z

Quantum Tunneling
‫تونل زنی کوانتمی‬
 ‫‪z‬‬
‫‪:‬مفهوم اصلی‬
‫‪ ‬تونل ‌زنی کوانتومی به فرایند کوانتمی تونل زدن یک ذره بنیادی در یک سد پتانسیل که از نظر‬
‫کالسیک‪ ،‬ذره قادر به عبور از آن نیست اشاره می کند‪ .‬این پدیده در چندین پدیده فیزیکی مثال در‬
‫واکنش‌های هسته ای که در ستارگان رشته اصلی مثل خورشید به چشم می‌خورد‪ .‬همچنین‬
‫کاربردهای مهمی در ادوات الکترونیکی مانند دیود تونلی دارد‪ .‬تونل زنی معموًال با اصل عدم‬
‫قطعیت هایزنبرگ توضیح داده می‌شود‪ .‬در واقع مفاهیم مکانیک کوانتمی حول این پدیده توصیف‬
‫می‌شوند و می‌توان گفت تونل زنی کوانتومی یکی از ویژگی‌های بنیادی مکانیک کوانتومی و نشانه‬
‫خاصیت دوگانگی موج – ذره است‪.‬‬
 ‫‪z‬‬ ‫دوگانگی موج‪-‬ذره‬
‫‪ ‬دوگانگی موج و ذره‪ Wave–particle duality‬بر این فرض استوار است که تمامی‬
‫ذرات دارای هر دو خاصیت موجی و ذره‌ای هستند‪ .‬این دوگانگی یکی از مفاهیم‬
‫اصلی مکانیک کوانتومی است‪ .‬در نقطه مقابل آن مفاهیم کالسیک قرار دارند که ذرات‬
‫را به صورت موج یا ذره در نظر می‌گیرند و از توصیف کامل رفتار ذرات با ابعاد‬
‫کوانتومی عاجزند‪.‬‬
‫‪z‬‬
‫اصل عدم قطعیت هایزنبرگ‬
‫‪ ‬طبق این اصل‪ ،‬به طور همزمان نمی‌توانیم مکان و سرعت دقیق ذره‌ای را داشته‬
‫باشیم‪ .‬به بیان دیگر‪ ،‬دانستن همزمان متغیرهای مرتبط با یکدیگر امکان‌پذیر نیست‪ .‬در‬
‫اکثر موارد‪ ،‬اصل عدم قطعیت برای مکان و تکانه (سرعت) ذره به کار برده می‌شود‪.‬‬
‫‪ ‬در فیزیک کالسیک‪ ،‬مکان ذره را می‌توان به طور دقیق مشخص کرد‪ ،‬اما در فیزیک‬
‫کوانتوم‪ ،‬مکان ذره با احتمال مشخص می‌شود‪ .‬در فیزیک کوانتوم‪ ،‬قبل از آن‌که مکان‬
‫ذره را اندازه بگیریم‪ ،‬تابع توزیع احتمال مربوط به ذره موردنظر را داریم‪.‬‬
‫‪ ‬پیک تابع نشان‌ می‌دهد که ذره با احتمال زیادی در مکان ‪ x‬قرار گرفته است‪ .‬بر طبق‬
‫نمودار‪ ،‬ذره با احتمال کمتری در مکان‌های دیگر نیز می‌تواند قرار داشته باشد‪ .‬عرض‬
‫تابع توزیع احتمال بیان‌کننده عدم قطعیت در اندازه‌گیری مکان ذره است‪.‬‬
 ‫دیود تونلی‬
‫‪z‬‬
‫‪ ‬دیود تونل یا تونلی ‪ Tunnel Diode‬یک دیود پیوند ناخالصی ‪ P-N‬است که در آن با‬
‫افزایش ولتاژ‪ ،‬جریان الکتریکی کاهش می‌یابد‪ .‬در این دیود جریان الکتریکی توسط‬
‫پدیده تونل‌زنی (سوراخ شدن سد پتانسیل در نیمه رسانا) به وجود می‌آید‪ .‬دیودهای تونلی‬
‫به عنوان ادوات کلید‌زنی بسیار سریع در کامپیوترها به کار می‌روند‪ .‬همچنین از این‬
‫دیودها در نوسان‌سازهای فرکانس باال و تقویت‌کننده‌ها استفاده می‌شود‪.‬‬
‫‪ ‬در ‪p-n‬دیود معمولی پیوند ‪ ،‬ناحیه تخلیه از یون‌های مثبت و منفی ساخته شده است‪ .‬به‬
‫همین دلیل است که در ناحیه تخلیه یک پتانسیل یا میدان الکتریکی وجود دارد‪.‬این میدان‬
‫الکتریکی داخلی یک نیروی الکتریکی در خالف جهت نیروی حاصل از میدان‬
‫الکتریکی خارجی (ولتاژ) اعمال می‌کند‪.‬‬
‫‪ ‬نکته مهم دیگر این است که سطح انرژی در باند هدایت و ظرفیت مربوط به نیمه‬
‫رسانای نوع ‪ n‬از سطح انرژی در باند هدایت و ظرفیت مربوط به نیمه رسانای نوع ‪p‬‬
‫اندکی پایین‌تر هستند‪ .‬این اختالف سطح انرژی به دلیل اختالف در سطح انرژی اتم‌های‬
‫ناخالصی مورد استفاده برای تشکیل نیمه‌رساناهای نوع ‪ n‬و ‪ p‬است‪.‬‬
 ‫جریان الکتریکی در دیود تونلی‬
‫‪z‬‬

‫‪ ‬در دیود تونل سطح انرژی باند هدایت و باند ظرفیت در نیمه‌رسانای نوع ‪ n‬پایین‌تر از سطح‬
‫ان‪t‬رژی بان‪t‬د ه‪t‬دایت و بان‪t‬د ظ‪t‬رفیت در نیمه‌رس‪t‬انای ن‪t‬وع ‪ p‬هس‪t‬تند‪ .‬ب‪t‬رخالف دی‪t‬ود معم‪t‬ولی پیون‪t‬د ‪p-‬‬
‫‪ ، n‬اختالف سطح انرژی در دیود تونلی بسیار باال است و به دلیل این اختالف بزرگ‪ ،‬باند‬
‫هدایت نیمه‌رسانای نوع ‪ n‬با باند ظرفیت نیمه‌رسانای نوع ‪ p‬هم‌پوشانی دارد‪.‬‬
‫‪ ‬بر اساس اصول مکانیک کوانتوم‪ ،‬اگر عرض ناحیه تخلیه بسیار باریک باشد‪ ،‬الکترون‌ها‬
‫مستقیما در ناحیه تخلیه نفوذ خواهند کرد‪ .‬در دیود تونلی عرض ناحیه تخلیه بسیار باریک و در‬
‫حد نانومتر است و به همین دلیل الکترون‌ها می‌توانند مستقیما در طول ناحیه تخلیه از باند‬
‫هدایت نیمه‌رسانای نوع ‪ n‬به باند ظرفیت نیمه‌رسانای نوع ‪ p‬تونل بزنند‪ .‬در دیودهای معمولی‬
‫جریان زمانی تولید می‌شود که ولتاژ اعمالی بزرگ‌تر از ولتاژ داخلی ناحیه تخلیه باشد‪ .‬اما در‬
‫دیودهای تونلی‪ ،‬ولتاژ کوچکی با مقدار کمتر از ولتاژ داخلی ناحیه تخلیه نیز قادر به تولید‬
‫جریان خواهد بود‪.‬‬
‫‪z‬‬

‫‪ ‬در دیود تونل‪ ،‬نیازی نیست که الکترون‌ها برای تولید جریان به نیروی مخالف‬
‫ناحیه تخلیه غلبه کنند‪ ،‬زیرا الکترون‌ها می‌توانند مستقیما از باند هدایت‬
‫نیمه‌رسانای نوع ‪ n‬به باند ظرفیت نیمه‌رسانای نوع ‪ p‬تونل بزنند و منجر به‬
‫تولید جریان الکتریکی شوند‪.‬‬