‫دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر‬ ‫دانشگاه تهران‬

‫نیمسال اول ‪1402-1403‬‬ ‫الکترونیک ‪ - 2‬دکتر وحدت‬

‫مسئول‪ :‬سینا محمدی ‪smsina80@gmail.com‬‬ ‫تمرین چهارم‬

‫‪ -1‬تقویتکنندهی کسکود زیر و پارامترهای اجزای آن را در نظر بگیرید‪ .‬ابتدا بهرهی این تقویتکننده‬
‫را محاسبه کرده و سپس اثر تغییر جریان بایاس را بر اندازهی مقاومت خروجی این تقویتکننده‬
‫بیان کنید‪.‬‬

‫𝑊‬ ‫𝑊‬
‫‪( ) = 20, ( ) = 30‬‬
‫‪𝐿 1,2‬‬ ‫‪𝐿 3,4‬‬
‫𝐴𝑚‪𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 = 𝐼𝐷3 = 𝐼𝐷4 = 0.5‬‬
‫𝐴𝜇‬ ‫𝐴𝜇‬
‫‪𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 = 100 2 , 𝜇𝑝 𝐶𝑜𝑥 = 50 2‬‬
‫𝑉‬ ‫𝑉‬
‫‪𝜆𝑛 = 0.1𝑉 −1 , 𝜆𝑝 = 0.15𝑉 −1‬‬

‫‪ -2‬برای هر یک از تقویتکنندههای زیر‪ ،‬مقاومت خروجی و بهرهی ولتاژ را محاسبه کنید‪.‬‬

‫‪1‬‬
 ‫دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر‬ ‫دانشگاه تهران‬
‫نیمسال اول ‪1402-1403‬‬ ‫الکترونیک ‪ - 2‬دکتر وحدت‬
‫مسئول‪ :‬سینا محمدی ‪smsina80@gmail.com‬‬ ‫تمرین چهارم‬

‫‪ -3‬در مدار شکل زیر تمامی ترانزیستورها مشابه یکدیگر هستند‪ .‬اگر ‪ 𝛽 ≫ 1‬باشد‪ ،‬مقدار مقاومت ‪𝑅5‬‬
‫را بهگونهای تعیین کنید که جریان ترانزیستور ‪ 𝑄6‬برابر با 𝐴𝜇‪ 10‬باشد‪.‬‬
‫)𝑉𝑚‪(𝑉𝑇 = 26‬‬

‫‪-4‬برای افزایش مقاومت خروجی منبع جریان کسکود میتوان تعداد طبقات ترانزیستوری را افزایش‬
‫داد (مانند مدار نشان داده شده در شکل زیر)‪ .‬ابتدا مقاومت خروجی مدار زیر را تعیین کرده و سپس بررسی‬
‫کنید آیا چنین امکانی هنگام استفاده از ترانزیستورهای دوقطبی (‪ )BJT‬نیز وجود دارد؟‬

‫‪2‬‬
 ‫دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر‬ ‫دانشگاه تهران‬
‫نیمسال اول ‪1402-1403‬‬ ‫الکترونیک ‪ - 2‬دکتر وحدت‬
‫مسئول‪ :‬سینا محمدی ‪smsina80@gmail.com‬‬ ‫تمرین چهارم‬

‫‪-5‬تقویتکنندهی گیت مشترک زیر از ترانزیستور ‪ M3‬به عنوان بار برای افزایش بهره استفاده‬
‫میکند‪ .‬مدار را به گونهای طراحی کنید که مقاومت ورودی آن برابر ‪ 50 Ω‬و بهرهی تقویتکننده برابر ‪20‬‬
‫باشد‪ .‬همچنین توان مصرفی مدار باید به 𝑊𝑚 ‪ 13‬محدود شده باشد‪.‬‬
‫(منظور از طراحی مشخص کردن نسبت ‪ W/L‬سایر ترانزیستورها است‪(.‬‬

‫𝑊‬ ‫‪40‬‬
‫= ) (‬
‫‪𝐿 3 0.18‬‬
‫‪𝜆𝑛 = 0.1𝑉 −1 , 𝜆𝑝 = 0.2𝑉 −1‬‬
‫𝐴𝜇‬
‫‪𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 = 2𝜇𝑝 𝐶𝑜𝑥 = 100 2‬‬
‫𝑉‬
‫‪𝑉𝑇𝐻,𝑛 = 0.4𝑉, 𝑉𝑇𝐻,𝑝 = −0.5‬‬

‫‪3‬‬