‫فصل اول‪ :‬فیزیک نیمه هادی ها‬

‫نیمه هادی ها موادی هستند که رسانایی آنها بین هادی ها و عایقها قرار دارد‪.‬‬ ‫•‬
‫نیمه هادی ها یا به صورت تک عنصری یا به صورت ترکیبی از عناصر گروههای ‪2‬‬ ‫•‬
‫تا ‪ 6‬اصلی جدول تناوبی ساخته می شوند‪.‬‬
‫نیمه هادی های تک عنصری مانند‪ :‬سیلیسیوم (‪ )Si‬و ژرمانیوم (‪)Ge‬‬ ‫•‬
‫نیمه هادی های ترکیبی مانند‪GaAs, GaN, AlGaAs, InP :‬‬ ‫•‬
‫در این درس تمرکز ما بر روی سیلیسیوم (پرکاربردترین نیمه هادی) خواهد بود‪.‬‬ ‫•‬
 ‫• نیمه هادی خالص ‪:Si‬‬
‫سیلیسیوم از عناصر گروه ‪ 4‬جدول‬
‫تناوبی است‪ .‬لذا ‪ 4‬ظرفیتی بوده و در‬
‫یک کریستال خالص هر اتم سیلیسیوم از‬
‫چهار طرف مطابق شکل با بقیه اتمهای‬
‫سیلیسیوم پیوند کوواالنسی برقرار می‬
‫کند‪.‬‬
 ‫• در دمای اتاق برخی از پیوندهای‬
‫کوواالنسی در اثر ارتعاشات‬
‫حرارتی شکسته می شوند‪ .‬از‬
‫شکستن هر پیوند مطابق شکل‬
‫یک الکترون آزاد می شود‪ .‬جای‬
‫خالی الکترون را نیز حفره می‬
‫نامند‪.‬‬
‫• الکترونهای آزاد در داخل‬
‫کریستال می توانند حرکت کنند و‬
‫با حفره دیگری مجددا ترکیب‬
‫شوند‪ .‬در دمای اتاق این دو عمل‬
‫شکسته شدن پیوند و آزاد شدن‬
‫الکترون (‪ )Generation‬و‬
‫ترکیب مجدد الکترون با حفره‬
‫(‪ )Recombination‬دائما انجام‬
‫چگالی الکترونهای آزاد 𝑛 و حفره ها 𝑝 در یک نیمه هادی خالص با‬ ‫می شود بطوریکه در هر لحظه‬
‫هم مساوی و چگالی ذاتی (‪ )Intrinsic Density‬نامیده و با 𝑖𝑛 نشان‬ ‫به تعداد مساوی الکترون آزاد و‬
‫داده می شود‪:‬‬ ‫حفره در کریستال وجود دارد‪.‬‬
 ‫از فیزیک نیمه هادی داریم‪:‬‬

‫‪ B‬برای سیلیسیوم‬

‫‪ T‬دمای کلوین‬

‫انرژی) که برای سیلیسیوم ‪ 1.12‬الکترون ولت است‬

‫ِ‬ ‫‪ Eg‬انرژی گپ (گاف‬

‫‪ k‬ثابت بولتزمان و برابر با‬

‫همچنین در هر نیمه هادی همواره داریم‪:‬‬

 ‫نیمه هادی ناخالص (‪)Doped Semiconductor‬‬
‫برای افزایش تعداد حاملها (الکترون یا حفره) در یک نیمه هادی و در نتیجه افزایش‬
‫رسانایی آن می توان ناخالصی از عناصر گروه ‪ 5‬یا عناصر گروه ‪ 3‬به ساختار‬
‫کریستالی سیلیکون اضافه کرد‪.‬‬
‫• نیمه هادی نوع ‪ :N‬از افزودن ناخالصی گروه ‪ 5‬به ساختار کریستالی سیلیکون‬
‫به وجود می آید (شکل باالیی)‪.‬‬
‫چگالی ناخالصی اضافه شده از گروه ‪ 5‬باشد (‪ ،)Donor‬چگالی الکترون‬ ‫اگر‬
‫(حامل اکثریت) و حفره (حامل اقلیت) در نیمه هادی نوع ‪ N‬عبارتست از‪:‬‬

‫• نیمه هادی نوع ‪ :P‬از افزودن ناخالصی گروه ‪ 3‬به ساختار کریستالی سیلیکون‬
‫به وجود می آید (شکل پایینی)‪.‬‬
‫چگالی ناخالصی اضافه شده از گروه ‪ 3‬باشد (‪ ،)Acceptor‬چگالی‬ ‫اگر‬
‫الکترون (حامل اقلیت) و حفره (حامل کثریت) در نیمه هادی نوع ‪ P‬عبارتست از‪:‬‬
 ‫انواع جریان الکتریکی در نیمه هادی ها‪:‬‬

‫• جریان رانشی (‪ :)drift‬در اثر اعمال میدان الکتریکی (اختالف‬

‫پتانسیل الکتریکی) ایجاد می شود‪ .‬الکترونها خالف جهت میدان و‬
‫حفره ها در جهت میدان الکتریکی حرکت می کنند (شکل باالیی)‪.‬‬

‫• جریان نفوذی (‪ :)diffusion‬در اثر اختالف چگالی حاملها ایجاد می‬

‫شود‪ .‬همواره حاملها از جایی که چگالی آنها بیشتر است به جایی که‬
‫چگالیشان کمتر است حرکت می کنند (شکل پایینی)‪.‬‬