1.

Energoelektronika zajmuje się:

c) przekształcaniem i sterowaniem energii elektrycznej

Energoelektronika zajmuje się regulowaniem i przetwarzaniem energii elektycznej przy pomocy

elementów półprzewodnikowych mocy.

2. Działanie układu energoelektronicznego bazuje na pracy dwustanowej:

c) diod LED

W układach energoelektronicznych wykorzystuje się następujące elementy:

1) przyrządy półprzewodnikowe:
- niesterowane (diody elektroenergetyczne),
- nie w pełni sterowane (tyrystory SCR, fotorezystory, tyrystory niesymetryczne ASCR, tyrystory
wstecznie
przewodzące RCT, triaki),
- w pełni sterowane (tranzystory mocy: bipolarne BJT, z izolowaną bramką IGBT, polowe
MOSFET, tyrystory
wyłączalne GTO i MCT),
- moduły mocy, elementy typu "smart".
Przyrządy półprzewodnikowe mocy to elementy energoelektroniczne pracujące jako przyrządy
dwustanowe (stan włączenia i wyłączenia).

3. Układ energoelektroniczny składa się z:

b) przekształtnika z układem sterowania

Układ energoelektroniczny składa się z:

• jednego lub kilku tak zwanych przekształtników energoelektronicznych oraz

• układu sterującego

4. Narysuj schemat blokowy układu energoelektronicznego

Przekształtnik
Źródło energoelektron Odbiornik
iczny

Układ
sterujący

Rys.1. Uproszczony schemat systemu wytwarzania, przesyłu i przetwarzania energii

elektrycznej
5. Tranzystory mocy w układzie energoelektronicznym pracują:
a) dwustanowo

1) przyrządy półprzewodnikowe:

- w pełni sterowane (tranzystory mocy: bipolarne BJT, z izolowaną bramką IGBT, polowe MOSFET,
tyrystory
wyłączalne GTO i MCT),

Przyrządy półprzewodnikowe mocy to elementy energoelektroniczne pracujące jako przyrządy

dwustanowe (stan włączenia i wyłączenia).

6. W obszarze dużych mocy (MW) stosowane są tranzystory:

c) bipolarne z izolowaną bramką (IGBT)

Tranzystory IGBT mają zwykle budowę komórkową, dzięki czemu jest możliwe sterowanie
większymi mocami i uzyskuje się w stanach dynamicznych bardziej równomierny rozkład prądu w
strukturze elementu. Tranzystory IGBT dopuszczają większe gęstości prądu w porównaniu z
tranzystorami bipolarnymi i polowymi mocy.

7. Częstotliwość przełączeń tranzystora MOSFET jest zazwyczaj

c) wyższa
od częstotliwości przełączeń tranzystorów IGBT.

MOSFET- ok. 1Mhz

Igbt- do ok. 50Khz

8. Moc znamionowa układu z tranzystorami MOSFET jest zazwyczaj

a) niższa
od mocy układu z tranzystorami IGBT.

Skoro IGbt pracują przy wyższych mocach to i moc układu jest wyższa ( ale pewny nie jestem )

9. Falownikami nazywamy układy :

c) DC/AC
notatki z wykładów

10. Prostownikami nazywamy układy :

a) AC/DC
notatki z wykładów
11. Narysuj symbol graficzny układu DC/DC.

12. Na wejściu układu prostownika napięcie jest:

a) stałe
b) przemienne

13. Do podstawowych kryteriów oceny układu energoelektronicznego zaliczamy:

a) wygląd zewnętrzny
b) wagę
c) napięcie wejściowe
d) gęstość mocy

14. Do podstawowych kryteriów oceny układu energoelektronicznego zaliczamy:

a) sprawność energetyczną
b) czas bezawaryjnej pracy
c) napięcie wejściowe
d) moc znamionową

15. Gęstość mocy mierzymy w :

a) kg/dm3
b) kA/ dm3
c) kW/kg
d) kW/dm3
3
Gęstość mocy – ilość mocy (szybkości transferu energii) na jednostkę objętości, wyrażana jako W/m .
16. Sprawność energetyczna to iloraz :
a) mocy na wejściu do mocy na wyjściu układu
b) strat mocy do mocy na wejściu układu
c) mocy na wyjściu do mocy na wejściu układu
d) strat mocy do mocy na wyjściu układu

17. Podaj zależność definiującą sprawność energetyczną.

𝑃𝑃𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑃𝑃𝑜𝑜
𝜂𝜂 = =
𝑃𝑃𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑃𝑃𝑜𝑜 + 𝑃𝑃𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠
P o – moc odbiornika
P str - moc strat

2. Elementy układów energoelektronicznych

18. Dioda jest elementem:
a) niesterowanym
b) półsterownym
c) w pełni sterowanym

„W układach energoelektronicznych, gdzie dioda mocy pracuje jako łącznik niesterowany…”

MATYSIK

19. Dioda przewodzi prąd przy napięciu UAK:

a) dodatnim
b) zerowym
c) ujemnym

20. Narysuj charakterystykę prądowo-napięciową diody.

21. Spadek napięcia diody wraz ze wzrostem jej napięcia przebicia:
a) rośnie b) nie zmienia się c) maleje //nie ma nigdzie bezpośredniej odp.

22. Typowy spadek napięcia na przewodzącej diodzie o klasie napięciowej 1200V to około:
a) 0,6-0,7V; b) 1-3V; c) 5-6V; d) 1200V //wg wykładu ±1V, wg Barlika 1÷2V

23. Podaj zależność na napięcie przewodzącej diody mocy.

∆𝑼𝑼
𝑼𝑼 = 𝑼𝑼𝑭𝑭𝑭𝑭 + 𝒓𝒓𝒅𝒅 ∙ 𝒊𝒊 𝒓𝒓𝒅𝒅 =
∆𝑰𝑰

24. Klasa napięciowa diody mówi o jej:

a) spadku napięcia w stanie przewodzenia b) napięciu sterowania diody c) napięciu przebicia
//powtarzalne napięcie wsteczne wyrażone w setkach V to klasa napięciowa diody

25. Podaj pełną nazwę skrótu MOSFET.

Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor

26. Elektrody (wyprowadzenia) tranzystora MOSFET to:

a) dren, źródło i bramka b) dren, źródło i baza c) kolektor, emiter i baza d) kolektor, emiter i bramka

27. W energoelektronice stosuje się zazwyczaj tranzystory MOSFET z kanałem:

a) typu P; b) typu N; c) wykonanym z tlenku; d) typu PN //wszędzie opisywany jest typu N

28. W trakcie przewodzenia tranzystor MOSFET zachowuje się jak:

a) kondensator ; b) dławik; c) dioda; d) rezystor

29. Tranzystor MOSFET jest sterowany przy pomocy napięcia:

a) bramka-źródło
b) bramka-dren
c) dren-źródło

30. Podaj zależność na spadek napięcia na przewodzącym tranzystorze MOSFET

𝑼𝑼𝑫𝑫𝑫𝑫𝑫𝑫𝑫𝑫 = 𝒊𝒊𝑫𝑫 𝑹𝑹𝑫𝑫𝑫𝑫𝑫𝑫𝑫𝑫
Ids
Eon=0.5*ton*Udc*Io
P=fs*(Udc*Io(ton+toff))
41. Podaj pełną nazwę skrótu IGBT.

IGBT- Insulated Gate Bipolar Transistor. (Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką)

42. Elektrody (wyprowadzenia) tranzystora IGBT to:

a) dren, źródło i bramka

b) dren, źródło i baza

c) kolektor, emiter i baza

d) kolektor, emiter i bramka

Poprawna odpowiedź to d) gdyż IGBT jest połączeniem tranzystora polowego MOSFET

(bramka) oraz tranzysotra bipolarnego (kolektor i emiter)

Schemat IGBT.

43. Tranzystor IGBT to połączenie:

a) tranzystora BJT i MOSFET

b) tranzystora BJT i tyrystora

c) tyrystora i tranzystora MOSFET

d) diody i tranzystora MOSFET

Poprawna odpowiedź to a) uzasadnienie jak powyżej. MOSFET- tranzystor polowy.

BJT- tranzystor bipolarny.

44. Maksymalne spotykane napięcie przebicia tranzystora IGBT to:

a) 1200V; b) 300V; c) 4,5kV; d) 6,5kV

Poprawna odpowiedź to d) tak wysokie napięcie jest możliwe dzięki połączeniu w
obszarze monolitycznego materiału półprzewodnikowego tranzystora bipolarnego z
tranzystorem polowym. W ten sposób IGBT przejmuje pozytywne cechy obu
tranzystorów i jest w stanie przetwarzać napięcie ponad 6kV.

45. Podaj zależność opisującą rezystancję termiczną

Rezystancja termiczna – wielkość fizyczna reprezentująca opór, jaki stawia dana

materia przenoszeniu ciepła (energii cieplnej).

Przy czym:

Rth- rezystancja termiczna

T-różnica temperatur w Kelwinach [K]
P- Moc układu w Watach [W]

46. Rezystancję termiczną mierzymy w:

a) Ω ; b) K/W; c) Ω/W; d) W/K

Poprawna odpowiedź b) wyjaśnienie jak do 45.

47. Im wyższa rezystancja termiczna elementu tym spadek temperatury na nim jest:
a) wyższy
b) niższy

Poprawna odpowiedź to a) co wynika z wzoru podanego w pytaniu 45. T=P*Rth

48. Maksymalna temperatura pracy złącza dla większości elementów krzemowych to:
a) 125°C; b) 25°C ; c) 150°C; d) 175°C

Poprawna odpiwedź to c). W tej temperaturze ryzyko uszkodzenia jest jeszcze

stosunkowo małe. Element pracujący w tej temperaturze powinien (biorąc
statystycznie) powinien bezawaryjnie pracować, powiedzmy przez 10000 godzin (to
jest ponad rokciągłej pracy). Choć faktycznie pracować złącze może pracować w
wyższych temperaturach jednak jest to przyjęta granica ryzyka uszkodzenia.
49. Tranzystor wydzielający moc strat równą PSTR=10W przymocowany jest do radiatora o
rezystancji RTH=2K/W. Przyrost temperatury tego radiatora równy jest:
a) 10°C; b) 5°C; c) 0,2°C; d) 20°C

Poprawna odpowiedź to d) zgodnie z wzorem z 45 pytania. T=Pstr* Rth = 10*2 = 20K

1k=1oC więc T= 20oC

50. W stosunku do temperatury złącza tranzystora temperatura chłodzącego go radiatora

jest
zawsze:
a) niższa
b) niezmienna
c) wyższa

Poprawną odpowiedzią jest a) Gdyż temperatura złącza musi być regulowana za

pomocą radiatora, a jest to powodowane zjawiskiem konwekcji ciepła do radiatora a
następnie emisji jej do otoczenia.
51. Podaj pełną nazwę skrótu PWM.

Pulse-Width Modulation, czyli Modulacja Szerokości Impulsu.

52. Częstotliwość przełączania dla modulacji PWM jest:

a) stała

b) zmienna

c) proporcjonalna do czasu przewodzenia

53. Narysuj przebieg typowego impulsu sterującego dla modulacji PWM.

Tutaj chodzi o przebieg prostokątny.

54. Podaj zależność na współczynnik wypełnienia impulsu

Współczynnik wypełnienia impulsu jest to stosunek czasu trwania impulsu do okresu tego impulsu

Czas trwania impulsu łatwo jest określić dla sygnału o przebiegu prostokątnym, ewentualnie trójkątnym. W
przypadku bardziej złożonych przebiegów można posłużyć się inną definicją współczynnika wypełnienia:
jest to stosunek rzeczywistej mocy impulsu do mocy maksymalnej[1].

Rzeczywista moc impulsu jest wówczas definiowana jako średnia moc impulsu po czasie (okresie). Jeżeli
przebieg impulsu opisuje funkcja

wówczas jego moc zmienia się zgodnie ze wzorem

a moc uśredniona po okresie T

Moc maksymalna jest zdefiniowana jako moc sygnału stałego o największej amplitudzie jaką
osiąga dany impuls

Współczynnik wypełnienia można więc zapisać w postaci wzoru

Stosunek powierzchni części zielonej do łącznej powierzchni zielonej i niebieskiej jest
współczynnikiem wypełnienia

55. Narysuj schemat przekształtnika obniżającego napięcie

56. Napięcie na wyjściu przekształtnika obniżającego napięcie (sterowanego przy pomocy

modulacji PWM) jest proporcjonalne do:

a) częstotliwości przełączania

b) wsp. wypełnienia impulsu

c) rezystancji odbiornika

57. Maksymalne napięcie na wyjściu przekształtnika obniżającego napięcie zasilanego z

baterii 48V równe jest:

a) 24; b) 49; c) 96; d) 48

58. Współczynnik wypełnienia impulsu przekształtnika obniżającego napięcie, który na

wejściu ma 12V a na wyjściu 4V równy jest:

a) 1/3; b) 0,3; c) 3; d) 0,25

59. Do podanego przebiegu sterującego tranzystorem w przekształtniku obniżającym

napięcie dorysuj prąd diody. Oznacz osie układów współrzędnych.

60. Do podanego przebiegu sterującego tranzystorem w przekształtniku obniżającym

napięcie dorysuj prąd tranzystora. Oznacz osie układów współrzędnych.

61. Do podanego przebiegu sterującego tranzystorem w przekształtniku obniżającym

napięcie dorysuj prąd dławika i oznacz jego wartość średnią. Oznacz osie układów

współrzędnych.

62. Częstotliwość rezonansowa filtru LC ma być 5-krotnie niższa od częstotliwości

przełączeń tranzystora w przekształtniku obniżającym napięcie równej 50kHz. Znajdź

wartość pojemności kondensatora, jeśli wiadomo, że indukcyjność dławika równa jest

L=250µH.

63. Który rodzaj strat mocy nie występuje w przyrządach półprzewodnikowych mocy

przekształtnika obniżającego napięcie:

a) straty przewodzenia

b) straty w rdzeniu

c) straty łączeniowe

d) straty sterowania
64. Przekształtnik obniżający napięcie pracuje przy współczynniku wypełnienia impulsu

D=0,25. W tym przypadku stosunek wartości średniej prądu diody zwrotnej do wartości

średniej prądu odbiornika równa się:

a) 0,5; b) 0,75; c) 0,25;d) 0,33

65. Podaj zależność na straty przewodzenia tranzystora w przekształtniku obniżającym

napięcie.
71. Aby zmniejszyć straty mocy przewodzenia tranzystora MOSFET o połowę należy
zmniejszyć wartość skuteczną płynącego przez niego prądu o:
a) 2; b) 0,5; c) 0,25; d) sqrt(2)

72. Narysuj schemat przekształtnika podwyższającego napięcie

73. Narysuj charakterystykę UOŚR=f(D) dla przekształtnika podwyższającego napięcie.

74. Najmniejsze napięcie na wyjściu przekształtnika podwyższającego napięcie zasilanego z

baterii UBAT=110V równe jest:
a) 0V; b) 55V; c) 220V; d) 110V

=
W praktyce D jest równe od 0 do 0,8, więc jeżeli będzie równe 0 wtedy napięcie na odbiorniku
równe będzie napięciu zasilania.

75. Maksymalne teoretyczne napięcie na wyjściu przekształtnika podwyższającego napięcie

równe jest:
a) nieskończoności
b) napięciu wejściowemu
c) podwojonemu napięci wejściowemu

76. Współczynnik wypełnienia impulsu D przy napięciu wyjściowym przekształtnika

podwyższającego napięcie dwukrotnie przewyższającym jego napięcie wejściowe jest
równy:

a) 0,5; b) 0,33 c) 1; d) 0,75;

77. Znajdź napięcie na wyjściu przekształtnika podwyższającego napięcie, jeśli wiadomo, że

tranzystor przewodzi 2 razy dłużej niż dioda a napięcie na wejściu wynosi 3,3V.

Czyli:

78. Do podanego przebiegu sterującego tranzystorem w

przekształtniku podwyższającym

napięcie dorysuj prąd diody. Oznacz osie układów współrzędnych.

79. Do podanego przebiegu sterującego tranzystorem w przekształtniku podwyższającym

napięcie dorysuj prąd tranzystora. Oznacz osie układów współrzędnych.

80. Do podanego przebiegu sterującego tranzystorem w przekształtniku podwyższającym

napięcie dorysuj prąd dławika i oznacz jego wartość średnią. Oznacz osie układów współrzędnych.
81. Jeżeli wartość średnia prądu w dławiku wejściowym przekształtnika podwyższającego
napięcie wynosi I SR =10A a wartość tętnień prądu to Δi=2A to prąd maksymalny tego
dławika równy jest:

a) 10A b) 11A c) 12A d) 9A

82. Napięcie na wyjściu przekształtnika podwyższającego napięcie pracującego przy

częstotliwości przełączeń fS=200kHz wynosi UO=100V a współczynnik wypełnienia
impulsu D=0,5. Aby wartość tętnień Δi była nie większa niż 1A zastosowany na wejściu
dławik musi mieć co najmniej:

U d = U 0 (1-D)
Δi = (U d * D) / L * f s

a) 125µH b) 250µH c) 275µH d) 1mH

83. Tranzystor i dioda wydzielają odpowiednio PT=25 i PD=15W i są zamontowane na

wspólnym radiatorze, którego przyrost temperatury wynosi ΔTSA=80°C. Rezystancja
termiczna tego radiatora RTHSA równa jest:

80o / 25W + 15W = 2 [Co/ W]

a) 80K/W b) 40K/W c) 0,5K/W d) 2K/W

84. Temperatura radiatora w stanie ustalonym wynosi 50°C a temperatura złącza

zamocowanego na nim tranzystora równa jest 120°C. Ile wynosi sumaryczna rezystancja
termiczna tego tranzystora z podkładką izolacyjną (RTHJCT+RTHCS) jeśli wiadomo, że jego
straty równe są 70W.

85. Dioda i tranzystor zamocowane są na wspólnym radiatorze wydzielają identyczne

wartości strat mocy PD=PT. Jeśli wiadomo, że temperatura złącza tranzystora TJT jest
wyższa od temperatury złącza diody to TJT:

a) rezystancja termiczna diody jest wyższa od rezystancji termicznej tranzystora

b) rezystancja termiczna tranzystora jest wyższa od
rezystancji termicznej diody
c) rezystancje termiczne diody i tranzystora są równe
86. Narysuj schemat dwugałęziowego przekształtnika podwyższającego napięcie.

87. Podaj charakterystykę UOŚR=f(D) dwugałęziowego przekształtnika podwyższającego

napięcie.

88. Narysuj przebiegi sterujące tranzystorami dwugałęziowego przekształtnika

podwyższającego napięcie, jeśli wiadomo, że przesunięcie fazowe wynosi 180° el. a wsp.
wypełnienia impulsu D=0,75.

89. Narysuj przebiegi prądów w dławikach wejściowych i prądu pobieranego ze źródła

dwugałęziowego przekształtnika podwyższającego napięcie

90. Narysuj schemat przekształtnika obniżająco-podwyższającego napięcie

91. Narysuj charakterystykę UOŚR=f(D) dla przekształtnika obniżająco-podwyższającego napięcie.

92. Najmniejsze napięcie na wyjściu przekształtnika obniżająco-podwyższającego napięcie zasilanego z

baterii UBAT=110V równe jest:

d) -110V (jedynie domysły) ew. c)-220V

93. Współczynnik wypełnienia impulsu D przy napięciu wyjściowym przekształtnika obniżająco-
podwyższającego równym jego napięciu wejściowemu wynosi:
b) 0,5
94. Znajdź napięcie na wyjściu przekształtnika obniżająco-podwyższającego napięcie, jeśli wiadomo, że
tranzystor przewodzi 3 razy dłużej niż dioda a napięcie na wejściu wynosi 12V.
U o = -U d t p / t w
U 0 =-36 t p -na tranzystorze

95. Do podanego przebiegu sterującego tranzystorem w przekształtniku obniżająco-podwyższającego

napięcie dorysuj prąd diody. Oznacz osie układów współrzędnych.

96. Do podanego przebiegu sterującego tranzystorem w przekształtniku obniżająco-podwyższającego

napięcie dorysuj prąd tranzystora. Oznacz osie układów współrzędnych.
97. Do podanego przebiegu sterującego tranzystorem w przekształtniku obniżająco-podwyższającego
napięcie dorysuj prąd dławika i oznacz jego wartość średnią. Oznacz osie układów współrzędnych.

98. Moc na wyjściu przekształtnika obniżająco-podwyższającego napięcie równa jest PO=1kW (rezystor
RO=10Ω), a jego napięcie wejściowe 100V. Współczynnik wypełnienia impulsów D jest równy w tym
przypadku:
a) 0,25 b)0,5 c) 0,75 d) 1
99. Napięcie na wejściu przekształtnika obniżająco-podwyższającego napięcie równe jest 500V a
współczynnik wypełnienia impulsów D=0,75. Napięcie blokowania tranzystora jest na poziomie:
b) 1kV
100. Stosunek strat przewodzenia diody do strat przewodzenia tranzystora przekształtnika obniżająco-
podwyższającego napięcie:
a) jest zawsze stały
b) zależy od napięcia wejściowego
c) zależy od współczynnika wypełnienia impulsów
101. Do zbudowania prostownika diodowego jednopołówkowego (jednopulsowego) wystarczy użyć:
a) 1 diody b) 2 diod c) 4 diod d) 6 diod.

Odpowiedź: a), Najprostszym prostownikiem jest pojedyncza diode prostownicza wpięta w układ
napięcia przmiennego. Pomimo prostoty bardzo rzadko stosowana, ze względu na duże tętnienia na
wyjściu i blokowanie napięcia przez diodę w drugiej połowie okresu.

Charakterystyka prostownika jednopołówkowego. (zwykły sinus, nieprzesunięty)

102. Narysuj schemat prostownika diodowego jednopołówkowego (jednopulsowego).

103. Wartość średnia prądu płynącego w rezystorze Ro=10Ω podłączonym do prostownika

jednopołówkowego (jednopulsowego) zasilanego z sieci o napięciu skutecznym URMS=230V jest
równa w przybliżeniu:
a) 23A b)32,5A c) 10,3A d) 7,3A

Odpowiedź: c), Utr = Urms

104. Narysuj przebieg napięcia na rezystorze Ro podłączonym do prostownika jednopołówkowego

(jednopulsowego), zasilanego z sinusoidalnego źródła napięcia.

Przebieg będzie taki sam jak w przypadku

charakterystyki całego prostownika z
pytania 101, ze względu na to, że podczas
ujemnej połowy okresu napięcie na
rezystancji wynosi 0, gdyż dioda blokuje
źródło, a podczas dodatniej napięcie na
diodzie to około 0,7 V, a na rezystorze jest
równe w przybliżeniu napięciu źródła.
105. Prostownik dwupołówkowy (dwupulsowy) zbudowany z dwóch diod prostowniczych wymaga
dodatkowo zastosowania:
a) dławika b) transformatora c) warystora d) kondensatora

Odpowiedź: b), Schemat oparty na dwóch diodach wymaga specjalnego zasilania z dzielonego równo
uzwojenia wtórnego. Rzadko stosowany, ze względu na to, że dzielone uzwojenie jest dużo droższe
niż diody.

106. Narysuj schemat prostownika diodowego dwupołówkowego (dwupulsowego) z dzielonym

uzwojeniem transformatora.

107. Napięcia wyjściowe dwóch sekcji transformatora stosowanego w prostowniku dwupołówkowym

(dwupulsowym) przesunięte są w fazie o:
a) 90° b) 180° c) 270° d) 360°

108. Narysuj przebieg napięcia na rezystorze R podłączonym do prostownika dwupołówkowego

(dwupulsowego) zasilanego z sinusoidalnego źródła napięcia.

Odpowiedź 107: b), Uzwojenie jest podzielone na równe dwie części i kiedy jedna z diod wchodzi w
stan blokowania, druga zaczyna przewodzić. Jeżeli wszystko działa sprawnie napięcia muszą być
przesunięte o 180 stopni.
109. Narysuj schemat prostownika diodowego dwupołówkowego (dwupulsowego) mostkowego.

110. Wartość średnia napięcia na wyjściu prostownika dwupołówkowego (dwupulsowego) zasilanego

z sieci o napięciu skutecznym URMS=230V jest równa w przybliżeniu:
a) 104V b) 207V c) 230V d) 325V

Odpowiedź: b), Według książki Matysikia Urms = Um/√2, a Uśr = 2Um/𝜋𝜋. Po przeliczeniu wychodzi
około 205,09554.
111
Moc wytraccana na rezyystorze Ro=100 Ω podłąączonym do prostownik ka dwupołów wkowego
(dwupulsowwego) zasilaanego z siecii o napięciu skutecznym
m URMS=230
0V jest równna w przybliżżeniu::
a) 215W b)) 230W c) 4330W d) 530W W
tabelka do zzadań 111-1113

bo U^2/R=
=529 a po uw
względnieniu
u sprawnoścci równa się 430.

112
Na rezystorrze R podłącczonym do wyjścia
w prosstownika jed
dnopulsoweggo wydzielaa się moc rówwna P. Po
zastąpieniuu tego prostoownika układ
dem dwupullsowym mocc na tym rezzystorze będdzie równa :
a) P b) 1,5P
P c) 2P d) 4PP
jw sprawnoość dwupółóówkowego jeest 2x wiekssza

113
W rezystorzze R podłączonym do wyjścia
w prosttownika jedn
nopulsoweg
go płynie prąąd o wartoścci średniej
równej I. Po zastąpieniiu tego prosttownika ukłaadem dwupu ulsowym praad w tym reezystorze będ
dzie równy
a) I b) 1,5I c) 2I d) 4I

Wartość śreednia napięccia dwupołów

wkowego jeest 2 razy wiiększa więc prąd będzie 2 razy więk
kszy

114
Prostownikk dwupulsow wy mostkow wy ma na wyjyjściu podłącczony rezysttor. Przebiegg prądu pobiieranego z
sieci będziee miał kształłt:
a) impulsow wy b) prostookątny c) sin
nusoidalny dd) trójkątny

115
Prąd na wyyjściu prostoownika dwup pulsowego m mostkowego o jest stały. Przebieg
P prąądu pobieran
nego z sieci
ma kształt:
a) impulsowwy b) prostookątny c) sin
nusoidalny dd) trójkątny
NIE WIEM M

do zadanekk następnychh
116
Wartość amplitudy pierwszej harmonicznej zawartej w prostokątnym przebiegu prądu na wejściu
prostownika dwupulsowego mostkowego (o amplitudzie Im) jest równa:
a) π/(2*Im) b) Im/π c) (2*Im)/π d) (4*Im)/ π

117
Amplituda prostokątnego prądu na wejściu prostownika dwupulsowego mostkowego jest równa
Im=10A. Wartość skuteczna pierwszej harmonicznej tego przebiegu jest równa w przyblizeniu:
a) 4,5A b) 9A c) 13A d) 20A
bo

118
Wartość skuteczna prostokątnego prądu na wejściu prostownika dwupulsowego równa jest Im a wartość
skuteczna pierwszej harmonicznej ok. 0,9*Im. W tym przypadku wartość skuteczna wyższych
harmonicznych prądu zawartych w tym przebiegu równa się w przybliżeniu:
a) 0,436*Im b) 0,2*Im c) 0,9*Im d) Im
bo I=SQRT(I0-I1^2)=SQRT(1-0.9^2)

119
Wartość skuteczna prostokątnego prądu na wejściu prostownika dwupulsowego równa jest Im a wartość
skuteczna pierwszej harmonicznej ok. 0,9*Im to wartość współczynnika THD dla tego prądu równa się
w przybliżeniu:
a) 48,4% b) 24,2% c) 90% d) 5%
z wzorku u góry
121. Podaj zależność definiującą współczynnik THD prądu używając wartości skutecznej
I oraz wartości skutecznej podstawowej harmonicznej I1:

�𝐼𝐼𝑠𝑠𝑠𝑠 −𝐼𝐼𝑠𝑠𝑠𝑠1
𝑇𝑇𝑇𝑇𝑇𝑇 = * 100%
𝐼𝐼𝑠𝑠𝑠𝑠1

122. Jeżeli wartość skuteczna wyższych harmonicznych prądu wynosi ¼ wartości

skutecznej podstawowej harmonicznej I1 to współczynnik THD jest równy

3
B. � ∗ 100%
4
123. Współczynnik mocy przekształtnika mówi o stosunku mocy:

D. czynnej do pozornej
124. Przekształtnik pobiera z siec prąd o wartości skutecznej I = 10A, a wartość
skuteczna pierwszej harmonicznej tego prądu (będącego w fazie z napięciem sieci)
wynosi I1 = 9A. Podaj wartość współczynnika mocy.
𝐼𝐼1 9
𝑃𝑃𝑃𝑃 = = ∗ 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐; 𝜑𝜑 = 0 → 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 = 1; 𝑃𝑃𝑃𝑃 = 0,9
𝐼𝐼 10

125. Prąd pobierany z sieci przez prostownik dwupulsowy mostkowy z filtrem

pojemnościowym ma kształt

A. impulsowy
126. Impuls prądu pobieranego z sieci przez prostownik dwupulsowy mostkowy z
filtrem pojemnościowym przypada na:

B. przejście napięcia sieci przez zero (z ujemnych na dodatnie) (?)

127. Układ o poprawionym współczynniku mocy zawiera w swojej strukturze układ

DC/DC:

C. obniżająco-podwyższający napięcie

128. Rozwiń skrót PFC.

PFC - Power Factor Correction; są układy pasywne i aktywne poprawy współczynnika

mocy; PFC polega na zwiększaniu współczynnika mocy do wartości możliwie bliskiej 1
w celu zmniejszenia strat mocy w liniach przesyłowych;

129 Prąd pobierany z sieci przez układ o poprawionym współczynniku mocy ma kształt:

B. prostokątny

130. Wartość zadana prądu w układzie sterowania PFC bazuje na pomiarze:

D. prądu dławika (?)

131. Gałąź falownika napięcia składa się z
a) tranzystora i diody
b) dwóch tranzystorów
c) dwóch diod
d) dwóch tranzystorów i dwóch diod

132. Łącznik w gałęzi falownika napięcia składa się z:

a) tranzystora i diody ???

b) dwóch tranzystorów
c) dwóch diod
d) dwóch tranzystorów i dwóch diod

133. Łącznik stosowany w falowniku napięcia:

a) przewodzi jednokierunkowy prąd i blokuje dwukierunkowe napięcie

b) przewodzi dwukierunkowy prąd i blokuje dwukierunkowe napięcie
c) przewodzi dwukierunkowy prąd i blokuje jednokierunkowe napięcie

134. Gdy gałąź falownika napięcia znajduje się w stanie S=1 napięcie na jej wyjściu jest:

a) dodatnie b) ujemne b) równe zero d) przemienne

135. Gdy gałąź falownika napięcia znajduje się w stanie S=0 napięcie na jej wyjściu jest:

a) dodatnie b) ujemne b) równe zero d) przemienne

136. Wprowadzenie czasu martwego do sterowania tranzystorami w gałęzi falownika ma zapobiec:

a) przepięciom
b) stratom mocy
c) zwarciom

137. Długość czasu martwego dobiera się w zależności od wartości:

a) okresu przełączeń
b) połowy okresu przełączeń
c) wsp. wypełnienia D
d) czasu przełączania tranzystorów
138. W gałęzi falownika prąd komutuje zawsze między:

a) parą diod
b) parą tranzystorów
c) parą dioda/tranzystor
d) dławikiem i tranzystorem

139. Gdy gałąź falownika jednogałęziowego znajduje się w stanie S=1 prąd ma znak dodatni (płynie w
kierunku od falownika do odbiornika) i płynie przez:

a) górną diodę ???

b) górny tranzystor
c) dolną diodę
d) dolny tranzystor

140. Gdy gałąź falownika jednogałęziowego znajduje się w stanie S=0 prąd ma znak ujemny (płynie w
kierunku od odbiornika do falownika) i płynie przez:

a) górną diodę
b) górny tranzystor
c) dolną diodę
d) dolny tranzystor
141. Narysuj schemat jednogałęziowego falownika napiecia.

Rys.7.1. Schematy podstawowych jednofazowych układów falownika napięcia:

a) jednogałęziowy półmostek z dzielonym napięciem źródła zasilania

142. Narysuj przebieg napięcia wyjściowego falownika jednogałęziowego,

który sterowany jest przebiegiem prostokątnym o wypełnieniu 50%.

Rys.7.2. Przebiegi napięcia i prądu w

układzie falownika z rys. 7.1.

143. Falownik jednogałęziowy jest sterowany przebiegiem prostokątnym o

wypełnieniu 50% a jego napięcie zasilające równe jest UDC=200V. Wartość
skuteczna napięcia wyjściowego równa się:
a) 127V b) 100V c) 90V d) 64V
korzystając ze wzoru: Uo=2Ud/ π

144. Patrząc na charakterystykę napięcia i prądu wyjściowego falownika

jednogałęziowego można zaklasyfikować go do układów:
a) jednokwadrantowych
b) dwukwadrantowych
c) trójkwadrantowych
d) czterokwadrantowych
Jeżeli napięcie wejściowe jest jednobiegunowe, to taki układ nazywamy
jednokwadrantowym. Zamiana biegunów spowoduje odwrócenie wykresu
charakterystyki napięcia i prądu, a także energia będzie przekazywana od
odbiornika do źródła.

145. Do uzyskania napięcia przemiennego, którego wartość skuteczna

pierwszej harmonicznej jest równa 230V falownik jednogałęziowy
sterowany przebiegiem prostokątnym o wypełnieniu 50% powinien mieć na
wejściu podane napięcie stałe równe:
a) 230V b) 255V c) 512V d) 560V
Napięcie wewnętrzne odbiornika ma częstotliwość napięcia zasilającego i jest
przesunięte względem niego o kąt fazowy Fi. Zatem wartość napięcia
odbiornika i źródła jest równa, a zmienia się jedynie znak przed tą wartością
informujący w którą stronę jest przekazywana energia.
146. Narysuj schemat falownika mostkowego.

Rys W5.1. Mostkowy falownik napięcia

147. Mostkowy falownik napięcia składa się z:

a) tranzystora i diody
b) dwóch tranzystorów i dwóch diod
c) czterech tranzystorów i dwóch diod
d) czterech tranzystorów i czterech diod
Patrząc na schemat w zadaniu 146, każdy element zawiera jedną diodę i jeden
tranzystor.

148. W falowniku mostkowym prąd zawsze płynie przez:

a) dwa łączniki
b) jeden łącznik
c) cztery łączniki
d) trzy łączniki
Konfiguracja stanów przewodzenia łączników falownika zmienia się co 2π/6. W
każdym cyklu pracy falownika można zatem wyróżnić sześć przedziałów czasu.
Na rysunku widać ile łączników jest podłączonych i aktywnych w każdym stanie.

149. Niezależnie od stanu pracy falownika mostkowego załączone są

zawsze:
a) dwa łączniki
b) jeden łącznik
c) cztery łączniki
d) trzy łączniki
Odpowiedź taka jak w 148.

150. Załączenie dwóch dolnych tranzystorów falownika mostkowego

(zasilanego ze źródła napięcia Udc) oznacza, że napięcie na odbiorniku
równe jest:
a) –Udc b) 0 c) Udc/2 d) Udc
Ponieważ wtedy falownik pracuje w zakresie hamowania prądnicowego, co
potwierdza przepływ energii od odbiornika do źródła zasilania.
151. Załączenie dwóch górnych tranzystorów falownika mostkowego (zasilanego ze źródła napięcia
Udc) oznacza, że napięcie na odbiorniku równe jest: 0

ODP: B

Zakreślony przypadek zapewne oznacza załączenie 2 górnych załączników choć głowy nie dam
sobie uciąć.

152. Liczba możliwych stanów pracy czterech łączników falownika mostkowego równa jest: 8

ODP:C

Matysik strona 359. Możliwych jest więc 5 kombinacji wysterowania tranzystorów implikujących 8
stanów obwodu.

158. Maksymalne napięcie skuteczne na wyjściu falownika mostkowego przy sterowaniu przebiegiem
prostokątnym o wypełnieniu 50% występuje przy przesunięciu fazowym między sygnałami dwóch
gałęzi β równym: 2pi.

ODP:D

Wzór odnośnie napięcia skutecznego wynosi: Uo=[sqrt(beta/pi)]*Udc wiec po podstawieniu 2pi za

beta ten ułamek ma największą wartość. (choć ta odpowiedź jest bardzo naciągana i nie jestem jej
do końca pewny)
160. Zmniejszenie kąta przesunięcia fazowego β między sygnałami sterującymi dwóch gałęzi
falownika mostkowego powoduje:

ODP: a) spadek wartości skutecznej napięcia na odbiorniku

Z wykresu b) wynika że jak będziemy zmniejszać betę to zmniejsza się Uo (napięcie skuteczne).
164. Narysuj jeden okres funkcji nośnej (carrier) objaśniający zasadę modulacji PWM
jednobiegunowej.

165. Narysuj jeden okres funkcji nośnej (carrier) objaśniający zasadę modulacji PWM
dwubiegunowej.

Nic innego poza tym nie znalazłem, więc jeśli nie o to chodzi, to ja nie wiem gdzie tego szukać.

162. Wsp. głębokości modulacji M sygnału sterującego falownikiem jednogałęziowym przy

zastosowaniu modulacji sinusoidalnej dwubiegunowej równy jest 0,8. Zakładając, że napięcie
wejściowe falownika równe jest UDC=500V wartość amplitudy pierwszej harmonicznej napięcia
wyjściowego falownika UOM(1) równa jest: 400

ODP: C

Znalazłem wzór na współczynnik m=B/A gdzie A=wartość szczytowa sygnału, B=informacja o

harmonicznej sygnału.

A=B*m=0,8*500=400

To jednak nie jest żadna potwierdzona informacja, po prostu podaje swój pomysł.
181. Narysuj schemat falownika trójfazowego

Rys.7.5. Falownik trójfazowy: a) -

Schemat

182. Narysuj schemat falownika trójfazowego z połączeniem punktu neutralnego odbiornika i punktu
środkowego wejściowego dzielnika pojemnościowego.

183. Sygnały sterujące poszczególnymi fazami falownika trójfazowego są zazwyczaj przesunięte o:

a) 90° b) 180° c) 270° d) 120°

Odpowiedz b)180
Sterując łaczniki falownika według najprostszej funkcji stanów, dla której kąty przewodzenia każdego z
łączników wynosza π czyli 180 stopni.
184. Amplituda napięcia fazowego falownika trójfazowego w odniesieniu do punktu środkowego
wejściowego dzielnika pojemnościowego M jest równa:
a) UDC b) 0,5*UDC c) (2/3)*UDC d) 2*UDC

Odpowiedz b)0.5*Udc
Jeżeli punkt neutralny odbiornika
zostanie połączony z punktem środkowym źródła zasilania („O”) to napięcia
fazowe będą miały kształt fali prostokątnej o wartościach napięcia Ud/2.

185. Amplituda napięcia fazowego falownika trójfazowego w odniesieniu do punktu neutralnego

odbiornika N, który nie jest nigdzie podłączony, jest równa:
a) UDC b) 0,5*UDC c) (2/3)*UDC d) 2*UDC
Odpowiedz c) (2/3)*Udc
Przy pominięciu przewodu neutralnego napięcia powstające na fazach odbiornika
przyjmują postać fali schodkowej o poziomach napięć Ud/3 i 2Ud/3.

186. Amplituda napięcia międzyfazowego falownika trójfazowego jest równa:

a) UDC b) 0,5*UDC c) (2/3)*UDC d) 2*UDC
Odpowiedz d)2*Udc wynika tak chyba z tego wykresu z zadania 189
187. Jeśli falownik trójfazowy znajdujący się w pracy blokowej jest zasilany z napięcia UDC=1kV to
wartość skuteczna napięcia fazowego na jego wyjściu równa się
a) 230V b) 325V c) 450V d) 650V

nie wiem co to praca blokowa ale wydaje mi się ze będzie to 230V

188. Każda z gałęzi falownika trójfazowego znajdującego się w pracy blokowej jest przełączana z
częstotliwością f. Częstotliwość podstawowej składowej jego napięcia wyjściowego jest równa:
a) f b) 2*f c) (2/3)*f d) 3*f

Odpowiedz a) f
Częstotliwość podstawowej harmonicznej napiecia wyjściowego jest zawsze rowna częstotliwości
sterującego go sygnalu modulującego niezaleznie od jego kształtu.

189. Liczba poziomów w napięciu międzyfazowym, które można zaobserwować na wyjściu falownika
trójfazowego znajdującego się w pracy blokowej równa jest:
a) 1 b) 2 c) 3 d) 5

Odpowiedz c)3
Napięcia są trzypoziomowe o poziomach
równych Udc, 0 i –Udc
190. Liczba aktywnych stanów pracy trójfazowego falownika napięcia równa jest:
a) 2 b) 3 c) 6 d) 8

Odpowiedź c)6

W jednym cyklu pracy falownika trójfazowego można wydzielić 6 stanów (podstawowych-aktywnych)

191. Liczba zerowych stanów pracy trójfazowego falownika napięcia równa jest:

a) 2 b) 3 c) 6 d) 8

192. Liczba stanów pracy trójfazowego falownika napięcia równa jest:

a) 2 b) 3 c) 6 d) 8

193. Maksymalna amplituda zadanego wektora napięcia UREF dla metody SV-PWM jest równa:

2 √3
a) U DC b) 0,5*U DC c) ( )*U DC d) ( )*U DC
√3 2

194. Reprezentacja wektorowa aktywnych stanów pracy falownika napięcia dzieli przestrzeń
wektorową na sektory, których liczba równa jest:

a) 3 b) 6 d) 12 d) 60

195. Zakres zmian kąta zadanego wektora napięcia UREF w jednym sektorze mieści się w zakresie od
0 do:

a) π/6 b) π/2 c) π/4 d) π/3

196. Maksymalna wartość współczynnika głębokości modulacji dla metody SV-PWM jest równa:

2 √3
a) 1 b) 0,5 c) ( ) d) ( )
√3 2
197. Narysuj przykładową sekwencję sygnałów sterujących trzema fazami falownika SA, SB i SC w
jednym okresie przełączeń TS i oznacz numery pojawiających się stanów pracy (w postaci binarnej).

198. Narysuj przykładową sekwencję sygnałów sterujących trzema fazami falownika SA, SB i SC w
jednym okresie przełączeń i oznacz numery pojawiających się wektorów.

rysunek poniżej odpowiada na oba pytania

199. Narysuj reprezentację wektorową 8 stanów pracy trójfazowego falownika napięcia.

komentarz: 2 pozostałe stany są zerowe (000, 111) i znajdują się w punkcie 0

200. Narysuj pojedynczy 60-stopniowy sektor, wektor zadany napięcia i zrzutuj go na dwa wektory
tworzące ten sektor.

komentarz: być może chodzi tylko o 2 wektory tworzące sektor (60 stopni), jednakże może być
prawdopodobne, że chodzi też o wektory tworzące wektor 110, czyli U i V

110
V wektory tworzące
010 sektor I

60
U
100