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2010-09-17

전자회로 실험
(다이오드 특성 실험
실험))
대진대학교 전자공학과
2010년
2010년 2학기
Lecture #2

목차
z 실험목적
z 실험이론
z 실험방법
z 결과예측(모의실험 결과분석)
z 실험
z 실험관련 질의/응답
z 다음주 실험공고

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2010-09-17

실험목적
z 다이오드의 동작특성을 이해한다.
z 주요 장비를 활용하여 다이오드의 동작특성을
실험한다.

실험이론
z 다이오드(diode)

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실험이론
z 이상적인 다이오드

실험이론
z 다이오드 특성 곡선

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2010-09-17

실험이론
z 다이오드 검사

실험이론
z 순방향 장벽전압(Threshold Voltage)

Si(실리콘) 다이오드
Î 약 0.7V 정도
Ge(게르마늄) 다이오드
Î 약 0.3V 정도

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2010-09-17

실험이론
z 다이오드 및 저항 양단의 전압측정

실험이론
z 다이오드 주요 규격
z VR(역방향 전압): 역방향으로 걸 수 있는 최대 전압
z VF(순방향 전압): 순방향으로 Turn-on됐을 경우에 다
이오드에 걸리는 전압
z IF(순방향 전류): 순방향으로 흘릴 수 있는 최대 전류
z IFM(첨두 순방향 전류): 반복적으로 흘릴 수 있는 순방
향 최대전류
z IFSM(Isurge:서지전류): 순방향으로 순간적으로 흘릴 수
있는 최대전류
z P(허용전력): 순방향으로 흐르고 있는 전류와 순방향
전압의 곱

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실험이론
z 다이오드 주요 규격
z trr (역회복 시간):
z 스위칭의 속도를 나타내는 것으로 다이오드가 순방향
으로부터 역방향으로 전압이 변할 때에 어느 정도 지
연되어 전류가 오프 되었는지를 나타낸다.
z 스위칭 용도로는 trr이 작을수록 양호하다.
z C(정전용량): 일반적으로 다이오드를 역방향 바이
어스 시의 단자간 정적용량

9역방향 전압, 순방향 전류, 허용전력의 3가지 중 어느 하나라도 이것


을 초과하면 다이오드가 파손됨.
9일반적으로 이들 3가지 주요규격은 적정마진을 두고 선정하는 것이
중요함

실험방법
z 순방향 동작특성

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2010-09-17

실험방법
z 역방향 동작특성

결과예측
z 실험대상에 대한 I-V 계측기 결과

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2010-09-17

결과예측
z 순방향 동작특성
50mA

40mA

30mA

20mA

10mA

0A
-5V 0V 5V 10V 15V
I(D1)
V_V1

결과예측
z 순방향 동작특성
20V

10V

0V

SEL>>
-10V
V(R1:1)
100uA

0A

-100uA

-200uA
-5V 0V 5V 10V 15V
-I(D1)
V_V1

8
2010-09-17

결과예측
z 순방향 동작특성

전위장벽

항복 전압

결과예측
z 역방향 동작특성
50uA

0A

-50uA

-100uA

-150uA
-5V 0V 5V 10V 15V
-I(D1)
V_V1

9
2010-09-17

결과예측
z 역방향 동작특성
20V

10V

0V

SEL>>
-10V
V(R1:1)
100uA

0A

-100uA

-200uA
-5V 0V 5V 10V 15V
-I(D1)
V_V1

결과예측
z 역방향 동작특성

항복 전압

전위장벽

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추가 실험
z 순방향 동작 회로에 Vdc 대신 Vac를 인가하면
어떤 일이 발생할까?
발생할까

실험관련 질의 응답

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다음주 실험공고
z 실험내용
z 클리퍼와 클램퍼 회로 실험

z 실험목적
z 이 실험에서는 Diode을 이용한 클리퍼와 클램퍼
의 동작원리를 이해하
이해하고,, 클램퍼 회회로를
를 이용한
보호회로를 구현할 수 있음을 실험적으로 확인한
다.

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