Professional Documents
Culture Documents
Red White Persian
Red White Persian
Uploaded by
alajegerdialirezaOriginal Title
Copyright
Available Formats
Share this document
Did you find this document useful?
Is this content inappropriate?
Report this DocumentCopyright:
Available Formats
Red White Persian
Red White Persian
Uploaded by
alajegerdialirezaCopyright:
Available Formats
تقویت‌کننده‌های
ترانزیستوری
علی‌نقوی
جلوگیری‌از‌رانش‌حرارتی
• افزایش‌دما‌باعث‌افزایش 𝑂𝐵𝐶𝐼 و‌در‌نتیجه‌منجر‌به‌افزایش‌جریان‌کلکتور‌و‌کاهش‌ولتاژ‌نقطه Cخواهد‌شد.
کاهش 𝐶𝐼 کاهش 𝐵𝐼 • اگر 𝐸𝐵𝑉 را‌ثابت‌فرض‌کنیم،کاهش 𝐶𝑉
لذا‌پایداری‌الزم‌برای‌جریان‌کلکتور‌تامین‌می‌شود.
𝐸𝐵𝑉𝑉𝐶 −
= 𝐵𝐼 • یکی‌دیگر‌از‌راه‌های‌پیشگیری‌از‌رانش‌حرارتی:اضافه‌کردن‌مقاومت‌در‌امیتر
𝐵𝑅
2 علی‌نقوی
مدار‌خودبایاس
• متداول‌ترین‌شیوه‌برای‌بایاس‌مدار‌امیتر‌مشترک
از‌نظر‌پایداری‌نقطه‌کار‌نسبتاً‌کامل‌است: •
ثبات‌حرارتی‌دارد‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌ناشی‌از 𝐸𝑅
با‌انتخاب‌مناسب 𝑅1و 𝑅2نسبت‌به‌تغییرات βپایدار‌است.
مدار‌خودبایاس
3 علی‌نقوی
مدار‌خودبایاس
• می‌توان‌به‌جای 𝑅1و 𝑅2از‌مدار‌معادل‌تونن‌از‌دید‌بیس‌استفاده‌کرد:
𝑅2
𝑅𝑇 = 𝑅1 ||𝑅2 , = 𝑇𝑉 𝑉
𝐶𝐶 𝑅1 + 𝑅2
KVL:در‌حلقه‌ورودی 𝐵𝐼 𝑉𝑇 − 𝑅𝑇 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 0 ⟹ 𝐼𝐸 = 𝛽 + 1
𝐸𝐵𝑉 𝑉𝑇 −
= 𝐸𝐼 ⟹
𝑅
𝑇 𝑅𝐸 +
𝛽+1
𝑇𝑅
𝛽 ≫ 𝐸𝑅 وابسته‌نباشد،کافی‌است‌داشته‌باشیم: برای‌این‌که‌خیلی‌بهβ
𝑚𝑖𝑛 +1
𝐸𝐵𝑉𝑉𝑇 − 𝐸𝑅 𝑛𝑖𝑚𝛽
≈ 𝐸𝐼 ≈ 𝐶𝐼 که‌وابسته‌به βنیست. لذا ≈ 𝑇𝑅 به‌عنوان‌مثال،می‌توانیم‌فرض‌کنیم:
𝐸𝑅 10
4 علی‌نقوی
مثال
• در‌مدار‌شکل‌روبه‌رو 𝑅𝐶 = 400Ω،𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉،و‌برای‌ترانزیستور 40 ≪ 𝛽 ≪ 120است.مقادیر‌مقاومت‌های 𝑅2 ، 𝑅1و
𝐸𝑅 را‌طوری‌تعیین‌کنید‌که𝐴𝑚 𝐼𝐶 = 10و𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 5باشد.
حل:
𝐸𝐶𝑉 = 𝐶𝐼 𝐸𝑅 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 + معادله‌خط‌بار: DC
⇒ 5 = 10 − 0.4 + 𝑅𝐸 × 10 ⇒ 𝑅𝐸 = 100 Ω
• چون βدر‌محدوده‌وسیعی‌قرار‌دارد،باید‌مدار‌بایاس‌نسبت‌به βحساس‌نباشد.
𝛽𝑚𝑖𝑛 𝑅𝐸 40 × 100 𝑥𝑎𝑚𝛽 𝛽𝑚𝑖𝑛 +
≈ 𝑇𝑅 = = 400 Ω = 𝑣𝑎𝛽
10 10 2
10
× KVL: 𝑉𝑇 − 𝑅𝑇 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 0 ⇒ 𝑉𝑇 = 0.4در‌حلقه‌ورودی 𝑉 + 0.7 + 0.1 × 10 = 1.75
𝑣𝑎𝛽
5 علی‌نقوی
مثال
• در‌مدار‌شکل‌روبه‌رو 𝑅𝐶 = 400Ω،𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉،و‌برای‌ترانزیستور 40 ≪ 𝛽 ≪ 120است.مقادیر‌مقاومت‌های 𝑅2 ، 𝑅1و
𝐸𝑅 را‌طوری‌تعیین‌کنید‌که𝐴𝑚 𝐼𝐶 = 10و𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 5باشد.
حل:
𝑅1 𝑅2
= 𝑇𝑅 = 0.4 𝑘Ω 𝑇𝑅 10 × 0.4
𝑅1 + 𝑅2 = 𝑅1 = 𝑉 ≈ 2.3 𝑘Ω
𝐶𝐶 𝑇𝑉 1.75
𝑅2 𝑅2 𝑅2 = 485 Ω
= 𝑇𝑉 𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 = 1.75
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
6 علی‌نقوی
خط‌بارac
= 𝐵𝑖 𝐼ด
𝑄𝐵 + 𝑏𝑖ณ
تامین شده توسط منبع سیگنال تامین شده توسط مدار بایاس
𝐶𝑖 𝑖𝐶 = 𝐼𝐶𝑄 +
𝐶𝑖) 𝐸𝑅 𝑣𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐶 +
𝑐𝑖) 𝐸𝑅 𝑣𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶𝑄 − (𝑅𝐶 +
𝑄𝐸𝐶𝑉 𝑒𝑐𝑣
از‌دید‌سیگنال،بخش‌خروجی‌مدار‌به‌شکل‌روبه‌رو‌است:
7 علی‌نقوی
خط‌بارac
• بخش DCجریان‌و‌ولتاژ‌خروجی‌ترانزیستور،همان‌جریان‌و‌ولتاژ‌نقطه‌کار‌است.بخش acتغییراتی‌در‌اطراف‌نقطه‌کار‌به‌وجود
می‌آورد.
• خط‌بار DCو‌خط‌بار acهردو‌از‌نقطه‌کار‌می‌گذرند.
• اگر‌دامنه‌سیگنال‌خروجی‌در‌مقایسه‌با‌مقدار DCآن‌قابل‌مالحظه‌باشد،سیگنال‌را‌سیگنال‌بزرگ‌گویند.ولی‌معموالً‌با‌سیگنال
کوچک‌سروکار‌داریم.می‌توان‌سیگنال‌را‌به‌صورت‌تغییرات‌جزئی‌حول Qدرنظر‌گرفت.
• برای‌این‌که‌سیگنال‌های‌ورودی‌و‌خروجی‌بتوانند‌نوساناتی‌متقارن‌با‌حداکثر‌دامنه‌داشته‌باشند،باید‌نقطه‌کار Qحتی‌االمکان‌در
وسط‌خط‌بار acقرار‌گیرد.
8 علی‌نقوی
خازن‌کنارگذر()Bypass
• وجود‌مقاومت‌امیتر‌در‌مدار‌صفحه‌قبل‌باعث‌پایداری‌نقطه‌کار‌می‌شود‌ولی‌از‌نقطه‌نظر‌سیگنال،باعث‌کاهش‌بهره‌ولتاژ مدار
می‌شود.
1
= 𝑏𝑋 :راکتانس‌خازن 𝑓𝜋≪ 𝑅𝐸 , 𝜔 = 2
𝑏𝐶𝜔
• خازن 𝑏𝐶 از‌دید‌سیگنال،اتصال‌کوتاه‌ولی‌از‌دید DCمدارباز‌است.
𝑐𝑖 𝑐𝑅𝑣𝑐𝑒 = − • از‌دید‌سیگنال:
𝑄𝐶𝐼) 𝐸𝑅 𝑉𝐶𝐸𝑄 = −(𝑅𝐶 + • از‌دید: DC
9 علی‌نقوی
روش‌ترسیمی
• در‌روش‌ترسیمی،برای‌به‌دست‌آوردن‌شکل‌موج‌و‌میزان‌تغییرات‌خروجی‌به‌ازای‌یک‌سیگنال‌ورودی‌مشخص،باید‌از‌خط‌بارac
استفاده‌کنیم.
• برای‌این‌که‌دامنه‌نوسان‌متقارن‌سیگنال‌حداکثر‌شود،الزم‌است‌نقطه‌کار‌در‌وسط‌خط‌بار acباشد.
10 علی‌نقوی
روش‌ترسیمی
• روش‌ترسیمی‌برای‌به‌دست‌آوردن‌نقطه‌کار‌مطلوب Qدر‌وسط‌خط‌بار: ac
خط‌بار DCرا‌رسم‌می‌کنیم. .1
1
رسم‌می‌کنیم. از‌مبدا‌خطی‌با‌شیب .2
𝐶𝑅
نقطه‌تالقی‌دو‌خط‌اخیر Q،است. .3
11 علی‌نقوی
مثال
در‌مدار‌روبه‌رو‌برای‌ترانزیستور 100 ≪ 𝛽 ≪ 200برای‌این‌که‌دامنه‌نوسان‌متقارن‌جریان‌کلکتور‌حداکثر‌شود‌و‌نقطه‌کار‌پایداری
خوبی‌داشته‌باشد،مقدار‌مقاومت‌های 𝑅1و 𝑅2را‌محاسبه‌کنید.
حل:ابتدا‌نقطه‌کار‌مطلوب‌را‌پیدا‌می‌کنیم:
𝑣𝐶𝐸 − 2.5 معادله‌خط‌بار: DC
= 𝐶𝑖
1.5
1
𝑐𝑖 = 𝑒𝑐𝑣 : معادله‌خط‌گذرنده‌از‌مبدا‌با‌شیب
𝐶𝑅
𝑉 𝐼𝐶𝑄 = 10𝑚𝐴 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 10 از‌دو‌معادله‌اخیر‌نتیجه‌می‌شود:
𝑅𝐸 𝛽𝑚𝑖𝑛 0.5 × 100 برای‌حساسیّت‌کم‌به βباید‌داشته‌باشیم:
≈ 𝑇𝑅 = = 5𝑘Ω
10 10
12 علی‌نقوی
مثال
در‌مدار‌روبه‌رو‌برای‌ترانزیستور 100 ≪ 𝛽 ≪ 200برای‌این‌که‌دامنه‌نوسان‌متقارن‌جریان‌کلکتور‌حداکثر‌شود‌و‌نقطه‌کار‌پایداری
خوبی‌داشته‌باشد،مقدار‌مقاومت‌های 𝑅1و 𝑅2را‌محاسبه‌کنید.
حل:با‌درنظر‌گرفتن‌معادله KVLدر‌حلقه‌بیس‌داریم:
𝑇𝑅
= 𝑇𝑉 𝑉 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 = 6
𝑣𝑎𝛽
حال‌که 𝑇𝑉 و 𝑇𝑅 را‌داریم 𝑅1 ،و 𝑅2به‌سهولت‌‌قابل‌محاسبه‌هستند:
𝑅1 ≈ 20.8 𝑘Ω , 𝑅2 ≈ 6.58 𝑘Ω
𝑅1 ≈ 22 𝑘Ω , 𝑅2 ≈ 6.8 𝑘Ω نزدیک‌ترین‌اندازه‌های‌استاندارد‌برای 𝑅1و : 𝑅2
13 علی‌نقوی
خازن‌کوپالژ
در‌طراحی‌تقویت‌کننده‌ها‌معموالً‌الزم‌است‌منبع‌سیگنال‌ورودی‌و‌مقاومت‌بار‌از‌نظر DCبرروی‌مدار‌بایاس‌تقویت‌کننده‌بی‌تاثیر
باشند.برای‌این‌منظور‌از‌خازن‌های‌کوپالژ‌استفاده‌می‌شود.
مثال:خازن‌های 𝐶1و 𝐶2
کاربرد‌دیگر‌خازن‌های‌کوپالژ:تقویت‌کننده‌های‌چندطبقه
14 علی‌نقوی
خازن‌کوپالژ
مدار‌معادل DCو acمدار‌اسالید‌قبل،به‌صورت‌زیر‌است:
مدار‌معادلDC مدار‌معادلAC
حال‌می‌توان‌نمودار‌خط‌بار DCو acرا‌مطابق‌شکل‌زیر‌رسم‌کرد.
می‌توان‌برای‌به‌دست‌آوردن‌مختصات‌نقطه‌کار،از‌روش‌ترسیمی‌که
توضیح‌داده‌شد‌استفاده‌کنیم.
15 علی‌نقوی
بایاس‌مدار‌کلکتور‌مشترک
• گاهی‌مقاومت 𝐸𝑅 به‌عنوان‌مقاومت‌بار‌مورداستفاده‌قرار‌می‌گیرد‌و
در‌این‌حالت 𝑅𝐿 ،حذف‌می‌شود.
• مدار‌از‌لحاظ‌بایاس،کامالً‌شبیه‌تقویت‌کننده‌امیترمشترک‌است.
• معادالت‌خطوط‌بار DCو: ac
𝐶𝐼 𝐸𝑅 𝐷𝐶: 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸 ≈ 𝑉𝐶𝐶 −
𝑐𝑖) 𝐿𝑅|| 𝐸𝑅(𝑎𝑐: 𝑣𝑐𝑒 = −
تقویت‌کننده‌کلکتور‌مشترک
𝐸𝑅 𝑛𝑖𝑚𝛽
≈ 𝑅𝑇 = 𝑅1 ||𝑅2 • برای‌اطمینان‌از‌پایداری‌نسبی‌نقطه‌کار‌نسبت‌به‌تغییر: β
10
• مدار‌کلکتور‌مشترک‌را emitter followerهم‌می‌نامند؛چون‌ولتاژ‌امیتر،ولتاژ‌بیس‌را‌دنبال‌می‌کند.
16 علی‌نقوی
بایاس‌مدار‌بیس‌مشترک
• در‌تجزیه‌و‌تحلیل‌بایاس‌مدار‌مذکور،از‌مشخصه‌خروجی‌بیس‌مشترک‌استفاده‌می‌شود.
• خازن‌های 𝐶1و 𝐶2خازن‌های‌کوپالژ‌و‌خازن 𝐶3یک‌خازن‌بای‌پس‌می‌باشد.
:خط‌بارac 𝑐𝑖) 𝐶𝑅|| 𝐿𝑅(𝑣𝑐𝑏 = −
:خط‌بارDC 𝐶𝐼) 𝐸𝑅 𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − (𝑅𝐶 +
17 علی‌نقوی
مثال
در‌مدار‌اسالید‌قبل،فرض‌کنید𝑉 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛) ،𝑉𝐵𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 0.8 𝑉،𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 0.2 𝑉،𝑅𝐿 = 𝑅𝐶 = 1𝑘Ω،𝑉𝐶𝐶 = 15
𝑉 = 0.7و. 30 ≪ 𝛽 ≪ 50مقاومت‌های 𝐸𝑅 𝑅1 ,𝑅2 ,را‌به‌‌گونه‌ای‌بیابید‌که‌شرایط‌زیر‌همزمان‌برقرار‌باشند:
الف -شکل‌موج‌خروجی‌بتواند‌در‌سیکل‌مثبت‌تا 3ولت‌و‌در‌سیکل‌منفی‌تا 2ولت‌نوسان‌بدون‌اعوجاج‌داشته‌باشد.
ب -نقطه‌کار‌ترانزیستور‌نسبت‌به‌تغییر βتا‌حد‌ممکن‌پایدار‌باشد.
حل:
𝐶𝐼) 𝐸𝑅 𝐷𝐶: 𝑉𝐶𝐵 = 14.3 − (1 +
𝑐𝑖𝑎𝑐: 𝑣𝑐𝑒 = −0.5
𝑉 𝑉𝐶𝐵(𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) − 𝑉𝐵𝐸 𝑠𝑎𝑡 = 0.2 − 0.8 = −0.6
𝑉 ⇒ 𝑉𝐶𝐵𝑄 = −0.6 + 2 = 1.4
𝐴𝑚𝐼𝐶𝑄 = 2 × 3 = 6 با‌توجه‌به‌شکل:
𝑅𝐸 = 1.15 𝑘Ω حال‌مقادیر‌به‌دست‌آمده‌برای 𝑄𝐵𝐶𝑉 و 𝑄𝐶𝐼 را‌در‌معادله‌خط‌بار DCقرار‌می‌دهیم:
18 علی‌نقوی
مثال
حل:
شرط‌پایداری‌نسبت‌به‌تغییر: β
𝛽𝑚𝑖𝑛 𝑅𝐸 30 × 1.15
= 𝑅𝑇 = 𝑅1 ||𝑅2 = = 3.45 𝑘Ω
10 10
𝑄𝐶𝐼 𝑣𝑎𝛽 1 +
𝑇𝑅 = 𝑇𝑉 𝐸𝑅 + 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛) + 𝑉 𝐼𝐶𝑄 = 8.29
𝑣𝑎𝛽 𝑣𝑎𝛽
با‌توجه‌به‌معادالت‌باال،داریم:
𝑅1 = 6.24 𝑘Ω , 𝑅2 = 7.72 𝑘Ω
از‌مقاومت‌های‌استاندارد 5.6و 8.2کیلواهمی‌می‌توان‌استفاده‌نمود.
19 علی‌نقوی
جبران‌تغییرات‌حرارتی
در‌ترانزیستور،تغییرات‌پارامترهای 𝑂𝐵𝐶𝐼 و 𝐸𝐵𝑉 با‌تغییر‌دما‌می‌تواند‌باعث‌انحراف‌نقطه‌کار‌شود.البته‌پارامتر βهم‌در‌اثر‌دما‌تغییر
می‌کند.در‌این‌جا‌به‌جبران‌سازی‌اثر‌تغییر 𝐸𝐵𝑉 در‌نتیجه‌تغییر‌دما‌می‌پردازیم:
𝐸𝐵𝑉∆ 𝐷𝑉∆
= فرض‌کنیم‌داریم)*(:
𝑇∆ 𝑇∆
نشان‌می‌دهیم‌که‌در‌این‌حالت،وابستگی‌جریان‌امیتر‌به‌دما‌منتفی‌می‌شود.
𝐸𝐼 𝐸𝐼
= 𝐵𝐼 = 𝐼𝐵𝐵 − 𝐼𝐷 ⇒ 𝐼𝐷 = 𝐼𝐵𝐵 −
𝛽+1 𝛽+1
جایگذاری 𝐷𝐼 𝐸𝐼
𝐷𝐼 𝐷𝑅 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 𝑉𝐷 + 𝛽𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 𝑉𝐷 + 𝑅𝐷 𝐼𝐵𝐵 − 1+
𝐷 𝑅
𝛽⇒ 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 1+ 𝐷𝑅 𝐵𝐵𝐼 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝐵𝐸 +
𝐸𝐵𝑉∆ 𝐷𝑉∆
𝐸𝐼∆ 𝑇∆ −
= 𝑇∆
𝑇∆ 𝑅 اگر‌شرط(*)برقرار‌باشد،خواهیم‌داشت:
𝐷 𝑅𝐸 +
𝛽1+
𝐸𝐼∆
=0
𝑇∆
20 علی‌نقوی
جبران‌تغییرات‌حرارتی
در‌عمل،پیداکردن‌دیودی‌که‌شرط(*)را‌برآورده‌کند‌ساده‌نیست.معموالً‌به‌جای‌دیود،از‌یک‌ترانزیستور‌که‌پیوند CBآن‌اتصال‌کوتاه
شده‌است‌استفاده‌می‌کنند.
اگر‌پیوند‌درحال‌هدایت BEترانزیستور Q1را‌با‌یک‌منبع‌ولتاژ 𝐷𝑉 جایگزین‌کنیم‌و‌معادل‌تونن
سمت‌چپ’ BBرا‌جایگزین‌کنیم،مدار‌به‌صورت‌زیر‌در‌می‌آید:
زیر‌در‌می 𝐷𝑉 𝐵𝑅 𝑅𝐷 𝑉𝐵𝐵 +
= 𝑇𝑉
𝐵𝑅 𝑅𝐷 +
𝐵𝑅|| 𝐷𝑅 = 𝑇𝑅
با‌فرض𝑅𝑇 ≪ (1 + 𝛽)𝑅𝐸 :
𝐷𝑉 𝐵𝑅 𝑅𝐷 𝑉𝐵𝐵 +
𝐸𝐵𝑉 𝑉𝑇 − 𝐸𝐵𝑉 −
𝐵𝑅 𝑅𝐷 +
KVL:در‌حلقه‌بیس = 𝐸𝐼 =
𝐸𝑅 𝐸𝑅
معادل‌تونن
21 علی‌نقوی
جبران‌تغییرات‌حرارتی
زیر‌در‌می 𝐷𝑉 𝐵𝑅 𝑅𝐷 𝑉𝐵𝐵 +
𝐸𝐵𝑉 𝑉𝑇 − 𝐸𝐵𝑉 −
𝐵𝑅 𝑅𝐷 +
= 𝐸𝐼 =
𝐸𝑅 𝐸𝑅
𝐸𝐼𝜕 1 𝐸𝐵𝑉𝜕 𝐷𝑉𝜕 𝐵𝑅
= −
𝑇𝜕 𝐷𝑅 𝜕𝑇 𝑅𝐸 𝑅𝐵 + 𝑇𝜕
برای‌ترانزیستور‌سیلیکونی:
𝑉𝑚 𝐸𝐵𝑉𝜕 𝐷𝑉𝜕
2.5 0 = 𝑘 , ≈ 𝑘= −
𝐶 𝑇𝜕 𝑇𝜕
𝐸𝐼𝜕 𝑘 1
⇒ =
) 𝐵𝑅 𝜕𝑇 𝑅𝐸 (1 +
𝐷𝑅
معادل‌تونن
22 علی‌نقوی
مدل‌سیگنال‌کوچک‌ترانزیستور
قرارداد‌کوچک‌و‌بزرگ‌نویسی‌حروف‌از‌این‌جا‌عوض‌می‌شود.
Transconductance: 𝐶𝐼𝑑
= 𝑚𝑔
ترارسانایی 𝐸𝐵𝑉𝑑
𝑑 𝐸𝐵𝑉 1 𝐸𝐵𝑉 𝐶𝐼
= 𝑚𝑔 𝑒𝐼 𝑉 𝑇 𝑒 𝑠𝐼 = 𝑉 𝑇 =
𝑠 𝐸𝐵𝑉𝑑 𝑇𝑉 𝑇𝑉
1 به‌عنوان‌مثال،اگر𝐴𝑚 𝐼𝐶 = 1باشد،در‌دمای 300کلوین‌داریم:
= 𝑚𝑔 Ω
26
• بیایید 𝐸𝐵𝑉 را‌تغییر‌داده‌و‌ولتاژ‌کلکتور‌را‌ثابت‌نگه‌داریمΔ𝐼𝐶 = 𝑔𝑚 Δ𝑉𝐵𝐸 :
در‌نتیجه‌بین‌امیتر‌و‌کلکتور‌یک‌منبع‌جریان‌کنترل‌شده‌با‌ولتاژ‌با‌مقدار 𝐸𝐵𝑉 𝑔𝑚 Δقرار‌می‌گیرد.برای‌سادگی Δ𝑉𝐵𝐸 ،را‌با 𝜋𝑉 نمایش
می‌دهیم.
𝑚𝑔 𝐶𝐼∆
= 𝐵𝐼∆ = 𝐸𝐵𝑉∆ تغییر‌در 𝐸𝐵𝑉 عالوه‌بر‌تغییر‌در 𝐶𝐼،باعث‌تغییر‌در 𝐵𝐼 می‌شود.
𝛽 𝛽
23 علی‌نقوی
مدل‌سیگنال‌کوچک‌ترانزیستور
چون‌جریان‌و‌ولتاژ‌اخیر( 𝐸𝐵𝑉∆ و 𝐵𝐼∆ )مربوط‌به‌یک‌زوج‌پایانه‌می‌شوند،می‌توان‌آن‌ها‌را‌طبق‌قانون‌اهم،با‌یک‌مقاومت‌مدل‌کرد.
𝐸𝐵𝑉∆ 𝛽
= 𝜋𝑟 =
𝐵𝐼∆ 𝑚𝑔
در‌نتیجه‌مدل‌سیگنال‌کوچک‌ترانزیستور‌به‌صورت‌زیر‌به‌دست‌می‌آید:
24 علی‌نقوی
مدل‌سیگنال‌کوچک‌ترانزیستور -اصالح‌شده
𝐸𝐵𝑉
اگر‌اثر‌ارلی‌را‌هم‌درنظر‌بگیریم،داریم:
𝐸𝐶𝑉
𝑠𝐼 = 𝐶𝐼 𝑇𝑉 𝑒 1+
𝐴𝑉
𝐸𝐵𝑉
𝐶𝐼𝜕 𝑠𝐼 𝑇𝑉 𝑒 𝐶𝐼
⇒ = ≈
𝐸𝐶𝑉𝜕 𝐴𝑉 𝐴𝑉
𝐴𝑉 مجدداً‌هردوی 𝐶𝐼 و 𝐸𝐶𝑉 مربوط‌به‌یک‌جفت‌پایانه‌هستند؛لذا‌می‌توان‌آن‌ها‌را‌با‌یک‌مقاومت‌مدل‌کرد.
= 𝑜𝑟
𝑐𝐼
25 علی‌نقوی
مدل‌سیگنال‌کوچک‌ترانزیستور -مثال
𝑟𝑜 = 15𝑘Ω , 𝑟𝜋 = 2.6 𝑘Ω برای𝐴𝑚 𝛽 = 100، 𝐼𝐶 = 1و𝑉 𝑉𝐴 = 15داریم:
محاسبه‌امپدانس‌های‌ورودی‌و‌خروجی:
فرض‌کنید‌ترانزیستور‌در‌ناحیه‌فعال‌بایاس‌شده‌است.امپدانس‌ورودی؟
امپدانس‌دیده امپدانس‌دیده
شده‌از‌بیس شده‌از‌کلکتور
𝑥𝑉 1 1 1
برای‌محاسبه‌امپدانس‌دیده‌شده‌از‌امیتر‌داریم:
𝑡𝑢𝑜𝑅 = = ≈ ≈
𝑥𝐼 1 1 𝑚𝑔 1
𝜋𝑟 𝑟𝜋 + 𝑔𝑚 + 𝑟𝑜 𝑔𝑚 +
26 علی‌نقوی
مدل‌سیگنال‌کوچک‌ترانزیستور
از‌مثال‌های‌قبل،سه‌قاعده‌مهم‌استخراج‌می‌کنیم:
با‌نگاه‌به‌بیس 𝑟𝜋 ،را‌می‌بینیم.
• اگر‌امیتر(به‌لحاظ)acزمین‌شده‌باشد
با‌نگاه‌به‌کلکتور 𝑟𝑜 ،را‌می‌بینیم.
اگر‌بیس(به‌لحاظ)acزمین‌شده‌باشد.
1
را‌می‌بینیم. با‌نگاه‌به‌امیتر،مقاومت • (هردو‌شرط‌الزم‌هستند)
𝑚𝑔
و‌اگر‌از‌مقاومت 𝑜𝑟 صرف‌نظر‌کنیم،
27 علی‌نقوی
آرایش‌امیتر‌مشترک(تحلیل‌سیگنال‌کوچک)
محاسبه‌بهره:
𝑡𝑢𝑜𝑉 𝑡𝑢𝑜𝑣
KCL: −در‌گره‌کلکتور = 𝑣𝐴 ⇒ 𝜋𝑣 = 𝑛𝑖𝑣 = 𝑔𝑚 𝑣𝜋 , 𝐶𝑅 𝑚𝑔= −
𝐶𝑅 𝑛𝑖𝑣
بهره‌ولتاژ‌توسط‌منبع‌تغذیه‌محدود‌می‌شود‌چون‌ولتاژ‌روی 𝐶𝑅 محدود‌به 𝐶𝐶𝑉 است.
28 علی‌نقوی
آرایش‌امیتر‌مشترک(تحلیل‌سیگنال‌کوچک)
محاسبه‌امپدانس
ورودی‌و‌خروجی:
𝑥𝑣
= 𝑛𝑖𝑅 :امپدانس‌ورودی 𝜋𝑟 =
𝑥𝑖
: 𝑣𝜋 = 0امپدانس‌خروجی
𝐶𝑅 = 𝑡𝑢𝑜𝑅 ⇒
چند: Trade-off
29 علی‌نقوی
آرایش‌امیتر‌مشترک(تحلیل‌سیگنال‌کوچک)
لحاظ‌کردن‌اثر‌ارلی:
• در‌عمل،اثر‌ارلی‌بهره‌ولتاژ
𝐸𝐶𝑉 را‌محدود‌می‌کند،
حتی‌اگر∞ ⟶ 𝐶𝑅
• مقاومت 𝑜𝑟 با 𝐶𝑅
موازی‌می‌شود.
) 𝑜𝑟|| 𝑐𝑅( 𝑚𝑔𝐴𝑣 = −
اگر ∞ ⟶ 𝐶𝑅 𝐴𝑣 ⟶ −𝑔𝑚 𝑟𝑜 ،بهره‌ذاتی‌ترانزیستور
𝐴𝑉 𝐴𝑉 𝐶𝐼
= 𝑜𝑟 𝑚𝑔 = ≫1
𝑇𝑉 𝐶𝐼 𝑇𝑉
30 علی‌نقوی
طبقه CEبا‌مقاومت‌امیتر()Emitter Degenerated
KCLدر‌گره‌خروجی:
𝑡𝑢𝑜𝑣
𝑔𝑚 𝑣𝜋 = −
𝑐𝑅
𝑡𝑢𝑜𝑣
⇒ 𝑣𝜋 = − )∗(
𝐶𝑅 𝑚𝑔
𝜋𝑣 1
= 𝐸𝑅𝑣 :ولتاژ‌روی‌مقاومت 𝐸𝑅 𝜋𝑣 𝐸𝑅) 𝑚𝑔 + 𝑔𝑚 𝑣𝜋 𝑅𝐸 = ( +
𝜋𝑟 𝜋𝑟
1 𝑡𝑢𝑜𝑣
= 𝐸𝑅𝑣 𝑣𝑖𝑛 = 𝑣𝜋 + ณ (𝑟𝜋−1 +𝑔𝑚 𝑅𝐸 + 1] −
= 𝜋𝑣 + 𝑔𝑚 𝑅𝐸 + 1
𝜋𝑟 ∗
𝐶𝑅 𝑚𝑔
31 علی‌نقوی
طبقه CEبا‌مقاومت‌امیتر()Emitter Degenerated
1 −1
𝑡𝑢𝑜𝑣 با‌افزایش‌مقاومت 𝐸𝑅،بهره‌ولتاژ
= 𝐸𝑅𝑣 𝑣𝑖𝑛 = 𝑣𝜋 + = 𝜋𝑣 + 𝑔𝑚 𝑅𝐸 + 1
ณ (𝑟𝜋 +𝑔𝑚 𝑅𝐸 + 1] −
𝜋𝑟 ∗
𝐶𝑅 𝑚𝑔 کم‌می‌شود.
𝑡𝑢𝑜𝑣 𝐶𝑅 𝑚𝑔−
= 𝑣𝐴 ⇒ =
𝑛𝑖𝑣 1
𝐸𝑅) 𝑚𝑔 1 + (𝑟 +
𝜋
32 علی‌نقوی
طبقه CEبا‌مقاومت‌امیتر()Emitter Degenerated
نتیجه
1 𝑡𝑢𝑜𝑣 𝐶𝑅 𝑚𝑔− 𝐶𝑅
= 𝑣𝐴 ⇒ 𝑚𝑔 ≪ ⇒ 𝛽 ≫ 1 = =− بسیار
𝜋𝑟 𝑛𝑖𝑣 𝐸𝑅 𝑚𝑔 1 + 1
مهم
𝐸𝑅 𝑔𝑚 +
33 علی‌نقوی
طبقه CEبا‌مقاومت‌امیتر()Emitter Degenerated
محاسبه‌مقاومت‌ورودی:
𝑛𝑖𝑣 𝜋𝑣
= 𝑛𝑖𝑅 = 𝑥𝑖 ,
𝑥𝑖 𝜋𝑟
𝜋𝑣 𝐸𝑅)𝛽 ⇒ 𝑅𝑖𝑛 = 𝑟𝜋 + (1 +
𝑛𝑖𝑣 𝐸𝑅) 𝜋𝑣 𝑚𝑔 = 𝑣𝜋 + ( +
𝜋𝑟
نتیجه:امپدانس‌بین‌امیتر‌و‌زمین،هنگام‌دیده‌شدن‌از‌بیس‌با‌ضریب()β+1بزرگ‌می‌شود.
34 علی‌نقوی
طبقه CEبا‌مقاومت‌امیتر()Emitter Degenerated
محاسبه‌امپدانس‌خروجی:
𝑥𝑣
= 𝑡𝑢𝑜𝑅 ⇒ 𝑣𝜋 = 0 𝐶𝑅 =
𝑥𝑖
این‌در‌صورتی‌است‌که‌از‌اثر‌ارلی‌صرف‌نظر‌کنیم(𝑟𝑜 → ∞) .
35 علی‌نقوی
طبقه CEبا‌مقاومت‌امیتر()Emitter Degenerated
درنظرگرفتن‌مقاومت‌بیس:
بهره‌ولتاژ:
مدار معادل
𝑡𝑢𝑜𝑣 𝑡𝑢𝑜𝑣 𝐴𝑣
= ×
𝑛𝑖𝑣 ถ𝐴𝑣 𝑛𝑖𝑣
بهره ولتاژ بدون در نظر گرفتن مقاومت بیس
𝑡𝑢𝑜𝑣 𝐶𝑅− 𝐴𝑣 𝐸𝑅)𝛽 𝑟𝜋 + (1 + 𝑡𝑢𝑜𝑣 𝐶𝑅−
= , = ⇒ ≈
𝐴𝑣 1 𝐵𝑅 𝑣𝑖𝑛 𝑟𝜋 + 1 + 𝛽 𝑅𝐸 + 𝑛𝑖𝑣 1 𝐵𝑅
𝐸𝑅)𝛽 𝑔𝑚 + (1 + + 𝑅𝐸 +
𝑚𝑔 𝛽+1
36 علی‌نقوی
طبقه CEبا‌مقاومت‌امیتر()Emitter Degenerated
درنظرگرفتن‌مقاومت‌بیس:
امپدانس‌ورودی:
مدار معادل
𝐸𝑅)𝛽 𝑅𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 + 𝑟𝜋 + (1 +
امپدانس‌خروجی𝑅𝐶 :
37 علی‌نقوی
طبقه CEبا‌مقاومت‌امیتر()Emitter Degenerated
درنظرگرفتن‌مقاومت‌بیس:
اثر‌مقاومت‌خروجی‌ترانزیستور:
مدار معادل 𝑥𝑣
𝑡𝑢𝑜𝑅 =
𝑥𝑖
) 𝜋𝑟|| 𝐸𝑅( 𝑥𝑖𝑣𝜋 = −
𝐸𝑅 مقاومت‌خروجی‌را‌افزایش‌می‌دهد.
) 𝜋𝑟|| 𝐸𝑅( 𝑥𝑖 𝑣𝑥 = 𝑖𝑥 − 𝑔𝑚 𝑣𝜋 𝑟𝑜 +
) 𝜋𝑟|| 𝐸𝑅( = [𝑖𝑥 + 𝑔𝑚 𝑖𝑥 𝑅𝐸 𝑟𝜋 𝑟𝑜 +
𝑥𝑣
= 𝑡𝑢𝑜𝑅 ⇒ ) 𝜋𝑟|| 𝐸𝑅( = [1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐸 𝑟𝜋 𝑟𝑜 + کاربرد‌در‌بهره‌بزرگ‌و‌منبع‌جریان
𝑥𝑖
] 𝜋𝑟 | 𝐸𝑅( 𝑚𝑔 = 𝑟𝑜 + (1 + 𝑔𝑚 𝑟𝑜 )(𝑅𝐸 ||𝑟𝜋 ) ≈ 𝑟𝑜 [1 +
38 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک
محاسبه‌بهره:
مدار معادل
𝐶𝑅 𝜋𝑣 𝑚𝑔𝑣𝑜𝑢𝑡 = −
𝜋𝑣𝑣𝑖𝑛 = −
𝑡𝑢𝑜𝑣
= 𝑣𝐴 ⇒ 𝐶𝑅 𝑚𝑔 =
𝑛𝑖𝑣
39 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک
امپدانس‌های‌ورودی/خروجی:
امپدانس‌ورودی CBکوچک‌است.
1
= 𝑛𝑖𝑅 )∞ = 𝑉( 𝐶𝑅|| 𝑜𝑟 = 𝑡𝑢𝑜𝑅
𝐴 𝑚𝑔
40 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک
اثر‌مقاومت‌منبع:
1
𝑚𝑔
= 𝑥𝑣 𝑛𝑖𝑣 𝑡𝑢𝑜𝑣 𝐶𝑅
1 ⇒ =
𝑠𝑅 𝑔𝑚 + 𝑛𝑖𝑣 1
𝑡𝑢𝑜𝑣 𝑠𝑅 𝑔𝑚 +
𝐶𝑅 𝑚𝑔 =
𝑥𝑣
مشابه‌نتیجه‌ای‌که‌برای CEمحاسبه‌کردیم(.به‌جز‌عالمت‌منفی)
41 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک
وجود‌مقاومت‌بیس:
𝐶𝑅 حدس‌ابتدایی:
= 𝑣𝐴
1 𝑅
𝐵 𝑅𝐸 + 𝑔 +
𝑚 𝛽+1
حال‌می‌خواهیم‌ببینیم‌حدس‌ابتدایی‌ما‌درست‌بود‌یا‌نه،از‌مدل‌سیگنال‌کوچک‌استفاده‌می‌کنیم.
42 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک
)𝑣𝑜𝑢𝑡 = −𝑔𝑚 𝑅𝐶 𝑣𝜋 (1
𝜋𝑣
𝑣𝑃 = 𝑅𝐵 + 𝑟𝜋 − )(2
𝜋𝑟
KCL:در‌نقطهP 𝜋𝑣 𝑛𝑖𝑣 𝑣𝑃 −
= 𝜋𝑣 𝑚𝑔 + )(3
𝜋𝑟 𝐸𝑅
از‌رابطه 2و: 3
𝜋𝑣 𝜋𝑟 𝑅𝐵 + 𝜋𝑣 𝑛𝑖𝑣
= 𝜋𝑣 𝑚𝑔 + −
𝜋𝑟 𝐸𝑅− 𝜋𝑟 𝐸𝑅
1 𝜋𝑟 𝑅𝐵 + 𝑣𝑖𝑛 1 𝑣𝑜𝑢𝑡 1 𝜋𝑟 𝑅𝐵 +
𝜋𝑣 + 𝑔𝑚 + =− ฎ
⇒ + 𝑔𝑚 + 𝑛𝑖𝑣 = 𝐸𝑅
𝜋𝑟 𝜋𝑟 𝐸𝑅 𝐸𝑅 𝜋𝑟 𝐶𝑅 𝑚𝑔 𝜋𝑟 𝐸𝑅
𝑡𝑢𝑜𝑣 𝐶𝑅
⇒ ≈
𝑛𝑖𝑣 𝑅 1
𝑔 𝑅𝐸 + 𝐵 +
𝛽+1 𝑚
43 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک
مقاومت‌ورودی‌در‌حضور‌مقاومت‌بیس(:با‌فرض∞ = 𝐴𝑉 )
𝜋𝑣
𝑖𝑥 = −𝑔𝑚 𝑣𝜋 −
𝜋𝑟
𝜋𝑣
𝑣𝑥 = − 𝜋𝑟 𝑅 +
𝐵 𝜋𝑟
𝑥𝑣 𝜋𝑟 𝑅𝐵 + 1 𝐵𝑅
= 𝑛𝑖𝑅 ⇒ = ≈ +
𝑖𝑥 𝑔𝑚 𝑟𝜋 + 1 𝑔𝑚 𝛽 + 1
44 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک
بایاس:
می‌توان‌از‌مقاومت 𝐸𝑅 در‌امیتر‌استفاده‌کرد.
𝐸𝑅 مسیری‌برای‌جریان‌فراهم‌می‌کند‌ولی‌به‌بهای‌کاهش‌مقاومت‌ورودی!
1
|| 𝐸𝑅 = 𝑛𝑖𝑅
𝑚𝑔
45 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک
بایاس:
می‌توان‌از‌مقاومت 𝐸𝑅 در‌امیتر‌استفاده‌کرد.
اگر‌منبع‌مقاومت‌داخلی‌داشته‌باشد:
1
𝑥𝑣 𝑛𝑖𝑅 𝑔 || 𝐸𝑅 𝐸𝑅
𝑚
= = =
𝑅 𝑣𝑖𝑛 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑠 (𝑅 || 1 ) + 𝑠𝑅) 𝐸𝑅 𝑚𝑔 𝑅𝐸 + (1 +
𝑔 𝐸 𝑠
𝑚
𝐶𝑅 𝑚𝑔 = 𝑡𝑢𝑜𝑣
𝑡𝑢𝑜𝑣 𝐸𝑅 𝐶𝑅 𝑚𝑔
⇒ =
𝑛𝑖𝑣 𝑠𝑅) 𝐸𝑅 𝑚𝑔 𝑅𝐸 + (1 +
1
≫ 𝐸𝑅 که‌شرط‌الزم‌برای‌اثر‌کمتر 𝐸𝑅 بر‌امپدانس نامطلوب‌است‌و‌باعث‌کاهش‌تقویت‌کنندگی‌می‌شود.لذا‌قرار‌میدهیم: کاهش‌امپدانس‌ورودی‌در‌اثر 𝐸𝑅
𝑚𝑔
ورودی‌است.در‌نتیجه‌آن،ولتاژ DCروی‌مقاومت 𝐸𝑅 باید‌بسیار‌بزرگ‌تر‌از 𝑇𝑉 باشد.
46 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک
بایاس:
نحوه‌ایجاد‌ولتاژ‌بیس؟استفاده‌از‌تقسیم‌ولتاژ:
مشابه‌حالت،CEدر‌این‌مدار‌هم‌برای‌این‌که‌حساسیت‌نسبت‌به‌تغییر βحداقل‌شود،
می‌توانیم‌فرض‌کنیم 𝐵𝐼 ≫ . 𝐼1لذا‌در‌این‌حالت:
𝑅2
≈ 𝑏𝑣 𝑉
𝐶𝐶 𝑅1 + 𝑅2
در‌اسالید‌قبل‌دیدیم‌که‌وجود‌مقاومت‌در‌بیس،باعث‌کاهش‌بهره‌ولتاژ‌می‌شود.لذا‌می‌توان‌بیس‌را‌با‌یک‌خازن،زمین‌کرد.
47 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک -مثال
طراحی‌یک‌مدار،CBبا‌بهره‌ولتاژ،10امپدانس‌ورودی 50اهم‌و‌فرض:
𝑉𝐶𝐶 = 2.5 𝑉 , 𝛽 = 100 , 𝑉𝐴 = ∞ , 𝐴 𝐼𝑠 = 5 × 10−19
حل:
1 مثلا 1
≫ 𝐸𝑅 ฎ
≈ 𝑛𝑖𝑅 ⇒ → 𝑅𝐸 = 500Ω 𝐴𝑚 = 50 Ω ⇒ 𝐼𝐶 = 0.52
𝑚𝑔 𝑚𝑔
𝐴𝑣 = 𝑔𝑚 𝑅𝐶 ⇒ 𝑅𝐶 = 500 Ω
𝑉𝑚: 500Ω × 0.52𝑚𝐴 = 260افت‌ولتاژ‌روی 𝐸𝑅
𝐶𝐼 𝑉 ⇒ 𝑣𝑏 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 1.16
) (𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝑇 ln
𝑆𝐼
48 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک -مثال
طراحی‌یک‌مدار،CBبا‌بهره‌ولتاژ،10امپدانس‌ورودی 50اهم‌و‌فرض:
𝑉𝐶𝐶 = 2.5 𝑉 , 𝛽 = 100 , 𝑉𝐴 = ∞ , 𝐴 𝐼𝑠 = 5 × 10−19
حل:
𝐶𝐼 𝐶𝐶𝑉
⇒ 𝐴𝜇 𝐼𝐵 = = 5.2 𝜇𝐴 ⇒ 𝐼1 = 10 𝐼𝐵 = 52 𝐴𝜇 = 52
𝛽 𝑅1 + 𝑅2
𝑅2 𝑅1 = 25.8 𝑘Ω
𝐶𝐶𝑉 ≈ 𝑏𝑉 :از‌طرفی ⇒ 𝑉 = 1.16
𝑅1 + 𝑅2 𝑅2 = 22.3𝑘Ω
محاسبه 𝐶1و 𝐵𝐶:فرض‌کنید‌این‌مدار‌بخواهد‌در‌یک‌گوشی‌همراه 900مگاهرتزی‌استفاده‌شود.باید‌امپدانس‌خازن‌ها‌در‌این‌فرکانس‌به‌قدر
کافی‌کوچک‌باشد.
49 علی‌نقوی
آرایش‌بیس‌مشترک -مثال
طراحی‌یک‌مدار،CBبا‌بهره‌ولتاژ،10امپدانس‌ورودی 50اهم‌و‌فرض:
𝑉𝐶𝐶 = 2.5 𝑉 , 𝛽 = 100 , 𝑉𝐴 = ∞ , 𝐴 𝐼𝑠 = 5 × 10−19
حل:
𝐶1سری‌با‌امیتر مثلا
1 1 1 1 1
⇒ ≪ ⇒ = 50 Ω ฎ =
𝑚𝑔 𝜔 𝐶1 𝑚𝑔 𝐶1 𝜔 20
𝐹𝑝 ⇒ 𝐶1 = 71
حال‌می‌خواهیم‌خازن 𝐵𝐶 را‌انتخاب‌کنیم.چون 𝐵𝐶 در‌بیس‌قرار‌دارد‌و‌نقشی‌مانند‌جمله
𝐵𝑅
بازی‌می‌کند،داریم:
𝛽+1
1 1 1 1
= 𝐹𝑝 ⇒ 𝐶𝐵 = 0.7
𝑚𝑔 𝛽 + 1 𝐶𝐵 𝜔 20
50 علی‌نقوی
آرایش‌کلکتور‌مشترک
به‌آن‌دنبال‌کننده‌امیتری‌هم‌گفته‌می‌شود.
هسته‌دنبال‌کننده‌امیتری:
مدل سیگنال
کوچک
𝑡𝑢𝑜𝑣 𝜋𝑣 مالحظه‌می‌کنید‌که‌بهره‌ولتاژ‌مثبت‌و
KCL: = 𝜋𝑣 𝑚𝑔 + 𝑡𝑢𝑜𝑣 1 𝐸𝑅
𝐸𝑅 𝜋𝑟 ⇒ = ≈
𝑡𝑢𝑜𝑣 KVL: 𝑣𝑖𝑛 = 𝑣𝜋 + 𝑛𝑖𝑣 𝑟 1 1 کمتر‌از‌یک‌است.
𝑅 𝜋 1+ 𝑔 𝑅𝐸 +
𝐸 𝛽+1 𝑚
51 علی‌نقوی
آرایش‌کلکتور‌مشترک -مثال
اگر‌مقاومت‌های‌منبع‌ولتاژ‌را‌هم‌درنظر‌بگیریم،بهره‌ولتاژ‌را‌بیابید.
𝑡𝑢𝑜𝑣 𝐸𝑅
= 𝑣𝐴 =
𝑛𝑖𝑣 1 𝑠𝑅
𝑅𝐸 + 𝑔 +
𝑚 𝛽1+
52 علی‌نقوی
آرایش‌کلکتور‌مشترک
امپدانس‌های‌ورودی‌و‌خروجی:
امپدانس‌ورودی:
𝜋𝑟 𝑥𝑖 = 𝜋𝑣
𝜋𝑣
𝑣𝑥 = 𝑣𝜋 + 𝑅𝐸 𝑖𝑥 + 𝑔𝑚 𝑣𝜋 = 𝑖ฐ
𝑥𝑖 𝐸𝑅 𝑥 𝑟𝜋 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐸 +
𝑥𝑣
= 𝑛𝑖𝑅 ⇒ 𝜋𝑟 = 𝑅𝐸 1 + 𝛽 +
𝑥𝑖 (توضیح)𝑔𝑚 𝑟𝜋 = 𝛽:
می‌تواند‌به‌عنوان بافر‌استفاده‌شود.
53 علی‌نقوی
مثال
بهره‌ولتاژ‌یک‌طبقه CEبرابر 20و‌مقاومت‌خروجی‌آن‌یک‌کیلواهم‌است.بهره‌ولتاژ‌را‌در‌حالت‌های‌زیر‌بیابید:
الف)تحریک‌مستقیم‌یک‌بلندگوی 8اهمی.
ب)قرارداشتن‌یک‌طبقه CCبا‌جریان‌بایاس 5میلی‌آمپر‌بین‌طبقه‌و‌بلندگو.
فرض‌کنید𝛽 = 100و∞ = 𝐴𝑉 و‌طبقه CCبا‌یک‌منبع‌جریان‌ایده‌آل‌بایاس‌شده‌است.
حل:
الف)
8
× 𝐴𝑣 = 20 ≪1
8 + 1000
54 علی‌نقوی
مثال
بهره‌ولتاژ‌یک‌طبقه CEبرابر 20و‌مقاومت‌خروجی‌آن‌یک‌کیلواهم‌است.بهره‌ولتاژ‌را‌در‌حالت‌های‌زیر‌بیابید:
الف)تحریک‌مستقیم‌یک‌بلندگوی 8اهمی.
ب)قرارداشتن‌یک‌طبقه CCبا‌جریان‌بایاس 5میلی‌آمپر‌بین‌طبقه‌و‌بلندگو.
فرض‌کنید𝛽 = 100و∞ = 𝐴𝑉 و‌طبقه CCبا‌یک‌منبع‌جریان‌ایده‌آل‌بایاس‌شده‌است.
حل:
ب)
𝑅𝑖𝑛1 = 𝑟𝜋2 + 𝛽 + 1 𝑅𝑠𝑝 = 1328 Ω
𝑝𝑠𝑅
× ⇒ 𝐴𝑣 = 20 ≈7
1 𝑐𝑅
𝑅𝑠𝑝 + 𝑔 +
𝑚2 𝛽+1
55 علی‌نقوی
آرایش‌کلکتور‌مشترک
امپدانس‌های‌ورودی‌و‌خروجی:
امپدانس‌خروجی:
1 𝑠𝑅
= 𝑡𝑢𝑜𝑅 ⇒ + 𝐸𝑅||
𝑔𝑚 𝛽 + 1
پس CCبه‌صورت‌یک‌بافر‌ولتاژ‌عمل‌می‌کند‌که‌دارای‌امپدانس‌ورودی‌بزرگ‌و‌امپدانس‌خروجی‌کوچک‌است.
56 علی‌نقوی
آرایش‌کلکتور‌مشترک
اثر‌مقاومت‌خروجی‌ترانزیستور:
کافی‌است‌در‌فرمول‌های‌قبل،قرار‌دهیم𝑅𝐸 → 𝑅𝐸 ||𝑟𝑜 :
57 علی‌نقوی
آرایش‌کلکتور‌مشترک
بایاس‌کردن:CC
𝐸𝑅𝑉 ≪ 𝐵𝑅 𝐵𝐼
ولتاژ‌بیس‌را‌می‌توان‌نزدیک 𝐶𝐶𝑉
درنظر‌گرفت‌و‌به‌اشباع‌نمی‌رود.
می‌توان‌به‌جای 𝐸𝑅 منبع‌جریان‌گذاشت‌تا‌بایاس‌به‌منبع‌تغذیه‌وابسته‌نباشد.
58 علی‌نقوی
You might also like
- Second Edition Foundation HWDocument14 pagesSecond Edition Foundation HWJane SmithNo ratings yet
- Prereport 8Document8 pagesPrereport 8Mahan RezakhahNo ratings yet
- EC1, MHRavanji, 2-TransformersDocument21 pagesEC1, MHRavanji, 2-Transformersghafariparsa82No ratings yet
- Pre 3Document16 pagesPre 3Mahan RezakhahNo ratings yet
- آزمایش استوکسDocument12 pagesآزمایش استوکسMamad TelegoldNo ratings yet
- EC1, MHRavanji, 5-Induction MachinesDocument7 pagesEC1, MHRavanji, 5-Induction Machinesghafariparsa82No ratings yet
- EC1, MHRavanji, 4-Synchronous MachinesDocument7 pagesEC1, MHRavanji, 4-Synchronous Machinesghafariparsa82No ratings yet
- توزیع نمونهای برآورد فاصلهایDocument32 pagesتوزیع نمونهای برآورد فاصلهایhastihosseiniNo ratings yet
- گزارش کار آزمایشگاه مدار 1: اسیلوسکوپDocument4 pagesگزارش کار آزمایشگاه مدار 1: اسیلوسکوپNima AfrazNo ratings yet
- Miter Elbow - ASME B31.3Document9 pagesMiter Elbow - ASME B31.3JavadAminpourNo ratings yet
- Fluid Mechanics: 12 SessionDocument18 pagesFluid Mechanics: 12 SessionAmir MehrNo ratings yet
- فصل 2Document11 pagesفصل 2mohammadNo ratings yet
- 6Document70 pages6alikeaminNo ratings yet
- Prereport 4Document8 pagesPrereport 4Mahan RezakhahNo ratings yet
- ویسکومترDocument7 pagesویسکومترمحمد مهدی دشتیNo ratings yet
- Pre 4Document9 pagesPre 4Mahan RezakhahNo ratings yet
- WindTunnel FinalDocument17 pagesWindTunnel Finala.farshian0No ratings yet
- قوانين كير شهفDocument5 pagesقوانين كير شهفhamidNo ratings yet
- HW04 - Ie SolDocument8 pagesHW04 - Ie SolOld HunterNo ratings yet
- عملیات واحد 1 دکتر دوستگانیDocument61 pagesعملیات واحد 1 دکتر دوستگانیshahede sehNo ratings yet
- 1Document10 pages1amirarsalan razNo ratings yet
- فورمول هاي كيمياDocument4 pagesفورمول هاي كيمياbaryalzazai2002No ratings yet
- روشهای محاسبهی پخش بار (Load Flow)Document5 pagesروشهای محاسبهی پخش بار (Load Flow)m safarniaNo ratings yet
- Report8 ADocument4 pagesReport8 AMahan RezakhahNo ratings yet
- HW05 - Ie SolDocument8 pagesHW05 - Ie SolOld HunterNo ratings yet
- جلسه هفتمDocument29 pagesجلسه هفتمsamandondonNo ratings yet
- HW06 - Ie SolDocument5 pagesHW06 - Ie SolOld HunterNo ratings yet
- فرمولر مثلثاتDocument4 pagesفرمولر مثلثاتHekmatullah AmiriNo ratings yet
- Electeronic LabDocument48 pagesElecteronic LabAdel HabibiNo ratings yet
- StyreneDocument24 pagesStyrenemohsen ranjbarNo ratings yet
- Math 9th Guess Dual 2022Document19 pagesMath 9th Guess Dual 2022Noman AmjadNo ratings yet
- Connect 5Document7 pagesConnect 5Asus HNo ratings yet
- ازمایش تعیین وزن مخصوص اجر در حالت طبیعیDocument5 pagesازمایش تعیین وزن مخصوص اجر در حالت طبیعیivanopulioNo ratings yet
- لسم ټولګي کيميا نوټDocument53 pagesلسم ټولګي کيميا نوټشازيه شانزه100% (11)
- Rectangular WeirsDocument6 pagesRectangular Weirsm_z_1366100% (5)
- 6-Signal Conditioning Part1Document65 pages6-Signal Conditioning Part1mahanahmadi435No ratings yet
- Ta 05Document3 pagesTa 05علی توکلیNo ratings yet
- AC Circuits Lecture 1Document30 pagesAC Circuits Lecture 1asadimohammadsameerNo ratings yet
- ArmDocument116 pagesArmmehranNo ratings yet
- 3 جريان در روزنه (1) - 230411 - 114322Document29 pages3 جريان در روزنه (1) - 230411 - 114322Erika GardenNo ratings yet
- سرریزDocument7 pagesسرریزمحمد مهدی دشتیNo ratings yet
- فرمول های فیزیک۲Document3 pagesفرمول های فیزیک۲aliNo ratings yet
- فرمول های فیزیک۲Document3 pagesفرمول های فیزیک۲afsharnia10No ratings yet
- مدارهای رزونانسDocument5 pagesمدارهای رزونانسhamidNo ratings yet
- Lecture7 Part2Document17 pagesLecture7 Part2xaniarNo ratings yet
- گزارش کار آز فیزیک 2Document4 pagesگزارش کار آز فیزیک 2Mehdi KeshtkarNo ratings yet
- Chapter 02Document20 pagesChapter 02clkjasdqpNo ratings yet
- توربین گاز 3Document31 pagesتوربین گاز 3Mahdi ZarnoushNo ratings yet
- آز 3- تقویت کننده کلکتور مشترکDocument2 pagesآز 3- تقویت کننده کلکتور مشترکbayknightNo ratings yet
- SpecphotometeryDocument12 pagesSpecphotometerySoheil SepahiNo ratings yet
- محاسبه لنگر و تار خنثی در حالتDocument2 pagesمحاسبه لنگر و تار خنثی در حالتabaqus catiaNo ratings yet
- گزارش کار آزمایشگاه مدار 1: اثبات قانون اهمDocument6 pagesگزارش کار آزمایشگاه مدار 1: اثبات قانون اهمNima AfrazNo ratings yet
- f56cd291cd1e4b21a675b31a1c4fb8aaDocument11 pagesf56cd291cd1e4b21a675b31a1c4fb8aazarmhmdamyn86No ratings yet
- HW09Document3 pagesHW09PAPANo ratings yet
- 2 - جذب سطحي اسيد استيکDocument4 pages2 - جذب سطحي اسيد استيکfarbodNo ratings yet
- Control 2 Session 2 Svt-1Document3 pagesControl 2 Session 2 Svt-1Mãrc ŁînēNo ratings yet
- آز 5- تقویت کننده گیت مشترکDocument2 pagesآز 5- تقویت کننده گیت مشترکbayknightNo ratings yet
- ژورنال یازدهمDocument5 pagesژورنال یازدهمMEHDI DODANGEHNo ratings yet
- آزمايش شماره4Document7 pagesآزمايش شماره4hshavababajajshNo ratings yet
