Klucz nasycony

Należy zaprojektować klucz nasycony z tranzystorem typu BC548B, który będzie włączał białą
diodę świecącą. Przez włączoną diodę powinien przepływać prąd IF natężeniu około 20 mA.
Dostępne jest napięcie zasilania układu UCC = 10 V, a o diodzie wiadomo, że spadek napięcia na niej
w stanie przewodzenia to UF ≈ 3 V.
Klucz będzie włączany sygnałem prostokątnym o poziomach: UL ≈ 0 V i UH = 4 V.
Należy zapewnić pewną pracę klucza przy uwzględnieniu rozrzutów produkcyjnych tranzystora,
a jednocześnie możliwie dużą maksymalną częstotliwość przełączania.

Na początek narysujmy schemat ideowy projektowanego układu:

UCC

RC

RG

UH / UL

Musimy dobrać dwie rezystancje: RC oraz RG. Zaczniemy od RC, bo to ona jest odpowiedzialna za
zapewnienie przewodzącej diodzie wymaganego prądu.

Jeśli tranzystor jest pewnie nasycony, spadek napięcia pomiędzy jego kolektorem i emiterem (UCES)
jest bardzo mały (przy miliamperowych prądach płynących przez kolektor nie powinien
przekroczyć 0,2 V). Jako że napięcie zasilania całego naszego układu jest spore (10 V), możemy
uznać, że UCES = 0 V. Wielkiego błędu nie popełnimy, zwłaszcza że i spadek napięcia na
przewodzącej diodzie jest wartością przybliżoną.

A więc w obwodzie kolektora możemy zapisać:

U CES + U RC + U F = U CC czyli U RC = U CC − U F − 0 V = 10 V − 3V = 7 V

Stąd obliczamy rezystancję RC:

U RC 7V
RC = = = 350 Ω (bo prąd diody płynie też przez opornik RC)
IF 20 mA

Oczywiście w typowym szeregu E24 takiego opornika nie ma, więc musimy się zdecydować albo
na opornik o rezystancji 330 Ω albo na opornik o rezystancji 360 Ω.

Teraz pora na obliczenie rezystancji RG. Tu mamy tak naprawdę podobną sytuację, jak w obwodzie
kolektora, czyli szeregowe połączenie źródła napięcia (UH), diody (złącza baza-emiter tranzystora)
i opornika.

A więc:

U H − U BEP
U H = U BEP + U RG czyli RG =
I RG
Napięcie UH znamy, napięcie UBEP też (możemy przyjąć standardową wartość 0,7 V), brakuje nam
tylko natężenia prądu, jaki będzie przepływał przez opornik RG.

Musi to być prąd, który zapewni wejście tranzystora w stan nasycenia. Najpierw obliczmy „prąd
graniczny”, czyli taki, który doprowadzi tranzystor do granicy dwóch stanów: nasycenia
i aktywnego. Do tego potrzebujemy informacji o ważnym parametrze tranzystora, jakim jest jego
współczynnik wzmocnienia prądowego β (czasem oznaczany też jako h21E).

Odczytujemy go z katalogu. Dla tranzystora BC548B współczynnik β może przyjmować wartości z

przedziału od 200 do 400 A/A. Oczywistym jest, że w przypadku chęci nasycenia tranzystora
najgorszą wartością jest 200 A/A, bo wtedy będziemy potrzebowali najwięcej prądu dostarczanego
do bazy. A jeśli jednak trafimy na tranzystor o współczynniku wzmocnienia większym, będzie on
też nasycony, tylko głębiej.

IC I 20 mA 3,3 V
Obliczamy więc: I RG = = F = = 100 μ A Stąd RG = = 30 k Ω
β min β min 200 100 μ A

Czy to już koniec? Nie. Na wszelki wypadek użyjemy opornika RG o rezystancji 2 – 3 razy
mniejszej niż obliczona (czyli 10 – 15 kΩ). Bo pechowo może nam się „przydarzyć” jeszcze gorszy
tranzystor, bo parametr β silnie zależy od temperatury, bo oporniki mają pewną tolerancję, bo…

A dlaczego nie zmniejszamy rezystancji RG jeszcze bardziej? Z dwóch powodów. Po pierwsze

mniejsza rezystancja oznacza silniejsze obciążanie źródła sygnału sterującego, co może być
czasami dużym problemem. A po drugie zmniejszenie rezystancji RG oznacza głębsze nasycenie
tranzystora, a więc wydłużenie czasu jego wyłączania. A to się przecież kłóci z jednym z wymagań
postawionych na początku niniejszego projektu (z którym?).