Ηλεκτρονική Φυσική Δημήτριος Γουστουρίδης ΤΕΙ Πειραιά

Ηλεκτρονική Φυσική
ΕΛΛΗΝΙΚΗ
ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ
Ανώτατο Εκπαιδευτικό
Ίδρυμα Πειραιά Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης
Τεχνολογικού Τομέα Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε
Ενότητα 1: Εισαγωγή
Βιβλιογραφία
• Χαριτάντης Γ. Ηλεκτρονικά Ι. Εισαγωγή στα

Ηλεκτρονικά. Εκδόσεις, Aράκυνθος 2006.
• Βασική Ηλεκτρονική A.P. Malvino, Εκδόσεις
Τζιόλα
• Forrest Mims, Getting Started in Electronics,
1983
Προσδοκώμενα Αποτελέσματα
Στην ενότητα αυτή θα μάθετε για:
 Ηλεκτρονικά Στοιχεία,
 Σχεδιασμός και Ανάλυση κυκλώματος,
 Ισοδύναμα Μοντέλα και Περιορισμοί
6
1.1 Εισαγωγή
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική

Εισαγωγή
8
Βιβλία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 1 Μικροηλεκτρονικά Κυκλώματα
Κωδικός Βιβλίου στον Εύδοξο: 2139 Κωδικός Βιβλίου στον Εύδοξο: 9758
Έκδοση: 1/2006 Αριθμός τόμου: Α
Συγγραφείς: ΧΑΡΙΤΑΝΤΗΣ ΓΙΑΝΝΗΣ Έκδοση: 5η έκδ./2010
ISBN: 978-960-91034-6-6 Συγγραφείς: Sedra Adel, Smith Kenneth,
Τύπος: Σύγγραμμα Ιωάννης Παπανάνος
Διαθέτης (Εκδότης): ΔΕΜΕΡΝΤΖΗΣ ISBN: 978-960-7182-60-9
ΠΑΝΤΕΛΗΣ Τύπος: Σύγγραμμα
Διαθέτης (Εκδότης): Α. ΠΑΠΑΣΩΤΗΡΙΟΥ &
ΣΙΑ ΟΕ
10
Ορισμός
• Ηλεκτρονική Φυσική είναι ο κλάδος της

φυσικής που ασχολείται με την διάδοση του
ηλεκτρισμού στα στερεά (solid state physics),
την φυσική των ημιαγωγών (semiconductor
physics) και τα διάφορα ηλεκτρονικά στοιχεία
που μπορούν να υλοποιηθούν με τους
ημιαγωγούς (device physics).
11
Θέματα που θα καλυφθούν
Κεφάλαιο Ώρες
Εισαγωγή: Τι είναι η Ηλεκτρονική Φυσική? 2x 2ωρες διαλέξεις
Αγωγοί – Μονωτές – Ημιαγωγοί. 4x 2ωρες διαλέξεις
Γιατί οι ημιαγωγοί είναι τόσο ιδιαίτεροι
Επαφή PN – Το πρώτο ηλεκτρονικό στοιχείο η δίοδος 5-6x 2ωρες διαλέξεις
επαφής.
Τρανζίστορ BJT – Το βασικό ηλεκτρονικό εξάρτημα. 5-6x 2ωρες διαλέξεις
Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET – MOSFET). 4x 2ωρες διαλέξεις
Άλλα ηλεκτρονικά εξαρτήματα 1-2x 2ωρες διαλέξεις
Επανάληψη 1-2x 2ωρες διαλέξεις
12
Ηλεκτρονικά Στοιχεία Που Χρησιμοποιούμε
Παθητικά Στοιχεία: Αντίσταση, Πυκνωτής, Πηνίο
Ενεργητικά Στοιχεία: Δίοδοι, Φωτοδίοδοι, Τρανζιστορ,

Θυρίστορ, Τράϊακ κλπ.
13
Ηλεκτρονικά στοιχεία που χρησιμοποιούμε
• Παθητικά Στοιχεία: Αντίσταση, Πυκνωτής, Πηνίο.

• Τα παθητικά στοιχεία έχουν γενικά γραμμική* και
προκαθορισμένη συμπεριφορά και ο ρόλος τους
σε ένα κύκλωμα είναι παθητικός.
– Πχ. να περιορίσουν ένα ρεύμα ή να υποβιβάσουν μια
τάση (αντίσταση) ή να κόψουν μια χαμηλή ή υψηλή
συχνότητα (πυκνωτής και αντίσταση).
* Εξαιρούμε τα κυκλώματα ταλαντώσεως (LC, RLC) τα

οποία δεν θα μας απασχολήσουν.
14
Ηλεκτρονικά στοιχεία που χρησιμοποιούμε
• Ενεργητικά Στοιχεία: Δίοδοι, Φωτοδίοδοι, Τρανζίστορ,

Θυρίστορ, Τράϊακ κλπ.
• Τα ενεργητικά στοιχεία δεν έχουν γραμμική και
“προκαθορισμένη” συμπεριφορά. Το πώς θα
λειτουργήσουν έχει να κάνει από τον τρόπο που θα τα
χρησιμοποιήσουμε (πόλωση – συνδεσμολογία).
• Ο ρόλος του είναι κύριος κατά την επιλογή τους στο
σχεδιασμό ενός ηλεκτρονικού κυκλώματος, ενώ τα
παθητικά στοιχεία παίζουν τον ρόλο του να τα θέσουν
στην σωστή λειτουργία.
• Τα ενεργητικά στοιχεία είναι η καρδιά κάθε ηλεκτρονικού
κυκλώματος.
15
Πως σχεδιάζουμε και αναλύουμε ένα κύκλωμα
• Στα παθητικά στοιχεία χρησιμοποιούμε απλούς

νόμους όπως του νόμους του Kirchhoff και των
θεωρημάτων Thevenin-Norton για να αναλύσουμε
το κύκλωμα (θεωρία κυκλωμάτων).
Πχ.
16
• Με τα ενεργητικά στοιχεία όμως τι κάνουμε?
• Πώς επιλύουμε ένα κύκλωμα με ένα τρανζίστορ NPN, το

οποίο έχει τρεις ακροδέκτες?
• Τι σχέση έχουν οι ακροδέκτες μεταξύ τους?
17
• Στα ενεργητικά στοιχεία χρησιμοποιούμαι την έννοια

του ισοδύναμου ΜΟΝΤΕΛΟΥ. Δηλαδή ενός
κυκλώματος το οποίο αποτελείται από απλά στοιχεία,
όπως αντιστάσεις, πυκνωτές, πηγές τάσης ρεύματος
και το οποίο μπορεί να επιλυθεί με την θεωρεία
κυκλωμάτων.
• Κάθε μηχανικός δουλεύει με ισοδύναμα μοντέλα, τα
οποία προσεγγίζουν με μια ορισμένη ακρίβεια την
πραγματικότητα.
• Γιατί? Στις περισσότερες περιπτώσεις η φύση είναι πολύ
πολύπλοκη για να περιγράψεις ένα φαινόμενο
αναλυτικά .
18
Πχ.
• Το παραπάνω μοντέλο μας λέει ότι το τρανζίστορ είναι ένα δίπολο

που έχει μια αντίσταση εισόδου rπ, μεταξύ βάσης – εκπομπού και
στην έξοδο του (συλλέκτη)* βγάζει ρεύμα ίσο με β φορές το ρεύμα
εισόδου του. Τα β και rπ είναι παράμετροι που εξαρτώνται από το
τρανζίστορ.
* Το παραπάνω παράδειγμα αναφέρεται στην συνδεσμολογία Κοινού

Εκπομπού.
19
• Οπότε στο προηγούμενο παράδειγμα έχουμε:
20
Από τι εξαρτάται ένα ισοδύναμο μοντέλο?
• Μα φυσικά από την φυσική που υπάρχει πίσω

από το σύστημα που περιγράφει.
– Στην περίπτωση μας από την φυσική που υπάρχει
στην λειτουργία του τρανζίστορ.
• Η Ηλεκτρονική Φυσική μας περιγράφει το πώς
λειτουργεί ένα τρανζίστορ, άρα μας οδηγεί στο
μοντέλο που πρέπει να ακολουθήσουμε.
• Κατανοώντας την βασική λειτουργία κάθε
ηλεκτρονικού στοιχείου, όλα τα άλλα είναι
εύκολα…
21
Περιορισμοί (1)
• Το προηγούμενο μοντέλο που δείξαμε ισχύει

μόνο στην περιοχή λειτουργίας του
τρανζίστορ που την ονομάζουμε «ενεργή»,
δηλαδή εκεί που λειτουργεί σαν ενισχυτής.
• Οι εξωτερικές αντιστάσεις που του
συνδέουμε «πολώνουν» το τρανζίστορ στην
ενεργή περιοχή, άρα μπορούμε να
χρησιμοποιήσουμε το μοντέλο μας.
22
• Συνεπώς το παιχνίδι του σχεδιασμού λειτουργεί

ως εξής:
 Πολώνουμε το κύκλωμα μας (τρανζίστορ) στην
κατάλληλη περιοχή.
 Εφαρμόζουμε το ισοδύναμο μοντέλο που το
περιγράφει και το επιλύουμε.
• Το πρώτο λέγεται πόλωση του τρανζίστορ (ή DC
ανάλυση), το δεύτερο ισοδύναμο κύκλωμα στο
AC.
• Τόσο απλά!!!
23
Άλλο παράδειγμα: η δίοδος
• Η δίοδος είναι ένα ηλεκτρονικό στοιχείο το

οποίο επιτρέπει την ροή του ρεύματος μόνο
προς την μια φορά, από την Άνοδο προς την
Κάθοδο (συμβατική φορά ρεύματος), αρκεί η
τάση να υπερβεί ένα φραγμό δυναμικού.
– Τα γνωστά λεντάκια είναι φωτοεκπέμπουσες
δίοδοι (Light Emission Diode)*.
*Λεπτομέρειες και αναλυτικά η αρχή λειτουργίας των διόδων στο

σχετικό κεφάλαιο.
24
Ιδανική δίοδος:
1. Εάν Vanode > Vcathode το ρεύμα
περνάει ελεύθερα.
2. Εάν Vanode ≤ Vcathode το ρεύμα δεν
περνάει.
Μοντέλο σταθερής τάσης

1. Εάν Vanode – Vcathode > VD το ρεύμα
περνάει ελεύθερα.
2. Εάν Vanode – Vcathode ≤ VD το ρεύμα
δεν περνάει.
25
• Πολώστε το παρακάτω κύκλωμα, ώστε να ανάψει το κόκκινο

LED, όταν απαιτείται να το διαρρέει 20mA ρεύμα. Δίνονται
VLED = 1.6V.
Η LED είναι ορθά πολωμένη, και V=9V > VLED=1.6V, συνεπώς

η LED θα άγει ρεύμα. Η αντίσταση R θα πρέπει να είναι τέτοια
που θα περιορίζει το ρεύμα στα 20mA, δηλαδή: R= (V-VLED) /
20mA = 370Ω. 26
• Υπάρχει μόνο ένα ισοδύναμο μοντέλο?
 Φυσικά OXI! Ανάλογα την ακρίβεια των αποτελεσμάτων

που επιθυμούμε υπάρχουν πολυπλοκότερα ισοδύναμα
μοντέλα με πλήθος παραμέτρων (αντιστάσεις,
χωρητικότητες κλπ.) που οδηγούν σε προσεγγίσεις
υψηλότερης ακρίβειας.
 Τα καλά νέα όμως είναι ότι αυτά τα πολυπλοκότερα
μοντέλα, είναι ενσωματωμένα σε προγράμματα
εξομοίωσης κυκλωμάτων, άρα την δουλειά την κάνει
ο υπολογιστής.
27
• Ο Υπολογιστής όμως δεν σχεδιάζει ένα

κύκλωμα, αυτή είναι δουλεία του μηχανικού…
και εσύ θα πρέπει να ξέρεις τι πας να κάνεις…
28
Περιορισμοί (2): Παράδειγμα
• Έχουμε 2 πολιτικούς μηχανικούς που και οι 2

χρησιμοποιούν τον ίδιο πρόγραμμα υπολογισμού
στατικών (κολώνες, μπετό, σίδηρο κλπ.), δηλαδή
χρησιμοποιούν και οι 2 για την επίλυση των στατικών
του σπιτιού τα ίδια υπολογιστικά μοντέλα.
 Ο 1ος μηχανικός δεν έχει καμιά ιδέα για αυτά τα
μοντέλα, αρχές λειτουργίας κλπ. απλά γνωρίζει να
χρησιμοποιεί το πρόγραμμα και το εμπιστεύεται.
 Ο 2ος μηχανικός έχει σε βάθος γνώση των
χρησιμοποιούμενων μοντέλων και των αρχών που τα
διέπουν.
Εσείς ποιόν μηχανικό θα εμπιστευόσασταν για το σπίτι σας? 29
Χρήση υπολογιστή
• Παράδειγμα διαιρέτη τάσης με Multisim.
• Για δωρεάν εκπαιδευτική έκδοση του

προγράμματος:
• http://www.ni.com/academic/multisimse.htm
• ή στο Google:
• multisim education edition
30
Ενότητα 2: Φυσική Ημιαγωγών


 Αγωγούς (Conductors)
 Ημιαγωγούς (Semiconductors)
 Κρύσταλλοι πυριτίου (Silicon crystals)
 Ενδογενείς Ημιαγωγοί (Intrinsic semiconductors)
 Δύο τύποι φορέων για το ρεύμα σε ημιαγωγούς
 Νόθευση Ημιαγωγών (Doping a semiconductor)
 Δύο τύποι εξωγενών Ημιαγωγών p,n
2.1 Αγωγοί – Ημιαγωγοί – Μονωτές,

Ατομική Δομή Στοιχείου
7
Αγωγοί – Ημιαγωγοί - Μονωτές
• Ένας πολύ καλός αγωγός του ηλεκτρισμού (π.χ. ένα

μέταλλο) ονομάζεται αγωγός.
• Αντίθετα, ένας κακός αγωγός του ηλεκτρισμού
ονομάζεται μονωτής.
• Υλικά των οποίων οι τιμές αγωγιμότητας βρίσκονται
μεταξύ των δύο ακραίων αυτών περιπτώσεων
ονομάζονται ημιαγωγοί.
• Χαρακτηριστικές τιμές αντίστασης για κύβο πλευράς
1 cm είναι:
Πυρήνας Ατόμου
• Φορτίο Λιθίου
Φορτίο Ηλεκτρονίου = 1.60217646 × 10-19 coulombs
9
Ιόντα
10
Ελεύθερα Ηλεκτρόνια
• Τα ηλεκτρόνια μπορούν να είναι ακίνητα σε

μια επιφάνεια ή να κινούνται στον χώρο με
ταχύτητα κοντά σε αυτή του φωτός.
Μονωτής Αγωγός
11
Ένταση Ρεύματος - Τάση
• Ένταση ηλεκτρικού ρεύματος (Ι): Είναι η

ποσότητα των ηλεκτρονίων που περνάνε από
ένα σημείο.
– Μονάδες Ampere (A).
• Τάση ή Δυναμικό (V ή E): Είναι η ηλεκτρική
πίεση ή δύναμη.
– Μονάδες Volt (V).
• Διαφορά δυναμικού είναι η διαφορά της
τάσης ανάμεσα σε δύο σημεία.
12
Νόμος του Ohm
V
R=
I ή
13
Αγωγός
• Υλικό που επιτρέπει την ροή ρεύματος.

• Παραδείγματα: χαλκός (copper), άργυρος
(silver), χρυσός (gold).
• Οι καλύτεροι αγωγοί έχουν ένα ηλεκτρόνιο
σθένους (valence electron).
14
Ατομική Δομή Χαλκού
15
Πυρήνας
• Η στιβάδα σθένους ή εξωτερική τροχιά

ελέγχει τις ηλεκτρικές ιδιότητες.
• Ο πυρήνας του ατόμου χαλκού έχει καθαρό
φορτίο + 1.
• Το ηλεκτρόνιο της στιβάδας σθένους είναι
χαλαρά συνδεδεμένο…
16
Απλοποιημένο Διάγραμμα Πυρήνα Χαλκού
17
Ελεύθερο Ηλεκτρόνιο
• Η έλξη μεταξύ του πυρήνα και του

ηλεκτρονίου σθένους είναι ασθενής.
• Με εξωτερική διέγερση (θερμοκρασία, φώς..)
το ηλεκτρόνιο σθένους γίνεται ελεύθερο και
δεν είναι δεσμευμένο στο άτομο.
18
Ημιαγωγός - Semiconductor
• Ένα στοιχείο με ηλεκτρικές ιδιότητες ανάμεσα

σε αυτές του αγωγού και του μονωτή.
19
Παραδείγματα Ημιαγωγών
• Οι ημιαγωγοί τυπικά έχουν 4 ηλεκτρόνια

σθένους (valence electrons).
• Γερμάνιο (Germanium).
• Πυρίτιο (Silicon ).
20
Το πυρίτιο (Si) Ανήκει στη Στήλη 4 (IV) του Περιοδικού

Πίνακα
21
Ημιαγώγιμα Στοιχεία (Ενεργειακές Στάθμες)
Ηλεκτρόνια Σθένους
22
Ενεργειακές Στάθμες
Τα ηλεκτρόνια μπορούν να υπάρξουν μόνο σε συγκεκριμένες

ενεργειακές στάθμες, ανάμεσα στις ενεργειακές στάθμες
υπάρχουν οι απαγορευμένες (ενεργειακά) ζώνες.
23
Παράδειγμα Κατανομής Ηλεκτρονίων
Si14, του λείπουν 4 από την 3p

Cu29, του λείπει 1 από την 3d
24
Ge32, του λείπουν 4 από την 4p
Απλοποιημένα Διαγράμματα Πυρήνα Χαλκού και
Πυριτίου
Ένα ηλεκτρόνιο σθένους 4 ηλεκτρόνια σθένους
Χαλκός Πυρίτιο
+1 +4
Ο πυρήνας μαζί με τις εσωτερικές στιβάδες

(τροχιές) ηλεκτρονίων
25
Άτομα Πυριτίου σε Κρύσταλλο με Διαμοιρασμένα
Ηλεκτρόνια
Κορεσμός ζώνης σθένους Valence saturation: n = 8
Λόγω του ότι τα ηλεκτρόνια σθένους είναι δεσμευμένα,

ο κρύσταλλος του πυριτίου σε θερμοκρασία δωματίου
συμπεριφέρεται σαν μονωτής
26
Ομοιοπολικοί Δεσμοί
• Ετεροπολικοί δεσμοί με ηλεκτροστατικές

δυνάμεις Coulomb-ιόντα που συγκρατούνται
μεταξύ τους. Όταν πλησιάσουν τα νέφη
ασκούνται απωστικές δυνάμεις και τελικά
έχουμε ισορροπία
• Οι ομοιοπολικοί δεσμοί (covalent bonding)
σχηματίζονται λόγω των κοινών ηλεκτρονίων
που μοιράζονται μεταξύ τους άτομα.
– Δεν είναι απόλυτα αληθές αυτό… όλοι οι δεσμοί είναι
ομοιοπολικοί, απλά κάποιοι έχουν ετεροπολική
συμπεριφορά.
27
Δυναμική Ενέργεια Αλληλεπίδρασης Ατόμων σε
Μόριο
Ενέργεια
Απόσταση μεταξύ ατόμων
• Η δυναμική ενέργεια δύο ατόμων που πλησιάζουν μεταξύ

τους παρουσιάζει ελάχιστο στην απόσταση που
δημιουργείται ο ομοιοπολικός δεσμός (διείσδυση
ηλεκτρονικών φλοιών..).
28
Ενεργειακά Επίπεδα
Η ενέργεια που αντιστοιχεί σε κάθε ένα ηλεκτρόνιο

μετριέται σε electron volts (eV)
29
Άτομο Si και Στάθμες Ενέργειας
30
Ενεργειακά Επίπεδα (Στάθμες) στα Άτομα
• Όσο μακρύτερα είναι τα ηλεκτρόνια

από τον πυρήνα, τόσο μεγαλύτερη η
ενεργειακή κατάσταση.
• Κάθε ηλεκτρόνιο που έχει
απομακρυνθεί (ελεύθερο) από το
άτομο στο οποίο ήταν δεσμευμένο
βρίσκεται σε υψηλότερη ενεργειακή
Θεωρούμε την ενέργεια κατάσταση από οποιοδήποτε άλλο
σε άπειρη απόσταση ίση στην ατομική δομή.
με 0 (αναφορά)
31
Ενεργειακά Επίπεδα (Στάθμες) στα Άτομα
Πηγάδι
Δυναμικού
• Μόνο τα ηλεκτρόνια
σθένους συνεισφέρουν στις
Θεωρούμε την ενέργεια ηλεκτρικές ιδιότητες του
σε άπειρη απόσταση 0 ατόμου.
(αναφορά) • Τα υπόλοιπα είναι πολύ
«βαθιά» στο πηγάδι
δυναμικού του πυρήνα 32
Ενεργειακά Επίπεδα (Στάθμες)
• Για να μετακινηθεί ένα ηλεκτρόνιο σε ανώτερη στοιβάδα

χρειάζεται επιπλέον ενέργεια.
• Όταν ένα ηλεκτρόνιο μεταπηδά σε χαμηλότερη τροχιά,
χάνει ενέργεια με την μορφή θερμότητας, φωτός και
άλλης ακτινοβολίας.
• Τα LED’s είναι ένα παράδειγμα όπου μέρος αυτής της
δυναμικής ενέργειας μετατρέπεται σε φώς.
Δεν μπορεί ένα ηλεκτρόνιο να πάει σε ενδιάμεση θέση
(μεταξύ 2 στοιβάδων), μόνο οι στοιβάδες είναι επιτρεπτές
ενεργειακές καταστάσεις.
33
Ενεργειακά Επίπεδα (Στάθμες)
• Οι ενεργειακές στάθμες εξηγούν τα φαινόμενα των

φασματικών γραμμών που παρατηρούνται.
• Μετάβαση από μία στάθμη υψηλότερης ενέργειας σε
μία χαμηλότερη έχει σαν αποτέλεσμα την εκπομπή
φωτός-φωτονίου με μήκος κύματος τέτοιο ώστε αν
ΔΕ=Ε2-Ε1 η διαφορά ενέργειας των ενεργειακών
σταθμών να ισχύει ΔΕ=hν όπου ν η συχνότητα του
φωτός και h η σταθερά Plank (h=6,62 10-34 J·s).
• Ισχύει ότι c=λ·ν όπου λ το μήκος κύματος του φωτονίου
που εκπέμπεται και c η ταχύτητα του φωτός.
34
To Ηλεκτρομαγνητικό Φάσμα
35
To Ηλεκτρομαγνητικό Φάσμα
Φάσμα εκπομπής του Ήλιου Γραμμές

(στην επιφάνεια της Γης) απορρόφησης
36
Φάσμα Ηλιακής Ακτινοβολίας
37
Φάσματα Γνωστών Πηγών
38
Μετάβαση με Ενέργεια
ΔΕ=hν
• Επίσης αν δεχθεί ενέργεια το ηλεκτρόνιο (φώς,
θερμότητα..) μπορεί να μετακινηθεί σε τροχιά με
μεγαλύτερη ενέργεια.
– Αλλά θα πρέπει να δεχτεί τόση ενέργεια όση ενεργειακή
απόσταση έχει η επόμενη στάθμη.
– Ανάμεσα στις ενεργειακές στάθμες δεν μπορεί να υπάρξει το
ηλεκτρόνιο.
39
Μετάβαση με Ενέργεια
ΔΕ=hν
• Για μία κόκκινη LED αν υποθέσουμε ότι το
μεγαλύτερο ποσοστό τους φωτός εκπέμπεται στα
628 nm.
• Να ευρεθεί η διαφορά των ενεργειακών σταθμών
μεταξύ των οποίων μεταπηδά ένα ηλεκτρόνιο για να
παραχθεί ένα φωτόνιο.
λ = 628nm = 628 ×10 −9 m, 3 × 108 m / s
⇒v= −9
= 4.78 × 1014 Hz
c = λ ⋅ν 628 × 10 m
(3.16 × 10 −19 J )
∆E = h ⋅ν = (6.62 × 10 −34
J ⋅ s ) ⋅ (4.78 × 10 Hz ) = (
14
)eV = 1.98eV
1.6 × 10 −19
40
Ενεργειακές Ζώνες
 Ότι είπαμε παραπάνω αφορούν μεμονωμένα άτομα, τι

γίνεται όμως όταν δύο άτομα ενώνονται σχηματίζοντας
ένα μόριο?
 Όταν 2 άτομα ενώνονται για να σχηματίσουν ένα μόριο οι
ενεργειακές στάθμες «εκφυλίζονται» και κάθε μια
σχηματίζει μια διπλή ενεργειακή στάθμη (με τις s να
χωράνε πλέον 2x2e και τις p 2x6e).
 Όταν N άτομα ενώνονται για να σχηματίσουν ένα
κρύσταλλο, ομοίως έχουμε N φορές «εκφυλισμό» (με τις s
να χωράνε πλέον Νx2e και τις p Νx6e) .
 Όταν το Ν είναι πολύ μεγάλο (όπως είναι στα στερεά,
6.022x1023/mol), τότε οι «εκφυλισμένες» ενεργειακές
στάθμες γίνονται ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΖΩΝΕΣ.
41
Ενεργειακές Ζώνες
 Εμάς μας ενδιαφέρει το τι γίνεται στις τελευταία

ενεργειακή ζώνη όπου βρίσκονται τα χαλαρά
ηλεκτρόνια του κρυστάλλου που μπορούν να
συνεισφέρουν στην αγωγιμότητα, δηλαδή στην ζώνη
αγωγιμότητας, αλλά και στην αμέσως προηγούμενη
που την λέμε ζώνη σθένους.
 Το ποια θα είναι η κατάσταση σε αυτές τις ενεργειακές
ζώνες εξαρτάται από το είδος των ατόμων του
κρυστάλλου και το τι κρύσταλλο σχηματίζουν αυτά
(κάποια σχηματίζουν και διαφορετικούς κρυστάλλους
όπως ο άνθρακας που σχηματίζει το διαμάντι και τον
γραφίτη).
42
Ενεργειακές Ζώνες στο Si
43
Ενεργειακές Ζώνες στο Si
• Οι στάθμες ενέργειας των ηλεκτρονίων σθένους για το Si

εκφυλίζονται σε δύο ενεργειακές ζώνες.
– Την ζώνη αγωγιμότητας και
– Την ζώνη σθένους.
• Η ζώνη αγωγιμότητας αποτελείται από 4Ν στάθμες
ενέργειας κενές ηλεκτρονίων στο απόλυτο μηδέν.
• Επειδή όμως η ενεργειακή τους απόσταση είναι μικρή
(ενεργειακό χάσμα EG=1,1 eV) με προσφορά ενέργειας
(θερμότητα, φώς) μεταπηδούν ηλεκτρόνια στην ζώνη
αγωγιμότητας.
– Δημιουργούνται οπές στην ζώνη σθένους.
44
Ενεργειακές ζώνες: Μονωτές, Αγωγούς &

Ημιαγωγούς
Μονωτής Ημιαγωγός Αγωγός
45
Αγωγοί
• Στους αγωγούς η ζώνη αγωγιμότητας και η ζώνη

σθένους επικαλύπτονται.
• Εάν στον αγωγό εφαρμοστεί μια διαφορά
δυναμικού τα ηλεκτρόνια έχουν ελεύθερες
ενεργειακές στάθμες να κινηθούν, οπότε έχουμε
αγωγή ρεύματος.
• Από τι εξαρτάται η αντίσταση του αγωγού?
46
Μονωτές
• Στους μονωτές η ζώνη αγωγιμότητας και η ζώνη σθένους

έχουν μεγάλη ενεργειακή απόσταση EG>5 eV.
• Εάν στον αγωγό εφαρμοστεί μια διαφορά δυναμικού τα
ηλεκτρόνια ΔΕΝ έχουν ελεύθερες ενεργειακές στάθμες να
κινηθούν, οπότε και δεν υπάρχει ροή ρεύματος.
• Πιο σωστά χρειάζεται πολύ μεγάλη διαφορά δυναμικού για
να υπάρξει ρεύμα ή ο μονωτής να είναι σε πολύ μεγάλη
θερμοκρασία.
• Προσοχή: αναφερόμαστε πάντα σε κρυσταλλικά υλικά

και όχι σε κεραμικούς μονωτές, πλαστικά ή οξείδια
(γυαλιά).
47
Ημιαγωγοί
• Στους αγωγούς η ζώνη αγωγιμότητας και η ζώνη σθένους

έχουν σχετικά μικρή ενεργειακή απόσταση EG~1 eV.
• Στην θερμοκρασία του απολύτου μηδενός (-273,15οC),
όπου η κίνηση της ύλης (ενδοατομικές ταλαντώσεις)
παγώνουν, ο ημιαγωγός είναι μονωτής.
• Σε θερμοκρασίες όμως περιβάλλοντος οι ταλαντώσεις του
κρυστάλλου διεγείρουν ηλεκτρόνια από την Ζ.Σ. στην Ζ.Α.
άρα ο ημιαγωγός παρουσιάζει αγωγιμότητα. Τα
ηλεκτρόνια που μεταπηδούν αφήνουν οπές (κενές θέσεις)
στην Ζ.Σ. άρα δημιουργούνται και εκεί ελεύθερες
Ενεργειακές καταστάσεις.
• Έτσι και οι μονωτές (πχ. διαμάντι) μπορεί να παρουσιάσει
αγωγιμότητα σε πολύ υψηλές θερμοκρασίες (~2000oC).
48
Τιμές Συγκέντρωσης Φορέων
• Χαρακτηριστικές τιμές συγκέντρωσης n των φορέων

αγωγιμότητας στους διάφορους τύπους υλικών
είναι:
49
Σύνθετοι Ημιαγωγοί
• Εκτός από τα ημιαγωγά στοιχεία Ge, Si υπάρχουν και

σύνθετα ημιαγώγιμα υλικά, που είναι ενώσεις διαφόρων
χημικών στοιχείων.
• Μεταξύ των ενώσεων αυτών μας ενδιαφέρει το GaAs
(EG=1.42eV).
– Σχηματίζεται από 3 άτομα Ga ηλεκτρόνια σθένους και άτομα As
με 5 ηλεκτρόνια σθένους που συνδέονται μεταξύ τους με
ομοιοπολικούς δεσμούς.
• Υπάρχει και ολόκληρος κλάδος της επιστήμης που
ασχολείται με κατασκευή σύνθετων ημιαγωγών
συγκεκριμένου ενεργειακού χάσματος (Band Gap
Engineering), με εφαρμογές κυρίως σε οπτικά
συστήματα (LEDs κλπ.)
50
Σύνθετοι Ημιαγωγοί
• Το ενδιαφέρον του GaAs συνίσταται στο ότι, η ευκινησία των ηλεκτρονίων του είναι
πολύ μεγαλύτερη απ' ότι στο Ge ή Si, οπότε, το υλικό προσφέρεται για την κατασκευή
ηλεκτρονικών στοιχείων, που λειτουργούν σε υψηλές συχνότητες.
• Οι πρώτες εφαρμογές GaAs στην περιοχή των ραδιοσυχνοτήτων εμφανίστηκαν το
1964.
• Έκτοτε, μελετήθηκαν σύνθετοι ημιαγωγοί και άλλων ενώσεων και παρουσιάστηκαν σε
εφαρμογές, για την περιοχή των πολύ υψηλών συχνοτήτων μέχρι τα 200GHz.
• Οι πλέον συνήθεις σύνθετοι ημιαγωγοί είναι:
– Gallium Arsenide (GaAs),
– Aluminium Gallium Arsenide (AlGaAs),
– Indium Phosphide (InP),
– Indium Gallium Phosphide (InGaP),
– Gallium Nitride (GaN),
– Gallium Phosphide (GaP),
– Indium Gallium Arsenide (InGaAs),
– Silicon Germanium (SiGe),
– Φωτοδίοδοι (Light-emitting Diode. LED).
51
Κρύσταλλοι
• Η δομή των κρυσταλλικών στερεών χαρακτηρίζεται

από την επανάληψη στον χώρο μιας βασικής δομής
(σύνολο ατόμων, μορίων ή ιόντων).
– Στα άμορφα στερεά δεν υπάρχει αυτή η κανονικότητα
στην δομή.
• Οι δομές αυτές μπορεί να αποτελούνται από ένα
άτομο που με συγκεκριμένη δομή τοποθετείται στον
χώρο.
• Στις πρωτεΐνες έχουμε κρυστάλλους με χιλιάδες άτομα
σε μια επαναλαμβανόμενη διάταξη στον χώρο.
52
53
• Κάθε άτομο Si έχει 4

κοντινούς γείτονες
• Σταθερά πλέγματος
= 5.431Å
54
Ομοιοπολικοί Κρύσταλλοι
• Ο ομοιοπολικός δεσμός μεταξύ δύο ατόμων

δημιουργείται, συνήθως, μεταξύ 2 ηλεκτρονίων, 1
από κάθε άτομο.
– Τα ηλεκτρόνια του δεσμού τείνουν να είναι στην περιοχή
μεταξύ των δύο ατόμων.
55
Μέταλλα
• Τα μέταλλα μπορούν να θεωρηθούν ως σειρές στατικών

ιόντων που περικλείονται από μια θάλασσα
ηλεκτρονίων.
• Το κύριο χαρακτηριστικό του μεταλλικού δεσμού είναι η
ελάττωση της ενέργειας των ηλεκτρονίων σθένους στα
μέταλλα συγκρινόμενη με αυτή των ελεύθερων ατόμων.
56
Ενδογενής Ημιαγωγός
• Είναι ο καθαρός ημιαγωγός.

• Ένας κρύσταλλος πυριτίου είναι ενδογενής (intrinsic)
αν το κάθε άτομο στον κρύσταλλο είναι άτομο
πυριτίου.
• Δύο τύποι φορέων φορτίου για την ροή του
ρεύματος:
– ηλεκτρόνια (electrons) και
– οπές (holes).
57
Δημιουργία Ζεύγους Ηλεκτρονίων Οπών
58
Ζεύγη Ηλεκτρονίων-Οπών
• Όπως αναφέραμε στον κρύσταλλο του πυριτίου, παρόμοια

με τα απομονωμένα άτομα, αντί για στάθμες έχουμε ζώνες.
– Για τους ημιαγωγούς όπως το πυρίτιο η μία ζώνη, η ζώνη σθένους
είναι τελείως συμπληρωμένη και τα αντίστοιχα ηλεκτρόνια είναι
δεσμευμένα (δεν μπορούν να κινηθούν).
– Η επόμενη ζώνη (ζώνη αγωγιμότητας- conduction band) είναι τελείως
κενή.
– Όπως αναφέρθηκε η ενεργειακή διαφορά μεταξύ των δύο αυτών
ζωνών ονομάζεται ενεργειακό χάσμα (band-gap) και για το πυρίτιο
είναι περίπου 1.1 eV.
• Ενώ το ελεύθερο ηλεκτρόνιο είναι ένας φορέας αρνητικού
φορτίου, η οπή που είναι στην πραγματικότητα η απουσία
ενός ηλεκτρονίου που μετακινήθηκε μπορεί να θεωρηθεί σαν
φορέας θετικού φορτίου με τιμή την απόλυτη τιμή του
φορτίου του ηλεκτρονίου.
– Με την παρουσία ηλεκτρικού πεδίου οι κινήσεις τους θα είναι σε
αντίθετες κατευθύνσεις, αλλά λόγω των αντίθετων φορτίων το ρεύμα
που προκαλείται θα έχει την ίδια φορά.
59
Ζεύγη Ηλεκτρονίων-Οπών
• Παράδειγμα κίνησης ηλεκτρονίων στη ζώνη

αγωγιμότητας- οπών και στη ζώνη σθένους
60
Στο Εσωτερικό Ενός Κρυστάλλου Πυριτίου
• Ενδογενείς ημιαγωγοί (intrinsic semiconductors):

– Στο απόλυτο 0 (0° K) όλα τα ηλεκτρόνια σθένους είναι δεσμευμένα
στους ομοιοπολικούς δεσμούς.
– Σε υψηλότερες θερμοκρασίες κάποιοι ομοιοπολικοί δεσμοί “σπάνε”
και δημιουργούνται ελεύθερα ηλεκτρόνια και οπές (θερμική
ενέργεια).
– Κάποια από τα ελεύθερα ηλεκτρόνια και οπές επανασυνδέονται .
– Η επανασύνδεση (Recombination) χρονικά εκτείνεται από μερικά
nanoseconds έως microseconds. Απελευθερώνεται ενέργεια θερμική
ή με την μορφή φωτός.
– Κάποια ελεύθερα ηλεκτρόνια και οπές μένουν σ’ αυτή την κατάσταση
έως ότου επανασυνδεθούν.
61
Στο Εσωτερικό Ενός Κρυστάλλου Πυριτίου
• Η συγκέντρωση των φορέων ρεύματος εξαρτάται

σημαντικά από την θερμοκρασία
k = σταθερά Boltzmann = 1.381x10-23 J/oK = 8.63 eV/oK

62
Επίπεδο (Ενέργειας) Fermi
Συνάρτηση Fermi (πιθανότητα)
63
Λογαριθμική Σκάλα Αγωγιμότητας
64
Αγωγή Μέσα Σε Υλικό
υthermal~ 106km/h
υ0~ 1m/h
(3A ρεύμα σε 1mm
σύρματος Cu)
65
Αγωγή Στα Μέταλλα
Ταχύτητα Ολίσθησης:
u0 = - μeE
66
Πως Προκύπτει η Ευκινησία
67
• Όπου q το φορτίο του ηλεκτρονίου 1,6*10-19 Cb.
όπου είναι η ηλεκτρική αγωγιμότητα

του μετάλλου
68
• Από νόμο του Ohm έχουμε
• Η ποσότητα είναι η αντίσταση του

υλικού.
69
Αγωγή Σε Ημιαγωγούς
70
Αγωγή Σε Ενδογενείς Ημιαγωγούς
• Σ’ έναν ενδογενή ημιαγωγό, τα ελεύθερα

ηλεκτρόνια της ζώνης αγωγιμότητας
συμπεριφέρονται όπως και τα ελεύθερα
ηλεκτρόνια των μετάλλων.
• Με την επίδραση ηλεκτρικού πεδίου
αποκαθίσταται ένα ρεύμα ολίσθησης με
πυκνότητα ίση με:
71
• Σύμφωνα με τα παραπάνω, η οπή μπορεί να

θεωρηθεί ως φυσική οντότητα θετικού
φορτίου, η κίνηση της οποίας συνεπάγεται
ρεύμα κατά την φορά του εξωτερικού πεδίου.
• Η πυκνότητα του ρεύματος αυτού δίνεται από
την σχέση:
72
• Πυκνότητα συνολικού ρεύματος ολίσθησης:
• Η ειδική αγωγιμότητα ενδογενούς ημιαγωγού

δίνεται:
όπου ni η συγκέντρωση ενδογενών φορέων.

• Θυμίζουμε ότι n=p= ni για ενδογενή ημιαγωγό.
73
Ενδογενείς Ημιαγωγοί
n
p
n ⇒ συγκέντρωση ηλεκτρονίων
p ⇒ συγκέντρωση οπών
n = p = ni ⇒ Συγκέντρωση ενδογενών φορέων
np = n i2
Ειδική αγωγιμότητα σ = qnμ e + qpμ h = qn i (μ n + μ h )

q φορτίο ηλεκτρονίου
μh ευκινησία οπών
μe ευκινησία ηλεκτρονίων
74
Εξωγενείς Ημιαγωγοί: Νόθευση (Doping)
• Προσθέτουμε ξένα άτομα στον κρύσταλλο

ενδογενούς ημιαγωγού τροποποιούμε την ηλεκτρική
αγωγιμότητα.
• Ένας νοθευμένος ημιαγωγός ονομάζεται εξωγενής
ημιαγωγός (extrinsic semiconductor).
75
Νόθευση των Κρυστάλλων του Πυριτίου
για την Απόκτηση Μόνιμων Φορέων Φορτίου
Ελεύθερο Ηλ. Οπή

(n type) (p type)
Τρισθενής αποδέκτης
Πεντασθενής δότης Βόριο B, γάλλιο Ga, ίνδιο In
P , As, αντιμόνιο Sb
76
Ενεργειακές Στάθμες Ατόμων Νόθευσης Si
Conduction Band
Valence Band
77
Ημιαγωγός Τύπου n
• Οι ενεργειακές στάθμες των ηλεκτρονίων του

δότη βρίσκονται στην απαγορευμένη περιοχή και
πολύ κοντά στην ζώνη αγωγιμότητας του
ημιαγωγού που νοθεύουμε.
• Θα ισχύει np=ni2(T) (νόμος μαζών).
• Η συγκέντρωση των δοτών είναι μικρή (1015
~1018 άτομα/cm3 σε σύγκριση με την
συγκέντρωση των ατόμων του ημιαγωγού ~1023
άτομα/cm3 και επηρεάζει μόνο τα ηλεκτρικά
χαρακτηριστικά του.
78
Ημιαγωγός Τύπου n
• Σε ημιαγωγό τύπου n τα ηλεκτρόνια είναι οι

φορείς πλειονότητας (majority carriers), ενώ οι
οπές ελάχιστα συνεισφέρουν στην αγωγιμότητα
και αποτελούν τους φορείς μειονότητας
(minority carriers).
79
Ημιαγωγός Τύπου n – Ενεργειακό Διάγραμμα
80
Εξωγενείς Ημιαγωγοί
np = n i2
σ = qnμ e + qpμ h
1) Τύπου n
n
ND p
n i2
n = p + ND p=
p + ND
n i2
Αν N D > 10 2 n i , τότε, n ≈ ND p=
ND
n i2
σ = qN D μ e + q μ ≈ qN D μ e
ND h
81
Αγωγιμότητα Εξωγενούς Ημιαγωγού Τύπου n
=>
Άρα
Και
82
Ο κρύσταλλος Αυτός Νοθεύτηκε με Πεντασθενή

Δότη
• Σε ημιαγωγό τύπου n η ροή του ρεύματος βασίζεται

στα ελεύθερα ηλεκτρόνια.
83
Ημιαγωγός Τύπου p
• Οι ενεργειακές στάθμες των ηλεκτρονίων του αποδέκτη

βρίσκονται στην απαγορευμένη περιοχή και πολύ κοντά
στην ζώνη σθένους του ημιαγωγού που νοθεύουμε.
• Ηλεκτρόνια μεταπηδούν από την ζώνη σθένους του
ημιαγωγού στις στάθμες ηλεκτρονίων του αποδέκτη.
– Δημιουργούνται οπές στην ζώνη σθένους.
• Θα ισχύει np=ni2(T)
• Η συγκέντρωση των αποδεκτών είναι μικρή (1015 ~1018
άτομα/cm3 σε σύγκριση με την συγκέντρωση των
ατόμων του ημιαγωγού ~1023 άτομα/cm3 και επηρεάζει
μόνο τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά του.
84
• Σε ημιαγωγό τύπου p οι οπές είναι οι φορείς

πλειονότητας (majority carriers), ενώ τα ηλεκτρόνια
ελάχιστα συνεισφέρουν στην αγωγιμότητα και
αποτελούν τους φορείς μειονότητας (minority
carriers).
85
Ημιαγωγός Τύπου p – Ενεργειακό Διάγραμμα
86
n
NA p
n i2
p = n + NA n=
n + NA
n i2
Αν N A > 10 n i , τότε,
2
p ≈ NA n=
NA
n i2
σ=q μ + qN A μ h ≈ qN A μ e
NA e
87
Αγωγιμότητα Εξωγενούς Ημιαγωγού Τύπου p
και
• Επομένως θα ισχύει ότι:
• Δηλαδή το ρεύμα σε ημιαγωγό τύπου p είναι στην

ουσία ρεύμα οπών.
88
Ο Κρύσταλλος Αυτός Νοθεύτηκε με Τρισθενή

Αποδέκτη
• Σε ημιαγωγό τύπου p η ροή του ρεύματος βασίζεται στις οπές

• Σημειώστε ότι το ρεύμα των οπών είναι αντίθετο σε κατεύθυνση από
το ρεύμα των ηλεκτρονίων. 89
Ρεύματα Διάχυσης σε Ημιαγωγό
90
Ρεύματα Διάχυσης (diffusion) σε Ημιαγωγό
• Είναι δυνατόν να υπάρχει ροή ρεύματος σε αγωγό

ακόμα και με απουσία ηλεκτρικού πεδίου.
– Η ροή αυτή προκαλείται από ανομοιογενείς συγκεντρώσεις
φορέων αγωγιμότητας μέσα στον αγωγό.
• Αν υπάρξει σε ένα άκρο μεγάλη συγκέντρωση φορέων
ενός τύπου, θα υπάρξουν μεταξύ τους απωθητικές
δυνάμεις.
• Αποτέλεσμα είναι η διοχέτευση τους προς περιοχές
μικρότερης συγκέντρωσης τους.
• Η κίνηση θα συνεχιστεί μέχρι την ομοιόμορφη
κατανομή των φορέων στο υλικό.
91
• Αποδεικνύεται ότι η μέση ταχύτητα διάχυσης

κατά τη διεύθυνση x δίνεται από την σχέση:
όπου De είναι ο συντελεστής διάχυσης των

ηλεκτρονίων.
92
• Η διάχυση των φορέων δημιουργεί ηλεκτρικό

ρεύμα του οποίου η πυκνότητα είναι:
• Ανάλογα υπολογίζεται η πυκνότητα ρεύματος

διάχυσης οπών:
• όπου Dh είναι ο συντελεστής διάχυσης των οπών.
93
Σχέση Einstein
• Για τα ηλεκτρόνια:
• Για τις οπές:
• Από τις 2 αυτές σχέσεις προκύπτει:

(Σχέση Einstein)
94
• Συμπερασματικά μπορούμε να πούμε ότι το

ρεύμα ημιαγωγού μπορεί να οφείλεται σε:
– Ολίσθηση φορέων λόγω επίδρασης ηλεκτρικού
πεδίου,
– Σε διάχυση φορέων λόγω ανισοκατανομής
φορέων στον ημιαγωγό.
• Στην περίπτωση αυτή το συνολικό ρεύμα θα
είναι το άθροισμα του ρεύματος ολίσθησης
και διάχυσης.
95
Ημιαγωγός Αντιστάτης
96
Ημιαγωγός Αντιστάτης
• Η αντίσταση προσδιορίζεται από:
όπου καθορίζει την αντίσταση ενός

τετραγωνιδίου επιφάνειας του πλακιδίου.
97
Ολοκληρωμένος Πυκνωτής
98
Ολοκληρωμένος Πυκνωτής
• Έχουμε
• Αν tox = 0,01μm τότε
99
Φυσικές Παράμετροι Ημιαγωγών
100
Πίνακας Φυσικών Σταθερών
101
102
103
Άσκηση 1.1
• Σε ενδογενή κρύσταλλο γερμανίου η

συγκέντρωση ενδογενών φορέων στην
θερμοκρασία του δωματίου είναι ni=2,4⋅1013cm-
3. Στην ίδια θερμοκρασία οι ευκινησίες οπών και
ηλεκτρονίων είναι μh=1900 cm2/V⋅sec και

μe=3900cm2/V⋅sec.
• Να προσδιοριστεί η αντίσταση δείγματος κύβου
πλευράς L=1cm.
• Δίνεται το φορτίο του ηλεκτρονίου q=1,6⋅10-
19Cb.
104
Οδηγίες Επίλυσης
• Η ειδική αγωγιμότητα ενδογενούς ημιαγωγού

δίνεται από τη σχέση που δόθηκε για την ειδική
αγωγιμότητα.
• Αντικαθιστώντας τις τιμές προκύπτει, σ=0,0224
(Ω⋅cm)-1.
• Oπότε, η ειδική αντίσταση είναι ρ=1/σ= 45 Ω⋅cm
• Η αντίσταση του υλικού δίνεται από τη σχέση
R=ρ (L/S) όπου, L=1cm και S=1cm2 άρα R≈ 45 Ω.
• Η ειδική αντίσταση υλικού εκφράζει την
αντίσταση κύβου πλευράς 1 cm.
105
Άσκηση 1.2
Η αντίσταση, γενικώς, ενός πλακιδίου δίνεται από τη σχέση,

L 1 L 1 L
R = ρ⋅ = ⋅ = ⋅
S σ W.T σT W
η αντίσταση Rs τετραγωνιδίου, καθορίζει ουσιαστικά την
αντίσταση ενός τετραγωνιδίου επιφάνειας του πλακιδίου
δηλ. L=W. Θα είναι, 1 L 1
Rs = ⋅T⋅ =
σ W σT 106
Οδηγίες Επίλυσης
• Η αντίσταση τετραγωνιδίου R ημιαγωγού είναι χαρακτηριστικό

μέγεθος αυτού ανεξάρτητο από το πλάτος και μήκος του
ημιαγωγού.
• Στην προκειμένη περίπτωση επειδή η συγκέντρωση αποδεκτών
NA είναι τρεις τάξεις μεγέθους μεγαλύτερη από τη συγκέντρωση
ενδογενών φορέων, που για θερμοκρασία δωματίου είναι
ni=2,5⋅1013 cm-3, η ειδική αντίσταση θα δίνεται από τη σχέση: σ=
qμhNA. Οπότε, 1
Rs = = 83,3kΩ
q µh N A T
• Σύμφωνα με τα παραπάνω, R = Rs ⋅
L
W
L
100 = 83,3 ⋅
5
• άρα, L = 6μm
107
Ενότητα 3: Δίοδος Επαφής

 Επαφή PN,
 Ορθή πόλωση (Forward bias),
 Ανάστροφη πόλωση (Reverse bias),
 Κατάρρευση (Breakdown),
 Ενεργειακά επίπεδα (Energy levels),
 Το δυναμικό φραγμού σε συνάρτηση με την
θερμοκρασία,
 Φωτοεκπέμπουσες Δίοδοι (LEDs),
 Δίοδοι Zener και Εφαρμογές Διόδων
6
3.1 Επαφή PN, Δίοδος Zener, Υπολογισμός
Σημείου Λειτουργίας
Η Νόθευση του Κρυστάλλου Ημιαγωγού και

με τους Δύο Τύπους Δημιουργεί μια Επαφή PN
Επαφή
P N
Αρνητικό Θετικό Ιόν

Ιόν
• Κάποια ηλεκτρόνια θα διαπεράσουν την επαφή και θα ενωθούν με
οπές. Κάθε φορά που συμβαίνει κάτι τέτοιο δημιουργούνται ζεύγη
ιόντων.
• Καθώς αναπτύσσεται αυτό το φορτίο ιόντων, εμποδίζει την
περαιτέρω μετακίνηση φορέων προς την επαφή.
8
Η Νόθευση του Κρυστάλλου Ημιαγωγού και
με τους Δύο Τύπους Δημιουργεί μια Επαφή PN
P N
Περιοχή Απογύμνωσης
(περιοχή διάβασης-έλλειψης φορέων-απογύμνωσης <1μm)
• Κάθε ηλεκτρόνιο που μετακινείται από την n περιοχή διαμέσου της

επαφής συμπληρώνει μια αντίστοιχη οπή στο p τμήμα με
αποτέλεσμα την εξαφάνιση των αντίστοιχων φορέων ρεύματος.
• Σαν αποτέλεσμα δημιουργείται στην επαφή μια περιοχή
απογυμνωμένη από φορτία που συμπεριφέρεται σαν μονωτής.
9
Περιοχή Απογύμνωσης
10
Επαφή PN
• Δημιουργείται κατάσταση δυναμικής

ηλεκτρικής ισορροπίας όπου οι δυνάμεις που
προκαλούν την διάχυση φορέων
εξισορροπούνται από τις δυνάμεις του
ηλεκτροστατικού πεδίου που δημιουργείται
από τα ιόντα που σχηματίζονται
11
Το δυναμικό επαφής (φραγμού) ΡΝ
• Η διάχυση των ηλεκτρονίων δημιουργεί ζεύγη ιόντων.

• Δημιουργείται ηλεκτρικό πεδίο που αντιτίθεται στην
διαδικασία.
• Η επαφή θα βρεθεί σε ισορροπία όταν ο φραγμός
δυναμικής ενέργειας (barrier potential) θα εμποδίζει την
περαιτέρω διάχυση (diffusion).
• Στους 27 ºC, για μια δίοδο πυριτίου το δυναμικό επαφής
είναι περίπου 0.65 volts. Μειώνεται με την θερμοκρασία
2mV / ºC και στο απόλυτο μηδέν γίνεται ίση με την τάση
που αντιστοιχεί το ενεργειακό χάσμα (1.25 V) για ένα e-.
12
Ορθή Πόλωση
Οι φορείς κινούνται προς την επαφή με

αποτέλεσμα
την εξαφάνιση της περιοχής απογύμνωσης
• Αν η εφαρμοζόμενη τάση είναι μεγαλύτερη από την τάση

φραγμού δυναμικού (δυναμικό επαφής), η δίοδος άγει.
13
Ανάστροφη Πόλωση
Οι φορείς ρεύματος απομακρύνονται

από την επαφή
• Η περιοχή απογύμνωσης διευρύνεται και η δίοδος δεν

άγει (diode is off).
14
Πόλωση Διόδου
• Οι δίοδοι πυριτίου άγουν με την εφαρμογή ορθής

πόλωσης περίπου 0.7 volts.
• Με την ανάστροφη πόλωση, η περιοχή απογύμνωσης
διευρύνεται και η δίοδος δεν άγει.
• Υπάρχει ένα μικρό ρεύμα στην ανάστροφη πόλωση που
οφείλεται στους φορείς μειονότητας (minority carrier
current).
• Το ανάστροφο αυτό ρεύμα που οφείλεται σε φορείς
μειονότητας που κινούνται λόγω θερμικής κίνησης
ονομάζεται ρεύμα κόρου (saturation current).
15
Κατάρρευση Διόδου
• Οι δίοδοι δεν αντέχουν ακραίες τάσεις ανάστροφης

πόλωσης.
• Σε υψηλές ανάστροφες πολώσεις συμβαίνει ένα
φαινόμενο χιονοστιβάδας φορέων (carrier avalanche)
λόγω της γρήγορης κίνησης των φορέων μειονότητας.
• Οι τυπικές τιμές τάσης ανάστροφης πόλωσης
κλιμακώνονται από 50 volts έως 1 kV.
16
Ενεργειακές στάθμες στην επαφή ΡΝ (Ποιοτική
Ανάλυση)
Σε μια απότομη επαφή p-n οι

ενεργειακές ζώνες
στην p περιοχή βρίσκονται
υψηλότερα συγκριτικά με την
n περιοχή
Για να διαχυθεί ένα

ηλεκτρόνιο διαμέσου της
-- επαφής προς την p πλευρά
-- Eo=qVo είναι σαν να αντιμετωπίζει
-- έναν ενεργειακό λόφο.
++ Πρέπει να πάρει αυτή την
Eg ++ πρόσθετη ενέργεια από μια
++ εξωτερική πηγή
17
Ενεργειακές στάθμες στην επαφή ΡΝ (Ποιοτική

Ανάλυση) Στην ανάστροφη πόλωση το
V είναι αρνητικό
Ανάστροφη Πόλωση
---
E=q(Vo-V) --- Eg (-)
---
Την επαφή την διαρρέει ρεύμα

+++ φορέων μειονότητας (πολύ μικρό)
(+) +++
+++
Ορθή πόλωση
E=q(Vo-V) -
+
-
-
(+)
(-) +
+
Την επαφή την διαρρέει ρεύμα
φορέων πλειονότητας (μεγάλο)
Στην ορθή πόλωση το V είναι
θετικό 18
Θερμοκρασία Επαφής
• Η θερμοκρασία επαφής είναι η θερμοκρασία στο

εσωτερικό της διόδου, στην επαφή PN.
• Όταν η δίοδος άγει, η θερμοκρασία επαφής είναι
μεγαλύτερη από αυτή του περιβάλλοντος (PD=VDxID).
• Το δυναμικό επαφής είναι μικρότερο σε υψηλότερες
θερμοκρασίες- μειώνεται κατά περίπου 2 mV για
αύξηση θερμοκρασίας επαφής κατά ένα βαθμό Κελσίου
(-2mV/ºC).
19
Ανάστροφο Ρεύμα Διόδου
• Το ανάστροφο ρεύμα IS (ρεύμα κορεσμού),

διπλασιάζεται για κάθε αύξηση της θερμοκρασίας 10 ºC
ενώ δεν εξαρτάται από την ανάστροφη τάση πόλωσης.
20
Επαφή PN (Αναλυτική προσέγγιση)
• Προϋπόθεση για το σχηματισμό επαφής ΡΝ είναι να

υπάρχει απότομη μεταβολή συγκεντρώσεων προσμίξεων
από τη μια περιοχή στην άλλη.
– Αν αυτό συμβαίνει, τότε ο κρύσταλλος συμπεριφέρεται σαν
εξωγενής ημιαγωγός με 2 είδη φορέων.
• Μέσα στην επαφή ΡΝ η συγκέντρωση των φορέων
αγωγιμότητας είναι πολύ μικρή σε σύγκριση με τη
συγκέντρωση των ιονισμένων ατόμων προσμίξεων που
δρουν ως δέσμια φορτία.
– Υπάρχει τοπικά εκτροπή από την ηλεκτρική ουδετερότητα του
κρυστάλλου, που συνοδεύεται από ανάπτυξη ηλεκτρικού
πεδίου στην περιοχή αυτή.
– Η παρουσία του ηλεκτρικού πεδίου στην επαφή ΡΝ καθορίζει
την ηλεκτρική συμπεριφορά όλου του κρυστάλλου.
21
Επαφή PN (Αναλυτική προσέγγιση)
22
Συγκεντρώσεις Φορέων Πριν τον Σχηματισμό
Απότομης Επαφής ΡΝ
23
Μετά τον Σχηματισμό Απότομης Επαφής ΡΝ
24
Δυναμικό Επαφής ΡΝ Χωρίς Πόλωση
Όπου: VT= (kT/q) θερμική NA= συγκέντρωση

τάση ≈ 25mV στους αποδεκτών
25ºC
ND= συγκέντρωση ni = συγκέντρωση
δοτών φορέων ενδογενούς
ημιαγωγού
25
Υπολογισμός Δυναμικού Επαφής PN Χωρίς Πόλωση
Για το Si:
NA=2x1016cm-3,
ND=1x1016cm-3,
ni=1.5x1010cm-3
Άρα: V0=687mV
Για το Ge:
NA=2x1016cm-3,
ND=1x1016cm-3,
ni=2.4x1013cm-3
Άρα: V0=319mV
26
Ρεύμα Ορθά Πολωμένης Επαφής ΡΝ
• Το ρεύμα Is είναι το ολικό ρεύμα φορέων μειονότητας.

• Το ονομάζουμε ρεύμα κόρου (saturation current).
27
Ρεύμα Ορθά Πολωμένης Επαφής ΡΝ
• Από την χαρακτηριστική της διόδου προκύπτει:

• Είναι αμφίδρομο στοιχείο καθώς άγει κατά τη μία φορά
μόνο.
• Είναι μη γραμμικό στοιχείο αφού η καμπύλη I = f(V) είναι
μη γραμμική (εκθετική).
28
Ρεύμα Ανάστροφα Πολωμένης Επαφής PN
V

I = Is(e VT
− 1), 
V −1
 ⇒ I = −I s

V <0⇒e VT
<< 1, πχ . για V = −1V , e 0.025
= 4.24 x10 −18 
• Το ρεύμα I είναι ίσο με το ολικό ρεύμα φορέων

μειονότητας ή ρεύμα κόρου (saturation current) Is.
29
Κατάρρευση Ανάστροφα Πολωμένης Επαφής PN
• Μέχρι μια ορισμένη τιμή ανάστροφης τάσης

άγεται πολύ μικρό ρεύμα.
• Κατά την αύξηση της ανάστροφης τάσης πέρα
από μια κρίσιμη τιμή άγονται μεγάλα ρεύματα
υπό σταθερή τάση.
– Τα ρεύματα οφείλονται στη δημιουργία νέων φορέων
αγωγιμότητας, λόγω κατάρρευσης της επαφής PN.
• Η κατάρρευση αυτή μπορεί να εξηγηθεί μέσω
των δύο παρακάτω μηχανισμών:
A. Μηχανισμός Χιονοστιβάδας
B. Μηχανισμός Zener
30
Κατάρρευση Ανάστροφα Πολωμένης Επαφής ΡΝ
• Δίοδος Zener: ειδικά κατασκευασμένη Δίοδος

με συγκεκριμένη τάση κατάρρευσης.
• Εφαρμογές σε κυκλώματα που απαιτούν
τάσεις αναφοράς, τροφοδοτικά κλπ.
31
Χωρητικότητα Επαφής ΡΝ
• Για την χωρητικότητα της επαφής Cj

χρησιμοποιείται ο τύπος .
• Είναι μια αυξητική χωρητικότητα που
ονομάζεται χωρητικότητα επαφής ή
χωρητικότητα έλλειψης φορέων.
32
• Η χωρητικότητα επαφής μειώνεται όσο

αυξάνεται η ανάστροφη τάση πόλωσης.
• Για Cj = 10 pF και απότομη κατανομή φορτίων
προσμίξεων, η μεταβολή της χωρητικότητας
επαφής με ανάστροφη τάση πόλωσης
φαίνεται στο διάγραμμα.
33
• Δίοδος Varactor: ειδικά

κατασκευασμένη.
• Δίοδος με συγκεκριμένη
απόκριση χωρητικότητας για
συγκεκριμένη ανάστροφη
πόλωση.
• Χρήση σε ταλαντωτές,
πομπούς εκπομπής,
ραδιόφωνα κλπ.
34
Δίοδοι Εκπομπής Φωτός (LEDs)
• Ειδική κατηγορία που κατασκευάζονται από

επαφές σύνθετων ημιαγωγών.
• Εκπέμπουν στενού εύρους (20-30 nm), μη
σύμφωνη ακτινοβολία με μήκη κύματος που
καλύπτουν τις ζώνες του υπεριώδους, του
ορατού και του υπέρυθρου φάσματος.
• Μπορούν να ταξινομηθούν:
– Ως πηγές φωτός για μικρής απόστασης επικοινωνίες
με οπτικές ίνες,
– Ως φωτεινά στοιχεία απεικόνισης.
35
• Σε ορθά πολωμένη επαφή ΡΝ, φορείς

πλειονότητας διέρχονται εκατέρωθεν της
επαφής δημιουργώντας το ρεύμα της
διόδου.
• Στην άλλη πλευρά της επαφής, οι φορείς
πλειονότητας καθίστανται φορείς
μειονότητας.
– Όσο μεγαλύτερο το ρεύμα της διόδου τόσο
μεγαλύτερο είναι το περίσσευμα των φορέων
μειονότητας εκατέρωθεν της επαφής.
• Αυτοί οι φορείς μειονότητας
επανασυνδέονται με φορείς πλειονότητας με
ταυτόχρονη απελευθέρωση ενέργειας,
αντίστοιχης προς το ενεργειακό χάσμα Eg
μεταξύ των ζωνών αγωγιμότητας και σθένους
των υλικών που σχηματίζουν την επαφή. 36
37
38
Φωτοδίοδοι – Φωτοανιχνευτές – Οπτοζεύκτες –
Ηλιακά στοιχεία.
39
Φωτοδίοδοι – Φωτοανιχνευτές – Οπτοζεύκτες –

Ηλιακά στοιχεία.
40
Η δίοδος Σε Κύκλωμα.
• Η σχέση Schockley:
• όπου:
– Is είναι το ρεύμα κόρου ανάστροφης πόλωσης της διόδου,
– q = 1,6 * 10-19Cb το ηλεκτρικό φορτίο του ηλεκτρονίου,
– k = 8,620*10-5 eV/L σταθερά του Boltzmann,
– Τ η απόλυτη θερμοκρασία,
– n σταθερά που εξαρτάται από το είδος του ημιαγωγού και τον τρόπο
κατασκευής της διόδου. Συνήθως n = 1 για διόδους Ge και n ≈ 2 για
διόδους Si.
– VT είναι η θερμική τάση (VT ≈ 26mV στους 300 Κ).
41
• Στο διάγραμμα φαίνεται ότι η τάση V1 προκαλεί ρεύμα I1

μέσω της διόδου.
• Το ζεύγος των V1 - I1 ορίζει πάνω στην χαρακτηριστική
σημείο Q που λέγεται σημείο λειτουργίας ή σημείο
ηρεμίας.
• Ουσιαστικά το σημείο αυτό καθορίζει την κατάσταση
λειτουργίας της διόδου.
42
• Για την τελευταία (μη γραμμική) εξίσωση δεν υπάρχει

αναλυτική λύση παρά μόνο προσεγγιστικές λύσεις με χρήση
του αναπτύγματος Taylor.
• Είναι επίπονες!
• Μπορεί να ξεπεραστεί με γραφική ανάλυση του κυκλώματος
ή με προσεγγιστικές τεχνικές με χρήση γραμμικών
ισοδύναμων μοντέλων της διόδου.
43
Η δίοδος Σε Κύκλωμα (Γραφικός Τρόπος)
• Για V=0, I=E/R

• Για Ι=0, V=E
• Το σημείο ηρεμίας διόδου σε βρόχο,

προσδιορίζεται από την τομή της
χαρακτηριστικής της διόδου και της
γραμμής φορτίου του βρόχου.
44
Η δίοδος Σε Κύκλωμα (Γραμμικό Μοντέλο)
• Για V<Vth, I=0,

• Για V>Vth, I=V/RD
• O παραπάνω τύπος ορίζει την αντίσταση αγωγής της διόδου.

• Η τιμή της είναι συνήθως μερικά Ω, αναλόγως με το σημείο
πόλωσης της διόδου.
• Ο υπολογισμός της είναι πολύ προσεγγιστικός για μεγάλα
σήματα με μεγάλη περιοχή λειτουργίας.
45
Η δίοδος Σε Κύκλωμα (Μοντέλα Διόδων)
Χαρακτηριστική Διόδου

• Για V>Vth, I=Ε/R

• Για V>Vth, I=(E-Vth)/(R+RD)
Ηλεκτρικό ισοδύναμο διόδου για
μεγάλα σήματα στο συνεχές.
46
Επίδραση Θερμοκρασίας στο Is
• Is=Aq((Dp/Lp)pn+ (Dn/Ln)np)
• Όπου:
– A η διατομή της επαφής,
– Lp, Ln το βάθος των περιοχών απογύμνωσης
– Dp=VTμe, Dn =VTμp οι συντελεστές διάχυσης οπών, ηλεκτρονίων
για τον συγκεκριμένο ημιαγωγό
– Np, pn οι συγκεντρώσεις ηλεκτρονίων στην περιοχή p και οπών στην
περιοχή n. Σε κατάσταση ισορροπίας np =ni2/NA και pn=ni2/ND
– ni2≈T3exp(-EG/kT) (EG το ενεργειακό χάσμα)
47
Φυσικές Παράμετροι Ημιαγωγών
48
Πίνακας Φυσικών Σταθερών
49
Επαφή ΡΝ: Άσκηση 1
• Για μια επαφή ΡΝ Ge με απότομη μεταβολή

συγκεντρώσεων προσμίξεων (impurities), η
συγκέντρωση NA των αποδεκτών είναι ίση 10-8
άτομα για κάθε άτομο πυριτίου (ισοδύναμα 1
άτομο πρόσμιξης για κάθε 108 άτομα Ge ή
0.01 ppm/ parts per million/μέρη στο
εκατομμύριο).
• Να υπολογιστεί η τάση επαφής στην
θερμοκρασία των 300 ºΚ.
50
• Δίνεται η πυκνότητα του Ge 5.32 gr/cm3 και η

συγκέντρωση των φορέων του ενδογενούς
ημιαγωγού στην προαναφερθείσα
θερμοκρασία ni=2.4x1013 φορείς ανά cm3 ενώ
το ατομικό βάρος του είναι 73.
51
Λύση Άσκησης 1
• Σε 1 cm3 αντιστοιχούν 5.32/73 mole.

• Επομένως ο αριθμός των ατόμων Ge ανά cm3 θα
είναι NGE=(5.32/73)x6.02x1023 άτομα=4.4 x 1022
άτομα ανά cm3.
• Η συγκέντρωση των αποδεκτών για την περιοχή p θα
είναι NA= NGE/108= 4.4 x 1014 άτομα αποδεκτών ανά
cm3.
• Επομένως η συγκέντρωση των δοτών θα είναι
ND=NAx103= 4.4 x 1017 άτομα δοτών ανά cm3.
52
Λύση Άσκησης 1
• Επομένως η τάση επαφής

VO=VTxln(4.4x1017x4.4x1014)/(2.4x1013)2=VTxln
(3.36x105)=VTx12.72=(25mV)x12.72≈0,318V
• Και ο ενεργειακός φραγμός EO θα είναι:
EO=qeVO=0,318 eV
53
• Να επαναληφθεί η άσκηση με τα δεδομένα

συγκεντρώσεων προσμίξεων που ακολουθούν
για επαφή ΡΝ ημιαγωγού πυριτίου Si και για
θερμοκρασία επαφής θ=27 ºC.
54
Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ

 Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ,
 Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ,
 Τα ρεύματα στο τρανζίστορ,
 Μοντέλο μεγάλο σημάτων (Ebers-Moll),
 Προσεγγιστική λειτουργία του τρανζίστορ στο συνεχές,
 Συνδεσμολογίες Τρανζίστορ,
 Χαρακτηριστικές καμπύλες CE,
 Φαινόμενο Early,
 Επίδραση της θερμοκρασίας,
 Μοντέλο μικρών σημάτων (εισαγωγή).
6
4.1 Διπολικά Τρανζίστορ: Συμβολισμός,
Λειτουργία, Συνδεσμολογία
Επαφή PN (Υπενθύμιση)
Τύπος Ημιαγωγού Φορείς Πλειονότητας Φορείς Μειονότητας Σχέση
n nn≈ND (Δότες) pn≈ni2/ND nn>>np
p pp≈NA (Δέκτες) np≈ni2/Na pp>>pn
Στην ανάστροφη πόλωση το V
είναι αρνητικό
Ανάστροφη πόλωση (VA<VK)

E=q(Vo-V)
---
--- Eg (-) Το δυναμικό της επαφής επιτρέπει την
--- κίνηση των φορέων μειονότητας, δηλ.
την επαφή την διαρρέει ρεύμα λόγω
+++ των φορέων μειονότητας
(+) +++
+++
(πολύ μικρό)
E=q(Vo-V) Ορθή πόλωση (VA>VK)

+
-
- (+) Το δυναμικό της επαφής επιτρέπει την
κίνηση των φορέων πλειονότητας,
(-) +
+
-
δηλ. την επαφή την διαρρέει ρεύμα
λόγω των φορέων πλειονότητας
(μεγάλο)
Στην ορθή πόλωση το V
8
είναι θετικό
Δομή και Συμβολισμός BJT
++ + ++ +
Φυσική Λειτουργία Διπολικού Τρανζίστορ
• Το τρανζίστορ φαίνεται σαν 2 ανάποδα τοποθετημένες δίοδοι, με

κοινή περιοχή p στο npn (n στο pnp).
• Στην ορθή πόλωση την επαφή Βάσης- Εκπομπού (ΒΕ) την
πολώνουμε ορθά και την επαφή Συλλέκτη Βάσης (CB) ανάστροφα.
• Ένα τρανζίστορ δεν μπορεί να κατασκευαστεί από δύο ανεξάρτητες
διόδους γιατί:
 Η περιοχή της βάσης πρέπει να είναι πολύ στενή.
 Για την σωστή λειτουργία του πρέπει οι εμπλουτισμοί να είναι
n++(E) – p(B) – n+(C).
10
• Τι γίνεται όμως στην ορθά και ανάστροφα πολωμένη επαφή PN?
Ορθή πόλωση Ανάστροφη πόλωση 11
12
• Η επαφή Βάσης-Εκπομπού είναι ορθά πολωμένη, οπότε: ηλεκτρόνια (φορείς

πλειονότητας στον Εκπομπό) εκχέονται στην Βάση (φορείς μειονότητας στην
Βάση) και οπές (φορείς πλειονότητας στην Βάση) εκχέονται στον εκπομπό
(φορείς μειονότητας στον Εκπομπό).
• Τα ηλεκτρόνια που εκχέονται στην Βάση (φορείς μειονότητας εκεί) από τον
Εκπομπό δεν προλαβαίνουν να επανασυνδεθούν στην περιοχή της Βάσης, λόγο:
α) του χαμηλού εμπλουτισμού της και κυρίως β) λόγω του μικρού εύρους της
• Έχουμε δει ότι στην ανάστροφα πολωμένη δίοδο οι φορείς μειονότητας
σαρώνονται από την ανάστροφη τάση πόλωσης (ανάστροφο ρεύμα κορεσμού),
ΣΥΝΕΠΩΣ θα σαρωθούν από το δυναμικό Συλλέκτη-Βάσης VCB.
• Οι οπές που εκχέονται από την βάση στον εκπομπό δεν συνεισφέρουν στην
λειτουργία του τρανζίστορ αλλά είναι μικρό το ρεύμα τους λόγω του ότι nE++>>pB.
• Επίσης υπάρχει ένα μικρό ρεύμα λόγω της επανασύνδεσης κάποιων ηλεκτρονίων
από τον Εκπομπό στην περιοχή της Βάσης.
Το IC είναι το ρεύμα των ηλεκτρονίων που
εκχέονται από τον Eκπομπό και σαρώνονται
από τον Συλλέκτη και είναι ελάχιστα μικρότερο
του ΙΕ, IC≈IE
13
(-)
(+)
(-)
(+)
Το ρεύμα της ορθά πολωμένης επαφής ΒΕ, το

οποίο κυρίως από ηλεκτρόνια (nE>>pB),
εκχέονται στην περιοχή της βάσης χωρίς να
προλάβουν να επανασυνδεθούν (εύρος βάσης
μικρό & έχει μικρό εμπλουτισμό), και σαν
φορείς μειονότητας στην βάση σαρώνονται
από το ανάστροφο δυναμικό της επαφής CB.
Το IC είναι ελάχιστα μικρότερο του ΙΕ, IC≈IE 14
Τα Ρεύματα στο Τρανζίστορ
όπου γ η απόδοση εκπομπού που

δίνεται από τον τύπο:
Όπου:
• Για καλή απόδοση του αγωγού
• W το πλάτος της βάσης,
πρέπει:
• D οι συντελεστές διάχυσης ηλεκτρονίων και
• W << Le
οπών,
• nE >> pB
• Le το μήκος διάχυσης ηλεκτρονίων στη
βάση.
15
Όπου ο παράγων μεταφοράς είναι ίσος

με:
Επίσης:
16
• Αντικαθιστώντας το IeE έχουμε:
• Όπου το α λέγεται άλφα του τρανζίστορ

και είναι ίσο με:
≈1
17
Από: ή
• Ονομάζουμε β του τρανζίστορ:
Άρα:
ή
Ενίσχυση
ρεύματος
τρανζίστορ στο
συνεχές
18
19
Μοντέλο Μεγάλων Σημάτων (Ebers-Moll)
• Μοντέλο που να περιγράφει τη

λειτουργία του τρανζίστορ ως
διακόπτης.
– Μοντέλο του σχήματος 1, δεχόμενοι
και την αντίστροφη λειτουργία του
τρανζίστορ με δυνατότητες ροής
Σχήμα 1
ρεύματος από το συλλέκτη στον
εκπομπό.
• Στην περίπτωση αυτή έχουμε το
μοντέλο μεγάλων σημάτων του
Σχήματος 2, γνωστό και ως Ebers-
Moll.
• Το αντίστροφο β υπολογίζεται από
τον τύπο: Σχήμα 2
20
• Όπου ΙΕS και ICS τα ρεύματα ανάστροφης

πόλωσης βάσης- εκπομπού και συλλέκτη-
εκπομπού αντίστοιχα.
• Από τις σχέσεις συμπεραίνεται ότι η
λειτουργία του τρανζίστορ για μεγάλες
τάσεις ή ρεύματα είναι μη γραμμική.
• Θεωρώντας αF=1 και αR=0, τότε για πόλωση
στην ενεργό περιοχή έχουμε:
21
• Γιατί το τρανζίστορ είναι

ενισχυτική διάταξη?
• Μικρές μεταβολές του

ρεύματος εισόδου στην
βάση του τρανζίστορ (τάση
VBE), προκαλούν μεγάλες
μεταβολές στο ρεύμα του
συλλέκτη.
22
Παράδειγμα:
• Έστω β=150,
Για Vin=5V
5V =IB*1KΩ+0.7V →IB=4.3mA
IC=β*IB=645mA → Lamp ON
Για Vin=0V
VBE<0.7V (σε αποκοπή)
IC=0 → Lamp OFF
23
Προσεγγιστική Λειτουργία του Τρανζίστορ στο

Συνεχές
• Δεν είναι απαραίτητος ο θεωρητικός προσδιορισμός των

ρευμάτων στα τρανζίστορ στις εφαρμογές διότι:
– Δεν είναι πάντα αυστηρές οι προδιαγραφές για τα κυκλώματα.
– Υπάρχει μεγάλη διασπορά στις παραμέτρους (ιδιαίτερα στο β
του τρανζίστορ) βάσει τιμών καταλόγων.
– Η πολυπλοκότητα των κυκλωμάτων δεν επιτρέπει την ανάλυση
στο χέρι.
• Στις περιπτώσεις αυτές αναγκαζόμαστε να
προσεγγίσουμε τη λειτουργία του τρανζίστορ.
24
Συνεχές
• Αν ICBO≈0 τότε:
και
διότι είναι β >> 1.
25

Συνεχές
• Παρατηρούμε ότι:
– Αγνοείται σκοπίμως το ΙΕ.
– Στον εκπομπό κυκλοφορεί μόνο το
ρεύμα συλλέκτη.
– Το τρανζίστορ λειτουργεί ως ένας
κύριος δρόμος ρεύματος από τον C
στον Ε.
– Σε npn έχουμε VBE≈0,7V για Si.
– Το συνεχές δυναμικό συλλέκτη είναι
υψηλότερο αυτού της βάσης.
– Σε pnp ισχύουν οι ίδιες σχέσεις αν οι
συνεχείς μεταβλητές τάσης και
ρεύματος θεωρηθούν με αντίθετο
πρόσημο.
– Αρχικά ένα pnp μπορεί να
αντιμετωπιστεί όπως ένα npn.
26
Συνεχές
VBE = 0.7V(npn)
npn pnp VBE = -0.7V(pnp)

IC IC
collector collector
base base
Μεγάλο ρεύμα
IB IB Μεγάλο ρεύμα
+ +
VBE emitter emitter
IE VBE
- IE
-
μικρό μικρό
ρεύμα ρεύμα
IE = IC + IB IC ≅ IE IB << IC
IC IC
αdc = βdc =
IE IB 27
Συνδεσμολογίες Τρανζίστορ
• Στο σχήμα β το τρανζίστορ

συνδέεται έχοντας τον εκπομπό ως
κοινό ακροδέκτη μεταξύ εισόδου
και εξόδου.
– Η σύνδεση αυτή αναφέρεται ως
σύνδεση με κοινό τον εκπομπό CE.
– Παρόμοια έχουμε συνδέσεις κοινής
βάσης (CB) και κοινού συλλέκτη (CC).
• Η ηλεκτρική συμπεριφορά
καθορίζεται πλήρως από τις I-V
χαρακτηριστικές καμπύλες κάθε
θύρας.
28
Χαρακτηριστικές Καμπύλες σε Συνδεσμολογία CE
(Περιοχές Λειτουργίας του)
• Στην (α) είναι οι χαρακτηριστικές εισόδου και στην (β) οι

εξόδου.
• Ορίζονται τρείς περιοχές εξόδου:
• Η Περιοχή Κόρου για VCE<VCESAT,
• Η Περιοχή Αποκοπής (η VBE<0.7V) και
• Η Ενεργός Περιοχή 29

30
• Τα IC και IB διαφέρουν κατά δύο τάξεις μεγέθους.

• Οι χαρακτηριστικές εξόδου δεν ισαπέχουν μεταξύ τους. Αυτό
σημαίνει ότι η σχέση μεταξύ των IC και IB δεν είναι εντελώς
γραμμική.
• Η κλίση των χαρακτηριστικών δεν είναι οριζόντια στην ενεργό
περιοχή των χαρακτηριστικών λόγω αυξομείωσης του
πλάτους στην περιοχή βάσης (φαινόμενο Early).
• Το IC αποκτά περίπου σταθερή τιμή για τιμές της VCE
μεγαλύτερες από μια κρίσιμη τιμή, την τάση κόρου.
• Υπάρχει μικρό ρεύμα συλλέκτη, ακόμα και για μηδενικό
ρεύμα βάσης (ρεύμα αποκοπής).
• Μέσα στην ενεργό περιοχή ισχύει η σχέση IC ≈ βΙB
31
Φαινόμενο Early
• Από τις χαρακτηριστικές εξόδου

προκύπτει εξάρτηση του ρεύματος
συλλέκτη από την τάση VCE αυτού.
– Το ρεύμα συλλέκτη αυξάνεται
ελαφρώς με την αύξηση της τάσης VCE.
– Φαινόμενο Early.
• Εξήγηση: Η τάση συλλέκτη
διαμορφώνει το πλάτος της pn
επαφής συλλέκτη, γεγονός που
επιδρά στο ρεύμα συλλέκτη.
Παράγων διαμόρφωσης
επαφής C
Τάση Early
32
Επίδραση Της Θερμοκρασίας
• Οι τάσεις και τα ρεύματα εξαρτώνται άμεσα

από την θερμοκρασία.
– Επομένως και οι παράμετροι αυτού.
• Η επίδραση αυτή μπορεί να διαταράξει τη
λειτουργία ή και να την καταστρέψει.
• Ιδιαίτερα έντονο το πρόβλημα σε ακραίες
θερμοκρασιακές συνθήκες.
– Π.χ., διάστημα, στρατιωτικές εφαρμογές.
33
Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού (CE)
RC
RB VCE
VCC
VBE
VBB
• Η συνδεσμολογία κοινού εκπομπού έχει δύο βρόγχους:

• Της βάσης και
• Του συλλέκτη
34
• Προσεγγίσεις κυκλωμάτων με Transistor:

1. χρησιμοποιήστε την ιδανική δίοδο για την επαφή base-
emitter και χρησιμοποιήστε την σχέση βIB για να
προσδιορίσετε το IC.
2. χρησιμοποιήστε την προσέγγιση σταθερής πτώσης τάσης
για το VBE και χρησιμοποιήστε την σχέση βIB για να
προσδιορίσετε το IC.
3. Λύνονται οι εξισώσεις συνήθως με την χρήση υπολογιστή
(simulation).
35
Δεύτερη προσέγγιση:
B C
VBE = 0.7 V βdcIB VCE
E
36
VBB - VBE
IB =
RB
5 V - 0.7 V
IB = = 43 µA RC
100 kΩ
100 kΩ
RB VCC
VBE = 0.7 V
VBB 5V
37
IC = βdc IB
IC = 100 x 43 µA = 4.3 mA RC
100 kΩ
βdc = 100
RB
IB = 43 µA
5V
38
VRC = IC x RC
VRC = 4.3 mA x 1 kΩ = 4.3 V 1 kΩ RC

IC = 4.3 mA
100 kΩ
RB 12 V VCC
IB = 43 µA
VBB 5V
39
VCE = VCC - VRC IC = 4.3 mA
VCE = 12 V - 4.3 V = 7.7 V 1 kΩ
100 kΩ VCE
RB 12 V
IB = 43 µA
VBB 5V
40
• Υποθέτουμε ότι το transistor λειτουργεί στην ενεργό περιοχή

• Γράφουμε την εξίσωση των τάσεων Kirchhoff για τον βρόγχο B-E
• Γράφουμε την εξίσωση των τάσεων Kirchhoff για τον βρόγχο C-E
Η επαφή B-E λειτουργεί σαν δίοδος

VE = VB - VBE = 4V - 0.7V = 3.3V
IC
IE = (VE - 0)/RE = 3.3/3.3K = 1mA
IC ≈ IE = 1mA
IE
VC = 10 - ICRC = 10 - 1(4.7) = 5.3V
41
Βρόγχος τάσης B-E

β = 100 5 = IBRB + VBE, λύνουμε ως προς IB
IB = (5 - VBE)/RB = (5-.7)/100k = 0.043mA
IC IC = βIB = (100)0.043mA = 4.3mA
IB
IE VC = 10 - ICRC = 10 - 4.3(2) = 1.4V
42
VE = 0 - .7 = - 0.7V
β = 50
IE = (VE - -10)/RE = (-.7 +10)/10K =
0.93mA
IC
IC ≈ IE = 0.93mA
IB IB = IC/β = .93mΑ/50 = 18.6µΑ
IE
VC = 10 - ICRC = 10 - .93(5) = 5.35V
VCE = 5.35 - -0.7 = 6.05V
43
IC
IB Output
circuit
Input
circui
IE
t
44
Χαρακτηριστική Εισόδου:
IB IB
VBE
0.7V
•Λειτουργεί σαν δίοδος

•VBE ≈0.7V
45
Χαρακτηριστική Εξόδου:
IC
IC IB = 40µA
IB = 30µA
IB = 20µA
IB = 10µA
VCE
Early voltage Cutoff
region
•Για σταθερό IB, το IC είναι ανεξάρτητο από το VCE
•Η κλίση της χαρακτηριστικής εξόδου στη γραμμική περιοχή είναι περίπου 0. 46
Πόλωση ενός τρανζίστορ:

- Πρέπει να λειτουργεί στην ενεργό περιοχή.
- Το σημείο λειτουργίας του (Q-point) προσδιορίζεται από τα:
IC, VCE, and IB.
47
Πόλωση Τρανζίστορ
• Με τον όρο πόλωση τρανζίστορ θεωρούμε λειτουργία

στο συνεχές και εννοούμε τον τρόπο πόλωσης των
επαφών pn εισόδου και εξόδου.
• Διακρίνουμε δύο βασικές λειτουργίες του τρανζίστορ:
– Ως ενισχυτής: Ορθή πόλωση της επαφής βάσης-εκπομπού και
ανάστροφα της επαφής βάσης συλλέκτη.
– Ως διακόπτης:
• Και οι 2 επαφές πολώνονται ορθά (Περιοχή κόρου).
• Και οι 2 επαφές πολώνονται ανάστροφα (Περιοχή αποκοπής).
48
49
Πόλωση Τρανζίστορ - Ευθεία φόρτου
Κύκλωμα Εισόδου
B-E τάση βρόχου
VBB = IBRB +VBE
IB = (VBB - VBE)/RB
Κύκλωμα Εξόδου
C-E τάση βρόχου
VCC = ICRC +VCE
IC = (VCC - VCE)/RC
50
• IB = (VBB - VBE)/RB
• Εάν VBE = 0, IB = VBB/RB
VBB/RB • Εάν IB = 0, VBE = VBB
51
• IC = (VCC - VCE)/RC
• ΕάνVCE = 0, IC = VCC/RC
• Εάν IC = 0, VCE = VCC
VCC/RC
52
53
• Η γραμμή φόρτου A έχει σαν αποτέλεσμα το σημείο φόρτου QA που είναι πολύ κοντά
στο VCC και επομένως μειώνει την θετική επίδραση του VCE.
• Η γραμμή φόρτου B έχει σαν αποτέλεσμα ένα σημείο λειτουργίας πολύ κοντά στην
περιοχή αποκοπής, επομένως περιορίζει την αρνητική επίδραση της VCE. 54
Πόλωση Τρανζίστορ - Πόλωση Βάσης
• IB ανεξάρτητο το ΙC, εάν μεταβληθεί το ΙC=βΙΒ +(1+β)ICBO, χαλάει η

πόλωση (το ICBO διπλασιάζεται ανά 10οC)
55
Πόλωση Τρανζίστορ - Πόλωση Βάσης με

Ανάδραση από τον Συλλέκτη
• Εάν αυξηθεί το ΙC (ΙC=βΙΒ +(1+β)ICBO), >> μειώνεται το VC

>> Μειώνεται το IB >> αντιστρέφεται η αύξηση του ΙC
56
Πόλωση Τρανζίστορ - Πόλωση Βάσης με Διαιρέτη
Τάσης και Ανάδραση από Εκπομπό)
• Εάν αυξηθεί το ΙC (ΙC=βΙΒ +(1+β)ICBO) >> αυξάνεται το ΙΕ >> αυξάνεται η VE

>> μειώνεται το VBE >> Μειώνεται το IB >> αντιστρέφεται η αύξηση του ΙC (και
το αντίστροφο)
57
• Εάν αυξηθεί το ΙC (ΙC=βΙΒ +(1+β)ICBO) >> αυξάνεται το ΙΕ >> αυξάνεται η VE

>> μειώνεται το VBE >> Μειώνεται το IB >> αντιστρέφεται η αύξηση του ΙC
(και το αντίστροφο).
• Πλεονέκτημα: VB = 0 58
Ανάλυση Διαιρέτη Τάσης
+VCC
R1
R2
VBB = VCC +VBB
R1 + R 2
ΥΠΟΘΕΣΗ: Το ρεύμα της R2

βάσης είναι συνήθως πολύ
μικρότερο από το ρεύμα του
διαιρέτη.
59
ΙσοδύναμοThevenin
+VCC
RC
R1
RTH = R1 R2
R2 RE
60
Το Μοντέλο Thevenin Για το Κύκλωμα Πόλωσης
+VCC
RC
RTH
VTH=VCCR2/(R1+R2)
RTH = R1║R2 RE
61
Πολλές Φορές Διαλέγουμε

+VCC
R1║R2 < 0.1 βdcRE

RC
R1
Υπολογισμός:
VBB - VBE
IE =
R1║R2
RE +
βdc
R2 RE
Με την παραπάνω επιλογή
RE ο παρονομαστής είναι
σχεδόν ίσος με RE!!!
ΑΝΕΞΑΡΤΗΣΙΑ ΑΠΟ ΤΟ β
62
Πόλωση Βάσης
+VCC
•Η χειρότερη όπως είπαμε!!!

•Το Q μετακινείται με RC
RB
αντικατάσταση τρανζίστορ και
την θερμοκρασία!!
63
Πόλωση με Ανάδραση Από τον Εκπομπό

+VCC
• Το ρεύμα του συλλέκτη
(έξοδος) προκαλεί μεταβολή RC
στο ρεύμα της βάσης RB
(είσοδος) μέσω της RE.
•Καλύτερη από την πόλωση

βάσης χωρίς RE.
•Το Q μετακινείται. RE
•Δεν μπορούμε να βάλουμε
RE>>RB/β
VCC=IBRB+0.7V+IERE
•Σπάνια χρήση. 64
Πόλωση Ανάδρασης Συλλέκτη
+VCC
RC
• Προσεγγιστικά η RC RB
διαρρέεται από το IC
VCC=ICRC+IBRB+0.7V=
ICRC+(IC/β)RB+0.7V
IC=(VCC-0.7V)/(RC+RB/β)
•Καλύτερη από την πόλωση ανάδρασης εκπομπού.

•Το Q κινείται.
•Περιορισμένη εφαρμογή.
65
Πόλωση με Ανάδραση Από τον Εκπομπό και Συλλέκτη

+VCC
RC
RB
•Καλύτερη από την πόλωση

ανάδρασης συλλέκτη.
•Αλλά χειρότερη από την πόλωση RE
βάσης με διαιρέτη τάσης!!!
•Περιορισμένη εφαρμογή.
66
Πόλωση Εκπομπού με Δύο Τροφοδοτικά
•Πολλή σταθερή πόλωση.

•Χρειάζονται όμως δύο
Τροφοδοτικά!!!!
67
Συνοψίζοντας
+VCC
RC
R1
•Πολύ σταθερό Q Διαλέγουμε
την κατάλληλη RE>>(RTH/β)
•Χρησιμοποιεί 1 τροφοδοτικό
•Η δημοφιλέστερη!!!
R2 RE
68
Άσκηση 1
• Για το κύκλωμα πόλωσης του

διπλανού σχήματος δίνονται
R1=10KΩ, R2=2.0KΩ, VCC=12V, ενώ η
παράμετρος β του τρανζίστορ είναι
ίση με 200. Να υπολογιστούν οι
αντιστάσεις RC και RE, ώστε το
σημείο λειτουργίας του τρανζίστορ
να είναι VCE =6V, IC = 2.0mA.
• (3.0 μονάδες)
69
Άσκηση 2
• Για το κύκλωμα πόλωσης του διπλανού

σχήματος δίνονται Rc=1KΩ, RB=200KΩ,
VCC=13V, ενώ η παράμετρος β του
τρανζίστορ είναι ίση με 200. Να
υπολογιστεί το σημείο λειτουργίας του
τρανζίστορ VCE , IC.
• (2.5 μονάδες)
70
Άσκηση 3
• Για το κύκλωμα πόλωσης του

διπλανού σχήματος δίνονται R1=30KΩ,
R2=10KΩ, RE =500Ω, VCC=20V, ενώ η
παράμετρος β του τρανζίστορ είναι
ίση με 100. Να υπολογιστεί η τιμή της
αντίστασης RC ώστε το τρανζίστορ να
πολωθεί με τάση VCE=6V. (2.5
μονάδες)
71
Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης

Πεδίου (MOS-FET, J-FET)
.

 Φυσική Λειτουργία MOS-FET,
 Χαρακτηριστικά και παράμετροι MOS-FET,
 Χαρακτηριστικές καμπύλες MOS-FET και J-FET,
 Υπολογισμός Σημείου Λειτουργίας,
 Το MOS-FET ως ενισχυτής.
5.1 Λειτουργία και Χαρακτηριστικές MOS-

FET και J-FET
7
Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect
Transistor (MOS-FET)
Φυσική Λειτουργία MOS-FET
• VG=0V
• VDS>0
• ID≈0, στην πραγματικότητα RDS~1012Ohm
9
• Η τάση VG απωθεί τις οπές από την περιοχή p-,
με αποτέλεσμα να δημιουργεί μια περιοχή
απογύμνωσης.
• Ακόμα και για VDS>0, το ID=0
• 0<VG<VT (τάση κατωφλίου)

• VDS>0
• ID=0
10
• Καθώς αυξάνει η τάση VG περισσότερο από την τάση κατωφλίου VT, αρχίζει να
έλκει ηλεκτρόνια και να δημιουργεί ένα στρώμα αντιστροφής (inversion layer)
ή αλλιώς ένα κανάλι n-type (NMOS).
• Μετά την τάση κατωφλίου VT, αρχίζει να άγει το NMOS
• VG>VT (τάση κατωφλίου) Για μικρά VDS, αυξάνει γραμμικά

• 0<VDS< VGS-VT το ρεύμα (τρίοδος ή ωμική
περιοχή)
• ID>0 11
• Καθώς αυξάνει η τάση VDS για VDS > VGS-VT το βάθος του καναλιού μηδενίζεται:
Σημείο στραγγαλισμού (pinch-off)
• VG>VT (τάση κατωφλίου)

• VDS> VGS-VT • Η διαφορά δυναμικού στο κανάλι από S→D
είναι 0V → VDS
• ID~Σταθερό, • Συνεπώς η διαφορά δυναμικού της πύλης σε
σχέση με το κανάλι είναι: VGS → VGS-VDS.
• Όταν VGS-VDS = VT ή VDS = VGS-VT το κανάλι
στραγγαλίζετε.
12
Λειτουργία Λυχνιών
Δίοδος Λυχνία
Τρίοδος Λυχνία
13
Φυσικά Χαρακτηρίστηκα MOS-FET
• Για VG>VT (+(1-3)V για NMOS, -(1-3)V για PMOS) άγει

• Για 0<VDS< VGS-VT ομική ή τρίοδος περιοχή
• Για VDS> VGS-VT στραγγαλισμός, περιοχή κόρου.
• MOS-FET, μεταβαλλόμενη αντίσταση ελεγχόμενη από τάση ή πηγή

ρεύματος ελεγχόμενη από τάση.
• Τα FET είναι τρανζίστορ μονοφυούς αγωγής (unipolar), ενώ τα BJT
διφυούς (bipolar).
• To ρεύμα εισόδου (στην πύλη) λόγω της ύπαρξης του οξειδίου (πολύ
καλός μονωτής) είναι μηδενικό στο DC.
• Τα MOS-FET υλοποιήθηκαν αργότερα (1959) από τα BJT (1947) λόγω
τεχνολογικής δυσκολίας, αν και είχε προταθεί από το 1926.
14
Συμβολισμός MOS-FET Πύκνωσης
15
Περιοχές Λειτουργίας MOS-FET Πύκνωσης
• μn, ευκινησία φορέων W

k = µ n ⋅ Cox ⋅ , K=1 k
• Cox, χωρητ. Καναλιού /μον. Επιφ. L 2
• W,L, πλάτος & μήκος καναλιού 16
Παράμετροι MOS-FET
Στον κόρο, VDS>VGS-VT
(Λειτουργία σαν ενισχυτής)
I D = 1 ⋅ k ⋅ (VGS − VT ) 2
2
ή
I D = K ⋅ (VGS − VT ) 2
• Παράμετροι Τεχνολογίας (σταθερές):

• Το L και το πάχος tox (ή Cox) του οξειδίου.
• Παράμετρος σχεδιασμού (μεταβλητή): Το W
• μn, ευκινησία φορέων
Cox, χωρητ. Καναλιού /μον. Επιφ. W
• k = µ n ⋅ Cox ⋅ , K=1 k
• W,L, πλάτος & μήκος καναλιού L 2
17
Χαρακτηριστικές Καμπύλες I-V Τρανζίστορ NMOS
18
Χαρακτηριστικές Εισόδου (Κανάλι-n)
+ ID = K(VGS-VT)2
VDS
-
19
Χαρακτηριστικές Εξόδου (Κανάλι-n)
(linear)
+
VDS
-
• Ένα κανάλι-n ενός MOSFET με εφαρμοσμένα VGS και VDS

και με τις συνηθισμένες κατευθύνσεις για τα ρεύματα,
όπως αναγράφονται.
20
Σύγκριση BJT & FET
BJT FET
• Ελεγχόμενο από ρεύμα • Ελεγχόμενο από τάση
• VBE ≈ 0.7 V για να λειτουργεί • VGS > VT Τάση Κατωφλίου για

να λειτουργεί
• Για λειτουργία στην γραμμική
• περιοχή (ενισχυτής); • Για λειτουργία στην περιοχή
• Η επαφή BE ορθά πολωμένη, κόρου (ενισχυτής)
• Η επαφή BC ανάστροφα
πολωμένη • VDS > VGS - VT
• IC = βIB
• ID = K(VGS-VT)2
21
MOS-FET Αραίωσης
22
MOS-FET Αραίωσης- Χαρακτηριστική Εξόδου
23
MOS-FET Αραίωσης- Χαρακτηριστική Εισόδου
24
Σύγκριση MOS-FET Αραίωσης & Πύκνωσης
NMOS Αραίωσης PMOS Αραίωσης

VGS=0 → Άγει το τρανζίστορ (IDSS) Περιοχή VGS=0 → Άγει το τρανζίστορ (IDSS) Περιοχή
VGS>0 → Άγει περισσότερο (ID↗) πύκνωσης VGS<0 → Άγει περισσότερο (ID↗) πύκνωσης
VGS<0 → Άγει λιγότερο ((ID↘) Περιοχή VGS>0 → Άγει λιγότερο ((ID↘) Περιοχή
VGS≤VT(αρνητική) → ID=0 αραίωσης VGS≥VT(Θετική) → ID=0 αραίωσης
NMOS Πύκνωσης PMOS Πύκνωσης

VGS≤VT(θετική) → ID=0 Περιοχή VGS≥VT(θετική) → ID=0 Περιοχή
VGS≥VT(θετική) → ID>0 πύκνωσης VGS≤VT(θετική) → ID>0 πύκνωσης
(μόνο) (μόνο)
25
J-FET (Junction Gate Field-Effect Transistor)
• To JFET είναι στοιχείο απογύμνωσης (Vp<0 για n-

type),το οποίο όμως δεν μπορεί να λειτουργήσει με
πύκνωση.
Για VP<VGS<0 & VDS=VGS-VP → στραγγαλισμός (pinch off)

26
J-FET (Junction Gate Field-Effect Transistor)
27
Ρεύμα MOS-FET Περιοχή Κόρου
• ID = K(VGS-VT)2
• K = Παράμετρος διαγωγιμότητας (transconductance)
• K = 1/2 K’ (W/L)
• K’= µnCox, όπου µn είναι η κινητικότητα των ηλεκτρονίων

• και Cox είναι η χωρητικότητα του στρώματος οξειδίου
• W/L τα γεωμετρικά χαρακτηριστικά του τρανζίστορ το

χαρακτηρίζουν!!
– W είναι το πλάτος της πύλης και L είναι το μήκος της
• Όπως φαίνεται από την το ID ∝ W/L

Διαγωγιμότητα gm=ΔIout/ΔVin
28
Ρεύμα MOS-FET Περιοχή Κόρου
• Μοντέλο Ισοδύναμου κυκλώματος μεγάλων

σημάτων (Large-signal equivalent-circuit model)
ενός n-channel MOSFET το οποίο λειτουργεί
στην περιοχή κόρου. (Ανάλυση DC)
29
Υπολογισμός Σημείου Λειτουργίας
Δίνεται: VT = 2V, K = (1/2) .5 mA/V

2
•
ID (a) Να ευρεθεί η V1
IG = 0
• Χρησιμοποιούμε, ID = K(VGS-VT)2
+
V1 10uA = (1/2) .5 (VGS - 2)2
VGS -
• Λύνουμε ως προς VGS
n channel VGS = 2.2V
V1 = - 2.2V
30

2
•
(b) Να ευρεθεί η V2
• Χρησιμοποιούμε, ID = K(VGS-VT)2
V2
IG = 0
10uA = (1/2) .5 (VGS - 2)2
+
VGS - • Λύνοντας ως προς VGS
ID
n channel VGS = 2.2V
V2 = VGS = 2.2V
31

2
•
(f) Να ευρεθεί η VGS
• Το ρεύμα στο τρανζίστορ και στην
αντίσταση είναι ίδια λόγω του ότι IG=0
IG = 0
Το ρεύμα στο τρανζίστορ ID = K(VGS-VT)2
ID
Το ρεύμα στην αντίσταση: I=(5 - VGS)/100K
n channel
+ Εξισώνοντας ….
VGS -
(5 - VGS) /100K = (1/2) .5 (VGS - 2)2
Λύνουμε ως προς VGS
VGS = 2.33V
32
• DC ανάλυση
Να ευρεθούν τα ID, VGS και VDS
ID
VGS = 5V
IG = 0 +
VGS > VT, άρα το τρανζίστορ άγει
VDS
Υποθέτουμε πως λειτουργεί + -
στον κόρο-saturation VGS
-
ID = K(VGS-VT)2 ID
ID = (0.05 mA/V2)(5-1)2
ID = 0.8 mA
VDS = VDD - ID RD VT = 1V
VDS = 10 - (0.8)6 K = 0.05 mA/V2
VDS = 5.2V (τυπικές τιμές)
33
• DC ανάλυση
Να ευρεθούν τα ID, VGS και VDS
Υποθέτουμε πως λειτουργεί

στον κόρο-saturation
ID = K(VGS-VT)2 IG = 0
ID = K(5 - ID RS -VT)2 +
VDS
18ID 2 - 25 ID + 8 = 0 + -
VGS
Λύνουμε ως προς ID, ΤΡΙΩΝΥΜΟ -
ID = 0.89mA, 0.5mA, ΠΟΙΑ ΑΠΌ
ΤΙΣ ΔΥΟ ΛΥΣΕΙΣ ΕΊΝΑΙ Η ΣΩΣΤΗ:
ID
Για ID = 0.89mA, VGS = 5 - (0.89)6 = - 0.34V
Για ID = 0.5mA, VGS = 5 - (0.5)6 = 2V
VT = 1V, K = 0.5 mA/V2
Μόνο για ID = 0.5mA, το transistor άγει!
34
To MOS-FET Σαν Ενισχυτής
Το σήμα εισόδου που θα

ενισχυθεί επηρεάζει την
VGS
35
Ενίσχυση τάσης
(Voltage Gain)
36
(a) Ενισχυτής κοινής πηγής (common-source amplifier).

(b) Ευθεία φόρτου και γραφική αναπαράσταση με τις
χαρακτηριστικές καμπύλες του τρανζίστορ. 37

Ηλεκτρονική Φυσική Δημήτριος Γουστουρίδης ΤΕΙ Πειραιά

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Ηλεκτρονική Φυσική Δημήτριος Γουστουρίδης ΤΕΙ Πειραιά

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Ηλεκτρονική Φυσική

• Χαριτάντης Γ. Ηλεκτρονικά Ι. Εισαγωγή στα

Στην ενότητα αυτή θα μάθετε για:

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 1 Μικροηλεκτρονικά Κυκλώματα

• Ηλεκτρονική Φυσική είναι ο κλάδος της

Ηλεκτρονικά Στοιχεία Που Χρησιμοποιούμε

Παθητικά Στοιχεία: Αντίσταση, Πυκνωτής, Πηνίο

Ενεργητικά Στοιχεία: Δίοδοι, Φωτοδίοδοι, Τρανζιστορ,

• Παθητικά Στοιχεία: Αντίσταση, Πυκνωτής, Πηνίο.

* Εξαιρούμε τα κυκλώματα ταλαντώσεως (LC, RLC) τα

Ηλεκτρονικά στοιχεία που χρησιμοποιούμε

• Ενεργητικά Στοιχεία: Δίοδοι, Φωτοδίοδοι, Τρανζίστορ,

• Στα παθητικά στοιχεία χρησιμοποιούμε απλούς

Πως σχεδιάζουμε και αναλύουμε ένα κύκλωμα

• Με τα ενεργητικά στοιχεία όμως τι κάνουμε?

• Πώς επιλύουμε ένα κύκλωμα με ένα τρανζίστορ NPN, το

• Στα ενεργητικά στοιχεία χρησιμοποιούμαι την έννοια

Πως σχεδιάζουμε και αναλύουμε ένα κύκλωμα

• Το παραπάνω μοντέλο μας λέει ότι το τρανζίστορ είναι ένα δίπολο

* Το παραπάνω παράδειγμα αναφέρεται στην συνδεσμολογία Κοινού

• Οπότε στο προηγούμενο παράδειγμα έχουμε:

Από τι εξαρτάται ένα ισοδύναμο μοντέλο?

• Μα φυσικά από την φυσική που υπάρχει πίσω

• Το προηγούμενο μοντέλο που δείξαμε ισχύει

• Συνεπώς το παιχνίδι του σχεδιασμού λειτουργεί

• Η δίοδος είναι ένα ηλεκτρονικό στοιχείο το

*Λεπτομέρειες και αναλυτικά η αρχή λειτουργίας των διόδων στο

Άλλο παράδειγμα: η δίοδος

Μοντέλο σταθερής τάσης

• Πολώστε το παρακάτω κύκλωμα, ώστε να ανάψει το κόκκινο

Η LED είναι ορθά πολωμένη, και V=9V > VLED=1.6V, συνεπώς

• Υπάρχει μόνο ένα ισοδύναμο μοντέλο?

 Φυσικά OXI! Ανάλογα την ακρίβεια των αποτελεσμάτων

• Ο Υπολογιστής όμως δεν σχεδιάζει ένα

Περιορισμοί (2): Παράδειγμα

• Έχουμε 2 πολιτικούς μηχανικούς που και οι 2

• Παράδειγμα διαιρέτη τάσης με Multisim.

• Για δωρεάν εκπαιδευτική έκδοση του

Ενότητα 2: Φυσική Ημιαγωγών

Στην ενότητα αυτή θα μάθετε για:

2.1 Αγωγοί – Ημιαγωγοί – Μονωτές,

• Ένας πολύ καλός αγωγός του ηλεκτρισμού (π.χ. ένα

Φορτίο Ηλεκτρονίου = 1.60217646 × 10-19 coulombs

• Τα ηλεκτρόνια μπορούν να είναι ακίνητα σε

• Ένταση ηλεκτρικού ρεύματος (Ι): Είναι η

Νόμος του Ohm

• Υλικό που επιτρέπει την ροή ρεύματος.

Ατομική Δομή Χαλκού

• Η στιβάδα σθένους ή εξωτερική τροχιά

Απλοποιημένο Διάγραμμα Πυρήνα Χαλκού

• Η έλξη μεταξύ του πυρήνα και του

• Ένα στοιχείο με ηλεκτρικές ιδιότητες ανάμεσα

• Οι ημιαγωγοί τυπικά έχουν 4 ηλεκτρόνια

Το πυρίτιο (Si) Ανήκει στη Στήλη 4 (IV) του Περιοδικού

Τα ηλεκτρόνια μπορούν να υπάρξουν μόνο σε συγκεκριμένες

Si14, του λείπουν 4 από την 3p

Ένα ηλεκτρόνιο σθένους 4 ηλεκτρόνια σθένους

Ο πυρήνας μαζί με τις εσωτερικές στιβάδες

Κορεσμός ζώνης σθένους Valence saturation: n = 8

Λόγω του ότι τα ηλεκτρόνια σθένους είναι δεσμευμένα,

• Ετεροπολικοί δεσμοί με ηλεκτροστατικές

• Η δυναμική ενέργεια δύο ατόμων που πλησιάζουν μεταξύ

Η ενέργεια που αντιστοιχεί σε κάθε ένα ηλεκτρόνιο