‫هب انم خدا‬

‫ن‬ ‫ت‬ ‫ک‬‫ل‬ ‫ا‬ ‫ست‬

‫د ور کار آزمااگشیه مد ر ا رو یک‬

‫ع‬ ‫ا‬ ‫ج‬ ‫کت‬

‫گارنده ‪ :‬د ر و د بدی‬ ‫ن‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫مطالب‬
‫معرفي دیود و پارامترهای آن ‪4 .........................................................................................................................................................‬‬

‫‪4 ..............................................................................................................................................................‬‬

‫‪6 .......................................................................................................................................................‬‬

‫‪7 ..................................................................................................................‬‬

‫‪9 ....................................................................................................................‬‬

‫‪11...............................................................................................................‬‬

‫نمونه پرسش آزمون در مرحله اول ‪11...............................................................................................................................................‬‬

‫‪11.......................................................................................................................................................‬‬

‫‪14..........................................................................................................................................‬‬

‫‪16.....................................................................................................................................‬‬

‫‪17............................................................................................................‬‬

‫نمونه پرسش آزمون در مرحله دوم ‪19..............................................................................................................................................‬‬

‫‪19........................................................................................................................................................‬‬

‫فیلترها و دیود زنر ‪22.......................................................................................................................................................................‬‬

‫‪22.................................................................................................................................‬‬

‫‪22..............................................................................................................................‬‬

‫‪21...............................................................................................................................‬‬

‫‪22..........................................................................................................................‬‬

‫‪27..................................................................................................................................‬‬

‫مدارهای دیودی‪22...........................................................................................................................................................................‬‬

‫‪22................................................................................................................................‬‬

‫‪29...................................................................................................................................‬‬

‫‪12.............................................................................................................................................‬‬

‫نمونه پرسش آزمون در مرحله سوم‪12..............................................................................................................................................‬‬

‫‪12....................................................................................................................................................................‬‬

‫‪11...............................................................................................................................‬‬

‫نمونه پرسش آزمون در مرحله چهارم‪16...........................................................................................................................................‬‬

‫‪16.........................................................................................................................................................‬‬

‫‪2‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫آشنایي با ترانزیستور ‪17..................................................................................................................................................................‬‬

‫‪17................................................................................................................................‬‬

‫‪19...................................................................................................................‬‬

‫‪42.......................................................................................................................‬‬

‫تقویت کننده های ترانزیستوری ‪41...................................................................................................................................................‬‬

‫‪41...................................................................................................................‬‬

‫‪42................................................................................................‬‬

‫نمونه پرسش آزمون در مرحله پنجم ‪47............................................................................................................................................‬‬

‫‪47.................................................................................................................................................................‬‬

‫‪1‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫معرفي دیود و پارامترهای آن‬

‫هدف ‪ :‬آشنایي با نیمه هادیها و روش تست دیودها‬

‫دیيود نيوراني ‪1‬عيدد و ‪ AVO‬متير دیجیتيالي یيا عقربيه ای سياده‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬دیود سيیلیکوني ‪ 1‬عيدد‬
‫‪1‬عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫دیود یک المان غیر خطي است که از مونتاژ دو الیه ناخالصي ‪ N1 , P2‬تشکیل گردیده است که در جهيت مسيتقیم‬

‫"‪ "Forward‬باعث عبور جریان و در جهت مخيال "‪ "Reverse‬باعيث عيدم عبيور جریيان ميي شيود ‪ .‬در زیير‬
‫مشخصه ایده آل و واقعي یک دیود نشان داده شده است ‪.‬‬

‫در شکل ‪ 1-1‬و ‪ 1-2‬تا زماني که ولتاژ بایاس کننده دیود کوچکتر از صفر است جریان صيفر و بيه ازای ولتياژ‬
‫صفر یا بیشتر از صفر جریان زیاد خواهد شد ‪.‬‬

‫شکل ‪ 1 -1‬و ‪ : 1 -2‬منحني مشخصه عملکرد یک دیود ایده آل و غیر ایده آل {واقعي}‬

‫در عمل مشاهده مي گردد که با افزایش ولتاژ " ‪ "VD‬تيا حيدی جریيان قابيل مظح يه ای بيه وجيود خواهيد آميد ‪.‬‬

‫موقعي که ولتاژ " ‪ " V‬به حد ولتاژ آستانه " ‪ " V‬برسد جریان شروع به افزایش مي کند ‪ .‬بيا افيزایش ولتياژ ورودی‬

‫به مقدار ناچیز بعد از این حد جریان به حد قابل مظح ه ای افزایش مي باید باید پس از این محدوده توجيه خاصيي‬

‫‪4‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫‪ 1-1‬بيه صيورت= ‪I‬‬ ‫مبذ ول داشت که باعث معیوب شدن دیود نشود ‪ .‬رابطه جریان بر حسب ولتاژ دیود شکل‬
‫𝑉‪𝐾.‬‬
‫𝑒 ( 𝑆𝐼 است که در آن ‪:‬‬ ‫𝐾𝑇‬ ‫)‪−1‬‬

‫‪11600‬‬
‫کيه ‪ ‬بيرای ژرميانیوم‬ ‫=𝐾‬ ‫و‬ ‫‪ I‬جریان دیود ‪ Is‬جریيان اشيباع معکيوس ‪𝑇𝐾 = 𝑇𝐶 + 273°‬‬
‫𝜂‬
‫برابر یک و برای سیلیسیوم برابر دو مي باشد ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫دیود را در سوراخ برد قرار داده و سپس ‪ AVO‬متر خود را در حالت اهمتر قرار دهید ‪ .‬اگر پین مثبيت اهمتير را بيه‬
‫آند و پین منفي اهمتر را به کاتد متصل کنید به این معني است که دیود را در گرایش مستقیم بایاس نموده ایيد و در‬

‫نتیجه اهمتر مقدار اهم صفر بسیار کمي را نشان خواهد داد ‪ .‬اما اگر خظف این عمل را انجام دهیيد چيون دیيود‬

‫بي نهایت خواهد بود ‪ .‬ایين عميل را بيا دو‬ ‫را در گرایش معکوس قرار داده اید لذا مقدار مقاومت نشان داده شده‬
‫اهمتر عقربه ای و دیجیتالي انجام دهید ‪.‬‬

‫) ‪Anode ( A‬‬ ‫) ‪Cathode ( K‬‬

‫شکل ‪ : 1-1‬سمبل گرافیکي دیود معمولي‬

‫پرسش ‪:‬‬

‫مقاومتي که دیود در گرایش مستقیم از خود نشان مي دهد چه نام دارد ؟‬

‫‪2‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫معکوس‬ ‫هدف ‪ :‬بررسي عملکرد دیود در بایاسهای موافق مستقیم و مخال‬

‫مقاومت ‪1 1K‬عدد دیود نوراني یا همان ‪ 1 LED‬عيدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬دیود سیلیکوني ‪ 1 1N4001‬عدد‬
‫و ‪ AVO‬متر دیجیتالي ‪1‬عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫اصوالً کلمه دیود یعني دو قطبي ‪ .‬البته این دو قطبي ها در دو بایاس مستقیم و معکوس مورد استفاده قرار مي گیرند‬
‫اگر آند دیود را به قطب مثبت باطری و کاتد را به قطب منفي باطری متصل کنید به دلیل اینکه دیود را در گرایش‬

‫مستقیم قرار داده اید جریان زیادی از دیود عبور خواهد کرد ‪ .‬این نوع بایاسینگ را بایاس موافق یا مستقیم‬

‫مي گویند ‪ .‬و اگر دیود را در گرایش معکوس قرار دهیم جریاني از آن عبور نخواهد کرد ‪ .‬به این نوع بایاس‬

‫آن پیدا ست بایاس معکوس گفته مي شود ‪.‬‬ ‫همان گونه که از تعری‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫چگيونگي بيه کيار رفيتن دیيود و وضيعیت آن را از‬ ‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 2-1‬را ببندید و با اندازه گیری ‪ VR‬و ‪VD‬‬
‫ن ر قطع یا وصل بودن و چگونگي بایاس را مشخص کنید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 2-1‬مدار بررسي عملکرد دیود در بایاس معکوس‬

‫‪ 1‬مراحل ‪ 1‬و ‪ 2‬را برای یک دیود نوراني تکرار کنید و علت اختظف حاصل شده را به اختصار توضیح دهیيد‬
‫از این آزمایش چه نتیجه ای مي گیرید ‪.‬‬

‫‪6‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫هدف ‪ :‬بدست آوردن منحني مشخصه ولتاژ – جریان دیود از روش نقطه یابي با استفاده از ولت متر و آمپرمتير‬
‫ساده‬

‫مقاومييت ‪1 1K‬عييدد و ‪ AVO‬متيير‬ ‫دیييود نييوراني ‪1‬عييدد‬ ‫ابييزار مييورد نیيياز ‪ :‬دیييود سييیلیکوني ‪ 1‬عييدد‬
‫دیجیتالي ‪1‬عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫منحني تغییرات ولتاژ و جریان آنها را رسم مي کننيد‬ ‫اصوالً در الکترونیک برای بررسي و طرز کار المانهای مختل‬

‫به این منحني ها منحني مشخصه گفته مي شود ‪ .‬در این مبحث برای آشنایي بيا طيرز کيار دیيود منحنيي مشخصيه‬
‫جریان برحسب ولتاژ دیود را بررسي مي کنیم ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬ابتدا ولتاژ منبع تغذیه ی ‪ DC‬را روی صفر ولت تن یم کنیيد ‪ .‬سيپس ميدار شيماره ‪ 1-1‬را بيا اسيتفاده از یيک‬

‫دیود سیلیکوني بسته و با تن یم ولتاژ ‪ VS‬مطابق جدول زیير انيدازه گیيری هيای الزم را در ميدار مربوطيه بيه عميل‬
‫آورده جدول را کامل کنید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 1-1‬مدار برای بدست آوردن منحني مشخصه دیود در بایاس مستقیم به روش نقطه یابي‬

‫پس از کامل شدن جدول منحني مشخصه دیود سيیلیکوني مربوطيه را در ناحیيه ی مسيتقیم ‪Forward‬‬
‫بر روی کاغذ میلیمتری رسم کنید ‪.‬‬

‫‪7‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫) 𝒕𝒍𝒐𝑽 ( 𝑺𝑽‬ ‫)𝑨𝒎 ( 𝑭 ‪𝑰𝑫𝒊𝒐𝒅𝒆 −‬‬ ‫) 𝒕𝒍𝒐𝑽 ( 𝑭 ‪𝑽𝑫𝒊𝒐𝒅𝒆 −‬‬

‫‪0.01‬‬
‫‪0.02‬‬
‫‪0.05‬‬
‫‪0.1‬‬
‫‪0.2‬‬
‫‪0.3‬‬
‫‪0.4‬‬
‫‪0.5‬‬
‫‪0.6‬‬
‫‪0.7‬‬
‫‪0.8‬‬
‫‪0.9‬‬
‫‪1.0‬‬

‫‪ 2‬در این مرحله جهت بسته شدن دیود را در مدار معکوس کرده بيه عبيارت دیگير قيرار دادن دیيود در بایياس‬
‫و سپس جدول زیر را فقط با ولتاژ داده شده پر کنید ‪ .‬با به دست آوردن اطظعات الزميه در ایين مرحليه‬ ‫معکوس‬
‫در ربع سوم نمودار مختصات منحني دیود را در بایاس معکوس رسم کنید ‪.‬‬

‫نکته ‪:‬‬

‫گرچه ولتاژ به صورت مثبت به مدار داده شده است ولي آن را در ربع سوم یعني منفي در ن ر بگیرید ‪.‬‬ ‫‪‬‬

‫در این مرحله با اعمال ولتاژ باال در بایاس معکوس دیود را وارد ناحیه شکست خيود ميي کنيد و در اینجيا‬ ‫‪‬‬

‫ممکن است پدیده ی شکست بهمني اتفاق بیفتد دیود مي سوزد برای جليوگیری از ایين اتفياق بقیيه ی‬
‫منحني را به صورت تئوری و با توجه به فرضیات رسم کنید ‪.‬‬

‫‪2‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫) 𝒕𝒍𝒐𝑽 ( 𝑺𝑽‬ ‫)𝑨𝒎 ( 𝑹 ‪𝑰𝑫𝒊𝒐𝒅𝒆 −‬‬ ‫) 𝒕𝒍𝒐𝑽 ( 𝑹 ‪𝑽𝑫𝒊𝒐𝒅𝒆 −‬‬

‫‪0.01‬‬
‫‪0.02‬‬
‫‪0.05‬‬
‫‪0.1‬‬
‫‪0.2‬‬
‫‪0.3‬‬
‫‪0.4‬‬
‫‪0.5‬‬
‫‪0.6‬‬
‫‪0.7‬‬
‫‪0.8‬‬
‫‪0.9‬‬
‫‪1.0‬‬

‫‪ 1‬در این مرحله با قرار دادن اطظعات مرحله ‪ 1‬و ‪ 2‬مي توانید منحني مشخصه ی دیود را در دو بایاس‬
‫دیود‬ ‫بدست آورده و آن منحني را بر روی یک کاغذ میلیمتری رسم کنید و نواحي عملکرد مختل‬ ‫موافق و مخال‬
‫را که از ن ر تئوری مطالعه نموده اید بر روی شکل نمایش دهید ‪.‬‬
‫‪ 4‬مراحل ‪ 1‬و ‪ 2‬و ‪ 1‬را برای یک دیود نوراني تکرار کنید و عظوه بر پر کردن جدول در مورد میزان‬
‫روشنایي دیود نوراني هم گزارش دهید ‪.‬‬

‫‪ 2‬منحني مشخصه ی دو دیود را بر روی یک کاغذ میلیمتری رسم کرده و در مورد آنها گزارش دهید ‪.‬‬

‫هدف ‪ :‬بدست آوردن منحني مشخصه ولتاژ – جریان یک دیود با استفاده از اسیلوسکوپ‬

‫مقاوميت ‪1 2.7K‬عيدد سيیگنال ژنراتيور و‬ ‫دیود نوراني ‪ 1‬عيدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬دیود سیلیکوني ‪ 1‬عدد‬
‫اسیلوسکوپ‬

‫‪9‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫این آزمایش به مانند آزمایش قبل است با این تفاوت که در این آزمایش از اسیلوسکوپ برای بدست آوردن‬

‫منحني مشخصه دیود استفاده مي گردد ‪ .‬لذا این روش به دلیل گرافیکي بودن دارای مزیت بیشتری نسبت به‬
‫آزمایش پیشین است ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬به وسیله ی سیگنال ژنراتور موج سینوسي با دامنه ی )‪ V𝑚 = 6 (volt‬و فرکانس ‪ 50 Hz‬ایجياد کيرده‬
‫پس از مشاهده ی آن بر روی اسیلوسکوپ آن را به مدار شماره ‪ 4-1‬اعمال کنید ‪ .‬بعد از اعمال سیگنال به ميدار‬

‫دوباره سیگنال اعمال شده به مدار را مشاهده و در صورت بروز تغییرات کوچيک ورودی را دوبياره تن يیم کنیيد ‪.‬‬
‫آیا مي توانید دلیل این امر را توضیح دهید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 4-1‬مدار برای بدست آوردن منحني مشخصه دیود به وسیله ی اسیلوسکوپ‬

‫‪ 2‬با تشکیل منحني لیساژور مربوط به منحني مشخصه دیود بر روی صفحه ی اسیلوسکوپ مقدار ولتاژ شکسيت‬
‫موافق دیود را از روی شکل موج بدست آورده و یادداشت کنید ‪.‬‬

‫‪ 1‬علت اینکه منحني مشخصه ی بدست آمده با منحني مشخصه ی مورد انت ار از ن ر محورها متفاوت اسيت را‬
‫بیان کنید ‪.‬‬

‫‪ 4‬مراحل ‪ 1‬و ‪ 2‬را برای یک دیود نوراني تکرار کنید و علت اختظف حاصل شده را به اختصار توضیح دهیيد‬
‫از این آزمایش چه نتیجه ای را مي گیرید ‪.‬‬

‫‪12‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫هدف ‪ :‬عملکرد دیود در برابر سیگنالهای بزرگ و کوچک‬

‫خيازن یيک میکيرو فيارادی ا عيدد مقاوميت ‪18K , 470‬‬ ‫ابزار ميورد نیياز ‪ :‬دیيود سيیلیکوني ‪ 1‬عيدد‬
‫‪1‬عدد و ‪ AVO‬متر دیجیتالي ‪1‬عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫مقاومت ‪ DC‬یا استاتیک ‪ :‬مقاومت دیود در یک نقطه کار به خصوص مقاومت استاتیک یا ‪ DC‬دیود نامیده مي شيود‬
‫این مقاومت را مي توان به صورت تئوری از رابطه زیر محاسبه نمود ‪.‬‬

‫𝐷𝑉‬
‫= 𝐶𝐷𝑅‬
‫𝐷𝐼‬
‫که در آن ‪ 𝑉𝐷 :‬ولتاژ دو سر دیود و 𝐷𝐼 جریان گذرنده از دیود است ‪.‬‬

‫مقاومت ‪ AC‬یا دینامیکي ‪ :‬بدیهي است که مقاومت دیيود در حيوالي یيک نقطيه ميورد ن ير مسيتقل از شيکل منحنيي‬

‫مشخصه است ‪ .‬اما چنانچه یک ورودی سینوسي به جای ‪ DC‬به کار رود وضع به کلي تغییر مي یابيد ‪ .‬ورودی متغییير‬
‫نقطه کار را روی ناحیه ای از منحني مشخصيه بياال و پيایین بيرده و تغییيرات مشخصيي را ایجياد خواهيد کيرد ‪ .‬اگير‬
‫ورودی متغیی ر اعمال نشود نقطه کار یک نقطه ثابت خواهد شد که به وسیله سطح ‪ DC‬اعمال شده معین مي گردد‪.‬‬

‫𝑉𝑑‬ ‫) 𝐴𝑚 ( ‪26‬‬
‫( = 𝐷𝑟‬ ‫[=)‬ ‫]‬
‫𝐼𝑑‬ ‫)𝐴𝑚( 𝑑𝐼‬
‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 2-1‬را بسته و مؤلفه های ‪ AC‬و ‪ DC‬را در نقطه ‪ a‬اندازه گیری و در کاغذ میلیمتری رسم کنید‪.‬‬

‫فرکانس منبع تغذیه را بر روی یک کیلو هرتز تن یم نموده ‪ f=1khz‬و مراحل آزمایش را طي کنید ‪.‬‬

‫‪11‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫شکل ‪ : 2-1‬مدار برای اندازه گیری مؤلفه های ‪ ac‬و ‪ dc‬یک دیود‬

‫‪ 2‬مقاومت استاتیکي ) 𝐶𝐷𝑅 ( و نیز مقاومت دینامیکي ) 𝑐𝑎𝑅 (دیود را با فرمولهيای بیيان شيده بيه دسيت‬

‫آورید ‪.‬‬

‫‪ 1‬اکنون مدار ‪ 2-2‬را بسته و اسیلوسکوپ را در وضعیت ‪ DC‬قرار داده و شکل سیگنال خروجي را رسيم کنیيد‪.‬‬
‫فرکانس منبع تغذیه را بر روی یک کیلو هرتز تن یم و مراحل آزمایش را طي کنید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 2-2‬مدار اندازه گیری مؤلفه ‪ ac‬و ‪ DC‬یک دیود‬

‫‪ 4‬اگر در مدار فوق از امپدانس خازن صرف ن ر گردد ولتاژ ‪ AC‬از نقطه ی ‪ a‬را محاسبه کرده و با مقيدار انيدازه‬
‫گیری شده مقایسه کنید ‪.‬‬

‫‪ 2‬تغییرات ‪ VCC‬را بر روی ولتاژ نقطه ‪ a‬بررسي کنید ‪.‬‬

‫‪12‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫نمونه پرسش آزمون در مرحله اول‬

‫پرسش ‪ Vo :‬را برای شبکه ی نشان داده شده به ازای ورودی سینوسي بدست آورید ‪.‬‬

‫راهنمایي ‪ :‬طراحي و بدست آوردن شکل موجهای خروجي ‪DC , ac‬‬

‫‪ :‬نمونه مدار آزمون پایاني بررسي عملکرد دیود‬ ‫شکل ال‬

‫‪11‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫استفاده از دیود در یکسوسازی‬

‫هدف ‪ :‬بررسي کار یکسو کننده های نیم موج‬

‫‪ AVO‬متيير دیجیتييالي‬ ‫مقاومييت ‪1 1K‬عييدد‬ ‫ابييزار مييورد نیيياز ‪ :‬دیييود سييیلیکوني ‪ 1 1N4001‬عييدد‬
‫اسیلوسکوپ و سیگنال ژنراتور‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫در بسیاری از موارد از جمله در منابع تغذیه الزم است که از یک جریان متناوب جریان ‪ DC‬تولید کنيیم ‪ .‬بيرای‬
‫این کار باید ابتدا جریان متناوب به جریان یک طرفه تبدیل شود ‪ .‬این کار بر عهده یکسوسازها است ‪.‬‬

‫در مدار شماره ‪ 6-1‬یک مدار یکسوساز نیم موج ساده را مشاهده ميي کنیيد ‪ .‬بيرای تحلیيل ایين ميدار از معيادل‬

‫کلیدی آن استفاده خواهیم کرد ‪ .‬همانطور که مشاهده مي شود با توجه به منحني مشخصيه دیيود ایين الميان در نيیم‬

‫سیکلهای مثبت عمل هدایت کردن را بر عهيده دارد و در نيیم سيیکل منفيي قطيع اسيت ‪ .‬ليذا دو سير بيار تنهيا نيیم‬
‫سیکلهای مثبت رویت مي گردد ‪ .‬که مقدار متوسط آن بیانگر سطح ‪ DC‬ولتاژ در خروجي است ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 6-1‬را بسته و دامنه و فرکانس منبع ورودی را بيه ترتیيب روی ‪ 10 v‬پیيک تيو پیيک و ‪50Hz‬‬
‫تن یم نموده و به مدار اعمال کنید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 6-1‬مدار یکسوساز نیم موج‬

‫‪14‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫‪ 2‬مقيادیر 𝑃𝑃𝑉 و )‪ 𝑉rms (Root Mean Square‬و فرکيانس ميوج ورودی را بيه کميک اسیلوسيکوپ انيدازه‬

‫گیری کرده و شکل موج را بر روی یک کاغذ میلیمتری رسم و مقدار ‪ 𝑉rms‬را از رابطيه زیير ميي توانیيد محاسيبه‬
‫کنید ‪.‬‬

‫𝑃𝑃𝑉‬
‫= ‪𝑉rms‬‬
‫‪2√2‬‬
‫‪ 1‬ولتاژ دو سر مقاومت بار ) 𝐿𝑅 ( را بر روی اسیلوسکوپ مشياهده و شيکل ميوج را بير روی کاغيذ میلیمتيری‬
‫رسم کنید‪.‬‬

‫‪ 4‬مقدار 𝑚𝑉 و فرکانس موج مشاهده شيده را انيدازه گیيری و در ميورد آن گيزارش دهیيد ‪ .‬سيپس بيا اسيتفاده از‬
‫فرمول ذکر شده مقدار متوسط ولتاژ خروجي را بدست آورید ‪.‬‬

‫‪ 2‬ولتاژ متوسط موج خروجي را به کمک ولتمتر اندازه گیری کنید ‪.‬‬

‫‪ 6‬نتایج این دو قسمت را با یکدیگر مقایسه و در مورد آن گزارش دهید و علت اختظف احتمالي را توضیح دهید ‪.‬‬

‫‪ 7‬در صورت تمایل تمامي این مراحل را مي توانید برای مدار شماره ‪ 6-2‬تکرار کنید ‪.‬‬

‫شکل شماره ‪ : 6-2‬یکسوساز نیم موج با ترانسفورماتور کاهنده‬

‫‪ 2‬نتایج این دو قسمت را با یکدیگر مقایسه و دالیل اختظف در آزمایش را ذکر کنید ‪.‬‬

‫‪12‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫هدف ‪ :‬بررسي کارکرد یکسو کننده های تمام موج‬

‫‪ AVO‬متيير دیجیت يالي‬ ‫مقاومييت ‪1 1K‬عييدد‬ ‫ابييزار مييورد نیيياز ‪ :‬دیييود سييیلیکوني ‪ 4 1N4001‬عييدد‬
‫اسیلوسکوپ و سیگنال ژنراتور‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫در یکسوساز نیم موج که نیم سیکلهای منفيي از بيین رفتيه اسيت در ایين حاليت بيا اسيتفاده از ایين یکسوسياز نيیم‬
‫سیکلهای منفي را نیز به نیم سیکلهای مثبت تبدیل نموده است ‪.‬‬

‫برای تحلیل این مدار تنها کافي است که دیود را در شرایط ایيده آل در ن ير گرفتيه و بيا بیيان کلیيدی ایين ميدار را‬
‫تحلیل نمود ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 7-1‬را بسته و دامنه و فرکانس منبع ورودی را به ترتیب روی ‪ 10 v‬پیيک تيو پیيک و ‪50Hz‬‬
‫تن یم نموده و به مدار اعمال کنید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 7-1‬مدار یکسوساز تمام موج پل‬

‫‪ 2‬نحوه ی عمل مدار و یکسوسازی آن را به صورت تئوری تشریح کنید ‪.‬‬

‫‪ 1‬شکل موج ورودی را با رعایت پظریته آن همراه با شکل موج دو سر بار بر روی اسیلوسکوپ مشياهده نميوده و‬
‫شکل موج را بر روی یک کاغذ میلیمتری رسم کنید ‪.‬‬

‫‪16‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫‪ 4‬فرکانس و 𝑃𝑃𝑉 را از روی شکل موج ورودی اندازه گرفته و یادداشت کنید ‪.‬‬

‫𝑀𝑉 و فرکانس را در شکل موج خروجي اندازه گیری و با 𝑀𝑉 و فرکانس ورودی مقایسه کنید ‪.‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪ 6‬ولتاژ متوسط خروجي را به وسیله ولتمتر اندازه گیری و یادداشت کنید ‪.‬‬

‫‪ 7‬ولتاژ متوسط خروجي را به وسيیله ی رابطيه ی 𝑀𝑉 ‪ 𝑉( 𝐴𝑣𝑒𝑟𝑎𝑔𝑒 ) = 𝑉𝐷𝐶 = 0.636‬محاسيبه کيرده بيا‬
‫مقدار اندازه گیری شده مقایسه کنید ‪ .‬توجه داشته باشید که 𝑀𝑉 در رابطه ی فوق 𝑀𝑉 موج خروجي است ‪.‬‬

‫هدف ‪ :‬بررسي کار یکسو کننده های تمام موج با ترانس سر وسط‬

‫تيرانس ‪ 220/12‬دارای سير‬ ‫مقاوميت ‪1 1K‬عيدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬دیود سیلیکوني ‪ 2 1N4001‬عدد‬
‫‪ AVO‬متر دیجیتالي اسیلوسکوپ و سیگنال ژنراتور‬ ‫وسط ‪ 1‬عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫در یکسوساز نیم موج که نیم سیکلهای منفي از بین رفته است در این یکسوساز نیم سیکلهای منفي به نیم سيیکلهای‬

‫مثبت تبدیل شده است ‪ .‬برای تحلیل این مدار تنها کافي است که دیود را در شرایط ایده آل در ن ر گرفته و با بیيان‬
‫کلیدی این مدار را تحلیل نمود ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 2-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫توجه ‪ :‬چون در این مرحله به صورت مستقیم با جریان ‪ 222‬ولت برق در تماس هستید بسیار دقت کنید ‪.‬‬

‫‪ 2‬نحوه ی عمل مدار و یکسوسازی آن را به صورت تئوری تشریح کنید ‪.‬‬

‫‪17‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫شکل ‪ : 2-1‬یکسوساز تمام موج با ترانس سر وسط‬

‫‪ 1‬شکل موجهای ‪ AB‬و ‪ BC‬ورودی را با رعایت پظریته آن بر روی اسیلوسکوپ مشاهده نموده و شکل موجهيا‬
‫را بر روی یک کاغذ میلیمتری رسم کنید ‪.‬‬

‫راهنمایي ‪ A :‬را به ‪ Ch1‬و ‪ B‬را به ‪ GND‬و ‪ C‬را به ‪ Ch2‬وصل کنید ‪.‬‬

‫‪ 4‬فرکانس دو موج و همچونین ‪ VPP‬را از روی شکل موج ورودی اندازه گرفته و یادداشت کنید ‪.‬‬

‫‪ 2‬شکل موج ‪ AC‬را با رعایت پظریته مشاهده و ثبت کنید ‪.‬‬

‫‪ 6‬فرکانس موج ‪ AC‬و 𝑃𝑃𝑉 را از روی شکل موج اندازه گرفته و یادداشت کيرده و بيا نتيایج بدسيت آميده در‬
‫بند ‪ 4‬مقایسه کنید ‪.‬‬

‫‪ 7‬شکل موج ‪ DB‬را با رعایت پظریته مشاهده و ثبت کنید ‪.‬‬

‫‪ 2‬فرکانس موج ‪ DB‬و همچونین 𝐵𝐷𝑉 را از روی شکل موج اندازه گرفته و یادداشت کنید ‪.‬‬

‫‪ 9‬به وسیله ولت متر ) 𝑒𝑔𝑎𝑟𝑒𝑣𝐴 (𝑉 موج را اندازه گیری کنید و ثبت کنید ‪.‬‬

‫‪ 12‬ولتاژ متوسط خروجي را به وسیله ی رابطه ی 𝑀𝑉 ‪ 𝑉( 𝐴𝑣𝑒𝑟𝑎𝑔𝑒 ) = 𝑉𝐷𝐶 = 0.636‬محاسبه کيرده بيا‬

‫مقدار اندازه گیری شده در بند ‪ 2‬مقایسه کنید ‪.‬‬

‫‪12‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫نمونه پرسش آزمون در مرحله دوم‬

‫پرسش ‪ 𝑉𝑂𝑢𝑡 :‬را برای شکل زیر رسم کرده و ولتاژ ‪ DC‬موجود را تعیین کنید ‪.‬‬

‫شکل ب ‪ :‬نمونه مدار یکسوساز برای آزمون تئوری و عملي‬

‫‪19‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫فیلترها و دیود زنر‬

‫هدف ‪ :‬بررسي کار یکسو کننده های نیم موج با صافي فیلتر‬

‫خييازن ‪ 10‬و‪1000‬‬ ‫مقاومييت ‪1 1K‬عييدد‬ ‫ابييزار مييورد نیيياز ‪ :‬دیييود سييیلیکوني ‪ 1 1N4001‬عييدد‬
‫‪ AVO‬متر دیجیتالي اسیلوسکوپ و سیگنال ژنراتور‬ ‫میکروفاراد ا عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫از آنجا که مراکز دستگاههای الکترونیکي احتیاج به ولتاژ و جریان زیادی دارند پس از یکسو کننده هيای هميراه بيا‬

‫صافي برای این من ور استفاده مي شود ‪ .‬در عمل برای ایجاد ولتاژ ‪ DC‬بعد از یکسوسيازی یيک خيازن بيا ترفیيت‬

‫زیاد قرار مي دهند ‪ .‬که در آن اگر زميان تنياوب سيیگنال ورودی خیليي کيوچکتر از حاصيل ضيرب ترفیيت خيازن‬

‫الکتریکي در مقاومت بار باشد ‪ RL*C >> T‬با کم شدن ولتاژ ورودی به دیيود ولتياژ خيازن بيا سيرعت خیليي‬

‫کم ي کاهش مي یابد و در نتیجه دیود در وضعیت قطع قرار مي گیيرد و بيار ذخیيره شيده در خيازن بيا ثابيت زمياني‬
‫‪ RL*C‬در بار شروع به کاهش مي کند ‪ .‬از آنجا که ثابت زماني بزرگ است پس مقدار ولتاژ کاهش یافته کم اسيت‬
‫و بظفاصله در شروع سیکل مثبت بعد دوباره خازن شارژ مي شود ‪.‬‬

‫در صورتي که مقاومت بار بي نهایت گردد یعني ‪ RL  ‬ولتاژ بيي بياری برابير 𝑀𝑉 خواهيد شيد و طبيق‬
‫‪Vdc‬‬
‫‪Vdc  Vm ‬‬ ‫روابط معین مشاهده مي شود که ‪:‬‬
‫‪2‬‬

‫کرد ‪:‬‬ ‫به سادگي مي توان درصد رگوالسیون را با رابطه ی زیر تعری‬

‫) ‪Vdc (noload )  Vdc (load‬‬ ‫‪100‬‬

‫‪%R ‬‬ ‫‪*100 ‬‬
‫) ‪Vdc (load‬‬ ‫‪2 * F * C * RL‬‬

‫رگوالسیون روبرو را رگوالسیون بار مي نامند ‪.‬‬

‫مظح ه مي شود که هر چه ‪ RL‬و ‪ C‬زیاد مي شود درصيد رگوالسيیون کيم شيده و ولتياژ خروجيي دارای ریپيل هيای‬
‫کمتری است ‪ .‬ضمناً به علت اینکه در یکسو کننده تميام ميوج ‪ f=100Hz‬ميي باشيد در ایين یکسيو کننيده هيا بيا‬
‫شرایط مشابه یکسو کننده نیم موج مقدار ریپل کمتر خواهد بود ‪.‬‬

‫‪22‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 9-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 9-1‬یکسوساز نیم موج با صافي خازني‬

‫‪ 2‬جریان خروجي ) ‪ (IRL‬را به کمک آمپرمتر اندازه گیری و یادداشت کنید ‪.‬‬

‫‪ 1‬شکل موج ولتاژ دو سر منبع و ولتاژ دو سر بار را همزمان بر روی اسیلوسکوپ مشاهده و ثبت کنید ‪.‬‬

‫‪ 4‬مقدار ولتاژ ‪ ac‬و ‪ DC‬خروجي را به کمک ولتمتر اندازه گیری نموده و یادداشت کنید ‪.‬‬

‫) ‪ ( Ripple Factor‬را بيا اسيتفاده از مقيادیر بدسيت آميده فيوق حسياب کنیيد ‪.‬‬ ‫‪ 2‬مقدار ضيریب ضيربان‬
‫‪Vac‬‬
‫‪R.F . ‬‬ ‫راهنمایي ‪:‬‬
‫‪Vdc‬‬

‫‪ 6‬لح ه ای خازن را از مدار جدا نميوده و جریيان خروجيي ) 𝐿𝑅𝐼( را مجيدداً انيدازه گیيری نميوده و بيا مقيدار‬
‫قسمت ‪ 2‬مقایسه کنید و علت اختظف را شرح دهید ‪.‬‬

‫‪ 7‬در این حالت یعني بدون خازن ‪ R.F.‬را اندازه گیری و آن را با حالتي که خازن فیلتير در ميدار اسيت مقایسيه‬
‫کنید ‪ .‬علت اختظفات را شرح دهید ‪.‬‬

‫‪ 2‬حال یک خازن‪ 1000‬میکروفارادی به جای خازن ‪ 10‬میکرو فارادی قيرار دهیيد و مراحيل ‪2 – 4 – 1 – 2‬‬
‫را برای این خازن تکرار کنید ‪.‬‬

‫‪ 9‬نتایج حاصله که با زیاد کردن خازن حاصل شده است را با حالت اول مقایسه و دلیيل اخيتظف حاصيل شيده را بيه‬
‫طور کامل تشریح کنید ‪.‬‬

‫‪ 12‬آیا مي توان ارتباط معقولي بین شکل موجها و ضریب ضربان یافت ‪.‬‬

‫‪21‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫هدف ‪ :‬بررسي کار یکسو کننده های تمام موج با صافي‬

‫خيازن ‪ 10‬و‪1000‬‬ ‫مقاوميت ‪1 1K , 2K‬عيدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬دیود سیلیکوني ‪ 4 1N4001‬عيدد‬
‫‪ AVO‬متر دیجیتالي اسیلوسکوپ و سیگنال ژنراتور‬ ‫میکروفاراد ا عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫توضیحات آزمایش قبل نیز در این آزمایش صادق است با این تفاوت که در اینجا به مشخصه های بهتری از ن ر‬
‫تهیه ولتاژ ‪ DC‬نسبت به حالت قبل دست پیدا خواهیم کرد ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 12-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 12 -1‬یکسوساز تمام موج پل با صافي خازني‬

‫‪ 2‬جریان خروجي ) 𝐿𝑅𝐼( را به کمک آمپرمتر اندازه گیری و یادداشت کنید ‪.‬‬

‫‪ 1‬شکل موجهای ولتاژ دو سر منبع و ولتاژ دو سر بار را همزمان بر روی اسیلوسکوپ مشاهده و ثبت کنید ‪.‬‬

‫‪ 4‬مقدار ولتاژ ‪ ac‬و ‪ DC‬خروجي را به کمک ولت متر اندازه گیری و یادداشت کنید ‪.‬‬

‫‪22‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫) ‪ ( Ripple Factor‬را با اسيتفاده از مقيادیر بيه دسيت آميده فيوق حسياب کنیيد ‪.‬‬ ‫‪ 2‬مقدار ضریب ضربان‬
‫‪Vac‬‬
‫‪R.F . ‬‬ ‫راهنمایي ‪:‬‬
‫‪Vdc‬‬

‫‪ 6‬لح ه ای خازن را از مدار جدا کرده و جریان خروجي ) 𝐿𝑅𝐼 ( را مجدداً اندازه گیری و بيا مقيدار قسيمت ‪2‬‬

‫مقایسه کرده و علت اختظف را شرح دهید ‪.‬‬

‫‪ 7‬در این حالت یعني بدون خازن ‪ R.F.‬را اندازه گیری و آن را با حالتي که خازن فیلتير در ميدار اسيت مقایسيه‬
‫کرده و علت اختظف را شرح دهید ‪.‬‬

‫‪ 2‬حال یک خازن‪1000‬میکروفارادی به جای خازن ‪10‬میکرو فارادی قرار دهیيد و مراحيل ‪ 2 – 4 – 1 – 2‬را‬
‫برای این خازن تکرار کنید ‪.‬‬

‫‪ 9‬نتایجي را که با افزایش ترفیت خازن حاصل شده است را با حالت اول مقایسه کرده و دلیل اخيتظف بيه وجيود‬
‫آمده را به طور کامل تشریح کنید ‪.‬‬

‫‪ 12‬آیا مي توان به ارتباط معقولي بین شکل موجها و ضریب ضربان پي برد ‪.‬‬

‫‪ 11‬مقدار مقاومت با را یک بار ‪ 2.2k‬و یک بار مقاومت ‪ 470‬اهم قرار داده و مراحلي که در قبل بیان گردیده را‬

‫نیز برای این آزمایش تکرار کنید ‪.‬‬

‫‪ 12‬اثر افزایش و کاهش مقاومت بار را بر روی پارامترهای مهم یک ولتاژ ‪ DC‬بررسي و نتیجه حاصله را توصی‬
‫کنید ‪.‬‬

‫هدف ‪ :‬تهیه ولتاژ مثبت و منفي با استفاده از یکسوساز نیم موج و تمام موج‬

‫خيازن ‪ 470‬میکروفياراد‬ ‫مقاوميت ‪2 1K‬عيدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬دیود سیلیکوني ‪ 4 1N4001‬عيدد‬

‫‪ AVO‬متر دیجیتالي اسیلوسکوپ و سیگنال ژنراتور‬ ‫ترانس سر وسط ا عدد‬ ‫‪2‬عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫در بسیاری از مدارهای الکترونیکي به خصوص برای ‪ OP-AMP‬ها احتیاج به ولتاژ متقارن مثبت و منفي است ‪.‬‬

‫مي توان با استفاده از ترانسفورماتور و یکسوسازها این ولتاژ را تهیه نمود ‪.‬‬

‫‪21‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 11-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 12-1‬مدار ساخت ولتاژ مثبت و منفي با صافي خازني‬

‫‪ 2‬جریانهای خروجي ) ‪ (𝐼𝑅𝐿1 , 𝐼𝑅𝐿2‬را به کمک آمپرمتر اندازه گیری و یادداشت کنید ‪.‬‬

‫‪ 1‬شکل موجهای ولتاژ دو سر بار اول و ولتاژ دو سر بار دوم را همزمان بر روی اسیلوسکوپ مشاهده و ثبت کنید ‪.‬‬

‫‪ 4‬مقدار ولتاژهای ‪ ac‬و ‪ DC‬خروجي اول و دوم را به کمک ولت متر اندازه گیری نموده و یادداشت کنید ‪.‬‬

‫‪ 2‬مقييدار ضييریب ضييربان ‪ Ripple Factor‬را بييا اسييتفاده از مقييادیر بدسييت آمييده فييوق حسيياب کنیييد ‪.‬‬
‫‪Vac‬‬
‫‪R.F . ‬‬ ‫راهنمایي ‪:‬‬
‫‪Vdc‬‬

‫‪ 6‬تفاوت این مدار را با مدار یکسوساز تمام موج با پل را توضیح دهید ‪.‬‬

‫‪ 7‬آیا مي توانید مداری را پیشنهاد کنید که بتواند همین ولتاژ مثبت و منفي را برای ‪ OP-AMP‬ها ایجاد کند ‪ .‬در‬
‫صورت امکان ذکر یک نمونه کافي است ‪.‬‬

‫‪24‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫هدف ‪ :‬بررسي نقاط کار یک دیود زنر‬

‫‪1‬عدد منبع تغذیه ‪ AVO DC‬متر دیجیتالي‬ ‫مقاومت ‪2.2 K‬‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬دیود زنر ‪ 1‬عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫دیود زنر قطعه ای است که صرفاً جهت استفاده از ناحیه ی زنری ساخته شده است ‪ .‬در زیر نمایي از دیود زنر‬
‫همراه با منحني مشخصه آن را مشاهده مي کنید‪ { .‬شکل ‪} 12-1‬‬

‫شکل ‪ : 12-1‬نمایي از دیود زنر و منحني مشخصه دیود زنر‬

‫صعود عمودی مشخصه هر چند که به اندازه 𝑍𝑉 به سمت راست کشیده شده بیانگر ایده آل بودن دیود است ‪.‬‬

‫هر ولتاژ بین ‪ 0‬الي 𝑍𝑉 حالت مدار باز را مشابه با آنچه در ناحیه زیر 𝑇𝑉 در دیود سیلیکون دیدیم ایجاد مي کند ‪.‬‬

‫مدار معادل کامل دیود زنر شامل یک مقاومت کوچک دینامیک و باطری ‪ DC‬مساوی با پتانسیل زنری است ‪ .‬با این‬
‫وجود با فرض اینکه کلیه ی مقاومتهای خارجي متصل به دیود زنر بزرگ هستند از مقاومت معادل زنر صرف ن ر‬

‫مي کنیم ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪22‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 12-2‬را ببندید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 12-2‬بررسي عملکرد دیود زنر‬

‫‪ 2‬یک میلي آمپرمتر را در مدار به صورت سری قرارداده و یک ولت متر دیجیتال یا اسیلوسکوپ را به صورت‬
‫موازی با دیود زنر قرار دهید ‪ .‬در این مرحله با تغییر ولتاژ باطری جریان را به حد مطلوب رسانده و سپس ولتاژ دو‬

‫سر دیود زنر را بخوانید ‪ .‬این عمل را انجام داده و جدول زیر را کامل کنید ‪.‬‬

‫𝑍𝐼‬ ‫)‪(mA‬‬ ‫‪0.1‬‬ ‫‪0.2‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪20‬‬

‫𝑍𝑉‬ ‫)‪(v‬‬

‫‪ 1‬سپس با استفاده از روش نقطه یابي و ‪ Fitting‬یک منحني مناسب با اطظعات بدست آمده فیت کرده و منحني‬

‫مشخصه دیود را بدست آورید ‪.‬‬

‫‪ 4‬نقاط مهم عملکرد را در مورد یک دیود زنر بر روی شکل نمایش دهید ‪.‬‬

‫‪26‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫هدف ‪ :‬کاربرد دیود زنر در تثبیت ولتاژ‬

‫‪220‬‬ ‫مقاومتهيای‬ ‫ترانس معمولي ا عدد‬ ‫دیود ‪ 4 1N4001‬عدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬دیود زنر ‪ 1‬عدد‬
‫‪ AVO‬متر دیجیتالي و اسیلوسکوپ‬ ‫‪1 , 390 , 470 , 1 k , 2.2K‬عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫رایج ترین کاربرد دیود زنر استفاده از آن در تولید یک ولتاژ مرجع ثابت برای اهداف مقایسه و تغذیه مي باشد ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 11-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 11-1‬بررسي عملکرد دیود زنر برای عمل تثبت کننده ای ولتاژ‬

‫‪ 2‬سپس مقاومت بار را در ابتدا ‪ 1K‬اهم انتخاب نموده و ولتاژ دو سر بار را همراه با ورودی مشاهده و آن را ثبت‬

‫کنید ‪ .‬عمل ثبت را بر روی یک کاغذ میلیمتری انجام دهید در ضمن مقدار ریپل آن را نیز بدست آورید ‪.‬‬

‫‪ 1‬ولتاژ دو سر خازن را همراه با ورودی مشاهده نموده و آن را ثبت کنید ‪ .‬عمل ثبت را بر روی یک کاغذ‬

‫میلیمتری انجام دهید ‪ .‬در ضمن مقدار ریپل آن را نیز بدست آورید ‪.‬‬

‫‪ 4‬اکنون این عمل را به ازای مقاومتهای ‪ 220,390,470‬به ازای بار خروجي تکرار کنید و نتیجه این تغییر را بر‬

‫روی سطح ولتاژ ‪ DC‬خروجي و مقدار ریپل بررسي کنید ‪.‬‬

‫‪27‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫مدارهای دیودی‬

‫هدف ‪ :‬بررسي کاربرد دیود در عمل برشگری یک طرفه‬

‫‪ AVO‬متير‬ ‫منبيع تغذیيه ‪DC‬‬ ‫مقاومت ‪1 2.2K‬عدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬دیود سیلیکوني ‪ 1 1N4001‬عدد‬
‫دیجیتالي اسیلوسکوپ و سیگنال ژنراتور‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫دسته ای از شبکه های دیودی وجود دارند که قادرند بخشي از سیگنال ورودی را بدون آن که بخش باقیمانده‬
‫تغییر یابد حذف کنن د ‪ .‬بسته به جهت دیود ناحیه ی مثبت یا منفي موج حذف مي گردد ‪ .‬دو دسته برشگر وجود‬

‫مي گردد که دیود با بار سری مي باشد ‪ .‬در حالي‬ ‫دارند سری و موازی ‪ .‬پیکر بندی سری بدین صورت تعری‬

‫که نوع موازی دیود در ناحیه ای است که با بار موازی مي باشد ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 14-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 14-1‬مدار برشگر یک طرفه‬

‫‪ 2‬سیگنال ژنراتور را روی فرکانس ‪ 1KHz‬با دامنه )‪ 8(v‬پیک تو پیک تن یم کنید ‪ .‬منبع ولتاژ ‪ DC‬را نیز روی‬
‫‪ 1.5‬ولت تن یم و به مدار اعمال کنید ‪.‬‬

‫‪22‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫‪ 1‬در این حالت اسیلوسکوپ را در حالت ‪ DC‬قرار داده و شکل موج دو سر بار را مشاهده نموده و به دقت بر‬

‫روی کاغذ میلیمتری رسم کنید‪.‬‬

‫‪ 4‬طرز کار مدار را به طور کامل توضیح دهید ‪.‬‬

‫‪ 2‬در مدار شماره ‪ 14-1‬سطح ‪ DC‬منبع را در مقادیر زیر تن یم و شکل موجهای مربوطه را رسم کنید ‪.‬‬

‫‪ 6‬در مدار شماره ‪ 14-1‬منبع ولتاژ را بر عکس بسته و مقدار آن را روی ‪ 1.5‬ولت قرار داده و شکل موج‬
‫خروجي را همراه با ورودی رسم کنید ‪.‬‬

‫هدف ‪ :‬بررسي کاربرد دیود در عمل برشگری دو طرفه‬

‫منبيع تغذیيه ‪2 DC‬عيدد‬ ‫مقاوميت ‪1 2.2K‬عيدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬دیود سیلیکوني ‪ 2 1N4001‬عيدد‬
‫‪ AVO‬متر دیجیتالي اسیلوسکوپ و سیگنال ژنراتور‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫دسته ای از شبکه های دیودی وجود دارند که قادرند هر دو طرف از سیگنال ورودی را بدون آنکه بخش میاني‬
‫تغییر یابد حذف کنند ‪ .‬به این نوع برشگرها برشگرهای دوطرفه گفته مي شود ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 12-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 12 -1‬مدار برشگر دو طرفه‬

‫‪29‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫‪ 2‬سیگنال ژنراتور را روی فرکانس ‪ 1KHz‬با دامنه )‪ 12(v‬پیک تو پیک تن یم کنید ‪ .‬منبع ولتاژ ‪ DC‬اول را روی‬

‫‪ 3‬ولت و منبع تغذیه ولتاژ ‪ DC‬دوم را روی ‪ 1.5‬ولت تن یم و به مدار اعمال کنید ‪.‬‬

‫‪ 1‬در این حالت اسیلوسکوپ را در حالت ‪ DC‬قرار داده و شکل موج خروجي مشاهده نموده و به دقت بر روی‬

‫کاغذ میلیمتری رسم کنید ‪.‬‬

‫‪ 4‬طرز کار مدار را به طور کامل توضیح دهید ‪.‬‬

‫جای دو منبع تغذیه را تعویض نموده و دوباره شکل موجها را رسم کنید ‪ .‬آیا شکل‬ ‫‪ 2‬در مدار شماره ‪12-1‬‬

‫موج خروجي تغییری مي یابد ؟ علت را توضیح دهید ‪.‬‬

‫هدف ‪ :‬بررسي کاربرد دیود در جابجا کننده ها‬

‫خيازن ‪ 10‬میکروفيارادی‬ ‫مقاوميت ‪1 10K‬عيدد‬ ‫ابيزار ميورد نیياز ‪ :‬دیيود سيیلیکوني ‪ 1 1N4001‬عيدد‬
‫‪ AVO‬متر دیجیتالي اسیلوسکوپ و سیگنال ژنراتور‬ ‫منبع تغذیه ‪1 DC‬عدد‬ ‫ا عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫منتقل مي کند ‪ .‬این شبکه باید دارای یک‬ ‫شبکه جابجا کننده مداری است که سیگنال را به یک سطح ‪ DC‬مختل‬

‫خازن یک دیود و یک عنصر مقاومت باشد ‪ .‬ولي مي توان به من ور انتقال بیشتر یک منبع تغذیه ‪ DC‬نیز به آن‬
‫‪T‬‬
‫‪ 5 ‬را در ن ر گرفت ‪ .‬که من ور از ‪ ‬ثابت زماني است ‪.‬‬ ‫اضافه کرد در این مدارها با شرط‬
‫‪2‬‬

‫یادآوری ‪:‬‬

‫‪ 1‬ثابت زماني عبارت است از حاصل ضرب مقاومت در خازن‬

‫‪ 2‬در تحلیل این مدارها باید تحلیل را از جایي آغاز کرد که دیود در حالت اتصال کوتاه قرار گیرد ‪.‬‬

‫‪12‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 16-1‬را ببندید‬

‫شکل ‪ : 16-1‬مدار جابجا کننده نوع اول‬

‫‪ 2‬سیگنال ژنراتور را در حالت پالسي و روی فرکانس ‪ 1KHz‬با دامنه )‪ 8(v‬پیک تو پیک تن یم نموده و به مدار‬
‫اعمال کنید ‪.‬‬

‫‪ 1‬در این حالت اسیلوسکوپ را در حالت ‪ DC‬قرار داده و شکل موج خروجي مشاهده نموده و به دقت بر روی‬
‫کاغذ میلیمتری رسم کنید ‪.‬‬

‫‪ 4‬طرز کار مدار را بطور کامل توضیح دهید ‪.‬‬

‫‪ 2‬مراحل آزمایش باال را برای مدار شماره ‪ 16-2‬نیز انجام دهید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 16-2‬برشگر دو طرفه نوع دوم‬

‫‪ 6‬دلیل به کار گیری منبع ‪ DC‬را توضیح دهید ‪.‬‬

‫‪11‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫نمونه پرسش آزمون در مرحله سوم‬

‫پرسش ‪ :‬در مدار زیر محدوده ‪ Rl‬و ‪ Il‬را برای نگهداری ‪ VRL‬و ‪ 4.7‬ولت معین کنید ‪.‬‬

‫راهنمایي ‪ :‬برای بحث روی این موضوع آگاهي از دیود زنر به صورت تئوری الزم است ‪.‬‬

‫شکل ج ‪ :‬نمونه مدار زنری برای آزمون تئوری‬

‫پرسش ‪ :‬محدوده مقادیر ‪ Vi‬را که در آن دیود زنر در حالت روشن باشد چقدر است ؟‬

‫شکل و ‪ :‬نمونه مدار زنری برای آزمون تئوری و عملي‬

‫پرسش ‪ :‬شکل موج را به طور کامل تحلیل کنید ؟‬

‫‪12‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫هدف ‪ :‬بررسي کاربرد دیود در چند برابر کننده های ولتاژ‬

‫ترانس‬ ‫خازن ‪ 100‬میکروفارادی و ‪ 20‬ولت ‪1‬عدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬دیود سیلیکوني ‪ 2 1N4001‬عدد‬
‫اسیلوسکوپ و سیگنال ژنراتور‬ ‫منبع تغذیه ‪1 DC‬عدد‬ ‫معمولي ‪1 220/12‬عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫با ترکیب چند مدار یکسو کننده مي توان یک ولتاژ متناوب که دارای حداکثر ‪ Vm‬است یک منبع ولتاژ یکسو شده‬
‫یک مدار دو برابر کننده ولتاژ رسم و توضیح داده‬ ‫با ولتاژی چند برابر ‪ Vm‬تهیه نمود ‪ .‬در مدار شماره ‪17-1‬‬
‫شده است ‪ .‬به این دوبرابر کننده مدار دلون )‪ (DELON‬گفته مي شود ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 17-1‬مدار دو برابر کننده دلون‬

‫در نیم سیکلهای مثبت خازن ‪ C1‬به اندازه ی ‪ Vm‬شارژ مي شود و در نیم سیکلهای منفي خازن ‪ C2‬به اندازه ی ‪Vm‬‬

‫شارژ مي شود و در نتیجه ‪ V(BC)=V(C2)=Vm‬و ‪ V(AB)=V(C1)=Vm‬و در نهایت ‪ . V(BC)=2Vm‬اگر خروجي‬

‫یک مدار جهشي را یکسو کنیم حاصل دو برابر کننده ولتاژ بدست مي آید ‪ .‬چون به خروجي مدار جهشي با اندازه‬
‫‪ Vm‬ولتاژ ‪ DC‬افزوده شده پس خازن ‪ C1‬با اندازه ی پیک تو پیک ولتاژ ورودی ) ‪ ( 2Vm‬شارژ مي شود ‪ .‬به این‬

‫مدار دو برابر کننده ویظرد مي گویند‪ .‬البته از ترکیب چند مدار ویظرد مي توانیم مدار‬ ‫مدار مدار شماره ‪17-2‬‬

‫چند برابر کننده ولتاژ را به راحتي بدست بیاوریم که توضیح آن بسیار ساده بوده و لذا از بیان آن در اینجا صرف‬

‫ن ر مي کنیم ‪.‬‬

‫‪11‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫شکل ‪ : 17-2‬مدار دو برابر کننده ویظرد‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 17-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 17-1‬مدار دو برابر کننده دلون‬

‫‪ 2‬ولتاژ دو سر ترانس را با اسیلوسکوپ مشاهده نموده و رسم کنید ‪.‬‬

‫‪ 1‬ولتاژ دو سر خازنهای ‪ 1‬و ‪ 2‬را با اسیلوسکوپ مشاهده نموده و رسم کنید ‪.‬‬

‫در این حالت اسیلوسکوپ را به خروجي متصل نموده و شکل موج آن را همراه با ورودی مشاهده نموده و به‬ ‫‪4‬‬
‫دقت بر روی کاغذ میلیمتری رسم کنید‪.‬‬

‫‪ 2‬مدار شماره ‪ 17-4‬را ببندید ‪.‬‬

‫‪14‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫شکل ‪ : 17-4‬مدار دو برابر کننده ویظرد‬

‫‪ 6‬ولتاژ دو سر خازن ‪ C2‬را با اسیلوسکوپ مشاهده نموده و رسم کنید ‪ .‬این ولتاژ چند برابر ولتاژ ثانویه ترانس‬

‫است ؟‬

‫‪ 7‬مزیت مدار شماره ‪ 17-1‬نسبت به مدار شماره ‪ 17-4‬چیست ؟‬

‫اگر یک مقاومت ‪ 3.9K‬اهم را به دو سر ‪ C2‬وصل کنیم بر شکل موج خروجي چه تأثیری مي گذارد ؟ اگر‬ ‫‪2‬‬

‫مقاومتهای ‪ 10k‬اهم و ‪ 100k‬اهم را قرار دهیم اثر آن چیست ؟ به ن ر شما برای بهبود شکل موج چه کاری باید‬
‫انجام دهیم ؟‬

‫‪12‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫نمونه پرسش آزمون در مرحله چهارم‬

‫پرسش ‪ :‬در مدارهای جابجا کننده اگر شرط )‪ 5RC>>(T/2‬برقرار نباشد به ن ر شيما در شيکل ميوج خروجيي‬
‫چه تغییری حاصل مي شود ؟ تئوری‬

‫پرسش ‪ :‬به ازای ورودی سینوسي خروجي مدار زیر چه خواهد بود ؟‬

‫شکل م ‪ :‬نمونه مدار دیودی برای آزمون تئوری‬

‫شکل ن ‪ :‬نمونه مدار کاربردی دیودی )‪ (AGC‬برای آزمون تئوری و عملي و پروژه‬

‫پرسش ‪ :‬مدار زیر در قسمت ‪ AGC‬کنترل خودکيار بهيره تلویزیيون بيه کيار ميي رود ‪ .‬نسيبت ‪ Vo/Vi‬را بيرای‬
‫ولتاژهای 𝐶𝐷𝑉 به ترتیب زیر محاسبه کنید ‪ .‬ولتاژ آستانه دیود را )‪ 0.2 (v‬فرض کنید ؟‬

‫‪16‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫آشنایي با ترانزیستور‬

‫هدف ‪ :‬تشخیص نوع ترانزیستور ) ‪(PNP or NPN‬‬

‫‪ AVO‬متير دیجیتيالي و ‪ AVO‬متير‬ ‫ترانزیستور ‪ 1 NPN‬عدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬ترانزیستور ‪ 1 PNP‬عدد‬
‫عقربه ای‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫همانطور که مي دانید ترانزیستور از دو الیه ناخالصي به صورت ‪ PNP‬یيا ‪ NPN‬سياخته شيده اسيت ‪ .‬از ن ير جينس‬

‫قطعات در دو نوع ژرمانیومي و سیلیسیومي موجود هستند ‪ .‬در موقع مونتاژ از هر کيدام از الیيه هيا الکترودهيایي بيه‬

‫نام بیس‪-‬کلکتور‪-‬امیتر خارج مي شوند ‪ .‬همانطور که در شيکل ‪ 12-1‬مظح يه ميي گيردد ایين قطعيه هماننيد دو‬
‫دیود مي باشد مي باشد که به صورت شیت به شیت با یکدیگر اتصال دارند ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 12 -1‬اتصال دو دیود و تشکیل یک ترانزیستور‬

‫مسیر حرکت الکترونها در ‪ NPN‬و حفره ها در ‪ PNP‬از امیتر به سمت کلکتور است ‪ .‬حفره هایي که از طریق‬

‫امیتر وارد الیه ی بیس مي گردند به سبب باریک بودن عرض بیس فرصيت و امکيان کيافي بيرای ترکیيب شيدن را‬
‫نداشته و قسمت اع م آنها از طریق جاذبه ی قوی الکتریکي کلکتور وارد این الیيه ميي شيوند ‪ .‬ميي تيوان گفيت کيه‬
‫‪ Ic=Ie‬در ترانزیستورهای معمولي همیشه مقدار ضریب از یک کوچکتر خواهد بيود ‪ .‬جریيان ‪ (1-)Ie‬جریياني‬
‫است که از بیس خارج مي شود‬

‫‪17‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫پس ‪:‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪‬‬

‫‪I B  (1   ) I E ‬‬ ‫‪IC  I B ‬‬ ‫‪IC‬‬ ‫‪that :  ‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪1‬‬

‫که ‪ ‬ضریب تقویت جریان نامیده مي شود ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫در خیلي از موارد در کارهای عملي اتفاق مي افتد که ترانزیستور مجهولي بدست ما مي رسيد کيه ميي خيواهیم پایيه‬
‫های آن را تشخیص دهیم ‪ .‬برای این کار ساده ترین راه اسيتفاده از یيک اهمتير اسيت ‪ .‬در ابتيدا بيا توجيه بيه ميدل‬
‫دیودی ترانزیستور به راحتي مي توان بیس ترانزیستور را تشخیص داد ‪ .‬به این معني که چيون بيیس ترانزیسيتور‬

‫پایه ای است که با دو پایه دیگر حالت مشابهي دارد اگر یک ترمینال اهمتر به بیس متصل باشد و پایه دیگير را بيه‬

‫امیتر و کلکتور اتصال دهیم حالت عقربه اهمتر در دو حالت یکي خواهد بيود ‪ .‬ميثظً اگير ترمینيال مثبيت اهيم متير‬
‫مثبت باطری را به بیس یک ترانزیستور ‪ NPN‬و ترمینال منفي را به کلکتور یا امیتر متصل کنیم به عليت اینکيه‬

‫در این حالت دیودها در حالت گرایش مستقیم خود قرار مي گیرند اهم متر مقدار کمي را نشان مي دهد و اگر بير‬
‫عکس ترمینال منفي به بیس و ترمینال مثبت به کلکتور و امیتر متصل باشد اهم متر مقدار زیادی را نشان مي دهد ‪.‬‬

‫کنیم که با دو پایه دیگر یا مقدار کمي و یا مقدار زیادی را نشان مي دهيد‬ ‫بنابر این بیس را مي توانیم پایه ای تعری‬

‫اصطظحاً گفته مي شود که با دو پایه ی دیگر یا راه بدهد و یا راه ندهد ‪ .‬به هر حال از مطلب فوق یک راه حيل عمليي‬

‫برای تشخیص بیس بدست مي آید ‪ .‬در این حاليت سيلکتور اهيم متير بایيد در حاليت ‪ R*10‬باشيد ‪ .‬در ضيمن ایين‬

‫آزمایش نوع ترانزیستور )‪(PNP or NPN‬را نیز مشخص مي کند ‪ .‬به ایين ترتیيب کيه در حيالتي کيه اهيم متير‬
‫مقدار کمي را نشان مي دهد اگر مثبت اهم متر به بیس متصل باشد ترانزیستور ‪ NPN‬و اگر منفي اهم متر به بيیس‬

‫متصل باشد ترانزیستور ‪ PNP‬است ‪ .‬برای تشخیص کلکتور و امیتر از هيم دو روش وجيود دارد کيه در اینجيا تنهيا‬
‫یک روش را بیان خواهیم نمود ‪.‬‬

‫در این روش ابتدا سلکتور اهم متر را در حالت اهم زیاد قرار داده و سپس ترمینيال هيای اهيم متير را بيه کلکتيور و‬

‫امیتر ترانزیستور متصل کرده مقاومت نشان داده شده را اندازه گیری مي کنیم ‪ .‬سپس ترمینيال هيای اهيم متير را‬
‫بر عکس حالت قبل به کلکتور و امیتر ترانزیستور متصيل نميوده و در ایين حاليت نیيز مقاوميت نشيان داده شيده را‬
‫مي خوانیم ‪ .‬مظح ه مي شود که مقاومت خوانده شده در دو حالت فوق برابر نیستند ‪ .‬در این صيورت در حيالتي کيه‬

‫اهم متر مقاومت کمتری را نشان مي دهد قطب مثبت اهم متر در ترانزیستور ‪ NPN‬پایه ی امیتير و در ترانزیسيتور‬
‫‪ PNP‬پایه کلکتور را مشخص مي کند ‪.‬‬

‫‪12‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫هدف ‪ :‬بدست آوردن منحني مشخصه ترانزیستور )‪ (PNP‬با استفاده از نقطه یابي‬

‫پتانسيیومتر ‪ 5K‬اهيم ‪2‬‬ ‫مقاومت ‪ 1 2.2K‬عيدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬ترانزیستور )‪ 1 BC177 (PNP‬عدد‬
‫‪ AVO‬متر دیجیتالي ‪ 1‬عدد و منبع تغذیه ‪1 DC‬عدد‬ ‫عدد‬

‫توضیحات ‪:‬‬

‫‪ ‬پارامترهای مهم در یک ترانزیستور ‪:‬‬

‫در یک ترانزیستور پارامترهای بسیار مهمي از قبیل ‪ :‬جریانها بیشيینه ولتاژهيا ضيرایب تقویيت بیشيینه دميا و …‬

‫مطرح مي باشد که مطالعه آن به خود فرد واگيذار ميي گيردد و در اینجيا تنهيا ضيریب تقویيت جریيان ‪ DC‬تعریي‬
‫مي گردد ‪.‬‬

‫‪Ic‬‬
‫‪HFE   dc ‬‬ ‫‪ : HFE‬ضریب تقویت ‪DC‬جریان که عبارت است از ‪:‬‬
‫‪IB‬‬

‫‪I C  I CO‬‬
‫‪  ‬در صيورتي کيه ‪ Ico‬در مقابيل ‪ IB‬قابيل صيرف ن ير‬ ‫از آنجا کيه ‪ I c  I B  (1   ) I CO‬بيوده و‬
‫‪I B  I CO‬‬
‫کردن با شد مي توان نتیجه گرفت که ‪  dc  ‬ولي در حالت کلي ‪    dc‬مي باشد‪.‬‬

‫من ور از ‪ Ico‬جریان اشباع معکوس است که در این پارامتر برای طراحان ترانزیستور دارای اهمیت بسیار زیيادی‬
‫مي باشد ‪.‬‬

‫از آنجا که ترانزیستور یک المان چهار قطبي است مي توان برای آن دو منحني مشخصه ی رسم کرد که عبارتند از‬

‫‪ 1‬منحني مشخصه ورودی ‪ 2‬منحني مشخصه ی خروجي ‪.‬‬

‫‪ I B  f (VBE ) |V‬و بيييرای رسيييم منحنيييي مشخصيييه ی خروجيييي‬‫‪CE‬‬ ‫‪CTE‬‬ ‫بيييرای رسيييم منحنيييي مشخصيييه ی ورودی‬
‫‪. I C  f (VCE ) |I‬‬ ‫‪B CTE‬‬

‫برای رسم این منحني ها روشهای مختلفي وجود دارند که عبارتند از ‪:‬‬

‫‪ 1‬روش نقطه یابي با استفاده از مدارهای موردن ر ؛‬

‫‪ 2‬روش استفاده از ‪ Curve Tracer‬منحني نگار ؛‬

‫‪19‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫‪ 1‬روش استفاده از اسیلوسکوپ ‪.‬‬

‫ترانزیستور ‪:‬‬ ‫بایاسینگ های مختل‬

‫قبل از اینکه ترانزیستور عمل تقویت کنندگي سیگنال را انجام دهد بایستي تغذیه شود ‪ .‬معموالً سيه نيوع بایاسيینگ‬
‫برای ترانزیستورها در ن ر گرفته مي شود که عبارتند از ‪:‬‬

‫‪ 1‬بایاسینگ مستقیم ‪Direct Bias‬‬

‫بایاسینگ خودکار ‪Automatic Bias‬‬ ‫‪2‬‬
‫بایاسینگ سر خود ‪Self-Bias‬‬ ‫‪1‬‬
‫که البته از توضیح بیشتر در این مورد خودداری مي گردد و مطالعات بیشتر به عهده دانشجو قرار داده مي شود ‪.‬‬

‫‪Vcc‬‬
‫‪0‬‬
‫‪ |Vcc‬عبيور کنيد بيه خيط بيار‬ ‫خط بار ‪ :‬به طور مختصر در مدار بایاس خودکار خطيي کيه از دو نقطيه ‪and |0Rc Re‬‬
‫معروف است ‪.‬‬

‫نقطه ی کار ‪ :‬نقاطي که در روی خط بار واقع شده و تعیین کننده ی مقيادیر جریيان بيیس و جریيان کلکتيور و ولتياژ‬
‫امیتر مي باشند ‪ .‬به نقاط بار معروفند ‪.‬‬

‫نواحي فعال – قطع – اشباع در ترانزیستور ‪:‬‬

‫نقاط کاری که روی خط بار در حد فاصل بین ‪ 0.5(v)<Vce<Vcc‬و ‪ Ib>0‬باشد ترانزیسيتور در منطقيه ی فعيال‬
‫است ‪ .‬در صورتي که نقطه ی کار در نواحي )‪ Vce<0.5(v‬است ترانزیستور در منطقه ی اشباع قرار گرفتيه اسيت ‪.‬‬
‫و باالخره اگر ‪ Ib=0‬و ‪ Vcc=Vce‬باشد ترانزیستور در منطقه قطع است ‪.‬‬
‫‪ Vcc‬خيط‬ ‫یادآوری ‪ :‬اگر تغذیه ‪ Vcc‬زیاد شود خط بار به موازات خط بار قبلي جا به جا خواهد شد ‪ .‬با زیاد کيردن‬
‫بار به سمت باال و با کم کردن ‪ Vcc‬خط بار به سمت پایین خواهد آمد ‪.‬‬
‫مراحل آزمایش ‪:‬‬
‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 19-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 19-1‬بررسي بایاسینگ ترانزیستور و تحلیل ‪ DC‬ترانزیستور‬

‫‪42‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫‪ 2‬بيييا تغییييير ‪ RP1‬جریانهيييای )‪ IE=0,1,2,3,4,5 (mA‬و ولتييياژ کلکتيييور‪-‬بيييیس ‪ Vcb‬را در پليييه هيييای‬

‫‪ 0,0.5,1,2,3,4,6,8,10‬زیاد کرده و مقادیر ‪ Ic‬را اندازه گیری کرده و سپس مشخصيه ی )‪ Ic=f(Vcb‬را بيه ازای‬
‫مقادیر ‪ Ie‬رسم کنید ‪ .‬یعني در ابتدا ‪ Ie=0‬قرار داده و با تغییر ‪ RP2‬ولتاژهيای زیياد شيده را ایجياد کيرده و ‪ Ic‬را‬

‫بخوانید و به همین ترتیب جدول زیر را با دقت کامل کنید ‪.‬‬

‫)‪(mA‬‬ ‫‪VCB‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪IE=0‬‬ ‫?=‪IC‬‬
‫‪IE=1‬‬ ‫?=‪IC‬‬
‫‪IE=2‬‬ ‫?=‪IC‬‬
‫‪IE=3‬‬ ‫?=‪IC‬‬
‫‪IE=4‬‬ ‫?=‪IC‬‬
‫‪IE=5‬‬ ‫?=‪IC‬‬

‫‪V A  VB‬‬
‫‪ I E ‬اندازه ی ‪ VEB‬را اندازه گیری و منحني مشخصيه ورودی )‪ IB=f(VEB‬را بيه‬ ‫‪ 1‬برای هر مقدار‬
‫‪R‬‬
‫ازای )‪ VCB=6(v‬رسم کنید ‪.‬‬

‫)‪(mA‬‬ ‫‪Ic‬‬ ‫‪0.1‬‬ ‫‪0.2‬‬ ‫‪0.3‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫‪0.8‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪10‬‬
‫‪IE=0‬‬ ‫?= ‪VBE‬‬
‫‪IE=1‬‬ ‫?= ‪VBE‬‬
‫‪IE=2‬‬ ‫?= ‪VBE‬‬
‫‪IE=3‬‬ ‫?= ‪VBE‬‬
‫‪IE=4‬‬ ‫?= ‪VBE‬‬
‫‪IE=5‬‬ ‫?= ‪VBE‬‬

‫‪41‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫هدف ‪ :‬بررسي نقاط کار یک ترانزیستور )‪ (NPN‬قطع‪ -‬اشباع‪ -‬معکوس‬

‫منبيع تغذیيه‬ ‫مقاومت ‪ 1k,10K‬از هر کدام ‪ 1‬عيدد‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬ترانزیستور)‪ 1 BC107(NPN‬عدد‬
‫‪ AVO‬متر دیجیتالي ‪ 1‬عدد‬ ‫‪ 2 DC‬عدد‬

‫توضیح ‪ :‬عملکرد و توضیح در مورد این مدار مشابه آزمایش شماره ‪ 19‬است ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 22-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫شکل ‪ : 19-1‬مدار برای بررسي نقاط کار یک ترانزیستور‬

‫‪ 2‬با استفاده از مدار زیر با تن يیم ولتياژ ‪ VBB‬جریانهيای ‪ IB=0,10,20,30,40,50‬میکيرو آمپير را ثابيت نگيه‬

‫در پله های ‪ IC=0,0.5,1,2,4,6,8,10‬ولت را اندازه گرفتيه‬ ‫‪VCE‬‬ ‫داشته و با تغییر ولتاژ کلکتور‪-‬امیتر یعني‬
‫و از آنجا )‪ Ic=f(Vce‬را رسم کنید ‪.‬‬

‫میکرو آمپر‬ ‫‪VCE‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬

‫‪IB=0‬‬ ‫?=‪IC‬‬
‫‪IB=10‬‬ ‫?=‪IC‬‬
‫‪IB=20‬‬ ‫?=‪IC‬‬
‫‪IB=30‬‬ ‫?=‪IC‬‬
‫‪IB=40‬‬ ‫?=‪IC‬‬
‫‪IB=50‬‬ ‫?=‪IC‬‬

‫‪42‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫‪ 1‬ضریب تقویت استاتیکي ‪ dc‬و ضریب تقویت دینامیکي ‪ hfe‬را روی ‪ Ib=10‬میکرو آمپر بدست آورید ‪.‬‬

‫‪ 4‬منطقه قطع و اشباع را روی مشخصه نشان داده و مقيدار ‪ Vce‬را در ‪Ib=50‬میکيرو آمپير در یيک ‪ Ic‬دلخيواه‬
‫بدست آورید ‪.‬‬

‫‪ 2‬مقدار تقریبي ‪ Ico‬را از روی مشخصه بدست آورید ‪.‬‬

‫‪ 6‬در صورتي که ‪ Vce‬از ‪ Vcemax‬تجاوز کند به چه شکلي در مي آید و دلیل آن چیست ؟‬

‫‪ 7‬کاربرد عملي ‪ dc‬و ‪ hfe‬را بیان کنید ‪.‬‬

‫تقویت کننده های ترانزیستوری‬

‫هدف ‪ :‬بررسي عمل تقویت کنندگي ترانزیستور‬

‫مقاوميت ‪ 220,1k,5.6k,18k‬ا عيدد خيازن ‪5,5,100‬‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬ترانزیستور)‪ 1 BC177(PNP‬عيدد‬
‫منبع تغذیه ‪ DC‬سیگنال ژنراتور و اسیلوسکوپ‬ ‫میکروفاراد ‪1‬عدد پتانسیومتر ‪1k‬اهم ‪1‬عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫در این آزمایش هدف این است که بتوان یک سيیگنال کيه ميي توانيد سيیگنال صيوتي تصيویری و یيا هير سيیگنال‬
‫دیگری را بتوان تقویت کرد در حالت ایده آل در هر فرکانسي که باشد ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 21-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫‪41‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫شکل ‪ : 21-1‬مدار برای بررسي عمل تقویت کنندگي ترانزیستور‬

‫‪ 2‬ولتاژهای ‪ DC‬مشخص شده را در نقاط مشخص شده در جدول را نسبت به زمین اندازه گرفته و یادداشت کنید‬

‫𝐞𝐜𝐕‬ ‫𝐞𝐛𝐕‬ ‫𝐜𝐛𝐕‬

‫‪ 1‬سیگنال ژنراتور را برای فرکانس ‪ 1KHz‬و ولتاژ ‪ 1 VPP‬به وسیله ی اسیلوسکوپ تن یم کنید ‪.‬‬

‫‪ 4‬اسیلوسکوپ را به دو سر مقاومت ‪ R 2‬وصل کيرده وبيه وسيیله ی پتانسيیومتر ولتياژ پیيک تيو پیيک را برابير بيا‬
‫‪ 30mv‬انتخاب کنید و سپس شکل موج را دقیقاً با مقادیر اندازه گیری شده رسم کنید ‪.‬‬

‫‪ 2‬اسیلوسکوپ را به دو نقطه ‪ a‬و زمین وصل کرده و شکل موج و مقدار پیک تو پیک آن را بدسيت آوریيد ‪ .‬شيکل‬
‫موج را با مقیاس مناسب دقیقاً بر روی کاغذ میلي متری رسم کنید ‪.‬‬

‫‪ 6‬زمین اسیلوسکوپ را به زمین مدار ورودی کانال ‪ 1‬را به نقطه ی ‪ a‬و کانال ‪ 2‬را به نقطه ی ‪ b‬وصل کنیيد ‪ .‬شيکل‬
‫موجها را با مقیاس مناسب رسم کنید ‪ .‬اختظف فاز موجها را بررسي کنید ‪.‬‬

‫‪ 7‬ولتاژ سیگنال ژنراتور را بيه وسيیله پتانسيیومتر ‪ 1K‬اهيم تغییير داده و بيرای حاليت بيدون اعوجياج شيکل ميوج‬
‫خروجي را پیک تو پیک اندازه گرفته و رسم کنید ‪.‬‬

‫‪44‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫نکته ‪:‬‬

‫با تغییر ولتاژ سیگنال ژنراتور در جای ي مي رسد که قله های ولتاژ خروجي بریده مي شيود ‪ .‬در ایين حاليت اصيطظحاً‬

‫گفته مي شود که شکل موج خروجي اعوجاج یافته است ‪ .‬در بهترین حالت تقویت کنندگي خروجي دارای بیشيترین‬
‫مقدار ‪ VPP‬نسبت به ‪ VPP‬ورودی بدون اعوجاج مي باشد ‪ .‬بيا تغییير فرکيانس سيیگنال ژنراتيور محيدوده فرکانسيي‬
‫بدست مي آید که در آن تقویت کننده ورودی را بدون اعوجاج تقویت مي کند ‪.‬‬

‫‪ 2‬ولتاژ سیگنال را به وسیله پتانسیومتر روی ‪ 30mv‬پیک تو پیک تن یم نميوده و بيه ازای فرکانسيهای داده شيده‬
‫در جدول زیر پاسخ فرکانسي مدار را بدست آورید ‪.‬‬

‫)‪F (khz‬‬ ‫‪0.1‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪50‬‬ ‫‪80‬‬ ‫‪100‬‬

‫)𝑃 ‪Vout (𝑃 −‬‬

‫هدف ‪ :‬بدست آوردن امپدانس ورودی و خروجي بهره جریان و ولتاژ و نقاط کار یک ترانزیستور در حالت امیتر‬
‫مشترک‬

‫از هر کدام یک‬ ‫مقاومتهای ‪2.2k,6.3k,56k,220k‬‬ ‫ابزار مورد نیاز ‪ :‬ترانزیستور)‪ 1 BC177(PNP‬عدد‬

‫و‬ ‫یک عدد‬ ‫سیگنال ژنراتور‬ ‫یک عدد‬ ‫منبع تغذیه ‪DC‬‬ ‫خازن ‪ 5,10‬میکروفاراد ‪1‬عدد‬ ‫عدد‬
‫اسیلوسکوپ یک عدد‬

‫توضیح ‪:‬‬

‫در این آزمایش هدف این است که بتوان امپيدانس هيای ورودی و خروجيي و همچيونین ضيرایب تقویيت جریيان و‬
‫ولتاژ را به صورت تئوری و عملي برای یک مدار تقویت کننيده بدسيت آورد و بعيد از آن نتيایج بدسيت آميده را بيا‬
‫همدیگر مقایسه کرد ‪.‬‬

‫مراحل آزمایش ‪:‬‬

‫‪ 1‬مدار شماره ‪ 22-1‬را ببندید ‪.‬‬

‫‪42‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫شکل ‪ : 22-1‬مداری برای بدست آورن پارامترهای مهم درگیر در یک مدار ترانزیستوری‬

‫‪ 2‬یک ولتاژ سینوسي با دامنه ‪ 25mv‬و با فرکانس ‪ 10KHz‬به ورودی مدار اعمال کنید ‪.‬‬

‫‪ 1‬با توجه بيه مباحيث تئيوری تيدریس شيده در کيظس درس ميدار زیير را از ن ير ‪ DC‬تحلیيل کيرده و مقيادیر‬
‫ولتاژهای کاری مدار یعني )‪(Vceq , Iceq‬و ولتاژ بیس ) ‪ (Vb‬را بدست آورید ‪.‬‬

‫‪ 4‬مقادیر امپدانس ورودی ) ‪(Zi‬و امپدانس خروجي ) ‪ (ZO‬و ‪ re‬را بدسيت آورده و آن را بيا نتيایج بدسيت‬
‫آمده در حالت تئوری مقایسه و علت اختظف را توضیح دهید ‪.‬‬

‫‪ 2‬بهره ولتاژ ) ‪ ( Av‬و بهره جریان ) ‪ ( Ai‬را بدست آورده و با نتایج تئوری مقایسه کنید ‪.‬‬

‫‪ 6‬آیا بدست آوردن پارامترهای مذکور به دامنه و فرکانس شکل موج ورودی بستگي دارد ؟‬

‫اگر بستگي دارد به کدام پارامترها ؟‬

‫آیا این موضوع خوب یا بد است؟‬

‫دالیل خود را به طور کامل توضیح دهید ‪.‬‬

‫‪46‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫نمونه پرسش آزمون در مرحله پنجم‬

‫پرسش ‪ :‬در مدار شکل زیر مطلوب است مقادیر زیر ‪ :‬تئوری و عملي و پروژه‬

‫‪Av , Avs‬‬ ‫ال‬

‫ب ‪Zis , Zo , Zi‬‬

‫ج ‪Ai , Ais‬‬

‫شکل ص ‪ :‬مدار تقویت کننده ترانزیستوری‬

‫پرسش طراحي ‪ :‬یک مدار به صورت ‪ Direct Bias‬طراحي کنید مقدار مقاومتها را معلوم کنید به طيوری کيه‬
‫نقطه کار آن به صورت زیر باشد ‪:‬‬

‫)‪Vceq = 10 (Volt) , Iceq = 2 (mA‬‬

‫منبع تغذیه را ‪ 20V‬و ‪ ‬ترانزیستور را ‪ 150‬فرض کنید ‪ .‬تئوری و عملي‬

‫‪47‬‬
‫نگارنده ‪ :‬دکتر جواد عبدی‬ ‫دستور کار آزمایشگاه مدار الکترونیک‬

‫پرسش طراحي ‪ :‬مي خواهیم مداری به صورت ‪ Self-Bias‬طراحي کنیم ‪ .‬بهره جریان برابر بيا ‪ 150‬در جریيان‬

‫کلکتور برابر یک میلي آمپر مي باشد ) ‪ . ( Ic=1mA‬ولتاژ منبع تغذیه ‪ 16v‬است ‪ .‬مطليوب اسيت طيرح ميدار‬
‫𝐶𝐶𝑉‬
‫‪.‬‬ ‫= 𝑄𝑒𝑐𝑉‬ ‫تغذیه ی ‪ DC‬برای‬
‫‪2‬‬

‫یادآوری راهنمایي ‪ :‬برای طرح مدار تغذیه ی ‪ DC‬دو شرط زیر را به کار ببرید ‪:‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫= 𝑄𝑒𝑐𝑉‬ ‫‪𝑉 ,‬‬ ‫≤ ‪𝑅𝐵2‬‬ ‫𝐸𝑅 𝛽‬
‫𝐶𝐶 ‪10‬‬ ‫‪10‬‬

‫‪42‬‬