I.

ZASADA DZIAANIA LASERA Rozrniamy trzy rodzaje oddziaywania fotonw z atomami: absorpcj, emisj spontaniczn i emisj wymuszon:
ABSORPCJA En h En-1
STAN PODSTAWOWY

En

En-1
STAN WZBUDZONY

Ukad kwantowy w wyniku pochonicia porcji energii o wartoci E=h przechodzi ze stanu podstawowego En-1 do stanu wzbudzonego En (En-En-1=h)

EMISJA SPONTANICZNA En En h En-1

STAN WZBUDZONY

En-1
STAN PODSTAWOWY

Ukad kwantowy znajdujcy si w stanie wzbudzonym o energii E n przechodzi do stanu podstawowego En-1 z emisj kwantu promieniowania o energii E=h

EMISJA WYMUSZONA En h En-1

STAN WZBUDZONY

En

2h

En-1
STAN PODSTAWOWY

Ukad kwantowy znajdujcy si w stanie wzbudzonym o energii En po pochoniciu porcji energii h , przechodzi do stanu podstawowego En1 z emisj promieniowania o energii E=2h. Zamiast jednego kwantu wchodzcego do ukadu mamy na jego wyjciu dwa jednakowe kwanty energii, co oznacza wzmocnienie promieniowania.

Powstay podczas emisji wymuszonej foton ma czstotliwo, faz, polaryzacj i kierunek rozchodzenia si zgodny z odpowiednimi wielkociami dla fotonu wymuszajcego wiato koherentne. Stopie koherencji promieniowania wyznaczaj czas koherencji k i droga koherencji, Lk=ck, c prdko wiata. Jest to maksymalna rnica czasw (bd drg optycznych), przy ktrych wiato pochodzce z danego rda ma jeszcze zdolno do interferencji. Czas koherencji jest odwrotnie proporcjonalny do szerokoci linii widmowej. Niezdegenerowany system atomw w stanie rwnowagi termodynamicznej ma gsto obsadze poziomw energetycznych:
N1 E E1 ) = exp( 2 N2 kT

Natenie emisji wymuszonj 1 = Natenie emisji spon tan icznej exp(hf / kT ) 1

Aby osign wzmocnienie optyczne Nw>Ns, potrzebne N2>N1 inwersja obsadze.

Ei E3 E2 E1 N3 N2 N1 Ni
Rozkad obs adzenia poziomw energetycznych ukadu kwantowego w stanie niewzbudzonym. Najliczniej obsadzone s poziomy energetyczne o najniszej wartoci energii.

Ei E3
RELAKSACJA

Rozkad obs adzenia poziomw energetycznych ukadu kwantowego w stanie wzbudzonym.

EMISJA FOTONU

E2 E1 N1 N3 N2

Ni

Wynikiem pobudzenia jest inwersja obsadze; wicej atomw znajduje si w stanie wzbudzonym (N2, N3) ni w stanie podstawowym (N1 ).

Do uzyskania generacji wiata potrzebne jest dodatnie sprzenie zwrotne umieszczenie na kocach orodka aktywnego (wzmacniajcego) zwierciade odbijajcych (rezonator Fabry-Perot). Jedno ze zwierciade jest czciowo przepuszczajce wyjcie promieniowania na zewntrz. Moc wyjciowa stabilizuje si na poziomie rwnowagi: wzmocnienie optyczne rwnowaone jest przez straty (absorpcja i rozproszenie w orodku aktywnym i straty przy odbiciu od zwierciade).
J th = J o + qd c sp g
'

1 1 ( ) ln( ) R sp g L
'

qd

Jo prd niezbdny do uzyskania stanu przezroczystoci optycznej

Jo = qdN o sp

q adunek elektronu, d grubo obszaru optycznego, sp czas ycia nonikw zwizany z emisj spontaniczn, No gsto elektronw odpowiadajca stanowi przezroczystoci optycznej, N gsto wstrzyknitych elektronw, c cakowite straty optyczne w rezonatorze, L dugo rezonatora, R wspczynnik odbicia zwierciada, wspczynnik ograniczenia optycznego, g = dg/dn rniczkowe wzmocnienie optyczne, g(E,N)=g(E,N)(N-No) Moc wyjciowa lasera:
h Po = d ( )( J J th ) 2q

d zewntrzna sprawno kwantowa.

W pprzewodnikach inwersja obsadze osigana jest poprzez wstrzykiwanie elektronw do pasma przewodzenia pprzewodnika. Koncentracja nonikw zaley od prdu wstrzykiwania, a wic od wartoci napicia polaryzujcego. Przy wzrocie wstrzykiwanego prdu nastpuje inwersja obsadze i emisja wymuszona zaczyna dominowa nad spontaniczn graniczny prd IT. Przy dalszym wzrocie prdu dioda zaczyna emitowa wiato o jednej dugoci fali z typow szerokoci linii widmowej 3-5 nm. W zwizku z tym zcze p-n silnie domieszkuje si. Zmieniajc poziom domieszkowania zmieniamy dugo fali, na jakiej pracuje laser. Dodatnie sprzenie zwrotne istnieje tylko wtedy, gdy rozchodzce si w tym samym kierunku fale interferuj ze sob w fazie. Po dwukrotnym odbiciu od zwierciade fala doznaje przesunicia fazowego, ktre powinno by wielokrotnoci 2.
3

2L =

m n

Rne m rne dugoci fal generowane przez laser mody podune. Rnica dugoci fal pomidzy ssiednimi modami:
2 = 2nL

Dla typowych laserw pprzewodnikowych (L = dziesite mm) odstp midzy tymi modami 0.1 nm (kilkadziesit modw) laser wielomodowy. Powstaj te mody poprzeczne TEMkm.

60% sprawno energetyczna laserw pprzewodnikowych oraz moliwo uzyskania z nich emisji promieniowania w wskim pamie przydatno do pompowania laserw innych typw. Dua trwao, moliwo pracy przy niskich napiciach zasilania oraz mae rozmiary. Pprzewodniki suce do wytwarzania did laserowych s wieloskadnikowymi zwizkami midzymetalicznymi. Obszar czynny w diodzie laserowej jest obecnie z reguy studni kwantow otoczon warstwami pprzewodnika o szerszej przerwie energetycznej. W oglnoci mamy do czynienia z heterostruktur o profilu szerokoci pasma zabronionego wyznaczonym przez skad chemiczny poszczeglnych warstw II. TYPY LASERW PPRZEWODNIKOWYCH A. homostrukturalne jeden kryszta materiau pprzewodnika B. heterostrukturalne zcze dwch krysztaw o rnych przerwach energetycznych

Zcza jednego typu (n-n, p-p) pozwalaj ograniczy wystpowanie nonikw mniejszociowych, a wic i rekombinacj promienist do maego obszaru aktywnego. Zcza o rnych typach (p-n) pozwalaj znacznie poprawi efektywno wstrzykiwania nonikw. Podwjne struktury heterozczowe (p-p i p-n) pozwalaj znacznie zmniejszy prdy progowe. 1. Lasery o waciwociach wyznaczonych przez wzmocnienie optyczne (gain guided lasers).

Prd wstrzykiwany w wskim pasku (10m lasery o geometrii paskowej). Odpowiednie domieszkowanie zmienia cz obszaru z typu n na typ p. Prd pynie tylko w centrum obszaru, pozostaa cz jest zczem p-n spolaryzowanym zaporowo. Poniewa warstwa aktywna pochania wiato poza paskiem, wiato jest ograniczone do obszaru paska. Rozkad modw wzdu paszczyzny zcza okrelony jest przez wzmocnienie optyczne. Niekorzystne cechy: - zaleno mocy optycznej od prdu nieliniowa - niestabilnoci charakterystyk przestrzennych - due wartoci prdu progowego (100-150 mA) - wielomodowo 2. Lasery, w ktrych wiato prowadzone jest przez odpowiednie uksztatowanie wspczynnika zaamania (index-guided lasers). Obszar, w ktrym prowadzone jest wiato okrelono przez uformowanie falowodu wzdu zcza (skokowe zmiany wspczynnika zaamania lasery z warstw zagrzeban). Rozkad
5

przestrzenny emitowanego modu stabilny, generowany jeden mod poprzeczny TEMoo. Prdy progowe mniejsze (10-20 mA), zaleno mocy od prdu nie wykazuje nieliniowoci. 3. Lasery z wieloma studniami kwantowymi (MQW multi-quantum well).

Warstwa aktywna skada si z bardzo wielu cienkich warstw (ok. 10 nm dla GaAs, oglnie grubo warstwy = h/mv) rnicych si wartoci przerwy energetycznej: waciwe warstwy aktywne przeplataj si z warstwami barier potencjau. Poniewa grubo warstw bardzo maa efekty kwantowe. Lasery te maja wiksze wzmocnienie przy mniejszych koncentracjach nonikw (Ith<1 mA). Prd progowy jest mniej wraliwy na temperatur (do 130oC). Wysza czstotliwo drga relaksacyjnych wiksze szybkoci modulacji (kilkadziesit GHz). Kilkakrotnie mniejsza szeroko linii widmowej, mniejszy chirp. 4. Lasery z rozoonym sprzeniem zwrotnym konieczno jednomodowej pracy lasera a). z rozproszonym sprzeniem zwrotnym (DFB distributed feedback) Sprzenie zwrotne dostarczane przez uformowany nad lub pod warstw aktywn falowd o periodycznych zmianach wspczynnika zaamania. Sprzenie zwrotne zachodzi w sposb rozproszony na caej dugoci rezonatora poprzez odbicie na rnicach wspczynnika zaamania falowodu. Jeden z kocw struktury pokryty jest warstw AR, aby umoliwi wyprowadzenie promieniowania b). z rozproszonym odbiciem Bragga (DBR distributed Bragg reflector)
6

Zwierciada na kocach rezonatora zastpiono siatkami dyfrakcyjnymi wykorzystujcymi odbicie Bragga (periodyczne zmiany wspczynnika zaamania). Przy siatce pierwszego rzdu maksimum odbicia zachodzi dla dugoci fali Bragga:
B = 2 ne X p

ne efektywny wspczynnik zaamania, Xp okres jego zmian Lasery DBR emituj pojedynczy mod o dugoci fali okrelonej przez powyszy wzr. Szeroko linii widmowej >10 MHz.

5. Wielosekcyjne lasery DFB i DBR potrzeba laserw o bardzo wskiej linii widmowej i dugoci fali przestrajalnej w szerokim zakresie. Obszar aktywny scalony z przeduon wnk rezonansow utworzona z sekcji kontroli fazy (PC) i obszaru siatki dyfrakcyjnej (G) wykorzystujcej selektywny falowo, rozproszony reflektor Bragga. Sekcje lasera s od siebie niezalene elektrycznie niezalena kontrola pyncych prdw. IG wstrzykiwany do siatki powoduje zmiany koncentracji nonikw i wspczynnika zaamania, zmieniajc dugo fali (strojenie podstawowe). IP modyfikuje wspczynnik
7

zaamania i pozwala na przesunicie fazy promieniowania odbitego od siatki (strojenie precyzyjne). Szeroko linii widmowej 7-20 MHz, zakres przestrajania 3- 6 nm (przestrajanie cige). Przy niecigym 100 nm. 6. Laser ze studniami kwantowymi o napronej sieci Naprenia typu rozcigajcego lub ciskajcego powstaj na skutek niedopasowania sieciowego na interfejsach studni kwantowej I warstwy barierowej w czasie epitaksjalnego procesu krystalizacji heterostruktury. Likwiduj degeneracj pasma walencyjnego I obniaj efektywna gsto stanw walencyjnych. Zmiany te pocigaj za sob obnienie prdu progowego lasera (np. InGaAs/GaAs 980 nm) III. PARAMETRY LASEROWYCH I CHARAKTERYSTYKI DID

Parametry pracy lasera opisuj tzw. rwnania kinematyczne:

dP P = GP + Rsp dt p Rsp dN I N = GP; G = dt q c nsp P liczba fotonw, N liczba elektronw, I natenie pr du, G efektywna szybko emisji wymuszonej c czas ycia nonikw, p czas ycia fotonu ( straty we wnce rezonansowej ) Rsp szybko emisji spon tan icznej

Gsto fotonw rwna zeru dla prdw mniejszych od prdu progowego takiego, e Gp<1 (nie ma akcji laserowej).
I p= q N c p

Np liczba elektronw odpowiadajca warunkowi Gp=1. Dla I>Ip, liczba fotonw ronie liniowo z prdem:
P= p q (I I p )

Warto prdu progowego ronie z temperatur, gdy czas ycia nonikw maleje ze wzrostem temperatury.

Zmieniamy okresowo prd pyncy przez laser (modulacja). Jeli laser spolaryzowany jest powyej prdu progowego, a amplituda prdu modulujcego jest niewielka: Im<<I-Ip, to:
2 P (f ) R 2 + R H( f m ) = m m = ; R pulsacja , Pm (0) ( R + 2f m jR )( R 2f m jR ) R dekrement tlumienia

f 3dB =

3 R 1 = 2 2

3G N ( I I p ) ; G = GN N q

Pasmo modulacji laserw pprzewodnikowych siga kilkudziesiciu GHz.

Przy szybkim przeczaniu prdu dugo fali emitowanej przez laser ulega zmianie. Przy wczeniu lasera (wzrost prdu) przesuwa si w stron fal krtszych, przy wyczaniu w stron fal duszych o kilka dziesitych nm chirp (migotanie). Powoduje ono rozszerzenie linii widmowej lasera i zwikszenie dyspersji chromatycznej w wiatowodzie, co moe ogranicza przepywno przy wikszych szybkociach transmisji. Przyczyna chirpu chwilowe zmiany koncentracji nonikw (rezonans drga relaksacyjnych). Redukcja chirpu: spolaryzowanie lasera prdem >> od progowego (zmniejszenie czuoci odbioru); odpowiednia modulacja prdu lasera (prechirp); wprowadzenie do modulowanego prdem

lasera wiata (synchronizacja).

zewntrznego,

niemodulowanego

lasera

W odrnieniu od did elektroluminescencyjnych charakterystyka kierunkowa promieniowania lasera jest stosunkowo wska. Zaley od rozmiarw obszaru, z ktrego emitowana jest wizka; rozkad natenia mocy emitowanego promieniowania zmienia si z odlegoci od powierzchni emitujcej (strefa daleka). Rozbieno ktowa wizki:
x = ; y = , d wymiary powierzchni emituj cej wiato dx dy

Typowe wartoci rozbienoci ktowej: 9o i 45o. IV. PORWNANIE WACIWOCI DID ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH I DID LASEROWYCH. Tabela: pasmo modulacji, zaleno mocy od prdu, cakowita moc, moc wprowadzona do wiatowodu, charakterystyka kierunkowa, szeroko linii widmowej, rodzaj promieniowania.

10

11