Electronic Lab 1396

‫سال تحصیلی ‪1396-97‬‬
‫آزمايشگاه الكترونيك‬
‫‪Electronic Laboratory‬‬
‫‪Electrical Department‬‬
‫گروه مهندسی برق‬

‫ليال غريب‬
‫ليال اردکانيان‬
‫دانشگاه بین الملی امام خمینی(ره) ‪1‬‬ ‫آزمايشگاه الكترونیك ‪ 1‬گروه برق‬
‫مقدمه‬
‫آزمايشگاه الكترونیك احتماالً اولین برخورد شما با مدارات الكترونیكی‪ ،‬به طور عملی است و بخشی از تجربیات شما در همین‬
‫آزمايشگاه شكل می گیرد لذا الزم است که آن را جدی بگیريد و در رفع اشكاالت مداری خود کوشا باشید‪ .‬برای استفاده بهتر از‬
‫آزمايشگاه به نكات زير توجه فرمائید‪.‬‬
‫‪ -1‬برای استفاده بهتر از وقت آزمايشگاه‪ ،‬پیش از شروع هر جلسه آزمايش‪ ،‬الزم است دستورکار با دقت ماالهه شده و همه محاساات‬
‫الزم و طراحیها قاالً انجام شده باشد‪.‬‬
‫‪ -2‬در هنگام بستن مدار تغذيه خاموش باشد‬
‫‪ -3‬وقتی از جهاه مقاومت يا خازن‪ ،‬المانی را بر میداريد به مقدار نوشته شده روی جهاه اطمینان نكرده و مقدار آن را از روی رنگ‬
‫المان و يا توسط مولتی متر ديجیتال تشخیص دهید‪ .‬مثالً ممكن است مقاومت ‪ 100kΩ‬در جهاه مقاومتهای ‪ 100Ω‬باشد‪.‬‬
‫‪ -4‬پايه مقاومتها يا خازنها را کوتاه نكنید و اگر نیازی به سری کردن يا موازی نمودن المانها باشد‪ ،‬پايههای آنها را به هم تاب‬
‫ندهید‪ ،‬بلكه به راحتی میتوان از "بردبرد" برای اين کار استفاده کرد‪ .‬همچنین در هنگام نصب المانهای سه قاای چون‬
‫ترانزيستور بر روی بردبرد احتیاجی نیست که پايههای آنها را از حالت اولیه خارج کرد و برای قرار دادن بر روی برد پايه های‬
‫آنها را کج کرد‪ ،‬که اين کار موجب شكسته شدن پايههای المان میگردد‪.‬‬
‫‪ -5‬اگر به رنگهای مقاومتها و خازنها آشنايی نداريد‪ ،‬آنها را به اشتااه در داخل جهاه قرار ندهید‪ .‬توجه کنید که شناخت رنگ‬
‫مقاومتها در بهتر انجام دادن آزمايشها بیتاثیر نیست‪.‬‬
‫‪ -6‬جهت به حداقل رساندن خاای آزمايشها و همچنین بهتر جواب گرفتن‪ ،‬اتصاالت را به حداقل رسانده و از بكارگیری سیمهای‬
‫اضافه خودداری فرمائید و از اتصاالت باال و پائین برد برد برای اتصاالت تغذيه استفاده نمائید‪.‬‬
‫‪ -7‬پس از اتمام آزمايش میز خود را مرتب کرده و المانها را در جهاه ها بگذاريد؛ نتیجه اينكار مستقیماً به استفاده بیشتر شما از‬
‫آزمايشگاه منتهی میشود‪.‬‬
‫‪ -8‬پروب های دستگاههای اندازهگیری و سیگنال ژنراتور را هرگز جدا نكنید‪.‬‬
‫‪ -9‬مسوول مستقیم خرابی و اشكال در وسايل آزمايش دانشجو بوده و در صورت مقصر بودن دانشجو نمرۀ منفی برای او در نظر‬
‫گرفته خواهد شد (حداقل ‪ 2‬نمره از نمرۀ نهايی کم خواهد شد) ‪.‬‬
‫‪ -10‬هیچ دانشجويی حق جابهجايی وسیلهای از يك میز به میز ديگر را نداشته و هر کس مسئول میز آزمايشی خود میباشد و در‬
‫صورت مشاهده طاق مقررات با او برخورد خواهد شد‪.‬‬
‫‪ -11‬وسايل شخصی دانشجويان (اعم از کیف ‪ ،‬کوله ‪ ،‬کتاب ‪ ،‬کاپشن و غیره ) همه بايد در محل مشخص شده قرار داده شود تا روی‬
‫میز اشغال نشده و با وسايل آزمايشگاه تداخل بوجود نیايد‪.‬‬
‫‪ -12‬اگر آزمايش حاوی نمودار باشد‪ ،‬حتما با نرم افزار ‪ Matlab‬يا ‪ Excel‬يا هر نرم افزار مربوطه ديگری ترسیم صورت گیرد‪ .‬در اين‬
‫نمودار الزم است برچسب محور ‪ x‬و محور ‪ y‬و نیز عنوان نمودار مشخص شده باشد‪.‬‬
‫آزمايش شماره ‪1‬‬
‫آشنايی با دستگاههای اندازهگيری الكتريكی‬
‫‪ -1-1‬مقدار مؤثر ولتاژ( ‪ ،)V rms‬مقدار متوسط ولتاژ( ‪ )V dc‬بصورت روابط زير محاساه میشوند‪:‬‬
‫‪v (t ) V m sin t‬‬
‫‪1 T‬‬
‫‪T 0‬‬
‫‪Vdc ‬‬ ‫‪v(t )dt‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪T‬‬
‫‪Vrms ‬‬
‫‪T‬‬ ‫‪‬‬‫‪0‬‬
‫‪v 2 (t )dt‬‬
‫‪ -‬يك موج سینوسی با دامنه ‪ 2‬ولت و فرکانس ‪ 1KHZ‬را توسط سیگنال ژنراتور ساخته و روی اسیلوسكوپ مشاهده‬
‫نمايید‪ .‬همان موج را با مولتی متر نیز اندازهگیری کنید‪.‬‬
‫‪VP.P ‬‬ ‫‪ -‬مقدار پیك تو پیك مشاهده شده روی اسیلوسكوپ‪:‬‬

‫‪Vrms ‬‬ ‫‪ -‬مقدار مشاهده شده روی مولتی متر‪:‬‬
‫‪Vrms   .VP.P‬‬ ‫‪ -‬ضريب ‪ ‬را در راباه زير بدست آوريد‪.‬‬
‫‪ -‬مقداری که در تئوری برای ‪ ‬بدست می آيد چقدر است ؟‬
‫‪ -‬نتايج را مقايسه کنید (خاای اندازه گیری‪)...،‬‬
‫‪ -2-1‬مدار شكل زير را بسته و شكل موج خروجی را روی اسیلوسكوپ مشاهده کرده و آن را ترسیم نمائید‪.‬‬
‫‪ -‬مقدار موثر شكل موج خروجی را به کمك ولتمتر‪ ،‬بدست آوريد‪.‬‬

‫‪ -3-1‬مدار زير را بانديد‪:‬‬
‫با استفاده از اسیلوسكوپ‪:‬‬
‫‪ -‬ولتاژ خروجی را اندازهگیری کرده و شكل موج خروجی را با حفظ راباه زمانی نسات به ورودی رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬اختالف فاز خروجی نسات به ورودی را اندازه گیری کنید‪.‬‬
‫‪ -‬مقدار دامنه و اختالف فاز ولتاژ خروجی را محاساه کنید‪( .‬؟=)‪ VC(t‬عاارت کامل را بنويسید)‬
‫‪ -4-1‬با استفاده از مدار زير مقاومت ورودی اسیلوسكوپ را اندازه میگیريم‪.‬‬
‫‪R in‬‬
‫‪V osc . V S ‬‬
‫‪R in  1M‬‬
‫‪ -5-1‬فرکانس قاع ‪ 3-dB‬مدار فیلتر پايینگذر زير را محاسباه کرده و به کمك پروب اسبیلوسبكوپ در وضببهیت‬
‫‪ ×1‬و ‪ ×10‬فرکانس قاع اين مدار را اندازه گیری کنید‪ .‬علت تفاوت نتايج اندازهگیری با مقدار واقهی فرکانس‬
‫قاع را شرح دهید‪.‬‬
‫مقدار نامی‬ ‫مقدار واقعی‬

‫خازن‬ ‫‪1nF‬‬
‫مقاومت‬ ‫‪1MΩ‬‬
‫فرکانس قاع‬
‫)‪fc (true‬‬
‫‪× 1 Probe‬‬
‫‪× 10 Probe‬‬
‫‪ -6-1‬برای اندازهگیری امپدانس خروجی به توضیحات زير توجه کنید‪:‬‬
‫تونن هر مداری را میتوان به صورت زير نمايش داد‪.‬‬
‫اگر به خروجی اين مدار ‪ RL1‬وصبببل شبببود ‪ ،‬جريان ‪ I L1‬در مدار برقرار میشبببود و ولتاژ خروجی ‪ VO1‬خواهد بود‪:‬‬
‫‪VO1  VO 2‬‬ ‫‪I L1 ‬‬

‫‪VO1‬‬
‫و‬ ‫‪V  VO1  RO I L1‬‬
‫‪RO ‬‬ ‫‪RL1‬‬
‫‪I L2‬‬
‫اگر به خروجی اين مدار ‪ RL 2‬وصل شود ‪ ،‬جريان ‪ I L 2‬در مدار برقرار میشود و ولتاژ خروجی ‪ VO 2‬خواهد بود‪:‬‬
‫‪VO 2‬‬
‫و ‪V  VO 2  RO I L 2‬‬ ‫‪I L2 ‬‬
‫‪RL 2‬‬
‫‪V‬‬ ‫‪VO1  VO 2‬‬

‫‪RO ‬‬ ‫‪ RO ‬يا‬ ‫از دو راباه فوق خواهیم داشت‪:‬‬
‫‪I‬‬ ‫‪I L 2  I L1‬‬
‫در عمل می توانیم يكاار ‪ RL‬را از مدار برداشبببته و ولتاژ مدار باز را بخوانیم‪ ،‬بار ديگر مقاومت بار را قرار داده ولتاژ‬
‫خروجی ‪ VO 2‬را بخوانیم ‪ ،‬در نتیجه خواهیم داشت‪:‬‬
‫روش ديگری که برای اندازه گیری مقاومت خروجی در بهضبببی ‪ I L1  0‬مواقع قابل ا ستفاده ا ست‪ ،‬قرار دادن‬
‫يك پتان سیومتر در خروجی ا ست‪ .‬ابتدا ولتاژ بی باری (مدار باز) را اندازه گرفته‪ ،‬سپس با قرار دادن يك پتان سیومتر‬
‫در خروجی مقاومت پتانسببیومتر را از مقدار ماکزيمم بتدريج کم کرده تا ولتاژ خروجی نصببف ولتاژ حالت مدار باز‬
‫شود‪ .‬در اين حالت مقاومت پتانسیومتر با مقاومت خروجی مدار برابر است‪ .‬چرا؟‬
‫‪ -7-1‬امپدانس خروجی سیگنال ژنراتور را اندازه گیری کنید‪.‬‬
‫ولتاژ خروجی سیگنال ژنراتور بدون بار را ‪1‬ولت پیك تا پیك و بار را يك مقاومت ‪ 10‬اهم بگذاريد‪.‬‬
‫‪ -‬آيا تغییر فرکانس و دامنه‪ ،‬تغییری در امپدانس خروجی ايجاد میکند؟‬

‫آشنايی با ديود‬
‫ديود عنصری است غیر خای که از اتصال دو نوع عنصر نیمه هادی ‪ N‬و ‪ P‬تشكیل شده و با عالمت زير نشان داده‬
‫میشود که ‪ A‬نشانه آند و ‪ K‬نشانه کاتد آن میباشد‪.‬‬
‫برای مشخص شدن کاتد و آند در يك ديود ‪ ،‬سازندگان آن مهموال کاتد را با کشیدن يك حلقه مشخص میکنند‪.‬‬
‫ديودهای نیمه هادی مهموال از جنس ژرمانیوم با ولتاژآستانه هدايت ‪ 0/3‬ولت و سیلیسیوم با ولتاژ آستانه هدايت ‪0/6‬‬
‫ولت ساخته می شوند که به دلیل قابلیت تحمل دمای باالی ديود سیلی سیوم مهموال در جريانهای زياد از آن ا ستفاده‬
‫میشود‪.‬‬
‫وقتی که قاب مثات يك مناع تغذيه به آند و قاب منفی آن به کاتد متصل شود ‪،‬ديود باياس مستقیم شده است و در‬
‫اين حالت مقاومت کمی دارد و جريان را به خوبی از خود عاور میدهد الاته عاور بیش از حد مجاز جريان باعث‬
‫سوختن ديود خواهد شد و وقتی که قاب منفی مناع تغذيه به آند و قاب مثات آن به کاتد متصل شود ‪ ،‬ديود باياس‬
‫مهكوس شده است و در اين حالت مقاومت زياد دارد و جريان را از خود عاورنمیدهد الاته اعمال بیش از حد مجاز‬
‫ولتاژ در حالت باياس مهكوس باعث شكست بهمنی شده و ديود از بین میرود‪.‬‬
‫غیر خای بودن مقاومت ديود باعث می شود که منحنی تغییرات جريان ديود ن سات به ولتاژ اعمال شده به دو سر آن‬
‫به صورت خط مستقیم ناوده و شكلی شایه شكل زير داشته باشد‪:‬‬
‫‪ V ‬ولتاژ آستانه هدايت ‪ V b ،‬ولتاژ شكست و ‪ I S‬جريان بسیار‬
‫ناچیز که تقرياا مستقل از ولتاژاست‪.‬‬

‫تهیین آند و کاتد ديود‪ :‬با توجه به توضببیحات داده شببده در مورد مقاومت ديود در باياس مسببتقیم و مهكوس میتوان‬
‫قااین ديود را به کمك يك اهمتر مشخص کرد و ديود را تست کرد‪.‬‬
‫با توجه به غیر خای بودن مشخصه ديود دو نوع مقاومت را میتوان برای ديود تهريف کرد‪:‬‬
‫مقاومت استاتیك‪ :‬مقاومت استاتیك در يك نقاه عاارت است از حاصل تقسیم اختالف پتانسیل ديود به جريان آن‬
‫‪VA‬‬
‫‪RS ‬‬ ‫در نقاه مورد نظر‪ .‬در شكل زير مقاومت استاتیك در نقاه ‪ A‬برابر است با‪:‬‬
‫‪IA‬‬
‫مقاومت دينامیك‪ :‬مقاومت دينامیك برابر اسببت با حاصببل تقسببیم تغییرات جزئی ولتاژ به تغییرات جزئی جريان در‬
‫‪V‬‬
‫‪rd ‬‬ ‫حوالی نقاه کار‪ .‬در شكل باال مقاومت دينامیك در نقاه ‪ A‬برابر است با‪:‬‬
‫‪I‬‬
‫اين مقاومت همان عكس شیب مشخصة ديود در هر نقاه از آن است‪.‬‬
‫ديود زنر‪ :‬ديود زنر در جهت مسبببتقیم شبببایه ديود مهمولی عمل میکند ولی در جهت مهكوس وقتی که به ولتاژ‬
‫شببكسببت برسببد ولتاژ خروجی اش تقرياا مسببتقل از جريان گشببته و ثابت میماند‪ ،‬به دلیل اين خاصببیت ديود زنر در‬
‫تنظیم ولتاژ به کار میرود‪ ،‬بنابراين بهنوان تنظیم کننده بايد کاتد آن نسببات به آند مثات باياس شببود (تغذيه مهكوس‬
‫در تنظیم کننده)‬
‫تست ديود‪ :‬عالوه بر استفاده از اهم متر برای سنجش سالم بودن ديود‪ ،‬بهضی از مولتی مترهای ديجیتال دارای امكان‬
‫تست ديودی هستند‪ .‬برای آزمايش ديود فقط کافی است تا ديود را به مالتی متر در حالت سنجش ديودی متصل‬
‫کنیم‪ .‬نمايشگر مالتی متر در حالت باياس مستقیم افت ولتاژ دو سر سد پتانسیل ديود و در حالت باياس مهكوس‬
‫عالمت “ ‪ : Open Loop( “ 1.‬اتصال باز) را نشان میدهد‪.‬‬

‫‪ -1-2‬تهیین آند و کاتد ديود با استفاده از مولتی متر و تست ديود‬
‫‪ -‬شماره ديودهايی را که در اختیار داريد از روی بدنه آن بخوانید و سپس مشخصات الكتريكی مختلف آن را (ولتاژ‬
‫شكست‪ ،‬جريان مهكوس و ‪ ) ....‬را از روی ‪ datasheet‬بررسی کنید‪.‬‬
‫‪ -‬مولتی متر را در حالت تست ديودی قرار داده و سالم بودن آن را امتحان کنید‪.‬‬
‫‪ -2-2‬منحنی مشخصه ديود در گرايش موافق‪:‬‬
‫با استفاده از مدار زير و با اعمال ولتاژهای مختلف ‪ ، VD‬جريان ديود ‪ I D‬را اندازه گیری و جدول را کامل کنید‪ .‬ديود‬
‫از نوع ‪ Si‬باشد‪.‬‬
‫‪ -‬با توجه به حداکثر ولتاژ مناع تغذيه ای که در اختیار داريد و حداکثر جريان قابل تحمل ديود (در اينجا فرض کنید‬
‫حداکثر جريان ‪ 20‬میلی آمپر باشد) مقدار مقاومت و توان آن را بدست آوريد ‪.‬‬
‫)‪VD (mv‬‬ ‫‪100‬‬ ‫‪200‬‬ ‫‪300‬‬ ‫‪400‬‬ ‫‪500‬‬ ‫‪600‬‬ ‫‪650‬‬ ‫‪700‬‬ ‫‪750‬‬
‫) ‪I D (ma‬‬
‫‪ -‬با استفاده از مقادير بدست آمده منحنی مشخصه ديود را ترسیم کنید‪( .‬چنانچه جريان قابل تحمل ديود زياد باشد‪،‬‬
‫میتوانید نقاطی با جريان بیشتر نیز بدست آوريد‪).‬‬
‫برای اين ديود چقدر است؟‬ ‫) ‪(V ‬‬ ‫‪ -‬ولتاژ شروع هدايت‬
‫‪ -‬با توجه به ‪ V ‬جنس ديود مورد آزمايش ‪ Si‬است يا ‪ Ge‬؟‬

‫‪ -‬مقاومت دينامیك ديود را برای جريان ‪ 5ma‬از روی منحنی مشببخصببه بدسببت بیاوريد و برای هر جريان با مقدار‬
‫تئوری محاساه شده مقايسه کنید‪.‬‬
‫‪ -2-3‬در مدار مرحله ‪ 2-2‬يك ديود نورانی را قرار داده و جدول زير را کامل کنید(در صبببورت لزوم آزمايش را تا‬
‫ولتاژهای باالتر ادامه دهید‪).‬‬
‫‪-‬‬
‫‪0/2‬‬ ‫‪0/4‬‬ ‫‪0/6‬‬ ‫‪0/8‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1/2‬‬ ‫‪1/5‬‬ ‫‪1/7‬‬ ‫‪1/8‬‬ ‫‪2‬‬
‫)‪VD (v‬‬
‫)‪I D (  a‬‬
‫منحنی مشخصه ديود نورانی را رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬ولتاژ شروع هدايت اين ديود چقدر است؟‬
‫‪ -2-4‬بدست آوردن منحنی مشخصه ديود با استفاده از اسیلوسكوپ‬
‫مدار زير را با استفاده از يك ديود يكسوساز بسته و برای ديدن ولتاژ دو سر ديود از محور افقی اسیلوسكوپ و‬
‫برای ديدن جريان ديود از محور عمودی که بر روی مقاومت ‪ R‬قرار میگیرد ا ستفاده کنید‪ .‬برای آنكه منحنی روی‬
‫صفحه اسیلوسكوپ نلرزد بايد فرکانس از ‪ 50‬هرتز بیشتر باشد‪ .‬شكل موج میتواند سینوسی‪ ،‬دندانه ارهای و يا مثلثی‬
‫باشد‪.‬‬
‫الف‪ -‬ا سیلو سكوپ را در حالت ‪ X-Y‬قرار داده‪ ،‬م شخ صه منحنی ديود را م شاهده و آن را به طور دقیق و صحیح‬
‫ترسیم کنید (توجه کنید که کلیدهای ‪ VOLT/DIV‬هر دو کانال اسیلوسكوپ در يك حالت قرار گیرد)‪.‬‬
‫ب‪ -‬مرحله قال را برای ديود زنر انجام داده و از روی منحنی مشخصه ترسیم شده مقدار ‪ V‬و ‪ VZ‬را مشخص کنید‪.‬‬
‫کاربرد ديود – مدار يكسوساز‬
‫يكسو کننده نيم موج ‪:‬‬
‫با اسببتفاده از يكسببو کننده های نیم موج می توان نیم سببیكلهای مثات يا منفی يا يك ولتاژ متناوب ورودی را حذف‬
‫نمود‪ .‬در شكل زير مدار يكسو کننده نیم موج نشان داده شده است‪.‬‬
‫ولتاژ ورودی ‪ V i‬مهموالً تو سط يك تران سفورماتور ورودی تأمین می گردد‪ .‬در نیم سیكلهای مثات ولتاژ ورودی ‪،‬‬
‫ديود هدايت نموده و می توان آن را به صورت يك مقاومت کوچك ‪ R f‬در نظر گرفت‪.‬‬
‫‪V i t  V m sin t‬‬

‫‪Vm‬‬
‫‪Im ‬‬
‫‪RL  R f‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪m‬‬

‫‪dc ‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪‬‬
‫‪o‬‬
‫‪ m sin td t ‬‬
‫‪‬‬
‫جريان متوسط‬
‫صافی خازنی ‪:‬‬
‫هماناور که م شاهده کرديم شكل ولتاژ خروجی مدار يك سو کننده فوق با شكل ولتاژ ورودی تفاوت ا سا سی پیدا‬
‫نموده و در واقع اين مدارات از يك ولتاژی که شامل هیچگونه مولفه ‪ DC‬نیست يك ولتاژ توام با ريپل و يا بهاارتی‬
‫ناصببباف بوجود میآورد‪ .‬برای حذف ناصبببافی موجود در خروجی يكسبببو کننده ها می توان از صبببافیهای خازنی‬
‫اسببتفاده نمود‪ .‬اين صببافیها در حقیقت مانع رسببیدن فرکانسببهای باال موجود در شببكل موج ورودی ‪،‬به مقاومت بار‬
‫گرديده و با آن عمل به صافتر شدن ولتاژ خروجی کمك مینمايند‪.‬‬
‫در شكل زير مدار يكسو کننده نیم موج با صافی خازنی نشان داده شده است‪:‬‬
‫شكل موج خروجی در شكل زير نشان داده شده است‪:‬‬
‫‪: V r V m V m ‬ولتاژ ريپل‬
‫ولتاژ ‪ DC‬خروجی که همان مقدار متوسط ولتاژ خروجی است می توان به صورت زير نوشت‪:‬‬
‫‪Vr‬‬
‫‪V dc V m ‬‬
‫‪2‬‬
‫اما ‪ V r‬در حقیقت تغییرات ولتاژ خازن ‪ C‬پس از تخلیه به به مدت ‪ TC‬ثانیه است يهنی ‪:‬‬
‫‪Q dcTC dcT‬‬ ‫‪‬‬

‫‪Vr ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ dc‬‬
‫‪C‬‬ ‫‪C‬‬ ‫‪C‬‬ ‫‪f C‬‬
‫‪dc‬‬
‫‪V dc V m ‬‬
‫‪2f C‬‬
‫* ضريب ريپل)‪(Ripple Factor‬‬
‫يكی از مهمترين پارامترهای يكسبببوسبببازها ضبببريب ريپل آنهاسبببت‪ .‬ريپل تغییرات ‪ AC‬حول مقدار ‪ DC‬را نشبببان‬
‫میدهد‪ .‬ضريب ريپل به صورت حاصل تقسیم مقدار موثر ولتاژ ريپل بر ولتاژ ‪ DC‬تهريف میشود‪.‬‬
‫) ‪V r ( rms‬‬
‫‪RF ‬‬
‫‪V dc‬‬
‫* هنگامیكه يكسببوسببازها به عنوان منابع تغذيه ‪ dc‬اسببتفاده میشببوند‪ ،‬مالوبسببت که مقدار متوسببط ولتاژ خروجی با‬
‫تغییر بار تقرياا ثابت بماند‪ .‬میزان ثاات ولتاژ خروجی با تغییر بار‪ ،‬بوسببیله پارامتر رگوالسببیون ولتاژ سببنجیده میشببود‪.‬‬
‫اغلب به درصد بیان میشود‪.‬‬
‫* درصد رگوالسیون چنین بدست می آيد‪:‬‬
‫) ‪ : Vdc ( FL‬ولتاژ بار کامل( ‪)470 ‬‬ ‫) ‪ : Vdc ( NL‬ولتاژ بی باری‬
‫) ‪V dc ( NL ) V dc ( FL‬‬
‫‪Re g (%) ‬‬ ‫‪100‬‬
‫) ‪V dc ( FL‬‬
‫* در انتخاب ديود مناسب برای يكسوسازی‪ ،‬دو مولفه مهم بايد مشخص شود‪ :‬قابلیت تحمل جريان الزم ديود‪ ،‬که‬
‫توسط بزرگترين جريانی که ممكن است عاور داده شود تهیین میگردد و اوج ولتاژ مهكوس )‪ (PIV‬که ديود بايد‬
‫بدون شكست تحمل کند که توسط بزرگترين ولتاژ مهكوسی که انتظار داريم روی ديود ظاهر شود تهیین میگردد‪.‬‬
‫مهموال ديودی را انتخاب می کنند که ولتاژ شكست مهكوس آن حداقل ‪ 50%‬بزرگتر از ‪ PIV‬مورد انتظار باشد‪.‬‬
‫‪ -3-1‬يكسوسازی نیم موج ‪Half Wave Rectifier‬‬
‫توجه‪ :‬شكل موجها با حفظ راباه زمانی و زير هم رسم شوند و کوپالژ اسیلوسكوپ ‪ DC‬باشد‪.‬‬
‫‪ -3-1-1‬قال از بسببتن مدار زير ترانسببفورماتوری را که در اختیار داريد به ولتاژ ‪ 220‬ولت برق شببهر متصببل نموده و‬
‫ولتاژ ثانويه را در حالت بی باری اندازه گیری کنید‪.‬‬
‫‪ -‬مدار زير را بسته وشكل موج نقاط ‪ B‬و ‪ A‬را نسات به زمین رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬مقدار ‪ DC‬ولتاژ خروجی را اندازه گیری نموده و با مقدار محاسبه شده مقايسه نمائید‪.‬‬
‫‪ -‬مقدار موثر ولتاژ خروجی را اندازه گیری کرده و با مقدار تئوری مقايسه کنید‪.‬‬
‫‪ -‬شكل موج دو سر ديود را زير شكل موجهای فوق رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬حداکثر ولتاژ اوج مهكوس (‪ )PIV‬ديود را اندازهگیری نموده و با مقدار محاسبه شده مقايسه نمائید‪.‬‬
‫‪ -‬فرکانس مناع را افزايش داده و اثر افزايش فرکانس را در اين مدار بررسی کنید علت اعوجاع ايجاد شده در شكل‬
‫موج خروجی را شبببرح دهید‪ .‬اگر به جای ديود ‪ 1N4002‬از نوع ‪ 1N4148‬اسبببتفاده کنیم اثر افزايش فرکانس بر‬
‫يكسوسازی چگونه است؟ باهم مقايسه کنید‪.‬‬
‫‪ -3-1-2‬جهت ديود را در مدار عوض کرده و شبببكل موج خروجی را به همراه شبببكل موج ورودی رسبببم کنید‪.‬‬
‫عملكرد اين مدار را با مدار شكل فوق مقايسه کنید‪.‬‬

‫‪ -3-2‬مدار زير را بانديد‪(.‬به پالريته خازن و ولتاژ قابل تحمل آن توجه کنید‪C= 220F ).‬‬
‫‪ -‬شببكل موج ورودی را رسببم کنید‪ .‬به شببكل موج ثانويه ترانسببفورماتور به هنگام هدايت ديود توجه کنید و علت‬
‫تغییرات را بیان کنید‪.‬‬
‫‪ -‬شكل موج خروجی را زير شكل موج ورودی رسم کنید‪.‬‬
‫=‪Vdc‬‬ ‫=)‪Vr(p-p‬‬ ‫=)‪Vr(rms‬‬
‫‪ -‬حداکثر ولتاژ اوج مهكوس (‪ )PIV‬ديود چند ولت است؟‬
‫(توجه‪ -‬در حالت بی باری شببكل موج دوسببر ديود را روی اسببیلوسببكوپ مشبباهده و از روی آن ولتاژ اوج مهكوس‬
‫(‪ )PIV‬ديود را مشخص کنید‪).‬‬
‫‪ -‬ضريب ضربان را بدست آوريد‪.‬‬
‫‪ -‬درصد رگوالسیون راحساب کنید‪ .‬برای اين کار ولتاژ بی باری و ولتاژ بارکامل را اندازه بگیريد‪.‬‬
‫‪ -‬مقادير )‪ Vdc(FL‬و )‪ Vr(p-p‬و ‪ Vac,rms‬و)‪ Vdc(NL‬اندازهگیری شببده را با مقادير تئوری مقايسببه کرده و در صببورت‬
‫وجود اختالف علت را بیان کنید‪(R=1KΩ).‬‬
‫‪ -‬ضريب ضربان و درصد رگوالسیون را به صورت تئوری محاسبه کرده و با مقادير اندازهگیری شده مقايسه کنید‪.‬‬
‫‪ -‬با ثابت نگهداشتن مقاومت بار ‪ 1K‬و با تغییر خازن جدول زير را پر کنید‪.‬‬
‫‪C‬‬ ‫‪Vm‬‬ ‫‪V DC‬‬ ‫) ‪V r ( p.p‬‬ ‫‪I DC‬‬ ‫) ‪V r (rms‬‬
‫‪100F‬‬
‫‪220F‬‬
‫‪470F‬‬
‫‪1000F‬‬
‫‪ -‬اثر تغییر خازن را بر روی ولتاژ ‪ DC‬و ولتاژ ريپل بررسی کنید‪.‬‬
‫‪ -‬اثر تغییر فرکانس را بر روی ولتاژ ريپل بررسی نمائید‪.‬‬
‫‪ -‬توجه کنید شكل موج خروجی ترانسفورماتوربا تغییر خازن چه وضهیتی پیدا میكند؟چرا؟‬
‫يكسوسازی تمام موج و صافی های منبع تغذيه‬
‫يكسو کننده تمام موج ‪:‬‬
‫در شكل زير مدار يكسو کننده تمام موج نشان داده شده است اين مدار در حقیقت از دو مدار نیم موج تشكیل شده‬
‫که هر کدام در يكی از نیم سیكلهای ولتاژ سینوسی ورودی هدايت می کنند‪.‬‬
‫هماناور که در مدار مالحظه می گردد‪ .‬در نیم سببیكل مثات ولتاژ ورودی ‪ ،‬فقط ديود ‪ D1‬هدايت نموده و جريان ‪i 1‬‬
‫را از مقاومت بار عاور می دهد‪ .‬در نیم سبببیكل منفی ولتاژ ورودی ‪ ،‬ديود ‪ D1‬قاع اسبببت ولی ديود ‪ D2‬هدايت می‬
‫کند و جريان ‪ i 2‬آن به مقاومت بار می رسد‪.‬‬
‫در شكل زير شكل موجهای ‪ i 2 ، i 1 ،v i‬و ‪ i‬مالحظه می گردد‪.‬‬
‫ولتاژ و جريان ‪ dc‬از روابط زير بدست می آيد‪.‬‬

‫‪2 m‬‬ ‫‪Vm‬‬

‫‪dc ‬‬ ‫‪m ‬‬ ‫‪V dc  dc  R L‬‬
‫‪‬‬ ‫‪RL  RF‬‬
‫شكل موج خروجی يكسو کننده تمام موج با صافی خازنی به صورت زير است‪:‬‬
‫ولتاژ ناصافی و ولتاژ ‪ dc‬از راباه های زير بدست می آيد‪.‬‬
‫‪dc‬‬ ‫‪dc‬‬
‫‪Vr ‬‬ ‫‪V dc V m ‬‬
‫‪2f C‬‬ ‫‪4f C‬‬
‫‪ -1-4‬يكسوساز تمام موج پل‬
‫‪ -‬مدار فوق را بسته‪ ،‬ولتاژ خروجی و ولتاژ دوسر ديود ‪ D1‬را مشاهده و در زير شكل موج ورودی ترسیم نمايید‪.‬‬
‫‪ -‬حداکثر ولتاژ اوج مهكوس (‪ )PIV‬ديود را اندازهگیری کنید‪.‬‬
‫خازن ‪ C  220 F‬را با مقاومت بار موازی کنید‪.‬‬
‫‪ -‬شكل موج ورودی را رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬شكل موج خروجی را زير شكل موج ورودی رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬ضريب ضربان را بدست آوريد‪.‬‬
‫‪ -‬درصد رگوالسیون را بدست آوريد‪.‬‬
‫‪ -‬مقادير )‪ ،Vdc(NL) ، Vac,rms ، Vr(p-p) ، Vdc(FL‬درصد رگوالسیون و ضريب ضربان را به صورت تئوری محاساه‬
‫کرده و با مقادير اندازهگیری شده مقايسه کنید‪(R=1KΩ).‬‬
‫‪ -‬اختالف يكسوساز تمام موج دو ديودی با يكسوساز تمام موج پل را به طور دقیق بررسی کنید‪ .‬کدامیك مقرون به‬
‫صرفه است؟‬
‫‪ -‬نتايج حاصل از اين آزمايش را با يكسوساز نیم موج از جناه های مختلف مقايسه کنید‪( .‬برای مقايسه بهتر‪ ،‬منحنی‬
‫های مشابه را روی يك دستگاه مختصات و با رنگ های مختلف رسم کنید‪).‬‬
‫‪ -‬نتیجه گیری کلی شما از آزمايش ‪ 3‬و ‪ 4‬چیست؟‬

‫کاربرد ديود در مدارهای شكل دهنده و چندبرابر کننده ولتاژ‬
‫در آزمايش شماره ‪ 2‬با ديود زنر آشنا شديد و مشخصه آن را توسط اسیلوسكوپ رسم نموديد‪.‬‬
‫‪ -1-5‬مدار فوق را بسته و شكل موج ورودی و خروجی رابا حفظ راباه زمانی رسم نمايید‪.‬‬
‫‪ -‬مدار چه عملی انجام داده است؟‬
‫‪ -‬مقدار مقاومت ‪ R‬را چگونه انتخاب می کنید؟ (شرح‪ +‬روابط مداری مورد نیاز)‬
‫‪ -‬ورودی عمودی اسیلوسكوپ را به خروجی ‪ VO‬و ورودی افقی آنرا به ورودی ‪ Vi‬داده و اسیلوسكوپ را در حالت‬
‫‪ X-Y‬قرار داده و منحنی بدست آمده را دقیقا" ترسیم کنید‪.‬‬
‫‪ -2-5‬مدار زير را بانديد‪C  100  F .‬‬
‫‪ -‬شكل موج خروجی را ترسیم نموده و توضیح دهید مدار چه عملی را انجام می دهد؟‬
‫‪ -‬با تغییر جهت ديود شكل موج خروجی را ترسیم کنید‪.‬‬

‫‪C1  C2  100  F‬‬ ‫‪ -3-5‬مدار زير را بانديد‪.‬‬
‫‪ -‬ولتاژ خروجی را مشاهده و رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬اين ولتاژ چند برابر دامنه ولتاژ ورودی است؟‬
‫‪ -‬اين مدار را باور کامل تحلیل کنید‪( .‬ولتاژ دوسر خازنها ‪ PIV ،‬ديودها‪-‬در حالت بی باری)‬
‫‪ -‬با قرار دادن مقاومت ‪ 3/9K‬به عنوان مقاومت بار شكل موجهای خروجی را رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -4-5‬مدار زير را بانديد‪C1  C2  C3  100  F .‬‬
‫‪ -‬ولتاژ بین دو نقاه ‪ A‬و ‪ B‬را مشاهده و شكل موج آنرا رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬اين ولتاژ چند برابر دامنه ولتاژ ورودی است؟‬
‫‪ -‬با قرار دادن مقاومت ‪ 3/9K‬بین دو نقاه ‪ A‬و ‪ ، B‬ولتاژ خروجی را اندازه گیری و ترسبببیم کرده و فرکانس‬
‫ريپل را بدست آوريد‪.‬‬
‫‪ -‬اين مدار را باور کامل تحلیل کنید‪( .‬ولتاژ دوسر خازنها ‪ PIV ،‬ديودها‪-‬در حالت بی باری)‬
‫‪ -5-5‬مدار چهار برابر کننده ولتاژ و باالتر را طراحی کنید‪.‬‬

‫آشنايی با ترانزيستور‬
‫هدف از اين آزمايش‪،‬آشبببنايی اولیه با ترانزيسبببتور‪،‬تهیین پايه های آن‪،‬بررسبببی مشبببخصبببه های الكتريكی و تهیین‬
‫پارامترهای مهم ترانزيستورمثل ‪  , hfe, hie‬میااشد‪.‬میدانید که ترانزيستور را میتوان مثل دو ديود تصور کرد که نوع‬
‫‪ npn‬و ‪ pnp‬آن به شكل زير میااشد‪:‬‬
‫* با فرض شببااهت ترانزيسببتور به دو ديود می توان ماابق آنچه که در آزمايش‪ 2‬گفته شببد آند و کاتد اين ديودها و‬
‫همچنین سالم و مهیوب بودن آنها را تشخیص داد و از آنجا نوع ترانزيستور را که ‪ NPN‬يا ‪ PNP‬است شناخت و به‬
‫سالم بودن يا ناودن آن نیز پی برد‪.‬‬
‫چون کلكتور و امیتر تقرياا از نظر مشخصات يكسان و به طور قرينه نسات به بیس قرار گرفته اند‪ ،‬در صورتیكه يك‬
‫سببر اهم متر روی بیس قرارداشببته باشببد و سببر ديگر آن روی کلكتور يا امیتر اهم متر تقرياا مقاومت يكسببانی نش بان‬
‫خواهد داد به اين ترتیب می توان بیس ترانزيستور را تشخیص داد‪ .‬برای تشخیص کلكتور از امیتر از دستگاه ‪curve‬‬
‫‪ tracer‬يا از عالئمی که کارخانه سا زنده بر روی ترانزيستور مشخص می کنند استفاده می شود همچنین از آنجايی‬
‫که تكنولوژی ساخت ترانزي ستور طوری ا ست که ابتدا ناحیه بیس به صورت مذاب داخل ناحیه کلكتور می شود و‬
‫سپس ناحیه امیتر به صورت مذاب داخل ناحیه بیس می شود‪ ،‬همواره ساح امیتربیس کوچكتر از ساح کلكتوربیس‬
‫اسببت در نتیجه مقاومت اهمی آن کمی بزرگتر خواهد بود در نتیجه میتوان به وسببیله يك اهم متر وضببهیت پايه ها را‬
‫مشخص کرد‪.‬‬
‫مدار زير را برای ترانزيستور در نظر می گیريم ‪:‬‬
‫میدانیم که از جريان امیتر که وارد بیس میگردد مقدار کمی از آن جذب بیس میشبببود و قسبببمت اعظم آن وارد‬
‫کلكتور میگردد‪.‬و روابط زير برقرار است‪:‬‬
‫‪I E  IC  I B‬‬
‫‪I C   I E  I CO‬‬
‫‪ I CO‬جريان اشااع مهكوس ديود کلكتوربیس زمانی که ديود امیتربیس در حالت قاع است می باشد‪.‬از دو راباه فوق‬
‫‪‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪IC ‬‬ ‫‪IB ‬‬ ‫‪I CO‬‬ ‫داريم‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪I C   I B  (1   )I CO‬‬
‫بنابراين جريان کلكتور عالوه بر اينكه به جريان بیس بسببتگی دارد به سبباير پارامترهای ترانزيسببتور مثل ‪  , I CO‬نیز‬
‫بسببتگی دارد‪ .‬همچنین توجه کنید که ‪ ‬مقدار ثابتی ناوده و به نقاه کار ترانزيسببتور ) ‪ (VCEQ , I CQ‬بسببتگی دارد و‬
‫همچنین ‪ I CO‬به جنس ترانزيستور و دمای آن بستگی دارد‪ .‬مهموال برای ترانزيستورهای ژرمانیومی در دمای مهمولی‬
‫اين جريان در رنج ‪  A‬و برای ترانزيستورهای سیلیكونی در رنج ‪ nA‬است‪.‬‬

‫ديگر پارامترهای مهم ترانزيستور عاارتند از‪:‬‬
‫‪: (VCBO )MAX‬ماکزيمم ولتاژ قابل اعمال بین کلكتور وبیس درباياس مخالف درحالیكه امیترباز است‪.‬‬
‫‪: (VCEO )MAX‬ماکزيمم ولتاژ قابل اعمال بین کلكتور وامیتردرباياس مخالف درحالیكه بیس باز است‪.‬‬
‫‪: (VEBO )MAX‬ماکزيمم ولتاژ قابل اعمال بین بیس وامیتردرباياس مخالف درحالیكه کلكتور باز است‪.‬‬
‫‪: I CES‬جريان کلكتور در حالیكه امیتر و بیس اتصال کوتاه شده باشد‪.‬‬
‫‪ : I CEO‬جريان کلكتور در حالیكه مدار بیس باز است‪.‬‬
‫‪ : (T j ) MAX‬ماکزيمم درجه حرارتی که اتصال(‪ )Junction‬ترانزيستور میتواند تحمل کند‪.‬‬
‫‪: VCES‬ولتاژ قابل اعمال به کلكتور و امیتر در حالیكه بیس و امیتر اتصال کوتاه شده باشند‪.‬‬
‫تذکر مهم‪:‬پیش از آزمايش ضبمن تسبت و تهیین پايه های ترانزيسبتورو اطمینان از سبالم بودن آن به ‪Data sheet‬‬
‫ترانزيسبببتورهايی که در اختیار داريد توجه کنید تا با اعمال ولتاژ خارج از حد مجاز به آن موجب از بین رفتن‬
‫ترانزيستور نشويد‪.‬‬
‫تست ترانزيستور‪:‬‬
‫پس از تشخیص پايه ها‪ ،‬بايد از سالمت ترانزيستور اطمینان حاصل کنیم‪ .‬برای اين کار کافیست چك شود که‬
‫ديود هر دو پیوند ‪ BE‬و ‪ BC‬به درستی کار میکنند‪ .‬برای اين منظور از مولتی متر در حالت تست ديودی استفاده‬
‫می کنیم (در مولتی مترهای آزمايشگاه دکمه های ‪ 2Ω‬و ‪ 200Ω‬را همزمان فشار دهید) و از ترمینال های ‪ V-Ω‬و‬
‫‪ COM‬استفاده کنید‪.‬‬
‫برای تست ترانزيستور نوع ‪ + ، NPN‬به بیس‪ ،‬و ‪ -‬را يك بار به ‪ E‬و يك بار به ‪ C‬وصل کنید‪ ،‬در صورت سالمت‬
‫ديود مولتی متر عددی بین ‪ 0.45‬تا ‪ 0.75‬را نشان می دهد‪ ،‬ولی در غیر اين صورت پیوند سوخته است‪( .‬مشابه تست‬
‫ديود)‬
‫‪ -1-6‬تهیین پايه های ترانزيستور‬
‫‪ -‬با اسببتفاده از مولتی متر نوع(‪ NPN‬يا ‪،)PNP‬جنس(سببیلیكون يا ژرمانیوم) و پايه های ترانزيسببتورهايی را که در‬
‫اختیار داريد تهیین کرده و در جدول زير بنويسید‪.‬‬
‫شماره ترانزيستور‬ ‫نوع‬ ‫جنس‬
‫‪ -2-6‬مدار زير را بانديد و با تغییر پتانسیومتر جدول را کامل کنید‪ .‬برای اندازه گیری جريان از ولتمتر استفاده کنید!‬
‫) ‪V CE (V‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪2‬‬ ‫حداقل مقدار‬
‫) ‪I C (ma‬‬
‫) ‪I B ( a‬‬
‫‪IC‬‬
‫‪‬‬
‫‪IB‬‬
‫‪ -‬آيا ‪ ‬همواره مقدار ثابتی است؟اثر تغییرات ‪ VCE , IC‬روی ‪ ‬چیست؟ توضیح دهید‪.‬‬
‫‪ -‬علت قرار دادن مقاومتها در مدار ترانزيستوری فوق چیست؟‬
‫‪ -‬در جدول فوق دو نقاه فهال ترانزيستور را مشخص کنید‪.‬‬
‫‪ -‬آياباتغییر پتانسیومتر درمدار فوق به نقاه اشااع میرسیم؟اگرنه مقاومت‪ 100K‬راکاهش دهید‪.‬‬
‫رسم منحنی مشخصه ورودی و خروجی ترانزيستور‬
‫با اسببتفاده از منحنی مشببخصببه های هر ترانزيسببتور می توان پارامترهای مهم ترانزيسببتور ( ‪ hfe ، ‬و ‪ ) hie‬را تهیین‬
‫نمود‪ .‬در اين آزمايش ابتدا دو منحنی م شخ صه تغییرات جريان ‪ I C‬ن سات به ولتاژ ‪ VCE‬با ‪ I B‬ثابت و سپس تغییرات‬
‫جريان ‪ I C‬نسات به ولتاژ ‪ VBE‬با ‪ VCE‬ثابت را رسم میکنیم و پارامترها را بدست میآوريم‪.‬‬
‫‪I C‬‬
‫‪ac ‬‬ ‫(ثابت= ‪(V CE‬‬
‫‪I B‬‬
‫‪IC‬‬
‫‪dc ‬‬ ‫) ‪(V CE  const‬‬
‫‪IB‬‬
‫‪ -1-7‬نوع ترانزيستوری را که در اختیار داريد مشخص کنید و از سالم بودن آن اطمینان حاصل کنید و پايه های آن‬
‫را تهیین نمايید‪.‬‬
‫‪ -2-7‬مداری ماابق شبببكل بانديد و در آن با تغییر پتانسبببیومتر ‪ 20‬کیلواهمی جريانهايی را ماابق جدول برای بیس‬
‫ايجاد کرده و در هر حالت با تغییر ولتاژ مناع تغذيه ‪ ،‬جريان ‪ I C‬و ‪ VCE‬را اندازه گیری کنید‪.‬‬
‫(توجه کنید به جای پتانسبببیومتر و مناع ولتاژ ثابت میتوان از يك مناع ولتاژ که در طول آزمايش ولتاژ آن را تغییر‬
‫میدهیم استفاده کرد ولی بايد توجه داشت که با افزايش بیش از حد ولتاژ موجب سوختن ترانزيستور نشويم‪).‬‬
‫‪IB=0A‬‬ ‫‪IB=10A‬‬ ‫‪IB=15A‬‬ ‫‪IB=20A‬‬

‫)‪VCE (V‬‬
‫)‪IC(mA‬‬ ‫)‪IC(mA‬‬ ‫)‪IC(mA‬‬ ‫)‪IC(mA‬‬
‫‪6‬‬
‫‪5‬‬
‫‪4‬‬
‫‪3‬‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0/8‬‬
‫‪0/6‬‬
‫‪0/4‬‬
‫‪0/2‬‬
‫حداقل مقدار‬
‫‪ -‬منحنی تغییرات جريان ‪ I C‬را نسات به ولتاژ ‪ VCE‬به ازای مقادير مختلف ‪ I B‬را در يك شكل رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬از روی منحنی بدست آمده ضريب ‪ dc‬و ‪ ac‬را برای نقاه کار ( ‪ ) VCE  3V , I B  15 A‬بدست آوريد‪.‬‬
‫‪ -‬از روی منحنی مشخصه ولتاژ ارلی )‪ (VA‬را برای نقاه کار ( ‪ ) VCE  3V I B  15 A‬بدست آوريد‪.‬‬
‫‪ -‬علت قرار دادن مقاومت ‪ 33‬کیلواهمی در مدار فوق چیست؟‬
‫‪ -3-7‬با تنظیم ‪ VCE‬روی ‪ 3‬ولت و با تغییر پتانسیومتر‪ IB‬را ماابق جدول زير تنظیم نمايید‪.‬‬
‫‪ -‬مقادير ‪ VBE‬را خوانده و در جدول يادداشت کنید‪.‬‬
‫)‪IB(A‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪30‬‬ ‫‪40‬‬ ‫‪50‬‬
‫)‪IC(mA‬‬
‫)‪VBE(V‬‬
‫‪ -‬م شخ صه انتقالی ‪ IC‬ن سات به ‪ IB‬در ‪VCE=3V‬را ر سم کنید‪ .‬اين م شخ صه مهرف چه پارامتری در مدل سیگنال‬
‫کوچك هاياريد ترانزيستور است؟‬
‫‪ -‬منحنی مشخصه ‪ IB‬نسات به ‪ VBE‬را در ‪ VCE=3V‬رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬وقتی که کلید تغذيه مدار را خاموش می کنید مدتی طول می کشد تا ‪ VCE‬صفر شود علت چیست؟‬
‫‪.‬تقويت کننده اميتر مشترک‬
‫میدانید که برای استفاده از ترانزيستور در مدار تقويت کننده بايد ترانزيستور را در نقاه کار باياس کرد‪ .‬برای آنكه‬
‫بتوان از يك ترانزيستور به عنوان يك تقويت کننده ولتاژ‪ ،‬جريان و يا توان استفاده کنیم الزم است ابتدا بر حسب‬
‫مشخصات و نوع ترانزيستور و با توجه به نقاه کار مورد نظر‪ ،‬ولتاژهای الزم را برای سه پايه ترانزيستور تأمین کنیم‬
‫که به اين کار باياس کردن ترانزيستور گفته می شود و مهمترين کار برای طراحی يك مدار تقويت کننده محاساات‬
‫الزم برای باياسینگ ترانزيستور است‪.‬‬
‫ترانزيستور را می توان به يكی از سه حالت امیتر مشترک‪ ،‬بیس مشترک و کلكتور مشترک باياس کرد که باتوجه به‬
‫نوع تقويت مشببخص میگرددکه در آنها به ترتیب امیتر‪ ،‬بیس و کلكتور به ولتاژ ثابت يا زمین متصببل شببده و سببر‬
‫مشترک بین ورودی و خروجی خواهد بود‪.‬‬
‫ساده ترين نوع يك ترانزي ستور باياس شده به صورت امیتر م شترک در شكل ن شان داده شده ا ست که در آن ‪RC‬‬
‫تغییرات جريان کلكتور را به شكل تغییر ولتاژ متناسب با تغییر جريان کلكتور بدست میدهد‪.‬‬
‫برای آنكه از يك مناع ولتاژ اسببتفاده کنیم از مقاومت ‪ R1‬و‪ R2‬و يك مناع ولتاژ ‪ VCC‬و قانون تقسببیم ولتاژاسببتفاده‬
‫میکنیم مدار به صورت زير میشود‪:‬‬

‫اما اين مدار در مقابل تغییرات درجه حرارت پايداری ندارد زيرا با باال رفتن درجه حرارت با توجه به اينكه ديود‬
‫کلكتور بیس باياس مهكوس است ‪ ICBO‬افزايش پیدا میکند و با توجه به راباه زير‪:‬‬
‫‪I C   I B  (1   )I CO‬‬
‫جريان کلكتور افزايش يافته و بهره جريان اضافه میشود و بالهكس که برای جاران اين قضیه مقاومت ‪ RE‬بین امیتر‬
‫و زمین بسته میشود تا مدار در مقابل تغییرات حرارت پايدار گردد‪ ،‬افزايش دما منجر به افزايش ‪ IE،IC‬و در نتیجه‬
‫ولتاژ تولید شده در دوسر ‪ RE‬می شود و افزايش ‪ ،VRE‬ولتاژ باياس بیس‪-‬امیتر اعمال شده را کاهش میدهد و منجر‬
‫به کاهش جريانهای داخلی ترانزيستور تا مقدار اولیه میگردد‪ .‬اما اين مقاومت اثر فیدبك منفی داشته و موجب پايین‬
‫آمدن بهره میشود که برای جاران آن از يك خازن با ظرفیت نساتا باال با آن موازی میشود که برای فرکانسهای‬
‫بیشتر از فرکانس قاع يا نیم توان پايین امپدانس آن ناچیز است که به اين خازن‪ by pass‬گفته میشود‪( .‬برای‬
‫توضیحات بیشتر در اين زمینه میتوانید به کتابهای مربوطه مراجهه کنید‪).‬‬
‫خازنهايی هم در ورودی و خروجی مدار برای جلوگیری از ورود جريان ‪ DC‬و خروج آن به خارج از مدار به کار‬
‫رفته است زيرا در غیر اين صورت امكان تغییر نقاه کار وجود دارد (خازن کوپالژ)‬
‫مدار به صورت زير درمیآيد‪:‬‬

‫حال برای محاساه بهترين نقاه کار چنین عمل می کنیم‪:‬‬
‫)‪: vce=-ic(RC RL‬خط بار ‪ac‬‬
‫‪: VCC=(RC+RE)ICQ+VCEQ‬خط بار ‪dc‬‬
‫‪vCE‬‬ ‫‪VCEQ‬‬
‫‪iC  ‬‬ ‫‪ I CQ ‬‬
‫‪rc  re‬‬ ‫‪rc  re‬‬
‫‪VCEQ  ( RC RL ) I CQ‬‬
‫‪‬‬
‫‪==> ‬‬ ‫‪VCC‬‬
‫‪ I CQ  R  R  R R‬‬
‫‪‬‬ ‫‪C‬‬ ‫‪E‬‬ ‫‪C‬‬ ‫‪L‬‬
‫در حالت کلی می توان نوشت‪:‬‬
‫‪VCEQ  Rac I CQ‬‬

‫‪‬‬
‫‪‬‬ ‫‪VCC‬‬
‫‪ I CQ  R  R‬‬ ‫‪ :Rac‬مقاومت حلقه خروجی در حالت ‪AC‬‬
‫‪‬‬ ‫‪DC‬‬ ‫‪ac‬‬
‫‪ :RDC‬مقاومت حلقه خروجی در حالت ‪DC‬‬
‫پس از محا ساات بهترين نقاه کار و يافتن مقاومتهای ‪ R1‬و ‪ R2‬مدار را میبنديم و ضمن اينكه مدار سیگنال ژنراتور‬
‫را خاموش کردهايم مقادير نقاه کار‪ DC‬مدار را به وسبببیله ولتمتر اندازه میگیريم‪ .‬اگر مقدار ‪ VCEQ‬مناسبببب ناود‬
‫بايد با تغییر مقاومتهای ‪ R1‬و ‪ R2‬به نقاه کار مناسب رسید‪ .‬راههای مختلفی برای اين کار وجود دارد میتوان ‪ R1‬را‬
‫ثابت نگهداشت و ‪ R2‬را تغییر داد و بالهكس‪ .‬درطول آزمايش سهی کنید پتانسیومتر را بجای ‪ R2‬بگذاريد و همواره‬
‫سببهی کنید تغییرات پتانسببیومتر را با آگاهی از عملكرد آن انجام دهید‪ .‬به اين صببورت که فرض کنیم نقاه کار مدار‬
‫نزديك مناقه اشااع باشد در اين صورت جريان ‪ IB‬زياد است و بايد مقدار آنرا کاهش داد چون ‪ R1‬ثابت است پس‬
‫بايد مقاومت ‪ R2‬کاهش يابد بنابراين جهت تغییر پتانسیومتر مشخص میشود‪.‬‬
‫و مجهوالت از روی منحنی مشخصه ترانزيستور بدست میآيند که برای اطالعات بیشتر به کتابهای مربوطه مراجهه‬
‫کنید‪.‬‬
‫پس از تنظیم نقاه کار سبببیگنال ژنراتور را روشبببن نموده و ولتاژ ورودی را افزايش میدهیم تا جايی که خروجی‬
‫شروع به اعوجاج بكند(بريده شود)‪ ،‬اگر نقاه کار صحیح باشد اعوجاج از هر دو طرف همزمان شروع می شود و در‬
‫غیر اين صورت با تغییر مقاومتهای باياس می توان نقاه کار منا سب را بد ست آورد‪ .‬پس از تنظیم نقاه کار میتوان‬
‫در حالت سببیگنال کوچك مقادير ‪VO،VS‬و‪Vi‬را به وسببیله اسببیلوسببكوپ و بر حسببب مقادير پیك تا پیك اندازه‬
‫گرفت و به کمك آن پارامترهای زير را محاساه کرد‪:‬‬
‫‪VO‬‬ ‫‪VO‬‬ ‫‪VO‬‬ ‫‪IO‬‬ ‫‪IO‬‬

‫‪AV ‬‬ ‫‪AV S ‬‬ ‫‪IO ‬‬ ‫‪A IS ‬‬ ‫‪AI ‬‬
‫‪Vi‬‬ ‫‪VS‬‬ ‫‪RL‬‬ ‫‪IS‬‬ ‫‪Ii‬‬
‫‪V S V i‬‬ ‫‪Vi‬‬ ‫‪Vi‬‬ ‫‪Vi‬‬

‫‪IS ‬‬ ‫‪Ii  IS ‬‬ ‫‪Ri ‬‬ ‫‪R i ‬‬
‫‪RS‬‬ ‫‪R1‬‬ ‫‪R2‬‬ ‫‪IS‬‬ ‫‪Ii‬‬
‫نحوه بدست آوردن مقاومت خروجی ‪ RO‬در آزمايش ‪ 1‬به طور مفصل توضیح داده شد‪.‬‬
‫میدانیم به دلیل وجود خازنهای کوپالژ و بای پس در فرکانسببهای پايین و خازنهای ترانزيسببتور در فرکانسببهای باال‬
‫بهره ولتاژ مدار ثابت ناوده ودارای منحنی زير است که به آن پاسخ فرکانسی می گويیم‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫برابر مقدار خود می ر سد (‪ FL‬و‪ )FH‬که تفا ضل اين دو فرکانس‬ ‫نقاط مهم منحنی جايی ا ست که دامنه بهره به‬
‫‪2‬‬
‫‪B.W=ωH-ωL‬‬ ‫پهنای باند تقويت کننده را مشخص میکند‪:‬‬
‫‪VO‬‬
‫‪AV S ‬‬ ‫برای اندازه گیری ‪ FL‬بايد به ‪ AVS‬توجه کنیم‪:‬‬
‫‪VS‬‬
‫چون روی اسبببیلوسبببكوپ نمیتوانیم ‪ AVS‬را مشببباهده کنیم مانای کار ما ‪ VO‬خواهد بود به شبببرط آنكه در طول‬
‫آزمايش ‪ VS‬ثابت باشبببد‪ .‬ولتاژ خروجی را در فرکانس وسبببط باند روی ‪ 7‬خانه از اسبببیلوسبببكوپ تنظیم میکنیم‪،‬‬
‫فرکانس سببیگنال ژنراتور را کاهش میدهیم تا خروجی به ‪ 5‬خانه برسببد‪ ،‬فرکانس سببیگنال ژنراتور ما در اين لحظه‬
‫‪7‬‬
‫همان ‪ FL‬خواهد بود زيرا‪ 5 :‬‬
‫‪2‬‬
‫‪ -1-8‬بهترين نقاه کار را برای تقويت کننده امیتر مشترک فوق حساب کنید‪.‬‬
‫‪ ‬و ‪ VBE 0 / 7v‬مقاومتهای ‪ R1‬و ‪ R2‬را محاساه کنید‪.‬‬ ‫‪ -‬در نقاه کار فوق اگر فرض کنیم ‪ 200‬‬
‫‪ -‬پالريته خازنها را تهیین کنید‪.‬‬
‫‪ -2-8‬مدار را بانديد و در حالتیكه سیگنال ژنراتور خاموش است با تغییر مقاومت ‪ R2‬به بهترين نقاه کار دست يابید‪.‬‬
‫‪ -‬مقادير زير را اندازه گیری و يادداشت کنید‪.‬‬
‫‪R2‬‬ ‫‪VCEQ‬‬ ‫‪ICQ‬‬ ‫‪VBQ‬‬ ‫‪VEQ‬‬ ‫‪VBEQ‬‬ ‫‪IEQ‬‬ ‫‪IBQ‬‬
‫‪ -3-8‬سیگنال ژنراتور را روشن کنید‪.‬‬
‫‪ -‬ماکزيمم خروجی بدون اعوجاج که از اين مدار حاصبببل میگردد را اندازهگیری کرده و آنرا با مقدار تئوری‬
‫? ‪V O P . P (max) ‬‬ ‫مقايسه کنید‪.‬‬
‫‪ -4-8‬با اعمال سیگنال کوچك شكل موجهای ‪VO،VS‬و‪Vi‬را اندازهگیری نمائید‪.‬‬
‫‪ -‬اختالف فاز ورودی و خروجی چقدر است؟ سیگنال های ‪VO،VS‬و‪Vi‬را با حفظ راباه زمانی رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬با مقادير اندازه گیری شده پارامترهای زير را محاساه کنید‪:‬‬
‫‪𝐴𝑉𝑆 ‬‬ ‫𝐼𝑉𝐴‬ ‫𝐼𝐴‬ ‫𝑆𝐼𝐴‬ ‫𝑖𝑅‬ ‫‪𝑅𝑖′‬‬ ‫𝑜𝑅‬
‫‪ -‬مقدار‪ fL‬و‪ fH‬را اندازه گیری کنید‪.‬‬
‫‪ -‬منحنی پاسخ فرکانسی را رسم نمايید‪( .‬تغییرات بهره تقويت کننده بر حسب فرکانس)‬
‫‪ -‬پهنای باند اين مدار چقدر است؟‬
‫‪ -5-8‬پس از ر سم مدار مهادل سیگنال کوچك تقويت کننده‪ ،‬پارامترهای جدول فوق را از طريق تئوری محا ساه‬
‫کرده و با مقادير اندازهگیری شده مقايسه کنید‪.‬‬
‫‪ -6-8‬مقاومت امیتر به چه منظور به کار می رود؟ توضیح دهید‪.‬‬

‫تقويت کننده بيس مشترک و کلكتور مشترک‬
‫گفتیم که ترانزيستور را میتوان به يكی از سه حالت امیتر مشترک‪ ،‬بیس مشترک و کلكتور مشترک باياس کرد که‬
‫در آنها به ترتیب امیتر‪ ،‬بیس و کلكتور به ولتاژ ثابت يا زمین متصل شده و سر مشترک بین ورودی و خروجی خواهد‬
‫بود‪.‬‬
‫در تقويت کننده بیس م شترک‪ ،‬ولتاژ بیس ثابت بوده و امیتر ورودی و کلكتور خروجی میبا شد و بهره جريان پايین‬
‫و بهره ولتاژ باال و امپدانس ورودی کم و امپدانس خروجی باال از خصوصیات اين نوع تقويت کننده میااشد ‪.‬‬
‫‪ -1-9‬بهترين نقاه کار را برای تقويت کننده بیس‪ -‬مشترک زير حساب کنید‪.‬‬
‫‪ ‬و ‪ VBE 0 / 7v‬مقاومتهای ‪ R1‬و ‪ R2‬را محاساه کنید‪.‬‬ ‫‪ -‬در نقاه کار فوق اگر فرض کنیم ‪ 200‬‬
‫‪ -‬پالريته خازنها را تهیین کنید‪.‬‬
‫‪ -2-9‬مدار را بانديد و در حالتیكه سیگنال ژنراتور خاموش است با تغییر مقاومت ‪ R2‬به بهترين نقاه کار دست يابید‪.‬‬
‫‪ -‬مقادير زير را اندازه گیری و يادداشت کنید‪.‬‬
‫‪R2‬‬ ‫‪VCEQ‬‬ ‫‪ICQ‬‬ ‫‪VBQ‬‬ ‫‪VEQ‬‬ ‫‪VBEQ‬‬ ‫‪IEQ‬‬ ‫‪IBQ‬‬
‫‪ -3-9‬سیگنال ژنراتور را روشن کنید‪.‬‬
‫‪ -‬ماکزيمم خروجی بدون اعوجاج که از اين مدار حاصبببل میگردد را اندازهگیری کرده و آنرا با مقدار تئوری‬
‫? ‪V O P . P (max) ‬‬ ‫مقايسه کنید‪.‬‬
‫‪ -‬با اعمال سیگنال کوچك شكل موجهای ‪VO،VS‬و‪Vi‬را اندازهگیری نمائید‪.‬‬
‫‪ -‬اختالف فاز ورودی و خروجی چقدر است؟ سیگنال های ‪VO،VS‬و‪Vi‬را با حفظ راباه زمانی رسم کنید‪.‬‬
‫‪ -‬با مقادير اندازهگیری شده پارامترهای زير را محاساه کنید‪:‬‬
‫𝑠𝑉𝐴‬ ‫𝑖𝑉 𝐴‬ ‫𝑠𝐼𝐴‬ ‫𝑖𝑅‬ ‫𝑜𝑅‬
‫‪ -‬مقدار‪ fL‬و ‪ fH‬را اندازه گیری کنید‬
‫‪ -‬منحنی پاسخ فرکانسی را رسم نمايید‪( .‬تغییرات بهره تقويت کننده بر حسب فرکانس)‬
‫‪ -‬پهنای باند اين مدار چقدر است؟ با پهنای باند مدار امیتر مشترک مقايسه کنید‪.‬‬
‫‪ -‬پس از ر سم مدار مهادل سیگنال کوچك تقويت کننده پارامترهای ق سمت قال را از طريق تئوری محا ساه کرده‬
‫و با مقادير اندازهگیری شده مقايسه کنید‪.‬‬

‫‪ -4-9‬مدار تقويت کننده کلكتورمشترک زير را بانديد و کلیه محاساات و اندازه گیريهايی را که برای تقويت کننده‬
‫بیس‪-‬مشترک انجام داديد برای تقويت کننده فوق تكرار کنید‪.‬‬

‫آزمايش ‪10‬‬
‫منابع ولتاژ و جريان ثابت‬
‫باور کلی در بررسبببی مدارهای الكتريكی و الكترونیكی با عالئمی بصبببورت شبببكل (‪ )1-10‬برخورد مینمايیم که‬
‫بهنوان منابع ثابت ولتاژ و جريان شببناخته میشببوند‪ .‬در اين آزمايش به بررسببی مدارهای سبباده ای که ماین اين عالئم‬
‫میباشند میپردازيم‪.‬‬
‫شكل (‪ :)1-10‬مناع جريان ثابت مناع ولتاژ ثابت‬
‫‪ -1-10‬منبع ولتاژ ثابت‪ :‬مدار شببكل (‪ )2-10‬يك مناع ولتاژ ثابت سبباده رابه کمك ترانزيسببتور نشببان میدهد که‬
‫ولتاژ خروجی آن بازای محدوده ای از ‪ R L‬ثابت میباشبببد و با بررسبببی اجمالی مدار در میيابیم که ولتاژ خروجی‬
‫برابر است با ‪:‬‬
‫‪V L V Z V BE‬‬ ‫(‪)1-10‬‬
‫شكل (‪)2-10‬‬
‫از راباه (‪ )1-10‬چنین به نظر می آيد که ‪ V L‬بسبببتگی به ‪ R L‬ندارد و بازائ هر ‪ R L‬میتوان ولتاژ ثابتی در خروجی‬
‫ايجاد نمود‪ .‬اما عمال هماناور که متذکر شديم ‪ R L‬هر مقداری را نمیتواند داشته باشد‪ .‬در صورتی که عناصر مدار‬
‫ثابت و ولتاژ تغذيه ثابت باشد ‪ R L‬حداقل مقداری دارد که به عوامل زير بستگی دارد‪:‬‬
‫‪PD max V CEQ .I CQ‬‬ ‫‪ -1‬توان ترانزيستور‬
‫‪I C max‬‬ ‫‪ -2‬ماکزيمم جريان کلكتور ترانزيستور‬
‫‪I Z min‬‬ ‫‪ -3‬حداقل جريان ديود زنر‬
‫بنابراين برای تهیین حداقل ‪ R L‬میتوان از روابط زير استفاده نمود‪:‬‬
‫‪V CC V Z‬‬
‫‪IB ‬‬ ‫‪ I Z min‬‬
‫‪R1‬‬
‫‪I L max   I B  I C max‬‬
‫‪(V CC V L )I L max  PD max‬‬
‫که با توجه به روابط فوق ماکزيمم جريان بار حاصل و از آنجا که ‪ V L‬ثابت است مقدار ‪ R L min‬از راباه زير حاصل‬
‫می شود‪:‬‬
‫‪VL‬‬
‫‪R L min ‬‬
‫‪I L max‬‬
‫الف‪ -‬محاسبه و اندازه گيری مقاومت داخلی منبع ولتاژ)‪: (RS‬‬
‫باور کلی منابع ولتاژ ايده آل نمی باشبببند در نتیجه دارای مقاومت داخلی می باشبببند که مقدار اين مقاومت را برای‬
‫شكل (‪ )2-10‬میتوان از راباه زير بدست آورد‪:‬‬
‫‪rBE‬‬ ‫‪V BE‬‬ ‫‪v E‬‬

‫‪RS ‬‬ ‫‪ rE‬‬ ‫‪rBE ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪  rE‬‬
‫‪‬‬ ‫‪i B‬‬ ‫‪iE‬‬
‫) (‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪ rE‬مقاومت اتصببال امیتر بیس اسببت که مهموال کم اسببت و بسببتگی به درجه حرارت اتصببال امیتر دارد‪ .‬در درجه‬
‫‪KT‬‬ ‫‪V E 25mv‬‬

‫‪V E ‬‬ ‫‪rE ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪q‬‬ ‫‪I E‬‬ ‫‪IC‬‬ ‫حرارت محیط‪:‬‬
‫بنابراين در درجه حرارت محیط ‪ R S‬را می توان از راباه زير بدست آورد‪:‬‬
‫‪25mv‬‬
‫‪RS ‬‬
‫‪IL‬‬
‫ب‪ -‬روش اندازه گيری ‪: R S‬‬
‫اگر مدار مهادل تونن مدار را در نظر بگیريم ماابق شبببكل (‪ )3-10‬میباشبببد که با تغییر ‪ R L‬مقادير ‪ V L‬و ‪ I L‬تغییر‬
‫نموده در نتیجه مقدار ‪ R S‬را با اندازهگیری تغییرات ‪ V L‬و ‪ I L‬میتوان بدست آورد‪:‬‬
‫‪VL VL1  VL2‬‬

‫‪RS  ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪I L‬‬ ‫‪I L2  I L1‬‬
‫شكل(‪)3-10‬‬
‫‪ -2-10‬منبع جريان ثابت‪:‬‬
‫سببباده ترين مداری که برای اين منابع میتوان در نظر گرفت ماابق شبببكل (‪ )4-10‬می باشبببدکه با توجه به نوع‬
‫ترانزيستور به کار رفته در مدار به دو دسته زير تقسیم میشوند‪:‬‬
‫‪current source -1‬‬

‫‪( current sink -2‬جريان از مدار میکشد)‬
‫شكل(‪-4-10‬الف) ‪ current sink‬شكل(‪-4-10‬ب) ‪current source‬‬
‫بررسببی مدار نشببان میدهد که يك مدار امیتر مشببترک با مقاومت در امیتر (فیدبك جريان‪-‬سببری) بهنوان يك مناع‬
‫جريان به کار رفته است که در محدودهای از ولتاژ بار جريان ثابتی به بار میدهد (يا از بار میکشد)‪.‬‬
‫چند نكته مهم در مورد اين مناع الزم به بررسی است که عاارتند از ‪:‬‬
‫‪ -1‬مقدار جريان مناع از راباه زير بدست میآيد‪.‬‬
‫‪V 1 V BE‬‬
‫‪IS  IL ‬‬ ‫(‪)2-10‬‬
‫‪RE‬‬
‫‪ -2‬در صورتی که ولتاژ تغذيه ورودی ثابت باشد تا زمانیكه ترانزيستور به اشااع نرسد جريان خروجی تقرياا" ثابت‬
‫میباشد‪.‬‬
‫‪ -3‬ماکزيمم مقاومت بار ‪ R L‬در مدار فوق با توجه به مهادله حلقه خروجی ترانزيسبببتور از راباه زير قابل محاسببباه‬
‫) ‪V CE V CC  (R L max  R E )I L V CE (sat‬‬ ‫است‪:‬‬
‫‪V EE  V CC‬‬
‫‪ -4‬مقاومت داخلی اين مناع به علت زياد بودن مقاومت ديفرانسببیلی خروجی ترانزيسببتور (چند صببدکیلو اهم) زياد‬
‫‪VCE‬‬ ‫‪VT  VE‬‬

‫‪rCE ‬‬ ‫‪I B  cte‬‬ ‫‪( RS ‬‬ ‫‪ r ) R   rCE‬‬ ‫است و باور تقريب از راباه‪:‬‬
‫‪I e‬‬ ‫‪ VT  VE CE S‬‬
‫بدسببت میآيد‪ .‬چون ‪ rCE‬با افزايش ‪ I B‬کاهش میيابد بنابراين انتخاب ترانزيسببتور و مقاومتهای ‪ R1‬و ‪ R 2‬در اين‬
‫مدار مورد توجه میباشد‪.‬‬
‫‪ I L -5‬هماناور که از راباه (‪ )2-10‬مشاهده میشود در اثر دو عامل تغییرپذير میباشد که اين دو عامل عاارتند از‪:‬‬
‫الف‪ -‬تغییرات ولتاژ تغذيه که باعث تغییر ‪ V 1‬و نتیجتا" باعث تغییر ‪ I L‬میشود‪.‬‬
‫ب‪ -‬تغییر ‪ V BE‬بر اثر تغییر درجه حرارت اتصال امیتر که ‪ I L‬را تغییر میدهد‪ .‬بنابراين مقدار جريان مناع کامال"‬
‫ثابت نمیباشد‪ .‬ما در قسمتهای بهد به بررسی روش برطرف کردن اين دو اشكال میپردازيم‪.‬‬
‫الف‪ -‬کم کردن اثر تغییرات ‪ V CC‬بر روی ‪ ، I L‬بجای مقاومت ‪ R1‬از يك ديود زنر ماابق شبببكل (‪ )5-10‬اسبببتفاده‬
‫‪V Z V BE‬‬
‫‪IL ‬‬ ‫(‪)3-10‬‬ ‫میشود‪ .‬در اين مدار‪:‬‬
‫‪RE‬‬
‫ديود زنر بهلت داشببتن مقاومت داخلی کوچك ‪ rz‬تغییرات ‪ V 1‬را نسببات به مدار شببكل (‪ )4-10‬کاهش میدهد اما‬
‫‪rZ‬‬ ‫اين تغییرات صفر نمیگردد‪.‬‬

‫‪V1 ‬‬ ‫‪VCC‬‬
‫‪R2‬‬
‫‪rz‬‬
‫‪I L ‬‬ ‫‪VCC‬‬ ‫‪VBE cte‬‬
‫‪R2 RE‬‬
‫شكل(‪)5-10‬‬
‫ب‪ -‬مساله پايداری حرارتی و تغییر ‪ V BE‬در اثر حرارت که باعث تغییر ‪ I L‬می شود‪ .‬برای رفع اين اشكال از مدارات‬
‫انهكاس جريان (‪ )Current Mirror‬استفاده میشود‪.‬‬

‫‪ -2-3‬انعكاس جريان (‪)Current Mirror‬‬
‫شببكل(‪-6-10‬الف) نشببان می دهد که جريان ‪ I 1‬به دو جريان ‪ I 2‬و ‪ I B‬تقسببیم میشببود‪ .‬جريان ‪ I 2‬از ديود جاران‬
‫کننده عاور می کند و ‪ I B‬جريان بیس ترانزيستور میباشد‪.‬‬
‫در صورتیكه منحنی مشخصه انتقالی ترانزيستور يهنی تغییرات ‪ I E‬بر حسب ‪ V BE‬با منحنی مشخصه ولت آمپر ديود‬
‫جاران کننده کامال يكسان باشند جريان ديود ‪ I 2‬با جريان امیتر ‪ I E‬مساوی است‪.‬‬
‫‪I 2  I1  I B‬‬
‫‪I E  IC  I B‬‬
‫‪IE  I2‬‬
‫شكل(‪-6-10‬الف)‬ ‫شكل(‪-6-10‬ب)‬
‫‪I C  I 1  2I B‬‬ ‫در صورتیكه جريان بیس خیلی کوچكتر از جريان کلكتور باشد نتیجه میشود‪:‬‬
‫‪IC  I1‬‬ ‫(‪)4-10‬‬
‫راباه (‪ )4-10‬چنین بر میآيد که اين مدار مانند آينه عمل میکند‪ ،‬يهنی جريان ‪ I 1‬ورودی به گره ‪ ، A‬در کلكتور‬
‫ترانزيستور انهكاس میيابد‪ .‬مدار شكل (‪-6-10‬ب) موکد اين موضوع است و انهكاس جريان ‪ I‬را نشان می دهد‪.‬‬
‫حال با توجه به موضوع انهكاس جريان به بررسی مناع جريان ساده با دو ترانزيستور که براساس انهكاس جريان عمل‬
‫مینمايد میپردازيم‪.‬‬
‫‪ -2-10‬منبع جريان ثابت با دو ترانزيستور‪:‬‬
‫شكل(‪ )7-10‬فرم ساده از يك مناع جريان با دو ترانزيستور را نشان میدهد که در اين مدار ترانزيستور ‪ T1‬مانند يك‬
‫ديود عمل میکند زيرا که ولتاژ کلكتور‪ -‬بیس آن صببفر اسببت ‪ ،‬و هیچگونه تزريقی در اتصببال کلكتور بیس ‪ T1‬تا‬
‫زمانیكه باياس آن صببفر اسببت روی نمیدهد و ترانزيسببتور همانند اينكه در ناحیه فهال باشببد عمل میکند‪.‬جريانهای‬
‫نشتی مدار خیلی جزئی هستند‪.‬‬
‫شكل(‪)7-10‬‬
‫در مورد اين مدار فرض میکنیم‪:‬‬
‫اوال" ترانزيستورها کامال" يكسانند (‪. )Matched-Pair‬‬
‫ثانیا" مقاومت خروجی ‪ T 2‬بی نهايت میباشد‪ .‬در اين صورت ولتاژ بیس امیتر دو ترانزيستور يكی است و در نتیجه‪:‬‬
‫‪IC1  IC 2‬‬
‫حال اگر جمع جريانها را در کلكتور ‪ T1‬بنويسیم داريم‪:‬‬
‫‪I  IC1  I B1  I B 2‬‬
‫‪2I C 1‬‬ ‫‪I‬‬

‫‪I  IC1 ‬‬ ‫و‬ ‫‪IC1 ‬‬ ‫‪ IC 2‬‬
‫‪‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫و در صورتی که ‪ ‬بزرگ باشد‪:‬‬

‫‪V CC V BE‬‬
‫‪IC 2  I ‬‬
‫‪R‬‬
‫بنابراين در اين شرايط ‪ I‬با ‪ I C 2‬مساوی است‪.‬‬
‫عمال" احتیاجی نی ست که ترانزي ستورها کامال يك سان با شند و در صورت دا شتن اختالف ‪ I C 1‬با ‪ I C 2‬دارای يك‬
‫نسات ثابت می شوند که اين نسات میتواند بزرگتر يا کوچكتر از واحد باشد‪ .‬بنابراين هر جريان خروجی الزم ‪I C 2‬‬
‫را میتوان از جريان ثابت ‪ I‬گرفت‪.‬‬
‫برای افزايش مقاومت داخلی يك مناع جريان سبباده میتوان مقاومتهايی را به امیتر ترانزيسببتورهای مناع اضببافه نمود‪.‬‬
‫شكل(‪ )8-10‬مدار مناع جريان ثابت با مقاومت در امیتر را ن شان میدهد‪ .‬ضمنا" اين مقاومتها برای يكنواخت کردن‬
‫مشخصه ولت آمپر ترانزيستورهای غیر يكنواخت بكار میرود‪.‬‬
‫شكل (‪)8-10‬‬
‫مراحل انجام آزمايش‪:‬‬
‫‪-1-10‬مناع ولتاژ ثابت‪:‬‬
‫‪ -1-1-10‬مقدار ولتاژ مناع زير را محاسبه نموده و پس از بستن مدار شكل (‪ ، )9-10‬جدول را کامل کنید‪.‬‬
‫‪RL‬‬ ‫‪10K ‬‬ ‫‪1K ‬‬ ‫‪100‬‬
‫‪VL‬‬
‫‪IL‬‬
‫‪RO‬‬
‫شكل (‪)9-10‬‬
‫‪ ‬سببوال‪ :1‬حداقل مقدار ‪ R L‬در مدار فوق چقدر میتواند باشببد؟ با توجه به مشببخصببات ترانزيسببتور اين مقدار را‬
‫محاساه نمائید‪.‬‬
‫‪ -2-1-10‬با م قاو مت ‪ R L  1K‬ول تاژ ‪ V CC‬را از (‪ 0‬تا ‪ 16‬و لت) در پ له های ‪ 2‬ولتی تغییر ده ید و منحنی ول تاژ‬
‫خروجی را بر حسب ‪ V CC‬به دست آورده و رسم نمايید‪.‬‬
‫‪ ‬سوال‪ :2‬ولتاژ خروجی مدار فوق در چه محدودهای از مناع ولتاژ تقريااً ثابت است؟‬
‫‪ -3-1-10‬اگر به جای زنر از مقاومت اسبببتفاده کنیم(مثال ‪ ،) R 2  R1‬منحنی مرحله (‪ )2-1-10‬را از طريق محاسببباه‬
‫بدست آورده و رسم کنید‪( .‬از ‪ I B‬صرفنظر کنید)‬

‫‪ -2-10‬منابع جريان ثابت‪:‬‬
‫‪ -1-2-10‬مقدار جريان مناع زير را محاسبه نموده و پس از بستن مدار شكل (‪ ، )10-10‬جدول را کامل کنید‪.‬‬
‫‪RL‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪100‬‬ ‫‪390‬‬ ‫‪560Ω‬‬ ‫‪1K ‬‬
‫‪VL‬‬
‫‪IL‬‬
‫‪RO‬‬
‫شكل(‪)10-10‬‬
‫‪ ‬سوال‪ R L max :3‬برای مدار فوق چقدر است؟‬
‫‪ -2-2-10‬با مقاومت ‪ ، R L  390‬ولتاژ ‪ V CC‬را (‪ 0‬تا ‪ 16‬ولت) در پله های ‪ 2‬ولتی تغییر دهید و منحنی ‪ I L‬را بر‬
‫حسب ‪ V CC‬بدست آورده و رسم نمايید‪ .‬چه نتیجهای میگیريد؟‬
‫‪ -3-2-10‬به جای مقاومت ‪ 470‬از يك ديود زنر ‪ 4.7V‬در باياس مهكوس اسبببتفاده کنید‪ .‬جدول زير را تكمیل‬
‫نموده و مرحله (‪ )2-2-10‬را تكرار کنید‪.‬‬

‫‪RL‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪100‬‬ ‫‪390‬‬ ‫‪560Ω‬‬ ‫‪1K ‬‬
‫‪VL‬‬
‫‪IL‬‬
‫‪RO‬‬
‫‪ -4-2-10‬در مدار فوق با مقاومت ‪ ، R L  390‬مقدار ‪ R E‬را نصببف کنید (با موازی کردن يك مقاومت ‪560‬‬
‫ديگر) و مقدار جريان بار را بدست آوريد‪ .‬علت تغییر جريان را توضیح دهید‪.‬‬
‫‪ -3-10‬مقدار جريان ‪ IL‬را در مدار زير محاسبه نمائید‪ .‬مدار را بسته و مقادير جدول زير را اندازهگیری کنید‪.‬‬
‫‪RL‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪100‬‬ ‫‪390‬‬ ‫‪560Ω‬‬ ‫‪1K ‬‬
‫‪VL‬‬
‫‪IL‬‬
‫‪RO‬‬
‫شكل (‪)11-10‬‬
‫‪ -1-3-10‬در مدار فوق مقاومت ‪ RE2=220Ω‬قرار داده وجريان های ‪ IE1‬و ‪ IE2‬را اندازهگیری نمائید‪ .‬علت تفاوت‬
‫اين دو جريان را با روابط الزم شرح دهید‪.‬‬

‫تقويت کننده توان (کالس ‪ B‬و ‪)AB‬‬
‫‪ -3-11‬کالس عمر تقويت کننده ها )‪(AB, A , B‬‬
‫کالس ‪ :A‬هماناور که می دانیم ترانزيسببتور تقويت کننده کالس ‪ A‬در تمام مدت يك سببیكل در ناحیه فهال قرار‬
‫می گیرد‪ ،‬بدين مهنی که جريان کلكتور تقويت کننده برای ‪360‬درجه جاری است(شكل ‪-1-11‬الف)‪.‬‬
‫کالس ‪ :B‬در يك مدار کالس ‪ B‬ترانزيستور فقط برای نیم سیكل در ناحیه فهال قرار میگیرد و در مدت نیم سیكل‬
‫ديگر ترانزي ستور قاع ا ست در نتیجه در هر ترانزي ستور مدار کالس ‪ B‬جريان کلكتور برای ‪ 180‬درجه جاری ا ست‪.‬‬
‫(شكل‪-1-11‬ب)‬
‫کالس ‪ :AB‬ناحیه ای است بین کالس ‪ A‬و کالس ‪ . B‬يك ترانزيستور در کالس ‪ AB‬برای بیشتر از نیم سیكل در‬
‫ناحیه فهال و کمتر از نیم سیكل در ناحیه قاع میبا شدو از طرفی جريان کلكتور برای بی شتر از ‪ 180‬درجه و کمتر از‬
‫‪ 360‬درجه جاری میگردد‪(.‬شكل ‪-1-11‬ج)‬
‫شكل (‪ -1-11‬الف) کالس ‪A‬‬ ‫شكل (‪ -1-11‬ب) کالس ‪B‬‬
‫شكل (‪)1-11‬‬ ‫شكل (‪ -1-11‬ج) کالس ‪AB‬‬

‫‪ -2-11‬خط بار‪ ac‬برای کالس ‪B‬‬
‫شكل(‪-2-11‬ب) خط بار‪ ac‬را برای يك ترانزي ستور مدار پوش پول کالس ‪ B‬ن شان می دهد‪.‬نقاه کار مدار باتوجه‬
‫به صرفنظر کردن از ‪ I CBO‬در ناحیه قاع در نظر گرفته شده است در نتیجه‪:‬‬
‫‪I CQ  0‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪V CEQ V CE‬‬
‫با اعمال سببیگنال ‪ ac‬نقاه کار لحظه ای از ‪ Q‬به طرف اشببااع نوسببان مینمايد و باعث نیم سببیكل جريان و ولتاژ می‬
‫گردد‪ .‬بنابراين اگر يك ترانزيستور نیم سیكل مثات و ترانزيستور ديگر نیم سیكل منفی را هدايت نمايد می توانیم در‬
‫خروجی يك موج سینوسی کامل داشته باشیم‪ .‬در تقويت کننده کالس ‪ B‬جريان اشااع ترانزيستور از ويژگی خاصی‬
‫برخوردار می باشبببد که برای پیدا کردن آن از بار ‪ ac‬می توان کمك گرفت هماناور که قاال" تذکر داديم مهادله‬
‫خط بار ‪ ac‬برای کلیه تقويت کننده های مقدماتی به صورت مهادله زير می باشد‪(:‬شكل ‪-2-11‬الف)‬
‫‪vCE‬‬ ‫‪VCEQ‬‬ ‫(‪)1-11‬‬

‫‪iC ‬‬ ‫‪ I CQ ‬‬
‫‪rc  re‬‬ ‫‪rc  re‬‬
‫و جريان اشااع ترانزيستور برای يك تقويت کننده برابر است با ‪:‬‬
‫‪VCEQ‬‬
‫‪I C ( sat )  I CQ ‬‬ ‫(‪-2-11‬الف)‬
‫‪rc  re‬‬
‫‪v CE (sat )  0‬‬
‫در نتیجه در کالس ‪ B‬شكل (‪-3-2‬ب) چون ‪ I CQ  0‬است جريان اشااع برابر است با‪:‬‬
‫‪VCEQ‬‬
‫‪I C ( sat ) ‬‬ ‫(‪-2-11‬ب)‬
‫‪rc  re‬‬
‫اين راباه ارزشمند است زيرا از آن برای محاساه قدرت بار و تلفات ترانزيستور می توان استفاده نمود‪.‬‬
‫شكل(‪ -2-11‬ب)‬ ‫شكل(‪ -2-11‬الف)‬
‫‪ -3-11‬بررسی عمل پوش پول ايده آل‪:‬‬
‫قال از اينكه مدار کامل تقويت کننده پوش پول کالس ‪ B‬را برر سی نمايیم عمل يك پوش پول ايده آل را تو ضیح‬
‫می دهیم‪ .‬شبببكل (‪-3-11‬الف) مدار مهادل ‪ ac‬يك ترانزيسبببتور امیتر فالوئر ‪ npn‬را نشبببان می دهد‪ .‬هماناور که‬
‫مشاهده می شود مدار باياس نشان داده نشده است اما فرض بر اينست که باياس مدار برای کار کردن در ناحیه قاع‬
‫می باشد‪ ،‬باوريكه ماابق خط بار ‪ ac‬شكل (‪-2-11‬ب) در کالس ‪ B‬عمل میکند‪.‬‬
‫بنابراين ديود امیتر بیس در نیم پريود مثات ولتاژ مناع سیگنال‪ ،‬در گرايش موافق است و نقاه کار از ‪ Q‬تا ناحیه اشااع‬
‫نو سان میکند‪ ،‬و نیم پريود منفی ديود امیتر در گرايش مهكوس میبا شد و جريانی جاری نمی شود در نتیجه دو سر‬
‫‪ rE‬ولتاژی بصورت سیگنال نیم موج ظاهر میگردد‪.‬‬
‫حال به برر سی مدار کلكتور م شترک ‪ pnp‬شكل(‪-3-11‬ب) می پردازيم‪ .‬در اين مدار نیز ماابق مدار فوق از مدار‬
‫مهادل ‪ ac‬ا ستفاده می کنیم‪ .‬فر ضیات ذکر شده در مدار ‪ npn‬نیز درباره اين مدار صادق ا ست در نتیجه ديود امیتر‬
‫بیس در نیم پريود مثات در گرايش مهكوس و جريان کلكتور صفر است‪ ،‬اما بازای نیم سیكل منفی ولتاژ مناع‪ ،‬ديود‬
‫امیتر در گرايش موافق و نقاه کار از ‪ Q‬تا ناحیه ا شااع نو سان می کند‪ .‬به ساب اينكه ولتاژ ‪ rE‬ن سات به زمین منفی‬
‫ا ست جريان در ‪ rE‬جاری می گردد‪ .‬ولتاژ خروجی شكل(‪-2-11‬ب) فقط نیم سیكل منفی ا ست‪ ،‬برای د ستیابی به‬
‫مدار پوش پول دو مدار امیتر فالوئر را ماابق شببكل (‪-3-11‬ج) به هم متصببل می کنیم‪ .‬در اين مدار ترانزيسببتور‪npn‬‬
‫نیم سیكل مثات ولتاژ مناع و ترانزي ستور ‪ pnp‬نیم سیكل منفی ولتاژ مناع را هدايت می کنند در نتیجه ولتاز خروجی‬
‫يك موج سینوسی کامل است ‪.‬‬
‫(الف)‬ ‫(ب)‬
‫(ج)‬
‫شكل ‪-3-11‬مدار مهادل ‪ac‬‬
‫به فرمهای ديگر نیز می توان تقويت کننده پوش پول سببباخت مثال به جای اسبببتفاده از دو امیتر فالوئر می توانیم دو‬
‫تقويت کننده ‪ CE‬را بهم متصبببل نموده يا می توان از ترانسبببفورماتور به جای ترانزيسبببتور مكمل اسبببتفاده نمود‪.‬‬
‫شكل(‪.)4-11‬‬
‫شكل(‪ -4-11‬الف)‪-‬تقويت کننده پوش پول با آرايش ‪ CE‬بدون در نظر گرفتن باياس‪.‬‬
‫شكل(‪ -4-11‬ب)‪ -‬تقويت کننده پوش پول با ترانسفورمر با در نظر گرفتن باياس‪.‬‬
‫الف‪ :‬مساله باياس کردن ترانزيستورها‪:‬‬
‫در بررسبببی عمل تقويت کننده مكمل گفتیم ترانزيسبببتورها بايد طوری گرايش داده شبببوند که در ناحیه قاع عمل‬
‫نمايند‪ .‬چون ترانزيسببتورها مكمل می باشببند و هماناور که شببكل (‪-5-11‬الف) نشببان می دهد مدار احتیاج به مناع‬
‫تغذيه مثات و منفی دارد که اين مساله در اکثر مدارها امكان پذير نیست‪ .‬در نتیجه برای حل اين مساله مدار را با يك‬
‫مناع تغذيه ماابق شبببكل (‪-5-11‬ب) می بنديم که در اين مدار ولتاژ نقاه ‪ M‬در حالت آرامش بايد برابر مقدار زير‬
‫‪V CC‬‬
‫‪VM ‬‬
‫‪2‬‬ ‫باشد‪.‬‬
‫(ب)‬ ‫(الف)‬
‫ب) مدار پوش پول با يك مناع تغذيه‬ ‫شكل(‪ : )5-11‬الف) مدار پوش پول با دو مناع تغذيه مثات و منفی‬
‫برای روشن شدن طرز کار مدار با يك مناع تغذيه به بررسی آن در دو نیم موج می پردازيم‪.‬‬
‫‪ -1‬در نیم موج مثات ترانزيستور ‪ npn‬هادی و ترانزيستور ‪ pnp‬قاع می باشد‪ ،‬در اين حالت جريان امیتر ترانزيستور‬
‫هادی از خازن و مقاومت بار عاور نموده اوال" باعث افت ولتاژ روی مقاومت بار می شبببود‪ ،‬ثانیا" جريان فوق خازن‬
‫‪ C‬را شارژ میکند‪(.‬شكل ‪ -6-11‬الف)‬

‫‪ -2‬در نیم موج منفی ترانزيستور ‪ npn‬قاع است بنابراين ترانزيستور ‪ pnp‬از طريق باطری نمی تواند تغذيه گردد‪ .‬اما‬
‫خازن ‪ C‬که در نیم سیكل مثات شارژ شده بود ترانزيستور ‪ pnp‬را هادی نموده و در آن تخلیه می شود‪ .‬شكل (‪-11‬‬
‫‪ -6‬ب)‪ .‬نكته مهم در اين روش اينسبببت که جريان خازن و مقاومت بار در دو نیم موج عكس يكديگرند و ديگر‬
‫اينكه ظرفیت خازن بايد طوری انتخاب شبببود که در پايین ترين فرکانس ورودی ولتاژ دو سبببر آن تقرياا" ثابت و‬
‫تغییرات ولتاژش قابل اغماض باشد‪.‬‬
‫(الف)‬ ‫(ب)‬
‫شكل ‪6-11‬‬
‫ب‪ :‬اعوجاج‪:‬‬
‫مسئله مهم ديگر در مورد تقويت کننده عملی کالس ‪ ، B‬نقاه کار می باشد‪ .‬زيرا که در تقويت کننده عملی کالس‬
‫‪ B‬نقاه کار ترانزي ستورها بايد کمی باالتر از ناحیه قاع قرار گیرد‪ .‬برای رو شن شدن اين م ساله به برر سی اعوجاج‬
‫‪ cross over‬و نحوه برطرف کردن اثر آن در تقويت کننده های عملی می پردازيم‪.‬‬
‫اعوجاج ‪( cross over‬اعوجاج عاور از صفر)‪:‬‬
‫شكل (‪-7-11‬الف) يك تقويت کننده پوش پول کالس ‪ B‬را ن شان می دهد‪.‬فرض کنیم در اين مدار هیچگونه ولتاژ‬
‫بايا سی به ديودهای امیتر ترانزي ستورها اعمال ن شده با شد و ترانزي ستورها سیلی سیومی با شند‪ .‬حال اگر سیگنال ‪ ac‬به‬
‫مدار اعمال گردد تا زمانی که دامنه آن کمتر از ‪ V   0.7v‬با شد ترانزي ستور ‪ T1‬هدايت نمی کندو ضرورتا جريانی‬
‫در خروجی نداريم همچنین در نیم سیكل منفی تا ولتاژ مناع به ‪ (V  )  0.7‬نر سد ترانزي ستور ‪ T 2‬هادی نمی شود‪.‬‬
‫بنابراين اگر دامنه سببیگنال ورودی از ‪ 0/7‬ولت کمتر باشببد در خروجی سببیگنال نداريم‪،‬اگر دامنه بیش از ‪ 0/7‬ولت‬
‫با شد ق سمت باالی ‪ 0/7‬آن در خروجی ظاهر می شود‪،‬در نتیجه شكل موج خروجی مانند شكل (‪-7-11‬ب) خواهد‬
‫بود‪،‬به اين بريدگی که در زمان قاع يك ترانزيستور و زمان هدايت ترانزيستور ديگری رخ میدهد‪ ،‬اعوجاج ‪cross‬‬
‫‪ over‬میگويند‪.‬‬
‫(الف)‬ ‫(ب)‬ ‫(ج)‬
‫شكل(‪)7-11‬‬
‫روش حذف اعوجاج ‪ cross over‬اينست که هر ديود امیتر را با ولتاژ کمی باياس نمايیم و اين بدين مهنی است که‬
‫محل کار ‪ Q‬کمی باالی نقاه قاع قرار گیرد‪(.‬شكل ‪ -7-11‬ج)‪.‬‬
‫با توجه به مالب فوق الذکر برای حذف اعوجاج‪ crossover‬بايد جريان کلكتور ‪ I CQ‬بین ‪ 1‬تا ‪ 5‬درصد ) ‪I C (sat‬‬
‫باشد که مقدار مناسب آن مهموال به وسیله آزمايش بدست میآيد‪.‬‬

‫بنابراين پايداری نقاه ‪ Q‬در تقويت کننده های کالس ‪ B‬يك اشكال مهم می باشد زيرا که ‪ V BE‬درمدارهای کالس‬
‫‪ B‬کمیت قاطهی اسببت و در اعوجاج موثر اسببت‪.‬برای رفع اشببكال اعوجاج و پايدارکردن نقاه کار از باياس مقسببم‬
‫ولتاژ يا باياس ديودی اسبببتفاده می شبببود‪.‬شبببكلهای(‪-8-11‬الف) و (‪-8-11‬ب) دو نوع باياس ديود امیتر را نشبببان‬
‫میدهند‪.‬‬
‫(الف)‬ ‫(ب)‬
‫شكل(‪ :)8-11‬الف‪-‬باياس به روش مقسم ولتاژ ب‪-‬باياس ديودی‬
‫اما باياس به روش تق سیم ولتاژ روش نامنا سای ا ست زيرا که افزايش درجه حرارت باعث کاهش ‪ V BE‬ترانزي ستورها‬
‫می گردد و در نتیجه ولتاژ ثابت دو سر ‪ R 2‬شكل(‪-8-11‬الف) باعث باال رفتن ولتاژ باياس ديود امیتر و افزايش زياد‬
‫جريان کلكتور در ترانزيستورها میگردد‪.‬‬
‫باياس ديود‪:‬‬
‫شكل (‪-8-11‬ب) باياس ديودی که روش اصلی باياس تقويت کننده های پوش پول می باشند را نشان میدهد‪.‬‬
‫در اين مدار ترانزيستورها کامال" مكمل میباشند و منحنی مشخصه ديودهای جاران کننده با منحنی مشخصه انتقالی‬
‫ترانزيستورها يكسان میااشند‪ .‬بنابراين نیمه فوقانی مدار يك ‪ npn-mirror‬و نیمه پائینی يك ‪ pnp-mirror‬است و‬
‫باور کلی اين اتصال‪ complementary mirror‬يا آينه مكمل نامیده می شود‪.‬‬
‫در نتیجه جريان يكسبببانی در کلكتور ترانزيسبببتورها جاری می شبببود که اين جريان انهكاسبببی از جريان مقاومتهای‬
‫باياسینگ می باشد‪.‬‬
‫‪V CC  2V BE‬‬
‫‪IC ‬‬ ‫(‪)3-11‬‬
‫‪2R‬‬
‫در صورتیكه ‪ V CC‬زياد انتخاب شود تغییرات ‪ V BE‬جزئی و در نتیجه ‪ I C‬با تغییر درجه حرارت واقها" ثابت باقی می‬
‫ماند‪.‬‬
‫‪ -4-11‬بررسی مدار تقويت کننده پوش پول کالس ‪ B‬با سيگنالهای بزرگ‬
‫مدار شببكل (‪ )9-11‬تقويت کننده کامل پوش پول را نشببان می دهد‪ .‬در اين مدار ديودهای باياس‪ ،‬نقاه کار مدار را‬
‫کمی باالتر از ناحیه قاع قرار می دهند و از اعوجاج ‪ cross over‬جلوگیری میکند‪.‬عمل مدار‪ ،‬ماابق آنچه قاال"‬
‫ذکر شد‪ ،‬می باشد‪.‬‬
‫امپدانس ورودی ترانزيستور فهال برای سیگنالهای بزرگ از راباه‬
‫) ‪z i  dc (R L  R E‬‬ ‫(‪)4-11‬‬
‫و بهره ولتاژ سیگنالهای بزرگ از راباه‬
‫‪RL‬‬
‫‪AV ‬‬ ‫(‪)5-11‬‬
‫‪RL  RE‬‬
‫و بهره قدرت آن از راباه‬
‫‪ dc .RL‬‬
‫‪AP ‬‬ ‫(‪)6-11‬‬
‫‪RL  RE‬‬
‫بدست می آيد‪.‬‬
‫شكل(‪)9-11‬‬
‫‪ -5-11‬ماکزيمم قدرت خروجی‪:‬‬
‫بزرگترين دامنه موج ولتاژ و جريانی را که می توان از يك ترانزيسبببتور مدار پوش پول بازای نیم سبببیكل ورودی‬
‫گرفت بر روی خط بار ‪ ac‬مدار کالس ‪ B‬ايده آل شكل (‪-2-11‬ب) نشان داده شده است‪.‬و ترانزيستور دوم در نیم‬
‫سبببیكل ديگر همین مقادير را ايجاد می نمايد‪ .‬بنابراين ماکزيمم دامنه ولتاژ خروجی‪ ac‬برابر ‪ V CEQ‬و ماکزيمم دامنه‬
‫جريان خروجی برابر ) ‪ I C (sat‬می شود‪ .‬در نتیجه ماکزيمم قدرت خروجی برابر است با‪:‬‬
‫) ‪VCEQ I C ( sat‬‬
‫‪PO (max)  Veff .I eff ‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ VCEQ .I C ( sat ) / 2‬‬ ‫(‪)7-11‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ -6-11‬محاسبه بازده و بازده ماکزيمم‬
‫تقويت کننده های پوش پول مهموال دارای بازدهی زياد می باشند و بدين ساب به عنوان تقويت کننده قدرت به کار‬
‫برده می شوند‪ .‬قدرت جذب شده توسط ترانزيستورها با توجه به شكل (‪ )9-11‬برابر است با‪:‬‬
‫‪PD V CC .I DC‬‬ ‫(‪)8-11‬‬
‫که در اين راباه ‪ I DC‬جريان متوسببط(میانگین) در يك سببیكل عمل ترانزيسببتورها اسببت و با توجه به نیم موج بودن‬
‫جريان خروجی می باشد بنابراين‪:‬‬

‫) ‪I C (sat‬‬
‫‪I DC ‬‬
‫‪‬‬
‫) ‪V CC .I C (sat‬‬
‫‪PDC ‬‬ ‫(‪)9-11‬‬
‫‪‬‬
‫‪V CC‬‬
‫‪ V CEQ ‬انتخاب می گردد در نتیجه‪:‬‬ ‫در يك مدار پوش پول با يك مناع تغذيه مهموال"‬
‫‪2‬‬
‫) ‪V CC .I C (sat‬‬
‫‪po (max) ‬‬ ‫(‪)10-11‬‬
‫‪4‬‬
‫‪po‬‬
‫‪  ‬و حداکثر آن برابر است با‪:‬‬ ‫در نتیجه بازده مدار از راباه‬
‫‪pdc‬‬
‫‪po (max) V CC .I C (sat ) / 4 ‬‬

‫‪ max ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪  0.785  %78.5‬‬
‫‪pD‬‬ ‫‪V CC .I C (sat ) /  4‬‬
‫نكته مورد توجه در تقويت کننده های پوش پول تلفات کم آنها ا ست که بدون سیگنال تقرياا" صفر و از لحاظ ‪ac‬‬
‫تلفات آنها تقرياا )‪ %20 po (max‬می باشد‪.‬‬

‫مراحل انجام آزمايش ‪:‬‬
‫تذکر‪ -1:‬در تمام شبببكل موجهايی که رسبببم می کنید نام محورها و محور صبببفر ولتاژ و نقاط ماکزيمم و مینیمم را‬
‫مشخص کنید‪.‬‬
‫‪ -2‬به پالريته خازنها توجه کنید‪.‬‬
‫‪ -1-11‬مدار شببكل(‪ )11-11‬را بانديد ‪.‬سببیگنال ورودی را از کمترين مقدار ممكن بتدريج زياد کرده و شببكل موج‬
‫خروجی را مشاهده و در دو حالت سیگنال کم و زياد شكل موج خروجی و ورودی را رسم کنید‪ .‬به شكل موج در‬
‫محل مرز دو نیم موج مثات و منفی توجه کنید‪.‬‬
‫شكل(‪)11-11‬‬
‫‪ -2-11‬مدار شكل (‪ )12-11‬را بانديد‪ .‬در دو حالت سیگنال کم و زياد شكل موج خروجی را بررسی کرده و‬
‫ترسیم کنید‪.‬‬
‫الف‪ -‬ولتاژ نقاه ‪ M‬را اندازه گیری نمايید‪.‬‬
‫ب‪ -‬در اين مدار وظیفه ديودها چیست؟ توضیح دهید‪.‬‬
‫تذکر‪:‬مقاومتهای باياس را طوری انتخاب کنید که حداکثر دامنه را در خروجی داشته باشید‪.‬‬
‫شكل(‪)12-11‬‬
‫‪ -3-11‬يك مقاومت ‪ 1K ‬با ورودی سری نموده و امپدانس ورودی مدار پوش پول را اندازه گیری نمايید‪ .‬مقدار‬
‫امپدانس ورودی مدار پوش پول را محاساه نموده و با مقدار اندازهگیری شده مقايسه نمائید‪.‬‬
‫‪ -4-11‬حداکثر توان خروجی و راندمان(بازده) را بد ست آوريد‪(.‬جهت اندازه گیری بازده ‪ ،‬ماکزيمم ولتاژ خروجی‬
‫)‪ Vo (max‬را اندازهگیری کرده و جريانهای ‪ I‬و ‪ I C‬در ماکزيمم خروجی اندازهگیری شود)‪.‬‬
‫‪ -5-11‬در تقويت کننده پوش پول مدار شببكل (‪ )12-11‬با فرض ‪ ، hfe  50‬حداکثر دامنه نوسببان ولتاژ خروجی و‬
‫حداکثر توان بار و حداکثر راندمان را محاساه نمائید‪.‬‬
‫‪ -6-11‬مقاومت خروجی تقويت کننده را بدست آوريد‪ R L 1  8.2 .‬و ‪R L 2  3.9‬‬
‫در صورتیكه مقاومتهای ‪ R E‬را صفر در نظر بگیريد مقاومت خروجی چقدر می شود؟محاساه کنید‪.‬‬
‫‪ -7-11‬در مدار شكل (‪ )12-11‬سر ‪ R L‬را بجای زمین به ‪ V CC‬و صل کنید و ولتاژ نقاه ‪ M‬را اندازه گیری کرده و‬
‫شببكل موج خروجی ‪ VO‬را مشبباهده و ترسببیم و تحلیل نمائید‪(.‬به پالريته خازن توجه کنید)‪(.‬شببكل موجها با کوپالژ‬
‫‪ DC‬رسم گردد)‪.‬‬
‫سوال امتیازی ‪ :‬حداکثر دامنه سیگنال خروجی را از نظر تئوری محاساه کنید‪.‬‬
‫تقويت کننده تفاضلی‬
‫تقويت کننده های ديفرانسبببیل به دلیل ويژگیهايی که دارند‪ ،‬از جمله مدارهايی اند که در الكترونیك کاربرد زيادی‬
‫دارند‪ .‬بهنوان مثال تقويت کنندههای ديفرانسبببیل عموما" اولین طاقه ‪Op-Amp‬ها را تشبببكیل میدهند‪ ،‬و يا بهنوان‬
‫میكسبببرهای با کیفیت باال در مدارهای مخابراتی کاربرد دارند و‪ ...‬از اين رو در اين آزمايش بصبببورت اجمالی به‬
‫بررسبببی يك نمونه سببباده تقويت کننده تفاضبببلی میپردازيم‪ .‬مولدهای موج مربهی نیز از اهمیت فوق الهاده ای در‬
‫الكترونیك بخصوص مدارهای ديجیتالی برخور دارند‪ .‬از اينرو به منظور تكمیل بحث در ادامه يك مولد موج مربهی‬
‫با استفاده از تقويت کننده عملیاتی را مورد بحث قرار خواهیم داد‪.‬‬
‫مراحل انجام آزمايش‬
‫‪ -1-12‬در مدار زير با فرض اينكه از ترانزيستورهای ‪ 2N3904‬استفاده شود‪ ،‬مقادير ‪ DC‬نقاط کار دو ترانزيستور‬
‫را محاساه نمائید )‪.(IC1, IC2 , VCE1 , VCE2‬‬
‫‪ -2-12‬پس از انتخاب دو ترانزيسبببتور با ‪ ‬های يكسبببان مدار تقويت کننده تفاضبببلی شبببكل(‪ )1-12‬را بانديد و‬
‫پارامترهای خواسته شده را بشرح زير اندازه گیری کنید‪.‬‬
‫شكل(‪)1-12‬‬
‫‪ -1-2-12‬وروديهای ‪ V 1‬و ‪ V 2‬را به زمین اتصبببال کوتاه کنید و ولتاژهای ‪ V O 1‬و ‪ V O 2‬را اندازهگیری کنید‪ .‬اين دو‬
‫ولتاژ بايد مسبباوی باشببند‪ ،‬اگر چنین نیسببت پتانسببیومتر را آنقدر تغییر دهید تا اين دو ولتاژ مسبباوی گردند(حتی در‬
‫صببورت نیاز يك مقاومت هم به امیتر يكی از ترانزيسببتورها اضببافه کنید)‪ .‬مقاومت هر يك از دو سببر پتانسببیومتر را‬
‫نسات به سر وسط اندازه گرفته و يادداشت نمائید‪.‬‬
‫‪ -2-2-12‬ولتاژ دو سر مقاومت ‪( 560‬مقاومت امیتر) را نیز اندازه گرفته و يادداشت کنید‪.‬‬
‫با توجه به اندازهگیریهای دو بند قال مقادير ‪ I C1‬و ‪ I C 2‬و ‪ I E‬را بدست آوريد‪.‬‬
‫اندازهگيری ‪ Ad‬و ‪: Ac‬‬
‫می دانیم که راباه زير بین ‪ V O 2‬و دو ورودی ‪ V 1‬و ‪ V 2‬برقرار است‪.‬‬
‫) ‪VO 2  Ad (V1  V2 )  Ac (V1  V2‬‬

‫‪VO 2  AV‬‬
‫‪1 1  A2V2‬‬
‫که در اينجا ‪ Ad‬ضببريب تقويت برای حالت تفاضببلی( ‪ (Difference‬و ‪ Ac‬ضببريب تقويت برای حالت مشببترک‬
‫)‪ (Common‬است‪ .‬برای بدست آوردن ‪ Ac ، A 2 ، A1‬و ‪ Ad‬چنین عمل میکنیم‪:‬‬
‫‪‬‬ ‫‪VO 2‬‬

‫‪ A1  V |V20‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪A‬‬ ‫‪‬‬ ‫) ‪( A1  A2‬‬
‫‪‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪d‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫| ‪ A  VO 2‬‬ ‫) ‪A  1 (A  A‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪V‬‬
‫‪V2 10‬‬ ‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪c‬‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ -5-2-3‬اسیلوسكوپ را در حالت کوپالژ ‪ AC‬قرار دهید‪ .‬ورودی ‪ V 2‬را به زمین اتصال کوتاه کرده و مولد سیگنال‬
‫‪VO2‬‬
‫‪A1 ‬‬ ‫را با فرکانس ‪ 1KHZ‬سینوسی به ‪ V 1‬وصل نموده و خروجی ‪ V O 2‬را اندازه گیری کنید و ضريب تقويت‬
‫‪V1‬‬
‫را حسبباب کنید‪( .‬دقت کنید که دامنه موج ورودی بايد حداکثر تا اندازهای باشببد که در خروجی اعوجاج مشبباهده‬
‫نشود‪).‬‬
‫‪ -4-2-12‬ورودی ‪ V 1‬را اتصبببال کوتاه کرده و همان شبببكل موج قالی را به ‪ V 2‬وصبببل نموده و ضبببريب تقويت‬
‫‪VO2‬‬
‫‪ A 2 ‬را حساب کنید‪.‬‬
‫‪V2‬‬
‫‪ -‬از نتايج بدست آمده ‪ Ad‬و ‪ Ac‬را بدست آوريد‪.‬‬
‫‪Ad‬‬
‫‪ CMRR ‬را از نتايج اندازهگیری بدست آوريد‪.‬‬ ‫‪ -5-2-12‬مقدار‬
‫‪Ac‬‬
‫‪ -6-2-12‬مقادير ‪ Ac ، Ad‬و ‪ CMRR‬را از نظر تئوری محاساه نمائید‪.‬‬
‫‪ -7-2-12‬کاربردها و مزايای تقويت کننده تفاضلی را شرح دهید‪.‬‬
‫* روش ديگر‪ :‬برای اندازه گیری ‪ AC‬می توان خروجی مولد سیگنال را مستقیما" به هر دو ورودی تقويت کننده داد‪.‬‬
‫‪VO VO2‬‬
‫‪ AC ‬بدست میآيد‪.‬‬ ‫‪‬‬ ‫در اينصورت ‪ V d  0‬و ‪ V C  2V 1‬است و ‪ AC‬از راباه‬
‫‪V C 2V 1‬‬
‫‪ -3-12‬مولد موج مربعی‪:‬‬
‫الف ‪ -‬مدار شكل(‪ )2-12‬را بسته و پتانسیومتر را در حالت قرينه قرار دهید و شكل موجهای ‪ V C‬و ‪ V O‬را با همديگر‬
‫روی ا سیلو سكوپ م شاهده کرده و تر سیم کنید‪ .‬سپس ديود زنرها را از مدار خارج کرده و شكل موجهای ‪ V C‬و‬
‫‪ V O‬را رسم کنید‪ .‬در هر دو حالت فرکانس ‪ V O‬را يادداشت کنید‪ .‬بودن ديود زنر در مدار چه اثری دارد؟‬
‫شكل(‪)2-12‬‬
‫ب‪ -‬پتانسببیومتر را تغییر داده و حداقل و حداکثر فرکانسببی را که میتوانید با اين تغییر بوجود آوريد و در خروجی‬
‫شكل موج مربهی داشته باشید را يادداشت نمائید‪.‬‬
‫ج – به کمك روابط طرز نوسان مدار را شرح داده و فرکانس موج مربهی خروجی آن را محاسبه کنید‪.‬‬
‫تقويت کننده های با فيدبك‬
‫مراحل انجام آزمايش‪:‬‬
‫مقادير اندازهگیری شده‪:‬‬
‫‪ I CQ ‬‬
‫‪‬‬
‫‪ I BQ ‬‬
‫‪V‬‬
‫‪ CEQ ‬‬
‫شكل(‪)7-10‬‬
‫‪ -1-13‬با مقاومت ‪ R f‬خازن ‪ 100 F‬يا ‪ C  10 F‬را برای ثابت نگهداشبببتن نقاه کار تقويت کننده سبببری قرار‬
‫دهید و نقاه کار را اندازه گیری نمائید‪ I CQ (.‬و ‪ V CEQ‬و ‪) I BQ‬‬
‫‪ -2-13‬مدار را به ازای المانهای خواسته شده در جدول بسته و مقادير را اندازهگیری کرده و جدول را تكمیل کنید‪.‬‬
‫بار ‪ RL‬متصل باشد‬
‫‪Io‬‬
‫‪RS‬‬ ‫‪RF‬‬ ‫‪Vs‬‬ ‫‪Vi‬‬ ‫‪Vo |RL 1K ‬‬ ‫) ‪Vo ( NL‬‬ ‫‪fL‬‬ ‫‪fH‬‬ ‫‪AV S‬‬ ‫‪AIS ‬‬ ‫‪Rin‬‬ ‫‪Rout‬‬
‫'‪I s‬‬
‫∞‬
‫‪10k ‬‬
‫‪470k‬‬
‫‪100k‬‬
‫∞‬
‫‪1k  470k‬‬
‫‪100k‬‬
‫‪ -3-13‬نوع فیدبك چیست؟‬
‫‪ -4-13‬مقادير ‪ Rin ، A IS ، AV S‬و ‪ Rout‬مدار را بازای ‪ R s  10k ‬و ‪ R f  470k ‬و ‪ R L  1k ‬و مدار مهادل ‪h‬‬
‫يا ‪ ‬محاساه نمائید و با مقادير اندازهگیری شده مقايسه کنید‪.‬‬
‫‪ -5-13‬اگر ‪ R s  0‬باشد و مقاومت داخلی ژنراتور ‪ RG  0‬فرض شود ‪ R f‬چه تاثیری روی مدار دارد؟‬
‫‪ -6-13‬اگر بخواهیم با مقاومت فیدبك نقاه کار را تنظیم کنیم‪ ،‬خازن ‪ C‬را اتصبببال کوتاه و ‪ R B‬را نیز بر میداريم‪.‬‬
‫در اين حالت با ‪ hfe    200‬و ‪ V   0.65‬و ‪ R f  470k ‬و ‪ RC  1k ‬نقاه کار مدار ‪ I CQ‬و ‪ V CEQ‬را‬
‫محاساه کنید‪.‬‬
‫‪ -7-13‬علت افزايش ‪ f L‬با کاهش ‪ R f‬در اين مدار چیست؟‬
‫* برای اطالعات الزم به میتوانید به کتاب زير مراجهه کنید‪:‬‬
‫‪Microelectronic Circuits, Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith‬‬

‫‪ -1-14‬در مدار زير با فرض اينكه ‪ 1  100,  2  100‬جريان کلكتور ترانزيستور ‪ T1 ,T 2‬را محاساه نمائید‪.‬‬
‫‪ -2-14‬نوع فیدبك را تشخیص دهید و دور حلقه فیدبك خط بكشید‪.‬‬
‫‪ AVS , AVi , Ri , Ro‬را با استفاده از مدارهای مهادل ‪ h-π‬محاساه نمائید‪.‬‬ ‫‪ -3-14‬مقادير‬
‫‪ -4-14‬مدار را بانديد‪.‬‬
‫‪ -5-14‬مقادير ‪ AVS , AVi , Ri , Ro‬را از طريق اندازه گیری بدست آوريد و با مقادير محاساه شده مقايسه نمايید‪.‬‬
‫منابع تغذيه تثبيت شده )‪(Regulated Power Supply‬‬
‫مراحل انجام آزمايش‬
‫‪ -1-15‬ولتاژ خروجی مدار رگوالتور زير را محاسبه کنید‪ .‬مدار زير را بانديد و جدول داده شده را کامل کنید‪.‬‬
‫شكل(‪)1-15‬‬
‫‪vi‬‬ ‫‪RL‬‬ ‫‪VL‬‬
‫‪20V‬‬ ‫‪1K ‬‬
‫‪20V‬‬ ‫‪100 ‬‬
‫‪15V‬‬ ‫‪1K ‬‬
‫‪20V‬‬
‫‪‬‬
‫‪ -2-15‬مقادير مقاومت خروجی و رگوالسیون بار و رگوالسیون خط (ضريب تثایت خط) را برای مدار فوق بدست‬
‫آوريد‪( .‬مقاومت بار کامل برابر ‪ 1K ‬است)‬

‫‪-3-15‬بجای مقاومتهای ‪ R1‬و ‪ ، R2‬يك پتانسیومتر ‪ 10 K ‬قرار داده و با ‪ v i  20V‬و ‪ R L  1K ‬پتانسیومتر را‬
‫تغییر داده و محدوده ولتاژ خروجی را بدست آوريد‪.‬‬
‫‪ -4-15‬در مدار مرحله(‪ )1-15‬دو ديود سبببری بهنوان محدودکننده جريان اضبببافه نموده و بجای مقاومت ‪ R L‬يك‬
‫آمپرمتر قرار داده و جريان اتصال کوتاه را اندازه گیری نموده و از طريق تئوری نیز محاساه نمائید‪.‬‬
‫‪ -5-14‬در مدار مرحله(‪ )1-14‬بجای مقاومت ‪ R 3  2.2K ‬مناع جريان شكل(‪ )2-15‬را قرار داده و مراحل(‪)1-15‬‬
‫و (‪ )2-15‬را تكرار کنید‪.‬‬
‫تذکر‪:‬در مرحله(‪ )5-15‬جريان مناع جريان را طوری تنظیم نمايید که برابر جريان ‪ 2.2K ‬در مرحله(‪ )2-15‬باشبببد‬
‫جهت تنظیم می توانید مقادير ‪ 2.7K ‬و ‪ 680‬را تغییر دهید‪.‬‬
‫شكل(‪)2-15‬‬
‫‪ -6-15‬ولتاژ تغذيه ورودی مدار شكل(‪ )1-15‬را قاع و مقاومت ‪ 56‬را از مدار بردا شته و به جای مناع تغذيه مدار‬
‫شكل(‪ )3-15‬را به ورودی متصل نمايید‪.‬‬
‫‪v ri‬‬
‫‪) ripple ‬‬ ‫ضريب حذف ضربان(‪ )ripple‬را در بار ‪ 100‬اهمی برای مدار بدست آوريد‪(.‬‬
‫‪v ro‬‬
‫( ‪ v ri‬مقدار پیك تاپیك ضربان ورودی و ‪ v ro‬مقدار پیك تا پیك ضربان خروجی است‪).‬‬
‫شكل(‪)3-15‬‬
‫‪ -7-15‬مهرفی رگوالتورهای ‪ 78XX‬و ‪: 79XX‬‬
‫به کمك رگوالتور موجود در آزمايشگاه يك مدار تست رگوالتور مربوطه را بسته و حداقل ولتاژ ورودی الزم را‬
‫اندازه گیری کنید‪.‬‬

‫تقويت کننده های ‪MOSFET‬‬
‫ﭘﻴﻮﺳﺖ دﺳﺘﻮرﻛﺎر‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ‬
1N4001 THRU 1N4007
PLASTIC SILICON RECTIFIER
VOLTAGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 1.0 Ampere
FEATURES
l Low forward voltage drop DO-41
l High current capability
l High reliability
l High surge current capability
l Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic , DO-41
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.012 ounce, 0.3 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ¢J ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 UNITS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage 50 100 200 400 600 800 1000 V
Maximum RMS Voltage 35 75 140 280 420 560 700 V
Maximum DC Blocking Voltage 50 100 200 400 600 800 1000 V
Maximum Average Forward Rectified 1.0 A
Current .375"(9.5mm) Lead Length at
TA=75 ¢J
Peak Forward Surge Current 8.3ms single 30 A
half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC and 1.1 V
25 ¢J
Maximum Full Load Reverse Current Full 30 £g A
Cycle Average at 75 ¢J Ambient
Maximum Reverse Current at TA=25 ¢J 5.0 £g A
At Rated DC Blocking Voltage TA=100 ¢J 500 £g A
Typical Junction capacitance (Note 1) 15 PF
Typical Thermal Resistance (Note 2) R £KJA 50 ¢J /W
Typical Thermal resistance (NOTE 2) R £K 25 ¢J /W
JL
Operating and Storage Temperature Range -55 to +150 ¢J
TJ,TSTG
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance Junction to Ambient and from junction to lead at 0.375"(9.5mm) lead length P.C.B
mounted.
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
1N4001 THRU 1N4007
AVERAGE FORWARD RECTIFIED 1.6

MAXIMUM AVERAGE CURRENT RATING SINGLE
CURRENT AMPERES 1.4
HALF-WAVE, 60Hz RESISTIVE OR INDUCTIVE
1.2
LEAD LENGTHS
1.0
.8
.6
.4
.2
0
0 20 40 60 80 120 140 160 180
AMBIENT TEMPERATURE, ¢J
Fig. 1-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE

INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,
FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES

30
20
10 24
pk (HALF-SINE WAVE)
4
AMPERES
2 18
1.0
.4 12
.2
Tj=25¢J
.1 Pulse Width = 300£gs 6
.04 2% Duty Cycle
.02 1 2 4 6 8 10 20 40 60 80 100
.01
.6 .8 1.0 1.2 1.4 1.5
¡@¡@ ¡@¡@ ¡@ ¡@
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
Fig. 2-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS Fig. 3-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD

SURGE CURRENT
1,000
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT,
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT
100
Tj = 150¢J
MICROAMPERES
10
MICROAMPERES
Tj = 150¢J 4
10
Tj=100¢J
1.0
Tj = 100¢J
1 .4
.1
0.1 .04 Tj=25¢J
Tj = 25¢J
.01
0.01 0 20 40 80 100 120
0 20 60 80 100 120
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)
PERCENTAGE OF PEAK REVERSE VOLTAGE, %
Fig. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS Fig. 5-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

Philips Semiconductors Product specification
High-speed diodes 1N4148; 1N4448
FEATURES DESCRIPTION
• Hermetically sealed leaded glass The 1N4148 and 1N4448 are high-speed switching diodes fabricated in planar
SOD27 (DO-35) package technology, and encapsulated in hermetically sealed leaded glass SOD27
• High switching speed: max. 4 ns (DO-35) packages.
• General application
• Continuous reverse voltage:
max. 75 V
• Repetitive peak reverse voltage: k
handbook, halfpage a
max. 100 V
• Repetitive peak forward current: MAM246
max. 450 mA.

The diodes are type branded.
APPLICATIONS
Fig.1 Simplified outline (SOD27; DO-35) and symbol.
• High-speed switching.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VRRM repetitive peak reverse voltage − 100 V
VR continuous reverse voltage − 75 V
IF continuous forward current see Fig.2; note 1 − 200 mA
IFRM repetitive peak forward current − 450 mA
IFSM non-repetitive peak forward current square wave; Tj = 25 °C prior to
surge; see Fig.4
t = 1 µs − 4 A
t = 1 ms − 1 A
t=1s − 0.5 A
Ptot total power dissipation Tamb = 25 °C; note 1 − 500 mW
Tstg storage temperature −65 +200 °C
Tj junction temperature − 200 °C
Note
1. Device mounted on an FR4 printed circuit-board; lead length 10 mm.
2002 Jan 23 2
High-speed diodes 1N4148; 1N4448
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.

VF forward voltage see Fig.3
1N4148 IF = 10 mA − 1 V
1N4448 IF = 5 mA 0.62 0.72 V
IF = 100 mA − 1 V
IR reverse current VR = 20 V; see Fig.5 25 nA
VR = 20 V; Tj = 150 °C; see Fig.5 − 50 µA
IR reverse current; 1N4448 VR = 20 V; Tj = 100 °C; see Fig.5 − 3 µA
Cd diode capacitance f = 1 MHz; VR = 0; see Fig.6 − 4 pF
trr reverse recovery time when switched from IF = 10 mA to − 4 ns
IR = 60 mA; RL = 100 Ω;
measured at IR = 1 mA; see Fig.7
Vfr forward recovery voltage when switched from IF = 50 mA; − 2.5 V
tr = 20 ns; see Fig.8
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

Rth j-tp thermal resistance from junction to tie-point lead length 10 mm 240 K/W
Rth j-a thermal resistance from junction to ambient lead length 10 mm; note 1 350 K/W
Note
1. Device mounted on a printed circuit-board without metallization pad.
2002 Jan 23 3
NPN switching transistors 2N2222; 2N2222A
FEATURES PINNING
• High current (max. 800 mA) PIN DESCRIPTION
• Low voltage (max. 40 V). 1 emitter
2 base
APPLICATIONS 3 collector, connected to case
• Linear amplification and switching.
DESCRIPTION handbook, halfpage

1 3
2
NPN switching transistor in a TO-18 metal package.
PNP complement: 2N2907A. 2
3 MAM264
1
Fig.1 Simplified outline (TO-18) and symbol.
QUICK REFERENCE DATA

VCBO collector-base voltage open emitter
2N2222 − 60 V
2N2222A − 75 V
VCEO collector-emitter voltage open base
2N2222 − 30 V
2N2222A − 40 V
IC collector current (DC) − 800 mA
Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C − 500 mW
hFE DC current gain IC = 10 mA; VCE = 10 V 75 −
fT transition frequency IC = 20 mA; VCE = 20 V; f = 100 MHz
2N2222 250 − MHz
2N2222A 300 − MHz
toff turn-off time ICon = 150 mA; IBon = 15 mA; IBoff = −15 mA − 250 ns
1997 May 29 2
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
VCBO collector-base voltage open emitter
2N2222 − 60 V
2N2222A − 75 V
VCEO collector-emitter voltage open base
2N2222 − 30 V
2N2222A − 40 V
VEBO emitter-base voltage open collector
2N2222 − 5 V
2N2222A − 6 V
IC collector current (DC) − 800 mA
ICM peak collector current − 800 mA
IBM peak base current − 200 mA
Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C − 500 mW
Tcase ≤ 25 °C − 1.2 W
Tstg storage temperature −65 +150 °C
Tj junction temperature − 200 °C
Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

Rth j-a thermal resistance from junction to ambient in free air 350 K/W
Rth j-c thermal resistance from junction to case 146 K/W
1997 May 29 3
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.

ICBO collector cut-off current
2N2222 IE = 0; VCB = 50 V − 10 nA
IE = 0; VCB = 50 V; Tamb = 150 °C − 10 µA
ICBO collector cut-off current
2N2222A IE = 0; VCB = 60 V − 10 nA
IE = 0; VCB = 60 V; Tamb = 150 °C − 10 µA
IEBO emitter cut-off current IC = 0; VEB = 3 V − 10 nA
hFE DC current gain IC = 0.1 mA; VCE = 10 V 35 −
IC = 1 mA; VCE = 10 V 50 −
IC = 10 mA; VCE = 10 V 75 −
IC = 150 mA; VCE = 1 V; note 1 50 −
IC = 150 mA; VCE = 10 V; note 1 100 300
hFE DC current gain IC = 10 mA; VCE = 10 V; Tamb = −55 °C
2N2222A 35 −
hFE DC current gain IC = 500 mA; VCE = 10 V; note 1
2N2222 30 −
2N2222A 40 −
VCEsat collector-emitter saturation voltage
2N2222 IC = 150 mA; IB = 15 mA; note 1 − 400 mV
IC = 500 mA; IB = 50 mA; note 1 − 1.6 V
VCEsat collector-emitter saturation voltage
2N2222A IC = 150 mA; IB = 15 mA; note 1 − 300 mV
IC = 500 mA; IB = 50 mA; note 1 − 1 V
VBEsat base-emitter saturation voltage
2N2222 IC = 150 mA; IB = 15 mA; note 1 − 1.3 V
IC = 500 mA; IB = 50 mA; note 1 − 2.6 V
VBEsat base-emitter saturation voltage
2N2222A IC = 150 mA; IB = 15 mA; note 1 0.6 1.2 V
IC = 500 mA; IB = 50 mA; note 1 − 2 V
Cc collector capacitance IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz − 8 pF
Ce emitter capacitance IC = ic = 0; VEB = 500 mV; f = 1 MHz
2N2222A − 25 pF
fT transition frequency IC = 20 mA; VCE = 20 V; f = 100 MHz
2N2222 250 − MHz
2N2222A 300 − MHz
F noise figure IC = 200 µA; VCE = 5 V; RS = 2 kΩ;
2N2222A f = 1 kHz; B = 200 Hz − 4 dB
1997 May 29 4
BC107
® BC107B
LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO AMPLIFIERS
DESCRIPTION
The BC107 and BC107B are silicon Planar
Epitaxial NPN transistors in TO-18 metal case.
They are suitable for use in driver stages, low
noise input stages and signal processing circuits
of television reveivers. The PNP complementary
types are BC177 and BC177B respectively.
TO-18
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter Value Unit
V CBO Collector-Base Voltage (I E = 0) 50 V
V CEO Collector-Emitter Voltage (I B = 0) 45 V
V EBO Emitter-Base Voltage (I C = 0) 6 V
IC Collector Current 100 mA
P tot Total Dissipation at T amb ≤ 25 o C 0.3 W
at T C ≤ 25 o C 0.75 W
o
T stg Storage Temperature -55 to 175 C
o
Tj Max. Operating Junction Temperature 175 C
December 2002 1/5

BC107 / BC107B
THERMAL DATA
o
R thj-case Thermal Resistance Junction-Case Max 200 C/W
o
R thj-amb Thermal Resistance Junction-Ambient Max 500 C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)

Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
I CBO Collector Cut-off V CB = 40 V 15 nA
Current (I E = 0) V CB = 40 V T C = 150 o C 15 µA
V (BR)CBO Collector-Base I C = 10 µA 50 V
Breakdown Voltage
(I E = 0)
V (BR)CEO ∗ Collector-Emitter I C = 10 mA 45 V
Breakdown Voltage
(I B = 0)
V (BR)EBO Emitter-Base I E = 10 µA 6 V
Breakdown Voltage
(I C = 0)
V CE(sat) ∗ Collector-Emitter I C = 10 mA I B = 0.5 mA 70 250 mV
Saturation Voltage I C = 100 mA I B = 5 mA 200 600 mV
V BE(sat) ∗ Base-Emitter I C = 10 mA I B = 0.5 mA 750 mV
Saturation Voltage I C = 100 mA I B = 5 mA 950 mV
V BE(on) ∗ Base-Emitter On I C = 2 mA V CE = 5 V 550 650 700 mV
Voltage I C = 10 mA V CE = 5 V 700 770 mV
h FE ∗ DC Current Gain I C = 2 mA V CE = 5 V
for BC107 110 450
for BC107B 200 450
I C = 10 µA V CE = 5 V
for BC107 120
for BC107B 40 150
hfe ∗ Small Signal Current I C = 2 mA V CE = 5 V f = 1 KHz
Gain for BC107 250
for BC107B 300
I C = 10 mA V CE = 10 V f = 100 MHz 2
C CBO Collector-Base IE = 0 VCB = 10 V f = 1MHz 4 6 pF
Capacitance
C EBO Emitter-Base IC = 0 V EB = 0.5 V f = 1MHz 12 pF
Capacitance
NF Noise Figure I C = 0.2 mA V CE = 5 V 2 10 dB
f = 1KHz R g = 2KΩ B = 200Hz
hie Input Impedance I C = 2 mA V CE = 5 V f = 1KHz
for BC107 4 KΩ
for BC107B 4.8 KΩ
h re Reverse Voltage Ratio I C = 2 mA V CE = 5 V f = 1KHz
for BC107 2.2 10 -4
for BC107B 2.7 10 -4
h oe Output Admittance I C = 2 mA V CE = 5 V f = 1KHz
for BC107 30 µS
for BC107B 26 µS
∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 1 %
2/5
BC107 / BC107B
DC Normalized Current Gain. Collector-Emitter Saturation Voltage
Collector-Base Capacitance Transition Frequency
Power Rating Chart
3/5
BC177
® BC177B
LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO AMPLIFIERS
DESCRIPTION
The BC177 and BC177B are silicon Planar
Epitaxial PNP transistors in TO-18 metal case.
They are suitable for use in driver stages, low
noise input stages and signal processing circuits
of television reveivers. The NPN complementary
types are BC107 and BC107B respectively.
TO-18
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter Value Unit
V CES Collector-Emitter Voltage (V BE = 0) -50 V
V CEO Collector-Emitter Voltage (I B = 0) -45 V
V EBO Emitter-Base Voltage (I C = 0) -5 V
IC Collector Current -100 mA
I CM Collector Peak Current -200 mA
o
P tot Total Dissipation at T amb ≤ 25 C 0.3 W
o
T stg Storage Temperature -65 to 175 C
o
Tj Max. Operating Junction Temperature 175 C
December 2002 1/6

BC177 - BC177B
THERMAL DATA
o
R thj-case Thermal Resistance Junction-Case Max 200 C/W
o
R thj-amb Thermal Resistance Junction-Ambient Max 500 C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)

Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
I CES Collector Cut-off V CE =-20 V -1 -100 nA
Current (V BE = 0) V CE =-20 V T C = 150 o C -10 µA
V (BR)CES Collector-Emitter I C = -10 µA -50 V
Breakdown Voltage
(V BE = 0)
V (BR)CEO ∗ Collector-Emitter I C = -2 mA -45 V
Breakdown Voltage
(I B = 0)
V (BR)EBO Emitter-Base I E = -10 µA -5 V
Breakdown Voltage
(I C = 0)
V CE(sat) ∗ Collector-Emitter I C = -10 mA I B = -0.5 mA -75 -250 mV
Saturation Voltage I C = -100 mA I B = -5 mA -200 mV
V BE(sat) ∗ Base-Emitter I C = -10 mA I B = -0.5 mA -720 mV
Saturation Voltage I C = -100 mA I B = -5 mA -860 mV
V BE(on) ∗ Base-Emitter On I C = -2 mA V CE = -5 V -550 -640 -750 mV
Voltage
hfe ∗ Small Signal Current I C = -2 mA V CE = -5 V f = 1KHz
Gain for BC177 125 500
for BC177B 240 500
fT Transition Frequency I C = -10 mA V CE = -5 V f = 100 MHz 200 MHz
C CBO Collector-Base IE = 0 VCB = -10 V f = 100 KHz 5 pF
Capacitance
NF Noise Figure I C = -0.2 mA V CE = -5 V 2 10 dB
f = 1KHz R g = 2KΩ B = 200Hz
hie Input Impedance I C = -2 mA V CE = -5 V f = 1KHz 5 KΩ
h re Reverse Voltage Ratio I C = -2 mA V CE = -5 V f = 1KHz 4 10 -4
h oe Output Admittance I C = -2 mA V CE = -5 V f = 1KHz 30 µS
∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 1 %
2/6
BD136/138/140
BD136/138/140
Medium Power Linear and Switching

Applications
• Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively
1 TO-126
1. Emitter 2.Collector 3.Base
PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage : BD136 - 45 V
: BD138 - 60 V
: BD140 - 80 V
VCEO Collector-Emitter Voltage : BD136 - 45 V
: BD138 - 60 V
: BD140 - 80 V
VEBO Emitter-Base Voltage -5 V
IC Collector Current (DC) - 1.5 A
ICP Collector Current (Pulse) - 3.0 A
IB Base Current - 0.5 A
PC Collector Dissipation (TC=25°C) 12.5 W
PC Collector Dissipation (Ta=25°C) 1.25 W
TJ Junction Temperature 150 °C
TSTG Storage Temperature - 55 ~ 150 °C
Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units
VCEO(sus) * Collector-Emitter Sustaining Voltage
: BD136 IC = - 30mA, IB = 0 - 45 V
: BD138 - 60 V
: BD140 - 80 V
ICBO Collector Cut-off Current VCB = - 30V, IE = 0 - 0.1 µA
IEBO Emitter Cut-off Current VEB = - 5V, IC = 0 - 10 µA
hFE1 * DC Current Gain VCE = - 2V, IC = - 5mA 25
hFE2 VCE = - 2V, IC = - 0.5A 25
hFE3 VCE = - 2V, IC = - 150mA 40 250
VCE(sat) * Collector-Emitter Saturation Voltage IC = - 500mA, IB = - 50mA - 0.5 V
VBE(on) * Base-Emitter ON Voltage VCE = - 2V, IC = - 0.5A -1 V
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle=2% Pulsed
hFE Classificntion
Classification 6 10 16
hFE3 40 ~ 100 63 ~ 160 100 ~ 250
©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. A, February 2000

BD136/138/140
Typical Characteristics
100 -500
VCE = -2V
VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

90 -450
IC = 20 IB
80 -400
hFE, DC CURRENT GAIN
70 -350
IB
60
IC = 10
-300
50 -250
40 -200
30 -150
20 -100
10 -50
0 -0
-10 -100 -1000 -1E-3 -0.01 -0.1 -1 -10
IC[mA], COLLECTOR CURRENT IC[A], COLLECTOR CURRENT
Figure 1. DC current Gain Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
-1.1 -10
-1.0
VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
IC MAX. (Pulsed) 10us

t)
(sa
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.9 V BE 0 I B
1 IC MAX. (Continuous)
10
IC =
1 ms
0u
-0.8
-1
s
)
(on V
V BE 5
DC
-0.7 =-
V CE
-0.6
-0.5
-0.1
-0.4
-0.3
BD140
BD136
BD138
-0.2
-0.1 -0.01
-1E-3 -0.01 -0.1 -1 -10 -1 -10 -100
IC[A], COLLECTOR CURRENT VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
Figure 3. Base-Emitter Voltage Figure 4. Safe Operating Area
20.0
17.5
PC[W], POWER DISSIPATION
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0
0 25 50 75 100 125 150 175
o
TC[ C], CASE TEMPERATURE
Figure 5. Power Derating

BD135/137/139
BD135/137/139
Medium Power Linear and Switching

Applications
• Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively
1 TO-126
1. Emitter 2.Collector 3.Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage : BD135 45 V
: BD137 60 V
: BD139 80 V
VCEO Collector-Emitter Voltage : BD135 45 V
: BD137 60 V
: BD139 80 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current (DC) 1.5 A
ICP Collector Current (Pulse) 3.0 A
IB Base Current 0.5 A
PC Collector Dissipation (TC=25°C) 12.5 W
PC Collector Dissipation (Ta=25°C) 1.25 W
TJ Junction Temperature 150 °C
TSTG Storage Temperature - 55 ~ 150 °C
Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units
VCEO(sus) Collector-Emitter Sustaining Voltage
: BD135 IC = 30mA, IB = 0 45 V
: BD137 60 V
: BD139 80 V
ICBO Collector Cut-off Current VCB = 30V, IE = 0 0.1 µA
IEBO Emitter Cut-off Current VEB = 5V, IC = 0 10 µA
hFE1 DC Current Gain : ALL DEVICE VCE = 2V, IC = 5mA 25
hFE2 : ALL DEVICE VCE = 2V, IC = 0.5A 25
hFE3 : BD135 VCE = 2V, IC = 150mA 40 250
: BD137, BD139 40 160
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 500mA, IB = 50mA 0.5 V
VBE(on) Base-Emitter ON Voltage VCE = 2V, IC = 0.5A 1 V
hFE Classification
Classification 6 10 16
hFE3 40 ~ 100 63 ~ 160 100 ~ 250

BD135/137/139
Typical Characteristics
100 500
VCE = 2V
VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

90 450
IC = 20 IB
80 400
hFE, DC CURRENT GAIN
70 350
IB
60
IC = 10
300
50 250
40 200
30 150
20 100
10 50
0 0
10 100 1000 1E-3 0.01 0.1 1 10
IC[mA], COLLECTOR CURRENT IC[A], COLLECTOR CURRENT
Figure 1. DC current Gain Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1 10
1.0
VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
IC MAX. (Pulsed) 10us

t)
(sa
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.9 V BE 0 I B
1 IC MAX. (Continuous)
IC =
1m
0.8 100us
s
) 1
(on
V BE V
=5
DC
0.7
V CE
0.6
0.5
0.1
0.4
0.3
BD135
BD139
BD137
0.2
0.1 0.01
1E-3 0.01 0.1 1 10 1 10 100
IC[A], COLLECTOR CURRENT VCE [V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
Figure 3. Base-Emitter Voltage Figure 4. Safe Operating Area
20.0
17.5
PC[W], POWER DISSIPATION
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0
0 25 50 75 100 125 150 175
o
TC[ C], CASE TEMPERATURE
Figure 5. Power Derating

Electronic Lab 1396

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Electronic Lab 1396

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

‫سال تحصیلی ‪1396-97‬‬

‫گروه مهندسی برق‬

‫آزمايشگاه به نكات زير توجه فرمائید‪.‬‬

‫الزم و طراحیها قاالً انجام شده باشد‪.‬‬

‫‪ -2‬در هنگام بستن مدار تغذيه خاموش باشد‬

‫مقاومتها در بهتر انجام دادن آزمايشها بیتاثیر نیست‪.‬‬

‫آزمايشگاه منتهی میشود‪.‬‬

‫‪ -8‬پروب های دستگاههای اندازهگیری و سیگنال ژنراتور را هرگز جدا نكنید‪.‬‬

‫گرفته خواهد شد (حداقل ‪ 2‬نمره از نمرۀ نهايی کم خواهد شد) ‪.‬‬

‫صورت مشاهده طاق مقررات با او برخورد خواهد شد‪.‬‬

‫میز اشغال نشده و با وسايل آزمايشگاه تداخل بوجود نیايد‪.‬‬

‫آزمايش شماره ‪1‬‬

‫آشنايی با دستگاههای اندازهگيری الكتريكی‬

‫‪v (t ) V m sin t‬‬

‫نمايید‪ .‬همان موج را با مولتی متر نیز اندازهگیری کنید‪.‬‬

‫‪VP.P ‬‬ ‫‪ -‬مقدار پیك تو پیك مشاهده شده روی اسیلوسكوپ‪:‬‬

‫‪ -‬مقداری که در تئوری برای ‪ ‬بدست می آيد چقدر است ؟‬

‫‪ -‬نتايج را مقايسه کنید (خاای اندازه گیری‪)...،‬‬

‫‪ -‬مقدار موثر شكل موج خروجی را به کمك ولتمتر‪ ،‬بدست آوريد‪.‬‬

‫‪ -3-1‬مدار زير را بانديد‪:‬‬

‫با استفاده از اسیلوسكوپ‪:‬‬

‫‪ -‬اختالف فاز خروجی نسات به ورودی را اندازه گیری کنید‪.‬‬

‫‪ -4-1‬با استفاده از مدار زير مقاومت ورودی اسیلوسكوپ را اندازه میگیريم‪.‬‬

‫قاع را شرح دهید‪.‬‬

‫مقدار نامی‬ ‫مقدار واقعی‬

‫‪ -6-1‬برای اندازهگیری امپدانس خروجی به توضیحات زير توجه کنید‪:‬‬

‫تونن هر مداری را میتوان به صورت زير نمايش داد‪.‬‬

‫‪VO1  VO 2‬‬ ‫‪I L1 ‬‬

‫‪V‬‬ ‫‪VO1  VO 2‬‬

‫خروجی ‪ VO 2‬را بخوانیم ‪ ،‬در نتیجه خواهیم داشت‪:‬‬

‫‪ -7-1‬امپدانس خروجی سیگنال ژنراتور را اندازه گیری کنید‪.‬‬

‫‪ -‬آيا تغییر فرکانس و دامنه‪ ،‬تغییری در امپدانس خروجی ايجاد میکند؟‬

‫آزمايش شماره ‪2‬‬

‫میشود که ‪ A‬نشانه آند و ‪ K‬نشانه کاتد آن میباشد‪.‬‬

‫‪ V ‬ولتاژ آستانه هدايت ‪ V b ،‬ولتاژ شكست و ‪ I S‬جريان بسیار‬

‫ناچیز که تقرياا مستقل از ولتاژاست‪.‬‬

‫قااین ديود را به کمك يك اهمتر مشخص کرد و ديود را تست کرد‪.‬‬

‫اين مقاومت همان عكس شیب مشخصة ديود در هر نقاه از آن است‪.‬‬

‫در تنظیم کننده)‬

‫عالمت “ ‪ : Open Loop( “ 1.‬اتصال باز) را نشان میدهد‪.‬‬

‫‪ -1-2‬تهیین آند و کاتد ديود با استفاده از مولتی متر و تست ديود‬

‫شكست‪ ،‬جريان مهكوس و ‪ ) ....‬را از روی ‪ datasheet‬بررسی کنید‪.‬‬

‫‪ -2-2‬منحنی مشخصه ديود در گرايش موافق‪:‬‬

‫از نوع ‪ Si‬باشد‪.‬‬

‫میتوانید نقاطی با جريان بیشتر نیز بدست آوريد‪).‬‬

‫‪ -‬با توجه به ‪ V ‬جنس ديود مورد آزمايش ‪ Si‬است يا ‪ Ge‬؟‬

‫تئوری محاساه شده مقايسه کنید‪.‬‬

‫ولتاژهای باالتر ادامه دهید‪).‬‬

‫منحنی مشخصه ديود نورانی را رسم کنید‪.‬‬

‫‪ -‬ولتاژ شروع هدايت اين ديود چقدر است؟‬

‫‪ -2-4‬بدست آوردن منحنی مشخصه ديود با استفاده از اسیلوسكوپ‬

‫آزمايش شماره ‪3‬‬

‫کاربرد ديود – مدار يكسوساز‬

‫يكسو کننده نيم موج ‪:‬‬

‫‪V i t  V m sin t‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪m‬‬

‫صافی خازنی ‪:‬‬

‫گرديده و با آن عمل به صافتر شدن ولتاژ خروجی کمك مینمايند‪.‬‬

‫شكل موج خروجی در شكل زير نشان داده شده است‪:‬‬

‫‪: V r V m V m ‬ولتاژ ريپل‬

‫‪Q dcTC dcT‬‬ ‫‪‬‬

‫* ضريب ريپل)‪(Ripple Factor‬‬

‫اغلب به درصد بیان میشود‪.‬‬

‫* درصد رگوالسیون چنین بدست می آيد‪:‬‬