‫تعداد سواالت‪ ۰۳ :‬سؤال‬ ‫مفاهیم پایه و روشهای ساخت‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)1‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫آن دسته از نقاط کوانتومی که هسته آنها از عناصر گروههای سه و پنج تشکیل میشوند دارای پایداری‬
‫بیشتر و سمیت کمتر نسبت به نقاط کوانتومی سنتزشده از عناصر گروههای دو و شش هستند‪ .‬دلیل این‬
‫پدیده‪ ،‬تفاوت در نوع پیوند آنها است؛ بهطوریکه پیوند بین اجزا در نقاط کوانتومی سنتز شده از عناصر‬
‫گروههای سه و پنج‪ ،‬کوواالنسی و در سایر نقاط کوانتومی‪ ،‬یونی است‪ .‬البته علیرغم سمیت کمتر‪ ،‬سنتز نقاط‬
‫کوانتومی که هسته آنها از عناصر گروههای سه و پنج تشکیل شده دشوارتر و زمانگیرتر بوده و این دسته‬
‫از نقاط کوانتومی کارایی کمتری نسبت به سایر نقاط دارند‪( .‬به مقاله "معرفی نقاط کوانتومی" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬مفاهیم پایه – نقاط کوانتومی‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)2‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫در نیمهرساناها‪ ،‬پسازآنکه الکترون از نوار ظرفیت به نوار هدایت انتقال یافت‪ ،‬یک جای خالی الکترون یا‬
‫حفره ایجاد می شود‪ .‬حفره مانند یک حامل بار عمل کرده و در انتقال جریان الکتریسیته شرکت میکند‪.‬‬
‫اندازه بار آن بهاندازه بار الکترون و با عالمت معکوس است‪ .‬بعد از انتقال الکترون‪ ،‬الیه ظرفیت دیگر کامالا پر‬
‫نیست و تا حدی جریان الکتریکی را عبور میدهد‪ .‬رسانایی در این حالت با الکترونها و حفرهها صورت‬
‫میگیرد‪( .‬به مقاله "خواص الکتریکی مواد و تئوری نواری" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬مفاهیم پایه – خواص مواد‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)۰‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫با اضافهشدن الیههای اتمی به جوانه اولیه به شکل کیوباکتاهدرون‪ ،‬نانوبلور بزرگتر با همان شکل ‪14‬‬
‫وجهی حاصل خواهد شد‪ .‬تعداد اتمهای تشکیلدهنده نانوبلور حاصل به صورت دنبالهای از اعداد ‪N=1, 13,‬‬
‫… ‪ 55, 147, 309, 561,‬خواهد بود که "اعداد جادویی ساختاری" نامیده میشوند‪ .‬برای نانوبلور متشکل از ‪n‬‬
‫الیه اتمی تعداد کل اتمهای تشکیلدهنده آن و نیز تعداد اتمهای سطحی واقع در الیه ‪n‬ام با استفاده از‬
‫روابط زیر قابل محاسبه است (به کتاب "مقدمهای بر فناوری نانو" ترجمه دکتر نیما تقوینیا مراجعه کنید)‪:‬‬

‫‪۱‬‬
 ‫‪1‬‬
‫]‪𝑁𝑡 = [10𝑛3 − 15𝑛2 + 11𝑛 − 3‬‬
‫‪3‬‬

‫‪𝑁𝑠𝑢𝑟𝑓 = 10𝑛2 − 20𝑛 + 12‬‬

‫با توجه به روابط فوق و اینکه ‪ n‬برابر ‪ 5‬است‪ ،‬خواهیم داشت‪:‬‬

‫‪𝑁𝑡 = 309‬‬

‫‪𝑁𝑠𝑢𝑟𝑓 = 162‬‬

‫سرفصل‪ :‬مفاهیم پایه – بلورشناسی‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)4‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫تعداد کل اتمهای ساختار کیوباکتاهدرون برابر با ‪ 561‬به دست آمد‪ .‬ازآنجاییکه هر سلول واحد ‪BCC‬‬

‫متشکل از ‪ 2‬اتم است‪ ،‬لذا تعداد سلولهای واحد در دو مکعب موردنظر در مجموع برابر ‪ 28۳‬با یک اتم‬
‫اضافی خواهد بود‪ .‬در ساختار ‪ BCC‬داریم‪:‬‬

‫𝑟‪4‬‬
‫=𝑎‬ ‫̇𝐴 ‪= 4‬‬
‫‪√3‬‬

‫لذا تعداد سلولهای واحد در طول اضالع دو مکعب برابر با ‪ 4‬و ‪ 6‬بوده و در نتیجه دو مکعب با ‪ 64‬و ‪216‬‬
‫سلول واحد خواهیم داشت (با یک اتم اضافی)‪ .‬بنابراین‪ ،‬تعداد اتمهای واقع بر روی سطح دو مکعب برابر با‬
‫‪ 88‬و ‪ 218‬به دست میآید‪ .‬حال درصد کاهش تعداد اتمهای سطحی برابر خواهد بود با‪:‬‬

‫‪(98 + 218) − 252‬‬

‫= درصد کاهش اتم هایسطحی‬ ‫‪× 100 = 25.4%‬‬
‫‪252‬‬

‫(به کتاب "مقدمهای بر فناوری نانو" ترجمه دکتر نیما تقوینیا و مقاالت "مقدمهای بر بلورشناسی" و "انواع‬
‫ساختارهای بلوری" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬مفاهیم پایه – بلورشناسی‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار سخت‬

‫‪2‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)5‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫تعداد اتمهای سطحی = تعداد اتمهای واقع بر روی یالها ‪ +‬تعداد اتمهای داخلی (منهای یالها) واقع بر‬
‫روی سطوح مربعی و مثلثیشکل = تعداد اتمهای داخلی (منهای یالها) واقع بر روی سطوح مربعی و‬
‫مثلثیشکل ‪( +‬تعداد اتمهای موجود روی یک یال × تعداد یالها) – (تعداد رئوس × ‪ .)۰‬اگر ‪ z‬تعداد‬
‫اتمهای روی یال‪ x ،‬تعداد اتمهای داخلی وجه مربعیشکل و ‪ y‬تعداد اتمهای داخلی وجه مثلثیشکل باشد‪،‬‬
‫آنگاه خواهیم داشت‪:‬‬

‫‪𝑥 = (𝑧 − 2)2‬‬

‫)‪(𝑧 − 2)(𝑧 − 3‬‬

‫=𝑦‬
‫‪2‬‬

‫ازآنجاییکه تعداد یالها برابر ‪ 24‬و تعداد رئوس برابر ‪ 12‬بوده و از طرفی این ‪ 14‬وجهی دارای ‪ 6‬وجه مربعی و‬
‫‪ 8‬وجه مثلثیشکل است‪ ،‬خواهیم داشت‪:‬‬

‫)‪ = 6x + 8y + 24z − (3 × 12‬تعداد اتم های سطحی‬

‫‪= 6(𝑧 − 2)2 + 4(𝑧 − 2)(𝑧 − 3) + 24𝑧 − 36‬‬

‫‪= 10𝑧 2 − 20𝑧 + 12 = 252‬‬

‫‪⇒ 𝑧 2 − 2𝑧 − 24 = 0‬‬

‫‪⇒ (𝑧 − 6)(𝑧 + 4) = 0‬‬

‫‪⇒𝑧=6‬‬

‫(در حالت کلی‪ .)𝑧 = 𝑛 :‬بنابراین‪ ،‬برای محاسبه تعداد اتمهای واقع بر روی وجه مثلثیشکل (‪ )N‬داریم‪:‬‬

‫)‪(6 − 2)(6 − 3‬‬

‫=𝑁‬ ‫‪+ (3 × 6) − 3 = 21‬‬
‫‪2‬‬

‫(به کتاب "مقدمهای بر فناوری نانو" ترجمه دکتر نیما تقوینیا و مقاالت "مقدمهای بر بلورشناسی" و "انواع‬
‫ساختارهای بلوری" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬مفاهیم پایه – بلورشناسی‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار سخت‬

‫‪3‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)6‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫هسته برهنه نقاط کوانتومی بهمرور دچار نقصهای مربوط به ساختارهای بلوری میشود که این مسئله‬
‫باعث ایجاد اختالالتی در فرآیند نشر مانند پدیده چشمکزنی میشود‪ .‬چشمکزنی‪ ،‬فرآیندی است که در آن‬
‫با وجود تابش پیوسته نور به نقاط کوانتومی‪ ،‬نشر نور از آنها بهصورت گسسته صورت میگیرد‪ .‬بنابراین‪،‬‬
‫منشأ پدیده چشمکزنی عبارت از ایجاد نواقص بلوری در ساختار هسته برهنه نقاط کوانتومی میباشد‪ .‬نشر‬
‫گسسته تابش نور پیوسته توصیفی از پدیده چشمکزنی است نه منشأ آن‪ .‬هسته برهنه نقاط کوانتومی‬
‫الزمه وقوع پدیده چشمکزنی است نه منشأ آن‪ .‬همچنین‪ ،‬نوسانات گرمایی در فصل مشترک هسته‪/‬پوسته‬
‫نقاط کوانتومی ارتباطی با پدیده چشمکزنی ندارد‪.‬‬

‫دلیل کوانتیزه شدن (افزایش انرژی نوار ممنوعه) با ریزتر شدن نقاط کوانتومی‪ ،‬اثر حدی کوانتومی است‪ .‬این‬
‫اثر در نانوذرات نیمههادی (نقاط کوانتومی) باعث ایجاد خواص الکتریکی و نوری منحصربهفردی میشود‪.‬‬
‫این اثر زمانی بروز می کند که اندازه نقطه کوانتومی از یک حد بحرانی‪ ،‬که به آن شعاع بور گفته میشود‪،‬‬
‫کمتر باشد‪ .‬شعاع بور فاصله یک جفت الکترون‪-‬حفره بوده و در حدود ‪ 56‬آنگستروم است‪ .‬بهعبارتدیگر‪،‬‬
‫این اثر زمانی مشاهده میشود که اندازه ذرات خیلی کوچک بوده و در حد طول موج الکترون باشند‪.‬‬

‫پژوهشهای انجامشده در خارج از بدن موجودات زنده )‪ (in vitro‬نشاندهنده سمیت نقاط کوانتومی است؛‬
‫بهاین معنا که حضور نقاط کوانتومی در مجاورت سلولها باعث مرگ و یا اختالل در عملکرد طبیعی آنها‬
‫می شود‪ .‬مقدار سمیت این نقاط به پارامترهای مختلفی مانند اندازه‪ ،‬مقدار‪ ،‬شیمی سطح و عناصر سازنده‬
‫هسته نقاط و جنس ماده پوشاننده سطح آنها بستگی دارد‪ .‬سه منشأ سمیت سلولی نقاط کوانتومی عبارت‬
‫از آزادشدن کادمیوم موجود در ساختار هسته نقاط کوانتومی (هسته نقاط کوانتومی معموال ا از ترکیباتی مانند‬
‫کادمیومتلورید )‪ (CdTe‬و کادمیومسلنید )‪ (CdSe‬سنتز میشود)‪ ،‬تولید رادیکالهای اکسیژن و برهمکنش‬
‫نقاط کوانتومی با اجزای داخل سلولی است‪( .‬به مقاله "معرفی نقاط کوانتومی" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬مفاهیم پایه – نقاط کوانتومی‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)7‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫خودآرایی فرایندی خودبهخودی و برگشتپذیر است که در آن اجزای تشکیلدهنده اتمی یا مولکولی‬

‫بهصورت منظم در کنار یکدیگر قرارگرفته و ساختارهای منظمی را ایجاد میکنند‪ .‬خودآرایی در واقع یک روش‬
‫ساخت پایینبه باال است که در آن اجزای سازنده با برقراری پیوندهای فیزیکی یا شیمیایی‪ ،‬خود را به شکل‬
‫یک نانو ساختار منظم درمیآورند (درستی گزاره ‪ .)1‬خودآرایی زمانی انجام میشود که نیروهای جاذبه و‬

‫‪4‬‬
 ‫دافعه بین مولکولها به تعادل برسند‪ .‬این نیروها ضعیف بوده و معموال ا از نوع غیرکوواالنسی (مانند‬
‫نیروهای آبگریزی) هستند‪ .‬برای خودآرایی‪ ،‬حرکت مولکولها الزم و ضروری است بنابراین در فرآیند‬
‫خودآرایی به نوعی انتقال جرم انجام میشود (نادرستی گزاره ‪ .)2‬خودآرایی فروسیاالت با اعمال میدان‬
‫مغناطیسی نمونه بارزی از فرایندهای خودآرایی با تغییر شرایط محیطی است‪ .‬در فروسیاالت‪ ،‬نانوذرات‬
‫مغناطیسی یا فرومغناطیسی در داخل یک محیط مایع شناور هستند‪ .‬هنگامیکه هیچ میدان مغناطیسی‬
‫خارجی اعمال نشود‪ ،‬سیال بهعنوان یک سیال نیوتونی معمولی رفتار میکند‪ .‬ذرات کوچک بوده و هرگونه‬
‫برهمکنش بین ذرات ضعیف بوده و موجب تغییر رفتار بالک سیال نمیشود‪ .‬بااینحال‪ ،‬با اعمال یک میدان‬
‫مغناطیسی خارجی‪ ،‬تغییر خواص رئولوژی سیال مشهود خواهد بود‪ .‬میدان مغناطیسی خارجی باعث‬
‫همراستا شدن ذرات و تشکیل زنجیرههایی بهصورت یک ساختار شبکهای میشود که رفتار سیال نیوتونی را‬
‫بهطور کامل تغییر میدهد (درستی گزاره ‪ .)۰‬خودآرایی به روش همراستایی با اعمال میدان الکتریکی طی‬
‫بهحداقلرساندن انرژی الکترواستاتیک وابسته به جهتگیری انجام میشود‪ .‬این امر بهدلیل اختالف تراوایی‬
‫دیالکتریک بین بلوکهای تشکیلدهنده صورت میگیرد‪ .‬همراستایی سریع بهویژه در محلولهای غلیظ‬
‫امکانپذیر است و لذا سرعت همراستایی با افزایش غلظت محلول افزایش مییابد (درستی گزاره ‪( .)4‬به‬
‫مقاالت "خودآرایی ‪ "1‬و "خودآرایی ‪ "2‬مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬خودآرایی‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)8‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫تقسیمبندی فرایندهای خودآرایی را میتوان بر اساس ماهیت ترمودینامیکی یا سینتیکی آنها بسط و‬
‫گسترش داد‪ .‬فرایندهای خودآرایی اتمی‪ ،‬مولکولی‪ ،‬زیستی و فصلمشترکی دارای ماهیت ترمودینامیکی و‬
‫خودآرایی کلوئیدی و برخی فرایندهای خودآرایی فصلمشترکی دارای ماهیت سینتیکی هستند (درستی‬
‫گزاره ‪ .)1‬برخی از فرایندهای خودآرایی تصادفی هستند‪ ،‬حال آنکه فرایندهای دیگر تا حدودی جهتدار‬
‫میباشند‪ .‬خودآرایی مولکولی‪ ،‬کلوئیدی و فصلمشترکی فرایندهایی تصادفی و برخی از فرایندهای خودآرایی‬
‫زیستی و اتمی فرایندهایی جهتدار هستند (درستی گزاره ‪ .)2‬هرگاه هر سه دسته از نیروهای دخیل در‬
‫فرایند شامل نیروی محرکه جاذبه‪ ،‬نیروی دافعه مخالف و نیروی جهتدار‪ ،‬بهصورت همزمان وارد عمل شود‪،‬‬
‫فرایندهای خودآرایی جهتدار شده و در بسیاری از موارد بهصورت فرایندهای چندمرحلهای انجام میشوند‪.‬‬
‫این سیستمهای خودآرایی معموال ا ساختار سلسلهمراتبی از خود نشان میدهند‪ .‬بسیاری از سیستمهای‬
‫زیستی و زیستتقلیدی جزء این مجموعه از فرایندهای خودآرایی قرار میگیرند‪ .‬در حالت کلی‪ ،‬خودآرایی‬
‫زیستی فرایندی جهتدار و سلسله مراتبی است و انواع دیگر خودآرایی اعم از اتمی‪ ،‬مولکولی‪ ،‬کلوئیدی و‬
‫فصلمشترکی فرایندهایی غیر سلسلهمراتبی هستند‪ .‬به جدول ‪ 2‬از مقاله «خودآرایی ‪ »2‬مراجعه کنید‬

‫‪5‬‬
‫(نادرستی گزاره ‪ .)۰‬خودآرایی استاتیکی در سیستمهایی با تعادل پایدار و یا موضعی رخ میدهد‪ .‬در این‬
‫خودآرایی هیچ گونه اتالف انرژی طی فرایند خودآرایی وجود ندارد‪ ،‬به این ترتیب که پس از ورود و مصرف‬
‫انرژی توسط سیستم برای تبدیل آن به سیستم خودآرا‪ ،‬برای منظم نگهداشتن ساختار خودآراییشده نیازی‬
‫به مصرف انرژی وجود ندارد‪ .‬خودآرایی دینامیکی در سیستمهای غیرتعادلی پایدار روی میدهد‪ .‬این‬
‫ساختارهای خودآرا تا زمانی که انرژی بهصورت مداوم مصرف شود‪ ،‬منظم باقی میمانند‪ .‬به عبارت دیگر‪ ،‬در‬
‫مورد خودآرایی دینامیکی‪ ،‬اتالف پیوسته انرژی توسط سیستم مانند یک بافت زنده بدن انسان روی میدهد‬
‫(درستی گزاره ‪( .)4‬به مقاالت "خودآرایی ‪ "1‬و "خودآرایی ‪ "2‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬خودآرایی‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)8‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫خودآرایی بهکمک مواد فعال سطحی به میسلیشدن (‪ )Micellization‬موسوم است‪ .‬میسلیشدن به فرایند‬
‫تشکیل میسلها اطالق میشود (درستی گزاره ‪ .)1‬نیروهای جاذبه مستقیما بر روی مولکولهای فعال سطحی‬
‫عمل کرده و آنها به یکدیگر نزدیک میسازد‪ ،‬درحالیکه نیروهای دافعه در جهت خالف آن عمل میکند‪.‬‬
‫بنابراین‪ ،‬میتوان نیروهای جاذبه را بهعنوان نیروی محرکه فرایند میسلیشدن و نیروهای دافعه را بهعنوان‬
‫نیروی مخالف این فرایند تعریف کرد‪ .‬به عبارت مشخصتر‪ ،‬نیروی محرکه این فرایند معموال ا نیروی جاذبه‬
‫آب گریزی و نیروی مخالف آن نیروی دافعه الکترواستاتیکی و یا نیروی ا‬
‫حاللپوشی است (درستی گزاره ‪.)2‬‬
‫فرایند میسلیشدن یک فرایند خودآرایی تصادفی‪ ،‬تکمرحلهای و غیرسلسلهمراتبی است (درستی گزاره ‪.)۰‬‬
‫در طی این فرایند هیچ پیوند شیمیایی مستحکمی مانند پیوند کوواالنسی وجود ندارد (نادرستی گزاره ‪.)4‬‬
‫(به مقاله "خودآرایی ‪ "2‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬خودآرایی‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)1۳‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫تجمع خودبهخودی اتمهای فلزی یا نیمهرسانا بر روی یک زیرالیه جامد موجب تشکیل تودههای اتمی‬
‫خودآراییشده مانند نقاط کوانتومی میگردد (درستی گزاره (‪ .))i‬اندازه نقاط کوانتومی ‪ 1‬تا ‪ 11‬نانومتر بوده و‬
‫مورفولوژی آنها میتواند کروی یا هرمیشکل باشد (درستی گزاره (‪ .))ii‬این مورفولوژی نتیجه موازنه نیرو‬
‫ا‬
‫عمدتا بین نیروی جاذبه واندروالس و نیروی دافعه الکترواستاتیک است (نادرستی گزاره (‪ .))iii‬میتوان‬

‫‪6‬‬
 ‫برهمکنش منحصربهفرد اتم‪-‬زیرالیه برای این سیستم را بهصورت نیروی جهتدار درنظر گرفت‪ ،‬چرا که این‬
‫نیرو مسئول دوبعدیبودن این نوع خودآرایی است (درستی گزاره (‪ .))iv‬برهمکنش اتم‪-‬زیرالیه و رونشانی‬
‫(‪ )Epitaxy‬زیرالیه قو ا‬
‫یا تعیینکننده جهت الگویابی نقاط کوانتومی میباشد (درستی گزاره (‪ ))vi‬و تودههای‬
‫اتمی خودآراییشده دارای ساختاری غیرسلسلهمراتبی است (نادرستی گزاره (‪ .))v‬بنابراین‪ 4 ،‬مورد از ‪ 6‬مورد‬
‫گزاره صحیحی به شمار میآیند‪( .‬به مقاله "خودآرایی ‪ "2‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬خودآرایی‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)11‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫اساس روشهای خودآرایی فیزیکی‪ ،‬خودآرایی نانوذرات عاملدارشده بر روی سطح با استفاده از نیروهای‬
‫فیزیکی است و شامل خودآرایی مویینگی یا همرفتی‪ ،‬پوششدهی چرخشی و رسوبدهی میشود‪.‬‬
‫خودآرایی نانوذرات طی برهمکنشهای آبگریزی‪ ،‬یکی از روشهای شیمیایی خودآرایی نانوذرات است‬
‫(نادرستی گزاره ‪ .)1‬در حالت کلی‪ ،‬خودآرایی فیزیکی نانوذرات به تولید آسان آرایههای فشرده دو یا سهبعدی‬
‫از نانوذرات میانجامد‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬ساختارهای حاصل از خودآرایی فیزیکی نانوذرات بهدلیل آنکه در‬
‫ا‬
‫نسبتا اندکی الیهنشانی میشوند‪ ،‬فاقد پایداری طوالنیمدت است (نادرستی گزاره ‪.)2‬‬ ‫فشارهای سطحی‬
‫برای آنکه مولکولها قادر به تغییر موقعیت خود بر روی سطح باشند‪ ،‬باید قدرت پیوندهای بین اجزای‬
‫سیستم در حد نيروی مورد استفاده برای جداکردن آنها باشد‪ .‬چنانچه مولکولها با ایجاد پیوند‬
‫بینمولکولی قوی بهطور بازگشتناپذير به يکديگر متصل شوند‪ ،‬انجام فرایند خودآرایی غیرممکن شده و‬
‫بهجاي تشکیل بلور منظم‪ ،‬مادهای آمورف بهدست میآید (نادرستی گزاره ‪ .)3‬متداولترین روش برای ایجاد‬
‫آرایههای برگشتناپذیر و پایداری از نانوذرات بر روی سطح زیرالیه‪ ،‬تشکیل پیوند کوواالنسی بین نانوذره و‬
‫سطح است‪ .‬در این حالت‪ ،‬معموال ا یک تکالیه خودآراییشده بر روی سطح زیرالیه تشکیل میشود که از‬
‫قابلیت ایجاد پیوند کوواالنسی با نانوذرات عاملدارشده برخوردار است (درستی گزاره ‪( .)4‬به مقاله‬
‫"خودآرایی نانوذرات" مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬خودآرایی‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪7‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)12‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫میکروامولسیون به صورت پخش همسانگرد دو مایع امتزاجناپذیر با پایداری ترمودینامیکی توصیف میشود‬
‫که شامل مناطق نانومتری از یکی یا هر دو مایع در دیگری میباشد‪( .‬به مقاله "روشهای میکروامولسیون و‬
‫مایسل معکوس" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬میکروامولسیون‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)1۰‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫گاز درون محفظه کندوپاش طی تخلیه الکتریکی یونیزه شده و یونهایی با بار مثبت تولید میشود‪ .‬با‬
‫برخورد این یونها به سطح هدف و انتقال انرژی و تکانه به آن‪ ،‬اتمهایی از سطح هدف کنده شده و در‬
‫محفظه خأل به سمت زیرالیه حرکت کرده و به صورت یک الیه نازک روی آن مینشینند‪ .‬تعداد اتمهای‬
‫جداشده از ماده هدف به ازای هر یون برخوردی به سطح بهعنوان معیاری از بازده فرآیند کندوپاش در نظر‬
‫گرفته میشود‪ .‬به عبارت دیگر‪ ،‬بازده فرآیند کندوپاش بیانگر نسبت تعداد اتمهای منتقلشده به فاز بخار به‬
‫تعداد یونهای برخوردکننده به سطح است‪( .‬به مقاله "الیهنشانی به روش کندوپاش" مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪PVD -‬‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)14‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫در حالت کلی‪ ،‬ایجاد الگوهای شیمیایی بر اساس میزان آبدوستی متغیری که در طول سطح وجود دارد‪،‬‬
‫متداولترین روش برای خودآرایی بلورهای سهبعدی و چندجزئی از نانوذرات به شمار میرود‪ .‬همانطوری که‬
‫در شکل مشاهده می شود‪ ،‬یک قطره از محلول متانول حاوی نانوذرات اکسید سیلیسیم بر روی زیرالیه‬
‫الگومندشده با لیتوگرافی نوری قرار داده میشود‪ .‬مناطق آبدوست و آبگریز با استفاده از تکالیههای‬
‫خودآرایی شده بر روی این زیرالیه ایجاد شده است‪ .‬سپس این زیرالیه در داخل دکالین غوطهور میگردد‪.‬‬
‫نانوذرات به صورت انتخابی با مناطق آبدوست برهمکنش میکنند و به واسطه وجود کشش سطحی‬
‫قطرات‪ ،‬امولسیونی به فصل مشترک قطرات میچسبد‪ .‬ایجاد فصل مشترک بین دو محلول و جمعشدن‬
‫قطرات حاوی ذرات باعث آرایش دوباره نانوذرات و تشکیل ساختارهای خودآراییشده از ذرات کروی‬
‫فشردهشده میشود‪ .‬بنابراین‪ ،‬این فرایند بر مبنای ایجاد الگوهای شیمیایی بر اساس میزان آبدوستی‬

‫‪8‬‬
 ‫متفاوت روی سطح با استفاده از تکالیههای خودآراییشده استوار است‪( .‬به مقاله "خودآرایی نانوذرات"‬
‫مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬خودآرایی‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)15‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫ایجاد تعادل بین میزان پایداری و نظم در آرایهای از نانوذرات مستلزم کنترل دقیق پیوندهای شیمیایی‬
‫است‪ .‬استفاده از برهمکنشهای غیرکوواالنسی برای تولید نانوذرات عاملدارشده پذیرنده و یا تکالیههای‬
‫خودآراییشده منطقی به نظر میرسد‪ .‬بدین ترتیب‪ ،‬مزیت استفاده از برهمکنشهای غیرکوواالنسی نسبت‬
‫به برهمکنشهای کوواالنسی این است که بهدلیل برگشتپذیر بودن فرایند‪ ،‬امکان تصحیح بینظمیهای‬
‫بهوجودآمده در چینش نانوذرات وجود دارد (درستی گزاره ‪ .)1‬از برهمکنشهای کوواالنسی‪ ،‬الکترواستاتیک‪،‬‬
‫هیدروژنی‪ ،‬کئوردیناسیون فلز‪-‬لیگاند و روشهای لیتوگرافی میتوان برای خودآرایی الیهبهالیه نانوذرات بر‬
‫روی سطوح استفاده نمود (نادرستی گزاره ‪ .)2‬فرایند خودآرایی الیهبهالیه با استفاده از برهمکنشهای‬
‫غیرکوواالنسی‪ ،‬بهدلیل سادگی و سهولت‪ ،‬کاربرد گستردهای در خودآرایی شیمیایی نانوذرات عاملدارشده بر‬
‫روی سطح دارد (نادرستی گزاره ‪ .)۰‬نحوه رشد و خواص فیلمهای چندالیه‪ ،‬با پارامترهای شیمیایی مانند‬
‫غلظت نانوذرات و پلیالکترولیت‪ ،‬قدرت یونی‪ pH ،‬و پیوند هیدروژنی کنترل میشود (نادرستی گزاره ‪( .)4‬به‬
‫مقاالت "خودآرایی ‪ "1‬و "خودآرایی ‪ "2‬و "خودآرایی نانوذرات" مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬خودآرایی‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)16‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫انجام فرایند آلیاژسازی مکانیکی در حضور گاز نیتروژن جزو آلودگیهای ناشی از اتمسفر به شمار میرود‪.‬‬
‫تشکیل ناخالصیها و آلودگیها در نتیجه آببندي نامناسب‪ ،‬فشار درون محفظه را کاهش میدهد و شرایط‬
‫الزم برای نفوذ پیوسته اتمسفر محیط به داخل محفظه را فراهم میکند‪ .‬تشکیل نیترید تیتانیوم در هنگام‬
‫آسیابکاری پودر تیتانیوم در محفظه آببندی نشده‪ ،‬یکی از شایعترین آلودگیهای ناشی از اتمسفر است‪.‬‬
‫در این شرایط‪ ،‬حتي شستشوي مخلوط پودری آلوده با گاز آرگون نیز نمیتواند باعث حذف اكسيژن و‬
‫نيتروژن از مخلوط پودری شود‪ .‬آببندي محفظه با واشر تفلونی‪ ،‬راهکار مناسبی براي جلوگیری از نفوذ هوا‬
‫به داخل محفظه است (نادرستی مورد ‪ .)1‬بهطورکلی‪ ،‬با افزايش نسبت وزني گلوله به پودر و افزایش سرعت‬

‫‪9‬‬
‫آسيابكاري‪ ،‬انرژي فرآیند افزایش مییابد‪ .‬با افزایش انرژی آسیابکاری‪ ،‬مقدار ناخالصيهاي ناشي از‬
‫سایش تجهیزات آسیاب بیشتر ميشود‪ .‬بنابراین برای کمینهکردن مقدار این نوع از آلودگیها‪ ،‬بایستی‬
‫سرعت آسیاب کاری و نسبت وزني گلوله به پودر کاهش یابد (نادرستی مورد ‪ 2‬و درستی مورد ‪ .)۰‬استفاده از‬
‫محفظه و گلولههای نرمتر نسبت به پودر باعث کندهشدن و اضافهشدن مقادیر زیاد ناخالصی آهن به ترکیب‬
‫شیمیایی پودر تحت آسیابکاری میشود و لذا نامطلوب است‪ .‬برای مثال‪ ،‬علت وجود مقادير زياد ناخالصی‬
‫آهن در ترکیب شیمیایی پودر تنگستن آسیابشده‪ ،‬نرمتر بودن محفظه و گلولههاي فوالدي نسبت به‬
‫تنگستن است‪ .‬در آسیاکاری پودر تنگستن خالص‪ ،‬برای کاهش مقادیر ناخالصی باید محفظه و گلولهها از‬
‫جن س كاربيد تنگستن و يا كوراندوم با سختی باالتر نسبت به تنگستن خالص انتخاب شوند (نادرستی مورد‬
‫‪( )4‬به مقاالت "مشکالت و چالشهای موجود در آلیاژسازی مکانیکی" و "تغییرشکل پالستیک شدید‬
‫نانوکامپوزیتهای زمینه فلزی" مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬آلیاژسازی مکانیکی‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)17‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫در فرآیند آندایز‪ ،‬فلز موردنظر با خلوص بسیار باال‪ ،‬بهعنوان آند و فلز دیگری مانند آلومینیوم‪ ،‬تیتانیوم‪،‬‬
‫پالتین‪ ،‬پاالدیم‪ ،‬نیکل و یا تنگستن بهعنوان کاتد قرار داده میشود‪ .‬هیدروژن در سطح کاتد احیا میشود و‬
‫با دریافت الکترون به اتم و سپس مولکول تبدیلشده و به صورت گاز آزاد میشود‪ .‬اما اکسیژن در سطح آند‬
‫اکسایش مییابد و به صورت یون منفی از سطح آند جدا میشود و سپس با پیوند دو اتم اکسیژن و تولید‬
‫مولکول اکسیژن‪ ،‬به صورت حباب از سطح آند خارج میگردد (درستی گزاره ‪ .)1‬فرآیند آندایز باعث ایجاد‬
‫تغییر در بافت میکروسکوپی سطح و ساختار بلوری الیههای سطحی فلز میشود‪ .‬پوششهای آندی معموال ا‬

‫سختتر و چسبندهتر از انواع رنگها و روکشهای فلزی هستند و مقاومت ماده در برابر خوردگی و سایش‬
‫را بهطور قابلمالحظهای افزایش میدهند (درستی گزاره ‪ .)2‬زمانیکه فرآیند آندایز آلومینیوم در حضور‬
‫الکترولیت های اسیدی مانند اسید اکسالیک و اسید فسفریک انجام شود‪ ،‬الیه اکسیدی سنتزشده‪ ،‬متخلخل‬
‫خواهد بود (درستی گزاره ‪ .)۰‬الیه اکسیدی سدی از نظر شیمیایی غیرفعال‪ ،‬از نظر ابعاد‪ ،‬بسیار نازک و‬
‫فشرده‪ ،‬و از نظر الکتریکی‪ ،‬دیالکتریک است (نادرستی گزاره ‪( .)4‬به مقاالت "فرآیند آندایز‪ :‬معرفی و‬
‫روشها‪ "1 -‬و "مراحل فرآیند آندایز‪ "2 -‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬آندایز‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪10‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)18‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫شکل زیر‪ ،‬دو نوع اکسید آندی به دست آمده از فرایند آندایز (الیه سدی و الیه متخلخل) به همراه‬
‫نمودارهای جریان‪ -‬زمان متناظر تحت شرایط پتانسیواستاتیک را نشان میدهد‪ .‬مشاهده میشود که چگالی‬
‫جریان برای الیه سدی به طور نمایی کاهش مییابد و برای الیه اکسیدی متخلخل ابتدا به شدت کاهش و‬
‫ا‬
‫نهایتا به یک مقدار ثابت (حالت پایا) میرسد‪( .‬به مقاله "فرآیند آندایز‪ :‬معرفی و‬ ‫سپس افزایش مییابد و‬
‫روشها‪ "1 -‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬آندایز‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)18‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫اصوال ا فرآیند آندایز سخت در دماهای پایین (‪ +1۳‬تا‪ )-1۳‬انجام میشود‪ .‬نتایج حاصل از آندایز آلومینیوم‬
‫نشان میدهد که با افزایش دما‪ ،‬ضخامت الیه آندی کاهش مییابد‪ .‬دلیل این امر‪ ،‬حلشدن الیه بیرونی‬
‫است که منجر به افزایش قطر حفرهها و کاهش سختی میشود (نادرستی گزاره ‪ .)1‬در برخی از مواقع‪،‬‬
‫ممکن است دو طرف ورق فلزی تحت فرآیند آندایز قرار گیرد‪ .‬در شرایط آندایز یکطرفه‪ ،‬میزان انتقال‬
‫حرارت به منبع سرد افزایش مییابد و بهتبع آن‪ ،‬سرعت تشکیل الیه اکسیدی و ضخامت آن نسبت به‬

‫‪11‬‬
‫آندایز دوطرفه بیشتر بوده و سختی باالتری را ایجاد میکند‪ .‬بهعنوان مثال‪ ،‬میزان سختی الیه آندی در‬
‫شرایط دوطرفه و دمای ‪ -5‬برای الکترولیت اسیدسولفوریک برابر ‪ 284‬ویکرز گزارش شده است‪ ،‬در حالیکه در‬
‫آندایز یکطرفه و همین شرایط‪ ،‬میزان سختی به ‪ 516‬ویکرز افزایش مییابد (درستی گزاره ‪ .)2‬در فرآیند‬
‫آندایز نرم دومرحلهای‪ ،‬مرحله اول آندایز به مدت بیش از ‪ 24‬ساعت انجام میشود‪ .‬الیه اکسیدی متخلخل‬
‫بهدست آمده که در بخش فوقانی خود دارای حفرات نامنظم است‪ ،‬با استفاده از فرآیند حکاکی شیمیایی‬
‫بهصورت انتخابی برداشته میشود‪ ،‬بهطور یکه سطح فلز بهدستآمده‪ ،‬به صورت آرایهای از نیمکرههای مقعر‬
‫درمی آید‪ .‬مرحله دوم آندایز تحت همان شرایط آندایز اولیه بر روی آلومینیوم بافتدارشده انجام میشود‪.‬‬
‫حفرات در مراکز نیمکرههای مقعر جوانهزنی کرده و در جهت عمود بر زیرالیه آلومینیومی جهتگیری میکنند‪.‬‬
‫در واقع‪ ،‬این مراکز بهعنوان محلهای مرجح برای جوانهزنی و رشد حفرات طی آندایز مرحله دوم عمل‬
‫میکنند‪ ،‬زیرا الیه اکسیدی نازک موجود در کف آرایههای مقعر‪ ،‬دارای بیشترین شدت جریان عبوری و‬
‫کمترین مقاومت الکتریکی است‪ .‬بنابراین‪ ،‬نظم حفرات الیه اکسید آندی در فرایند آندایز نرم دومرحلهای‬
‫نسبت به فرایند آندایز نرم یکمرحلهای بیشتر است‪ .‬علیرغم تشکیل حفرههای بسیار منظم در طی فرآیند‬
‫آندایز نرم دومرحلهای‪ ،‬رشد الیه اکسیدی با سرعت پایینی انجام میشود (نادرستی گزاره ‪ .)۰‬با توجه به‬
‫اینکه درصد تخلخل برابر است با نسبت سطح اشغالشده توسط حفرهها به سطح کل‪ ،‬و از آنجایی که قطر‬
‫حفرهها در آندایز سخت‪ ،‬در یک پتانسیل مشخص‪ ،‬کمتر از قطر حفرهها در آندایز نرم است؛ لذا میزان‬
‫تخلخل در آندایز نرم بیشتر از آندایز سخت است (نادرستی گزاره ‪( .)4‬به مقاله "مراحل فرآیند آندایز‪"2 -‬‬
‫مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬آندایز‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)2۳‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫اندازه کوچکترین طرح قابلدستیابی در روشهای لیتوگرافی نوری‪ ،‬لیتوگرافی نرم‪ ،‬لیتوگرافی باریکه‬
‫الکترونی و لیتوگرافی مهر نانویی به ترتیب ‪ 2‬تا ‪ ۰‬میکرومتر‪ ،‬چند ده نانومتر تا چند میکرومتر‪ ،‬کوچکتر از ‪5‬‬
‫نانومتر و ‪ 6-4۳‬نانومتر است‪( .‬به مقاله "مقدمهای بر روش نانولیتوگرافی" مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬نانولیتوگرافی‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪12‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)21‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫لیتوگرافی نرم یکی از روشهای لیتوگرافی مبتنی بر مُ هر است که در آن از یک مُ هر پلیمری نرم برای انتقال‬
‫الگویی از یک محلول حاوی مولکولهای مورد نظر (جوهر) بر روی زیرالیه استفاده میشود‪ .‬در این روش به‬
‫دلیل استفاده از مُ هر پلیمری نرم امکان ایجاد الگو بر روی زیرالیههای غیرمسطح و انعطافپذیر وجود دارد‪.‬‬
‫این امر یکی از ویژگیهای منحصربهفرد روش لیتوگرافی نرم آن است‪ .‬طبق جدول ‪ 1‬از مقاله "مقدمهای بر‬
‫روش نانولیتوگرافی"‪ ،‬اندازه کوچکترین طرح قابلدستیابی در این روش‪ ،‬چند ده نانومتر (‪ )۰۳ nm‬تا چند‬
‫میکرومتر است‪( .‬به مقاله "مقدمهای بر روش نانولیتوگرافی" مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬نانولیتوگرافی‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)22‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫الکترونها ابتدا با ماده مقاوم پوششدهی شده روی زیرالیه و سپس با زیرالیه برخورد میکنند‪ .‬باریکه‬
‫الکترونی در نزدیکی محل برخورد دچار پراکندگی در زوایای کوچک (برهمکنش غیر االستیک یا پراکنش‬
‫روبهجلو) و پراکندگی در زوایای بزرگ (برهمکنش االستیک یا پراکنش بازگشتی) میشود‪ .‬بنابراین‪ ،‬پراکندگی‬
‫الکترونها چه در زوایای کوچک و چه در زوایای بزرگ‪ ،‬مهمترین محدودیت روش لیتوگرافی با باریکه‬
‫الکترونی بهشمار میرود‪ .‬این محدودیت ناشی از حجم باالی الکترونهای پرانرژی پراکندهشده در ماده‬
‫مقاوم است‪ .‬این پدیده باعث مبهم و حتی محوشدن طرح مورد نظر میشود‪ .‬باریکه پراکندهشده با زوایای‬
‫االستیک کوچک در ماده مقاوم پهن میشود‪ .‬به همین دلیل‪ ،‬پروفیل تابش حاصل دارای اندازه بزرگتری‬
‫نسبت به پروب الکترون برخوردی (پروب واقعی) است‪ .‬ماده مقاوم‪ ،‬عالوه بر باریکه الکترونی‪ ،‬در معرض‬
‫تابش الکترونهای بازگشتی از زیرالیه با پراکنش االستیک قرار دارد‪ .‬الکترونهای تولیدشده طی فرآیندهای‬
‫غیراالستیک‪ ،‬نقش مهمی در مبهمشدن طرح مورد نظر ایفا میکنند‪ .‬بنابراین‪ ،‬هم الکترونهای ناشی از‬
‫پراکندگی باریکه الکترونی فرودی و هم الکترونهای بازگشتی از زیرالیه تأثیر بسزایی روی ابعاد ساختار و‬
‫وضوح نهایی خواهند داشت‪ .‬یک راهکار برای کمینهکردن پراکندگی روبهجلو در ماده مقاوم‪ ،‬استفاده از الیه‬
‫نازکی از ماده مقاوم و افزایش ولتاژ الکترونهاست‪ .‬در عمل‪ ،‬ایجاد طرح روی خود زیرالیه مطلوبتر از الیه‬
‫نازک مقاوم است‪( .‬به مقاله "لیتوگرافی باریکه الکترونی" مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬نانولیتوگرافی‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪13‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)2۰‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫ا‬
‫خصوصا در دماهای پایین تولید میشوند‪ ،‬آمورف هستند‪ .‬اگر‬ ‫بسیاری از ترکیباتی که به روش همرسوبی و‬
‫نفوذ اتمی باال باشد‪ ،‬امکان تشکیل ساختارهای بلوری فراهم میشود و برعکس‪ ،‬در نفوذ پایین اتمی امکان‬
‫تشکیل ساختار بلوری وجود ندارد (نادرستی گزاره ‪ .)1‬بهمنظور شروع فرآیند جوانهزنی در محلول‪ ،‬محلول‬
‫باید از ترکیباتی که قرار است رسوب کند‪ ،‬فوق اشباع باشد‪ .‬عواملی چون افزایش غلظت محلول از طریق‬
‫تبخیر آن‪ ،‬کاهش دما و یا افزایش ‪ pH‬محلول را به منطقه فوقاشباع میرساند (درستی گزاره ‪ .)2‬جهت به‬
‫دست آوردن نانوذراتی با دامنه تغییرات اندازه بسیار کم‪ ،‬مراحل جوانهزنی و رشد باید تحت کنترل دقیق قرار‬
‫گیرد‪ .‬این امر با تغییر پارامترهای واکنش مانند تغییر نسبت مواد واکنشدهنده‪ ،‬اضافهنمودن سورفکتانت‪،‬‬
‫تغییر حالل و همچنین فراهمنمودن شرایطی چون الف) حد باالیی از فوق اشباعبودن سیستم‪ ،‬ب) توزیع‬
‫غلظت یکنواخت داخل راکتور و ج) زمان رشد یکسان برای تمامی ذرات یا کریستالها‪ ،‬امکانپذیر است‪.‬‬
‫در میان موارد بیانشده سرعت مناسب واکنش‪ ،‬نقش کلیدی را ایفا میکند‪ .‬معموال ا جوانهزنی سریع و‬
‫ا‬
‫نسبتا پایین ذرات‪ ،‬منجر به تشکیل نانوذرات تکتوزیع یا ‪ monodisperse‬میشود (نادرستی‬ ‫سرعت رشد‬
‫گزاره ‪ .)۰‬روش همرسوبی برای سنتز سرامیکهای اکسیدی چند جزئی به کار میرود‪ .‬در این روش‪ ،‬مخلوطی‬
‫از رسوب که شامل دو یا چندگونه نامحلول است به صورت همزمان از محلول جدا میشوند و رسوب‬
‫میکنند‪ .‬از جمله مزایای واکنشهای همرسوبی میتوان به مواردی چون ‪ )1‬همگنبودن توزیع اجزا‪ )2 ،‬دمای‬
‫ا‬
‫نسبتا پایین واکنش و ‪ )۰‬اندازه ذرات یکسان و ریز ‪ )4 ،‬شدت آگلومراسیون ضعیف در ذرات و همچنین‬
‫هزینه پایین آن اشاره نمود (نادرستی گزاره ‪( .)4‬به مقاالت "مبانی تولید نانوذرات با روش رسوبگذاری‬
‫شیمیایی‪ "1 -‬و "مبانی تولید نانوذرات با روش رسوبگذاری شیمیایی‪ "2 -‬و "مبانی تولید نانوذرات با روش‬
‫رسوبگذاری شیمیایی‪ "۰ -‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬رسوبگذاری شیمیایی‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)24‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫همانطور که در شکل مشخص است‪ ،‬از نیکل به عنوان کاتالیزور واکنش رسوبدهی از فاز بخار برای سنتز‬
‫الیه نازکی از نانوساختار یک بعدی کربن استفاده شده است و لذا این روش یک روش رسوبدهی شیمیایی‬
‫از فاز بخار است‪ .‬الیهنشانی به روش کندوپاش و الیهنشانی فیزیکی بخار بهکمک باریکه الکترونی جزو‬
‫روشهای الیهنشانی فیزیکی هستند‪ .‬در روش رسوبدهی شیمیایی بخار آلی‪-‬فلزی از ترکیبات آلی‪-‬فلزی‬
‫بهعنوان پیشماده استفاده میشود‪ .‬اینها ترکیباتی هستند که در آن اتم یک فلز به یک یا چند اتم کربن‪،‬‬
‫هیدروژن (هیدرید) یا گروه هیدروکربن آلی متصل است‪ .‬به این ترتیب‪ ،‬روش رسوبدهی شیمیایی بخار‬

‫‪14‬‬
 ‫بهکمک پالسما پاسخ صحیح است‪( .‬به مقاله " ‪Synthesis and characterization of graphene-based‬‬

‫‪ "nanostructures by electron-assisted hot filament plasma CVD‬و مقاالت "رسوبدهی شیمیایی از‬
‫فاز بخار به کمک پالسما (‪" ،")PECVD‬رسوبدهی شیمیایی از فاز بخار آلی‪-‬فلزی (‪" ،")MOCVD‬الیهنشانی‬
‫به روش کندوپاش" و "الیهنشانی فیزیکی از فاز بخار‪ :‬الیهنشانی تبخیری با باریکه الکترونی" مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز – (‪)CVD – PVD‬‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)25‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫مقایسه روش ‪ CVD‬با روش ‪ :PVD‬رسوبدهی در روش ‪ CVD‬بهصورت جهتدار بوده و در روش ‪PVD‬‬

‫بهصورت پراکنده و بدون جهت مشخص انجام میگیرد‪ .‬از روش ‪ CVD‬برای پوششدهی قطعات با شکل‬
‫پیچیده استفاده میشود‪ .‬حفرات و پستی و بلندیهای سطح بهراحتی با روش ‪ CVD‬قابل پوششدهی‬
‫هستند‪ ،‬درحالیکه پوششدهی این مناطق با روش ‪ PVD‬امکانپذیر نیست‪ .‬یکی دیگر از تفاوتهای این دو‬
‫روش‪ ،‬پیچیدگی بیشتر روش ‪ CVD‬نسبت به روش ‪ PVD‬است‪ ،‬بهطور یکه به دلیل وجود مراحل میانی در‬
‫روش ‪( CVD‬تولید ترکیبات واسطه)‪ ،‬این روش دارای مراحل بیشتری است‪ .‬روش ‪ CVD‬در مقایسه با روش‬
‫‪ PVD‬نیازمند خأل کمتری بوده و پوششدهی در شرایط محیطی با روش ‪ CVD‬آسانتر است‪( .‬به مقاله‬
‫"آشنایی با روشهای رسوبدهی شیمیایی از فاز بخار (‪ ")CVD‬مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز – (‪)CVD – PVD‬‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)26‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫مقدار زیادی از انرژی جنبشی الکترون های موجود در باریکه الکترونی پس از برخورد به ماده منبع به انرژی‬
‫گرمایی تبدیل شده و بقیه صرف تولید اشعه ایکس یا تولید الکترون ثانویه میشود (نادرستی گزاره ‪.)1‬‬
‫ناتوانی در پوششدهی قطعاتی با هندسه پیچیده‪ ،‬به دلیل اجرای فرآیند در فشارهای بسیار پایین از معایب‬
‫این روش است (درستی گزاره ‪ .)2‬اتمها یا مولکول های گازی که با دما و انرژی گرمایی باال‪ ،‬از ماده منبع جدا‬
‫شده و به زیرالیه رسیده اند‪ ،‬انرژی گرمایی خود را به زیرالیه منتقل کرده و روی زیرالیه حرکت میکنند‪ .‬البته‪،‬‬
‫مقدار حرکت آنها روی زیرالیه بستگی به انرژی گرمایی آنها دارد؛ بهطوری که هرچه انرژی گرمایی آنها‬
‫بیشتر باشد‪ ،‬حرکت بیشتری روی زیرالیه خواهند داشت تا در نهایت انرژی گرمایی آنها به طور کامل از‬
‫بین برود‪ .‬این اتم ها با انتقال تمام انرژی گرمایی خود‪ ،‬رفته رفته به زیرالیه چسبیده و باعث تشکیل‬

‫‪15‬‬
‫هستههایی روی زیرالیهها میشوند (نادرستی گزاره ‪ .)۰‬روش الیهنشانی تبخیری با استفاده از باریکه‬
‫الکترونی‪ ،‬یک فرآیند گرمایی محسوب میشود‪ .‬با در نظر گرفتن این موضوع که امکان دستیابی به‬
‫دماهای باال با استفاده از باریکه پر انرژی الکترونی وجود دارد‪ ،‬بنابراین میتوان از این روش برای الیهنشانی‬
‫اکسیدهای فلزی (مواد سرامیکی) که نقطه ذوب باالیی دارند استفاده کرد (نادرستی گزاره ‪( )4‬به مقاله‬
‫"الیهنشانی فیزیکی از فاز بخار‪ :‬الیهنشانی تبخیری با باریکه الکترونی" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز – ‪PVD‬‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)27‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫مقدار ‪ pH‬الکترولیت تأثیر چشمگیری بر روی تشکیل الیه متخلخل آلومینا روی آند دارد‪ ،‬بهطوریکه اگر از‬
‫الکترولیت با ‪ 5 pH‬تا ‪ 7‬استفاده شود‪ ،‬الیه تشکیلشده روی آند بهصورت پیوسته و بدون حفره خواهد بود‪.‬‬
‫الکترولیت های متداول مورد استفاده در ساخت الیه آلومینای پیوسته و بدون تخلخل عبارتند از‪ )1( :‬بوریک‬
‫اسید؛ (‪ )2‬آمونیوم بورات؛ و (‪ )۰‬آمونیوم تارتارات‪ .‬برای ساخت الیه آلومینای متخلخل‪ ،‬از الکترولیتهای‬
‫اسیدی (با مقادیر ‪ pH‬پایین) استفاده میشود‪ .‬الکترولیتهای مورد استفاده در تولید الیه آلومینا متخلخل‬
‫عبارتنداز‪ )1( :‬سولفوریک اسید؛ (‪ )2‬اگزالیک اسید؛ (‪ )۰‬فسفریک اسید؛ و (‪ )4‬کرومیک اسید‪( .‬به مقاله‬
‫"سنتز پوششهای نانومتخلخل آلومینا" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬آندایز‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)28‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫در مکانیزم برهمکنش دوقطبی‪ ،‬مقدار جفتشدگی رابطه مستقیم با میزان قطبیبودن مولکولها دارد‪،‬‬
‫بهطوریکه هر چه مولکول قطبیتر باشد‪ ،‬جفتشدگی ناشی از برخورد امواج مایکروویو با آنها بیشتر‬
‫خواهد بود (درستی گزاره ‪ .)1‬استفاده از امواج مایکروویو‪ ،‬باعث ایجاد گرمایش همگن و غیرجهتدار در‬
‫سرتاسر سیستم می شود‪ .‬به عبارت دیگر‪ ،‬در گرمایش با امواج مایکروویو‪ ،‬دمای آب در سرتاسر محیط‬
‫واکنش بهطور یکنواخت افزایش مییابد‪ .‬پس از توقف گرمایش در این روش‪ ،‬حرارت تولید شده از طریق‬
‫دیوارههای ظرف واکنش به محیط پیرامون منتقل شده و باعث کمتر شدن دمای در مجاورت دیوارهها در‬
‫مقایسه با قسمتهای مرکزی میشود (درستی گزاره ‪ .)2‬در حین گرمایش با امواج مایکروویو‪ ،‬نرخ گرمایش‬
‫و هم چنین سرمایش پس از توقف گرمایش‪ ،‬بسیار سریع است‪ .‬مکانیزم "انتقال" در تولید گرما با مایکروویو‬

‫‪16‬‬
 ‫نقش اساسی را در این گرمایش و سرمایش سریع ایفا میکنند‪ .‬اجزایی از محلول که ابتدا با مایکروویو‬
‫برهمکنش داشته و گرم شدهاند حرارت را به سایر قسمتها انتقال میدهند (نادرستی گزاره ‪ .)۰‬برای‬
‫دست یابی به بیشینه مقدار گرمایش از این امواج‪ ،‬واکنشهای شیمیایی باید در حاللی انجام شوند که‪tanδ‬‬
‫باالیی داشته باشد‪ tanδ .‬برای اتانول و استون به ترتیب برابر ‪ ۳/841‬و ‪ ۳/۳54‬است‪ .‬همچنین‪ ،‬ظرف باید‬
‫‪ tanδ‬کوچک داشته باشد مثل کوارتز‪ ،‬تفلون و برخی از سرامیکها (درستی گزاره ‪( .)4‬به مقاله "معرفی روش‬
‫مایکروویو و کاربرد آن در سنتز نانومواد" مراجعه کنید‪).‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬مایکروویو‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)28‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫هنگام استفاده از جریان ثابت برای رشد الیه اکسیدی متخلخل‪ ،‬ابتدا پتانسیل به صورت خطی تا رسیدن به‬
‫یک مقدار بیشینه افزایش و سپس به تدریج کاهش مییابد و به حالت پایدار میرسد‪ .‬زمان متناظر با‬
‫پتانسیل بیشینه در چگالی جریان ‪ i‬با استفاده از معادله زیر به دست میآید (به مقاله "مراحل فرآیند آندایز‪-‬‬
‫‪ "2‬مراجعه کنید)‪:‬‬

‫‪75‬‬
‫= 𝑥𝑎𝑚𝑡‬ ‫‪+ 1.5‬‬
‫𝑖‬

‫که در آن زمان بر حسب ثانیه و چگالی جریان بر حسب میلیآمپر بر مجذور سانتیمتر میباشد‪ .‬دقت شود‬
‫که در این سؤال‪ ،‬چگالی جریان ‪ 5۳ A/m2‬برابر با ‪ 5 mA/cm2‬خواهد بود و لذا داریم‪:‬‬

‫‪75‬‬
‫= 𝑥𝑎𝑚𝑡‬ ‫ثانیه ‪+ 1.5 = 16.5‬‬
‫‪5‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬آندایز‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)۰۳‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫وجود آب برای تشکیل اکسیدها بسیار ضروری است‪ ،‬بهطور یکه برای غلظت پایین آب از چگالش درونی‬
‫پلی ُالهای تنها‪ ،‬برای غلظت متوسط آب از هیدراتها به عنوان ماده اولیه استفاده میشود‪ .‬بهطورکلی‪ ،‬با‬
‫بزرگترشدن اندازه ذره غلظت باالیی از ماده اولیه و آب مورد نیاز است‪ .‬تزریق داغ آب داغ و ماده اولیه سبب‬
‫ا‬
‫سریعا با نانوذرات سنتزی کئوردینه‬ ‫کوچکترشدن ذرات میشود (نادرستی گزاره ‪ .)1‬پلی ُالها این قادرند‬

‫‪17‬‬
‫شوند و لذا امکان کنترل بسیار خوب روی اندازه و نحوه توزیع اندازه ذرات را فراهم میکنند و همچنین از‬
‫تجمع آنها جلوگیری به عمل میآورند (نادرستی گزاره ‪ .)2‬با افزایش وزن مولکولی و تعداد گروههای‬
‫هیدروکسیل پلی ُالها‪ ،‬نقطه جوش‪ ،‬قطبیت و ویسکوزیته آنها افزایش مییابد (نادرستی گزاره ‪ .)۰‬یکی از‬
‫مزایای استفاده از پلی ُالها‪ ،‬نقطه جوش باالی آنهاست و لذا میتوان سنتز نانوذرات را بدون نیاز به‬
‫فشارهای باال و یا استف اده از اتوکالو انجام داد‪ .‬استفاده از دمای باال در سنتز نانوذرات‪ ،‬امکان تولید مستقیم‬
‫نانوذرات بلورین در فاز مایع را ممکن میسازد و لذا نیازی به انجام فرایندهای بعدی برای افزایش بلورینگی‬
‫که باعث رشد و کلوخهایشدن آنها میشود‪ ،‬نیست (درستی گزاره ‪( .)4‬به مقاله "اصول و کلیات سنتز‬
‫نانوذرات با استفاده از روش پلی ُال" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای سنتز ‪ -‬پلی ُال‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪18‬‬
 ‫تعداد سواالت‪ 25 :‬سؤال‬ ‫نانو ساختارها‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)۰1‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫نانوصفحات ضخامت بیشتری نسبت به نانوورقها دارند (گزینه ‪ 1‬گزاره درستی ارائه میدهد)‪ .‬در طراحی‬
‫حسگرهای فلورسانس مبتنی بر نانومواد فلزی‪ ،‬نانوذرات فلزی بهعنوان جاذب فلورسانس برای واحدهای‬
‫نشر فلوروفور (عوامل ایجاد فلوروسانس) عمل میکنند‪ .‬نشان داده شده است که نانوذرات طال میتواند‬
‫بهعنوان جاذب قوی در فلورسانس ‪ )Inner Filter Effect( IFE‬برای تشخیص سیانید (‪ )CN-‬و پراکسید‬
‫هیدروژن (‪ )H2O2‬به کار گرفته شود (گزینه ‪ 2‬گزاره درستی ارائه میدهد)‪ .‬نانوساختارهای یکبعدی بسته به‬
‫پارامترهایی مانند هندسه سطح مقطع و نسبت ابعادی به سه دسته نانومیله (‪ ،)nanorod‬نانوسیم‬
‫(‪ )nanowire‬و نانولوله (‪ )nanotube‬تقسیم میشوند‪ .‬اگر نسبت ابعادی کوچک باشد به آن نانوساختار‬
‫یک بعدی نانومیله و اگر بزرگ باشد نانوسیم گفته میشود‪ .‬اگر هندسه سطح مقطع بهشکل کروی و توخالی‬
‫باشد‪ ،‬نانولوله نامیده میشود (گزینه ‪ ۰‬گزاره درستی ارائه میدهد)‪ .‬نانوساختارهای یک بعدی سنتزشده از‬
‫حالل دارای نسبت ابعادی کمتری نسبت به نانوساختارهای سنتزشده از روی سطح یک جامد هستند (گزینه‬
‫‪ 4‬گزاره نادرستی ارائه میدهد)‪( .‬به مقاالت "نانوساختارهای صفر‪ ،‬یک و دو بعدی" و "کنترل مورفولوژی‪،‬‬
‫خواص و کاربردهای نانوساختارهای فلزی" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – (آشنایی با نانوساختارها ‪ -‬نانوساختارهای فلزی)‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)۰2‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫انواع روشهای فیزیکی عبارتند از‪ :‬تراکم گاز خنثی (‪ ،)Inert gas condensation‬تخلیه قوس ( ‪Arc‬‬
‫‪ ،)discharge‬کندوپاش یونی (‪ ،)Ion sputtering‬کندوسوز لیزری (‪ )Laser ablation‬و پیرولیز‬
‫(‪ .)Pyrolysis‬برخی از روشهای شیمیایی متداول عبارتند از‪ :‬احیا (‪ ،)Reduction‬سنتز سولوترمال‬
‫(‪ ،)Solvothermal‬سنتز فوتوشیمیایی‪ ،‬سنتز الکتروشیمیایی و روشهای گرماکافت ( ‪Thermolysis‬‬
‫‪( .)routes‬به مقاله "سنتز کنترلشده نانوبلورهای فلزی" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – نانوساختارهای فلزی‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪19‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)۰۰‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫برای توصیف ساختار نانولوله کربنی از دو واژه بردار کایرال (‪ )Ch‬و زاویه کایرال(‪ )α‬استفاده میشود‪ .‬بردار‬
‫کایرال که به آن بردار لولهشدن نیز گفته میشود‪ ،‬از اتم اصلی شروع میشود و به سمت اتم بعدی‬
‫جهتگیری مینماید‪ .‬طول این بردار معادل با محیط دایره نانولوله بوده و به صورت اندیس کایرالیتی )‪(n,m‬‬

‫تعریف میشود‪ .‬در صورتی که ‪ m = n‬باشد‪ ،‬نانولوله تکدیواره با دسته بردار صندلی (‪ )Armchair‬خواهیم‬
‫داشت‪ .‬دستهبردار زیگزاگ (‪ )Zigzag‬حالتی است که ‪ m = 0‬باشد‪ .‬اگر حاصل تقسیم ‪ (n-m)/3‬عددی‬
‫صحیح باشد‪ SWCNT،‬از نوع فلزی است‪ ،‬در غیر این صورت نانولوله نیمهرسانا خواهد بود‪ .‬بنابراین‪،‬‬
‫نانولولههای کربنی تک دیواره (‪ )SWCNTs‬با اندیسهای کایرالیتی )‪ (7,0‬و )‪ (7,7‬به ترتیب بهعنوان‬
‫نانولولههای نیمهرسانا با دسته بردار زیگزاگ و نانولولههای فلزی با دسته بردار صندلی شناخته میشوند‪( .‬به‬
‫مقاله "نانولولههای کربنی فلزی و نیمهرسانا (‪ ")1‬مراجعه کنید)‪.‬‬
‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – نانولولهکربنی‬
‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)۰4‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫با کاهش اندازه نانوذرات فلزی‪ ،‬پارامتر شبکه کاهش مییابد‪ .‬دلیل این امر به افزایش نسبت سطح به حجم‬
‫با تبدیل ذره بزرگتر به چندین ذره کوچکتر باز میگردد‪ .‬با افزایش انرژی سطحی در ذرات کوچکتر‪ ،‬کشش‬
‫سطحی افزایش پیدا کرده و موجب نزدیکتر شدن اتمها و لذا کاهش پارامتر شبکه میشود‪( .‬به کتاب‬
‫"مقدمهای بر فناوری نانو" ترجمه دکتر نیما تقوینیا و مقاله "نانوساختارهای صفر‪ ،‬یک و دو بعدی" مراجعه‬
‫کنید)‪.‬‬
‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – آشنایی با نانوساختارها‬
‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫‪20‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)۰5‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫شکل موردنظر مربوط به روش الکتروریسی بدون سوزن است‪( .‬به مقاله "معرفی فرایندهای الکتروریسی و‬
‫سایر روشهای تولید نانوالیاف" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – نانوالیاف‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)۰6‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫نیروی برآیند روبهباال وارد بر نیمکره باالیی حباب برابر است با (مقاله "معرفی فرایندهای الکتروریسی و سایر‬
‫روشهای تولید نانوالیاف")‪:‬‬

‫𝑞𝐸 ‪ = 𝜋𝑟 2 (𝑃𝑖 − 𝑃0 ) +‬روبهباال𝐹‬

‫که در آن ‪ Pi‬و ‪ P0‬بهترتیب فشار هوا در درون و بیرون حباب‪ E ،‬ولتاژ اعمالی‪ q ،‬کل بارهای سطحی و ‪r‬‬
‫شعاع حباب است‪.‬‬

‫همچنین‪ ،‬نیروی برآیند روبهپایین حاصل از کشش سطحی بهصورت معادله زیر است‪:‬‬

‫𝜃 ‪ = 2𝜋𝑟𝑇𝛿 cos‬روبهپایین𝐹‬

‫که در آن ‪ T‬نیروی کشش سطحی بهازای واحد سطح‪ δ ،‬ضخامت حباب و ‪ θ‬زاویه بین دیواره لوله و نیروی‬
‫کشش سطحی است‪.‬‬

‫طبق اصل موازنه نیرو‪ ،‬روبهپایین𝐹= روبهباال𝐹‪ ،‬خواهیم داشت‪:‬‬

‫𝑞𝐸 ‪𝜋𝑟 2 (𝑃𝑖 − 𝑃0 ) +‬‬

‫=𝑇‬
‫𝜃 ‪2𝜋𝑟𝛿 cos‬‬

‫بنابراین داریم‪)E=V/d( :‬‬

‫𝑎𝑃 ‪0.1 × 106‬‬ ‫𝑁‪1‬‬ ‫‪20 × 103 𝑉 × 6𝐶 × 10−6‬‬

‫× 𝑚𝑡𝑎 ‪3(10−2 𝑚)2 (0.2‬‬ ‫×‬ ‫‪2‬‬ ‫‪)+‬‬
‫=𝑇‬
‫𝑚𝑡𝑎 ‪1‬‬ ‫𝑚 ‪1 𝑃𝑎.‬‬ ‫𝑚 ‪12 × 10−2‬‬
‫‪2 × 3 × 10−2 𝑚 × 7 × 10−6 𝑚 × 0.5‬‬

‫‪21‬‬
 ‫‪108‬‬ ‫‪104‬‬
‫=𝑇‬ ‫= ‪𝑁/𝑚2‬‬ ‫‪𝑁/𝑐𝑚2 = 3333.3 𝑁/𝑐𝑚2‬‬
‫‪3‬‬ ‫‪3‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – نانوالیاف‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار سخت‬
‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)۰7‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫در غلظت ثابت‪ ،‬با کاهش کشش سطحی محلول‪ ،‬الیاف با عیوب دانهتسبیحی به الیاف صاف تبدیل‬
‫میشوند‪ .‬کشش سطحی باال به تشکیل عیوب کمک میکند و لذا کشش سطحی کمتر مطلوب خواهد بود‪.‬‬
‫هر چه قطر داخلی سوزن کوچکتر باشد‪ ،‬میزان جمعشدگی الیاف و تشکیل عیوب دانهتسبیحی کاهش‬
‫مییابد (درستی گزینه ‪ .)1‬الیاف پیوسته و صاف در گرانروی پایین قابلحصول نیست و نواقص دانهتسبیحی‬
‫در فرایند الکتروریسی محلول پلیمری با گرانروی پایین تشکیل میشود‪ .‬اما اعمال ولتاژهای باالتر‬
‫الکتروریسی‪ ،‬احتمال ایجاد عیوب دانهتسبیحی را افزایش میدهد (نادرستی گزینه ‪ .)2‬استفاده از حاللهای‬
‫با فراریت پایین و لذا نقطه جوش باال باعث میشود نانوالیاف حین حرکت جت پلیمری و قبل از نشستن‬
‫روی جمعکننده بهطور کامل خشک نشود و در ادامه‪ ،‬نشستن نانوالیاف حاوی حالل روی جمعکننده موجب‬
‫تشکیل عیوب دانهتسبیحی در نانوالیاف خواهد شد‪ .‬همچنین‪ ،‬کاهش فاصله الکتروریسی احتمال تشکیل‬
‫عیوب دانهتسبیحی را افزایش میدهد‪ .‬دلیل این امر‪ ،‬افزایش شدت میدان بین جمعکننده و نوک سوزن‬
‫است که شدت باالی میدان الکتریکی منجر به ناپایداری جریان جت و تشکیل عیوب دانهتسبیحی خواهد‬
‫شد (نادرستی گزینه ‪ .)۰‬فرایند الکتروریسی الیاف مستلزم انتقال بار الکتریکی از الکترود به قطره پلیمری در‬
‫نوک سوزن است‪ .‬محلول های فاقد رسانایی قابلیت الکتروریسی ندارند و رسانایی الکتریکی محلول برای‬
‫انجام الکتروریسی بایستی از یک مقدار کمینه بیشتر باشد‪ .‬بنابراین‪ ،‬رسانایی پایین محلول یکی از دالیل‬
‫تشکیل عیوب دانهتسبیحی است و برای حذف این عیوب از نمکهای یونی مانند ‪ NaCl ،KH2PO4‬بهمنظور‬
‫افزایش رسانایی محلول الکتروریسی استفاده میشود‪ .‬اما با افزایش نرخ تغذیه‪ ،‬احتمال تشکیل عیوب‬
‫دانهتسبیحی افزایش مییابد (نادرستی گزینه ‪( .)4‬منبع‪ :‬مقاله "عوامل موثر بر الکتروریسی نانوالیاف")‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – نانوالیاف‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪22‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)۰8‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫الیاف نازکتر خواص مکانیکی باالتری دارند‪ .‬به عبارت دیگر‪ ،‬مدول االستیک و استحکام کششی الیاف‬
‫پلیمری مختلف با کاهش قطر الیاف‪ ،‬افزایش پیدا میکند‪ .‬دلیل بهبود خواص مکانیکی با کاهش قطر‬
‫نانوالیاف به افزایش میزان بلورینگی الیاف پلیمری برمیگردد‪ .‬هرچه قطر نانوالیاف کوچکتر باشد‪ ،‬میزان‬
‫تبخیر حالل موجود در ساختار آنها بیشتر بوده و بهدلیل تحرک کمتر زنجیرههای پلیمری در الیاف‬
‫الکتروریسیشده‪ ،‬بلورینگی و خواص مکانیکی افزایش خواهد یافت‪( .‬به مقاله "خواص و کاربردهای‬
‫نانوالیاف الکتروریسیشده" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – نانوالیاف‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)۰8‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫َابَرپارامغناطیس نوعی از رفتار مغناطیسی است که در نانوذرات بسیار کوچک فرومغناطیس و فریمغناطیس‬
‫به وجود میآید و نه در تمامی مواد مغناطیسی (نادرستی گزاره ‪ .)1‬گشتاور مغناطیسی خالص نانوذرات‬
‫مغناطیسی در غیاب میدان الکترومغناطیسی و در یک دمای مناسب برابر صفر است و لذا ترکیبات‬
‫َابَرپارامغناطیس بهطور ذاتی غیرمغناطیسی هستند (درستی گزاره ‪ .)2‬با توجه به شکل ‪ 7‬مقاله "نانوذرات‬
‫مغناطیسی" با کاهش اندازه ذرات‪ ،‬میزان وادارندگی مغناطیسی ابتدا افزایش و سپس کاهش مییابد‬
‫(درستی گزاره ‪ .)۰‬فروسیاالت‪ ،‬محلولهایی هستند که در آنها نانوذرات مغناطیسی مانند آهن و کبالت‬
‫بهصورت کلوئید در مایعی معلق بوده و به آن خاصیت مغناطیسی میبخشند‪ .‬هر چه اندازه نانوذرات‬
‫مغناطیسی کوچکتر باشد‪ ،‬محلول خاصیت مغناطیسی بیشتری از خود نشان میدهد (درستی گزاره ‪( .)4‬به‬
‫مقاله "نانوذرات مغناطیسی" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – نانوذرات مغناطیسی‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫‪23‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)4۳‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫بر اساس ویژگیهای مغناطیسی‪ ،‬مواد مغناطیسی به دستههای مختلفی مانند مواد دیامغناطیس‪ ،‬آنتی‬
‫فرومغناطیس و غیره تقسیمبندی میشوند‪ .‬مواد دیامغناطیس موادی هستند که پوسته الکترونی پر دارند‬
‫(درستی گزینه ‪ .)۰‬در این مواد‪ ،‬گشتاور مغناطیسی مداری و گشتاور مغناطیسی اسپینی یکدیگر را خنثی‬
‫میکنند (درستی گزینه ‪ 2‬و نادرستی گزینه ‪ )4‬و در نتیجه گشتاور مغناطیسی خالص آنها صفر است (درستی‬
‫گزینه ‪( .)1‬به مقاله "خواص مغناطیسی مواد" مراجعه کنید) ‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – (آشنایی با نانوساختارها – نانوذرات مغناطیسی)‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬
‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)41‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫از مزایای استفاده از روش واگرا میتوان به سنتز سریع‪ ،‬امکان اصالح و تغییر گروههای عاملی سطحی و‬
‫سنتز درختپار هایی با وزن مولکولی باال اشاره نمود‪ .‬در مقابل‪ ،‬این روش مشکالت و محدودیتهایی نیز‬
‫دارد که مهمترین آنها عبارت از احتمال وقوع همزمان برخی واکنشهای ناخواسته‪ ،‬تشکیل مولکولهایی با‬
‫وزن مولکولی پایین و عدم تنوع گروههای عاملی در الیههای بیرونی (یکسانبودن گروههای عاملی روی‬
‫سطح یا پوسته درختپار) هستند‪ .‬بنابراین‪ ،‬یکسان بودن گروههای عاملی در الیههای بیرونی درختپار جزو‬
‫مزایای روش رشد واگرا برای سنتز درختپارها به شمار نمیرود (نادرستی گزینه ‪( .)۰‬به مقاله "ظهور و قلمرو‬
‫درختپارها" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – درختپار‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪24‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)42‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫درختپارها بهدلیل امکانپذیر بودن کنترل اندازه‪ ،‬تکتوزیعبودن )‪ (Monodispersion‬ذرات‪ ،‬پایداری باال و‬
‫حاللیت مناسب‪ ،‬بهعنوان پایدارکنندههای مطلوب شناخته میشوند‪ .‬هنگامیکه درختپارها بهعنوان میزبان‬
‫فلزات و کاتالیزورها قرار بگیرند‪ ،‬باعث بهبود فعالیت کاتالیستی نانوکاتالیزورهای میهمان میشوند‪:‬‬
‫درختپارها دارای ساختار همسان و یکنواختی بوده و لذا باعث تکرارپذیر بودن اندازه نانوکاتالیزور میشوند‪.‬‬
‫همسان بودن ذرات کاتالیستی و توزیع یکنواخت آنها روی درختپار موجب افزایش سرعت واکنش‬
‫کاتالیستی میگردد (گزینه ‪ 1‬دلیل درستی ارائه میکند)‪ .‬استفاده از درختپارها باعث پایداری نانوکاتالیزورها‬
‫شده و از انباشتگی )‪ (Aggregation‬نانوکاتالیزورها جلوگیری میکند‪ .‬انباشتگی یا کلوخهای شدن‬
‫نانوکاتالیزورها باعث کاهش سطح تماس نانوذرات شده و فعالیت کاتالیزورها کاهش مییابد (گزینه ‪ 2‬دلیل‬
‫درستی ارائه میکند)‪ .‬درختپارها از کاهش فعالیت و بازده نانوکاتالیزورها جلوگیری میکنند؛ بهطوریکه‬
‫نانوکاتالیزورها توسط عوامل فضایی محبوس شده و یا با گروههای عاملی موجود در انتهای درختپارها‬
‫تشکیل کمپلکس می دهند که این پدیده منجر به فعال ماندن سطح قابل توجهی از آنها میشود (گزینه ‪۰‬‬
‫دلیل درستی ارائه میکند)‪ .‬گروههای عاملی سطح درختپارها باعث ایجاد حاللیت قابلکنترل در‬
‫نانوکامپوزیتهای هیبریدی درختپار‪/‬نانوذره میشود (گزینه ‪ 4‬دلیل نادرستی ارائه میکند)‪( .‬به مقاله‬
‫"کاربردهای کاتالیستی کامپوزیتهای درختپار‪ /‬نانوذره" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – درختپار‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬
‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫‪25‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)4۰‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫شمایی از مراحل تبدیل فاز نانوسیمهای‪ CoPt3‬در شکل زیر نشان داده شده است‪.‬‬

‫با گرمکردن یا بهاصطالح آنیل نانوسیمهای ‪ CoPt3‬در دمای ‪ ،4۳۳°C‬ساختار نانوسیم بهصورت‬
‫خوشهدرخوشه حاوی نانوخوشههای فرومغناطیس کبالت خواهد بود‪ .‬اتمهای پالتین خوشههای اتمی‬
‫کبالت را از یکدیگر جدا کرده و تشکیل نانوخوشههای کبالت با حوزه مغناطیسی واحد را تسهیل میکنند‬
‫(نادرستی گزینه ‪ .)1‬با افزایش دمای آنیل به ‪ ،5۳۳°C‬نانوسیمهای ‪ CoPt3‬ساختار خوشهدرخوشهای خود را‬
‫حفظ میکنند‪ .‬اتمهای کبالت و پالتین شروع به مهاجرت اتمی طی مکانیزم نفوذدرهم کرده و تشکیل یک‬
‫ساختار منظم (‪ )L12‬میدهند‪ .‬این امر باعث ایجاد کوپل فرومغناطیس قوی بین اتمهای ‪ Co‬و ‪ Pt‬توسط‬

‫‪26‬‬
 ‫هیبریداسیون اوربیتالهای ‪ 3d‬کبالت و ‪ 5d‬پالتین‪ ،‬و پالریزاسیون اسپین اتمهای ‪ Pt‬میشود‪.‬‬
‫خوشههای ‪( Co‬پیکانهای آبی) و ساختار منظم ‪( CoPt3‬پیکانهای زرد) هر دو در بهبود خواص مغناطیسی‬
‫(افزایش سهبرابری ‪ )HC‬نانوسیمها نقش دارند (درستی گزینه ‪ .)2‬همانطوری که در شکل مشخص است‪ ،‬با‬
‫افزایش دمای آنیل به ‪ ،6۳۳°C‬خوشههای کبالت کاهش یافته و همزمان با تشکیل ساختار منظم ‪،CoPt3‬‬
‫جفتشدگی ‪ Co-Co‬نیز از بین میرود (درستی گزینه ‪ .)۰‬در نهایت‪ ،‬با افزایش دما تا ‪ ،7۳۳°C‬بخش اعظم‬
‫نانوسیمهای ‪ CoPt3‬ساختار منظم با نظم بلنددامنه بهوجود میآورند‪ .‬کاهش چگالی عیوب و تعداد‬
‫دانههای درحالرشد ‪ CoPt3‬منجر به افزایش قابلمالحظه وادارندگی مغناطیسی میشود (درستی گزینه ‪.)4‬‬
‫(به مقاله "کنترل مورفولوژ ی‪ ،‬خواص و کاربردهای نانوساختارهای فلزی" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – نانوساختارهای فلزی‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬
‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)44‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫برخالف روش سنتز با استفاده از قالب نرم‪ ،‬نانوسیمهای فلزی تولیدی به روش قالب سخت معموال ا دارای‬
‫ساختار پلیکریستال یا چندبلوری هستند (نادرستی گزاره ‪ .)1‬در مقایسه با روش قالب سخت‪ ،‬سرعت‬
‫واکنشهای جوانهزنی و رشد در روش قالب نرم کمتر است‪ .‬در نتیجه‪ ،‬نرخ جوانهزنی و رشد عمال قابلکنترل‬
‫بوده و وجوه کریستالی مشخص بهوضوح روی سطح نانوذرات قابلمشاهده است (درستی گزاره ‪ .)2‬با‬
‫استفاده از قالبهای نرم مانند مایسلهای میلهایشکل میتوان نانومیلهها و نانوسیمهای نقره و طال با قطر‬
‫و نسبت ابعادی قابلکنترل سنتز نمود‪ .‬این در حالی است که قطر نانوسیمهای سنتزشده با روش قالب‬
‫سخت اندکی کمتر از قطر منافذ قالب است و دلیل این امر متراکمشدن نانوسیمها با حذف آب از درون‬
‫ساختار آنهاست (نادرستی گزاره ‪ .)۰‬مورفولوژی نانوساختارهای فلزی بهشدت به دمای محلول رشد‬
‫مورداستفاده در روش قالب نرم حساس است؛ بهعنوانمثال‪ ،‬میتوان با تغییر دما‪ ،‬سینتیک رشد‬
‫نانوساختارهای طال را کنترل کرده و نانوصفحات‪ ،‬نانوبلورهای ایکوزاهدرال‪ ،‬نانوذرات کروی و هگزاگونال و‬
‫نانوسیمهای طال تولید نمود (نادرستی گزاره ‪( .)4‬به مقاله "کنترل مورفولوژی‪ ،‬خواص و کاربردهای‬
‫نانوساختارهای فلزی" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – نانوساختارهای فلزی‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬
‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)45‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫مهمترین مزیت استفاده از میکروسکوپهای الکترونی در مشخصهیابی‪ ،‬دستیابی به تصویری واضح از‬
‫ساختار ماده نانومتخلخل است‪ .‬روش میکروسکوپ الکترونی روبشی تصاویر واضحی از مورفولوژی مواد‬

‫‪27‬‬
‫نانومتخلخل را فراهم میکند‪ .‬همچنین‪ ،‬از میکروسکوپ الکترونی عبوری با وضوح باال برای مطالعه ترکیبات‬
‫جامد مزومتخلخل و بیشکل استفاده میشود‪ .‬میکروسکوپ الکترونی عبوری با وضوح باال امکان بررسی‬
‫توزیع و اندازه حفرهها را فراهم کرده و تنها روشی است که توانایی تشخیص همزمان حفرههای مزو و میکرو‬
‫در یک ترکیب سیلیکای نانومتخلخل را دارد‪( .‬درستی گزینه ‪ .)2‬پراش نوترون )‪ (Neutron diffraction‬و‬
‫پراش پرتو ایکس روشهای مبتنی بر پراش بهشمار میروند‪ .‬در این روشها‪ ،‬امکان تشخیص ساختار کلی‬
‫مواد نانومتخلخل با پراکندهشدن پرتوها توسط هسته و الکترونهای اتم وجود دارد‪ .‬همچنین‪ ،‬اندازه‪ ،‬حجم‬
‫و شکل فضایی حفرات و سطح ویژه ماده نانومتخلخل با این روش قابل مطالعه است‪ .‬بنابراین‪ ،‬این روشها‬
‫توانایی مشخصهیابی همزمان مزو و میکرو حفرات را ندارد (نادرستی گزینههای ‪ 1‬و ‪ .)4‬میکروسکوپ‬
‫الکترونی روبشی تصاویر واضحی از مورفولوژی مواد نانومتخلخل را فراهم میکند و مناسب برای‬
‫مشخصهیابی همزمان مزو و میکرو حفرات نیست (نادرستی گزینه ‪( .)۰‬به مقاله "مواد نانومتخلخل (‪")1‬‬
‫مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – مواد نانومتخلخل‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)46‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫برخالف مباحث عمومی موجود در شیمی که مبتنی بر پیوندهای کوواالنسی است‪ ،‬شیمی ابرمولکولها بیشتر‬
‫به برهمکنشهای ضعیفتر و غیرکوواالنسی بین مولکولها میپردازد‪ .‬مطالعه برهمکنشهای غیرکوواالنسی‬
‫امکان فهم بسیاری از فرآیندهای زیستی مانند ساختار سلولها و حتی نحوه عملکرد آنها را فراهم میکند‬
‫(درستی گزینه ‪.)1‬‬

‫انواع برهمکنشهای غیرکوواالنسی موجود در شیمی ابرمولکولها عبارتند از‪:‬‬

‫پیوند هیدروژنی؛ که شامل جاذبه بین یک اتم هیدروژن با یک اتم الکترونگاتیو مانند نیتروژن‪ ،‬اکسیژن‬ ‫‪‬‬
‫یا فلوئور است‪.‬‬

‫پیوند کئوردیناسیونی؛ که شامل تعدادی مولکول یا آنیون [لیگاند] بهعنوان الکترون دهنده و یک فلز‬ ‫‪‬‬
‫واسطه بهعنوان الکترون گیرنده بوده و طی آن الکترونها بین مواد الکترون دهنده و الکترون گیرنده‬
‫ردوبدل میشوند‪.‬‬

‫نیروی آب گریزی؛ این نیرو به تمایل یک گونه غیرقطبی برای تجمع در محلولهای آبی و حذف‬ ‫‪‬‬
‫مولکولهای آب موجود در میان خود اطالق میشود‪.‬‬

‫‪28‬‬
 ‫نیروهای واندروالس حاصل از جاذبه بین مولکولهای خنثی ناشی از ممانهای دوقطبی موقت یا‬ ‫‪‬‬
‫دائمی آنها‪.‬‬

‫برهمکنشهای ‪ π-π‬که شامل نیروی جاذبه غیرکوواالنسی بین حلقههای آروماتیک است (درستی گزینه‬ ‫‪‬‬
‫‪.)۰‬‬

‫نیروی الکتروستاتیک که عبارتستاز نیروی جاذبه بین بارهای مثبت و منفی مولکولها (درستی گزینه‬ ‫‪‬‬
‫‪.)4‬‬

‫طبق مطالب گفته شده‪ ،‬تنها گزینه (‪ )2‬حاوی گزارهای نادرست است‪ .‬در این گزینه با اینکه نیروهای‬
‫واندروالس بهدرستی به عنوان برهمکنش غیرکواالنسی معرفی شده‪ ،‬اما مکانیزم عمل آن اشتباه بیان گردیده‬
‫است‪ .‬جاذبه بین یک اتم هیدروژن با یک اتم الکترونگاتیو مانند نیتروژن‪ ،‬اکسیژن یا فلوئور مکانیزم عمل‬
‫پیوند هیدروژنی محسوب میشود‪ ،‬نه نیروی واندروالسی)‪( .‬به مقاله "مواد نانومتخلخل (‪ ")2‬مراجعه‬
‫کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – مواد نانومتخلخل‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬
‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)47‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫تخلخل باالی آئروژلها این امکان را فراهم میکند تا بسیاری از یونهای کوچک در شبکه آنها قرار گیرند‪ .‬از‬
‫آئروژل های اکسیدی به دلیل دارا بودن تخلخل باال و انتقال حرارت ضعیف‪ ،‬در باتریهای الکتریکی که‬
‫حرارت باالیی دارند استفاده میشود‪( .‬درستی گزینه ‪)۰‬‬

‫بررسی دالیل نادرستی سایر گزینهها‪:‬‬

‫گزینه (‪ :)1‬نانولولههای کربنی‪ ،‬نانوساختارهایی با انتقال حرارتی بسیار باال هستند و نمیتوان از آنها در‬
‫چنین کاربردهایی استفاده کرد‪.‬‬

‫گزینه (‪ :)2‬مس یک فلز با انتقال حرارت زیاد بوده و قابلیت استفاده در این کاربرد را ندارد‪.‬‬

‫گزینه (‪ :)4‬طال یک فلز با انتقال حرارت زیاد بوده و قابلیت استفاده در این کاربرد را ندارد‪.‬‬

‫(به مقاله "معرفی آئروژلها (‪ ")Aerogels‬مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – آیروژل‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار آسان‬

‫‪29‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)48‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫الیهها و پوششهای مختلف از لحاظ ضخامت به سه گروه تقسیم میشوند که عبارتند از‪:‬‬

‫‪ )1‬الیههای بسیار نازک با ضخامت کمتر از ‪ 5۳‬آنگستروم؛‬

‫الیههای نازک با ضخامت بین ‪ 5۳‬تا ‪ 5۳۳۳‬آنگستروم؛‬ ‫‪)2‬‬

‫‪ )۰‬الیههای ضخیم با ضخامت بیش از ‪ 5۳۳۳‬آنگستروم‪.‬‬

‫(به مقاله "مقدمهای بر الیههای نازک" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – الیه نازک‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)48‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫طول موج لیزر نقش مهمی در تعیین کیفیت و خواص الیه حاصل از روش الیهنشانی با لیزر ایفا میکند‪.‬‬
‫الیههای راسبشده با لیزرهای با طول موج کوتاه (در محدوده فرابنفش) از کیفیت باالیی برخوردار هستند‪.‬‬
‫دلیل این موضوع کمتر بودن بازتاب گستره وسیعی از مواد‪ ،‬در طول موجهای کوتاه نسبت به طول موجهای‬
‫بلندتر است‪ .‬استفاده از لیزر با طول موج کوتاه باعث افزایش جذب پالسها به زیرالیه شده و به این ترتیب‬
‫تعداد ذرات کنده شده از ماده هدف افزایش مییابد‪ .‬مهمترین اثر طول موج لیزر‪ ،‬تعیین عمق نفوذ باریکه‬
‫لیزر در ماده هدف است‪ .‬بهدلیل ضریب جذب بزرگتر در ناحیه فرابنفش‪ ،‬انرژی پرتو لیزر در یک الیه سطحی‬
‫ماده هدف جذب شده و از تبخیر الیههای زیرین جلوگیری میکند (نادرستی گزینههای ‪ 1‬و ‪ .)۰‬پاشیدهشدن‬
‫یا پراکنده شدن ذرات ریز و درشت از سطح ماده هدف به سمت زیرالیه باعث کاهش یکنواختی سطح‬
‫میشود‪ .‬راهحل این مشکل‪ ،‬بهینهسازی چگالی انرژی و اندازه لکه لیزر روی سطح ماده هدف است (نادرستی‬
‫گزینه ‪ .)2‬برای یکنواختی بیشتر ضخامت الیه سنتزشده با این روش‪ ،‬ماده هدف بهطور پیوسته در حال‬
‫چرخش قرار میگیرد (درستی گزینه ‪( .)4‬به مقاله "فناوری انباشت لیزری در ساخت الیههای نانو و‬
‫میکروساختار" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – الیه نازک‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪30‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)5۳‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫رشد الیهبهالیه زمانی رخ میدهد که نیروی برهمکنش بین اتمهای زیرالیه و الیه نازک‪ ،‬قویتر از نیروی‬
‫برهمکنش میان اتمهای الیه نازک با یکدیگر باشد (نادرستی گزینه ‪ .)1‬در رشد الیهبهالیه‪ ،‬ابتدا یک الیه از‬
‫اتمها روی زیرالیه جامد شکل راسب شده و سپس الیه دوم روی الیه اول تشکیل میشود‪ .‬در این مکانیزم‬
‫رشد‪ ،‬الیه جدید تنها زمانی شروع به رشد میکند که الیه قبلی کامل شده باشد‪ .‬این نوع رشد نیازمند تطابق‬
‫شبکه اتمهای موجود بوده (نادرستی گزینه ‪ )2‬و از اینرو بهعنوان مکانیزم رشد ایدهآل ‪(ideal growth‬‬
‫)‪mechanism‬در نظر گرفته میشود (نادرستی گزینه ‪ .)۰‬این نوع رشد‪ ،‬به رشد فرانک‪-‬وندرمرو‪(Frank-‬‬
‫)‪van der Merwe growth‬نیز معروف است‪ .‬در صورتیکه برهمکنش بین اتمهای الیه نازک بیشتر از‬
‫برهمکنش بین اتمهای الیه نازک و زیرالیه باشد‪ ،‬الیه نازک بهشکل جزیرهای رشد خواهد کرد‪ .‬نام دیگر این‬
‫نوع رشد‪ ،‬رشد ولمر‪-‬وبر )‪ (Volmer-Weber‬است‪ .‬در رشد جزیرهای‪ ،‬پیوند اتمها به یکدیگر قویتر از پیوند‬
‫آنها به زیرالیه است‪ .‬رشد جزیره ای‪-‬الیه ای‪ ،‬حالت بینابین رشد الیه به الیه و رشد جزیرهای است که در‬
‫آن‪ ،‬ابتدا یک یا چند تکالیه تشکیل شده و سپس جزایر تکمیل میشوند‪ .‬این مکانیزم رشد‪ ،‬با نام رشد‬
‫استرانسکی‪-‬کرستانف (‪ )Stranski-Krastanov growth‬هم شناخته میشود‪ .‬در این مکانیزم رشد‪ ،‬یک‬
‫شبکه با تطابق بسیار کم و حتی نامطابق بین الیه نازک راسبشده و زیرالیه ایجاد میشود (درستی گزینه‬
‫‪( .)4‬به مقاله "مقدمهای بر الیههای نازک" مراجعه کنید)‪.‬‬
‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – الیه نازک‬
‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬
‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)51‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫سیلیکا آئروژل‪ ،‬متداول ترین آئروژل معدنی مورد استفاده در دارورسانی است‪ .‬خواص مورفولوژیکی و‬
‫ریزساختاری این آئروژل مانند دانسیته‪ ،‬اندازه حفره و مساحت ویژه سطح آن (‪ 5۳۳-1۳۳۳‬متر مربع بر گرم)‬
‫نقش مهمی در کارایی آن در دارورسانی ایفا میکنند‪ .‬بااینوجود‪ ،‬عیب اصلی سیلیکا آئروژل‬
‫زیستتخریبپذیری (‪ )biodegradability‬ضعیف آن است‪ .‬استفاده از آئروژلهای هیبریدی که متشکل از‬
‫ترکیبات آلی و معدنی هستند‪ ،‬باعث ایجاد خواص فیزیکی و مکانیکی عالی و شگفتانگیز میشود‪ .‬این‬
‫آئروژلها بهطور همزمان هم دارای مساحت سطح بزرگ ناشی از حضور ترکیبات معدنی و هم دارای‬
‫زیستتخریبپذیری باال بهدلیل وجود ترکیبات آلی هستند‪ .‬آئروژل سیلیکا‪-‬پلیاتیلنگلیکول یک آئروژل‬
‫هیبریدی مورد استفاده در دارورسانی است که در آن بر چالش زیستتخریبپذیری ضعیف سیلیکا آئروژل‬
‫غلبه شده است‪ .‬پیوند کمپلکسهای آلیفلزی به جداره داخلی آئروژلها با هدف غلبه بر چالش استفاده از‬
‫آئروژلها بهعنوان کاتالیست در محدود دمایی ‪ 8۳۳-12۳۳‬درجه سانتیگراد است‪ .‬قرارگیری اکثر آئروژلها در‬
‫این دماهای باال باعث کاهش سطح آنها میشود‪( .‬به مقاله "کاربرد آئروژ لها" مراجعه کنید)‪.‬‬
‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – آئروژل‬
‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪31‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)52‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫طیفسنجی الکترون اوژه یکی از روشهای متداول برای آنالیز سطح است که برای مشخصهیابی ترکیب‬
‫شیمیایی سطح بهکار میرود‪ .‬بیشترین عمق آنالیز در این روش ‪ 5‬نانومتر (‪ 15‬الیه اتمی) است‪ .‬بنابراین‬
‫امکان مشخصهیابی عمق ‪ 5۳‬آنگسترومی (‪ 5‬نانومتری) با این روش وجود دارد‪ .‬روش طیفسنجی جرمی‬
‫یون ثانویه یکی از روشهای آنالیز ترکیب شیمیایی سطوح و الیههای نازک است که در آن پرتو شدید‬
‫یونهای متمرکزشده در محیط خأل بهطور مستقیم به سطح نمونه برخورد میکند‪ .‬با استفاده از این روش‬
‫نوع و مقدار عناصر موجود در سطح تا عمق ‪ 2-1‬نانومتر قابل اندازهگیری است‪ .‬بنابراین امکان مشخصهیابی‬
‫عمق ‪ 5۳‬آنگسترومی (‪ 5‬نانومتری) با این روش وجود ندارد‪ .‬طیفسنجی فوتوالکترون پرتو ایکس که‬
‫بهعنوان طیفسنجی الکترونی برای آنالیز شیمیایی نیز شناخته میشود‪ ،‬یک روش پرکاربرد و قدرتمند برای‬
‫آنالیز سطوح و بررسی ترکیب شیمیایی سطوح مواد معدنی و آلی است‪ .‬با استفاده از این روش نوع و مقدار‬
‫عناصر موجود در سطح تا عمق ‪ 5‬نانومتر (‪ 5۳‬آنگستروم) قابل اندازهگیری است‪ .‬در این روش عالوه بر آنالیز‬
‫کمی و کیفی عناصر‪ ،‬امکان شناسایی ترکیبات شیمیایی نیز وجود دارد‪( .‬به مقاله "روشهای سنتز‪ ،‬آنالیز و‬
‫کاربردهای الیههای نازک" و مقاالت مربوطه در بخش روشهای آنالیز مواد مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – الیه نازک‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬
‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)5۰‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫بازده واحدهای ساختاری ثانویه در طراحی چارچوبهای باز‪ ،‬به صلبیت و جهت تشکیل پیوند آنها بستگی‬
‫دارد (نادرستی گزاره ‪ .)1‬درصورتی میتوان از چارچوبهای فلزی‪-‬آلی بهعنوان یک ذخیرهکننده مناسب‬
‫هیدروژن استفاده کرد که قدرت پیوند این چارچوبها با مولکولهای هیدروژن‪ ،‬حدفاصل پیوند‬
‫واندروالسی و هیدروژنی (قویتر از واندروالس و ضعیفتر از هیدروژنی) باشد (نادرستی گزاره ‪ .)2‬یکی از‬
‫راههای ایجاد حفرات در چارچوبهای فلزی‪-‬آلی‪ ،‬تبادل یون (‪ )Ion Exchange‬است‪ .‬حین تبادل یون‪،‬‬
‫یونهای مخالف بزرگ (‪ )Counter Ions‬که برای خنثیسازی بار شبکه حضور دارند‪ ،‬با یونهای مخالف‬
‫کوچکتر تبادل یافته و باعث ایجاد تخلخل میشوند (درستی گزاره ‪ .)۰‬از لحاظ قدرت پیوند‪ ،‬پیوند‬
‫کئوردیناسیونی قویتر از پیوند هیدروژنی و ضعیفتر از پیوند کوواالنسی است‪ .‬در پیوند کئوردیناسیونی‪،‬‬
‫اجزای مولکولهای آلی و یونهای فلزی به یکدیگر متصل میشوند (نادرستی گزاره ‪( .)4‬به مقاالت‬
‫"چارچوبهای فلزی‪-‬آلی‪ :‬دسته جدیدی از ترکیبات نانومتخلخل"‪" ،‬چارچوبهای فلزی‪-‬آلی ( ‪Metal Organic‬‬

‫‪ ")Frameworks‬و "مواد نانومتخلخل (‪ ")2‬مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – (چارچوبهای فلزی آلی ‪ -‬مواد نانومتخلخل)‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪32‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)54‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫متداولترین روش برای بررسی پایداری یک چارچوب فلزی‪-‬آلی در غیاب مولکولهای مهمان مشخص‪ ،‬آنالیز‬
‫پراش اشعه ایکس از توده مواد پودری (‪ )Powder X-Ray Diffraction; PXRD‬پس از حرارتدادن و‬
‫خأل کردن آنهاست که با رجوع به الگوی محاسبهشده از ساختار میزبان بهدست میآید‪ .‬با ارتباط دادن‬
‫نتایج این آنالیز‪ ،‬با نتایج آنالیز توزین حرارتی (‪ )TGA‬که نشاندهنده تغییرات وزنی بین دماهای واجذب و‬
‫تخریب مولکول مهمان است‪ ،‬میتوان پایداری چارچوب را محاسبه کرد‪ .‬هیچکدام از روشهای مورد‬
‫استفاده بهتنهایی برای اثبات باز بودن چارچوب فلزی‪-‬آلی کافی نیستند‪ .‬نتایج بهدست آمده باید بهصورت‬
‫تغییرات در ترکیب عناصری مانند کربن‪ ،‬هیدروژن‪ ،‬نیتروژن و غیره نیز نشان داده شوند‪ .‬از روشهای‬
‫طیفسنجی مادون قرمز (‪ )Infrared Spectroscopy‬و تشدید مغناطیسی هسته ( ‪Nuclear Magnetic‬‬

‫‪ )Resonance; NMR‬برای بررسی تغییر ترکیبات استفاده میشود‪ .‬یکی از راههای اثبات باز بودن چارچوب در‬
‫برخی از موارد این است که حین واجذب مولکول مهمان تنها کلیت نمونه کریستالی باقی میماند که با‬
‫بررسی تفاوتهای ایجاد شده میتوان باز بودن چارچوب را اثبات کرد‪ .‬عالوه بر مشخصهیابیهای ابتدایی‪،‬‬
‫برای سنتز یک متخلخل‪ ،‬نیاز به بررسی امکان برگشتپذیر بودن جریان مولکولهای مهمان به داخل و خارج‬
‫فضای حفرات وجود دارد‪ .‬روش پیشنهادشده برای بررسی این مورد‪ ،‬تبادل مایعات با غوطهورسازی است‪.‬‬
‫ال بته قبل از چنین آزمونی باید از حل یا تجزیه نشدن ماده مورد بررسی حین فرآیند مشخصهیابی اطمینان‬
‫حاصل کرد‪ .‬برای این منظور میتوان از آنالیز عنصری و یا روش اسپکتروسکوپی استفاده کرد‪( .‬به مقاله‬
‫"چارچوبهای فلزی‪-‬آلی (‪ ")Metal Organic Frameworks‬مراجعه کنید)‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – چارچوبهای فلزی آلی‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬
‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :) 55‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫با استفاده از داده مربوط به طیف جذبی‪ ،‬میتوان برهمکنش بین مولکولها و نانولولهها را چهه بهه صهورت‬
‫پیوند کوواالنسی باشند‪ ،‬چه غیرکوواالنسی مطالعه نمهود‪ .‬بهرای تفکیهک دقیهقتر پیکهها بهرای یهک نهوع‬
‫کایرالیتی مشخص‪ ،‬میتوان از نمودارهای دوبعدی و سهبعدی در طیفسنجی ‪ RRS‬و ‪ PL‬استفاده کرد‪ .‬مد‬
‫‪ D‬مربوط به وجود بی نظمی در ساختار است‪ .‬این مد در شهبکه گرافیتهی بها هیبریداسهیون ‪ sp2‬کهه حهاوی‬
‫تخلخل‪ ،‬ناخالصی و یا نواقص برهمزننده تقارن شبکه است‪ ،‬مشاهده میشهود‪ .‬منبهع‪ :‬مقالهه "نانولولهههای‬
‫کربنی فلزی و نیمهرسانا (‪")1‬‬
‫سرفصل‪ :‬نانوساختارها – نانولوله کربنی‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار سخت‬

‫‪33‬‬
 ‫تعداد سواالت‪ 2۳ :‬سؤال‬ ‫روشها و تجهیزات شناسایی و آنالیز‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)56‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫این سؤال مقایسهای از مبانی دو روش ‪ XPS‬و ‪ UPS‬است‪ .‬بررسی گزینهها‪:‬‬
‫گزینه ‪ :1‬طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ایکس یک روش پرکاربرد برای آنالیز سطوح و ترکیب شیمیایی است‬
‫که در آن‪ ،‬از اشعه ایکس با انرژی ‪ 2۳۳-2۳۳۳‬الکترون ولت استفاده میشود‪( .‬درستی گزینه ‪)1‬‬
‫گزینه ‪ :2‬در روش ‪ ،XPS‬فوتون توسط یک اتم در مولکول جذب شده و منجر به یونیزاسیون و ساطع شدن‬
‫الکترون از الیههای داخلی نزدیک به هسته میشود‪( .‬درستی گزینه ‪)2‬‬
‫گزینه ‪ :۰‬در روش ‪ ،XPS‬از اشعه ایکس با انرژی ‪ 2۳۳-2۳۳۳‬الکترون ولت استفاده میشود؛ درحالیکه در روش‬
‫‪ ،UPS‬اشعه فرابنفش با انرژی ‪ 1۳-45‬الکترون ولت مورد استفاده قرار میگیرد‪( .‬درستی گزینه ‪)۰‬‬
‫گزینه ‪ :4‬روشهای ‪ XPS‬و ‪ UPS‬دو روش طیفسنجی مبتنی بر فوتوالکترون هستند که تفاوت آنها در‬
‫منبع تشعشع است؛ بهطوری که ‪ XPS‬برای مطالعه الکترونهای الیههای داخلی نزدیک به هسته‪ ،‬و ‪UPS‬‬
‫برای مطالعه الکترونهای الیه ظرفیت بهکار میروند‪ .‬بنابراین‪ ،‬قسمت اول این گزینه صحیح بوده و قسمت‬
‫دوم آن نادرست است‪ .‬منابع‪ :‬مقاالت "طیفنگاری فوتوالکترونی اشعه ایکس )‪ "(XPS‬و "طیفسنجی‬
‫فوتوالکترونی ماورابنفش )‪"(UPS‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)UPS - XPS‬‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬
‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)57‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫دستگاههای ‪ TEM ،SEM‬و ‪ SAM‬از قابلیت بررسی توزیع عناصر )‪ (Mapping‬برخوردار هستند (درستی‬
‫گزینههای ‪ 2 ،1‬و ‪ .)4‬طیفسنجی جذب اتمی توانایی مطالعه ماده و خواص آن با بررسی ذرات جذبشده‪،‬‬
‫گسیلشده یا پراکندهشده از ماده مورد نظر را دارد‪ .‬این روش طیفسنجی توانایی ایجاد چنین تصاویری را‬
‫ندارد (نادرستی گزینه ‪ .)۰‬منابع‪ :‬مقاالت "طیفنگاری فوتوالکترونی اشعه ایکس )‪" ،"(XPS‬آشنایی با دستگاه‬
‫طیفسنجی جذب اتمی )‪" ،"(AAS‬مقدمهای بر ‪ SEM‬و برهمکنش پرتوی الکترونی با نمونه" و "طیفنگاری‬
‫الکترونهای اوژه )‪"(AES‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)AES – AAS – SEM – XPS‬‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪34‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)58‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫بر اساس مقاله "مقدمهای بر ‪ SEM‬و برهمکنش پرتوی الکترونی با نمونه"‪ ،‬اعداد ‪ 1-6‬در تصویر برهمکنش‬
‫باریکه الکترونی با نمونه بهشرح زیر هستند‪:‬‬

‫‪ :1‬الکترونهای اوژه‪ :2 ،‬الکترونهای ثانویه‪ :۰ ،‬الکترونهای برگشتی‪ :4 ،‬نشر اشعه ایکس‪ :5 ،‬نشر پیوسته‬
‫اشعه ایکس و ‪ :6‬نشر فلورسنت ثانویه‪( .‬نادرستی گزینه ‪) 1‬‬

‫طبق شکل ‪ 6‬موجود در همین مقاله‪ ،‬شدت الکترونهای برگشتی بهشدت به عدد اتمی بستگی داشته و با‬
‫افزایش آن‪ ،‬افزایش مییابد‪( .‬نادرستی گزینه ‪)۰‬‬

‫همچنین‪ ،‬در تصویر الکترونهای برگشتی‪ ،‬فازهای حاوی عناصر سنگین‪ ،‬روشنتر و فازهای سبکتر تیرهتر‬
‫دیده میشوند (نادرستی گزینه ‪ .)4‬منبع‪ :‬مقاله "مقدمهای بر ‪ SEM‬و برهمکنش پرتوی الکترونی با نمونه"‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)SEM‬‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)58‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫بر اساس مقاله "شاخصهای کلیدی‪ ،‬آمادهسازی نمونه؛ مزایا‪ ،‬محدودیتها و کاربردها در ‪ ،"SEM‬قدرت‬
‫تفکیک میکروسکوپها با رابطه زیر محاسبه میشود‪:‬‬

‫‪0.61 λ‬‬
‫=‪r‬‬
‫‪μ sinα‬‬

‫با جایگذاری مقادیر دادهشده در فرمول فوق خواهیم داشت‪:‬‬

‫‪0.61 × 200‬‬
‫=‪r‬‬ ‫نانومتر ‪= 162.7‬‬
‫‪1.5 × 0.5‬‬

‫بنابراین‪ ،‬گزینههای ‪ 2‬و ‪ 4‬نادرست هستند‪.‬‬

‫اگر ضریب شکست محیط بین نمونه و عدسی شیئی افزایش یابد‪ ،‬مقدار ‪ r‬کاهش مییابد‪ .‬از طرفی‪ ،‬چون‬
‫مقدار ‪ r‬با قدرت تفکیک میکروسکوپ رابطه عکس دارد‪ ،‬بنابراین با افزایش ضریب شکست محیط بین‬
‫نمونه و عدسی شیئی‪ ،‬قدرت تفکیک افزایش مییابد (درستی گزینه ‪ ۰‬و نادرستی گزینه ‪ .) 1‬منبع‪ :‬مقاله‬
‫"شاخصهای کلیدی‪ ،‬آمادهسازی نمونه؛ مزایا‪ ،‬محدودیتها و کاربردها در ‪"SEM‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)SEM‬‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار سخت‬

‫‪35‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)6۳‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫این تست‪ ،‬ترکیبی از مقاالت مختلف در زمینه مشخصهیابی نانومواد بوده و پاسخگویی به آن مستلزم‬
‫آشنایی کامل با روشهای مشخصه یابی است و اینکه هر روش چه پارامتری را برحسب پارامتری دیگر اندازه‬
‫میگیرد‪ .‬شکل (الف) نشاندهنده طیفهای حاصل از روش ‪ SLS‬است (نادرستی گزینههای ‪ 1‬و ‪ .)۰‬شکل‬
‫(ب) نشاندهنده شدت سیگنال الکترونی (مشتق سیگنال الکترونی) برحسب انرژی است که نشانگر طیف‬
‫حاصل از روشهای ‪ XPS‬یا ‪ AES‬میباشد‪ .‬دلیل رسم منحنی برحسب مشتق سیگنال بهجای سیگنال‪ ،‬بهبود‬
‫نسبت سیگنال به نویز و باال بردن حساسیت مشخصهیابی است‪ .‬شکل (پ) نشاندهنده شدت طیفها بر‬
‫اساس زاویه بوده و متعلق به روش بازتابسنج پرتو ایکس )‪ (XRR‬است (نادرستی گزینه ‪ .)2‬در شکل (ت)‪،‬‬
‫تعداد الکترونها برحسب افت انرژی الکترون مورد بررسی قرار گرفته و همانطور که از اسامی محورهای‬
‫عمودی و افقی پیداست‪ ،‬طیفسنجی الکترونی افت انرژی )‪ (EELS‬نام دارد (درستی گزینه ‪ .)4‬منابع‪:‬‬
‫مقاالت "بازتابسنج پرتو ایکس )‪" ،"(XRR‬معرفی طیفنگار الکترونی افت انرژی )‪" ،"(EELS‬طیفنگاری‬
‫الکترونهای اوژه )‪ "(AES‬و "اندازه گیری ذرات با روش پراکندگی استاتیک نور لیزر )‪"(SLS‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)SLS - AES – EELS – XRR‬‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)61‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫تصاویر منحنیها از مقاله "روشهای اندازهگیری میزان تخلخل و سطوح مؤثر )‪ "(BET‬آورده شده و تصاویر‬
‫شماتیک منبع دیگری دارند‪.‬‬

‫تصویر (الف)‪ :‬این نوع ایزوترم که به آن‪ ،‬جذب النگمویر هم گفته میشود‪ ،‬بهندرت در مواد غیرمتخلخل دیده‬
‫شده و برای ترکیباتی که دارای حفرههای بسیار ریز هستند‪ ،‬مناسب است‪ .‬در ایزوترم جذب النگمویر‪ ،‬جذب‬
‫روی یک الیه انجام میگیرد (جذب تکالیه) (درستی گزینه ‪.)1‬‬

‫تصویر (ب)‪ :‬نشاندهنده منحنی جذب نوع ‪ 2‬است‪ .‬این نوع ایزوترم برای ترکیبات غیر متخلخل قابلاستفاده‬
‫است‪ .‬در نقطهای که با حرف ‪ B‬مشخص شده است‪ ،‬تشکیل تکالیه روی سطح‪ ،‬کامل میشود‪ .‬در این‬
‫شرایط‪ ،‬ابتدا تکالیه تشکیل شده و سپس الیههای دیگر روی الیه اول شروع به شکلگرفتن میکنند‬
‫(درستی گزینه ‪.)2‬‬

‫تصویر (ج)‪ :‬نشاندهنده منحنی جذب نوع ‪ 5‬است که مربوط به جذب چندالیه میباشد (نادرستی گزینه ‪.)۰‬‬

‫تصویر (د)‪ :‬نشاندهنده منحنی جذب نوع ‪ 4‬است که مربوط به جذب چندالیه میباشد‪ .‬این نوع ایزوترم‬
‫پلهای بوده که در مواد غیرمتخلخل با سطح کامالا یکنواخت دیده میشود و شکل شماتیک هم نشاندهنده‬

‫‪36‬‬
 ‫جذب چندالیه روی سطح است (درستی گزینه ‪ .)4‬منبع‪ :‬مقاله "روشهای اندازهگیری میزان تخلخل و‬
‫سطوح مؤثر )‪"(BET‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)BET‬‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)62‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫اکسید آلومینیوم یک ماده عایق است‪ .‬از طرفی‪ ،‬دستگاه ‪ STM‬توانایی مشخصهیابی مواد رسانا و برخی از‬
‫نیمه رساناها را دارد‪ .‬بنابراین‪ ،‬امکان آنالیز اکسید آلومینیوم با استفاده از ‪ STM‬وجود ندارد (نادرستی‬
‫گزینههای ‪ 1‬و ‪ .)2‬میکروسکوپ نیروی اتمی (‪ )AFM‬از توانایی آنالیز نمونههای رسانا و عایق برخوردار است‪.‬‬
‫از آنجایی که نمونه موردنظر دارای سطح ناهموارتر است‪ ،‬طبق جدول ‪ 2‬مندرج در مقاله "میکروسکوپ نیروی‬
‫اتمی"‪ ،‬با استفاده از روش تماسی میتوان ضمن روبش با سرعت باالتر و دستیابی به رزولوشن بهتر در حد‬
‫اتمی‪ ،‬تغییرات در توپوگرافی را بهتر مشاهده کرد (درستی گزینه ‪ ۰‬و نادرستی گزینه ‪ .)4‬منابع‪ :‬مقاالت‬
‫"میکروسکوپ نیروی اتمی" و "میکروسکوپ تونلی روبشی"‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)STM - AFM‬‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)6۰‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫گزینه (‪ :)1‬از پتانسیل زتا میتوان به عنوان ابزاری برای مطالعه دقیق توزیع پتانسیل در فصل مشترک‬
‫استفاده کرد‪ .‬این بررسی در حضور یونهای ساده و سیستمهای پیچیدهتر مانند مواد فعال سطحی‪،‬‬
‫یونهای چند ظرفیتی‪ ،‬پلیمرها و حتی پروتئینها نیز قابل انجام است‪ .‬همچنین پتانسیل زتای نمونه‪ ،‬در‬
‫تعیین تمایل ذرات درون مایع برای اتصال به یکدیگر مورد استفاده قرار میگیرد‪ .‬از کاربردهای پتانسیل زتا‬
‫میتوان به کانیها و سنگهای معدن‪ ،‬رس و گل حفاری‪ ،‬سرامیک و غیره اشاره کرد (درستی گزاره ‪.)1‬‬

‫گزینه (‪ :)2‬جدایش بار در فصل مشترک بین دو فاز‪ ،‬الیه مضاعف الکتریکی نامیده میشود‪ .‬این دو فاز در‬
‫حالت ایدهآل‪ ،‬دو منطقه با بارهای مخالف هستند‪ .‬برای به تصویر درآوردن محیط یونی در نزدیکی یک‬
‫کلوئید باردار و توضیح چگونگی عمل نیروهای دافعه الکتریکی‪ ،‬از مدل الیه مضاعف استفاده میشود‪.‬‬
‫میتوان این مدل را به صورت الیههای متوالی از یونها در اطراف یک کلوئید با بار منفی تصور کرد‪ .‬ابتدا‬
‫تأثیر کلوئید بر روی یونهای مثبت (یونهای با بار مخالف )‪ ) (Counter-ion‬مورد توجه قرار میگیرد‪ .‬در‬
‫این حالت‪ ،‬نیروی جاذبه از طرف کلوئید با بار منفی‪ ،‬باعث جذب یونهای مثبت و تشکیل یک الیه در‬
‫اطراف سطح کلوئید می شود‪ .‬این الیه با بار مخالف‪ ،‬الیه استرن نامیده میشود‪ .‬سپس یونهای مثبت‬

‫‪37‬‬
‫اضافی باز هم به وسیله کلوئید جذب شده ولی بهوسیله الیه استرن )‪ (Stern layer‬و سایر یونهای مثبت‬
‫که سعی در نزدیکشدن به کلوئید را دارند‪ ،‬دفع میشوند‪ .‬این تعادل دینامیکی منجر به تشکیل الیه نفوذی‬
‫)‪ (Diffused layer‬یونهای با بار مخالف میشود‪ .‬همچنین‪ ،‬شکل ‪ 4‬مقاله"زتامتر و کاربردهای آن" (شکل‬
‫زیر) بهوضوح نشان می دهد که الیه مضاعف برابر با مجموع الیه استرن و الیه نفوذی است (نادرستی گزاره‬
‫‪.)2‬‬

‫گزینه (‪ :)۰‬قابلیت تحرک الکتروفورتیک کلوئید تعیینکننده سرعتی است که ذرات باردار با آن حرکت‬
‫میکنند‪ .‬این موضوع سبب القای یک جابهجایی فرکانس در پرتو لیزر میگردد‪ .‬با استفاده از تقریبهای‬
‫هوکل و اسمولوچفسکی برای تابع هنری‪ ،‬ثابت دیالکتریک نمونه‪ ،‬ویسکوزیته فاز مایع و در نهایت تحرک‬
‫الکتروفورتیک‪ ،‬پتانسیل زتای ذرات در کلویید قابل محاسبه است (درستی گزاره ‪.)۰‬‬

‫گزینه (‪ :)4‬پتانسیل زتای یک ذره را میتوان به وسیله معادله هنری (در صورت معلوم بودن قابلیت تحرک‬
‫الکتروفورتیک نمونه) به دست آورد‪:‬‬

‫)‪2εξf(ka‬‬
‫= ‪Ue‬‬
‫‪3η‬‬

‫که در آن ‪ Ue‬قابلیت تحرک الکتروفورتیک‪ Ɛ ،‬ثابت دی الکتریک نمونه‪ ξ ،‬پتانسیل زتا و )‪ f (ka‬تابع هنری‬
‫است‪ .‬با مرتبکردن معادله برحسب پتانسیل زتا‪ ،‬رابطه بهصورت زیر درمیآید‪:‬‬

‫‪Ue 3η‬‬
‫=‪ξ‬‬
‫)‪2εf(ka‬‬

‫مشخص میشود که پتانسیل زتا رابطه معکوس با ثابت دیالکتریک دارد‪ .‬منبع‪ :‬مقاله "زتامتر و کاربردهای‬
‫آن"‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – زتامتر‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار سخت‬

‫‪38‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)64‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫حضور آب مقطر بر روی سطح زیرالیه‪ ،‬نشاندهنده ایجاد یک عایق روی زیرالیه است؛ چرا که آب معمولی‬
‫بهدلیل داشتن یونهای مثبت و منفی تا حدی رسانایی الکتریکی دارد‪ ،‬اما آب مقطر یک عایق بهشمار‬
‫میرود‪ .‬بنابراین‪ ،‬چون ‪ STM‬توانایی تصویرسازی از نمونههای عایق را ندارد‪ ،‬گزینههای ‪ ۰‬و ‪ 4‬نادرست‬
‫خواهند بود‪.‬‬

‫همچنین‪ ،‬طبق پاراگراف "در مورد نمونههای صلب ممکن است تصاویر ‪ AFM‬استاتیکی و دینامیکی به یک‬
‫گونه به نظر برسند‪ .‬ولی اگر برای مثال چند الیه آب روی سطح یک نمونه صلب میعان کرده باشد‪ ،‬ممکن‬
‫است تصاویر ‪ AFM‬کامالا متفاوت باشند‪ .‬میکروسکوپ نیروی اتمی در حالت استاتیکی میتواند به این الیه‬
‫نفوذ کند و سطح زیر آن را تصویر کند (یعنی از زیرالیه تصویر بگیرد)‪ ،‬درحالیکه در حالت ‪ AFM‬دینامیکی‪،‬‬
‫میکروسکوپ سطح مایع را تصویر میکند‪ ".‬از مقاله "میکروسکوپ نیروی اتمی"‪ ،‬گزینه ‪ 1‬نادرست و گزینه ‪2‬‬
‫پاسخ صحیح است‪( .‬منابع‪ :‬مقاالت "میکروسکوپ نیروی اتمی"‪ " ،‬میکروسکوپ تونلی روبشی")‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)STM - AFM‬‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)65‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫گزینه (‪ :)1‬قانون بیر‪-‬المبرت تنها در توصیف رفتار جذب محلولهای رقیق موفقیت دارد و معموال ا در‬
‫غلظتهای بزرگتر از ‪ 0.01M‬فاصلههای میانگین بین ذرات جاذب به حدی کاهش مییابد که هر ذره بر‬
‫توزیع بار همسایههای خود اثر میگذارد‪ .‬این برهمکنش توانایی ذرات را برای جذب یک طول موج معین‬
‫تابش تغییر میدهد‪ .‬انحرافات از قانون بیر‪-‬المبرت همچنین بهاینعلت مشاهده میشود که ضریب جذب‬
‫مولی به ضریب شکست محلول )‪ (Refractive Index‬بستگی دارد‪ .‬بنابراین‪ ،‬اگر تغییرات غلظتی باعث‬
‫تغییرات قابلتوجهی در ضریب شکست محلول شود‪ ،‬انحرافاتی از قانون بیر‪-‬المبرت مشاهده میشود‪.‬‬
‫بهطورکلی‪ ،‬این اثر در غلظتهای کمتر از ‪ 0.01M‬کوچک و بهندرت قابلتوجه است (درستی گزینه ‪( .)1‬به‬
‫مقاله "طیفسنجی جذبی مرئی–فرابنفش )‪ "(UV-Vis Spec‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫ا‬
‫خصوصا مواردی که در ‪ SEM‬مطرح هستند‪ ،‬عبارتند از‪:‬‬ ‫گزینه (‪ :)2‬عمدهترین برهمکنشها و‬

‫پراکندگی االستیکی‪ :‬تغییر جهت حرکت پرتوی الکترونی ضمن از دست دادن مقدار قابل اغماضی انرژی‪.‬‬
‫ا‬
‫عمدتا در برخورد پرتوی الکترونی با هسته اتم رخ میدهد و باعث انحراف قابلتوجهی‬ ‫پراکندگی االستیکی‬
‫در مسیر پرتوی الکترونی ورودی به ماده میشود‪.‬‬

‫پراکندگی غیراالستیکی‪ :‬از دست دادن انرژی و تغییر قابلاغماض جهت حرکت پرتوی الکترونی‪ .‬پراکندگی‬
‫غیراالستیکی از طریق دو مکانیزم اتفاق میافتد‪ )1( :‬پراکندگی غیراالستیکی در برخورد با الکترونهای‬

‫‪39‬‬
‫باندهای الکترونی اتم ماده و (‪ )2‬پراکندگی غیراالستیکی در برخورد با هسته اتم (درستی گزینه ‪( .)2‬به مقاله‬
‫"مقدمهای بر ‪ SEM‬و برهمکنش پرتوی الکترونی با نمونه" مراجعه کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)۰‬در طیفهای مادون قرمز هر پیک نشاندهنده میزان جذب در عدد موجی متناظر با آن میباشد‬
‫و توسط یک پیوند شیمیایی مشخص ایجاد میشود‪ .‬در نتیجه‪ ،‬عدد موجی هر پیک نشاندهنده حضور یک‬
‫گروه عاملی خاص در نمونه خواهد بود‪ .‬محل پیک جذبی گروههای عاملی مختلف در کتابهای طیفسنجی‬
‫و مراجع مختلف گردآوری شده و بهصورت جدول در دسترس هستند (درستی گزینه ‪( .)۰‬به مقاله‬
‫"طیفسنجی مادون قرمز )‪ "(IR Spectroscopy‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)4‬یک روش مستقیم و ساده برای اندازهگیری حجم کل منافذ‪ ،‬روشی است که در آن‪ ،‬ابتدا همه‬
‫منافذ جسم متخلخل با مایعی که چگالی مشخصی دارد‪ ،‬پر میشوند و سپس میزان افزایش وزن ماده‬
‫اندازهگیری میشود‪ .‬بهتر است مایع انتخابشده وزن مولکولی پایینی داشته باشد‪ ،‬بهطوری که حفرات ریز‬
‫بتوانند بهخوبی پر شوند (نادرستی گزینه ‪( .)4‬به مقاله "اندازهگیری سطح فعال و حجم منافذ در نانومواد"‬
‫مراجعه کنید‪).‬‬

‫منابع‪ :‬مقاالت "طیفسنجی جذبی مرئی–فرابنفش )‪" ،"(UV-Vis Spec‬اندازهگیری سطع فعال و حجم منافذ‬
‫در نانومواد"‪" ،‬طیفسنجی مادون قرمز )‪" ،"(IR Spectroscopy‬مقدمهای بر ‪ SEM‬و برهمکنش پرتوی‬
‫الکترونی با نمونه"‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)BET – SEM – IR – UV-Vis Spec‬‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)66‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫بر اساس فرمولهای موجود در مقاله "اندازهگیری سطح فعال و حجم منافذ در نانومواد" شعاع متوسط‬
‫منافذ برابر است با‪:‬‬

‫‪2Vg‬‬
‫=‪r‬‬
‫‪Sg‬‬

‫که در آن‪ Vg ،‬حجم منافذ برای هر گرم و ‪ Sg‬مساحت سطح هر گرم ماده است‪ .‬با جایگذاری مقادیر موجود‬
‫در سؤال‪:‬‬

‫‪2 × 350‬‬
‫=‪r‬‬ ‫میکرومتر ‪= 3.04‬‬
‫‪230‬‬

‫منبع‪ :‬مقاله"اندازهگیری سطع فعال و حجم منافذ در نانومواد"‬

‫‪40‬‬
 ‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)BET‬‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)67‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫طبق مطالب موجود در مقاله "میکروسکوپ نوری روبشی میدان نزدیک (‪ ،")2‬محدودیتهای میکروسکوپ‬
‫نوری روبشی میدان نزدیک بهشرح زیر است‪:‬‬
‫‪ -‬محدوده کاری خیلی کم و عمق کم میدان؛ (امکان تهیه تصویر با عمق میدان زیاد وجود ندارد)‬
‫‪ -‬محدود به مطالعه سطح ماده؛ (پس توانایی بررسی تغییرات حجم را ندارد)‬
‫‪ -‬برای مطالعه مواد نرم‪ ،‬بهویژه در حالت کاری نیروی برشی مناسب نیست؛‬
‫‪ -‬برای نمونههای بزرگ و در تصویرگیری با وضوح باال‪ ،‬زمان روبش طوالنی است؛‬
‫‪ -‬در نمونههایی مانند مواد نیمهرسانا‪ ،‬بهدلیل نیاز به برقراری حساسیت مناسب و وضوح طیفی خوب در‬
‫برخی موارد‪ ،‬دمای کاری پایین الزامی است‪ .‬در چنین شرایطی مشکالت فنی در آزمایشهای ‪ SNOM‬به‬
‫وجود میآید‪ .‬در این حالت‪ ،‬پروب ‪ SNOM‬باید برای کار در دمای پایین نیز تطابق داشته باشد‪ .‬از سوی‬
‫دیگر‪ ،‬سازوکار بازخورد نیروی برشی نیز باید برای کار در دمای پایین مناسب باشد و یا نمونه باید بهقدر کافی‬
‫مسطح باشد تا تصویرگیری در ارتفاع ثابت میسر گردد (نادرستی گزارههای ب‪ ،‬پ و ث)‪.‬‬

‫همچنین‪ ،‬در بخش مرتبط با کاربردهای این میکروسکوپ در مقاله‪ ،‬پاراگراف زیر قید شده است‪:‬‬

‫بهصورت خالصه بعضی از کاربردهای دستگاه ‪ SNOM‬عبارتنداز‪:‬‬

‫‪ -‬تهیه تصاویر با رزولوشن باال از سلولها؛‬
‫‪ -‬بررسی ساختار فازها در پلیمرهای الیهای؛‬
‫‪ -‬بررسی ساختار داخلی ژلهای پلیمری؛‬
‫‪ -‬شکلدهی پلیمر توسط میکروسکوپ نوری میدان نزدیک؛‬
‫‪ -‬اسپکتروسکوپی تک مولکولها توسط ‪( . SNOM‬درستی گزارههای الف و ت)‬

‫منبع‪ :‬مقاله "میکروسکوپ نوری روبشی میدان نزدیک (‪")2‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)SNOM‬‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :) 68‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫طبق رابطه شرر‪ ،‬اندازه کریستالیت با فرمول زیر بهدست میآید‪:‬‬

‫‪41‬‬
 ‫‪kλ‬‬
‫=‪τ‬‬
‫‪βcosθ‬‬

‫‪ β‬پهنای پیک در نصف ارتفاع بیشینه است (این مقدار برحسب درجه بوده و باید طبق رابطه زیر به واحد‬
‫طول تبدیل شود)‪:‬‬

‫‪𝛽 × 𝜋 0.1200 × 3‬‬

‫=‬ ‫‪= 0.002‬‬
‫‪180‬‬ ‫‪180‬‬

‫باید توجه داشت که زاویه پیک در ‪ 2θ‬گزارش شده‪ ،‬و باید بر ‪ 2‬تقسیم شود (یعنی ‪ cos22 = 0.92‬استفاده‬
‫شود)‪ .‬با جایگذاری مقادیر باال در فرمول شرر‪:‬‬

‫‪1 × 0.154‬‬
‫=𝜏‬ ‫نانومتر ‪= 83.6 ≈ 84‬‬
‫‪0.002 × 0.92‬‬

‫منبع‪ :‬مقاله " اصول و اجزا در پراش اشعه ایکس" و "تکنیکها و کاربردهای پراش اشعه ایکس"‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)XRD‬‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :) 68‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫گزینه (‪ :)1‬بازتاب پرتو ایکس یا بازتابسنج پرتوایکس در مطالعه سطح بسیار مورد توجه است‪ ،‬زیرا این‬
‫تکنیک برای تعیین مشخصههای سطح ازجمله ضخامت‪ ،‬چگالی و زبری الیههای نازک و ساختارهای‬
‫چندالیهای مورد استفاده قرار میگیرد (درستی گزاره ‪( .)1‬به مقاله "بازتابسنج پرتو ایکس )‪ "(XRR‬مراجعه‬
‫کنید)‪.‬‬

‫گزینه (‪ :)2‬بازتابسنج پرتو ایکس روش اندازهگیری غیرتماسی و غیرمخرب است و برای نمونههایی که‬
‫بهاندازه کافی هموار و صاف باشند بهکار برده میشود (درستی گزاره ‪( .)2‬به مقاله "بازتابسنج پرتو ایکس‬
‫)‪ "(XRR‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)۰‬کاربردهای روش ‪ EELS‬عبارتند از آنالیز ترکیب عنصری‪ ،‬اطالعاتی در مورد پیوندهای شیمیایی‪،‬‬
‫پراکندگی اتمهای مجاور‪ ،‬ضخامت بلور‪ ،‬اطالعات مربوط به ظرفیت‪ ،‬تابع دیالکتریک کمپلکس (نادرستی‬
‫گزینه ‪( .)۰‬به مقاله "معرفی طیفنگار الکترونی افت انرژی )‪ "(EELS‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)4‬معایب روش ‪ :EELS‬همراه با دستگاه ‪ TEM‬ساخته میشود‪ ،‬بنابراین روش پرهزینهای بوده و‬
‫باعث تخریب نمونه نیز میشود‪ .‬آمادهسازی نمونه بسیار وقتگیر است‪ .‬ابعاد نمونه کوچک است‪ .‬اگرچه‬
‫‪ EELS‬قادر به استخراج اطالعات به کمک انرژی میباشد‪ ،‬اما تفکیک مکانی آن توسط دستگاه ‪TEM‬‬
‫محدود میشود (درستی گزینه ‪( .)4‬به مقاله "معرفی طیفنگار الکترونی افت انرژی )‪ "(EELS‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫‪42‬‬
 ‫منابع‪ :‬مقاالت "بازتابسنج پرتو ایکس )‪ "(XRR‬و "معرفی طیفنگار الکترونی افت انرژی )‪"(EELS‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)EELS - XRR‬‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)7۳‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫گزینه (‪ STM :)1‬یک روش برای تهیه تصاویر توپوگرافی و بررسی برخی از خواص سطحی مواد رسانا است‪.‬‬
‫بنابراین‪ ،‬این روش توانایی تعیین عناصر و نوع پیوندها را ندارد (نادرستی گزینه ‪( .)1‬به مقاالت‬
‫"میکروسکوپ تونلی روبشی (‪ ")1‬و "میکروسکوپ تونلی روبشی (‪ ")2‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)2‬روش ‪ XPS‬یک روش پرکاربرد برای آنالیز سطوح و بررسی ترکیب شیمیایی سطوح مواد معدنی و‬
‫آلی بوده و توانایی شناسایی اغلب عناصر (به جز هیدروژن و هلیوم) را دارد‪ .‬همچنین‪ ،‬این روش اطالعاتی‬
‫از نوع پیوندها‪ ،‬محیط اتمی و فرمول تجربی ماده ارائه میکند‪ .‬بهعبارت دیگر‪ ،‬با تغییر در نوع پیوندها‪،‬‬
‫پیکهای متناظر با آنها در انرژیها مختلفی ظاهر خواهند شد‪ .‬بهعنوان مثال‪ ،‬پیکی که حین پیوند دوگانه‬
‫کربن با اکسیژن ظاهر میشود‪ ،‬حدود ‪ 17‬الکترونولت با پیک ظاهرشده حین پیوند یگانه کربن و اکسیژن‬
‫تفاوت خواهد داشت (درستی گزینه ‪( .)2‬به مقاله "طیفنگاری فوتوالکترونی اشعه ایکس )‪ "(XPS‬مراجعه‬
‫کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)۰‬با اینکه روش ‪ XRF‬یک روش مناسب برای تعیین نوع عناصر موجود در مواد است‪ ،‬اما این روش‬
‫توانایی تعیین نوع پیوندها را ندارد (نادرستی گزینه ‪.)۰‬‬

‫گزینه (‪ :)4‬از روش ‪ BET‬برای اندازهگیری مقدار تخلخل و سطوح مؤثر نانومواد استفاده میشود و این روش‬
‫توانایی تشخیص عناصر و نوع پیوندها را ندارد (نادرستی گزینه ‪( .)4‬به مقاله "روشهای اندازهگیری میزان‬
‫تخلخل و سطوح مؤثر )‪ "(BET‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫منابع‪ :‬مقاالت "میکروسکوپ تونلی روبشی"‪" ،‬طیفنگاری فوتوالکترونی اشعه ایکس )‪ "(XPS‬و "روشهای‬
‫اندازهگیری میزان تخلخل و سطوح مؤثر )‪"(BET‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)STM – BET – XPS‬‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪43‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)71‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫گزینه (‪ :)1‬ترکیبات لومینسانسدهنده در مقیاس نانو‪ ،‬بسته به مواد تشکیلدهنده به چهار دسته تقسیم‬
‫میشوند‪ :‬نقاط کوانتومی نیمههادی‪ ،‬خوشههای فلزی در ابعاد نانو‪ ،‬نانومواد دوپ شده با فلزات و‬
‫کامپوزیتها و هیبریدهای آلی‪-‬معدنی (نادرستی گزاره ‪( .)1‬به مقاله "نکات عملی روش لومینسانس" مراجعه‬
‫کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)2‬یکی از متداولترین منابع مورد استفاده در فلورومترها‪ ،‬المپهای جیوهای با فشار پایین هستند‪.‬‬
‫این منابع بسیاری از طول موجهای مورد نیاز برای برانگیختگی ترکیبات فلورسانسکننده را بهصورت گسسته‬
‫فراهم میکنند (نادرستی گزاره ‪( .)2‬به مقاله "دستگاهوری )‪ (instrumentation‬سامانههای‬
‫فوتولومینسانس" مراجعه کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)۰‬تبدیل درونی یکی از فرآیندهای آسایش در پدیده لومینسانس است که در آن‪ ،‬انتقال الکترون‬
‫بین دو تراز الکترونی با چندگانگی اسپین صورت میگیرد‪ .‬گزاره موجود در گزینه ‪ ۰‬اشاره به تبدیل بیرونی‬
‫دارد (نادرستی گزاره ‪( .)۰‬به مقاله "فرآیندهای آسایش در پدیده لومینسانس" مراجعه کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)4‬در تریبولومینسانس )‪ ،(Triboluminescence‬نشر نور در نتیجه اعمال تنش مکانیکی به‬
‫ترکیبات کریستالی و یا شکست کریستال رخ میدهد (درستی گزاره ‪( .)4‬به مقاله "معرفی فرآیندهای‬
‫لومینسانس و فوتولومینسانس" مراجعه کنید)‪.‬‬

‫منابع‪ :‬مقاالت "نکات عملی روش لومینسانس"‪" ،‬دستگاهوری )‪ (instrumentation‬سامانههای‬

‫فوتولومینسانس"‪" ،‬فرآیندهای آسایش در پدیده لومینسانس" و "معرفی فرآیندهای لومینسانس و‬
‫فوتولومینسانس"‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – فوتولومینسانس‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪44‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)72‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫بر اساس شکل موجود در مقاله "فرآیندهای آسایش در پدیده لومینسانس"‪:‬‬

‫اعداد ‪ 2 ،1‬و ‪ ۰‬بهترتیب متناظر با تبدیل درونی‪ ،‬فلورسانس و تبدیل بیرونی هستند‪ .‬منبع‪ :‬مقاله "فرآیندهای‬
‫آسایش در پدیده لومینسانس"‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – فوتولومینسانس‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)7۰‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫گزینه (‪ :)1‬در این مورد از یونیزاسیون‪ ،‬مولکولهای نمونه در حالت بخار توسط پرتوی از الکترونهای پر‬
‫انرژی )‪ (70 eV‬بمباران میشود‪ .‬در برخی روشها نیز از پرتوهای پرانرژی تابش الکترومغناطیس استفاده‬
‫می شود‪ .‬در نتیجه این برخورد‪ ،‬الکترونی از باالترین تراز الکترونی خارج شده و فرم یونی گونه تولید میگردد‬
‫(درستی گزاره ‪.)1‬‬

‫گزینه (‪ :)2‬بعد از جداسازی یون مولکولها بر اساس نسبت ‪ ، m/z‬بر اثر برخورد این ذرات با آشکارساز‪،‬‬
‫سیگنال الکتریکی ایجاد میشود‪ .‬در آشکارسازهای طیفسنج جرمی‪ ،‬پس از برخورد یون به یک سطح‬
‫حساس تابشکننده الکترون‪ ،‬الکترونهای اولیه ایجاد میشوند‪ .‬در ساختار یک تکثیرکننده الکترون‪،‬‬
‫الکترونهای اولیه به صورت متوالی با الکترودهای تکثیرکننده )‪ (Dynode‬برخورد کرده و سیگنال تقویت‬
‫میشود (درستی گزاره ‪.)2‬‬

‫‪45‬‬
‫گزینه (‪ :)۰‬طیفسنج جرمی )‪ ، (Mass Spectrometer‬دستگاهی است که برای آنالیز جرمی استفاده‬
‫میشود‪ .‬اساس کار این دستگاه جداسازی یونهای متحرک از یکدیگر بر اساس نسبت جرم به بار )‪(m/z‬‬
‫است (نادرستی گزاره ‪.)۰‬‬

‫گزینه (‪ :)4‬اجزای دستگاه طیفسنجی جرمی باید در شرایط خأل باال )‪ (10-5-10-8 Torr‬قرار بگیرند (درستی‬
‫گزاره ‪( .)4‬منبع‪ :‬مقاله "طیفسنجی جرمی")‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – ‪Mass Spec‬‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)74‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫در شکل ‪ ،1‬فوتونی با انرژی ‪ hν‬به الیه ظرفیت ماده برخورد کرده و فوتوالکترونی از آن ساطع میکند‪ .‬این‬
‫شکل‪ ،‬شمایی از روش طیفسنجی فوتوالکترون فرابنفش را نشان میدهد (نادرستی گزینه ‪ ( .)۰‬به مقاله‬
‫"طیفسنجی فوتوالکترونی ماورابنفش )‪ "(UPS‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫در شکل ‪ ،2‬فوتونی با انرژی ‪ hν‬به الیههای داخلی ماده برخورد کرده و فوتوالکترونی از آن ساطع میکند‪.‬‬
‫این شکل‪ ،‬شمایی از روش طیفسنجی فوتوالکترون اشعه ایکس را نشان میدهد (نادرستی گزینه ‪( .)4‬به‬
‫مقاله "طیفنگاری فوتوالکترونی اشعه ایکس )‪ "(XPS‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫در شکل ‪ ،۰‬پرتو الکترونی به نمونه برخورد کرده و باعث یونیزهشدن و ناپایداری نمونه میشود‪ .‬نمونه برای‬
‫کاهش ناپایداری خود‪ ،‬فوتون اشعه ایکس (از الیههای داخلی) و الکترون ساطع میکند‪ .‬در این شکل‪ ،‬چون‬
‫الکترون از پوسته خارجی اتم خارج شده‪ ،‬پس شمایی از روش طیفسنجی الکترون اوژه را نشان میدهد‬
‫(درستی گزینه ‪( .)2‬به مقاله "طیفنگاری الکترونهای اوژه )‪ "(AES‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫در روش پراش پرتو ایکس‪ ،‬از پرتو اشعه ایکس برای مشخصهیابی میشود‪ ،‬نه پرتو الکترونی (نادرستی‬
‫گزینه ‪.)1‬‬

‫منابع‪ :‬مقاالت "طیفسنجی فوتوالکترونی ماورابنفش )‪" ،"(UPS‬طیفنگاری فوتوالکترونی اشعه ایکس‬
‫)‪ "(XPS‬و "طیفنگاری الکترونهای اوژه )‪"(AES‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – (‪)AES – XPS – UPS‬‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪46‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)75‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬
‫گزینه (‪ :)1‬ناحیه اثر انگشتی )‪(Fingerprint region‬؛ این ناحیه که در گستره اعداد موجی کمتر از ‪cm-1‬‬
‫‪ 12۳۳‬قرارگرفته‪ ،‬معموال ا شامل پیکهای زیاد و پیچیدهای است که بهسختی قابل تفسیر هستند‪ .‬برای هر‬
‫ترکیب خاص الگوی منحصربهفردی از پیکها وجود دارد که از اسکلت کلی ساختار مولکولها ناشی میشوند‬
‫و تنها برای تائید ساختار پیشنهادی مورد استفاده قرار میگیرند (درستی گزاره ‪( )1‬به مقاله "طیفسنجی‬
‫مادون قرمز )‪ "(IR Spectroscopy‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)2‬در مورد ترکیبات ف ارار‪ ،‬طیفهای مفیدتر هنگامی به دست میآیند که نمونه بهصورت گاز آزمایش‬
‫شود‪ .‬حالل‪ ،‬برای طیف بینی فرابنفش‪/‬مرئی باید در طول این ناحیه شفاف باشد (جذب نداشته باشد) و‬
‫مقدار کافی آنالیت را برای تولید پیکهای کامالا مشخص در خود حل کند‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬احتمال برهمکنش‬
‫حالل با گونه جاذب هم باید مد نظر باشد (درستی گزاره ‪( ).2‬به مقاله "طیفسنجی جذبی مرئی – فرابنفش‬
‫)‪ "(UV-Vis Spec‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)۰‬طیفسنجی مادون قرمز هم برای کاربردهای کمی و هم برای کاربردهای کیفی قابل استفاده است‬
‫که در این میان‪ ،‬کاربردهای کیفی سهم بیشتری را در اختیار دارند‪ .‬از جمله مهمترین کاربردهای کیفی که در‬
‫بحث فناوری نانو هم از اهمیت خاصی برخوردار است‪ ،‬اثبات عاملدار شدن یا نشدن یک گونه خاص (مانند‬
‫نانوذرات یا نانوساختارهای کربنی) با یک ترکیب دیگر است (نادرستی گزاره ‪( .)۰‬به مقاله "طیفسنجی‬
‫مادون قرمز )‪ "(IR Spectroscopy‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫گزینه (‪ :)4‬در طیفسنجی فرابنفش‪/‬مرئی‪ ،‬اگر در یک انتقال الکترونی‪ ،‬یک حالت انرژی قطبیتر از حالت‬
‫دیگر باشد‪ ،‬افزایش پالریته حالل باعث پایدارتر شدن این حالت انرژی میگردد‪ .‬مثالا در انتقال ‪ π‬به *‪ π‬با‬
‫افزایش قطبیت حالل‪ ،‬سطح انرژی *‪ π‬پایدارتر از سطح انرژی ‪ π‬خواهد شد (درستی گزاره ‪( )4‬به مقاله‬
‫"طیفسنجی جذبی مرئی– فرابنفش )‪ " (UV-Vis Spec‬مراجعه کنید‪).‬‬

‫منابع‪ :‬مقاالت "طیفسنجی مادون قرمز )‪ "(IR Spectroscopy‬و "طیفسنجی جذبی مرئی – فرابنفش‬
‫)‪"(UV-Vis Spec‬‬

‫سرفصل‪ :‬روشهای شناسایی – ( ‪)UV-Vis Spec –IR‬‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪47‬‬
 ‫تعداد سواالت‪ 2۳ :‬سؤال‬ ‫کاربردهای فناوری نانو در حوزه آب و محیطزیست‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)76‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫از نظر بازده فیلتراسیون آالیندهها‪ ،‬غشاهای نانوفیلتراسیون‪ ،‬مابین غشاهای اسمز معکوس و‬
‫اولترافیلتراسیون قرار دارند‪ .‬غشاهای نانوفیلتراسیون ساختار متخلخلی دارند و میتوانند گونههایی با اندازه‬
‫‪ ۳0۳1-۳0۳۳1‬میکرومتر را فیلتر کنند‪ .‬این نوع از غشاها میتوانند برای حذف بسیاری از مولکولهای آلی‪،‬‬
‫ویروسها‪ ،‬و محدوده وسیعی از نمکها مورد استفاده قرار گیرند‪ .‬عالوه بر این مزیت‪ ،‬غشاهای‬
‫نانوفیلتراسیون قادرند یونهای دوظرفیتی را پس بزنند و اغلب برای کاهش سختی آب آشامیدنی مورد‬
‫استفاده قرار میگیرند‪ .‬غشاهای اسمز معکوس بهقدری متراکم هستند که انگار هیچ حفرهای در ساختار‬
‫آنها وجود ندارد‪ .‬اندازه حفرات این غشاها در حدود ‪ ۳0۳۳1-۳0۳۳۳1‬میکرومتر است؛ یعنی در محدوده‬
‫نوسانات حرارتی زنجیرههای پلیمری سازنده غشا‪ .‬بنابراین غشاهای اسمز معکوس حتی قادرند گونههای‬
‫سبک پلیمری مانند جامدات غیرآلی محلول در آب (شامل یونهای نمک‪ ،‬مواد معدنی و یونهای فلزی) و‬
‫مولکولهای آلی را بهطور کامل فیلتر کنند‪ .‬طبق مطالب باال‪ ،‬تنها غشاهای اسمز معکوس توانایی حذف‬
‫گونههای با ابعاد ‪ ۳/۰‬تا ‪ ۳/7‬نانومتری (‪ ۳/۳۳۳7‬میکرومتری) را دارند‪( .‬منبع‪ :‬مقاله"اصول تصفیه آب با‬
‫استفاده از فناوریهای مبتنی بر غشا")‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب ‪ -‬غشا‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)77‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫معموال ا برای جلوگیری از تشکیل فیلمهای میکروبی‪ ،‬از کلر استفاده میشود‪ .‬البته الزم به توضیح است که‬
‫تحقیقات نشان میدهند که حتی درصورتیکه از کلر بهعنوان عامل گندزدا استفاده شود‪ ،‬ممکن است فیلم‬
‫نازکی از میکروارگانیسمها موسوم به فیلمهای زیستی میکروبی در سیستمهای توزیع آب شهری (بهویژه اگر‬
‫فرسوده باشند) تشکیل شود‪ .‬بنابراین‪ ،‬در بین گزینهها‪ ،‬تنها افزودن کلر توانایی جلوگیری از تشکیل فیلمهای‬
‫زیستی میکروبی را دارد‪ ،‬اما بازده آن ‪ %1۳۳‬نیست‪( .‬منبع‪ :‬مقاله "مروری بر آالیندههای آب و محیطزیست")‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب ‪ -‬معرفی‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪48‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)78‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫فرآیند همگن فنتون در مقایسه با روشهای غیرهمگن‪ ،‬محدودیتهای انتقال جرم و ممانعت فضایی‬
‫کمتری دارد‪ .‬با این حال‪ ،‬بازده تولید رادیکالهای فعال •‪ HO‬تنها در ‪ pH‬پایینتر از ‪ 4‬قابلتوجه بوده و با‬
‫انباشت سرباره اکسید آهن پس از خنثیسازی یونهای آهن همراه است‪ .‬عالوهبراین‪ ،‬سرعت چرخه‬
‫اکسایش‪-‬کاهش بهدلیل کندی ذاتی سینتیک فرایند کاهش ‪ Fe3+‬به ‪ Fe2+‬کاسته میشود‪ .‬با توجه به‬
‫مطالب گفته شده‪ ،‬گزینه (‪ )4‬صحیح است‪( .‬منبع‪ :‬مقاله "استفاده از نانومواد کاتالیستی در تصفیه آب از‬
‫طریق فرایندهای پیشرفته اکسیداسیون‪ :‬فرایندهای مبتنی بر عوامل اکسایش‪-‬کاهش")‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب ‪ -‬نانوکاتالیست‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)78‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫در مقاله "کاربرد نانوحسگرها در تصفیه آب" بهوضوح اشاره شده که با استفاده از روشهای طیفسنجی‬
‫رامان‪ ،‬طیفسنجی رامان ارتقایافته سطحی و میکروسکوپهای الکترونی عبوری و روبشی میتوان تغییرات‬
‫ایجادشده در نانوحسگرها پس از برخورد با فلزات سنگین را بررسی کرد‪ .‬بهعنوان مثال‪ ،‬با حضور یونهای‬
‫کادمیوم در حد ‪ ،ppm‬شدت پیک طال در طیف رامان کاهش مییابد‪ .‬چنین تغییراتی در پیکها امکان تأیید‬
‫حضور یونهای آالینده را فراهم میسازد‪ .‬همچنین‪ ،‬از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی میتوان حضور‬
‫و تجمع یونهای آالینده روی نانوحسگرها را مشاهده کرد‪ .‬از تخلخلسنج جیوهای برای تعیین مقدار و‬
‫توزیع تخلخلهای موجود در یک ماده متخلخل استفاده میشود‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب ‪ -‬نانوحسگر‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)8۳‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫طبق استانداردهای موجود برای کیفیت آب تصفیه شده‪ ،‬یک محدوده مجاز برای تمامی مواد آلی و معدنی‬
‫که بهنوعی آالینده آب محسوب میشوند‪ ،‬وجود دارد‪ .‬بسته به میزان مضر بودن این آالیندهها‪ ،‬این محدوده‬
‫میتواند کم یا زیاد باشد‪ .‬طبق مطالب مندرج در مقاله "مروری بر آالیندههای آب و محیط زیست"‪ ،‬با توجه‬
‫به میزان مجاز آالیندهها در آب‪ ،‬غلظت کلیه آالینده های رادیواکتیو باید به مرز صفر برسد و هرگونه اثری از‬
‫آنها در آب آشامیدنی موجب بروز سرطان میشود‪.‬‬

‫‪49‬‬
 ‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب ‪ -‬معرفی‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)81‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫در فرآیندهای پیشرفته تصفیه آب‪ ،‬از میکرو و نانوحبابها استفاده میشود‪ .‬البته‪ ،‬میکروحبابها توانایی‬
‫بیشتری در تخریب آالیندهها دارند‪ .‬دلیل این موضوع‪ ،‬تولید رادیکالهای هیدروکسیل در اثر متالشیشدن‬
‫آنهاست‪ .‬انفجار میکروحبابها منجر به حذف آالیندههای آلی محلول در آب مانند آفتکشها و همچنین‪،‬‬
‫میکروبزدایی آب میشود‪ .‬میتوان نتیجه گرفت با اینکه امکان جابهجایی ذرات معلق و آالیندههای موجود‬
‫در آب توسط نانوحبابها به دلیل ماندگاری باال و توانایی حرکت آنها در تمام جهات وجود دارد‪ ،‬اما قدرت‬
‫تخریبی ماکروحبابها بیشتر است‪( .‬منبع‪ :‬مقاله‪":‬کاربرد نانوحبابها در تصفیه آب (‪)")2‬‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب ‪ -‬نانوحباب‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)82‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫صرفنظر از نوع روش بهکاررفته‪ ،‬جداسازی جامد‪-‬مایع اولین مرحله در هر عملیات تصفیه پساب بهشمار‬
‫میرود‪ .‬شناورسازی متداولترین و مورد اعتمادترین روش جداسازی برای حذف سوسپانسیونهای حاوی‬
‫چربی‪ ،‬روغن و گریس محسوب میشود‪ .‬بهطورکلی‪ ،‬بازده فرآیند شناورسازی به سه مرحله متوالی (‪ )1‬برخورد‬
‫حباب‪-‬ذره‪ )2( ،‬چسبیدن و (‪ )۰‬جداشدن بستگی دارد‪ .‬با افزایش اندازه حباب‪ ،‬چسبندگی حباب‪-‬ذره کاهش‬
‫یافته و آبگریزی افزایش مییابد‪ .‬همانطوری که اشاره شد‪ ،‬نانوحبابها بهطور ترجیحی روی سطح ذرات‬
‫آبگریز تشکیل شده و باعث افزایش چسبندگی و کاهش قابلتوجه نیروی جدایش میگردد‪ .‬مطالعات‬
‫انجام گرفته در سالهای اخیر نشاندهنده افزایش چشمگیر بازده شناورسازی با استفاده از نانوحبابها‬
‫است‪ .‬احتمال جدایش حباب‪-‬ذره با معادله زیر بیان میشود (منبع‪ :‬مقاله "کاربرد نانوحبابها در تصفیه آب‬
‫(‪:)")2‬‬

‫‪1‬‬
‫= ‪Pd‬‬
‫‪F‬‬
‫‪1 + at‬‬
‫‪Fde‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬

‫= 𝑑𝑃 ⇒‬ ‫=‬ ‫‪= = 0.3‬‬
‫‪150 1 + 2 3‬‬
‫‪1+‬‬
‫‪75‬‬

‫‪50‬‬
 ‫که در آن ‪ Pd‬نشاندهنده احتمال جدایش حباب‪-‬ذره و ‪ Fat‬و ‪ Fde‬بهترتیب نیروی چسبندگی و نیروی‬
‫جدایش هستند‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب ‪ -‬نانوحباب‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)8۰‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫شکل صحیح گزاره (الف)‪ :‬مقاومت به گرفتگی منافذ )‪ (fouling resistance‬در غشاهای غیرآلی نسبت به‬
‫غشاهای آلی بسیار بیشتر است‪ .‬گزاره (ب) صحیح است‪ .‬شکل صحیح گزاره (ج)‪ :‬اگرچه غشاهای سرامیکی‬
‫ا‬
‫تقریبا کلیه غشاهای مورد استفاده در صنعت از نوع‬ ‫مزیتهای ویژهای نسبت به غشاهای آلی دارند‪ ،‬اما‬
‫پلیمری هستند‪ .‬گزاره (د) صحیح است‪ .‬شکل صحیح گزاره (ه)‪ :‬روشهای متنوعی برای ساخت غشاهای‬
‫هیبریدی وجود دارد که از مهمترین آنها میتوان به موارد زیر اشاره کرد‪( :‬الف) اختالط معمولی جزء آلی و‬
‫غیرآلی؛ (ب) وارونگی فازی (‪ )phase inversion‬که منجر به اختالط مناسب نانوذرات غیرآلی در زمینه پلیمری‬
‫میشود؛ (ج) پلیمریزاسیون درجا (‪ )interfacial polymerization‬که منجر به تشکیل الیه نازک‬
‫نانوکامپوزیتی بر روی سطح غشا یا الیه نازک میشود؛ (د) خودآرایی نانوذرات؛ و (ه) پوششدهی سطحی‪.‬‬
‫(منبع‪ :‬مقاله"اصول تصفیه آب با استفاده از فناوریهای مبتنی بر غشا")‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب ‪ -‬غشا‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)84‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫بررسی گزینه (‪ .)1‬این گزینه از مقاله "کاربرد نانوحبابها در تصفیه آب (‪ ")2‬برگرفته شده و حاوی گزارهای‬
‫غلط است‪ .‬صورت صحیح این گزاره به این صورت است‪ :‬در هنگام استفاده از نانوحبابها در فرآیند‬
‫شناورسازی‪ ،‬نانوحبابها بهطور ترجیحی روی سطح ذرات آبگریز تشکیل شده و باعث افزایش چسبندگی‬
‫شده و بهطور قابلتوجهی نیروی جدایش را کاهش میدهد‪.‬‬

‫بررسی سایر گزینهها‪:‬‬

‫گزینه (‪ )2‬برگرفته شده از مقاله "کاربرد نانوجاذبها در تصفیه آب (‪ ")1‬که حاوی گزارهای صحیح است‪.‬‬
‫تعیین ماهیت و توزیع مکان های فعال روی سطح نانوساختارها یک چالش اساسی است‪ .‬عوامل ذاتی مؤثر‬
‫بر عملکرد نانوذرات بهعنوان نانوجاذب در محلول یا زیرالیه شامل کسر باالی اتمهای سطحی‪ ،‬مساحت‬

‫‪51‬‬
‫سطح بزرگ تر‪ ،‬فعالیت شیمیایی باال‪ ،‬قابلیت جذب باال‪ ،‬نبود مقاومت داخلی در برابر نفوذ و انرژی چسبندگی‬
‫سطحی باال میباشد‪ .‬هرکدام از این عوامل‪ ،‬اتمها یا مولکولهای موجود در سطح و فصلمشترک را تحت‬
‫تأثیر قرار داده و باعث افزایش انرژی سطحی‪ ،‬دسترسی و تمایل تماس با سطح و غنیسازی آن میشود‪.‬‬

‫گزینه (‪ )۰‬برگرفته شده از مقاله "اصول تصفیه آب با استفاده از فناوریهای مبتنی بر غشا" که حاوی گزارهای‬
‫صحیح است‪ .‬از نظر بازده فیلتر آالیندهها‪ ،‬غشاهای نانوفیلتراسیون‪ ،‬مابین غشاهای اسمز معکوس و‬
‫اولترافیلتراسیون قرار دارند‪ .‬غشاهای نانوفیلتراسیون ساختار متخلخلی دارند و میتوانند گونههایی با اندازه‬
‫‪ µm ۳0۳1-۳0۳۳1‬را فیلتر کنند‪ .‬این نوع از غشاها میتوانند برای حذف بسیاری از مولکولهای آلی‪ ،‬ویروسها‪،‬‬
‫و محدوده وسیعی از نمک ها مورد استفاده قرار گیرند‪ .‬عالوه بر این مزیت‪ ،‬غشاهای نانوفیلتراسیون قادرند‬
‫یونهای دوظرفیتی را پس بزنند و اغلب برای کاهش سختی آب آشامیدنی مورد استفاده قرار میگیرند‪.‬‬

‫گزینه (‪ )4‬برگرفته شده از مقاله "استفاده از نانومواد کاتالیستی در تصفیه آب از طریق فرایندهای پیشرفته‬
‫اکسیداسیون‪ :‬فرایندهای مبتنی بر عوامل اکسایش‪-‬کاهش" که حاوی گزارهای صحیح است‪ .‬سایر راهکارها‬
‫شامل ورود اضافی جریان الکتریکی و افزودن مواد کربنی به این کاتالیستها هستند‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – (غشا – نانوکاتالیست – نانوحباب – جاذب)‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)85‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫بهطورکلی‪ ،‬سه چالش اصلی در زمینه استفاده از نانوجاذبها در فرآیند تصفیه آب وجود دارد که شامل موارد‬
‫زیر است (منبع‪ :‬مقاله "کاربرد نانوجاذبها در تصفیه آب (‪:)")1‬‬

‫ضرورت استفاده از مواد حامل )‪(Supporting materials‬‬ ‫‪-‬‬

‫جداسازی نانومواد )‪(Separation of nanomaterials‬‬ ‫‪-‬‬
‫بازیابی نانوجاذبها )‪(Regeneration of nanoadsorbents‬‬ ‫‪-‬‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – جاذب‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)86‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫برای رد گزینههای (‪ )1‬و (‪ )2‬از مقاله "تصفیه آب با استفاده از غشاهای نانومقیاس" استفاده میشود‪:‬‬

‫‪52‬‬
 ‫گزینه (‪ :)1‬در سالهای اخیر‪ ،‬مواد فوتوکاتالیستی را روی غشاهای پلیمری پوشش میدهند تا سطوح فعالی‬
‫را برای بهبود جداسازی آالیندهها از محیطهای آبی تشکیل دهند‪ .‬در این فناوری‪ ،‬بازیابی مواد کاتالیستی‬
‫دیگر یک چالش جدی نخواهد بود‪ .‬اغلب از ‪ TiO2‬بهعنوان پوشش استفاده میشود‪ ،‬زیرا این ماده در برابر‬
‫نور فرابنفش‪ ،‬خاصیت آنتیباکتریال و فوتوکاتالیستی از خود نشان میدهد‪ .‬بنابراین‪ ،‬پوششدهی نانوذرات‬
‫تیتانیومدیاکسید روی غشاهای پلیمری نمیتواند بهعنوان دلیلی برای شکست پروژه در نظر گرفته شود‪.‬‬

‫گزینه (‪ :)2‬اغلب مواد فوتوکاتالیستی به صورت ذرات پراکنده در یک محیط آبی مورد استفاده قرار میگیرند؛‬
‫زیرا در این حالت دارای سطح آزاد بزرگتری بوده و بازده فوتوکاتالیستی مطلوبتری را بهوجود میآورند‪ .‬با‬
‫این حال‪ ،‬مشکل اصلی فرایندهای پراکندهسازی (‪ )dispersion‬نانوذرات در محلولهای آبی‪ ،‬بازده پایین‬
‫آنها در بازیابی مواد پس از تخریب نوری است‪ .‬بنابراین‪ ،‬پراکندن این ذرات نه تنها مشکلساز نیست‪ ،‬بلکه‬
‫باعث بهبود فرآیند میشود‪.‬‬

‫در همین مقاله‪ ،‬بهوضوح اشاره شده است که خاصیت فوتوکاتالیستی سیستمهای نانومقیاس زمانی ظاهر‬
‫میشود که نانوذرات نیمهرسانا در معرض تابش پرتویی با انرژی ‪ hʋ‬قرار بگیرند‪ ،‬بهطوریکه مقدار انرژی‬
‫دریافت شده‪ ،‬از عرض نوار ممنوعه ماده بزرگتر باشد‪ .‬بنابراین‪ ،‬باید انرژی ‪ hʋ‬مورد استفاده توسط این‬
‫شرکت محاسبه شود‪:‬‬

‫‪E = hυ = 4.1356 × 10−15 × 740 × 1012 = 3.06 eV‬‬

‫با در نظر گرفتن انرژی نوار ممنوعه روتایل‪ ،eV ۰028 ،‬نتیجه گرفته میشود که این پرتو توانایی ایجاد‬
‫الکترون‪-‬حفره در روتا یل را ندارد‪ ،‬پس یا باید فرکانس پرتو را افزایش داد‪ ،‬یا از مادهای دیگر با انرژی کمتر‬
‫نوار ممنوعه استفاده کرد‪ .‬آناتاز دارای نوار ممنوعه ‪ eV ۰0۳‬است؛ بنابراین یک راهکار مناسب برای جایگزینی‬
‫بهشمار میرود‪.‬‬

‫در گزینه (‪ ،)4‬چون اشاره به بیشتر بودن انرژی ورودی از عرض نوار ممنوعه نانوذرات تیتانیومدیاکسید‬
‫کرده‪ ،‬غلط است‪ .‬الزم به ذکر است که نوار ممنوعه اکسید روی بیشتر از روتایل بوده و برابر با ‪۰0۰7 eV‬‬
‫است‪.‬‬

‫(منبع‪ :‬مقاله "تصفیه آب با استفاده از غشاهای نانومقیاس")‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – (غشا – فوتوکاتالیست)‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪53‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)87‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫مدلهای مختلفی در جدول ‪ 1‬ارائه شده در مقاله "کاربرد جاذبها در تصفیه آب"‪ ،‬بر اساس فرضیات متفاوت‬
‫برای فرآیند جذب پیشنهاد شدهاند‪ .‬مدلهای النگمویر و فرویندلیچ متداولترین مدلهای مورد استفاده در‬
‫تعیین عملکرد جاذبها هستند‪ .‬در میان این مدلها‪ ،‬مدل فرویندلیچ برای سطوح ناهمگن مناسب بوده و‬
‫می تواند برای جذب چندالیه به کارگرفته شود‪ .‬بنابراین گزینه صحیح یکی از دو گزینه (‪ )۰‬و (‪ )4‬خواهد بود‪.‬‬
‫طبق فرمولهای ارائه شده در مقاله مذکور‪ ،‬صورت غیرخطی جذب فرویندلیچ بهشکل زیر است‪:‬‬

‫𝑛‪⁄‬‬
‫‪𝑞𝑒 = 𝐾𝐹 𝐶𝑒1‬‬

‫با جایگذاری دادهها‪:‬‬

‫𝑔‪⇒ 𝑞𝑒 = 0.5337 × 0.50.62 = 0.5337 × 0.65 = 0.3469 𝑚𝑔/‬‬

‫(منبع‪ :‬مقاله "کاربرد جاذبها در تصفیه آب")‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – جاذب‬

‫درجه سختی‪ :‬بسیار سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)88‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫امکان انجام واکنش کاهش در صورتی که پتانسیل واکنش کاهش منفیتر از پتانسیل نوار رسانش باشد‪،‬‬
‫وجود ندارد و همچنین امکان انجام واکنش اکسایش در حالتی که پتانسیل واکنش اکسایش مثبتتر از‬
‫انرژی پتانسیل نوار ظرفیت باشد وجود ندارد‪ .‬تنها در ماده نیمهرسانا ‪ WO3‬نوار ظرفیت پتانسیل مثبتتری‬
‫نسبت به پتانسیل تشکیل رادیکال •‪ 2/28( OH‬ولت) دارد‪ .‬پس گزینه (‪ )1‬صحیح خواهد بود‪( .‬منبع‪ :‬مقاله‬
‫"کاربرد مواد فوتوکاتالیستی در تصفیه آب")‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – فوتوکاتالیست‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)88‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫ایزوترم النگمویر با فرض جذب تکالیه روی سطح همگن با تعداد معینی از مناطق جذب سطحی به دست‬
‫آمده است‪ .‬مدل فرویندلیچ برای سطوح ناهمگن مناسب بوده و میتواند برای جذب چندالیه به کارگرفته‬
‫شود‪ .‬مدلهای النگمویر و فرویندلیچ متداولترین مدلهای مورد استفاده در تعیین عملکرد جاذبها‬

‫‪54‬‬
 ‫ا‬
‫عمدتا برای تعیین مکانیزم جذب سطحی (جذب فیزیکی یا شیمیایی)‬ ‫هستند‪ .‬ایزوترم دوبینین‪-‬رادوشکویچ‬
‫با استفاده از انرژی آزاد میانگین روی سطح ناهمگن مورد استفاده قرار میگیرد‪ .‬ایزوترم تمپکین فرض‬
‫میکند که گرمای جذب سطحی بهصورت خطی کاهش مییابد‪ .‬ایزوترم فلوری‪-‬هاگینز بر ماهیت انجام‬
‫خودبهخودی و امکان پذیری فرآیند جذب سطحی داللت دارد‪ .‬در مدل ایزوترم هیل فرض میشود که مناطق‬
‫اتصال لیگاند در یک درشتمولکول قادر است دیگر مناطق اتصال آن را تحت تأثیر قرار دهد‪ .‬مدل ایزوترم‬
‫ِردلیچ‪-‬پیترسن متداولترین مدل مورد استفاده با سه پارامتر بوده و بهصورت ترکیبی از دو مدل النگمویر و‬
‫فرویندلیچ میباشد‪ .‬با توجه به این مطالب‪ ،‬میتوان صورت صحیح گزینه نادرست را به این شکل نوشت‪:‬‬
‫ایزوترم تمپکین فرض میکند که گرمای جذب سطحی بهصورت خطی کاهش مییابد‪( .‬منبع‪ :‬مقاله "کاربرد‬
‫جاذبها در تصفیه آب")‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – جاذب‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)8۳‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫شکل (الف) نشاندهنده شمایی از روش تجزیه‪ ،‬و شکل (ب) شمایی از روش جریان گاز‪-‬آب را نشان میدهد‪.‬‬
‫در تولیدکننده های بر پایه تجزیه‪ ،‬یک شرایط فوق اشباع برای انحالل گاز در فشار باال ‪ ۰۳4-4۳5‬کیلوپاسکال‬
‫ایجاد میشود‪ .‬در چنین فشارهای باالیی‪ ،‬گاز فوقاشباع بسیار ناپایدار بوده و معموال ا از آب خارج میشود‪.‬‬
‫بنابراین‪ ،‬تعداد زیادی از نانوحبابها‪ ،‬با سرعت بسیار باال تولید میشوند‪ .‬در تولیدکنندههایی که بر پایه‬
‫جریان گاز‪-‬آب هستند‪ ،‬گاز به گردآب وارد شده و سپس حبابهای گاز با شکستن این گردآب‪ ،‬به نانوحباب‬
‫تبدیل میشوند‪ .‬عالوه بر روشهای اصلی تولید نانوحبابها‪ ،‬از الکترود پاالدیوم کوپلشده با فرآیند‬
‫اولتراسونیک )‪ (Ultrasonication‬برای تولید نانوحبابهایی با قطر متوسط ‪ ۰۳۳-5۳۳‬نانومتر استفاده‬
‫میشود‪ .‬همچنین‪ ،‬تولید نانوحبابهایی با قطر میانگین ‪ 4۳۳-7۳۳‬نانومتر با استفاده از فرآیند اولتراسونیک‬
‫مخلوطی از سورفکتانتها گزارش شده است‪ .‬در فرآیند اولتراسونیک‪ ،‬از فرکانسهای اولتراسونیک (بیش از‬
‫‪ 2۳‬کیلوهرتز) استفاده می شود‪ .‬بنابراین‪ ،‬اگرچه فرآیند اولتراسونیک مخلوطی از سورفکتانتها و الکترود‬
‫پاالدیوم کوپلشده با فرآیند اولتراسونیک از دیگر روشهای تولید نانوحبابها هستند‪ ،‬اما تصاویر موجود‬
‫شمایی از آنها را نشان نمیدهند‪( .‬منبع‪ :‬مقاله "کاربرد نانوحبابها در تصفیه آب (‪)")1‬‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – نانوحباب‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪55‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)81‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫رویه غالب برای بهبود فعالیت فوتوکاتالیستی عبارت است از تشکیل فصلمشترکهایی با‬
‫کمککاتالیستهای (‪ )Co-catalyst‬فلزی مانند نانوذرات پالتین‪ ،‬پاالدیوم و طال که بهعنوان گیرنده الکترون‬
‫عمل کرده و انتقال الکترون از سراسر سد شاتکی حاصل را تسهیل میکنند (نادرستی گزاره ‪ .)4‬سایر گزینهها‬
‫حاوی گزاره صحیحی هستند‪.‬‬

‫(منبع‪ :‬مقاله "استفاده از نانومواد کاتالیستی در تصفیه آب از طریق فرایندهای پیشرفته اکسیداسیون‪:‬‬
‫فرایندهای مبتنی بر نور و الکتریسیته")‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – فوتوکاتالیست‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)82‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫در گزینه (‪ )2‬شرایط کاری در کاربردهای درجا و غیر درجا برعکس نوشته شده است‪ .‬صورت صحیح گزاره‬
‫موجود در گزینه (‪ )2‬به این صورت است‪ :‬نانوذرات آهن صفر ظرفیتی برای تصفیه درجا و غیردرجای آبهای‬
‫زیرزمینی مورد استفاده قرار میگیرند‪ .‬برای کاربردهای درجا‪ ،‬پودر نانوذرات آهن صفرظرفیتی با آب مخلوط‬
‫شده و سپس به محل موردنظر تزریق میشود‪ .‬در تصفیه غیردرجا‪ ،‬نانوذرات آهن صفرظرفیتی در زمینهای‬
‫مانند کربن فعال‪ ،‬زئولیت‪ ،‬نانولولههای کربنی و غیره جاسازی میشوند‪.‬‬

‫بررسی سایر گزینهها‪:‬‬

‫گزینه (‪ :)1‬آالییدن نانوذرات دیاکسید تیتانیوم با سیلیسیوم باعث افزایش تجزیه ترکیبات آلی میشود‪.‬‬
‫دلیل این موضوع‪ ،‬افزایش تولید رادیکالهای هیدروکسیل است‪ .‬بهعنوان مثال‪ ،‬آالییدن نانوذرات دیاکسید‬
‫تیتانیوم با سیلیسیوم با افزایش سطح ویژه و بلورینگی نانوذرات‪ ،‬کارایی آنها را بهبود میبخشد‪ .‬همچنین‪،‬‬
‫آالییدن نانوذرات دیاکسید تیتانیوم با نیتروژن و آهن سهظرفیتی بهترتیب بازده آن در کاهش رنگهای آزو‬
‫و فنول را افزایش میدهد‪ .‬بنابراین این گزینه صحیح است‪.‬‬

‫گزینه (‪ :)۰‬از نانومواد اکسید فلزی مانند دیاکسید تیتانیوم و اکسید سریوم‪ ،‬بهعنوان کاتالیست برای‬
‫افزایش سرعت واکنشهای منجر به کاهش آلودگیهای آلی در فرآیندهای ُازندهی استفاده میشود‪.‬‬
‫دیاکسید تیتانیوم بهعنوان عامل احیای فوتوکاتالیستی و نیز بهعنوان یک جاذب عمل کرده و توانایی‬
‫تصفیه آب بهصورت درجا و غیردرجا را دارد‪ .‬خاصیت فوتوکاتالیستی دیاکسید تیتانیوم‪ ،‬بیشتر از ویژگی‬
‫کاتالیستی آن مطرح است‪ ،‬بهطوریکه دیاکسید تیتانیوم توانایی تولید رادیکالهای آزاد در حضور پرتو‬
‫فرابنفش‪ ،‬آب و اکسیژن را دارد‪ .‬بنابراین این گزینه صحیح است‪.‬‬

‫‪56‬‬
 ‫گزینه (‪ :)4‬با اینکه نانوذرات آهن صفرظرفیتی گرانتر از میکروذرات آهن صفرظرفیتی هستند‪ ،‬اما بهدلیل‬
‫سطح ویژه و واکنشپذیری بسیار باالتر آنها‪ ،‬استفاده از آنها بهعنوان کاتالیست در فرآیند تصفیه آب‬
‫توجیه اقتصادی دارد‪ .‬از نانوذرات آهن صفرظرفیتی برای فرآوری تعداد زیادی از آلودگیهای متداول‬
‫زیستمحیطی مانند متان کلردار‪ ،‬بنزن کلردار‪ ،‬رنگهای آلی‪ ،‬تریهالومتانها‪ ،‬آرسنیک‪ ،‬نیترات و فلزات‬
‫سنگین مانند جیوه‪ ،‬نیکل و نقره استفاده میشود‪ .‬همچنین‪ ،‬نانوذرات آهن صفرظرفیتی توانایی کاهش‬
‫آلودگیهای ترکیبات آلی کلردار شده سمی مانند ‪2‬و‪-2‬دیکلروبیفنیل را دارند‪ .‬بنابراین این گزینه صحیح‬
‫است‪( .‬منبع‪ :‬مقاله "کاربرد نانوکاتالیستها در تصفیه آب")‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – نانوکاتالیست‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)8۰‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫مزایای اصلی فرآیند حذف رنگ با استفاده از ُازندهی نانوحبابها شامل (‪ )1‬مساحت سطحی بزرگتر گاز‪-‬‬
‫مایع‪ )2( ،‬نیاز کمتر به ُازن و (‪ )۰‬تولید رادیکالهای هیدروکسیل با شدت بیشتر میشود‪ .‬همچنین‪ ،‬امکان‬
‫استفاده از ُازندهی نانوحبابها تحت شرایط اسیدی و قلیایی وجود دارد‪ .‬طبق مطالب اشاره شده‪ ،‬نتیجه‬
‫گرفته میشود که تنها گزینه (‪ )2‬حاوی گزارهای نادرست است‪( .‬منبع‪ :‬مقاله" کاربرد نانوحبابها در تصفیه‬
‫آب (‪)")2‬‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – نانوحباب‬

‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)84‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫برای دستیابی به فرآیند شکافت آب‪ ،‬سطوح انرژی نوار رسانش و نوار ظرفیت نیمهرسانا به ترتیب باید‬
‫منفیتر و مثبتتر از پتانسیلهای کاهش و اکسایش باشند‪ .‬برای تخریب آالیندهها‪ ،‬گونههای فعال‬
‫اکسنده باید به وسیله کاهش ‪ O2‬تولید شوند‪ .‬واکنش کاهش ‪ O2‬یا توسط الکترونهای برانگیخته در نوار‬
‫رسانش و یا از طریق تشکیل رادیکالهای هیدروکسیل توسط حفرههای برانگیختهشده صورت میگیرد‪ .‬برای‬
‫کاهش فوتوکاتالیستی ‪ CO2‬نوار رسانش نیمهرسانا باید منفیتر از پتانسیل واکنش موردنظر برای دستیابی‬
‫به واکنش اکسیداسیون آب باشد‪ .‬بنابراین گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪( .‬منبع‪ :‬مقاله"کاربرد مواد‬
‫فوتوکاتالیستی در تصفیه آب")‬

‫‪57‬‬
 ‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – فوتوکاتالیست‬

‫درجه سختی‪ :‬سخت‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)85‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫بر اساس مقاله "کاربرد نانوجاذبها در تصفیه آب ‪ :"2‬علیرغم مزایای زیاد استفاده از نانولولههای کربنی‬
‫بهعنوان نانوجاذب‪ ،‬کاربرد این نانولولهها در فرآیند تصفیه آب در سراسر جهان هنوز هم با محدودیتهایی‬
‫مواجه است‪ .‬محدودیت اصلی در این زمینه‪ ،‬هزینه بسیار باالی تولید نانولولههای کربنی است (رد گزینههای‬
‫‪ ۰‬و ‪ .)4‬تالشهای بسیاری برای تولید و توسعه نانولولههای کربنی چندجداره ارزانقیمت صورت گرفته‬
‫است‪ .‬بهعنوان مثال‪ ،‬برای تولید نانولولههای کربنی مقرونبهصرفه‪ ،‬از سنتز نانوساختارهای کربن گرافیتی با‬
‫استفاده از پیرولیز نانولولههای پلیپیرول استفاده شده است که عالوه بر صرفه اقتصادی‪ ،‬سنتز آن از لحاظ‬
‫زیستمحیطی نیز بیخطر میباشد‪ .‬با وجود هزینه کمتر تولید نانولولههای کربنی چندجداره نسبت به‬
‫نانولولههای کربنی تکجداره‪ ،‬تولید نانولولههای کربنی چندجداره یک فرآیند گرانقیمت بهشمار میرود (رد‬
‫گزینه ‪ 1‬و تایید گزینه ‪.)2‬‬

‫سرفصل‪ :‬کاربرد آب – جاذب‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪58‬‬
 ‫تعداد سواالت‪ 5 :‬سؤال‬ ‫تجاریسازی و محصوالت ساخت ایران‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)86‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫شرایط مربوط به ویژگیهای خود اختراع یا شرایط اساسی (‪ ،)substantive conditions‬معموال ا شرایط‬
‫پتنتشدن (‪ )patentability‬نامیده میشود که عبارتند از‪:‬‬

‫‪« -1‬الزام موضوع مناسب» )‪ (proper subject matter requirement‬یا «الزام موضوع قابل پتنت»‬

‫‪« -2‬الزام سودمندی» یا «الزام کاربردپذیری صنعتی»‬

‫‪« -۰‬الزام نوآوری»‬

‫‪« -4‬الزام غیربدیهی بودن» (‪ )non-obviousness requirement‬یا «الزام گام ابتکاری» ( ‪inventive step‬‬
‫‪)requirement‬‬

‫با توجه به موارد باال که در مقاله "شرایط الزم برای ثبت شدن یک اختراع‪ :‬مقدمه" گزینه ‪ 2‬صحیحترین‬
‫گزینه میباشد‪.‬‬

‫سرفصل‪ :‬مالکیت فکری‬

‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)87‬گزینه ‪ 2‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫برطبق مقاله "ارزش پتنت و روشهای ارزشگذاری پتنت"‪ ،‬ارزش اقتصادی پتنت تنها به وسیله اطالعات‬
‫موجود در یک پتنت تعیین نمیشود بلکه عوامل متفاوتی مانند فناوری موضوع پتنت‪ ،‬شرکتهای رقیب و‬
‫بازار نیز تعیینکننده ارزش پتنت است‪(.‬نادرستی گزینه ‪)2‬‬
‫بقیه موارد بر طبق مقاله صحیح است‪.‬‬
‫سرفصل‪ :‬ارزشگذاری پتنت‬
‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪59‬‬
 ‫پاسخ سؤال (‪ :)88‬گزینه ‪ 4‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫با توجه به کتاب "محصوالت فناوری نانو ساخت ایران" سیستم انتخابی الکترودیالیز انتخابی جهت دفع‬
‫فلزات سنگین جزو محصوالت ساخت ایران نمیباشد؛ بلکه سیستم انتخابی الکترودیالیز انتخابی جهت‬
‫نیتراتزدایی جزو محصوالت ساخت ایران است‪.‬‬
‫سرفصل‪ :‬محصوالت فناوری نانو ساخت ایران‬
‫درجه سختی‪ :‬متوسط‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)88‬گزینه ‪ ۰‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫با توجه به کتاب "محصوالت فناوری نانو ساخت ایران" ماده مؤثره داروی سیناکورکومین زردچوبه است‪.‬‬
‫(نادرستی گزینه‪)۰‬‬
‫بقیه موارد بر طبق کتاب محصوالت صحیح است‪.‬‬
‫سرفصل‪ :‬محصوالت فناوری نانو ساخت ایران‬
‫درجه سختی‪ :‬آسان‬

‫‪------------------------------------------------------------------------------------‬‬

‫پاسخ سؤال (‪ :)1۳۳‬گزینه ‪ 1‬پاسخ صحیح است‪.‬‬

‫با توجه به کتاب "محصوالت فناوری نانو ساخت ایران" نانوذرات نقره خاصیت آنتیباکتریال دارند که در‬
‫محصوالت سیلوسپت‪ ،‬واکس چرم آنتی باکتریال و نانوبیوساید به کار رفته است‪.‬‬
‫سرفصل‪ :‬محصوالت فناوری نانو ساخت ایران‬
‫درجه سختی‪ :‬خیلی آسان‬

‫‪60‬‬