مرحلة :اولى كروب()B الترانزستور أو المقحل ((()Transistor (اختصارًا لكلمتي Transfer Resistorأي ُمقاِو ُم الَن ْق ل) وهي نبيطة تعتبر أحد أهم مكونات األدوات اإللكترونية الحديثة مثل الحاسوب ،اخترعه العلماء األمريكيون (والتر براتين) و (جون باردين) و (وليام شوكلي) ،وهو عبارة عن بلورة من مادة شبه موصل مصنوعة من الجرمانيوم أو السيليكون تحتوي على بلورة رقيقة جًد ا بحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب وتسمى القاعدة بينهما المنطقتان الخارجيتان من النوعية المخالفة وله قدرة كبيرة على تكبير اإلشارات اإللكترونية .للمقحل ثنائي القطب وصلتين من نوع «م س» وثالثة أطراف .حيث يربط طرفان من الوصلتين «م س» ،في العادة يربط الباعث والمجِّمع إلى دائرة خارجية ،بينما يصل الطرف الثالث القاعدة بدائرة داخلية ,في الواقع ان الترانزستور هو أهم المكونات اإللكترونية الحديثة ،ويعتبر من أعظم االختراعات في القرن العشرين ،ويستمد أهميته في حياة المجتمع من القدرة الفائقة على إنتاجه ،باستخدام عمليات تلقائية إليه «عمليات تصنيع أشباه الموصالت» ،مما يجعل إنتاجه قليل التكلفة ,وعلى الرغم من أن العديد من الشركات تنتج سنويا ما يزيد عن المليار من المقاحل المنفصل؛ إال أن الغالبية العظمى من المقاحل التي تنتج تكون في الدوائر المتكاملة " ،"Integrated circuitوالتي تختصر إلى " ،"ICوتحتوي هذه الدوائر المتكاملة على العديد من المقاحل والوصالت الثنائية والمقاومات والمكثفات والمكونات اإللكترونية األخرى ،والتي تمثل دائرة إلكترونية كاملة تقوم بعمل وظيفة معينة وهناك أيضا «البوابات المنطقية» (،)Logic gates والتي تتكون من عدد من المقاحل ،والتي قد تصل إلى العشرين ،لعمل بوابة منطقية واحدة وفي المعالجات الدقيقة المتقدمة وصل عدد المقاحل إلى 3مليارات في شريحة واحدة في عام ،2011حيث كان قد وصل إلى 60مليون في الشريحة في عام ،2002ومن أهم مميزات المقحل التكلفة الضئيلة والمرونة في االستخدام والثبات ،مما جعله واسع االستخدام واالنتشار ،وقد دخلت المقاحل في دوائر التحكم الميكانيكية وحلت محل األدوات الميكانيكية التي كانت تستخدم في ذلك ،ويمكن أيضا استخدام متحكم دقيق في كتابة برنامج صغير ألداء وظيفة التحكم المطلوبة والمكافأة للمهمة التي يقوم بها التصميم الميكانيكي ,كان استخدام الترانزستور ثنائي القطب ( )Bipolar Junction Transistorوالتي تختصر إلى ( )BJTهو األكثر شيوعا في الستينيات والسبعينيات من القرن الماضي ،ولكن مع ظهور الترانزستور ثنائي المجال (Metal Oxide )Semiconductor Field Effect Transistorتقلص دور ثنائي القطب إلى الدوائر التناظرية مثل المكبرات البسيطة ،لكبر منطقة عمله الخطية " Linear Mode "Operationوسهولة تصنيعه ،وهناك العديد من الخصائص للترانزستور ثنائي المجال ،مثل استخدامه في الدوائر ذات القدرة المنخفضة باستخدام تقنية السيموس، والتي تعنى استخدام المعدن واألكسيد وشبه الموصل المتكامل ،والتي تجعل مشاركة الدوائر الرقمية سهلة ،وهناك العديد من ترانزستورات تأثير المجال الحديثة والتي تجمع بين االستخدام في دوائر القدرات العالية والدوائر التناظرية المؤقتة " " Clocked Analog circuitمثل معادالت الجهود والمكبرات وناقالت القدرة والمحركات... استخدام الترانزستور كمكبر ُصمم المقحل ذو الباعث المتصل باألرض لكي يستجيب إلى اإلشارات الصغيرة الداخلة إلى القاعدة ،ويقوم بتكبير هذه اإلشارات على المخرج عند المجمع ،وهناك العديد من التكوينات لدوائر تقوم بالتكبير ،لها مميزات مختلفة ،سواء للتيار أو للجهد أو االثنين معا بحسب المطلوب.ففي بعض الهواتف المحمولة والتلفاز هناك العديد من المنتجات التي يدخل فيها المقحل كمكبر ،مثل مكبرات الصوت أو النقل الراديوي أو معالجة اإلشارات ،وكانت أول دائرة مقحل ذات قدرات ضعيفة تصل إلى بعض األجزاء من العشرة من الواط وتم تكبيرها .ومع التقدم ازدادت نسبة التكبير ونقائه تدريجيا عندما وجدت مقاحل أحسن ،وتم تقويم مواصفات المقحل ،ووصلت القدرات اآلن إلى بضع المئات من الواط وبتكلفة قليلة. إن نوعي الترانزستور يختلفان عن بعضهما اختالفا طفيفا في كيفية وضعهما في دائرة معينة ،فكل منها له ثالثة اطراف تسمى في حالة المقحل ثنائى القطب بـ :القاعدة "،" Base والباعث " ،" Emitterوالمجمع " ،" Collectorوبمرور تيار متغير في القاعدة سيظهر تأثره مجمعا في المجمع والباعث ،وفي حالة مقحل تأثير المجال تسمى البوابة " ،" Gateالمنبع " ،" Sourceالمصب " " Drainويتحكم الجهد على البوابة في فرق الجهد بين المنبع والمصب.. يمكن تقسيم المقاحل إلى عدة فئات حسب التقسيم: طبقا لشبه الموصل -1 طبقا للبناء -2 طبقا للقطبية: -3 ( NPNس م س) المقحل من النوع السالب ،ويعنى منطقة من النوع السالب يليها منطقة من النوع الموجب يليها منطقة من النوع السالب. ( PNPم س م) المقحل من النوع الموجب ،ويعنى منطقة من النوع الموجب يليها منطقة من النوع السالب يليها منطقة من النوع الموجب. طبقا لقدرة التشغيل -4 طبقا ألقصى تردد تشغيل -5 طبقا للتطبيق المستخدم فيه -6 طبقا للتغليف الفيزيائي -7 طبقا لمعامل التكبير ()hfe -8