UNIPOLARNI TRANZISTORI

ZADATAK.1. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na

slici.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
0,5 1 1,5 2
A
B
0,25



Rjeenje:

a)

Kako U
GS
postaje pozitivniji I
D
raste radi se o n-kanalnom MOSFET-u

Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi U
GS0
=0,5 V. Uz napon U
GS
=0 V kanal nije
formiran (I
D
=0) obogaeni tip (radi samo s jednim predznakom napona
upravljake elektrode)

b) U toki A vrijedi:

V U mA I
GSA DA
5 , 1 , 25 , 0 = =


Iz karakteristike se jo moe oitati napon praga

V U
GS
5 , 0
0
=


U zasienju vrijedi:

( )
2
0
2
GS GS D
U U
K
I =


Pa iz podataka za toku A moemo izraunati konstantu MOSFET-a:

( ) ( )
2
2 2
0
5 , 0
5 , 0 5 , 1
25 , 0 2 2
V mA
U U
I
K
GS GSA
DA
=

=


Za toku B vrijedi da je

V U
GSB
2 =


Konstantu MOSFET-a i U
GS0
znamo iz toke A pa moemo izraunati struju:

( ) ( ) mA U U
K
I
GS GSB DB
5625 , 0 5 , 0 2
2
5 , 0
2
2 2
0
= = =



Napomena:

prijenosne karakteristike crtaju se za konstantni napon U
DS


( )
. konst U UL IZ
IZ
U f I
=
=
odnosno ( )
. konst U GS D
DS
U f I
=
=


Prema tome, faktor nam nije interesantan kod prorauna struja iz prijenosnih
karakteristika jer je faktor
( )
DS
U + 1
konstantan za sve toke na karakteristici.



ZADATAK.2. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na
slici.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
- 0,5 - 1 0,5
B
0,2


Rjeenje:

a)

Kako U
GS
postaje pozitivniji I
D
raste radi se o n-kanalnom MOSFET-u

Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi U
GS0
= - 1 V. Uz napon U
GS
=0 V kanal je
formiran (I
D
=0,2 mA) osiromaeni tip (radi s dva predznaka napona upravljake
elektrode)

b) Prva radna toka je

V U mA I
GS D
0 , 2 , 0 = =


Iz karakteristike se jo moe oitati napon praga

V U
GS
1
0
=


U zasienju vrijedi:

( )
2
0
2
GS GS D
U U
K
I =


Pa iz podataka za toku A moemo izraunati konstantu MOSFET-a:

( ) ( )
2
2 2
0
4 , 0
1 0
2 , 0 2 2
V mA
U U
I
K
GS GS
D
=

=


Za toku B vrijedi da je

V U
GSB
5 , 0 =


Konstantu MOSFET-a i U
GS0
znamo iz toke A pa moemo izraunati struju:

( ) ( ) ( ) mA U U
K
I
GS GSB DB
45 , 0 1 5 , 0
2
4 , 0
2
2 2
0
= = =




ZADATAK.3. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na
slici.

c) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
d) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
- 1 - 2 1
B
-0,2
0



Rjeenje:

a)

Kako U
GS
postaje negativniji iznos struje I
D
raste radi se o p-kanalnom MOSFET-u

Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi U
GS0
=1 V. Uz napon U
GS
=0 V kanal je formiran
(I
D
= - 0,2 mA) osiromaeni tip (radi s dva predznaka napona upravljake
elektrode)

b) Prva radna toka je

V U mA I
GS D
0 , 2 , 0 = =


Iz karakteristike se jo moe oitati napon praga

V U
GS
1
0
=


U zasienju vrijedi:

( )
2
0
2
GS GS D
U U
K
I =


Pa iz podataka za toku A moemo izraunati konstantu MOSFET-a:

( )
( )
( )
2
2 2
0
4 , 0
1 0
2 , 0 2 2
V mA
U U
I
K
GS GS
D
=

=


Za toku B vrijedi da je

V U
GSB
2 =


Konstantu MOSFET-a i U
GS0
znamo iz toke A pa moemo izraunati struju:

( ) ( ) mA U U
K
I
GS GSB DB
8 , 1 1 2
2
4 , 0
2
2 2
0
=

= =



ZADATAK.4. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na
slici.

e) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
f) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
- 1 - 2
B
0
A
- 4
- 0,1


Rjeenje:

a)

Kako U
GS
postaje negativniji iznos struje I
D
raste radi se o p-kanalnom MOSFET-u

Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi U
GS0
= - 1 V. Uz napon U
GS
=0 V kanal nije
formiran (I
D
=0 mA) obogaeni tip (radi s jednim predznakom napona
upravljake elektrode)

b) U toki A vrijedi:

V U mA I
GS DA
2 , 1 , 0 = =


Iz karakteristike se jo moe oitati napon praga

V U
GS
1
0
=


U zasienju vrijedi:

( )
2
0
2
GS GS D
U U
K
I =


Pa iz podataka za toku A moemo izraunati konstantu MOSFET-a:

( )
( )
( ) ( )
2
2 2
0
2 , 0
1 2
1 , 0 2 2
V mA
U U
I
K
GS GS
D
=


=

=


Za toku B vrijedi da je

V U
GSB
4 =


Konstantu MOSFET-a i U
GS0
znamo iz toke A pa moemo izraunati struju:

( ) ( ) ( ) mA U U
K
I
GS GSB DB
9 , 0 1 4
2
2 , 0
2
2 2
0
=

= =




ZADATAK.5. Za n-kanalni MOSFET uz U
DS
=3 V i U
GS
-U
GS0
=1 V struja odvoda iznosi
I
D
=0,5 mA. Kolika struja odvoda tee ako uz isti U
GS
napon U
DS
padne na 0,5 V. Pretpostaviti
=0.

Rjeenje:

U prvoj zadanoj toki vrijedi:

mA I
D
5 , 0 =

V U U V U
GS GS DS
1 3
0
= > = MOSFET je u podruju zasienja

Uz =0 u zasienju za struju odvoda vrijedi:

( )
2
0
2
GS GS D
U U
K
I =


Iz ega moemo izraunati konstantu MOSFET-a

( )
( )
2
2 2
0
1
1
5 , 0 2 2
V mA
U U
I
K
GS GS
D
=

=


U drugoj zadanoj toki vrijedi:

V U U V U
GS GS DS
1 5 , 0
0
= < = MOSFET je u triodnom podruju

Za struju odvoda u zadanoj toki raunamo:

( ) mA
U
U U U K I
DS
DS GS GS D
375 , 0
2
5 , 0
5 , 0 1 1
2
2 2
0
=
(

=
(

=


ZADATAK.6. Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Pretpostaviti
=0.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni)
b) odrediti struju u toki C

U
GS
=2 V
U
GS
=1,5 V
U
GS
=1 V
U
DS
, [V]
B
A
0,5
I
D
, [mA]
C
0,25
1


Rjeenje:

a) Kako U
GS
postaje pozitivniji I
D
raste radi se o n-kanalnom MOSFET-u


b) Za toku A imamo:

mA I
DA
25 , 0 = , V U
GSA
1 =

Za toku B imamo:

mA I
DB
1 = , V U
GSB
5 , 1 =

Obje toke se nalaze u podruju zasienja te za struje odvoda piemo:

( )
2
0
2
GS GSA DA
U U
K
I =
(1)

( )
2
0
2
GS GSB DB
U U
K
I =
(2)

Imamo dvije jednadbe s dvije nepoznanice K i U
GS0

Ako npr. podijelimo (1) i (2) te izvadimo korijen dobijemo:

( ) ( )
0 0 GS GSA
DB
DA
GS GSB
U U
I
I
U U =

Nakon kraeg rauna moemo dobiti
V
I
I
I
I
U U
U
DB
DA
DB
DA
GSB GSA
GS
5 , 0
5 , 0
25 , 0
25 , 0 1
25 , 0 5 , 1 1
1
0
= =

=
|
|

\
|

=

Napon praga je U
GS0
=0,5 V odnosno uz U
GS
=0 V kanal nije formiran te u ovom trenutku
moemo zakljuiti da se radi o MOSFET-u obogaenog tipa.

Npr. iz (1) moemo izraunati konstantu MOSFET-a:

( )
( )
( )
2
2 2
0
2
5 , 0 1
25 , 0 2 2
V mA
U U
I
K
GS GSA
DA
=

=

Toka C je u triodnom podruju to se vidi iz izlazne karakteristike:

V U U V U
GS GS DS
5 , 1 5 , 0 2 5 , 0
0
= = < = triodno podruje

Struja u toki C je:

( ) ( ) mA
U
U U U K I
DS
DS GS GS DC
25 , 1
2
5 , 0
5 , 0 5 , 0 2 2
2
2 2
0
=
(

=
(

=



ZADATAK.7. Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Pretpostaviti
=0.


a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni)
b) Odrediti struju u toki C

U
GS
= - 4 V
U
GS
= - 3 V
U
GS
= - 2 V
U
DS
, [V]
B
A
- 1
I
D
, [mA]
C
- 0,25
- 1


Rjeenje:

a) Kako U
GS
postaje negativniji I
D
raste radi se o p-kanalnom MOSFET-u


b) Za toku A imamo:

mA I
DA
25 , 0 = , V U
GSA
2 =

Za toku B imamo:

mA I
DB
1 = , V U
GSB
3 =

Obje toke se nalaze u podruju zasienja te za struje odvoda piemo:

( )
2
0
2
GS GSA DA
U U
K
I =
(1)

( )
2
0
2
GS GSB DB
U U
K
I =
(2)

Imamo dvije jednadbe s dvije nepoznanice K i U
GS0

Ako npr. podijelimo (1) i (2) te izvadimo korijen dobijemo:

( ) ( )
0 0 GS GSA
DB
DA
GS GSB
U U
I
I
U U =

Nakon kraeg rauna moemo dobiti
( )
V
I
I
I
I
U U
U
DB
DA
DB
DA
GSB GSA
GS
1
5 , 0
5 , 0
25 , 0 1
25 , 0 3 2
1
0
=

=
|
|

\
|

=

Napon praga je U
GS0
= - 1 V odnosno uz U
GS
=0 V kanal nije formiran te u ovom trenutku
moemo zakljuiti da se radi o MOSFET-u obogaenog tipa.

Npr. iz (1) moemo izraunati konstantu MOSFET-a:

( )
( )
( ) ( )
2
2 2
0
5 , 0
1 2
25 , 0 2 2
V mA
U U
I
K
GS GSA
DA
=


=

=

Toka C je u triodnom podruju to se vidi iz izlazne karakteristike:

0 GS GS DS
U U U < triodno podruje

( ) V V 3 1 4 5 , 0 = <

Struja u toki C je:

( ) ( ) ( ) ( )
( )
mA
U
U U U K I
DS
DS GS GS DC
25 , 1
2
1
1 1 4 5 , 0
2
2 2
0
=
(

=
(

=



ZADATAK.8. Projektirati n-kanalni MOSFET tako da strmina tranzistora u zasienju uz
U
GS
=1,5 V iznosi g
m
=1 mA/V, a da pri tome kapacitet upravljake elektrode bude C
G
<10 fF.
Napon praga iznosi U
GS0
=0,5 V, debljina oksida je t
ox
=25 nm, a pokretljivost elektrona u
kanalu
n
=380 cm
2
/Vs.

Rjeenje:

Potrebno je odrediti duljinu i irinu kanala. Strmina tranzistora u zasienju jednaka je:

( )
0 GS GS m
U U K g =

Da bi postigli zadanu strminu uz zadani ulazni napon (U
GS
) treba nam MOSFET koji ima
konstantu:

( )
2
0
1
5 , 0 5 , 1
1
V mA
U U
g
K
GS GS
m
=

=

Konstanta MOSFET-a moe se izraunati iz tehnolokih parametara i ovisi o dimenzijama
kanala preko kojih se moe podesiti:

L
W
t
K
ox
ox
n
=



Drugi zahtjev je da kapacitet upravljake elektrode bude C
G
<10 fF. Za kapacitet vrijedi:

2 2
L
K
L
L
W
t
L W
t
C
n ox
ox
ox
ox
G
= = =

Iz toga slijeda da za zadani kapacitet duljina kanala mora biti:

m
K
C
L
G n

616 , 0
10
10 10 380
3
15
=

=

Iz jedne od gornje dvije jednadbe moemo izraunati irinu kanala:

m
L
t C
W
ox
ox G

75 , 11
10 616 , 0 10 854 , 8 9 , 3
10 025 , 0 10 10
4 14
4 15
=


=

=






ZADATAK.9. Prijenosna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Faktor
modulacije duljine kanala iznosi =10
-2
V
-1
.

c) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
d) Izraunati struju i dinamike parametre u toki B.

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
0,5 1 1,5 2
A
B
0,1
U
DS
=5 V


Rjeenje:

a) Kako U
GS
postaje pozitivniji I
D
raste radi se o n-kanalnom MOSFET-u

Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi U
GS0
=0,5 V. Uz napon U
GS
=0 V kanal nije
formiran (I
D
=0) obogaeni tip (radi samo s jednim predznakom napona
upravljake elektrode)

b) U toki A vrijedi:

V U V U mA I
DSA GSA DA
5 , 5 , 1 , 1 , 0 = = =
0 GS GS DS
U U U > ZASIENJE

Iz karakteristike se jo moe oitati napon praga

V U
GS
5 , 0
0
=


U zasienju vrijedi:

( ) ( )
DS GS GS D
U U U
K
I + = 1
2
2
0


Pa iz podataka za toku A moemo izraunati:

( )
( ) ( )
2
2 2
0
2 , 0
5 , 0 5 , 1
1 , 0 2 2
1 V mA
U U
I
U K
GS GSA
DA
DS
=

= +

Za toku B vrijedi da je

V U V U
DSB GSB
5 , 2 = =
0 GS GS DS
U U U > ZASIENJE

( )
DS
U K + 1 i U
GS0
znamo iz prethodnog dijela zadatka pa moemo izraunati struju:

( )
( ) ( ) mA U U
U K
I
GS GSB
DS
DB
225 , 0 5 , 0 2
2
2 , 0
2
1
2 2
0
= =
+
=



Dinamiki parametri:

( ) ( ) ( ) V mA U U U K
u
i
g
GS GSB DSB
U
GS
D
mB
DSB
3 , 0 5 , 0 2 2 , 0 1
0
= = + =

=


( ) ( )
( )
( )
S
U
I
U
U
U U
K
U U
K
u
i
g
DSB
DB
DSB
DSB
GS GSB GS GSB
U
DS
D
dB
GSB

14 , 2
01 , 0
1
5
225 , 0
1
1
1
2 2
2
0
2
0
=
+
=
+
=
+
+

=

= = k
g
r
dB
dB
467
1


140 467 3 , 0 = = =
dB mB B
r g



ZADATAK.10. Prijenosna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Faktor
modulacije duljine kanala iznosi = - 10
-2
V
-1
.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Izraunati struju i dinamike parametre u toki B.

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
- 1 - 2 1
B
-0,2
0 - 3
U
DS
= - 3 V

Rjeenje:

a) Kako U
GS
postaje negativniji I
D
raste radi se o p-kanalnom MOSFET-u

Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi U
GS0
=1 V. Uz napon U
GS
=0 V kanal je formiran
(I
D
0) osiromaeni tip (radi s dva predznaka napona upravljake elektrode)

b) U toki A vrijedi:

V U V U mA I
DSA GSA DA
3 , 0 , 2 , 0 = = =
0 GS GS DS
U U U > ZASIENJE

Iz karakteristike se jo moe oitati napon praga

V U
GS
1
0
=

U zasienju vrijedi:

( ) ( )
DS GS GS D
U U U
K
I + = 1
2
2
0


Pa iz podataka za toku A moemo izraunati:

( ) ( )
( )
( ) ( ) ( ) ( )
2
2 2
0
388 , 0
1 0 3 01 , 0 1
2 , 0 2
1
2
V mA
U U U
I
K
GS GSA DS
DA
=
+

=
+

Za toku B vrijedi da je

V U V U
DSB GSB
3 , 3 = =
0 GS GS DS
U U U < TRIODNO PODRUJE

K i U
GS0
znamo iz toke A pa moemo izraunati struju:

( ) ( ) ( )
( )
mA
U
U U U K I
DS
DS GS GSB DB
91 , 2
2
3
3 1 3 388 , 0
2
2 2
0
=
(

=
(

=


Dinamiki parametri u toki B su:

( ) V mA U K
u
i
g
DSB
U
GS
D
mB
DSB
164 , 1 3 388 , 0 = = =

=


( ) ( ) ( ) mS U U U K
u
i
g
DSB GS GSB
U
DS
D
dB
GSB
388 , 0 3 1 3 388 , 0
0
= = =

=


= = k
g
r
dB
dB
58 , 2
1


3 58 , 2 164 , 1 = = =
dB mB B
r g



ZADATAK.11. Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Napon praga
tranzistora iznosi U
GS0
=0,5 V. Struje u tokama A i B iznose I
DA
=1 mA i I
DB
=1,01 mA.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni)
b) odrediti struju i dinamike parametre u toki C.

U
GS
=2 V
U
GS
=1,5 V
U
GS
=1 V
U
DS
, [V]
B A
0,5
I
D
, [mA]
C
2 3


Rjeenje:

a) Kako U
GS
postaje pozitivniji I
D
raste radi se o n-kanalnom MOSFET-u

Napon praga iznosi U
GS0
=0,5 V. Uz napon U
GS
=0 V kanal nije formiran (I
D
=0)
obogaeni tip (radi samo s jednim predznakom napona upravljake elektrode)


b) Toke A i B su u zasienju jer vrijedi
0 GS GS DS
U U U >
Iz te dvije toke moemo izraunati faktor modulacije duljine kanala.

( ) ( )
( ) ( )
2
0
2
0
1
2
1
2
GS GSA DSA
GS GSB DSB
DA
DB
U U U
K
U U U
K
I
I
+
+
=

Vrijedi da je U
GSA
=U
GSB
pa se moe napisati:

( )
( )
DSA
DSB
DA
DB
U
U
I
I
+
+
=

1
1


Kraim raunanjem dobivamo:

1 3
10 2 , 10
2 01 , 1 3 1
1 01 , 1

=

= V
U I U I
I I
DSA DB DSB DA
DA DB


Npr. iz toke A moemo izraunati konstantu MOSFET-a

{ } V U V U mA I
DSA GSA DA
2 , 5 , 1 , 1 = = =

( ) ( ) ( ) ( )
2
2 3 2
0
96 , 1
5 , 0 5 , 1 2 10 2 , 10 1
1 2
1
2
V mA
U U U
I
K
GS GSA DS
DA
=
+

=
+

Struja u toki C je:

{ } V U V U
DSC GSC
5 , 0 , 2 = =


( ) ( ) ( )
( )
mA
U
U U U K I
DSC
DSC GS GSC DC
225 , 1
2
5 , 0
5 , 0 5 , 0 2 96 , 1
2
2 2
0
=
(

=
(

=


Dinamiki parametri u toki C:

( ) V mA U K
u
i
g
DSC
U
GS
D
mC
DSC
98 , 0 5 , 0 96 , 1 = = =

=


( ) ( ) mS U U U K
u
i
g
DSC GS GSC
U
DS
D
dC
GSC
96 , 1 5 , 0 5 , 0 2 96 , 1
0
= = =

=


= = 510
1
dC
dC
g
r

5 , 0
5 , 0 5 , 0 2
5 , 0
51 , 0 98 , 0
0
=

= =

= =
DSC GS GSC
DSC
dC mC C
U U U
U
r g


ZADATAK.12. Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Napon praga
tranzistora iznosi U
GS0
= - 0,5 V, a faktor modulacije duljine kanala = - 0,005 V
-1
. Strmina
tranzistora u toki A iznosi g
mA
=0,5 mA/V.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni)
b) Odrediti struju i dinamike parametre u toki B.

U
GS
= - 2 V
U
GS
= - 1,5 V
U
GS
= - 1 V
U
DS
, [V]
B
A
- 0,5
I
D
, [mA]
- 2


Rjeenje:

a) Kako U
GS
postaje negativniji iznos struje I
D
raste radi se o p-kanalnom MOSFET-u

Napon praga iznosi U
GS0
= - 0,5 V. Uz napon U
GS
=0 V kanal nije formiran (I
D
=0 mA)
obogaeni tip (radi s jednim predznakom napona upravljake elektrode)

b) U toki A vrijedi:

V U V U V mA g
GSA DSA mA
2 , 5 , 0 , 5 , 0 = = =

0 GS GS DS
U U U < TRIODNO PODRUJE

Za strminu u triodnom podruju vrijedi:

DSA
U
GS
D
mA
U K
u
i
g
DSA
=

=


iz ega moemo izraunati konstantu MOSFET-a

2
5 , 0
5 , 0
5 , 0
V mA
U
g
K
DSA
mA
=

= =

Za toku B imamo:

{ } V U V U
DSB GSB
2 , 5 , 1 = =

0 GS GS DS
U U U > ZASIENJE

Konstantu MOSFET-a smo izraunali u toki A pa moemo izraunati struju u toki B:

( ) ( ) ( ) [ ] ( ) [ ] mA U U U
K
I
DSB GS GSB DB
2525 , 0 2 005 , 0 1 5 , 0 5 , 1
2
5 , 0
1
2
2 2
0
=

= + =


Dinamiki parametri u toki B su:

( ) ( ) ( ) [ ] ( ) [ ] V mA U U U K
u
i
g
GS GSB DSB
U
GS
D
mB
DSB
505 , 0 5 , 0 5 , 1 2 005 , 0 1 5 , 0 1
0
= = + =

=

( ) ( )
( )
( )
S
U
I
U
U
U U
K
U U
K
u
i
g
DSB
DB
DSB
DSB
GS GSB GS GSB
U
DS
D
dB
GSB

25 , 1
005 , 0
1
2
2525 , 0
1
1
1
2 2
2
0
2
0
=

=
+
=
+
+

=

= = k
g
r
dB
dB
800
1


404 800 505 , 0 = = =
dB mB B
r g

ZADATAK.13. U sklopu na slici odrediti irinu kanala PMOS tranzistora tako da oba
tranzistora budu u zasienju. Zadane su dimenzije NMOS tranzistora, L
n
=1 m i W
n
=3 m te
duljina kanala PMOS tranzistora L
p
=1 m. Naponi praga tranzistora iznose U
GS0n
=0,75 V i
U
GS0p
= - 0,75 V, a pokretljivosti nosilaca u kanalu
n
=400 cm2/Vs i
p
=150 cm2/Vs. Debljina
oksida ispod upravljake elektrode jednaka je kod oba tipa tranzistora. Pretpostaviti da je =0
za oba tranzistora.

2,5 V
1,25 V
+
+


Rjeenje:

Kontakti podloge spojeni su na uvode te sa sheme moemo oitati:

U
GSn
=1,25 V i U
GSp
=1,25-2,5= - 1,25 V

Poto su struje tranzistora jednake, ako su oba tranzistora u zasienju vrijedit e:

( ) ( )
2
0
2
0
2 2
p GS GSp
p
n GS GSn
n
U U
K
U U
K
=

Vrijedi da je:

( ) ( )
2 2 2
0
25 , 0 75 , 0 25 , 1 V U U
n GS GSn
= =

( ) ( ) ( )
2 2 2
0
25 , 0 75 , 0 25 , 1 V U U
p GS GSp
= =

Prema tome, da bi oba tranzistora bila u zasienju mora vrijediti:

p n
K K =

p ox
ox
p
n ox
ox
n
L
W
d L
W
d
|

\
|
=
|

\
|

Nakon kratkog raunanja dobivamo:

8 1
1
3
150
400
=
|

\
|
=
|

\
|
=
p
n p
n
p
L
L
W
W

Na slici su prikazana tri mogua sluaja:


I
Dn
, [mA]
I
Dp
, [mA]
0 2,5
( - 2,5 ) ( 0 )
U
DSn
, [ V ]
( U
DSp
, [ V ] )
Q
NMOS i PMOS u zasienju
I
Dn
, [mA]
I
Dp
, [mA]
0 2,5
( - 2,5 ) ( 0 )
U
DSn
, [ V ]
( U
DSp
, [ V ] )
Q NMOS u zasienju
PMOS u triodnom
I
Dn
, [mA]
I
Dp
, [mA]
0 2,5
( - 2,5 ) ( 0 )
U
DSn
, [ V ]
( U
DSp
, [ V ] )
Q
NMOS u triodnom
PMOS u zasienju



ZADATAK.14. Odrediti struju koju pokazuje ampermetar. Naponi praga tranzistora su
U
GS0n
=1 V i U
GS0p
= - 1 V, a konstante MOSFET-a K
n
= - K
p
=0,5 mA/V
2
.Zadano je U
DD
=3 V i
U
GG
=1,5 V. Ampermetar je idealan.

A
U
DD
U
GG
+
+


Rjeenje:

Po simbolu i kontaktu podloge zakljuujemo da je lijevi tranzistor PMOS (kontakt podloge je
spojen na U
DD
), a desni tranzistor je NMOS (kontakt podloge spojen na masu).


A
U
DD
U
GG
+
+
-I
Dp
I
Dn
S
D S
D
G
PMOS
NMOS


Struja ampermetra jedanaka je zbroju naznaenih struja:

Dp Dn A
I I I =

Za PMOS tranzistor sa slike moemo zakljuiti:

V U U U U U
DD GG S G GS
5 , 1 3 5 , 1 = = = =

V U U
DD DS
3 = =

0 GS GS DS
U U U >

( ) 1 5 , 1 3 > PMOS je u zasienju

( ) ( ) [ ] A U U
K
I
GS GS
p
Dp
5 , 62 1 5 , 1
2
5 , 0
2
2 2
0
=

= =


Za NMOS tranzistor sa slike moemo zakljuiti:

V U U U U
GG S G GS
5 , 1 0 5 , 1 0 = = = =

V U U
DD DS
3 = =

0 GS GS DS
U U U >

1 5 , 1 3 > NMOS je u zasienju

( ) [ ] A U U
K
I
GS GS
n
Dn
5 , 62 1 5 , 1
2
5 , 0
2
2 2
0
= = =

Struja ampermetra je:

( ) mA I I I
Dp Dn A
125 , 0 5 , 62 5 , 62 = = =


ZADATAK.15. Koliku struju mjeri ampermetar? Naponi praga tranzistora su U
GS0n
=0,5 V i
U
GS0p
= - 0,5 V. Pokretljivost nosilaca u kanalu iznose
n
=400 cm2/Vs i
p
=150 cm2/Vs, a
debljina oksida ispod upravljake elektrode jednaka je za PMOS i NMOS tranzistor i iznosi
d
ox
=15 nm. Dimenzije kanala su L
n
=L
p
=1 m i W
p
=2W
n
=6 m. Pretpostaviti =0. Odrediti
podruja rada za oba tranzistora te izlazne napone U
DSn
i U
DSp
.

2,5 V
1,25 V
+
+
A


Rjeenje:

U zadatku 13 dane su izlazne karakteristike, gdje su opisana tri mogua sluaja. Tamo se vidi
da struju u izlaznom krugu ograniava tranzistor koji je u zasienju.

Za PMOS tranzistor imamo:

V U
GSp
25 , 1 5 , 2 25 , 1 = = , V U
p GS
5 , 0
0
=

2
4
14
207 , 0
1
6
10 015 , 0
10 854 , 8 9 , 3
150 V mA
L
W
t
K
p ox
ox
p p
=
|

\
|

=
|

\
|
=

Struja u zasienju:

( ) ( ) [ ] A U U
K
I
p GS GSp
p
Dp
22 , 58 5 , 0 25 , 1
2
207 , 0
2
2 2
0
=

= =

Za NMOS tranzistor imamo:

V U
GSn
25 , 1 0 25 , 1 = = , V U
n GS
5 , 0
0
=

2
4
14
276 , 0
1
3
10 015 , 0
10 854 , 8 9 , 3
400 V mA
L
W
t
K
n ox
ox
n n
=
|

\
|

=
|

\
|
=

Struja u zasienju:

( ) [ ] A U U
K
I
n GS GSn
n
Dn
63 , 77 5 , 0 25 , 1
2
276 , 0
2
2 2
0
= = =

U izlaznom krugu struju e ograniavati tranzistor koji ue u zasienje:

{ } A I I I I
Dp Dn Dp A
22 , 58 , min = = =

Prema tome PMOS tranzistor je u zasienju, a NMOS u triodnom podruju.

NMOS je u triodnom podruju i vrijedi:

A I
Dn
22 , 58 = , V U
GSn
25 , 1 0 25 , 1 = = , V U
n GS
5 , 0
0
=
2
276 , 0 V mA K
n
=

( )
(

=
2
2
0
DSn
DSn n GS GSn n Dn
U
U U U K I

Treba rijeiti kvadratnu jednadbu po U
DSn


( )
(

=
2
5 , 0 25 , 1 276 , 0 05822 , 0
2
DSn
DSn
U
U

0 4219 , 0 5 , 1
2
= +
DSn
U U
DSn


V U
DSn
125 , 1
1
= fizikalno nije prihvatljivo jer je
n GS GSn DSn
U U U
0 1
>
to ne vrijedi u triodnom podruju

V U
DSn
375 , 0
1
= fizikalno prihvatljivo jer je
n GS GSn DSn
U U U
0 2
<


Iz izlaznog kruga za PMOS tranzistor moemo izraunati

DSn DSp
U U = 5 , 2 V U
DSp
125 , 2 =

Zadaci za vjebu

VJ.1. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
1 2 3 4
A
B
0,25


Rjeenje: a) NMOS obogaeni; b) I
DB
=0,5625 mA


VJ.2. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
1 2 3 4
A
B
1


Rjeenje: a) NMOS obogaeni; b) I
DB
=0,4444 mA


VJ.3. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
- 0,5 - 1 0,5
B
0,15


Rjeenje: a) NMOS osiromaeni; b) I
DB
=0,3375 mA


VJ.4. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
- 0,5 - 1 0
B
0,5


Rjeenje: a) NMOS osiromaeni; b) I
DB
=0,125 mA



VJ.5. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
- 0,5 - 1 0,5
B
-0,1
0


Rjeenje: a) PMOS osiromaeni; b) I
DB
= - 0,9 mA



VJ.6. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
- 1 - 2 1
B
-1
0


Rjeenje: a) PMOS osiromaeni; b) I
DB
= - 0,1111 mA




VJ.7. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
- 0,5 - 1
B
0
A
- 2
- 0,15


Rjeenje: a) PMOS obogaeni; b) I
DB
= - 1,35 mA



VJ.8. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Kolika je struja u toki B

I
D
, [mA]
U
GS
, [V]
- 0,75 - 1,5
B
0
A
- 3
- 1


Rjeenje: a) PMOS obogaeni; b) I
DB
= - 0,1111 mA