‫بررسی پیوندگاه ‪p-n‬‬

‫پوریا بختیاری ‪99201035‬‬

‫دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف‬

‫چکیده‬
‫هدف در این آزمایش محاسبه جریان اشباع در بایاس معکوس نیمه هادی و سپس آزمایش وابستگی دمایی شکاف‬
‫انرژی این نیمه هادی ها و بدست آوردن ثابت دمایی و در آخر محاسبه ظرفیت خازن پیوندگاه این نیمه هادی و رابطه‬
‫ظرفیت با بایاس معکوس نیمه هادی ها ‪.‬‬

‫واژه های کلیدی‪:‬ظرفیت خازن ‪ ,‬دمای نیمه هادی‬

‫‪-1‬مقدمه‬
‫اصل این گزارشکار در مورد فیزیک نیمه هادی ها و دیود ها بوده و اثرات مختصه های مختلف بر مشخصه های دیود به همین‬
‫منظور در قسمت اول آزمایش تاثیر جریان های گذرنده از دیود در حالت بایاس مستفیم مورد نظر قرار گرفته است و پیدا کردن‬
‫منحنی مشخصه و پیدا کردن مقدار ضریب کیفیت در حالت مربوطه مورد نظر بوده در قسمت دوم آزمایش تاثیر دماهای مختلف‬
‫بر ولتاژ دو سر دیود در حالت بایاس مستفیم مورد آزمایش قرار گرفته است و در قسمت آخر مقدار ظرفیت موسومی به پیوندگاه‬
‫دیود و رابطه آن با ولتاژ سر دیود در حالت بایاس معکوس بوده ‪.‬در ابتدا معرفی کوتاهی در مورد پیوند نوع ‪p‬و نوع ‪n‬دیود‬
‫ذکر شده سپس روابط مورد نظر استخراج شده و سپس در بخش بعدی به ستاپ آزمایش خواهیم پرداخت و اعداد بدست آمده را‬
‫از آزمایش تحلیل خواهد شد و در آخر نتیجه بدست آمده و خطاهای مربوط به ‪ 3‬قسمت این آزمایش مورد بررسی قرار خواهد‬
‫گرفت ‪.‬‬

‫‪-1/1‬معرفی‬
‫نیمهرسانا یا نیمرسانا یا نیمههادی ‪ 1‬عنصری است که رسانایی الکتریکی آن‪ ،‬چیزی بین رسانا (مانند مس) و عایق الکتریکی‬
‫(مانند شیشه) باشد‪ .‬مقاومت الکتریکی نیمهرسانا برخالف فلزات‪ ،‬با افزایش دما کاهش مییابد‪ .‬رسانایی این مواد را میتوان با‬
‫افزایش دقیق و کنترلشده ناخالصیها تغییر داد‪ ،‬که به این فرایند‪ ،‬دوپینگ یا آالیش گفته میشود‪.‬‬

‫‪Semiconductor1‬‬

‫دیود ‪1‬قطعهای الکترونیکی است که دو سر دارد‪ ،‬و جریان الکتریکی را در یک جهت از خود عبور میدهد (در این حالت‪،‬‬
‫مقاومت دیود ناچیز است) و در جهت دیگر‪ ،‬در مقابل گذر جریان مقاومت بسیار باالیی (در حالت ایدهآل‪ ،‬بینهایت) از خود‬
‫نشان میدهد‪ .‬این خاصیت دیود‪ ،‬باعث شده بود تا در سالهای اولیه ساخت این قطعه الکترونیکی‪ ،‬به آن «دریچه» نیز اطالق‬
‫شود‪.‬پایهای که به نیمه هادی ‪ N‬متصل است «کاتُد» و به پایهای که به نیمهرسانا نوع ‪ P‬متصل است «آنُد» گفته میشود‪ .‬دیود‪،‬‬
‫اولین قطعه تولید شده با نیمهرساناها است‪ .‬دیودها به دلیل ویژگیهایی که دارند‪ ،‬در صنعت الکترونیک برای بسیاری از‬
‫کاربردهای یکسوسازی دیودی به کار میروند‪ .‬این دیودها در کاربردهای جهش برای جلوگیری از اشباع ترانزیستور نیز‬
‫استفاده میشوند‪ .‬دیود ‪ ،‬با عنوان ‪ TTL‬شاتکی در دستگاههای دیجیتال نیز مورد استفاده قرار میگیرد‪ ،‬زیرا این دستگاهها به‬
‫سوئیچینگ سریع نیاز دارند‪ .‬دیود شاتکی‪ ،‬قطعه مهمی در کامپیوترهای دیجیتال است‪.‬‬
 ‫شکل(‪:)1‬شکل دیود‬
‫اگر ترمینال منفی باتری یا منبع به فلز و ترمینال مثبت به نیمههادی وصل شود‪ ،‬دیود بایاس معکوس میشود‪ .‬اگر بایاس معکوس‬
‫را به دیود اعمال کنیم‪ ،‬پهنای ناحیه تهی افزایش مییابد‪ .‬بنابراین‪ ،‬در این حالت‪ ،‬جریان متوقف میشود و در صفحه فلزی‪ ،‬تعداد‬
‫الکترون های برانگیخته بیشتری وجود دارد‪ .‬به همین دلیل‪ ،‬مقدار کمی جریان نشتی وجود خواهد داشت‪ .‬وقتی ولتاژ بایاس‬
‫معکوس دیود زیاد شود‪ ،‬جریان نیز به دلیل سد ضعیف افزایش مییابد‪ .‬وقتی یک افزایش غیرعادی در در ولتاژ بایاس معکوس‬
‫رخ دهد‪ ،‬جریان الکتریکی به صورت ناگهانی افزایش خواهد یافت و وقتی ناحیه تهی بشکند‪ ،‬قطعه آسیب میبیند‪.‬مشخصه ولتاژ‬
‫– جریان دیود شاتکی‪ ،‬در شکل زیر نشان داده شده است‪.‬‬

‫‪DIODE-1‬‬
‫‪Clamping-2‬‬
‫‪ .‬در نمودار شکل زیر‪ ،‬محور افقی‪ ،‬ولتاژ اعمالی به دیود و محور عمودی‪ ،‬جریان گذرنده از آن را نشان میدهد‪.‬‬
 ‫شکل(‪:)2‬منحنی مشخصه دیود‬

‫که معادله منحنی مشخه دیود برای بایاس مستقیم بصورت زیر است‪:‬‬
‫‪ev‬‬
‫(‪I = 𝐼0 (eηkT − 1) )1‬‬

‫‪ e‬با برابر بارالكترون‪1.602 *10^(-19) :‬‬

‫‪ :η‬ثابت ماده‬
‫‪: K‬ثابت بولتزمن و برابر با)‪ 1.38*10^(-23‬ژول بر کلوین‬
‫‪ : T‬دماي برحسب كلوین‬
‫‪ : V‬ولتاژ برحسب ولت‬
‫در صورت تغییر دما روابط دیود بدلیل ‪ev>>kT‬است بصورت زیر قابل نوشتن خواهد بود ‪:‬‬

‫(‪)2‬‬
‫که از این ‪ 2‬رابطه نتیجه خواهد شد ‪:‬‬
‫‪LnI=LnK+mLnT+e(v0-vGO)/ηKT‬‬
‫که با دیفرانسیل گیری و مرتب کردن بر اساس ‪VGO‬بصورت زیر خواهد بود‪:‬‬
 ‫(‪)3‬‬

‫که از رابطه (‪ )3‬ولتاژ شکاف دیود قابل محاسبه خواهد بود ‪.‬‬
‫حال اگر دیود را به صورت زیر که ‪ CD‬و ‪GD‬خازن پیوندگاه و ادمیتانس نشـتي مربـوط بــــه دیــــود آزمــــایش اســــت به‬
‫مدار متصل کنیم ‪:‬‬

‫شکل(‪:)3‬آزمایش سوم‬

‫‪ 2‬ولتاژ خروجی ‪V1‬و‪( V2‬ولتاژ های پیک تو پیک اسیلوسکوپ)با ‪ 2‬فرکانس مختلف ‪ 1‬و ‪ 2‬از اسیلسکوپ دریافت خواهیم‬
‫کرد که ‪1>2‬است به همین منظور از رابطه های ‪CRO‬میتوان استفاده کرد ‪:‬‬

‫(‪)4‬‬
 ‫‪ 1.2‬وسایل آزمایش‬

‫شکل (‪)4‬وسایل آزمایش‬

‫برای آزمایش اول وسوم برای اندازه گیری ولتاژ و جریان به اسیلوسکوپ(مخصوصا آزمایش سوم بدلیل اینکه برای فرکانس‬
‫های مختلف ولتاژ پیک تو پیک باید اندازه گیری شود ) نیاز است و در قسمت های بعد برای تعیین تاثیر دما بر ولتاژ دیود نیاز‬
‫به یک کوره برای تغییر دما خواهیم داشت ‪.‬‬

‫‪ 4/1‬نحوه آزمایش‬
‫آزمایش اول ‪ :‬تعیین جریان اشباع معكوس ‪ Io‬و ثابت ‪. ‬‬
‫دیود را بصورت بایاس مستقیم به دستگاه وصل کرده ورابطه بایاس مستقیم با رابطه (‪)1‬مشخص میشود و درصورتی که مقدار‬
‫‪v0e>>kT‬باشدبه فرم زیر قابل تبدیل است ‪:‬‬
‫‪ev‬‬
‫) ‪I = 𝐼0 (eηkT‬‬
‫که با گرفتن لگاریتم طبیعی به فرم زیر قابل نمایش خواهد بود ‪:‬‬

‫)‪)5‬‬

‫در اینجا اگر نمودار ‪ LnI‬برحسب ‪ V‬رسم شود با استفاده از شیب نمـودار مـیتـوان ‪ ‬و بـا اسـتفاده از عـرض از مبـداء میتوان‬
‫‪Io‬را محاسبه كرد‪ .‬بدین منظور دیود ‪ BC107B‬كه ‪ Si‬است انتخاب شده است و آن را به دستگاه مطابق شـكل متصـل كنید‪.‬‬
‫سپس كلیدهاي سمت راست دستگاه را در حالت ‪ Junction‬و ‪ CURRENT‬قرار دهید‪ .‬اكنون جریان را بوسیله پـیچ تنظیم‬
‫حداكثر تا )‪ (10 mA‬باال برده وجریان اعمالي و ولتاژهاي ایجاد شـده را از روي نمایشـگرهاي دسـتگاه خوانـده و در جدول‬
‫شماره ( ‪ )1‬یادداشت شده است و از روي دادهها‪ ،‬نمودار ولتاژ پیوندگاه را بر حسب ‪ LnI‬مربوطه در شکل (‪)4‬رسم شده است ‪.‬‬

‫آزمایش دوم ‪:‬تعیین ثابت دمایي ولتاژ پیوندگاه و شكاف انرژي‬

‫در این قسمت كوره و دیود ‪ (Si) (Junction Emitter-Base) 107B BC‬را به دستگاه متصل كنید‪ .‬دیود را داخل كوره‬
‫قرار دهید و جریان رو به جلو ثابتي در حد ‪ mA 1‬براي آن انتخاب شده است ‪ .‬اكنون انتخابگر ‪ 1‬را روي حالت ‪ TEMP‬قرار‬
‫دهید و به كمك پیچ مربوطه دماي كوره را از دماي اتاق تا دماي ‪ K 360‬تغییر خواهد کرد و از روي نمایشـگرهاي دسـتگاه‬
‫درجـه حـرارت كوره و ولتاژ را هر ‪ 5‬دقیقه در جدول شماره (‪)2‬یادداشت شده است و نمودار آن در شکل (‪)5‬قابل مشاهده است‬
‫‪.‬‬
 ‫آزمایش ‪: 3‬مطالعه خازن پیوندگاه و تغییراتش نسبت به ولتاژ بایاس معكوس‬
‫در اینجا از دیـود بـا شناسـه ‪ (Si) 5408 1N‬استفاده میكنیم‪ .‬دیود مورد نظر در محل اتصال مربوطه بر روي دستگاه قرار‬
‫گرفته اسـت‪ .‬توجه‪ :‬سیم اضافي با دیود بـهكـار برده نشود‪ .‬هدف بررسي دیود در فركانسهاي كاري مختلف براي اندازهگیري‬
‫ظرفیت خازني پیوندگاه است و بدین منظور از یك اسیلوسكوپ استفاده میكنیم‪ .‬در این حالت انتخابگر سمت چپ دستگاه را در‬
‫حالت ‪ BIAS‬قرار دهید و رابـط ‪ CRO‬را براي اندازهگیري ولتاژهاي ورودي و خروجي در بایاس مشخص و فركانس‬
‫مشخص به اسیلوسكوپ وصل كنید ‪.‬اساس آزمایش مطابق مدار نمایش داده شده در شكل‪ 6‬میباشد‪ .‬در اینجا ‪ CD‬و ‪GD‬خازن‬
‫پیوندگاه و ادمیتانس نشـتي مربـوط بــــه دیــــود آزمــــایش اســــت ‪،.V‬ســــیگنال ورودي اعمــــالي توســــط دســــتگاه كــــه در‬
‫هــــر دو حالــــت ‪= 2 =20 kHz , 1=5kHz‬داراي مقدار یكساني است‪ .‬با اعمال ولتاژهـاي بایـاس مختلـف كـه در اینجـا‬
‫از مقدار صفر تامنفی ده ولت تغییر میدهیم‪ ،‬مقدارهاي ولتاژهاي خروجي ‪(V1‬ولتاژ پیك تـا پیـك بـراي فركـانس ‪ 5‬کیلوهرتز)‬
‫‪)V2‬ولتاژ پیك تا پیك براي فركانس ‪20‬کیلوهرتز( را در جـدول (‪)3‬یادداشت شده است ‪.‬و از رابطه (‪)4‬مقدار ظرفیت خازن‬
‫موسومی به پیوندگاه ‪ p-n‬قابل محاسبه خواهد بود و متغیر های معرفی شده بصورت زیر خواهد بود ‪:‬‬

‫که باعث خواهد شد رابطه )‪) 4‬به رابطه زیر تبدیل شود ‪:‬‬

‫(‪)6‬‬

‫‪2‬داده ها و آنالیز داده ها‬

‫آزمایش اول‪:‬‬
‫داده های خواسته شده برای آزمایش اول ‪I‬و)‪ Ln(I‬و‪V‬بوده است که بصورت زیر است ‪:‬‬
‫جدول شماره(‪:)1‬جدول جریان ولگاریتم جریان و ولتاژ ‪ 2‬سر دیود‬

‫جریان مستقیم (‪() I‬آمپر)‬ ‫‪Ln I‬‬ ‫ولتاژ ‪ 2‬سر دیود (‪()V‬ولت)‬
‫‪0.1‬‬ ‫‪-2.3026‬‬ ‫‪0.516‬‬
‫‪0.2‬‬ ‫‪-1.6094‬‬ ‫‪0.561‬‬
‫‪0.4‬‬ ‫‪-0.9163‬‬ ‫‪0.596‬‬
‫‪0.7‬‬ ‫‪-0.3567‬‬ ‫‪0.625‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0.645‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪0.6931‬‬ ‫‪0.693‬‬
‫‪4‬‬ ‫‪1.3863‬‬ ‫‪0.748‬‬
‫‪7‬‬ ‫‪1.9459‬‬ ‫‪0.789‬‬
‫‪10‬‬ ‫‪2.3026‬‬ ‫‪0.812‬‬
 ‫که نمودار لگاریتم جریان بر حسب ولتاژ بصورت زیر بوده ‪:‬‬

‫شکل(‪: )5‬نمودار لگاریتم جریان بر حسب ولتاژ‬

‫که معادله نمودار فیت شده بصورت زیر خواهد بود ‪:‬‬

‫‪Ln(I)=15.4223*V-10.1289‬‬ ‫)‪(7‬‬

‫آزمایش دوم ‪:‬‬

‫در این قسمت آزمایش ولتاژ ‪2‬سر دیود برحسب دما بصورت زیر خواهد بود ‪:‬‬
‫جدول شماره (‪:)2‬تغییرات ولتاژ وابسته به دما‬

‫دما(کلوین)‬ ‫ولتاژ ‪ 2‬سر دیود(ولت)‬

‫‪360‬‬ ‫‪0.538‬‬
‫‪347‬‬ ‫‪0.560‬‬
‫‪339‬‬ ‫‪0.573‬‬
‫‪331‬‬ ‫‪0.583‬‬
 ‫‪326‬‬ ‫‪0.592‬‬
‫‪321‬‬ ‫‪0.605‬‬
‫‪319‬‬ ‫‪0.609‬‬
‫‪316‬‬ ‫‪0.615‬‬
‫‪310‬‬ ‫‪0.624‬‬
‫‪305‬‬ ‫‪0.633‬‬
‫‪298‬‬ ‫‪0.644‬‬

‫که نمودار ولتاژ برحسب دما بصورت زیر خواهد بود ‪:‬‬

‫شکل(‪:)6‬نمودار ولتاژ برحسب دما‬

‫که نمودار فیت شده بصورت زیر بوده‪:‬‬
‫‪V=-0.0017*T+1.1625‬‬ ‫)‪(8‬‬

‫آزمایش سوم‪:‬‬

‫جدول شماره (‪:)3‬ظرفیت خازن پیوندگاه و ولتاژ های بایاس و ولتاژ های متناوب‬
‫ولتاژ بایاس(ولت)‬ ‫ولتاژ‪( 1‬میلی ولت)‬ ‫ولتاژ‪( 2‬میلی ولت)‬ ‫ظفیت خازن‬
‫‪5‬کیلوهرتز‬ ‫‪ 20‬کیلو هرتز‬ ‫پیوندگاه(پیکوفاراد)‬
 ‫‪0.0‬‬ ‫‪0.0‬‬ ‫‪0.0‬‬ ‫‪0‬‬
‫‪-0.5‬‬ ‫‪26‬‬ ‫‪100‬‬ ‫‪48.2804‬‬
‫‪-1.0‬‬ ‫‪22‬‬ ‫‪88‬‬ ‫‪42.6028‬‬
‫‪-2.0‬‬ ‫‪18‬‬ ‫‪72‬‬ ‫‪34.8569‬‬
‫‪-3.0‬‬ ‫‪16‬‬ ‫‪64‬‬ ‫‪30.9839‬‬
‫‪-4.0‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪60‬‬ ‫‪29.0474‬‬
‫‪-5.0‬‬ ‫‪14‬‬ ‫‪56‬‬ ‫‪27.1109‬‬
‫‪-7.0‬‬ ‫‪12‬‬ ‫‪50‬‬ ‫‪24.2693‬‬
‫‪-10.0‬‬ ‫‪11‬‬ ‫‪44‬‬ ‫‪21.3014‬‬

‫شکل(‪:)7‬نمودار ظرفیت پیوندگاه بر ولتاژ بایاس‬

 ‫‪ 2.1‬خواسته های آزمایش‬

‫آزمایش اول ‪:‬‬

‫که براساس رابطه (‪)2‬و رابطه (‪)7‬عرض از مبدا لگاریم جریان اشباع معکوس خواهد بود پس مقدار ‪I0‬برابر ‪0.0000399‬‬
‫آمپر خواهد بود ومقدار شیب ضرب مقدار بار الکترون در ولتاژ تقسیم بر مخرج(ثابت ماده *ثابت بولتزمن*دما)خواهد بود از‬
‫اینجا مقدار ثابت ماده مورد نظر قابل محاسبه خواهد بود ‪:‬‬

‫‪η=1.602*10^(-19)/1.38*10^(-23)*300*15.4223=2.5091‬‬

‫آزمایش دوم ‪:‬‬

‫طبق رابطه ************ورابطه(‪)8‬شیب مهم بوده و شکاف انرژی قابل محاسبه است که برای ‪ 3‬دمای ‪360‬و ‪347‬و‪339‬‬
‫درجه کلوین بصورت زیر است ‪:‬‬
‫‪VG0(360)= 0.538-360*(-0.0017)-1.5*2*1.38*10^(-23)*360/1.602*10^(-19)=1.0710‬‬
‫‪VG0(347)= 0.560-347*(-0.0017)-1.5*2*1.38*10^(-23)*347/1.602*10^(-19)=1.0738‬‬
‫‪VG0(339)= 0.573-339*(-0.0017)-1.5*2*1.38*10^(-23)*339/1.602*10^(-19)=1.0749‬‬

‫‪:‬در قسمت قبل جواب داده شده است ‪.‬‬ ‫آزمایش سوم‬

‫‪ 3‬محاسبات خطا و نتیجه گیری‬

‫‪ 1/3‬خطا ها‬
‫آزمایش اول‪:‬‬
‫خطای استاندارد (انحراف معیار)ولتاژ و جریان‪:‬‬
‫مقدار خطای استاندارد ولتاژ ‪ 0.5297‬ولت بوده و انحراف معیار لگاریتم جریان ‪ 0.0342‬بوده ‪.‬‬
‫خطای پروپگتور‪ :‬از رابطه مستقیم ولتاژ و لگاریتم جریان میتوان نتیجه گرفت که مقدار این خطا مقدار خطای ولتاژ در ضریب‬
‫ولتاژ در معادله (‪)2‬که با خطای نسبی دیفرانسیلی برابر است ‪.‬‬
‫خطای نسبی دیفرانسیلی ‪:‬‬
 ‫آزمایش دوم‪:‬‬
‫خطای استاندارد دما و ولتاژ‪:‬‬
‫خطای استاندارد دما ‪5.5826‬کلوین و خطای استاندارد داده های ‪ 0.0097‬ولت و خطای شکاف انرژی ‪ 0.0016‬ولت بوده ‪.‬‬
‫خطای پروپگتور‪:‬از این منظور که رابطه شکاف انرژی و دما از رابطه )‪) 3‬رابطه مستقیم بوده پس مقدار این خطا برابر خطای‬
‫نسبی بوده و خطای ولتاژ بصورت زیر خواهد بود ‪:‬‬

‫خطای نسبی‬

‫آزمایش سوم‪:‬‬
‫خطای استاندارد‪:‬خطای استاندارد خازن پیوندگاه ‪ 4.559‬پیکو فاراد وخطای استاندارد ولتاژ‪1.0985‬ولت و خطای استاندارد‬
‫ولتاژ متناوب اول ‪2.4463‬ولت و متناوب دوم ‪9.5102‬ولت خواهد بود‪.‬‬
‫خطای پروپگتور‬
 ‫خطای نسبی‬

‫‪ 2/3‬نتیجه گیری‬
‫بر اساس محاسبات تئوری رابطه ولتاژ ‪ 2‬سر دیود و لگاریتم جریان دیود بصورت خطی بوده که به این معنی که رابطه جریان‬
‫مستقیم و ولتاژ بصورت توانی بوده وثابت ماده برای این دیود بدست آمد که باعث فیت مناسبتر نمودار خواهد شد ‪ .‬سپس این‬
‫مورد آزمایش شد که آیا وابستگی دیود یا نیمه هادی ها به دما صحت دارد که طبق همخوانی روابط تئوری و داده های ۀزمایش‬
‫این موض وع را تایید میکند وشکاف انرژی که باعث این تغییرات ولتاژ در جریان ثابت بوده است و درآخر در صورت اتصال‬
‫ولتاژ متناوب به دیود باعث عملکردی شبیه خازن شده که محاسبه این مقدار اثبات این موضوع که میشود به پیوندگاه ‪p-n‬‬
‫خازنی نسبت داد و مقدار ظرفیت آنرا بدست آورد‪.‬‬

‫‪ 3/3‬خواسته های دستورکار‬

‫‪- 1‬نیمه هادیها چگونه آالئیده میشوند؟‬
‫معموالا در هنگام ساخت ویفر عنصرهای ناخالصی به نیمهرسانا افزوده میشوند‪ .‬اگر نیاز باشد‪ ،‬سپس مقداری ناخالصی دیگر‬
‫نیز به روش نفوذ یا کاشت یون افزوده میگردد‪ .‬روش کاشت یون در تولید انبوه کاربرد بیشتری دارد زیرا کنترلپذیرتر‬
‫است‪.‬مقدار مورد نیاز ناخالصی بسیار کم‪ ،‬و پیرامون یک اتم ناخالصی برای ‪ ۱۰۰‬میلیون اتم پایه است‪ .‬البته در مواردی مقدار‬
‫زیادتری (پیرامون یک به ‪ ۱۰‬هزار) نیاز است که به این دسته نیمهرسانای سنگین گفته میشود و با ‪( n+‬برای نیمهرسانای‬
‫منفی) و ‪(p+‬برای نیمهرسانای مثبت) نشان داده میشود‪.‬‬
‫ناخالصیهانیمه هادی ها اغلب از سیلیکون ساخته می شوند‪ .‬سیلیکون عنصری است که در الیه خارجی آن چهار الکترون وجود‬
‫دارد‪ .‬برای ساختن یک نیمه هادی از نوع ‪ p‬مواد اضافی مانند بور یا آلومینیوم به سیلیکون اضافه می شود‪ .‬این مواد فقط سه‬
‫الکترون در پوسته خارجی خود دارند‪ .‬هنگامی که ماده اضافی جایگزین برخی از سیلیکون شود ‪ ،‬سوراخی ایجاد می کند که در‬
‫صورت وجود نیمه هادی سیلیکون خالص ‪ ،‬الکترون چهارم می توانست باشد‪ .‬نیمه هادی های نوع ‪ N‬با دوپینگ نیمه هادی ذاتی‬
‫با یک عنصر دهنده الکترون در حین ساخت ایجاد می شوند‪ .‬اصطالح نوع ‪ n‬از بار منفی الکترون ناشی می شود‪ .‬در نیمه‬
‫هادی های نوع ‪ ، n‬الکترون حامل های عمده و حفره ها حامل اقلیت هستند‪.‬‬

‫‪- 2‬آالئیدهگي را چگونه تغییر دهیم تا منحني ‪ V-I‬اتصال به رفتار خطي نزدیك شود‪.‬‬
 ‫از رابطه(‪ )1‬اگر مقدار ‪ KTη‬بسیار بزرگتر از ‪eV‬باشد با جمله اول تیلور ما رابطه خطی بین ‪V,I‬خواهیم داشت برای این‬
‫منظور پس مقدار ‪ η‬باید بسیار بزرگتر شود به همین منظور باید میزان پدیده ‪ recombination‬را تا جای ممکن محدود شود‬
‫ترکیب مجدد حامل می تواند از طریق چندین کانال آرامش اتفاق بیفتد‪ .‬موارد اصلی عبارتند از‪ :‬نوترکیبی باند به باند ‪ ،‬ترکیبی با‬
‫کمک تله ‪ ، )Shockley – Read – Hall (SRH‬نوترکیبی ‪ Auger‬و ترکیب مجدد سطح‪ .‬این کانالهای پوسیدگی را می‬
‫توان به تابشی و غیر تابشی جدا کرد‪ .‬دومی زمانی اتفاق می افتد که انرژی اضافی پس از طول عمر توسط انتشار فونون به‬
‫گرما تبدیل شود در حالی که در حالت اول حداقل بخشی از انرژی پس از یک عمر تابشی توسط انتشار نور یا لومینسانس آزاد‬
‫می شود و بخاطر رابطه مستقیم ثابت ماده و میزان چگالی دوپینگ هرچقدر که چگالی دوپینگ نیمه هادی بیشتر باشد ما قابلیت‬
‫نزدیکتر شدن به رفتار اهمیک یا خطی در منحنی ‪V-I‬رو خواهیم داشت‪.‬‬

‫‪- 3‬یك قطعه اي كه در آن نیمه هادي قرار دارد را تشریح كنید‪.‬‬

‫پردازنده هایی که رایانه های شخصی کار می کنند با نیمه هادی ساخته می شوند‪ .‬مدارهای مجتمع (‪ )IC‬ساخته شده از یک ماده‬
‫نیمه هادی (مانند سیلیکون) قطعات اساسی دستگاه های الکترونیکی مدرن در سراسر صنایع تجاری و مصرفی هستند‪ .‬این‬
‫مدارها باید بتوانند مانند یک سوئیچ روشن ‪ /‬خاموش کنترل شده برقی (ترانزیستور) برای انجام محاسبات منطقی بنیادی در‬
‫کامپیوتر رفتار کنند‪ .‬برای دستیابی به این توانایی سوئیچینگ فوری ‪ ،‬مدارها باید از مواد نیمه هادی ساخته شوند ‪ -‬ماده ای با‬
‫مقاومت الکتریکی بین هادی و عایق‪.‬‬

‫‪- 4‬خواص نوري نیمه هادي ها چگونه است؟‬

‫دیود ساطع کننده نور (‪ )LED‬وسیله ای نیمه هادی است که با عبور جریان الکتریکی از آن نور ساطع می شود‪ .‬نور هنگامی‬
‫تولید می شود که ذراتی که جریان را حمل می کنند (معروف به الکترون و سوراخ) در داخل مواد نیمه هادی با هم ترکیب‬
‫شوند‪.‬‬
‫از آنجا که نور در داخل ماده نیمه هادی جامد تولید می شود ‪ LED ،‬ها به عنوان دستگاه های حالت جامد توصیف می شوند‪.‬‬
‫اصطالح روشنایی حالت جامد ‪ ،‬که شامل ‪ LED‬های آلی (‪ )OLED‬نیز می باشد ‪ ،‬این فناوری روشنایی را از سایر منابع که‬
‫از رشته های گرم شده (المپ های هالوژن رشته ای و تنگستنی) یا تخلیه گاز (المپ های فلورسنت) استفاده می کنند متمایز می‬
‫کند‪.‬‬

‫مراجع‬
‫]‪ [۱‬هیئت مولفان‪ ،‬دستور کار آزمایش پیوندگاه ‪ ،p-n‬وبگاه آزمایشگاه فیزیک پیشرفته‪ ،‬دانشکده فیزیک‪ ،‬دانشگاه صنعتی شریف‬
‫‪.‬‬

‫‪[2]Physics of Semiconductor DevicesAuthors: Colinge, J.-P., Colinge, C.A‬‬