ELE1 Zadaci Za Vjezbu Cijeli Semestar 2010 11 PDF

OSNOVNA SVOJSTVA POJAČALA
ZADATAK.1. Na slici je prikazano naponsko pojačalo koje je opterećeno trošilom RT=5kΩ.

Na ulaz je spojen naponski izvor unutarnji otpora Rg=500Ω. Naponsko pojačanje iznosi
AV=180, a pojačanje u odnosu na izvor signala AVg=150. Naponsko pojačanje AV je 20%
manje od naponskog pojačanja neopterećenog pojačala. Izračunati parametre naponskog
pojačala, naponsko pojačanje neopterećenog pojačala Av, ulazi otpor Rul i izlazni otpor Riz.
Rg iul Riz iiz
+ +
ug uul Rul Avuul uiz RT
- -
Rješenje:
Naponsko pojačanje je:
uiz RT
AV = = Av = 0,8 Av
uul Riz + RT
Iz gornjeg izraza možemo dobiti izlazni otpor:
A   1 
Riz = RT  v − 1 = 5000 ⋅  − 1 = 1,25k Ω
 AV   0,8 
Isto tako iz istog izraza dobivamo naponsko pojačanje neopterećenog pojačala:
AV
Av = = 225
0,8
Naponsko pojačanje pojačala u odnosu na izvor signala može se dobiti iz izraza:
uiz uiz uul Rul

AVg = = = AV
u g uul u g Rg + Rul
Iz toga dobivamo ulazni otpor:
AVg
Rul = R g = 2,5kΩ
AV − AVg
1
ZADATAK.2. Na slici je prikazano strujno pojačalo opterećeno trošilom RT=5kΩ. Na ulaz je
spojen strujni izvor unutarnjeg otpora Rg=500Ω. Izračunati strujno pojačanje AI, strujno
pojačanje u odnosu na izvor signala AIg i naponsko pojačanje AV ako su parametri strujnog
pojačala strujno pojačanje neopterećenog pojačala Ai=200, ulazi otpor Rul=1kΩ i izlazni otpor
Riz=100kΩ.
iul iiz
+ +
ig Rg uul Rul Aiiul Riz uiz RT
- -
Rješenje:
Ako se izlaz strujnog pojačala optereti trošilom strujno pojačanje se može izračunati prema
sljedećem izrazu:
iiz Riz
AI = = Ai = 191
iul Riz + RT
Strujno pojačanje pojačala u odnosu na izvor signala je:
iiz iiz iul Riz Rg

AIg = = = Ai = 63,5
i g iul i g Riz + RT Rg + Rul
u iz i R R
AV = = iz T = AI T = 952
u ul u ul Rul Rul
ZADATAK.3. Na slici je prikazano strujno pojačalo opterećeno trošilom RT=3,3kΩ. Na ulaz

je spojen strujni izvor unutarnjeg otpora Rg=500Ω. Izračunati strujno pojačanje AI, strujno
pojačanje u odnosu na izvor signala AIg i naponsko pojačanje AV ako su parametri strujnog
pojačala strujno pojačanje neopterećenog pojačala Ai=100 izlazni otpor Riz=110kΩ. Izmjereni
su ulazni i izlazni naponi: uul=10sin(ωt)mV i uiz=1sim(ωt)V.
iul iiz
+ +
- -
Rješenje:
2
Ako se izlaz strujnog pojačala optereti potrošačem strujno pojačanje se može izračunati prema
sljedećem izrazu:
iiz Riz
AI = = Ai = 97,1
iul Riz + RT
u iz 1sin(ωt ) i R R
AV = = = 100 = iz T = AI T
u ul 10 ⋅10 sin(ωt )
−3
iul Rul Rul
Iz gornjeg izraza možemo izračunati ulazni otpor prema izlazu:
AI
Rul = RT = 3,2kΩ
AV
Strujno pojačanje pojačala u odnosu na izvor signala je:
iiz iiz iul Rg

AIg = = = AI = 13,1
i g iul i g R g + Rul
ZADATAK.4. Izračunati strminsko pojačanje GM, naponsko pojačanje AV i strujno pojačanje

AI strminskog pojačala koje je opterećeno otporom RT=5kΩ. Parametri pojačala su strminsko
pojačanje neopterećenog pojačala Gm=2mA/V, ulazni otpor Rul=1MΩ i izlazni otpor
Riz=100kΩ. Na ulaz je spojen naponski izvor unutarjeg otpora Rg=500Ω.
Rg iul iiz
+ +
ug uul Rul Gmuul Riz uiz RT
- -
Rješenje:
Ako se izlaz strminskog pojačala optereti trošilom strminsko pojačanje se može izračunati
prema sljedećem izrazu:
iiz Riz
GM = = Gm = 1,91mA / V
u ul Riz + RT
3
u iz iiz RT
AV = = = GM RT = 9,5
u ul u ul
Strujno pojačanje je:
iiz iiz
AI = = = GM Rul = 1905
iul u ul / Rul
ZADATAK.5. Izračunati izlazni napon uiz strminskog pojačala koje je opterećeno otporom
RT=5kΩ. Parametri pojačala su strminsko pojačanje neopterećenog pojačala Gm=2mA/V,
ulazni otpor Rul=1MΩ i izlazni otpor Riz=100kΩ. Na ulaz je spojen naponski izvor napona
ug=2sin(ωt)V unutarnjeg otpora Rg=500Ω.
Rg iul iiz
+ +
ug uul Rul Gmuul Riz uiz RT
- -
Rješenje:
Ako želimo dobiti izlazni napon trebamo izračunati naponsko pojačanje pojačala u odnosu na
izvor signala:
uiz iiz RT uul Rul

AVg = = = GM RT
ug uul u g Rul + Rg
Iz gornjeg izraza je vidljivo da trebamo izračunati strminsko pojačanje koje je jednako:
iiz Riz
GM = = Gm = 1,91mA / V
u ul Riz + RT
Naponsko pojačanje pojačala u odnosu na izvor signala iznosi:
uiz iiz RT uul Rul

AVg = = = GM RT = 9,52
ug uul u g Rul + Rg
Izlazni napon možemo izračunati pomoću izraza:
u iz = u g AVg = 2 sin (ωt ) ⋅ 9,52 = 19,04 ⋅ sin (ωt )V
4
ZADATAK. 6. Izračunati otporno pojačanje RM, naponsko pojačanje AV i strujno pojačanje AI
otpornog pojačala prikazanog slikom. Parametri otpornog pojačala su otporno pojačanje
neopterećenog pojačala Rm=10kV/A, ulazni otpor Rul=560Ω i izlazni otpor Riz=1kΩ. Zadano
je RT=5,6kΩ i Rg=500Ω.
iul Riz iiz

+ +
ig Rg uul Rul Rmiul uiz RT
- -
Rješenje:
Otporno pojačanje je
uiz RT
RM = = Rm = 8,5kV / A
iul Riz + RT
Naponsko pojačanje:
u iz u R
AV = = iz = M = 15,2
u ul iul Rul Rul
Strujno pojačanje:
iiz u iz / RT RM
AI = = = = 1,52
iul iul RT
Zadaci za vježbu
VJ.1. U izlazu neopterećenog strujnog pojačala izmjeren je napon uiz0=1,2sin(ωt)V. Za koliko

će se promijeniti izlazni napon ako pojačalo opteretimo trošilom RT=1kΩ. Zadano je
Rul=150kΩ i Riz=50kΩ.
iul iiz
+ +
- -
Rješenje: Izlazni napon će se smanjiti 98% i iznosi uiz=23,5sin(ωt)mV.
5
VJ.2. Za otporno pojačalo poznati su iznosi napona uul=20sin(ωt)mV i uiz=1sin(ωt)V, te struja
izvora ig=1sin(ωt)mA. Ako priključimo trošilo napon na izlazu se smanji za 9,09%. Odrediti
parametre tog otpornog pojačala, ako je RT=500Ω i Rg=100Ω.
iul Riz iiz

+ +
ig Rg uul Rul Rmiul uiz RT
- -
Rješenje: Rm=1375V/A, Rul=25Ω i Riz=50Ω.
VJ.3. Želimo da pojačalo ima naponsko pojačanje AV=110 i naponsko pojačanje u odnosu na
izvor AVg=100. Odrediti ulazni i izlazni otpor naponskog pojačala ako je Av=200. Zadano je
Rg=100Ω i RT=1,1kΩ.
Rg iul Riz iiz

+ +
ug uul Rul Avuul uiz RT
- -
Rješenje: Rul=1kΩ, Riz=900Ω.
6
VREMENSKI ODZIVI RC MREŽA
ZADATAK.1. Na ulaz RC mreže u trenutku t=0 dovodi se pravokutni impuls visoke razine
U0=5 V i trajanja T=2 ms. U trenutku t=0 napon na kondenzatoru iznosi UC0=2 V. Izračunati i
skicirati napone na kondenzatoru i otporniku. Zadno je R=1 kΩ i C=1 µF.
Rješenje:
U svakom trenutku vrijedi da je zbroj napona na otporniku i kondenzatoru jednak ulaznom

naponu. U trenutku t=0- malo prije dolaska impulsa vrijedi:
( )
uul 0 − = 0 V
( )
uC 0− = U C0 = 2 V
uR (0 ) = U
−
R0 = −U C 0 = −2 V
U trenutku t=0+ na ulaz RC mreže dovodi se pravokutni impuls amplitude 5 V. Mreža se

može prikazati slikom:
+ uR -
+ +
5V C uC0
Prema tome u trenutku t=0+ naponi iznose:
( )
uul 0 + = 5 V
u C (0 + ) = U C 0 = 2 V
( )
u R 0+ = U 0 − U C0 = 5 − 2 = 3 V
Pošto na krajevima otpornika postoji razlika potencijala, kroz otpornik teče struja koja nabija
kondenzator dok god postoji razlika izmeñu ulaznog napona i napona na kondenzatoru. Za
napon na kondenzatoru općenito vrijedi:
  − t 
uC (t ) = U C 0 + (U 0 − U C 0 ) ⋅ 1 − exp   , 0≤t≤T (Z1-1)
  τ 
Prvi član s desne strane gornjeg izraza je početna vrijednost napona na kondenzatoru, a drugi
član jednak je razlici napona koja nabija kondenzator u početnom trenutku što množi rastuća
eksponencijalna funkcija.
7
Pri tome je napon na otporniku jednak:
−t 
u R (t ) = uul (t ) − uC (t ) = (U 0 − U C 0 ) ⋅ exp  , 0<t<T (Z1-2)
τ 
Napon na otporniku jednak je razlici napona koja nabija kondenzator u početnom trenutku
koju množi padajuća eksponencijalna funkcija. Prema tome struja koja teče kroz otpornik i
u R (t )
nabija kondenzator eksponencijalno pada ( i(t ) = R
), te napon na kondenzatoru sve sporije
raste. Ako impuls dovoljno dugo traje kondenzator će se nabiti na vrijednost ulaznog napona.
Kada se kondenzator nabije na vrijednost ulaznog napona na krajevima otpornika nema
razlike potencijala i struja nabijanja kondenzatora pada na nulu. Vrijedi da je uC=uul i uR=0.
Teoretski napon na kondenzatoru nikada ne dosegne iznos ulaznog napona, ali praktično se
može reći da je za nabijanje kondenzatora potrebno vrijeme jednako iznosu 5 vremenskih
konstanti (5·τ). Vremenska konstanta zadane RC mreže je
τ = C ⋅ R = 1 ⋅ 103 ⋅ 1 ⋅ 10 −6 = 1 ms
Trajanje impulsa je 2 ms što je manje od 5·τ pa možemo zaključiti da se kondenzator neće

nabiti na vrijednost ulaznog napona. Napon na kondenzatoru u trenutku T- računamo po
(Z1-1)
 − 2 
( ) 
uC T − = 2 + (5 − 2) ⋅ 1 − exp   = 4,59 V
  1 
Napon na otporniku računamo po (Z1-2):
u R (T − ) = 5 − 4,59 = 0,41 V
U trenutku t=T+ ulazni napon pada sa 5 na 0 V i vrijedi sljedeća shema
Prema tome u trenutku t=T+ naponi iznose:
( ) ( )
uC T + = uC T − = 4,59 V
uR (T ) = −u (T ) = −4,59 V
+
C
+
Kondenzator se preko otpornika prazni od trenutka t=T i vrijedi:
 − (t − T ) 
uC (t ) = uC (T ) ⋅ exp , t ≥T
 τ 
Sa slike se vidi da je
8
u R (t ) = −uC (t ), t>T
U trenutku promjene ulaznog napona mijenja se potencijal lijevog izvoda otpornika. Kako se
napon na kondenzatoru ne može trenutno promijeniti, potencijal desnog izvoda otpornika se
ne mijenja. Prema tome skokovi odnosno promjene ulaznog napona vide se kao promjene
napona na otporniku:
( ) ( )
u R 0 + − u R 0− = 3 − (− 2 ) = U 0 = 5 V
uR (T ) − u (T ) = −4,59 − 0,41 = −U
+
R
−
0 = −5 V
U, [V] U, [V]
6
6
uul uul
5
uR 5 uC
4
3
4
2
1
U0 3
0
-1
2
-2 U0
-3 1
-4
-5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 0 1 2 3 4 5 6 7
t, [ms] t, [ms]
Napon na kondenzatoru i otporniku teže prema nuli. Može se reći da se kondenzator praktički
isprazni za vrijeme koje odgovara iznosu 5 vremenskih konstanti. U našem primjeru to je
trenutak t=7 ms. Napon na kondenzatoru u tom trenutku iznosi uC=0,031 V. Naponi na
kondenzatoru i otporniku prikazani su na slikama.
ZADATAK.2. Odrediti izlazni napon CR mreže na koju dolazi pravokutni impuls visoke
razine U0=5V i trajanja T=100 µs. Unutarnji otpor generatora impulsa iznosi Rg=50 Ω.
Zadano je R=100 Ω i C=1 µF. Pretpostaviti da je u trenutku dolaska impulsa kondenzator
prazan, odnosno UC0=0 V.
Rješenje:
ug, V
Rg C
5
+
+ uiz
ug R
-
0 100 t, s
Gornju mrežu možemo prikazati na sljedeći način:
9
C
+ Rg
ug Ruk
+
R uiz
-
Izlazni napon možemo računati kao napon na otporniku u prethodnom primjeru, ali moramo
uzeti u obzir da postoji pad napona na unutarnjem otporu generatora. Vremenska konstanta
zadane CR mreže iznosi:
τ = C ⋅ (R + Rg ) = 10 −6 ⋅ 150 = 150 µs
Općenito izlazni napon za vrijeme trajanja impulsa iznosi:
−t 
uiz (t ) = ⋅ (U 0 − U C 0 ) ⋅ exp  ,
R
0<t<T (Z2-1)
R + Rg  τ 
U zadatku je zadano UC0=0 V, U0=5 V. U trenutku dolaska impulsa (t=0), napon na izlazu
skače sa
( )
u iz 0 − = 0 V na ( )
u iz 0 + =
R
R + Rg
⋅U 0 =
100
100 + 50
⋅ 5 = 3,33 V
U trenutku t=T prije pada impulsa na nulu izlazni napon iznosi:
−T   − 100 
( )
u iz T − =
R
R + Rg
⋅ (U 0 − U C 0 ) ⋅ exp
τ
=
100
+
⋅ (5 − 0) ⋅ exp  = 1,71 V
  100 50  150 
Pošto se napon na kondenzatoru ne može trenutno promijeniti, u trenutku pada napona

generatora sa 5 na 0 V dolazi do istog skoka napona na seriji otpora koju sačinjavaju R i Rg.
Prema tome izlazni napon u trenutku nakon skoka jednak je
( ) ( )
uiz T + = uiz T − −
R
R + Rg
⋅ U 0 = 1.71 −
100
100 + 50
⋅ 5 = −1,623 V
Nakon prestanka impulsa mreža se može prikazati na sljedeći način
U trenutku t=T+ vrijedi
10
( )
u iz T + = −u C T + ⋅ ( ) R
R + Rg
Kondenzator se prazni i napon na njemu eksponencijalno pada. Za izlazni napon vrijedi:
 − (t − T )  ,
( )
u iz (t ) = u iz T + ⋅ exp  t>T (Z2-2)
 τ 
Naponi zadane mreže prikazani su na slici.
6
uul
5
uC
U0 4 uiz
3 uiz+uRg
R
⋅U0 2
R + Rg
-1
-2
-3
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
ZADATAK.3. Za RC mrežu analizirati odziv na simetričan pravokutni napon periode 2 ms,

prikazan na slici. Vremenska konstanta mreže iznosi τ=1 ms. Skicirati napone na
kondenzatoru i otporniku. Analizirati prijelaznu pojavu.
Uul, [V]
UULV
5
T1 T2
UULN
1 2 3 4 5 t, [ms]
Rješenje:
Uvodimo sljedeće oznake:
Visoka razina ulaznog napona - UULV

Trajanje visoke razine ulaznog napona – T1
Niska razina ulaznog napona – UULN
Trajanje niske razine ulaznog napona – T2
Početni napon na kondenzatoru – UC0
11
Za napon na kondenzatoru za vrijeme trajanja visoke razine vrijedi sljedeća shema:
+ uR -
+ +
UULV C uC0
Napon na kondenzatoru nabija se od vrijednosti UC0 prema vrijednosti visoke razine ulaznog
napona. Općenito vrijedi:
  − t 
u C (t ) = U C 0 + (U ULV − U C 0 ) ⋅ 1 − exp   0≤t≤T1 (Z3-1)
  τ 
Za napon na otporniku vrijedi:
 −t 
u R (t ) = U ULV − u C (t ) = (U ULV − U C 0 ) ⋅ exp  0<t<T1 (Z3-2)
τ 
Uz pretpostavku da je u početku kondenzator bio prazan (UC0=0) za zadane vrijednosti u

trenutku prestanka prvog pozitivnog impulsa vrijedi:
  − T    −1
u C (T1 ) = U C 0 + (U ULV − U C 0 ) ⋅ 1 − exp 1   = 0 + (5 − 0) ⋅ 1 − exp   = 3,16 V
  τ    1 
 −T   − 1
( )
u R T1− = (U ULV − U C 0 ) ⋅ exp 1  = (5 − 0) ⋅ exp  = 1,84 V prije skoka ulaznog napona
 τ   1 
odnosno
( ) ( )
u R T1+ = u R T1− − (U ULV − U ULN ) = 1.84 − (5 − 0 ) = −3,16 V nakon skoka ulaznog napona
Nakon skoka ulaznog napona na nisku razinu vrijedi sljedeća shema:
+ uR -
+ +
UULN C uC0'
Sa UCO' je označena vrijednost napona na kondenzatoru u trenutku promjene ulaznog napona

s visoke na nisku razinu. Napon na kondenzatoru za trajanja niske razine računa se prema
relaciji:
  − t'  
u C (t ') = U ' C 0 +(U ULN − U ' C 0 ) ⋅ 1 − exp   0≤t'≤T2 (Z3-3)
  τ 
gdje je t'=0 u trenutku promjene ulaznog napona s visoke na nisku razinu. Napon na otporniku
za trajanja niske razine računa se prema relaciji:
12
 − t' 
u R (t ') = U ULN − u C (t ') = (U ULN − U ' C 0 ) ⋅ exp  0<t'<T2 (Z3-4)
 τ 
Za zadane vrijednosti u trenutku prestanka niske razine impulsa vrijedi:
  −T    − 1
u C (T2 ) = U 'C 0 +(U ULN − U ' C 0 ) ⋅ 1 − exp 2   = 3,16 + (0 − 3,16) ⋅ 1 − exp   = 1,16 V
  τ    1 
( )
u R T2− = U ULN − u C (T2 ) = 0 − 1,16 = −1,16 V prije skoka ulaznog napona
( )
u R T2+ = uR (T2 − ) + (UULV − UULN ) = −1,16 + (5 − 0 ) = 3,84 V nakon skoka ulaznog napona
Vidimo da je napon na kondenzatoru na kraju prve periode različit od 0 V koliko je bilo prije
dovoñenja pravokutnog napona. To je posljedica činjenice da razlike napona koje nabijaju i
izbijaju kondenzator, a prema tome i struje nabijanja i izbijanja kondenzatora nisu jednake
U ULV − U C 0 > U ULN − U ' C 0
Ovo možemo tvrditi za simetričan pravokutni napon (T1=T2). U općem slučaju možemo reći
da je za trajanja visoke razine više naboja doñe na kondenzator i nego što ode za trajanja niske
razine.
Dalje se naponi mogu računati prema relacijama (Z3-1) do (Z3-4) s time da se za početnu
vrijednost napona na kondenzatoru uzima napon koji se na njemu nalazi u trenutku promjene
ulaznog napona. Rezultati su dani u tablici.
t, ms 1 2 3 4 5 6 7 8
uC, V 3,16 1,16 3,59 1,32 3,65 1,34 3,654 1,344
uR-, V 1,84 -1,16 1,41 -1,32 1,35 -1,34 1,346 -1,344
uR+, V -3,16 3,84 -3,59 3,68 -3,65 3,66 -3,654 3,656
Dalje se iznosi napona ponavljaju što znači da je nastupilo stacionarno stanje i prijelazna
pojava je završila. Ulazni napon, te naponi na otporniku i kondenzatoru prikazani su na slici.
U, [V]
10
uul
8 uC
uR
6
-2
-4
0 2 4 6 8 10
t, [ms]
13
U stacionarnom stanju napon na kondenzatoru varira oko srednje vrijednosti ulaznog napona.
Srednja vrijednost napona na kondenzatoru jednaka je srednjoj vrijednosti ulaznog napona,
dok srednja vrijednost napona na otporniku iznosi 0 V.
Trajanje prijelazne pojave ovisi o iznosu vremenske konstante mreže te početnom naponu na
kondenzatoru. Na sljedećim slikama prikazan je napon na kondenzatoru za različite iznose
vremenske konstante mreže i različite iznose početnog napona na kondenzatoru.
U, [V] U, [V]
8 6
τ=0.2 ms 5
7 τ=1 ms
τ=5 ms 4
6 uul 3
5 2
1
4
0
3 -1
UC0=0 V
-2
2 UC0= -5 V
-3
1 Stacionarno stanje
-4 uul
0 -5
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
t, [ms] t, [ms]
Za veći iznos vremenske konstante prijelazna pojava dulje traje i potrebno je više vremena da
se mreža „utitra“ u stacionarno stanje. Isto tako se vidi da je potrebno više vremena za
postizanje stacionarnog stanja u slučaju veće razlike početnog napona na kondenzatoru i
srednje vrijednosti ulaznog napona.
ZADATAK.4. Za mrežu iz prethodnog zadatka izračunati odziv u stacionarnom stanju bez

računanja prijelazne pojave.
Rješenje:
Izračunat ćemo odziv na kondenzatoru. Prvo treba kvalitativno skicirati odziv u stacionarnom
stanju:
U, [V]
7
5 UULV
T1 T2
4
U2
3
U1
1 U3
UULN
0
t, [ms]
14
Za napone označene na slici možemo napisati:
  − T   −T 
U 2 = U 1 + (U ULV − U 1 ) ⋅ 1 − exp 1   = U ULV − (U ULV − U 1 ) ⋅ exp 1  (Z4-1)
  τ   τ 
  −T   − T2 
U 3 = U 2 + (U ULN − U 2 ) ⋅ 1 − exp 2   = U ULN − (U ULN − U 2 ) ⋅ exp τ  (Z4-2)
  τ   
U 3 = U1 (Z4-3)
Iz čega slijedi:
 −T   − (T1 + T2 )   −1 −2

U ULN − (U ULN − U ULV ) ⋅ exp 2  − U ULV ⋅ exp  5 ⋅ exp  − 5 ⋅ exp 
 τ   τ =  
1  1  = 1,345 V
U1 =
  − (T1 + T2 )     − 2 
1 − exp   1 − exp  
  τ    1 
 −1
U 2 = 5 − (5 − 1,345) ⋅ exp  = 3,655 V
 1 
Za simetričan pravokutni signal (T1=T2) vrijedi da je UULV-U2=U1-UULN te je prethodni račun

jednostavniji. Postupak preko jednadžbi Z4-1 do Z4-3 vrijedi općenito.
Kada smo izračunali napon na kondenzatoru, napon na otporniku se može dobiti kao razlika
ulaznog napona i napona na kondenzatoru
u R (t ) = u ul (t ) − u C (t )
Na sličan način kao za napon na kondenzatoru, može se izračunati napon na otporniku. Prvo
treba skicirati kvalitativno valni oblik napona na otporniku u stacionarnom stanju:
U, [V]
6
UULV
T1 T2
4 U5
U1
2
U2
UULN
0
-2 U4
-4 U3
-6
t, [ms]
Znamo da je srednja vrijednost napona na otporniku nula te da skokovite promjene ulaznog

napona rezultiraju istim skokovitim promjenama napona na otporniku. Ako označimo da je
U0=UULV-UULN, za napone označene na slici možemo napisati:
15
 −T 
U 2 = U 1 ⋅ exp 1  (Z4-4)
 τ 
U3 = U2 −U0 (Z4-5)
 −T 
U 4 = U 3 ⋅ exp 2  (Z4-6)
 τ 
U 5 = U 4 + U 0 = U1 (Z4-7)
Iz gornjih jednadžbi slijedi da je
  − T    −1
U 0 ⋅ 1 − exp 2   5 ⋅ 1 − exp  
  τ   1 
U1 = =  = 3,655 V
  − (T1 + T2 )     − 2 
1 − exp   1 − exp  
  τ    1 
 −T   −1
U 2 = U 1 ⋅ exp 1  = 3,655 ⋅ exp  = 1,345 V
 τ   1 
U 3 = U 2 − U 0 = 1,345 − 5 = −3,655 V
 −T   −1
U 4 = U 3 ⋅ exp 2  = −3,655 ⋅ exp  = −1,345 V
 τ   1 
Za simetričan pravokutni signal (T1=T2) vrijedi da je U3= - U1 i U4= - U2 te je prethodni račun

jednostavniji. Postupak preko jednadžbi Z4-1 do Z4-3 vrijedi općenito.
Kada smo izračunali napon na otporniku, napon na kondenzatoru se može dobiti kao razlika
ulaznog napona i napona na otporniku
u C (t ) = u ul (t ) − u R (t )
Zadaci za vježbu
U, [V]
VJ.1. Na ulaz CR mreže u trenutku t=0 dovodi se 6
pravokutni impuls amplitude U0= - 5 V i trajanja 4

4.053 V
T=2 ms. U trenutku t=0 napon na kondenzatoru

2
iznosi UC0=2 V. Izračunati i skicirati izlazni npon.
Zadno je C=1 µF i R=1 kΩ. 0
-0.947 V
-2
(Rješenje je dano slikom. U t=0 napon skače s -2 na -4

-7 V)
-6
-7 V
-8
0 1 2 3 4 5 6 7
t, [ms]
16
VJ.2. Na ulaz RC mreže u trenutku t=0 dovodi se 2
pravokutni impuls amplitude U0= - 5 V i trajanja
1
0
-1
Zadno je C=1 µF i R=1 kΩ.
-2
(Rješenje je dano slikom) -3
-4
-5
-6
0 1 2 3 4 5 6 7
U, [V]
6
uul
4.224 V
VJ.3. Na ulaz CR mreže u trenutku t=1 ms dovodi 4
uR
se pravokutni impuls amplitude U0= - 5 V i trajanja

2
iznosi UC0=2 V. Izračunati i skicirati izlazni npon. 0
-0.736 V
-0.776 V
Zadno je C=1 µF i R=1 kΩ. U intervalu vremena od
-2
t=0 do dolaska impulsa ulazni napon je jednak 0.
-4
(Rješenje je dano slikom) -5.736 V

-6
0 1 2 3 4 5 6 7 8
t, [ms]
U, [V]
3
uul
2
VJ.4. Na ulaz RC mreže u trenutku t=1 ms dovodi 1
0.736 V
uC
se pravokutni impuls amplitude U0= - 5 V i trajanja

0
-1
-2
Zadno je C=1 µF i R=1 kΩ. U intervalu vremena od
-3
t=0 do dolaska impulsa ulazni napon je jednak 0.
-4
-4.224 V
-5
(Rješenje je dano slikom)
-6
0 1 2 3 4 5 6 7 8
t, [ms]
U, [V]
8
7.015 V
VJ.5. Na ulaz CR mreže u trenutku t=2 ms dovodi uul
uR
se pravokutni impuls amplitude U0=5 V i trajanja 6
T=2 ms. U trenutku t=0 napon na kondenzatoru 4

iznosi UC0= - 5 V. Izračunati i skicirati izlazni npon. 2.826 V
Zadno je C=1 µF i R=2,2 kΩ. U intervalu vremena 2

2.015 V
od t=0 do dolaska impulsa ulazni napon je jednak 0. 0

-2.174 V
-4
0 5 10 15
t, [ms]
17
U, [V]
6
uul
VJ.6. Na ulaz RC mreže u trenutku t=2 ms dovodi
4 uC
se pravokutni impuls amplitude U0=5 V i trajanja
T=2 ms. U trenutku t=0 napon na kondenzatoru 2
-2.174 V
iznosi UC0= - 5 V. Izračunati i skicirati izlazni npon.

Zadno je C=1 µF i R=2,2 kΩ. U intervalu vremena 0
od t=0 do dolaska impulsa ulazni napon je jednak 0. -2

-2.015 V
-6
0 5 10 15
t, [ms]
U, [V]
6
uul
VJ.7. Na ulaz CR mreže u trenutku t=0,2 ms 5
uR
dovodi se pravokutni impuls amplitude U0=5 V i 4
trajanja T=0,2 ms. Unutarnji otpor generatora 3
3.070 V
impulsa iznosi Rg=100 Ω. U trenutku t=0 napon na 2

1.643 V
kondenzatoru iznosi UC0=1 V. Izračunati i skicirati 1
izlazni npon. Zadno je C=1 µF i R=220 Ω. U 0
intervalu vremena od t=0 do dolaska impulsa, -1
- 0.368 V
napon generatora je jednak 0. -2

- 0.688 V
- 1.795 V
-3
0 0.5 1 1.5
(Rješenje je dano slikom) t, [ms]
U, [V]
VJ.8. Na ulaz RC mreže u trenutku t=0,2 ms 6
dovodi se pravokutni impuls amplitude U0=5 V i uul
uC
trajanja T=0,2 ms. Unutarnji otpor generatora 5
impulsa iznosi Rg=100 Ω. U trenutku t=0 napon na 4

kondenzatoru iznosi UC0=1 V. Izračunati i skicirati
izlazni npon. Zadno je C=1 µF i R=220 Ω. U 3
2.610 V
intervalu vremena od t=0 do dolaska impulsa, 2

napon generatora je jednak 0.
1
(Rješenje je dano slikom) 0

0.535 V
0 0.5 1 1.5
t, [ms]
VJ.9. Za mrežu na slici izračunati i nacrtati napon na kondenzatoru ako je napon ug zadan
slikom te C=1 µF i R=5,6 kΩ. U t=0 kondenzator je prazan. (Naputak: mrežu koja se vidi sa
stezaljki kondenzatora nadomjestiti po Theveninu). U, [V]
6
ug
(Rješenje je dano slikom) 5

uT
uC
ug, [V]
4
R
5 3
+
ug 2R C 2
1.476 V
R
1
0 5
t, [ms]
UT , RT
0
0 5 10 15 20
t, [ms]
18
VJ.10. Izračunati i nacrtati odziv CR mreže u stacionarnom stanju na pravokutni napon zadan
slikom. Vremenska konstanta mreže je τ=1 ms. Vrijednosti veličina na slici su UULV= - 1 V,
UULN= - 5 V, T1=2 ms, T2=1 ms. U, [V]
4
uul
3 2.661 V
Uul, [V] uR
2
t
1
0.360 V
UULV 0
-1
T1 T2
-1.339 V
-2
-3
-3.640 V
-4
UULN T1 T2
-5
-6
t, [ms]
VJ.11. Izračunati i nacrtati odziv RC mreže u U, [V]

0
stacionarnom stanju na pravokutni napon zadan
-1
slikom iz prethodnog zadatka. Vremenska konstanta -1.360 V
mreže je τ=1 ms. Vrijednosti veličina na slici su -2
UULV= - 1 V, UULN= - 5 V, T1=2ms, T2=1 ms. -3
-3.661 V
-4
(Rješenje je dano slikom) T1 T2
-5
-6 uul
uC
-7
t, [ms]
slikom. Vrijednosti veličina na slici su UULV=7 V, UULN=2 V, T1=2ms, T2=1 ms. Zadano je
R=2,2 kΩ i C=1 µF
U, [V]
Uul, [V] 12
uul
10
uR
Uulv
8
T1 T2
6 T1 T2
4
2.454 V
2
Uuln 0.989 V
0
-2
-2.546 V
t -4
-4.011 V
t, [ms]
U, [V]
10
VJ.13. Izračunati i nacrtati odziv RC mreže u uul
9
stacionarnom stanju na pravokutni napon zadan 8
uC
slikom iz prethodnog zadatka. Vrijednosti veličina na 7

slici su UULV=7 V, UULN=2 V, T1=2ms, T2=1 ms. 6
6.011 V
Zadano je R=2,2 kΩ i C=1 µF. 5

4.546 V
4
3 T1 T2
0
t, [ms]
19
slikom. Vrijednosti veličina na slici su UULV=5 V, UULN= - 2 V, T1=1ms, T2=2 ms. Zadano je
R=560 Ω i C=1 µF. U, [V]
8
6.835 V uul
Uul, [V] 6 uR
T1 T2
4
Uulv 2
1.146 V
T1 T2 0
-0.165 V
-2
t -4
Uuln
-6 -5.854 V
t, [ms]
U, [V]
8
VJ.15. Izračunati i nacrtati odziv RC mreže u 7
uul
uC
stacionarnom stanju na pravokutni napon zadan 6
slikom iz prethodnog zadatka. Vrijednosti veličina 5

T1 T2
3.854 V
na slici su UULV=5 V, UULN= - 2 V, T1=1ms, T2=2 4
3
ms. Zadano je R=560 Ω i C=1 µF.
2
1
0
-1
-2 -1.835 V
-3
t, [ms]
VJ.16. Za mrežu na slici izračunati i nacrtati izlazni napon (uiz) u stacionarnom stanju ako je
napon ug zadan slikom te C=1 µF i R=3,3 kΩ. (Naputak: mrežu koja se vidi sa stezaljki
kondenzatora nadomjestiti po Theveninu).
ug, [V]
C
R
5
+ +
ug 2R R uiz
R C
-
0 1 3 4 6 7 t, [ms]
UT , RT
U, [V]
3
uT
2.5 uiz
1.5
1 0.952 V
0.703 V
0.5
-0.5 -0.298 V
-0.547 V
-1
t, [ms]
20
slikom. Vrijednosti veličina na slici su UULV=2,5 V, UULN= - 2,5 V, T1=0,5ms, T2=1 ms.
Unutarnji otpor generatora iznosi Rg=500 Ω. Zadano je R=560 Ω i C=1 µF.
Ug, [V] U, [V]

4
ug
3 uR
Uulv 2.131 V
2
T1 T2 1.329 V
1
0
t
-1 -0.511 V
Uuln -1.312 V
-2
-3
-4
t, [ms]
U, [V]
4
VJ.18. Izračunati i nacrtati odziv RC mreže u ug
3
stacionarnom stanju na pravokutni napon uC
zadan slikom. Vrijednosti veličina na slici su 2
UULV=2,5 V, UULN= - 2,5 V, T1=0,5ms, T2=1 1
ms. Unutarnji otpor generatora iznosi Rg=500 0

-0.016 V
Ω. Zadano je R=560 Ω i C=1 µF.

-1
-1.533 V
-2
-3
-4
t, [ms]
21
OSNOVNA SVOJSTVA POLUVODIČA
ZADATAK.1. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=300 K

iznosi n=1015 cm-3. Izračunati koncentraciju elektrona i šupljina na T=300 K i T=550 K.
Rješenje:
Na prvoj temperaturi T=300 K intrinzična koncentracija iznosi
ni1 = 1,45 ⋅1010 cm −3
Zadana koncentracija elektrona iznosi
n = 1015 cm −3
Vrijedi da je n>ni pa zaključujemo da se radi o n-tipu poluvodiča. Silicij je dopiran

jednom primjesom, a kako se radi o n-tipu zaključujemo da su to donori.
Kako je n>>ni poluvodič je ekstrinzičan i vrijedi
n ≅ N D = 1015 cm −3
Koncentraciju šupljina računamo iz zakona termodinamičke ravnoteže:
p=
(
ni2 1,45 ⋅1010
=
)
2
= 2,1⋅10 5 cm −3
n 1015
Druga zadana temperatura T=550 K je veća pa će i intrinzična koncentracija na toj

temperaturi biti veća. Računamo:
 E'   
ni = C1 ⋅ T 3 / 2 ⋅ exp  − G 0  = 3,07 ⋅1016 ⋅ (550) ⋅ exp −
1,196
 = 1,32 ⋅1015 cm −3
1, 5
−5
 2 ⋅ k T   2 ⋅ 8,62 ⋅ 10 ⋅ 550 
U prvom dijelu zadatka izračunali smo da je silicij dopiran donorima koncentracije

ND=1015 cm-3. Na zadanoj temperaturi ne vrijedi da je ND>>ni pa zaključujemo da se
silicij nalazi u intrinzičnom temperaturnom području te koncentraciju elektrona računamo
na sljedeći način:
n=
1
2
[ ]
⋅ N D + N D2 + 4 ⋅ ni2 = ⋅ 1015 +
1
2 
(10 )
15 2
( )
+ 4 ⋅ 1,32 ⋅1015  = 1,91 ⋅ 1015 cm −3
2
Koncentracija šupljina je:
1
p=
(
ni2 1,32 ⋅1015
=
)2
= 9,1 ⋅1014 cm −3
n 1,91 ⋅1015
ZADATAK.2. Silicij je prvo dopiran akceptorima koncentracije NA=1,5·1015 cm-3, a

nakon toga donorima koncentracije ND=1015 cm-3. Izračunati koncentracije elektrona i
šupljina na temperaturama T=27 °C i T=200 °C nakon prvog i drugog dopiranja.
Rješenje:
Nakon prvog dopiranja silicij je p-tipa.

Prva zadana temperatura je T=27 °C odnosno T=T[°C]+273=27+273=300 K.
Na temperaturi T=300 K vrijedi da je NA>>ni=1,45·1010 cm-3 pa možemo zaključiti da je
silicij u ekstrinzičnom temperaturnom području:
p ≅ N A = 1,5 ⋅1015 cm −3
(
n 2 1,45 ⋅1010
n= i =
)2
= 1,4 ⋅10 5 cm −3
p 1,5 ⋅1015
Druga zadana temperatura je T=200 °C odnosno T=T[°C]+273=200+273=473 K.

Na temperaturi T=473 K intrinzična koncentracija iznosi:
 E'   
ni = C1 ⋅ T 3 / 2 ⋅ exp  − G 0  = 3,07 ⋅1016 ⋅ (473) ⋅ exp −
1,196
 = 1,35 ⋅1014 cm −3
1, 5
−5
 2 ⋅ k T   2 ⋅ 8,62 ⋅ 10 ⋅ 473 
Još uvijek vrijedi NA>>ni i silicij se još uvijek nalazi u ekstrinzičnom temperaturnom
području:
p ≅ N A = 1,5 ⋅1015 cm −3
(
n 2 1,35 ⋅1014
n= i =
) 2
= 1,21 ⋅1013 cm −3
p 1,5 ⋅1015
Druga primjesa je donorska, odnosno suprotnog tipa od prve primjese. Kako je energija
ionizacije primjesa puno manja od energije potrebne za kidanje kovalentne veze i
preskakanje elektrona iz valentnog u vodljivi pojas možemo zaključiti da će akceptorske
primjese prihvatiti elektrone koje daju donorske primjese. Kako vrijedi da je NA>ND,
dodane donorske primjese će kompenzirati dio akceptora koji su unešeni prvim
dopiranjem. Silicij je još uvijek p-tip i netto koncentracija akceptora iznosi:
N Anetto = N A − N D = 1,5 ⋅1015 − 1015 = 5 ⋅1014 cm −3
Na T=27 °C (T=300 K) i nakon drugog dopiranja silicij je ekstrinzičan. Vrijedi da je

NAnetto>>ni pa možemo računati:
2
p ≅ N Anetto = 5 ⋅1014 cm −3
(
n 2 1,45 ⋅1010
n= i =
)
2
= 4,21 ⋅10 5 cm −3
p 5 ⋅1014
Na T=200 °C (T=473 K) više ne vrijedi NAnetto>>ni pa zaključujemo da je silicij u

intrinzičnom temperaturnom području te koncentracije nosilaca računamo na sljedeći
način:
p=
1
2
[
⋅ N Anetto + N Anetto
2
2 
]
+ 4 ⋅ ni2 = ⋅ 5 ⋅1014 +
1
(5 ⋅10 )
14 2
+ 4 ⋅ (1,35 ⋅1014 )  = 5,34 ⋅1014 cm −3
2

(
n 2 1,35 ⋅1014
n= i =
) 2
= 3,4 ⋅1013 cm −3
p 5,34 ⋅1014
ZADATAK.3. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija šupljina na T=350 K

iznosi p=106 cm-3. Izračunati koncentraciju elektona i šupljina na T=480 K
Rješenje:
Intrinzična koncentracija na T=350 K iznosi:
 E'   
ni = C1 ⋅ T 3 / 2 ⋅ exp  − G 0  = 3,07 ⋅ 1016 ⋅ (350 ) ⋅ exp −
1,196
 = 4,96 ⋅ 1011 cm −3
1, 5
−5
 2 ⋅ k T   2 ⋅ 8,62 ⋅ 10 ⋅ 350 
Vrijedi da je ni>>p=106 cm-3 te možemo zaključiti da je silicij n-tip (dopiran donorima),
te da se nalazi u ekstrinzičnom temperaturnom području:
n2
n= i =
(
4,96 ⋅1011 )
2
= 2,46 ⋅1017 cm −3 ≅ N D
p 10 6
 E'   
ni = C1 ⋅ T 3 / 2 ⋅ exp  − G 0  = 3,07 ⋅1016 ⋅ (480 ) ⋅ exp −
1,196
 = 1,71 ⋅1014 cm −3
1, 5
−5
 2 ⋅ k T   2 ⋅ 8, 62 ⋅ 10 ⋅ 480 
I na ovoj temperaturi vrijedi da je ND>>ni pa je silicij u ekstrinzičnom temperaturnom

području:
n ≅ N D = 2,46 ⋅ 1017 cm −3
n 2 1,71 ⋅1014
p= i =
( ) 2
= 1,19 ⋅1011 cm −3
n 2,46 ⋅1017
3
ZADATAK.4. Silicij je prvo dopiran akceptorima koncentracije NA=1,5·1015 cm-3, a
nakon toga donorima koncentracije ND=2·1015 cm-3. Odrediti položaj Fermijeve energije
nakon prvog i drugog dopiranja na T=300 K.
Rješenje:
Nakon prvog dopiranja silicij je p-tipa i na T=300 K nalazi se u ekstrinzičnom području

(NA>>ni). Vrijedi:
p ≅ N A = 1,5 ⋅1015 cm −3
Uz zadanu koncentraciju, iz raspodjele šupljina u siliciju vrijedi:
 E − EF   E − EF 
p = NV ⋅ exp  v  = ni ⋅ exp Fi 
 kT   kT 
Iz čega se može izračunati Fermijeva energija:
N 
E F = Ev + kT ⋅ ln v 
 p 
 p
E F = E Fi − kT ⋅ ln 
 ni 
Efektivna gustoća kvantnih stanja u valentnom pojasu iznosi:
N V = C ⋅ T 3 / 2 = 7,07 ⋅1015 ⋅ (300 ) = 3,67 ⋅1019 cm −3

1, 5
Položaj Fermijeve energije je:
N   3,67 ⋅1019 
E F = Ev + kT ⋅ ln v  = Ev + 8,62 ⋅10 −5 ⋅ 300 ⋅ ln 15 
 = Ev + 0,261 eV
 p   1,5 ⋅10 
 p  1,5 ⋅ 1015 
E F = E Fi − kT ⋅ ln  = E Fi − 8,62 ⋅ 10 −5 ⋅ 300 ⋅ ln  = Ev + 0,299 eV
10 
 ni   1,45 ⋅ 10 
Fermijeva energija nalazi se 0,261 eV iznad vrha valentnog pojasa, odnosno 0,299 eV
ispod Fermijeve energije intrinzičnog silicija (EFi) koja se nalazi na sredini zabranjenog
pojasa (EG/2).
Nakon drugog dopiranja silicij postaje n-tip jer je ND>NA. Vrijedi da je
N Dnetto = N D − N A = 2 ⋅1015 − 1,5 ⋅ 1015 = 5 ⋅ 1014 cm −3
Na T=300 K silicij je i u ovom slučaju ekstrinzičan te vrijedi:
4
n ≅ N Dnetto = 5 ⋅1014 cm −3
Uz zadanu koncentraciju, iz raspodjele elektrona u siliciju vrijedi:
 E − EF   E − EFi 
n = N c ⋅ exp  − c  = ni ⋅ exp F 
 kT   kT 
Položaj Fermijeve energije je:
N 
E F = EC − kT ⋅ ln  c 
 n 
n
E F = E Fi + kT ⋅ ln 
 ni 
Efektivna gustoća kvantnih stanja u vodljivom pojasu iznosi:
N c ≅ N v = C ⋅ T 3 / 2 = 7,07 ⋅1015 ⋅ (300) = 3,67 ⋅1019 cm −3

1, 5
Uz izračunatu koncentraciju elektrona položaj Fermijeve energije je:
N   3,67 ⋅1019 
E F = Ec − kT ⋅ ln  c  = Ec − 8,62 ⋅10 −5 ⋅ 300 ⋅ ln  = Ec − 0,290 eV
 5 ⋅10 
14
 n 
n  5 ⋅ 1014 
E F = E Fi + kT ⋅ ln   = E Fi + 8,62 ⋅ 10 − 5 ⋅ 300 ⋅ ln  = E Fi + 0,270 eV
10 
 ni   1,45 ⋅ 10 
Fermijeva energija nalazi se 0,290 eV ispod dna vodljivog pojasa, odnosno 0,270 eV
iznad Fermijeve energije intrinzičnog silicija (EFi) koja se nalazi na sredini zabranjenog
pojasa (EG/2).
ZADATAK.5. Silicij je dopiran jednom primjesom. Fermijeva energija u nalazi se 0,2

eV od dna vodljivog pojasa. Odrediti tip poluvodiča te izračunati koncentraciju većinskih
nosilaca. Odrediti tip i koncentraciju primjesa koju treba dodati u silicij da se Fermijeva
energija pomakne za 0,1 eV:
a) prema dnu vodljivog pojasa

b) prema vrhu valentnog pojasa
Rješenje:
5
Zadano je Ec − E F = Ec − 0,2 eV
EG
Za intrinzičan silicij vrijedi da je Ec − E Fi = Ec −= Ec − 0,56 eV
2
Fermijeva energija nalazi se iznad sredine zabranjenog pojasa i radi se o n-tipu silicija.
Koncentracija elektrona računa se prema relaciji:
N c (T = 300 K ) = 3,67 ⋅1019 cm −3
 E − EF   E − Ec + 0,2 
n = N c ⋅ exp  − c  = 3,67 ⋅1019 ⋅ exp − c −5
 = 1,61 ⋅1016 cm −3
 kT   8, 62 ⋅ 10 ⋅ 300 
Vrijedi da je n>>ni=1,45·1010 cm-3 pa vrijedi:
N D1 ≅ n = 1,61 ⋅1016 cm −3
a) Da bi se Fermijeva energija pomaknula prema dnu vodljivog pojasa treba dodati

donore. Novi položaj Fermijeve energije je 0,1 eV ispod dna vodljivog pojasa:
Ec − E F = Ec − 0,1 eV
Nakon drugog dopiranja koncentracija elektrona treba iznositi:
 E − EF   E − Ec + 0,1 
n = N c ⋅ exp  − c  = 3,67 ⋅1019 ⋅ exp − c −5
 = 7,68 ⋅1017 cm −3
 kT   8,62 ⋅ 10 ⋅ 300 
Silicij je ekstrinzičan (n>>ni=1,45·1010 cm-3) i vrijedi:
N D1 + N D 2 ≅ n = 7,68 ⋅1017 cm −3
Iz toga slijedi da treba dodati donore koncentracije:
N D 2 = n − N D1 = 7,68 ⋅1017 − 1,61⋅1016 = 7,52 ⋅1017 cm −3
b) Da bi se Fermijeva energija pomaknula prema vrhu valentnog pojasa treba dodati

akceptore. Novi položaj Fermijevog nivoa je 0,3 eV ispod dna vodljivog pojasa:
Ec − E F = Ec − 0,3 eV
Fermijeva energija se nalazi iznad sredine zabranjenog pojasa i silicij ostaje n-tip.
Koncentracija elektrona nakon dopiranja treba iznositi:
6
 E − EF   E − Ec + 0,3 
n = N c ⋅ exp  − c  = 3,67 ⋅1019 ⋅ exp − c −5
 = 3,36 ⋅1014 cm −3
 kT   8,62 ⋅10 ⋅ 300 
Silicij je ekstrinzičan (n>>ni=1,45·1010 cm-3) i vrijedi:
n ≅ N Dnetto = N D1 − N A 2
Iz čega možemo izračunati koncentraciju akceptora koju treba dodati:
N A2 = N D1 − n = 1,61 ⋅1016 − 3,36 ⋅1014 = 1,576 ⋅1016 cm −3
ZADATAK.6. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=300 K

iznosi n=1015 cm-3. Izračunati specifičnu vodljivost na T=300 K i T=530 K. Pokretljivosti
nosilaca iznose 900 cm2/Vs i 350 cm2/Vs. Kad temperatura poraste sa 300 na 530 K
pokretljivost se promijeni za 20 %.
Rješenje:
Intrinzična koncentracija na T=300 K iznosi ni=1,45·1010 cm-3. Vrijedi da je n>>ni pa

zaključujemo da je silicij n-tip u ekstrinzičnom temperaturnom području. Vrijedi:
N D ≅ n = 1015 cm −3
p=
(
ni2 1,45 ⋅ 1010
=
)2
= 2,1 ⋅ 105 cm −3
n 1015
Specifičnu vodljivost računamo prema relaciji:
σ = q ⋅ (µ n ⋅ n + µ p ⋅ p )
µ n=900 cm2/Vs i µ p=350 cm2/Vs jer je µ n> µ p
Uz n>>p vrijedi:
σ ≅ q ⋅ µ n ⋅ n = 1,6 ⋅10 −19 ⋅ 900 ⋅1015 = 0,144 S cm
 E'   
ni = C1 ⋅ T 3 / 2 ⋅ exp  − G 0  = 3,07 ⋅ 1016 ⋅ (530) ⋅ exp −
1,196
1,5
−5
 = 7,74 ⋅ 1014 cm −3
 2 ⋅ k T   2 ⋅ 8,62 ⋅ 10 ⋅ 530 
7
Na T=530 K više ne vrijedi da je n>>ni pa zaključujemo da se silicij nalazi u intrinzičnom
temperaturnom području. Prema tome koncentracije nosilaca iznose:
n=
1
2
[ ]
1 
⋅ N D + N D2 + 4 ⋅ ni2 = ⋅ 1015 +
2 
(10 )
15 2
( )
2
+ 4 ⋅ 7,74 ⋅ 1014  = 1,42 ⋅ 1015 cm −3

p=
(
ni2 7,74 ⋅ 1014
=
)
2
= 4,2 ⋅ 1014 cm −3
n 1,42 ⋅ 1015
Više ne vrijedi n>>p pa kod računanja vodljivosti treba uzeti u obzir i elektronsku i
šupljinsku komponentu vodljivosti. Pokretljivost pada s porastom temperature te vrijedi:
µ n (530 K ) = 0,8 ⋅ µ n (300 K ) = 0,8 ⋅ 900 = 720 cm2 Vs

µ p (530 K ) = 0,8 ⋅ µ p (300 K ) = 0,8 ⋅ 350 = 280 cm 2 Vs
Vodljivost na T=530 K iznosi:
σ = q ⋅ (µ n ⋅ n + µ p ⋅ p ) = 1,6 ⋅ 1019 ⋅ (720 ⋅ 1,42 ⋅ 1015 + 280 ⋅ 4,2 ⋅ 1014 ) = 0,183 S cm
ZADATAK.7. Silicij je prvo dopiran primjesama koncentracije 1,5·1015 cm-3, a nakon

toga primjesama koncentracije 2·1015 cm-3. Odrediti tip prve i druge primjese tako da
nakon drugog dopiranja specifična vodljivost bude
a) najveća,
b) najmanja.
Izračunati specifičnu vodljivost nakon drugog dopiranja na T=300 K za oba slučaja.

Pokretljivosti iznose 900 cm2/Vs i 350 cm2/Vs.
Rješenje:
a) Specifična vodljivost će biti veća ako su primjese istog tipa jer se primjese ne
kompenziraju i ukupan broj nosilaca se zbraja. Zbog veće pokretljivosti elektrona,
specifična vodljivost će biti veća ako se radi o n-tipu. Prema tome najveća specifična
vodljivost će biti u slučaju ako su obje primjese donorske.
N1 = N D1
N 2 = N D2
Nakon drugog dopiranja ukupna koncentracija donora u siliciju iznosi:
N Duk = N D1 + N D 2 = 1,5 ⋅1015 + 2 ⋅1015 = 3,5 ⋅1015 cm −3
8
Na T=300 K vrijedi da je NDuk>>ni pa zaključujemo da je silicij u ekstrinzičnom
temperaturnom području:
n ≅ N Duk = 3,5 ⋅ 1015 cm −3
p=
(
ni2 1,45 ⋅ 1010
=
)
2
= 6 ⋅ 10 4 cm −3
n 3,5 ⋅ 1015
Vrijedi da je n>>p pa specifična vodljivost iznosi:
σ ≅ σ n = q ⋅ µ n ⋅ n = 1,6 ⋅ 10 −19 ⋅ 900 ⋅ 3,5 ⋅ 1015 = 0,504 S cm
b) Specifična vodljivost će biti manja u slučaju da su primjese suprotnog tipa jer je dio
primjesa kompenziran. Zbog manje pokretljivosti šupljina nakon drugog dopiranja silicij
mora biti p-tip. Prema tome veća koncentracija će se odnositi na akceptorsku, a manja na
donorsku primjesu.
N1 = N D1
N 2 = N A2
Nakon drugog dopiranja dio akceptora je kompenziran donorima pa imamo netto

koncentraciju akceptora:
N Anetto = N A2 − N D1 = 2 ⋅1015 − 1,5 ⋅1015 = 5 ⋅1014 cm −3
Vrijedi da je NAnetto>>ni i silicij u ekstrinzičnom temperaturnom području:
p ≅ N Anetto = 5 ⋅ 1014 cm −3
(
n 2 1,45 ⋅ 1010
n= i =
)
2
= 4,2 ⋅ 10 5 cm −3
p 5 ⋅ 1014
Vrijedi da je p>>n pa specifična vodljivost iznosi:
σ ≅ σ p = q ⋅ µ p ⋅ p = 1,6 ⋅ 10−19 ⋅ 350 ⋅ 5 ⋅ 1014 = 28 mS cm
ZADATAK.8. Izračunati iznos otpora silicijske pločice duljine 10 µm i površine

presjeka 0,1 mm2 na temperaturama 300 i 450 K. Pločica je dopirana s NA=1015 cm-3 i
ND=9·1014 cm-3. Pokretljivosti nosilaca su 900 i 350 cm2/Vs (zanemariti temperaturnu
ovisnost pokretljivosti nosilaca).
9
Rješenje:
Pločica je dopirana istovremeno s dvije primjese. Vrijedi da je NA>ND pa zaključujemo da

će nakon oba dopiranja pločica biti p-tip. Dio akceptora je kompenziran i imamo netto
koncentraciju akceptora:
N Anetto = N A − N D = 1015 − 9 ⋅1014 = 1014 cm −3
Na T=300 K vrijedi NAnetto>>ni=1,45·1010 cm-3. Silicij je ekstrinzičan i vrijedi:
p ≅ N Anetto = 1014 cm −3
n=
(
ni2 1,45 ⋅ 1010
=
)2
= 2,1 ⋅ 10 6 cm −3
p 1014
σ ≅ σ p = q ⋅ µ p ⋅ p = 1,6 ⋅ 10 −19 ⋅ 350 ⋅ 1014 = 5,6 mS cm
Otpor silicijske pločice zadanih dimenzija je onda jednak:
l 1 l 1 10 ⋅ 10 −4
R=ρ⋅ = ⋅ = ⋅ = 178,6 Ω
S σ S 5,6 ⋅ 10 −3 0,1 ⋅ 10 −2
Napomena: Kod uvrštavanja paziti na mjerne jedinice, npr. ako je specifična vodljivost
izračunata u [S/cm] onda sve dimenzije treba uvrstiti u [cm].
Na T=450 K intrinzična koncentracija iznosi:
 E'   
ni = C1 ⋅ T 3 / 2 ⋅ exp  − G 0  = 3,07 ⋅ 1016 ⋅ (450) ⋅ exp −
1,196
 = 5,91 ⋅ 1013 cm − 3
1,5
−5
 2⋅k T   2 ⋅ 8,62 ⋅ 10 ⋅ 450 
Na ovoj temperaturi ne vrijedi NAnetto>>ni, odnosno silicij je u intrinzičnom

temperaturnom području pa koncentracije nosilaca, specifičnu vodljivost i otpor pločice
računamo na sljedeći način:
p=
1
2
[
⋅ N Anetto + N Anetto
2 1
]
+ 4 ⋅ ni2 = ⋅ 1014 +
2 
(10 )
14 2
( )
+ 4 ⋅ 5,91 ⋅ 1013  = 1,274 ⋅ 1014 cm − 3
2
n2
n= i =
(
5,91 ⋅ 1013 )2
= 2,74 ⋅ 1013 cm −3
p 1,274 ⋅ 1014
σ = q ⋅ (µ n ⋅ n + µ p ⋅ p ) = 1,6 ⋅ 10 −19 ⋅ (900 ⋅ 2,74 ⋅ 1013 + 350 ⋅ 1,274 ⋅ 1014 ) = 11,1 mS cm
10
l 1 l 1 10 ⋅ 10 −4
R=ρ⋅ = ⋅ = ⋅ = 90,3 Ω
S σ S 11,1 ⋅ 10 −3 0,1 ⋅ 10 −2
ZADATAK.9. Za pločicu silicija iz prethodnog zadatka izračunati kolika struja teče ako
duž pločice djeluje homogeno polje iznosa F=3,3 kV/cm. Koliki se pri tome napon može
izmjeriti na krajevima silicijske pločice. T=300 K
Rješenje:
Zadatak se može riješiti na više načina.

Jedan način je da iz iznosa polja i duljine pločice izračunamo napon koji se nalazi na
krajevima otpornika:
U = F ⋅ d = 3,3 ⋅ 103 ⋅ 10 ⋅ 10−4 = 3,3 V
Otpor silicijske pločice na T=300 K iznosi R=178,6 Ω pa struju možemo jednostavno

izračunati kao:
U 3,3
I= = = 18,48 mA
R 179
Drugi način je da se iz specifične vodljivosti i polja izračuna driftna struja (koja uostalom
teče kroz pločicu):
I p = q ⋅ p ⋅ µ p ⋅ S ⋅ F = σ ⋅ S ⋅ F = 5,6 ⋅ 10 −3 ⋅ 0,1 ⋅ 10 −2 ⋅ 3,3 ⋅ 10 3 = 18,48 mA
Oba postupka svode se na korištenje Ohmovog zakona.
ZADATAK.10. Raspodjela koncentracije

šupljina prikazana je na slici i može se p(x), [cm-3]
opisati eksponencijalnom funkcijom.
Izračunati gustoću struje u x=0. Odrediti
na kojoj udaljenosti struja padne na 10% p1
od iznosa struje u ravnini x=0. Zadano je
p0=105 cm-3, p1=5·1012 cm-3, a=10 µm,
µ p=380 cm2/Vs, T=300 K.
p0
a x, [µm]
11
Rješenje:
Raspodjela koncentracije šupljina ravna se po eksponencijalnoj funkciji i može se

napisati:
 x
p (x ) = p0 + ( p1 − p0 ) ⋅ exp − 
 a
Difuzijska struja jednaka je:
d p(x )  x  − 1 q ⋅ D p ⋅ ( p1 − p0 )  x
J Dp ( x ) = − q ⋅ D p ⋅ = − q ⋅ D p ⋅ ( p1 − p0 ) exp −  ⋅ = ⋅ exp − 
dx  a a a  a
U zadatku vrijedi da je p1>>p0 pa možemo napisati:
q ⋅ D p ⋅ p1  x
J Dp ( x ) ≅ ⋅ exp − 
a  a
Za zadane vrijednosti računamo struju u x=0:
300
D p = µ p ⋅ U T = 380 ⋅ = 9,82 cm 2 s
11600
q ⋅ D p ⋅ p1 −19
 x  1,6 ⋅10 ⋅ 9,82 ⋅ 5 ⋅10
12
J Dp ( x = 0 ) ≅ ⋅ exp −  = ⋅ exp(0) = 7,86 mA cm 2
a  a 10 ⋅10 −4
Možemo napisti za gustoću struje:
 x
J Dp ( x ) = J Dp ( x = 0 ) ⋅ exp − 
 a
Prema tome struja će pasti na 10 % iznosa struje u x=0 na x=x1 kod kojeg vrijedi
 x 
exp − 1  = 0,1 ⇒ x1 = −a ⋅ ln (0,1) = 23 µm
 a
Zadaci za vježbu
VJ.1. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija šupljina na T=300 K iznosi
p=5·1015 cm-3. Izračunati koncentraciju elektrona i šupljina na T=300 K i T=550 K.
Rješenje: n(300 K)=4,2·104 cm-3, n(550 K)=3,26·1014 cm-3, p(550 K)=5,33·1015 cm-3
12
p=107 cm-3. Izračunati koncentraciju elektrona i šupljina na T=350 K i T=550 K.
Rješenje: n(350 K)=2,46·1016 cm-3, n(550 K)= 2,46·1016 cm-3, p(550 K)=7,07·1013 cm-3

p=1015 cm-3. Izračunati koncentraciju elektrona i šupljina na T=300 K i T=500 K.
Rješenje: n(500 K)=1,05·1014 cm-3, n(300 K)=2,35·105 cm-3, p(300 K)= 8,95·1014 cm-3
VJ.4. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=450 K iznosi

n=1012 cm-3. Izračunati koncentraciju elektrona i šupljina na T=300 K i T=450 K.
Rješenje: p(450 K)= 3,5·1015 cm-3cm-3, n(300 K)=6,02·104, p(300 K)= 3,5·1015 cm-3

n=1011 cm-3. Odrediti tip i koncentraciju dodane primjese.
Rješenje: NA=3,5·1016 cm-3

n=1017 cm-3. Odrediti tip i koncentraciju dodane primjese.
Rješenje: ND=1017 cm-3
VJ.7. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija šupljina na T=200 °C iznosi

p=1013 cm-3. Odrediti tip i koncentraciju dodane primjese.
Rješenje: ND=1,81·1015 cm-3
VJ.8. Silicij je dopiran akceptorima koncentracije NA=1015 cm-3 i donorima koncentracije

ND=1,25·1015 cm-3. Izračunati koncentracije nosilaca na temperaturama T=300K i T=473
K.
Rješenje: n(300 K)=2,5·1014 cm-3, p(300 K)=8,41·105 cm-3, n(473 K)=3,09·1014 cm-3 p(473 K)=5,89·1013
cm-3
VJ.9. Silicij je dopiran akceptorima koncentracije NA=1,5·1015 cm-3 i donorima

koncentracije ND=1015 cm-3. Izračunati koncentracije nosilaca na temperaturama T=300K
i T=450 K.
Rješenje: n(300 K)=4,2·105 cm-3, p(300 K)=5·1014 cm-3, n(450 K)=6,9·1012 cm-3 p(450 K)=5,07·1014 cm-3

n=5·107 cm-3. Koji tip i koliku koncentraciju primjesa treba dodati da na T=450 K
koncentracija elektrona bude ista (n=5·107 cm-3)
Rješenje: NA=6,99·1019 cm-3
13
p=1015 cm-3. Koji tip i koliku koncentraciju primjesa treba dodati da na T=550 K
koncentracija šupljina bude ista (p=1015 cm-3)
VJ.12. Silicij je dopiran jednom primjesom. Fermijeva energija nalazi se 0,18 eV od dna
vodljivog pojasa. Odrediti tip i koncentraciju primjese. Koji tip i koliku koncentraciju
primjese treba dodati da Fermijeva energija nakon drugog dopiranja bude udaljena 0,18
eV od vrha valentnog pojasa. T=300 K.
Rješenje: N1=ND=3,49·1016 cm-3, N2=NA=6,97·1016 cm-3
VJ.13. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=27°C iznosi

n=1015 cm-3. Izračunati specifičnu vodljivost na T=250°C ako su pokretljivosti na toj
temperaturi 450 cm2/Vs i 220 cm2/Vs.
Rješenje: σ=0,105·S/cm
VJ.14. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=300K iznosi

n=104 cm-3. Izračunati specifičnu vodljivost na T=400 K ako su pokretljivosti na toj
temperaturi 800 cm2/Vs i 320 cm2/Vs.
VJ.15. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=525 K je 10

puta veća od koncentracije šupljina. Izračunati specifičnu vodljivost na T=300 K, ako su
pokretljivosti nosilaca 900 cm2/Vs i 350 cm2/Vs.
VJ.16. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=400 K je 105

puta manja od koncentracije šupljina. Izračunati specifični otpor na T=300 K, ako su
pokretljivosti nosilaca 900 cm2/Vs i 350 cm2/Vs.
Rješenje: ρ=7,83·Ωcm
VJ.17. Silicij je dopiran donorima. Specifična vodljivost na T=550 K iznosi 0.28 S/cm.
Odrediti koncentraciju i tip primjese koju treba dodati da specifična vodljivost na T=300
K ostane ista (σ=0.28 S/cm), a silicij ostane istog tipa. Pretpostaviti da su pokretljivosti
konstantne i iznose 900 i 350 cm2/Vs.
VJ.18. Silicij je dopiran s NA=1015 cm-3 i ND=1.1·1015 cm-3. Izračunati specifičnu

vodljivost na T=300 i 450 K. Na T=300 K pokretljivosti nosilaca su 900 i 350 cm2/Vs
dok se na T=450 K promijene za 15%
Rješenje: σ(300 K)=14,4·mS/cm, σ(450 K)=16,9·mS/cm
14
VJ.19. Silicij je prvo dopiran primjesama koncentracije 5·1016 cm-3, a nakon toga
primjesama koncentracije 1017 cm-3. Odrediti tip prve i druge primjese tako da nakon
drugog dopiranja specifični otpor bude
c) najveći,
d) najmanji.
Izračunati specifičnu vodljivost nakon drugog dopiranja na T=300 K za oba slučaja.

Pokretljivosti iznose 900 cm2/Vs i 350 cm2/Vs.
Rješenje: a) N1=ND, N2=NA, ρ=0,357 Ωcm
b) N1=ND, N2=ND, ρ=0,046 Ωcm
VJ.20. Silicijski otpornik duljine 10 µm i poprečnog presjeka 1 µm2 izveden je u n-tipu

silicija specifične vodljivosti 100 S/cm. Izračunati struju koja poteče kroz otpornik kada
se na njega priključi napon U=1,8 V.
Rješenje: I=1,8 mA
15
pn – DIODA
ZADATAK.1. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=300 K

u stanju ravnoteže (napon na pn spoju je U=0 V). Koncentracije dopanada na p i n strani
su NA=1017 cm-3 i ND=1016 cm-3. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina
pn-spoja S=5 µm2?
Rješenje:
Za većinske nosioce na zadanoj temperaturi vrijedi:
p 0 p ≅ N A = 1017 cm −3 i n0 n ≅ N D = 1016 cm −3
Kontaktni potencijal iznosi:
 n0 n ⋅ pop  300  1016 ⋅ 1017 

U K = U T ⋅ ln = ⋅ ln  = 0,755 V
 n 2
i
 11600


 (1,45 ⋅10 )
10 2 

Širina osiromašenog područja:
2 ⋅ε0 ⋅εr  1 1  2 ⋅ 8,854 ⋅10 −14 ⋅ 11,7  1

 ⋅ (U K − U ) = ⋅  17 + 16  ⋅ (0,755 − 0 ) = 0,328 µm
1 
dB = ⋅  +  −19
q  NA ND  1,6 ⋅10  10 10 
Kapacitet osiromašenog područja:
S 5 ⋅10 −8
CB = ε 0 ⋅ ε r ⋅ = 8,854 ⋅ 10 −14 ⋅ 11,7 ⋅ −4
= 1,58 ⋅ 1015 F = 1,58 fF
dB 0,328 ⋅ 10
ZADATAK.2. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=1017 cm-3 i

NA=1015 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=900 cm2/Vs, µp=300 cm2/Vs, τn=1 µs,
τp=0,5 µs. Površina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K.
Vrijedi wn>>Lp i wp>>Ln. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi napon
U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.
Rješenje:
Struja zasićenja za diodu s obje široke strane:
 n0 p p0 n 
I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅
 Ln L p 

1
Za manjinske nosioce na p -strani računamo:
n0 p =
ni2
=
(
1,45 ⋅ 1010 )2
= 2,1⋅ 105 cm −3
NA 1015
T 300
Dn = µ n ⋅ U T = µ n ⋅ = 900 ⋅ = 23,28 cm 2 s
11600 11600
Ln = Dn ⋅ τ n = 23, 28 ⋅ 10 −6 = 48,25 ⋅10 −4 cm = 48,25 µm
Za manjinske nosioce na n -strani računamo:
n 2 (1,45 ⋅1010 )
2
p0 n = i = = 2,1⋅103 cm −3
ND 1017
T 300
D p = µ p ⋅U T = µ p ⋅ = 300 ⋅ = 7,76 cm 2 s
11600 11600
L p = D p ⋅τ p = 7,76 ⋅ 0,5 ⋅10 −6 = 19,7 ⋅10 −4 cm = 19,7 µm
Uvrštenjem u gornju jednadžbu dobivamo:
 n0 p p0 n   2,1 ⋅105 2,1 ⋅103 

I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅ = 1,6 ⋅10 −19 ⋅10 −2 ⋅  23,28 ⋅ −4
+ 7, 76 ⋅  = 1,63 ⋅10
−4 
−12
A
 Ln L p  48, 25 ⋅ 10 19,7 ⋅ 10
  
Uz zadani napon kroz diodu poteče:

   
   
  U   −12 0,5
I = IS ⋅  exp  − 1
 
= 1,63 ⋅ 10 ⋅  exp  − 1 = 0,41 mA
 m ⋅U T    300  
 
 1⋅  
  11600  

NA=1017 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=700 cm2/Vs, µp=350 cm2/Vs, τn=0,5
µs, τp=1 µs. Površina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K.
Vrijedi Lp>>wn=1 µm i Ln>> wp=2 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju
priključi napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.
Rješenje:
Struja zasićenja za diodu s obje uske strane:
2
 n0 p p0 n 
I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅
 wp wn 

n0 p =
ni2
=
(
1,45 ⋅ 1010 )2
= 2,1 ⋅ 103 cm −3
NA 1017
T 300
Dn = µ n ⋅ U T = µ n ⋅ = 700 ⋅ = 18,1 cm 2 s
11600 11600
Ln = Dn ⋅ τ n = 18,1 ⋅ 0,5 ⋅ 10 −6 = 30,1 ⋅ 10 −4 cm = 30,1 µm >> w p = 2 µm
p0 n
n2
= i =
(
1,45 ⋅ 1010 ) 2
= 2,1 ⋅ 105 cm − 3
ND 1015
T 300
D p = µ p ⋅UT = µ p ⋅ = 350 ⋅ = 9,05 cm 2 s
11600 11600
L p = D p ⋅ τ p = 9,05 ⋅ 1 ⋅ 10 −6 = 30,1 ⋅ 10 −4 cm = 30,1 µm >> wn = 1 µm
 n0 p p0 n   2,1 ⋅10 3 2,1 ⋅105 

I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅ = 1,6 ⋅10 −19 ⋅ 10 −2 ⋅ 18,1 ⋅ −4
+ 9,05 ⋅  = 3,1 ⋅ 10
−4 
−11
A
 wp wn  2 ⋅ 10 1 ⋅ 10
  

   
   
  U   −11 0 ,5
I = IS ⋅  exp  − 1
 
= 3,1 ⋅ 10 ⋅  exp  − 1 = 7,72 mA
 m ⋅U T    300  
 
  1⋅  
  11600  

NA=1015 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=900 cm2/Vs, µp=300 cm2/Vs, τn=1 µs,
τp=0,5 µs. Površina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K.
Vrijedi Lp>>wn=1 µm i Ln<< wp. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi
napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.
Rješenje:
3
Zadana je dioda s uskom n stranom (Lp>>wn) i širokom p stranom (Ln<<wp). Struja
zasićenja za takvu diodu je:
 n0 p p0 n 
I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅ 
 Ln wn 
n0 p
n2
= i =
(
1,45 ⋅ 1010 )2
= 2,1⋅ 105 cm −3
NA 1015
T 300
Dn = µ n ⋅ U T = µ n ⋅ = 900 ⋅ = 23,28 cm 2 s
11600 11600
Ln = Dn ⋅ τ n = 23,28 ⋅ 10 −6 = 48,25 ⋅ 10 −4 cm = 48,25 µm << w p
n2
p0 n = i =
(
1,45 ⋅1010 ) 2
= 2,1⋅103 cm −3
ND 1017
T 300
D p = µ p ⋅U T = µ p ⋅ = 300 ⋅ = 7,76 cm 2 s
11600 11600
L p = D p ⋅ τ p = 7,76 ⋅ 0,5 ⋅ 10 −6 = 19,7 ⋅ 10 −4 cm = 19,7 µm >> wn = 1 µm

 n0 p p0 n   2,1 ⋅105 2,1 ⋅103 

I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅  = 1,6 ⋅ 10 −19 ⋅ 10 − 2 ⋅  23,28 ⋅ + 7 , 76 ⋅  = 1,88 ⋅ 10
−12
A
  −4 −4 
 Ln wn   48,25 ⋅ 10 1 ⋅10 

   
   
  U   0, 5
I = IS ⋅  exp  − 1
 
= 1,88 ⋅ 10 −11 ⋅  exp  − 1 = 4,68 mA
 m ⋅UT    300  
 
 1⋅  
  11600  

NA=1017 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=700 cm2/Vs, µp=350 cm2/Vs, τn=0,5
µs, τp=1 µs. Površina pn spoja iznosi S=1 mm . Izračunati struju zasićenja na T=300 K.
2
Vrijedi Lp<<wn µm i Ln>> wp=1 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju
priključi napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.
4
Rješenje:
Zadana je dioda s uskom p stranom (Ln>> wp) i širokom n stranom (Lp<<wn). Struja
zasićenja za takvu diodu je:
 n0 p p0 n 
I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅
 wp L p 

Za manjinske nosioce na p-strani računamo:
n0 p =
ni2
=
(
1,45 ⋅ 1010 )2
= 2,1 ⋅ 103 cm −3
NA 1017
T 300
Dn = µ n ⋅ U T = µ n ⋅ = 700 ⋅ = 18,1 cm 2 s
11600 11600
Ln = Dn ⋅ τ n = 18,1 ⋅ 0,5 ⋅ 10 −6 = 30,1 ⋅ 10 −4 cm = 30,1 µm >> w p = 1 µm
Za manjinske nosioce na n-strani računamo:
ni2 (1,45 ⋅ 1010 )

2
p0 n = = = 2,1 ⋅ 105 cm −3
ND 1015
T 300
D p = µ p ⋅UT = µ p ⋅ = 350 ⋅ = 9,05 cm 2 s
11600 11600
L p = D p ⋅ τ p = 9,05 ⋅ 1 ⋅ 10 −6 = 30,1 ⋅ 10 −4 cm = 30,1 µm << wn
 n0 p p0 n   2,1 ⋅103 2,1 ⋅105 

I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅ = 1,6 ⋅10 −19 ⋅10 −2 ⋅ 18,1 ⋅ −4
+ 9, 05 ⋅  = 1,62 ⋅ 10
−4 
−12
A
 wp L p  1 ⋅ 10 30,1 ⋅ 10
  

   
   
  U   −12  0,5
I = IS ⋅  exp  − 1 = 1,62 ⋅ 10

⋅ exp   − 1 = 0,404 mA
 
 m ⋅UT    300  
 
 1⋅  
  11600  
5
NA=5·1015 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=850 cm2/Vs, µp=300 cm2/Vs, τn=1,2
µs, τp=0,8 µs. Površina pn spoja iznosi S=1 mm . Izračunati struju zasićenja na T=300 K.
2
Vrijedi Lp>>wn=1 µm i Ln>> wp=2 µm. Izračunati dinamički otpor uz priključene

propusne napone U=0,5 V i U=50 mV? Nacrtati raspodjele manjinskih nosilaca za
priključen napon U=0,5 V. Pretpostaviti m=1.
Struja zasićenja za diodu s obje uske strane:
 n0 p p0 n 
I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅
 wp wn 

n0 p =
ni2
=
(
1,45 ⋅ 1010 )2
= 4,2 ⋅ 10 4 cm −3
NA 5 ⋅ 1015
T 300
Dn = µ n ⋅ U T = µ n ⋅ = 850 ⋅ = 21,98 cm 2 s
11600 11600
Ln = D n ⋅ τ n = 21,98 ⋅ 1,2 ⋅ 10 −6 = 51,36 ⋅ 10 −4 cm = 51,36 µm >> w p = 2 µm
p0 n =
ni2
=
(
1,45 ⋅ 1010 ) 2
= 2,1 ⋅ 103 cm −3
ND 1017
T 300
D p = µ p ⋅UT = µ p ⋅ = 300 ⋅ = 7,76 cm 2 s
11600 11600
L p = D p ⋅ τ p = 7,76 ⋅ 0,8 ⋅ 10 −6 = 24,9 ⋅ 10 −4 cm = 24,9 µm >> wn = 1 µm
 n0 p p0 n   4,2 ⋅10 4 2,1 ⋅103 

I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅ = 1,6 ⋅10 −19 ⋅10 −2 ⋅  21,98 ⋅ −4
+ 7,76 ⋅  = 7,65 ⋅ 10
−4 
−12
A
 wp wn  2 ⋅ 10 1 ⋅ 10
  
Strujno naponska karakteristika opisana je Shockley-evom jednadžbom:
  U  
I = I S ⋅  exp  −1
 
  m ⋅U T  
6
Dinamički otpor je definiran kao
dU 1 1 UT UT
rd = = = = =
dI dI  U  1  U  I + IS
I S ⋅ exp ⋅
 I S ⋅ exp  − IS + IS

 m ⋅U T  U T  m ⋅U T 
dU
Uz priključen npon U=0,5 V struja kroz diodu je:
   
   
  U   0,5
I = IS ⋅  exp  − 1 = 7,65 ⋅ 10 −12  exp   − 1 = 1,91 mA
 
 m ⋅U T   300  
 1⋅
     
  11600  
I >> I S pa vrijedi
300
UT 11600
rd ≅ = = 13,6 Ω
I 1,91 ⋅10 −3
Uz priključen npon U=50 mV struja kroz diodu je:
   
   
  U   −12  0,05
I = IS ⋅  exp  − 1 = 7,65 ⋅10

exp  − 1 = 4,523 ⋅10 −11 A
 m ⋅U T
   300  
 1⋅
  
  
  11600  
U ovom slu čaju ne vrijedi I>>IS (U<3·UT) pa dinamički otpor računamo:
300
UT 11600
rd = = = 489 MΩ
I + I S 4,523 ⋅10 −11 + 7,65 ⋅ 10 −12
Raspodjele manjinskih nosilaca za napon propusne polarizacije prikazan je na slici.

np cm-3 pn cm-3
np0
pn0
n0p
p0n
wp wn
7
Ravnotežne koncentracije manjinskih nosilaca su prije izračunati i iznose
n0 p = 4,2 ⋅10 4 cm −3 i p0 n = 2,1 ⋅ 103 cm −3
Rubne koncentracije računaju se preko Boltzmannovih relacija:
 
 
 U  0,5
n p 0 = n0 p ⋅ exp  = 4,2 ⋅ 10

4
⋅ exp  = 1,046 ⋅1013 cm −3
UT   300 
 
 11600 
 
 
 U  0,5
pn 0 = p0 n ⋅ exp  = 2,1 ⋅ 10 ⋅ exp

3
 = 5,231 ⋅ 1011 cm −3
UT   300 
 
 11600 
ZADATAK.7. Struja zasićenja neke pn-diode na T=300 K iznosi 1 pA. Serijski otpor
neutralnih p i n strana iznose redom 2 i 8 Ω. Koliki napon treba priključiti na stezaljke
diode da na zadanoj temperaturi kroz nju poteče struja 1 mA.
Rješenje:
Realnu diodu možemo prikazati kao idealnu diodu kojoj je u seriju spojen serijski otpor:
I
rS
+ -
U
Shockley-eva jednadžba uz m=1 opisuje strujno naponsku karakteristiku idelne diode. Uz

zadanu struju dio vanjskog napona bit će na pn-spoju (idealna dioda), a dio na serijskom
otporu diode. Možemo napisati:
U = U D + I ⋅ RS
UD možemo uz zadanu struju izračunati iz Shockley-eve jednadžbe
−3
 I  300  10 
U D = U T ⋅ ln  + 1 = ⋅ ln  −12 + 1 = 0,536 V
 IS  11600  10 
8
Napon koji treba priključiti jednak je
U = U D + I ⋅ RS = 0,536 + 10 −3 ⋅10 = 0,546 V
ZADATAK.8. Struja zasićenja neke pn-diode iznosi 1 pA. Serijski otpor diode iznosi 10
Ω. Koliki napon moramo priključiti na diodu da bi potekla struja
iD = 1,5 [mA] + 0,25 sin (ϖt ) [mA] ? Uzeti UT=25 mV.
Rješenje:
Realnu diodu u statičkim uvjetima rada (za istosmjerne napone) možemo prikazati
sljedećim nadomjesnim sklopom
I
rS
+ -
U
Istosmjerni napon na diodi jednak je
−3
 I   1,5 ⋅10 
U = U D + I ⋅ RS = U T ⋅ ln + 1 + I ⋅ RS = 25 ⋅ 10 −3 ⋅ ln −12
+ 1 + 1,5 ⋅ 10 −3 ⋅ 10 = 0,543 V
 IS   10 
Za mali izmjenični signal idelnu diodu predstavljamo dinamičkim otporom i gornja

shema izgleda:
rd rS
Dinamički otpor iznosi
U T 25 ⋅ 10 −3
rd ≅ = = 16,67 Ω
I 1,5 ⋅10 −3
Izmjenična komponenta struje generirat će na vanjskim priključcima diode napon:
u d = id ⋅ (rd + RS ) = 0,25 ⋅10 −3 ⋅ (16,67 + 10) = 6,67 mV
Prema tome na stezaljke diode treba priključiti napon:
u D = 0,543 [V ] + 6,67 ⋅ sin (ϖt ) [mV ]
9
ZADATAK.9. Na spoj dioda priključen je napon U=60 mV. Izračunati napone U1 i U2
ako su diode jednakih karakteristika i imaju rstruju zasićenja IS=10 pA. Uzeti UT= 25 mV
i m=1.
U1 U2
+ - + -
+ U -
Rješenje:
Shockley-eva jednadžba opisuje strujno-naponsku karakteristiku diode i napisana je za

sljedeći polaritet napona i smjer struje:
+ -
U
Prema tome za gornji spoj dioda možemo označiti struje:
U1 U2
+ - + -
X
ID1 ID2
ID3
+ U -
Pojedine struje možemo napisati kao (zbog U<3·UT jedinice u Shockley-evoj jednadžbi
ne smiju se zanemariti):
  U1  
I D1 = I S ⋅ exp   − 1

 UT  
 U2  
I D 2 = I S ⋅ exp  − 1

  UT  
  −U2  
I D 3 = I S ⋅ exp  − 1

  UT  
10
Za čvor X možemo napisati:
I D1 + I D3 = I D 2
Za napone vrijedi:
U = U1 + U 2 ⇒ U1 = U − U 2
Uvrštenjem struja dobivamo:
 U− U1     −U2    U  
I S ⋅ exp  − 1 + I S ⋅ exp 
 
 − 1 = I S ⋅ exp  2
 U
 − 1

  UT     UT     T  
IS su jednake pa se može napisati:
U 
exp 

UT  1 U2 
−1+ − 1 = exp  −1

 U1  U  UT 
exp 
 exp 2 

UT  UT 
Uz supstituciju exp U 2  = x gornja jednadžba prelazi u:

 
 UT 
U 
exp 

U
 T  1
+ = x + 1,
x x
odnosno
 U  
x 2 + x −  exp   + 1 = 0
 
 UT  
Uvrštenjem U dobivamo:
x 2 + x − 12 = 0 ⇒ x1 = 3
x2 = − 4
Prihvatljivo rješenje je x1=3 što daje:
 U  = 3 ⇒
exp  U 2
T
 U 2 = 27,47 mV , U 1 = 32,53 mV
11
Zadaci za vježbu
VJ.1. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=300 K u stanju
ravnoteže (napon na pn spoju je U=0 V). Koncentracije dopanada na p i n strani su
NA=5·1017 cm-3 i ND=10 16 cm-3. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina
pn-spoja S=25 µm2?
Rješenje: dB=0,324 µ m, CB=7,98 fF
VJ.2. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=300 K uz napon

na pn spoju U= - 3 V. Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=5·1016 cm-3 i ND=1015
cm-3. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina pn-spoja S=50 µm2?
Rješenje: dB=2,2 µ m, CB=2,35 fF
VJ.3. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=300 K uz napon

na pn spoju U=0,3 V. Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=5·1016 cm-3 i ND=1015
cm-3. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina pn-spoja S=50 µm2?
Rješenje: dB=0,71 µm, CB=7,34 fF
VJ.4. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=350 K u stanju

ravnoteže (napon na pn spoju je U=0 V). Koncentracije dopanada na p i n strani su
NA=5·1017 cm-3 i ND=5 ·1015 cm-3. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina
pn-spoja S=100 µm2?
VJ.5. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=350 K uz na pn

spoju U= - 2 V. Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=5·1017 cm-3 i ND=5·1015 cm-
3
. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina pn-spoja S=100 µm2?
VJ.6. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5·1017 cm-3 i NA=1016 cm-3.
Parametri manjinskih nosilaca su µn=800 cm2/Vs, µp=280 cm2/Vs, τn=0,8 µs, τp=0,5 µs.
Površina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K. Vrijedi
wn>>Lp i wp>>Ln. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi napon U=0,6 V?
Pretpostaviti m=1
Rješenje: IS=1,74·10-13 A, I=2,1 mA
Površina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=350 K. Vrijedi
wn>>Lp i wp>>Ln. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi napon U=0,6 V?
Pretpostaviti m=1
12
Rješenje: IS=2,2 ·10-10 A, I=94,8 mA
Površina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K. Vrijedi
Lp>>wn=1,5 µm i Ln>> wp=2 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi
Rješenje: IS=4,02·10-13 A, I=0,1 mA
Lp>>wn=1,5 µm i Ln>> wp=2 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi
Rješenje: IS=5,1 ·10-10 A, I=8 mA
VJ.10. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5·10 17 cm-3 i NA=1016 cm-
3
. Parametri manjinskih nosilaca su µn=800 cm2/Vs, µp=280 cm2/Vs, τn=0,8 µs, τp=0,4 µs.
Lp>>wn=2 µm i Ln<< wp. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi napon
Rješenje: IS=1,95·10-14 A, I=4,87 µA
VJ.11. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=10 16 cm-3 i NA=5·1017 cm-
3
. Parametri manjinskih nosilaca su µn=500 cm2/Vs, µp=350 cm2/Vs, τn=0,4 µs, τp=0,8 µs.
Lp>>wn=2 µm i Ln<< wp. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi napon
Rješenje: IS=1,53·10-13 A, I=38 µA
VJ.12. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5·10 15 cm-3 i N A=5 ·1017
cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=500 cm2/Vs, µp=300 cm2/Vs, τn=0,5 µs, τp=1
µs. Površina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K. Vrijedi
Lp<<wn µm i Ln>> wp=1 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi
Rješenje: IS=2,74·10-14 A, I=6,84 µA
VJ.13. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5·10 15 cm-3 i N A=5 ·1017
cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=400 cm2/Vs, µp=250 cm2/Vs, τn=0,5 µs, τp=1
µs. Površina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=350 K. Vrijedi
13
Lp<<wn µm i Ln>> wp=1 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi
Rješenje: IS=3,11·10-11 A, I=0,49 mA
VJ.14. Struja zasićenja neke pn-diode iznosi 10 pA. Serijski otpor neutralnih p i n strana
iznose redom 5 i 10 Ω. Koliki napon treba priključiti na stezaljke diode da kroz nju
poteče struja 10 mA. T=300 K.
Rješenje: U=0,686 V
VJ.15. Struja zasićenja neke pn-diode na T=350 iznosi 1 nA. Serijski otpor neutralnih p i
n strana iznose redom 5 i 10 Ω. Koliki napon treba priključiti na stezaljke diode da na
zadanoj temperaturi kroz nju poteče struja 10 mA.
Rješenje: U=0,636 V
VJ.16. Struja zasićenja neke pn-diode iznosi 10 pA. Serijski otpor diode iznosi 15 Ω.
Koliki napon moramo priključiti na diodu da bi potekla struja
iD = 1,5 [mA] + 0,25 sin (ϖt ) [mA] ? Uzeti T=300 K.
Rješenje: uD=0,509 [V]+8,1·sin(ωt) [mV]
VJ.17. Struja zasićenja neke pn-diode iznosi 10 pA. Serijski otpor diode iznosi 12 Ω.
Koliki napon moramo priključiti na diodu da bi potekla struja
iD = 2,5 [mA] + 0,35 sin(ϖt ) [mA] ? Uzeti T=300 K.
Rješenje: uD=0,53 [V]+7,8·sin(ωt) [mV]
VJ.18. Na spoj dioda priključen je napon U=65 mV. Izračunati napone U1 i U2 ako za
struje zasićenja dioda vrijedi IS1=IS2=10 pA i IS3=20 pA. Uzeti UT= 25 mV i m=1.
U1 U2
+ - + -
D1 D2
D3
+ U -
Rješenje: U2=27,94 mV; U1=37,06 mV
14
SKLOPOVI S DIODOM
ZADATAK.1. Za poluvalni ispravljač s kapacitivnim opterećenjem izračunati srednju

vrijednost napona trošila UIZ i faktor valovitosti r. Zadano je RT=100Ω, C=2,2mF, efektivni
napon primara Upef=230V, frekvencija napona primara f=50Hz i omjer transformacije
transformatora n=25.
n:1 D
+ + +
up us C RT uIZ
- - -
Rješenje:
Amplituda napona na sekundaru jednaka je:
2 ⋅ U pef 2 ⋅ 230
U sm = = = 13V
n 25
U izm = U sm = 13V
τ = RT C = 100 ⋅ 2,2 ⋅ 10 −3 = 220 ms
T = 1 / f = 1 / 50 = 20 ms
Amplituda napona valovitosti na trošilu je:
T 20
U izvm = U izm = 13 ⋅ = 591 mV
2τ 2 ⋅ 220
U IZ = U izm − U izvm = 13 − 0,591 = 12,42 V
U izvm 591
U izvef = = = 341 mV
3 3
U izvef 0,341
r= = = 0,0275
U IZ 12,42
ZADATAK.2. Za punovalni ispravljač s dvije diode s kapacitivnim opterećenjem izračunati
srednju vrijednost napona trošila UIZ i faktor valovitosti r. Zadano je RT=50Ω, C=4,7mF,
efektivni napon primara Upef=230V, frekvencija napona primara f=50Hz i omjer
transformacije transformatora n=30.
n:1
+ +
us D1
-
up
+ +
us
D2 C RT uIZ
- -
-
Rješenje:
2 ⋅ U pef 2 ⋅ 230
U sm = = = 10,84V
n 30
U izm = U sm = 10.84V
τ = RT C = 50 ⋅ 4,7 ⋅ 10 −3 = 235 ms
T = 1 / f = 1 / 50 = 20 ms
Amplituda napona valovitosti na trošilu je:
T 20
U izvm = U izm = 10,84 ⋅ = 230,7 mV
4τ 4 ⋅ 235
U IZ = U izm − U izvm = 10,84 − 0,2307 = 10,61 V
U izvm 230,7
U izvef = = = 133 mV
3 3
U izvef 0,133
r= = = 0,0126
U IZ 10,61
ZADATAK.3. Za punovalni ispravljač u Graetzovom spoju odrediti C i srednju vrijednost
napona trošila UIZ tako da faktor valovitosti iznosi r=10-3. Zadano je RT=1kΩ, amplituda
napona primara Upm=250V, frekvencija napona primara f=50Hz i omjer transformacije
n:1
+ + D1 D2
up us
- -
+
D3 D4 C RT uIZ
Rješenje:
U pm 250
U sm = = = 25V
n 10
U izm = U sm = 25V
Faktor valovitosti se može izračunati prema izrazu:
U izvef
r= = 10 −3
U IZ
gdje je Uizvef efektivna vrijednost napona valovitosti:
T
U izm
4 C ⋅ RT U izm
U izvef = =
3 4 3 ⋅ C ⋅ RT ⋅ f
i UIZ srednja vrijednost izlaznog napona:
1 4 ⋅ C ⋅ RT ⋅ f − 1
U IZ = U izm − U izvm = U izm − U izm = U izm
4 ⋅ C ⋅ RT ⋅ f 4 ⋅ C ⋅ RT ⋅ f
Uvrštavanjem dvaju predhodnih izraza u izraz za faktor valovitosti dobivamo:
U izm
4 3 ⋅ C ⋅ RT ⋅ f 1 1
r= = ⋅ = 10 −3
4 ⋅ C ⋅ RT ⋅ f − 1 3 4 ⋅ C ⋅ R ⋅ f − 1
U izm T
4 ⋅ C ⋅ RT ⋅ f
Iz gornjeg izraza slijedi:
1+ 3 ⋅ r 1 + 3 ⋅10−3
C= = = 2,89mF
4 3 ⋅ r ⋅ RT ⋅ f 4 3 ⋅10−3 ⋅103 ⋅ 50
Srednja vrijednost izlaznog napona iznosi UIZ=24,96V.
ZADATAK.4. Analizirati odziv restauratora na napon uG. U istom dijagramu nacrtati napon
uG i izlazni napon uIZ. Zadano je: Rg=50Ω, C=100nF, RT=10kΩ i dinamički otpor diode
rd=10Ω. Napon na kondenzatoru u t=0ms je UC0=0V. Analizirati prijelaznu pojavu.
Rg C uG,V
+ U1=5
uG D RT uIZ
-
0 0,5 1 t,ms
1,5 2
Rješenje:
U trenutku t=0+ napon uG=5V te se mreža može prikazati slikom:
Rg uC
+ -
+
+
5V UC0 rd RT uIZ
Ako analiziramo paralelni spoj otpora rd i RT možemo zaključiti da je rd RT = rd jer je

rd<<RT. U daljnjem ćemo tekstu to uzeti u obzir.
Iz gornje slike u trenutku t=0+ naponi iznose:
uG (0 + ) = 5 V
u C (0 + ) = U C 0 = 0 V
rd
u IZ (0 + ) = U IZ 0 = ⋅ (U 1 − U C 0 ) = (5 − 0) = 0,833 V
10
rd + R g 10 + 50
Za napon na kondenzatoru u vremenu od 0ms do 0,5ms vrijedi:
 −
t

u C (t ) = U C 0 + (U 1 − U C 0 ) ⋅ 1 − e τ1 
 
 
gdje je τ1 vremenska konstanta mreže i iznosi τ 1 = C ⋅ (Rg + rd ) = 100 ⋅ 10 −9 ⋅ (50 + 10) = 6 µs .

Napon na izlazu može se prikazati sljedećim izrazom:
rd rd   −
t
 −
t
u IZ (t ) = ⋅ (U 1 − u C (t )) = ⋅ U 1 − U C 0 − (U 1 − U C 0 ) ⋅ 1 − e
  τ1   = rd ⋅ (U 1 − U C 0 ) ⋅ e τ1
rd + R g rd + R g     rd + R g
  
U trenutku t=0,5- iznosi napona su sljedeći:
u G (0,5 − ) = 5V
−3
 −
0 , 5⋅10 
u C (0,5 − ) = U C1 = 0 + (5 − 0) ⋅ 1 − e 6⋅10
  = 5V
−6
 
 
0 , 5⋅10 −3
−
u IZ (0,5 − ) = U IZ 1 ⋅ (5 − 0 ) ⋅ e 6⋅10 = 0V
10
=
−6
10 + 50
U trenutku t=0,5+ napon uG padne s 5V na 0V i dioda je zaporno polarizirana (rd~∞).

Nadomjesna shema sklopa sada je
Rg uC
+ -
+
+
UC1 RT uIZ
-
Prema tome naponi u trenutku t=0,5+ iznose:
u G (0,5 + ) = 0V
u C (0,5 + ) = U C 2 = U C1 = 5V
u IZ (0,5 + ) = U IZ 2 = ⋅ (− U C 2 ) = ⋅ (− 5) = −4,975V
RT 10000
RT + R g 10000 + 50
Za napon na kondenzatoru u vremenu od 0,5ms do 1ms vrijedi:
−3 −3
 −
t − 0 , 5⋅10  −
t − 0 , 5⋅10
u C (t ) = U C 2 + (0 − U C 2 ) ⋅ 1 − e τ 2
  = U ⋅ e τ2
  C2
 
gdje je τ2 vremenska konstanta mreže i iznosi

τ 2 = C ⋅ (Rg + RT ) = 100 ⋅ 10 −9 ⋅ (50 + 10000) = 1,005ms .
t − 0 , 5⋅10 −3
−
u IZ (t ) = ⋅ (− u C (t )) = −
RT RT τ2
⋅U C2 ⋅ e
RT + Rg RT + R g
U trenutku t=1- iznosi napona su sljedeći:
u G (1− ) = 0V
0 , 5⋅10 −3
−
u C (1− ) = U C 3 = 5 ⋅ e 1, 005⋅10 − 3
= 3,04V
0 , 5⋅10 −3
−
u IZ (1− ) = U IZ 3
10000 −3
=− ⋅ 5 ⋅ e 1, 005⋅10 = 3,025V
10000 + 50
U trenutku t=1+ napon uG poraste s 0V na 5V, dioda vodi i mreža se može prikazati slikom:
Rg uC
+ -
+
+
5V UC3 rd RT uIZ
-
Prema tome naponi u trenutku t=1+ iznose:
u G (1+ ) = 5V
u C (1+ ) = U C 4 = U C 3 = 3,04V
rd
u IZ (1+ ) = U IZ 4 = ⋅ (U 1 − U C 3 ) = ⋅ (5 − 3,04 ) = 0,33V
10
rd + R g 10 + 50
Za napon na kondenzatoru u vremenu od 1ms do 1,5ms vrijedi:
−3
 −
t −10 
u C (t ) = U C 4 + (U 1 − U C 4 ) ⋅ 1 − e τ 1 
 
 
t −10 −3
rd −
u IZ (t ) = ⋅ (U 1 − U C 4 ) ⋅ e τ 1
rd + R g
U trenutku t=1,5- iznosi napona su sljedeći:
u G (1,5 − ) = 5V
−3
 −
0 , 5⋅10 
u C (1,5 − ) = U C 5 = 3,04 + (5 − 3,04) ⋅ 1 − e 6⋅10
  = 5V
−6
 
 
0 ,5⋅10 −3
−
u IZ (1,5 − ) = U IZ 5 ⋅ (5 − 3,04 ) ⋅ e 6⋅10 = 0V
10
=
−6
10 + 50
Naponi UC1 i UC5 (UIZ1 i UIZ5) jednaki su što znači da smo došli u stacionarno stanje i tu ćemo
završiti analizu jer će se u slučaju daljnjeg računanja rezultati ponavljati.
u,V uiz
ug
5
0,833
0,33
0,5 1 1,5 2 t,ms
-3,025
-5
Zadaci za vježbu
VJ.1. Za poluvalni ispravljač odrediti C i srednju vrijednost napona trošila UIZ tako da faktor
valovitosti iznosi r=10-3. Zadano je RT=1kΩ, amplituda napona primara Upm=250V,
frekvencija napona primara f=50Hz i omjer transformacije transformatora n=10.
n:1 D
+ + +
up us C RT uIZ
- - -
Rješenje: C=5,8mF;UIZ=24,96V
VJ.2. Za poluvalni ispravljač odrediti C i faktor valovitosti iznosi r tako da srednja vrijednost
napona trošila bude UIZ =21V. Zadano je RT=560Ω, efektivni napon primara Upef=150V,
frekvencija napona primara f=50Hz i omjer transformacije transformatora n=10.
n:1 D
+ + +
up us C RT uIZ
- - -
Rješenje: C=1,8mF;r=0,005862V
VJ.3. Za poluvalni ispravljač s kapacitivnim opterećenjem izračunati srednju vrijednost

napona trošila UIZ i faktor valovitosti r. Zadano je RT=220Ω, C=1mF, amplituda napona
primara Upm=325V, frekvencija napona primara f=50Hz i omjer transformacije transformatora
n=20.
n:1 D
+ + +
up us C RT uIZ
- - -
Rješenje: r=0,0275;UIZ=15,52V
VJ.4. Za punovalni ispravljač s dvije diode odrediti C i srednju vrijednost napona trošila UIZ
tako da faktor valovitosti iznosi r=10-3. Zadano je RT=1kΩ, amplituda napona primara
Upm=250V, frekvencija napona primara f=50Hz i omjer transformacije transformatora n=10.
n:1
+ +
us D1
-
up
+ +
us
D2 C RT uIZ
- -
-
VJ.5. Za punovalni ispravljač s dvije diode odrediti C i faktor valovitosti iznosi r tako da
srednja vrijednost napona trošila bude UIZ =21V. Zadano je RT=560Ω, efektivni napon
primara Upef=150V, frekvencija napona primara f=50Hz i omjer transformacije transformatora
n=10.
n:1
+ +
us D1
-
up
+ +
us
D2 C RT uIZ
- -
-
Rješenje: C=888µF;r=0,005862V
VJ.6. Za punovalni ispravljač s dvije diode s kapacitivnim opterećenjem izračunati srednju

vrijednost napona trošila UIZ i faktor valovitosti r. Zadano je RT=220Ω, C=1mF, amplituda
napona primara Upm=325V, frekvencija napona primara f=50Hz i omjer transformacije
n:1
+ +
us D1
-
up
+ +
us
D2 C RT uIZ
- -
-
VJ.7. Za punovalni ispravljač u Graetzovom spoju odrediti C i srednju vrijednost napona
trošila UIZ tako da faktor valovitosti iznosi r=0,005. Zadano je RT=330Ω, amplituda napona
n=15.
n:1
+ + D1 D2
up us
- -
+
D3 D4 C RT uIZ
VJ.8. Za punovalni ispravljač u Graetzovom spoju odrediti C i faktor valovitosti iznosi r tako
da srednja vrijednost napona trošila bude UIZ =11V. Zadano je RT=300Ω, amplituda napona
n=30.
n:1
+ + D1 D2
up us
- -
+
D3 D4 C RT uIZ
Rješenje: C=292µF;r=0,0035V
VJ.9. Za punovalni ispravljač u Graetzovom spoju s kapacitivnim opterećenjem izračunati

srednju vrijednost napona trošila UIZ i faktor valovitosti r. Zadano je RT=500Ω, C=4,7mF,
amplituda napona primara Upm=250V, frekvencija napona primara f=50Hz i omjer
transformacije transformatora n=25.
n:1
+ + D1 D2
up us
- -
+
D3 D4 C RT uIZ
Unipolarni tranzistori - MOSFET
ZADATAK.1. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u području zasićenja prikazana je na

slici.
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaćeni ili osiromašeni) i obrazložiti.

b) Kolika je struja u točki B
ID, [mA]
A
0,25
0,5 1 1,5 2
UGS, [V]
Rješenje:
a)
Kako UGS postaje pozitivniji ID raste → radi se o n-kanalnom MOSFET-u
Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi UGS0=0,5 V. Uz napon UGS=0 V kanal nije
formiran (ID=0) → obogaćeni tip (radi samo s jednim predznakom napona
upravljačke elektrode)
b) U točki A vrijedi:
I DA = 0,25 mA, U GSA = 1,5 V
Iz karakteristike se još može očitati napon praga
U GS 0 = 0,5 V
U zasićenju vrijedi:
⋅ (U GS − U GS 0 )
K
ID =
2
2
Pa iz podataka za točku A možemo izračunati konstantu MOSFET-a:
2 ⋅ I DA 2 ⋅ 0,25
K= = = 0,5 mA V 2
(U GSA − U GS 0 )2 (1,5 − 0,5)2
1
Za točku B vrijedi da je
U GSB = 2 V
Konstantu MOSFET-a i UGS0 znamo iz točke A pa možemo izračunati struju:
⋅ (U GSB − U GS 0 ) = ⋅ (2 − 0,5) = 0,5625 mA

K 0,5
I DB =
2 2
2 2
Napomena:
prijenosne karakteristike crtaju se za konstantni napon UDS
I IZ = f (UUL ) U IZ = konst .
odnosno I D = f (U GS ) U DS = konst .
Prema tome, faktor λ nam nije interesantan kod proračuna struja iz prijenosnih
karakteristika jer je faktor (1 + λ ⋅U DS ) konstantan za sve točke na karakteristici.

slici.

ID, [mA]
0,2
-1 - 0,5 0,5
UGS, [V]
Rješenje:
a)
Kako UGS postaje pozitivniji ID raste → radi se o n-kanalnom MOSFET-u
Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi UGS0= - 1 V. Uz napon UGS=0 V kanal je

formiran (ID=0,2 mA) → osiromašeni tip (radi s dva predznaka napona upravljačke
elektrode)
2
b) Prva radna točka je
I D = 0,2 mA, U GS = 0 V
U GS 0 = −1 V
⋅ (U GS − U GS 0 )
K
ID =
2
2
2⋅ ID 2 ⋅ 0,2
K= = = 0,4 mA V 2
(U GS − U GS 0 )
2
(0 − 1)2
U GSB = 0,5 V
⋅ (U GSB − U GS 0 ) = ⋅ (0,5 − (− 1)) = 0,45 mA

K 0,4
I DB =
2 2
2 2

slici.
c) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaćeni ili osiromašeni) i obrazložiti.

d) Kolika je struja u točki B
ID, [mA]
-2 -1 0 1 UGS, [V]
-0,2
3
Rješenje:
a)
Kako UGS postaje negativniji iznos struje ID raste → radi se o p-kanalnom MOSFET-u
Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi UGS0=1 V. Uz napon UGS=0 V kanal je formiran
(ID= - 0,2 mA) → osiromašeni tip (radi s dva predznaka napona upravljačke
elektrode)
b) Prva radna točka je
I D = −0,2 mA, U GS = 0 V
U GS 0 = 1 V
⋅ (U GS − U GS 0 )
K
ID =
2
2
2 ⋅ ID 2 ⋅ (− 0,2 )
K= = = −0,4 mA V 2
(U GS − U GS 0 )
2
(0 − 1) 2
U GSB = −2 V
− 0,4
⋅ (U GSB − U GS 0 ) = ⋅ (− 2 − 1) = −1,8 mA
K
I DB =
2 2
2 2

slici.
e) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaćeni ili osiromašeni) i obrazložiti.

f) Kolika je struja u točki B
4
ID, [mA]
UGS, [V]
-4 -2 -1 0
- 0,1
A
Rješenje:
a)
Kako UGS postaje negativniji iznos struje ID raste → radi se o p-kanalnom MOSFET-u
Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi UGS0= - 1 V. Uz napon UGS=0 V kanal nije
formiran (ID=0 mA) → obogaćeni tip (radi s jednim predznakom napona
I DA = −0,1 mA, U GS = −2 V
U GS 0 = −1 V
⋅ (U GS − U GS 0 )
K
ID =
2
2
2⋅ ID 2 ⋅ (− 0,1)
K= = = −0,2 mA V 2
(U GS − U GS 0 )
2
(− 2 − (− 1))2
U GSB = −4 V
− 0,2
⋅ (U GSB − U GS 0 ) = ⋅ (− 4 − (− 1)) = −0,9 mA
K
I DB =
2 2
2 2
5
ZADATAK.5. Za n-kanalni MOSFET uz UDS=3 V i UGS-UGS0=1 V struja odvoda iznosi
ID=0,5 mA. Kolika struja odvoda teče ako uz isti UGS napon UDS padne na 0,5 V. Pretpostaviti
λ=0.
Rješenje:
U prvoj zadanoj točki vrijedi:
I D = 0,5 mA
U DS = 3 V > U GS − U GS 0 = 1 V → MOSFET je u području zasićenja
Uz λ=0 u zasićenju za struju odvoda vrijedi:
⋅ (U GS − U GS 0 )
K
ID =
2
2
Iz čega možemo izračunati konstantu MOSFET-a
2 ⋅ ID 2 ⋅ (0,5)
K= = = 1 mA V 2
(U GS − U GS 0 )2 12
U drugoj zadanoj točki vrijedi:
U DS = 0,5 V < U GS − U GS 0 = 1 V → MOSFET je u triodnom području
Za struju odvoda u zadanoj točki računamo:
 U2   0,5 2 
I D = K ⋅ (U GS − U GS 0 ) ⋅ U DS − DS  = 1 ⋅ 1 ⋅ 0,5 −  = 0,375 mA
 2   2 
ZADATAK.6. Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Pretpostaviti

λ=0.
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaćeni ili osiromašeni)

b) odrediti struju u točki C
ID, [mA]
UGS=2 V
B UGS=1,5 V
1
A UGS=1 V
0,25
0,5
UDS, [V]
6
Rješenje:
a) Kako UGS postaje pozitivniji ID raste → radi se o n-kanalnom MOSFET-u
b) Za točku A imamo:
I DA = 0,25 mA , U GSA = 1 V
Za točku B imamo:
I DB = 1 mA , U GSB = 1,5 V
Obje točke se nalaze u području zasićenja te za struje odvoda pišemo:
⋅ (U GSA − U GS 0 )
K
I DA =
2
(1)
2
⋅ (U GSB − U GS 0 )
K
I DB =
2
(2)
2
Imamo dvije jednadžbe s dvije nepoznanice – K i UGS0

Ako npr. podijelimo (1) i (2) te izvadimo korijen dobijemo:
(U GSB − U GS 0 ) ⋅ I DA
= (U GSA − U GS 0 )
I DB
Nakon kraćeg računa možemo dobiti

I
U GSA − U GSB ⋅ DA
I DB 1 − 1,5 ⋅ 0,25 0,25
U GS 0 = = = = 0,5 V
 I DA  1 − 0,25 0,5
1 − 
 I 
 DB 
Napon praga je UGS0=0,5 V odnosno uz UGS=0 V kanal nije formiran te u ovom trenutku
možemo zaključiti da se radi o MOSFET-u obogaćenog tipa.
Npr. iz (1) možemo izračunati konstantu MOSFET-a:
2 ⋅ I DA 2 ⋅ (0,25)
K= = = 2 mA V 2
(U GSA − U GS 0 ) 2
(1 − 0,5) 2
Točka C je u triodnom području što se vidi iz izlazne karakteristike:
U DS = 0,5 V < U GS − U GS 0 = 2 − 0,5 = 1,5 V → triodno područje
Struja u točki C je:
7
 U2   0,5 2 
I DC = K ⋅ (U GS − U GS 0 ) ⋅U DS − DS  = 2 ⋅ (2 − 0,5) ⋅ 0,5 −  = 1,25 mA
 2   2 
ZADATAK.7. Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Pretpostaviti

λ=0.

b) Odrediti struju u točki C
ID, [mA]
UGS= - 4 V
B UGS= - 3 V
-1
A UGS= - 2 V
- 0,25
-1
UDS, [V]
Rješenje:
a) Kako UGS postaje negativniji ID raste → radi se o p-kanalnom MOSFET-u
b) Za točku A imamo:
I DA = −0,25 mA , U GSA = −2 V
Za točku B imamo:
I DB = −1 mA , U GSB = −3 V
Obje točke se nalaze u području zasićenja te za struje odvoda pišemo:
⋅ (U GSA − U GS 0 )
K
I DA =
2
(1)
2
⋅ (U GSB − U GS 0 )
K
I DB =
2
(2)
2
Imamo dvije jednadžbe s dvije nepoznanice – K i UGS0
8
Ako npr. podijelimo (1) i (2) te izvadimo korijen dobijemo:
(U GSB − U GS 0 ) ⋅ I DA
= (U GSA − U GS 0 )
I DB
Nakon kraćeg računa možemo dobiti

I
U GSA − U GSB ⋅ DA
I DB − 2 − (− 3) ⋅ 0,25 − 0,5
U GS 0 = = = = −1 V
 I DA  1 − 0,25 0,5
1 − 
 I 
 DB 
Napon praga je UGS0= - 1 V odnosno uz UGS=0 V kanal nije formiran te u ovom trenutku
možemo zaključiti da se radi o MOSFET-u obogaćenog tipa.
Npr. iz (1) možemo izračunati konstantu MOSFET-a:
2 ⋅ I DA 2 ⋅ (− 0,25)
K= = = −0,5 mA V 2
(U GSA − U GS 0 ) (− 2 − (− 1))
2 2
Točka C je u triodnom području što se vidi iz izlazne karakteristike:
U DS < U GS − U GS 0 → triodno područje
− 0,5 V < − 4 − (− 1) = − 3 V
 U2  
I DC = K ⋅ (U GS − U GS 0 ) ⋅ U DS − DS  = −0,5 ⋅ (− 4 − (− 1)) ⋅ (− 1) −
(− 1)2  = −1,25 mA

 2   2 
ZADATAK.8. Projektirati n-kanalni MOSFET tako da strmina tranzistora u zasićenju uz

UGS=1,5 V iznosi gm=1 mA/V, a da pri tome kapacitet upravljačke elektrode bude CG<10 fF.
Napon praga iznosi UGS0=0,5 V, debljina oksida je tox=25 nm, a pokretljivost elektrona u
kanalu µn=380 cm2/Vs.
Rješenje:
Potrebno je odrediti duljinu i širinu kanala. Strmina tranzistora u zasićenju jednaka je:
g m = K ⋅ (U GS − U GS 0 )
Da bi postigli zadanu strminu uz zadani ulazni napon (UGS) treba nam MOSFET koji ima
konstantu:
9
gm 1
K= = = 1 mA V 2
(U GS − U GS 0 ) 1,5 − 0,5
Konstanta MOSFET-a može se izračunati iz tehnoloških parametara i ovisi o dimenzijama
kanala preko kojih se može podesiti:
ε ox W
K = µn ⋅ ⋅
t ox L
Drugi zahtjev je da kapacitet upravljačke elektrode bude CG<10 fF. Za kapacitet vrijedi:
ε ox ε ox W K
CG = ⋅W ⋅ L = ⋅ ⋅ L2 = ⋅ L2
t ox t ox L µn
Iz toga slijeda da za zadani kapacitet duljina kanala mora biti:
µ n ⋅ CG 380 ⋅10 ⋅10 −15

L= = = 0,616 µm
K 10 −3
Iz jedne od gornje dvije jednadžbe možemo izračunati širinu kanala:
CG ⋅ t ox 10 ⋅10 −15 ⋅ 0,025 ⋅10 −4

W= = = 11,75 µm
ε ox ⋅ L 3,9 ⋅ 8,854 ⋅10 −14 ⋅ 0,616 ⋅10 −4
ZADATAK.9. Prijenosna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Faktor

modulacije duljine kanala iznosi λ=10-2 V-1.

b) Izračunati struju i dinamičke parametre u točki B.
ID, [mA]
UDS=5 V
B
A
0,1
0,5 1 1,5 2
UGS, [V]
Rješenje:
10
Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi UGS0=0,5 V. Uz napon UGS=0 V kanal nije
formiran (ID=0) → obogaćeni tip (radi samo s jednim predznakom napona
I DA = 0,1 mA, U GSA = 1,5 V , U DSA = 5 V U DS > U GS − U GS 0 ZASIĆENJE
U GS 0 = 0,5 V
⋅ (U GS − U GS 0 ) ⋅ (1 + λ ⋅ U DS )
K
ID =
2
Pa iz podataka za točku A možemo izračunati:
2 ⋅ I DA 2 ⋅ 0,1
K ⋅ (1 + λ ⋅ U DS ) = = = 0,2 mA V 2
(U GSA − U GS 0 )
2
(1,5 − 0,5) 2
U GSB = 2 V , U DSB = 5 V U DS > U GS − U GS 0 ZASIĆENJE
K ⋅ (1 + λ ⋅ U DS ) i UGS0 znamo iz prethodnog dijela zadatka pa možemo izračunati struju:
K ⋅ (1 + λ ⋅U DS )
⋅ (U GSB − U GS 0 ) = ⋅ (2 − 0,5) = 0,225 mA
0,2
I DB =
2 2
2 2
Dinamički parametri:
∂iD
g mB = = K ⋅ (1 + λ ⋅ U DSB ) ⋅ (U GSB − U GS 0 ) = 0,2 ⋅ (2 − 0,5) = 0,3 mA V
∂uGS U DSB
∂iD K ⋅λ K ⋅λ 2 (1 + λ ⋅ U DSB ) I DB
⋅ (U GSB − U GS 0 ) = ⋅ (U GSB − U GS 0 ) ⋅
0,225
g dB = = = = = 2,14 µS
2
∂u DS U GSB
2 2 (1 + λ ⋅ U DSB ) U DSB +
1
5+
1
λ 0,01
1
rdB = = 467 kΩ
g dB
µ B = g mB ⋅ rdB = 0,3 ⋅ 467 = 140
11
ZADATAK.10. Prijenosna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Faktor
modulacije duljine kanala iznosi λ= - 10-2 V-1.

ID, [mA]
-3 -2 -1 0 1 UGS, [V]
-0,2
B
UDS= - 3 V
Rješenje:
a) Kako UGS postaje negativniji ID raste → radi se o p-kanalnom MOSFET-u
Napon praga (vidi se na karakteristici) iznosi UGS0=1 V. Uz napon UGS=0 V kanal je formiran
(ID≠0) → osiromašeni tip (radi s dva predznaka napona upravljačke elektrode)
I DA = −0,2 mA, U GSA = 0 V , U DSA = −3 V U DS > U GS − U GS 0 ZASIĆENJE
U GS 0 = 1 V
⋅ (U GS − U GS 0 ) ⋅ (1 + λ ⋅ U DS )
K
ID =
2
Pa iz podataka za točku A možemo izračunati:
2 ⋅ I DA 2 ⋅ (− 0,2 )
K= = = −0,388 mA V 2
(1 + λ ⋅U DS ) ⋅ (U GSA − U GS 0 ) 2
(1 + (− 0,01) ⋅ (− 3) ⋅) ⋅ (0 − 1)2
U GSB = −3 V , U DSB = −3 V U DS < U GS − U GS 0 TRIODNO PODRUČJE
12
K i UGS0 znamo iz točke A pa možemo izračunati struju:
 U2  
I DB = K ⋅ (U GSB − U GS 0 ) ⋅ U DS − DS  = −0,388 ⋅ (− 3 − 1) ⋅ (− 3) −
(− 3)2  = −2,91 mA

 2   2 
Dinamički parametri u točki B su:
∂iD
g mB = = K ⋅ U DSB = −0,388 ⋅ (− 3) = 1,164 mA V
∂uGS U DSB
∂iD
g dB = = K ⋅ (U GSB − U GS 0 − U DSB ) = −0,388 ⋅ (− 3 − 1 − (− 3)) = 0,388 mS
∂u DS U GSB
1
rdB = = 2,58 kΩ
g dB
µ B = g mB ⋅ rdB = 1,164 ⋅ 2,58 = 3
ZADATAK.11. Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Napon praga

tranzistora iznosi UGS0=0,5 V. Struje u točkama A i B iznose IDA=1 mA i IDB=1,01 mA.

b) odrediti struju i dinamičke parametre u točki C.
ID, [mA]
UGS=2 V
A B
UGS=1,5 V
UGS=1 V
0,5 2 3
UDS, [V]
Rješenje:
Napon praga iznosi UGS0=0,5 V. Uz napon UGS=0 V kanal nije formiran (ID=0) →
obogaćeni tip (radi samo s jednim predznakom napona upravljačke elektrode)
b) Točke A i B su u zasićenju jer vrijedi U DS > U GS − U GS 0
13
Iz te dvije točke možemo izračunati faktor modulacije duljine kanala.
⋅ (1 + λ ⋅U DSB ) ⋅ (U GSB − U GS 0 )
K 2
I DB
= 2
I DA K ⋅ (1 + λ ⋅U ) ⋅ (U − U )2
DSA GSA GS 0
2
Vrijedi da je UGSA=UGSB pa se može napisati:
I DB (1 + λ ⋅ U DSB )
=
I DA (1 + λ ⋅ U DSA )
Kraćim računanjem dobivamo:
I DB − I DA 1,01 − 1
λ= = = 10,2 ⋅10 −3 V −1
I DA ⋅ U DSB − I DB ⋅ U DSA 1 ⋅ 3 − 1,01 ⋅ 2
Npr. iz točke A možemo izračunati konstantu MOSFET-a
{ I DA = 1 mA, U GSA = 1,5 V , U DSA = 2 V }

2 ⋅ I DA 2 ⋅1
K= = = 1,96 mA V 2
(1 + λ ⋅U DS ) ⋅ (U GSA − U GS 0 ) 2
( )
1 + 10,2 ⋅10 ⋅ 2 ⋅ (1,5 − 0,5)
−3 2
{ U GSC = 2 V , U DSC = 0,5 V }
 U2  
I DC = K ⋅ (U GSC − U GS 0 ) ⋅ U DSC − DSC  = 1,96 ⋅ (2 − 0,5) ⋅ (0,5) −
(0,5)2  = 1,225 mA

 2   2 
Dinamički parametri u točki C:
∂iD
g mC = = K ⋅ U DSC = 1,96 ⋅ (0,5) = 0,98 mA V
∂uGS U DSC
∂iD
g dC = = K ⋅ (U GSC − U GS 0 − U DSC ) = 1,96 ⋅ (2 − 0,5 − 0,5) = 1,96 mS
∂u DS U GSC
1
rdC = = 510 Ω
g dC
U DSC 0,5
µ C = g mC ⋅ rdC = = 0,98 ⋅ 0,51 = = 0,5
U GSC − U GS 0 − U DSC 2 − 0,5 − 0,5
14
ZADATAK.12. Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Napon praga
tranzistora iznosi UGS0= - 0,5 V, a faktor modulacije duljine kanala λ= - 0,005 V-1. Strmina
tranzistora u točki A iznosi gmA=0,5 mA/V.

b) Odrediti struju i dinamičke parametre u točki B.
ID, [mA]
UGS= - 2 V
B UGS= - 1,5 V
UGS= - 1 V
- 0,5 -2
UDS, [V]
Rješenje:
a) Kako UGS postaje negativniji iznos struje ID raste→ radi se o p-kanalnom MOSFET-u
Napon praga iznosi UGS0= - 0,5 V. Uz napon UGS=0 V kanal nije formiran (ID=0 mA)
→ obogaćeni tip (radi s jednim predznakom napona upravljačke elektrode)
g mA = 0,5 mA V , U DSA = −0,5 V , U GSA = −2 V
U DS < U GS − U GS 0 TRIODNO PODRUČJE
Za strminu u triodnom području vrijedi:
∂iD
g mA = = K ⋅ U DSA
∂uGS U DSA
iz čega možemo izračunati konstantu MOSFET-a
g mA 0,5
K= = = −1 mA V 2
U DSA − 0,5
Za točku B imamo:
{ U GSB = −1,5 V , U DSB = −2 V }
U DS > U GS − U GS 0 ZASIĆENJE
15
Konstantu MOSFET-a smo izračunali u točki A pa možemo izračunati struju u točki B:
−1
⋅ (U GSB − U GS 0 ) ⋅ (1 + λ ⋅ U DSB ) = ⋅ [− 1,5 − (− 0,5)] ⋅ [1 − 0,005 ⋅ (− 2)] = −0,505 mA
K
I DB =
2 2
2 2
Dinamički parametri u točki B su:
∂i D
g mB = = K ⋅ (1 + λ ⋅ U DSB ) ⋅ (U GSB − U GS 0 ) = −1 ⋅ [1 − 0,005 ⋅ (− 2 )] ⋅ [− 1,5 − (− 0,5)] = 1,01 mA V
∂u GS U DSB
∂i D K ⋅λ K ⋅λ 2 (1 + λ ⋅ U DSB ) I DB − 0,505
g dB = = ⋅ (U GSB − U GS 0 ) = ⋅ (U GSB − U GS 0 ) ⋅ = = = 2,5 µS
2
∂u DS U GSB
2 2 (1 + λ ⋅ U DSB ) U DSB +
1
−2+
1
λ − 0,005
1
rdB = = 400 kΩ
g dB
µ B = g mB ⋅ rdB = 1,01⋅ 400 = 404
ZADATAK.13. U sklopu na slici odrediti širinu kanala PMOS tranzistora tako da oba
tranzistora budu u zasićenju. Zadane su dimenzije NMOS tranzistora, Ln=1 µm i Wn=3 µm te
duljina kanala PMOS tranzistora Lp=1 µm. Naponi praga tranzistora iznose UGS0n=0,75 V i
UGS0p= - 0,75 V, a pokretljivosti nosilaca u kanalu µn=400 cm2/Vs i µp=150 cm2/Vs. Debljina
oksida ispod upravljačke elektrode jednaka je kod oba tipa tranzistora. Pretpostaviti da je λ=0
za oba tranzistora.
+ 2,5 V
+
1,25 V
Rješenje:
Kontakti podloge spojeni su na uvode te sa sheme možemo očitati:
UGSn=1,25 V i UGSp=1,25-2,5= - 1,25 V
Pošto su struje tranzistora jednake, ako su oba tranzistora u zasićenju vrijedit će:
⋅ (U GSp − U GS 0 p )
Kp
⋅ (U GSn − U GS 0 n ) =
Kn 2 2
2 2
Vrijedi da je:
16
(U GSn − U GS 0n )2 = (1,25 − 0,75)2 = 0,25 V 2
(U GSp − U GS 0 p ) = (− 1,25 − (− 0,75)) = 0,25 V 2

2 2
Prema tome, da bi oba tranzistora bila u zasićenju mora vrijediti:
Kn = K p
ε ox  W  ε W 
µn ⋅ ⋅   = µ p ⋅ ox ⋅  
d ox  L  n d ox  L  p
Nakon kratkog računanja dobivamo:
µn W  400  3 
Wp =   ⋅ Lp = ⋅   ⋅1 = 8
µ p  L n 150  1 
Na slici su prikazane izlazne karakteristike za tri moguća slučaja:
IDn, [mA] IDp, [mA]
Q
NMOS i PMOS u zasićenju
0 2,5 UDSn, [ V ]
( - 2,5 ) (0) ( UDSp, [ V ] )
IDn, [mA] IDp, [mA]
Q NMOS u zasićenju
PMOS u triodnom
0 2,5 UDSn, [ V ]
( - 2,5 ) (0) ( UDSp, [ V ] )
IDn, [mA] IDp, [mA]
Q
NMOS u triodnom
PMOS u zasićenju
0 2,5 UDSn, [ V ]
( - 2,5 ) (0) ( UDSp, [ V ] )
17
ZADATAK.14. Odrediti struju koju pokazuje ampermetar. Naponi praga tranzistora su
UGS0n=1 V i UGS0p= - 1 V, a konstante MOSFET-a Kn= - Kp=0,5 mA/V2.Zadano je UDD=3 V i
UGG=1,5 V. Ampermetar je idealan.
A
+
UDD
+
UGG
Rješenje:
Po simbolu i kontaktu podloge zaključujemo da je lijevi tranzistor PMOS (kontakt podloge je

spojen na UDD), a desni tranzistor je NMOS (kontakt podloge spojen na masu).
-IDp IDn +
UDD
S D
G
NMOS
PMOS +
D UGG S
Struja ampermetra jedanaka je zbroju naznačenih struja:
I A = I Dn − I Dp
Za PMOS tranzistor sa slike možemo zaključiti:
U GS = U G − U S = U GG − U DD = 1,5 − 3 = −1,5 V
U DS = −U DD = −3 V
U DS > U GS − U GS 0
−3 > − 1,5 − (− 1) PMOS je u zasićenju
Kp − 0,5
I Dp = ⋅ (U GS − U GS 0 ) = ⋅ [− 1,5 − (− 1)] = −62,5 µA
2 2
2 2
18
Za NMOS tranzistor sa slike možemo zaključiti:
U GS = U G − U S = U GG − 0 = 1,5 − 0 = 1,5 V
U DS = U DD = 3 V
U DS > U GS − U GS 0
3 > 1,5 − 1 NMOS je u zasićenju
⋅ (U GS − U GS 0 ) = ⋅ [1,5 − 1] = 62,5 µA
Kn 0,5
I Dn =
2 2
2 2
Struja ampermetra je:
I A = I Dn − I Dp = 62,5 − (− 62,5) = 0,125 mA
ZADATAK.15. Koliku struju mjeri ampermetar? Naponi praga tranzistora su UGS0n=0,5 V i

UGS0p= - 0,5 V. Pokretljivost nosilaca u kanalu iznose µn=400 cm2/Vs i µp=150 cm2/Vs, a
debljina oksida ispod upravljačke elektrode jednaka je za PMOS i NMOS tranzistor i iznosi
dox=15 nm. Dimenzije kanala su Ln=Lp=1 µm i Wp=2Wn=6 µm. Pretpostaviti λ=0. Odrediti
područja rada za oba tranzistora te izlazne napone UDSn i UDSp.
+ 2,5 V
A
+
1,25 V
Rješenje:
U zadatku 13 dane su izlazne karakteristike, gdje su opisana tri moguća slučaja. Tamo se vidi
da struju u izlaznom krugu ograničava tranzistor koji je u zasićenju.
Za PMOS tranzistor imamo:
U GSp = 1,25 − 2,5 = −1,25 V , U GS 0 p = −0,5 V
ε ox  W  3,9 ⋅ 8,854 ⋅10 −14  6 

K p = −µ p ⋅ ⋅   = −150 ⋅ −4
⋅   = −0,207 mA V 2
t ox  L p 0,015 ⋅10 1
Struja u zasićenju:
19
− 0,207
⋅ (U GSp − U GS 0 p ) =
Kp
I Dp = ⋅ [− 1,25 − (− 0,5)] = −58,22 µA
2 2
2 2
Za NMOS tranzistor imamo:
U GSn = 1,25 − 0 = 1,25 V , U GS 0 n = 0,5 V
ε ox  W  3,9 ⋅ 8,854 ⋅10 −14  3

Kn = µn ⋅ ⋅   = 400 ⋅ ⋅   = 0,276 mA V 2
t ox  L n 0,015 ⋅10 −4 1
Struja u zasićenju:
⋅ (U GSn − U GS 0 n ) = ⋅ [1,25 − 0,5] = 77,63 µA

Kn 0,276
I Dn =
2 2
2 2
U izlaznom krugu struju će ograničavati tranzistor koji uñe u zasićenje:
I A = min{ − I Dp , I Dn } = − I Dp = 58,22 µA
Prema tome PMOS tranzistor je u zasićenju, a NMOS u triodnom području.
NMOS je u triodnom području i vrijedi:
I Dn = 58,22 µA , U GSn = 1,25 − 0 = 1,25 V , U GS 0 n = 0,5 V K n = 0,276 mA V 2
 U2 
I Dn = K n ⋅ (U GSn − U GS 0 n ) ⋅ U DSn − DSn 
 2 
Treba riješiti kvadratnu jednadžbu po UDSn
 U2 
0,05822 = 0,276 ⋅ (1,25 − 0,5) ⋅U DSn − DSn 
 2 
2
U DSn − 1,5 ⋅U DSn + 0,4219 = 0
→ U DSn1 = 1,125 V fizikalno nije prihvatljivo jer je U DSn1 > U GSn − U GS 0 n

što ne vrijedi u triodnom području
U DSn1 = 0,375 V fizikalno prihvatljivo jer je U DSn 2 < U GSn − U GS 0 n
Iz izlaznog kruga za PMOS tranzistor možemo izračunati
− U DSp = 2,5 − U DSn → U DSp = −2,125 V
20
Zadaci za vježbu
VJ.1. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u ID, [mA]

području zasićenja prikazana je na slici.
B
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni,
obogaćeni ili osiromašeni) i obrazložiti.
b) Kolika je struja u točki B A
0,25
1 2 3 4
Rješenje: a) NMOS obogaćeni; b) IDB=0,5625 mA UGS, [V]
ID, [mA]
VJ.2. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u
1 A
b) Kolika je struja u točki B B
Rješenje: a) NMOS obogaćeni; b) IDB=0,4444 mA

1 2 3 4
UGS, [V]
VJ.3. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u području ID , [mA]

zasićenja prikazana je na slici.
B
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaćeni
ili osiromašeni) i obrazložiti.
b) Kolika je struja u točki B 0,15
Rješenje: a) NMOS osiromašeni; b) IDB=0,3375 mA -1 - 0,5 0,5

U GS , [V]
VJ.4. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u području

zasićenja prikazana je na slici. ID, [mA]

obogaćeni ili osiromašeni) i obrazložiti. 0,5
B
Rješenje: a) NMOS osiromašeni; b) IDB=0,125 mA
-1 - 0,5 0
UGS, [V]
21
ID, [mA]
VJ.5. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u području
-1 - 0,5 0 0,5 UGS, [V]
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, -0,1
Rješenje: a) PMOS osiromašeni; b) IDB= - 0,9 mA B
VJ.6. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u području ID, [mA]

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, -2 -1 0 1 UGS, [V]

obogaćeni ili osiromašeni) i obrazložiti. B
-1
Rješenje: a) PMOS osiromašeni; b) IDB= - 0,1111 mA
VJ.7. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u ID, [mA]

UGS, [V]
-2 -1 - 0,5 0
- 0,15
obogaćeni ili osiromašeni) i obrazložiti. A
B
Rješenje: a) PMOS obogaćeni; b) IDB= - 1,35 mA
ID, [mA]
VJ.8. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u
UGS, [V]
-3 - 1,5 - 0,75 0
B
-1
A
Rješenje: a) PMOS obogaćeni; b) IDB= - 0,1111 mA
22
ID, [mA]
VJ.9. Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a
prikazana je na slici. Pretpostaviti λ=0.
UGS=2,5 V

obogaćeni ili osiromašeni) C
b) Odrediti struju u točki C A UGS=2 V

1
B UGS=1,5 V
0,25
Rješenje: a) NMOS obogaćeni; b) IDC=1,25 mA 0,5

UDS, [V]
ID, [mA]
UGS=2 V

0,75
B UGS=0 V
0,25
Rješenje: a) NMOS osiromašeni; b) IDC=0,77 mA 1

UDS, [V]
ID, [mA]
prikazana je na slici. Pretpostaviti λ=0. C UGS=2 V

obogaćeni ili osiromašeni)
0,5
B UGS=0 V
0,1
Rješenje: a) NMOS osiromašeni; b) IDC=1,206 mA UDS, [V]

ID, [mA]
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, UGS= - 2 V
b) Odrediti struju u točki C

B UGS= - 1,5 V
- 0,5
A UGS= - 1 V
Rješenje: a) PMOS obogaćeni; b) IDC= - 1,106 mA - 0,1
-1
UDS, [V]
23
ID, [mA]
UGS= - 2 V

b) Odrediti struju u točki C B UGS= - 1 V
-1
A UGS= 0 V
Rješenje: a) PMOS osiromašeni; b) IDC= - 1,25 mA - 0,25
-1
UDS, [V]
ID, [mA]

prikazana je na slici. Pretpostaviti λ=0. C
UGS= - 1 V

B
b) Odrediti struju u točki C - 0,6
UGS= - 0,5 V
A UGS= 0 V
- 0,15
Rješenje: a) PMOS osiromašeni; b) IDC= - 1,35 mA
UDS, [V]
VJ.15. Prijenosna karakteristika nekog MOSFET-a ID, [mA]

prikazana je na slici. Faktor modulacije duljine
kanala iznosi λ=10-2 V-1.
UDS=2,5 V
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, B

b) Izračunati struju i dinamičke parametre u A
točki B. 0,15
Rješenje: a) NMOSFET obogaćeni tip; b) IDB=0,32 mA,

gmB=0,183 mA/V, rdB=27,3 kΩ, µ B=5, točka B u triodnom
1 2 3 4
području UGS, [V]

kanala iznosi λ=5·10-3 V-1. UDS=8 V
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, B

b) Izračunati struju i dinamičke parametre u
točki B.
A
0,1
1 2 3 4
UGS, [V]
Rješenje: a) NMOSFET obogaćeni tip; b) IDB=0,9 mA,
gmB=0,6 mA/V, rdB=231 kΩ, µ B=139, točka B u zasićenju
24
prikazana je na slici. Faktor modulacije duljine kanala
B
iznosi λ=5·10-3 V-1. UDS=1 V

b) Izračunati struju i dinamičke parametre u točki 0,1
A
B.
Rješenje: a) NMOSFET osiromašeni tip; b) IDB=0,796 mA, -0,5 0 0,5 1

gmB=0,796 mA/V, rdB=2,51 kΩ, µ B=2, točka B u triodnom području UGS, [V]

iznosi λ= - 5·10-3 V-1.
-2 -1 0 1 UGS, [V]
obogaćeni ili osiromašeni) i obrazložiti. -0,2
Rješenje: a) PMOSFET osiromašeni tip; b) IDB= - 1,8 mA, gmB=1,2

mA/V, rdB=113 kΩ, µ B=136, točka B u zasićenju
UDS= - 4 V
B
ID, [mA]
VJ.19. Prijenosna karakteristika nekog MOSFET-a
iznosi λ= - 5·10-3 V-1. -2 -1,5 -1 -0,5 0
UGS, [V]

b) Izračunati struju i dinamičke parametre u točki
B.
B UDS= - 4 V
Rješenje: a) PMOSFET obogaćeni tip; b) IDB= - 0,563 mA,
gmB=0,75 mA/V, rdB=363 kΩ, µ B=272, točka B u zasićenju
ID, [mA]
VJ.20. Prijenosna karakteristika nekog MOSFET-a
kanala iznosi λ= - 10-3 V-1. -4 -3 -2 -1 UGS, [V]
0

b) Izračunati struju i dinamičke parametre u
točki B.
B UDS= - 2,5 V
Rješenje: a) PMOSFET obogaćeni tip; b) IDB= - 1,09 mA,
gmB=0,62 mA/V, rdB=8 kΩ, µ B=5, točka B u triodnom području
25
ID, [mA]

prikazana je na slici. Napon praga tranzistora iznosi UGS=2 V
UGS0= - 0,5 V. Struje u točkama A i B iznose IDA=1
mA i IDB=1,01 mA. C
A B
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, UGS=1 V

b) odrediti struju i dinamičke parametre u točki UGS=0 V
C. 0,5 2 3
UDS, [V]
Rješenje: a) NMOSFET osiromašeni tip; b) IDC=0,98 mA, gmC=0,436 mA/V, rdC=574 Ω, µ C=0,25, točka C u
triodnom području
ID, [mA]

prikazana je na slici. Napon praga tranzistora iznosi C UGS= 2 V
UGS0=0,5 V. Struje u točkama A i B iznose IDA=0,5
mA i IDB=0,505 mA.
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, A B
UGS= 1,5 V
b) odrediti struju i dinamičke parametre u točki UGS=1 V
C.
2 3
UDS, [V]
Rješenje: a) NMOSFET obogaćeni tip; b) IDC=1,136 mA, gmC=1,515 mA/V, rdC=89 kΩ, µ C=135, točka C u
zasićenju
ID, [mA]
VJ.23. Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a UGS= - 3 V

prikazana je na slici. Napon praga tranzistora iznosi
UGS0=1 V. Struje u točkama A i B iznose IDA= - 498
µA i IDB= - 500 µA. C
A B
UGS= - 1,5 V

obogaćeni ili osiromašeni) UGS=0 V
b) odrediti struju i dinamičke parametre u točki
-1 -4 -6
C. UDS, [V]
Rješenje: a) PMOSFET osiromašeni tip; b) IDC= - 0,5533 mA, gmC=0,16 mA/V, rdC=2,1 kΩ, µ C=0,33, točka C u
triodnom području
ID, [mA]
C
VJ.24. Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a UGS= - 2 V
prikazana je na slici. Napon praga tranzistora iznosi

UGS0= - 0,5 V. Struje u točkama A i B iznose IDA= -
498 µA i IDB= - 500 µA. A B
UGS= - 1,5 V
obogaćeni ili osiromašeni) UGS= - 1 V
b) odrediti struju i dinamičke parametre u točki
- 1,5 - 2,5
C. -3
UDS, [V]
Rješenje: a) PMOSFET obogaćeni tip; b) IDC= - 1,13 mA, gmC=1,5 mA/V, rdC=222 kΩ, µ C=334, točka C u
zasićenju
26
ID, [mA]
prikazana je na slici. Napon praga tranzistora B
UGS= - 2 V
iznosi UGS0= - 0,5 V, a faktor modulacije duljine
kanala λ= - 0,005 V-1. Strmina tranzistora u točki
A iznosi gmA=0,5 mA/V.
A
UGS= - 1,5 V
b) Odrediti struju i dinamičke parametre u UGS= - 1 V
točki B. -2 -3
UDS, [V]
Rješenje: a) PMOSFET obogaćeni tip; b) IDB= - 0,5653 mA, gmB=0,754 mA/V, rdB=359 kΩ, µ B=271, točka B u
zasićenju
ID, [mA]

prikazana je na slici. Napon praga tranzistora B
UGS= 4 V
iznosi UGS0=1 V, a faktor modulacije duljine
kanala λ=0,0025 V-1. Strmina tranzistora u točki
A iznosi gmA=1 mA/V.
A
UGS=3 V
UGS=2 V
b) Odrediti struju i dinamičke parametre u
točki B. 4 6
UDS, [V]
Rješenje: a) NMOSFET obogaćeni tip; b) IDB=2,26 mA, gmB=1,51 mA/V, rdB=180 kΩ, µ B=271, točka B u
zasićenju
ID, [mA]

prikazana je na slici. Napon praga tranzistora UGS= 3 V
iznosi UGS0=0,75 V, a faktor modulacije duljine B
kanala λ=0,0025 V-1. Strmina tranzistora u točki
A iznosi gmA=1 mA/V. A
UGS=2 V
obogaćeni ili osiromašeni) UGS=1 V
b) Odrediti struju i dinamičke parametre u
točki B. 1 4
UDS, [V]
Rješenje: a) NMOSFET obogaćeni tip; b) IDB=1,386 mA, gmB=0,792 mA/V, rdB=1 kΩ, µ B=0,8, točka B u
triodnom području
ID, [mA]

prikazana je na slici. Napon praga tranzistora UGS= 3 V
A
iznosi UGS0=0,75 V, a faktor modulacije duljine
kanala λ=0,005 V-1. Strmina tranzistora u točki A
iznosi gmA=0,5 mA/V. B
UGS=2 V

UGS=1 V
1 4
UDS, [V]
27
b) Odrediti struju i dinamičke parametre u točki B.
Rješenje: a) NMOSFET obogaćeni tip; b) IDB=0,398 mA, gmB=0,638 mA/V, rdB=512 kΩ, µ B=326, točka B u
zasićenju
VJ.29. Projektirati n-kanalni MOSFET tako da strmina tranzistora u zasićenju uz UGS=2 V

iznosi gm=2 mA/V, a da pri tome kapacitet upravljačke elektrode bude CG<25 fF. Napon
praga iznosi UGS0=0,75 V, debljina oksida je tox=25 nm, a pokretljivost elektrona u kanalu
µn=380 cm2/Vs.
Rješenje: L≤0,77 µm, W/L=30,4; U rubnom slučaju W=23,5 µm
VJ.30. Projektirati p-kanalni MOSFET tako da strmina tranzistora u zasićenju uz UGS= - 2 V

iznosi gm=0,5 mA/V, a da pri tome kapacitet upravljačke elektrode bude CG<25 fF. Napon
praga iznosi UGS0= - 0,75 V, debljina oksida je tox=25 nm, a pokretljivost šupljina u kanalu
µn=150 cm2/Vs.
Rješenje: L≤0,97 µm, W/L=19,3; U rubnom slučaju W=18,7 µm
VJ.31. U sklopu na slici odrediti širinu kanala

PMOS tranzistora tako da oba tranzistora budu + 2,5 V
u zasićenju. Zadane su dimenzije NMOS
tranzistora, Ln=1 µm i Wn=3 µm te duljina
kanala PMOS tranzistora Lp=1 µm. Naponi
praga tranzistora iznose UGS0n=0,75 V i UGS0p= -
0,75 V, a pokretljivosti nosilaca u kanalu +
1,35 V
µn=400 cm2/Vs i µp=150 cm2/Vs. Debljina
oksida ispod upravljačke elektrode jednaka je
kod oba tipa tranzistora. Pretpostaviti da je λ=0
za oba tranzistora.
Rješenje: Wp=18 µm
VJ.32. U sklopu na slici odrediti širinu kanala

PMOS tranzistora tako da oba tranzistora budu + 2,5 V
u zasićenju. Zadane su dimenzije NMOS
tranzistora, Ln=1 µm i Wn=3 µm te duljina
kanala PMOS tranzistora Lp=1 µm. Naponi
praga tranzistora iznose UGS0n=0,75 V i UGS0p= -
0,75 V, a pokretljivosti nosilaca u kanalu +
1,15 V
µn=400 cm2/Vs i µp=150 cm2/Vs. Debljina
oksida ispod upravljačke elektrode jednaka je
kod oba tipa tranzistora. Pretpostaviti da je λ=0
za oba tranzistora.
Rješenje: Wp=3,56 µm
28
VJ.33. U sklopu na slici odrediti širinu kanala NMOS
tranzistora tako da oba tranzistora budu u zasićenju. + 1,8 V
Zadane su dimenzije PMOS tranzistora, Lp=0,5 µm i
Wp=1,5 µm te duljina kanala NMOS tranzistora
Ln=0,5 µm. Naponi praga tranzistora iznose UGS0n=0,5
V i UGS0p= - 0,5 V, a pokretljivosti nosilaca u kanalu
µn=380 cm2/Vs i µp=140 cm2/Vs. Debljina oksida +
0,8 V
ispod upravljačke elektrode jednaka je kod oba tipa
tranzistora. Pretpostaviti da je λ=0 za oba tranzistora.
Rješenje: Wn=1,54 µm
VJ.34. Koliku struju mjeri ampermetar? Naponi

+ 2,5 V
praga tranzistora su UGS0n=0,5 V i UGS0p= - 0,5 V.
Pokretljivost nosilaca u kanalu iznose µn=400
cm2/Vs i µp=150 cm2/Vs, a debljina oksida ispod
upravljačke elektrode jednaka je za PMOS i NMOS A
tranzistor i iznosi dox=15 nm. Dimenzije kanala su +
1,25 V
Ln=Lp=1 µm i Wp=12 µm, Wn=3 µm. Pretpostaviti
λ=0. Odrediti područja rada za oba tranzistora te
izlazne napone UDSn i UDSp.
Rješenje: IA=77,7 µA, NMOS je u zasićenju, UDSn=2,183 V; PMOS je u triodnom području, UDSp= - 0,317 V

+ 1,8 V
praga tranzistora su UGS0n=0,5 V i UGS0p= - 0,5 V.
upravljačke elektrode jednaka je za PMOS i NMOS A
Ln=Lp=0,5 µm i Wp=Wn=3 µm. Pretpostaviti λ=0. 0,8 V
Odrediti područja rada za oba tranzistora te izlazne
napone UDSn i UDSp.
Rješenje: IA=35,43 µA, NMOS je u zasićenju, UDSn=1,38 V; PMOS je u triodnom području, UDSp= - 0,42 V

praga tranzistora su UGS0n=0,5 V i UGS0p= - 0,5 V. + 1,8 V
upravljačke elektrode jednaka je za PMOS i NMOS
A
Ln=Lp=0,5 µm i Wp=2 µm Wn=3 µm. Pretpostaviti 0,8 V
λ=0. Odrediti područja rada za oba tranzistora te
izlazne napone UDSn i UDSp.
Rješenje: IA=24,17 µA, NMOS je u triodnom području, UDSn=0,13 V; PMOS je u zasićenju, UDSp= - 1,67 V
29
VJ.37. Odrediti struju koju pokazuje ampermetar. A
Naponi praga tranzistora su UGS0n=0,5 V i UGS0p= - +
0,5 V, a konstante MOSFET-a Kn= - Kp=0,5 UDD
mA/V2.Zadano je UDD=3 V i R=1 MΩ.
Ampermetar je idealan. Zanemariti struju kroz R
otporno djelilo.
R
R
Rješenje: IA=0,125 mA

UDD
0,75 V, a konstante MOSFET-a Kn= - Kp=0,5
mA/V2.Zadano je UDD=3 V i UGG=1,25 V. Ampermetar
je idealan.
+
UGG

UDD
0,75 V, a konstante MOSFET-a Kn= - Kp=0,5
mA/V2.Zadano je UDD=3 V, UGG=1,25 V i UDp=2,5
V. Ampermetar je idealan.
+ +
UDp UGG

0,5 V, a konstante MOSFET-a Kn= - Kp=0,5 UDD
mA/V2.Zadano je UDD=3 V, UGG=1,5 V i UDp=2,5 V, +
UDn=2,25 V. Ampermetar je idealan. UDn
Rješenje: IA=0,422 mA + +
UDp UGG
30
Unipolarni tranzistori - JFET
ZADATAK.1. Prijenosna karakteristika nekog JFET-a u području zasićenja prikazana je

na slici.
a) Odrediti tip JFET-a.

b) Odrediti struju i strminu u to čki A.
ID, [mA]
-4 -3 -2 -1 0 UGS, [V]
Rješenje:
a) Sa slike možemo o čitati:
U P = −4 V , I DSS = 5 mA
Vrijedi da je U P < 0 → n-kanalni JFET
b) U zasićenju vrijedi:
2
 U 
I D = I DSS ⋅ 1 − GS 

 UP 
Za točku A vrijedi UGSA= - 2 V pa struja iznosi:
2 2
 U   −2
I DA = I DSS ⋅ 1 − GSA 

= 5 ⋅ 1 −  = 1,25 mA
 UP   −4
Strmina u točki A je:
∂i D 2 ⋅ I DSS  U GS  2 ⋅ 5  − 2 
g mA = = ⋅ 1 − = ⋅ 1 −  = 1, 25 mA V
∂u GS U DSA
− U P  U P  4  − 4
1
ZADATAK.2. Prijenosna karakteristika nekog JFET-a u području zasićenja prikazana je
na slici.

ID, [mA]
- 10
0 1 2 3 4 5
UGS, [V]
Rješenje:
a) Sa slike možemo o čitati:
UP = 5V , I DSS = −10 mA
Vrijedi da je U P > 0 → p-kanalni JFET
b) U zasićenju vrijedi:
2
 U GS 
I D = I DSS ⋅ 1 − 
 U P 
Za točku A vrijedi UGSA=2 V pa struja iznosi:
2 2
 U GSA   2
I DA = I DSS ⋅ 1 −  = −10 ⋅ 1 −  = −3,6 mA

 UP   5
Strmina u točki A je:
∂i D 2 ⋅ I DSS  U GS  2 ⋅ (− 10)  2 
g mA = = ⋅ 1 − = ⋅ 1 −  = 2,4 mA V
∂u GS U DSA
− U P  U P  −5  5
2
ZADATAK.3. Izlazna karakteristika nekog JFET-a prikazana je na slici. U točkama A i
B struja odvoda iznosi IDA=5 mA i IDB=1,25 mA.
a) Odrediti tip JFET-a

b) Odrediti struju i dinamičke parametre u točki C. Kod proračuna rd pretpostaviti
-1
λ=0,001 V .
ID, [mA]
C UGS=0 V
A UGS= - 1 V
B UGS= - 2 V
5
UDS, [V]
Rješenje:
a) Iz karakteristike se vidi da struja ID opada kada UGS postaje negativniji →

n-kanalni JFET
b) Za točku A vrijedi:
{ U GSA = −1 V , I DA = 5 mA }
2
 U GSA 
I DA = I DSS ⋅ 1 −  (1)
 U P 
Za točku B vrijedi:
{ U GSB = −2 V , I DA = 1,25 mA }
2
 U 
I DB = I DSS ⋅ 1 − GSB 

(2)
 UP 
(1) i (2) predstavljaju dvije jednadžbe sa dvije nepoznanice – UP i IDSS. Ako podijelimo
gornje dvije jednadžbe:
3
2
 U GSA 
1 − 
 U P 
I DA 
= 2
I DB  U GSB 
1 − 
 U P 

Nakon kraćeg računanja dobivamo
IA
− 1 − (− 2) ⋅
5
U GSA − U GSB ⋅
IB 1,25
UP = = = −3 V
I 5
1− A 1−
IB 1,25
Iz npr. (1) možemo izračunati:
I DA 5
I DSS = 2
= 2
= 11,25 mA
 U   −1 
1 − GSA  1 − 

 UP 
  − 3
Vrijedi da je IC=IDSS
Dinamički parametri su:
∂i D 2 ⋅ I DSS  U GSC  2 ⋅ 11,25  0 

g mC = = ⋅ 1 − =

⋅ 1 −  = 7,5 mA V
∂uGS U DSC
−UP  UP  3  − 3
Za proračun rd koristimo model modulacije duljine kanala za struju u zasićenju:
2
 
⋅ (1 + λ ⋅U DS )
U
I D = I DSS ⋅ 1 − GS 

 UP 
2
∂i  U  λ ⋅ I DC I DC 11,25 11,25
g dC = D = λ ⋅ I DSS ⋅ 1 − GSC  = = = = = 11,19 µS
∂u DS U GSC  UP 
 (1 + λ ⋅ U DSC ) U DSC +
1
5+
1 1005
λ 0,001
1
rdC = = 89 kΩ
g dC
µ C = g mC ⋅ rdC = 7,5 ⋅ 89 = 668
4
ZADATAK.4. Izlazna karakteristika nekog JFET-a prikazana je na slici. Napon praga
tranzistora iznosi UP= - 4 V. Struje u točkama A i B iznose IDA=1 mA i IDB=1,005 mA.

b) Odrediti struju i dinamičke parametre u točki C.
ID, [mA]
C UGS= - 1 V
A B UGS= - 2 V
UGS= - 3 V
4 5
UDS, [V]
Rješenje:
a) UP<0 i iz karakteristike se vidi da struja ID opada kada UGS postaje negativniji

→ n-kanalni JFET
b) Točka B je u zasićenju i vrijedi:
2
 
I DB = I DSS ⋅ (1 + λ ⋅ U DSB )
U
⋅  1 − GSB 

 UP 
Iz toga možemo izraziti
I DSS ⋅ (1 + λ ⋅ U DSB ) =
I DB
2
 U 
1 − GSB 
 UP 
 
Pošto vrijedi UDSC=UDSB za točku C koja je takoñer u zasićenju možemo napisati
2
−1 
2
 U  
1 − GSC  1 − 
 
 UP   −4
I DC = I DB ⋅ = 1,005 ⋅ = 2,26 mA
−2
2 2
 U  
1 − GSB  1 − 

 UP 
  −4
5
Dinamički parametri u točki C:
∂i D 2 ⋅ I DSS ⋅ (1 + λ ⋅ U DSC )  U GSC  2 I DB  U GSC 

g mC = = ⋅ 1 − =

⋅ 1 − =
∂uGS −U P  U P  −U P  U 
2
 U P 
1 − GSB
U DSC

 UP 
 
2 1,005  −1 
= ⋅ ⋅ 1−
2   = 1,51 mA V
− 4  − 2  − 4
1 − 
 −4
Faktor modulacije duljine kanala možemo izračunati iz točaka A i B:
I DB (1 + λ ⋅ U DSB )
=
I DA (1 + λ ⋅ U DSA )
I DB − I DA 1,005 − 1
λ= = = 5,1 ⋅ 10 −3 V −1
I DA ⋅ U DSB − I DB ⋅ U DSA 1 ⋅ 5 − 1,005 ⋅ 4
Napomena: mogli smo na početku izračunati λ pa direktno izračunati struju IDSS, a ne

relativno proračunavati preko struje u točki B. Za vježbu isprobajte ovaj drugi način
Dinamički izlazni otpor:
1 1
U DSC + 5+
λ = 5,1 ⋅10 −3
rdC = = 89 kΩ
I DC 2,26
Faktor pojačanja:
µ C = g mC ⋅ rdC = 1,51 ⋅ 89 = 134
6
Zadaci za vježbu
ID, [mA]
VJ.1. Prijenosna karakteristika nekog JFET-a u 8


A
Rješenje: a) n-kanalni JFET, b) IDA=2,88 mA g mA=1,92 mA/V
-5 -4 -3 -2 -1 0 UGS, [V]
VJ.2. Prijenosna karakteristika nekog JFET-a u ID, [mA]

-2
Rješenje: a) p-kanalni JFET, b) IDA= - 0,5 mA, gmA=0,5 mA/V
0 1 2 3 4
UGS, [V]
VJ.3. Prijenosna karakteristika nekog JFET-a u ID, [mA]

b) Odrediti struju i strminu u to čki B.
A
Rješenje: a) n-kanalni JFET, b) IDB=0,89 mA, g mB=1,78 mA/V 2
-2 -1 - 0,5 0 UGS, [V]

VJ.4. Izlazna karakteristika nekog JFET-a prikazana je na slici. U točkama A i B struja
odvoda iznosi IDA=2,5 mA i IDB=0,625 mA.

b) Odrediti struju i dinamičke parametre u točki C. Kod proračuna rd pretpostaviti
-1
λ=0,002 V .
7
ID, [mA]
C UGS=0 V
A UGS= - 2 V
B UGS= - 4 V
10
UDS, [V]
Rješenje: a) n-kanalni JFET, b) IDC=5,625 mA, gmC=1,875 mA/V, rdC=91 kΩ, µ C=170
ID, [mA]
VJ.5. Izlazna karakteristika nekog JFET-a
prikazana je na slici. U točkama A i B struja
C UGS=1 V
odvoda iznosi IDA= - 1,125 mA i IDB= -
0,125 mA.

b) Odrediti struju i dinamičke A UGS= 2 V
parametre u točki C. Kod proračuna

rd pretpostaviti λ=0,002 V-1. B UGS= 3 V
-5
UDS, [V]
Rješenje: a) p-kanalni JFET, b) IDC= - 3,125 mA,
gmC=2,5 mA/V, rdC=162 kΩ, µ C=404
ID, [mA]
VJ.6.. Izlazna karakteristika nekog JFET-a

prikazana je na slici. Napon praga C UGS= - 1 V
tranzistora iznosi UP= - 2,5 V. Struje u
točkama A i B iznose IDA=0,5 mA i
IDB=0,502 mA.
A B UGS= - 1,5 V
b) Odrediti struju i dinamičke
parametre u točki C. UGS= - 2 V
1,5 2,5
UDS, [V]
Rješenje: a) n-kanalni JFET, b) IDC=1,13 mA, g mC=1,51 mA/V, rdC=222 kΩ, µ C=335
8
SKLOPOVI S MOSFET-om
ZADATAK 1. U pojačalu sa slike 1.1 zadano je: U DD  15 V , R g  500  , R1  2,2 M ,

R2  1 M , RD  1,2 k , RT  2,7 k i RS  1 k . Parametri n-kanalnog MOSFET-a su
u iz
K  2,5 mA/V 2 , U GS 0   1 V i   0,0038 V -1 . Odrediti naponska pojačanja AV  i
u ul
u iz
AVg  , ulazni otpor Rul i izlazni otpor Riz pojačala.
ug
+UDD
R1 RD
CD
CG +
Rg
+ RT
uiz
ug uul
R2 RS CS
-
-
Rul Riz
Slika 1.1.
Rješenje:
Da bi odredili pojačanja i otpore prvo trebamo odrediti statičku radnu točku i dinamičke
parametre. Kod proračuna statičke radne točke svi kondenzatori imaju beskonačno veliki
otpor, slika 1.2a. Ulazna mreža, koja je prikazana na slici 1.2b nadomješta se prema
Thevenin-u slika 1.2c. Na slici 1.2d prikazan je sklop koji će nam poslužiti za proračun
statičke radne točke.
+UDD +UDD +UDD
R1 RD R1
G G RG G
RG G
IG
R2 RS R2 UGG ID
UGG RS
a) b) c) d)
Slika 1.2.
Napon UGG možemo računati pomoću izraza:
R2 1  10 6
U GG   U DD   15  4,69V
R1  R2 1  10 6  2,2  10 6
a otpor RG pomoću izraza:
R R 1  10 6  2,2  10 6
RG  R1 R2  1 2   687,5k
R1  R2 1  10 6  2,2  10 6
Jednadžba ulaznog kruga uz struju IG=0 glasi:
U GG  U GSQ  I DQ  RS
Struja odvoda je:
U GG  U GSQ
I DQ  U GSQ  U GS 0  
K 2
2 RS
Sređivanjem gornje jednadžbe dobivamo:
 1  2  U GG
2
U GSQ  2    U GS 0   U GSQ  U GS
2
0  0
 K  RS  K  RS
Uvrštavanjem numeričkih vrijednosti dobivamo kvadratnu jednadžbu:
2
U GSQ  2,8  U GSQ  2,752  0
Rješavanjem kvadratne jednadžbe dobivamo dva rješenja:
U GSQ1  0,77V
U GSQ 2  3,57V
Za n-kanalni MOSFET mora vrijediti U GSQ  U GS 0   1 V . Zbog toga drugo rješenje nije
dobro i vrijedi U GSQ  0,77V . Struja odvoda jednaka je:
3
I DQ 
K
U GSQ  U GS 0 2  2,5 10 0,77  12  3,92mA
2 2
Jednadžba izlaznog kruga glasi:
U DD  I DQ  R D  U DSQ  I DQ  R S
Iz gornje jednadžbe dobivamo napon UDSQ koji je jednak:
U DSQ  U DD  I DQ  RD  RS   15  3,92  10 3  (1200  1000)  6,38V
U DSQ  6,38V  U GSQ  U GS 0  0,77  1  1,77V MOSFET radi u području zasićenja.
Struja odvoda MOSFET-a u području zasićenja je:
i D  u GS  U GS 0  1   u DS 
K 2
2
Dinamički su parametri:
i D
gm   K U GSQ  U GS 0 1   U DSQ   2,5  10 3 0,77  1  1  0,0038  6,38  4,53 mA/V
u GS Q
i D
1
 
K
U GSQ  U GS 0 2   I DQ  0,0038  3,92 10 3  14,9 μS ,
rd u DS Q
2
1
rd   67,14 k
14,9  10 6
Kod dinamičke analize svi kondenzatori imaju jako mali otpor pa uzimamo da predstavljaju
kratki spoj. Zbog toga je otpor RS za izmjenični signal kratko spojen tj. uvod MOSFET-a je
spojen na masu . Naponski izvori UDD i UGG za izmjenični signal također predstavljaju kratki
spoj. Za crtanje nadomjesne sheme za mali signal koristit ćemo model MOSFET-a za mali
signal sa slike 1.3. Pri crtanju nadomjesne sheme pojačala sa slike 1.1 prvo ćemo nadomjestiti
ulazni krug. Između upravljačke elektrode i mase spojen je otpornik RG, jer je naponski izvor
UGG za izmjenični signal kratki spoj. Na upravljačku elektrodu spojen je otpornik Rg , jer je
kapacitet CG kratki spoj. U seriju s njim spojen je naponski izvor ug, slika 1.4. Sad ćemo
nadomjestiti izlazni krug. Između odvoda i mase spojen je otpornik RD, jer je naponski izvor
UDD za izmjenični signal kratki spoj, te otpornik RT jer je kondenzator CD kratki spoj, slika
1.5.
G D
+ +
ugs gmugs rd uds
- -
S
Slika 1.3.
Rg D
G
+ + +
ug uul RG ugs gmugs rd uds
- - -
S
Slika 1.4.
G D
+ +
ugs g mugs rd RD RT uiz
- -
S
Slika 1.5.
Na slici 1.6 prikazan je model pojačala za dinamičku analizu

Rg D
G
+ + +
ug uul RG ugs gmugs rd RD RT uiz
- - -
Rul S Riz
Slika 1.6.
u iz
Pojačanje AV  što znači da trebamo naći omjer napon uiz i uul
u ul
Izlazni napon jednak je:
u iz   g m  u gs  rd RD RT
Ulazni napon jednak je naponu ugs.
u ul  u gs
Pojačanje je jednako:
u  g m  u gs  rd RD RT
AV  iz    g m  rd RD RT  4,53  10 3  67,14  10 3 1,2  10 3 2,7  10 3  3,72
u ul u gs
U ulaznom krugu vidimo naponsko dijelilo za koje vrijedi:
RG
u ul   ug
R g  RG
Naponsko pojačanje AVg računa se prema izrazu:
u u u RG 687,5  10 3
AVg  iz  iz  ul  AV   3,72   3,717
u g u ul u g R g  RG 500  687,5  10 3
Ulazni otpor jednak je:
Rul  RG  687,5k
Kod računanja izlaznog otpora sve nezavisne izvore treba ugasiti tj. naponski izvori se kratko
spajaju, a strujni su odspojeni. Zavisni izvori će postojati ako postoji napon ili struja o kojoj
su ovisni. Trošilo je zamijenjeno naponskim izvorom u koji daje struju i. Izlazni otpor jednak
je:
u
Riz 
i
Nadomjesna shema za određivanje izlaznog otpora prikazana je na slici 1.7.
Rg D i
G
+
RG ugs g mugs rd RD u
-
S Riz
Slika 1.7.
Sa slike se vidi da je napon ugs=0 zbog čega ne postoji strujni izvor gmugs. Konačna
nadomjesna shema prikazana je na slici 1.8.
i
rd RD u
Riz
Slika 1.8.
Iz slike možemo odrediti struju i koja je jednaka:

u
i
rd RD
Uvrštavanjem gornjeg izraza u jednadžbu izlaznog otpora dobivamo:
u u
Riz    rd RD  67,14  10 3 1,2  10 3  1179
i u
rd RD
ZADATAK 2. Za pojačalu sa slike 2.1 zadano je: U DD  18 V , R g  500  , R1  3,3 M ,
R2  1 ,1M , R D  2 k
i RT  3,3 k . Parametri n-kanalnog MOSFET-a su
K  2,25 mA/V , U GS 0  0,5 V i   0,0045 V -1 . Odrediti:
2
a. vrijednost otpornika RS tako da teče struja I DQ  2,915 mA ,

u iz u
b. naponska pojačanja AV  i AVg  iz ,
u ul ug
c. ulazni otpor Rul i izlazni otpor Riz pojačala.
+UDD
R1 RD
CD
CG +
Rg
+ RT
uiz
ug uul
R2 RS CS
-
-
Rul Riz
Slika 2.1.
Rješenje:
a. Struja odvoda je:
I DQ  U GSQ  U GS 0 
K 2
2
Iz gornjeg izraza možemo dobiti napon UGSQ koji je jednak:
2  I DQ 2  2,915  10 3
U GSQ  U GS 0   0,5   0,5  1,61
K 2,25  10 3
Za n-kanalni MOSFET mora vrijediti U GSQ  U GS 0  0,5V pa je U GSQ  0,5  1,61  2,11V
R2 1,1  10 6
U GG   U DD   18  4,5V
R1  R2 1,1  10 6  3,3  10 6
R1  R2 1,1  10 6  3,3  10 6
RG  R1 R2    825k
R1  R2 1,1  10 6  3,3  10 6
Iz gornjeg izraza možemo dobiti RS:
U GG  U GSQ 4,5  2,11
RS    820
I DQ 2,915  10 3
U DSQ  U DD  I DQ  R D  RS   18  2,915  10 3  (2000  820)  9,78V
U DSQ  9,78V  U GSQ  U GS 0  2,11  0,5  1,61V MOSFET radi u području zasićenja.
Da bi izračunali b. i c. dio zadatka trebamo izračunati dinamičke parametre:
i D
gm   K U GSQ  U GS 0 1   U DSQ   2,25  10 3 2,11  0,5  1  0,0045  9,78  3,78 mA/V
u GS Q
i D
1
 
K
U GSQ  U GS 0 2   I DQ  0,0045  2,915 10 3  13,12 μS ,
rd u DS Q
2
1
rd   76,23 k
13,12  10 6
b. Da bi odredili pojačanja prvo trebamo nacrtati model pojačala za mali signal, slika 2.2.
Rg D
G
+ + +
ug uul RG ugs gmugs rd RD RT uiz
- - -
Rul S Riz
Slika 2.2.
u iz
Pojačanje AV  što znači da trebamo odrediti omjer napon uiz i uul
u ul
u iz   g m  u gs  rd RD RT
u ul  u gs
u  g m  u gs  rd RD RT
AV  iz    g m  rd RD RT  3,78  10 3  76,23  10 3 2  10 3 3,3  10 3  4,633
u ul u gs
U ulaznom krugu vidimo naponsko dijelilo za koje vrijedi:
RG
u ul   ug
R g  RG
Naponsko pojačanje AVg računa se prema izrazu:
u iz u iz u ul RG 825  10 3
AVg     AV   4,633   4,63
u g u ul u g R g  RG 500  825  10 3
c. Ulazni otpor jednak je:

Rul  RG  825k
Na slici 2.3.prikazana je nadomjesna shema za određivanje izlaznog otpora.
Rg D i
G
+
RG ugs g mugs rd RD u
-
S Riz
Slika 2.3.
Izlazni otpor jednak je:
u
Riz 
i
Iz slike se vidi da je napon ugs=0 zbog čega ne postoji strujni izvor gmugs. Konačna
nadomjesna shema prikazana je na slici 2.4.
i
rd RD u
Riz
Slika 2.4.
Iz slike možemo odrediti struju i koja je jednaka:

u
i
rd R D
u u
Riz    rd RD  76,23  10 3 2  10 3  1949
i u
rd RD
ZADATAK 3. U pojačalu sa slike 3.1 zadano je: U DD  12 V , R g  500  , R1  3,9 M ,

R2  1 ,2M , R D  1 k , RT  4,7 k i RS  560  . Parametri n-kanalnog MOSFET-a su
K  2,2 mA/V 2 , U GS 0   2 V i   0,004 V -1 . Odrediti:
a. statičku radnu točku,
u
b. naponsko pojačanje AV  iz ,
u ul
+UDD
-
R1 RD RT uiz
CD Riz
CS Rg
+
CG R2 RS uul ug
Rul
Slika 3.1.
a. Kod proračuna statičke radne točke svi kondenzatori imaju beskonačno veliki otpor,
slika 3.2a. Ulazna mreža, koja je prikazana na slici 3.2b nadomješta se prema Thevenin-u,
slika 3.2c. Na slici 3.2d prikazan je sklop koji će nam poslužiti za proračun statičke radne
točke. Isto kao i za sklop iz zadatka 1.
+UDD +UDD +UDD
R1 RD R1
G G RG G
RG G
IG
R2 RS R2 UGG ID
UGG RS
a) b) c) d)
Slika 3.2.
Napon UGG se dobije pomoću izraza:
R2 1,2  10 6
U GG   U DD   12  2,82V
R1  R2 1,2  10 6  3,9  10 6
R R 1,2  10 6  3,9  10 6
RG  R1 R2  1 2   917,65k
R1  R2 1,2  10 6  3,9  10 6
Struja odvoda je:
K
I DQ  U GSQ  U GS 0 2  U GG  U GSQ
2 RS
 1  2  U GG
2
U GSQ  2    U GS 0   U GSQ  U GS
2
0  0
 K  RS  K  RS
2
U GSQ  5,62  U GSQ  0,584  0
U GSQ1  0,1V
U GSQ 2  5,73V
Za n-kanalni MOSFET mora vrijediti U GSQ  U GS 0   2 V . Zbog doga drugo rješenje nije
dobra i vrijedi U GSQ  0,1V . Struja odvoda jednaka je:
3
K
I DQ  U GSQ  U GS 0 2  2,2 10 0,1  22  4,86mA
2 2
U DD  I DQ  R D  U DSQ  I DQ  R S
U DSQ  U DD  I DQ  R D  RS   12  4,86  10 3  (1000  560)  4,42V
U DSQ  4,42V  U GSQ  U GS 0  0,1  1  2,1V MOSFET radi u području zasićenja.
i D
gm   K U GSQ  U GS 0 1   U DSQ   2,2  10 3 0,1  2   1  0,004  4,42   4,71 mA/V
u GS Q
i D
1
 
K
U GSQ  U GS 0 2   I DQ  0,004  4,86 10 3  19,44 μS ,
rd u DS Q
2
1
rd   51,44 k
19,44  10 6
b. Za izmjenični signal svi kondenzatori imaju jako mali otpor tj. predstavljaju kratki
spoj. Kondenzator CG predstavlja kratki spoj pa je upravljačka elektroda MOSFET-a je spojen
na masu. Naponski izvori UDD i UGG za izmjenični signal predstavljaju kratki spoj. Za crtanje
dinamičke sheme za mali signal krenuti ćemo od modela MOSFET-a za mali signal, slika 3.3.
ugs rd
S D
- +
ugs udg
+ G -
Slika 3.3.
Prema slici 3.1 između uvoda i mase spojen je otpornik RS, slika 3.4.
ugs rd
S D
- +
RS ugs udg
+ G -
Slika 3.4.
Kapacitet CS je kratki spoj pa je otpornik Rg spojen na uvod. Otpornik Rg je preko naponskog
izvora ug vezan na masu, slika 3.5. Time smo nadomjestili ulazni krug.
ugs rd
Rg S D
+ - +
ug uul RS ugs udg
- + G -
Slika 3.5.
Između odvoda i mase nalazi se otpornik RD, slika 3.6.
ugs rd
Rg S D
+ -
ug uul RS ugs RD
- + G
Slika 3.6.
Isto tako, između odvoda i mase spojeno je trošila zato što su kondenzator CD i naponski izvor
UDD kratki spoj za izmjenični signal, slika 3.7.
iul ugs rd
Rg S D
+ iRS - id
+
ug uul RS ugs 1 RD RT uiz
- + G -
Rul Riz
Slika 3.7.
Iz slike 3.7. možemo pisati da je:
u ul  u gs
Jednadžba petlje ″1″ glasi:
u gs    u gs  id  rd  id  R D RT  0
1     u gs  id  rd  RD RT 
 1     uul  id  rd  RD RT 
1     u ul
id  
rd  RD RT
1     u ul 1     RD RT  u ul
u iz  id  R D RT     R D RT  
rd  R D RT rd  R D RT
Iz gornjeg izraza dobivamo pojačanje:
u 1     RD RT
AV  iz 
u ul rd  R D RT
Korištenjem Barkhausenove jednadžbe   g m  rd (   1  1      g m  rd ) pojačanje
možemo pisati u obliku:
u g m  rd  RD RT
AV  iz   g m  rd R D RT  4,71  10 3  51,44  10 3 1000 4700  3,82
u ul rd  R D RT
c. Ulazni otpor pojačala može odrediti iz izraza:

u
Rul  ul
iul
Jednadžba struja u čvoru S jednaka je:
iul  id  i RS  iul  i RS  id
Struju id smo ranije izrazili; preostaje nam još da izrazimo struju iRS koja je jednaka:
u
i RS  ul
RS
Ulazna struja je jednaka:
u  1     u ul   1 1      u
iul  ul     
RS  rd  R D RT   RS rd  R D RT 
ul
Ulazni otpor jednak je:
u ul 1 rd  RD RT 51,44  10 3  1000 4700

Rul    RS  560  155,8
iul 1

1  rd  g m 51,44  10 3  4,71  10 3
RS rd  RD RT
spajaju, a strujni su odspojeni. Zavisni izvori će postojati ako postoji napon ili struja od koje
zavise. Trošilo je zamijenjeno naponskim izvorom u koji daje struju i. Izlazni otpor jednak je:
u
Riz 
i
Za određivanje izlaznog otpora nadomjesna shema prikazana je na slici 3.8.
ugs rd i
Rg S D
-
ug RS ugs RD u
+ G
Riz
Slika 3.8.
Šta je s izvorom   u gs ? Prvi korak je da taj izvor, pošto je naponski kratko spojimo i
pogledamo da li postoji napon ugs, slika 3.9.
ugs rd i
Rg S D
-
ug RS ugs RD u
+ G
Riz
Slika 3.9.
Sa slike se vidi dio struje i stvara pad napona na paraleli otpornika Rg i RS što znači da
naponski izvor   u gs postoji. Na slici 3.10. prikazana je nadomjesna shema koja će nam
poslužiti za računanje izlaznog otpora.
ugs rd id1 i
Rg S D
- i RD
ug RS ugs  RD u
+ G
Riz
Slika 3.10.
Jednadžba struja u čvoru D jednaka je:
i  id 1  i RD
u
i RD 
RD
Jednadžba petlje ”2” dana je izrazom:
u  id 1  rd    u gs  id 1  RS R g
Napon ugs jednak je:
u gs  id 1  RS R g
Iz gornje dvije jednadžbe dobivamo struju id1:
u
id 1 
rd  1     RS R g
Struja i jednaka je:
 1 1 
 u  
u u
i  
RD rd  1     RS R g
 D rd  1     RS R g 
 R 
u u 1
Riz    
i  1  1 1
1 
u   
 RD r  1     R R  R D rd  1     RS R g
 d S g 
  
 RD rd  1     RS R g  1000 51,44  10 3  51,44  10 3  4,71  10 3  560 500  991,4 
ZADATAK 4. U pojačalu sa slike 4.1 zadano je: U DD  15V , R g  500  , R1  2 M ,

R 2  1 M , RT  3,9 k i RS  2 k . Parametri p-kanalnog MOSFET-a su
K   2 mA/V , U GS 0  1 V i    0,0055 V . Odrediti:
2 -1
a. statičku radnu točku,

u
u ul
R1 +UDD
Rg CG
CS
+
+
ug uul
R2 RS RT uiz
-
-
Rul Riz
Slika 4.1.
Rješenje:
a. Kod proračuna statičke radne točke svi kondenzatori imaju beskonačno veliki otpor,
slika 4.2a. Ulazna mreža, koja je prikazana na slici 4.2b nadomješta se prema Thevenin-u,
slika 4.2c. Na slici 4.2d prikazan je sklop koji će nam poslužiti za proračun statičke radne
točke.
+UDD +UDD
+UDD
R1 R1
G G RG G
RG G
IG
R2 RS R2 UGG ID
UGG RS
a) b) c) d)
Slika 4.2
Napon UGG se dobije pomoću izraza:
R2 1  10 6
U GG   U DD    15  5V
R1  R2 1  10 6  2  10 6
R R 1  10 6  2  10 6
RG  R1 R2  1 2   667k
R1  R2 1  10 6  2  10 6
Struja odvoda je:
U GG  U GSQ
I DQ  U GSQ  U GS 0  
K 2
2 RS
 1  2  U GG
2
U GSQ  2    U GS 0   U GSQ  U GS
2
0  0
 K  RS  K  RS
2
U GSQ  2,5  U GSQ  1,5  0
U GSQ1  0,5V
U GSQ 2  3V
Za p-kanalni MOSFET mora vrijediti U GSQ  U GS 0  1 V . Zbog doga drugo rješenje nije dobra
već vrijedi U GSQ  0,5V . Struja odvoda jednaka je:
3
I DQ 
K
U GSQ  U GS 0 2   2 10  0,5  12  2,25mA
2 2
U DD  U DSQ  I DQ  RS
U DSQ  U DD  I DQ  RS  15  2,25  10 3  2  10 3  10,05V
U DSQ  10,05V  U GSQ  U GS 0   0,5  1  1,5V MOSFET radi u području zasićenja.
i D
gm   K U GSQ  U GS 0 1   U DSQ    2  10 3  0,335  1  1  0,0055  10,05  3,17 mA/V
u GS Q
i D
1
 
K
U GSQ  U GS 0 2   I DQ   0,0055  2,25 10 3  12,375 μS ,
rd u DS Q
2
1
rd   80,8 k
12,375  10 6
b. Za izmjenični signal svi kondenzatori imaju jako mali otpor tj. predstavljaju kratki.
Naponski izvori UDD i UGG za izmjenični signal predstavljaju kratki spoj zbog toga je odvod
spojen na masu. Za crtanje dinamičke sheme za mali signal krenuti ćemo od modela
MOSFET-a za mali signal, slika 4.3.
S
G ugs
+ -
gmugs rd
D
Slika 4.3.
Između upravljačke elektrode i mase spojen je otpornik RG jer je naponski izvor UGG
predstavlja kratki spoj za izmjenični signal, slika 4.4.
S
G ugs
+ -
RG gmugs rd
D
Slika 4.4.
Na upravljačku elektrodu još je spojen i otpornik Rg jer je kondenzator CG kratki spoj za
izmjenični signal. Otpornik Rg je preko naponskog izvora ug vezan na masu, slika 4.5. Time
smo nadomjestili ulazni krug.
Rg S
G ugs
+ -
+
ug uul RG gmugs rd
-
D
Slika 4.5.
Između uvoda i mase nalazi se otpornik RS, slika 4.6.
Rg S
G ugs
+ -
+
ug uul RG gmugs rd RS
-
D
Slika 4.6.
Isto tako, između uvoda i mase spojeno je trošila zato što je kondenzator CS kratko spojen,
slika 4.7.
Rg iul S
G ugs
+ - +
+
ug uul RG gmugs rd RS RT uiz
- -
Rul D Riz
Slika 4.7
u iz
Pojačanje AV  što znači da trebamo naći omjer između napon uiz i uul
u ul
u iz  g m  u gs  rd RS RT

u ul  u gs  u iz  u gs  g m  u gs  rd RS RT  u gs  1  g m  rd RS RT 
u iz g m  u gs  rd RS RT g m  rd RS RT 3,17  10 3  80,8  10 3 2  10 3 3,9  10 3
AV      0,805

u ul u gs  1  g m  rd RS RT 
1  g m  rd RS RT 1  3,17  10 3  80,8  10 3 2  10 3 3,9  10 3
c. Ulazni otpor pojačala može se odrediti iz izraza:

u
Rul  ul  RG  667 k
iul
u
Riz 
i
Rg S
G i
+ ugs -
ug RG g mugs rd RS u
D Riz
Slika 4.9.
Šta je s izvorom g m  u gs ? Prvi korak je da taj izvor, pošto je strujni odspojimo i pogledamo
da li postoji napon ugs. U krugu upravljačke elektrode nalaze se samo dva otpornika bez
izvora zbog toga je upravljačka elektroda spojena na masu, što je prikazano na slici 4.9.
S
i
-
ugs gmugs rd RS u
+
G D Riz
Slika 4.9.
Sa slike se vidi da postoji napon ugs i da on je jednak naponu -u. Na slici 4.10. prikazana je
nadomjesna shema koja će nam poslužiti za računanje izlaznog otpora.
S i
-
ird iRS
ugs gmugs u
rd RS
+
G D Riz
Slika 4.10.
Suma struja u čvoru ”S” jednaka je:

i  g m  u gs  ird  i RS  i  ird  i RS  g m  u gs  ird  i RS  g m  u
u
ird 
rd
u
i RS 
RS
u u 1 1 
i   g m  u     g m   u
rd RS  rd RS 
u 1 1 1
Riz     rd RS  271,3
i 1 1 gm 1 1 3
  gm   3,17  10
rd RS 80,8  10 3 2  10 3
Zadatak 5. Za pojačalu sa slike 5.1 zadano je: U DD   18 V , R g  500  , R1  5,6 M ,
R2  2,2 M , R D  3,9 k i RT  5,6 k . Parametri p-kanalnog MOSFET-a su
K   2 mA/V 2 , U GS 0   2,5 V i    0,0054 V -1 . Na slici 5.2 prokazane su izlazne
karakteristike MOSFET-a s ucrtanim statičkim radnim pravcem i statičkom radnom točkom.
Odrediti:
a. vrijednost otpornika RS,
u
u ul
+UDD
R1 RD
CD
CG +
Rg
+ RT
uiz
ug uul
R2 RS
-
-
Rul Riz
Slika 5.1.
iD,mA
-7
uGS =-5V
-6
-5
-4 uGS=-4,5V
-3 Q
IDQ uGS=-4,008V=UGSQ
-2 uGS=-3,5V
-1 uGS=-3V
-5 UDSQ -10 -15 UDD u ,V
DS
Slika 5.2.
Rješenje:
a. Iz slike 5.2 možemo odrediti napon U GSQ  4,008V .
Struja odvoda je:
3
I DQ 
K
U GSQ  U GS 0 2   2 10  4,008  2,52  2,274mA
2 2
R2 2,2  10 6
U GG   U DD    18  5,08V
R1  R2 2,2  10 6  5,6  10 6
R1  R2 2,2  10 6  5,6  10 6
RG  R1 R2    1,58M
R1  R2 2,2  10 6  5,6  10 6
Iz gornjeg izraza možemo dobiti RS:
U GG  U GSQ  5,08  4,008
RS    470
I DQ  2,274  10 3
U DSQ  U DD  I DQ  RD  RS   18  2,274  10 3  (3900  470)  8,06V
U DSQ  8,06V  U GSQ  U GS 0   4,008  2,5  1,508V MOSFET radi u području zasićenja.
i D
gm   K U GSQ  U GS 0 1   U DSQ  
u GS Q
 2  10 3  4,008  2,5  1  0,0054   8,06  3,15 mA/V
i D
1
rd

u DS

K
2
 
U GSQ  U GS 0 2   I DQ   0,0054   2,274  10 3  12,28 μS ,
Q
1
rd   81,43 k
12,28  10 6
  g m  rd  3,15  10 3  81,43  10 3  256,3
b. Za izmjenični signal svi kondenzatori imaju jako mali otpor tj. predstavljaju kratki spoj.
Naponski izvori UDD i UGG za izmjenični signal predstavljaju kratki spoj. Za crtanje
dinamičke sheme za mali signal krenuti ćemo od modela MOSFET-a za mali signal, slika
5.3. Ovo je pojačalo u spoju zajedničkog uvoda premda uvod nije spojen na masu već je
spojen na otpornik RS koji je spojen na masu, slika 5.4.
ugs rd
G S D
+ ugs -
+
udg
-
Slika 5.3.
ugs rd
G S D
+ ugs -
+
RS udg
-
Slika 5.4.
Pri crtanju nadomjesnog sklopa pojačala sa slike 5.1 prvo ćemo nadomjestiti ulazni krug.
Između upravljačke elektrode i mase spojen je otpornik RG, jer je naponski izvor UGG za
izmjenični signal kratki spoj, slika 5.5.
ugs rd
G S D
+ ugs -
+
RG RS udg
-
Slika 5.5.
Na upravljačku elektrodu spojen je otpornik Rg , jer je kapacitet CG kratki spoj. U seriju s njim
spojen je naponski izvor ug, slika 5.6.
ugs rd
Rg iul G S D
+ ugs -
+ +
ug uul RG RS udg
- -
Rul
Slika 5.6.
Sad ćemo nadomjestiti izlazni krug. Između odvoda i mase spojen je otpornik RD, jer je
naponski izvor UDD za izmjenični signal kratki spoj, slika 5.7.
ugs rd
Rg iul G S D
+ ugs -
+ +
ug uul RG RS udg
- -
Rul
Slika 5.7.
Otpornik RT spojen je na masu, jer je kondenzator CD kratki spoj, slika 5.8.
ugs rd
Rg iul G S D
+ ugs - +
+ +
ug uul RG RS uRS id RD RT uiz
- - -
Rul Riz
Slika 5.8.
Naponski izvor   u gs daje struju id koja se može dobiti prema izrazu:
  u gs
id 
RS  rd  RD RT
Struja id stvara pad napona na otporniku RS koji je jednak:
u RS  RS  id
Napon ugs jednak je:
  u gs
u gs  u ul  u RS  u ul  RS  id  u ul  RS 
RS  rd  RD RT
Iz gornjeg izraza dobivamo ulazni napon:
  u gs R  rd  RD RT   u gs  RS    u gs RS  1     rd  RD RT
u ul  u gs  RS     u gs
S
RS  rd  RD RT RS  rd  RD RT RS  rd  RD RT
Izlazni napon je jednak:
RD RT    u gs
u iz  id  RD RT  
RS  rd  RD RT
Naponsko pojačanje AV jednako je:
RD RT    u gs

u iz RS  rd  RD RT   RD RT
AV    
u ul RS  1     rd  RD RT RS  1     rd  RD RT
 u gs
RS  rd  RD RT
256,3  3900 5600
  2,88
470  1  256,3  81,43  10 3  3900 5600
c. Ulazni otpor pojačala može odrediti iz izraza:

u
Rul  ul  RG  1,58M
iul
u
Riz 
i
ugs rd
Rg G S i
D
+ ugs -
ug RG RS id RD u
Riz
Slika 5.9.
Šta je s izvorom   u gs ? Prvi korak je da taj izvor, pošto je naponski, kratko spojimo i
pogledamo da li postoji napon ugs. U krugu upravljačke elektrode nalaze se samo dva
otpornika bez izvora zbog toga je upravljačka elektroda spojena na masu, što je prikazano na
slici 5.10.
ugs rd
S D i
-
ugs RS id RD u
+
G Riz
Slika 5.10.
Sa slike se vidi dio struje i stvara pad napona na otporniku RS što znači da naponski izvor
  u gs postoji. Na slici 5.11. prikazana je nadomjesna shema koja će nam poslužiti za
računanje izlaznog otpora.
ugs rd
S D i
-
ugs RS id iRD RD u
+
G Riz
Slika 5.11.
Suma struja u čvoru ”D” jednaka je:

i  id  iRD
u    u gs
id 
rd  RS
u gs  id  RS
Iz gornje dvije jednadžbe dobiva je struja id:
u
id 
rd  1     RS
u
iRD 
RD
u u  1 1 
i     u
rd  1     RS RD  rd  1     RS RD 
1
 RD rd  1     RS  
u u
Riz   
i  1 1  1 1
    u 
 d
r  1     RS RD 
rd  1     RS RD

 3900 81,43 103  1  256,3  470  3,83k 
ZADATAK 6. Parametri tranzistora u CMOS invertoru su debljina oksida iznad kanala za

oba tranzistora tox  10 nm , pokretljivosti nosilaca u kanalu n  300 cm 2 / Vs ,
 p  75 cm 2 / Vs i naponi pragova U GS 0 n   U GS 0 p  0,75 V . Napon napajanja U DD  2,5 V .
Dužine kanala oba tranzistora su jednake, Ln  L p . Odrediti:
a. prag okidanja UP, ako je omjer širina kanala W p / Wn tranzistora T p i Tn jednak
W p / Wn  1 i W p / Wn  16 ,
b. omjer širina kanala W p / Wn tranzistora T p i Tn uz koji će napon praga okidanja biti
U
jednak polovici napona napajanja U P  DD  1,25 V .
2
Rješenje:
a. Napon praga okidanja jednak je:
r  U DD  U GS 0 p   U GS 0 n
U PO 
1 r
r   K p / Kn
Da bi odredili prag okidanja trebamo odrediti omjere strujnih koeficijenata MOSFET-ova,

K p / K n . Strujni koeficijent MOSFET-a jednak je:
W
K    Cox  ,
L
gdje je Cox je gustoća kapaciteta oksida
 ox
Cox  ,
tox
gdje je  ox dielektrička konstanta oksida i tox je debljina oksida iznad kanala.

Omjere strujnih koeficijenata MOSFET-ova K p / K n jednak je:
Wp  W
  p  Coxp    p  ox  p
Kp Lp tox Lp  W  W
   p p  p  p
Kn W  W n Wn n Wn
n  Coxn  n n  ox  n
Ln tox Ln
W p / Wn  1
Kp  p Wp 75 1
   1  
Kn n Wn 300 4
Kp  1
r        0,5
Kn  4
r  U DD  U GS 0 p   U GS 0 n 0,5  2,5  0,75  0,75
U PO    1,083V
1 r 1  0,5
W p / Wn  16
Kp  p Wp 75
   16  4
Kn n Wn 300
Kp
r     4   2
Kn
r  U DD  U GS 0 p   U GS 0 n 2  2,5  0,75  0,75
U PO    1,417V
1 r 1 2
b. Ako prag okidanja treba biti jednak polovici napona napajanja iz izraza
r  U DD  U GS 0 p   U GS 0 n
U PO  slijedi da je r  1 .
1 r
1 U DD  U GS 0 n   U GS 0 n U DD  U GS 0 n  U GS 0 n U DD
Provjera U PO    .
11 2 2
Kp Kp  p Wp W  300
r  1  1   p  n  4
Kn Kn n Wn Wn  p 75
ZADATAK 7. Parametri tranzistora u CMOS invertoru su debljina oksida iznad kanala za

oba tranzistora tox  10 nm , pokretljivosti nosilaca u kanalu n  300 cm 2 / Vs ,
 p  75 cm 2 / Vs i naponi pragova U GS 0 n   U GS 0 p  0,75 V . Dužine kanala oba tranzistora
su jednake, Ln  Lp  0,25m . Napon napajanja U DD  2,5 V . Kapacitet CT je 8 fF , a
dimenzije kanala tranzistora Tn i Tp su Wn  2 Ln  0,50 μm i W p  2 L p  0,50 μm odnosno
Wn  2 Ln  0,50 μm i W p  16 L p  4 μm . Odrediti:
a. vrijeme kašnjenja t dVN i t dNV ,
b. širinu kanala W p tranzistora T p da bi vrijeme kašnjenja tdNV bilo jednako vremenu
kašnjenja t dVN .
Rješenje:
a. vrijeme kašnjenja t dVN jednako je:
CT  U DD
tdVN 
K n  U DD  U GS 0 n 
2
W
K n  n  Cox  n
Ln
 ox  ox   0
3,9  8,854 1014
Cox   
6
 345,31 nF/cm2
tox tox 10
W 0,5
K n  n  Cox  n  300  345,31  10 9   207,2 A / V 2
Ln 0,25
8 1015  2,5
tdVN   31,5 ps
207,2 10 6  2,5  0,75
2
vrijeme kašnjenja tdNV jednako je:

CT  U DD
tdNV 
 K p  U DD  U GS 0 p 
2
Wp
K p    p  Cox 
Lp
 ox  ox   0 3,9  8,854 1014
Cox    6
 345,31 nF/cm2
tox tox 10
W p  2 L p  0,50 μm
Wp 0,5
K p    p  Cox   75  345,31 109   51,8A / V 2
Lp 0,25
8 1015  2,5
tdNV   126,1 ps
51,8  10 6  2,5  0,75
2
W p  16 L p  4 μm
Wp 4
K p    p  Cox   75  345,31  10 9   414,4A / V 2
Lp 0,25
8 1015  2,5
tdNV   15,76 ps
414,4  10 6  2,5  0,75
2
b. ako vrijeme kašnjenja t dNV mora biti jednako vremenu kašnjenja t dVN tada možemo pisati:
CT  U DD CT  U DD
tdVN  tdNV   , U GS 0 n   U GS 0 p ,  K n   K p
K n  U DD  U GS 0 n   K p  U DD  U GS 0 p 
2 2
Wn W W 
K n   K p  n  Cox    p  Cox  p  p  n
Ln Lp Wn  p
 300
W p  Wn  n  0,5   2 m
p 75
ZADACI ZA VJEŽBU
VJ.1. U pojačalu sa slike 1 zadano je: U DD  15 V , R g  500  , R1  2,7 M , R2  1 M ,

RD  3,3 k , RT  5,6 k i RS  680  . Parametri n-kanalnog
MOSFET-a su
u
K  2,11 mA/V2 , U GS 0  2 V i   0,004 V -1 . Odrediti naponska pojačanja AV  iz i
u ul
u iz
AVg  , ulazni otpor Rul i izlazni otpor Riz pojačala.
ug
+UDD
R1 RD
CD
CG +
Rg
+ RT
uiz
ug uul
R2 RS CS
-
-
Rul Riz
Slika 1.
Rješenje: AV=-5,1; AVg=-5,09; Rul=730 kΩ; Riz=3,24 kΩ.
VJ.2. Za pojačalu sa slike 1 zadano je: U DD  12 V , R g  500  , R1  3,3 M ,

R2  1 ,2M , RD  4,7 k i RT  6,8 k . Parametri n-kanalnog MOSFET-a su
K  2,6 mA/V2 , U GS 0  1,5 V i   0,0042 V -1 . Odrediti vrijednost otpornika RS tako da teče
u iz u
struja I DQ  1,405 mA . Izračunati naponska pojačanja AV  i AVg  iz , te ulazni otpor
u ul ug
Rul i izlazni otpor Riz pojačala.
Rješenje: RS=470 Ω, AV=-7,54; AVg=-7,53; Rul=880 kΩ; Riz=4,57 kΩ.
VJ.3. U pojačalu sa slike 2 zadano je: U DD  18 V , R g  500  , R1  8,2 M , R2  2 M ,

RD  2,7 k , RT  3,3 k i RS  390  . Parametri n-kanalnog MOSFET-a su K  2 mA/V2 ,
u iz u
U GS 0  0,5 V i   0,0038 V -1 . Odrediti naponska pojačanja AV  i AVg  iz , ulazni
u ul ug
otpor Rul i izlazni otpor Riz pojačala.
+UDD
R1 RD
CD
CG +
Rg
+ RT
uiz
ug uul
R2 RS
-
-
Rul Riz
Slika 2.
Rješenje: AV=-2,2239; AVg=-2,2232; Rul=1,61 MΩ; Riz=2,66 kΩ.
VJ.4. U pojačalu sa slike 3 zadano je: U DD  15 V , R g  500  , R1  2 M , R2  820k ,

RD  2,7 k , RT  6,8 k i RS  820  . Parametri MOSFET-a sun-kanalnog
u
K  2,2 mA/V2 , U GS 0  1 V i   0,0041 V -1 . Odrediti naponsko pojačanje AV  iz , ulazni
u ul
otpor Rul i izlazni otpor Riz pojačala.
+UDD
-
R1 RD RT uiz
CD Riz
CS Rg
+
CG R2 RS uul ug
Rul
Slika 3.
Rješenje: AV=6,24; Rul=225 Ω; Riz=2,67 kΩ.
VJ.5. U pojačalu sa slike 4 zadano je: U DD  20 V , R g  500  , R1  2,7 M , R2  2,7 M ,

RT  3,9 k i RS  5,6 k . Parametri n-kanalnog MOSFET-a su K  3 mA/V2 , U GS 0  0,5 V
u iz
i   0,0045V -1 . Odrediti naponsko pojačanje AV  , ulazni otpor Rul i izlazni otpor Riz
u ul
pojačala.
R1 +UDD
Rg CG
CS
+
+
ug uul
R2 RS RT uiz
-
-
Rul Riz
Slika 4.
Rješenje: AV=0,878; Rul=1,35 MΩ; Riz=298 Ω.
VJ.6. Parametri tranzistora u CMOS invertoru su debljina oksida iznad kanala za oba
tranzistora tox  9 nm , pokretljivosti nosilaca u kanalu n  275 cm2 / Vs ,  p  75 cm 2 / Vs i
naponi pragova U GS 0 n   U GS 0 p  0,6 V . Napon napajanja U DD  2,5 V . Dužine kanala oba
tranzistora su jednake, Ln  L p . Odrediti prag okidanja UP, ako je omjer širina kanala W p / Wn
tranzistora T p i Tn jednak W p / Wn  3 .
Rješenje: UP=1,22 V.
tranzistora tox  9 nm , pokretljivosti nosilaca u kanalu n  280 cm 2 / Vs ,  p  70 cm 2 / Vs i
tranzistora su jednake, Ln  L p . Odrediti prag okidanja UP, ako je omjer širina kanala W p / Wn
tranzistora T p i Tn jednak W p / Wn  2 .
Rješenje: UP=1,15 V.
tranzistora su jednake, Ln  L p . Odrediti omjer širina kanala W p / Wn tranzistora T p i Tn uz
U
koji će napon praga okidanja biti jednak polovici napona napajanja U P  DD  1,25 V .
2
Rješenje: W p / Wn  4 .
naponi pragova U GS 0 n   U GS 0 p  0,65 V . Dužine kanala oba tranzistora su jednake,
Ln  Lp  0,25m . Napon napajanja U DD  2,5 V . Kapacitet CT je 7,5 fF , a dimenzije kanala
tranzistora Tn i Tp su Wn  4 Ln  1 μm i W p  8 L p  2 μm . Odrediti vrijeme kašnjenja t dVN i
t dNV .
Rješenje: tdVN  12,75 ps ; tdNV  25,5 ps
Ln  Lp  0,25m . Napon napajanja U DD  2,5 V . Kapacitet CT je 10 fF , a dimenzije kanala
tranzistora Tn i Tp su Wn  3 Ln  0,75 μm i W p  9 Lp  2,25 μm . Odrediti vrijeme kašnjenja
t dVN i t dNV .
Ln  Lp  0,25m . Napon napajanja U DD  2,5 V . Kapacitet CT je 8 fF , a dimenzije kanala
tranzistora Tn i Tp su Wn  3 Ln  0,75 μm i W p  9 Lp  2,25 μm . Odrediti vrijeme kašnjenja
t dVN i t dNV .
Ln  Lp  0,25m . Napon napajanja U DD  2,5 V . Kapacitet CT je 10 fF , a širina kanala
tranzistora Tn je Wn  3 Ln  0,75 μm . Odrediti širinu kanala W p tranzistora T p da bi vrijeme
kašnjenja t dNV bilo jednako vremenu kašnjenja t dVN .
Rješenje: W p  3  Wn  2,25 μm
Bipolarni tranzistor
ZADATAK.1. Silicijski npn tranzistor ima homogene koncentracije primjesa u emiteru i bazi
iznosa NDE=2·1018 cm-3 i NAB=5·1016 cm-3. Efektivna širina baze je 1 µm, a emitera 2 µm.
Površina tranzistora je 2 mm2. Pokretljivosti manjinskih nosilaca su µ pE=300 cm2/Vs i
µ nB=500cm2/Vs. Vrijeme života elektrona u bazi je τnB=0,5 µs. Izračunati sve komponente
struja te faktore pojačanja α i β ako su naponi na spojevima UBE=0,55 V i UCB=5 V.
Pretpostaviti ICB0≈0 i UT=25 mV.
Rješenje:
Prvo treba izračunati ravnotežne koncentracije manjinskih nosilaca u bazi i emiteru:
n0 B =
ni2
≅
ni2
=
(
1,45 ⋅ 1010 )
2
= 4,2 ⋅ 10 3 cm −3
p0 B N AB 5 ⋅ 1016
p0 E
n2 n2
= i ≅ i =
(
1,45 ⋅ 1010 )
2
= 1,05 ⋅ 10 2 cm −3
n0 E N DE 2 ⋅ 1018
Redovito vrijedi da je NDE>NAB>NDC, pa prema tome za manjinske nosioce (npn tranzistor)

p0E<n0B<p0C (vidi sliku). Na slici su prikazane koncentracije manjinskih nosilaca za zadane
napone na spojevima.
E (n) B (p) C (n)

nB0
pE0
p0C
n0B
p0E
pC0
nBW
- UBE + - UCB +
Slika 1. Raspodjele manjinskih nosilaca za normalno aktivno područje
Ako si predočimo spojeve tranzistora s pn-diodama kao na slici vidimo da je uz UBE=0,55 V

spoj baza-emiter propusno polariziran. Rubne koncentracije odreñujemo preko Boltzmann-
ovih relacija:
1
 U BE   0,55  −3
n B 0 = n 0 B ⋅ exp 

= 4,2 ⋅10 3 ⋅ exp −3
 = 1,506 ⋅ 10 cm
13
 UT   25 ⋅ 10 
 U BE   0,55  −3
p E 0 = p 0 E ⋅ exp   = 1,05 ⋅10 2
 ⋅ exp  −3
 = 3,764 ⋅10 cm
11
U
 T   25 ⋅ 10 
Takoñer vidimo da je uz UCB=5 V spoj baza-kolektor nepropusno polariziran. Rubne

koncentracije računamo po Boltzmann-ovim relacijama:
 U BC   − U CB   −5 
n BW = n0 B ⋅ exp 
 = n0 B ⋅ exp 
 = 4,2 ⋅ 10 3 ⋅ exp −3 
≅0
 UT   UT   25 ⋅ 10 
 U BC   − U CB 
pC 0 = p 0C ⋅ exp =
 p0C ⋅ exp ≅
 0
 UT   UT 
E (n) B (p) C (n)

nB0
IE InE IC
pE0
IpE InC
p0C
n0B
p0E
pC0
IR nBW
xE xB
- wE 0 wB
IB
Slika 2. Komponente struja i ukupne struje tranzistora u NAP-u.
Sve komponente struja tranzistora računamo s njihovim stvarnim smjerovima što znači da će
sve komponente struja biti pozitivne. Za proračun struja koristit ćemo sliku 2. Zbog propusne
polarizacije na rubu spoja baza-emiter postoji višak nosilaca koji zbog razlike u
koncentracijama difundiraju prema emiterskom kontaktu (šupljine) odnosno spoju baza-
kolektor (elektroni). Brzina rekombinacije na metalnom emiterskom kontaktu je beskonačna
pa je koncentracija šupljina tik uz emiterski kontakt jednaka ravnotežnoj koncentraciji.
Difuzijska struja šupljina injektiranih iz baze u emiter prema tome iznosi:
2
− dp(x E ) p E 0 − p0 E p
I pE = − q ⋅ S ⋅ D pE ⋅ = q ⋅ S ⋅ D pE ⋅ ≅ q ⋅ S ⋅ D pE ⋅ E 0
dxE x 0 − (− wE ) wE
E =0
Prvi predznak 'minus' je zbog toga jer je stvarni smjer struje suprotan od smjera xE, a drugi
predznak 'minus' zbog toga što se šupljine gibaju od mjesta veće koncentracije prema mjestu
gdje je koncentracija manja, odnosno u smjeru negativnog gradijenta koncentracije šupljina.
Difuzijsku konstantu računamo preko Einstein-ovih relacija:
D pE = µ pE ⋅ U T = 7,5 cm 2 s
Uvrštenjem u gornju relaciju dobivamo:
pE0 3,764 ⋅ 1011

I pE ≅ q ⋅ S ⋅ D pE ⋅ = 1,6 ⋅ 10 −19 ⋅ 2 ⋅ 10 −2 ⋅ 7,5 ⋅ = 45,17 µA
wE 2 ⋅ 10 − 4
Difuzijska struja elektrona injektiranih iz emitera u bazu iznosi:
dn( x B ) nBw − nB 0 n
I nE = −q ⋅ S ⋅ DnB ⋅ = −q ⋅ S ⋅ DnB ⋅ ≅ q ⋅ S ⋅ DnB ⋅ B 0
dxB x =0
wB − 0 wB
B
'Minus' predznak je zbog toga jer je stvarni smjer struje suprotan od smjera porasta xB.
Elektroni se difuzijski gibaju od mjesta veće koncentracije prema mjestu manje koncentracije,
a struja teče u suprotnom smjeru jer je definirana gibanjem pozitivnog naboja. Prema tome
struja teče u smjeru pozitivnog gradijenta koncentracije elektrona.
Difuzijsku konstantu računamo preko Einstein-ovih relacija:
DnE = µ nE ⋅ U T = 12,5 cm 2 s
Uvrštenjem u gornju relaciju dobivamo:
nB0 1,506 ⋅ 1013

I nE =≅ q ⋅ S ⋅ DnB ⋅ = 1,6 ⋅ 10 −19 ⋅ 2 ⋅ 10 − 2 ⋅ 12,5 ⋅ = 6,024 mA
wB 1 ⋅ 10 − 4
Dio elektrona injektiranih iz emitera u bazu na putu prema kolektorskom spoju rekombinira s
većinskim šupljinama u bazi. Da bi se rekombinirane šupljine nadoknadile, iz vanjskog
priključka baze teče rekombinacijska struja IR. Mjeru rekombinacije u bazi daje nam bazni
transportni faktor β* kojeg računamo prema relaciji:
2 2 2
1 w  1  wB  1  10 − 4 
β = 1 − ⋅  B
*


=1− ⋅  = 1− ⋅  = 0,9992
2  LnB  2  DnB ⋅ τ nB
 

2  12,5 ⋅ 0,5 ⋅ 10 − 6 

Transportni faktor daje nam vezu izmeñu struje elektrona koji su krenuli s emiterskog spoja i
struje elektrona koji su stigli do kolektorskog spoja:
3
I nC
β* =
I nE
Sada možemo izračunati struju elektrona koji dolaze do kolektorskog spoja:
I nC = I nE ⋅ β * = 6,024 ⋅ 0,9992 = 6,0192 mA
Razlika struje koja je krenula s emiterskog spoja i struje koja je došla do kolektorskog spoja
jednaka je rekombinacijskoj struji baze:
I R = I nE − I nC = 6,024 − 6,0192 = 4,8 µA
Po konvenciji za smjerove struja uzima se da sve struje ulaze u tranzistor kako je i prikazano
na slici 2. Prema tome, sve struje koje stvarno ulaze u tranzistor su pozitivne, a one koje
izlaze negativne. Kada znamo sve komponente struja možemo računati struje koje teku u
vanjskim priključcima tranzistora. Struja emitera sastoji se od struje šupljina koje su
injektirane iz baze i koje dolaze do emiterskog kontakta te od struje elektrona koji se
injektiraju iz emitera u bazu. Ti elektroni moraju se osigurati iz vanjskog izvora te u vanjskom
priključku emitera teče struja:
( )
I E = −(I nE + I pE ) = − 6,024 + 45,17 ⋅ 10 −3 = −6,06917 mA
Struja je negativna jer je stvarni smjer struje suprotan pretpostavljenom. Struja stvarno izlazi
iz priključka emitera (zato strelica na simbolu za npn tranzistor gleda prema van).
Struja baze sastoji se od šupljina injektiranih iz baze u emiter te od rekombinacijske struje
baze koja nadoknañuje šupljine koje rekombiniraju s elektronima. Te šupljine moraju se
osigurati iz vanjskog izvora te u vanjskom priključku baze teče struja:
I B = I pE + I R = 45,17 + 4,8 = 49,97 µA
Struja je pozitivna jer ulazi u tranzistor.

Struja kolektora sastoji se od struje elektrona koji dolaze do kolektorskog spoja:
I C = I nC = 6,0192 mA
Struja je pozitivna jer ulazi u tranzistor.

Dalje računamo pojačanja tranzistora. Za pojačanja nam je potreban faktor injekcije odnosno
efikasnost emitera:
I nE 6,024
γ = = = 0,9926
I nE + I pE 6,024 + 45,17 ⋅ 10 −3
Ovaj faktor nam daje mjeru kolika je struja elektrona injektiranih iz emitera u bazu u odnosu
na ukupnu struju emitera. Od tih injektiranih elektrona dio se rekombinira u bazi, a veći dio
dolazi do spoja baza-kolektor koji je u NAP-u reverzno polariziran. Polje u kolektorskom
spoju djeluje tako da 'povlači' elektrone na stranu kolektora. Kako je već spomenuto mjeru
rekombinacije u bazi daje nam bazni transportni faktor, β*.
4
Ako proglasimo emitersku stezaljku ulaznom, kolektorsku izlaznom, a baznu dodjelimo kao
zajedničku ulaznom i izlaznom krugu, imamo situaciju sa slike 3. Tranzistor je u spoju
zajedničke baze. Ulazna struja je struja emitera, a izlazna struja je struja kolektora (označeni
su i ulazni i izlazni naponi). Istosmjerni faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničke baze je:
( IUL ) IE IC ( IIZ )
E C
+ +
( UUL ) UEB UCB ( UIZ )
B
- -
Slika 3. Spoj zajedničke baze.
IC
α=
− IE
Uvrštenjem komponenti struja dobivamo:
IC I nC β * ⋅I nE I nE
α= = = = β *⋅ = β * ⋅γ
− I E I nE + I pE I nE + I pE I nE + I pE
U našem primjeru pojačanje je:
α = β * ⋅γ = 0,9926 ⋅ 0,9992 = 0,9918
Ako proglasimo baznu stezaljku ulaznom, kolektorsku izlaznom, a emitersku dodjelimo kao
zajedničku ulaznom i izlaznom krugu, imamo situaciju sa slike 4. Tranzistor je u spoju
zajedničkog emitera. Ulazna struja je struja baze, a izlazna struja je struja kolektora (označeni
su i ulazni i izlazni naponi). Istosmjerni faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničkog emitera
je:
IC ( IIZ )
( IUL ) IB +
C
B
+
UCE ( UIZ )
E
( UUL ) UBE
- -
Slika 4. Spoj zajedničkog emitera.
IC
β=
IB
5
Uvrštenjem komponenti struja dobivamo:
I nC
IC I nC I nC I nC I nE β*
β= = = = = =
I B I pE + I R I pE + (I nE − I nC ) (I pE + I nE ) − I nC (I pE + I nE ) I nC 1
− −β*
I nE I nE γ
γ ⋅β * α
= =
1− γ ⋅ β * 1−α
U našem primjeru pojačanje je:
α 0,9918
β= = = 121
1−α 1 − 0,9918
Napomena: kod proračuna faktora pojačanja faktore γ, β* i α treba računati na četiri decimale
(ako su sve četiri devetke onda i na više i to do prve koja je različita od '9'). Ti faktori su bliski
jedinici i male pogreške kod zaokruživanja rezultata mogu dovesti do većih pogrešaka u
proračunu faktora β (pogledaj nazivnik izraza). Faktor β je dovoljno zaokružiti na cijeli broj.
ZADATAK.2. Bipolarni npn tranzistor radi u NAP-u uz struju emitera iznosa |IE|=5 mA.
Faktor injekcije (efikasnost emitera) je 0,995, a rekombinacijska struja baze iznosi 5 µA.
Odrediti sve komponente struja, te ukupne struje emitera, baze i kolektora. Izračunati
istosmjerne faktore strujnog pojačanja u spoju zajedničke baze i zajedničkog emitera.
Pretpostaviti ICB0=0.
Rješenje:
Uz pretpostavku da su pozitivne one struje koje ulaze u tranzistor, zbog stvarnih smjerova
struja za npn vrijedi:
IE<0 IC, IB>0
Pretpostavljeni i stvarni smjerovi struja bipolarnog npn tranzistora u NAP-u prikazani su na

slici 1. Stvarni smjerovi struja nalaze se u zagradama.
6
IE IC
( ) ( )
(
IB
)
Slika.1. Pretpostavljeni i stvarni smjerovi struja npn tranzistora u NAP-u.
Prema tome IE= - 5 mA
Vrijedi
I nE I
γ = = nE
I nE + I pE − I E
Iz toga slijedi:
I nE = γ ⋅ (− I E ) = 0,995 ⋅ 5 = 4,975 mA
I pE = − I E − I nE = 5 − 4,975 = 25 µA
Zadana je rekombinacijska struja baze:
I R = 5 µA
Ta struja nadoknañuje šupljine koje rekombiniraju s elektronima koji prolaze kroz bazu.
Prema tome ta struja je jednaka razlici struja elektrona na spojevima tranzistora:
I R = I nE − I nC
Iz toga računamo struju na kolektorskom spoju:
I nC = I nE − I R = 4,975 − 0,005 = 4,97 mA
Za ukupne struje možemo računati:
I C = I nC = 4,97 mA
Tranzistor možemo promatrati kao jedan čvor kao što je prikazano na slici 2. Zbroj svih struja
koje ulaze u čvor jednak je nula (Kirchoff). To možemo iskoristiti za proračun posljednje
preostale struje tranzistora.
7
IE IC IE IC
IB IB
Slika 2. Zbroj svih struja koje ulaze u tranzistor jednak je nula (Kirchoff).
Prema tome:
I B + I E + IC = 0 ,
odnosno
I B = − I E − I C = 5 − 4,97 = 30 µA
Provjere radi možemo raspisati preko komponenata struja:
I B = − I E − I C = (I pE + I nE ) − I nC = I pE + (I nE − I nC ) = I pE + I R = 25 + 5 = 30 µA
Rezultat je isti.
Faktori pojačanja su:
IC 4,97
α= = = 0,9940 SZB
− IE 5
IC 4,97
β= = = 166 SZE
I B 30 ⋅ 10 −3
ZADATAK.3. Bipolarni pnp tranzistor radi u NAP-u uz struju emitera iznosa |IE|=7,5 mA.
Faktor injekcije (efikasnost emitera) je 0,99, a rekombinacijska struja baze iznosi 20 µA.
Odrediti sve komponente struja, te ukupne struje emitera, baze i kolektora. Izračunati
istosmjerne faktore strujnog pojačanja u spoju zajedničke baze i zajedničkog emitera.
Pretpostaviti ICB0=0.
Rješenje:
Uz pretpostavku da su pozitivne one struje koje ulaze u tranzistor, zbog stvarnih smjerova
struja za pnp vrijedi:
IE>0 IC, IB<0
8
Pretpostavljeni i stvarni smjerovi struja bipolarnog pnp tranzistora u NAP-u prikazani su na
slici 1. Stvarni smjerovi struja nalaze se u zagradama.
IE IC
) ( ) (
)
IB
(
Slika.1. Pretpostavljeni i stvarni smjerovi struja pnp tranzistora u NAP-u
U usporedbi s npn tranzistorom stvarni smjerovi struja su suprotni. Isto vrijedi i za polaritete
napona koje treba dovesti na spojeve tranzistora da bi on bio u NAP-u. Radi jednostavnosti,
spojeve tranzistora možemo si predočiti s diodama prikazanim na slici 2.
NPN PNP
IE IC IE IC
) ( ) (
( ) ( )
(
IB IB
)
E B B C E B B C
- + - + + - + -
Polariteti napona za NAP Polariteti napona za NAP

BE – propusno BE – propusno
BC - nepropusno BC - nepropusno
Slika.2.Smjerovi struja i polariteti napona za npn i pnp tranzistor u NAP-u.
Prema tome IE=7,5 mA. Sve komponente struja tranzistora uvijek računamo s njihovim
stvarnim smjerovima pa će one biti pozitivne.
Vrijedi
I pE I pE
γ = =
I pE + I nE IE
Iz toga slijedi:
9
I pE = γ ⋅ I E = 0,99 ⋅ 7,5 = 7, 425 mA
I nE = I E − I pE = 7,5 − 7, 425 = 75 µA
Zadana je rekombinacijska struja baze:
I R = 20 µA
Kod pnp tranzistora to je struja elektrona koji dolaze iz vanjskog priključka da nadoknade
elektrone potrošene na rekombinaciju sa šupljinama koje prolaze kroz bazu (opet je sve
suprotno u odnosu na npn). Pošto elektroni ulaze u bazu iz vanjskog priključka, stvarni smjer
struje je takav da ona stvarno izlazi iz baze (smjer struje je definiran smjerom kretanja
pozitivnog naboja). Ta struja je jednaka razlici struja šupljina na spojevima tranzistora:
I R = I pE − I pC
Iz toga računamo struju na kolektorskom spoju:
I pC = I pE − I R = 7,425 − 0,020 = 7, 405 mA
Za ukupne struje možemo računati:
I C = − I pC = −7, 405 mA
Struja je negativna jer izlazi iz tranzistora.

Struja baze jednaka je:
I B = − I E − I C = −7,5 − (− 7,405) = −95 µA
Struja je negativna jer izlazi iz tranzistora.
Faktori pojačanja su:
IC 7,405 SZB
α= = = 0,9873
− IE 7,5
IC 7,405
β= = = 78 SZE
I B 95 ⋅ 10 −3
Izrazi za pojačanja su u biti jednaki za npn i pnp tranzistor zato jer su stvarni smjerovi struja
baze i kolektora jednaki i suprotni smjeru struje emitera
ZADATAK.4. Raspodjela nosilaca u bazi nekog npn tranzistora prikazana je na slici.

Pokretljivost elektrona u bazi je µn=550 cm2/Vs, a vrijeme života τn=1 µs. Površina
10
emiterskog spoja iznosi 2 mm2, a širina baze 2 µm. Rubna koncentracija elektrona je
nB0=3,75·1013 cm-3 Izračunati sve komponente struja te ukupne struje emitera, baze i kolektora
ako je poznato da tranzistor ima efikasnost emitera 99,5%. Pretpostaviti UT=25 mV i ICB0≈0.
nB0
n0B
0 wB
xB, µm
Rješenje:
Iz rubne koncentracije i širine baze možemo izračunati nakrcani naboj manjinskih nosilaca u
bazi. Računamo površinu pravokutnog trokuta:
n B 0 ⋅ wB 3,75 ⋅ 1013 ⋅ 2 ⋅ 10 −4
QnB = q ⋅ S ⋅ = 1,6 ⋅ 10 −19 ⋅ 2 ⋅ 10 − 2 ⋅ = 12 pAs
2 2
Iz naboja u bazi i vremena života nosilaca možemo izračunati rekombinacijsku struju baze
QnB 12 ⋅10 −12

IR = = = 12 µA
τn 10 −6
Iz raspodjele nosilaca u bazi možemo izračunati i struju elektrona injektiranih iz emitera u

bazu:
dn n 3,75 ⋅ 1013
I nE = q ⋅ S ⋅ Dn = q ⋅ S ⋅ µ n ⋅ U T ⋅ B 0 = 1,6 ⋅ 10 −19 ⋅ 2 ⋅ 10 − 2 ⋅ 550 ⋅ 25 ⋅ 10 − 3 ⋅ = 8,25 mA
dx wB 2 ⋅ 10 − 4
Zadana je efikasnost emitera 99,5% što znači da je γ=0,995 pa možemo računati emitersku
struju:
− I nE − 8,25
IE = = = −8,2915 mA
γ 0,995
Struja šupljina injektiranih iz baze u emiter:
I pE = − I E − I nE = 8,2915 − 8, 25 = 41,5 µA
Struja elektrona koji dolaze do kolektorskog spoja:
11
I nC = I nE − I R = 8, 25 − 12 ⋅ 10 −3 = 8,238 mA
I C = I nC = 8,238 mA
Struja baze:
I B = − I E − I C = 8,2915 − 8,238 = 53,5 µA
Pojačanja:
IC 8,238
α= = = 0,9935 SZB
− I E 8,2915
IC 8,238
β= = = 154 SZE
I B 53,5 ⋅ 10 −3
Može i preko α
α
β=
1−α
ZADATAK.5. Raspodjela šupljina u emiteru npn tranzistora uz UBE=0,55 V prikazana je na

slici. Pokretljivost šupljina u emiteru je µp=300 cm2/Vs. Površina emiterskog spoja je S=1
mm2, a širina emitera wE=2 µm. Koncentracija donora u emiteru iznosi NDE=1018 cm-3. U
zadanoj radnoj točki rekombinacijska struja baze IR=15 µA. Izračunati sve komponente struja,
ukupne struje emitera, baze i kolektora te pojačanja ako je poznato da tranzistor ima
efikasnost emitera 99,5%. Pretpostaviti UT=25 mV i ICB0≈0.
pE0
p0E
wE
Rješenje:
Iz raspodjele nosilaca možemo izračunati struju šupljina injektiranih iz baze u emiter:
12
dp p
I pE = q ⋅ S ⋅ D p ⋅ = q ⋅ S ⋅ Dp ⋅ E0
dx wE
Difuzijska konstanta:
D p = µ p ⋅ U T = 300 ⋅ 25 ⋅ 10 −3 = 7,5 cm 2 Vs
Rubna koncentracija:
p E 0 = p0 E
 U
⋅ exp


n2  U
= i ⋅ exp

 =
(1,45 ⋅10 )10 2

⋅ exp
0,55 
= 7,54 ⋅ 1011 cm −3
  −3 
 25 ⋅ 10 
18
UT  N DE UT  10
Struja šupljina injektiranih iz baze u emiter je:
pE 0 7,54 ⋅ 1011
I pE = q ⋅ S ⋅ Dp ⋅ −19 −2
= 1,6 ⋅ 10 ⋅ 10 ⋅ 7,5 ⋅ = 45,24 µA
wE 2 ⋅ 10 − 4
Struja emitera:
I pE
IE = − = 9,048 mA
(1 − γ )
Struja elektrona injektiranih iz emitera u bazu:
I nE = − I E − I pE = 9,048 − 45, 24 ⋅ 10 −3 = 9,00276 mA
Struja elektrona na kolektorskom spoju:
I nC = I nE − I R = 9,00276 − 15 ⋅ 10 −3 = 8,98776 mA
Struja kolektora:
I C = I nC = 8,98776 mA
Struja baze:
I B = − I E − I C = 9,048 − 8,98776 = 60,24 µA
Pojačanja:
IC 8,98776
β= = = 149
− I E 60,24 ⋅ 10 −3
β 149
α= = = 0,9933
1+ β 150
13
Zadaci za vježbu
VJ.1. Silicijski npn tranzistor ima homogene koncentracije primjesa u emiteru i bazi iznosa
NDE=1018 cm-3 i NAB=2,5·1016 cm-3. Efektivna širina baze je 0,75 µm, a emitera 2 µm.
Rješenje: InE=5,984 mA, IpE=25,5 µA IR=4,9 µA, InC=5,979 mA, IE= - 6,010 mA, IB= 30,4 µA, IC=5,979
mA, β=197, α=0,9949
VJ.2. Silicijski npn tranzistor ima homogene koncentracije primjesa u emiteru i bazi iznosa
NDE=1,5·1018 cm-3 i NAB=2,5·1016 cm-3. Efektivna širina baze je 1 µm, a emitera 2 µm.
Rješenje: InE=2,307 mA, IpE=10,4 µA IR=2 µA, InC=2,305 mA, IE= - 2,317 mA, IB= 12,32 µA, IC=2,305
mA, β=187, α=0,9947
VJ.3. Silicijski pnp tranzistor ima homogene koncentracije primjesa u emiteru i bazi iznosa
NAE=1,5·1018 cm-3 i NDB=2,5·1016 cm-3. Efektivna širina baze je 1 µm, a emitera 2 µm.
Površina tranzistora je 1 mm2. Pokretljivosti manjinskih nosilaca su µ pB=280 cm2/Vs i
µ nE=400cm2/Vs. Vrijeme života šupljina u bazi je τpB=0,45 µs. Izračunati sve komponente
struja te faktore pojačanja α i β ako su naponi na spojevima UBE= - 0,525 V i UCB= - 5 V.
Rješenje: IpE=1,242 mA, InE=14,8 µA IR=2 µA, IpC=1,240 mA, IE=1,257 mA, IB= - 16,76 µA, IC= - 1,240
mA, β=74, α=0,9867
VJ.4. Silicijski pnp tranzistor ima homogene koncentracije primjesa u emiteru i bazi iznosa
NAE=2·1018 cm-3 i NDB=5·1016 cm-3. Efektivna širina baze je 1 µm, a emitera 2 µm. Površina
tranzistora je 2 mm2. Pokretljivosti manjinskih nosilaca su µ pB=280 cm2/Vs i µ nE=400cm2/Vs.
Vrijeme života šupljina u bazi je τpB=0,5 µs. Izračunati sve komponente struja te faktore
pojačanja α i β ako su naponi na spojevima UBE= - 0,55 V i UCB= - 5 V. Pretpostaviti ICB0≈0 i
UT=25 mV.
Rješenje: IpE=3,377 mA, InE=60,3 µA IR=4,82 µA, IpC=3,372 mA, IE=3,437 mA, IB= - 65,12 µA, IC= -
3,372 mA, β=52, α=0,9811
VJ.5. Bipolarni npn tranzistor radi u NAP-u uz struju emitera iznosa |IE|=2,5 mA. Faktor
injekcije (efikasnost emitera) je 0,995, a rekombinacijska struja baze iznosi 5 µA. Odrediti
sve komponente struja, te ukupne struje emitera, baze i kolektora. Izračunati istosmjerne
faktore strujnog pojačanja u spoju zajedničke baze i zajedničkog emitera. Pretpostaviti ICB0=0.
14
Rješenje: InE=2,4875 mA, IpE=12,5 µA IR=5 µA, InC=2,4825 mA, IE= - 2,5 mA, IB= 17,5 µA, IC=2,4825
mA, β=142, α=0,9930
VJ.6. Bipolarni npn tranzistor radi u NAP-u uz struju emitera iznosa |IE|=3,5 mA. Faktor
Rješenje: InE=3,4738 mA, IpE=26,25 µA, IR=7 µA, InC=3,4668 mA, IE= - 3,5 mA, IB= 33,25 µA,
IC=3,4668 mA, β=104, α=0,9905
VJ.7. Bipolarni pnp tranzistor radi u NAP-u uz struju emitera iznosa |IE|=3 mA. Faktor
injekcije (efikasnost emitera) je 0,99, a rekombinacijska struja baze iznosi 5 µA. Odrediti sve
komponente struja, te ukupne struje emitera, baze i kolektora. Izračunati istosmjerne faktore
strujnog pojačanja u spoju zajedničke baze i zajedničkog emitera. Pretpostaviti ICB0=0.
Rješenje: IpE=2,97 mA, InE=30 µA IR=5 µA, IpC=2,965 mA, IE=3 mA, IB= - 35 µA, IC= - 2,965 mA,
β=85, α=0,9883
VJ.8. Bipolarni pnp tranzistor radi u NAP-u uz struju emitera iznosa |IE|=1,5 mA. Faktor
Rješenje: IpE=1,48425 mA, InE=15,75 µA IR=8 µA, IpC=1,47625 mA, IE=1,5 mA, IB= - 23,75 µA, IC= -
1,4763 mA, β=62, α=0,98417
VJ.9. Raspodjela manjinskih nosilaca u bazi nekog

npn tranzistora prikazana je na slici. Pokretljivost
n
elektrona u bazi je µn=530 cm2/Vs, a vrijeme života B0
τn=0,75 µs. Površina emiterskog spoja iznosi 2
mm2, a širina baze 1,5 µm. Rubna koncentracija
elektrona je nB0=2,5·1013 cm-3 Izračunati sve
komponente struja te ukupne struje emitera, baze i
kolektora ako je poznato da tranzistor ima
efikasnost emitera 99,8%. Pretpostaviti UT=25 mV i n0B
ICB0≈0.
Rješenje: InE=7.0667 mA, IpE=14,2 µA, IR=8 µA,

InC=7,0587 mA, IE= - 7,0808 mA, IB= 22,2 µA, IC=7,0587 0 wB
mA, β=319, α=0,9969
xB, µm
15
VJ.10. Raspodjela manjinskih nosilaca u bazi nekog
npn tranzistora prikazana je na slici. Pokretljivost
n
elektrona u bazi je µn=500 cm2/Vs, a vrijeme života B0
2
τn=0,5 µs. Površina emiterskog spoja iznosi 2 mm ,
a širina baze 1 µm. Rubna koncentracija elektrona je
nB0=1,45·1013 cm-3 Izračunati sve komponente struja
te ukupne struje emitera, baze i kolektora ako je
poznato da tranzistor ima efikasnost emitera
99,75%. Koliki je napon UBE ako se zna da je n0B
koncentracija akceptora u bazi NAB=2,5·1016 cm-3
Pretpostaviti UT=25 mV i ICB0≈0.
Rješenje: InE=5,8 mA, IpE=14,54 µA, IR=4,64 µA, 0 wB

InC=5,7954 mA, IE= - 5,8145 mA, IB= 19,18 µA, IC=5,7954
mA, β=302, α=0,9967. UBE=0,532 V xB, µm
VJ.11. Raspodjela manjinskih nosilaca u bazi

nekog pnp tranzistora prikazana je na slici. pB0
Pokretljivost šupljina u bazi je µp=280 cm2/Vs, a
vrijeme života τn=0,5 µs. Površina emiterskog spoja
iznosi 2,5 mm2, a širina baze 1 µm. Rubna
koncentracija elektrona je pB0=1,75·1013 cm-3
Izračunati sve komponente struja te ukupne struje
emitera, baze i kolektora ako je poznato da
p0B
tranzistor ima efikasnost emitera 99 %.
Rješenje: IpE=4,9 mA, InE=49,5 µA IR=7 µA,

IpC=4,893 mA, IE=4,9495 mA, IB= - 56,5 µA, IC= - 4,893 mA, 0 wB
β=87, α=0,9886
xB, µm
VJ.12. Raspodjela šupljina u emiteru npn tranzistora uz

UBE=0,55 V prikazana je na slici. Pokretljivost šupljina u
emiteru je µp=280 cm2/Vs. Površina emiterskog spoja je pE0
S=1 mm2, a širina emitera wE=2 µm. Koncentracija
donora u emiteru iznosi NDE=2·1018 cm-3. U zadanoj
radnoj točki rekombinacijska struja baze IR=12 µA.
Izračunati sve komponente struja, ukupne struje emitera,
baze i kolektora te pojačanja ako je poznato da tranzistor
ima efikasnost emitera 99,5%. Pretpostaviti UT=25 mV i
ICB0≈0.
p0E
Rješenje: InE=4,1998 mA, IpE=21,1 µA, IR=12 µA,

wE
InC=4,1878 mA, IE= - 4,2209 mA, IB= 33,1 µA, IC=4,1878 mA,
β=127, α=0,9922
16
VJ.13. Raspodjela šupljina u emiteru npn tranzistora
prikazana je na slici. Pokretljivost šupljina u emiteru je pE0
2
µp=270 cm /Vs. Površina emiterskog spoja je S=2,5
mm2, a širina emitera wE=1,5 µm. Ravnotežne i rubne
koncentracije nosilaca redom iznose p0E=2,1·102 cm-3 i
pE0=3,387·1011 cm-3. U zadanoj radnoj točki
rekombinacijska struja baze IR=10 µA. Izračunati napon
spoja baza-emiter UBE. Odrediti sve komponente struja,
ukupne struje emitera, baze i kolektora te pojačanja ako
je poznato da tranzistor ima efikasnost emitera 99,25%. p0E
Rješenje: UBE=0,53 V InE=8,0672 mA, IpE=61 µA, IR=10 wE

µA, InC=8,0572 mA, IE= - 8,1281 mA, IB= 71 µA, IC=8,0572 mA,
β=114, α=0,9913
VJ.14. Raspodjela elektrona u emiteru pnp tranzistora

uz UBE= - 0,55 V prikazana je na slici. Pokretljivost nE0
elektrona u emiteru je µn=400 cm2/Vs. Površina
emiterskog spoja je S=2 mm2, a širina emitera wE=1,8
µ m. Koncentracija akceptora u emiteru iznosi
NAE=2·1018 cm-3. U zadanoj radnoj točki
rekombinacijska struja baze IR=15 µA. Izračunati sve
komponente struja, ukupne struje emitera, baze i
kolektora te pojačanja ako je poznato da tranzistor ima
efikasnost emitera 99 %. Pretpostaviti UT=25 mV i n0E
ICB0≈0.
Rješenje: IpE=6,6328 mA, InE=67 µA IR=15 µA, wE

IpC=6,6178 mA, IE=6,6998 mA, IB= - 82 µA, IC= - 6,6178 mA,
β=81, α=0,9878
17
SKLOPOVI S BIPOLARNIM TRANZISTORIMA
ZADATAK 1. Za pojačalu sa slike 1.1 zadano je: U CC = 15 V , Rg = 500 Ω , R1 = 27 kΩ ,

R2 = 15 kΩ , RC = 2, 7 kΩ , RE = 2, 2 kΩ i RT = 2 kΩ . Parametri npn bipolarnog tranzistora su
β ≈ h fe = 120 , U γ = 0, 7 V i U A = 220 V . Naponski ekvivalent temperature U T = 25 mV .
Odrediti pojačanja AV = uiz / uul , AI = iiz / iul i AVg = uiz / u g , te ulazni i izlazni otpor pojačala.
Slika 1.1
Rješenje:
Kako bi odredili pojačanja i otpore, trebamo prvo odrediti statičku radnu točku i dinamičke
Thevenin-u slika 1.2c. Na slici 1.2d prikazana je shema koja će nam poslužiti za proračun
statičke radne točke.
Slika 1.2
Napon UBB je napon neopterećenog djelila R1-R2:

R2 15 ⋅103
U BB = ⋅U CC = ⋅15 = 5,36 V
R1 + R2 15 ⋅103 + 27 ⋅103
a otpor RB je paralelna kombinacija otpora R1 i R2:
R ⋅R 15 ⋅103 ⋅ 27 ⋅103
RB = R1 R2 = 1 2 = = 9, 64 kΩ
R1 + R2 15 ⋅103 + 27 ⋅103
Jednadžba ulaznog glasi:
U BB = I B ⋅ RB + U BE + ( I B + I C ) ⋅ RE
Struja kolektora jednaka je I C = β ⋅ I B . Uvrštavanjem struje kolektora u gornju jednadžbu i
nakon kraćeg računa dobivamo struju baze:
U BB − U BEQ 5,36 − 0, 7
I BQ = = = 16,88 μ A
RB + (1 + β ) ⋅ RE 9, 64 ⋅10 + (1 + 120 ) ⋅ 2, 2 ⋅103
3
Struja kolektora jednaka je:

I CQ = β ⋅ I BQ = 120 ⋅16,88 ⋅10−6 = 2, 03 mA
U CC = I C ⋅ RC + U CE + ( I B + I C ) ⋅ RE
Iz gornje jednadžbe dobivamo napon UCEQ koji je jednak:
(
U CEQ = U CC − I CQ ⋅ RC − I BQ + I CQ ⋅ RE )
U CEQ = 15 − 2, 03 ⋅10−3 ⋅ 2, 7 ⋅103 − (16,88 ⋅10 −6
)
+ 2, 03 ⋅10−3 ⋅ 2, 2 ⋅103
U CEQ = 5, 04 V
Ako je β >> 1 gornji izraz možemo pisati u pojednostavljenom obliku:
U CEQ ≈ U CC − I C ⋅ ( RC + RE ) = 15 − 2, 03 ⋅10−3 ⋅ (2, 7 ⋅103 + 2, 2 ⋅103 ) = 5, 07 V
Uz zanemarenje serijskog otpora baze dinamički parametri jednaki su:
U 25 ⋅10−3
rbe = T = = 1, 48 kΩ
I BQ 16,88 ⋅10−6
U CEQ + U A 5, 07 + 220
rce = = = 111,1 kΩ
I CQ 2, 03 ⋅10−3
h fe 120
gm = = = 81, 04 mA/V
rbe 1, 48 ⋅103
kratki spoj. Zbog toga je otpor RE za izmjenični signal kratko spojen tj. emiter npn tranzistora
je spojen na masu. Naponski izvori UCC i UBB za izmjenični signal također predstavljaju kratki
spoj. Za crtanje nadomjesne sheme za mali signal koristit ćemo model bipolarnog tranzistora
za mali signal pri čemu je zanemaren serijski otpor baze rbb' , slike 1.3.
Slika 1.3
Pri crtanju nadomjesne sheme pojačala sa slike 1.1 prvo ćemo nadomjestiti ulazni krug.
Između baze i mase spojen je otpornik RB, jer je naponski izvor UBB za izmjenični signal
kratki spoj, slika 1.4.
Slika 1.4
Na bazu spojen je otpornik Rg, jer je kapacitet CB kratki spoj. U seriju s njim spojen je
naponski izvor ug, slika 1.5.
Slika 1.5
Sad ćemo nadomjestiti izlazni krug. Između kolektora i mase spojen je otpornik RC, jer je
naponski izvor UCC za izmjenični signal kratki spoj, slika 1.6.
Slika 1.6
Isto tako, između kolektora i mase spojeno je trošilo jer je kondenzator CC kratki spoj, slika
1.7.
Slika 1.7
u iz
Pojačanje AV = što znači da trebamo naći omjer napon uiz i uul
u ul
Izlazni napon je:
uiz = − g m ⋅ ube ⋅ rce RC RT
Ulazni napon jednak je naponu ube.
uul = ube
uiz − g m ⋅ ube ⋅ rce RC RT

AV = = = − g m ⋅ rce RC RT = −81, 04 ⋅10−3 ⋅111,1 ⋅103 2, 7 ⋅103 2 ⋅103
uul ube
AV = −92,16
Strujno pojačanje možemo dobiti na dva načina. Prvi je da krenemo od definicije strujnog
pojačanja:
i
AI = iz
iul
te ga izrazimo preko naponskog pojačanja tj. izlaznu struju izrazimo preko izlaznog napona, a
ulaznu struju preko ulaznog napona. Ako pogledamo sliku 1.7 možemo pisati izraze za
izlaznu i ulaznu struju:
u
iiz = iz
RT
u
iul = ul
RB rbe
Uvrštavanjem gornjih izraza za struje u izraz za strujo pojačanje dobivamo:
uiz
iiz RT uiz ⋅ RB rbe uiz RB rbe RB rbe 9, 64 ⋅103 1, 48 ⋅103
AI = = = = ⋅ = AV ⋅ = −92,16 ⋅ = −59,15
iul uul uul ⋅ RT uul RT RT 2 ⋅103
RB rbe
Drugi način je da izlaznu i ulaznu struju izrazimo preko zajedničke veličine tj. veličine koja se
pojavljuje i u izlaznom i u ulaznom krugu. To je napon ube. Ulaznu struju smo već izrazili
preko ulaznog napona, a on je jednak naponu ube onda možemo pisati:
u u
iul = ul = be
RB rbe RB rbe
Ako pogledamo izlazni krug sheme na slici 1.7 vidimo da se struja zavisnog strujnog izvora
gmube dijeli na izlaznu struju i struju koja prolazi paralelnim spojem rbe i RC. Izlazna struja
jednaka je:
r R
iiz = − g m ⋅ ube ⋅ ce C
rce RC + RT
Uvrštavanjem izraza za ulaznu i izlaznu struju u izraz za strujo pojačanje dobivamo:
rce RC
− g m ⋅ ube ⋅
iiz rce RC + RT r R
AI = = = − g m ⋅ RB rbe ⋅ ce C =
iul ube rce RC + RT
RB rbe
−3
111,1⋅103 2, 7 ⋅103
= −81, 04 ⋅10 ⋅ 9, 64 ⋅10 1, 48 ⋅10 ⋅
3 3
= −59,15
111,1 ⋅103 2, 7 ⋅103 + 2 ⋅103
Pojačanje AVg je:
u u u
AVg = iz = iz ⋅ ul
u g uul u g
Ulazni napon je:
RB rbe
uul = u g ⋅
RB rbe + Rg
Uvrštavanje gornjeg izraza u izraz za pojačanje AVg dobivamo:
RB rbe
ug ⋅
u u RB rbe + Rg RB rbe
AVg = iz = iz ⋅ = AV ⋅ =
u g uul ug RB rbe + Rg
9, 64 ⋅103 1, 48 ⋅103
= −92,16 ⋅ = −66,32
9, 64 ⋅103 1, 48 ⋅103 + 500
Ulazni otpor je:
Rul = RB rbe = 9, 64 ⋅103 1, 48 ⋅103 = 1284Ω
je:
u
Riz =
i
Rg C i
B
+
ug RB ube rbe gmube rce RC u
-
E Riz
Slika 1.8
Što je s izvorom g m ⋅ ube ? Prvi korak je da taj strujni izvor odspojimo i pogledamo postoji li
napon ube, slika 1.9.
Rg C i
B
+
ug RB ube rbe gmube rce RC u
-
E Riz
Slika 1.9
Sa slike 1.9 vidi se da je napon ube = 0 , što znači strujni izvor g m ⋅ ube ne postoji. Na slici 1.10
prikazana je nadomjesna shema koja će nam poslužiti za izračun izlaznog otpora.
Slika 1.10
Iz gornje slike možemo odrediti napon u koja je jednaka:

u = i ⋅ rce RC
u i⋅r R
Riz = = ce C = rce RC = 111,1 ⋅103 2, 7 ⋅103 = 2636Ω
i i
Često je izlazni dinamički otpor tranzistora rce znatno veći od paralelne kombinacije otpora
RC RT ( rce = 111,1 kΩ >> RC RT = 1,149 kΩ ) ili od otpora RC ( rce = 111,1 kΩ >> RC = 2, 7 kΩ ), te
u tom slučaju možemo pojednostaviti izraze za pojačanja i izlazni otpor. U tom slučaju
možemo pisati:
u
AV = iz = − g m ⋅ rce RC RT ≈ − g m ⋅ RC RT = −81, 04 ⋅10−3 ⋅ 2, 7 ⋅103 2 ⋅103 = −93,1
uul
iiz r R RC
AI = = − g m ⋅ RB rbe ⋅ ce C ≈ − g m ⋅ RB rbe ⋅ =
iul rce RC + RT RC + RT
2, 7 ⋅103
= −81, 04 ⋅10−3 ⋅ 9, 64 ⋅103 1, 48 ⋅103 ⋅ = −59, 76
2, 7 ⋅103 + 2 ⋅103
u
Riz = = RC = 2700Ω
i
iiz RB rbe 9, 64 ⋅103 1, 48 ⋅103
AI = = AV ⋅ = −93,11⋅ = −59, 76
iul RT 2 ⋅103
RB rbe 9, 64 ⋅103 1, 48 ⋅103
AVg = AV ⋅ = −93,11⋅ = −67, 01
RB rbe + Rg 9, 64 ⋅103 1, 48 ⋅103 + 500
Rul = RB rbe = 9, 64 ⋅103 1, 48 ⋅103 = 1284Ω
U tablici 3.1 dani su usporedni rezultati i pogreška ako izostavimo rce i kad računamo s njim.
postotna
veličina bez rce sa rce
pogreška
AV -92,16 -93,10 -1,01%
AI -59,15 -59,76 -1,02%
AVg -66,32 -67,01 -1,03%
Rul [Ω] 1284 1284 0%
Riz [Ω] 2636 2700 -2,37%
Tablica 3.1
Iz tablice je vidljivo da pogreška nije veća od 2,4; Proizlazi da je zanemarenje opravdano.

R2 = 12 kΩ , RC = 3,3 kΩ , RE = 2 kΩ i RT = 2, 2 kΩ . Parametri npn bipolarnog tranzistora su
+UCC
R1 RC
CC iiz
iul CB +
Rg
+
RT uiz
ug uul
R2 RE
- -
Rul Riz
Slika 2.1
Rješenje:
statičke radne točke kao u zadatku 1.
+UCC +UCC +UCC
R1 RC R1 RC IC
RB RB
B
B B B
IB
UBB UBB
R2 RE R2 RE IB+IC
a) b) c) d)
Slika 2.2

R2 12 ⋅103
U BB = ⋅U CC = ⋅15 = 4 V
R1 + R2 12 ⋅103 + 33 ⋅103
R ⋅R 12 ⋅103 ⋅ 33 ⋅103
RB = R1 R2 = 1 2 = = 8,8 kΩ
R1 + R2 12 ⋅103 + 33 ⋅103
U BB − U BEQ 4 − 0, 7
I BQ = = = 10, 62 μ A
RB + (1 + β ) ⋅ RE 8,8 ⋅10 + (1 + 150 ) ⋅ 2 ⋅103
3

I CQ = β ⋅ I BQ = 150 ⋅10, 62 ⋅10−6 = 1,59 mA
(
( )
U CEQ = 15 − 1,59 ⋅10−3 ⋅ 3,3 ⋅103 − 10, 62 ⋅10−6 + 1,59 ⋅10−3 ⋅ 2 ⋅103
U CEQ = 6,54 V
U CEQ ≈ U CC − I C ⋅ ( RC + RE ) = 15 − 1,59 ⋅10−3 ⋅ (3,3 ⋅103 + 2 ⋅103 ) = 6,56 V
U 25 ⋅10−3
rbe = T = = 2,35 kΩ
I BQ 10, 62 ⋅10−6
U CEQ + U A 4 + 210
rce = = = 136 kΩ
I CQ 1,59 ⋅10 −3
h fe150
gm = = = 63, 71 mA/V
rbe 2,35 ⋅103
kratki spoj. Naponski izvori UCC i UBB za izmjenični signal također predstavljaju kratki spoj.
Za crtanje nadomjesne sheme za mali signal koristit ćemo model bipolarnog tranzistora za
mali signal pri čemu je zanemaren serijski otpor baze rbb' isto tako izostavljen je izlazni
dinamički otpor tranzistora rce (rce=136 kΩ>>RC||RT=1,32 kΩ). U prethodnom zadatku je
pokazano da nećemo puno pogriješiti ako zanemarimo taj otpor. Isto tako to pojednostavljenje
nam uvelike olakšava proračun pojačanja, ulaznog i izlaznog otpora. Na slici 2.3 prikazan je
model bipolarnog tranzistora koji ćemo koristiti.
Slika 2.3
Za razliku od zadatka 1 otpornik RE postoji i spojen je između emitera i mase, slika 2.4.
Slika 2.4
Slika 2.5
Slika 2.6
Između kolektora i mase spojen je otpornik RC, jer je naponski izvor UCC za izmjenični signal
Slika 2.7
Isto tako, između kolektora i mase spojeno je trošilo jer je kondenzator CC kratki spoj, slika
2.8.
Slika 2.8
u iz
u ul
Izlazni napon je:
uiz = −h fe ⋅ ib ⋅ RC RT
Ulazni napon možemo odrediti pomoću petlje "1"
uul = ib ⋅ rbe + ib ⋅ (1 + h fe ) ⋅ RE = ib ⋅ ⎡⎣ rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE ⎤⎦
uiz −h fe ⋅ ib ⋅ RC RT −h fe ⋅ RC RT −150 ⋅ 3,3 ⋅103 2, 2 ⋅103
AV = = = =
uul ib ⋅ ⎡ rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE ⎤ rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE 2,35 ⋅103 + (1 + 150 ) ⋅ 2 ⋅103
⎣ ⎦
AV = −0, 651
Prije proračuna strujnog pojačanja AI i pojačanja AVg odredit ćemo ulazni otpor pojačala. To
će nam olakšati proračun prije navedenih pojačanja. Ulazni otpor Rul jednak je:
u
Rul = ul
iul
Ulazna struja jednaka je:
iul = iRB + ib
uul
iRB =
RB
uul
ib =
rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE
uul uul ⎡ 1 1 ⎤
iul = iRB + ib = + = uul ⋅ ⎢ + ⎥⇒
RB rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE ⎢⎣ RB rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE ⎥⎦
uul 1
⇒ Rul = = = RB ⎡⎣ rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE ⎤⎦
iul 1 1
+
RB rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE
(
Rul = 2 ⋅103 2,35 ⋅103 + (1 + 150 ) ⋅ 2 ⋅103 = 8,55 kΩ )
Iz gornjeg izraza se vidi da je ulazni otpor jednak paraleli otpora RB i otpora koji ćemo
označiti s Rul' i koji je jednak:
Rul' = 2,35 ⋅103 + (1 + 150 ) ⋅ 2 ⋅103 = 304, 4 kΩ
Radi lakšeg proračuna pojačanja ulazni krug ćemo pojednostaviti, slika 2.9.
Rg iul ib
B
+ iRB
ug uul RB Rul'
Slika 2.9
pojačanja:
i
AI = iz
iul
izlaznu, a iz slike 2.9 za ulaznu struju:
u
iiz = iz
RT
uul
iul =
RB Rul'
uiz
iiz RT uiz ⋅ RB Rul' '
uiz RB Rul RB Rul'
AI = = = = ⋅ = AV ⋅
iul uul uul ⋅ RT uul RT RT
'
RB Rul
8,8 ⋅103 304, 4 ⋅103
AI = −0, 651⋅ = −2,53
2, 2 ⋅103
pojavljuje i u izlaznom i u ulaznom krugu. To je struja ib. Sa slike 2.9 vidi se da se ulaznu
struju dijeli na struju ib i iRB pa možemo pisati da je struja ib jednaka:
RB i RB
ib = iul ⋅ ⇒ b =
RB + Rul '
iul RB + Ru' l
hfeib dijeli na izlaznu struju i struju kroz otpor RC. Izlazna struja jednaka je:
RC i RC
iiz = − h fe ⋅ ib ⋅ ⇒ iz = − h fe ⋅
RC + RT ib RC + RT
i i i RC RB
AI = iz = iz ⋅ b = − h fe ⋅ ⋅ =
iul ib iul RC + RT RB + Rul'
3,3 ⋅103 8,8 ⋅103
= −150 ⋅ ⋅ = −2,53
3,3 ⋅103 + 2 ⋅103 8,8 ⋅103 + 304, 4 ⋅103
Pojačanje AVg je:
u u u
u g uul u g
Ulazni napon je:
RB Rul'
uul = u g ⋅
RB Rul' + Rg
RB Rul'
ug ⋅
uiz uiz RB Rul' + Rg RB Rul'
AVg = = ⋅ = AV ⋅ =
u g uul ug RB Rul' + Rg
8,8 ⋅103 304, 4 ⋅103
= −0, 651 ⋅ = −0, 615
8,8 ⋅103 304, 4 ⋅103 + 500
je:
u
Riz =
i
Slika 2.10
Što je s izvorom h fe ⋅ ib ? Prvi korak je da taj strujni izvor odspojimo i pogledamo postoji li
struja ib, slika 2.11.
Slika 2.11
Sa slike 2.11 vidi se da je struja ib = 0 , što znači strujni izvor h fe ⋅ ib ne postoji. Na slici 2.12
Slika 2.12

u
Riz = = RC = 3,3 kΩ
i
Ako ne izostavimo rce dobivamo sljedeće rezultate:

AV = −0, 644
AI = −2,503
AVg = −0, 609
Rul = 8547 Ω
Riz = 3299 Ω
postotna
pogreška
AV -0,651 -0,644 1,09%
AI -2,529 -2,503 1,04%
AVg -0,615 -0,609 0,99%
Rul [Ω] 8553 8547 0,07%
Riz [Ω] 3300 3299 0,03%
Tablica 2.1
Iz tablice je vidljivo da pogreška nije veća od 1,1 %; Proizlazi da je zanemarenje opravdano.
R2 = 18 kΩ , RC = 3,9 kΩ , RE = 1,8 kΩ i RT = 2, 7 kΩ . Parametri npn bipolarnog tranzistora
su β ≈ h fe = 200 , U γ = 0, 7 V i U A = 250 V . Naponski ekvivalent temperature U T = 25 mV .
+UCC
-
R1 RC RT uiz
CC
+
Riz iiz
CE iul Rg
+
CB R2 RE uul ug
-
Rul
Slika 3.1
Rješenje:
Slika 3.2

R2 18 ⋅103
U BB = ⋅U CC = ⋅15 = 3, 65 V
R1 + R2 18 ⋅103 + 56 ⋅103
R ⋅R 18 ⋅103 ⋅ 56 ⋅103
RB = R1 R2 = 1 2 = = 13, 62 kΩ
R1 + R2 18 ⋅103 + 56 ⋅103
Struja kolektora jednaka je I C = β I B . Uvrštavanjem struje kolektora u gornju jednadžbu i
U BB − U BEQ 3, 65 − 0, 7
I BQ = = = 7,85 μ A
RB + (1 + β ) ⋅ RE 13, 62 ⋅10 + (1 + 200 ) ⋅1,8 ⋅103
3

I CQ = β ⋅ I BQ = 200 ⋅ 7,85 ⋅10−6 = 1,57 mA
(
( )
U CEQ = 15 − 1,57 ⋅10−3 ⋅ 3,9 ⋅103 − 7,85 ⋅10−6 + 1,57 ⋅10−3 ⋅1,8 ⋅103
U CEQ = 6, 03 V
U CEQ ≈ U CC − I C ⋅ ( RC + RE ) = 15 − 1,57 ⋅10−3 ⋅ (3,9 ⋅103 + 1,8 ⋅103 ) = 6, 05 V
U 25 ⋅10 −3
rbe = T = = 3183 Ω
I BQ 7,85 ⋅10 −6
U CEQ + U A 3, 65 + 250
rce = = = 163 kΩ
I CQ 1,57 ⋅10−3
h fe150
gm = == 62,83 mA/V
rbe 3183
Baza npn tranzistora je spojena na masu jer vrijedi CB predstavljaju kratki spoj za izmjenični
signal. Za crtanje nadomjesne sheme za mali signal koristit ćemo model bipolarnog
tranzistora za mali signal pri čemu je zanemaren serijski otpor baze rbb' isto tako izostavljen je
izlazni dinamički otpor tranzistora rce (rce=163 kΩ>>RC||RT=1,43 kΩ). U prethodnom zadatku
je pokazano da nećemo puno pogriješiti ako zanemarimo taj otpor. Isto tako to
pojednostavljenje nam uvelike olakšava proračun pojačanja, ulaznog i izlaznog otpora. Na
slici 3.3 prikazan je model bipolarnog tranzistora koji ćemo koristiti.
Slika 3.3
Model sa slike 3.3 nije nacrtan na odgovarajući način. Ako pogledamo sliku 3.1 vidimo da se
radi o spoju zajedničke baze tj. baza će biti zajednička elektroda, ulaz se spaja na emiter, a
izlaz na kolektor. Imajući na umu prethodno objašnjenje model sa slike 3.3 malo ćemo
presložiti, slika 3.4.
Slika 3.4
Između emitera i mase spojen je otpornik RE, slika 3.5.
Slika 3.5
Na emiter spojen je otpornik Rg, jer je kapacitet CE kratki spoj. U seriju s njim spojen je
Slika 3.6
Sad ćemo nadomjestiti izlazni krug. Između kolektora i mase spojen je otpornik RC, jer je
Slika 3.7
Isto tako, između kolektora i mase spojeno je trošilo jer je kondenzator CC kratki spoj i
Slika 3.8
u iz
u ul
Izlazni napon je:
uiz = −h fe ⋅ ib ⋅ RC RT
Ulazni napon je pad napona na otporniku rbe koji stvara struja ib:
uul = −ib ⋅ rbe
u −h fe ⋅ ib ⋅ RC RT R R
AV = iz = = h fe ⋅ C T =
uul −ib ⋅ rbe rbe
3,9 ⋅103 2, 7 ⋅103
AV = 200 ⋅ = 100, 25
3183
u
Rul = ul
iul
iul = iRE + ie
uul
iRE =
RE
u
ib = − ul
rbe
ie + ib + ib ⋅ h fe = 0 ⇒ ie = −ib ⋅ (1 + h fe )
⎛ ⎞
⎛ u ⎞ ⎜ ⎟
u 1 1
iul = iRE + ie = iRE − ib ⋅ (1 + h fe ) = ul − (1 + h fe ) ⋅ ⎜ − ul ⎟ = uul ⋅ ⎜ + ⎟⇒
RE ⎝ rbe ⎠ ⎜ RE rbe ⎟
⎜ 1 + h fe ⎟
⎝ ⎠
uul 1 ⎛ r ⎞ 3 ⎛ 3183 ⎞
⇒ Rul = = = RE ⎜⎜ be ⎟⎟ = 1,8 ⋅10 ⎜ ⎟ = 15, 7 Ω
1 1
iul + ⎝ 1 + h fe ⎠ ⎝ 1 + 200 ⎠
RE rbe
1 + h fe
Iz gornjeg izraza se vidi da je ulazni otpor jednak paraleli otpora RE i otpora koji ćemo
r 3183
Rul' = be = = 15,84 Ω
1 + h fe 1 + 200
iRE
Rul'
Slika 3.9
pojačanja:
i
AI = iz
iul
u
iiz = iz
RT
uul
iul =
RE Rul'
uiz
i RT uiz ⋅ RE Rul' u RE Rul
'
RE Rul'
AI = iz = = = iz ⋅ = AV ⋅
'
RE Rul
1,8 ⋅103 15,84
AI = 100, 25 ⋅ = 0,583
2, 7 ⋅103
RE i 1 RE
ie = iul ⋅ = −ib ⋅ (1 + h fe ) ⇒ b = − ⋅
RE + Rul '
iul 1 + h fe RE + Ru' l
RC i RC
iiz = − h fe ⋅ ib ⋅ ⇒ iz = − h fe ⋅
RC + RT ib RC + RT
iiz iiz ib RC ⎛ 1 RE ⎞ h fe RC RE
AI = = ⋅ = − h fe ⋅ ⋅⎜ − ⋅ ⎟ = ⋅ ⋅
iul ib iul RC + RT ⎜ 1 + h fe RE + Rul ⎟ 1 + h fe RC + RT RE + Rul'
'
⎝ ⎠
200 3,9 ⋅10 3
1,8 ⋅10 3
= ⋅ ⋅ = 0,583
1 + 200 3,9 ⋅10 + 2, 7 ⋅10 1,8 ⋅103 + 15,84
3 3
Pojačanje AVg je:

u u u
u g uul u g
Ulazni napon je:
RE Rul'
uul = u g ⋅
RE Rul' + Rg
RE Rul'
ug ⋅
uiz uiz RE Rul' + Rg RE Rul'
AVg = = ⋅ = AV ⋅ =
u g uul ug RE Rul' + Rg
1,8 ⋅103 15,84
= 100, 25 ⋅ = 3, 05
1,8 ⋅103 15,84 + 500
je:
u
Riz =
i
Slika 3.10
Slika 3.11
Sa slike 3.11 vidi se da je struja ib = 0 , što znači strujni izvor h fe ⋅ ib ne postoji. Na slici 3.12
Slika 3.12

u
Riz = = RC = 3,9 kΩ
i
Ako ne izostavimo rce dobivamo sljedeće rezultate:
AV = 99, 29
AI = 0,5828
AVg = 3, 0502
Rul = 15,8477 Ω
Riz = 3899,9 Ω
postotna
pogreška
AV 100,25 99,29 0,97%
AI 0,5828 0,5828 0%
AVg 3,0515 3,0502 0,04%
Rul [Ω] 15,6977 15,8477 -0,95%
Riz [Ω] 3900 3899,9 0.003%
Tablica 3.1
Iz tablice je vidljivo da pogreška nije veća od 1%; Proizlazi da je zanemarenje opravdano.

R2 = 110 kΩ , RE = 3 kΩ i RT = 2, 7 kΩ . Parametri npn bipolarnog tranzistora su
+UCC
R1
Rg iul CB
+ CE iiz
uul +
ug
R2 RE RT uiz
- -
Rul Riz
Slika 4.1
Rješenje:
Kako bi odredili pojačanja i otpore; trebamo prvo odrediti statičku radnu točku i dinamičke
Slika 4.2

R2 110 ⋅103
U BB = ⋅U CC = ⋅15 = 8,59 V
R1 + R2 110 ⋅103 + 82 ⋅103
R ⋅R 110 ⋅103 ⋅ 82 ⋅103
RB = R1 R2 = 1 2 = = 47 kΩ
R1 + R2 110 ⋅103 + 82 ⋅103
U BB − U BEQ 8,59 − 0, 7
I BQ = = = 15, 79 μ A
RB + (1 + β ) ⋅ RE 47 ⋅10 + (1 + 150 ) ⋅ 3 ⋅103
3

I CQ = β ⋅ I BQ = 150 ⋅15, 79 ⋅10−6 = 2,37 mA
U CC = U CE + ( I B + I C ) ⋅ RE
(
U CEQ = U CC − I BQ + I CQ ⋅ RE )
(
U CEQ = 15 − 15, 79 ⋅10−6 + 2,37 ⋅10−3 ⋅ 3 ⋅103 )
U CEQ = 7,85 V
U CEQ ≈ U CC − I C ⋅ RE = 15 − 2,37 ⋅10−3 ⋅ 3 ⋅103 = 7,89 V
U 25 ⋅10−3
rbe = T = = 1583,5 Ω
I BQ 15, 79 ⋅10 −6
U CEQ + U A 7,89 + 250
rce = = = 108,9 kΩ
I CQ 2,37 ⋅10−3
h fe150
gm = = = 94, 73 mA/V
rbe 1583,5
Zbog toga je kolektor npn tranzistora je spojena na masu. Za crtanje nadomjesne sheme za
mali signal koristit ćemo model bipolarnog tranzistora za mali signal pri čemu je zanemaren
serijski otpor baze rbb' , a isto tako izostavljen je izlazni dinamički otpor tranzistora rce
(rce=163 kΩ>>RC||RT=1,43 kΩ). U prethodnom zadatku je pokazano da nećemo puno
pogriješiti ako zanemarimo taj otpor. Isto tako to pojednostavljenje nam uvelike olakšava
proračun pojačanja, ulaznog i izlaznog otpora. Na slici 4.3 prikazan je model bipolarnog
tranzistora koji ćemo koristiti.
Slika 4.3
Model sa slike 4.3 nije nacrtan na odgovarajući način. Ako pogledamo sliku 4.1 vidimo da se
radi o spoju zajedničkog kolektora tj. kolektor će biti zajednička elektroda, ulaz se spaja na
bazu, a izlaz na emiter. Imajući na umu prethodno objašnjenje model sa slike 4.3 malo ćemo
presložiti, slika 4.4.
Slika 4.4
Slika 4.5
Slika 4.6
Sad ćemo nadomjestiti izlazni krug. Između emitera i mase spojen je otpornik RE, slika 4.7.
ib
Rg iul B E
+ rbe
ug uul RB hfeib RE
-
Rul C
Slika 4.7
Isto tako, između emitera i mase spojeno je trošilo jer je kondenzator CE kratki spoj za
izmjenični signal kratki spoj, slika 4.8.
Slika 4.8
u iz
u ul
Izlazni napon je:
uiz = (1 + h fe ) ⋅ ib ⋅ RE RT
Ulazni napon možemo odrediti pomoću petlje "1"
(
uul = ib ⋅ rbe + (1 + h fe ) ⋅ ib ⋅ RE RT = ib ⋅ rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE RT )
u
AV = iz =
(1 + h fe ) ⋅ ib ⋅ RE RT = (1 + h fe ) ⋅ RE RT =
(
uul ib ⋅ rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE RT )
rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE RT
(1 + 150 ) ⋅ 3 ⋅103 2, 7 ⋅103

AV = = 0,9927
1583,5 + (1 + 150 ) ⋅ 3 ⋅103 2, 7 ⋅103
u
Rul = ul
iul
iul = iRB + ib
uul
iRB =
RB
uul
ib =
rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE RT
uul uul ⎛ 1 1 ⎞
iul = iRB + ib = + = uul ⋅ ⎜ + ⎟⇒
RB rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE RT ⎜ RB rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE RT ⎟
⎝ ⎠
u
⇒ Rul = ul =
iul 1
1
1 (
= RB rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE RT )
+
RB rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE RT
( (
Rul = 47 ⋅103 1583,5 + (1 + 150 ) ⋅ 3 ⋅103 2, 7 ⋅103 )) = 38, 6 kΩ
Iz gornjeg izraza se vidi da je ulazni otpor jednak paraleli otpora RB i otpora koji ćemo
( )
Rul' = rbe + (1 + h fe ) ⋅ RE RT = 1583,5 + (1 + 150 ) ⋅ 3 ⋅103 2, 7 ⋅103 = 216, 2 kΩ
iRB
Rul'
Slika 4.9
pojačanja:
i
AI = iz
iul
u
iiz = iz
RT
uul
iul =
RB Rul'
uiz
iiz RT uiz ⋅ RB Rul' '
uiz RB Rul RB Rul'
AI = = = = ⋅ = AV ⋅
'
RB Rul
47 ⋅103 216, 2 ⋅103
AI = 0,9927 ⋅ = 14,19
2, 7 ⋅103
RB i RB
ib = iul ⋅ ⇒ b =
RB + Rul '
iul RB + Ru' l
RE i RE
iiz = (1 + h fe ) ⋅ ib ⋅ ⇒ iz = (1 + h fe ) ⋅
RE + RT ib RE + RT
i i i RE RB
AI = iz = iz ⋅ b = (1 + h fe ) ⋅ ⋅
iul ib iul RE + RT RB + Rul'
3 ⋅103 47 ⋅103
= (1 + 150 ) ⋅ ⋅ = 14,19
3 ⋅103 + 2, 7 ⋅103 47 ⋅103 + 216, 2 ⋅103
Pojačanje AVg je:
u u u
u g uul u g
Ulazni napon je:
RB Rul'
uul = u g ⋅
RB Rul' + Rg
RB Rul'
ug ⋅
uiz uiz RB Rul' + Rg RB Rul'
AVg = = ⋅ = AV ⋅ =
u g uul ug RB Rul' + Rg
47 ⋅103 216, 2 ⋅103
= 0,9927 ⋅ = 0,98
47 ⋅103 216, 2 ⋅103 + 500
je:
u
Riz =
i
ib i
Rg B E
rbe
ug RB hfeib RE u
C Riz
Slika 4.10
ib i
Rg B E
rbe
ug RB hfeib RE u
C Riz
Slika 4.11
Sa slike 4.11 vidi se da struja ib nije jednaka 0, što znači strujni izvor h fe ⋅ ib postoji. Na slici
4.12 prikazana je nadomjesna shema koja će nam poslužiti za izračun izlaznog otpora.
iRE
Slika 4.12
Struja i jednaka je:

i = iRE − ib − ib ⋅ h fe = iRE − ib ⋅ (1 + h fe )
u
iRE =
RE
u
u = −ib ⋅ ( rbe + Rg RB ) ⇒ ib = −
rbe + Rg RB
u ⎛ u ⎞ ⎛ 1 1 + h fe ⎞
i = iRE − ib ⋅ (1 + h fe ) = −⎜− ⎟ ⋅ (1 + h fe ) = u ⋅ ⎜ + ⎟⎟ ⇒
RE ⎜⎝ rbe + Rg RB ⎟⎠ ⎜ RE rbe + Rg RB
⎝ ⎠
u 1 rbe + Rg RB 1583,5 + 500 47 ⋅103
⇒ Riz = = = RE = 3 ⋅10 3
= 13, 7 Ω
i 1 1 + h fe 1 + h fe 1 + 150
+
RE rbe + Rg RB
Ako ne izostavim rce dobivamo sljedeće rezultate:
AV = 0,9926
AI = 14,15
AVg = 0,9799
Rul = 38,5 Ω
Riz = 13, 6983 Ω
postotna
pogreška
AV 0,9927 0,9926 0,01%
AI 14,1886 14,1545 0,24%
AVg 0,9800 0,9799 0,01%
Rul [Ω] 38592 38503 0,23%
Riz [Ω] 13,7001 13,6983 0,01%
Tablica 4.1
Iz tablice je vidljivo da pogreška nije veća od 0,25 %; Proizlazi da je zanemarenje opravdano.
U prethodna četiri primjera pokazano je da izlazni dinamički otpor tranzistora rce nema veliki
utjecaj na pojačanja i otpore. Iz tog razloga u svim zadacima za vježbu taj otpor je zanemaren,
odnosno nije zadan Earlyjev napon UA. Isto tako i u zadacima na ispitu možete uzeti da je taj
otpor zanemariv.
ZADATAK 5. Da li je tranzistor u zasićenju ako je UCC=10 V, UCEzas=0,2 V, UBEzas=0,8 V,

UUL=5 V, RB= 22 kΩ, RC= 1,1 kΩ i β=50.
Slika 5.1
Rješenje:
Jednadžba ulaznog kruga glasi:

UUL = I B ⋅ R B +uBE ,
a jednadžba izlaznog kruga glasi:
U CC = I C ⋅ RC + uCE
Pretpostaviti ćemo da tranzistor radi u području zasićenja tj. da je napon uBE=UBEzas i napon
uCE=UCEzas odnosno struja IB=IBzas i IC=ICzas, pa gornje jednadžbe možemo pisati:
U − U BEzas
UUL = I Bzas ⋅ R B +U BEzas ⇒ I Bzas = UL
RB
U − U CEzas
U CC = I Czas ⋅ R C +U CEzas ⇒ I Czas = CC
RC
U − U BEzas 5 − 0,8
I Bzas = UL = = 191 μ A
RB 22 ⋅103
U − U CEzas 10 − 0, 2
I Czas = CC = = 8,91 mA
RC 1100
Da bi tranzistor radio u području zasićenja struja baze mora biti:
I 8,91 mA
I Bzas ≥ Czas ⇒ 191 μ A ≥ = 178 μ A
β 50
Vidimo da je gornja jednadžba istinita to znači da tranzistor kada vodi radi u području
zasićenja. Treba primijetiti da je tranzistor blizu granice zasićenja. Da bi se osigurao siguran
rad trebalo bi povećati struju baze. Ako pogledamo jednadžbu za struju baze vodimo da ona
ovisi o ulaznom naponu i otporniku RB. Ulazni napon je konstantan znači možemo promijeniti
RB tj. moramo smanjiti vrijednost otpornika. Uzeti ćemo otpor RB= 10 kΩ. U tom slučaju
struja baze je:
U − U BEzas 5 − 0,8
I Bzas = UL = = 420 μ A
RB 10 ⋅103
Provjera zasićenja:
I 8,91 mA
I Bzas ≥ Czas ⇒ 420 μ A ≥ = 178 μ A
β 50
Vidimo da je sad tranzistor dublje u zasićenju.
ZADATAK 6. Da li tranzistorska sklopka radi ispravno ako je UCC=10 V, UBB=5 V,

UCEzas=0,2 V, UBEzas=0,8 V, UUL1=5 V, UUL2=0 V, R1= 22 kΩ, R2= 270 kΩ, RC= 1,2 kΩ i
β=50.
Slika 6.1
Rješenje:
Prvo ćemo provjeriti da li tranzistor radi u zasićenju UUL=UUL1, a zatim ćemo provjeriti da li
je u području zapiranja UUL=UUL2.
Jednadžba izlaznog kruga ostaje ista i glasi:

I B = I1 + I 2
Struje I1 I2 jednake su:
U −u
I1 = UL1 BE
R1
−U BB − u BE
I2 =
R2
U − U CEzas
RC
U − U BEzas −U BB − U BEzas U UL1 − U BEzas U BB + U BEzas
I B = I1 + I 2 = UL1 + = −
R1 R2 R1 R2
U − U CEzas 10 − 0, 2
I Czas = CC = = 8,17 mA
RC 1200
U − U BEzas U BB + U BEzas 5 − 0,8 5 + 0,8
I Bzas = UL1 − = − = 169, 4 μ A
R1 R2 22 ⋅103 270 ⋅103
I 8,17 mA
I Bzas ≥ Czas ⇒ 169, 4 μ A ≥ = 163,3 μ A
β 50
Vidimo da je gornja jednadžba istinita to znači da tranzistor kada vodi radi u području
zasićenja. Treba primijetiti da je tranzistor blizu granice zasićenja. Da bi se osigurao siguran
rad trebalo bi povećati struju baze. Ako pogledamo jednadžbu za struju baze vodimo da ona
ovisi o ulaznom naponu i naponu UBB, otporniku R1 i R2. Ulazni napon je konstantan znači
možemo promijeniti napon UBB, otpore R1 i R2. Da bi porasla struja baze moramo povećati
otpor R2 i/ili smanjiti napon UBB i/ili smanjiti otpor R1. Uzeti ćemo otpor R1= 10 kΩ. U tom
slučaju struja baze je:
5 − 0,8 5 + 0,8
I Bzas = − = 398,5 μ A
10 ⋅103 270 ⋅103
I 8,17 mA
I Bzas ≥ Czas ⇒ 398,5 μ A ≥ = 163,3 μ A
β 50
Da bi tranzistor bio u području zapiranja napon na ulazu mora biti negativan ili može biti
pozitivan ali njegov iznos mora biti manji od 0,5 V. Pretpostavit ćemo da tranzistor radi u
području zapiranja, pa shemu sa slike 6.1 možemo pojednostaviti tako da izostavimo
tranzistor, slika 6.2.
Slika 6.2
Napon uBE dobit ćemo metodom superpozicije i on glasi:

R2 R1 270 22
u BE = U UL 2 ⋅ − U BB ⋅ = 0⋅ − 5⋅ = −0,377 V
R1 + R2 R1 + R2 22 + 270 22 + 270
Vidimo da je napon uBE negativan prema tome tranzistor je u zapiranju. Međutim ako ulazni
napon raste porasti će i napon uBE. To ćemo vidjeti u sljedećem primjeru ako se tranzistorska
sklopka iz ovog zadatka optereti istom tom sklopkom.
ZADATAK 7. Da li tranzistorska sklopka 2 radi ispravno ako je UCC=10 V, UBB=5 V,

UCEzas=0,2 V, UBEzas=0,8 V, UUL1=5 V, UUL2=0 V, R1= 22 kΩ, R2= 270 kΩ, RC= 1,2 kΩ i
β=50.
Slika 7.1
Rješenje:
Rješenje:
Prvo ćemo provjeriti da li tranzistor T2 radi u zasićenju UUL=UUL2, a zatim ćemo provjeriti da
li je u području zapiranja UUL=UUL1.
Ako je UUL=UUL2 T1 je u zapiranju pa shemu sa slike 7.1 možemo pojednostaviti tako da

izostavimo tranzistor T1, slika 7.2.
Slika 7.2
Jednadžba izlaznog kruga ostaje ista i glasi:

I B = I1 + I 2
Struje I1 I2 jednake su:
U − u BE
I1 = CC
RC + R 1
−U BB − u BE
I2 =
R2
U − U CEzas
RC
U − U BEzas −U BB − U BEzas U CC − U BEzas U BB + U BEzas
I B = I1 + I 2 = CC + = −
RC + R 1 R2 RC + R 1 R2
U − U CEzas 10 − 0, 2
I Czas = CC = = 8,17 mA
RC 1200
U − U BEzas U BB + U BEzas 10 − 0,8 5 + 0,8
I Bzas = CC − = − = 375,1 μ A
R C +R1 R2 1200 + 22 ⋅10 270 ⋅103
3

I 8,17 mA
I Bzas ≥ Czas ⇒ 375,1 μ A ≥ = 163,3 μ A
β 50
Vidimo da je tranzistor T2 u zasićenju.
Ako je UUL=UUL1 T1 je u zasićenju pa je napon uCE2=UCEzas. Pretpostavit ćemo da tranzistor T2

radi u području zapiranja, pa shemu sa slike 7.1 možemo pojednostaviti tako da izostavimo
tranzistor, slika 7.3.
Slika 7.3
Napon uBE dobit ćemo metodom superpozicije i on glasi:

R2 R1 270 22
u BE = U CEzas ⋅ − U BB ⋅ = 0, 2 ⋅ − 5⋅ = −0,192 V
R1 + R2 R1 + R2 22 + 270 22 + 270
Vidimo da je napon uBE negativan prema tome tranzistor je u zapiranju.
ZADACI ZA VJEŽBU
VJ.1. Za pojačalu sa slike 1 zadano je: U CC = 15 V , Rg = 500 Ω , R1 = 33 kΩ , R2 = 12 kΩ ,

RC = 3,3 kΩ , RE = 2 kΩ i RT = 2, 2 kΩ . Parametri npn bipolarnog tranzistora su
β ≈ h fe = 150 i U γ = 0, 7 V . Naponski ekvivalent temperature U T = 25 mV . Odrediti
pojačanja AV = uiz / uul , AI = iiz / iul i AVg = uiz / u g , te ulazni i izlazni otpor pojačala.
Rješenje: AV = −84, 09 AI = −71 AVg = −66, 26 Rul = 1857,5 Ω Riz = 3300 Ω

RC = 3,9 kΩ , RE = 1,8 kΩ i RT = 2, 7 kΩ . Parametri npn bipolarnog tranzistora su
Rješenje: AV = −100, 25 AI = −95,8 AVg = −83,98 Rul = 2580 Ω Riz = 3900 Ω

Rješenje: AV = −119, 01 AI = −50,31 AVg = −98, 26 Rul = 2367,5 Ω Riz = 6800 Ω

Slika 1

RC = 2, 7 kΩ , RE = 2, 2 kΩ i RT = 2 kΩ . Parametri npn bipolarnog tranzistora su
Rješenje: AV = −0,515 AI = −2,397 AVg = −0, 489 Rul = 9308 Ω Riz = 2700 Ω

RC = 3,9 kΩ , RE = 1,8 kΩ i RT = 2, 7 kΩ . Parametri npn bipolarnog tranzistora su
Rješenje: AV = −0,874 AI = −4, 252 AVg = −0,842 Rul = 13132 Ω Riz = 3900 Ω

Rješenje: AV = −2,9648 AI = −11,9 AVg = −2,9 Rul = 2247 Ω Riz = 6800 Ω

Slika 2

RC = 2, 7 kΩ , RE = 2, 2 kΩ i RT = 2 kΩ . Parametri npn bipolarnog tranzistora su
Rješenje: AV = 93,11 AI = 0,567 AVg = 2, 212 Rul = 12,17 Ω Riz = 2700 Ω

Rješenje: AV = 84,1 AI = 0,591 AVg = 2,524 Rul = 15, 47 Ω Riz = 3300 Ω

Rješenje: AV = 117, 66 AI = 0,5292 AVg = 5, 643 Rul = 25188 Ω Riz = 6,8 Ω

+UCC
-
R1 RC RT uiz
CC
+
Riz iiz
CE iul Rg
+
CB R2 RE uul ug
-
Rul
Slika 3
VJ.10. Za pojačalu sa slike 4 zadano je: U CC = 15 V , Rg = 500 Ω , R1 = 100 kΩ ,

R2 = 150 kΩ , RE = 3,9 kΩ i RT = 4, 7 kΩ . Parametri npn bipolarnog tranzistora su
Rješenje: AV = 0,9941 AI = 11,14 AVg = 0,9848 Rul = 52, 7 kΩ Riz = 15, 05 Ω

RE = 5, 6 kΩ i RT = 3,9 kΩ . Parametri npn bipolarnog tranzistora su β ≈ h fe = 250 i
U γ = 0, 7 V . Naponski ekvivalent temperature U T = 25 mV . Odrediti pojačanja AV = uiz / uul ,
AI = iiz / iul i AVg = uiz / u g , te ulazni i izlazni otpor pojačala.
Rješenje: AV = 0,9916 AI = 12, 68 AVg = 0,9818 Rul = 49,9 kΩ Riz = 21,33 Ω
+UCC
R1
Rg iul CB
+ CE iiz
uul +
ug
R2 RE RT uiz
- -
Rul Riz
Slika 4
STABILIZATOR
ZADATAK 1. Odrediti u kojim granicama se može kretati iznos otpora R1 tako da
stabilizator sa slike radi ispravno. Parametri Zenerove diode su UZ=6,3 V, IZmin=1 mA,
PZmax=500mW i rz=1 Ω. Ulazni napon kreće se u granicama od 13 V do 17 V, a otpor trošila
ima minimalni iznos od 220 Ω. Odabrati otpornik R1 tako da stabilizator radi ispravno. Uz
odabrani iznos otpora R1 izračunat disipaciju na otporniku R1 za najlošiji slučaj.
Rješenje:
Sa slike se vidi da je izlazni napon jednak UZ:

U IZ = U Z = 6,3 V
Prema slici možemo odrediti struju I1 koja je jednaka:
I1 = I Z + I IZ
U − U IZ UUL − U Z
I1 = UL =
R1 R1
Izlazna struja je:
U U
I IZ = IZ = Z
RT RT
Iz gornjih jednadžbi dobivamo struju Zenerove diode koja je jednaka:
U −UZ UZ
I Z = I1 − I IZ = UL −
R1 RT
Da bi stabilizator radio ispravno struja Zenerove diode mora zadovoljavati sljedeću
nejednakost:
I Z min ≤ I Z ≤ I Z max
Iz gornje nejednadžbe slijede dva uvjeta za ispravna rad stabilizatora. Prvi je da kroz
Zenerovu diodu mora teći minimalna struja:
U −UZ U
I Z min = UL min − Z
R1max RT min
Iz gornjeg izraza možemo dobiti gornju granicu iznosa otpora R1:
U −UZ 13 − 6,3
R1max = UL min = = 226,1 Ω
U 6,3
I Z min + Z 10−3 +
RT min 220
Drugi uvjet dobiva se iz maksimalne disipacije snage na Zenerovoj diodi. Pošto je napon
Zenerove diode konstantan možemo odrediti maksimalnu struju koja teče Zenerovom
diodom:
P
PZ max = I Z max ⋅U Z ⇒ I Z max = Z max
UZ
UUL max − U Z U P
I Z max = − Z = Z max
R1min RT max UZ
Tekstom zadatka definirana je samo minimalna vrijednost otpora kojim se može opteretiti
stabilizator. Maksimalni iznos otpora je ∞ tj. kada nije priključeno trošilo. Iz tog razloga
gornji izraz možemo pojednostaviti:
U − U Z PZ max
I Z max = UL max =
R1min UZ
Iz gornjeg izraza možemo dobiti donju granicu iznosa otpora R1:
U − U Z 17 − 6,3
R1min = UL max = = 134,8 Ω
PZ max 0,5
UZ 6,3
Otpornik R1 možemo odabrati iz intervala [134,8÷226,1]Ω. Standardne vrijednosti otpornika
koje se nalaze u ovom intervalu su: 150 Ω, 180 Ω, 200 Ω i 220 Ω. Ako uzmemo u obzir
toleranciju vrijednosti otpora od ±10% dobivamo sljedeće vrijednosti prikazane u tablici 1.1.
Standardna
-10% 10%
vrijednost
150 135 165
180 162 198
200 180 220
220 198 242
Tablica 1.1
Odabrat ćemo 180 Ω.

Obrazloženje:
Iz tablice 1.1 vidimo da tri vrijednosti otpora zadovoljavaju uvjet za R1 to su 150 Ω, 180 Ω i
200 Ω. Međutim ako pogledamo vrijednost tih otpora uključivši toleranciju možemo vidjeti
da otpornik od 150 Ω ima donju granicu od 135 Ω što je jako blizu donje granice za iznos
otpora R1, R1min=134,8 Ω. Otpornik od 200 Ω ima gornju granicu od 220 Ω što je blizu gornje
granice za iznos otpora R1, R1max=226,1 Ω. Iz gore rečenih razloga najbolji izbor je otpornik
od 180 Ω. Otpornik od 220 Ω ina gornju granicu koja je viša od gornje granice otpora R1, pa
smo njega odmah isključili.
Najlošiji slučaj nastupa kada se izlaz kratko spoji i kada je na ulazu najveći napon. U tom
slučaju kroz otpornik R1 proteče maksimalna struja:
U − U IZ U
I1 = UL ⇒ I1max = UL max
R1 R1
Disipacija na otporniku R1 je:
P1 = (U UL − U IZ ) ⋅ I1
Maksimalna disipacija na otporniku R1 je:
(17 )
2 2
UUL max UUL
P1max = UUL max ⋅ I1max = UUL max ⋅ = max
= = 1, 606 W
R1 R1 180
ZADATAK 2. Na izlazu stabilizatora, prikazanog slikom, izmjeren je napon 8 V. Ako na
ulaz dovedemo napon između 15 i 20 V moramo koristiti otpornik R1 u granicama od 128 do
250 Ω da bi stabilizator radio ispravno. Otpor trošila je RT ≥ 400 Ω. Odrediti parametre
Zenerove diode.
Rješenje:

U IZ = U Z = 8 V
I1 = I Z + I IZ
I1 = UL =
R1 R1
Izlazna struja je:
U U
I IZ = IZ = Z
RT RT
U −UZ UZ
I Z = I1 − I IZ = UL −
R1 RT
nejednakost:
U −UZ U 15 − 8 8
I Z min = UL min − Z = − = 8 mA
R1max RT min 250 400
diodom:
P
UZ
U −UZ U P
I Z max = UL max − Z = Z max
R1min RT max UZ
stabilizator. Maksimalni iznos otpora je ∞ tj. trošilo nije priključeno. Iz tog razloga gornji
izraz možemo pojednostaviti:
U − U Z PZ max U −UZ 20 − 8
I Z max = UL max = ⇒ PZ max = U Z ⋅ UL max = 8⋅ = 0, 75 W
R1min UZ R1min 128
Parametri Zenerove diode su:
U Z = 8 V, I Z min = 8 mA, PZ max = 0, 75 W
stabilizator sa slike 3.1 radi ispravno. Parametri Zenerove diode su UZ=10 V, IZmin=5 mA,
PZmax=1W i rz=1 Ω. Ulazni napon kreće se u granicama od 18 V do 22 V, a trošila otpor je
RT≥500 Ω. Odabrati otpornik R1 tako da stabilizator radi ispravno. Uz odabrani iznos otpora
R1 izračunat naponski faktor stabilizacije i izlazni otpor stabilizatora, te efektivnu vrijednost
napona valovitosti na trošilu RT uz Uulvef=0,3 V.
Slika 3.1
Rješenje:

U IZ = U Z = 10 V
I1 = I Z + I IZ
I1 = UL =
R1 R1
Izlazna struja je:
U U
I IZ = IZ = Z
RT RT
U −UZ UZ
I Z = I1 − I IZ = UL −
R1 RT
nejednakost:
U −UZ U
I Z min = UL min − Z
R1max RT min
U −UZ 18 − 10
R1max = UL min = = 320 Ω
UZ −3 10
I Z min + 5 ⋅10 +
RT min 500
diodom:
P
UZ
UUL max − U Z U P
I Z max = − Z = Z max
R1min RT max UZ
U − U Z PZ max
I Z max = UL max =
R1min UZ
U − U Z 22 − 10
R1min = UL max = = 120 Ω
PZ max 1
UZ 10
Odabrat ćemo otpornik iznosa 220 Ω.
Da bi smo odredili naponski faktor stabilizacije SU i izlazni otpor stabilizatora RIZ trebamo
nacrtati nadomjesnu shemu stabilizatora za mali signal, slika 3.2.
Slika 3.2
Naponski faktor stabilizacije SU je:

u
SU = iz
uul i = 0
iz
Iz gornjeg izraza vidimo da izlazna struja treba biti iiz=0; to će biti samo ako na izlaz nije
priključeno trošilo, slika 3.3.
Slika 3.3
Izlazni napon je:
uiz = i1 ⋅ rZ
Struja i1 je:
uul
i1 =
R1 + rZ
uul u rZ
uiz = i1 ⋅ rZ = ⋅ rZ ⇒ iz =
R1 + rZ uul R1 + rZ
Iz gornjeg izraza naponski faktor stabilizacije SU je:
u rZ 1
SU = iz = = = 0, 004525
uul R1 + rZ 220 + 1
Izlazni otpor ćemo dobiti tako da naponski izvor uul kratko spojimo, a umjesto trošila spojimo
naponski izvor i računamo struju koju daje taj izvor, slika 3.4.
R1 i
uul rZ u
RIZ
Slika 3.4
Izlazni otpor je:
u
Riz = = R1 rZ = 220 1 = 0,9955 ≈ 1 Ω
i
Efektivna vrijednost izlaznog napona valovitosti je:
rZ RT 1 500
U izvef = ⋅U ulvef = ⋅ 0,3 = 1,355 mV
R1 + rZ RT 220 + 1 500
Ako usporedimo rZ i RT vidimo da vrijedi rz >> RT ⇒ rz RT ≈ rZ , pa gornji izraz možemo
pojednostaviti:
rZ
U izvef = ⋅ U ulvef = SU ⋅U ulvef = 0, 004525 ⋅ 0,3 = 1,357 mV
R1 + rZ

stabilizator sa slike radi ispravno. Parametri Zenerove diode su UZ=6,3 V, IZmin=1 mA,
PZmax=500mW i rz=1 Ω. Faktor strujnog pojačanja tranzistora je β≈hfe=100. Ulazni napon
kreće se u granicama od 13 V do 17 V, a otpor trošila ima minimalni iznos od 220 Ω.
Odabrati otpornik R1 tako da stabilizator radi ispravno (otpornik treba biti iz standardnog E24
niza uz toleranciju ±10).
T
- +
+ uBE iIZ
+
R1 iB
uUL iZ RT uIZ
+
i1
UZ Z
-
- -
Rješenje:
Iz slike se vidi da je napon na Zenerovoj diodi jednak:

U Z = U BE + U IZ
Izlazni napon je:
U IZ = U Z − U BE = 6,3 − 0, 7 = 5, 6 V
Iz slike možemo odrediti struju I1 koja je jednaka:
I1 = I Z + I B
U −UZ
I1 = UL
R1
Izlazna struja je:
U U − U BE
I IZ = IZ = Z = I C + I B = I B ⋅ (1 + β )
RT RT
Struja baze je:
U − U BE
IB = Z
(1 + β ) ⋅ RT
U − U Z U Z − U BE
I Z = I1 − I B = UL −
R1 (1 + β ) ⋅ RT
nejednakost:
U −UZ U Z − U BE
I Z min = UL min −
R1max (1 + β ) ⋅ RT min
UUL min − U Z 13 − 6,3
R1max = = = 5351 Ω
U Z − U BE 6,3
I Z min + 10−3 +
(1 + β ) ⋅ RT min (1 + 100 ) ⋅ 220
diodom:
P
UZ
U −UZ U Z − U BE P
I Z max = UL max − = Z max
R1min (1 + β ) ⋅ RT max U Z
U − U Z PZ max
I Z max = UL max =
R1min UZ
UUL max − U Z 17 − 6,3
R1min = = = 134,8 Ω
PZ max 0,5
UZ 6,3
Otpornik R1 možemo odabrati iz intervala [134,8÷5351,3]Ω. U ovom intervalu ina dosta
otpornika u standardnom nizu odabrat ćemo otpornik oko sredine intervala R1=2,7 kΩ.
ZADATAK 5. Na izlazu stabilizatora, prikazanog slikom, izmjeren je napon 8 V. Ako na

ulaz dovedeno napon između 15 i 20 V moramo koristiti otpornik R1 u granicama od 393 do
2954 Ω da bi stabilizator radio ispravno. Faktor strujnog pojačanja tranzistora je β≈hfe=100.
Otpor trošila je RT ≥ 400 Ω. Odrediti parametre Zenerove diode.
T
- +
+ uBE iIZ
+
R1 iB
uUL iZ RT uIZ
+
i1
UZ Z
-
- -
Rješenje:

U Z = U BE + U IZ = 0, 7 + 8 = 8, 7 V
I1 = I Z + I B
U −UZ
I1 = UL
R1
Izlazna struja je:
U U − U BE
I IZ = IZ = Z = I C + I B = I B ⋅ (1 + β )
RT RT
Struja baze je:
U − U BE
IB = Z
(1 + β ) ⋅ RT
I Z = I1 − I B = UL −
R1 (1 + β ) ⋅ RT
nejednakost:
U −UZ U Z − U BE 15 − 8, 7 8, 7 − 0, 7
I Z min = UL min − = − = 2 mA
R1max (1 + β ) ⋅ RT min 2954 (1 + 150 ) ⋅ 400
diodom:
P
UZ
U − U Z PZ max U −UZ 20 − 8, 7
I Z max = UL max = ⇒ PZ max = U Z ⋅ UL max = 8, 7 ⋅ = 0, 25 W
R1min UZ R1min 393

stabilizator sa slike 6.1 radi ispravno. Parametri Zenerove diode su UZ=10 V, IZmin=5 mA,
PZmax=1W i rz=1 Ω. Faktor strujnog pojačanja tranzistora je β≈hfe=100 i naponski ekvivalent
temperature UT=25 mV. Ulazni napon kreće se u granicama od 18 V do 22 V, a otpor trošila
je RT≥500 Ω. Odabrati otpornik R1 tako da stabilizator radi ispravno. Uz odabrani iznos otpora
R1 izračunat naponski faktor stabilizacije i izlazni otpor stabilizatora, ako je trošilu RT=560 Ω.
T
- +
+ uBE iIZ
+
R1 iB
uUL iZ RT uIZ
+
i1
UZ Z
-
- -
Slika 6.1
Rješenje:

U Z = U BE + U IZ
Izlazni napon je:
U IZ = U Z − U BE = 10 − 0, 7 = 9,3 V
I1 = I Z + I B
U −UZ
I1 = UL
R1
Izlazna struja je:
U U − U BE
I IZ = IZ = Z = I C + I B = I B ⋅ (1 + β )
RT RT
Struja baze je:
U Z − U BE
IB =
(1 + β ) ⋅ RT
I Z = I1 − I B = UL −
R1 (1 + β ) ⋅ RT
nejednakost:
U −UZ U Z − U BE
I Z min = UL min −
R1max (1 + β ) ⋅ RT min
UUL min − U Z 18 − 10
R1max = = = 1543, 2 Ω
U Z − U BE −3 10
I Z min + 5 ⋅10 +
(1 + β ) ⋅ RT min (1 + 100 ) ⋅ 500
diodom:
P
UZ
U − U Z PZ max
I Z max = UL max =
R1min UZ
U − U Z 22 − 10
R1min = UL max = = 120 Ω
PZ max 1
UZ 10
Odabrat ćemo otpornik iznosa 820 Ω.
Da bi smo odredili naponski faktor stabilizacije SU i izlazni otpor stabilizatora trebamo
nacrtati nadomjesnu shemu stabilizatora za mali signal, slika 6.2.
Slika 6.2
Naponski faktor stabilizacije SU je:

u
SU = iz
uul i = 0
iz
Iz gornjeg izraza vidimo da izlazna struja treba biti iiz=0 to će biti samo ako na izlaz nije
priključeno trošilo, slika 6.3.
hfeib iiz
+
rbe
ib
R1
uul=uulv uiz
rZ
-
Slika 6.3
Izlazna struja sa slike 6.3 je:
iiz = ib + h fe ⋅ ib = ib ⋅ (1 + h fe )
Ako je iiz=0 onda je i ib=0 odnosno zavisni strujni izvor hfeib ne postoji, pa sliku 6.3 možemo
pojednostaviti, slika 6.4.
R1 rbe
+
ib
uul rZ uiz
-
Slika 6.4
Zaključili smo da je struja ib=0. Pad napona na otporniku rbe je 0 tj. taj otpornik možemo
kratko spojiti, slika 6.5.
Slika 6.5
Izlazni napon je:
uiz = i1 ⋅ rZ
Struja i1 je:
uul
i1 =
R1 + rZ
uul u rZ
uiz = i1 ⋅ rZ = ⋅ rZ ⇒ iz =
R1 + rZ uul R1 + rZ
Iz gornjeg izraza naponski faktor stabilizacije SU je:
u rZ 1
SU = iz = = = 0, 001218
uul R1 + rZ 820 + 1
Izlazni otpor ćemo dobiti tako da naponski izvor uul kratko spojimo, a umjesto trošila spojimo
naponski izvor i računamo struju koju daje taj izvor, slika 6.6.
hfeib i
rbe
ib
R1
uul u
rZ
RIZ
Slika 6.6
Slika 6.7
Sa slike 6.7 vidimo da je struja ib=-i≠0, što znači da strujni izvor h fe ⋅ ib postoji. Na slici 6.8
rbe
ib
hfeib u
R1 rZ
RIZ
Slika 6.8
Struja i je:
i = −ib − h fe ⋅ ib = −ib ⋅ (1 + h fe )
Napon u je:
u = −ib ⋅ ( R1 rZ + rbe )
Izlazni otpor je:
u −ib ⋅ ( R1 rZ + rbe ) R1 rZ + rbe
Riz = = =
i −ib ⋅ (1 + h fe ) 1 + h fe
Struja baze je:
I U − U BE 10 − 0, 7
I B = IZ = Z = = 164, 43 μ A
1 + β (1 + β ) ⋅ RT (1 + 100 ) ⋅ 560
Dinamički otpor rbe
U 25 ⋅10−3
rbe = T = = 152 Ω
I B 164, 43 ⋅10−3
Izlazni otpor je:
R r +r r +r 1 + 152
Riz = 1 Z be ≈ Z be = = 1,5153 Ω
1 + h fe 1 + h fe 1 + 100
SKLOPOVI S OPERACIJSKIM POJAČALIMA
ZADATAK 1. Izračunati iznos otpora R3 tako da vrijednost izlaznog napona bude UIZ=1 V.
Operacijsko pojačalo je idealno. Zadano je R1=30 kΩ, R2=60 kΩ, R4=10 kΩ, U1=2 V i
U2=5 V.
Slika 1.1
Rješenje:
Prema slici 1.1 možemo pisati jednadžbe:

U −U−
I1 = 1 ,
R1
U − U IZ
I2 = − ,
R2
U −U+
I3 = 2 ,
R3
U −0
I4 = + .
R4
Zadano je da je operacijsko pojačalo idealno tj. ulazna struja operacijskog pojačala je nula.
Zbog toga slijedi:
U − U − U − − U iz
I1 = I 2 ⇒ 1 =
R1 R2
U −U+ U+
I3 = I 4 ⇒ 2 =
R3 R4
Izlazni napon operacijskog pojačala je:
U IZ = AVOP ⋅ (U + − U − )
Naponsko pojačanje idealnog operacijskog pojačanje AVOP ⇒ ∞ . Zbog toga gornja jednadžba
poprima oblik:
U
U IZ = ∞ ⋅ (U + − U − ) ⇒ IZ = U + − U − U IZ ≠ ∞ ⇒ 0 = U + − U − ⇒ U + = U −
∞
U1 − U − U − − U IZ R ⋅ U + R2 ⋅U1
= ⇒ u− = 1 IZ
R1 R2 R1 + R2
U2 −U+ U+ R ⋅U
= ⇒ U+ = 4 2
R3 R4 R3 + R4
R4 ⋅ U 2 R1 ⋅ U IZ + R2 ⋅U1
U+ = U− ⇒ =
R3 + R4 R1 + R2
Nakon kraćeg izvoda iz gornjeg izraza R3 je:
R4 ⋅ U 2
R3 = ( R1 + R2 ) ⋅ − R4
R1 ⋅ U IZ + R2 ⋅ U1
R4 ⋅ U 2 10 ⋅103 ⋅ 5
R3 = ( R1 + R2 ) ⋅
R1 ⋅ U IZ + R2 ⋅ U1
( )
− R4 = 30 ⋅103 + 60 ⋅103 ⋅
30 ⋅103 ⋅1 + 60 ⋅103 ⋅ 2
− 10 ⋅103
R3 = 20 kΩ
ZADATAK 2. Za sklop na slici 2.1 izračunati izlazni napon. Zadano je R1=1,5 kΩ,
R2=1,5 kΩ, R3=10 kΩ, R4=10 kΩ, R5=10 kΩ, U=15 V, UD=0,7 V, UZ=6,3 V i IZmin=1 mA.
Operacijsko pojačalo je idealno.
Slika 2.1
Rješenje:
Zenerova dioda Z1 je propusno polarizirana to znači da je na njoj pad napona jednak UD.
Zenerova dioda Z2 treba raditi u području proboja to znači da na njoj pad napona treba biti
jednak UZ. Treba provjeriti da li kroz Zenerovu diodu Z2 teče dovoljno velika struja da ona
radi u proboju. Operacijsko pojačalo je idealno pa su ulazne struje operacijskog pojačala
jednake nuli. To znači da je struja kroz otpornik R5 jednaka nula tj. struja kroz otpornik R2 i
struja kroz Zenerovu diodu Z2 je jednaka. Struja kroz otpornik R2 je:
U − U Z 15 − 6,3
I R2 = I Z 2 = = = 5,8 mA>I Z min =1 mA
R2 1,5 ⋅103
Zener dioda se nalazi u proboju tj. na njoj je pad napona UZ.
Uz gore navadeno možemo nacrtati sliku 2.2 koja će nam poslužiti za rješavanje zadatka.
Slika 2.2

U −U−
I1 = D ,
R3
U − U IZ
I2 = − .
R4
Operacijsko pojačalo je idealno pa slijedi:
U− = U+
U − U + U + − U IZ
I1 = I 2 ⇒ D =
R3 R4
Kao što je rečeno struja kroz otpornik R5 je nula pa je i pad napona na otporniku R5 jednak
nuli.
UZ = U+
U D − U Z U Z − U IZ ⎛ R ⎞ R
= ⇒ U IZ = ⎜ 1 + 4 ⎟ ⋅U Z − 4 ⋅ U D
R3 R4 ⎝ R3 ⎠ R3
Izlazni napon je:
⎛ R ⎞ R ⎛ 10 ⋅103 ⎞ 10 ⋅103
U IZ = ⎜1 + 4 ⎟ ⋅U Z − 4 ⋅U D = ⎜ 1 + 3 ⎟
⋅ 6,3 − ⋅ 0, 7 = 11,9 V
⎝ R3 ⎠ R3 ⎝ 10 ⋅10 ⎠ 10 ⋅103
ZADATAK 3. Izračunati vrijednost napona UIZ1 i UIZ2. Zadano je UUL=2 V, R1=30 kΩ,
R2=60 kΩ, R3=20 kΩ i R4=40 kΩ. Operacijska pojačala su idealna.
R4
I3
R3 I4
U-2
-
2 +
+ UIZ1
R1 R 2 I2 U+2
-
+ U-1 - U+3
UUL 1 +
I1 U+1 + 3 +
- U-3 - UIZ2
-
Slika 3.1
Rješenje:

U − U −1
I1 = UL ,
R1
U − U +2
I 2 = −1 ,
R2
0 − U −2
I3 = ,
R3
U − U IZ 1
I 4 = −2 .
R4
Sva tri operacijska pojačala su idealna pa su ulazne struje operacijskih pojačala jednake nula.
U − U −1 U −1 − U +2
I1 = I 2 ⇒ UL =
R1 R2
U U − U IZ 1
I 3 = I 4 ⇒ − −2 = −2
R3 R4
Operacijska pojačala su idealna pa slijedi:
U −1 = U +1
U −2 = U +2
U −3 = U +3
Prema slici 3.1 izlazni napon UIZ2 je:
U IZ 2 = U −3 = U +3
U +2 = U +3 = U IZ 2
U −1 = U +1 = 0
UUL − 0 0 − U +2 R
= ⇒ U +2 = − 2 ⋅ UUL
R1 R2 R1
U −2 U −2 − U IZ 1 ⎛ R ⎞ ⎛ R ⎞ R ⎛ R ⎞
− = ⇒ U IZ 1 = ⎜ 1 + 4 ⎟ ⋅ U −2 = ⎜ 1 + 4 ⎟ ⋅ U +2 = − 2 ⋅ ⎜1 + 4 ⎟ ⋅ UUL
R3 R4 ⎝ R3 ⎠ ⎝ R3 ⎠ R1 ⎝ R3 ⎠
Izlazni napon UIZ1 je:
R ⎛ R ⎞ 60 ⋅103 ⎛ 40 ⋅103 ⎞
U IZ 1 = − 2 ⋅ ⎜1 + 4 ⎟ ⋅ UUL = − ⋅ ⎜1 + ⎟ ⋅ 2 = −12 V
R1 ⎝ R3 ⎠ 30 ⋅103 ⎝ 20 ⋅103 ⎠
Izlazni napon UIZ2 je:
R 60 ⋅103
U IZ 2 = − 2 ⋅UUL = − ⋅ 2 = −4 V
R1 30 ⋅103
uiz
ZADATAK 4. Odrediti naponsko pojačanje AV = i ulazni otpor Rul pojačala sa slike
uul
4.1.Otpori otpornika su R1=R2=R3=100 kΩ i R4=1 kΩ. Operacijsko pojačalo je idealno.
R2 u1 R3
i2 i3
i4 R4
R1 u-
+ -
uul u+ + +
i1 uiz
-
-
Rul
Slika 4.1
Rješenje:

u − u−
i1 = ul ,
R1
u −u
i2 = − 1 ,
R2
u −u
i3 = 1 iz ,
R3
u −0
i4 = 1 .
R4
Sva tri operacijska pojačala su idealna pa su ulazne struje operacijskih pojačala jednake nula.
u − u− u− − u1
i1 = i2 ⇒ ul =
R1 R2
u− = u+
u+ = 0
uul − 0 0 − u1 R
= ⇒ u1 = − 2 ⋅ uul
R1 R2 R1
Suma struja u točki u1 je nula, pa slijedi:
i2 = i3 + i4
0 − u1 u1 − uiz u1 ⎛ R R ⎞ R ⎛ R R ⎞
= + ⇒ uiz = ⎜1 + 3 + 3 ⎟ ⋅ u1 = − 2 ⋅ ⎜1 + 3 + 3 ⎟ ⋅ uul
R2 R3 R4 ⎝ R2 R4 ⎠ R1 ⎝ R2 R4 ⎠
Iz gornjrg izraza naponsko pojačanje je:
uiz R2 ⎛ R3 R3 ⎞ 100 ⋅103 ⎛ 100 ⋅103 100 ⋅103 ⎞
AV = = − ⋅ ⎜1 + + ⎟=− ⋅ ⎜1 + + ⎟ = −102
uul R1 ⎝ R2 R4 ⎠ 100 ⋅103 ⎝ 100 ⋅103 1 ⋅103 ⎠
Ulazni otpor je:
uul
Rul =
iul
Ulazna struja sklopa jednaka je struji i1 pa je ulazni otpor jednak:
u u u
Rul = ul = ul = ul = R1 = 100 kΩ
iul i1 uul
R1
ZADATAK 5. Odrediti napon uiz kao funkciju od napona u1, u2 i u3 tj. uiz=f(u1, u2, u3) za
sklop na slici 5.1. Zadano je R1=5 kΩ, R2=10 kΩ, R3=2,5 kΩ, R4=10 kΩ, R5=10 kΩ i
R6=10 kΩ. Operacijska pojačala su idealna.
R1 R4
+
u1
- i1 i4
R2 u-1
+ - uiz1 R5 R6
u2 1
- i2 u+1 + iiz1
i5 i6
R3 u-2
+ -
u3 2 +
- i3 u+2 + i
iz2 uiz
-
Slika 5.1
Rješenje:

u −u
i1 = 1 −1 ,
R1
u −u
i2 = 2 −1 ,
R2
u −u
i3 = 3 −2 ,
R3
u −u
i4 = −1 iz1 ,
R4
u −u
i5 = iz1 −2 ,
R5
u −u
i6 = −2 iz .
R6
Oba operacijska pojačala su idealna pa su ulazne struje operacijskih pojačala jednake nula i
između ulaza nalazi se virtualni kratki spoj pa vrijedi:
u−1 = u+1
u−2 = u+2
Trebamo znati da izlazna struja operacijskog pojačala nije jednaka nuli tj. iiz1 ≠ 0, iiz 2 ≠ 0 , pa
vrijedi:
i4 ≠ i5
Prema slici 5.1 možemo pisati:
u−1 = u+1 = 0
u−2 = u+2 = 0
0 − uiz1 u1 − 0 u2 − 0 R R
i4 = i1 + i2 ⇒ = + ⇒ uiz1 = −u1 ⋅ 4 − u2 ⋅ 4
R4 R1 R2 R1 R2
0 − uiz uiz1 − 0 u3 − 0 R R
i6 = i5 + i3 ⇒ = + ⇒ uiz = −uiz1 ⋅ 6 − u3 ⋅ 6
R6 R5 R3 R5 R3
R4 R6 R R R
uiz = u1 ⋅ ⋅ + u2 ⋅ 4 ⋅ 6 − u3 ⋅ 6
R1 R5 R2 R5 R3
10 ⋅103 10 ⋅103 10 ⋅103 10 ⋅103 10 ⋅103
uiz = u1 ⋅ ⋅ + u2 ⋅ ⋅ − u3 ⋅ = 2 ⋅ u1 + u2 − 4 ⋅ u3
5 ⋅103 10 ⋅103 10 ⋅103 10 ⋅103 2,5 ⋅103
Ako pogledamo sliku možemo vidjeti da prvi dio sklopa, koji se sastoji od operacijskog
pojačala 1, R1, R2 i R4, predstavlja zbrajalo. Isto tako drugi dio sklopa, koji se sastoji od
operacijskog pojačala 2, R3, R5 i R6, predstavlja zbrajalo i još k tome invertira signal.
ZADATAK 6. Odrediti izlazne napone UIZ1 i UIZ2 u ovisnosti o ulaznom naponu UUL.
Izračunati napone UIZ1 i UIZ2 uz UUL=0,1 V i R1=1 kΩ, R2=10 kΩ, R3=50 kΩ. Operacijska
pojačala su idealna.
+ U+2
+ 2 -
U-2
UIZ2
-
R3 I3
R2 I2
R1 U-1
+ -
UUL 1 +
I1 U+1 + UIZ1
-
-
Slika 6.1
Rješenje:

U − U −1
I1 = 1 ,
R1
U − U −2
I 2 = −1 ,
R2
U −2 − U IZ 2
I3 = ,
R3
U +1 = 0 ,
U +2 = U IZ 1 .
U −1 = U +1 = 0
U −2 = U +2 = U IZ 1
U − 0 0 − U IZ 1 R
I1 = I 2 ⇒ UL = ⇒ U IZ 1 = − 2 ⋅UUL
R1 R2 R1
0 − U IZ 1 U IZ 1 − U IZ 2 ⎛ R ⎞ R ⎛ R ⎞
I 2 = I3 ⇒ = ⇒ U IZ 2 = ⎜1 + 3 ⎟ ⋅ U IZ 1 = − 2 ⋅ ⎜1 + 3 ⎟ ⋅UUL
R2 R3 ⎝ R2 ⎠ R1 ⎝ R2 ⎠
Ako je ulazni napon UUL=0,1 V izlazni naponi su jednaki:
R 10 ⋅103
U IZ 1 = − 2 ⋅UUL = − ⋅ 0,1 = −1 V
R1 1⋅103
R2 ⎛ R3 ⎞ 10 ⋅103 ⎛ 50 ⋅103 ⎞
U IZ 2 = − ⋅ ⎜1 + ⎟ ⋅ UUL = − ⋅ ⎜1 + ⎟ ⋅ 0,1 = −6 V
R1 ⎝ R2 ⎠ 1 ⋅103 ⎝ 10 ⋅103 ⎠
uiz
ZADATAK 7. Odrediti naponsko pojačanje AV = pojačala sa slike 7.1.Otpori otpornika
uul
su R1=10 kΩ i R2=R3=R4=100 kΩ. Operacijska pojačala su idealna.
Slika 7.1
Rješenje:

u −0
i1 = −1 ,
R1
u −u
i2 = 1 −1 ,
R2
u−2 − u1
i3 = ,
R3
u −u
i4 = 2 −2 ,
R4
u+1 = uul ,
uiz = u1 − u2 ,
u+2 = 0 .
u−1 = u+1 = uul
u−2 = u+2 = 0
uul u1 − uul ⎛ R ⎞
i1 = i2 ⇒ = ⇒ u1 = ⎜1 + 2 ⎟ ⋅ uul
R1 R2 ⎝ R1 ⎠
u u R R ⎛ R ⎞
i3 = i4 ⇒ − 1 = 2 ⇒ u2 = − 4 ⋅ u1 = − 4 ⋅ ⎜ 1 + 2 ⎟ ⋅ uul
R3 R4 R3 R3 ⎝ R1 ⎠
⎛ R ⎞ R ⎛ R ⎞ ⎛ R ⎞ ⎛ R ⎞
uiz = u1 − u2 = ⎜1 + 2 ⎟ ⋅ uul + 4 ⋅ ⎜ 1 + 2 ⎟ ⋅ uul = ⎜1 + 4 ⎟ ⋅ ⎜1 + 2 ⎟ ⋅ uul
⎝ R1 ⎠ R3 ⎝ R1 ⎠ ⎝ R3 ⎠ ⎝ R1 ⎠
u ⎛ R ⎞ ⎛ R ⎞ ⎛ 100 ⋅103 ⎞ ⎛ 100 ⋅103 ⎞
AV = iz = ⎜1 + 4 ⎟ ⋅ ⎜ 1 + 2 ⎟ = ⎜1 + ⎟ ⋅ ⎜1 + ⎟ = 22
uul ⎝ R3 ⎠ ⎝ R1 ⎠ ⎝ 100 ⋅103 ⎠ ⎝ 10 ⋅103 ⎠
ZADATAK 8. Odrediti izlazni napon sklopa sa slike 8.1. Zadano je U1=6 V, U2=3 V,
U3=1 V, U4=2 V, R1=3 kΩ, R2=30 kΩ, R3=20 kΩ i R4=20 kΩ. Operacijska pojačala su idealna
R1 R2
I5 I6
U-1 - UIZ1 R3 R4
R U+1 1
U1 + IIZ1
I7 I8
I1 U-2
R -
U2 U+2 2 +
+ IIZ2 UIZ
I2
-
R
U3
I3
R
U4
I4
Slika 8.1
Rješenje:
U − U +1
I1 = 1 ,
R
U − U +1
I2 = 2 ,
R
U − U +1
I3 = 3 ,
R
U − U +1
I4 = 4 ,
R
U −0
I 5 = −1 ,
R1
U −u
I 6 = IZ 1 −1 ,
R2
U − U −2
I 7 = IZ 1 ,
R3
U − U IZ
I 8 = −2 ,
R4
U +2 = U IZ 1 .
U −1 = U +1
U −2 = U +2 = U IZ 1
U − U +1 U 2 − U +1 u3 − U +1 U 4 − U +1
I1 + I 2 + I 3 + I 4 = 0 ⇒ 1 + + + =0⇒
R R R R
U + U 2 + U3 + U 4
⇒ U1 − U +1 + U 2 − U +1 + U 3 − U +1 + U 4 − U +1 = 0 ⇒ U −1 = U +1 = 1
4
U U − U −1 ⎛ R ⎞ ⎛ R ⎞ U + U 2 + U3 + U4
I 5 = I 6 ⇒ −1 = IZ 1 ⇒ U IZ 1 = ⎜1 + 2 ⎟ ⋅U −1 = ⎜ 1 + 2 ⎟ ⋅ 1
R1 R2 ⎝ R1 ⎠ ⎝ R1 ⎠ 4
Oba priključka otpornika R3 su na istom potencijalu pa struja kroz njega neće teči. Struja ne
teče ni kroz otpornik R4.
U − U IZ 1 U IZ 1 − U IZ ⎛ R ⎞ U + U2 + U3 + U 4
I 7 = I8 ⇒ IZ 1 = = 0 ⇒ U IZ = U IZ 1 = ⎜1 + 2 ⎟ ⋅ 1
R3 R4 ⎝ R1 ⎠ 4
Ako je U1=6 V, U2=3 V, U3=1 V i U4=2 V onda je izlazni napon jednak:
⎛ R ⎞ U + U 2 + U 3 + U 4 ⎛ 30 ⋅103 ⎞ 6 + 3 + 1 + 2
U IZ = ⎜1 + 2 ⎟ ⋅ 1 = ⎜1 + ⎟⋅ = 33 V
⎝ R1 ⎠ 4 ⎝ 3 ⋅103 ⎠ 4
ZADATAK 9. Zadano je diferencijsko pojačalo na slici 9.1.

uiz
a) Uz R1=R’F i R’1=RF izvesti izraz za pojačanje AV = . Operacijska pojačala su
u1 − u2
idealna.
b) Ako su R1=100 kΩ i RF=1 kΩ izračunati izlazni napon ako je amplituda ulaznog
diferencijskog napona Uulm=U1m-U2m=100 mV.
c) Ako su obje ulazne stezaljke na istom potencijalu U1=U2=5 V koliki će biti napon u
točki X, a koliki na izlazu?
Slika 9.1
Rješenje:
a. Prema slici 9.1 možemo pisati jednadžbe:

0 − u−1
i1 = ,
R1
u −u
i2 = −1 X ,
RF
u −u
i3 = X ' +2 ,
R1
u −u
i4 = +2 ' iz .
RF
Oba operacijska pojačala su idealna pa su ulazne struje operacijskih pojačala jednake nula.
0 − u−1 u−1 − u X
i1 = i2 ⇒ =
R1 RF
u −u u −u
i3 = i4 ⇒ X ' +2 = +2 ' iz
R1 RF
u−1 = u+1
u−2 = u+2
Prema slici 9.1 ulazni naponi u1 i u2 su:
u1 = u+1
u2 = u+2
u u −u R + RF
− 1 = 1 X ⇒ uX = 1 ⋅ u1
R1 RF R1
u X − u2 u2 − uiz R1' + RF' R1'
= ⇒ u = ⋅ u 2 − ⋅ uiz
R1' RF' RF' RF'
X
Uz R1 = RF' i RF = R1' gornji izraz možemo pisati:

RF + R1 R
uX = ⋅ u2 − F ⋅ uiz
R1 R1
R1 + RF R + RF R R R + RF
⋅ u1 = 1 ⋅ u2 − F ⋅ uiz ⇒ uiz = − 1 ⋅ 1 ( u1 − u2 )
R1 R1 R1 RF R1
Iz gornjeg izraza naponsko pojačanje je:
uiz u ⎛ R ⎞
AV = = iz = − ⎜1 + 1 ⎟
u1 − u2 uul ⎝ RF ⎠
b. R1=100 kΩ, RF=1 kΩ i uul=u1-u2=100 mV
Izlazni napon uiz jednak je:

⎛ R1 ⎞ ⎛ R1 ⎞ ⎛ 100 ⋅103 ⎞
uiz = − ⎜ 1 + ⎟ ⋅ ( u1 − u2 ) = − ⎜1 + ⎟ ⋅ uul = − ⎜1 + 3 ⎟
⋅100 ⋅10−3 = −10,1 V
⎝ RF ⎠ ⎝ RF ⎠ ⎝ 1 ⋅10 ⎠
c. R1=100 kΩ, RF=1 kΩ i U1=U2=5 V
Izlazni napon uiz jednak je:

⎛ R ⎞ ⎛ 100 ⋅103 ⎞
U IZ = − ⎜ 1 + 1 ⎟ ⋅ (U1 − U 2 ) = − ⎜ 1 + ⎟ ⋅ ( 5 − 5) = 0 V
⎝ RF ⎠ ⎝ 1 ⋅103 ⎠
Napon UX jednak je:
⎛ R ⎞ ⎛ 100 ⋅103 ⎞
U X = ⎜ 1 + F ⎟ ⋅ U1 = ⎜ 1 + ⎟ ⋅ 5 = 5, 05 V
⎝ R1 ⎠ ⎝ 1 ⋅103 ⎠
ZADATAK 10. Odrediti struju iiz kao funkciju ulaznog napona uul i izlaznog napona uiz tj.
iiz=f(uul, uiz) za sklop na slici 10.1. Uz koje uvjete izlazna struja neće ovisiti o iznosu
priključenog trošila RT. Operacijska pojačala su idealna.
R2 -
u-2
2 +
uiz2 u+2
R1 i1 u+1 i2
+ + iiz1 uiz1 R3
uul 1
u-1 - i4 +
- R5 i3
i5 iiz RT uiz
R3
-
Slika 10.1
Rješenje:

u − u+1
i1 = ul ,
R1
u+1 − uiz 2
i2 = ,
R2
u −u
i3 = iz1 iz ,
R3
u −u
i4 = iz1 −1 ,
R4
u −0
i5 = −1 ,
R5
u −0
iiz = iz ,
RT
u+2 = uiz1 ,
u−2 = uiz 2 .
u−1 = u+1
u−2 = u+2 = uiz 2 = uiz
u − u−1 u−1 − uiz R2 R1
i1 = i2 ⇒ ul = ⇒ u−1 = ⋅ uul + ⋅ uiz
R1 R2 R1 + R2 R1 + R2
uiz1 − u−1 u−1 ⎛ R ⎞ ⎛ R ⎞ ⎛ R2 R1 ⎞
i4 = i5 ⇒ = ⇒ uiz1 = ⎜1 + 4 ⎟ ⋅ u−1 = ⎜1 + 4 ⎟ ⋅ ⎜ ⋅ uul + ⋅ uiz ⎟
R4 R5 ⎝ R5 ⎠ ⎝ R5 ⎠ ⎝ R1 + R2 R1 + R2 ⎠
⎛ R4 ⎞ ⎛ R2 R1 ⎞
⎜1 + ⎟ ⋅ ⎜ ⋅ uul + ⋅ uiz ⎟ − uiz
u −u R5 ⎠ ⎝ R1 + R2 R1 + R2 ⎠
iiz = i3 = iz1 iz = ⎝
R3 R3
⎛ R ⎞ R2 1 ⎡⎛ R ⎞ R1 1 1⎤
iiz = ⎜1 + 4 ⎟ ⋅ ⋅ ⋅ uul + ⎢⎜1 + 4 ⎟ ⋅ ⋅ − ⎥ ⋅ uiz
⎝ R5 ⎠ ( R1 + R2 ) R3 ⎢⎣⎝ R5 ⎠ ( R1 + R2 ) R3 R3 ⎥⎦
Struja neće ovisiti o priključenom trošilu ako ne ovisi o izlaznom naponu. To znači da u
gornjem izrazu član uz izlazni napon mora biti jednak nuli:
⎛ R4 ⎞ R1 1 1 R1 R5
⎜1 + ⎟ ⋅ ⋅ − =0⇒ = ⇒ R1 = R5 i R2 = R4
⎝ R5 ⎠ R1 + R2 R3 R3 R1 + R2 R4 + R5
i
ZADATAK 11. Za sklop na slici 11.1 odrediti omjer . Operacijska pojačala su idealna.
uul
u+1 uiz1
+ +
uul 1
- u-1 -
i R3
+ u+2
u1
2 -
u-2 i4 R4
i2 i1
R2 R1
Slika 11.1
Rješenje:

0 − u−2
i1 = ,
R1
u −u
i2 = −2 −1 ,
R2
u −0
i4 = 1 ,
R4
u −u
i = iz1 1 ,
R3
u+2 = u1 ,
u+1 = uul .
u−1 = u+1
u−2 = u+2 = u1
u u −u R1
i1 = i2 ⇒ − 1 = 1 ul ⇒ u1 = ⋅ uul
R1 R2 R1 + R2
R1
⋅ uul
u1 R1 + R2 1
i = i4 = = = ⋅ uul
R4 R4 ⎛ R2 ⎞
R4 ⋅ ⎜1 + ⎟
⎝ R1 ⎠
Traženi omjer je:
i 1
=
uul ⎛ R ⎞
R4 ⋅ ⎜1 + 2 ⎟
⎝ R1 ⎠
ZADATAK 12. Odrediti struju iiz kao funkciju izlaznog napona uiz tj. iiz=f(uiz) za sklop na
slici 10.1. Operacijska pojačala su idealna.
i1 i2
R1 u- R2
-
u+ + uiz1
i4 i3
R1 iiz + R2
uiz
-
Slika 12.1
Rješenje:

u −0
i1 = − ,
R1
u −u
i2 = iz1 − ,
R2
u −u
i3 = iz1 +
R2
u −0
i4 = +
R1
u+ = uiz .
Operacijsko pojačalo je idealno pa su ulazne struje operacijskog pojačala jednake nula i
u− = u+ = uiz
uiz uiz1 − uiz ⎛ R ⎞
i1 = i2 ⇒ = ⇒ uiz1 = ⎜1 + 2 ⎟ ⋅ uiz
R1 R2 ⎝ R1 ⎠
⎛ R2 ⎞ R
⎜1 + ⎟ ⋅ uiz − uiz uiz + 2 ⋅ uiz − uiz
iiz = i4 − i3 = iz − ⎝
u R1 ⎠ u R1
= iz − =
R1 R2 R1 R2
R2
⋅ uiz
uiz R1 u u
= − = iz − iz = 0
R1 R2 R1 R1
u iz
ZADATAK 13. Za sklop sa slike 13.1 izvesti prijenosnu funkciju AV = . Izračunati
u 2 − u1
uiz ako je U2=15 mV i U1=5 mV. Zadano je R2=10⋅R1.
+ +
- R1 R2
u1 R1
-
-
+
R2 + uiz
-
-
u2 R1 R1
- R2
+ +
Slika 13.1
Rješenje:
Za rješavanje ovog zadatko poslužit će nam slika 13.2.
Slika 13.2

u '− u−3
i1 = ,
R1
u −u
i2 = −3 iz ,
R2
u ''− u+3
i3 = ,
R1
u −0
i4 = +3 ,
R2
u '− u−1
i5 = ,
R1
u −u
i6 = −1 −2 ,
R2
u − u ''
i7 = −2 .
R1
Sva operacijska pojačala su idealna pa su ulazne struje operacijskih pojačala jednake nula.
u '− u−3 u−3 − uiz
i1 = i2 ⇒ =
R1 R2
u ''− u+3 u+3 − 0
i3 = i4 ⇒ =
R1 R2
u '− u−1 u−1 − u−2 u−2 − u ''
i5 = i6 = i7 ⇒ = =
R1 R2 R1
Međutim treba paziti na izlazne struje operacijskih pojačala koje nisu jednake nuli tj. iiz1 ≠ 0 ,
iiz 2 ≠ 0 i iiz 3 ≠ 0 . Operacijska pojačala su idealna pa slijedi:
u−1 = u+1
u−2 = u+2
u−3 = u+3 = u3
Prema slici 13.2 ulazni naponi u1 i u2 su:
u1 = u+1
u2 = u+2
u '− u3 u3 − uiz R ⋅ u '+ R1 ⋅ uiz
= ⇒ u3 = 2
R1 R2 R1 + R2
u ''− u3 u3 R2
= ⇒ u3 = ⋅ u ''
R1 R2 R1 + R2
R2 ⋅ u '+ R1 ⋅ uiz R2 R
= ⋅ u '' ⇒ uiz = 2 ⋅ ( u ''− u ' )
R1 + R2 R1 + R2 R1
u '− u1 u1 − u2 R + R2 R
= ⇒ u'= 1 ⋅ u1 − 1 ⋅ u2
R1 R2 R2 R2
u1 − u2 u2 − u '' R + R2 R
= ⇒ u '' = 1 ⋅ u2 − 1 ⋅ u1
R2 R1 R2 R2
R2 R ⎛ R + R2 R ⎛ R + R2 R ⎞⎞
uiz = ⋅ ( u ''− u ' ) = 2 ⋅ ⎜⎜ 1 ⋅ u2 − 1 ⋅ u1 − ⎜ 1 ⋅ u1 − 1 ⋅ u2 ⎟ ⎟⎟
R1 R1 ⎝ R2 R2 ⎝ R2 R2 ⎠⎠
⎛ R ⎞
uiz = ⎜ 2 + 2 ⎟ ⋅ ( u2 − u1 )
⎝ R1 ⎠
uiz R 10 ⋅ R1
AV = = 2+ 2 = 2+ = 12
u2 − u1 R1 R1
Ako je u2=U2=15 mV i u1=U1=5 mV izlazni napon je:
( )
U iz = AV ⋅ (U 2 − U1 ) = 12 ⋅ 15 ⋅10−3 − 5 ⋅10−3 = 120 mV
ZADATAK 14. Koliko iznosi izlazni napon za sklop komparatora na slici ako je ulazni napon
-4V? Zadano je R1=10kΩ, R2=15kΩ, R3=10kΩ i UZ1= UZ1=5,6V. Operacijsko pojačalo je
idealno.
R1 U1 R2
I1 I2
+
+ - R3 +
Z1
UUL UIZ
Z2
- -
Slika 14.1.
Rješenje:
Ako je operacijsko pojačalo idealno onda su struje I1 i I2 jednake.
Da bi riješili ovaj zadatak prvo trebamo odrediti koliki je napon U1. Prema slici 14.1. napon
U1 je jednak:
U
U1 = I1 ⋅ R1 ⇒ I1 = 1
R1
U IZ
U IZ = I1 ⋅ R1 + I 2 ⋅ R2 I1 = I 2 ⇒ I1 =
R1 + R2
Izjednačavanjem gornjih jednadžbi dobivamo napon U1:
U U IZ
I1 = 1 =
R1 R1 + R2
U IZ ⋅ R1
U1 =
R1 + R2
U IZ = ± (U Z + U D ) = ± ( 5, 6 + 0, 7 ) = ±6,3V ,
A napon U1:
U IZ ⋅ R1 ±6,3 ⋅10 ⋅103
U1 = = = ±2,52V
R1 + R2 10 ⋅103 + 15 ⋅103
Izlazni napon operacijskog pojačala dobiva se prema izrazu:
U IZOP = AVOP ⋅ (U1 − UUL )
Nama je bitna razlika U1 − UUL . Ako je ta razlika pozitivna izlazni napon operacijskog
pojačala je pozitivan odnosno izlazni napon je +6,3V, a ako je ta razlika negativna izlazni
napon operacijskog pojačala je negativan odnosno izlazni napon je -6,3V
Ako je izlazni napon jednak 6,3V onda je U1=2,52V.
Razlika U1 − UUL = 2,52 − (−4) = 6,52V > 0 izlazni napon je pozitivan +6,3V.
Ako je izlazni napon jednak -6,3V onda je U1=-2,52V.
Razlika U1 − UUL = −2,52 − (−4) = 1, 48V > 0 izlazni napon je pozitivan +6,3V.
Bez obzira da li je na izlazu bio pozitivan ili negativan napon ako se na ulaz priključi napon
iznosa -4V na izlazu će biti pozitivan napon tj. izlazni napon je jednak +6,3V.
-1V? Zadano je R1=10kΩ, R2=15kΩ, R3=10kΩ i UZ1= UZ1=5,6V. Operacijsko pojačalo je
idealno.
R1 U1 R2
I1 I2
+
+ - R3 +
Z1
UUL UIZ
Z2
- -
Slika 15.1.
Rješenje:

U IZ = ± (U Z + U D ) = ± ( 5, 6 + 0, 7 ) = ±6,3V ,
A napon U1:
U IZ ⋅ R1 ±6,3 ⋅10 ⋅103
U1 = = = ±2,52V
R1 + R2 10 ⋅103 + 15 ⋅103
Razlika U1 − UUL = 2,52 − (−1) = 3,52V > 0 izlazni napon je pozitivan +6,3V.
Razlika U1 − UUL = −2,52 − (−1) = −1,52V < 0 izlazni napon je negativan -6,3V.
Iz ovog razmatranja možemo zaključiti da je izlaz pozitivan ako je bio pozitivan i prije
priključenja ulaznog napona od -1V, odnosno izlaz je negativan ako je bio pozitivan prije
priključenja istog ulaznog napona. Znači nismo u mogućnosti sa sigurnošću utvrditi koji je
izlazni napon.
+4V? Zadano je R1=10kΩ, R2=15kΩ, R3=10kΩ i UZ1= UZ1=5,6V. Operacijsko pojačalo je
idealno.
R1 U1 R2
I1 I2
+
+ - R3 +
Z1
UUL UIZ
Z2
- -
Slika 16.1.
Rješenje:

U IZ = ± (U Z + U D ) = ± ( 5, 6 + 0, 7 ) = ±6,3V ,
A napon U1:
U IZ ⋅ R1 ±6,3 ⋅10 ⋅103
U1 = = = ±2,52V
R1 + R2 10 ⋅103 + 15 ⋅103
Razlika U1 − UUL = 2,52 − 4 = −1, 48V < 0 izlazni napon je negativan -6,3V.
Razlika U1 − UUL = −2,52 − 4 = −6,52V < 0 izlazni napon je negativan -6,3V.
Bez obzira da li je na izlazu bio pozitivan ili negativan napon ako se na ulaz priključi napon
iznosa +4V na izlazu će biti negativan napon tj. izlazni napon je jednak -6,3V.
ZADATAK 17. Za komparator sa slike 17.1.a nacrtati izlazni napon i prijenosnu

karakteristiku ako ulazni napon prikazan na slici 17.1.b Zadano je R1=10kΩ, R2=15kΩ,
R3=10kΩ i UZ1= UZ1=5,6V. Operacijsko pojačalo je idealno.
R1 U1 R2 uul,V
4
3
+ 2
+ 1
+ - R3 Z1 0
uiz -1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 t,ms
uul -2
Z2 -3
- - -4
a b
Slika 17.1.
Rješenje:

U IZ = ± (U Z + U D ) = ± ( 5, 6 + 0, 7 ) = ±6,3V ,
A napon U1:
U IZ ⋅ R1 ±6,3 ⋅10 ⋅103
U1 = = = ±2,52V
R1 + R2 10 ⋅103 + 15 ⋅103
U trenutku t=0 ulazni napon jednak je +4V, pa prema zadatku 16 izlazni napon jednak je
uiz = −6,3V . Izlazni napon ostati će negativan sve dok je razlika U1 − uul < 0 . Budući da
operacijsko pojačalo idealno razlika U1 − uul može biti jako mala da bi postojao izlazni napon
operacijskog pojačala, pa možemo reći da će operacijsko pojačalo promijeniti izlaz kad uul
dosegne vrijednost U1. To znači da će izlaz poprimiti vrijednost +6,3V kad uul padne na iznos
-2,52V. Ako ulazni napon nastavi padati do -4V izlaz ostaje na +6,3V, jer je U1 − uul > 0 . Sad
ulazni napon počinje rast, a izlazni napon poprima vrijednost -6,3V kad ulazni napon poprimi
vrijednost +2,52V. Prema ovom razmatranju možemo nacrtati izlazni napon.
uul,V
4
3 2,52V
2
1
0
-1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 t,ms
-2 -2,52V
-3
-4
uiz,V
7
6 6,3V
5
4
3
2
1
0
-1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 t,ms
-2
-3
-4
-5
-6 -6,3V
-7
Slika 17.2.
Prijenosna karakteristika prikazana je na slici 17.3.
uiz,V
6,3V
2,52V
4V
-4V uul,V
-2,52V
-6,3V
Slika 17.3.
ZADATAK 18. Za komparator sa slike 18.1. odrediti napone praga okidanja UPV i UPN.
Operacijsko pojačalo je idealno.
uul
- uiz
+
I2 R2
U1 R3 UR
I3
I1 R1
Slika 18.1.
Rješenje:
Iz slike 18.1. slijedi:

0 − U1
I1 = ,
R1
u − U1
I 2 = iz ,
R2
U − U1
I3 = R .
R3
Ako je operacijsko pojačalo idealno onda možemo pisati:
I1 + I 2 + I 3 = 0
0 − U1 uiz − U1 U R − U1
+ + =0
R1 R2 R3
Nakon kraćeg izvoda dobijemo sljedeći izraz za prag okidanja:
⎛u U ⎞
(
U1 = ⎜ iz + R ⎟ ⋅ R1 R2 R3 )
⎝ R2 R3 ⎠
Za uiz=UIZmax U1=UPV pa možemo pisati:
⎛U U ⎞
(
U PV = ⎜ IZ max + R ⎟ ⋅ R1 R2 R3 )
⎝ R2 R3 ⎠
Za uiz=UIZmin U1=UPN pa možemo pisati:
⎛U U ⎞
(
U PN = ⎜ IZ min + R ⎟ ⋅ R1 R2 R3 )
⎝ R2 R3 ⎠
Ako je izlaz realiziran kao u predhodnim zadacima ma izlazu imamo U IZ min = U IZ max . Ako
koristimo sklop iz predhodnih zadataka prago okidanja za pozitivan izlaz (UIZmax) biti će
pozitivan, a za negativn izlaz (UIZmin) biti će negativan. Za sklop realiziran u ovom zadatku
oba praga okidanja mogu biti pozitivni ili negativni u ovisnosti o referentnom naponu UR i
iznosima otpornika R1, R2 i R3.
ZADATAK 19. Za komparator sa slike 19.1. odrediti vrijednosti otpornika R2 i R3 uz koje će
naponi praga okidanja biti UPV=5,1 V i UPN=4,9 V. Zadano je U IZ = ±13V , U R = 15V i
R1 = 11k Ω .Operacijsko pojačalo je idealno.
uul
- uiz
+
R2
U1 R3 UR
R1
Slika 19.1.
Rješenje:
Iz zadatka 18 možemo pisati sljedeće jednadžbe:
U PV U IZ max − U PV U R − U PV
− + + =0
R1 R2 R3
U U − U PN U R − U PN
− PN + IZ min + =0
R1 R2 R3
Nakon kraćeg izvoda i uz U IZ min = −U IZ max dobivamo:
U R ⋅ ( 2 ⋅ U IZ max + U PN − U PV ) − U IZ max ⋅ (U PN + U PV )
R2 = ⋅ R1
U R ⋅ (U PV − U PN )
U R ⋅ ( 2 ⋅U IZ max + U PN − U PV ) − U IZ max ⋅ (U PN + U PV )
R3 = ⋅ R1
U IZ max ⋅ (U PV + U PN )
Uvrštavajem vrijednosti u gornje izraze dobivamo:

15 ⋅ ( 2 ⋅13 + 4,9 − 5,1) − 13 ⋅ ( 4,9 + 5,1)
R2 = ⋅11 ⋅103 = 942,3k Ω
15 ⋅ ( 5,1 − 4,9 )
15 ⋅ ( 2 ⋅13 + 4,9 − 5,1) − 13 ⋅ ( 4,9 + 5,1)
R3 = ⋅11⋅103 = 21, 75k Ω
13 ⋅ ( 5,1 + 4,9 )
Možemo provjeriti dobivene vrijednosti u izraze za pragove okidanja iz zadatka 18.
⎛U U ⎞ ⎛ 13 15 ⎞
(
U PV = ⎜ IZ max + R ⎟ ⋅ R1 R2 R3 = ⎜ + ) (
⎟ ⋅ 11 942,3 21, 75 = 5, 099V
⎝ 942,3 21, 75 ⎠
)
⎝ R2 R3 ⎠
⎛U U ⎞ ⎛ −13 15 ⎞
(
U PN = ⎜ IZ min + R ⎟ ⋅ R1 R2 R3 = ⎜ + ) (
⎟ ⋅ 11 942,3 21, 75 = 4,899V
⎝ 942,3 21, 75 ⎠
)
⎝ R2 R3 ⎠

ELE1 Zadaci Za Vjezbu Cijeli Semestar 2010 11 PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

ELE1 Zadaci Za Vjezbu Cijeli Semestar 2010 11 PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

OSNOVNA SVOJSTVA POJAČALA

ZADATAK.1. Na slici je prikazano naponsko pojačalo koje je opterećeno trošilom RT=5kΩ.

Naponsko pojačanje je:

Iz gornjeg izraza možemo dobiti izlazni otpor:

Isto tako iz istog izraza dobivamo naponsko pojačanje neopterećenog pojačala:

Naponsko pojačanje pojačala u odnosu na izvor signala može se dobiti iz izraza:

uiz uiz uul Rul

Iz toga dobivamo ulazni otpor:

Strujno pojačanje pojačala u odnosu na izvor signala je:

iiz iiz iul Riz Rg

Naponsko pojačanje je:

ZADATAK.3. Na slici je prikazano strujno pojačalo opterećeno trošilom RT=3,3kΩ. Na ulaz

Naponsko pojačanje je:

Iz gornjeg izraza možemo izračunati ulazni otpor prema izlazu:

Strujno pojačanje pojačala u odnosu na izvor signala je:

iiz iiz iul Rg

ZADATAK.4. Izračunati strminsko pojačanje GM, naponsko pojačanje AV i strujno pojačanje

Naponsko pojačanje je:

Strujno pojačanje je:

uiz iiz RT uul Rul

Iz gornjeg izraza je vidljivo da trebamo izračunati strminsko pojačanje koje je jednako:

Naponsko pojačanje pojačala u odnosu na izvor signala iznosi:

uiz iiz RT uul Rul

Izlazni napon možemo izračunati pomoću izraza:

u iz = u g AVg = 2 sin (ωt ) ⋅ 9,52 = 19,04 ⋅ sin (ωt )V

iul Riz iiz

VJ.1. U izlazu neopterećenog strujnog pojačala izmjeren je napon uiz0=1,2sin(ωt)V. Za koliko

Rješenje: Izlazni napon će se smanjiti 98% i iznosi uiz=23,5sin(ωt)mV.

iul Riz iiz

Rješenje: Rm=1375V/A, Rul=25Ω i Riz=50Ω.

Rg iul Riz iiz

Rješenje: Rul=1kΩ, Riz=900Ω.

U svakom trenutku vrijedi da je zbroj napona na otporniku i kondenzatoru jednak ulaznom

U trenutku t=0+ na ulaz RC mreže dovodi se pravokutni impuls amplitude 5 V. Mreža se

Prema tome u trenutku t=0+ naponi iznose:

Trajanje impulsa je 2 ms što je manje od 5·τ pa možemo zaključiti da se kondenzator neće

Napon na otporniku računamo po (Z1-2):

U trenutku t=T+ ulazni napon pada sa 5 na 0 V i vrijedi sljedeća shema

Prema tome u trenutku t=T+ naponi iznose:

Kondenzator se preko otpornika prazni od trenutka t=T i vrijedi:

Gornju mrežu možemo prikazati na sljedeći način:

Općenito izlazni napon za vrijeme trajanja impulsa iznosi:

U trenutku t=T prije pada impulsa na nulu izlazni napon iznosi:

Pošto se napon na kondenzatoru ne može trenutno promijeniti, u trenutku pada napona

Nakon prestanka impulsa mreža se može prikazati na sljedeći način

U trenutku t=T+ vrijedi

Kondenzator se prazni i napon na njemu eksponencijalno pada. Za izlazni napon vrijedi:

Naponi zadane mreže prikazani su na slici.

ZADATAK.3. Za RC mrežu analizirati odziv na simetričan pravokutni napon periode 2 ms,

Uvodimo sljedeće oznake:

Visoka razina ulaznog napona - UULV

Uz pretpostavku da je u početku kondenzator bio prazan (UC0=0) za zadane vrijednosti u

Nakon skoka ulaznog napona na nisku razinu vrijedi sljedeća shema:

Sa UCO' je označena vrijednost napona na kondenzatoru u trenutku promjene ulaznog napona

Za zadane vrijednosti u trenutku prestanka niske razine impulsa vrijedi:

U ULV − U C 0 > U ULN − U ' C 0

ZADATAK.4. Za mrežu iz prethodnog zadatka izračunati odziv u stacionarnom stanju bez

 −T   − (T1 + T2 )   −1 −2

Za simetričan pravokutni signal (T1=T2) vrijedi da je UULV-U2=U1-UULN te je prethodni račun

Znamo da je srednja vrijednost napona na otporniku nula te da skokovite promjene ulaznog

Iz gornjih jednadžbi slijedi da je

Za simetričan pravokutni signal (T1=T2) vrijedi da je U3= - U1 i U4= - U2 te je prethodni račun

pravokutni impuls amplitude U0= - 5 V i trajanja 4