‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫دانشکده مهندسی کامپیوتر‬ ‫دانشگاه صنعتی امیرکبیر‬

‫و فنآوری اطالعات‬ ‫(پلی تکنیک تهران)‬

‫دستور کار آزمایشگاه‬

‫مدارهای الکتریکی‬

‫‪1‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪2‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫فهرست دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫صفحه‬ ‫عنوان‬

‫‪ -1‬آشنایی با اجزای مدار و تجهیزات آزمایشگاه ‪4 .....................................................‬‬

‫‪ -2‬بررسی قوانین اهم و کرشهف‪22 ...................................................................‬‬
‫‪ -3‬بررسی مدار معادل تونن و نورتن ‪22 ...............................................................‬‬
‫‪ -4‬راهنمای نرم افزار ‪31 .................................................... OrCAD Capture‬‬
‫‪ -5‬پاسخ گذرای مدارهای ‪ RC‬و ‪42 ............................................................ RL‬‬
‫‪ -2‬پاسخ گذرای مدار ‪ RLC‬سری ‪53 ................................................................‬‬
‫‪ -7‬پاسخ فرکانسی مدار ‪ RC‬پایینگذر ‪26 ............................................................‬‬
‫‪ -2‬آشنایی با مشخصات انواع دیود های نیمه هادی و مدارهای کاربردی دیودی ‪22 ................‬‬
‫‪ -9‬آشنایی با ترانزیستورهای ‪79 .............................................................. MOS‬‬
‫‪ -16‬کاربردهای خطی تقویت کننده عملیاتی ‪22 ......................................................‬‬

‫‪3‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫آزمایش ‪1‬‬

‫آشنایی با اجزای مدار و تجهیزات آزمایشگاه‬

‫‪ -1‬مقاومت‬

‫مقاومت یکی از مهمترین اجزاء مدارهای الکتریکی است که وظیفه آن محدود و یا کنترل کردن مقدار جریان‬
‫الکتریکی میباشد‪ .‬این المان دارای پالریته نمیباشد به این معنی که بدون توجه به جهت جریان عبوری در‬
‫مقابل جریان از خود مقاومت نشان میدهد‪.‬‬

‫نحوه مشخص کردن مقدار مقاومت‬

‫‪ -1‬با استفاده از اهممتر‬

‫‪ -2‬از طریق نوارهای رنگی روی بدنه آن (هر رنگ نشان دهندهی عددی میباشد)‪ ،‬نحوه تعیین مقدار مقاومت به‬
‫صورت زیر است‪:‬‬

‫الف‪ :‬اولین رنگ نشان دهندهی اولین رقم صحیح مقدار مقاومت است‪.‬‬

‫ب‪ :‬دومین رنگ نشان دهندهی دومین رقم صحیح مقدار مقاومت است‪.‬‬

‫ج‪ :‬سومین رنگ تعیین کننده تعدادصفرهایی است که در مقابل دو رقم الف و ب نوشته میشود‪.‬‬

‫د‪ :‬رنگ چهارم که معموال تلرانس یا میزان خطای مقاومت را نشان میدهد‪ .‬مقدار خطا برای رنگ طالیی ‪،%5‬‬
‫برای رنگ نقرهای ‪ %11‬میباشد و اگر مقاومت سه نوار رنگی داشته باشد ضریب خطا را ‪ %21‬در نظر میگیریم‪.‬‬
‫جدول ‪ 1‬اعداد متناظر با رنگها را نشان میدهد‪.‬‬

‫شکل ‪1‬‬
‫جدول ‪1‬‬

‫‪4‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫اعداد صحیح‬ ‫تعداد صفرها‬ ‫ضریب خطا‬

‫رنگ‬
‫نوار دوم‬ ‫نوار اول‬ ‫نوار سوم‬ ‫نوار چهارم‬
‫سیاه‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪×1‬‬ ‫‪-‬‬
‫قهوهای‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪×111‬‬ ‫‪-‬‬
‫قرمز‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪×112‬‬ ‫‪-‬‬
‫نارنجی‬ ‫‪3‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪×113‬‬ ‫‪-‬‬
‫زرد‬ ‫‪4‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪×114‬‬ ‫‪-‬‬
‫سبز‬ ‫‪5‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪×115‬‬ ‫‪-‬‬
‫آبی‬ ‫‪6‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪×116‬‬ ‫‪-‬‬
‫بنفش‬ ‫‪7‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪×117‬‬ ‫‪-‬‬
‫خاکستری‬ ‫‪8‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪×118‬‬ ‫‪-‬‬
‫سفید‬ ‫‪9‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪×119‬‬ ‫‪-‬‬
‫طالیی‬ ‫‪-‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪×1/1‬‬ ‫‪%5‬‬
‫نقرهای‬ ‫‪-‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪×1/11‬‬ ‫‪%11‬‬
‫به عنوان مثال اگر مقاومتی با رنگهای زرد (‪ )4‬و بنفش (‪ )7‬و قرمز (‪ )2‬و طالیی (‪ )%5‬داشته باشیم برای‬
‫خواندن در ابتدا عدد ‪ 4‬و سپس عدد ‪ 7‬و در نهایت دو صفر مقابل آن قرار میدهیم‪ .‬یعنی مقدار مقاومت ‪4711‬‬
‫اهم با خطای ‪ %5‬میباشد‪ .‬الزم به ذکر است که رنگ چهارم همیشه طالیی یا خاکستری است که برای خواندن‬
‫مقاومت از سر مخالف این دو رنگ عمل میشود‪ .‬یعنی برای خواندن مقاومت باید آن را طوری نگاه کنیم که‬
‫حلقهی طالیی یا نقرهای آن در سمت راست قرار گیرد‪ .‬رابطهی (‪ )1‬نحوه محاسبهی مقدار مقاومت را نشان‬
‫میدهد‪.‬‬

‫شکل ‪2‬‬

‫‪a×b×10c Ω ±d%‬‬ ‫(‪) 1‬‬

‫مقادیر استاندارد مقاومتهایی که موجود هستند عبارتند از‪:‬‬

‫‪5‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ 8/2‬و ‪ 6/8‬و ‪ 5/6‬و ‪ 4/7‬و ‪ 3/9‬و ‪ 3/3‬و ‪ 2/7‬و ‪ 2/2‬و ‪ 1/8‬و ‪ 1/5‬و ‪ 1/2‬و ‪1‬‬

‫مقدار مقاومتها با واحدهایی مانند اهم‪ ،‬کیلواهم و مگااهم بیان میشوند‪ .‬اگر در طراحی مدار به مقاومتهایی برخورد‬
‫کردید که در محدوده استاندارد نبود با استفاده از سری یا موازی کردن آنها میتوانید به مقادیر مورد نظر دست‬
‫یابید‪.‬‬

‫پتانسیومتر‬

‫پتانسیومتر از یک المان مقاومتی دوار که درون محفظه ای قرار گرفته‪ ،‬تشکیل شده است‪ .‬این المان مقاومتی‬
‫ممکن است به صورت سیمی‪ ،‬الیه ای و یا کربنی باشد‪ .‬دو ترمینال به دو انتهای این المان مقاومتی متصل است‬
‫که مقدار مقاومت بین این دو ترمینال همواره ثابت و برابر مقدار اهمی المان مقاومتی است‪ .‬بین این دو ترمینال‬
‫‪ ،‬یک ترمینال دیگر وجود دارد که به یک کنتاکت متحرك متصل است و این کنتاکت متحرك می تواند بر روی‬
‫المان مقاومتی حرکت کند و سبب تغییر مقاومت بین ترمینال وسط و هر یک از ترمینال های کناری گردد‪ .‬برای‬
‫حرکت کنتاکت متحرك بر روی المان مقاومتی‪ ،‬انتهای المان مقاومتی را به یک ولوم و یا یک صفحه شیاردار که‬
‫توسط پیچ گوشتی قابل حرکت است متصل می کنند‬

‫شکل ‪3‬‬

‫‪6‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -2‬خازن‬

‫خازن یکی از قطعات غیر فعال است که در اکثر مدارهای الکترونیکی به نحوی از آن استفاده میگردد‪ .‬خازنها را‬
‫براساس عایق دیالکتریکی آنها که میتوانند کاغذ‪ ،‬روغن‪ ،‬هوا‪ ،‬سرامیک و یا میکا باشد‪ ،‬نامگذاری و طبقهبندی‬
‫میکنند‪ .‬برای یادآوری به معرفی دو نوع از خازنهایی که بیشتر در آزمایشگاه مورد استفاده قرار میگیرند‪ ،‬می‪-‬‬
‫پردازیم‪.‬‬

‫خازنهای الکترولیتی‬

‫این خازنها برای ظرفیتهای بیشتر از ‪ 1 µF‬ساخته میشوند‪.‬‬

‫شکل ‪4‬‬

‫این خازنها دارای پالریته مثبت و منفی میباشند‪ .‬در هنگام استفاده از این خازنها باید بدانید که جهت جریان در‬
‫مدار چگونه است به عبارت دیگر ولتاژ ‪ DC‬کدام پایانه بیشتر میباشد‪ .‬اگر این نوع از خازنها را به صورت معکوس‬
‫در مدار قرار دهید احتمال انفجار آنها میباشد‪ .‬معموال پایانه منفی دارای یک باند رنگی متفاوت میباشد که بر‬
‫روی آن عالمت منفی درج شده است‪ .‬عالوه بر این اگر پایههای خازن از قبل کوتاه نشده باشند‪ ،‬پایهی کوتاهتر‬
‫نشاندهنده پایه منفی خازن میباشد‪ .‬ظرفیت و حداکثر ولتاژ قابل تحمل این خازنها روی بدنه آنها درج شده‬
‫است‪ .‬به عنوان مثال خازنی با مشخصات ‪ 51v‬و ‪ 111 µF‬میتواند در ولتاژهای کمتر از ‪ 51 v‬در مدار به کار‬
‫گرفته شود‪ .‬این خازنها برای کاربرد در مدارات فرکانس باال مناسب نمیباشند‪.‬‬

‫خازنهای سرامیکی‬

‫این خازنها در ظرفیتهای پایینتر از ‪ 1 µF‬ساخته میشوند و دارای پالریته نمیباشند‪ .‬برای محدوده کاری‬
‫فرکانس باال مناسب میباشند‪ .‬مقدار ظرفیت آنها به صورت یک عدد سه رقمی روی بدنهی آنها درج شده است‪.‬‬

‫‪7‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫عدد اول و دوم‪ ،‬اعداد اول و دوم از ظرفیت خازن میباشند و عدد سوم تعداد صفرها را مشخص میکند‪ .‬عددی‬
‫که در نهایت به دست میآید باید در مقیاس پیکو فاراد بیان شود‪ .‬به عنوان مثال اگر عدد ‪ 154‬روی خازن نوشته‬
‫شده باشد در این صورت ظرفیت خازنی برابر با ‪ 151111 pF‬که معادل با ‪ 151 nF‬است‪ ،‬میباشد‪.‬‬

‫شکل ‪5‬‬

‫‪ -3‬سلف‬

‫سلف که به نامهایی مانند پیچه‪ ،‬کویل و راکتور نیز شناخته می شود‪ ،‬یک المان الکترونیکی ‪ 2‬پایه پسیو است‬
‫که در مقابل تغییرات جریان الکتریکی از خود مقاومت نشان می دهد‪ .‬سلف دارای یک رسانا مانند سیم است که‬
‫به صورت پیچه ( سیم پیچ ) درآمده است‪ .‬هنگام عبور جریان از سلف‪ ،‬انرژی به صورت میدان مغناطیسی موقت‬
‫در کویل ذخیره می شود‪.‬‬

‫واحد سلف هانری می باشد‪ .‬دو نوع سلف با مقادیر ‪ 16‬و ‪ 18‬میلی هانری در آزمایشگاه موجود می باشد که‬
‫مدارات از این دو نوع برای بستن استفاده خواهد شد‪.‬‬

‫شکل ‪6‬‬

‫‪8‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -4‬منبع ولتاژ ‪ DC‬و نحوه استفاده از آن‬

‫منبع ولتاژ ‪ DC‬برای تزریق جریان به مدارهای الکترونیکی استفاده میشوند‪ .‬نمونه منبع ولتاژی که در آزمایشگاه‬
‫از آن استفاده میشود در شکل ‪ 7‬نشان داده شده است‪ .‬در ادامه به مرور چند نکته پیرامون استفاده از منابع ولتاژ‬
‫خواهیم پرداخت‪.‬‬

‫شکل ‪7‬‬
‫این منبع ولتاژ از ‪ 4‬منبع داخلی تشکیل شده است که دو منبع آن ثابت و دو منبع دیگر متغیر میباشد‪ .‬منابع‬
‫ولتاژ متغیری که در دستگاه تعبیه شدهاند قابلیت جریاندهی حداکثر ‪ 3‬آمپر را دارند‪ .‬این دو منبع با نامهای‬
‫‪ CH1‬و ‪ CH2‬روی دستگاه مضخص شدهاند‪ .‬دو منبع دیگر ثابت و ولتاژهای معمولی هستند که در مدارهای‬
‫الکترونیکی کاربرد دارند‪ CH3 .‬دارای ولتاژ ثابت ‪ 5‬ولت و ‪ CH4‬دارای ولتاژ ثابت ‪ 12‬ولت میباشد‪ .‬خروجیهای‬
‫این ‪ 4‬منبع در شکل ‪ 8‬نشان داده شده است‪.‬‬

‫شکل ‪8‬‬

‫‪9‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫برای روشن کردن منبع ولتاژ باید از کلید ‪ Power‬که در قسمت چپ دستگاه تعبیه شده است‪ ،‬استفاده کنید‪.‬‬
‫بعد از روشن کردن دستگاه توجه داشته باشید حتما کلید ‪ Output‬که در سمت راست دستگاه قرار دارد‪ ،‬فشرده‬
‫شده باشد در غیر این صورت پایانههای خروجی ولتاژ متغیر‪ ،‬ولتاژ نخواهند داشت‪ .‬بنابراین به خاطر داشته باشید‬
‫که اگر خواستید تغییری در نحوه سیمبندی و المانهای مدار دهید از کلید ‪ Output‬استفاده کنید‪ .‬خاموش و‬
‫روشن کردن مداوم منبع ولتاژ باعث کاهش عمر مفید دستگاه خواهد شد‪.‬‬

‫با استفاده از دو کلیدی که در شکل ‪ 9‬نشان داده شده است میتوان دو منبع متغیر را به صورت سری‪ ،‬موازی و‬
‫مستقل از یکدیگر به کار برد‪ .‬با استفاده از سری کردن دو منبع متغیر میتوان به ولتاژهای باالتر ور با استفاده از‬
‫موازی کردن این دو منبع میتوان به جریانهای باالتری دست یافت‪ .‬برای این آزمایشگاه سری یا موازی کردن‬
‫منابع ولتاژ لزومی ندارد بنابراین دقت داشته باشید که این دو منبع مستقل از یکدیگر عمل کنند‪ .‬برای این منظور‬
‫کلید اول را روی ‪ INDEP‬و کلید دوم را روی ‪ PARALLEL‬تنظیم کنید‪.‬‬

‫شکل ‪9‬‬
‫به منظور اعمال ولتاژ باید سیمهای سوسماری را به پایانههای مثبت و منفی اتصال دهیم‪ .‬برای این کار بهتر است‬
‫که از سیم قرمز برای پایانه مثبت و از سیم مشکی برای پایانه منفی استفاده کنیم‪ .‬هر کدام از منابع متغیر دارای‬
‫دو ولوم میباشد که یکی برای کنترل ولتاژ و دیگری برای کنترل جریان میباشد‪ .‬با استفاده از ولوم ولتاژ میتوانید‬
‫ولتاژ اعمالی به مدار خود را کنترل کنید‪ ،‬با توجه به شکل ‪ 11‬عددی که روی نمایشگر نشان میدهد نمایانگر‬
‫ولتاژ اعمالی به مدار شما میباشد‪ .‬با استفاده از ولوم جریان میتوانید تعیین کنید مداری که شما طراحی کردهاید‬
‫چقدر مجاز است که جریان از منبع ولتاژ بکشد‪ .‬عددی که روی نمایشگر جریان نشان داده میشود مقدار جریانی‬
‫است که مدار شما از منبع ولتاژ میکشد‪.‬‬

‫‪10‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل ‪11‬‬
‫برای جلوگیری از آسیب دیدن قطعات بهتر است که محدوده جریان را روی ‪ 111‬میلیآمپر تنظیم نمایید‪ .‬در‬
‫این صورت حتی اگر قسمتی از مدار سیمبندی شده روی بردبورد اتصال کوتاه شده باشد حداکثر جریان عبوری‬
‫از المانهای مدار ‪ 111‬میلیآمپر خواهد بود‪ .‬برای این کار ابتدا ولوم جریان و ولتاژ را روی صفر قرار دهید‪ ،‬سپس‬
‫دو سر خروجی را اتصال کوتاه نمایید‪ ،‬ولتاژ خروجی را کمی زیاد کنید تا جریان از ‪ 111‬میلیآمپر تجاوز نکند‪.‬‬
‫در نهایت با استفاده از ولوم محدود کننده جریان‪ ،‬مقدار جریان خروجی را روی مقدار موردنظر تنظیم نمایید‪.‬‬

‫‪ -5‬فانکشن ژنراتور و نحوه استفاده از آن‬

‫فانکشن ژنراتور دستگاهی برای تولید انواع موجهای الکتریکی با فرکانس دلخواه میباشد‪ .‬نمونه این دستگاه که‬
‫در آزمایشگاه استفاده میشود در شکل ‪ 11‬نشان داده شده است‪ .‬در ادامه به بررسی قسمتهایی از دستگاه‬
‫میپردازیم‪.‬‬

‫شکل ‪11‬‬
‫پس از روشن کردن دستگاه از قسمت ‪ WaveForm‬که در شکل ‪ -12‬الف نشان داده شده است میتوانید نوع‬
‫شکل موجی را که میخواهید به مدار اعمال کنید‪ ،‬انتخاب کنید‪.‬‬

‫‪11‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل ‪12‬‬
‫پس از انتخاب محدوده فرکانسی با استفاده از ولومی که در قسمت ‪ Frequency‬قرار دارد میتوانید مقدار‬
‫فرکانس را در محدودهای که مشخص کردهاید‪ ،‬تغییر دهید‪ .‬با استفاده از ولوم قسمت ‪ Duty‬میتوانید سیکل‬
‫کاری موج اعمالی به مدار را کنترل کنید‪ .‬در حالت پیش فرض سیکل کاری ‪ %51‬میباشد‪ .‬به منظور افزایش یا‬
‫کاهش دامنه سیگنال میتوانید از قسمت ‪ Ampl‬استفاده کنید‪ .‬دو نمایشگر که روی پنل دستگاه وجود دارد‬
‫مقدار دامنه و فرکانس سیگنال را نشان میدهد‪ .‬برای خروجی باید پروب را به پایانهای که ‪ Output‬نام دارد‬
‫اتصال دهید‪.‬‬

‫‪ -6‬مولتیمتر و نحوه استفاده از آن‬

‫از مولتیمتر برای اندازهگیری پارامترهای مداری استفاده میشود‪ .‬برای اندازهگیری مقاومت‪ ،‬آن را از مدار جدا‬
‫میکنیم و سلکتور مولتیمتر را روی حالت اهم قرار میدهیم‪ ،‬عدد نشان داده شده روی صفحه نمایش مقدار‬
‫مقاومت خواهد بود‪ .‬اگر مقدار مقاومت از رنج انتخابی بیشتر باشد روی صفحه نمایش عدد یک ظاهر خواهد شد‪.‬‬
‫شماتیک مداری برای اندازهگیری مقاومت در شکل ‪ 13‬نشان داده شده است‪.‬‬

‫شکل ‪13‬‬
‫در واقع برای اندازهگیری مقاومت مانند شکل ‪ 14‬عمل میکنیم‪.‬‬

‫‪12‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل ‪14‬‬
‫هنگامی که میخواهیم از مولتیمتر برای اندازهگیری ولتاژ استفاده کنیم باید آن را در مدار به صورت موازی قرار‬
‫دهیم‪ .‬شماتیک مداری نحوه قرار گرفتن مولتیمتر برای اندازهگیری ولتاژ در شکل ‪ 15‬نشان داده شده است‪.‬‬
‫مقاومت داخلی مولتیمتر در این حالت بسیار زیاد میباشد که تا حد امکان جریان ‪ I2‬به حداقل مقدار خود برسد‬
‫و خطای اندازهگیری نداشته باشیم‪.‬‬

‫شکل ‪15‬‬
‫در واقعیت برای اندازهگیری ولتاژ مانند شکل ‪ 16‬عمل میکنیم‪ .‬باید توجه داشته باشیم که سلکتور روی ولتاژ‬
‫تنظیم شده باشد و پروبهای مولتیمتر مانند شکل ‪ 16‬اتصال داشته باشند‪.‬‬

‫‪13‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل ‪16‬‬
‫برای اندازگیری جریان با استفاده از مولتیمتر باید آن را در مدار به صورت سری قرار دهیم‪ .‬شماتیک مداری این‬
‫حالت در شکل ‪ 17‬نشان داده شده است‪.‬‬

‫شکل ‪17‬‬
‫در این حالت مقاومت مولتیمتر بسیار پایین میباشد که خطای اندازهگیری به حداقل مقدار خود برسد‪ .‬بنابراین‬
‫اگر مولتیمتر را در این حالت در مدار به صورت موازی قرار دهیم جریان زیادی از آن عبور خواهد کرد و مولتیمتر‬
‫آسیب خواهد دید‪ .‬برای اندازهگیری جریان در حالت سری ابتدا باید مدار را به صورت کمی تحلیل کرده باشید و‬
‫محدوده مناسبی را برای جریان انتخاب کنید در غیر این صورت مولتیمتر آسیب خواهد دید‪ .‬در عمل آمپرمتر‬
‫در مدار به صورت شکل ‪ 18‬قرار میگیرد‪.‬‬

‫‪14‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل ‪18‬‬

‫‪ -7‬اسیلوسکوپ و نحوه استفاده از آن‬

‫اسیلوسکوپ دارای دو نوع دیجیتال و آنالوگ میباشد‪ .‬تمام اسیلوسکوپهایی که در آزمایشگاه موجود هستند‪،‬‬
‫دیجیتال میباشند‪ ،‬شکل ‪ .19‬از این دستگاه برای نشان دادن تغییرات یک شکل موج بر حسب زمان استفاده‬
‫میشود‪ .‬در ادامه به توضیح قسمتها و نکتههایی میپردازیم که در این آزمایشگاه کاربرد بیشتری دارند‪.‬‬

‫شکل ‪19‬‬
‫برای استفاده از دستگاه ابتدا باید از صحت عملکرد آن اطمینان حاصل نمائید‪ .‬برای این کار میتوانید پروبی را‬
‫که به یکی از کانالهای دستگاه متصل نمودهاید‪ ،‬به زایدهی فلزی روی پنل اسیلوسکوپ اتصال دهید‪ .‬در این حالت‬

‫‪15‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫باید شکل موج مربعی را روی صفحه نمایش مشاهده کنید‪ .‬در ادامه برخی از کلیدها و ولومهای روی پنل دستگاه‬
‫توضیح داده شده است‪ ،‬شکل ‪.21‬‬

‫شکل ‪21‬‬
‫‪ CH1‬و ‪ :CH2‬برای فعال کردن کانالهای یک و دو به ترتیب میتوانید از کلیدهای ‪ CH1‬و ‪ CH2‬استفاده کنید‪.‬‬
‫پس از انتخاب نشانگر کانال یک‪/‬دو در سمت چپ صفحه نمایش نشان داده خواهد شد و آیکون مربوط به کانال‬
‫متناظر تغییر خواهد کرد‪ ،‬شکل ‪.21‬‬

‫ب‬ ‫الف‬
‫شکل ‪ .21‬الف‪ -‬صفحه نمایش هنگامی که کانال ‪ 1‬خاموش است‪ .‬ب‪ -‬صفحه نمایش هنگامی که کانال ‪ 1‬روشن است‪.‬‬

‫‪16‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ :AutoSet‬با فشردن این کلید دستگاه برای بهترین وضعیت نمایش سیگنال به صورت خودکار تنظیم خواهد‬
‫شد‪ .‬شکل ‪ 22‬سیگنالی را قبل و بعد از فشرده شدن کلید ‪ AutoSet‬نشان میدهد‪ .‬برای خنثی کردن عمل‬
‫‪ AutoSet‬میتوانید از ‪ Undo‬استفاده کنید‪ .‬چنانچه شکل موج همچنان ناپایدار بود میتوانید از ولوم ‪Level‬‬
‫برای تغییر سطح تریگر سیگنال به منظور پایدار نمودن آن بهره برد‪ AutoSet .‬دارای محدودیتهایی نیز میباشد‪،‬‬
‫این کلید در زمانی که فرکانس سیگنال کمتر از ‪ 20 Hz‬و یا دامنه سیگنال کمتر از ‪ 30 mV‬باشد‪ ،‬عمل نخواهد‬
‫کرد‪.‬‬

‫ب‬ ‫الف‬
‫شکل ‪ .22‬الف‪ -‬قبل از فشردن کلید ‪ .AutoSet‬ب‪ -‬بعد از فشردن کلید ‪.AutoSet‬‬
‫‪ :Run/Stop‬در حالت ‪ ،Run‬اسیلوسکوپ به طور مداوم لحظه تریگر شدن سیگنال را جستجو میکند‪ .‬نتیجه‬
‫این میشود که به نظر میرسد سیگنال حرکت میکند‪ .‬در حالت ‪ ،Stop‬در واقع شما خواستهاید که دستگاه‬
‫لحظه تریگر شدن را ثابت در نظر بگیرد‪ ،‬بنابراین سیگنال بیحرکت به نظر میرسد‪ .‬آیکون ‪ Run/Stop‬در باال‬
‫سمت راست ‪ LCD‬دستگاه‪ ،‬نمایش داده میشود‪ .‬با فشردن این کلید میتوانید بین ‪ Run‬و ‪ Stop‬تغییر حالت‬
‫داشته باشید‪.‬‬

‫که روی پنل دستگاه قرار‬ ‫تنظیم مکان سیگنال در راستای محور افقی و عمودی‪ :‬با استفاده از ولوم‬
‫دارد‪ ،‬میتوانید سیگنال را در راستای محور زمان به سمت راست و یا چپ جابهجا کنید‪ .‬نشانگر مکاننما نیز‬
‫همراه با سیگنال جابهجا خواهد شد‪ .‬برای جابهجایی در راستای محور عمودی میتوانید از ولوم‬

‫‪17‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫استفاده کنید‪ .‬فاصله بین شکل موج و نقطهی مرکزی نیز با نشانگری تحت عنوان ‪ Offset‬در باالی صفحه نمایش‪،‬‬
‫نشان داده میشود‪ ،‬شکل ‪.23‬‬

‫شکل ‪23‬‬
‫تنظیم مقیاس سیگنال در راستای محور افقی‪ :‬برای انتخاب مقیاس مورد نظر در راستای محور افقی میتوانید از‬
‫ولوم ‪ Time/Div‬استفاده کنید‪ .‬با چرخاندن ولوم در جهت عقربههای ساعت سرعت سیگنال سریعتر و با‬
‫چرخاندن آن در جهت عکس عقربههای ساعت سرعت سیگنال کندتر خواهد شد‪.‬‬

‫تنظیم مقیاس سیگنال در راستای محور عمودی‪ :‬برای انتخاب مقیاس مورد نظر در راستای محور عمودی می‪-‬‬
‫توانید از ولوم ‪ Volts/Div‬استفاده کنید‪.‬‬

‫‪ :Measure‬با استفاده از این کلید میتوانید پارامترهای مختلف سیگنال را که توسط دستگاه‪ ،‬اندازهگیری شده‬
‫است‪ ،‬بر روی صفحه نمایش مشاهده کنید‪ .‬برای این کار ابتدا باید کلید ‪ Measure‬را فشار دهید‪ ،‬پنج گزینه که‬
‫هر کدام از آنها متناظر با کلیدهای ‪ F1‬تا ‪ F5‬هستند‪ ،‬در سمت راست ‪ ،LCD‬نمایش داده میشوند‪ ،‬شکل ‪.24‬‬
‫برای انتخاب سایر پارامترهایی که در این منو وجود ندارند میتوانید کلید منوی متناظر ‪ F1‬تا ‪ F5‬را فشار دهید‪.‬‬
‫در این صورت منویی مانند شکل ‪ 25‬روی صفحه نمایش ظاهر خواهد شد که با استفاده از ولوم ‪Variable‬‬
‫میتوانید پارامتر مورد نظر خود را انتخاب کنید‪ .‬در نهایت به منظور تایید مورد انتخابی و بازگشت به صفحهای‬
‫که شامل نتایج اندازهگیری شده میباشد‪ ،‬کلید متناظر با ‪ Previous Menu‬یا ‪ F5‬را بفشارید‪.‬‬

‫‪18‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل ‪24‬‬

‫شکل ‪25‬‬
‫توضیح مختصر بعضی از پارامترهایی که در شکل ‪ 25‬نشان داده شده در جدول ‪ ،2‬انتهای این بخش آمده است‪.‬‬

‫اندازهگیری با استفاده از خطوط مکاننمای افقی و عمودی‪ :‬همانطور که از نامش پیداست با استفاده از این‬
‫خطوط میتوان قسمتی از سیگنال را در راستای لفقی و عمودی محدود کرد و مقدار اندازهگیری شده را روی‬
‫صفحه نمایش مشاهده نمود‪ .‬برای شروع‪ ،‬با فشردن کلید ‪ Cursor‬خطوط مکاننما روی صفحه ظاهر میشوند‪.‬‬
‫با انتخاب ‪ X ↔ Y‬میتوانید خطوط مکاننمای افقی ‪ X1‬و ‪ X2‬را انتخاب کنید‪ .‬با انتخاب ‪ Source‬میتوانید‬
‫مشخص کنید که تمایل به اندازهگیری پارامترهای کدام کانال را دارید‪ .‬پارامترهای اندازهگیری شده در سمت‬

‫‪19‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫راست صفحه نمایش داده میشوند‪ .‬توضیح مختصر این پارامترها در جدول ‪ 2‬آمده است‪ .‬برای جابهجا کردن خط‬
‫مکاننمای سمت چپ و راست به ترتیب باید ابتدا ‪ X2/X1‬را انتخاب کنید و سپس با استفاده از ولوم ‪Variable‬‬
‫آن را جابهجا کنید‪ .‬برای جابهجایی همزمان هر دو خط مکاننما‪ ،‬ابتدا ‪ X1X2‬را از منوی سمت راست صفحه‬
‫انتخاب و سپس توسط ولوم ‪ Variable‬آنها را جابهجا کنید‪ .‬نحوه استفاده از خطوط عمودی مشابه خطوط افقی‬
‫میباشد که در باال توضیح داده شد‪.‬‬

‫‪ :Math‬با استفاده از این کلید میتوانید عملیات ریاضی مانند جمع‪ ،‬تفریق و ضرب دو سیگنال مربوط به کانالهای‬
‫‪ CH1‬و ‪ CH2‬را انجام داد‪.‬‬

‫جدول ‪2‬‬

‫توضیحات‬ ‫پارامترها‬
‫زمان خط مکاننمایی که در سمت چپ نسبت به صفر قرار دارد‬ ‫‪X1‬‬
‫زمان خط مکاننمایی که در سمت راست نسبت به صفر قرار دارد‬ ‫‪X2‬‬
‫اختالف بین ‪ X1‬و ‪X2‬‬ ‫‪X1 X2‬‬
‫اختالف زمانی بین ‪ X1‬و ‪ X2‬بر حسب ثانیه‬ ‫)‪∆(µs‬‬
‫فرکانس موجی که بین خطوط مکاننما قرار دارد‬ ‫)‪F (Hz‬‬

‫‪ :Menu‬این کلید قابلیتهای مختلفی را مانند بزرگنمایی در اختیار کاربر قرار میدهد‪ .‬مهمترین ویژگی کاربردی‬
‫این کلید حالت ‪ XY‬میباشد‪ XY .‬حالتی است که در آن نموداری برحسب نمودار دیگر روی صفحه نمایش رسم‬
‫میشود‪ .‬برای مشاهده ‪ ،XY‬ابتدا باید ‪ CH1‬و ‪ CH2‬را فعال نماییم سپس کلید ‪ Menu‬را فشار دهیم‪ ،‬از منوی‬
‫ظاهر شده در سمت راست صفحه نمایش ‪ XY‬را انتخاب میکنیم‪ .‬برای مشاهده بهتر نمودار رسم شده میتوانیم‬
‫از ولومهای ‪ Volts/Div‬و ولومهای انتقال سیگنال در راستای افقی و عمودی استفاده کنیم‪.‬‬

‫‪20‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫جدول ‪3‬‬
‫توضیحات‬ ‫نماد‬ ‫پارامتر‬

‫تفاوت بین مثبتترین و منفیترین نقاط سیگنال‬ ‫‪Vpp‬‬

‫پیک مثبت ولتاژ‬ ‫‪Vmax‬‬

‫پیک منفی ولتاژ‬ ‫‪Vmin‬‬

‫تفاوت طوالنیترین ولتاژ مثبت و طوالنیترین ولتاژ‬

‫‪Vamp‬‬
‫منفی‬

‫طوالنیترین ولتاژ مثبت‬ ‫‪Vhi‬‬

‫طوالنیترین ولتاژ منفی‬ ‫‪Vlo‬‬

‫میانگین ولتاژ در اولین سیکل‬ ‫‪Vavg‬‬

‫مقدار موثر ولتاژ‬ ‫‪Vrms‬‬

‫فرکانس شکل موج‬ ‫‪Freq‬‬

‫مدت زمان یک سیکل شکل موج‬ ‫‪Period‬‬

‫زمان صعود پالس ‪%91‬‬ ‫‪Risetime‬‬

‫‪21‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫زمان نزول پالس ‪%91‬‬ ‫‪Falltime‬‬

‫مقدار مثبت عرض پالس‬ ‫‪+Width‬‬

‫مقدار منفی عرض پالس‬ ‫‪-Width‬‬

‫سیکل کاری‬ ‫‪Duty Cycle‬‬

‫‪ -8‬پروبهای اسیلوسکوپ و نحوه استفاده از آن‬

‫این پروبها بسیار حساس هستند و هنگام استفاده از آنها باید دقت کافی داشته باشید‪ .‬اگر پروبی که استفاده‬
‫میکنید دارای کلید ضریب یک و ده میباشد‪ ،‬باید آن را روی ضریب یک قرار دهید‪ .‬برای تست پروب‪ ،‬آن را به‬
‫یکی از کانالهای اسیلوسکوپ اتصال دهید‪ ،‬سیم قرمز پروب را به زایدهی فلزی که روی دستگاه برای تست پروب‬
‫تعبیه شده است اتصال دهید‪ .‬زمین پروب را نیز به زمینی که روی پنل دستگاه به همین منظور قرار دارد اتصال‬
‫دهید‪ .‬در این حالت صورت سالم بودن پروب میتوانید شکل موج مربعی را روی صفحه نمایشگر اسیلوسکوپ‬
‫مشاهده کنید‪ .‬شکل ‪ .26‬اگر شکل موجی که مشاهده میکنید اثرات خازنی دارد پیچی به همین منظور روی‬
‫پروبها تعبیه شده است‪ ،‬آن را با استفاده از پیچ گوشتی ریز‪-‬ساعتی‪ -‬بچرخانید تا شکل موج مربعی ایدهآلی را‬
‫روی صفحه اسیلوسکوپ مشاهده کنید‪ ،‬شکل ‪.27‬‬

‫‪22‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل ‪26‬‬

‫شکل ‪27‬‬

‫‪23‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -9‬بردبورد و نحوه استفاده از آن‬

‫الیههای داخلی بردبورد از نوارهای فلزی‪ ،‬معموال مسی‪ ،‬تشکیل شده است‪ .‬برای استفاده از بردبورد کافیست‬
‫پایههای قطعات را درون شکاف مورد نظر فرو ببریم‪ ،‬به این شکافها اصطالحا سوکت میگویند‪ .‬این سوکتها طوری‬
‫طراحی شدهاند که قطعات را کامال محکم در خود بگیرند و هر حفره یا همان سوکت پایه قطعه را به الیه مسی‬
‫تحتانی هدایت میکند‪ .‬هر سیم که وارد این حفرهها میشود گره یا ‪ node‬نامیده میشود و هر گره را نقطهای از‬
‫مدار مینامند که حداقل باعث اتصال دو قطعه به یکدیگر شده است و اما در بردبورد وقتی میخواهیم بین دو یا‬
‫چند قطعه اتصال الکتریکی برقرار کنیم باید یکی از پایههایشان با هم تشکیل گره بدهند‪ .‬برای این کار کافیست‬
‫پایه آنها را در حفرههایی که همگی در راستای الیه مسی مشترکی هستند‪ ،‬قرار دهیم‪.‬‬

‫برای اسمبل کردن مدار میتوانید از این بوردها استفاده کنید‪ .‬نمونه این بوردها در شکل ‪ 28‬نشان داده شده‬
‫است‪.‬‬

‫شکل ‪28‬‬
‫اتصاالت این بوردها میتواند دارای ساختارهای متفاوتی باشد‪ ،‬اما به طور کلی به یاد داشته باشید که در‬
‫بردبوردهایی که در ایران معمول شده یک گره شامل حفرههای ردیف عمودی در هر یک از دو طرف است‪.‬‬
‫اتصاالت یک بردبورد نمونه‪ ،‬مانند شکل ‪ 29‬میباشد‪.‬‬

‫شکل ‪29‬‬

‫‪24‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫معموال از دو ردیف باال و پایین برای اتصاالت منابع تغذیه و زمین مدار استفاده میشود‪ .‬توصیه میشود برای‬
‫عملکرد بهتر‪ ،‬مدار مانند شماتیک داده شده در دستورکار‪ ،‬روی بردبورد پیادهسازی شود‪ .‬اگر در خالل آزمایشها‬
‫مجبور به استفاده از ‪ IC‬شدید‪ ،‬باید آن را مانند شکل ‪ 31‬بین دو ردیف قرار دهید در غیر این صورت پایههای‬
‫‪ IC‬به یکدیگر اتصال کوتاه شده و باعث آسیبدیدگی ‪ IC‬خواهد شد‪ .‬باید سعی کنیم که المانها را ساده و مرتب‬
‫روی برد قرار دهیم‪ ،‬شکل ‪ .31‬در این صورت عیبیابی مدار بسیار سادهتر خواهد شد‪ .‬شکل ‪ 31‬مداری را نشان‬
‫میدهد که اتصاالت آن یک بار به صورت منظم و یک بار به صورت نامنظم روی بورد قرار داده شدهاند‪.‬‬

‫شکل ‪31‬‬

‫شکل ‪31‬‬

‫‪25‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫آزمایش ‪2‬‬

‫بررسی قوانین اهم و کرشهف‬

‫هدف از آزمایش‪ :‬بررسی قانون اهم‪ ،‬قوانین ولتاژ و جریان کرشهف‪ ،‬قوانین تقسیم ولتاژ و تقسیم جریان‬

‫‪ -1‬مدار شکل ‪ 1‬را ببندید‪ .‬با تغییر پتانسیومتر مقدار جریان آمپرمتر را روی مقادیر موجود در جدول ‪ 1‬تنظیم‬
‫کنید سپس در هر مرحله مقادیر ولتاژ را بخوانید و جدول زیر را کامل نمائید‪ .‬سپس منحنی تغییرات )‪ I=f(v‬را‬
‫به ازای ‪( R=cte‬مقاومت ثابت) رسم نمائید‪.‬‬

‫‪mA‬‬

‫‪18 V‬‬ ‫‪+-‬‬ ‫‪1 kΩ‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪1 kΩ‬‬

‫شکل ‪1‬‬

‫)‪I (mA‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪8‬‬
‫‪V‬‬

‫پیش گزارش ‪ :1‬در مدار شکل ‪ 2‬با استفاده از قانون تقسیم ولتاژ‪ ،‬ولتاژ هر یک از مقاومتهای مدار را تعیین کنید‪.‬‬

‫‪ -2‬مدار شکل ‪ 2‬را ببندید‪ .‬جریان را با آمپرمتر و ولتاژ دو سر هر یک از مقاومتها را با ولتمتر مشخص کرده و در‬
‫مورد فرمول زیر (تقسیم ولتاژ) برای هر یک از مقاومتها تحقیق کنید‪.‬‬

‫‪680 Ω‬‬ ‫‪1 kΩ‬‬ ‫‪5.6 kΩ‬‬

‫‪mA‬‬

‫‪15 V‬‬ ‫‪+-‬‬

‫شکل ‪2‬‬

‫‪26‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫پیش گزارش ‪ :2‬در مدار شکل ‪ 3‬با استفاده از قانون تقسیم جریان‪ ،‬جریان هر یک از مقاومتهای مدار را تعیین‬
‫کنید‪.‬‬

‫‪ -3‬مدار شکل ‪ 3‬را ببندید‪ .‬جریان را در هر یک از شاخه ها و همچنین شاخه اصلی پیدا کرده و رابطه تقسیم‬
‫جریان را برای هر یک از شاخه ها تحقیق کنید‪.‬‬

‫‪mA‬‬
‫‪I1‬‬ ‫‪I2‬‬ ‫‪I3‬‬
‫‪3V‬‬ ‫‪+-‬‬ ‫‪680 Ω‬‬ ‫‪1 kΩ‬‬ ‫‪5.6 kΩ‬‬

‫شکل ‪3‬‬

‫‪ -4‬مدار شکل ‪ 4‬را ببندید‪ .‬جریانهای ‪ I1‬و ‪ I2‬را یادداشت نمائید‪ .‬سپس یک منبع ‪ 1/5‬ولتی و بار دیگر منبع ‪3‬‬
‫ولتی را غیر فعال کرده و جریانهای ‪ I1‬و ‪ I2‬را در هر مرحله به طور مجزا بخوانید و در مورد اصل جمع آثار تحقیق‬
‫نمائید‪.‬‬

‫‪1 kΩ‬‬ ‫‪2.2 kΩ‬‬

‫‪I1‬‬ ‫‪I2‬‬
‫‪+-‬‬ ‫‪1.5 V‬‬
‫‪3V‬‬ ‫‪+-‬‬ ‫‪5.6 kΩ‬‬

‫‪mA‬‬

‫شکل ‪4‬‬

‫‪27‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫آزمایش ‪3‬‬

‫بررسی مدار معادل تونن و نورتن‬

‫هدف از آزمایش‪ :‬بررسی مدار معادل تونن و نورتن و قضیه انتقال توان ماکزیمم‬

‫پیش گزارش ‪ :1‬در مدار شکل ‪ 1‬مقاومت تونن دیده شده از دو سر ‪ a‬و ‪ b‬را محاسبه کنید؟‬

‫‪ -1‬مدار شکل ‪ 1‬را ببندید‪ .‬با اتصال کوتاه کردن دو نقطه ‪ a‬و ‪ b‬جریان ‪( Isc‬جریان اتصال کوتاه بین دو نقطه ‪ a‬و‬
‫‪ )b‬را اندازهگیری کرده و سپس با باز کردن دو نقطه ‪ a‬و ‪ b‬ولتاژ ‪( Voc‬ولتاژ مدار باز) را با ولتمتر بخوانید‪ .‬سپس‬
‫با داشتن این دو مقدار‪ Rth ،‬را محاسبه کنید‪.‬‬

‫‪330 Ω‬‬ ‫‪330 Ω‬‬

‫‪a‬‬

‫‪15 V‬‬ ‫‪+-‬‬ ‫‪1 kΩ‬‬

‫‪Rth‬‬
‫‪b‬‬

‫شکل ‪1‬‬

‫‪ -2‬حال مدار شکل ‪ 2‬را با توجه به مقادیر بدست آمده از مرحله ‪ 1‬ببندید‪( .‬برای جایگزینی ‪ Rth‬در مدار از‬
‫پتانسیومتر استفاده کنید) مجددا مقادیر ‪ Isc‬و ‪ Voc‬را بدست آورید و سپس با اعداد قبلی مقایسه نمایید‪ .‬چه‬
‫نتیجهای میگیرید؟ بنویسید‪.‬‬

‫‪Rth‬‬
‫‪a‬‬

‫‪Voc‬‬ ‫‪+-‬‬

‫‪b‬‬

‫شکل ‪2‬‬

‫‪28‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -3‬منبع مدار شکل ‪ 1‬را غیرفعال کنید‪ .‬توسط اهمتر دیجیتالی مقاومت ‪ Rth‬در مدار شماره ‪ 3‬را اندازهگیری و‬
‫مقدار آن را یادداشت کنید‪ .‬سپس نتیجه را با آزمایشهای قبلی مقایسه کرده‪ ،‬علت اختالف احتمالی را بنویسید‪.‬‬

‫‪330 Ω‬‬ ‫‪330 Ω‬‬

‫‪a‬‬

‫‪1 kΩ‬‬
‫‪Rth‬‬
‫‪b‬‬

‫شکل ‪3‬‬
‫پیش گزارش ‪ :2‬در مدار شکل ‪ 4‬مقاومت تونن دیده شده از دو سر ‪ a‬و ‪ b‬را محاسبه کنید؟‬

‫‪ -4‬مدار شکل ‪ 4‬را ببندید‪ .‬مراحل ‪ 1‬و ‪ 2‬و ‪ 3‬را د مورد این شکل مجددا آزمایش نمائید‪ .‬مشاهده میکنید که‬
‫در این حالت نتایج آزمایشها خیلی باهم متفاوت است‪ .‬علت را ذکر کرده و درباره آن توضیح دهید (برای جایگزینی‬
‫‪ Rth‬در مدار از پتانسیومتر استفاده کنید)‪.‬‬

‫‪180 Ω‬‬ ‫‪180 Ω‬‬

‫‪a‬‬

‫‪5sin300πt‬‬ ‫‪5.6 kΩ‬‬

‫‪Rth‬‬
‫‪b‬‬

‫شکل ‪4‬‬

‫‪ -5‬مدار شکل ‪ 5‬را ببندید‪ .‬برای پیدا کردن مقاومت داخلی منبع تغذیه ‪ AC‬مقاومت ‪ Rx‬را آنقدر تغییر دهید تا‬
‫مقاومت دو نقطه ‪ a‬و ‪ b‬دقیقا برابر ‪( Rth‬حالت ‪ )4‬شود‪ .‬سپس ‪ Rx‬را با اهمتر اندازهگیری کرده و در مورد آن‬
‫مختصرا توضیح دهید‪.‬‬

‫‪29‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪180 Ω‬‬ ‫‪180 Ω‬‬

‫‪a‬‬

‫‪Rx‬‬ ‫‪5.6 kΩ‬‬

‫‪b‬‬

‫شکل ‪5‬‬

‫پیش گزارش ‪ :3‬در مدار شکل ‪ 6‬به ازای چه مقاومتی از ‪ Rx‬حداکثر توان به این مقاومت انتقال خواهد یافت؟‬

‫‪( -6‬قضیه انتقال حداکثر توان)‪ :‬مدار شکل ‪ 6‬را ببندید‪ .‬با تغییر مقاومت ‪ Rx‬مقدار جریان عبوری از آن و ولتاژ‬
‫دو سرش را بخوانید (مقادیر ولتاژها را در جدول زیر یادداشت کنید) سپس مقدار توان جذب شده را در هر حالت‬
‫محاسبه کنید‪.‬‬

‫مقادیر مقاومت در هر حالت را از تقسیم ولتاژ به جریان مربوطه محاسبه نمایید و مقدار مقاومتی که به ازای آن‬
‫توان جذب شده به مقدار ماکزیمم رسیده است را پیدا کنید‪ .‬منحنی )‪ P=f(Rx‬را رسم نموده‪ ،‬مقاومتی را که به‬
‫ازای آن مقدار توان ماکزیمم شده است از روی منحنی پیدا کنید‪ .‬سپس نتیجه فوق را با نتیجه بدست آمده در‬
‫پیش گزارش ‪ 3‬مقایسه نمائید‪ .‬در صورتی که اختالفی مشاهده میکنید دلیل آن را ذکر کنید‪.‬‬

‫‪33 Ω‬‬ ‫‪33 Ω‬‬

‫‪mA‬‬

‫‪4.5 V‬‬ ‫‪+-‬‬ ‫‪1 kΩ‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪Rx‬‬

‫شکل ‪6‬‬

‫)‪I (mA‬‬ ‫‪45‬‬ ‫‪40‬‬ ‫‪37‬‬ ‫‪35‬‬ ‫‪32‬‬ ‫‪30‬‬ ‫‪26‬‬ ‫‪22‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪18‬‬
‫‪V‬‬
‫‪P‬‬
‫‪R‬‬

‫‪30‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫آزمایش ‪4‬‬

‫راهنمای نرم افزار ‪OrCAD Capture‬‬

‫‪ 1-4‬ایجاد پروژه و ترسیم مدار‬

‫پس از نصب نرم افزار ‪ OrCAD‬میتوانید از آدرس زیر برنامه را اجرا کنید‪:‬‬

‫‪Strat menu‬‬ ‫‪Programs‬‬ ‫‪Orcad‬‬ ‫)‪Capture (or Capture CIS‬‬

‫اولین کار در ‪ Capture‬ایجاد یک پروژه جدید است‪ .‬برای این کار از منوی ‪ File‬روی گزینه ‪ New‬رفته و‬
‫‪ Project‬را انتخاب نمایید‪ .‬با انتخاب ‪ Project‬با کادر زیر مواجه خواهید شد‪ .‬در فیلد ‪ Name‬نام پروژه و در‬
‫‪ Location‬آدرس دایرکتوری مورد نظر را برای ذخیره پروژه وارد کنید‪ .‬در قسمت میانی ‪Create a New‬‬
‫‪ Project Using‬چهار گزینه برای انتخاب نوع پروژه وجود دارد‪:‬‬

‫‪Analog or Mixed A/D -1‬‬

‫این گزینه برای رسم و تحلیل مدارات آنالوگ و یا دیجیتال میباشد در این آزمایشگاه چون هدف تحلیل مدارات‬
‫و مقایسه جوابها با مقادیر عملی بدست آمده است‪ ،‬با همین نوع پروژهها کار میکنیم‪.‬‬

‫‪PC Board Wizard -2‬‬

‫امکان رسم مدار و ایجاد ‪PCB‬‬

‫‪Programmable Lagic Wizard -3‬‬

‫طراحی مدار با ‪ CPLD‬یا ‪FPGA‬‬

‫‪Schematic -4‬‬

‫امکان رسم مدار بدون تحلیل و شبیه سازی‬

‫در صورت انتخاب گزینه اول پنجره ‪ Create PSProject‬باز میشود که شامل دو گزینه است‪:‬‬
‫‪31‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪Create based upon an existing project -1‬‬

‫این گزینه پروژهای برای مدارهای سلسله‬

‫مراتبی که شامل چند صفحهاند براساس یک‬
‫پروژه از قبل تعریف شده ایجاد میکند که فعال‬
‫به بحث ما مربوط نمیشود‪.‬‬

‫‪Create a blank project -2‬‬

‫ایجاد فقط یک صفحه خالی جهت پیاده سازی پروژه (البته در همین یک صفحه نیز میتوان بلوکهایی قرار داد و‬
‫برای هر کدام یک صفحه جدید ایجاد کرد‪).‬‬

‫با انتخاب گزینه دوم پنجره ای مانند شکل زیر باز میشود که شما میتوانید مدار را در آن رسم نموده و آن را‬
‫شبیه سازی کنید‪.‬‬

‫برای رسم مدار باید مراحل زیر را به ترتیب انجام دهیم‪:‬‬

‫‪32‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -1‬جایگذاری قطعات در محیط شماتیک‬

‫‪ -2‬سیم کشی مدار‬

‫‪ -3‬نصب گره زمین‬

‫‪ -4‬شمارهگذاری گرهها‬

‫برای جایگذاری قطعات در محیط شماتیک میتوان از منوی ‪ Place‬گزینه ‪ Part‬را انتخاب کرد یا در قسمت‬
‫) کلیک کرد تا پنجره شکل زیر باز شود‪ .‬در گزینه ‪ Add Library‬میتوان‬ ‫سمت راست روی نماد (‬
‫کتابخانه جدید را اضافه کرد‪ .‬و با تایپ نام قطعه در قسمت ‪ Part‬نیز میتوان به طور مستقیم به قطعه دسترسی‬
‫پیدا کرد‪.‬‬

‫البته این کار را میتوان از طریق تایپ نام در قسمت ‪ Place Part‬در صفحه شماتیک مانند شکل زیر انجام داد‪.‬‬

‫برای قرینه کردن قطعه نسبت به محورهای عمودی و افقی میتوان از کلیدهای ‪ Ctrl+R‬استفاده کرد‪ .‬برای سیم‬
‫) کلیک نمود یا دکمه (‪ )W‬روی کیبورد را فشار داد تا اشاره گر ماوس‬ ‫کشی مدار نیز میتوان روی نماد (‬
‫به صورت نماد (‪ )+‬ظاهر شود‪ .‬حال میتوان با بردن ماوس به ابتدا یا انتهای قطعات آنها را به هم متصل کرد‪.‬‬
‫برای تغییر مقدار قطعه باید روی آن دو بار کلیک کرده تا پنجره مربوطه باز شود‪ .‬در قسمت ‪ Value‬مقدار قطعه‬

‫‪33‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫را بنویسید‪ .‬اگر مقدار قطعه را بدون نمادی تایپ کنید مقدار‬
‫برای مقاومت بر حسب اهم‪ ،‬برای خازن بر حسب فاراد و برای‬
‫سلف بر حسب هانری خواهد بود‪ .‬برای مقادیر خیلی بزرگ و‬
‫خیلی کوچک قطعات میتوان از نمادهای روبرو استفاده کرد‪.‬‬
‫فقط دقت داشته باشید که بین مقدار و نماد فاصلهای نباشد‪.‬‬
‫برای تغییر نام قطعه نیز مانند حالت قبل عمل میکنیم اما به‬
‫جای مقدار قطعه بر روی نام آن دابل کلیک میکنیم‪.‬‬

‫قطعات مورد نیاز در شبیهسازی مدارات آزمایشگاه در جدول زیر آمده است‪.‬‬

‫‪PART‬‬ ‫‪PART NAME‬‬ ‫‪Symbol‬‬

‫مقاومت‬ ‫‪R‬‬

‫خازن‬ ‫‪C‬‬

‫سلف‬ ‫‪L‬‬

‫منبع ولتاژ ‪DC‬‬ ‫‪VDC‬‬

‫منبع جریان ‪DC‬‬ ‫‪IDC‬‬

‫منبع ولتاژ وابسته به ولتاژ‬ ‫‪E‬‬

‫منبع جریان وابسته به جریان‬ ‫‪F‬‬

‫منبع جریان وابسته به ولتاژ‬ ‫‪G‬‬

‫منبع ولتاژ وابسته به جریان‬ ‫‪H‬‬

‫آپ امپ ‪741‬‬ ‫‪UA741‬‬

‫‪34‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫برای هر مدار حتما باید گرهای به عنوان گره زمین انتخاب شود‪ ،‬در غیر این صورت ‪ OrCAD‬قادر به تحلیل‬
‫در ‪ Tool Palette‬کلیک کنید و یا‬ ‫مدار نخواهد بود‪ .‬برای انتخاب گره زمین ابتدا روی گزینه ‪Ground‬‬
‫کلید ‪ G‬صفحه کلید را فشار دهید سپس در پنجره ‪ Place Ground‬کتابخانه ‪ Source‬و قطعه ‪ 0‬را انتخاب‬
‫کنید و دکمه ‪ OK‬را فشار دهید‪ .‬ماوس را به نقطه موردنظر برده و کلیک کنید تا گره زمین جایگذاری شود‪.‬‬
‫برای اتمام کار کلید ‪ Esc‬را فشار دهید و زمین را با سیم به مدار وصل کنید‪.‬‬

‫‪ OrCAD‬بعد از ایجاد هر گره‪ ،‬نامی را به آن اختصاص میدهد ولی به دلیل اینکه این نامها از کاراکترهای زیادی‬
‫تشکیل شدهاند اغلب کار کردن با آنها کمی سخت است‪ .‬به همین خاطر ما برای گرهها شمارههایی به ترتیب از‬
‫یک قرار میدهیم‪( .‬شماره گره زمین صفر است) برای نامگذاری گره روی گزینه ‪ Place net alias‬در ‪Tool‬‬
‫کلیک کنید) در پنجره باز شده در فیلد ‪ Alias‬عدد مورد نظر برای‬ ‫‪ Palette‬کلیک کنید (یا روی نماد‬
‫نام گره را وارد کنید‪ .‬در این پنجره نیز گزینههایی برای تغییر ظاهر اسامی گرهها وجود دارد‪ .‬روی گزینه ‪OK‬‬
‫کلیک کنید‪ ،‬در این حالت با کلیک چپ روی گره موردنظر‪ ،‬عدد وارد شده در فیلد ‪ Alias‬به عنوان نام گره‬
‫خواهد بود‪.‬‬

‫‪ ‬نام هر گره را حتما باید در کنار یک سیم یا یک اتصال قرار دهید طوری که گوشه سمت چپ پایین (یا چپ‬
‫یا پایین) آن در کنار سیم باشد‪.‬‬
‫‪ ‬دو گره همنام اتصال کوتاه تلقی میشوند بنابراین در انتخاب نام گرهها دقت کنید تا با مشکلی در تحلیل‬
‫مدار مواجه نشوید‪.‬‬

‫پس از رسم مدار نوبت به تحلیل آن میرسد از منوی ‪ Pspice‬گزینه ‪ New Simulation Profile‬را انتخاب‬
‫کنید‪ .‬و نام دلخواهی برای تحلیل خود انتخاب کنید‪ .‬در مرحله بعد باید نوع تحلیل انتخاب شود‪ .‬با استفاده از‬
‫‪ OrCAD‬چهار نوع تحلیل میتوان انجام داد که عبارتند از ‪ AC Sweep ،DC Sweep ،Bias Point‬و ‪Time‬‬
‫‪ .Domain‬که توضیحات مربوط به هر کدام از بخشها در زیر آمده است‪ .‬همچنین به جای ‪ Edit ،New‬و ‪Run‬‬
‫در نوار ابزار استفاده کرد‪.‬‬ ‫در منوی ‪ Pspice‬میتوان از گزینههای‬

‫‪35‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ 2-4‬تحلیل نقطه کار ‪:)Bias Point( DC‬‬

‫این تحلیل مقدار ولتاژ ‪ DC‬گرهها‪ ،‬جریان ‪ DC‬و توان المانها را محاسبه میکند‪ .‬برای مدارهایی مناسب است‬
‫که دارای منبع ‪ DC‬ثابت با زمان و قطعاتی همچون مقاومت‪ ،‬دیود‪ ،‬ترانزیستور و ‪( ...‬قطعاتی که رابطه ولتاژ‪-‬‬
‫جریان آنها به زمان بستگی ندارد) میباشند‪.‬‬

‫‪ ‬در صورت وجود سلف یا خازن در این تحلیل‪ ،‬سلفها شبیه منبع جریانی برابر با جریان اولیهشان و خازنها‬
‫شبیه منبع ولتاژی برابر ولتاژ اولیهشان رفتار میکنند‪( .‬در صورت عدم تعیین شرایط اولیه سلفها مدار‬
‫باز و خازنها اتصال کوتاه در نظر گرفته میشوند‪).‬‬
‫‪ ‬در این تحلیل برای موج سینوسی مقدار ‪ DC‬آن و برای سایر منابع متغیر با زمان مقدار منبع در لحظه‬
‫صفر در نظر گرفته میشود‪.‬‬

‫پس از رسم کامل مدار نوبت به تحلیل آن میرسد‪ .‬ابتدا از منوی ‪ Pspice‬روی گزینه ‪New Simulation‬‬
‫کلیک کنید و برای شبیهسازی خود نامی دلخواه انتخاب کنید تا منوی انتخاب نوع تحلیل فعال‬ ‫‪ Profile‬و یا‬
‫کلیک کنید و‬ ‫شود‪ .‬برای انتخاب نوع تحلیل از منوی ‪ Pspice‬روی گزینه ‪ Edit Simulation Profile‬و یا‬
‫در قسمت ‪ Analysis type‬نوع آنالیز مدار را که در اینجا ‪ Bias Point‬میباشد را مشخص کنید‪ .‬با این کار‬
‫پنجره ای باز میشود پس از زدن دکمه ‪ Ok‬در این پنجره مدار شبیه سازی میشود‪ .‬برای دیدن ولتاژها‪ ،‬جریانها‬
‫( ) کلیک کنید تا به صورت شکل‬ ‫و توانهای المانهای مختلف مدار کافی است بر روی نمادهای‬
‫باید ( ) را کلیک کنید‪.‬‬ ‫زیر نمایش داده شوند‪ .‬البته قبل از این کار‬

‫‪36‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫برای مرتب کردن مقادیر میتوانید با اشاره گر ماوس‪ ،‬انها را به مکان مورد نظر منتقل کنید‪.‬‬

‫‪ 3-4‬تحلیل جاروب ‪)DC Sweep( DC‬‬

‫تحلیل ‪ DC Sweep‬همان تحلیل ‪ Bias Point‬است با این تفاوت که منبع ‪ DC‬مقدار ثابتی ندارد و در یک رنج‬
‫مشخص تغییر میکند‪ .‬در این تحلیل عالوه بر منبع ولتاژ یا جریان میتوان پارامترهایی نظیر دما‪ ،‬پارامتر یک‬
‫مدل و یا مقدار المانهایی چون مقاومت را تغییر داد و نحوه تغییرات خروجی را بررسی کرد‪.‬‬

‫‪ ‬در این تحلیل خازنها مدار باز و سلفها اتصال کوتاه در نظر گرفته میشوند‪( .‬صرف نظر از شرایط اولیه)‪.‬‬
‫‪ ‬همراه با اجرای این تحلیل‪ ،‬تحلیل ‪ Bias Point‬اجرا نمیشود و اگر در شماتیک ولتاژ یا جریانی مشاهده‬
‫میکنید احتماال به این دلیل است که قبل از ‪ DC Sweep‬تحلیل ‪ Bias Point‬را اجرا کردهاید و این‬
‫نتایج مربوط به آن تحلیل میباشد‪.‬‬

‫‪‬‬
‫‪‬‬

‫در قسمت ‪ Voltage sourc‬نام منبع ولتاژ را می نویسیم‪ .‬در ‪ Start value‬ولتاژ اولیه و در ‪ End value‬ولتاژ‬
‫) را‬ ‫نهایی را مشخص میکنیم‪ Increment .‬نیز مقدار گامها را مشخص میکند‪ Ok .‬را بزنید و دکمه (‬

‫‪37‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫فشار دهید‪ .‬در صفحه ‪ Schematics‬باز شده از منوی ‪ Trace‬و با استفاده از گزینه ‪Add Trace‬‬
‫میتوان ولتاژها‪ ،‬جریانها و توانهای المانهای مختلف مدار را به ازای تغییرات ولتاژ ورودی مشاهده کرد‪.‬‬

‫همچنین با استفاده از این تحلیل میتوان دو پارامتر مدار را همزمان تغییر داد و خروجی را به ازای این تغییرات‬
‫مشاهده کرد‪ .‬فقط کافسیت بعد از تنظیم ‪ Primary Sweep‬با متغیر اول‪ ،‬در بخش ‪ Secondary Sweep‬نیز‬
‫تنظیمات مربوط به متغیر دوم انجام شود که در این صورت یک دسته منحنی برای خروجی نمایش داده میشود‪.‬‬

‫در این بخش میخواهیم بحث انتقال توان ماکزیمم را با استفاده از این تحلیل بررسی کنیم‪ .‬این موضوع را با‬
‫مثالی توضیح میدهیم‪:‬‬

‫در مدار زیر می خواهیم بدانیم که به ازای چه مقداری از ‪ RL‬حداکثر توان به این مقاومت انتقال پیدا میکند‪.‬‬

‫برای این کار باید ابتدا ‪ RL‬را به صورت پارامتری تعریف کنیم‪ .‬برای تعریف پارامتری ‪ RL‬روی مقدار آن دابل‬
‫کلیک کرده و آن را به }‪ {a‬تغییر میدهیم‪ .‬در قسمت بعد باید پارامتر ‪ a‬تعریف شود برای این کار در قسمت‬

‫ظاهر شود بعد آن را‬ ‫‪ Part Place‬عبارت ‪ PARAM‬را تایپ میکنیم تا شماتیک‬
‫باالی مدار قرار میدهیم‪ .‬بعد روی ‪ PARANETERS‬دابل کلیک می کنیم تا پنجره زیر باز شود‪.‬‬

‫‪38‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫بعد ‪ New Column‬را زده و پنجره ای را که باز میشود به صورت زیر پر میکنیم‪ .‬در قسمت ‪ Name‬نام پارامتر‬
‫و در قسمت ‪ Value‬مقدار آن را قرار می دهیم بعد زدن ‪ OK‬پارامتر ‪ a‬تعریف میشود و گزینهای به صورت‬
‫قسمت باال ظاهر میشود‪.‬‬ ‫در‬

‫در قسمت ‪ Analysis type‬نوع آنالیز مدار را ‪ DC Sweep‬انتخاب میکنیم و در ‪ Sweep Variable‬قسمت‬
‫‪ Global Parameter‬را انتخاب میکنیم‪ .‬و مقادیر را به صورت زیر پر میکنیم‪.‬‬

‫بعد از ‪ Run‬کردن مدار برای دیدن ماکزیمم توان انتقالی به ترتیب عبارت ‪ VL*VL/a‬را انتخاب کنید‪ .‬با این‬
‫کار شکل موج خروجی (ولتاژ خروجی به ازای مقادیر مختلف ‪ )RL‬دیده میشود‪.‬‬

‫‪39‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ 4-4‬تحلیل حوزه فرکانس (‪)AC Sweep‬‬

‫‪ AC Sweep‬تحلیلی است که در آن ورودی سینوسی با فرکانس متغیر (‪ VAC‬یا ‪ )IAC‬به مدار داده میشود‬
‫و نمودار تغییرات خروجی بر حسب فرکانس رسم میشود‪ .‬با توجه به اینکه این تحلیل همان تحلیل حالت دائمی‬
‫سینوسی است‪ ،‬متغیرها به صورت فازور (اعداد مختلط) میباشند و امکان محاسبه اندازه‪ ،‬فاز‪ ،‬قسمت حقیقی و‬
‫قسمت موهومی آنها وجود دارد‪ .‬کاربرد عمده این تحلیل رسم نمودارهای اندازه و فاز پاسخ فرکانسی‪ ،‬تعیین نوع‬
‫فیلترها و محاسبه پهنای باند و فرکانسهای قطع است‪.‬‬

‫‪ ‬همزمان با اجرای این تحلیل‪ ،‬تحلیل ‪ Bias Point‬نیز اجرا میشود که خروجیهای آن در شماتیک مدار‬
‫قابل مشاهده است‪.‬‬
‫‪ ‬با توجه به اینکه برای سلف و خازن امپدانس آنها در نظر گرفته میشود‪ ،‬شرایط اولیه تاثیری روی نتایج‬
‫تحلیل ندارند اما بر خروجی ‪ Bias Point‬اثر میگذارند‪ .‬مقدار ‪ DC‬منبع ‪ ،AC‬منابع ‪ DC‬و منابع متغیر‬
‫با زمان نیز تاثیری بر نتایج تحلیل ‪ AC Sweep‬ندارند ولی بر نتایج ‪ Bias Point‬اثر میگذارند‪.‬‬

‫منابع ورودی که در این بخش استفاده میشوند ‪ VAC‬و ‪ IAC‬هستند که دو پارامتر اصلی دارند‪ .‬یکی ‪Vac‬‬
‫(‪ )Iac‬که نشاندهنده دامنه ولتاژ ورودی است و دیگری ‪ )Idc( Vdc‬که نشاندهنده سطح ‪ )Offset( DC‬ولتاژ‬
‫ورودی است‪.‬‬

‫در مدار زیر میخواهیم پاسخ فرکانسی را بررسی کنیم‪:‬‬

‫‪40‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫بعد از رسم مدار‪ ،‬برای دیدن شکل موج خروجی باید از پروب استفاده کنیم برای این منظور میتوان از پروب‬
‫در خروجی استفاده کرد‪ .‬در قسمت ‪ Analysis type‬نوع آنالیز مدار را ‪AC Sweep‬‬ ‫ولتاژ‬
‫انتخاب میکنیم‪ .‬بعد از مقدار دهی ‪ Start Frquency‬و ‪ ،Stop Frequency‬در قسمت ‪ Points/Decade‬باید‬
‫تعداد نقاطی که بین ‪ Start Frquency‬و ‪ Stop Frequency‬میخواهیم مدار به ازای آنها شبیهسازی شود‪،‬‬
‫مشخص کنیم‪ .‬هر چه این مقدار بزرگتر باشد شکل موج خروجی بهتر دیده میشود‪ .‬این مقادیر به صورت زیر‬
‫مقدار دهی شدهاند‪:‬‬

‫بعد از ‪ Run‬کردن مدار شکل موج خروجی به صورت زیر دیده میشود‪.‬‬

‫‪41‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫با استفاده از شکل موج خروجی (که به آن پاسخ دامنه خروجی نیز گفته میشود) میتوان نوع فیلتر را تشخیص‬
‫داد‪ .‬که پاسخ دامنه خروجی نشان میدهد مدار شبیه سازی شده یک فیلتر پایین گذر است‪ .‬برای رسم پاسخ فاز‬
‫در صفحه ‪ Schematics‬از منوی ‪ Trace‬گزینه ‪ Add Trace‬را انتخاب کنید‪ .‬در صفحه باز شده از قسمت سمت‬
‫راست میتوان پارامترهای مختلف شکل موج خروجی را بدست آورد‪ P() .‬را انتخاب کرده و بعد داخل پرانتز باید‬
‫اسم شکل موج خروجی وارد شود برای این منظور ولتاژی که در شکل باال با خط چین مشخص شده را از بین‬
‫ولتاژهای سمت چپ انتخاب میکنیم‪.‬‬

‫‪42‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫با زدن ‪ OK‬پاسخ فاز مدار به صورت زیر بدست میآید‪:‬‬

‫‪ 5-4‬تحلیل حوزه زمان (‪)Time Domain‬‬

‫تحلیل ‪ Time Domain‬یا ‪ Transient‬تحلیل مدار در حوزه زمان است که ورودی آن منابع ‪ DC‬یا منابع متغیر‬
‫با زمان و خروجی آن بر حسب زمان در یک گستره خاص محاسبه میشود‪ .‬کاربرد عمده این تحلیل رسم شکل‬
‫موجهای ورودی و خروجی مدارها و محاسبه پاسخ پله مدار و ضربه مدار است‪.‬‬

‫‪ ‬همزمان با اجرای این تحلیل ‪ Bias Point‬نیز اجرا میشود که نتایج آن در شماتیک قابل مشاهده است‪.‬‬
‫‪ ‬منابع ‪ AC‬در این تحلیل صفر در نظر گرفته میشوند‪.‬‬
‫‪ ‬در صورتیکه برای سلف و خازن شرایط اولیه مشخص نکنید‪( Bias Point ،‬از طریق مدار باز کردن خازن‬
‫و اتصال کوتاه کردن سلف) شرایط اولیه را تعیین خواهد کرد‪.‬‬

‫منابع ولتاژی که در این بخش استفاده میشود در جدول زیر آمده است‪.‬‬

‫‪43‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪PART‬‬
‫‪PART‬‬ ‫‪SYMBOL‬‬ ‫‪PICTURE‬‬
‫‪NAME‬‬

‫موج‬
‫مربعی و‬ ‫‪VPULSE‬‬
‫مثلثی‬

‫موج‬
‫‪VSIN‬‬
‫سینوسی‬

‫موج‬
‫‪VEXP‬‬
‫نمایی‬

‫تحلیل زمانی مداری مطابق شکل زیر را انجام میدهیم‬

‫بعد از رسم مدار‪ ،‬برای دیدن شکل موجهای ورودی و خروجی باید از پروب استفاده کنیم برای این منظور میتوان‬
‫(پروبهای ولتاژ و جریان) در خروجی استفاده کرد‪ .‬در قسمت ‪ Analysis type‬نوع آنالیز‬ ‫از‬

‫‪44‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫مدار را ‪ Time Domain‬انتخاب میکنیم‪ .‬در این قسمت دو پارامتر اساسی باید مقداردهی شوند‪ ،‬که عبارتند از‬
‫‪ Run to Time‬و ‪ Run to Time .Maximum Step Size‬بازه زمانی است که در خروجی میخواهیم ببینیم‪.‬‬
‫این مقدار حداقل باید دو یا سه برابر ‪( PER‬دوره) باشد‪ .‬و ‪ Maximum Step Size‬گامهای شبیه سازی است‬
‫هر چه این مقدار کوچکتر باشد شکل موج خروجی بهتر دیده میشود و شکستگی کمتری دارد‪ .‬برای این مدار‬
‫مقادیر باال به صورت زیر تنظیم شدند‪.‬‬

‫بعد از ‪ Run‬کردن مدار شکل موجهای ورودی و خروجی به صورت زیر دیده میشود‪.‬‬

‫با استفاده از این نمودار میتوان در مورد پاسخ گذرا و پاسخ حالت دائمی مدار بررسی انجام داد‪.‬‬

‫‪45‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫آزمایش ‪5‬‬

‫پاسخ گذرای مدارهای ‪ RC‬و ‪RL‬‬

‫هدف از آزمایش‪ :‬بررسی پاسخ گذرای مدارهای ‪ RC‬و ‪ RL‬به ورودی پله‬

‫در سه آزمایش گذشته‪ ،‬پاسخ فرکانسی و پایدار مدارهای ‪ RL ،RC‬و ‪ RLC‬را‪ ،‬هنگامی که با ولتاژهای سینوسی‬
‫یا مربعی تحریک میشوند مطالعه نمودیم لکن از این مطلب که از لحظه اعمال ولتاژ ورودی تا لحظه دریافت‬
‫پاسخ کامل و پایدار‪ ،‬مدار دارای چه حالتی است‪ ،‬صحبتی به میان نیامد‪.‬‬

‫بطور کلی وقتی که مداری شامل قطعاتی نظیر خازن یا القاگر است‪ ،‬همواره یک حالت پایدار محسوس‪ ،‬از زمان‬
‫تحریک تا دریافت پاسخ کامل‪ ،‬وجود دارد‪ .‬مدت زمان این حالت ناپایدار‪ ،‬بستگی به اجزای مدار داشته و به نوع‬
‫اندازه ولتاژ اعمال شده بستگی ندارد‪ .‬پاسخ مدار در این مدت کوتاه به پاسخ گذرا موسوم است‪.‬‬

‫در این آزمایش پاسخ گذرای مدارهای ‪ RC‬و ‪ RL‬و روش اندازه گیری زمان ناپایداری (یا تاخیر زمانی) را ارائه‬
‫میکنیم‪.‬‬

‫‪ 1-8‬پاسخ گذرای مدار ‪ RC‬پایین گذر و باالگذر‬

‫الف) صافی پایین گذر‪ :‬شکل ‪ 1‬مدار ‪ RC‬پایین گذر را نشان میدهد‪ .‬کلید ‪ SW‬در لحظه ‪ t=0‬بسته میشود و‬
‫ولتاژ خروجی (پاسخ مدار) پس از مدت کوتاهی به مقدار نهایی خود‪ ،‬یعنی ‪ V‬خواهد رسید‪ .‬بطوریکه میدانید‪،‬‬
‫پس از بسته شده کلید‪ ،‬میتوان نوشت‪:‬‬

‫‪‬‬
‫‪Vo (t )  V 1  e t / ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪  RC‬‬

‫‪SW‬‬ ‫‪R‬‬
‫‪+‬‬
‫‪V‬‬ ‫‪Vi‬‬ ‫‪C‬‬ ‫)‪Vo(t‬‬
‫‪-‬‬

‫شکل ‪1‬‬

‫‪46‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫با توجه به اینکه بسته شدن کلید را میتوان به منزله اعمال یک ولتاژ پلهای با ارتفاع ‪ V‬به مدار دانست‪ ،‬ولتاژ‬
‫ورودی و پاسخ خروجی (منحنی )‪ )Vo(t‬بصورت شکل ‪ 2‬خواهد بود‪ .‬نکات قابل مالحظه در پاسخ خروجی عبارتند‬
‫از‪:‬‬

‫شکل ‪2‬‬
‫ثابت زمانی (‪:)Time Constant‬‬

‫به ثابت ‪ RC‬که از جنس زمان است‪ ،‬ثابت زمانی مدار ‪ RC‬گفته میشود و به ‪ ‬نشان میدهند‪ .‬گرچه از نظر‬
‫ریاضی ولتاژ خروجی )‪ Vo(t‬پس از مدت ‪ t  ‬به مقدار نهایی خود (‪ )V‬میرسد‪ ،‬لکن عمال پس از مدت ‪t  5‬‬
‫ولتاژ خروجی تقریبا برابر ولتاژ ورودی میشود‪ ،‬زیرا‪:‬‬

‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪Vo (5 )  V 1  e 5  0.994V‬‬

‫چنانچه درصد ولتاژ (یا جریان) خروجی بر حسب ثابت زمانی ‪ ‬رسم شود منحنی پاسخ شکل ‪ 3‬که یک منحنی‬
‫استاندارد میباشد‪ ،‬حاصل میگردد‪ .‬این منحنی وسیله بسیار جالب و سادهای برای تعیین پاسخ هر نوع مدار ‪RC‬‬
‫یا ‪ RL‬میباشد‪.‬‬

‫شکل ‪3‬‬

‫‪47‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫ب) صافی باال گذر‪ :‬شکل ‪ 4‬مدار باال گذر را نشان میدهد‪ .‬با بسته شدن کلید‪ ،‬خازن در مقابل جهش ورودی به‬
‫صورت اتصال کوتاه عمل نموده و ولتاژ خروجی به ‪ V‬ولت جهش میکند و پس از مدت کوتاهی به مقدار نهایی‬
‫خود یعنی صفر خواهد رسید‪ ،‬به طوری که پس از بسته شدن کلید‪ ،‬میتوان نوشت‪:‬‬

‫‪SW‬‬ ‫‪C‬‬
‫‪+‬‬
‫‪V‬‬ ‫‪Vi‬‬ ‫‪R‬‬ ‫)‪Vo(t‬‬
‫‪-‬‬

‫شکل ‪4‬‬
‫‪t / ‬‬
‫‪Vo (t )  Ve‬‬

‫‪  RC‬‬

‫بنابراین ولتاژ ورودی و پاسخ خروجی به صورت شکل ‪ 5‬خواهد بود‪.‬‬

‫شکل ‪5‬‬
‫مشابه صافی پایین گذر به ثابت ‪ ،RC‬ثابت زمانی گویند و عمال پس از مدت ‪ t  5‬ولتاژ خروجی تقریبا صفر‬
‫خواهد بود‪.‬‬

‫‪Vo (5 )  Ve 5  0.006V‬‬

‫پیش گزارش ‪ :1‬پاسخ گذرای مدارهای مربوط به ‪ RC‬پایین گذر با ‪ R  10k‬و ‪ C  100nF‬را با استفاده از نرم‬
‫افزار ‪ Orcad‬و تحلیل ‪ Time Transient‬شبیه سازی کنید و ثابت زمانی مدار را بدست آورید‪.‬‬

‫پیش گزارش ‪ :2‬در مدار مربوط به ‪ RC‬پایین گذر‪ ،‬چنانچه یک خازنی با مقدار ‪ 11‬نانوفاراد به موازات خازن‬
‫مدار قرار گیرد پاسخ مدار را چگونه توجیه می کنید؟‬

‫‪48‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫روش آزمایش‪:‬‬

‫‪ -1‬مدار شکل ‪ 1‬را با ‪ R  10k‬و ‪ C  100nF‬بسته و یک ولتاژ پلهای با دامنه ‪ 2‬ولت ماکزیمم به مدار اعمال‬
‫کنید (از موج مربعی با فرکانس حدود ‪ 111‬هرتز به عنوان ولتاژ پلهای استفاده کنید‪ ).‬ورودی مدار را به کانال ‪1‬‬
‫و خروجی آن را به کانال ‪ 2‬نوسان نگار متصل نمائید‪ .‬پاسخ مدار را مشاهده و رسم کنید و از روی منحنی بدست‬
‫آمده ثابت زمانی مدار را تعیین نموده و با مقدار ‪ RC‬مقایسه کنید‪.‬‬

‫‪ -2‬حال با خازن ‪ C  10nF‬و با مقاومتهای مجهولی که در اختیار دارید ( ‪ 22k ، 1k‬و ‪ ) 33k‬آزمایش را‬
‫تکرار و مقاومتهای مجهول را از روی پاسخ مدار بدست آورید‪( .‬در هر مرحله چنانچه الزم است فرکانس را تغییر‬
‫دهید تا زمان الزم برای شارژ و دشارژ فراهم شود)‪ .‬فرکانس در هر مرحله را یادداشت کنید‪.‬‬

‫‪ -3‬حال یک خازن ‪ C  10nF‬دیگر را به طور موازی با مقاومت ‪( R‬در مرحله ‪ )1‬قرار داده و پاسخ مدار را‬
‫مشاهده کنید‪.‬‬

‫‪ 2-8‬پاسخ گذرای مدار ‪ RC‬میان گذر‬

‫شکل ‪ 6‬مدار ‪ RC‬میان گذر را نشان میدهد‪.‬‬

‫‪R1‬‬ ‫‪C2‬‬
‫‪+‬‬
‫)‪Vi(t‬‬ ‫‪C1‬‬ ‫‪R2‬‬ ‫)‪Vo(t‬‬
‫‪-‬‬

‫شکل ‪6‬‬
‫با اعمال ولتاژ پلهای به این مدار خازنها به صورت اتصال کوتاه عمل مینمایند‪ ،‬لذا ‪ ، Vo  0‬لکن پس از ‪t  0‬‬
‫خازن ‪ C1‬و ‪ C 2‬شارژ میشوند‪ .‬ابتدا تمام جریان مقاومت ‪ R1‬وارد خازن ‪ C1‬شده (خازن ‪ C1‬در ‪ t  0‬اتصال‬
‫کوتاه است) لذا خازن ‪ C1‬سریعتر از ‪ C 2‬شارژ میگردد‪ .‬با افزایش ولتاژ خازن ‪ ، C1‬چون خازن ‪ C 2‬چندان شارژ‬
‫نشده است‪ ،‬ولتاژ خروجی تقریبا برابر ولتاژ خازن ‪ C1‬میباشد‪ ) Vo  VC1 ( .‬و بنابراین ولتاژ خروجی افزایش مییابد‪.‬‬
‫اما پس از مدتی با شارژ خازن ‪ C1‬و کاهش جریان آن و افزایش جریان خازن ‪ ، C 2‬خازن ‪ C 2‬بقدر کافی شارژ‬
‫شده بطوریکه از افزایش ولتاژ خروجی جلوگیری میکند و ولتاژ خروجی کاهش مییابد‪ .‬بنابراین ولتاژ خروجی‬
‫پس از زمان مشخصی به مقدار ماکزیممی خواهد رسید و در ‪ VC1  VC 2  V ، t  ‬خواهد بود‪ .‬با نوشتن‬
‫معادالت جریان و ولتاژ در مدار شکل ‪ 6‬به معادله دیفرانسیل زیر بین ورودی و خروجی خواهیم رسید‪:‬‬

‫‪49‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪R1  R2  R‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪C1  C2  C‬‬

‫‪d 2Vo‬‬
‫‪R 2C 2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪dV‬‬ ‫‪dV‬‬
‫‪ 3RC o  Vo  RC i‬‬ ‫‪I‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪dt‬‬

‫با انتگرالگیری از طرفین معادله باال در لحظه ‪ t  0‬معادله زیر بدست میآید‪:‬‬
‫‪‬‬
‫‪0‬‬
‫‪dVo‬‬
‫‪2‬‬
‫‪R C‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ 3RCVo   Vo  RCV‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪‬‬

‫با در نظر گرفتن شرط اولیه زیر داریم‪:‬‬

‫‪Vo 0  0‬‬

‫‪dVo 0 V‬‬

‫‪‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪RC‬‬

‫با حل معادله دیفرانسیل (‪ )I‬و با در نظر گرفتن شرایط اولیه بدست آمده خواهیم داشت‪:‬‬
‫‪3 5‬‬ ‫‪3 5‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪Vo t  ‬‬
‫‪V‬‬ ‫‪t‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪t‬‬
‫‪e‬‬ ‫‪2 RC‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪e‬‬ ‫‪2 RC‬‬
‫‪5‬‬ ‫‪5‬‬

‫برای محاسبه ماکزیمم ولتاژ خروجی از رابطه باال مشتق گرفته و برابر صفر قرار میدهیم‪:‬‬

‫‪dVo‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪0‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪t1 ‬‬ ‫‪Ln‬‬ ‫‪ 0.86‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪5 73 5‬‬

‫‪Vo‬‬ ‫‪max‬‬
‫‪ 0 .275V‬‬

‫بنابراین ولتاژ خروجی بصورت شکل ‪ 7‬خواهد بود ( ‪.)   RC‬‬

‫شکل ‪7‬‬
‫عمال پس از ‪ ، t  11‬ولتاژ خروجی تقریبا صفر (‪ )1/1167‬خواهد بود‪.‬‬

‫‪50‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫پیش گزارش ‪ :3‬پاسخ گذرای مدارهای مربوط به ‪ RC‬میان گذر با ‪ R  10k‬و ‪ C  100nF‬را با استفاده از نرم‬
‫افزار ‪ Orcad‬و تحلیل ‪ Time Transient‬شبیه سازی کنید و ثابت زمانی مدار را بدست آورید‪.‬‬

‫پیش گزارش ‪ :4‬با جابجا نمودن طبقه پایین گذر و باالگذر در مدار میانگذر‪ ،‬پاسخ گذرای مدار تغییری خواهد‬
‫نمود؟ در این حالت شکل پاسخ مدار را چگونه توجیه می کنید؟‬

‫روش آزمایش‪:‬‬

‫‪ -1‬مدار شکل ‪ 6‬را با ‪ R  10k‬و ‪ C  100nF‬بسته و یک ولتاژ پلهای با دامنه ‪ 2‬ولت ماکزیمم به مدار اعمال‬
‫کنید‪( .‬از موج مربعی با فرکانسس حدود ‪ 51‬هرتز به عنوان ولتاژ پلهای استفاده کنید)‪ .‬ورودی مدار را به کانال ‪1‬‬
‫و خروجی را به کانال ‪ 2‬نوسان نگار متصل نمائید و از روی آن پاسخ مدار را مشاهده و رسم کنید و با مقادیر‬
‫تئوری آن مقایسه کنید‪.‬‬

‫‪ -2‬مدار شکل ‪ 6‬را با ‪ C1  10nF‬و ‪ C2  100nF‬تکرار نمائید و شکل ولتاژ خروجی را رسم کنید‪.‬‬

‫‪ -3‬مدار شکل ‪ 6‬را با ‪ C1  100nF‬و ‪ C2  10nF‬تکرار نمائید و شکل ولتاژ خروجی را رسم کنید‪.‬‬

‫‪ 3-8‬پاسخ گذرای مدار ‪ RL‬پایین گذر‬

‫شکل ‪ 8‬مدار ‪ RL‬پایین گذر را نشان میدهد‪ .‬کلید ‪ SW‬در لحظه ‪ t  0‬بسته میشود و ولتاژ خروجی (پاسخ‬
‫مدار) پس از مدت کوتاهی به مقدار نهایی خود یعنی ‪ V‬خواهد رسید‪ .‬بطوریکه میدانید‪ ،‬پس از بسته شدن‬
‫کلید‪ ،‬میتوان نوشت‪:‬‬

‫‪SW‬‬ ‫‪L‬‬
‫‪+‬‬
‫‪Vi‬‬ ‫‪R‬‬ ‫)‪Vo(t‬‬
‫‪-‬‬

‫شکل ‪8‬‬
‫‪‬‬
‫‪Vo (t )  V 1  e‬‬ ‫‪t / ‬‬
‫‪‬‬
‫‪L‬‬
‫‪‬‬
‫‪R‬‬

‫‪51‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل ولتاژ خروجی مشابه مدار پایین گذر ‪ ،RC‬شکل ‪ 1‬خواهد بود و عمال ولتاژ خروجی پس از ‪ t  5‬به مقدار‬
‫نهایی خود خواهد رسید‪.‬‬

‫روش آزمایش‪:‬‬

‫مدار شکل ‪ 8‬را با ‪ L  18mH‬و با دو مقاومت ‪ 1k‬و ‪ 1.5k‬بجای ‪ R‬بسته و با اعمال ولتاژ پلهای با دامنه ‪2‬‬
‫ولت ماکزیمم به مدار‪ ،‬پاسخ مدار را رسم کنید (از موج مربعی با فرکانس حدود ‪ 6kHz‬به عنوان ولتاژ پلهای‬
‫استفاده کنید)‪ .‬ثابت زمانی مدار را از روی شکل ولتاژ خروجی بدست آورده و با مقدار تئوری آن مقایسه کنید‪.‬‬

‫‪52‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫آزمایش ‪6‬‬

‫پاسخ گذرای مدار ‪ RLC‬سری‬

‫هدف از آزمایش‪ :‬بررسی پاسخ گذرای مدار ‪ RLC‬سری به ورودی پله‬

‫شکل ‪ ،1‬مدار ‪ RLC‬سری را نشان می¬دهد‪ .‬اصوال با توجه به این که در کارکرد یک مدار ‪ RLC‬سری‪ ،‬ابتدا سلف‬
‫اثرات عمیقی در اجرای عملکرد مدار و سپس خازن اثرات خود را در انتهای آن ظاهر می¬سازد‪ ،‬لذا انتظار‬
‫می¬رود که مداری مشتمل بر هر دوی این عناصر عالوه بر مقاومت که همواره عامل میرایی است‪ ،‬رفتاری را ارائه‬
‫کند که در یک محدوده زمانی نزدیک به رفتار مدار ‪ RL‬و در محدوده¬ی دیگری نزدیک به رفتار مدار ‪ RC‬باشد‬
‫و این واقعیت در تمامی نمودارهایی که بعدا خواهیم دید بنا به مقادیر نسبی ‪ C ،R‬و ‪ L‬مشهود است‪ .‬در تمامی‬
‫این نمودارها که ولتاژ دو سر مقاومت‪ ،‬هدف کار بوده مشاهده می¬شود که ابتدای نمودار یک نمایی افزایشی‬
‫یعنی مبتدا به صفر‪ ،‬و انتهای آن یک نمایی منتهی به صفر است زیرا در ابتدا سلف شدیدا اثر خود را اعمال و‬
‫خازن اتصال کوتاه است ( ‪.) VC  0‬‬

‫‪SW‬‬ ‫‪L‬‬ ‫‪C‬‬

‫‪+‬‬
‫‪V‬‬ ‫‪Vi‬‬ ‫‪R‬‬ ‫)‪Vo(t‬‬
‫‪-‬‬

‫شکل ‪1‬‬

‫و بنابراین یک مدار ‪( RL‬پایینگذر) داریم که شکل ولتاژ خروجی نمایی صعودی خواهد بود‪ .‬پس از مدتی اثر‬
‫سلفی نامحسوس و سلف مثل اتصال کوتاه عمل میکند و خازن که تقریبا شارژ شده خواص خازنی خود را شدیدا‬
‫ظاهر میسازد و یک مدار ‪( RC‬باال گذر) خواهیم داشت که قاعدتا ولتاژ دو سر مقاومت باید در آن نزولی باشد‪.‬‬
‫هنگامی که این مدار با یک ولتاژ پلهای تحریک میشود (سوئیچ بسته میشود)‪ ،‬پاسخ گذرای مدار دارای ‪ 2‬شکل‬
‫کامال متمایز خواهد بود‪ ،‬برای تعیین معادله پاسخ‪ ،‬معادله ولتاژ مدار را پس از بسته شدن کلید مینویسیم‪:‬‬
‫‪di 1‬‬
‫‪dt C ‬‬
‫‪V L‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪idt  Ri‬‬

‫که با مشتق گرفتن از طرفین معادله حاصل میشود‪:‬‬

‫‪53‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪d 2i‬‬ ‫‪di‬‬ ‫‪i‬‬

‫‪L‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ R  dt   0‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪C‬‬

‫که دارای معادله مشخصه زیر با ریشههای ‪ S1‬و ‪ S2‬میباشد‪.‬‬

‫‪R‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪S2 ‬‬ ‫‪S‬‬ ‫‪0‬‬
‫‪L‬‬ ‫‪LC‬‬

‫‪R‬‬ ‫‪R2‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪S1  ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪2L‬‬ ‫‪4 L LC‬‬

‫‪R‬‬ ‫‪R2‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪S2  ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪2L‬‬ ‫‪4 L LC‬‬

‫بنابراین خواهیم داشت‪:‬‬

‫‪it   K1e s t  K 2 e s t‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬

‫شرایط اولیه عبارتند از‪:‬‬

‫‪i0  0‬‬

‫‪di0 V‬‬
‫‪‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪L‬‬

‫‪1‬‬
‫باشد‪ ،‬پاسخ مدار (یا جریان ‪ ) it ‬دارای شکلهای‬ ‫بزرگتر از‪ ،‬مساوی با‪ ،‬کوچکتر از‬ ‫‪R‬‬
‫برحسب این که‬
‫‪LC‬‬ ‫‪2L‬‬
‫زیر خواهد بود‪:‬‬

‫‪R‬‬ ‫‪1‬‬
‫باشد‪ ،‬پاسخ مدار به یک مقدار ماکزیمم میرسد و با ثابت زمانی معینی به صفر میل می‬ ‫‪‬‬ ‫‪ -1‬اگر‬
‫‪2L‬‬ ‫‪LC‬‬
‫کند‪ .‬این پاسخ به حالت "فوق میرایی"(‪ )over damped‬موسوم است‪.‬‬

‫‪V t  et  e t ‬‬

‫‪it  ‬‬ ‫‪e ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪L‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪‬‬

‫که در آن‪:‬‬

‫‪54‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪R2‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪4 L LC‬‬

‫‪2L‬‬
‫‪‬‬
‫‪R‬‬

‫شکل ‪2‬‬

‫نکته جالب‪ ،‬مقدار ثابت زمانی است که دو برابر مقدار آن در حالت مدار مشتمل بر ‪ L‬و ‪ R‬تنها میباشد‪ .‬البته‬
‫ثابت زمانی واقعی این مدار چندان مشخص نیست زیرا عوامل ‪ ‬و ‪  ‬هم در ایجاد آن نقش دارند و تنها تحت‬
‫‪2L‬‬
‫است که این وضعیت در حالت‬ ‫شرایطی که ‪ ‬خیلی کوچکتر باشد میتوان گفت که تقریبا ثابت زمانی‬
‫‪R‬‬
‫بحرانی محسوستر است‪.‬‬

‫‪R‬‬ ‫‪1‬‬
‫باشد‪ ،‬جریان مدار به ماکزیمم ‪ Imax‬میرسد و با ثابت زمانی ‪   2 L‬به سمت صفر میل‬ ‫‪‬‬ ‫‪ -1‬اگر‬
‫‪R‬‬ ‫‪2L‬‬ ‫‪LC‬‬
‫میکند‪ .‬این حالت به «میرایی بحرانی» ( ‪ ) Critically Damped‬موسوم است‪.‬‬

‫شکل ‪3‬‬
‫‪t‬‬

‫‪it  ‬‬
‫‪V ‬‬
‫‪te‬‬
‫‪L‬‬

‫‪55‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪2L‬‬
‫‪‬‬
‫‪R‬‬

‫‪V 1‬‬
‫‪I max ‬‬ ‫‪e‬‬
‫‪L‬‬

‫‪R‬‬ ‫‪1‬‬
‫باشد‪ ،‬پاسخ مدار بصورت یک موج سینوسی است که دامنه آن رفته رفته کم شده و به‬ ‫‪‬‬ ‫‪ -3‬اگر‬
‫‪2L‬‬ ‫‪LC‬‬

‫صفر میرسد‪ .‬این حالت به «نوسانی میرا» (‪ )Oscillatory Damped‬موسوم میباشد‪.‬‬

‫)‪i(t‬‬
‫‪V‬‬
‫‪Lω1‬‬

‫‪t‬‬
‫‪e‬‬

‫‪t‬‬

‫‪t‬‬
‫‪e‬‬

‫‪V‬‬
‫‪Lω1‬‬

‫شکل ‪4‬‬
‫‪t‬‬

‫‪it  ‬‬
‫‪V ‬‬
‫‪e sin 1t‬‬
‫‪L1‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪R2‬‬
‫‪1 ‬‬ ‫‪ 2‬‬
‫‪LC 4 L‬‬

‫فرکانس نوسانات برابر است با‪:‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪R2‬‬

‫‪f1 ‬‬ ‫‪ 2‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪LC 4 L‬‬

‫‪56‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪1‬‬ ‫‪R2‬‬
‫خیلی کوچک است‪ .‬در این حالت میتوان‬ ‫دارد‪ ،‬زیرا معموال در مقایسه با‬ ‫‪f1‬‬ ‫اثر کمی روی‬ ‫جمله‬
‫‪LC‬‬ ‫‪4L2‬‬

‫‪1‬‬
‫‪ f1 ‬نوشت‪.‬‬ ‫را به صورت‬ ‫‪f1‬‬ ‫مقدار‬
‫‪2 LC‬‬

‫ضریب میرایی (‪:)Damping Factor‬‬

‫در مدار ‪ ،RLC‬هنگامی که مقاومت ‪ R‬خیلی کوچک میشود‪ ،‬دامنه پاسخ نوسانی تقریبا ثابت میماند و وقتی که‬

‫‪R‬‬
‫‪  ‬به ضریب میرایی موسوم است‪.‬‬ ‫‪ R‬بزرگ است‪ ،‬دامنه پاسخ سریعاً به سمت صفر میل میکند‪ .‬نسبت‬
‫‪2L‬‬

‫‪2L‬‬
‫‪ ‬به جای‬ ‫‪‬‬ ‫به طور کلی برای تعیین پاسخ هر نوع مدار نوسانی‪ ،‬میتوان از شکل استاندارد ‪ 3‬با ثابت زمانی‬
‫‪R‬‬

‫‪L‬‬
‫استفاده نمود‪ .‬جریان مدار پس از ‪ t  5‬تقریبا برابر صفر است‪ .‬بنابراین زمان الزم برای آن که مدار به حالت‬
‫‪R‬‬

‫پایدار (جریان به صفر) برسد‪ ،‬بستگی به ‪ R‬و ‪ L‬دارد‪ .‬تغییر ‪ ،C‬فرکانس نوسانات را تغییر میدهد‪.‬‬

‫مقاومت بحرانی (‪:)Critical Resistance‬‬

‫مقاومت کل مدار که به ازای آن پاسخ مدار از حالت «فوق میرایی» به حالت «نوسانی میرا» تبدیل میشود به‬

‫مقاومت بحرانی موسوم بوده و مقدار آن برابر است با‪:‬‬

‫‪L‬‬
‫‪RC  2‬‬
‫‪C‬‬

‫بررسی نمود‪.‬‬ ‫‪RC‬‬ ‫به این ترتیب‪ ،‬پاسخ مدار را میتوان بر حسب‬

‫نوسانهای اضافی (‪:)Overshoot‬‬

‫‪57‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫چنانچه ولتاژ دو سر خازن را در نوساننگار مالحظه کنیم (حالت نوسانی میرا)‪ ،‬ولتاژ خازن از ولتاژ ‪ V‬تجاوز نموده‬
‫و پس از نوسانهایی به مقدار نهایی ‪ V‬میرسد‪ .‬این نوسانات اضافی به ‪ Overshoot‬موسوم است‪ .‬در پاسخ فرکانسی‬
‫تقویتکنندهها ممکن است چنین شکلی ظاهر شود که در این صورت میتوان تقویتکننده را مرکب از یک‬
‫تقویتکننده با باند عریض به اضافه یک مدار ‪ RLC‬دانست‪.‬‬

‫شکل ‪5‬‬

‫پیش گزارش ‪ :1‬پاسخ گذرای مدار مربوط به ‪ RLC‬سری با ‪ L  18mH‬و ‪ R  4.7k‬و به ازای سه مقدار مختلف‬
‫خازن ‪ C  220pF ، C  68 pF‬و ‪ C  680pF‬را با استفاده از نرم افزار ‪ Orcad‬و تحلیل ‪Transient Time‬‬

‫شبیه سازی کنید و در هر حالت نوع پاسخ خروجی را تعیین کنید‪.‬‬

‫پیش گزارش ‪ :2‬با توجه به پیش گزارش ‪ ،1‬در حالت میرای نوسانی‪ ،‬فرکانس نوسانات را اندازهگیری کنید و‬
‫روشی را برای اندازه گیری ضریب میرایی در آزمایشگاه ارائه دهید‪.‬‬

‫روش آزمایش‪:‬‬

‫‪ -1‬مدار شکل ‪ 1‬را با مقادیر ‪ R  4.7k ، C  680pF ، L  18mH‬بسته موج مربعی به دامنه ‪ 4Vp-p‬به آن‬
‫اعمال کنید‪ .‬شکل موج خروجی را به دقت رسم نموده و از روی آن فرکانس نوسانات را اندازه گرفته و با مقدار‬
‫تئوری مقایسه نمایید‪.‬‬

‫‪58‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -2‬همین آزمایش را با مقادیر ‪ C  68 pF‬و ‪ C  220pF‬تکرار نموده و در هر مورد پاسخ مدار را ترسیم و نتیجه‬
‫گیری نمایید‪.‬‬

‫پیش گزارش ‪ :3‬در پاسخ گذرای مدار ‪ RLC‬سری برای آنکه میرایی سریعا اتفاق افتد‪ ،‬چه راهی پیشنهاد می‬
‫کنید؟‬
‫پیش گزارش ‪ :4‬در شبیه سازی انجام گرفته برای حالت میرای نوسانی‪ ،‬نسبت ولتاژ ‪ Overshoot‬را به ولتاژ‬
‫پایدار خازن بدست آورید؟‬

‫‪ -3‬اکنون به کمک یک پتانسیومتر و با تغییر مقاومت مدار به صورت صعودی‪ ،‬مقاومت بحرانی مدار را تعیین و‬
‫شکل موج خروجی را رسم کنید ( ‪. ) C  680pF‬‬
‫‪ -4‬ثابت زمانی مدار را در حالت نوسانی میرا اندازه بگیرید‪( .‬با تغییر مقاومت به صورت نزولی این حالت را ایجاد‬
‫کنید)‪ .‬مقدار ‪ R‬را بنویسید‪ .‬ثابت زمانی تئوری را محاسبه نمایید‪.‬‬

‫شبیهسازی‪ :‬مدار فوق را تحلیل کامپیوتری نموده‪ ،‬ثابت زمانی را در حالت نوسانی میرا تعیین کنید‪.‬‬

‫‪ -5‬در حالت ‪ ،4‬ولتاژ دو سر خازن را روی نوساننگار مشاهده کنید و نسبت ولتاژ ‪ Overshoot‬را به ولتاژ پایدار‬
‫خازن اندازه گرفته و تعیین کنید که پس از چند نوسان‪ ،‬ولتاژ ‪ Overshoot‬به ‪ 2‬تا ‪ 5‬درصد ولتاژ نهایی میرسد‬
‫(منظور ولتاژ ‪ 4Vp-p‬است)‪.‬‬

‫ولتاژ ‪ 2‬تا ‪ 5‬درصد معیار مناسبی است که از آن به بعد میتوان ولتاژ خازن را پایدار فرض نمود‪.‬‬

‫‪59‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫آزمایش ‪7‬‬

‫پاسخ فرکانسی مدار ‪ RC‬پایینگذر‬

‫هدف از آزمایش‪ :‬بررسی مشخصه پاسخ دامنه و پاسخ فاز در مدارهای ‪ RC‬پایینگذر و ‪ RC‬میانگذر‬

‫‪ 1-5‬مدار ‪ RC‬پایینگذر‬

‫شکل ‪ 1‬مدار ‪ RC‬پایینگذر را نشان می دهد‪.‬‬

‫‪R‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬
‫)‪Vi(t‬‬ ‫‪C‬‬ ‫)‪Vo(t‬‬
‫‪-‬‬ ‫‪-‬‬

‫شکل ‪1‬‬
‫هنگامیکه یک موج سینوسی با دامنه ثابت ‪ Vin‬و فرکانس متغیر ‪ f‬به دو سر ورودی این مدار اعمال شود‪ ،‬ولتاژ‬
‫خروجی (یا پاسخ مدار) نیز موجی سینوسی ولی با دامنه و فازی متفاوت با ولتاژ ورودی بوده و بطور کلی تابعی‬
‫از فرکانس موج ورودی خواهد بود‪ .‬بنابراین اگر ولتاژ ورودی به صورت ‪ Vi t   Vin sin t  Vie0‬باشد‪ ،‬می توان‬
‫ولتاژ خروجی را بصورت زیر نوشت‪:‬‬

‫‪Vo t   Von sin t     Voe  ‬‬

‫نسبت ولتاژ خروجی به ولتاژ ورودی تابعی از فرکانس بوده و به تابع پاسخ فرکانسی و یا تابع انتقال موسوم است‬
‫و با رابطه زیر نشان داده می شود‪:‬‬

‫‪Vo Vo‬‬
‫‪Av ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ ‬‬
‫‪Vi‬‬ ‫‪Vi‬‬

‫‪Vo‬‬ ‫‪Vo‬‬
‫سبت به فرکانس به‬ ‫و ‪ ‬تابع فرکانس ‪ f‬خواهند بود‪ .‬منحنی نمایش تغییرات‬ ‫بطوریکه خواهیم دید‪،‬‬
‫‪Vi‬‬ ‫‪Vi‬‬
‫مشخصه پاسخ دامنه و منحنی تغییرات ‪ ‬نسبت به فرکانس به مشخصه فاز موسوم است‪.‬‬

‫اکنون مدار شکل ‪ 1‬را در نظر می گیریم‪ .‬تابع پاسخ فرکانسی برای این مدار بصورت زیر تعیین میشود‪:‬‬

‫‪60‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪1 ‬‬

‫‪Vi   R ‬‬ ‫‪I‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪jC ‬‬ ‫‪Vo‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪Av ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ Av  ‬‬
‫‪V   1  I‬‬ ‫‪Vi 1  jRC‬‬
‫‪ o  jC ‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬

‫که در آن‪:‬‬

‫‪Vo‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪Av ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪Vi‬‬ ‫‪1  RC ‬‬
‫‪2‬‬

‫‪  Arctg  RC ‬‬

‫‪Vo‬‬
‫خواهد بود‪ .‬همچنین در‬ ‫‪1‬‬ ‫رابطه نخست نشان می دهد که در فرکانسهای پایین‪ ،‬وقتیکه ‪ RC  1‬است‬
‫‪Vi‬‬
‫‪Vo‬‬
‫است‪ .‬مدار ‪ RC‬فوق که ولتاژهای با فرکانس پایین را از‬ ‫‪0‬‬ ‫فرکانسهای باال‪ ،‬وقتیکه ‪ RC  1‬می باشد‪،‬‬
‫‪Vi‬‬
‫خود عبور می دهد و ولتاژهای با فرکانس باال را به شدت تضعیف می نماید به "فیلتر پایین گذر‪ "1‬موسوم است‪.‬‬

‫خاصیت دیگر این مدار اختالف فازی است که بین ولتاژ خروجی و ولتاژ ورودی ایجاد می نماید‪ .‬بطوریکه از رابطه‬
‫دوم (فاز) بر می آید‪ ،‬در فرکانسهای پایین‪   0 ،‬بوده و در فرکانسهای باال‪   90 ،‬خواهد بود‪.‬‬

‫فرکانس قطع یا فرکانس نصف قدرت که با ‪ fc‬نشان داده می شود‪ ،‬فرکانسی است که صافی پایین گذر فرکانسهای‬
‫باالتر از آن را به شدت تضعیف می کند‪ .‬در این فرکانس اندازه توان خروجی به نصف ماکزیمم توان خروجی می‬
‫‪1‬‬
‫ولتاژ ورودی در فرکانس عبور کاهش می یابد)‪ .‬بنابراین فرکانس قطع‬ ‫رسد (در این مدار ولتاژ خروجی به‬
‫‪2‬‬
‫برابر است با‪:‬‬

‫‪Vo‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪fc ‬‬
‫‪Vi‬‬ ‫‪1  RC ‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2RC‬‬

‫انتگرال گیر ‪:RC‬‬

‫چنانچه مقادیر ‪ R‬و ‪ C‬طوری انتخاب شوند که ‪ RC  1‬باشد‪ ،‬بطوریکه دیده ایم در فرکانسهای بزرگتر از‪fc ،‬‬
‫اندازه ‪ Vo‬بسیار کوچک و تقریبا برابر صفر است‪ .‬در این صورت با توجه به شکل مدار می توان نوشت‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Low Pass Filter‬‬

‫‪61‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪‬‬ ‫‪dV t ‬‬

‫‪‬‬‫‪V t   Rit   V0 t   Rit   RC 0‬‬
‫‪ i‬‬
‫‪V0 t  ‬‬ ‫‪Vi t dt‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪RC ‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪it   i t   C c  C 0‬‬
‫‪dV‬‬ ‫‪t‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪dV‬‬ ‫‪‬‬‫‪t‬‬ ‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪c‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪dt‬‬

‫رابطه فوق نشان می دهد که ولتاژ خروجی انتگرال (تابع اولیه) ولتاژ ورودی است‪ .‬لذا تحت شرایط ‪RC  1‬‬
‫مدار فوق را یک انتگرال گیر می نامند‪.‬‬

‫پیش گزارش ‪ :1‬مدار مربوط به فیلتر پایین گذر (مقادیر ‪ R  10k‬و ‪ ) C  100nF‬را با استفاده از نرم افزار‬
‫‪ Orcad‬شبیه سازی کرده و موارد زیر را بررسی کنید‪:‬‬

‫‪ ‬مشخصه پاسخ دامنه و پاسخ فاز را با استفاده از تحلیل ‪ AC Sweep‬در حالت بدون بار رسم کنید؟‬
‫‪ ‬مشخصه پاسخ دامنه و پاسخ فاز را با استفاده از تحلیل ‪ AC Sweep‬در حالت با بار رسم کنید؟ (فرض‬
‫کنید باری با مقدار ‪ 5.6k‬به صورت موازی با خازن قرار گرفته است) نتیجه بدست آمده از این دو‬
‫بخش را با هم مقایسه کرده و تاثیر مقاومت بار بر روی پاسخ دامنه و پاسخ فاز را بررسی کنید‪.‬‬

‫شرح آزمایش‪:‬‬

‫با استفاده از مقاومت ‪ R  10k‬و ‪ C  100nF‬مداری مطابق شکل ‪ 2‬به صورت فیلتر پایین گذر ببندید‪:‬‬

‫‪R‬‬
‫‪+‬‬
‫‪Rg‬‬
‫‪C‬‬ ‫)‪Vo(t‬‬
‫‪Vg‬‬

‫‪-‬‬

‫شکل ‪2‬‬
‫‪ -1‬بوسیله نوسان ساز یک موج سینوسی با مقدار دامنه ‪ 4‬ولت (پیک تو پیک) به مدار اعمال نمایید و با‬
‫فرکانسهایی که در جدول ‪ 1‬قید شده مقدار دامنه ولتاژ خروجی و اختالف فاز بین موج ورودی و خروجی را‬
‫بوسیله اسیلوسکوپ اندازه گرفته و یادداشت کنید‪ .‬دقت داشته باشید در هنگامیکه فرکانس نوسان ساز را تغییر‬
‫می دهید‪ ،‬دامنه ولتاژ ورودی تغییر نکند و همواره روی دامنه ‪ 4‬ولت ثایت بماند‪ .‬در جدول زیر سطر مربوط به‬
‫‪ Vo‬محاسبه شده و ‪ ‬محاسبه شده از طریق روابط تئوری را در گزارش کار تحویلی کامل کنید‪.‬‬

‫فرکانس قطع این فیلتر را به کمک اسیلوسکوپ اندازه گرفته و با نتیجه تئوری مقایسه کنید‪.‬‬

‫‪62‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫جدول ‪1‬‬

‫‪ Vo‬اندازه گیری‬
‫فرکانس ‪f‬‬ ‫‪ ‬اندازه گیری شده‬ ‫‪ Vo‬محاسبه شده‬ ‫‪ ‬محاسبه شده‬
‫شده‬
‫‪21 Hz‬‬
‫‪51 Hz‬‬
‫‪111 Hz‬‬
‫‪151 Hz‬‬
‫‪251 Hz‬‬
‫‪511 Hz‬‬
‫‪1111 Hz‬‬
‫‪3111 Hz‬‬
‫‪11111 Hz‬‬

‫پیش گزارش ‪ :2‬در آزمایش ‪ 3‬مقاومت داخلی مربوط به فانکشن ژنراتور اندازه گیری شد حال با در نظر گرفتن‬
‫این موضوع‪ ،‬اضافه شدن مقاومت داخلی فانکشن ژنراتور به مدار ‪ RC‬پایین گذر (در حالت بدون بار) چه تاثیری‬
‫بر پاسخ دامنه مدار و فرکانس قطع خواهد داشت؟‬

‫‪ -2‬در این مرحله قصد داریم تا نتایج بدست آمده از شبیهسازی در پیش گزارش ‪ 1‬را مورد بررسی قرار دهیم‪.‬‬
‫یک مقاومت ‪ 5.6k‬را به صورت موازی با خازن ‪ C‬در مدار قرار دهید‪ .‬بوسیله نوسان ساز یک موج سینوسی با‬
‫دامنه ‪ 4‬ولت (پیک تو پیک) به مدار اعمال نمایید‪ .‬فرکانس نوسان ساز را روی مقادیر ‪ 20kHz‬و ‪ 20Hz‬تنظیم‬
‫ولتاژ خروجی ماکزیمم ( ‪) Vmax‬‬ ‫‪f  20Hz‬‬ ‫کنید و مقادیر ولتاژ خروجی در هر حالت را یادداشت کنید‪ .‬به ازای‬
‫تنظیم کنید‪ .‬فرکانسی که به ازای‬ ‫‪0.7Vmax‬‬ ‫خواهد بود‪ .‬سپس با تغییر فرکانس ورودی مدار‪ ،‬ولتاژ خروجی را روی‬
‫آن ولتاژ خروجی ‪ 0.7Vmax‬میشود‪ ،‬فرکانس قطع خواهد بود‪ .‬این فرکانس را یادادشت کرده و با نتایج بدست‬
‫آمده از شبیهسازی در پیش گزارش ‪ 1‬مقایسه کنید‪.‬‬

‫پیش گزارش ‪ :3‬مدار مربوط به فیلتر پایین گذر به ازای ‪ R  10k‬و ‪ C  100nF‬و با استفاده از تحلیل ‪Time‬‬
‫‪ Domain‬شبیه سازی کنید و مقدار ‪ T/RC‬را برای انتگرالگیری مناسب بدست آورید؟ (ورودی فیلتر را موج‬
‫مربعی با تناوب ‪ T‬قرار دهید و به ازای ‪ T‬های مختلف شبیه سازی را انجام دهید‪).‬‬

‫‪-3‬مدار انتگرالگیر ‪:RC‬‬

‫مدار پایین گذر را با مقاومت ‪ R‬و خازن ‪ C  100nF‬تشکیل دهید‪ .‬نوسان ساز را به ورودی مدار متصل نموده و‬
‫یک موج مربعی با دامنه ماکزیمم ‪ 4‬ولت به مدار اعمال کنید و پاسخ مدار را بوسیله اسیلسکوپ مشاهده نمایید‪.‬‬

‫‪63‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫فرکانس موج ورودی را در حدود ‪ 100Hz‬انتخاب کنید‪ .‬با استفاده از مقاومتهای ‪ 22k ، 10k ، 6.8k‬و‬
‫‪ 150k‬به جای ‪ ، R‬شکل موج خروجی را در هر حالت مشاهده و به دقت (دامنه و زمانها کامالً مشخص باشد)‬
‫رسم نمایید‪ .‬بجای موج مربعی در حالت اخیر ( ‪ ) 150k‬یک موج سینوسی با دامنه ماکزیمم ‪ 4‬ولت به مدار‬
‫اعمال کنید به فاز ولتاژ خروجی نسبت به ورودی توجه کنید‪ .‬این اختالف فاز را چگونه توجیه میکنید؟‬

‫‪ 2-5‬مدار ‪ RC‬میانگذر‬

‫شکل ‪ 2‬ترکیب دو فیلتر پایین گذر و باالگذر را به طور سری نشان میدهد‪ .‬تابع پاسخ فرکانسی برای این مدار‬
‫عبارتست از‪:‬‬

‫‪C‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬
‫)‪Vi(t‬‬ ‫‪C‬‬ ‫‪R‬‬ ‫)‪Vo(t‬‬
‫‪-‬‬ ‫‪-‬‬

‫شکل ‪2‬‬
‫‪Vo‬‬ ‫‪jRC‬‬
‫‪Av ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪Vi 1  3 jRC   2 R 2 C 2‬‬

‫‪Vo‬‬ ‫‪RC‬‬
‫‪Av ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪Vi‬‬ ‫‪1  ‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪R C 2   9 2 R 2 C 2‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪ 3RC ‬‬

‫‪  90  Arctg ‬‬ ‫‪2 ‬‬
‫‪1  R C ‬‬
‫‪2 2‬‬

‫‪Vo‬‬
‫و وقتی که باشد‪   90 ،‬و میشود‬ ‫‪1‬‬ ‫در فرکانسهای باال‪ ،‬وقتی که است‪ ،‬خواهیم داشت‪   0 :‬و‬
‫‪Vi‬‬

‫‪Vo‬‬
‫‪ ،‬لذا‬ ‫‪0‬‬ ‫در فرکانسهای باال ‪ RC  1‬و همچنین در فرکانسهای پایین ‪ RC  1‬خواهیم داشت‪:‬‬
‫‪Vi‬‬

‫خروجی در بعضی فرکانسهای میانی به ماکزیمم مقدار خود خواهد رسید و با تغییر فرکانس به صورت صعودی‬
‫یا نزولی خروجی کاهش خواهد یافت‪ .‬لذا این مدار به صافی میانگذر‪ 2‬موسوم است‪.‬‬

‫‪2‬‬
‫‪Band Pass Filter‬‬

‫‪64‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫فرکانسی را که در آن خروجی به ماکزیمم خود میرسد فرکانس مرکزی‪ 3‬یا میانی مینامند و با ‪ f0‬نشان می‬
‫‪1‬‬
‫برابر ماکزیمم خودش میرسد پهنای باند‪ 4‬نامیده می‬ ‫دهند‪ .‬اختالف بین دو فرکانس که در آنها خروجی به‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫توان ماکزیمم خروجی است)‪.‬‬ ‫شود (در این دو فرکانس توان خروجی‬
‫‪2‬‬

‫محاسبهی فرکانس مرکزی ‪: f0‬‬

‫‪d Av‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪0‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ω‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪f0 ‬‬
‫‪d‬‬ ‫‪RC‬‬ ‫‪2RC‬‬

‫‪Av  f 0  ‬‬ ‫‪Av  f 0  ‬‬

‫‪j‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪‬‬
‫‪1  3 j 1‬‬ ‫‪3‬‬

‫محاسبهی پهنای باند )‪:(BW‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Av ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪R 4 C 4 4  11R 2 C 2 2  1  0‬‬
‫‪3 2‬‬

‫‪BW  f1  f 2‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪f1 ‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪f2 ‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬

‫( ‪ 1‬و ‪ 2‬ریشههای مثبت معادله باال هستند)‪.‬‬

‫‪1  2 2  12  22  212 ‬‬ ‫‪11‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫‪2 2 2‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪1  2  ‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪RC‬‬ ‫‪RC‬‬ ‫‪RC‬‬

‫‪3‬‬
‫‪BW ‬‬
‫‪2RC‬‬

‫‪3.3‬‬
‫‪1 ‬‬
‫‪RC‬‬

‫‪0.3‬‬
‫‪2 ‬‬
‫‪RC‬‬

‫‪3‬‬
‫‪Central Frequency‬‬
‫‪4‬‬
‫‪Band Width‬‬

‫‪65‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫روش آزمایش‪:‬‬

‫الف – صافی میان گذر ‪: RC‬‬

‫با استفاده از مقاومت ‪ R  10k‬و ‪ C  100nF‬مدار میانگذری بسازید‪ .‬یک موج سینوسی با ولتاژ ماکزیمم ‪2‬‬
‫ولت به مدار اعمال نموده و برای فرکانسهای داده شده در جدول ‪ 2‬مقدار ولتاژ خروجی و اختالف فاز را اندازه‬
‫گیری کنید‪ .‬دقت داشته باشید که هنگامی که فرکانس نوسانساز را تغییر میدهید‪ ،‬ولتاژ ورودی تغییر نکند و‬
‫همواره روی ‪ 2‬ولت ثابت بماند‪.‬‬

‫‪-‬فرکانس قطع و پهنای باند این فیلتر را به صورت تئوری و عملی محاسبه کنید‪.‬‬

‫پیش گزارش ‪ :3‬اگر در فیلتر میان گذر جای دو طبقه پایین گذر و باالگذر عوض شود‪ ،‬آیا در مشخصه پاسخ‬
‫دامنه و پاسخ فاز اثر خواهد داشت؟ (با استفاده از شبیه سازی در ‪ Orcad‬و تحلیل ‪ AC Sweep‬بررسی کنید‪).‬‬

‫پیش گزارش ‪ :4‬وجود یک مقاومت بار یعنی ‪ RL  56k‬در خروجی چه تاثیری در مشخصه پاسخ دامنه و‬
‫پاسخ فاز یک فیلتر میان گذر دارد؟‬

‫ب – مدار میانگذر در فرکانسهای خیلی باال و خیلی پایین‪:‬‬

‫به مدار میانگذر ساخته شده در قسمت الف موج مربعی با دامنه ‪ 4 v p  p‬اعمال نمایید‪ .‬شکل ولتاژ خروجی را‬
‫برای فرکانسهای ‪ 150Hz ، 30Hz‬و ‪ 2kHz‬رسم نمایید‪ .‬شکل ولتاژ خروجی را چگونه توجیه مینمایید؟‬

‫آیا می توان از یک فیلتر میان گذر به عنوان یک مدار انتگرال گیر یا مشتق گیر استفاده نمود؟ در صورت امکان‬
‫محدوه ای از فرکانس را تعیین کنید که چنین عملی صورت گیرد؟‬

‫‪66‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫جدول ‪2‬‬

‫‪ Vo‬اندازه گیری‬
‫فرکانس ‪f‬‬ ‫‪ ‬اندازه گیری شده‬ ‫‪ Vo‬محاسبه شده‬ ‫‪ ‬محاسبه شده‬
‫شده‬
‫‪21 Hz‬‬
‫‪51 Hz‬‬
‫‪111 Hz‬‬
‫‪151 Hz‬‬
‫‪211 Hz‬‬
‫‪311 Hz‬‬
‫‪511 Hz‬‬
‫‪1111 Hz‬‬
‫‪3111 Hz‬‬
‫‪11111 Hz‬‬

‫‪67‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫آزمایش ‪8‬‬

‫آشنایی با مشخصات انواع دیود های نیمه هادی و مدارهای کاربردی دیودی‬

‫هدف از آزمایش‪ :‬در این آزمایش با م شخ صه دیود ‪ 1N4001‬و همچنین با طرح های مداری مختلف و کاربردهای‬
‫عمومی دیودها آشنا میشوید‪ .‬از این طرح ها می توان در پروژه های مختلف الکترونیکی استفاده کرد‪.‬‬

‫‪ -1-1‬مشخصه دیود ‪1N4001‬‬

‫پیشگزارش‪ )1 -‬دیودها دارای جریان معکوس خیلی کوچکی می باشننند که با وسننایل موجود در آزمایشننگاه قابل‬
‫اندازه گیری نمی با شند‪ .‬اگر گالوانومتری در اختیار دا شته با شیم می توانیم جریان ا شباع معکوس دیود را به و سیله ی‬
‫آن اندازه گیری کنیم‪ .‬چرا در این حالت باید ولت متر را از مدار خارج سازیم؟‬

‫شرح آزمایش‪:‬‬

‫‪ -‬مدار شننکل (‪ )1-1‬را ببندید‪ .‬این نحوه ی اتصننال دیود را اتصننال مسننتقیم می گویند‪ .‬ولتاژ منبع ‪ Vs‬را تا مقدار‬
‫مشخص شده در جدول افزایش دهید و ولتاژ و جریان دیود را در جدول (‪ )1-1‬یادداشت کنید‪.‬‬
‫توجه‪ :1‬در ابتدا از سالم بودن سیم ها دستگاه ها و دیودی که در اختیار دارید اطمینان حاصل کنید‪.‬‬

‫توجه‪ :2‬آمپرمتر را به صورت موازی اتصال ندهید‪.‬‬

‫شکل (‪)1-1‬‬

‫‪68‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫جدول (‪)1-1‬‬

‫‪Vs‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1/2‬‬ ‫‪1/4‬‬ ‫‪1/6‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1/5‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪11‬‬ ‫‪15‬‬
‫‪VD‬‬
‫‪ID‬‬

‫گزارش کار‪ )1 -‬ولتاژ دو سر دیود و جریان آن را اندازه بگیرید و در جدول باال یادداشت نمایید‪.‬‬

‫گزارش کار‪ )2 -‬از جدول بدست آمده در گزارش کار (‪ )1-1‬منحنی جریان بر حسب ولتاژ دیود را رسم نمایید‪ .‬تقریباً‬
‫از چه ولتاژی به بعد دیود هدایت می کند؟‬

‫‪ rd = ∆V‬بدست می آید‪.‬‬
‫‪∆I‬‬
‫همان طور که می دانید‪ ،‬مقاومت دینامیکی دیود از رابطه ی‬

‫گزارش کار‪ )3 -‬مقاومت دینامیکی دیود ‪ 1N4001‬را در نقاط مختلف از روی اعداد بدسنننت آمده در جدول (‪)1-1‬‬
‫محاسبه کنید‪.‬‬

‫‪ - 2-1‬آشنایی با مدارهای کاربردی دیودی‬

‫‪ 1-2-1‬مدارهای ‪Clamp‬‬

‫از مدارهای ‪ Clamp‬برای تغییر سطح ‪ DC‬سیگنال استفاده می شود‪ .‬در این مدارها شکل موج ثابت می ماند و فقط‬
‫مقدار ‪ DC‬آن جابجا خواهد شنند‪ .‬می توانیم با اسننتفاده از این مدارها سننطح ‪ DC‬سننیگنال را افزایش و یا کاهش دهیم‪.‬‬
‫ال مشخص است که برای رسیدن به این هدف در این نوع مدارهای دیودی‪ ،‬از خازن استفاده می شود‪ .‬در اشکال زیر‬
‫کام ً‬
‫سیگنالی را مشاهده می کنید که یک بار افزایش مقدار ‪ DC‬و بار دوم کاهش سطح ‪ DC‬داشته است‪.‬‬

‫‪69‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل (‪ -)2-1‬سیگنال سینوسی با سطح ‪ DC‬صفر‬

‫شکل (‪ -)3-1‬سیگنال سینوسی با سطح ‪+2 DC‬‬

‫مدارهای ‪ Clamp‬در تقویت کننده های ویدئویی گیرنده های تلویزیونی به منظور بازیابی سطح ‪ DC‬سیگنال استفاده‬
‫می شوند‪ .‬همچنین از این مدارها در دستگاه ‪ Function Generator‬استفاده می شود‪ .‬صفر بودن مقدار ‪ Offset‬به معنی‬
‫مقدار ‪ DC‬صفر در سیگنال ‪ AC‬می باشد‪.‬‬

‫‪70‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل (‪ -)4-1‬سیگنال سینوسی با سطح ‪-2 DC‬‬

‫پیشگزارش‪ )2 -‬اگر خروجی مدار شکل (‪ )5-1‬دو سر مقاومت ‪ ،111 KΩ‬باشد‪ ،‬خروجی مدار را به ازای یک موج‬
‫سینوسی با دامنه ی ماکزیمم ‪ ،6 V‬رسم نمایید و نحوه ی عملکرد آن را به صورت کامل توضیح دهید‪.‬‬

‫پیشگزارش‪ )3 -‬اگر خروجی مدار شکل (‪ )6-1‬دو سر مقاومت ‪ ،111 KΩ‬باشد‪ ،‬خروجی مدار را به ازای یک موج‬
‫سینوسی با دامنه ی ماکزیمم ‪ ،6 V‬رسم نمایید و نحوه ی عملکرد آن را به صورت کامل توضیح دهید‪.‬‬

‫شرح آزمایش‪:‬‬

‫مدار شکل (‪ )5-1‬را روی بِرد بورد ببندید‪ .‬منبع ورودی را روی شکل موج سینو سی با دامنه ی ماکزیمم ‪4 V‬‬ ‫‪-‬‬
‫قرار دهید‪.‬‬

‫شکل (‪)5-1‬‬

‫‪71‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫گزارش کار‪ )1 -‬به ازای فرکانس های ‪ 111 Hz ،1 KHz‬و ‪ ،11 Hz‬شکل موج های ورودی و خروجی را ر سم کنید‪.‬‬
‫تفاوت شکل موج های خروجی را به ازای فرکانس های مختلف توجیه کنید‪.‬‬

‫گزارش کار‪ )2 -‬اگر در مدار شکل (‪ )5-1‬از مقاومت هایی با مقادیر کمتر استفاده کنیم چه اتفاقی خواهد افتاد؟‬

‫مدار شکل (‪ )6-1‬را روی بِرد بورد ببندید‪ .‬منبع ورودی را روی شکل موج سینو سی با دامنه ی ماکزیمم ‪ 4 V‬قرار‬ ‫‪-‬‬
‫دهید‪.‬‬

‫شکل (‪)6-1‬‬

‫گزارش کار‪ )3 -‬به ازای فرکانس های ‪ 111 Hz ،1 KHz‬و ‪ ،11 Hz‬شکل موج های ورودی و خروجی را ر سم کنید‪.‬‬
‫تفاوت شکل موج های خروجی را به ازای فرکانس های مختلف توجیه کنید‪.‬‬

‫گزارش کار‪ )4 -‬اگر در مدار شکل (‪ )6-1‬از مقاومت هایی با مقادیر کمتر استفاده کنیم چه اتفاقی خواهد افتاد؟‬

‫گزارش کار‪ )5 -‬در مدار شکل (‪ )7-1‬اگر ورودی دارای ولتاژ پیک تا پیک ‪ ،4 V‬بدون ‪ Offset‬با شد‪ ،‬خروجی مدار را‬
‫رسم نمایید‪.‬‬

‫شکل (‪)7-1‬‬

‫‪72‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫گزارش کار‪ )6 -‬در مدار شکل (‪ )8-1‬اگر ورودی دارای ولتاژ پیک تا پیک ‪ ،4 V‬بدون ‪ Offset‬با شد‪ ،‬خروجی مدار را‬
‫رسم نمایید‪.‬‬

‫شکل (‪)8-1‬‬

‫‪ -2-2-1‬مدارهای ‪Clipper‬‬

‫از این نوع مدارها هنگامی استفاده می کنیم که می خواهیم قسمتی از شکل موج را انتقال بدهیم و قسمتی را حذف‬
‫کنیم‪ .‬مدارهای آزمایش قبل شکل موج ورودی را در خروجی حفظ می کردند در حالی که در مدارهای ‪ Clipper‬شکل‬
‫موج ورودی بریده می شود و در خروجی نمایش داده می شود‪ .‬معموالً در این نوع مدارها از ولتاژهای مرجع برای سطح‬
‫برش استفاده می شود‪.‬‬

‫مدارهای برش دهنده سیکل مثبت سیگنال‬

‫برشگرهای سیکل مثبت سیگنال در شکل (‪ ) 9-1‬نشان داده شده اند‪ .‬مشخصه ی ورودی و خروجی در شکل های‬
‫(‪ )11-1‬و (‪ )11-1‬نشان داده شده است‪.‬‬

‫شکل (‪)9-1‬‬

‫‪73‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل (‪)11-1‬‬

‫شکل (‪)11-1‬‬

‫برای اتصال سری دیود‪:‬‬

‫هنگامی که ولتاژ ورودی کمتر از صننفر می باشنند‪ ،‬دیود روشننن اسننت‪ ،‬و ولتاژ خروجی همان ولتاژ ورودی می باشنند‪.‬‬
‫زمانی که ولتاژ ورودی بیشتر از صفر می شود‪ ،‬دیود خاموش خواهد شد و ولتاژ ورودی به خروجی منتقل نخواهد شد در‬
‫نتیجه خورجی صفر باقی خواهد ماند‪.‬‬

‫‪74‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫برای اتصال موازی دیود‪:‬‬

‫هنگامی که ولتاژ ورودی کمتر از صننفر می باشنند‪ ،‬دیود خاموش اسننت در نتیجه ولتاژ ورودی را در خروجی خواهیم‬
‫دید‪ .‬اما زمانی که ولتاژ ورودی بیشتر از صفر می شود‪ ،‬دیود روشن خواهد شد و ولتاژ خروجی را صفر خواهد کرد‪.‬‬

‫مدارهای برش دهنده مثبتِ دارای ولتاژ مرجع مثبت‬

‫این مدار در شکل (‪ ) 12-1‬نشان داده شده ا ست‪ ،‬همان طور که از شماتیک مدار پیدا ست از ولتاژ مرجع مثبتی در‬
‫مدار استفاده شده است‪ .‬این طرح هنگامی کاربرد دارد که ما نمی خواهیم تمام سیکل مثبت را برش دهیم‪.‬‬

‫شکل (‪)12-1‬‬

‫در مدار باال‪ ،‬هنگامی که ولتاژ ورودی از ولتاژ مرجع کوچکتر می باشد‪ ،‬دیود روشن می باشد در نتیجه ولتاژ خروجی‬
‫همان ولتاژ ورودی می باشد‪ .‬اما به محض اینکه ولتاژ ورودی از ولتاژ مرجع بیشتر شود‪ ،‬دیود خاموش خواهد شد و ولتاژ‬
‫خروجی به دلیل اینکه روی مقاومت افت ولتاژ نداریم همان ولتاژ ثابت مرجع خواهد بود‪ .‬توجه داریم با اسنننتفاده از این‬
‫مدار می توانیم نمودار شکل (‪ )11-1‬را به اندازه ی ‪ VR‬به سمت راست و باال انتقال دهیم‪.‬‬

‫مدارهای برش دهنده مثبتِ دارای ولتاژ مرجع منفی‬

‫اگر بخواهید که تنها ق سمتی از نیمه ی منفی سیکل ولتاژ را برش دهید‪ ،‬باید از مداری با مرجع ولتاژ منفی ا ستفاده‬
‫کنید (شکل ‪ .)13-1‬در این مدار تنها قسمتی از سیکل منفی در خروجی نمایش داده خواهد شد‪.‬‬

‫‪75‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل (‪)13-1‬‬

‫در این مدار هنگامی که‪ ، 𝑉𝑖 < −𝑉𝑅 ،‬دیود روشنننن و ولتاژ ورودی به خروجی منتقل می شنننود‪ .‬اما به محض اینکه‬
‫𝑅𝑉‪ ، 𝑉𝑖 > −‬دیود خاموش خواهد شننند‪ .‬در این حالت ورودی مدار به خروجی راهی ندارد و ولتاژ خروجی همان ولتاژ‬
‫مرجع منفی خواهد شد‪ .‬بنابراین تمام سیکل مثبت و قسمتی از سیکل منفی سیگنال برش داده خواهد شد‪ .‬توجه داریم‬
‫با استفاده از این مدار می توانیم نمودار شکل (‪ )11-1‬را به اندازه ی ‪ VR‬به سمت چپ و پایین انتقال دهیم‪.‬‬

‫مدارهای برش دهنده سیکل منفی سیگنال همراه با ولتاژ مرجع‬

‫در مدارهای برش دهنده ی مثبت اگر دیود را بر عکس در مدار قرار دهیم مدار برش دهنده منفی سننناخته ایم‪.‬‬
‫شماتیک این مدار در شکل (‪ )14-1‬ن شان داده شده ا ست‪ .‬توجه داریم که تحلیل مداری مانند ق سمت های قبلی می‬
‫باشد‪.‬‬

‫شکل (‪)14-1‬‬

‫‪76‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫مدارهای برش دهنده با استفاده از دیودهای زنر‬

‫در مدارهایی که از دیود زنر ا ستفاده شده ا ست‪ .‬می توانیم دیود زنر را مانند ولتاژ مرجع در نظر بگیریم با این تفاوت‬
‫که دیود زنر هنگامی مانند مرجع ولتاژ عمل خواهد کرد که وارد ناحیه زنری خودش شده باشد‪ ،‬در غیر این صورت مانند‬
‫دیود معمولی عمل خواهد کرد‪.‬‬

‫شرح آزمایش‪:‬‬

‫پیشگزارش‪ )4 -‬مدارهای مربوط به شکلهای زیر (‪ 15-1‬تا ‪ )17-1‬با شبیه سازی کنید و شکل موج خروجی را‬
‫رسم کنید‪.‬‬

‫‪ )1‬شکل موج خروجی را برای مدار شکل (‪ )15-1‬رسم کنید‪ .‬ولتاژ ورودی سینوسی دارای ‪ 11‬ولت پیک تا پیک و‬
‫بدون آفست می باشد‪ .‬فرض کنید ولتاژ مرجع (‪ ،V )+2‬است‪)R=1 K( .‬‬

‫شکل (‪)15-1‬‬

‫‪ )2‬شکل موج خروجی را برای مدار شکل (‪ )16-1‬رسم کنید‪ .‬ولتاژ ورودی سینوسی دارای ‪ 11‬ولت پیک تا پیک و‬
‫بدون آفست می باشد‪ .‬فرض کنید ولتاژ شکست دیود زنر (‪ ،V )3.1‬است‪)R=1 K( .‬‬

‫‪77‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل (‪)16-1‬‬

‫‪ )3‬شکل موج خروجی را برای مدار شکل (‪ )17-1‬را با پالریته ی م شخص شده در شکل (‪ ،V )+3‬در نظر بگیرید‪.‬‬
‫(‪)R=1 K‬‬

‫شکل (‪)17-1‬‬

‫‪78‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫آزمایش ‪9‬‬

‫آشنایی با ترانزیستورهای ‪MOS‬‬

‫هدف از آزمایش‪ :‬در این آزمایش به طور مختصر با ترانزیستورهای ‪ MOS‬و نحوه عملکرد آن ها آشنا می شوید‪.‬‬

‫در این ترانزیسننتورها می توانید با اسننتفاده از ولتاژ مقدار جریان خروجی را کنترل نمایید‪ .‬الیه های یک ترانزیسننتور‬
‫‪ NMOS‬که برش عرضی داده شده در شکل (‪ )1-9‬نشان داده شده است‪.‬‬

‫شکل (‪)1-9‬‬

‫برای این که جریان بین پایه های درین و سننورس شننارش داشننته باشنند ابتدا باید حامل هایی مانند الکترون به این‬
‫منظور وجود داشته باشند‪ ،‬بدون حضور الکترون هیچگاه جریانی بین این دو پایه برقرار نخواهد شد‪ .‬حالتی که گفته شد‬
‫زمانی اتفاق می افتد که ‪ ،𝑉𝑔𝑠 = 1‬باشد‪ .‬فرض کنید به تدریج این ولتاژ را افزایش دهیم در این صورت بارهای الکتریکی‬
‫مثبت روی فلز جمع می شوند‪ ،‬باید توجه داشته باشید که الیه ای که در وسط قرار دارد اکسید می باشد و مانند عایق‬
‫عمل می کند‪ ،‬با کمی دقت متوجه می شویم که ساختاری که در شکل (‪ )2-9‬ن شان داده شده‪ ،‬مانند خازنی می با شد‬
‫که یک صفحه ی آن باردار شده است‪.‬‬

‫‪79‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل (‪)2-9‬‬

‫بارهایِ مثبتِ روی فلز‪ ،‬الکترون هایِ پراکنده ی زیر الیه را در سنننطح زیرین اکسنننید جمع آوری می کنند‪ .‬بنابراین‬
‫همان طور که در شننکل (‪ )3-9‬نشننان داده شننده اسننت اگر همچنان ولتاژ گیت‪ -‬سننورس را افزایش دهیم الکترون های‬
‫بی شتری در سطح زیر گیت خواهیم دا شت‪ .‬هنگامی که ولتاژ گیت‪ -‬سورس به مقدار م شخ صی می ر سد‪ ،‬یک الیه تک‬
‫الکترون از درین تا سورس همان طور که در شکل (‪ )4-9‬م شاهده می کنید زیر سطح گیت شکل خواهد گرفت‪ ،‬این‬
‫ولتاژ مشننخص همان ولتاژ آسننتانه یا ‪ Vt‬نام دارد‪ .‬به یاد داریم که عامل حرکت بارهای الکتریکی میدان های الکتریکی‬
‫بودند‪ ،‬به عبارت بهتر تا زمانی که میدان الکتریکی نداشته باشیم این الکترون ها در جای خود ثابت می مانند و می دانیم‬
‫که با حرکت الکترون ها جریان الکتریکی به وجود خواهد آمد‪ .‬حتماً به خاطر دارید که ولتاژ با میدان رابطه ای مسننتقیم‬
‫دارد‪ .‬بنابراین اگر اختالف پتانسننیل داشننته باشننیم‪ ،‬میدان خواهیم داشننت در نتیجه الکترون های بی حرکت زیر سننطح‬
‫گیت‪ ،‬در جهت میدان حرکت خواهند کرد و در نهایت جریان خواهیم داشت‪.‬‬

‫شکل (‪)3-9‬‬

‫این اختالف پتانسیل را می توان به پایه های درین‪ -‬سورس اعمال کرد در این صورت الکترون ها از سورس به سمت‬
‫درین حرکت خواهند کرد و جه ت جریان از درین به سمت سورس خواهد بود‪ .‬دقت داشته باشید که نام های سورس و‬
‫درین به همین منظور انتخاب شده اند‪.‬‬

‫‪80‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل (‪)4-9‬‬

‫سمبل مداری این اِلمان را در شکل (‪ )5-9‬م شاهده می کنید‪ .‬برای تحلیل مداری ترانزی ستورهای ‪ MOS‬ابتدا مانند‬
‫ترانزیسنننتورهای ‪ Bjt‬باید تحلیل ‪ DC‬انجام دهید و از پارامترهایی که در این تحلیل بدسنننت می آورید در تحلیل ‪ac‬‬

‫اسننتفاده کنید‪ .‬برای این منظور باید بدانید که ترانزیسننتور در چه ناحیه ای عمل می کند‪ .‬نواحی عملکرد ترانزیسننتور‬
‫‪ NMOS‬به طور مختصر در جدول (‪ )1-9‬آمده است‪.‬‬

‫شکل (‪)5-9‬‬

‫مانند ترانزی ستورهای ‪ Bjt‬ترانزی ستورهای ‪ MOS‬را می توان با سه ترکیب در مدارهای تقویت کننده به کاربرد‪ .‬مدار‬
‫معادل ‪ ac‬این ترانزیستور در شکل (‪ )6-9‬نشان داده شده است‪.‬‬

‫شکل (‪)6-9‬‬

‫‪81‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫𝐼∆‬
‫پارامتر ‪ gm‬را می توان از روی م شخ صه ی ورودی با توجه به رابطه ی‪ ،𝑔𝑚 = ∆𝑉 𝐷 |𝑉𝐷𝑆=𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡 ،‬ا ستخراج کرد‪.‬‬
‫𝑆𝐺‬

‫برای تحلیل ‪ ac‬به صورت تئوری کافی ا ست به جای ترانزی ستور مدار معادل ‪ ac‬آن را قرار دهید و با ا ستفاده از تحلیل‬
‫گره و مِش روابط خواسته شده را محاسبه کنید‪.‬‬

‫برای آزمایش هایی که پیش رو دارید از ترانزی ستور ‪ 2N7000‬در آزمای شگاه ا ستفاده کنید‪ .‬پایه های این ترانزی ستور‬
‫در شکل (‪ )7-9‬نشان داده شده است‪.‬‬

‫شکل (‪)7-9‬‬

‫برای اطالع بیشننتر از پارامترهای این ترانزیسننتور می توانید از سننایت ‪ www.alldatasheet.com‬برگه های اطالعاتی‬
‫مربوط به این اِلمان را دانلود و مطالعه کنید‪ .‬مهمترین پارمترهایی که می توان برای این اِلمان نام برد‪ ،‬حداکثر جریان‬
‫عبوری از درین‪ ،‬حداکثر ولتاژ قابل تحمل درین‪ -‬سورس و حداکثر توان قابل تحمل توسط ترانزیستور می باشد‪.‬‬

‫جدول (‪)1-9‬‬

‫در این ناحیه ولتاژ گیت‪ -‬سنورس کمتر از ولتاژ آسنتانه می باشند‪ .‬یعنی اینکه هیچ الکترونی برای‬ ‫ناحیه‬
‫هدایت جریان الکتریکی وجود ندارد‪.‬‬ ‫قطع‬
‫در این ناحیه 𝑡𝑉 > 𝑠𝑔𝑉‪ ،‬می باشنند یعنی الکترون ها برای هدایت الکتریکی در سننطح زیرین گیت‬ ‫ناحیه‬
‫موجود می باشنننند‪ ،‬اما اختالف ولتاژ درین‪ -‬سنننورس کمتر از مقدار الزم می باشننند‪ ،‬در این ناحیه‬ ‫خطی‬
‫‪2‬‬
‫𝑠𝑑𝑉‬
‫‪ ،𝐼𝐷 = 𝑘 [(𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡ℎ )𝑉𝑑𝑠 −‬محا سبه می‬ ‫‪ ،𝑉𝑑𝑠 < 𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡ℎ‬جریان در این ناحیه از رابطه ی ]‬
‫‪2‬‬

‫شود‪.‬‬
‫در این ناحیه 𝑡𝑉 > 𝑠𝑔𝑉‪ ،‬می باشنند یعنی الکترون ها برای هدایت الکتریکی در سننطح زیرین گیت‬ ‫ناحیه‬
‫موجود می باشننن ند و اختالف ول تاژ درین‪ -‬سنننورس به م قدار الزم می باشنننند‪ ،‬در این ناح یه‬ ‫اشباع‬
‫‪ ،𝑉𝑑𝑠 > 𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡ℎ‬جریان در این ناحیه از رابطه ی ) ‪ ،𝐼𝐷 = 𝑘 (𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡ℎ‬محاسبه می شود‪.‬‬
‫‪2‬‬
‫‪2‬‬

‫‪82‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫در جدول (‪ k ،)1-9‬تو سط کارخانه سازنده ترانزی ستور تعیین می شود‪ .‬این پارامتر را از روی م شخ صه ورودی می‬
‫توانید بدست آورید‪.‬‬

‫ترانزیستور ‪ NMOS‬مورد نیاز برای انجام آزمایشها ‪ 2N7000‬میباشد‪.‬‬

‫‪83‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -1-9‬تعیین ولتاژ آستانه ترانزیستور ‪NMOS‬‬

‫ابتدا با استفاده از یکی از ترانزیستورهای ‪ NMOS‬موجود در تراشه ‪ ،CD4007‬مدار شکل زیر را بسازید‪ .‬در این بخش با‬
‫استفاده از اختالف پتانسیل ایجاد شده بین درین و سورس میزان ولتاژ آستانه ترانزیستور تعیین خواهد گرد‪ ..‬برای یافتن‬
‫مقدار ولتاژ آستانه ابتدا منبع تغذیه مربوط به ولتاژ گیت را بر روی صفر تنظیم کرده و سپس به آرامی مقدار آن را افزایش‬
‫دهید‪ .‬هنگامی که عبور جریان از مقاومت درین آغاز گردد (جریان درین به مقدار ‪ 1/1mA‬برسد) ترانزیستور روشن شده‬
‫است‪ .‬در حقیقت با افزایش تدریجی ولتاژ منبع تغذیه مقدار ‪ Vgs‬افزایش مییابد و به ولتاژ آستانه میرسد و ترانزیستور‬
‫روشن خواهد شد‪.‬‬

‫به محض اینکه جریان درین به مقدار خواسته شده رسید‪ ،‬ولتاژ گیت‪-‬سورس نشاندهنده ولتاژ آستانه خواهد بود‪.‬‬

‫شکل (‪)8-9‬‬

‫‪84‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -2-9‬بایاس ساده ترانزیستور ‪NMOS‬‬

‫در مدار شکل (‪ )9-9‬با استفاده از نتیجه بد ست آمده برای ولتاژ آ ستانه‪ ،‬مقاومت سورس را طوری انتخاب کنید که‬
‫جریان درین ‪ 21mA‬باشد‪ .‬مقاومت درین را طوری انتخاب کنید که ولتاژ درین ‪ 8V‬شود‪.‬‬

‫مدار شکل (‪ )9-9‬را روی بِرد بورد ببندید‪ .‬ولتاژ درین و سورس را اندازه بگیرید و با مقدار تئوری خود مقای سه کنید‪.‬‬
‫چقدر خطا دارید؟ دلیل آن را توضیح دهید‪.‬‬

‫شکل (‪)9-9‬‬

‫‪85‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -3-9‬چشمک زن ساده و خاصیت کلیدزنی ترانزیستور ‪MOS‬‬

‫مداری که در آزمایش قبل طراحی کردید‪ ،‬دارای جریانی معادل ‪ 21mA‬و افت ولتاژی تقریباً ‪ 2V‬روی مقاومت درین‬
‫بود‪ .‬اگر کمی دقت کنید متوجه خواهید شنند که یک ‪ LED‬برای روشننن شنندن به همین شننرایط نیاز دارد‪ ،‬بنابراین با‬
‫استفاده از بایاس مدار آزمایش قبل و تعویض مقاومت با ‪ LED‬می توانید آن را روشن کنید‪.‬‬

‫حال اگر گیت ترانزیسنتور را به زمین اتصنال دهید ‪ LED‬خاموش خواهد شند‪ .‬بنابراین اگر بتوانید ولتاژ گیت را بین‬
‫صفر و ‪ 5V‬سوییچ کنید توانسته اید مداری چشمک زن بسازید‪.‬‬

‫‪ -‬مدار شکل (‪ )11-9‬را روی بِرد بورد ببندید‪ .‬مقاومت سورس همان مقداری ا ست که در آزمایش قبل طراحی‬
‫کرده اید‪ .‬سیگنال ورودی را روی موج ورودی بین صفر تا ‪ 5V‬با فرکانس ‪ 1Hz‬قرار دهید‪.‬‬

‫شکل (‪)11-9‬‬

‫‪86‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -4-9‬تقویت کننده سورس مشترک با ترانزیستور ‪NMOS‬‬

‫پیشگزارش‪ :‬بهره ولتاژ ‪ Vout‬بر حسب ‪ Vin‬را حساب کنید‪.‬‬

‫مدار شکل (‪ )11-9‬یک مدار سورس مشترك میباشد که در آن ورودی به گیت اعمال شده و خروجی از درین‬ ‫‪-‬‬
‫گرفته میشود‪ .‬این مدار را روی بِرد بورد ببندید و جدول (‪ )2-9‬و (‪ )3-9‬را تکمیل کنید‪.‬‬
‫ولتاژ ورودی به گیت یک موج سینوسی با دامنه ‪ 111‬میلیولت و فرکانس ‪ 1 KHz‬است‪.‬‬

‫شکل (‪)11-9‬‬

‫جدول (‪)2-9‬‬

‫𝑑𝐼‬ ‫𝑑𝑉‬ ‫𝑔𝑉‬ ‫پارامتر‬

‫مقدار اندازه گیری شده‬

‫مقدار مقاومت درین را مطابق جدول (‪ )3-9‬تغییر دهید و نتایج بدست آمده را یادداشت نمایید‪.‬‬

‫جدول (‪)3-9‬‬

‫درصد خطا‬ ‫𝑣𝐴 تئوری‬ ‫𝑣𝐴 عملی‬ ‫𝑜𝑉‬ ‫𝑛𝑖𝑉‬ ‫𝑑𝑅‬

‫‪11KΩ‬‬
‫‪5 KΩ‬‬

‫‪87‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫آزمایش ‪11‬‬

‫کاربردهای خطی تقویت کننده عملیاتی‬

‫هدف از آزمایش‪ :‬بررسی تقویتکنندههای معکوس کننده و غیرمعکوس کننده و پاسخ فرکانسی مدار ‪RC‬‬
‫پایینگذر با استفاده از آپ امپ‬

‫تقویت کننده عملیاتی در واقع یک تقویت کننده ولتاژ با بهره ولتاژ بسیار باالست و معموالً دارای یک سر خروجی و دو‬
‫سر ورودی است که سرهای ورودی به صورت تفاضلی عمل می کنند‪ .‬به عبارت دیگر این تقویت کننده اختالف ولتاژ‬
‫بین ورودی را تقویت می کند‪ .‬یکی از دو سر‪ ،‬ورودی منفی (‪ )-‬یا معکوس کننده نام دارد‪ ،‬زیرا تقویت کننده برای‬
‫ورودی های اعمال شده به این سر دارای بهره منفی خواهد بود‪ .‬سر دیگر ورودی مثبت (‪ )+‬یا غیر معکوس کننده است‬
‫و سیگنال های ورودی به این سر‪ ،‬در خروجی با بهره مثبت ظاهر می شوند‪ .‬این تقویت کننده دارای مقاومت خروجی‬
‫بسیار کوچک )حدود چند اهم) بوده و از مقاومت ورودی بسیار بزرگی)بیش از چند صد کیلو اهم( برخورداراست‪ .‬چون‬
‫تقویت کننده عملیاتی یک قطعه فعال است برای تأمین انرژی مصرفی و بایاس ترانزیستورهای داخلی خود به تغذیه‬
‫‪DC‬نیاز دارد‪.‬‬

‫آپ امپ با شماره ‪ LM741‬به صورت مستطیلی و ‪ 8‬پایه ساخته می شود‪ .‬در شکل (‪ )1-11‬دیاگرام پایه های ‪ IC‬آپ‬
‫امپ آمده است ‪.‬پایه های ‪ 2‬و ‪ 3‬به ترتیب ورودی های معکوس کننده و غیرمعکوس کننده هستند‪ .‬در اکثر ‪ IC‬ها پایه‬
‫هایی برای روشن کردن و در واقع تغذیه موجود می باشد‪ .‬معموال برای تقویت کنندهها یک تغذیه منفی و یک تغذیه‬
‫مثبت مورد نیاز است‪.‬‬

‫پایه های ‪ 4‬و ‪ 7‬به ترتیب ‪ -VCC‬و) ‪ VCC‬تغذیه‬

‫منفی و مثبت( هستند‪ .‬از پایه های ‪ 1‬و ‪ 5‬جهت‬
‫حذف آفست آپ امپ در شرایط مختلف محیطی‬
‫استفاده می شود‪ .‬در مقابل پایه ‪ 8‬در شکل (‪)1-11‬‬
‫عبارت ‪ NC‬نوشته شده است‪ ،‬که به معنی ‪Not‬‬
‫‪ Connected‬می باشد‪ .‬این پایه در مدار داخلی آپ‬
‫امپ به هیچ قسمتی متصل نیست و تنها به منظور‬
‫تکمیل تعداد پایه ها جهت مستطیلی شدن ‪ IC‬در‬
‫نظر گرفته شده است‪.‬‬

‫‪88‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫شکل (‪)1-11‬‬

‫‪ -1‬تقویت کننده معکوس کننده‪:‬‬

‫در این آزمایش می خواهیم یک تقویت کننده با بهره منفی توسط آپ امپ )که فیدبک منفی دارد( بسازیم‪ .‬مدار‬
‫مربوط به این آزمایش در شکل (‪ )2-11‬نشان داده شده است‪.‬‬

‫پیش گزارش ‪ :1‬مدار معکوس کننده شکل (‪ )2-11‬را برای بهره‪ 5/6‬طراحی کنید‪( .‬تعیین مقدار مقاومت ‪ R2‬با فرض‬
‫‪.)R1=1k‬‬

‫پیش گزارش ‪ :2‬با توجه به مقادیر بدست آمده در قسمت قبل‪ ،‬مدار معکوس کننده رابا استفاده از نرم افزار ‪Orcad‬‬
‫شبیهسازی کنید‪.‬‬

‫شرح آزمایش‪:‬‬

‫در این آزمایش از دو باتری ‪ 9‬ولت به عنوان منبع تغذیه استفاده می شود‪ .‬این دو باتری با یکدیگر سری خواهند شد و‬
‫وسط آنها به عنوان زمین اختیار می شود‪ .‬بنابراین قطب مثبت باتری اول دارای ولتاژ مثبت ‪ 9‬ولت و قطب منفی باتری‬
‫دوم دارای ولتاژ منفی ‪ 9‬ولت نسبت به زمین خواهد بود‪ .‬ولتاژهای تغذیه مثبت و منفی را به ترتیب به پایه های ‪ VCC‬و‬
‫‪ -VCC‬آپ امپ متصل نمایید‪ .‬حال مدار مربوط به معکوس کننده را مطابق با شکل (‪ )2-11‬و مقادیر مقاومتهای ‪R1‬‬
‫و ‪R2‬طراحی شده‪ ،‬ببندید‪ .‬یک ولتاژ سینوسی با دامنه ‪2Vp-p‬و فرکانس ‪ 1kHz‬به ورودی مدار اعمال کنید‪ .‬خروجی‬
‫و ورودی مدار را روی اسیلسکوپ مشاهده نمایید و بهره مدار را محاسبه کنید‪.‬‬

‫‪R2‬‬

‫‪R1‬‬ ‫‪‬‬
‫‪Vo‬‬
‫‪‬‬
‫‪Vi‬‬

‫شکل (‪)2-11‬‬

‫‪89‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -2‬تقویت کننده غیرمعکوس کننده‪:‬‬

‫در این آزمایش می خواهیم یک تقویت کننده با بهره مثبت توسط آپ امپ )که فیدبک منفی دارد( بسازیم‪ .‬مدار‬
‫مربوط به این آزمایش در شکل (‪ )3-11‬نشان داده شده است‪.‬‬

‫پیش گزارش ‪ :3‬مدار غیرمعکوس کننده شکل (‪ )3-11‬را برای بهره ‪ 6/6‬طراحی کنید‪( .‬تعیین مقدار مقاومت ‪ R2‬با‬
‫فرض ‪.)R1=1k‬‬

‫پیش گزارش ‪ :4‬با توجه به مقادیر بدست آمده در قسمت قبل‪ ،‬مدار غیرمعکوس کننده را با استفاده از نرم افزار‬
‫‪ Orcad‬شبیهسازی کنید‪.‬‬

‫شرح آزمایش‪:‬‬

‫همانند آزمایش قبل ولتاژهای تغذیه مثبت و منفی ‪ 9‬ولت را به ترتیب به پایه های ‪ VCC‬و ‪ -VCC‬آپ امپ متصل‬
‫نمایید‪ .‬حال مدار مربوط به غیرمعکوس کننده را مطابق با شکل (‪ )3-11‬و مقادیر مقاومتهای ‪ R1‬و ‪ R2‬طراحی شده‪،‬‬
‫ببندید‪ .‬یک ولتاژ سینوسی با دامنه ‪ 4Vp-p‬و فرکانس ‪ 1kHz‬به ورودی مدار اعمال کنید‪ .‬خروجی و ورودی مدار را‬
‫روی اسیلسکوپ مشاهده نمایید و بهره مدار را محاسبه کنید‪.‬‬

‫‪‬‬

‫‪‬‬
‫‪Vo‬‬

‫‪Vi‬‬
‫‪R2‬‬
‫‪R1‬‬

‫شکل (‪)3-11‬‬

‫‪90‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪ -3‬پاسخ فرکانسی مدار ‪ RC‬پایین گذر‬

‫‪ 1-3‬فیلتر پایین گذر‬

‫شکل (‪ )4-11‬مدار یک فیلتر ‪ RC‬پایین گذر را نشان می دهد‪ .‬هنگامی که یک موج سینوسی با دامنه ثابت ‪ Vm‬و‬
‫فرکانس متغیر ‪ f‬به دو سر ورودی این مدار اعمال می شود‪ ،‬ولتاژ خروجی )یا پاسخ مدار) نیز موجی سینوسی ولی با‬
‫دامنه و فازی متفاوت با ولتاژ ورودی بوده و بطور کلی تابعی از فرکانس موج ورودی خواهد بود‪.‬‬

‫‪Vo‬‬
‫را بدست آورید و فرکانس قطع مدار را محاسبه‬ ‫در مدار ‪ RC‬پایین گذر رابطه دامنه و فاز‬ ‫پیش گزارش ‪:5‬‬
‫‪Vi‬‬
‫کنید‪.‬‬

‫پیش گزارش ‪ :6‬مدار مربوط به فیلتر پایین گذر را با استفاده از نرم افزار ‪ Orcad‬شبیه سازی کنید و مشخصه پاسخ‬
‫دامنه و پاسخ فاز را با استفاده از تحلیل ‪ AC Sweep‬رسم کنید‪.‬‬

‫پیش گزارش ‪ :7‬مدار مربوط به فیلتر پایین گذر را با استفاده از تحلیل ‪ Time Domain‬شبیه سازی کنید‪.‬‬

‫شرح آزمایش‪:‬‬

‫با استفاده از مقاومت ‪ R=10k‬و خازن ‪ C=100nF‬مداری مطابق با شکل (‪ )4-11‬بسازید‪ .‬بوسیله نوسان ساز یک موج‬
‫سینوسی با مقدار ماکزیمم ‪ 2‬ولت به مدار اعمال کنید و با فرکانسهایی که در جدول (‪ )1-11‬داده شده است مقدار‬
‫ولتاژ خروجی و اختالف فاز بین خروجی و ورودی را با استفاده از اسیلوسکوپ اندازه گرفته و در جدول مربوطه‬
‫یادداشت کنید‪.‬‬

‫‪ 2-3‬مدار انتگرالگیر ‪RC‬‬

‫مدار پایین گذر ‪ RC‬را با خازن ‪ C=100nF‬و به ازای مقادیر مختلف ‪ 22k ،10k ،6.8k( R‬و ‪ )150k‬ببندید‪ .‬نوسان‬
‫ساز را به ورودی مدار متصل کرده و یک موج مربعی با دامنه ‪ 4Vp-p‬و فرکانس ‪ 100Hz‬به مدار اعمال کنید و پاسخ‬
‫مدار را در هر چهار حالت بوسیله اسیلوسکوپ مشاهده نمایید‪.‬‬

‫‪91‬‬
 ‫دستور کار آزمایشگاه مدارهای الکتریکی‬

‫دانشکده ی مهندسی کامپیوتر و فناوری اطالعات‬

‫‪R2=10k‬‬

‫‪C=100nF‬‬

‫‪R1=10k‬‬ ‫‪‬‬
‫‪Vo‬‬
‫‪‬‬
‫‪Vi‬‬
‫‪R3=10k‬‬

‫شکل (‪)4-11‬‬

‫جدول (‪)1-11‬‬

‫‪ Vo‬اندازه گیری‬
‫فرکانس ‪f‬‬ ‫‪ ‬اندازه گیری شده‬ ‫‪ Vo‬محاسبه شده‬ ‫‪ ‬محاسبه شده‬
‫شده‬
‫‪21 Hz‬‬
‫‪51 Hz‬‬
‫‪111 Hz‬‬
‫‪151 Hz‬‬
‫‪251 Hz‬‬
‫‪511 Hz‬‬
‫‪1111 Hz‬‬
‫‪3111 Hz‬‬
‫‪11111 Hz‬‬

‫‪92‬‬