題目一

一顆 32 M Chip Size X*Y = 1.22mm*1.959 mm

可兜成一光罩(max 26*33mm) ?*? 之Field size
一片晶圓可產出大約多少Dies(300mm exclude edge 3mm):
若改一顆256 M Chip Size X*Y = 3.53mm*4.038 mm
可兜成一光罩(max 26*33mm) ?*? 之Field size
一片晶圓可產出大約多少Dies(300mm wafer ;exclude edge 3mm):

一片光罩Dies顆粒最多 數目（？＊？） 一片光罩晶圓 Dies顆粒 數目

32M product 21 * 16 = 336 28404

256M product 7 * 8 = 56 4762

題目二

當晶圓晶微影曝光顯影後 光學檢驗(meet target and specification):

需要檢查那些項目;以確保當層製程是符合規格的:

Ans : ADI檢測 + CD量測 + OVL量測

題目三
半導體光阻(Photo resist ) 成分一般含有哪四部份?

Ans : 光阻劑是一種光敏感材料，由樹脂、光敏感劑、溶劑和添加劑等組成。
題目四
我要在300mm晶圓上Spin coat 350nm 均勻厚度之光阻塗佈，光阻噴低量為1.5 c.c, 多 少％光阻為
有效塗佈？（餘為無效消耗）。 （假設光阻密度1 且均為溶質。)
續上題一瓶ArF光阻1Gallon (3.785 升）均價140,000 NT，每批晶圓 （25片)每一次塗 佈共大約材料
費用？

多少％光阻為有效塗佈 每批晶圓(25片)每次塗佈材料費用

1.65 % 1387
題目五
微影一瓶頸機台EUV，一N7產品需經製程 前後共需4道EUV製程曝光，機台UP ratio 90% (可使用比
例:扣除機台當機，調整製程參數，維修，保養)。POH 125 片(每小時 可產出晶圓數)，T公司有5台
EUV機台，則每月(24小時*30天)大約可產出多少片N7 產品晶圓 ?

Ans: 101250
24*30*5*0.9*125/4 = 101250