‬‬
‫)‪Pressure (torr‬‬

‫‪10‬‬ ‫‪0.05 – 5 torr‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪300-900 oC‬‬

‫‪LPCVD‬‬ ‫‪0.25-2 torr‬‬

‫‪0.1‬‬ ‫‪PECVD‬‬

‫‪0.01‬‬
‫‪20-200 oC‬‬
‫‪HDPCVD‬‬ ‫‪0.001 – 0.01 torr‬‬
‫‪0.001‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪200‬‬ ‫‪400‬‬ ‫‪600‬‬ ‫‪800‬‬ ‫‪1000‬‬
‫)‪Temperature (oC‬‬
‫‪33‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 Deposition Methods

Material Equipment Typical Reactions

Epitaxial Si APCVD, LPCVD SiH4 → Si + 2H2

Poly Si LPCVD SiCl4 + 2H2 → Si + 4HCl

Si3N4 LPCVD, PECVD 3SiH4 + 3NH3 → Si3N4 + 12H2

APCVD, LPCVD
SiO2 SiH4 + O2 → SiO2 + 2H2
PECVD, HDPCVD

W LPCVD WF6 + H2 → W + 6HF

TiN CVD Ti + N2 → TiN

34 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪PVD vs. CVD‬‬

‫‪Target‬‬ ‫‪Source‬‬

‫‪Vapor‬‬ ‫‪Vapor‬‬

‫‪Condensation‬‬ ‫‪Reaction‬‬

‫‪Substrate‬‬

‫‪Target Molecule‬‬ ‫)‪Reactant (Precursor‬‬

‫‪35‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 ‫)‪Physical Vapor Deposition (PVD‬‬

‫‪• Evaporation‬‬
‫‪– Thermal‬‬
‫‪– E-beam‬‬
‫‪• Sputtering‬‬
‫‪– Plasma‬‬ ‫‪Energy‬‬

‫)‪Target (Solid‬‬

‫‪36‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 Evaporation PVD
Thermal Evaporation Electron-Beam Evaporation

Wafers Wafers

Electron Beam

Boat
B
Resistive
Element Crucible

High Current

Vacuum Vacuum
System P<10-5 torr System
37 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 PVD Deposition Rate
Low Pressure Equal Flux Surface

Little Scattering

Long MFP

Straight Transport
r
Uniform
Emission

Point Source
𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝 Evaporation Rate [atoms/s]

𝐹 Vapor Flux [atoms/cm2s] 𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝

𝐹=
Ω𝑟 2
𝑣 Deposition Rate [cm/s]
𝐹 𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝
𝑁 Film Density [atoms/cm3] 𝑣= =
𝑁 2𝜋𝑟 2 𝑁
Ω Emission Angle [radian]
38 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 PVD Deposition Rate
𝜃=0
𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝
𝑣= 0 < 𝜃 < 𝜋/2
𝜃=0 2𝜋𝑟 2 𝑁
𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝
𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝 𝑣= 𝑐𝑜𝑠𝜃
𝑣= 2𝜋𝑟 2 𝑁
2𝜋𝑟 2 𝑁

𝜃 𝜃 = 𝜋/2
r 𝑣=0
𝜃

Point Source

𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝 Evaporation Rate [atoms/s]

𝐹 Vapor Flux [atoms/cm2s] 𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝

𝐹= 𝑐𝑜𝑠𝜃
2𝜋𝑟 2
𝑣 Deposition Rate [cm/s]
𝐹 𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝
𝑁 Film Density [atoms/cm3] 𝑣= = 𝑐𝑜𝑠𝜃
𝑁 2𝜋𝑟 2 𝑁
Ω Emission Angle [radian]
39 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪Deposition Rate‬‬

‫𝑣‬

‫‪𝑥=0‬‬ ‫‪𝑥2‬‬ ‫‪𝑥3‬‬

‫‪Substrate‬‬
‫‪𝜃2‬‬ ‫‪𝜃3‬‬
‫𝑝𝑎𝑣𝑒𝑅‬
‫=𝑣‬ ‫𝜃𝑠𝑜𝑐‬
‫𝑁 ‪2𝜋𝑟 2‬‬
‫‪r1=h‬‬ ‫‪r2‬‬ ‫‪r3‬‬
‫‪𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝 ℎ/𝑟 𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝 ℎ‬‬
‫=𝑣‬ ‫=‬
‫‪2𝜋𝑁 𝑟 2‬‬ ‫‪2𝜋𝑁 𝑟 3‬‬
‫𝑝𝑎𝑣𝑒𝑅‬ ‫‪ℎ‬‬
‫=𝑣‬
‫‪2𝜋𝑁 ℎ2 + 𝑥 2‬‬ ‫‪3/2‬‬ ‫‪Point Source‬‬

‫‪40‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 Evaporation from a Small Surface Source

Substrate

𝜃𝑘

𝜃𝑖

Small Surface
Source

𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝
𝑣 = 2 𝑐𝑜𝑠 𝑛 𝜃𝑖 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑘
𝜋𝑟 𝑁
Small Surface
Source
𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝
𝑛=1 → 𝑣= 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑘 Ideal cosine emission
𝜋𝑟 2 𝑁
41 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪PVD Evaporation System‬‬
‫‪Spherical Holder‬‬ ‫‪Rotating Planetaries for uniform deposition‬‬

‫‪42‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 Evaporation Rate

Langmuir-Knudsen Theory

𝑚 2
𝑅𝑒𝑣𝑎𝑝 = 5.83 × 10−2 𝐴𝑠 𝑃𝑒
𝑇

Revap Evaporation Rate [g/s]

As Source Area [cm2]
m Gram-Molecular Mass [g]
T Temperature [K]
Pe Vapor Pressure [torr]

43 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪Vapor Pressure of Common Metals‬‬
‫‪100‬‬
‫‪Ni‬‬
‫‪Na‬‬ ‫‪Ag‬‬
‫‪10-1‬‬
‫)‪Vapor Pressure (Torr‬‬

‫‪10-2‬‬
‫‪Pt‬‬
‫‪Al‬‬
‫‪10-3‬‬

‫‪In‬‬
‫‪10-4‬‬
‫‪Ti‬‬
‫‪Mo‬‬ ‫‪W‬‬
‫‪10-5‬‬

‫‪10-6‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪500‬‬ ‫‪1000‬‬ ‫‪1500‬‬ ‫‪2000‬‬ ‫‪2500‬‬ ‫‪3000‬‬
‫)‪Temperature (oC‬‬
‫‪44‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 Advantages and Disadvantages of PVD

• Advantages
– Little damage caused to the wafer
– The deposited films are very pure
• Disadvantages
– Low vapor pressure of some materials
– Imprecise control of alloy composition
– No in-situ precleaning method
– Poor step coverage

45 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 Gas-Solid Interaction in PVD
Constituent Atoms/Molecules

Gas Phase
Reaction

Surface Reemission
Gas Phase Adsorption Surface
Collision Diffusion

Surface
Reaction

Substrate

46 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪Sticking Coefficient‬‬
‫‪Adsorption‬‬

‫‪Desorption‬‬
‫𝑑𝑒𝑡𝑐𝑎𝑒𝑟𝐹‬
‫= 𝐶𝑆‬
‫𝑡𝑛𝑒𝑑𝑖𝑐𝑛𝑖𝐹‬

‫‪SC ≈ 1‬‬ ‫‪SC << 1‬‬

‫‪47‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 Parallel Plate Sputtering System for PVD

Cathode (-)
Metal target
1) Electric fields + 2) High-energy Ar+ions
+ +
create Ar+ ions. collide with metal target.
+ +
e-
Gas delivery
e- e-
Argon atoms
3) Metallic atoms are
dislodged from target. Exhaust
Plasma

6) Excess matter is removed

Electric field from chamber by a vacuum
4) Metal atoms migrate toward substrate. pump.

DC diode sputterer
5) Metal deposits on substrate

Substrate
Anode (+)

P: 1-100 mtorr
48 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬
 ‫‪The Deposition Pressure‬‬

‫‪PECVD‬‬

‫‪PVD Sputtering‬‬

‫‪PVD-Evap‬‬ ‫‪HDPCVD‬‬ ‫‪LPCVD‬‬ ‫‪APCVD‬‬

‫‪10-6‬‬ ‫‪10-5‬‬ ‫‪10-4‬‬ ‫‪10-3‬‬ ‫‪10-2‬‬ ‫‪10-1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪102‬‬ ‫‪103‬‬
‫)‪Pressure (Torr‬‬

‫‪49‬‬ ‫دانشگاه صنعتی اصفهان ‪ -‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک ‪ -‬درس ساخت قطعات نیمههادی ‪ - 1‬ترم پاییز ‪ -1402‬وحید غفاری نیا‬
 Deposition Methods

Material Equipment Typical Reactions

Epitaxial Si APCVD, LPCVD SiH4 → Si + 2H2
Poly Si LPCVD SiCl4 + 2H2 → Si + 4HCl
Si3N4 LPCVD, PECVD 3SiH4 + 3NH3 → Si3N4 + 12H2
APCVD, LPCVD
SiO2 SiH4 + O2 → SiO2 + 2H2
PECVD, HDPCVD
Al Sputter Deposition
Ti and Ti-W Sputter Deposition
W LPCVD WF6 + H2 → W + 6HF
TiSi2 Sputter Deposition Ti + 2Si → TiSi2
TiN CVD Ti + N2 → TiN
Cu Electroplating Cu2+ + 2e- → Cu

50 ‫ وحید غفاری نیا‬-1402 ‫ ترم پاییز‬- 1 ‫ درس ساخت قطعات نیمههادی‬- ‫ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – گروه الکترونیک‬- ‫دانشگاه صنعتی اصفهان‬