ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1

ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ

ΕΝΙΣΧΥΤΗ
1.1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ

Τα γραμμικά ολοκληρωμένα κυκλώματα (Linear Integrated Circuits)

βρίσκουν ευρύτατες εφαρμογές σε ολοένα και περισσότερα ηλεκτρονικά
συστήματα, σε όλα σχεδόν τα πεδία της σύγχρονης τεχνολογίας όπως
ακουστική, επικοινωνίες, βιο-ιατρική τεχνολογία, συστήματα συλλογής και
επεξεργασίας αναλογικών δεδομένων, βιομηχανικό και γενικότερα αυτόματο
έλεγχο, βιομηχανία οικιακών συσκευών, βιομηχανία αυτοκινήτου,
αεροναυτική και διαστημική τεχνολογία κ.ά. Μερικοί από τους λόγους της
ευρείας εξάπλωσής τους είναι οι συνεχώς αυξανόμενες δυνατότητές τους, το
μικρό μέγεθος τους, η ευκολία στη χρήση, η αξιοπιστία, το χαμηλό τους
κόστος καθώς και η βελτίωση των τεχνικών τους χαρακτηριστικών με την
πρόοδο της ολοκλήρωσης μεγάλης κλίμακας των τελευταίων ετών. Στο
σύνολο σχεδόν των σημερινών εφαρμογών της Ηλεκτρονικής είναι σχεδόν
αδύνατο να συναντήσουμε ένα αμιγώς αναλογικό κύκλωμα, ειδικά αν δεν
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

αναφερόμαστε σε κυκλώματα πολύ υψηλών συχνοτήτων. Αυτό σημαίνει ότι

σχεδόν πάντα τα αναλογικά ηλεκτρονικά κυκλώματα αποτελούν μέρος ενός
πιο σύνθετου ηλεκτρονικού συστήματος όπου το μεν αναλογικό παίζει τον
ρόλο της διεπαφής (interface) με τον αναλογικό κόσμο και υπάρχει σχεδόν
πάντα ένα ψηφιακό μέρος για την επεξεργασία του σήματος που μας
ενδιαφέρει.
Οι σημερινές δυνατότητες ευρείας κλίμακας ολοκλήρωσης, που
είναι αποτέλεσμα της προόδου της τεχνολογίας, παρέχουν την ευχέρεια στο
σχεδιαστή να χρησιμοποιεί έτοιμα γραμμικά ολοκληρωμένα κυκλώματα τα
οποία περιέχουν στο εσωτερικό τους τόσο μεγάλο κύκλωμα που λίγα χρόνια
πριν θα απαιτούσε πολύ χρόνο και χώρο προκειμένου κανείς να το σχεδιάσει
και να το υλοποιήσει. Αυτό ελαχιστοποιεί τον χρόνο σχεδιασμού και
ανάπτυξης πολύπλοκων αναλογικών ηλεκτρονικών συστημάτων, αλλά
ταυτόχρονα περιορίζει και τα προβλήματα που ήταν πιθανόν να εμφανιστούν
σε ηλεκτρονικά κυκλώματα υλοποιημένα σε μια μεγάλη έκταση με ένα
μεγάλο αριθμό εκτεθειμένων στοιχείων και αγωγών.
Υπάρχουν δύο κυρίως τύποι γραμμικών ολοκληρωμένων
κυκλωμάτων που παράγονται σε βιομηχανική κλίμακα σήμερα. Τα
μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα υβριδικά ολοκληρωμένα
κυκλώματα. Τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα παράγονται πάνω σε
ένα και μοναδικό ημιαγωγικό υπόστρωμα (συνήθως πυρίτιο) και με αυτά θα
ασχοληθούμε σ' αυτό το σύγγραμμα. Τα υβριδικά ICs είναι ένας συνδυασμός
διακριτών στοιχείων, παθητικών στοιχείων και μονολιθικών ICs. Στην ομάδα
των γραμμικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων εντάσσονται τα κυκλώματα
αναλογικού τύπου, όπου η είσοδος γενικά είναι της μορφής ομαλά και
συνεχώς μεταβαλλόμενου σήματος και η έξοδος συνήθως είναι μια
ενισχυμένη (ή γενικότερα τροποποιημένη) μορφή του σήματος εισόδου. Μια
από τις κύριες λειτουργίες που εκτελεί ένα γραμμικό ολοκληρωμένο
κύκλωμα είναι η ενίσχυση ενός σήματος και για αυτό τον λόγο θα δοθεί
ιδιαίτερη βαρύτητα στην περιγραφή των ενισχυτών σημάτων. Ενίσχυση
(amplification) τάσης δε, σημαίνει την αύξηση του πλάτους ενός αναλογικού
σήματος σε ένα επιθυμητό επίπεδο, με ταυτόχρονη διατήρηση της μορφής
του. Ενίσχυση επίσης μπορούμε να έχουμε στο ρεύμα εξόδου έναντι του
ρεύματος εισόδου ενός αναλογικού κυκλώματος (ενισχυτής ρεύματος) ή σε
συνδυασμό των παραπάνω οπότε μιλάμε για ενισχυτές διαγωγιμότητας ή
εμπέδησης.
Η ονομασία γραμμικά ολοκληρωμένα κυκλώματα αποδίδει μάλλον
την αντίθεση αυτών των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων σε σχέση με τα
ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα παρά την πραγματικότητα, αφού η
λειτουργία πολλών στοιχείων της οικογένειας των γραμμικών
ολοκληρωμένων κυκλωμάτων είναι σαφώς μη-γραμμική, όπως για
παράδειγμα ο λογαριθμικός ενισχυτής. Ακόμη στο τεράστιο φάσμα που

20
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

καλύπτουν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα υπάρχουν στοιχεία των οποίων τα

χαρακτηριστικά δεν μπορούν να ενταχθούν απόλυτα στη μία (αναλογικά
κυκλώματα) ή την άλλη κατηγορία (ψηφιακά κυκλώματα), όπως η
περίπτωση των κυκλωμάτων διεπαφής (interface circuits) που περιλαμβάνουν
τους μετατροπείς Αναλογικού σε Ψηφιακό (Α/D Converters) και Ψηφιακού
σε Αναλογικό (D/Α Converters), τα χρονοκυκλώματα, οι ταλαντωτές κ.ά. Οι
ειδικοί αυτοί τύποι γενικά κατατάσσονται στη κατηγορία των γραμμικών ICs
και σε καμία περίπτωση δεν δημιουργούν σύγχυση.
Ο τελεστικός ενισχυτής (operational amplifier) είναι το εξέχον και
πιο δημοφιλές στοιχείο αυτής της ομάδας. Εσωτερικά ο τελεστικός
ενισχυτής, που θα περιγραφεί στη συνέχεια, αποτελείται από τρεις κυρίως
βαθμίδες που είναι οι εξής: ένας διαφορικός ενισχυτής (ή και περισσότεροι
συνδεδεμένοι σε διαδοχή), μία (ή και περισσότερες) πηγή σταθερού
ρεύματος και μία βαθμίδα εξόδου η οποία λειτουργεί κυρίως σαν ενισχυτής
ρεύματος. Στο πρώτο αυτό κεφάλαιο θα εξετάσουμε αναλυτικά τα βασικά
εσωτερικά δομικά στοιχεία ενός τελεστικού ενισχυτή δηλαδή τον διαφορικό
ενισχυτή, τις πηγές σταθερού ρεύματος, και τις βαθμίδες εξόδου, έτσι ώστε
να γίνει σε βάθος κατανοητή η λειτουργία του πριν αρχίσουμε να τον
βλέπουμε μόνο εξωτερικά σαν ένα ενιαίο στοιχείο.

1.2. Ο ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

Με δεδομένο ότι στο σύγγραμμα αυτό ασχολούμαστε με την περιγραφή

γραμμικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, αναφερόμαστε κυρίως στη χρήση
του τελεστικού ενισχυτή σαν βασικό δομικό στοιχείο ενίσχυσης και όχι στη
χρήση των διπολικών transistors (BJT) καθώς και των transistors
επιδράσεως πεδίου (FET) για την ενίσχυση σημάτων στις διάφορες δυνατές
συνδεσμολογίες τους, που αφορά τις βασικές συνδεσμολογίες των διακριτών
στοιχείων. Θεωρούμε ότι ο αναγνώστης έχει την βασική υποδομή των
σχετικών μαθημάτων που ασχολούνται με την περιγραφή των
συνδεσμολογιών των παραπάνω τύπων transistors σαν ενισχυτών τάσης ή
ρεύματος.
Η βασικότερη βαθμίδα του τελεστικού ενισχυτή είναι η βαθμίδα
εισόδου, γνωστή σαν διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier). Την
βαθμίδα αυτή θα εξετάσουμε και θα αναλύσουμε σ' αυτή την παράγραφο.
Γενικά οι βαθμίδες ενός τελεστικού ενισχυτή είναι πολλές ιδιαίτερα όταν
επιθυμούμε να έχουμε έναν ενισχυτή μεγάλου κέρδους. Ο λόγος του πλάτους
του σήματος εξόδου προς το πλάτος του σήματος εισόδου καθορίζει το
κέρδος (gain) ενός ενισχυτή ή αλλιώς την ενίσχυσή του (amplification). Το
κέρδος όπως θα δούμε αργότερα είναι στη γενική περίπτωση ένας μιγαδικός
αριθμός, το πλάτος και η φάση του οποίου εξαρτώνται από την συχνότητα
του προς ενίσχυση σήματος. Το κέρδος αυτό χωρίς την χρήση αρνητικής

21
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

ανάδρασης, την οποία θα εξηγήσουμε αργότερα, είναι σημαντικά μεγάλο.

Επομένως μικρές μεταβολές στο πλάτος του σήματος εισόδου του ενισχυτή
θα ενισχύονται σημαντικά, φέρνοντας την βαθμίδα εξόδου εύκολα σε
κορεσμό. Κορεσμός είναι εκείνη η κατάσταση κατά την οποία το πλάτος του
σήματος εξόδου φθάνει στα όρια του πλάτους της τάσης τροφοδοσίας του
ενισχυτή και αυτό έχει σαν αποτέλεσμα την παραμόρφωσή του. Αυτό είναι
ένα από τα σημαντικά προβλήματα στη σχεδίαση ενισχυτών και των
διαφόρων εφαρμογών τους.
Οι μεταβολές αυτές μπορεί να προκληθούν από πολλές αιτίες. Για
παράδειγμα στους dc ενισχυτές, που όπως και όλοι οι τελεστικοί ενισχυτές
αποτελούνται από ενεργά στοιχεία (διπολικά transistor, FET κ.λ.π.) και
παθητικά στοιχεία (αντιστάσεις, πυκνωτές κ.λ.π.) οι χαρακτηριστικές τιμές
των στοιχείων αυτών παρουσιάζουν μια διακύμανση γύρω από τις μέσες
τιμές τους λόγω διάφορων εξωτερικών και εσωτερικών επιδράσεων (π.χ.
μεταβολή εξωτερικής θερμοκρασίας, μεταβολή εσωτερικής θερμοκρασίας
λόγω αυτοθέρμανσης κ.λ.π.). Συνεπώς η τάση εξόδου μπορεί να διαφέρει
αρκετά από την θεωρητική τιμή λόγω των αποκλίσεων των τιμών αυτών των
στοιχείων. Αυτό το είδος σφάλματος μπορεί να μειωθεί σημαντικά
χρησιμοποιώντας στοιχεία καλής ακρίβειας (1% ή και καλύτερης). Ακόμη
μπορούν να χρησιμοποιηθούν τεχνικές εξωτερικής αντιστάθμισης για
μηδενισμό της εξόδου και εξισορρόπηση. Ένα άλλο είδος μεταβολών είναι η
ολίσθηση της τάσης εξόδου (drift) που μπορεί να προκληθεί από μεταβολές
της θερμοκρασίας ή της τάσης τροφοδοσίας. Και αυτές οι μεταβολές
μπορούν να εξουδετερωθούν με τη χρήση κάποιου επιπλέον transistor που
λειτουργεί σαν αισθητήρας θερμοκρασίας.
Η ελαχιστοποίηση των επιδράσεων της θερμοκρασίας στη
λειτουργία του τελεστικού ενισχυτή μπορεί να επιτευχθεί αν σχεδιαστεί
σωστά η βαθμίδα εισόδου. Για το σκοπό αυτό η συνηθέστερα
χρησιμοποιούμενη βαθμίδα εισόδου είναι ο διαφορικός ενισχυτής που
δείχνεται στο Σχήμα 1.1. Το υπόλοιπο τμήμα του ενισχυτή περιέχει διάφορες
άλλες βαθμίδες που θα δούμε αργότερα. Υπάρχουν δύο γραμμές
τροφοδοσίας (+VCC και –VΕΕ) ώστε να επιτρέπουν στον ακροδέκτη εισόδου
να βρίσκεται σε μηδενική DC τάση (όσον αφορά τον κοινό ακροδέκτη
γείωσης). Η συμμετρική τροφοδοσία αυτή επίσης επιτρέπει την ενίσχυση AC
σημάτων, σήματα δηλαδή που έχουν θετική και αρνητική συνιστώσα. Η
εξήγηση της λειτουργίας του διαφορικού ενισχυτή δεν είναι και τόσο απλή
όσο του ενισχυτή με ένα διπολικό transistor. Το σημαντικό πλεονέκτημα του
διαφορικού ενισχυτή είναι ότι ταυτόχρονα με την ενίσχυση γίνεται και
απόρριψη του θορύβου κοινού ρυθμού, θορύβου δηλαδή που προέρχεται
από διάφορες αιτίες και εφαρμόζεται, ο ίδιος ταυτόχρονα, και στις δύο
εισόδους του διαφορικού ενισχυτή.

22
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Αν υποθέσουμε λοιπόν ότι αρχικά εφαρμόζεται ένα ημιτονοειδές

σήμα στην αριστερή μόνο είσοδο του ενισχυτή (όπως δείχνεται στο Σχήμα
1.1) ενώ η άλλη είσοδος είναι γειωμένη. Το σήμα εισόδου εμφανίζεται
ενισχυμένο, κατά τόσες φορές όσο καθορίζεται από το κέρδος του ενισχυτή
κοινού εκπομπού και ανεστραμμένο (με διαφορά φάσης 1800) στο συλλέκτη
του αριστερού transistor. Το σήμα εισόδου προκαλεί βεβαίως και μεταβολή
του ρεύματος εκπομπού και εμφανίζεται με την ίδια φάση, αλλά το μισό
κέρδος πάνω στην αντίσταση Re. Αυτό οφείλεται στη συμμετρική δράση των
δύο transistor όπως θα εξηγηθεί παρακάτω. Το θετικό τμήμα του σήματος ve,
της τάσης δηλαδή των εκπομπών, πολώνει τον εκπομπό του δεξιού transistor
θετικότερα σε σχέση με τη βάση του, προκαλώντας μεταβολή του ρεύματος
του εκπομπού ie2 = -ie1. Αποτέλεσμα της παραπάνω διαδικασίας είναι η
εμφάνιση στο συλλέκτη του δεξιού transistor της ίδιας ημιτονοειδούς τάσης
που εμφανίζεται στο συλλέκτη του αριστερού transistor αλλά με
ανεστραμμένη φάση κατά 1800.
Εφόσον ο διαφορικός ενισχυτής είναι το σημαντικότερο κύκλωμα,
του τελεστικού ενισχυτή, θα τον εξετάσουμε λεπτομερώς υπολογίζοντας
αρχικά τη σχέση εισόδου-εξόδου του, χρησιμοποιώντας το Σχήμα 1.2.
Υποθέτουμε εδώ απόλυτα συμμετρικό κύκλωμα, με ακριβώς όμοια transistor
και αντιστάσεις συλλεκτών RL.

+Vcc

RL RL

v02 Υπόλοιπος
v01 v0 Ενισχυτής ή Έξοδος
Βαθμίδα Εξόδου

Q1 Q2 P
Eίσοδος R1 (50Ω)
v1 v2 (100kΩ)

ve
ιε1 ie2 R2
(50Ω)

Re

Διαφορικός -VEE
Ενισχυτής

Σχήμα 1.1. Κύκλωμα διαφορικού ενισχυτή

23
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Οι ακροδέκτες εισόδου οδηγούνται από τάσεις v1 και v2 και οι

έξοδοι v01, v02 λαμβάνονται από τους δύο συλλέκτες, αν θέλουμε να έχουμε
διαφορική τάση εξόδου (double-ended or differential output). Το ισοδύναμο
κύκλωμα μικρού σήματος του κυκλώματος 1.2 (α) δείχνεται στο Σχήμα 1.2
(β) και απλοποιείται από το γεγονός ότι gmva >> ia και gm vb >> ib, όπου gm :
η διαγωγιμότητα των δύο transistors που θεωρείται ίδια. Αυτό μας επιτρέπει
να γράψουμε:

ve = Re ie = Re (ie1 +ie2) = gmRe (va + vb ) (1.1)

όπου va = v1 - ve και vb = v2 - ve . Από αυτές τις σχέσεις παίρνουμε:

gmRe
ve = ( v1 + v2 ) (1.2)
1+ 2g m R e
ή
v1 + v 2
ve ≅ εφόσον 2gm Re >> 1
2
Αντικαθιστώντας αυτό το αποτέλεσμα στις παραπάνω εξισώσεις για
τα va και vb , έχουμε:

v1 − v2 v1 − v2
va = και vb = - (1.3)
2 2

Οι τάσεις εξόδου είναι: v01 = -gm RL va και v02 = -gm RL vb ή με

αντικατάσταση των va και vb τελικά παίρνουμε :
g R
v01 = - m L (v1 - v2 )
2
g R
v02 = m L (v1 - v2 ) (1.4)
2

και v0 = v01 - v02 = -gm RL (v1 - v2 )= -Α (v1 - v2 ) (1.5)

Δηλαδή οι τάσεις εξόδου και η διαφορά τους είναι ανάλογες προς τη

διαφορά των τάσεων εισόδου. Αυτό είναι ένα πολύ σημαντικό αποτέλεσμα
που εξηγεί και τη λειτουργία και το όνομα του διαφορικού ενισχυτή.
Ουσιαστικά δηλαδή ο διαφορικός ενισχυτής ενισχύει κατά τον όρο A = gm RL
τη διαφορά τάσεων v1 - v2 μεταξύ των δύο εισόδων του.

24
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

+Vcc

RL RL

v01 v02
ιχ1 ic2

Q1 Q2

ve
v1 v2
ιε1 ιε2

Re

(α)
v01 v02

ia ib
RL RL
v1 rπ rπ v2
va gmva gmvb vb

ve
ie1 ie2

Re

(β)
Σχήμα 1.2. Κυκλώματα για την ανάλυση του διαφορικού ενισχυτή.
Ηλεκτρονικό κύκλωμα (α) και Ισοδύναμο κύκλωμα μικρού
σήματος (β).

25
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Οι πραγματικοί διαφορικοί ενισχυτές δεν είναι τέλεια συμμετρικοί

και έτσι η έξοδός τους δεν θα εξαρτάται μόνο από το σήμα της διαφοράς vd =
v1 - v2, όπως καθορίζει η παραπάνω θεωρητική σχέση (1.5), αλλά επίσης από
τη μέση στάθμη των v1 και v2 δηλ. το vc = (v1 + v2)/2 η οποία ονομάζεται
σήμα κοινού ρυθμού. Με τον όρο ”συμμετρικοί” εννοούμε οι δύο κλάδοι
που απαρτίζουν τον διαφορικό ενισχυτή και περιέχουν τα δύο transistors σε
συνδεσμολογία κοινού εκπομπού, να είναι ακριβώς ίδιοι. Αυτό σημαίνει
πρακτικά, οι δύο αντιστάσεις RL να έχουν ακριβώς την ίδια τιμή και τα δύο
transistors να έχουν ακριβώς τα ίδια τεχνικά χαρακτηριστικά. Επειδή με αυτή
την προυπόθεση προέκυψαν οι θεωρητικές σχέσεις στην ανάλυση που έγινε
παραπάνω, οποιαδήποτε διαφοροποίηση στα τεχνικά χαρακτηριστικά των
αντιστάσεων και των transistors θα σημαίνει αποκλίσεις από την ιδανική
συμπεριφορά που περιγράφει η σχέση (1.5). Για παράδειγμα, εάν v1 = 100 μV
και v2 = -100 μV η έξοδος δεν θα είναι ακριβώς η ίδια σαν να ήταν v1 = 1100
μV και v2 = 900 μV μολονότι η διαφορά vd = 200 μV και στις δύο
περιπτώσεις. Επομένως ένα μέτρο εκτίμησης που περιγράφει την μη-ιδανική
συμπεριφορά των διαφορικών ενισχυτών εισάγεται με τη σχέση :

vo = A1 v1 + A2 v2 (1.6)

όπου Α1 και Α2 είναι οι ενισχύσεις τάσης από τους ακροδέκτες εισόδου 1 και
2 αντίστοιχα. Σημειώστε ότι αν Α2 = -Α1, η παραπάνω σχέση είναι η ίδια
όπως η σχέση (1.5) όπου Α1 = -gm RL. Υπολογίζοντας την v1 και v2
συναρτήσει της τάσης διαφοράς vd και της τάσης κοινού ρυθμού vc, και
αντικαθιστώντας στην παραπάνω εξίσωση έχουμε :

vo = Ad vd + Acm vc (1.7)

όπου Ad = (A1 - A2)/2 και Acm = A1 + A2 παριστάνουν το κέρδος διαφορικού

ρυθμού και το κέρδος κοινού ρυθμού αντίστοιχα. Η παραπάνω εξίσωση
μπορεί επίσης να γραφεί ως:

⎛ 1v ⎞
vo = Ad vd ⎜⎜1 + c ⎟⎟ (1.8)
⎝ ρ vd ⎠

όπου το ρ = |Αd / Αcm| είναι γνωστό σαν λόγος απόρριψης κοινού ρυθμού
(Common Mode Rejection Ratio, CMRR). To CMRR είναι ένα σημαντικό
χαρακτηριστικό ενός τελεστικού ενισχυτή, στο οποίο θα πρέπει να δίνει
ιδιαίτερη σημασία ο σχεδιαστής ενός κυκλώματος με τελεστικούς ενισχυτές.
Τόσο καλύτερος θεωρείται ένας τελεστικός ενισχυτής όσο το ρ είναι
μεγαλύτερο. Για τον ιδανικό ενισχυτή το ρ → ∞.

26
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Επιστρέφοντας στο Σχήμα 1.1 θεωρείστε το κύκλωμα

εξισορρόπησης που σχηματίζεται από το ποτενσιόμετρο Ρ και τις δύο
αντιστάσεις R1 και R2. Με τις τιμές των αντιστάσεων που δίνονται και
υποθέτοντας Vcc = ± 15V λαμβάνουμε την περιοχή εξισορρόπησης τάσης ±
VccR2 /(R1 + R2 ) = ± 7.5 mV. Αυτή αποτελεί μια από τις χρησιμοποιούμενες
τεχνικές για να φέρουμε τον ενισχυτή να παρέχει μηδενική τάση εξόδου,
όταν βραχυκυκλώνουμε τις δύο εισόδους του (δίνουμε δηλαδή μηδενική
διαφορά τάσης εισόδου v1 - v2) όπως θα πρέπει να συμβαίνει. Υπάρχουν και
άλλες τεχνικές εξισορρόπησης τάσης πλην αυτής που δείχνεται στο Σχήμα
1.1.
Ο διαφορικός ενισχυτής του Σχήματος 1.2(α) έχει δύο ξεχωριστές
εισόδους (double-ended input) και δύο εξόδους (double-ended output) ή
όπως αλλοιώς αναφέρεται “πλωτή” (floating) έξοδος, με την έννοια ότι
κανείς από τος ακροδέκτες εξόδου δεν “συνδέεται” στη γείωση. Η είσοδος v2
λέγεται μη-αναστρέφουσα είσοδος, επειδή η έξοδος v0 είναι σε φάση με την
τάση v2. Αντίθετα, η είσοδος v1 λέγεται αναστρέφουσα είσοδος, επειδή η
έξοδος vout έχει 180° διαφορά φάσης με την είσοδο v1. Συχνά, η τάση v1 - v2
λέγεται διαφορική είσοδος.
Στο Σχήμα 1.3 δίνεται η πιο πρακτική και η ευρύτερα
χρησιμοποιούμενη μορφή του διαφορικού ενισχυτή. Η μορφή αυτή έχει
πολλές εφαρμογές, επειδή μπορεί να οδηγήσει μη πλωτά φορτία, όπως ο
ενισχυτής CE (Common-Emmiter), ο ακόλουθος εκπομπού και άλλα
ηλεκτρονικά κυκλώματα Ο διαφορικός ενισχυτής του Σχήματος 1.3 έχει και
πάλι μια διαφορική είσοδο και μια απλή έξοδο (single-ended amplifier) η
οποία έχει ως αναφορά την γείωση και είναι η μορφή του διαφορικού
ενισχυτή που χρησιμοποιείται συνηθέστερα στην πράξη.
Αναλύοντας το AC ισοδύναμο κύκλωμα, βρίσκουμε ότι :

vout = -As(v1 - v2 )

όπου vout : η AC τάση από το συλλέκτη στη γη και:

g m RL
Αs =
2

Σημειώνεται ότι το κέρδος τάσης Αs είναι το μισό του κέρδους της

εξίσωσης (1.5). Αυτό είναι άμεση συνέπεια του γεγονότος ότι
χρησιμοποιείται σαν τάση εξόδου το μισό της διαφοράς v01 - v02 δηλαδή η
διαφορά τάσης μεταξύ της εξόδου v02 και της γείωσης και μόνο μια
αντίσταση συλλέκτη Rc. Όλοι οι τελεστικοί ενισχυτές που διατίθενται στο
εμπόριο έχουν έξοδο αυτής της μορφής.

27
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

+Vcc

Rc

Vout

Q1 Q2

v1 v2

Re

-VEE
Σχήμα 1.3. Διαφορικός ενισχυτής δύο εισόδων μιας εξόδου.

1.3. ΠΗΓΕΣ ΣΤΑΘΕΡΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Η ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ

ΡΕΥΜΑΤΟΣ

Οι πηγές σταθερού ρεύματος με δυνατότητα ρύθμισης του παρεχόμενου

ρεύματος είναι απαραίτητες, όχι μόνο στους διαφορικούς ενισχυτές, αλλά και
σε πολλές άλλες εφαρμογές των γραμμικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων,
όπως για παράδειγμα στα χρονοκυκλώματα με χρονισμό με τη χρήση
δικτύων RC. Η απλούστερη πηγή σταθερού ρεύματος είναι η χρήση μιας
μεγάλης εν σειρά αντίστασης με το φορτίο μας, οπότε η τιμή της μεγάλης
αντίστασης θα είναι εκείνη που θα καθορίζει το ρεύμα κατά κύριο λόγο, ενώ
τυχόν μικρομεταβολές στην αντίσταση φορτίου ελάχιστα θα επηρεάζει την
τιμή του ρεύματος. Η απλή όμως αυτή πηγή ρεύματος είναι συνήθως μη-
πρακτική. Ο λόγος είναι ότι η μεγάλη εν σειρά αντίσταση επιτρέπει την ροή
μικρών μόνο (σταθερών) ρευμάτων.
Μια πιο πρακτική πηγή ρεύματος με διακριτά ενεργά και παθητικά
στοιχεία δείχνεται στο Σχήμα 1.4. Η ιδέα εδώ είναι η δημιουργία μιας
σταθερής τάσης πόλωσης της βάσης άρα και ενός σταθερού ρεύματος βάσης-
εκπομπού το οποίο συντελεί σε ένα σταθερό ρεύμα συλλέκτη-εκπομπού του
transistor, που είναι και το τελικό ρεύμα εξόδου. Ουσιαστικά εδώ, οι
αντιστάσεις R1, R2 και R3 είναι αυτές που καθορίζουν τι ρεύμα θα περάσει
μέσα από την αντίσταση που αποτελεί το φορτίο RL.

28
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Μια απλούστερη και πιο αποτελεσματική πηγή ρεύματος ευρέως

χρησιμοποιούμενη στα γραμμικά ICs είναι αυτή του Σχήματος 1.5(α).
Παρατηρώντας τη συνδεσμολογία αυτή μπορούμε να πούμε ότι τα δύο
transistors Q1 και O2 έχουν συνδεδεμένες τις επαφές βάσεως-εκπομπού των
παράλληλα, άρα βρίσκονται υπό την ίδια τάση, άρα όσο ρεύμα συλλέκτη (Ι1)
καταδύει το ένα θα καταδύει και το άλλο (Ic) με την προυπόθεση ότι τα

+Vcc

R1 RL R2Vcc
−VBE
R1 + R2
I out =
R3
R2Vcc
V1 =
R1 + R2 R2Vcc
V2 = ( −VBE )
R1 + R2
R2 R3

Σχήμα 1.4. Πηγή σταθερού ρεύματος με διακριτά στοιχεία.

δύο transistors είναι απολύτως όμοια. Το transistor Q1 όμως είναι

συνδεδεμένο ουσιαστικά σαν δίοδος αφού η επαφή συλλέκτη-βάσεως είναι
βραχυκυκλωμένη. Άρα το κύκλωμα μπορεί να πάρει τη μορφή του Σχήματος
1.5(β). Η ισότητα Ι1 = Ιc υποδηλώνει ότι το ρεύμα του συλλέκτη του
transistor Q2 είναι ίσο με το ρεύμα που διαρρέει την αντίσταση R ίσο δηλ. με
το εξαναγκασμένο όπως λέγεται ρεύμα που εμείς μπορούμε να καθορίσουμε
την τιμή του, ανάλογα με την τιμή της αντίστασης R που θα βάλουμε. Το
σημαντικό εδώ είναι ότι ασχέτως της τιμής της αντίστασης του φορτίου Rc η
τιμή του ρεύματος Ic μπορεί να καθοριστεί από την τιμή της αντίστασης R.
Είναι φανερό ότι η λειτουργία αυτής της πηγής σταθερού ρεύματος
εξαρτάται έντονα από την τέλεια προσαρμογή δηλαδή την απόλυτη
ομοιότητα των δύο transistors. Η παραπάνω συνδεσμολογία εξασφαλίζει
ισότητα των ρευμάτων στο ζεύγος των transistrors, που λόγω της συμμετρίας
του ως προς τον άξονα που ξεκινάει από την θετική τροφοδοσία και

29
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

καταλήγει στη γείωση, ορισμένες φορές ονομάζεται και καθρέπτης

ρεύματος.
Επιστρέφοντας στο διαφορικό ενισχυτή του Σχήματος 1.2(α), η
αντίσταση κοινού εκπομπού Re θα πρέπει να γίνει όσο το δυνατόν
μεγαλύτερη γιατί αυτό δίνει το εξής πλεονέκτημα: κάνει την έξοδο vo1 στη
μια πλευρά του ζεύγους πιο κοντά και με αντίθετη πολικότητα προς την
έξοδο της άλλης πλευράς v02 και επίσης ελαχιστοποιείται η επίδραση από
τυχόν ανομοιομορφία στα transistrors του ζεύγους του διαφορικού ενισχυτή.
Αυτό συμβαίνει, διότι σε αντιστοιχία με το παράδειγμα του διαιρέτη τάσης
που προαναφέρθηκε για την κατασκευή πηγής σταθερού ρεύματος, η μεγάλη
αντίσταση Re θα είναι αυτή που θα καθορίζει κατά κύριο λόγο την τιμή του
ρεύματος που θα καταδύουν τα δυο transistrors. Σαν επακόλουθο αυτής της
ισότητας, αυξάνει η ικανότητα του κυκλώματος απόρριψης σημάτων κοινού-
ρυθμού. Αυτό ποσοτικά εκφράζεται σαν ένας επιθυμητά μεγάλος λόγος
απόρριψης κοινού-ρυθμού (CMRR).
Αν θεωρήσουμε τον ένα κλάδο του διαφορικού ενισχυτή σαν ένα
διαιρέτη τάσης με την επάνω αντίσταση του διαιρέτη να αποτελείται από την
Rc και το διπολικό transistor, και την κάτω αντίσταση την αντίσταση Re, τότε
τυχόν διακυμάνσεις της τιμής της επάνω αντίστασης θα επηρεάζουν τόσο
λιγότερο το ρεύμα που διαρρέει τον διαιρέτη όσο μεγαλύτερη είναι η τιμή
της κάτω αντίστασης σε σχέση με την πάνω, επειδή αυτή είναι που καθορίζει
κατά κύριο λόγο την τιμή του ρεύματος του διαιρέτη. Μια λύση για να το
πετύχουμε αυτό είναι να αυξήσουμε υπερβολικά την τιμή της αντίστασης Re
σε σχέση με την Rc. Υπάρχει της μια πρακτική δυσκολία στην επιλογή πολύ
μεγάλης αντίστασης Re, (της αναφέρθηκε στην αρχή του τμήματος 1.3 για
την απλούστερη πηγή ρεύματος), εφόσον η μεγάλη πτώση τάσης στα άκρα
της, θα απαιτούσε μεγάλες τιμές τάσης τροφοδοσίας που θα μπορούσαν να
δημιουργήσουν αποδεκτές τιμές ρευμάτων συλλεκτών. Η δυσκολία αυτή
ξεπερνιέται αντικαθιστώντας την αντίσταση Re με μια πηγή σταθερού
ρεύματος, που υλοποιείται με ένα τρίτο transistor το Q3 στο κύκλωμα του
Σχήματος 1.6.

30
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

+Vcc +Vcc

R RC R RC

Σταθερό Σταθερό
I1 IC ρεύμα I1 IC ρεύμα
IB εξόδου IB εξόδου
Q2 + Q2

I2 VBE
-
Q1

(α) (β)
+Vcc

RC1 RC2

v01 v02
ic1 ic2

Q1 Q2

v1 v2

ie1+ie2

-VEE
(γ)

Σχήμα 1.5. Καθρέπτης ρεύματος με δύο όμοια transistors Q1 και Q2 (α),

Τροποποίηση του προηγούμενου κυκλώματος (β) και Συνδυασμός
διαφορικού ενισχυτή με πηγή ρεύματος (γ).

31
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Μια πηγή σταθερού ρεύματος, εξ ορισμού, αντιστοιχεί σε μια πηγή

η οποία έχει εξαιρετικά μεγάλη εσωτερική αντίσταση. Μια τέτοια πηγή
λαμβάνεται συνδέοντας στη βάση του transistor Q3 της δύο διόδους D1 και
D2 οι οποίες διατηρούν σταθερή τάση πόλωσης της επαφής βάσης-εκπομπού.
Η τάση πόλωσης αυτή προκύπτει από την πρόσω τάση πόλωσης των δύο
διόδων λόγω της –VEE τροφοδοσίας. Κρατώντας σταθερή την VBE του Q3
κατ’αυτόν τον τρόπο, η τιμή του ρεύματος συλλέκτη του μπορεί να ρυθμιστεί
σε μια κατάλληλη τιμή από την αντίσταση εκπομπού του R3. Το σταθερό
ρεύμα του συλλέκτη του Q3 που προκύπτει, διαιρείται εξ ίσου και αποτελεί
τα ρεύματα ηρεμίας των συλλεκτών των Q1 και Q2.

+Vcc

RC1 RC2

v01 v02 Τάση εξόδου:

ic1 ic2 v0=v01-v02

Q1 Q2

v1 v2

ie1+ie2
R4

Q3

D1
R3
D2

-VEE

Σχήμα 1.6. Κύκλωμα διαφορικού ενισχυτή με τη χρήση και πηγής σταθερού

ρεύματος που υλοποιείται με το transistror Q3 που δημιουργεί
ουσιαστικά μια πολύ μεγάλη αντίσταση σε αντικατάσταση της
αντίστασης Re του σχήματος 1.2(α).

Κοιτάζοντάς το από μια άλλη οπτική γωνία το transistor Q3

λειτουργεί στο σχεδόν οριζόντιο τμήμα της χαρακτηριστικής καμπύλης
εξόδου του, κάνοντας έτσι την εσωτερική του αντίσταση πάρα πολύ υψηλή
(κλίση καμπύλης μηδέν άρα αγωγιμότητα μηδέν συνεπώς αντίσταση σχεδόν
άπειρη). Ένα άλλο πλεονέκτημα που δίνει αυτή η πηγή σταθερού ρεύματος

32
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

είναι το γεγονός ότι οι δίοδοι που χρησιμοποιούνται για να πολώσουν το Q3,

με δεδομένο ότι κατασκευάζονται πάνω στο ίδιο πλακίδιο και με την ίδια
τεχνολογία με το Q3 παρέχουν μια πολύ καλή αντιστάθμιση των μεταβολών
που παθαίνουν τα χαρακτηριστικά της επαφής βάσης-εκπομπού του λόγω
θερμοκρασίας. Είναι προφανές ότι στη θέση της πηγής ρεύματος του
παραπάνω κυκλώματος μπορεί να μπει οποιαδήποτε άλλη από όσες
προαναφέρθηκαν ή ακόμη και της που δεν περιγράφηκαν εδώ.

1.4. ΛΟΓΟΣ ΑΠΟΡΡΙΨΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΡΥΘΜΟΥ (CMRR)

Το πλέον σημαντικό χαρακτηριστικό που είναι απαραίτητο στην πρώτη

βαθμίδα της υψηλού κέρδους ενισχυτή, είναι η ικανότητα να καταστέλλει
ανεπιθύμητες διαταραχές (π.χ. σήματα θορύβου) οι οποίες θα μπορούσαν να
ενισχυθούν παράλληλα με το επιθυμητό σήμα. Το προσαρμοσμένο ζεύγος
των transistors Q1 και Q2 στη βαθμίδα του διαφορικού ενισχυτή έχει
ενδογενώς αυτή την ικανότητα και βασίζεται στο γεγονός, ότι ανεπιθύμητα
σήματα, που θα μπορούσαν να χαρακτηρισθούν σαν θόρυβος, από μια
εξωτερική πηγή θα μπορούσαν να εμφανιστούν σαν κοινά σήματα και της
δύο εισόδους και λόγω του ότι ο διαφορικός ενισχυτής ενισχύει τη διαφορά
δύο σημάτων, τα δύο σήματα θα παρήγαγαν ίσες τάσεις εξόδου των οποίων η
διαφορά στην τελική έξοδο θα ήταν θεωρητικά ίση με το μηδέν.
Η αποτελεσματικότητα στην πράξη της της απόρριψης, της,
εξαρτάται από το πόσο ίσα είναι στη πράξη τα δύο ρεύματα στην αριστερή
και τη δεξιά πλευρά του διαφορικού ενισχυτή και πόσο “ίδια” είναι τα
ηλεκτρονικά στοιχεία της δύο πλευρές του. Αναφερόμενοι και πάλι στο
Σχήμα 1.2(α), μπορεί να φανεί ότι η ισότητα αυτών των ρευμάτων εξαρτάται
από την υπόθεση μεγάλης τιμής αντίστασης Re ώστε να ελαχιστοποιείται η
επίδραση μη ύπαρξης απόλυτης συμμετρίας του υπόλοιπου κυκλώματος (μη
απόλυτα ίδια transistors Q1 και Q2, μη απόλυτα ίσες αντιστάσεις RL κ.λ.π.).
Είδαμε της ότι η χρήση πηγής σταθερού ρεύματος με το Q3 συνεισφέρει
σημαντικά στην επίτευξη του επιθυμητού σκοπού. Μπορούμε λοιπόν να
εκτιμήσουμε την έννοια του λόγου απόρριψης κοινού ρυθμού (CMRR), με
τη χρήση της λόγου που συγκρίνει την επιθυμητή διαφορική ενίσχυση (Ad) με
την ανεπιθύμητη ενίσχυση των σημάτων κοινού ρυθμού (Acm). Σημειώστε
εδώ ότι το Ad αντιστοιχεί με το κέρδος τάσης που αναφέρθηκε προηγουμένως
και που μαζί με το Acm εισήχθησαν στην εξίσωση 1.7. Ο λόγος λοιπόν
απόρριψης κοινού ρυθμού της προαναφέρθηκε ορίζεται ως :

Ad Ad
CMRR = ρ = ως καθαρός αριθμός ή CMRRdb = 20 log σε [db]
Acm Acm
(1.9)

33
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Ο λόγος της θα εξαρτάται από το πόσο μεγάλη αντίσταση

παρουσιάζει η πηγή ρεύματος που σχηματίζει το Q3. Ο CMRR εκφράζει το
πόσες φορές μεγαλύτερο είναι το Ad σε σχέση με το Acm, ή της συνήθως
γίνεται, με το λογαριθμικό λόγο σε decibels [db] της μπορεί να φανεί από το
παρακάτω παράδειγμα:

Παράδειγμα 1-1: Καθορισμός του CMRR

Ας υποθέσουμε ότι έχουμε το κύκλωμα του Σχήματος 1.6 και μετράμε τη
διαφορική έξοδο (vo) για μονοπολική (single-ended) τάση εισόδου (vin) (τάση
μεταξύ των δύο ακροδεκτών εισόδου, όταν η μία είναι γειωμένη) :

είσοδος (vin ) = v1 – v2 = 1mV – 0 = 1mV

έξοδος (διαφορ.) = vo = v02 – v01 = 200mV

Vo 200mV
έτσι, το διαφορικό κέρδος Ad = = = 200
Vin 1mV

Επίσης, όταν και οι δύο ακροδέκτες εισόδου βραχυκυκλωθούν, υποθέτουμε

ότι ένα σήμα κοινού ρυθμού των 10mV (vc) εφαρμόζεται στην κοινή είσοδο,
και λαμβάνεται μια κοινού ρυθμού τάση εξόδου των 2mV.
vo (cm) 2mV
Κέρδος κοινού ρυθμού Acm = = = 0.2
vc 10mV

200
τότε CMRR = Ad /Acm = = 1000
0.2

ή αν θέλουμε μετατροπή σε [db] :

CMRR [db] = 20 log (Ad /Acm ) = 20 log (1000) = 60db

Τυπικές τιμές του CMRR για έναν καλό τελεστικό ενισχυτή του εμπορίου
είναι τιμές περί τα 100db και πάνω.

1.5. ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ

Η σχέση μεταξύ των ποσοτήτων εισόδου και εξόδου της ηλεκτρικού

κυκλώματος καλείται χαρακτηριστική μεταφοράς. Αυτή η σχέση μπορεί να
δίνεται γραφικά ή με τη μορφή μιας εξίσωσης (γνωστής ως συνάρτηση
μεταφοράς). Θα εξετάσουμε και τους δύο τύπους περιγραφής για την
περίπτωση του διαφορικού ενισχυτή. Για να φθάσουμε σε μια μαθηματική

34
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

έκφραση για τη χαρακτηριστική μεταφοράς του διαφορικού ενισχυτή θα

κάνουμε μια ανάλυση των ιδιοτήτων μεγάλου σήματος της διπολικού
transistor. Πάλι, τα στοιχεία Q1 και Q2 θα θεωρηθούν ότι είναι ίδια. Έτσι, για
κάθε transistor του διαφορικού ζεύγους, που δείχνεται στο Σχήμα 1.7(α)
είναι γνωστό ότι για τα συνεχή ρεύματα ισχύουν οι σχέσεις:

Ic = adc IE και IB = (1 – adc ) IE (1.10)

IB
Επομένως: Ic = adc = βdcIB
1- adc
Στη σχετική βιβλιογραφία το βdc συμβολίζεται μερικές φορές και ως hfe.
Το κέρδος του διαφορικού ενισχυτή του Σχήματος 1.7(α) δίνεται
συναρτήσει των στοιχείων του κυκλώματος από τη σχέση:

RL R
AV = = βdc L
2 RE Rin

Επειδή: Rin = 2βdc RE

Όπου: Rin : η αντίσταση εισόδου του τελεστικού ενισχυτή.
Η σχέση μεταξύ της τάσης επαφής εισόδου VBE (βάσεως-εκπομπού) και του
ρεύματος εκπομπού IE δίνεται από τη γνωστή εξίσωση διόδου, με ΙES την τιμή
κορεσμού του ανάστροφου ρεύματος:

IE = IES ( eV BE q / kT
- 1) (1.11)

Όπου: q: το στοιχειώδες φορτίο (1.6x10-19 C)

k: η σταθερά του Boltzmann σε Joules/0Kelvin και
T: η απόλυτη θερμοκρασία της επαφής σε 0Kelvin.

Επειδή ο εκθετικός όρος είναι συνήθως πολύ μεγαλύτερος της μονάδας, ο

όρος -1 μπορεί να παραλειφθεί. Έτσι :

ΙE = IES eV BE q/kT
(1.12)

Ο νόμος ρευμάτων του Kirchoff μας επιτρέπει να προσθέσουμε τα

ρεύματα στον ακροδέκτη του κοινού εκπομπού.

Ιo = IE1 + IE2

35
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

+Vcc
RC1=RC2=RL
RC1 RC2
v01
ic1 ic2 v0=v01-v02
v02
Q1 Q2
v1=0 v2=0
IE1 IE2

i0

-VEE
(α)
V0
+Vcc

0 VI

VI = V1-V2

-VEE

(β)
Σχήμα 1.7. (Συνεχίζεται)

36
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

IC2 IC1
1.0

Σχετικό ρεύμα IC
0.5

0
-8 -4 0 4 8
Τάση διαφορικής εισόδουVI
σε μονάδες kT/q
(γ)

Σχήμα 1.7. Κατασκευή χαρακτηριστικής μεταφοράς. Διαφορικός

ενισχυτής (α), Γραφική παράσταση χαρακτηριστικής μεταφοράς
(VI = v1 - v2) (β) και Μεταβολή ρεύματος συλλεκτών συναρτήσει
της VI (γ).

Ή λαμβάνοντας υπ’ όψιν και την εξίσωση (1.12):

BE 1 −VBE 2
Ιο = ΙES eV BE 2 q / kT
[1 + e(V ) q / kT
] = IE2 [1 + eV q / kT ]
I
(1.13)

Για ευκολία θέτουμε VI = VBE1 - VBE2. Μπορούμε τώρα να λύσουμε την

εξίσωση (1.13) ως προς ΙE2 συναρτήσει του Ιo και της VI :

Io
IE2 = (1.14)
1 + eV q / kT I

και από αυτή:

adc I o
IC1 = (1.15)
1 + e−V q / kT I

και
adc I o
IC2 = (1.16)
1 + eV q / kT I

η χαρακτηριστική μεταφοράς θα ληφθεί από την :

Vo = IC1 RL - IC2 RL (1.17)

adc I o RC (eV q / kT − e−V q / kT ) I I

Vo = (1.18)
2 + eV q / kT + e−V q / kT I I

37
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Μετά από τις πράξεις μπορούμε να πάρουμε :

adc I o RC sinh(VI q/kT)

Vo = (1.19)
1+ cosh(VI q/kT)

όπου sinh(x) και cosh(x) το υπερβολικό ημίτονο και υπερβολικό συνημίτονο

e x − e− x e x + e− x
του x αντίστοιχα που ορίζονται ως: sinh(x) = και cosh(x) = .
2 2
Αυτή η σχέση μεταξύ εισόδου και εξόδου είναι η χαρακτηριστική
μεταφοράς της τάσης και είναι σχεδιασμένη στο Σχ. 1.7(β). Εδώ πρέπει να
σημειωθούν οι περιοχές κορεσμού που υπάρχουν για μεγάλες θετικές και
αρνητικές τιμές του VI. Το κύκλωμα παρουσιάζει ψαλιδισμό στα μεγάλα
πλάτη. Όταν λειτουργεί σαν ενισχυτής η λειτουργία μικρού σήματος πρέπει
να γίνεται στη γραμμική περιοχή κοντά στο κέντρο της καμπύλης, δηλαδή
κοντά στο VI = 0. Μια γραφική παράσταση των εξισώσεων (1.15) και (1.16)
επίσης δίνεται, στο Σχήμα 1.7(γ) με τα ρεύματα συλλέκτη συναρτήσει του VI.
Αν θεωρήσουμε ότι VBE2 = 0 τότε, όταν VBE1 = 0, το ρεύμα του κάθε
συλλέκτη είναι adc Io /2. Το ΙC1 μεταβάλλεται από 0, όταν η VBE1 είναι μεγάλη
και αρνητική, έως adc Io, όταν η VBE1 είναι μεγάλη και θετική.

1.5.1. Διαγωγιμότητα

Μια άλλη παράμετρος η οποία χρησιμοποιείται για να περιγράψει τη

λειτουργία του διαφορικού ενισχυτή είναι η διαγωγιμότητα. Η έννοια της
διαγωγιμότητας είναι συνδεδεμένη με τις λυχνίες κενού, το διπολικό
transistor και τα transistor τύπου FET και ορίζεται ως ο λόγος μιας
αυξητικής μεταβολής στο ρεύμα εξόδου προς την αύξηση στη τάση εισόδου
η οποία προκαλεί την μεταβολή, κάτω από συνθήκες βραχυκυκλωμένου
φόρτου. Αυτό εκφράζεται με τη σχέση:

Δiout
qm = lim ΔVin →0
(1.20)
ΔVin vout =σταϑερα

Τώρα θα δούμε τον όρο "διαγωγιμότητα" για ένα κύκλωμα αντί για
ένα στοιχείο. Για τον διαφορικό ενισχυτή που δείχνεται στο Σχήμα 1.8(α) :

∂I CC
gm(διαφ.εν.) = (1.21)
∂VI vCE = σταϑερα

38
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

θα έχουμε αν VCE1 → VCE2 οπότε η Rcc είναι σαν να είναι βραχυκυκλωμένη,

τότε
IRC1 = Icc + Ic2 και ΙRC2 = Ιc1 - Ιcc οπότε :

ΙCC = (ΙC1 - ΙC2 )/2 (1.22)

+Vcc

RC1 RC2
RCC

ic1 icc ic2

v1 Q1 Q2 v2

IE1 IE2

i0

-VEE
(α)
1.2
Κλάσμα μέγιστης gm

0.8

0.4

0
-8 -2 -1 0 1 2 -8
Τάση διαφορικής εισόδουVI
σε μονάδες kT/q
(β)

Σχήμα 1.8. Κύκλωμα για τον ορισμό της gm (α) και συμπεριφορά της gm ως
προς την VI, (β).

39
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Έτσι, χρησιμοποιώντας τις εξισώσεις (1.15) και (1.16), μπορούμε να βρούμε:

adc I o ⎡ 1 1 ⎤
ICC = ⎢ - ⎥ (1.23)
2 ⎢⎣ 1+ e-V q/kT 1+ eV q/kT ⎥⎦
I I

Από την εξίσωση (1.21) έπεται ότι :

(a dc I o ) q / kT
gm(διαφ.εν.) = (1.24)
(1 + e −VI q / kT )(1 + eVI q / kT )

(adc I o )q/kT
gm(διαφ.εν.) = (1.25)
2[1+ cosh(VI q/kT)]

Αυτή η συμπεριφορά δείχνεται στο Σχήμα 1.8(β). Η μέγιστη τιμή

του gm (διαφ. εν.) μπορεί να βρεθεί παίρνοντας την πρώτη παράγωγο της εξ.
(1.25) και θέτοντας αυτή ίση με μηδέν για να βρούμε την VI και έπειτα
χρησιμοποιώντας αυτή την τιμή στην εξ. (1.25). Από την τελευταία εξίσωση,
η μέγιστη τιμή της συνάρτησης υπάρχει για VI = 0 και δίνεται από την :

(adc I o )q/kT
gm(διαφ.εν.) = (μέγιστη) (1.26)
4

Κοιτάζοντας τώρα τη χαρακτηριστική καμπύλη του Σχήματος 1.8(β)

μπορούμε να παρατηρήσουμε τα εξής: η συμπεριφορά της διαγωγιμότητας
συναρτήσει της διαφορικής τάσης εισόδου είναι εντελώς μη-γραμμική. Αυτό
συνεπάγεται ότι έστω και για μικρές μεταβολές της VI γύρω από το 0 ο
διαφορικός ενισχυτής παρουσιάζει μη-σταθερή διαγωγιμότητα, άρα ενίσχυση
που είναι συνάρτηση του πλάτους του σήματος εισόδου και συνεπώς
παραμόρφωση. Το πρόβλημα αυτό ξεπερνιέται με τη χρήση εκπομπού
παραλλαγής που στην ουσία είναι δύο αντιστάσεις Re1 και Re2 που
προστίθενται εν σειρά στους δύο εκπομπούς των Q1 και Q2 πριν συνδεθούν
στον κοινό κόμβο.

40
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

1.6. ΒΑΘΜΙΔΕΣ ΕΞΟΔΟΥ

Η τελευταία βαθμίδα σε ένα γραμμικό IC αναφέρεται σαν βαθμίδα εξόδου.

Αυτή η βαθμίδα τροφοδοτεί το εξωτερικό φορτίο, που μπορεί να είναι ένας
άλλος τελεστικός ενισχυτής, ένα transistor, ένα παθητικό δίκτυο ή ένα
στοιχείο μετατροπής ενέργειας, όπως ένα ακουστικό. Τα χαρακτηριστικά των
βαθμίδων εξόδου ποικίλλουν, γιατί όλα τα γραμμικά IC δεν είναι
σχεδιασμένα να έχουν τις ίδιες προδιαγραφές. Γενικά από τη βαθμίδα εξόδου
αναμένουμε να μπορεί να λειτουργεί στις υψηλότερες στάθμες ισχύος,
ρεύματος και τάσης στο IC. Όπως γνωρίζουμε, στα δίθυρα δίκτυα, όπως είναι
ο τελεστικός ενισχυτής, είναι επιθυμητή μια χαμηλή σύνθετη αντίσταση
εξόδου. Αυτό μπορεί να εξηγηθεί, αν θεωρήσουμε εφαρμογές όπου
απαιτείται να δοθεί σχετικά μεγάλη ισχύς σε μικρή αντίσταση φορτίου. Σ'
αυτή την περίπτωση μία μεγάλη αντίσταση εξόδου θα είχε σαν συνέπεια να
καταναλώνεται μεγαλύτερη ισχύς στην βαθμίδα εξόδου του ενισχυτή από ότι
στο ίδιο το φορτίο. Για την μεταφορά μέγιστης ισχύος σε ένα μικρό ωμικό
φορτίο, θα πρέπει η ισοδύναμη αντίσταση εξόδου της τελικής βαθμίδας να
είναι σημαντικά μικρότερη από την αντίσταση του φορτίου και στην ιδανική
περίπτωση, μηδενική. Ο σχεδιαστής της βαθμίδας εξόδου έχει να
αντιμετωπίσει το πρόβλημα της επιτρεπτής κατανάλωσης ισχύος λόγω της
υψηλής στάθμης του σήματος εξόδου. Πρέπει, κατά το σχεδιασμό, να
αποφασίσουμε για τη χρήση ενισχυτή λειτουργίας της τάξης (Α) ή της τάξης
(Β). Συχνά απαιτείται ο ακροδέκτης εξόδου να είναι σε σταθερή μηδενική
τάση όταν δεν υπάρχει σήμα στην είσοδο, για να μη έχουμε άσκοπη
κατανάλωση ισχύος.
Η απλούστερη μορφή της βαθμίδας εξόδου είναι ένας απλός
ακολουθητής εκπομπού που δείχνεται στο Σχήμα 1.9(α). Αυτό το κύκλωμα
έχει μια υψηλή αυτοκατανάλωση ισχύος γιατί η μισή από την ολική
παρεχόμενη ισχύ χάνεται στην αντίσταση Re. Το κύκλωμα του Σχήματος
1.9(β) έχει ακολουθητή εκπομπό Q2 σαν βαθμίδα εξόδου του. Επιπροσθέτως,
αυτό το κύκλωμα χρησιμοποιεί ένα μικρό ποσό θετικής ανάδρασης. Το
transistor Q1 είναι ένας οδηγός ακολουθητή εκπομπού και το Q3 λειτουργεί
σαν μια πηγή σταθερού συνεχούς ρεύματος. Το ρεύμα σήματος του
εκπομπού του Q3, ρέοντας δια μέσου της R4, προξενεί μια πτώση τάσης που
μεταφέρεται στη βάση του Q2, με τέτοια διεύθυνση ώστε να ενισχύει το σήμα
εκεί. Αυτή η χρησιμοποίηση της θετικής ανάδρασης έχει το πλεονέκτημα της
αύξησης του κέρδους του ζεύγους Q1 - Q2 από την κανονική τιμή που είναι
μικρότερη της μονάδας στην τιμή 1,5 ή και περισσότερο.
Για να επιτύχουμε όσο το δυνατόν πιο υψηλή δυνατότητα παροχής
ισχύος, προσπαθούμε να αποφύγουμε την αντίσταση που ενυπάρχει στη
σύνδεση ακολουθητή εκπομπού, γιατί η αντίσταση αυτή έχει σαν
αποτέλεσμα την απώλεια ισχύος σήματος καθώς και κατανάλωση ισχύος στο

41
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

σημείο ηρεμίας. Στο κύκλωμα του Σχήματος 1.9(γ) το Q2 και το Q3

λειτουργούν σε τάξη (Α) και το Q1 χρησιμεύει σαν αντιστροφέας φάσης.

+VCC
+VCC
+VCC
+VCC
Q1
In R1
Q1
In
R1 Q2

In Out
Q1 Q2
Q1
In Out Q2
Out VRef Out
Q3
Re

Q3 -VEE
R3 R2
D1
-VEE

R4
-VEE
-VEE

(α) (β) (γ) (δ)

Σχήμα 1.9. Βαθμίδες εξόδου: Απλός ακολουθητής εκπομπού (α),

Ακολουθητής εκπομπού με θετική ανάδραση (β),
Ωθελκτικό (push-pull) ζεύγος εξόδου τάξης (Α) (γ) και
Ωθελκτικό ζεύγος εξόδου τάξης (Β) (δ).

Ο αντιστροφέας φάσης δίνει ένα θετικό σήμα στο Q2 τον ίδιο χρόνο
που παρέχει ένα αρνητικό σήμα στο Q3. Έτσι ένα φορτίο συνδεδεμένο
μεταξύ της κοινής σύνδεσης των transistor εξόδου και της γείωσης
τροφοδοτείται ταυτόχρονα από το Q2 που ενεργεί σαν ένας ακολουθητής
εκπομπού και το Q3 που ενεργεί σαν μια βαθμίδα κοινού εκπομπού. Η δίοδος
D1 μπαίνει για σκοπούς σταθερής πόλωσης της επαφής ΒΕ του Q3.
Το ζεύγος npn-pnp, που δείχνεται στο Σχήμα 1.9(δ) λειτουργεί σε
τάξη (Β). Ένα θετικό εισερχόμενο σήμα θέτει το Q1 σε αγωγή (ON), αλλά το
Q2 παραμένει σε κατάσταση αποκοπής (OFF) για αυτή την ημιπερίοδο. Για
την επόμενη ημιπερίοδο το Q2 είναι σε κατάσταση αγωγής και το Q1 σε
κατάσταση αποκοπής.

42
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

1.7. Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

Ο όρος τελεστικός ενισχυτής (operational amplifier) εμφανίστηκε αρκετά

χρόνια πριν και αρχικά σήμαινε έναν υψηλού κέρδους ενισχυτή ο οποίος με
πρόσθεση αρνητικής ανάδρασης, θα μπορούσε να εκτελεί διάφορες
μαθηματικές λειτουργίες σε κυκλώματα αναλογικών υπολογιστών που τότε
χρησιμοποιούνταν σε ευρεία κλίμακα. Ο όρος παρέμεινε, έστω και αν δεν
χρησιμοποιείται πλέον ευρέως για τέτοιους σκοπούς. Όμως με την εξέλιξη
των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων οι εφαρμογές του παραμένουν ευρύτατες
και προς το παρόν θεωρείται το βασικό δομικό στοιχείο σχεδιασμού κάθε
γραμμικού και μη-γραμμικού κυκλώματος. Οι σχεδιαστές των τελεστικών
ενισχυτών συνήθως λαμβάνουν υπόψη τους όλα τα πιθανά αίτια που μπορούν
να δημιουργήσουν προβλήματα στη λειτουργία του (αρκετά από τα οποία
προαναφέρθηκαν, όπως η επίδραση της θερμοκρασίας στα χαρακτηριστικά
των στοιχείων του διαφορικού ενισχυτή) και να τα ελαχιστοποιήσουν σε ένα
αποδεκτό επίπεδο.
Ένας τελεστικός ενισχυτής λοιπόν, αποτελείται από τις επί μέρους
βαθμίδες που περιγράφηκαν με αρκετή λεπτομέρεια και αναλύθηκαν στις
προηγούμενες παραγράφους. Αυτές επιγραμματικά είναι ο διαφορικός
ενισχυτής στην είσοδο σχεδιασμένος προσεκτικά ώστε να ελαχιστοποιείται η
επίδραση της θερμοκρασίας, η πηγή σταθερού ρεύματος με πολύ υψηλή
αντίσταση και χαμηλή πτώση τάσης πάνω σ'αυτήν και τέλος η βαθμίδα
εξόδου. Οι τελεστικοί ενισχυτές συνήθως τροφοδοτούνται με συμμετρική
τροφοδοσία ως προς την γείωση (+Vcc και –VΕΕ ), αν και μπορούμε να τον
συναντήσουμε σε διάφορες εφαρμογές και με μονοπολική τροφοδοσία (+Vcc
και 0V) και το κυκλωματικό τους σύμβολο μαζί με τμήμα από το εσωτερικό
τους κύκλωμα δείχνεται στο Σχήμα 1.10.
Μπορούμε να διακρίνουμε το διαφορικό ενισχυτή την πηγή
σταθερού ρεύματος και την βαθμίδα εξόδου. Η βαθμίδα εξόδου
περιλαμβάνεται μέσα στο μικρό τρίγωνο, υπάρχουν όμως περιπτώσεις όπου
απαιτείται υψηλή ενίσχυση (κέρδος απ’ ευθείας κλάδου) η οποία δεν μπορεί
να επιτευχθεί με τη χρήση μιας μόνο βαθμίδας διαφορικού ενισχυτή και τότε
μπορούν να συνδεθούν διαδοχικά περισσότερες της μιας βαθμίδας
διαφορικών ενισχυτών πριν πάμε στη βαθμίδα εξόδου. Αυτός είναι ο λόγος
ύπαρξης αυτού του συμβολισμού. Οι τελεστικοί ενισχυτές κατασκευάζονται
πλέον όχι μόνο με διπολικά transistors αλλά επίσης με transistors FET
καθώς και transistors MOS με πάρα πολύ καλά χαρακτηριστικά (π.χ. πάρα
πολύ υψηλή αντίσταση εισόδου της τάξης των 1012Ω, υψηλή συχνότητα
αποκοπής κ.λ.π.). Είναι φανερό ότι τελεστικοί ενισχυτές με τέτοια
βελτιωμένα χαρακτηριστικά προσεγγίζουν περισσότερο στη συμπεριφορά
του ιδανικού τελεστικού ενισχυτή.

43
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

+Vcc
(-)
Είσοδος 1 Βαθμίδα εξόδου και πιθανόν
και άλλες βαθμίδες
διαφορικού ενισχυτή
RC1 RC2

Q1 Q2

Έξοδος

R4
Q3

D1
R3
D2
Είσοδος 2
(+)

-VEE

Σχήμα 1.10. Δομή του τελεστικού ενισχυτή μέσα στο κυκλωματικό του
σύμβολο.

Ο ιδανικός λοιπόν τελεστικός ενισχυτής με βάση όλα τα

προηγούμενα μπορούμε να πούμε ότι ένας ενισχυτής που έχει τις εξής
ιδιότητες :

- Κέρδος τάσης ανοικτού βρόχου, Α → ∞

- Εύρος ζώνης (περιοχή συχνοτήτων σήματος που ενισχύονται εντός
της ζώνης των 0 ÷ -3db), Β → ∞
- Τάση εξόδου vo = 0, όταν v1 = v2
- Σύνθετη αντίσταση εισόδου → ∞
- Σύνθετη αντίσταση εξόδου = 0

Αυτές οι ιδιότητες δεν επιτυγχάνονται ακριβώς στους πραγματικούς

τελεστικούς ενισχυτές αλλά κατά την ανάλυσή τους μπορούμε να
θεωρήσουμε ότι ορισμένες από αυτές ισχύουν, ιδίως όταν θεωρούμε τον
τελεστικό ενισχυτή με ανάδραση. Το συνηθισμένο κυκλωματικό σύμβολο
του τελεστικού ενισχυτή δείχνεται στο Σχήμα 1.11(α) ενώ ένα εναλλακτικό
ισοδύναμο σύμβολο που βοηθάει στην κατανόηση των ιδιοτήτων του

44
 Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

τελεστικού ενισχυτή στο Σχήμα 1.11(β). Το κυκλωματικό σύμβολο του

Σχήματος 1.11(α) αποτελείται από δύο ακροδέκτες εισόδου και έναν
ακροδέκτη εξόδου. Η είσοδος η οποία σημειώνεται με αρνητικό πρόσημο
καλείται αναστρέφουσα είσοδος και είναι εκείνος ο ακροδέκτης για τον
οποίο η έξοδος θα έχει αντίθετη πολικότητα από το σήμα εισόδου
(μετατόπιση φάσης 180°). Από την άλλη πλευρά η είσοδος που σημειώνεται
με θετικό πρόσημο είναι η μη-αναστρέφουσα είσοδος για την οποία η
έξοδος έχει την ίδια πολικότητα όπως το εφαρμοζόμενο σήμα εισόδου
(μετατόπιση φάσης 0°). Σημειώστε ότι το Α αναφέρεται στην ενίσχυση
διαφορικού-ρυθμού Ad που αναφέρθηκε προηγουμένως στην ανάλυση του
διαφορικού ενισχυτή.
V1 (-)

+Vcc
+
-
A V0 = -A(V1 -V2)
V1 V2 (+)
+ -
V0 = -A(V1 -V2)
V2 -VEE

(α) (β)
Σχήμα 1.11. Τυποποιημένο κυκλωματικό σύμβολο τελεστικού ενισχυτή (α)
και εναλλακτικό ισοδύναμο σύμβολο (β).

1.8. ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Όπως αναφέρθηκε προηγουμένως, ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής έχει

εύρος ζώνης που τείνει στο άπειρο. Αυτό πρακτικά σημαίνει ότι αν δίνουμε
προς ενίσχυση π.χ. ένα ημιτονοειδές σήμα σταθερού πλάτους και
μεταβαλλόμενης συχνότητας το σήμα αυτό θα πρέπει να εμφανίζεται
ενισχυμένο κατά Α φορές στην έξοδο και αυτή η ενίσχυση να παραμένει
σταθερή, ασχέτως της συχνότητας του σήματος. Αυτή η ιδανική κατάσταση
δεν συμβαίνει ποτέ σε έναν πραγματικό τελεστικό ενισχυτή, αλλά αντίθετα
παρατηρούμε μια εξασθένηση του πλάτους του σήματος εξόδου και μια
μετατόπιση της φάσης του, όταν η συχνότητα του σήματος μας ξεπεράσει
κάποιο όριο, παρόλο που το πλάτος του σήματος εισόδου παραμένει
σταθερό. Αυτή η συμπεριφορά του τελεστικού ενισχυτή προσομοιάζει με την
συμπεριφορά χαμηλοπερατού φίλτρου.

45
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Θα δούμε στη συνέχεια και θα επεξηγήσουμε ορισμένες έννοιες που

συναντώνται στη βιβλιογραφία και περιγράφουν κάποια χαρακτηριστικά των
τελεστικών ενισχυτών. Ένα από τα σημαντικότερα χαρακτηριστικά ενός
τελεστικού ενισχυτή είναι το εύρος ζώνης (bandwidth). Αυτό ορίζεται
συνήθως με δύο τρόπους :

α) Σαν συχνότητα αποκοπής μοναδιαίου κέρδους: είναι προφανώς η

συχνότητα του σήματος εισόδου στην οποία το κέρδος τάσης Α γίνεται
μονάδα (0db). Αυτή η συχνότητα συμβολίζεται με fu και ποικίλλει συνήθως
από 1MHz έως αρκετά MHz με πιο συνηθισμένες τιμές τα 1 έως 5MHz. Θα
πρέπει να τονιστεί και πάλι εδώ ότι ο τελεστικός ενισχυτής σαν σύνολο
παρουσιάζει μια συμπεριφορά χαμηλοπερατού φίλτρου. Η συμπεριφορά του
κέρδους τάσης συναρτήσει της συχνότητας ενός τυπικού τελεστικού ενισχυτή
δείχνεται στο Σχήμα 1.12.
Όπως μπορούμε να παρατηρήσουμε σ' αυτό, το κέρδος τάσης
ανοικτού βρόχου παραμένει περίπου σταθερό μέχρις ενός ορίου όσο αυξάνει
η συχνότητα του σήματος εισόδου (άρα και της εξόδου αντίστοιχα). Το
κέρδος τάσης αρχίζει στη συνέχεια να μειώνεται έως ότου το σήμα εξόδου
εξασθενίσει εντελώς και μηδενιστεί το πλάτος του. Αυτό σημαίνει ότι αφού
το πλάτος του σήματος εξόδου εξασθενεί συνεχώς κάποτε θα γίνει ίσο με το
πλάτος του σήματος εισόδου. Η συχνότητα στην οποία συμβαίνει αυτό
ονομάζεται συχνότητα αποκοπής μοναδιαίου κέρδους.

Σε db / Απόλυτο
Avo
100 100.000
90
80 10.000
Κέρδος Τάσης

70
60 1000
50 Av
40 100 Avco
30
20 10
10
0 1
-10
-20 0.1

0 1 10 10 2 103 10 4 105 106 107

Συχνότητα [Hz]

(α)

46
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

−450
Φάση
−900

−1350

−1800

Συχνότητα [Hz]

(β)

Σχήμα 1.12. Κέρδος (α) και μετατόπιση φάσης (β) ενός τυπικού τελεστικού
ενισχυτή συναρτήσει της συχνότητας.

β) Εύρος ζώνης πλήρους ισχύος. Αυτό το εύρος ζώνης είναι συνήθως 10

έως 100 φορές μικρότερο από την συχνότητα fu. Ορίζεται σαν τη μέγιστη
συχνότητα στην οποία ένα πλήρους-εύρους μη-παραμορφωμένο ημιτονοειδές
σήμα μπορεί να παρατηρηθεί στην έξοδο ενός τελεστικού ενισχυτή. Εάν ένας
τελεστικός ενισχυτής τροφοδοτείται με ±15V ένα πλήρους εύρους
ημιτονοειδές σήμα εξόδου θεωρείται ένα σήμα που έχει προσεγγιστικά
πλάτος ±10V. Οι μονολιθικοί τελεστικοί ενισχυτές του εμπορίου δεν
έχουν συνήθως εύρος ζώνης πλήρους ισχύος περισσότερο από 2MHz.
Πρόσφατα κατασκευάστηκαν τελεστικοί σε ολοκληρωμένη μορφή των
οποίων το εύρος ζώνης φθάνει σε αρκετά ΜHz, ενώ τελεστικοί που
κατασκευάζονται με διακριτά στοιχεία μπορούν να φθάσουν ακόμη και σε
GHz.

γ) Ρυθμός ανόδου (Slew rate). Όταν στην είσοδο ενός υπεροδηγούμενου

(πλήρες εύρος σήματος εισόδου) τελεστικού ενισχυτή δώσουμε ημιτονοειδές
σήμα του οποίου αυξάνουμε συνεχώς την συχνότητα, από κάποια
συχνότητα και πάνω θα παρατηρήσουμε ότι η έξοδος εμφανίζεται με τη
μορφή τριγωνικής κυματομορφής. Αυτό σημαίνει ότι ο ενισχυτής έχει φθάσει
στα όρια του όσον αφορά την ταχύτητα με την οποία μπορεί να μεταβληθεί η
τάση εξόδου του. Η κλίση αυτής της τριγωνικής κυματομορφής είναι ο
ρυθμός ανόδου, και εκφράζεται σε Volts/μsec. Τυπικές τέτοιες τιμές είναι
γύρω στα 500V/μsec.

47
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

δ) Αντίσταση εισόδου. Η παράμετρος αυτή ορίζεται είτε σαν διαφορική

αντίσταση εισόδου Rid (μεταξύ των δύο ακροδεκτών εισόδου) είτε σαν
αντίσταση εισόδου κοινού-ρυθμού (Common Mode Input Resistance) Ric
(από τον καθένα από τους ακροδέκτες εισόδου ως τον ακροδέκτη αρνητικής
τροφοδοσίας). Στους μονολιθικούς τελεστικούς ενισχυτές με διπολικά
transistors η Rid ποικίλλει από μερικές εκατοντάδες ΚΩ μέχρι αρκετά ΜΩ.
Η Ric δεν πολυχρησιμοποιείται αλλά συνήθως κυμαίνεται περί τα
8
10 Ω ή και περισσότερο. Μονολιθικοί τελεστικοί ενισχυτές που
κατασκευάζονται με transistors FET παρουσιάζουν αντίσταση Rid της τάξης
του 1012Ω και πάνω. Αυτό μας δίνει το δικαίωμα να θεωρούμε την αντίσταση
εισόδου των πραγματικών τελεστικών ενισχυτών ουσιαστικά άπειρη.

ε) Ρεύμα πόλωσης εισόδου. Το ρεύμα πόλωσης εισόδου είναι η μέση τιμή

των ρευμάτων βάσης :

I B1 + I B2
Iin(bias) = (1.27)
2

στ) Παραμένον ρεύμα εισόδου. Στο Σχήμα 1.13, τα ρεύματα βάσης ρέουν
προς την αρνητική τροφοδοσία δια μέσου των αντιστάσεων βάσης.
Παραμένον ρεύμα εισόδου (Ιnput offset current) ορίζεται η διαφορά των
ρευμάτων βάσης, δηλαδή:

Iin(off) = IB1 - IB2 (1.28)

Το ρεύμα αυτό εκφράζει τον βαθμό ομοιότητας των δύο transistor.

Αν τα transistor είναι απολύτως όμοια, τότε το παραμένον ρεύμα εισόδου
είναι μηδέν. Για παράδειγμα, αν υποθέσουμε ότι: ΙB1 = 90μΑ και ΙB2 = 70μΑ.
Τότε το παραμένον ρεύμα εισόδου θα είναι:

Ιin(off) = 90 μΑ - 70 μΑ = 20 μΑ

ζ) Παραμένουσα τάση εξόδου. Στο Σχήμα 1.13 θεωρούμε και τις δύο βάσεις
γειωμένες. Αν τα transistors είναι εντελώς όμοια, η DC ταση εξόδου είναι :

V0 = Vcc - Ic Rc (1.29)

όπου το ρεύμα Ιc είναι περίπου ίσο με :

VEE -VBE
IC ≅ I E 2 = (1.30)
2RE

48
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

όπου RE: η ισοδύναμη αντίσταση, που αντικαθιστά η πηγή ρεύματος, μεταξύ

των δύο εκπομπών και της αρνητικής τροφοδοσίας. Κάθε παρέκκλιση από
αυτήν την τιμή ηρεμίας λέγεται παραμένουσα τάση εξόδου (Output offset
voltage). Αν τα transistors δεν είναι όμοια, τα DC ρεύματα εκπομπών δεν
είναι ίσα και εμφανίζεται μια παραμένουσα τάση εξόδου.

η) Παραμένουσα τάση εισόδου (Input offset voltage) ορίζεται η τάση

εισόδου, που απαιτείται για να μηδενιστεί η παραμένουσα τάση εξόδου. Για
παράδειγμα, αν σε κάποιο τεχνικό εγχειρίδιο αναφέρεται μια μέγιστη
παραμένουσα τάση εισόδου ίση με 5mV, αυτό σημαίνει ότι πρέπει στη
χειρότερη περίπτωση, να εφαρμόσουμε μέχρι και 5mV σε μια από τις
εισόδους, ώστε να μηδενιστεί η παραμένουσα τάση εξόδου. Γενικά, όσο
μικρότερη είναι η παραμένουσα τάση εισόδου, τόσο καλύτερος είναι ο
διαφορικός ενισχυτής, επειδή τα δύο transistors του μοιάζουν περισσότερο
μεταξύ τους.

+Vcc

RC

ic v0

Q1 Q2

RB
IE1 IE2 RB

i0

-VEE

Σχήμα 1.13. Διαφορικός ενισχυτής για τον ορισμό του παραμένοντος

ρεύματος και της παραμένουσας τάσης εισόδου.

θ) Κορεσμός του σήματος εξόδου. Για μια μεγάλη ενίσχυση ενός, έστω και
μικρού, σήματος εισόδου ο τελεστικός ενισχυτής μπορεί να εισέλθει στη
περιοχή του λεγόμενου κορεσμού. Μια σαφής εικόνα της μη-γραμμικής
αυτής συμπεριφοράς ενός τελεστικού δείχνεται στην τυπική συνάρτηση
μεταφοράς τάσης εισόδου-εξόδου του Σχήματος 1.14. Οι μέγιστες τάσεις
συμμετρικής τροφοδοσίας των τελεστικών ενισχυτών συνήθως είναι τα

49
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

±15V. Επειδή ο τελεστικός ενισχυτής, όπως περιγράφηκε έως τώρα, στην

εσωτερική του δομή δεν περιέχει τέτοιου είδους στοιχεία που θα μπορούσαν
να προκαλέσουν ανύψωση της τάσης τροφοδοσίας του (π.χ. πηνία,
μετασχηματιστές, πυκνωτές κ.λ.π.), η τάση εξόδου του σε καμία περίπτωση
δεν θα μπορούσε να είναι μεγαλύτερη από την τάση τροφοδοσίας του. Αυτό
θα πρέπει να προσεχθεί ιδιαίτερα διότι οι μέγιστες τάσεις εξόδου των
τελεστικών συνήθως είναι λίγο μικρότερες από τις τροφοδοσίες δηλ. για την
περίπτωσή μας περίπου ±13.5V. Αυτά τα όρια σε καμία περίπτωση δεν
μπορούν να ξεπεραστούν, έστω και αν από τη θεωρητική σχέση τάσης
εισόδου-ενίσχυσης (σχέση 1.5) προκύπτει μεγαλύτερη τιμή τάσης εξόδου. Ο
τελεστικός ενισχυτής του Σχήματος 1.14 λοιπόν, είναι γραμμικός μόνο στην
περιοχή τάσεων εξόδου Vout = ±10V. Από τα ±10V έως τα ±13.5V
παρουσιάζει μη-γραμμική λειτουργία ενώ αν πρέπει να βγάλει στην έξοδο
τάσεις πέραν αυτών των ορίων τότε λέμε ότι ο ενισχυτής μπήκε σε κορεσμό
και η τάση εξόδου παραμένει σταθερή ή στα +13.5V ή στα -13.5V ασχέτως
αν η θεωρητικά προκύπτουσα τιμής της τάσης εξόδου είναι μεγαλύτερη. Το
ανοικτού-βρόχου κέρδος τάσης Avo σ' αυτή τη γραμμική περιοχή μπορεί να
υπολογιστεί από τη συνάρτηση μεταφοράς. Εάν π.χ. για έξοδο +10V
απαιτείται τάση εισόδου + 0.1 mV το κέρδος είναι :
Τάση εξόδου [V]

V0

+Vcc

10

-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3

-5 Τάση εισόδου [mV]

-10

-VEE

Σχήμα 1.14. Τυπική συνάρτηση μεταφοράς τάσης εισόδου-εξόδου για

τελεστικό ενισχυτή.

ΔVout 10V
Avo = = = 100.000
ΔVin 10 -4 V

50
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Ενίσχυση σημάτων με πλάτος εξόδου πάνω από τα ±10V προκαλεί

κορεσμό του ενισχυτή, παραμόρφωση της κυματομορφής εισόδου στην
έξοδο και ψαλιδισμό της.

1.9. ΠΡΑΚΤΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΛΕΣΤΙΚΩΝ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ

'Ένας από τους πλέον χρησιμοποιούμενους σε βιομηχανικές εφαρμογές

τελεστικός ενισχυτής είναι ο τύπος 741. Παρόλο που ο τελεστικός αυτός
ενισχυτής σχεδιάστηκε πριν από πάρα πολλά χρόνια και που σήμερα
διατίθενται στο εμπόριο εκατοντάδες είδη τελεστικών ενισχυτών, πολλοί από
τους οποίους έχουν σημαντικά βελτιωμένα χαρακτηριστικά σε σχέση με τον
741, εντούτοις η ευρεία εξάπλωσή του και η χρήση του σε πάρα πολλές -
κυρίως βιομηχανικές εφαρμογές - μας δίνει το δικαίωμα να τον
περιγράψουμε σαν ένα αντιπροσωπευτικό δείγμα και να δούμε την
εσωτερική του δομή.
Ο 741 εμφανίζεται σε διάφορους τύπους, όπως 741, 741Α, 741C,
741Ε, 741Ν και άλλους. Οι τύποι αυτοί διαφέρουν στο κέρδος τάσης, στην
θερμοκρασιακή περιοχή λειτουργίας, στο επίπεδο θορύβου και σε άλλα
χαρακτηριστικά. Ο τύπος 741C (το C δηλώνει τον κοινό τύπο του εμπορίου)
είναι ο φθηνότερος και ο ευρύτερα διαδεδομένος. Τα τυπικά του
χαρακτηριστικά είναι: σύνθετη αντίσταση εισόδου 2ΜΩ, κέρδος τάσης
100.000 και σύνθετη αντίσταση εξόδου 75Ω. Στο Σχήμα 1.15 δίνεται ένα
απλοποιημένο κυκλωματικό διάγραμμα του 741. Το κύκλωμα αυτό είναι
ισοδύναμο με τον 741 και με πολλούς άλλους τελεστικούς ενισχυτές
νεώτερων γενεών. Η βαθμίδα εισόδου είναι ένας διαφορικός ενισχυτής με
transistor p-n-p (Q1 και Q2). Για να έχει ο συντελεστής CMRR μεγάλη τιμή,
το ρεύμα ουράς του διαφορικού ενισχυτή παρέχεται από ένα καθρέφτη
ρευμάτων (D13 και Q14). Ακόμη, για να είναι όσο γίνεται μεγαλύτερο το
κέρδος τάσης του διαφορικού ενισχυτή, χρησιμοποιείται ένας καθρέφτης
ρευμάτων ως φορτίο (D3 και Q4).
Η έξοδος του διαφορικού ενισχυτή (συλλέκτης του Q2) οδηγεί έναν
ακόλουθο εκπομπού (Q5). Αυτή η βαθμίδα μετατοπίζει τη στάθμη τάσης,
ώστε να μη φθάνει σε κορεσμό ο διαφορικός ενισχυτής. Το σήμα εξόδου του
Q5 οδηγεί το Q6, που είναι η οδηγός βαθμίδα της μονάδας εξόδου τάξης (Β).
O συλλέκτης του Q5 συνδέεται με την θετική πηγή τροφοδοσίας Vcc. Η τελική
βαθμίδα είναι ένας ενισχυτής push-pull τάξης (Β) με ακόλουθο εκπομπού (Q9
και Q10). Επειδή χρησιμοποιείται διπλή πηγή τροφοδοσίας (split supply) με
ίσες θετική και αρνητική τάση (συμμετρική τάση τροφοδοσίας), η τάση
ηρεμίας εξόδου, όταν οι τάσεις εισόδου είναι ίδιες, είναι μηδέν. Κάθε
παρέκκλιση από το μηδέν λέγεται παραμένουσα τάση εξόδου. Τα Q11 και
D12 αποτελούν το φορτίο καθρέφτη ρευμάτων της οδηγού βαθμίδας τάξης
(Β).

51
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Σημειώνουμε ότι, επειδή όλες οι βαθμίδες συνδέονται μεταξύ τους

με DC σύζευξη, δεν υπάρχει κατώτερη συχνότητα αποκοπής. Με άλλα λόγια,
ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένας ενισχυτής DC ζεύξης, δηλαδή λειτουργεί
σε συχνότητες σήματος εισόδου μέχρι και τη μηδενική.
+VCC

D13 D12
Q11
Q14

R2 R3
Q9

D7
-VEE
+ C D8 VOut
Vin
- +VCC
Q1 Q2
Q5 Q10

Q4 Q6

D3 R1

-VEE

Σχήμα 1.15. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή 741.

Συνοψίζοντας την ανάλυση του διαφορικού ενισχυτή και των

υπολοίπων βαθμίδων του τελεστικού ενισχυτή μπορούμε να πούμε ότι το
κύκλωμα του διαφορικού ενισχυτή είναι στη πράξη μια βαθμίδα εισόδου
ενίσχυσης της διαφοράς δύο τάσεων, με βελτιωμένα χαρακτηριστικά, που
μας επιτρέπει να τον χρησιμοποιούμε σαν έναν ευσταθή ενισχυτή στην
είσοδο του τελεστικού. Η λειτουργικότητά του ξεπερνά πολλές άλλες
γνωστές διατάξεις ακόμη και αν τον κατασκευάσουμε με διακριτά στοιχεία.
Τα πλεονεκτήματα από τη χρήση του διαφορικού ενισχυτή σε συνδυασμό με
πηγή ρεύματος είναι πολύ υψηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου για τον
τελεστικό ενισχυτή πολύ καλή καταστολή της ολίσθησης και ανεπιθύμητων
σημάτων (υψηλό CMRR).

52
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Ο διαφορικός ενισχυτής είναι μια από τις καλύτερες βαθμίδες DC

σύζευξης. Η περισσότερο διαδεδομένη μορφή του είναι αυτή των δύο
εισόδων και της μιας εξόδου. Έχει μια αναστρέφουσα και μια μη-
αναστρέφουσα είσοδο με τον ρόλο που περιγράφηκε καθώς και μία έξοδο.
Ένας λόγος για τον οποίο ο διαφορικός ενισχυτής είναι σημαντικός, είναι η
ικανότητά του να απορρίπτει τα σήματα κοινού ρυθμού (CMRR), όπως είναι
οι διάφορες παρεμβολές, θόρυβοι, οι στατικές τάσεις κι άλλα ανεπιθύμητα
σήματα, εάν βεβαίως αυτά εμφανίζονται τα ίδια και στις δύο εισόδους του
τελεστικού ενισχυτή. Ο συντελεστής απόρριψης του σήματος κοινού ρυθμού
είναι ο λόγος του διαφορικού κέρδους τάσης προς το κέρδος τάσης κοινού
ρυθμού. Όσο μεγαλύτερος είναι ο συντελεστής CMRR, τόσο καλύτερος είναι
ο διαφορικός ενισχυτής, επειδή τα επιθυμητά σήματα ενισχύονται
περισσότερο από τα ανεπιθύμητα.
Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένας DC ενισχυτής με μεγάλο κέρδος,
που χρησιμοποιείται σε ευρεία περιοχή συχνοτήτων από 0Hz (DC) μέχρι
αρκετά MHz. Προσθέτοντας στον τελεστικό ενισχυτή κατάλληλα δίκτυα
ανάδρασης, πράγμα το οποίο μπορεί να επιτευχθεί συνδέοντας εξωτερικά
αντιστάσεις ή άλλα παθητικά ή ενεργά στοιχεία, μπορούμε να ρυθμίσουμε το
κέρδος τάσης και τη ζώνη διέλευσης συχνοτήτων, σύμφωνα με τις απαιτήσεις
μας όπως θα περιγραφεί αναλυτικά στο επόμενο καφάλαιο.
Καθώς αυξάνει η συχνότητα του σήματος εισόδου φθάνουμε σε ένα
σημείο όπου αρχίζει να εμφανίζεται η παραμόρφωση, επειδή η έξοδος του
τελεστικού ενισχυτή δεν μπορεί να αυξάνει ταχύτερα από το ρυθμό ανόδου.
Για δεδομένο ρυθμό ανόδου, η ζώνη διέλευσης συχνοτήτων μεγάλου
σήματος ελαττώνεται με την αύξηση του πλάτους της τάσης εξόδου. Ένας
τρόπος για να αυξηθεί η ζώνη διέλευσης συχνοτήτων είναι ο περιορισμός του
πλάτους της τάσης εξόδου.

53
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

ΑΣΚΗΣΕΙΣ

1. Βρείτε το CMRR σε db, όταν το CMRR (= Ad/Acm) δίνεται ως εξής:

(α) Όταν Ad/Acm = 100,000
(β) Όταν Ad/Acm = 10,000

2. Σχεδιάστε έναν διαφορικό ενισχυτή όμοιο με του Σχήματος 1.7 και

βρείτε την τιμή της ενίσχυσης τάσης (Av), όταν το βdc = 150, η RL =
15kΩ και η Rin = 2.5kΩ.

3. Για να πολώσουμε σε ένα σταθερό ρεύμα ένα transistor (Q1)

ολοκληρωμένου κυκλώματος, χρησιμοποιούμε το κατωτέρω κύκλωμα
του σχήματος Α1.3:

+Vcc

R1 R2

VCE2

R3 IB IC1 IB R4

+ Q1 Q2
VBE -

Vin

Σχήμα Α1.3
Δίνεται ότι: α) τα Q1 και Q2 είναι όμοια
β) R1 = R3 = R4 = 10kΩ, hfe = 100
γ) Vcc = 12V, VBE = 0.7V
Να υπολογιστεί η R2 ώστε VCE2 = Vcc /2 σε κατάσταση ηρεμίας.

4. Θέλουμε να κατασκευάσουμε καταδύτη χαμηλού σταθερού ρεύματος I,

και χρησιμοποιούμε το κατωτέρω κύκλωμα του παρακάτω Σχήματος
Α1.4, όπου τα Q1, Q2 είναι όμοια.

54
 Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

kT
Δίνονται: Vcc = 12V, I1 = 2mA, βdc = 100, = 25mV
q
Ζητούνται οι τιμές των R1 και R2, ώστε I = 25 μA.

+Vcc

R1 RC

Σταθερό
I ρεύμα
I1
IB2 εξόδου

Q2

R2
IE2
Q1

Σχήμα Α1.4

5. Το παρακάτω κύκλωμα παριστάνει το AC ισοδύναμο ενός διαφορικού

ενισχυτή.

i1 i2
ie1 ve ie2

Rb Rb
hfei1 hfei2
v01 v02
AC v1 AC v2
RE
RC1 RC2

Σχήμα Α1.5

55
Κεφ. 1. Εσωτερική δομή του τελεστικού ενισχυτή

Βρείτε ποια σχέση ισχύει μεταξύ της διαφορικής τάσης εισόδου, της
αντίστασης Rb και των ρευμάτων i1 και i2.

6. Όταν στην είσοδο του παραπάνω διαφορικού ενισχυτή εφαρμοστούν δύο

διαφορικά σήματα v1 = -v2 να βρεθεί ποια θα είναι η σχέση μεταξύ των
ρευμάτων i1 και i2.

56