‫به نام خدا‬

‫عنوان سمینار ‪:‬‬

‫بررسی رفتار اکسیتون در چاه های‬

‫کوانتومی‬

‫استاد راهنما ‪:‬‬

‫آقای دکتر بشیری‬

‫عنوان درس ‪:‬‬

‫اسپکتروسکوپی‬

‫ارائه دهندگان ‪:‬‬

‫زهره گل افروز – فرزاد بنابی‬

‫پاییز ‪85‬‬

‫اهداف ‪:‬‬
‫در اين كنفرانس رفتار اكسيتون را در چاه هاي كوانتومي جفت‬
‫شده دو تايي ‪( GaAs‬گاليم ارسنايد) يا ‪(AlGaAs‬الومينيوم گاليم‬
‫ارسنايد)را بررسي مي كنيم ‪ .‬تقارن چاه كوانتومي دو تايي را با‬
‫تغيير پهناي چاه وسد وارتفاع سد تغيير داده و اثرات ان را بر روي‬
‫انرژي بستگي اكسيتون و تابع هم پوشاني الكترون‪-‬حفره(سنگين و‬
‫سبك)مورد مطالعه قرار مي دهيم ‪.‬‬

‫مقدمه‪:‬‬
‫در حدود ‪ 3/2‬از تحقيقات در زمينه فيزيك نيمه رساناها بر روي چند‬
‫ساختاري هاي نيمه رسانا و به طور خاص چند ساختاري هاي دو‬
‫تايي كه شامل چاه هاي كوانتومي سيمهاي كوانتومي ونقاط‬

‫‪1‬‬
‫كوانتومي مي باشند انجام مي پذيرد‪ .‬توجه بي نظير دانشمندان به‬
‫اين شاخه از علم فيزيك به دليل كاربردهاي فوق العاده و اثر انكار‬
‫ناپذير آن در پيشرفت زندگي بشر بوده است ‪ .‬چند ساختاري هاي‬
‫نيمه رسانا امكان حل مشكلت اساسي در نيمه رساناها را فراهم‬
‫كرد و توسط ان كنترل بسياري از پارامترهاي بنيادي بلور نيمه‬
‫رسانا فراهم شد ‪ .‬اين پارامترها شامل گاف انرژي ‪ ،‬جرم موثر‬
‫ذرات ‪ ،‬قابليت تحرك حامل ها ‪ ،‬ضريب شكست ‪ ،‬ساختار نواري‬
‫وغيره هستند كه با تنظيم آنها مشكلت چنداني در كنترل ذرات در‬
‫ساختارها و در نتيجه رسيدن به نتايج مطلوب باقي نمي ماند ‪.‬‬
‫كنترل بي نظير روي پارامترهاي اساسي اين ساختارها ‪ ،‬قطعاتي‬
‫با كارايي بال را ايجاد كرده كه مي توان به صورت نمونه مثال هاي‬
‫زير را مطرح كرد ‪:‬‬
‫انواع ليزرهاي چند ساختاري دو تایي كه در ديسك هاي فشرده‬
‫(پخش كننده آن ها) و در سيستمهاي پيچيده مخابراتي به كار مي‬
‫روند ‪.‬‬
‫ترانزيستورها با نويز پايين و تحرك الكتروني بال كه در قطعات با‬
‫كاربرد فركانس قوي مانند تلويزيون هاي ماهواره اي ‪ ،‬سلول هاي‬
‫خورشيدي چند ساختاري كه در فضا استفاده مي شوند و‪...‬‬
‫انتشار مقالت مشهور فرنكل در سال ‪ 1931‬بود كه طي آن اثرات‬
‫اكسيتوني را پيشگويي كرد ‪ .‬گروس در سال ‪ 1951‬موفق شد‬
‫اكسيتون را به شكل عملي كشف نمايد ‪ .‬خواص نيمه رسانايي‬
‫به طور مستقل به صورت نظري و عملي‬ ‫‪A3 B5‬‬ ‫تركيباتي مانند‬
‫به ترتيب توسط ولكر و گوريونوا ورگل در انيستيتو تكنوفيزيك‬
‫مورد بررسي قرار گرفت ‪ .‬عليرغم اين پيشرفت ها محققان‬
‫دريافتند تركيبي مناسب با مشكلتي همچون عدم تطبيق ساختار‬
‫عناصر مواجه بودند به اين معني كه عناصر مورد استفاده در تركيب‬
‫ثابت هاي شبكه بسيار متفاوتي دارد كه اين مسئله‬ ‫‪A3 B5‬‬
‫تركيب را ناپايدار و غير يكنواخت مي ساخت ‪.‬‬
‫روشهاي متفاوتي براي حل اين مشكل استفاده شد تا اينكه‬
‫بالخره با توليد اولين چند ساختاري ‪ AlGaAs‬توانستند به تطبيق‬
‫شبكه اي باليي دست يابند ‪.‬‬
‫يكي از زير شاخه هاي چند ساختاري ها ‪ ،‬ساختارهاي كوانتمي مي‬
‫باشد ‪ .‬در صورتيكه محبوس سازي ذرات تنها در يك بعد صورت‬
‫پذيرد اين ساختار به عنوان چاه كوانتمي مشهور خواهد بود ‪ .‬در‬
‫اين ساختارها اثراتي مشاهده مي شوند كه ناشي از پهناي كم و‬
‫قابل قياس ليه ها با طول موج دوبروي مي باشد و به عنوان‬
‫اثرات اندازه كوانتومي مشهور است ‪.‬‬

‫ساختار نواري جامدات ‪:‬‬

‫براي درك مفهوم نوارهاي انرژي در ابتدا اتم هاي ايزوله را در نظر‬
‫مي گيريم و سپس آنها را در كنار يكديگر قرار مي دهيم تا يك‬
‫مولكول جامد را تشكيل دهند ‪ .‬در صورتيكه جدا شدگي ميان اتمها‬
‫بينهايت باشد اتمها مستقلند و در نتيجه داراي ترازهاي انرژي اتمي‬
‫مي باشند اما هنگامي كه اتمها را به يكديگر نزديك مي كنيم ‪،‬‬

‫‪2‬‬
 ‫الكترونها تحت تاثير هسته ي مجاور و الكترونهاي همسايه قرار‬
‫خواهند گرفت ‪ .‬الكترونها به تدريج با نزديك شدن بيشتر اتمها‬
‫اثرات بيشتري بر هم مي گذارند و زماني كه اين نزديكي اتمها‬
‫منجر به تشكيل مولكول گردد هر تراز اتمي به ترازهاي مولكولي‬
‫چندتايي شكافته مي شود ‪ ،‬به اين پديده پهن شدگي تراز گفته مي‬
‫شود ‪ .‬اين ترازهاي انرژي پيوسته پهناي انرژي مشخصي دارند وبه‬
‫نوارهاي انرژي معروفند ‪ .‬به طور كل هر نوار انرژي از نوار انرژي‬
‫همسايه اش توسط يك گاف نوار ممنوع جدا شده است در صورتي‬
‫كه دو اتم به هم نزديك شوند ميان آنها اندركنش ايجاد مي شود و‬
‫توابع موج الكترونها برهم كنش مي نمايند كه اين مسئله تبهگني را‬
‫از ميان مي برد ‪ ،‬در اين صورت هر كدام از ترازهای (‪ -1‬الف)‬
‫چنانچه در شكل (‪ -1‬ب ) نمايش داده شده است به يك تراز دوتايي‬
‫تبديل مي شود ‪ ،‬هر چه اتمها به هم نزديك شوند پتانسيل‬
‫اندركنشي قويتر مي شود و شكافتگي ترازها قويتر خواهد شد ‪.‬‬
‫نكته قابل توجه اين است كه شكافتگي ترازهاي الكتروني نزديك‬
‫هسته كمتر از شكافتگي در ترازهاي دورتر است ‪ ،‬دليل اين موضوع‬
‫اين است كه حامل هاي الكترون در ترازهاي نزديكتر به هسته مقيد‬
‫بوده و اين قيد بسيار قويتر از تاثير نزديكي اتمها مي باشد و در‬
‫نتيجه پتانسيل اندركنشي بر آنها نسبت به ترازهاي دورتراز هسته‬
‫كمتر است ‪ .‬مجموعه ي اين زيرترازها را مي توان به عنوان‬
‫نوارهاي انرژي در نظر گرفت ‪.‬‬

‫‪:‬‬ ‫طبقه بندي جامدات‬

‫پرشدن الكترونها در ترازها بر اساس اصل طرد پاولي صورت مي‬
‫گيرد ‪ .‬فرض كنيد بلور در حالت پايه قرار داشته باشد و هيچ‬
‫تحريكي به آن اعمال نشود ( دماي پايين ) در اين شرايط وقتي‬
‫الكترونها به طور كامل درون ترازها جاي گرفتند بالترين نوار‬
‫انرژي كه كامل پر باشد نوار ظرفيت و نوار بعد از آن كه انرژي‬
‫بيشتري دارد و ممكن است خالي يا نيمه پر باشد نوار رسانش‬
‫ناميده مي شود ‪ .‬بر اساس تعاريف بال دسته بندي مواد جامد به‬
‫شكل زير خواهد بود ‪:‬‬
‫اگر نوار رسانش قسمتي پر و قسمتي خالي باشد ‪ ،‬بلور يك فلز‬
‫است ‪.‬اگر نوار رسانش خالي باشد يك عايق است ‪ .‬فلزات‬
‫رساناهاي الكتريكي خوبي هستند چون هنگامي كه الكترونها را‬
‫توسط ميدان الكتريكي يا عوامل ديگر تحريك نماييم به راحتي از‬
‫حالت اشغال شده در نوار رسانش به حالت اشغال نشده در همان‬
‫نوار مي روند ‪ ،‬چنين گذارهايي به گذارهاي ميان نواري معروف‬
‫است ‪ .‬در نارساناها اختلف انرژي ميان نوار ظرفيت و نوار‬
‫رسانش بسيار زياد است و عوامل تحريك معمول قادر به تامين‬
‫انرژي هاي گذار بين نواري نيستند در ضمن به دليل پر بودن نوار‬
‫ظرفيت گذارهاي ميان نواري هم امكان ندارد ‪ .‬در صورتي كه گاف‬

‫‪3‬‬
 ‫انرژي ميان نوارهاي ظرفيت و رسانش در حدود ‪ 1ev‬باشد بلور يك‬
‫نيمه رسانا خواهد بود كه در آنها امكان تحريك براي گذارهاي بين‬
‫نواري وجود دارد ‪.‬‬

‫نواري‬ ‫ساختار‬
‫گاليم‬
‫آرسنايد ‪:‬‬
‫‪ Ga‬داراي ‪ 31‬الكترون است و داراي ‪ 3‬الكترون در ليه خارجي خود‬
‫مي باشد ولي آرسنيك ‪ 33‬داراي ‪ 5‬الكترون در ليه خارجي خود‬
‫است با تركيب اين دو اتم و شكافتگي ترازها ‪ ،‬ترازهاي پيوندي و‬
‫پاد پيوندي تشكيل ميشود كه ترازهاي پيوندي كامل پر و ترازهاي‬
‫پاد پيوندي كامل خالي است ‪.‬‬
‫اگر اين سلول واحدها را كه تركيبي مانند شكل زیر دارند در كنار‬
‫يكديگر به عنوان بلور گاليم آرسنايد در نظر بگيريم در نتيجه ترازها‬
‫به نوارها شكافته مي شوند يعني تراز پيوندي به نوار ظرفيت و‬
‫تراز پاد پيوندي به نوار رسانش تبديل ميشود‪.‬‬

‫تبهگني‬ ‫اگر‬
‫مدارهاي‬
‫اتمي را در نظر بگيريم داراي ‪ 6‬حالت تبهگني است اگر بر همكنش‬
‫اسپين مدار را اضافه كنيم به علت اسپين داراي تبهگنی کاهش‬
‫ميابد كه در اين صورت بايد از اندازه حركت كل (‪ )J‬و تصوير آن ( ‪J z‬‬
‫) استفاده كنيم ‪.‬‬
‫بدون برهمكنش اسپين مدار‪:‬‬

‫‪4‬‬
‫) ={(‪})1/2-,1,0,1/2(,)1,0,1/2,1/2(,)1/2-,1,1/2-,1(,)1,1/2,1/2-,1(,)1/2-,1,1,1/2(,)1,1,1/2,1/2‬‬
‫‪( l , ml , s, ms‬‬
‫با بر هم كنش اسپين مدار‪:‬‬
‫(‬ ‫) ={(‪j, m j })1/2-,1/2(,)1/2,1/2({,})1/2-,3/2(,)3/2,1/2(,)3/2-,3/2(,)3/2,3/2‬‬

‫دو نوار ظرفيت باليي به نوار حفره سنگين } ‪ { j = 3 / 2, m j = ±3 / 2‬و‬

‫نوار حفره سبك } ‪ { j = 3 / 2, m j = ±1 / 2‬معروفند و نوار پايينتر به نوار‬
‫شكافته شده } ‪ { j = 1 / 2, m j = ±1 / 2‬معروف است ‪.‬‬

‫چاه هاي كوانتمي ‪:‬‬

‫در صورتيكه درجات آزادي حركت حامل ها را محدود كنيم‬
‫ساختارهاي كوانتومي محبوس شده ايجاد مي گردد ‪ .‬علت اينكه به‬
‫اين ساختارها ‪ ،‬ساختارهاي كوانتومي ميگويند اين است كه‬
‫محدوديت حركت در فاصله در حد چند ده آنگستروم سبب بروز‬
‫خواص كوانتومي براي حامل ها مي شود‪ .‬در صورتيكه محبوس‬
‫سازي در يك بعد انجام شود ذره در دو بعد داراي طيف پيوسته‬
‫انرژي ميباشد و در يك بعد بر روي ترازهاي گسسته حركت كند به‬
‫اين ساختار چاه كوانتومي گفته مي شود ‪ .‬اگر محبوس سازي را در‬
‫دو بعد انجام دهيم سيم كوانتومي و اگر در سه بعد انجام گيرد چاه‬
‫كوانتومي گفته ميشود ‪.‬‬
‫براي ساخت چاه كوانتومي نياز به دو ماده با گاف نواري مختلف‬
‫داريم اگر ماده با گاف نواري كمتر بين مواد با گاف نواري بزرگتر‬
‫ساندويچ شود به ماده با گاف نواري كوچكتر چاه و به ماده با گاف‬
‫نواري بزرگتر سد گفته مي شود ‪ .‬ذراتي كه در ساختار قرار دارند‬
‫به شكل طبيعي تمايل دارند تا در جايگاهي قرار گيرند كه پايدارتر‬
‫باشد و از سطح انرژي پاييني برخوردار باشد از اين رو در درون‬
‫چاه قرار مي گيرند‪.‬‬
‫‪ ∆Ec‬جداشدگي نوار يا به بيان ديگر اختلف انرژي سد و چاه در نوار‬
‫رسانش و نيز ‪ ∆Ev‬جداشدگي نوار ظرفيت يا اختلف انرژي سد و‬
‫چاه در نوار ظرفيت است ‪.‬‬

‫‪5‬‬
 ‫شكل بال ساختار چاه كوانتومي يكتايي است اگر چندين شكل از‬
‫آنها را در كنار هم قرار دهيم يك ساختار چاه كوانتومي چند تايي‬
‫خواهيم داشت ‪.‬‬

‫چاه هاي كوانتمي نوع اول و نوع دوم ‪:‬‬

‫اگر چاه ها در نوار رسانش و نوار ظرفيت در يك راستا قرار گيرند‬
‫چاه كوانتومي نوع اول و اگر در يك راستا قرار نگيرند چاه‬
‫كوانتومي نوع دوم خواهد بود ‪.‬‬

‫‪EcA − EcB = ∆ Ec 〈 0‬‬

‫‪EvA − EvB = ∆ Ev 〉 0‬‬
‫‪∆ Ec , ∆ Ev 〈 E gB − E gA‬‬

‫چاه کوانتومی نوع اول‬

‫‪EcA − EcB = ∆ Ec 〈 0‬‬

‫‪EvA − EvB = ∆ Ev 〈 0‬‬
‫‪∆ Ec , ∆ Ev 〈 E gB − E gA‬‬
‫‪∆ Ec , ∆ Ev 〈 E gB‬‬

‫‪∆ Ec 〈 0‬‬
‫‪∆ Ev 〈 0‬‬
‫‪∆ E c 〉 E gB‬‬

‫‪6‬‬
 ‫چاه های کوانتومی نوع دوم‬

‫در ساختار آخر نوار رسانش ماده ‪ A‬به لحاظ انرژي پايينتر از نوار‬
‫ظرفيت ماده ‪ B‬قرار دارد و اين امر موجب تشكيل يك ساختار‬
‫مركب رسانا ( شبه فلزي ) مي شود نمونه از چنين ساختاري‬
‫‪ GaSb-InAs‬كه براي آشكارسازي نور مادون قرمز مناسب است به‬
‫كار مي رود ‪.‬‬

‫اکسیتون‪:‬‬
‫اگسر فوتونسی بسا انرژی قابسل قیاس بسا گاف انرژی بر یسک نیمسه رسسانا‬
‫فرود آیسد توسسط الکترون های موجود در نیمسه رسسانا جذب مسی گردد‬
‫این انرژی نوری جذب شده توسط الکترون ها سبب آزادی ان ها از‬
‫قیسد اتسم های همسسایه شده و در نهایست الکترون هسا آزادانسه در بلور‬
‫حرکت می کنند‪.‬این مسئله از دید تئوری نوارها در جامدات به منزله‬
‫تحریسسک الکترون از نوار ظرفیسست بسسه نوار رسسسانش مسسی باشسسد‪.‬اگسسر‬
‫انرژی فوتون فرودی بیشتسسر از انرژی گاف نوار باشسسد ایسسن تحریسسک‬
‫یسک تحریسک انرژی قوی بسه حسساب مسی آیسد و درسست مطابسق شکسل‬
‫الکترون بسه نوار رسسانش مسی رود و آزاد مسی گردد و جای خالی آن‬
‫در نوار ظرفیست بسه عنوان حفره تعریسف مسی گردد‪ .‬حفره دارای بار‬
‫مثبت می باشد از این رو با الکترون در نوار رسانش پیوند بر قرار‬
‫می کند که به آن جفت الکترون حفره تحت جاذبه پتانسیل کولنی یا‬
‫به اصطلح اکسیتون گفته می شود و به مقدار انرژی کاهش یافته‬
‫الکترون و حفره در اثرپتانسیل کولنی انرژی بستگی گفته می شود‬
‫کسه بسا ‪ E B‬مشخسص شده اسست ‪ .‬فوتون هایسی کسه انرژی مسساوی بسا‬
‫انرژی گاف نوار دارنسد نیسز مسی تواننسد جذب گردنسد و منجسر بسه تولیسد‬
‫اکسسسیتون بسسه طور مسسستقیم شونسسد بسسه ایسسن شیوه تحریسسک‪ ،‬تحریسسک‬
‫تشدیدی گفتسسه مسسی شود کسسه در شکسسل نمایسسش داده شده اسسست ‪.‬‬
‫سسسیستم اکسسسیتونی یسسک سسساختار نسسسبتا پایدار اسسست و در نوع خود‬
‫طول عمر نسبتا بالیی دارد که از درجه ‪100‬پیکو تا نانو ثانیه متغییر‬
‫است‪.‬‬

‫هسسسا شباهسسست‬ ‫اکسسسسسیتون‬

‫اتسم هیدروژن‬ ‫زیادی بسسسسه‬
‫دارنسسد کسه علت آن جرم بسسیار بزرگ حفره نسسسبت بسه الکترون مسسی‬
‫باشسسد از ایسسن رومسسی توان نظریسسه بوهسسر را جهسست بررسسسی خواص‬

‫‪7‬‬
‫اکسسسیتون بسسه کار برد ‪.‬شعاع اکسسسیتونی و یسسا فاصسسله نسسسبی میان‬
‫الکترون و حفره نیسسز بسسه همیسسن دلیسسل در اکثسسر مواقسسع شعاع بوهسسر‬
‫اکسیتون نامیده می شود ‪.‬‬

‫انواع اکسیتون‪:‬‬
‫اک سیتون ها در ب سیاری از مواد بلوری یا فت می شو ند ا ما به طور‬
‫کلی دو نوع اصلی از ان ها وجود دارند ‪:‬اکسیتون های وانیر‪-‬مات و‬
‫یسسا اکسسسیتون های فرنکسسل کسسه بسسه اکسسسیتون های تنسسگ مقیسسد هسسم‬
‫مشهورنسد ‪.‬اکسسیتون های وانیسر عمومسا در نیمسه رسسانا هسا دیده مسی‬
‫شونسسسد در حالی کسسسه اکسسسسیتون های فرنکسسسل در بلورهای عایسسسق و‬
‫بلورهای مولکولی دیده مسی شونسد ‪.‬ایسن دو نوع اکسسیتون در شکسل‬
‫زیسر نمایسش داده شده انسد ‪ .‬شکسل یسک الکترون و حفره را نشان مسی‬
‫دهد که به دور یکدیگر می چرخند‪.‬‬

‫اک‬
‫یتو‬ ‫س‬
‫ن‬

‫اکسیتون وانیر‬ ‫فرنکل‬

‫اکسیتون وانیر دارای شعاع بوهر بزرگی می باشند که در قیاس با‬

‫سلول وا حد شب که ب سیار بزرگ تر ا ست اک سیتون وان یر از ا ین ج هت‬
‫بسسیار شبیسه سسیستم هیدروژن گونسه پوزیترونیوم اسست ‪ .‬اکسسیتون‬
‫های وانیسر حالت غیسر جایگزیده ای هسستند کسه مسی تواننسد بسه راحتسی‬
‫درون بلور حرکت کنند اسم اکسیتون آزاد هم به همین دلیل به آنها‬
‫نسسبت داده مسی شود ‪.‬بر عکسس اکسسیتون های فرنکسل شعاع بوهسر‬
‫بسیار کوچکی دارند که در حد اندازه سلول واحد اتمی می باشد و‬
‫این مسئله سبب می شود تا حالتی مقید باشند که به سختی مقید‬
‫به اتم ها یا مولکول های خاصی می باشند ‪ ،‬از این رو نام دیگر آن‬
‫ها اکسیتون های تنگ مقید می باشد‪.‬اکسیتون های تنگ مقیدبسیار‬
‫کمتر از اکسیتون های آزاد حرکت دارند و حد اکثر می توانند از یک‬
‫جایگاه شبکسه بسه جایگاه دیگسر جابجسا شونسد ‪.‬ایسن اکسسیتون های پایدار‬
‫تنهسا زمانسی تشکیسل مسی شونسد کسه پتانسسیل جاذبسه ای انقدر کافسی‬
‫باشسد تسا از آنهسا در مقابسل برخورد بسا فوتون هسا (ارتعاشات شبکسه )‬

‫‪8‬‬
 ‫محافظست نمایسد‪ .‬از آنجایسی کسه بیشینسه ی انرژی یسک فوتون تحریسک‬
‫شده ی گرمایسی در دمای ‪ T‬معادل ‪ K BT‬اسست کسه ‪ K B‬ثابست بولتزمسن‬
‫است ‪ ،‬پس فرآیند پایداری تنها زمانی اعتبار دارد که انرژی بستگی‬
‫بزرگتسر از ‪ K BT‬باشسد ‪ .‬اکسسیتون وانیسر انرژی بسستگی کوچکسی دارد‬
‫کسه ناشسی از شعاع بزرگ آن مسی باشسد کسه مقدار تقریبسی آن ‪0.01ev‬‬
‫است ‪.‬‬
‫در حالیکه در دمای اتاق ‪ K BT ≈ 0.025ev‬می باشد پس این اکسیتونها‬
‫در بسیاری از مواد تنها در دماهای کرایوژنیک قابل مشاهده هستند‬
‫‪ .‬اکسیتون های فرنکل بر عکس اکسیتون های وانیر انرژی بستگی‬
‫از درجسسه ‪ 1ev-0.1‬دارنسسد کسسه ایسسن موضوع سسسبب پایداری آن در دمای‬
‫اتاق می شود ‪.‬‬
‫(‪ )2-5-2‬اکسیتون های وانیر‬
‫معادله وانیر‬
‫تابسع موج اکسسیتون ‪ ψ‬را در یسک سساختار نیمسه رسسانا مسی توان بسه‬
‫صورت یک بسته موج در نظر گرفت که ترکیبی خطی از توابع موج‬
‫بلوخ الکترون و حفره است ‪.‬‬

‫= ) ‪ψ (re , rh‬‬ ‫‪∑ Φ(k , k‬‬

‫‪ke , k h‬‬
‫‪e‬‬ ‫‪h‬‬ ‫= ) ‪)φcke (re )φνkh ( rh‬‬ ‫‪∑ Φ(k , k‬‬
‫‪ke ,k h‬‬
‫‪e‬‬ ‫‪h‬‬ ‫‪)u cke (re )e ike .re uνkh ( rh )e ikh .rh‬‬

‫کسسه ) ‪ Φ (k e , k h‬ضریسسب بسسسط اسسست و ) ‪ φck e ( re‬تابسسع موج بلوخ یسسک‬

‫در مکان ‪ re‬مسی باشسد بسه‬ ‫‪ke‬‬ ‫الکترون در نوار رسسانش بسا بردار موج‬
‫طور مشابسه ) ‪ φνk h (rh‬تابسع موج بلوخ برای یسک حفره در نوار ظرفیست‬
‫می باشند ‪ ucν‬ق سمت اتمی توا بع بلوخ‬ ‫با بردار موج ‪ kh‬در مکان ‪rh‬‬
‫تابع موج به شکل زیر در می آید ‪:‬‬ ‫می باشد که در ‪kh = ke = 0‬‬

‫‪ψ (re , rh ) ≅ uc 0uν 0‬‬ ‫‪∑ Φ ( k , k )e‬‬

‫‪ke , k h‬‬
‫‪e‬‬ ‫‪h‬‬
‫‪ike .re ikh .rh‬‬
‫‪e‬‬ ‫) ‪≅ uc 0uν 0 Φ(re , rh‬‬

‫و ) ‪ Φ (re , rh‬تابع پوش اکسیتون می باشد که با رابطه زیر تعریف می‬

‫شود‬

‫≅ ) ‪Φ( re , rh‬‬ ‫‪∑Φ(k‬‬

‫‪ke , k h‬‬
‫‪e‬‬ ‫‪, k h )e ike .re e ikh .rh‬‬

‫تابسسع پوش اکسسسیتون حرکسست نسسسبی سسسیستم الکترون –حفره را در‬

‫مقیاسسی بزرگتسر از فواصسل اتمسی توصسیف مسی کنسد و در نتیجسه از‬
‫معادله شرودینگر دو ذره ای تبعیت خواهد نمود‬

‫‪9‬‬
 ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪e2‬‬
‫‪[−‬‬ ‫‪∇e −‬‬ ‫‪∇h‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪]Φ = EΦ‬‬
‫‪2 me‬‬ ‫‪2 mh‬‬ ‫‪4πε 0 re − rh‬‬

‫ایسن معادله مشابسه بسا معادلت اتسم هیدروژن اسست در نتیجسه از شیوه‬
‫ی مشابسه بسا اتسم هیدروژن برای حسل آن اسستفاده مسی کنیسم ‪ .‬روش‬
‫حسسل بسسه ایسسن شرح اسسست کسسه معادله ی شرودینگسسر را بسسه دو بخسسش‬
‫مختصسات حرکست نسسبی و مرکسز جرم تبدیسل مسی نماییسم کسه بر ایسن‬
‫اسساس تعاریسف زیسر از ‪ r‬فاصسله ی نسسبی و ‪ R‬بردار مرکسز جرم ارائه‬
‫می شود ‪.‬‬

‫‪me re + mh rh‬‬
‫=‪R‬‬
‫‪me m h‬‬
‫‪r = re − rh‬‬

‫و تابع پوش اکسیتون را هم بر حسب توابع موج مجزای ) ‪ φ (r‬و ) ‪g (r‬‬

‫می نویسیم ‪.‬‬

‫) ‪Φ( R, r ) = g ( R )φ ( r‬‬
‫بسسا وارد کردن ایسسن توابسسع موج تفکیسسک شده در معادله ی شرودینگسسر‬
‫داریم‬

‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪e2‬‬
‫) ‪]g ( R )φ (r ) = Eg ( R)φ (r‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪[−‬‬ ‫‪∇R‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪∇r −‬‬
‫‪2M‬‬ ‫‪2µ‬‬ ‫‪4πε 0 r‬‬

‫‪me mh‬‬
‫=‪µ‬‬ ‫کسسسه در آن ‪ M = me + mh‬جرم کسسسل الکترون و حفره و‬
‫‪me + m h‬‬
‫جرم کاهیده می باشد و‬

‫‪∂2 ∂2 ∂2‬‬
‫‪∇ = 2+ 2+ 2‬‬
‫‪2‬‬
‫‪r‬‬
‫‪∂x ∂y ∂z‬‬
‫‪∂2‬‬ ‫‪∂2‬‬ ‫‪∂2‬‬
‫= ‪∇R‬‬
‫‪2‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬
‫‪∂ X 2 ∂ Y 2 ∂Z 2‬‬

‫‪10‬‬
‫∧‬ ‫∧‬ ‫∧‬ ‫∧‬ ‫∧‬ ‫∧‬ ‫∧‬
‫میباشسسسسسد و ‪ei‬‬ ‫و ‪r = x ex + y e y + z ez‬‬ ‫کسسسسسه ‪R = X e X + X eY + X eZ‬‬
‫‪E = Er + Eh‬‬ ‫است ‪ .‬با تعیین‬ ‫مشخص کننده ی بردار واحد در جهت ‪i‬‬
‫داریم‬

‫) ‪∇ r φ (r‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫)‪∇ R g ( R‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪e2‬‬
‫‪[−‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪] = E R + Er‬‬
‫)‪2M g ( R‬‬ ‫) ‪2 µ φ (r‬‬ ‫‪4πε 0 r‬‬

‫چون ‪ r‬و ‪ R‬دو متغیر مستقل اند می توان معادلت مربوط به آنها‬
‫را از یکدیگسر جدا کرد کسه معادله ی حرکست مرکسز جرم بسه صسورت زیسر‬
‫می باشد ‪.‬‬

‫‪2‬‬
‫)‪∇ R g ( R‬‬
‫‪2‬‬
‫‪[−‬‬ ‫‪] = ER‬‬
‫)‪2M g ( R‬‬

‫و جواب معادله ی مرکز جرم به صورت‬

‫) ‪g ( R) = exp i (k c .R‬‬

‫‪2 ME R‬‬
‫= ‪ k c2‬تعریسف‬ ‫‪2‬‬ ‫مسی باشسد کسه عدد موج مرکسز جرم بسه صسورت‬
‫می شود ‪ .‬معادله ی حرکت نسبی نیز که به صورت زیر می باشد به‬
‫معادله ی وانیر مشهور است ‪:‬‬

‫‪2‬‬
‫) ‪∇ r φ (r‬‬
‫‪2‬‬
‫‪e2‬‬
‫‪[−‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪] = Er‬‬
‫) ‪2µ φ (r‬‬ ‫‪4πε 0 r‬‬

‫جزئیات حل را بیان نمی کنیم و نهایتا داریم‬

‫‪µe 4‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪R‬‬

‫‪E‬‬ ‫‪3D‬‬
‫‪B‬‬ ‫‪= Er = −‬‬ ‫(‬ ‫)‬ ‫=‬ ‫‪−‬‬
‫‪32π 2 2ε 2 n 2‬‬ ‫‪n2‬‬
‫که ‪ R‬انرژی موثر ریدبرگ می باشد ‪ .‬رابطه ی انرژی موثر ریدبزگ‬
‫را بر حسسب شعاع بوهسر اکسسیتون هسم مسی توان نوشست کسه از ایسن‬
‫طریق مقدار شعاع بوهر نیز تعیین می شود ‪:‬‬

‫‪µe 4‬‬ ‫‪e2‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪4πε 2‬‬ ‫‪2‬‬
‫= ‪R‬‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫= ‪⇒ aB‬‬
‫‪32π 2 2ε 2 4π a B2 2µa B2‬‬ ‫‪µe 2‬‬

‫‪11‬‬
‫در مشابهست بسا طیسف سسنجی اتمسی معمول اسست کسه وقتسی ‪ l =0‬از‬
‫‪ l =1‬باشد آن را ‪ p‬مانند بخوانیم ‪.‬‬ ‫اکسیتون را شبه ‪ s‬و وقتی‬
‫شکل زیر نمایشی از اکسیتونهای شبه ‪ s‬و شبه ‪ p‬را نشان می دهد‬
‫‪:‬‬

‫‪)1‬‬ ‫(‬
‫(‪)2‬‬
‫(‪ : )1‬اکسیتون با تابع موج حفره ‪ p‬مانند ‪ ،‬تابع موج الکترون ‪ s‬مانند‬
‫و تابع پوش ‪ s‬مانند‬
‫(‪ : )2‬اکسیتون با تابع موج حفره ‪ p‬مانند ‪ ،‬تابع موج الکترون ‪ s‬مانند‬
‫و تابع پوش ‪ p‬مانند‬

‫در شکسل زیسر‪ ،‬ترازهای انرژی اکسسیتون برای ‪ n‬های مختلف ترسسیم‬
‫شده ‪ ،‬همانطوریکسسه مشخسسص اسسست تمامسسی ترازهای اکسسسیتونی در‬
‫گاف ممنوعه تشکیل شده اند‪.‬‬
‫شکسسل دوم منحنسسی پاشیدگسسی اکسسسیتون را برای ترازهای مختلف‬
‫نمایش می دهد ‪.‬‬

‫‪n‬کمتر‬ ‫هرسس سسچه‬

‫اکسیتون‬ ‫باشد‬
‫مقید تر خواهد بود و انرژی بستگی بزرگتر و شعاع بوهر کوچکتری‬
‫خواهد داشت‪.‬جدول ‪ 1‬انرژی بستگی اکسیتون و شعاع آن را برای‬
‫رساناهایس سگروه‬ ‫تعدادی از نیمه‬
‫نمایشسسسس سسسسداده‬ ‫های ‪ 3 – 5‬و ‪2-6‬‬
‫شده است‪.‬‬

‫‪12‬‬
‫نکته جالبی از میان این اعداد حاصل می شود و آن اینکه هنگامیکه‬
‫انرژی گاف نوار افزایش می یابد انرژی بستگی روند افزایشی و‬
‫شعاع بوهر کاهش می یابند علت این امر آن است که با افزایش‬
‫افزایش می یابد که با توجه به روابط‬ ‫‪µ‬‬ ‫‪ ε r ، E g‬کاهش یافته و‬
‫نکته بال توجیه پذیر خواهد بود ‪.‬‬
‫در اینجا نکته ای را که بر اساس ان اکسیتون های وانیر تنها در‬
‫نیمه رساناها یافت می شوند و ابتدای بحث اکسیتون باز گو کردیم‬
‫را بار دیگر و این بار با دلیلی متفاوت و از دید دیگری بررسی می‬
‫کنیم ‪ .‬در عایق ها به دلیل گاف نواری بسیار برزگ (بیشتر از ‪)ev 5‬‬
‫شعاعس سبوهرس ساکسیتونس سبسیارس سکوچکس سخواهدس سبودس ستاس سحدیس سکهس سقابل‬
‫قیاس با سلول واحد شبکه می باشد که در این صورت اکسیتون از‬
‫نوعس سفرنلس سخواهس سیودس س‪.‬س سدرس سصورتیس سکهس سنیمهس سرساناییس سباس سگافس سنوار‬
‫خیلی نازک (مثلس ‪)InSb‬هم داشته باشیم باز هم مشاهده اکسیتون‬
‫های وانیر به علت کوچکی انرژی بستگی بسیار دشوار است‪.‬بنا بر‬
‫این احتمال یافتن اکسیتون های وانیر در نیمه رسا ناهایی با گاف‬
‫نوار در حدود ‪ ev 3-1‬بسیار بال ست‬

‫اکسیتون فرنکل‬
‫در مواد با گاف نواری بزرگ ثابت دی الکتریک کوچک و جرم های‬
‫موثر سبرز گ س اکسیتون سهای فرنکل سبیشت ر ا ز ساکسیتو ن ها ی وانیر‬
‫مشاهدهس سمیس سشوندس س‪.‬اکسیتونس سهایس سفرنکلس سبهس سجایگاهس سهایس ساتمی‬
‫شبکه جایگزیده هستند از این رو آنها را می توان به عنوان حالت‬
‫بر انگیخته اتمهای تنها یا مولکول هایی که به آنها جایگزیده اند در‬
‫نظر گرفت ‪.‬مطالعه رفتار اکسیتون های فرنکل بیشتر از اینکه به‬
‫فیزیک حالت جامد مربوط باشد در مبحث فیزیک اتمی و مولکولی‬
‫جای می گیرد ‪ .‬روش تعیین انرژی اکسیتون فرنکل کامل با روش‬
‫اکسیتون وانیر متفاوت بوده و غالبا از تقریب تنگ استفاد می شود‬
‫و محاسبات آن به دلیل جفت شدگی میان اکسیتون ها و شبکه بلور‬
‫بسیا ر پیچید ه م ی شود‪.‬اکسیتو ن ها ی فرنک ل د ر بسیار ی ا ز مواد‬
‫الی و غیر الی دیده شده اند‪.‬خواص برخی از آنها‬
‫که بیشتر مورد مطالعه قرار گرفته اند در زیر امده است ‪.‬‬
‫‪-1‬کریستال های گاز بی اثر‬
‫گاز های بی اثر که در جدول تناوبی عناصر در گروه هشتم جای‬
‫گرفت ه ساندس سدرس سدماها ی سکرایوس سژنیک(نزدیکس دمایس سصف ر سکلوین)شکل‬
‫کریستالیس سسبهس سسخودس سسمیس سسگیرندس سسازس سساینس سسدستهس سسمیس سستوانس سسبه‬
‫نئون‪،‬آرگون‪،‬کریپتونو گزنون اشاره کرد محدوده اندازه انرژی گاف‬
‫نوار از س ‪ ev 21.6‬س (در نئون)تا س س ‪ ev 9.3‬س (در گزنون) متغیر می باشد‬
‫‪.‬نئون در حقیقت بزرگترین گاف نوار بلور ها را در طبیعت داراست‬

‫‪13‬‬
‫البته همان طور که اشاره کردیم این بلور تنها در دماهای خیلی‬
‫پایین شکل می گیرد در جدول ‪ 2‬برخی خواص اکسیتونهای فرنکل‬
‫در بلور های گاز بی اثر نمایش داده شده است ‪.‬‬

‫های قلیایی‬ ‫‪-2‬سسسس سسسسهالید‬

‫هایس سفرنکلس در‬ ‫اکسیتون‬
‫هالیدسس سسقلیایی‬ ‫ترکیبات‬
‫به طور مشخص دیده می شوند ‪ .‬این ترکیبات دارای انرژی گاف‬
‫نوار بزرگی هستند که در محدوده فرابنفش جای می گیرند و مقدار‬
‫آنس سازس سس ‪ ev 5.9‬س(درس ‪ NaI‬س)تاس سس ‪ ev 13.7‬سس س(درس سس ‪ LiF‬س)س سمتغیرس ساستس س‪.‬‬
‫همانطوریکه در گازهای بی اثر اشاره کردیم رکورد پهنترین گاف‬
‫نوار در دماهای پایین مر بوط به نئون می باشد ولی در دمای اتاق‬
‫این رکورد مربوط به لیتیم فلوراید ( ‪)LiF‬است ‪ .‬جدول ‪ 3‬یک سری‬
‫خواصس سهالیدس سهایس سقلیاییس سراس سنشانس سمیس سدهدس سکهس سشاملس سانرژی‬
‫بستگی ‪ ،‬انرزی گاف نوار و انرژی اکسیتون حالت پایه است ‪ .‬نتایج‬
‫نشانس سمیس سدهندس سکهس سباس سکاهشس سابعادآنیونس س سوس سکاتیونس سگافس سنواری‬
‫افزایش می یابند‪.‬‬

‫‪14‬‬