‫درس الکترونیک ‪1‬‬

‫مدرس‪ :‬انیس جاری‬

‫‪E-mail: jari.edu@yahoo.com‬‬
 ‫بارمبندی‪:‬‬
‫‪ 2‬نمره تکالیف‬ ‫✓‬
‫‪ 6‬نمره کوئیز‬ ‫✓‬
‫‪ 12‬نمره پایان ترم‬ ‫✓‬
‫‪ 1‬تا ‪ 2‬نمره اضافه برای حضور در کالس‬ ‫✓‬

‫‪1.1‬‬ ‫‪E-mail: jari.edu@yahoo.com‬‬ ‫مدرس‪ :‬انیس جاری‬

 ‫مراجع ‪:‬‬
‫اسالیدها و جزوههای کالسی‬ ‫✓‬
‫✓ کتاب مبانی الکترونیک دکتر سید علی میرعشقی‬

‫‪1.2‬‬ ‫‪E-mail: jari.edu@yahoo.com‬‬ ‫مدرس‪ :‬انیس جاری‬

 ‫فصلها‪:‬‬
‫فصل اول‪ :‬مقدمه ای بر فیزیک الکترونیک‬ ‫✓‬
‫فصل دوم‪ :‬دیود پیوندی و مدارهای دیودی‬ ‫✓‬
‫فصل سوم‪ :‬ترانزیستور پیوندی دوقطبی و طراحی مدارهای بایاس ترانزیستوری‬ ‫✓‬
‫فصل چهارم‪ :‬تقویت کننده های ترانزیستوری در فرکانس پایین‬ ‫✓‬
‫فصل پنجم‪ :‬ترانزیستورهای اثر میدان‬ ‫✓‬
‫فصل ششم‪ :‬تقویت کننده های قدرت در فرکانس پایین‬ ‫✓‬

‫‪1.3‬‬ ‫‪E-mail: jari.edu@yahoo.com‬‬ ‫مدرس‪ :‬انیس جاری‬

 ‫یادآوری از درس مدار‪:‬‬

‫❖ قانون تقسیم ولتاژ‪:‬‬

‫❖ مدار معادل تونن‪ :‬این مبحث از درس مدار را مرور کنید‪.‬‬

‫‪1.4‬‬ ‫‪E-mail: jari.edu@yahoo.com‬‬ ‫مدرس‪ :‬انیس جاری‬

 ‫فصل اول‪ :‬مقدمه ای بر فیزیک الکترونیک‬

‫❖ هدف از این فصل نگاهی گذرا به ساختمان بلوری نیمه هادی ها و آشنایی با چگونگی جابه جایی بارهای الکتریکی در‬
‫این اجسام‪.‬‬

‫از نظر هدایت الکتریکی مواد به سه دسته تقسیم می شوند‪:‬‬

‫‪ -1‬هادی ها‪ :‬عناصر و ترکیباتی که جریان الکتریکی را به خوبی از خود عبور می دهند‪ .‬همانند‪ :‬آلومینیوم‪ ،‬مس و نقره‬

‫‪ -2‬نیمه هادی ها‪ :‬هدایت الکتریکی این مواد از هادی ها کمتر بوده ولی قابل کنترل است‪.‬‬

‫‪ -3‬عایق ها‪ :‬در میدان الکتریکی معمولی‪ ،‬جریان الکتریکی را هدایت نمی کنند و فقط ممکن است در میدان های خیلی‬
‫زیاد جریان از آن ها عبور کند‪.‬‬

‫‪1.5‬‬ ‫‪E-mail: jari.edu@yahoo.com‬‬ ‫مدرس‪ :‬انیس جاری‬

 ‫فصل اول‪ :‬مقدمه ای بر فیزیک الکترونیک‬

‫❖ عامل هدایت الکتریکی در هادی ها‪ ،‬الکترون های آزادی هستند که تحت تأثیر میدان الکتریکی خارجی به حرکت در‬
‫می آیند‪ .‬سرعت حرکت الکترون های آزاد متناسب با شدت میدان الکتریکی می باشد‪.‬‬

‫یادآوری‪:‬‬
‫براساس مدل اتمی بور‪ ،‬تعداد الکترون ها و پروتون های یک اتم برابر است و اتم خنثی می باشد‪ .‬پروتون ها در هسته و اتم‬
‫و الکترون ها در اطراف آن قرار گرفته اند‪.‬‬
‫هر چه الکترون از هسته دورتر باشد‪ ،‬انرژی وابستگی الکترون های آن به هسته کمتر خواهد بود‪ .‬در هر اتم آخرین الکترون‬
‫های موجود در هسته را الکترون های الیه ظرفیت می نامند‪.‬‬
‫در هادی ها نحوه کنار هم قرارگرفتن اتم ها به گونه ای است که برای الکترون های ظرفیت نیروی وابستگی به هسته ناچیز‬
‫بوده و در دمای معمولی این الکترون ها به اتم خاصی تعلق ندارند‪ .‬این الکترون ها به صورت تصادفی حرکت میکنند‪ ،‬به‬
‫طوری که باعث ایجاد تراکم بار در هیچ نقطه ای نمی شوند‪ .‬این الکترون های ظرفیت را که آزادانه در فضای درون هادی‬
‫حرکت میکنند را الکترون آزاد میگویند‪.‬‬

‫‪1.6‬‬ ‫‪E-mail: jari.edu@yahoo.com‬‬ ‫مدرس‪ :‬انیس جاری‬

 ‫فصل اول‪ :‬مقدمه ای بر فیزیک الکترونیک‬

‫❖ نیمه هادی ها از نظر هدایت الکتریکی بین هادی ها و عایق ها قرار دارند‪ .‬اما‪ ،‬هدایت الکتریکی آن ها تحت تأثیر‬
‫عواملی چون تحریک نوری‪ ،‬افزایش دما و تغییر میزان ناخالصی به نحوه قابل مالحظه ای تغییر می یابد‪.‬‬
‫هدایت الکتریکی در نیمه هادی ها توسط دو نوع حامل بار الکتریکی یعنی الکترون های آزاد و حفره ها صورت میگیرد‪.‬‬
‫الکترون های الیه ظرفیت این مواد به علت پیوند کوواالنسی بین اتم ها‪ ،‬نمی توانند آزادانه حرکت کنند‪.‬‬

‫مهمترین نیمه هادی ها در الکترونیک سیلیکن (‪ )Si‬و ژرمانیم (‪ )Ge‬هستند‪.‬‬

‫انرژی الزم برای شکستن پیوندهای کوواالنسی و آزاد کردن یک الکترون را انرژی عرض نوار گویند‪ .‬در نیمه هادی ها انرژی‬
‫عرض نوار به مراتب کوچکتر از عایق هاست‪ .‬به طوری که در دماهای معمولی و یا میدان های الکتریکی معمولی‪ ،‬تعدادی از‬
‫الکترون های ظرفیت می توانند با گرفتن انرژی الزم‪ ،‬نقش الکترون های آزاد را بازی کنند‪ .‬در دماهای پایین‪ ،‬برای هیچ یک‬
‫از الکترون های ظرفیت این امکان وجود ندارد و مانند عایق عمل می کنند‪.‬‬
‫با افزایش دما از صفر مطلق‪ ،‬شبکه بلوری شروع به ارتعاش نموده و برخی از پیوندهای کوواالنسی شکسته و الکترون ها‪ ،‬آزاد‬
‫می شوند‪ .‬در حقیقت با شکستن هر پیوند و رها شدن یک الکترون‪ ،‬یک جای خالی در پیوند باقی می ماند که به آن حفره‬
‫می گویند‪.‬‬

‫‪1.7‬‬ ‫‪E-mail: jari.edu@yahoo.com‬‬ ‫مدرس‪ :‬انیس جاری‬

 ‫فصل اول‪ :‬مقدمه ای بر فیزیک الکترونیک‬

‫بنابراین‪ ،‬وقتی پیوند شکسته و الکترون آزاد می شود‪ ،‬مجموعه باقی مانده شامل یک حفره است که عمال دارای بار مثبت‬
‫می باشد‪.‬‬
‫نحوه حرکت حفره ها و شرکت آن ها در جریان الکتریکی در نیمه هادی ها به این صورت است که با رها شدن یک الکترون‬
‫آزاد از یک پیوند کوواالنسی یک حفره بر جا می ماند‪ ،‬یک الکترون ظرفیت از یک پیوند مجاور می تواند به آسانی پیوند خود‬
‫را شکسته و حفره قبلی را پر کند‪ .‬بدین ترتیب‪ ،‬حفره جدیدی ایجاد می شود که با حفره قبلی متفاوت است‪.‬‬

‫‪1.8‬‬ ‫‪E-mail: jari.edu@yahoo.com‬‬ ‫مدرس‪ :‬انیس جاری‬

 ‫فصل اول‪ :‬مقدمه ای بر فیزیک الکترونیک‬

‫با اضافه کردن درصد ناچیزی عنصر سه یا پنج ظرفیتی به نیمه هادی خالص‪ ،‬آن ها را ناخالص کرده و قابلیت هدایت‬
‫الکتریکی نیمه هادی ها افزایش می یابند‪.‬‬

‫نیمه هادی های نوع ‪:N‬‬

‫اگر یک عنصر ‪ 5‬ظرفیتی مانند آرسنیک (یا آنتیموان) را به یک نیمه هادی همانند سیلیسیم (یا ژرمانیوم) اضافه کنیم‪4 ،‬‬
‫الکترون الیه ظرفیت آرسنیک با ‪ 4‬الکترون اتم نیمه هادی مجاور‪ ،‬پیوند کوواالنسی تشکیل میدهد و الکترون پنجم آن به‬
‫صورت آزاد باقی می ماند‪ .‬نیمه هادی که ناخالصی آن اتم ‪ 5‬ظرفیتی باشد‪ ،‬نیمه هادی نوع ‪ N‬می گویند‪.‬‬
‫در این نوع نیمه هادی ها‪ ،‬الکترون ها‪ ،‬حامل های اکثریت و حفره ها‪ ،‬حامل های اقلیت هستند‪.‬‬

‫‪1.9‬‬ ‫‪E-mail: jari.edu@yahoo.com‬‬ ‫مدرس‪ :‬انیس جاری‬

 ‫فصل اول‪ :‬مقدمه ای بر فیزیک الکترونیک‬
‫نیمه هادی های نوع ‪:P‬‬

‫اگر یک عنصر ‪ 3‬ظرفیتی مانند آلومینیوم (یا گالیوم) را به نیمه هادی سیلیسم یا ژرمانیم اضافه کنیم‪ 3 ،‬الکترون الیه‬
‫ظرفیت آلومینیوم با ‪ 3‬الکترون اتم نیمه هادی مجاور پیوند داده و پیوند چهارم خالی باقی میماند‪ ،‬پس میتوان گفت حفره‬
‫ایجاد شده است‪ .‬نیمه هادی که ناخالصی آن اتم ‪ 3‬ظرفیتی باشد‪ ،‬نیمه هادی نوع ‪ P‬میگویند‪.‬‬
‫در این نوع نیمه هادی ها‪ ،‬الکترون ها‪ ،‬حامل های اقلیت و حفره ها‪ ،‬حامل های اکثریت هستند‪.‬‬

‫‪1.10 E-mail: jari.edu@yahoo.com‬‬ ‫مدرس‪ :‬انیس جاری‬