‫گرافن‬

‫اتم کربن یکی از مهم ترین عناصر جدول تناوبی است که اساس ‪ DNA‬و حیات روی کره‬
‫زمین است ‪ .‬کربن میتواند به چندین شکل وجود داشته باشد‪ .‬متداول ترین فرم کربن‪،‬‬
‫گرافیت است که از صفحات ردیف شده کربن با ساختارهای شش ضلعی ساخته شده است‪.‬‬
‫گرافیت تحت فشار زیاد منجر به تولید الماس میشود که یک فرم ناپایدار از کربن است ‪.‬‬
‫یک شکل شبه یک بعدی مربوط به کربن‪ ،‬نانوتیوب کربن نام دارد ‪ .‬واحد تشکیل دهنده‬
‫فولرنس ‪ 1‬و نانوتیوب‪ ،‬گرافن است‪ .‬گرافن یکی از آلوتراپهای کربن به شکل دوبعدی در‬
‫مقیاس اتمی است که بصورت شش ضلعی و شبیه النه زنبور شکل گرفته است‪ ، .‬این ماده‬
‫جزء اساسی و ابتدایی سایر آلوتراپ ها از جمله گرافیت‪ ،‬زغال چوب‪ ،‬نانوتیوب های کربن‬
‫و فولرنس است‪ .‬محکم ترین ماده ای است که تاکنون مورد مطالعه قرار گرفته ‪ ،‬جایگزینی‬
‫برای سیلیکون است‪ .‬ماده ای سخت تر از الماس ‪ ،‬رساناتر از مس و با شفافیت باال که‬
‫میتواند به بسیاری از عرصه های علم و فناوری نفوذ کند‪[1] .‬گرافیت یکی از اشکال کربن‬
‫است‪ .‬یکی از راههای تولید گرافن این است که الیه های گرافیت را به میزان مطلوب از هم‬
‫دور میکنند تا به گرافن تبدیل شود‪.‬‬

‫]‪[17‬‬

‫تاریخچه گرافن‬
‫تئوری گرافن برای نخستین بار توسط واالس در سال ‪ 1947‬به عنوان نقطه آغازین برای فهم‬
‫ویژگیهای الکترونیکی گرافن مطرح شد‪ [2] .‬قضیه ای به نام مرمین‪ -‬واگنر در مکانیک‬
 ‫آماری و نظریه میدان های کوانتومی وجود دارد که ساخت یک ماده دوبعدی را غیرممکن‬
‫و چنین ماده ای را ناپایدار میکند‪ [3] .‬دلیل عمدد این مسئله این است که طبیعت به ضرط‬
‫قاطع از رشد کریستالهای با ابعاد کوچک جلوگیری میکند‪ .‬با این وجود‪ ،‬عدم امکان رشد‬
‫ساختارهای دو بعدی به این معنا نیست که نمیتوان آنها تا بصورت مصنوعی تولید کرد‪ .‬در‬
‫واقع یک تک الیه (مثل گرافن) میتواند بر روی یک کریستال دیگر رشد پیدا کند ؛ لذا‬
‫نوسانات گرمایی‪ ،‬دیگر قادر به شکستن مرزهای اتمی در کریستالهای دوبعدی‬
‫ماکروسکوپیک نبوده و باعث تبدیل آنها به اشیای سه بعدی خواهد شد‪ [4] .‬این فرضیات‪،‬‬
‫باعث دستیابی به یک روش اساسی برای ایجاد کریستال های دوبعدی می شود‪ .‬در سال‬
‫‪ 1962‬میالدی برای اولین بار توسط هانس پیتر بوهم این ایده مطرح شد ولی بعد ها در‬
‫سال ‪ 2004‬آندره گیم و کنستانتین نووسلوف با این روش که اساس آن ‪ ،‬ورقه ورقه کردن‬
‫مکانیکی مواد چندالیه ای مثل گرافیت به صفحات تک اتمی مستقل است‪ ،‬گرافن توانست‬
‫برای اولین بار ایزوله و مطالعه شود‪ .‬آندره و کنستانتین توانستند گرافن را برای اولین بار‬
‫با نوار چسب جدا کنند‪ .‬این نوار بدین منظور مورد استفاده قرار گرفت تا گرافیت را به الیه‬
‫های نازک تری جدا کند ‪ .‬سپس نوار همراه با الیه های گرافیت در استون حل شد و طی‬
‫چندین مرحله ‪ ،‬تکه هایی شامل تک الیه کربن روی یک قرص از جنس سلیکون رسوبدهی‬
‫شد ‪ .‬قابل ذکر است که برای کنترل مراحل عنوان شده از یک میکروسکوپ نوری استفاده‬
‫شد ‪ .‬این روش را نوار اسکاچ نامیدند ‪ .‬این روش در علم فیزیک نوآورانه بود بهمین خاطر‬
‫آندره و کنستانتین و همکارانشان از دانشگاه منچستر در سال ‪ 2010‬جایزه نوبل را از ان‬
‫خود کردند‪ .‬نکته مهمی که در مورد این کریستال های دو بعدی وجود دارد این است که این‬
‫صفحات نازک تک اتمی در شرایط محیطی پایدار هستند که این نشان دهنده کیفیت باالی‬
‫کریستال و پیوستگی آنها در مقیاس ماکروسکوپیک است‪ [5-7].‬یا بعبارتی دیگر گرافن از‬
‫ورقه ورقه کردن گرافیت به دست می آید‪.‬‬

‫ساختار و ویژگیها‬
‫گرافن یک الیه تک اتمی با ضخامت ‪ 0/34‬نانومتر اسد که اتم های کربن آن در یک آرایش‬
‫شش‪ -‬ضلعی منظم‪ ،‬با سه اتم دیگر پیوندهای کواالنسی محکمی برقرار کرده اند و زوایای‬
‫بین آنها با یکدیگر مساوی و برابر با ‪ 120‬درجه است‪ .‬اتمهای کربن در این ساختار با‬
‫فاصله ‪ 0/142‬نانومتر از یکدیگر قرار گرفته اند‪ .‬در ساختار شش ضلعی گرافن‪ ،‬هر اتم‬
‫کربن دارای چهار پیوند است‪ .‬یک پیوند ‪ σ‬با هریک از سه اتم همسایه و یک پیوند ‪ π‬که به‬
 ‫سمت خارج صفحه‪ ،‬متمایل شده است‪ .‬پیوند ‪، σ‬پیوندی محکم بوده و باعث پایداری گرافن‬
‫در حالت تک الیه شده است‪ .‬هر اتم کربن با سه اتم مجاورش پیوند داده و شبکه شش‬
‫ضلعی منظمی را ایجاد کرده است‪ .‬البته این ایده آل ترین حالت یک صفحه گرافن است‪ .‬در‬
‫برخی مواقع‪ ،‬شکل این صفحه به گونهای تغییر میکند که در آن پنج ضلعی ها و هفت‬
‫ضلعی هایی نیز ایجاد میشود‪.‬این الیه خود بر روی الیه دیگری قرار گرفته و به این‬
‫ترتیب‪ ،‬چهارمین الکترون ظرفیت هم پیوند شیمیایی تشکیل داده است ‪.‬همان گونه که اشاره‬
‫شد ‪ ،‬پیوند چهارم از نوع پیوند ‪ π‬است که به مراتب از پیوند ‪ σ‬سست تر میباشد‪ .‬به همین‬
‫سر می خورند و میتوانند در نوک مداد به عنوان نوشت ‪-‬‬ ‫دلیل الیه های گرافیت روی هم ُ‬
‫افزار به کات روند‪ .‬گرافن ماده ایست که در آن تنها یکی از الیه های گرافیت وجود دارد و‬
‫به عبارتی‪ ،‬چهارمین الکترون پیوندی کربن به عنوان الکترون آزاد باقی مانده است‪[1].‬‬

‫ویژگی های جالب گرافن‬

‫ویژگیهای متفاوت گرافن‪ ،‬منجر به کابردهای متنوع آن شده است‪ .‬این ماده بسیار نازک‬
‫است و از لحاظ مکانیکی از استحکام بسیار باالیی برخوردار میباشد‪ .‬در عین حال‪ ،‬گرافن‬
‫ماده ای شفاف بوده و یک رسانای انعطاف پذیر نیز میباشد ‪.‬عالوه بر این‪ ،‬میتوان با تغلیظ‬
‫شیمیایی یا اعمال میدان الکتریکی‪ ،‬رسانایی گرافن را در محدوده وسیعی از فرکانس تغییر‬
‫داد‪ .‬این ویژگی بسیار مهمی است که در فلزات نظیر مس و طال یافت نمیشود‪.‬‬
‫‪ )1‬رسانایی گرمایی گرافن ‪:‬‬
‫رسانایی گرمایی مس و گرافن در دمای اتاق به ترتیب برابر ‪ 401‬و‪ 5000‬وات برمتردرجه‬
‫کلوین است یعنی گرافن ‪ 13‬برابر بهتر از مس گرما تا منتقل میکند‪ [8] .‬پژوهشگران چینی‬
‫و آمریکایی موفق شدند گرافن را طوری بهبود دهند تا هدایت الکتریکی آن افزایش یابد ‪ .‬به‬
‫این ترتیب موارد استفاده از گرافن گسترش یافت ‪ .‬یکی از این کاربرد ها ‪ ،‬استفاده از آن در‬
‫سیستم های تهویه برای قطعات الکترونیکی است ‪ .‬پژوهشگران دانشگاه های کالیفرنیا و‬
‫تگزاس در آمریکا و همچنین دانشگاه زیامن در چین نشان دادند که خواص گرمایی گرافنی‬
‫که از نظر ساختار اتمی مهندسی شده ‪ ،‬با گرافن معمولی تفاوت زیادی دارد ‪ .‬نتایج این‬
‫پژوهش که زیر نظر رودنی رادولف انجام شده در قالب مقاله ای ]‪ [23‬در نشریه نیچر‬
‫متریالز به چاپ رسیده است ‪ .‬از نتایج این تحقیق چنین استنباط می شود که از گرافن می‬
‫توان به عنوان عایق حرارت استفاده نمود ‪ .‬به همین دلیل از گرافن می توان در زمینه های‬
‫مختلفی همچون الکترونیک ‪ ،‬مخابرات استفاده کرد‪ .‬رودنی رادولف بیان میکند که ارزش‬
‫یافته های این پژوهش از آن جهت است که میتوان خصوصیات هدایت گرمایی گرافن‬
‫خالص را بگونه ای بهبود داد تا خواص دیگری همجون خصوصیات الکتریکی و نوری آن‬
‫تغییر نکند ‪ .‬گرافنی که از نظر ساختار اتمی خالص است ‪ ،‬میتواند در زمینه های گوناگونی‬
‫مورد استفاده قرار گیرد و از طرف دیگر می توان هزینه های تولید آن را نیز کنترل نمود‪.‬‬
‫رودنی رادولف همچنین اضافه می کند ‪ ،‬نتایج آزمایشگاهی بدست آمده برای هدایت گرمایی‬
‫گرافن مهندسی شده برای گسترش نظریه هدایت گرمایی در دیگر ساختار های دو بعدی ‪،‬‬
‫بسیار با اهمیت است ‪ .‬در این تحقیق از روش اپتوگرمایی رامان استفاده شده است ‪ .‬در این‬
‫روش که توسط باالندین ارایه شده است ‪ ،‬هدایت گرمایی محاسبه می شود ‪ .‬باالدین و گروه‬
‫تحقیقاتی او در سال ‪ 2008‬اثبات کردند که گرافن یک رسانای گرمایی فوق العاده است ‪.‬‬
‫آنها اولین نظریه مرتبط با هدایت گرمایی گرافن و ساختار های دو بعدی را ارایه کردند ‪.‬‬
‫این پژوهش که در نشریه نیچر متریالز چاپ شده است ‪ ،‬نشان میدهد هدایت الکتریکی‬
‫گرافنی که از نظر ساختار اتمی مهندسی شده بسیار بیشتر از گرافن ساده است ‪ .‬مواد‬
‫گرافن تقریبا شفاف است و تنها جذب ‪ % 2/3‬از نور را دارد‪.‬گرافن در طیف نوت مرئی‬
‫مستقل از طول موج عمل میکند ‪ ،‬لذا هیچ رنگی برای آن متصور نشده است ‪ .‬گرافن دارای‬
‫شدت شکست ‪ 42m/N‬است در حالیکه برای یک الیه تک اتمی از فوالد (یعنی یک الیه‬
‫از فوالد با ضخامت گرافن) ‪ ،‬این شدت شکست به عدد ‪ 0/4-4/8 m/N‬می رسد ؛ با این‬
‫توجیه‪ ،‬گرافن‪ ۱۰۰‬برابر از فوالد محکم تر خواهد بود‪ [9] .‬تحرک حامل ها در گرافن‬
‫برابر ‪ 200000cm2/Vs‬در دمای اتاق است ‪ .‬ضریب یانگ ‪1.5TPa‬است‪ .‬رسانایی‬
‫الکتریکی و حرارتی باال و تنظیم پذیر‪ ،‬گذردهی نوری ‪ ، 97/3%‬دنیای علم و رسانه ها را‬
‫تکان داده است‪ [18].‬این ویژگی های منحصر به فرد ‪ ،‬باعث استفاده از گرافن در صنعت‬
‫الکترونیک (ترانزیستورهای با سرعت باال( ]‪ ، [10‬سلول های خورشیدی ]‪ [11‬و طراحی‬
‫آنتن]‪ [12‬شده است‪.‬‬
‫الیه های گرافینی بین ‪ 5‬تا ‪ 10‬الیه را گرافن کم الیه ‪ ،‬بین ‪ 20‬تا ‪ 30‬الیه را گرافن چندالیه‬
‫و نانوبلورهای نازک گرافیتی را گرافن ضخیم می نامند ‪ .‬گرافن خالص تک الیه خواص‬
‫شبه فلزی از خود نشان می دهد‪[22] .‬‬

‫رسانایی الکتریکی گرافن‬

‫بر مبنای ساختار الکترونیکی بدون شکاف گرافن‪ ،‬این ماده ضرورتا ً یک فلز به شمار میآید‪.‬‬
‫به همین خاطر‪ ،‬رسانایی الکتریکی یک پارامتر مناسب برای مشخص کردن خواص‬
‫الکترومغناطیسی گرافن است‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬گرافن به دلیل ضخامت تک اتمی اش‪،‬‬
‫ضرورتا ً یک فلز دوبعدی محسوب میشود‪ .‬به همین خاطر گرافن باید توسط رسانایی‬
 ‫الکتریکی سطحی اش که جریان سطحی و میدان مغناطیسی مماسی را به هم ربط میدهد ‪،‬‬
‫مدلسازی شود‪.‬‬
‫اگرچه استفاده از آنتن های گرافنی در فرکانسهای ماکروویوی محدودیتهای زیادی دارد‪ ،‬اما‬
‫گرافنها به دلیل خاصیت پالسمایی رسانایی الکتریکی در فرکانسهای ترا هرتز‪ ،‬ویژگیهای‬
‫آنتنی جالبی را از خود نشان میدهند‪ .‬دلیل مورد توجه قرار گرفتن گرافن در کاربردهای‬
‫آنتنی‪ ،‬تانسور رسانایی الکتریکی سطحی آن است‪ .‬این تانسور رسانایی الکتریکی به ساختار‬
‫ویژه شکاف ناحیه الکترونیکی گرافن و به پارامترهای دیگری مانند دما‪ ،‬نرخ پراکندگی ‪،‬‬
‫انرژی فرمی ‪ ،‬سرعت الکترون و تزریق ناخالصی بستگی رسانایی دارد‪ .‬مهمتر از همه ‪،‬‬
‫این تانسور میتواند توسط بایاس میدان الکتریکی و مغناطیسی کنترل شود‪ [19].‬همانطور که‬
‫گفته شد‪ ،‬رسانایی الکتریکی گرافن با توجه به اینکه میدان مغناطیسی بیرونی به آن اعمال‬
‫شده باشد یا نشده باشد‪ ،‬میتواند عبارتی نردهای یا تانسوری باشد‪ .‬پس برای مدلسازی گرافن‬
‫از رسانایی الکتریکی سطحی آن استفاده میکنیم‪.‬‬
‫به علت دوبعدی بودن ساختار گرافن‪ ،‬میتوان آن را به صورت یک سطح با مقدار رسانایی‬
‫سطحی ‪ σ‬مدل کرد‪ [13].‬رسانایی گرافن هم برای سیستمهای مبتنی بر جریان مستقیم و هم‬
‫برای فرکانس هایی از باند تراهرتز(‪ ۰/۱‬تا ‪ ۱۰‬تراهرتز) تا محدودد طیف مرئی مطالعه‬
‫شده است‪[14].‬‬
‫رسانایی الکتریکی گرافن‪ ،‬به شدت به فرکانس بستگی دارد و میتواند رفتارهای متفاوتی در‬
‫فرکانس های ماکروویو و ترا هرتز از خود نشان دهد‪ .‬اگر بایاس میدان الکتریکی وجود‬
‫داشته باشد‪ ،‬ضریب رسانایی گرافن مقدار نردهای خواهد بود‪ ،‬این در حالی است که اگر‬
‫بایاس میدان مغناطیسی وجود داشته باشد یا پراکندگی فضایی فرض شده باشد‪ ،‬ضریب‬
‫رسانایی گرافن دیگر یک مقدار نردهای نخواهد بود‪[20] .‬‬
‫اگر بایاس با میدان الکتریکی داشته باشیم‪ ،‬باعث میشود که الکترون و حفره بیشتری به‬
‫گرافن تزریق شود‪ .‬به همین دلیل این امر باعث کنترل بیشتر روی قسمت حقیقی و موهومی‬
‫رسانایی الکتریکی میشود‪ .‬با توجه به اینکه رسانایی الکتریکی گرافن به پتانسیل شیمیایی‬
‫آن ‪ μc‬وابسته است‪ ،‬خود این متغیرنیز میتواند توسط اعمال ناخالصی اولیه (نوع و تراکم‬
‫حاملها) و یا توسط اعمال میدان خارجی کنترل شود ‪.‬اعمال یک میدان الکتریکی خارجی‬
‫میتواند یک سطح با رسانایی الکتریکی همسانگرد را ایجاد کند ‪.‬این در حالی است که اعمال‬
‫میدان مغناطیسی بیرونی باعث به وجود آمدن یک رسانایی الکتریکی سطحی غیر‬
‫همسانگرد و همچنین اثر هال میشود‪.‬‬
 ‫به صورت خاص‪ ،‬رسانایی صفحات گرافن در محدوده مادون قرمز (با فرض پتانسیل‬
‫‪πe2‬‬
‫=‪ e) σ0‬بارالکتریکی‬ ‫شیمیایی صفر)‪ ،‬مستقل از فرکانس عمل کرده و به صورت‬
‫‪2ℎ‬‬
‫الکترون و ‪ h‬ثابت پالنک میباشد) قابل نمایش است‪ .‬الزم به ذکر است‪ ،‬مقدار رسانایی‬
‫حاصل از این رابطه‪ ،‬کمترین میزان رسانایی گرافن در کل طیف الکترومغناطیس‬
‫میباشد‪[15].‬‬
‫مقدار رسانایی به صورت مستقیم به پارامترهایی چون انرژی فرمی)پتانسیل شیمیایی( ‪،‬‬
‫تحرک پذیری الکترونها ‪ ،‬زمان آرامش‪ ،‬فرکانس کار و دمای محیط بستگی دارد‪ .‬الزم به‬
‫ذکر است که این پارامترها لزوما مستقل نیستند و ممکن است به یکدیگر وابستگی داشته‬
‫باشند‪[16,12] .‬‬

‫‪1‬فولرنس ‪ :‬یک فرم جدید مولکولی کربن فولرنس نامیده می شود ‪ .‬متداول ترین فولرنس ‪،‬‬
‫‪ C60‬نام دارد که از ‪ 60‬اتم کربن تشکیل شده و به شکل یک توپ فوتبال است‪ .‬کشف‬
‫فولرنس باعث دریافت جایزه نوبل شیمی در سال ‪ 1996‬شد‪.‬‬

‫‪[1] . D. R. Cooper et al., "Experimental review of graphene," ISRN Condensed Matter Physics, vol. 2012,‬‬
‫‪2012.‬‬
‫‪[2] . P.R.Wallace, "The band theory of graphite," Physical Review, vol. 71, no. 9, pp. 622-634, 1947.‬‬
‫‪[3] . K. S. Novoselov, et al.,, "Electric field effect in atomically thin carbon films," science, vol. 306, no.‬‬
‫‪5696, pp. 666-669, 2004.‬‬

‫‪[4] . A. K. Geim and K. S. Novoselov, "The rise of graphene," Nature materials, vol. 6, no. 3, pp. 183-191,‬‬
‫‪2007‬‬

‫‪[5] . S. Morozov et al., "Giant intrinsic carrier mobilities in graphene and its bilayer," Physical Review‬‬
‫‪Letters, vol. 100, no. 1, p. 016602, 2008.‬‬

‫‪[6] . K. S. Novoselov et al., "Electric field effect in atomically thin carbon films ",science, vol. 306, no.‬‬
‫‪5696, pp. 666-669, 2004.‬‬

‫‪[7] . K. Novoselov et al., "Two-dimensional atomic crystals," Proceedings of the National Academy of‬‬
‫‪Sciences of the United States of America, vol. 102, no. 30, pp. 10451-10453, 2005.‬‬
[8] . D. Chung, "Materials for thermal conduction," Applied Thermal Engineering, vol. 21, no. 16, pp.
1593-1605, 2001.

[9] . "GRAPHENE , Scientific Background on the Nobel Prize in Physics 2010," THE ROYAL SWEDISH
ACADEMY OF SCIENCES, OCTOBER 5, 2010.

[10] . K.-A. Son, B. Yang, H.-C. Seo, D. Wong, J. S. Moon, and T. Hussain, "High-Speed Graphene Field
Effect Transistors on Microbial Cellulose Biomembrane," IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 16,
no. 2, pp. 239-244, 2017.

[11] . S. Casaluci, M. Gemmi, V. Pellegrini, A. Di Carlo, and F. Bonaccorso, "Graphene-based large area
dye-sensitized solar cell modules," Nanoscale, vol. 8, no ,9 .pp. 5368-5378, 2016.

[12] . D. Correas-Serrano and J. S. Gomez-Diaz, "Graphene-based Antennas for Terahertz Systems: A

Review," arXiv preprint arXiv:1704.00371, 2017.

[13] . I. Llatser, C. Kremers, A. Cabellos-Aparicio, J. M. Jornet, E. Alarcón, and D. N .Chigrin, "Graphene-

based nano-patch antenna for terahertz radiation," Photonics and Nanostructures-Fundamentals and
Applications, vol. 10, no. 4, pp. 353-358, 2012.

[14] . G. W. Hanson, "Dyadic Green’s functions and guided surface waves for a surface conductivity
model of graphene," Journal of Applied Physics, vol. 103, no. 6, p 5, 2008.

[15] . P. Sharma, J. S. Gomez-Diaz, A. M. Ionescu, and J. Perruisseau-Carrier, "Determination of minimum

conductivity of graphene from contactless microwaves measurements," in 2012 12th IEEE International
Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO), pp. 1-4, 2012.

[16] . A. C. Neto, F. Guinea, N. M. Peres, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, "The electronic properties of
graphene," Reviews of modern physics, vol. 81, no ,1 .p. 109, 2009.

[17] . https://www.researchgate.net/figure/Structural-difference-between-graphite-and-graphene-
During-exfoliation-the-graphite_fig3_312164269

[18] . M. Dragoman, A. Muller, D. Dragoman, F. Coccetti, and R. Plana, "Terahertz antenna based on
graphene," Journal of Applied Physics, vol. 107, p. 104313, 2010.

[19] . A. Fallahi and J. Perruisseau-Carrier, "Electromagnetic properties of graphene metasurfaces and

applications," in Antennas and Propagation (EuCAP), 2013 7th European Conference on, 2013, pp. 492-
495.

[20] . M. D. a. D. M. L. Pierantoni, "'Analysis of a microwave graphene-based patch antenna," in

European Microwave Conference

[21] . G. D. Bouzianas, N. V. Kantartzis, C. S. Antonopoulos, and T. D. Tsiboukis, "Optimal modeling of

infinite graphene sheets via a class of generalized FDTD schemes," Magnetics, IEEE Transactions on, vol.
48, pp. 379-382, 2012.

[22] . K. Novoselov, A. Geim, S. Morozov, D. Jiang, M. Katsnelson, I. Grigorieva, S. Dubonos and A. Firsov,
"Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene", Nature, vol. 438, no. 7065, pp. 197-200,
2005.
‫‪[23] . S. Chen, Q. Wu, C. Mishra, J. Kang, H. Zhang, K. Cho, W. Cai, A. Balandin and R. Ruoff, "Thermal‬‬
‫‪conductivity of isotopically modified graphene", Nature Materials, vol. 11, no. 3, pp. 203-207, 2012.‬‬

‫رسانایی الکتریکی سطحی گرافن را میتوان توسط رابطه معروف کوبو نشان داد‪ .‬در نبود‬
‫بایاس مغنواستاتیک و پراکندگی فضایی‪ ،‬رسانایی الکتریکی سطحی گرافن‪ ،‬تابعی اسکالر‬
‫از فرکانس ‪ ، ω‬پتانسیل شیمیایی ‪)𝜇c‬که میتواند توسط بایاس الکترواستاتیک یا تزریق‬
‫شیمیایی کنترل شود(‪ ،‬نرخ پراکندگی ‪ : τ = 1⁄2Γ( Γ‬زمان استراحت ) ‪ ،‬دما ‪ T‬است ‪[21] :‬‬
‫)𝛤‪𝑗𝑞𝑒2 (𝜔−𝑗2‬‬ ‫‪1‬‬ ‫∞‬ ‫)𝜀( 𝑑𝑓𝜕‬ ‫)𝜀‪𝜕𝑓𝑑 (−‬‬
‫= )𝑇 ‪𝜎(𝜔, 𝜇𝑐 , 𝛤,‬‬ ‫( 𝜀 ‪[(𝜔−𝑗2𝛤)2 ∫0‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪)-‬‬
‫‪𝜋ℎ−2‬‬ ‫𝜀𝜕‬ ‫𝜀𝜕‬
‫| 𝑐𝜇|‪𝜀−‬‬
‫)𝜀( 𝑑𝑓‪∞ 𝑓𝑑 (−𝜀)−‬‬
‫)𝛤‪∫0 (𝜔−𝑗2‬‬ ‫) 𝜀 (‪2 −4‬‬
‫]𝜀𝜕‬ ‫𝑒( = ) 𝜀( 𝑑𝑓‬ ‫𝑇 𝐵𝐾‬
‫‪+ 1)−1‬‬
‫‪−2‬‬ ‫‪ℎ‬‬

‫که در آن ‪ ε‬انرژی ‪ h ،‬ثابت پالنک کاهش یافته و ) 𝜀( 𝑑𝑓 ثابت دیراک توزیع فرمی دیراک‬
‫هست‪.‬‬