‫بدست آوردن رابطهي ولتاژ آستانه در ماسفتهاي سيليكون روي‬

‫الماس با طول كانال ‪ 22‬نانومتر و يك اليه عايق اضافي‬

‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬
‫آرش دقيقي‬ ‫زهرا سپهري‬
‫‪ -1‬دانشجوی دکتری‪-‬دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر‪-‬دانشگاه صنعتی اصفهان‪-‬اصفهان‪-‬ایران‬
‫‪za.sepehri@gmail.com‬‬
‫‪ -2‬دانشیار‪ -‬دانشکده فنی و مهندسی‪ -‬دانشگاه شهرکرد‪ -‬شهرکرد– ایران‬
‫‪daghighi-a@eng.sku.ac.ir‬‬

‫در اين مقاله براي اولين بار رابطه ي تحليلي ولتاژ آستانه در يك ترانزيستور ماسفت سيليكون روي الماس با يك اليه‬ ‫چكيده‪:‬‬
‫عايق اضافي و طول كانال كوتاه ارائه گرديده است؛ در اين ساختار اليهي عايق اول الماس است كه بر روي زيراليهي سيليكوني قرار‬
‫دارد و اليهي عايق دوم دياكسيدسيليكون مي باشد كه بر روي الماس قرار گرفته و از دو طرف به سورس و درين محدود شدهاست‪.‬‬
‫رابطهي تحليلي براي محاسبهي ولتاژ آستانه با محاسبهي خازنهاي موجود در عايق مدفون استفاده شدهاست‪ .‬نتايج بدستآمده از‬
‫روابط تحليلي و شبيه سازي افزاره براي ولتاژ آستانه در ترانزيستورهاي سيليكون روي الماس دواليه‪ ،‬سيليكون روي عايق و‬
‫سيليكون روي الماس با ابعاد و طول كانال مشابه‪ ،‬مقايسه شدهاست‪ .‬همچنين تاثير ابعاد افزاره نظير ضخامت اكسيد گيت‪ ،‬ضخامت‬
‫بدنهي سيليكوني‪ ،‬ضخامت عايق دوم و طول اين عايق را بر روي ولتاژ آستانهي افزارهي سيليكون روي الماس با عايق دواليه بررسي‬
‫كردهايم و نتايج حاصل از روابط تحليلي را با نتايج بدستآمده از شبيهسازي افزاره مقايسه نموديم و به تطبيق مناسبي بين نتايج‬
‫حاصل دستيافتهايم‪.‬‬
‫‪Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers - Vol.16- No.2-Summer 2019‬‬

‫كلمات كليدي‪ :‬سيليكون روي الماس‪ ،‬سيليكون روي عايق‪ ،‬ولتاژ آستانه‪ ،‬توزيع پتانسيل‪.‬‬

‫تاريخ ارسال مقاله ‪1395/02/15 :‬‬

‫تاريخ پذيرش مشروط مقاله‪1396/09/12 :‬‬
‫تاريخ پذيرش مقاله ‪1396/11/12 :‬‬
‫نام نويسندهي مسئول ‪ :‬آرش دقیقی‬
‫نشاني نويسندهي مسئول ‪ :‬ایران – شهرکرد – دانشگاه شهرکرد – دانشکدهی فنی و مهندسی‪.‬‬

‫مجله انجمن مهندسي برق و الکترونيک ايران‪ -‬سال شانزدهم‪ -‬شماره دوم ‪ -‬تابستان ‪1398‬‬

‫‪57‬‬
‫می کند ک مقاومت کوچکتری ب ه راه دارد‪ .‬اما نواحی سورس و درین‬
‫توسط جداکننده ا الکترود گیت جدا می شود ک با ث دو نيو ال يان‬
‫پارا یتیا یکی خا نهای پارا یتی بعلت کوپلینيگ بيین گیيت و نيواحی‬
‫در ادواتييی بييا ابعيياد ک تيير ا ‪ 100‬نييانومترا ادام ي ی کوچ ي سييا ی‬
‫سورس و درین و دیگيری مقاوميت پيارا یتی ناشيی ا امتيداد نيواحی‬
‫سورس و درین ب یر جداکننده میشود]‪.[10‬‬
‫ب منظور برطرف کردن این مشکيت ساختار سیلیکون روی ای‬
‫ت اي تهی با نواحی سورس و درین فرورفت ‪ 4‬ارائ گردید؛ در این ساختار‬
‫ای ميدفون فيرو ميیرود کي کياهش‬ ‫نواحی سورس و درین ب‬
‫مقاومت سيری در افيزاره را بي دنبيال دارد ]‪ .[10‬بيدین ترتیيب یي‬
‫ماسفت سیلیکون روی ای با سورس و درین فرورفتي جریيان دریين‬
‫بیشتری در مقایس با ماسفتهای سیلیکون روی ای مع يولی دارد و‬
‫چون در مدارات آنالوگ و مدارات فرکانس با نیا منيد جریيان دریين‬
‫بييا یی هسييتیما ماسييفت سييیلیکون روی ييای ت يياي تهييی قابلیييت‬
‫فوقالعاده ای در کاربردهای آنالوگ و فرکانسهای رادیویی در تکنوليوژی‬
‫یر‪ 50‬نانومتر با فرکانس قني بسیار با دارد ]‪ [11‬کي ماسيفتهيای‬
‫سييیلیکون روی ييای را ب ي ی ي کاندیييد مناسييب بييرای کاربردهييای‬
‫سیلیکون روی چیپ‪ 5‬تبدیل می کند‪ .‬این سياختار ييوه بير مقاوميت‬
‫سری کوچکترا اتصا ت بهتری هم دارد ]‪.[13-12‬‬
‫تاکنون کارهای بسیاری در مین های تحلیلا شبی سا ی يددی‬
‫و آ مایشگاهی ماسفت های سيیلیکون روی يای بيا سيورس و دریين‬
‫فرورفت انجاي شدهاست ]‪ .[15-13‬ی مدل تحلیلی برای ولتاژ آسيتان‬
‫ميدل سيوئینگ‬ ‫]‪[13‬ا و آنالیز شرایط یرآستان ]‪ [14‬بي ه يراه یي‬
‫یرآستان ]‪ [15‬برای افزاره ارائي کيردهاسيت‪ .‬مرجيي ]‪ [16‬روشهيای‬
‫مختلف شکل گیری ویفرهيای سيیلیکون روی يای و مزایيا و معایيب‬
‫تکنولوژی سیلیکون را مورد بررسی قرار داده و وابستگی این ساختار را‬
‫ب مشخصات فیزیکی و الکتریکی نشان میدهد‪.‬‬
‫ترانزیستورهای سیلیکون روی ای برای کاربردهای فراوانی نظیر‬
‫سیستم های میکروالکترو‪-‬مکانیکیا سیستم های نوری و سنسورهاا و ا‬
‫ه مه تر در مدارات مجت يي صينعتی ‪ CMOS‬اسيتفاده ميیشيود‪.‬‬
‫ویفرهای سیلیکون روی ای بنور ایدهآل برای لب ی هيدایت ميدارات‬
‫مجت ي با سر ت با ا تعداد ترانزیستور با و ولتاژ پایین‪ /‬لکرد تيوان‬
‫پایین مورد استفاده قرار میگیرد ]‪.[17‬‬
‫ساختار سیلیکون روی ای با سورس و درین فرورفتي‬ ‫ب ک‬
‫مشکل مقاومت در این ادوات برطرف می شود اما مشيکلی کي در ایين‬
‫ساختار وجود دارد اثرات خودگرمایی ناشی ا رسانایی حرارتيی پيایین‬
‫ای مدفون در یر فیلم سیلیکونی اسيتا بي ليت هيدایت گرميایی‬
‫پایین دیاکسیدسيیلیکون ( ‪ )1.4 W K .m‬در مقایسي بيا سيیلیکون‬
‫) ‪(140 W K .m‬ا گرمای تولیدشده در قنع ن يیتوانيد بي یر یي‬
‫منتقل شود ]‪ .[6‬خودگرمایی بر لکرد قنع چندین اثرات نيامنلو‬
‫دارد ک ا آن ج ل می توان بي کياهش جریيان درایيو بعليت کياهش‬
‫موبیلیتیا کياهش ترارسياناییا کياهش سير ت ترانزیسيتور و افيزایش‬
‫سر ت فرسودگی قنع اشاره کرد؛ مانیک تعيداد ترانزیسيتورها روی‬
‫‪58‬‬
‫‪ -1‬مقدمه‬
‫‪1‬‬
‫ماسفت های مع ولی بر طبي نقشي ی راه ‪ ITRS‬بيا مشيکيتی روبيرو‬
‫است؛ ک نیا مند ی مع اری جایگزین میباشدا چراک با کوچ شدن‬
‫ابعاد افزاره در محدودهی نانوا اثرات کانال کوتاه ن ود میکنند ]‪.[2-1‬‬
‫در ماسفت های مع ولی مانی ک طول کانال کاهش یابدا بعليت‬
‫افزایش خارن های سورس‪/‬درینا گیت کنتيرل ک تيری بير روی کانيال‬
‫داردا ا ایيين رو اثييرات کانييال کوتيياه موجييب کيياهش ا تبييار برخييی‬
‫مشخص های افزارها نظیر ولتاژ آستان میشود؛ با کاهش طول کانال بي‬
‫دنبال اثرات کانال کوتاه مشکيت دیگيری نیيز واقيي ميیشيوندا نظیير‬
‫کاهش شیب یرآستان ا کاهش نرخ ‪ I on I off‬ا کاهش قابلیت تحير‬
‫حامل ها در کانالا کاهش طول ر و کارایی ترانزیسيتورا کياهش سيد‬
‫پتانسیل ناشی ا القای درین‪2‬ا و اثر حاملهای داغ در ولتاژهيای دریين‬
‫بييا ]‪ .[4-3‬ا آنجييا ک ي ا ترانزیسييتورهای ماسييفت ب نظييور سيياخت‬
‫کلیدهای آنالوگ نیز استفاده میشودا لذا بست ب کاربرد کلیدا برخی ا‬
‫مشخص های مذکور نظیر خا نهای پيارا یتیا مقاوميت حاليت روشينا‬
‫مقاومت حالت خاموش و غیره میتواند مهم باشيد ]‪[5‬ا ا ایينرو بهبيود‬
‫این پارامترها اه یت مییابد‪.‬‬
‫‪3‬‬
‫ماسييفت سييیلیکون روی ييای یکييی ا بهتييرین سيياختارهای‬
‫جایگزین برای افزارههای بال است ک مشکل کوچ سا ی افزارههای‬
‫بال مع ولی را برطرف می کندا و با ث کنترل الی اثرات کانال کوتاه‬
‫میشود ]‪ .[6‬بررسیها نشان میدهد ک این افيزاره ترارسيانایی بيا یی‬
‫دارد ]‪[3‬ا ه چنین سوئینگ یرآسيتان ی يالیا جریيان نشيتی قابيل‬
‫کنترل و سر ت با ا مزایای دیگر این ساختار نسبت بي ادوات بالي‬
‫‪Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers - Vol.16- No.2- Summer 2019‬‬
‫است‪ .‬در ماسفت هيای سيیلیکون روی يای ت ياي تهيیا خيا نهيای‬
‫پارا یتی پیوندی کانال در سر ت با ی سيوئیچینگ کياهش ميییابيد‬
‫سیلیکونی و ای‬ ‫]‪ .[7‬قس ت فعال در این ماسفتها ی ی فوق نا‬
‫مدفون در یر آن استا ای مدفون استفاده شده بسیاری ا مشکيت‬
‫مثل جریان نشتی ]‪[3‬ا شیب با ی یرآستان و اثر بدن ]‪ [7‬را برطرف‬
‫میسا د‪.‬‬
‫نواحی نا سورس و درینا درماسفت هاا با ث اتصا ت ضعیف‬
‫الکترودهای سورس و درین و ب دنبال آن مقاومتهای سری سورس و‬
‫درین بزرگتری میشودا يوه بر آن این نواحی نيا جریيان روشينی‬
‫ک تری را در افزاره ب دنبال دارد ]‪.[8‬‬
‫برای برطرف کردن مشکل مقاوميت سيری سيورس و دریين در‬
‫ادوات بييا بدنيي ی فييوق نييا ا در مقييا ت تکنیکييی دو سيياختار ا‬
‫ماسفت های سیلیکون روی ای ارائ شده استا در ی ساختار نواحی‬
‫سورس و درین را ب س ت با رشد میدهنيد بي ایين ترتیيب نيواحی‬
‫سورس و درین بزرگتری بدست میآید و مقاومت را کياهش دهيد ]‪-9‬‬
‫‪ .[10‬در ایيين سيياختار نييواحی سييورس و دریيين بزرگتيير کي ا اتصييال‬
‫سیلیساید با سورس و درین حاصيل شيدها اتصيال من نيی را ایجياد‬
‫مجله انجمن مهندسي برق و الكترونيك ايران‪ -‬سال شانزدهم‪ -‬شماره دوم – تابستان ‪1398‬‬
 ‫‪ -2‬مدلسازي ولتاژ آستانه‬
‫‪ -1-2‬پتانسيل سطحي كانال جلو و پشت‬
‫در این مقال رابن ی ولتاژ آستان را بيرای یي ترانزیسيتور سيیلیکون‬
‫روی ال اس دو ی ک ش ای رضی آن را در شکل‪ 1‬میبینیما بدسيت‬
‫آورده ایم؛ ب این منظور ا معاد ت پواسون دوبعدی در ناحی ی کانيال‬
‫بهره جست ایم‪.‬‬
‫‪Y‬‬
‫‪X‬‬ ‫‪Gate‬‬
‫‪Gate Oxide‬‬
‫‪L‬‬ ‫‪db‬‬
‫‪tsi‬‬
‫‪Source‬‬ ‫‪Silicon Body‬‬ ‫‪Drain‬‬
‫‪Lbi‬‬
‫‪tinsulator2‬‬
‫‪Second Insulator‬‬
‫‪First Insulator‬‬
‫‪Substrate‬‬
‫‪LT‬‬
‫شكل (‪ :)1‬ساختار ماسفت سيليكون روي الماس با عايق دواليه‬
‫در شکل فوقا ‪ tox‬ا ‪ t si‬ا ‪ tinsulator2‬ا ‪ tinsulator1‬ب ترتیب ضيخامت‬
‫اکسید گیتا ضيخامت بدني ی سيیلیکونیا ضيخامت سيورس و دریين‬
‫فرورفت در ای ميدفون (ضيخامت يای دوي) و ضيخامت يای اول‬
‫است؛ ه چنین ‪L‬ا ‪ Lbi‬ا ‪ LT‬و ‪ d b‬ب ترتیب طول کانالا طول ای‬
‫دويا ط ول کلی ساختار و طول ه پوشانی سورس و درین با يای دوي‬
‫است‪ .‬پارامتر مورد بررسی در این کار ابعاد ی ی يای دوي اسيت‪ .‬بيا‬
‫کاهش فاصل ی بین سورس و درین مقاومت سری بدن کاهش مییابد‬
‫‪Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers - Vol.16- No.2-Summer 2019‬‬
‫اما این کاهش ه چنین با ث آسان تر شدن کوپلینگ میدان الکتریکی‬
‫سورس و درین ا طری مرکز کانيال شيده کي اثيرات کانيال کوتياه را‬
‫افزایش می دهد ب این ترتیب باید بین مقاوميت سيری و اثيرات کانيال‬
‫کوتاه مصالح ای برقرار گردد‪.‬‬
‫معادل ی پواسون در ناحی ی کانال ساختار سیلیکون روی ال ياس‬
‫دو ی قبل ا وارونگی قوی ب صورت رابن ی(‪ )1‬میباشد‪:‬‬
‫‪d 2 ( x, y) d 2 ( x, y ) qN a‬‬
‫‪+‬‬ ‫=‬ ‫)‪for 0  x  tsi ,0  y  L (1‬‬
‫‪dx 2‬‬ ‫‪dy 2‬‬ ‫‪ksi‬‬
‫در رابن ی فوق )‪  ( x, y‬پتانسیل الکترواستاتی در بدني ی‬
‫کانالا ‪ y‬ال ان در جهت طول کانال‬ ‫سیلیکونیا ‪ x‬ال ان در جهت‬
‫و مبدا مختصات س ت چپ و با ی بدني ی سيیلیکونی درنظير گرفتي‬
‫میشود‪ .‬ه چنین ‪ N a‬میزان ناخالصی در ناحی ی کانيالا ‪ k si‬ضيریب‬
‫سیلیکونا ‪ t si‬ضخامت بدن ی سیلیکونی و ‪ L‬طيول‬
‫کانال است‪.‬‬
‫ا بررسی در ]‪ [14‬بدست میآید ک برای مقادیر پایین ولتاژ درین‬
‫در صورتی ک ساختاری متقارن مثل ساختار یي افيزاره ی سيیلیکون‬
‫روی ال اس دو ی داشت باشیما میتوان تغییرات پتانسیل را بین مير‬
‫مجله انجمن مهندسي برق و الکترونيک ايران‪ -‬سال شانزدهم‪ -‬شماره دوم ‪ -‬تابستان ‪1398‬‬
‫چیپ با میرودا خودگرمایی اه یت بیشتری مییابد ]‪ .[18‬یي‬ ‫ی‬
‫ای مدفون ایدهآل باید ویژگیهای یر را داشت باشد‪:‬‬
‫‪ ‬هدایت گرمایی با برای تخلی ی گرما‬
‫‪ ‬خا ن با ظرفیت بزرگ بین فیلم سیلیکونی و یر ی ا تا‬
‫کنترل الکتریکی بهتری برای گیت بدست آید‪.‬‬
‫‪ ‬خا ن کوچ بین سورس و یر ی‬
‫‪ ‬میزان گيذردهی الکتریکيی پيایینا تيا کوپلینيگ بيین‬
‫سورس و درین با بدن کاهش یابد‪.‬‬
‫برای داشتن ی ای مدفون مناسب بایيد بيین مشخصيات بيا‬
‫‪tox‬‬
‫مصالح برقرار گرددا ب این منظور ای باید دو ویژگيی اصيلی یعنيی‬
‫بیشترین هدایت گرمایی و ک ترین گذردهی الکتریکی را داشت باشيد؛‬
‫در میان مواد ای و بناب ر دو فرض اصلیا ال اس بهترین گزین اسيتا‬
‫‪tinsulator1‬‬ ‫بنابراین چنانچ ب نيوان يای ميدفون ميورد اسيتفاده قيرار گیيردا‬
‫می تواند با انتقال مناسب گرمای تولیدشيده در ناحیي ی سيیلیکون بي‬
‫یر ی ا دمای قنع را کاهش دهد و ماني ا اثرات خودگرميایی شيود‪.‬‬
‫ترانزیستور سیلیکون روی ای ک در آن ا ال اس بعنوان ای مدفون‬
‫استفاده شدها سیلیکون روی ال اس‪ 6‬نامیيده ميیشيود و ميیتوانيد در‬
‫کاربردهای توان با مورد استفاده قرار گیرد‪ .‬چگالی توان ایين سياختار‬
‫بسييیار بیشييتر ا ادوات سييیلیکون روی ييای اسييت‪ .‬هييدایت گرمييایی‬
‫ال اس) ‪ (2000 W K .m‬تقریبا بیش ا ‪ 10‬برابر سيیلیکون و ‪1000‬‬
‫برابر دیاکسیدسیلیکون است ]‪.[17-16‬‬
‫در ساختار سیلیکون روی ال اس بعلت استفاده ا ال ياس بعنيوان‬
‫ای ا جریان حالت خاموشی قنع با می رود ک بر روی اثرات کانيال‬
‫کوتاه افزاره تاثیر می گذارد‪ .‬پيیش ا ایين بي دلیيل مشيکيتی کي در‬
‫ساختارهای سیلیکون روی ای (نظیر اثرات خودگرمایی) و سيیلیکون‬
‫روی ال ياس ( نظیيير اثيرات کانييال کوتيياه) وجيود داشييتا ترانزیسييتور‬
‫ای اضافی‪ 7‬پیشنهاد شيده ]‪[19‬ا و‬ ‫ی‬ ‫سیلیکون روی ال اس با ی‬
‫ه چنین چگونگی بهبود اثرات کانيال کوتياه در ایين سياختار بررسيی‬
‫ای بير روی ال ياس و در‬ ‫ی‬ ‫گردیدهاست ]‪ .[20‬در این ساختار ی‬
‫بین سورس و درین قرار میگیرد و بنور جزئی ی ی يای ال ياس را‬
‫میپوشاندا این ی ی ای دوي میتوانيد دیاکسیدسيیلیکونا یيا هير‬
‫ای دیگری با گذردهی الکتریکی ک تر نسبت ب ال اس باشد ]‪.[21‬‬
‫ما در این کار برای اوليین بيار رابني ی تحلیليی ولتياژ آسيتان ی‬
‫ساختار سیلیکون روی ال اس دو یي را بي ک ي معياد ت پواسيون‬
‫بدست آورده و نتایج تحلیلی را با نتایج شبی سا ی افزارهی نی هيادی‬
‫ثابت دی الکتری‬ ‫مقایس کردهایم‪.‬‬
‫ساختار مورد بررسی ا نظر مشخصي ی ‪ I DS  VDS‬بيا ن وني ی‬
‫ساخت شده ]‪ [22‬مقایس شدهاست و تنبی مناسبی بدست آمدهاست‪.‬‬
‫‪59‬‬
‫اسيييييت ( ‪ N S  D‬میيييييزان ناخالصيييييی سيييييورس و دریييييين)ا‬ ‫تابي سه ی‬ ‫گیت جلو و گیت پشت (جهت ‪ x‬در شکل‪ )1‬ب صورت ی‬
‫) ‪ VFB3  KT ln( N sub‬ولتاژ باند مسنح گیت پشتی‪ -‬یر ی ( ‪N sub‬‬ ‫تقریب د‪:‬‬
‫‪q‬‬ ‫‪Na‬‬ ‫)‪ ( x, y)  c0 ( y)  c1 ( y)  c2 ( y‬‬ ‫)‪(2‬‬
‫میزان ناخالصی یر ی ) است‪.‬‬
‫و )‪ c0 ( y‬ا )‪ c1 ( y‬و )‪ c2 ( y‬تنها تابي ‪ y‬هستند‪ .‬ا آنجا کي در‬
‫‪ ‬پتانسیل سنحی در انتهای ناحی ی سورس‪:‬‬
‫ساختار سیلیکون روی ال اس دو ی ا در هری ا سنح جليو و پشيت‬
‫‪ (x,0) = Vbi‬‬ ‫)‪(5‬‬
‫بدن ی سیلیکونی حاملهای بار میتوانند معکوس شوند بنابراین در مر‬
‫ک ) ‪ Vbi  KT ln( N a N S  D‬پتانسیل ساخت است‪.‬‬ ‫اکسید گیت‪/‬بدن ی سیلیکونی و در مر ای مدفون‪/‬بدن ی سيیلیکونی‬
‫‪2‬‬
‫‪q‬‬ ‫‪ni‬‬ ‫کانال میتواند تشکیل شودا ک ب ترتیيب کانيال جليو و کانيال پشيت‬
‫پتانسیل سنحی در انتهای ناحی ی درین‪:‬‬ ‫‪‬‬ ‫نامیدهمیشود‪.‬‬
‫‪ (x,L)=Vbi +VDS‬‬ ‫)‪(6‬‬
‫پس بایستی برای هری ا کانال جلو و پشت ایجاد شده در بدن ا‬
‫در مرجي ]‪ [13-8‬خا ن در نظير گرفتي شيده در ناحیي ی يای‬ ‫معادل ی پواسون حل شود و رابن ی ولتاژ آستان برای کانيال مربوطي‬
‫مدفون با خا ن هایی ک ما برای ساختار سیلیکون روی ال اس با يای‬ ‫بدست آیدا و در نهایت مقدار کوچکتر بین این دو ولتاژ ب نوان ولتياژ‬
‫دو ی تعریف کرده ایم متفاوت است ک این اختيف بي ليت افيزایش‬ ‫آستان معرفی شود‪ .‬ب منظور حيل معادلي ی پواسيون دوبعيدی فيوقا‬
‫دقت در مدل و در نظير گيرفتن ت يامی خيا نهيای موجيود در يای‬ ‫میتوان آن را ب یي معادلي ی پواسيون یي بعيدی و یي معادلي ی‬
‫مدفون است؛ ب این منظور در قس ت بعد ب معرفی این خا نها و بیان‬ ‫شرایط مير ی کي در رابني ی‬ ‫پيس دوبعدی تجزی کردا و ب ک‬
‫رابن ی آنها خواهیم پرداخت‪.‬‬ ‫)‪ (3)-(6‬آمده استا پتانسیل سنحی و ولتاژ آستان را بدست آورد ]‪[14‬ا‬
‫قانون گوس در مر اکسید گیت و بدن ی سیلیکونی‪:‬‬
‫‪ -2-2‬خازنهاي ساختار‬ ‫)‪d ( x, y‬‬ ‫) ‪ (0, y)  (VG  VFB1‬‬ ‫)‪(3‬‬
‫‪k si‬‬ ‫‪| x 0  k ox .‬‬
‫برای بدست آوردن شرایط مر ی نیا داریم تا روابط خا نهای ساختار‬ ‫‪dx‬‬ ‫‪t ox‬‬
‫را مورد بررسی قرار دهیم؛ در شکل‪ 2‬محل قرارگیری ایين خيا نهيا را‬ ‫ک ‪ kox‬ثابت دی الکتری اکسید گیيت و ‪ tox‬ضيخامت اکسيید‬
‫میبینیم‪:‬‬ ‫گیت استا ه چنین )‪ Ψ(0,y‬پتانسیل سنحی گیت جلو در مير بيین‬
‫‪VG-VFB1‬‬
‫اکسيييید گیيييت و بدنيي ی سيييیلیکونیا ‪ VG‬ولتييياژ بایييياس گیيييتا‬
‫‪Cox‬‬ ‫‪ VFB1   M   si‬ولتاژ باند مسنح‪ 8‬گیت جلو است ک ‪  M‬تابي‬
‫کار‪ 9‬گیتا ) ‪  si   si  G ,si  ( KT ) ln( N a‬تيابي کيار بدني ی‬
‫)‪Ψ(0,y‬‬ ‫‪E‬‬
‫‪Csi‬‬
‫)‪Ψ(tsi,y‬‬ ‫‪q‬‬ ‫‪2q‬‬ ‫‪q‬‬ ‫‪ni‬‬
‫‪CBS1‬‬ ‫‪CBD1‬‬
‫سیلیکونیا ‪  si‬الکترونخواهی ا ‪ EG , si‬انرژی شيکاف و ‪ ni‬ناخالصيی‬

‫‪Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers - Vol.16- No.2- Summer 2019‬‬
‫‪10‬‬
‫‪CBS2‬‬ ‫‪CBD2‬‬
‫‪VS-VFB2‬‬ ‫‪VD-VFB2‬‬
‫ذاتی سیلیکون است‪.‬‬
‫‪Cinsulator2‬‬
‫قانون گوس در مر ای مدفون و بدن ی سیلیکونی‪:‬‬
‫‪Cinsulator1‬‬ ‫) ‪d ( x, y‬‬ ‫) ‪(VD  VFB 2 )  (tsi , y‬‬ ‫)‪(4‬‬
‫‪ksi‬‬ ‫‪|x tsi  CBD .‬‬
‫‪dx‬‬ ‫‪L‬‬
‫‪VSUB-VFB3‬‬
‫) ‪(VS  VFB 2 )  (tsi , y‬‬
‫شكل (‪ :)2‬خازنهاي ساختار سيليكون روي الماس با عايق دواليه‬ ‫‪C BS .‬‬
‫‪L‬‬
‫در شيکل فييوقا ‪ Cox‬خييا ن اکسيید گیييتا ‪ Csi‬خييا ن بدني ی‬ ‫) ‪(V  V )  (tsi , y‬‬
‫‪C insulator . sub FB 3‬‬
‫ييای اولا ‪ Cinsulator 2‬خييا ن‬ ‫سييیلیکونیا ‪ Cinsulator1‬خييا ن ی ي‬ ‫‪L‬‬
‫يودی‬ ‫ی ی ای اضافیا ‪ CBD1‬خا ن هم صفح ا ‪ CBD 2‬خيا ن‬ ‫در رابن ی فوقا ‪ t si‬ضخامت بدن ی سیلیکونیا ‪ k si‬میزان ثابيت‬
‫یي ی يای ميدفونا بيا بدني ی‬ ‫بین ناحی ی درین فرورفت در‬ ‫بدني ی سيیلیکونیا ‪ C BD‬خيا ن بيین بدني و ناحیي ی‬ ‫دیالکتریي‬
‫سیلیکونی و بنور متنياظر ‪ CBS 1‬خيا ن هيم صيفح ا ‪ CBS 2‬خيا ن‬ ‫فرورفت ی درینا ‪ C BS‬خا ن بین بدن و ناحیي ی فرورفتي ی سيورس‬
‫ی ی ای ميدفونا بيا‬ ‫ودی بین ناحی ی سورس فرورفت در‬ ‫و ‪ Cinsulator‬خا ن بین بدن و یر ی اسيت (روابيط ایين خيا نهيا در‬
‫بدن ی سیلیکونی است‪.‬‬ ‫بخش‪ 2-2‬ارائ شدهاسيت)ا ه چنيین )‪  (tsi , y‬پتانسيیل سينحی‬
‫روابط )‪ (7)-(16‬بدست میآیند‪:‬‬ ‫این خا نها ب ک‬ ‫گیت پشتی در مر بيین يای ميدفون و بدني ی سيیلیکونی ‪ VD‬ا ‪VS‬‬
‫‪Cox  kox / tox‬‬ ‫)‪(7‬‬ ‫و ‪ Vsub‬بيييي ترتیييييب ولتيييياژ دریيييينا سييييورس و یر یيييي ا‬
‫‪Csi  ksi / tsi‬‬ ‫)‪(8‬‬ ‫) ‪ V  KT ln( Na N S  D‬ولتاژ باند مسنح گیت پشتی‪-‬سورس‪/‬درین‬
‫‪FB 2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪q‬‬ ‫‪ni‬‬

‫مجله انجمن مهندسي برق و الكترونيك ايران‪ -‬سال شانزدهم‪ -‬شماره دوم – تابستان ‪1398‬‬
‫‪60‬‬
 ‫خا ن بدن در سیلیکون روی ال اس دو ی ا ظرفیت خا نی سیلیکون‬ ‫‪Cinsulator 2  kinsulator 2 / tinsulator 2‬‬ ‫)‪(9‬‬
‫روی ال اس بور کردها و ه چنان روند کاهشی خود را ادام میدهيدا‬
‫‪Cinsulator1  kinsulator1 / tinsulator1‬‬ ‫)‪(10‬‬
‫در این صورت کوپلینگ خا ن بدن نسيبت بي سيیلیکون روی ال ياس‬
‫‪Cinsulator1.Cinsulator 2‬‬ ‫)‪(11‬‬
‫بهبود مییابد؛ ایين ميانی اسيت کي ‪ Cinsulator1‬و ‪ Cinsulator 2‬غاليب‬ ‫‪Cinsulator ‬‬
‫شدهاندا با افزایش بیشتر ‪ Lbi‬مقدار خيا ن نهایتيا بي سيیلیکون روی‬ ‫‪Cinsulator1  Cinsulator 2‬‬
‫ای خواهد رسید و بیش ا این کاهش نخواهد یافيتا در ایين حاليت‬ ‫‪CBS  CBS1  CBS 2‬‬ ‫)‪(12‬‬

‫غالب شدهاند‪.‬‬ ‫‪ CBD1‬و ‪CBS1‬‬ ‫‪CBD  CBD1  CBD 2‬‬ ‫)‪(13‬‬

‫‪kinsulator 2‬‬ ‫‪L‬‬ ‫)‪(14‬‬

‫‪ -3-2‬فرموالسيون ولتاژ آستانه‬ ‫‪CBD1  CBS1 ‬‬ ‫‪.ln(1 ‬‬ ‫)‬
‫با محاسب ی خا نهای ساختار و تعیین شرایط مر ی میتوان پتانسیل‬ ‫‪‬‬ ‫‪2.d‬‬

‫سنحی را در کانال جلو و پشت بدست آورد؛ برای تعیین ولتاژ آسيتان‬ ‫‪CBS 2  CBD 2‬‬ ‫)‪(15‬‬
‫در ی ساختار سیلیکون روی ال اس دو ی ا ا ولتاژ گیتا ميانی کي‬ ‫‪2kinsulator 2‬‬ ‫‪L‬‬ ‫‪L‬‬
‫=‬ ‫‪.ln(1 ‬‬ ‫‪) for  tinsulator 2‬‬
‫حداقل پتانسیل سنحی برابر با ‪ 2 b‬میشيودا بهيره ميیجيوییم کي‬ ‫‪‬‬ ‫‪2.db‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪  b‬اختيف بین ترا غیر ذاتی در ناحی ی کانال و ترا ذاتی است‪.‬‬
‫‪CBS 2  CBD 2‬‬ ‫)‪(16‬‬
‫‪2kinsulator 2‬‬ ‫‪t‬‬ ‫‪L‬‬
‫‪ 1-3-2‬ولتاژ آستانه‬ ‫=‬ ‫‪.ln(1  insulator 2 ) for  tinsulator 2‬‬
‫‪‬‬ ‫‪db‬‬ ‫‪2‬‬
‫ی ای اضافیا وارونگی‬ ‫در ی ماسفت سیلیکون روی ال اس با ی‬
‫کانال میتواند در مر پشتی ناحی ی کانال اتفاق بیفتد در حالی ک‬ ‫‪ kinsulator 2‬ثابييت دیالکتریيي ييای دويا ‪ kinsulator1‬ثابييت‬
‫مر جلو هنو در حالت تخلی قرار داردا ک این حالت بعلت کوپل‬ ‫دیالکتریيي ييای اولا ‪ tinsulator 2‬ضييخامت ييای دويا ‪tinsulator1‬‬
‫شدگی با نواحی سورس و درین اتفاق میافتد‪ .‬بنابراین در حالت کلی‬ ‫ضخامت ای اولا ‪ d b‬طول ه پوشانی سورس و درین با ای مدفونا‬
‫ولتاژ آستان ب نوان ولتاژ گیت در جایی تعریف میشود ک مقدار‬ ‫‪ d‬فاصل ی بین سورس‪/‬درین و بدن ی سیلیکونی و ‪ L‬طول کانال است‪.‬‬
‫بزرگتر بین حداقل پتانسیل سنحی گیت جلو و حداقل پتانسیل‬ ‫در شييکل‪ 3‬خييا ن معييادل در یيي ی ييای مييدفون را بييرای‬
‫سنحی گیت پشت برابر با ‪ 2 b‬میشود‪ .‬با حل معادل ی پواسونا‬ ‫ساختارهای سیلیکون روی ای ا سيیلیکون روی ال ياس و سيیلیکون‬
‫رابن ی ولتاژ آستان برای کانال جلو و پشت ب صورت روابط )‪ (17‬و‬ ‫روی ال اس دو ی برحسب طول یي ی يای دوي رسيم شيدهاسيت‪.‬‬
‫)‪ (18‬بدست میآید‪:‬‬
‫‪Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers - Vol.16- No.2-Summer 2019‬‬

‫‪SOI‬‬
‫‪0.11‬‬ ‫‪SOD‬‬
‫‪Csi‬‬ ‫)‪(17‬‬
‫‪Vthf‬‬ ‫‪ VFB1 ‬‬ ‫‪.P ‬‬ ‫‪double insulating SOD‬‬
‫‪CBS  CBD  C  Csi‬‬ ‫‪0.10‬‬

‫‪Csi‬‬ ‫‪0.09‬‬
‫)‪C(Ff/um‬‬

‫‪Vsft .‬‬ ‫‪.‬‬

‫‪CBS  CBD  C  Csi‬‬ ‫‪0.08‬‬

‫‪Csi  Cox CBS  CBD  C‬‬ ‫‪0.07‬‬

‫( ‪[1 ‬‬ ‫()‬ ‫])‬
‫‪Cox‬‬ ‫‪Csi‬‬ ‫‪0.06‬‬

‫‪Csi  Cox‬‬ ‫‪C  Cox‬‬ ‫)‪(18‬‬ ‫‪0.05‬‬

‫‪Vthb  VFB1 ‬‬ ‫‪.Q  Vsbt . si‬‬
‫‪Cox‬‬ ‫‪Cox‬‬ ‫‪0.04‬‬
‫‪20‬‬ ‫‪40‬‬ ‫‪60‬‬ ‫‪80‬‬ ‫‪100‬‬ ‫‪120‬‬

‫‪C  CBD  C‬‬

‫)‪Lbi(nm‬‬
‫‪Cox‬‬
‫([‪.‬‬ ‫‪)( BS‬‬ ‫])‬ ‫شكل (‪ :)3‬كوپلينگ كلي خازن بدنه در سرتاسر اليههاي عايق‬
‫‪Cox  Csi‬‬ ‫‪Csi‬‬
‫برحسب طول اليهي عايق دوم‬

‫در روابط فوقا پارامترهای ‪ P‬و ‪ Q‬ب ولتاژهای بایاسا ابعاد و‬ ‫با بررسی شکل با بدست میآید ک خا ن بدن در سیلیکون روی‬
‫خا ن های ساختار وابست بودها و ‪ Vsft‬و ‪ Vsbt‬ا حل معادل ی پواسون‬ ‫ال اس دو ی ا ی مقدار اولی ِ ی ماکزی م بي ا ای ‪( Lbi  L‬طيول‬
‫مؤثر کانال) شرو میشود و ی روند کاهشی را طی میکنيدا در ایين‬
‫بدست میآید‪.‬‬
‫حداقل پتانسیل سنحی در کانال جلو‪/‬پشيت بيرای تعیيین ولتياژ‬ ‫ناحی ظرفیت خا ن های ‪ CBD 2‬و ‪ CBS 2‬در ظرفیيت معيادل غاليب‬
‫آستان در کانال جلو‪/‬پشت استفاده شده و مقدار کوچکتر بین ایين دوا‬ ‫می شود؛ با افزایش طول ی ی ای اضافی در ‪ Lbi  60nm‬ظرفیت‬

‫مجله انجمن مهندسي برق و الکترونيک ايران‪ -‬سال شانزدهم‪ -‬شماره دوم ‪ -‬تابستان ‪1398‬‬

‫‪61‬‬
‫در شکل‪ 4‬نتایج حاصل ا مدلسا ی و شبی سا ی ولتاژ آستان در‬ ‫ه اننور ک در رابن ی )‪ (19‬هم نشان داده شده استا ولتاژ آسيتان را‬
‫حالت اشبا نسبت ب طول ای دويا در سياختارهای سيیلیکون روی‬ ‫تعیین میکندا بنابراین ولتاژ آستان ميیتوانيد توسيط هریي ا ولتياژ‬
‫ای ا سیلیکون روی ال اس و سیلیکون روی ال اس دو ی نشيان داده‬ ‫آستان ی سنح جلو یا ولتاژ آستان ی سنح پشت بدست آید]‪:[8‬‬
‫شدهاست‪ .‬گستره ی طول ای اضافی ا ‪( 16nm‬ک تر ا طول کانيال)‬ ‫‪V‬‬ ‫‪for‬‬ ‫‪ (0, y ) |min   (t si , y ) |min ‬‬
‫‪Vth   thf‬‬ ‫‪‬‬ ‫)‪(19‬‬
‫تا ‪ 126nm‬تغییر میکند‪.‬‬ ‫‪ (0, y ) |min   (t si , y ) |min ‬‬
‫‪Vthb for‬‬

‫‪Simulation result SOI‬‬

‫‪ -3‬نتايج مدلسازي‬
‫‪142‬‬ ‫‪Simulation result SOD‬‬
‫‪Simulation result double insulatingSOD‬‬
‫ی ای اضيافی‬ ‫ب منظور بررسی بهبود ولتاژ آستان با قرار دادن ی‬
‫‪140‬‬
‫‪Analytical result SOI‬‬ ‫بير روی يای ميدفونا نتيایج محاسيبات فيوق را بيا نتيایج حاصيل ا‬
‫‪138‬‬ ‫‪Analytical result SOD‬‬
‫‪Analytical result double insulating SOD‬‬ ‫شبی سا ی ادوات نی هادی مقایس میکنیم‪ .‬شبی سيا یهيای انجياي‬
‫)‪VTH(mV‬‬

‫‪136‬‬
‫نريافزار شبی سا ادوات نی هيادیا انجياي‬ ‫شده در این مقال ب ک‬
‫‪134‬‬
‫شييدهاسييتا ه چنييین ا آنجاک ي مييدل هیييدرودینامی بييرای ادوات‬
‫‪132‬‬
‫نی ي هييادی در ابعيياد نييانو مييدل انتقييال انييرژی مناسييبی اسييتا در‬
‫‪130‬‬
‫شبی سا ی های انجياي شيده ا ایين ميدل بهيره جسيت ایيم‪ .‬در ميدل‬
‫‪128‬‬
‫هیدرودینامی معاد ت پواسونا پیوستگی الکترون‪-‬حفره و معياد ت‬
‫‪15‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪35‬‬ ‫‪45‬‬ ‫‪55‬‬ ‫‪65‬‬ ‫‪75‬‬ ‫‪85‬‬ ‫‪95 105 115 125‬‬
‫)‪Lbi(nm‬‬ ‫بقای انرژی برای الکترونا حفره و شبک حل میشود و ه چنین دمای‬
‫حامل های الکترون و حفيره بي طيور مجيزا ا دميای شيبک محاسيب‬
‫شكل (‪ :)4‬ولتاژ آستانه برحسب طول عايق دوم‬
‫ه اننور ک در شکل هم دیده میشود ولتياژ آسيتان در سياختار‬ ‫لکيرد سياختارهای سيیلیکون روی‬ ‫میگردد [‪ .]23‬ب ایين ترتیيب‬
‫سیلیکون روی ال اس دو ی بي ا ای طيول يای اضيافی کوچي در‬ ‫ای ا سیلیکون روی ال اس و سیلیکون روی ال اس با ای دو یي را‬
‫نزدیکی ولتاژ آستان ی افزاره ی سیلیکون روی ال اس قيرار دارد اميا بيا‬ ‫در ولتاژ آستان با یکدیگر مقایس ن ودهایم‪.‬‬
‫افزایش این طول شاهد ی روند صعودی در ولتاژ آستان هسيتیما بي‬ ‫ابعاد و پارامترهای بکار رفت در شبی سيا ی سياختار در جيدول‪1‬‬
‫طوریک در ‪ 46nm  Lbi  96nm‬ولتاژ در ترانزیسيتور سيیلیکون‬ ‫آورده شده است‪ .‬در ساختار سیلیکون روی ای یي ی يای ميدفون‬
‫روی ال اس دو ی ا ولتياژ سياختار سيیلیکون روی يای هيم بيا تر‬ ‫دراکسیدسیلیکون و در ساختار سیلیکون روی ال اس ا جنس ال ياس‬
‫است؛ درحالیک در سیلیکون روی ال اس دو ی ا هير دو مياده بهيره‬
‫میرود در این حاليت خيا ن ‪ CBD‬و ‪ CBS‬توسيط ‪ CBD1‬و ‪CBS1‬‬
‫جسيييت ایيييم بييي طيييوری کييي يييای اول ال ييياس و يييای دوي‬
‫غالب میشود‪.‬‬

‫‪Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers - Vol.16- No.2- Summer 2019‬‬
‫بنابراین در با ه ای ک ولتاژ آستان ا ولتاژ در سیلیکون روی ای‬ ‫دیاکسیدسیلیکون است‪.‬‬
‫بیشتر می شودا بهترین حالت برای اسيتفاده ا سيیلیکون روی ال ياس‬ ‫جدول (‪ :)1‬مقادير پارامترهاي بكار رفته در ساختار‬
‫مقدار‬ ‫پارامتر‬
‫دو ی استا چراک با داشتن مزایيای ایين سياختار مثيل خيا نهيای‬
‫‪152nm‬‬ ‫طول کلی ساختار‬
‫پارا یتی و مقاومت سری کوچ ا بیشترین ولتاژ آستان را هم در بيین‬ ‫‪22nm‬‬ ‫طول کانال‬
‫ادوات سیلیکون روی ای دارد‪.‬‬ ‫‪3nm‬‬ ‫طول ه پوشانی سورس و درین با اکسید مدفون‬
‫اکنون ک ولتاژ آستان را بر حسب طول ی ی يای دوي بدسيت‬ ‫‪100nm‬‬ ‫ضخامت ای اول‬
‫‪28nm‬‬ ‫ضخامت ای دوي‬
‫آوردیيما تيياثیر ضييخامت بدني ی سييیلیکونیا ضييخامت اکسييید گیييتا‬
‫‪7nm‬‬ ‫ضخامت فیلم سیلیکونی‬
‫ضخامت ای اول و ضخامت ای اضافی را بر روی این ولتياژ بررسيی‬ ‫‪0.5nm‬‬ ‫ضخامت اکسید گیت‬
‫مین اییم‪.‬‬ ‫‪5.7‬‬ ‫ثابت دیالکتری ای اول (ال اس)‬
‫در شکل‪ 5‬با تغییر ضخامت بدن ی سیلیکونی نتایج حاصل را برای‬ ‫‪11.7‬‬ ‫ثابت دیالکتری سیلیکون‬
‫‪3.9‬‬ ‫ثابت دیالکتری ای دوي (دیاکسید سیلیکون)‬
‫ولتاژ آستان با یکدیگر مقایس ن ودهایيم‪ .‬بيا توجي در شيکل خيواهیم‬
‫دانست ک در ادوات با ناخالصی سنگینا با افزایش ضخامت بدن ولتياژ‬ ‫‪5 1022 cm3‬‬ ‫میزان ناخالصی گیت‬
‫‪1022 cm3‬‬ ‫میزان ناخالصی سورس و درین‬
‫آستان نیز افزایش خواهد یافتا و این ب آن لت است ک بيا افيزایش‬
‫‪1.5 1019 cm3‬‬ ‫میزان ناخالصی بدن ی سیلیکونی‬
‫ضخامت بدن ب ولتاژ گیت بیشتری برای معکيوس شيدن کانيال نیيا‬ ‫‪1015 cm3‬‬ ‫میزان ناخالصی یر ی‬
‫است و بنابراین ولتاژ آستان ی بزرگتری هم خواهیم داشيت‪ .‬ه چنيین‬
‫دیده می شود ک با افزایش ضخامت بدن افت ناگهيانی ولتياژ در طيول‬ ‫اوليین پييارامتری کي تيياثیر آن را بيير روی ولتيياژ آسييتان بررسييی‬
‫مین اییما ضخامت ای دوي است‪.‬‬

‫مجله انجمن مهندسي برق و الكترونيك ايران‪ -‬سال شانزدهم‪ -‬شماره دوم – تابستان ‪1398‬‬
‫‪62‬‬
 ‫کوچکتری ا ای اضافی اتفاق میافتد و بیشترین افت در ‪t si  7nm‬‬
‫‪145‬‬ ‫اتفاق میافتد‪.‬‬
‫‪Analytical result tins2=18nm‬‬
‫‪Simulation result tins2=18nm‬‬
‫‪Analytical result tins2=28nm‬‬ ‫‪230‬‬
‫‪140‬‬
‫‪Simulation result tins2=28nm‬‬ ‫‪Analytical result tsi=7nm‬‬
‫‪Simulation result tsi=7nm‬‬
‫)‪VTH(mV‬‬

‫‪210‬‬ ‫‪Analytical result tsi=10nm‬‬

‫‪135‬‬
‫‪Simulation result tsi=10nm‬‬
‫‪190‬‬

‫)‪VTH(mV‬‬
‫‪130‬‬
‫‪170‬‬

‫‪125‬‬ ‫‪150‬‬
‫‪16 26 36‬‬ ‫‪46 56‬‬ ‫‪66 76 86‬‬ ‫‪96 106 116 126‬‬
‫)‪Lbi(nm‬‬
‫‪130‬‬
‫شكل (‪ :)7‬ولتاژ آستانه برحسب طول عايق دوم براي مقادير متفاوت‬ ‫‪16 26‬‬ ‫‪36 46‬‬ ‫‪56 66‬‬ ‫‪76 86 96 106 116 126‬‬
‫ضخامت عايق دوم‬ ‫)‪Lbi(nm‬‬
‫شكل (‪ :)5‬ولتاژ آستانه برحسب طول عايق دوم براي مقادير متفاوت‬
‫‫‬
‫نتيجهگيري‬ ‫‪-4‬‬ ‫ضخامت فيلم سيليكوني‬

‫در این مقال سيا ختار سيیلیکون روی ال ياس دو یي بيا سياختارهای‬
‫سیلیکون روی ای و سیلیکون روی ال اس مقایس گردیدا کي در آن‬
‫ی ی ای دوي بر روی ای ال اس قرار میگیرد و بنور جزئی ال اس‬
‫را می پوشاند‪ .‬ب این منظور خا ن بدن را در سرتاسر ای مدفون بنور‬
‫تحلیلی محاسب کرده و نتایج را ب تصيویر کشيیدیم؛ ه چنيین بيرای‬
‫اولین بار ب صورت تحلیلی ولتاژ آستان را در ی ترانزیستور سیلیکون‬
‫معاد ت پواسون دوبعدی‬ ‫ی ای اضافی ب ک‬ ‫روی ال اس با ی‬
‫و ا طری مدل های تو یي پتانسیل سنحی گیت جلو و پشيت بدسيت‬
‫آوردیم‪.‬‬
‫تاثیر ضخامت و طول ای دوي را بر روی ولتاژآستان و خا ن بدن‬
‫‪Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers - Vol.16- No.2-Summer 2019‬‬
‫در شکل‪ 6‬ولتاژ آستان ی ی ترانزیستور سیلیکون روی ال اس بيا‬
‫ی ای اضافی را بيرای دو مقيدار ا ضيخامت اکسيید گیيت بي‬ ‫ی‬
‫تصویر کشیده ایم‪ .‬ا شکل برمی آید ک با افزایش این ضخامت تغییيری‬
‫در روند ولتاژ آستان اتفاق ن ی افتد برای هير دو مقيدار افيت ولتياژ در‬
‫طول یکسانی ا ای دوي اتفاق افتاده و تنها یي شيیفت بي مقيادیر‬
‫با تر پیدا کردهاست‪ .‬مانیک ‪ tox‬کاهش یابد ‪ Cox‬افزایش را ب ه راه‬
‫دارد ک با ث می شود گیت جلو کنترل بیشتری روی پتانسيیل کانيال‬
‫در کل ضخامت بدن داشت باشد و ه چنيین پتانسيیل سينحی گیيت‬
‫پشتی توسط گیت جلو نسبت ب گیت پشت بیشتر کنترل میشود‪.‬‬

‫‪240‬‬
‫‪Analytical result tox=0.8nm‬‬
‫نشان دادیم و دیدیم ک با افزایش طول ای دوي خا ن بدن ی روند‬ ‫‪Simulation result tox=0.8nm‬‬
‫‪220‬‬
‫کاهشی را طی میکند ب طوری ک در مقادیر بيا بي خيا ن بدني در‬ ‫‪Analytical result tox=1nm‬‬
‫‪Simulation result tox=1nm‬‬
‫ساختار سیلیکون روی ای میرسدا و ولتاژ آستان افزایش یافتي و در‬ ‫‪200‬‬
‫)‪VTH(mV‬‬

‫گستره ای ا این طول ب بیش ا ولتاژ آستان در ساختار سیلیکون روی‬ ‫‪180‬‬
‫ای خواهد رسید ا ک این با ه ا طول يای دوي بهتيرین سياختار را‬
‫‪160‬‬
‫برای ی سیلیکون روی ال اس دو ی ب تصویر کشیده است‪ .‬ه چنین‬
‫ولتاژ آستان را بيرای مقيادیر متفياوت ا ضيخامت بدني ی سيیلیکونیا‬ ‫‪140‬‬
‫ضخامت اکسید گیتا ضخامت ای ال اس و ضيخامت يای دوي بي‬
‫‪120‬‬
‫تصویر کشیدهایم و تاثیر هری را بررسی کردیم‪ .‬ه چنین نتایج حاصل‬ ‫‪16 26‬‬ ‫‪36‬‬ ‫‪46 56‬‬ ‫‪66‬‬ ‫‪76 86‬‬ ‫‪96 106 116 126‬‬
‫)‪Lbi(nm‬‬
‫ا روابط تحلیلی را با نتایج حاصل ا شبی سا ی قنع مقایس کيرده و‬
‫ب تنبی مناسبی دستیافت ایم‪.‬‬ ‫شكل (‪ :)6‬ولتاژ آستانه برحسب طول عايق دوم براي مقادير متفاوت‬
‫ضخامت اكسيد گيت‬
‫ا نتایج بدست میآید ک در صيورت انتخيا صيحیح و مناسيب‬
‫در شکل ‪ 7‬با تغییر ضخامت ای اضافی ولتاژ آستان را بيرای دو‬
‫ابعادا این ساختار لکرد مناسبی را در بین ادوات سیلیکون روی ای‬
‫مقدار ا این ضخامت رسم کيردهایيما دیيده ميیشيود کي بيا افيزایش‬
‫دارا میباشد و می تواند بعنوان ی ساختار با مزایای بیشيتر جيایگزین‬
‫ضخامت ای دوي ن تنها ولتاژ آستان بیشتر خواهد بود بلک افت ولتاژ‬
‫سایر ادوات سیلیکون روی ای شود‪.‬‬
‫هم شدیدتر خواهد شد و این افت در طول کوچکتری ا يای دوي رخ‬
‫میدهد‪.‬‬

‫مجله انجمن مهندسي برق و الکترونيک ايران‪ -‬سال شانزدهم‪ -‬شماره دوم ‪ -‬تابستان ‪1398‬‬

‫‪63‬‬
[16] Kamal, B., Arezki, B., Hakim, A., and Ahcene, L., (2008)
“On Silicon on Insulator Technology and Devices,” Africa
Physical Review, 11(7), pp 26-28.
[17] Tech, M., (2013) “Study of Floating Body Effect in SOI
Technology,” International Journal of Modern Engineering
Research (IJMER), 3, pp 1817-1824.
[18] Mazellier, J-P., Faynot, O., Cristoliveanu, S., Deleonibus,
S., and Bergonzo, P., (2008), “Integration of diamond in
fully-depleted silicon-on-insulator technology as buried
insulator: A theoretical analysis,” Diamond & Related
Materials. 17, pp 1248-1251.
[19] Daghighi, A., Double Insulating Silicon-on-Diamond
Device, USPTO Patent, US 2013/8375341 B2.
[20] Daghighi, A., (2013) “A novel structure to improve DIBL in
fully-depleted Silicon-on-Diamond substrate,” Diamond &
Related Materials .40, pp. 51-55.
[21] Young, K.K., (1989), “Analysis of conduction in fully
depleted SOI MOSFETs,” IEEE Transactions on Electron
Devices, 36(3), pp 504.
[22] Krivokapic, Z., Maszara, P., and Lin, M-R. (2005)
“Manufacturability of 20-nm Ultrathin Body Fully
Depleted SOI Devices with FUSI Metal Gates,” IEEE
Transaction on Semiconductor Manufacturing, 18(1).
[23] ISE TCAD Manual, ISE Integrated System Engineering,
Version 10.0, 2004.
‫زيرنويسها‬
1
Scaling
2
Drain Induced Barrier Lowering (DIBL)
3
Silicon-on-Insulator (SOI)
4 Electronics, 95, pp 52-60.
Recessed Source/Drain Fully-Depleted SOI (Re S/D
FD SOI)
5 Recessed Source Drain Ultrathin Body SOI MOSFET,”
Silicon on Chip (SoC)
6
Silicon-on-Diamond (SOD)
7
Double Insulating SOD
8
Flat Band
9
Work function
10
Electron affinity
64
‫مراجع‬
[1] Saramekala, G.K., Santra, A., Dubey, S., Jit, S., and
Tiwari, P.K., (2013) “An analytical threshold voltage
model for a short-channel dual-metal-gate (DMG)
recessed-source/drain (Re-S/D) SOI MOSFET,”
Superlattices and Microstructures, 60, pp580-595.
[2] Priya, A., Mishra, R.A., (2016) “A two dimensional
analytical modeling of surface potential in triple metal gate
(TMG) fully-depleted Recessed-Source/Drain (Re-S/D)
SOI MOSFET,” Superlattices and Microstructures, 92, pp
316-329.
[3] Coling, J.P., (2007), “Multi-gate SOI MOSFETs,
Microelectronic Engineering 84,” pp 2071-2076.
‫قبادیا افضلی کوشاا "بررسی و مدلسا ی اثر ناپایداری در دمای با و‬
‫( در افزارههای‬HCI) ‫( و تزری حاملهای انرژی‬NBTI)‫بایاس منفی‬
‫چندگیتی نانومتری"ا مجل انج ن مهندسین برق و الکترونی ایرانا‬
.94 ‫ا پائیز‬14-1 ‫ش اره دويا صفح‬
‫حسن ادها دانائیا "ی راهکار جدید برای کاهش جریان نشتی در‬
‫"ا مجل انج ن مهندسین برق و الکترونی ایرانا‬CMOS ‫کلیدهای‬
.95 ‫ا مستان‬40-33 ‫ش اره چهاريا صفح‬
[6] Kumar, P.R., and Mahapatra, S., (2010) “Analytical
modelling of quantum threshold voltage for triple gate
MOSFET,” Solid-State Electronics, 54, pp 1586–1591.
[7] Tiwari, P.K., Kumar, A., and Talukdar, D., (2016) “An
analytical gate tunneling current model of Re-S/D SOI
MOSFETs,” 2016 IEEE Uttar Pradesh Section
International Conference on Electrical, Computer and
Electronics Engineering (UPCON).
[8] Kumar, A., and Tiwari, P.K., (2014) “A threshold voltage
model of short-channel fully-depleted recessed-
source/drain (Re-s/d) UTB SOI MOSFETs including
substrate induced surface potential effects,” Solid-State
[9] Zhang, Z., Zhang, Sh., and Chan, M., (2004) “Self-Align
IEEE Electron Device Letters, 25(11), pp740-742.
Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers - Vol.16- No.2- Summer 2019
[10] Ke, W., Han, X., Li, D., Liu, X., Han, R., and Zhang, Sh.,
(2006) “Recessed Source/Drain for Scaling SOI MOSFET
to the Limit,” IEEE Trans.
[11] Patil, G.C., and Qureshi, S., (2013) “Asymmetric drain
underlap dopant-segregated Schottky barrier ultrathin-body
SOI MOSFET for low-power mixed-signal circuits,”
Semiconductor Science and Technology. 28, 045002.
[12] Saramekala, G.K., Dubey, S., and Tiwari, P.K., (2014)
“Analog and radio-frequency (RF) performance evaluation
of fully-depleted (FD) recessed-source/drain (Re-S/D) SOI
MOSFETs,” Superlattices and Microstructures, 76, pp77-
89.
[13] Svilicic, B., Jovanovic, V., and Suligoj, T., (2009)
“Analytical models of front- and back-gate potential
distribution and threshold voltage for recessed source/drain
UTB SOI MOSFETs,” Solid-State Electron. 53.
[14] Svilicic, B., Jovanovic, V., and Suligoj, T., (2010)
“Analysis of subthreshold conduction in short channel
recessed source/drain UTB SOI MOSFETs,” Solid-State
Electron. 54, pp 545-551.
[15] Saramekala, G.K., Santra, A., Kumar, M., Dubey, S., Jit,
S., and Tiwari, P.K., (2014) “Analytical subthreshold
current and subthreshold swing models of short-channel
dual-metal-gate (DMG) fully-depleted recessed-
source/drain (Re-S/D) SOI MOSFETs,” J. Compute.
Electron, 13, pp 467-476.
1398 ‫ شماره دوم – تابستان‬-‫ سال شانزدهم‬-‫مجله انجمن مهندسي برق و الكترونيك ايران‬