Güç Elektroniği Dersi İçin

Kaynaklar
Power Electronics,
Converters, Applications
and Design (Ned Mohan,
Tore Undeland, William P.
Robins)
Power Electronic, Control
of AC Motors (JMD Murphy,
FG Turnbull Pergamon)
Pergamon Press 1989
Power Electronics (Cyrill
Lander) Mc Grown Hill
Book Company

GÜÇ ELEKTRONİĞİ
Çeviriciler,
Uygulamalar ve
Tasarım (2. Basımdan
Çeviri) Ned Mohan,
Tore M. Undeland,
William P. Robbins
Güç Elektroniği
(Doç.Dr. Osman
GÜRDAL) Nobel Yayın
Dağıtım
ODTÜ, İTÜ, Boğaziçi
üniversitelerinin Güç
Elektroniği ders notları

GÜÇ ELEKTRONİĞİ:
Anahtarlar olarak yarıiletken araçları
kullanarak değişik değerlerde yük
karakteristikleri oluşturmak için
elektriksel gücü kontrol etme bilimidir.
Güç elektroniği uygulamalarının güç
sahası:
10 W → 2000 MW (HVDC)

Güç elektroniği devrelerinin
verimi çok yüksektir.
%80’lik bir verim bile düşük
kabul edilmektedir.

Ana Uygulama Alanları
Güç elektroniği motor sürücüleri
Kesintisiz güç kaynakları (UPS)
Yüksek gerilim DC iletim (HVDC)
Raylı sistemler
Ev aletleri üretimi

Yarıiletken Güç Anahtarları
Diyot:
Diyotlar tüm güç seviyesinde
kullanılırlar (5000 V, 5000 A).

Tek bir kristaldeki p ve n tipi silikon arasındaki
bir jonksiyon, p-n jonksiyonunun temelini
oluşturur. Diyot, iki uçlu elektronik anahtar
olarak göz önüne alınabilir. Anot katoda göre
pozitif iken anahtar kapalı veya iletimde ; anot
katoda göre negatifken ise anahtar açık veya
iletmiyordur.
Yukarıdaki şekilde sağ taraftaki n-tipi yarıiletken
sadece saflığı bozan verici atomlarla temsil
edilir. Bunlar daire içine alınmış pozitif yüklü
atomlar ve onlara ilişkin serbest elektronlarla
temsil edilir. Atom yapının bir parçasıdır ve
hareketsizdir. Halbuki elektron serbest
taşıyıcıdır.

Benzer olarak sol taraftaki p-tipi yarıiletken saflığı
bozan alıcı atomlarla temsil edilir ve ve bunlar
daire içine alınmış hareketsiz negatif iyonlarla
hareketli pozitif taşıyıcılar veya deliklerdir.
Böylelikle jonksiyonun sağ tarafında yüksek
konsantrasyonda elektronlar ve sol tarafında
yüksek konsantrasyonda delikler vardır.
Uygulanmış bir elektrik alanı olmasa bile
yüksek konsantrasyonlu bölgeden düşük
konsantrasyonlu bölgeye yayılarak hareket
etmek için taşıyıcılarda bir eğilim vardır.
Böylece serbest elektronlar ve delikler
jonksiyonun her iki yanına yayılarak yeni bir
form oluştururlar. Bu durumda jonksiyonun her
iki yanındaki hareketli taşıyıcılar sayesinde
bölge yoğunluğu azalacak ve hareketsiz yüklü
atomlar karşı karşıya gelecektir.

Bölgedeki bu azalma yada boşluk şarjı, ilave
çoğunluk taşıyıcılarının yayılmasına karşı
potansiyel bir bariyer oluşturan jonksiyonda bir
elektrik alanı üretir.
Diyot, jonksiyonun p tarafını pozitif n tarafını
negatif yapan harici bir gerilimin uygulanması
ile ileri yönde polarır. Bu gerilim sonucu elektrik
alanı azalmış bölgeyi daraltarak potansiyel
bariyeri azaltır. Yeterli enerjili çoğunluk
taşıyıcıları azaltılmış potansiyel bariyerinden
yayılarak jonksiyondan ileri yönde bir akım
akar. Harici gerilimin arttırılmasıyla bu akım
azaltılmış bariyer kaybolana kadar artar ve
sonuçta ileri yönde çok büyük bir akım akarak
diyot iletime geçer.

Harici bir kaynakla diyot ters polartıldığında (anot
negatif, katot pozitif) n bölgesindeki hareketli
elektronlar ve p bölgesindeki delikler
jonksiyondan uzağa doğru çekilir. Böylece
azaltılmış tabak genişler ve bunun sonucunda
potansiyel bariyer artarak jonksiyondaki
çoğunluk taşıyıcıların yayılımı önlenir. Bununla
birlikte bazı azınlık taşıyıcıları (silikon atomların
ısıl iyonizasyonundan dolayı) jonksiyonun her
iki tarafında mevcut olur (n bölgesinde delikler,
p bölgesinde elektronlar). Jonksiyondaki
elektrik alanı jonksiyon uçlarındaki bu azınlık
taşıyıcılarının akmasına yardım eder ve bunun
sonucu ters polarmış p-n jonksiyonunda küçük
bir sızıntı akımı oluşur.

P ve N tipi yarıiletkenlerin
oluşturulması
N-Tipi:
Silikon peryodik tabloda IV. Gurupta yer alan bir
elementtir ve en dış yörüngesinde 4 tane
elektronu mevcuttur. En dış yörüngesinde 5
tane elektronu olan V. Guruptan (Azot, fosfor
gibi) bir element eklenirse kristal yapıda bir
serbest elektron oluşur. Serbest elektronlar
iletimi sağlarlar. Negatif olarak şarjlı olan
elektronun oluşturduğu element N-tipi
yarıiletken olarak bilinir.

P ve N tipi yarıiletkenlerin
oluşturulması
P-Tipi:
Eğer silikona III. Guruptan (Baron, Al, Ga
gibi) saf olmayan bir element eklenirse
yani en dış yörüngesinde 3 tane elektronu
olan element, bu durumda kristal yapıda
boşluk yada delik oluşur ki bu yapı
elektron almaya elverişli olur.Bu boşluğun
pozitif şarjlı olduğu göz önüne alınabilir.
Bu da oldukça iyi bir iletkenliğe müsaade
eder. Bu tip malzeme P-tipi yarıiletken
olarak bilinir.

P-tipi silikonda delikler çoğunluk
taşıyıcılarını oluşturur. Serbest
elektronlar ise azınlık taşıyıcılarını
oluşturur.
N-tipi silikonda elektronlar çoğunluk
taşıyıcılarını oluşturur. Isıl olarak
üretilen delikler ise azınlık
taşıyıcılarını oluşturur.

Diyotun statik karakteristiği
Diyot iletim modundayken akımdan
bağımsız ileri yönde bir gerilim düşümüne
sahiptir. Bu gerilim silikon diyot için
yaklaşık 1 V’tur. Güç kaybı ileri yöndeki
akım ve gerilimin çarpımı ile belirlenir.
Yukarıdaki şekilde geri yöndeki
karakteristik azınlık taşıyıcılarından dolayı
oluşan küçük bir sızıntı akımını gösterir.
Eğer diyota ters yönde aşırı bir gerilim
uygulanırsa diyot delinir. Bu gerilime
VRRM tekrarlamalı tepe ters gerilimi yada
kısaca devrilme gerilimi denir.

P-N diyodunun sürekli durum karakteristiği

Hızlı Düzelmeli Diyotlar
İletim modunda çoğunluk taşıyıcıları p ve n
bölgelerinden diğer tarafa jonksiyon
üzerinden azınlık taşıyıcıları olarak geçer.
Diyot bu taşıyıcıları uzaklaştırmadıktan
sonra zıt yöndeki gerilimi bloke edemez.
Bu nedenle zıt yönde uygulanan
gerilimden dolayı ters yönde yüksek
akıma neden olan kısa bir aralık mevcut
olur. Bu aralığa ters düzelme zamanı
denir. Bu zaman diyotun kullanım yeri ve
tipine göre değişir.

Hızlı Düzelmeli Diyotlar

QRR: Ters düzelme
yükü
IRR: Ters düzelme
akımı
tRR: Ters düzelme
zamanı

Yavaş diyotlarda tRR ≈ 50 µs : 50 Hz’lik doğrultucularda kullanılır.
Hızlı diyotlarda tRR ≈ 30 ns ila 100 ns : SMPS uygulamalarında
ve diğer yüksek anahtarlamalı
uygulamalarda kullanılır.

Schottky Diyotlar
Çok hızlı diyotlardır.
İleri yönde küçük bir gerilim
düşümüne sahiptir (≈ 0.4 V)
Düşük gerilim yüksek akım
SMPS’lerde çok kullanılır.
100 V’a kadar (200 A) mevcuttur.

TRİSTÖR (SCR)
Tristör veya Silikon
Kontrollü Doğrultucu
(SCR) 1957’de General
Electric Company (USA)
tarafından piyasaya
sürüldü. Şekilde
görüldüğü gibi tristör 4tabakalı bir p-n-p-n
silikonudur.

Ana uçtaki elektrodlar tabakaların iki ucuna yerleştirilmiştir.
p-tipi emiter anot, n-tipi emiter ise katottur. İki iç tabaka baz
tabakası olarak bilinir. Kontrol elektrodu veya gate p-tipi iç
tabakaya yerleştirilir. Negatif anot-katot gerilimi
uygulandığında orta jonksiyon ileri yönde polarır fakat
dıştaki diğer iki jonksiyon ters polarır. Bu yüzden tristörün
ters polarma karakteristiği silikon diyota benzerdir.
Tristörde de küçük bir sızıntı akımı kritik ters bozulma
gerilimi aşılıncaya kadar akar. Daha fazla bir ters gerilim
uygulandığında ise tristör patlar.
Tristöre pozitif anot-katot gerilimi uygulandığında orta
jonksiyon ters polardığından küçük bir sızıntı akımı akar.
Eğer uygulanan gerilim arttırılırsa (ileri yöndeki kritik
devrilme gerilimini aşana kadar, VBO) tristör iletim
pozisyonuna geçer. Fakat bu tetikleme mekanizması
genellikle kullanılmaz. Genel bir metot olan kapı
tetiklemesi, gate-katot jonksiyonu J3 ‘ü ileri yönde polartan
küçük bir harici kapı akımı enjekte edilerek yapılır. Bu
akım, ileri yöndeki devrilme gerilimini azaltır.

İki Tranzistör Analojisi

Yukarıdaki şekilde herbir tranzistörün kollektörü karşılıklı olarak
birbirinin bazı ile birleştirilmiştir. Her bir tranzistörü saturasyona
sürecek pozitif bir geri besleme vardır. Böylece pozitif gate
akımı n-p-n tarnzistörün iletime girmesini sağlar, bunun sonucu
olarak kollektör akımı, Ic2 akar. Bu akım p-n-p tranzistörünün
baz akımı olur ve sonucunda Ic1 akımı akmaya başlar. Ic1 aynı
zamanda n-p-n tranzistörünün baz akımı olduğundan tristör hep
iletimde tutulur. Yani harici gate sürücüsü kullanılmasa dahi
tristör iletimde kalır. Genelde tristör pozitif bir anot katot
gerilimine sahipken her bir tranzistör normal durumdaki gibi
polarır ve ortak baz akım kazancına (α) sahiptir. (α=IC/IE).
Böylece p-n-p tranzistörü için, α1 e1 emiterine enjekte edilen delik
akımının bir parçasıdır. Eğer I, e1 emiterine giriş yapan harici
akım ise kollektör akımı;
I1CO : Tranzistörün kollektör
sızıntı akımı

Benzer olarak n-p-n tranzistörü, c2 kollektörüne ulaşan e2
emiterine enjekte edilen elektron akımının parçası olan α2
akım kazancına sahiptir. Böylece;

I

„ 2CO

: n-p-n tranzistörünün kollektör sızıntı akımı

Kollektör akımlarının toplamı harici akım I’ya eşittir.

I

„ CO

: Tristörün toplam sızıntı akımı

Eğer α1 ve α2 akım kazançları küçükse tristör akımı
sızıntı akımı ICO’dan çok az daha büyük olacak ve
bu yüzden tristör ileri yönde tutma durumunda
olacaktır. α1+α2 akım kazançlarının toplamı
yukarıda bahsedilen metotlardan biri vasıtasıyla
arttırılmadıkça tristör bu kesim konumunda
kalacaktır. Yukarıdaki denklemden de görüldüğü
gibi, α1+α2 1’e yaklaştığında tristör akımı sonsuza
yaklaşacaktır. Pratikte harici devrenin direnci akım
akışını sınırlamalıdır. Çünkü iki tanzistörde
saturasyondadır ve tüm jonksiyonlar ileri yönde
polarmıştır. Bu koşullar altında p-n-p-n elemanı
çok küçük bir empedansa sahiptir ve iletim
durumundadır.

Tranzistörün α akım kazancı emiter akımının bir
fonksiyonudur. (α=IC/IE). Bu yüzden eğer herhangi
bir tranzistörün baz-emiter jonksiyonu ileri yönde
polarırsa α1+α2 akım kazançlarının toplamı artacak
ve sonuçta tristör iletime girecektir. Genelde
tetikleme için n-p-n tranzistörünün bazı kullanılır.
Eğer yük akımı tutma akımından küçük olursa yani
α1+α2 < 1 ise, tristör iletim pozisyonunu devam
ettiremez ve tristör yeniden ileri yönde tutma
konumuna geçer.

Tristörün Çalışma Bölgeleri
Tristörün üç çalışma bölgesi vardır:
1- Tristörün negatif tutma bölgesi ( UA< 0)
2- Tristörün pozitif tutma bölgesi ( UA> 0, IA< IH)
3- İleri yönde iletim bölgesi ( UA> 0, IA> IH)

Tristörün Dinamik Davranışları
„
„

Tristörün iletime girmesi olayı
Tristörün kesime girmesi olayı

Tristörün iletime girmesi
1- Kapı akımı ile tetikleyerek iletime girmesi
2- İsteğimiz dışı iletime girmesi
i) Tristör uçlarındaki gerilimin tristörün ileri
yönde tutma gerilimi UBO’ı aşması ile iletime
girmesi
ii) UA geriliminin değişim hızının belli bir değeri
aşması sonucuyla iletime girmesi ( dUA/dt)
iii) Tristörün ısınarak iletime girmesi

i) Tristör uçlarındaki gerilimin tristörün ileri yönde
tutma gerilimi UBO’ı aşması ile iletime girmesi

UA≥ UBO durumlarında tristör devrilme gerilimini
aşarak iletime girer. Bu durum istenmeyen bir
durumdur. Bu özellik kullanılarak Schottky diyotlar
yapılır.

ii) UA geriliminin değişim hızının belli bir değeri
aşması sonucuyla iletime girmesi ( dUA/dt)

Tristör ileri yönde polarmış ise;

C2 kondansatörünün yükü Q2 ise ve uçlarındaki gerilim UA ise
herhangi bir t anındaki yük;

t + ∆t anında

kadar artıyorsa;

Her iki tarafı ∆t’ye bölersek;

∆t=dt ise

dC2/dt’nin (kapasitenin değişim nedeni plakaların
değişmesidir) etkisi küçük olduğundan dC2/dt ihmal edilebilir.

dUA/dt değeri tristörlerin kataloglarında verilir. Bu değerler
tristörün tipine bağlı olarak 10-200 V/µs arasında değişir.

iii) Tristörün ısınarak iletime girmesi
Tristör ısındığında UBO gerilimi düşmekte ve UA≥UBO şartı
yerine geldiği an tristör kendiliğinden iletime geçmektedir.

Tristörün Susturulması
1.

2.

Ters kapı akımı ile trsitörü susturmak. Bu susturma işlemi
küçük güçlü tristörlerde kullanılır. Bu tip tristörler GTO
olarak arttırılır.
Komütasyon gerilimiyle susturma. Bu susturma tekniği
DC kıyıcalar konusunda detaylı olarak ele alınacaktır.
Ancak temel prensip önceden şarj edilmiş bir kapasiteyi
tristörün susturulmasının istendiği anda tristör uçlarına
ters yönde bağlanmasıyla kapasitenin tristör üzerinden
deşarj edilmesi prensibine dayanmaktadır.

Tristörün Statik Karakteristiğinin
Çıkarılması

1.

2.

K1 kapalı K2 açıkken Ub’yi kademe kademe arttırarak
ampermetreden geçen akım okunur. Ia akımındaki
değişim belli bir gerilime kadar çok az olur. Gerilim öyle
bir değere getirilir ki o anda akım çok büyük bir değere
ani olarak yükselir. Bu gerilime tristörün ileri yönde
devrilme gerilimi denir (UBO).
UB gerilimi minimuma getirilir ve K1 ve K2 anahtarları
kapatılır. Ug gerilimini ayarlayarak kapı akımı da
ayarlanır. Bu akım herhangi bir Ig akımına getirilerek Ub
gerilimi arttırılır. Ub geriliminin belirli bir değerinde
tristör akımı ani olarak artarak trisitör iletime geçer. Bu
gerilim tristörün devrilme geriliminden daha küçüktür.
Kapı akımının değeri büyüdükçe tristörü iletime geçiren
Ub geriliminin değeri de küçük olur.

TRİYAK
İki tristörün anti-paralel bağlanmasıyla meydana gelmiş bir
elemandır. Triyaklar her iki yönde de iletimde olabilirler.

GÜÇ TRANSİSTÖRLERİ (BJT)
Artık günümüzde eskisi kadar yaygınca kullanılmayan bir
eleman. 600 A, 1400 V’luk transistörler mevcuttur. İletime ve
kesime girme hızları 10 µs ila 20 µs civarındadır. En büyük
dezavantajları düşük akım kazançları (10 civarında) ve sürekli
bir baz akımına ihtiyaç duymalarıdır. Bunun yanında avantaj
olarak baz akımları kesildiğinde kolayca kesime girerler.

Transistörlerin baz akım kazançlarını arttırmak için kendi
aralarında “darlington” veya “trplington” olarak bağlanabilir.
Fakat bu durum transistörlerin anahtarlama hızlarının
yavaşlamasına neden olur.

Darlington veya trplington bağlantının diğer bir dezavantajı ise;
kollektör-emiter saturasyon gerilimi tek bir transistörünkinden daha
yüksektir. Sonuçta iletim yönündeki güç kaybı daha fazla olur.

GÜÇ MOSFETİ
Gerilim kontrollüdür ve çok hızlı elemanlardır. İletime
ve kesime girme süreleri 10ns-100ns civarındadır. İletim
kayıpları fazladır. Sınır güç oranları yaklaşık 50A’de
600V’tur (800V,10A veya 60V,100A). SMPS ve otomobil
elektroniğinde kullanılırlar. MOSFET’in iletim durumundaki
gerilim düşümü sabit değildir. Çünkü iletim durumunda RDS
kanal direncine sahiptir. Bu direnç belli bir boyut için anahtar
geriliminin bir fonksiyonudur.

IGBT
MOSFET
ve
Güç
Transistörlerinin
bir
kombinasyonudur. MOSFET’in hızlı anahtarlama özelliğine,
güç transistörün yüksek güç kabiliyetine sahiptir ve IGBT de
MOSFET gibi gerilim kontrollüdür. 250V’dan 4500’a kadar
ve 1000A’e kadar üretilirler. Anahtarlama hızları 400ns1000ns arasındadır. 5kW-500kW arasındaki motor
sürücülerinde kullanımları oldukça popülerdir. 6,5 kV’luk
IGBT yakında çıkacaktır.

GTO
Küçük bir gate akımıyla iletime girerken, negatif gate akımıyla
kesime girerler. Ayrıca kesime girme akım kazançları oldukça düşüktür
(4-5). Yani 4000V, 3000A’lik bir GTO’yu kesime sokmak için 750A’lik bir gate akımı gereklidir. Çok büyük snubber devreleriyle
birlikte kullanılmak zorunda olduklarından anahtarlama frekansları 12kHz civarındadır. AC-DC yüksek güçlü makine sürücülerinde,
UPS’lerde, indüksiyon ısıtmada birkaç kW’tan birkaç MW’a kadar
kullanılırlar. Anahtarlama hızları birkaç µsn’den 25µsn’ye ye kadardır.

İletim durumundaki gerilim düşümleri 2-3V civarındadır.

MCT (Mos kontrollü Tristör)
MCT anoda göre negatif bir gate darbesiyle iletime ve
pozitif bir gate darbesiyle kesime sokulur. GTO’larda olduğu
gibi kesime sokmak için yüksek gate akımına gerek
duymazlar. Daha yüksek güçlü elemanlar elde etmek için
kolayca seri-paralel kombinasyonda bağlanabilirler. IGBT’ler
ile karşılaştırılabilecek kadar anahtarlama hızları yüksektir ve
daha düşük iletim gerilim düşümüne sahiptirler.

SIT (Statik İndüksiyon Tranzistör)
SIT yüksek güçlü ve yüksek frekanslı bir elemandır.
Normalde iletimdedir. Kesime sokmak için negatif bir gate
gerilimine ihtiyaç duyarlar. Güvenilirliği, gürültüsü ve
sağlamlığı MOSFET’inkine göre daha üstündür. Anahtarlama
hızları MOSFET’e göre yüksektir. SIT’ler AM/FM
yayıcılarında, indüksiyon ısıtmada, yüksek gerilim düşük akım
güç kaynaklarında, ultrasonik generatörlerde ve lineer güç
yükselteçlerinde kullanılırlar.

IGCT
(İzoleli Gate’inden Komütasyonlu Tristör)
Yüksek güç oranlarında IGBT ile rekabet edecek yeni
bir eleman. Aslında üzerine entegre edilmiş gate sürme
devreli bir GTO’dur.

MOS Turn-Off Thyristor
Şimdilik deneysel amaçlı olarak kullanılıyor. Kesime
girebilmesi için entegre edilmiş MOSFET’li bir tristördür.

Anahtarların Geleceği: Bir çok sayıda yeni eleman
yapıları ve, mevcutlarının geliştirilmesi üzerinde halen
çalışılıyor. Çok hızlı hareket eden bir teknolojiye sahip.
Öyle ki 15 yıl evvel IGBT’nin daha adı bile duyulmamıştı !)

Anahtar Kapasitelerinin Özeti

ANAHTARLARDA GÜÇ KAYBI
1- İletim kayıpları:
Diyot:

Transistör ve IGBT
Saturasyondayken akımın gerilim düşümündeki etkisi ihmal edilir
ve gerilim düşümünün VCE(sat) değerinde sabit olduğu varsayılır.

Tipik olarak;
VCE(sat)=0.2 V (küçük tranzistörlerde)
VCE(sat)=0.5 V (büyük tranzistörlerde)

MOSFET
İletimdeyken MOSFET’ler bir direnç gibi davranırlar. Bu direnç
(RDS(on) jonksiyon sıcaklığı ile değişir.

2- Anahtarlama Kayıpları:
a-) Kesime Girme Kaybı:
İletim ve kesim durumlarında akımın
lineer olarak değiştiğini varsayalım.
İndüktif yükü göz önüne alalım (Tüm
uygulamaların %99.9’u)
L çok büyük olsun öyle ki anahtarlam
durumunda yük akımı çok az değişsin.

b-) İletime Girme Kaybı:

SOĞUTUCU TASARIMI

Turn-off Snubber

Q sürekli rejimde iletimdeyken;
C kapasitesi R üzerinden boşalır
ve;
I d=0, IS =0 ve IC =IL olur.

Snubber dalga şekilleri

Güç Kaybı
Transistörün Snubberlı durumda Turn-off güç kaybı:

Snubber Kaybı
Q’nun her zaman iletime sokulduğu an snubber
kapasitesi R üzerinden boşalır. Bu yüzden:

Not: Snubber+toff güç kaybı, snubbersız güç kaybından
daha büyük olur. Ancak bu durum tranzistörün
patlamasından daha iyidir.

Snubber direnci R’nin seçimi
R direnci C kapasitesini Q iletimdeyken tamamen
boşaltmalıdır. Normal olarak;
3RC = Q için min. iletim süresi. Yani;

Turn-on Snubber Devresi
Turn-on snubber devreleri, yüksek anahtarlama frekanslarında turn-on
anahtarlama kayıplarını azaltmak için kullanılır. Turn-on snubber
devresi akım yükselirken anahtar uçlarındaki gerilimi azaltarak çalışır.
Bu tip bir snubber devresi aşağıdaki iki şekilde de bağlanabilir. Her
iki durumda da turn-on ve turn-off anahtarlama dalga şekilleri aynı
olur. Turn-on süresince tranzistör uçlarında görülen gerilimdeki
azalma Ls indüktansındaki gerilim düşümünden dolayıdır. Bu azalma;

Burada ton akımın yükselme zamanıdır. I ise yük akımının en büyük
değeridir. Yada turn-on için di/dt verilmiş ise bu da yukarıdaki formülde
direkt olarak kullanılabilir.

Eğer boşluk diyodunun ters düzelme tepe akımını azaltmak önem arz
ediyorsa sağdaki şekilde görüldüğü gibi büyük bir Ls kullanılarak buna
ulaşılabilir. Burada akımın di/dt’si Ls ile kontrol edilir ve tranzistör
uçlarındaki gerilim akımın yükselmesi boyunca hemen hemen sıfırdır.

Turn-on snubber direncinin belirlenmesi
Tranzistörün iletim periyotu boyunca Ls, yük akımı I’yı taşır.
Tranzistör kesime girerken snubber devresinde depolanan (½)LsI2
enerjisi snubber direnci Rs’de harcanacaktır. Snubber devresinin
zaman sabiti τ = Ls/Rs’dir. Rs’i seçmede aşağıdaki iki faktör göz
önüne alınmalıdır:
1-Tranzistör kesime girerken turn-on snubber devresi tranzistör uçlarında
aşırı bir gerilim oluşturacaktır. Bu gerilim;
∆VCEmax=Rs*I (1)
2-Tranzistör kesime girerken indüktans akımı küçük bir değere
boşalmalıdır. Örneğin 0.1*I değeri. Böylelikle snubber, gelecek
iletime girme anı için hazır olacaktır. Bu yüzden, tranzistörün kesimde
kaldığı min. süre;
(2)

Böylece, büyük indüktans değeri iletime girme
anında düşük gerilime ve dolayısıyla düşük iletime
girme kayıplarına neden olurken kesime girme anında
anahtar üzerinde büyük aşırı gerilimler oluşacaktır.
Buda gerekli min. off-state aralığını uzatacak
(Denk.2) ve yüksek snubber kayıplarına neden
olacaktır. Bu nedenle Rs ve Ls’i seçerken turn-off
snubber daki gibi tasarım aşamaları gözetilmelidir.
Turn-on snubber indüktansı yük akımını taşımak
zorunda olduğundan dolayı (buda maliyeti artırır)
turn-off snubber’a göre daha az kullanılır.

Yarı İletken AC Şalterler

Şalter gücü;

P = U max .I max

Her bir tristörün içinden geçen akımın ortalama değeri;

I TAV

π

Im
∫0 I m . sin ωt.dωt = 2π − cos ωt

1
=

π
0

=

Im

π

Her bir tristörün içinden geçen akımın efektif değeri;
I TEFF =

1

π

I m2 . sin

0

2

ω t .d ω t =

I m2

π

∫(
0

I
1 − cos 2 ω t
)dω t = m
2
2

Devreden geçen akımın efektif değeri;

Im
I EFF
2
I EFF
2
=
=
= 2 ⇒ I TEFF =
Im
I TEFF
2
2
2

AC şalterin normal şalterlere göre avantajları;
„
„
„
„

Açma kapama anında ark yoktur,
Ömürleri daha uzundur,
Devreyi açma kapama süreleri çok daha küçüktür,
Şalter güçleri daha büyüktür.

AC şalterin normal şalterlere göre dezavantajları;
„
„
„

Çok pahalıdırlar,
Devreyi tamamen açık devre yapamazlar (Sızıntı
akımından dolayı),
Aşırı akım ve gerilimlere oldukça duyarlıdır.

Alternatif Akım Kıyıcıları

α’yı kontrol ederek yük geriliminin
ve dolayısıyla yük akımının efektif
değeri değiştirilerek yükün gücü
kontrol edilir.

Harmonikler
„

Akım tam sinüs olmadığı için çeşitli
harmonikler oluşur. Bu harmonikleri
bulmak için dalga şeklini Fourier Serisine
açmamız gerekir.

ao
f (t ) = + a1 cos ωt + a2 cos 2ωt + .. + ak cos kωt +
2
+ b1 sin ωt + b 2 sin 2ωt + .. + b k sin kωt
ao dc bileşendir ve bu devrede mevcut değildir.

T

2
ak = ∫ f (t ). cos kωt.dωt
T 0
T

2
bk = ∫ f (t ). sin kωt.dωt
T 0

a0 = 0
Bu katsayıların ilkini alsak yeterlidir.
Çünkü en etkili olan 1. harmoniktir.

i = I1Q . cos ωt + I1 A . sin ωt
I1 A =

2

π

I

πα

m

. sin ωt. sin ωt.dωt =

π

π
Im
(1 − cos 2ωt )
1
= ∫ Im.
(ωt − sin 2ωt ) I =
dω t =
α
2
2
πα
π

2

sin 2α
= .[π − α +
]
2
π
Im

,

I1A= Sinüslü bileşenin 1. harmoniğinin maksimum akımıdır.

I1Q =

2

π

π

∫ I m . sin ωt. cos ωt.dωt = −

α

Im

π

. sin 2 α

I1Q= Cosinüslü bileşenin 1. harmoniğinin maksimum akımıdır.

ϕ = arctg

I 1Q
I1A

− sin 2 α
ϕ = arctg
1
π − α + sin 2α
2

( Aktif ve reaktif güç arasındaki açı )

Bundan dolayı meydana gelen reaktif güç;

Q1 = U

I1Q
2

Bu işaretin fourier analizi yapılırsa
φ açısındaki sin2α değeri pozitif
çıkar. Bu da kapasitif yük
oluşturur.
Bu
tip
devreler
kompanzasyonda kullanılır.

Bu durumda α ve α1 ‘i öyle
ayarlarız ki yükümüz saf omik olur.
α ve α1 birbirlerini kompanze eder.

Örnek-1:
220 V’luk şebekeden beslenen 2.2 kW’lık bir
dirençli ısıtıcının akımı tristörlü bir kıyıcıyla
ayarlanmak istenmektedir. Α=90o olduğuna
göre akımın ana bileşeninin şebeke gerilimi
ile olan faz farkını ve şebekeden çekilen
reaktif gücü hesaplayınız.

Örnek-2:
Şekildeki devrede anahtar 460 V
efektif, 60 Hz’lik bir kaynaktan
omik bir yükün gücünü kontrol
etmektedir.
Yük direnci 20 Ω ve α=35o dir.
Buna göre;
a)Yük akımının tepe değerini
b)Yük akımının efektif değerini
c) Devrenin güç faktörünü
hesaplayınız.

Tek Fazlı Doğrultucular
Tüm elektronik devrelerde yer aldığı için çok
önemlidir. İki temel tipi vardır:
1. Kontrolsüz doğrultucu: Sabit çıkış, diyotlar
kullanılır.
2. Kontrollü doğrultucu: Değişken çıkış, tristörler
kullanılır.

Doğrultucu devresi ve filtre
Tek başına doğrultucu devresi düzgün bir dc
vermez. İlave düzeltme devrelerine gereksinim
duyulur. Düzeltmenin yapıldığı yöntemin devre
çalışmasında büyük etkileri vardır.
Düzeltme iki şekilde yapılabilir:
1. Kapasitif düzeltme: Çıkış gerilimini düzeltmeye
yarar. Doğrultucu çıkış akımı kesiklidir
(darbelidir).
2. İndüktif düzeltme: Çıkış akımını düzeltmeye
yarar. Doğrultucudan çekilen çıkış akımı
süreklidir.
1. yöntem düşük güçlerde çok popülerdir. 2.
yöntem ise yüksek güçlerde zorunludur.

Orta Uçlu Doğrultucu

Orta Uçlu Doğrultucu
Bugünlerde önemli bir devre tipi değildir.
Fakat doğrultucunun temelini öğrenmek için
iyi bir yaklaşım olabilir. Diyotlar ve kaynağın
ideal olduğunu farz edelim yani
transformatörün empedansı sıfır olsun ve
çıkıştaki filtre indüktansını değeri çok büyük
olsun. Bu durumda anodu en pozitif olan
diyot iletime geçecektir diğer diyot ise
kesimde olacaktır.

Küçük bir kaynak empedansı ile
çalışma durumu

ha ve hb akımın D1’den D2’ye veya D2’den D1’e ani
olarak transfer edilmesini engeller. D1 ve D2’nin
iletimde olduğu VA0 ve VB0’ın sıfır geçiş civarında
bir periyod elde ederiz. Bu “overlap” (çakışım)
olarak bilinir. Overlap süresince eşdeğer devre;

I1+I2=Id

→ dI1/dt

+ dI2/dt = dId/dt = 0

dI1/dt = -dI2/dt
V=VA0-V1 Buradan VA0-h.dI1/dt = VB0-h.dI2/dt
V=VA0+h.dI2/dt

h.dI2/dt = V-VA0

V=VB0-V+VA0
2V=VB0+VA0
V= (VA0+VB0)/2=0
(Overlap süresince)

Overlap dalga şekilleri
ƒ A alanı ha uçlarında görünür
ve akımı Id’den 0’a azalır.

Overlap süresi µ’nün hesabı

Köprü Doğrultucu

VAB’nin sıfırı kestiği noktada “h” tüm diyotları
iletimde kısa bir süre bırakarak “overlap”
a neden olur.
h’daki akımın toplam değişimi=2.Id
Bu yüzden VTAA=2.Id.h olur. Overlaptan
dolayı kaybolan gerilim;

Overlap süresi µ’nün hesabı

İndüktif Düzeltme
ƒ L’nin boyutu nasıl hesaplanır?

V değeri Id’nin düzgün olduğu
varsayılarak hesaplanır. Yani Id’nin
ortalama değeri kullanılır.

Kapasitif Düzeltme

ƒ C’nin yeterince büyük
olduğunu varsayalım
öyle ki V sabit olsun.
IR=Io eşitliğini sağlayan
V herhangi bir değere
oturur. Pratikte V sabit
değildir ve şu şekilde
değişir:

ƒ Verilen bir ∆V (ripple) değeri için kapasitenin değeri nasıl
hesaplanır?
ƒ Yaklaşık metot: Kapasitenin boşalma periyodunun ½ periyod
sürdüğü varsayılır. Yani kapasitenin şarj süresi ihmal edilir.
Buna göre;

Güç Faktörü ve Güç Elektroniği Devreleri
AC sistemlerde güç faktörü;

Bir güç elektroniği devresi için (doğrultucu) güç faktörü;

Güç Faktörü ve Güç Elektroniği Devreleri
Burada;
I1eff/Ieff = distorsiyon faktörü’dür.
cosΦ = yerdeğiştirme (displacement) faktörü’dür.
Güç Faktörü = distorsiyon faktörü*yerdeğiştirme fak.
ƒ Kapasitif düzeltmeli bir diyot doğrultucu devresi
için distorsiyon faktörü düşüktür ve çok kötü bir
güç faktörü elde ederiz (0.4 ila 0.5)
ƒ İndüktif düzeltmeli bir diyot doğrultucu devresi için
güç faktörü 0.9 civarında yerdeğiştirme faktörü ise
1 civarındadır.

Tek Fazlı Kontrollü Köprü Doğrultucu
Tek fazlı kontrollü doğrultucular fazla bir uygulama alanı
bulamamaktadırlar. Pil, akü şarjında kullanılırlar.
Her bir tristörün ateşlemesi bir tetikleme devresi ile α açısı kadar
geciktirilir. Bu geciktirme işlemi öyle bir noktada başlatılır ki tristör
bir diyot olsaydı o noktada iletime girerdi.

Çıkış geriliminin hesabı
ƒ T3 ve T4 tetiklendiğinde T1 ve T2 otomatik olarak ters
polaracaktır. Bu durumda doğal komütasyon oluşacaktır. Bu
çalışma şartı için 0<α<180o olması gerekir.

Yukarıdaki denklem kaynağın ideal olması durumu için
geçerlidir. A alanı h uçlarında görünür ve kaynak akımını
+Id’den –Id’ye değiştirir. Bu durumda A alanı;

Çıkış Gerilimi ve µ’nün Hesabı
VTAA=2.Id.h=VTAB
Kaybolan ortalama çıkış gerilimi;

İnversiyon (çıkış geriliminin işaretinin değiştirilmesi)

ƒ Eğer α>90o ise ortalama çıkış gerilimi negatif olur. Fakat Id
sadece bir yönde akabildiğinden güç akışı ters çevrilir. Buna
“İnversiyon” denir.
ƒ Bu durumun sağlanabilmesi için dc tarafta ters çıkış gerilimine
karşı akım akışını sağlayacak bir kaynak olmalıdır. Örneğin
generatör olarak çalışan bir dc motor.
ƒ Overlap ihmal edildiğinde;

ƒ Ana bileşen, E.sinwt’ye göre
>90o geridedir. Bu yüzden
güç AC kaynağa akar.
ƒ α’nın sınırlaması:
ƒ Her bir tristör için ters
polarma zamanı, uygun bir
çalışma için tq ‘dan uzun
olmalıdır.

ƒ Daha önceki şekle baktığımızda ters polarma süresi;
180o-(α+µ) idi.
180o-(α+µ)>tq olmalıdır.
Pratikte α’daki sınır 150o-160o civarındadır. Kaynak indüktansı
büyükse overlap büyüyeceğinden α daha küçük olmalıdır.

Üç Fazlı Kaynakların Özeti
Yıldız bağlı bir kaynağı göz önüne alalım:

Daima A, B, C faz sırasını göz önüne alalım. Öyle ki B,
A’dan geride C ise B’den geridedir.

Yani;
VAN = E.sin ωt
VBN = E.sin(ωt − 2π / 3)
VCN = E.sin(ωt − 4π / 3) = E.sin(ωt + 2π / 3)
VAB = 3.E.sin(ωt + π / 6)
VBC = 3.E.sin(ωt − π / 2)
VCA = 3.E.sin(ωt + 5π / 6)

Üç fazlı kaynak gerilim dendiğinde bunun anlamı fazlararası
efektif gerilimdir.
Böylece 380 V, 50 Hz, üç fazlı sistem demek;

3E
= 380V; ω = 100π
2

3-Fazlı Yarım Dalga Kontrolsüz
Doğrultucu (O3)
VAN = E.sin ωt
VBN = E.sin(ωt − 2π / 3)
VCN = E.sin(ωt − 4π / 3)

1.
2.
3.
4.

Hat Akımının Önemli Özellikleri
Yerdeğiştirme Faktörü: Hat akımının ana bileşeni ile
ona ilişkin faz gerilimi arasındaki faz kaymasının
kosinüsü
Distorsiyon Faktörü: Ana akımın rms değeri / Toplam
akımın rms değeri
F örü: Vrms.I1rms.cosΦ / Toplam VA (rms)
Güç Gakt
çarpımı
Harmonikler: Hat akım dalga şekli:

Harmonikler
ƒ an=0 simetriklikten dolayı
ƒ ao=Idc=0

ƒ Bizim durumda θ=120o’dir.
Bu durumda;
ƒ Eğer 3 ve 3’ün katı
harmonikler de olsaydı akım
dalga şeklimiz tam bir kare
dalga olurdu.

Yerdeğiştirme Faktörü
ƒ Hat akımının ana
bileşeni ile ona ait faz
gerilimi arasındaki
açının kosinüsüdür.
ƒ Yandaki şekilden de
görüldüğü gibi faz
kayması sıfırdır.
ƒ Yerdeğiştirme faktörü
= cos(0) = 1

Distorsiyon Faktörü
ƒ D.F=Ana akımın rms değeri / Toplam akımın rms değeri

Güç Faktörü
ƒ Bize ne kadarlık bir VA’in Watt’a dönüştüğünü söyler.

ƒ Farzedelim ki gerilim bozulmamış tam bir sinüs olsun.
Bu durumda faz başına:
ƒ Gerçek iş = Vrms.I1rms.yerdeğiştirme faktörü
ƒ Toplam rms VA çarpımı = Vrms.Irms

ƒ Güç Faktörü = Yerdeğiştirme Fak * Distorsiyon Fak.
ƒ Güç faktörü iyi değil. Bunun anlamı; akım büyük olmasına
karşın güç büyük değil.

Çift Tristörlü DC Kıyıcı

T2’nin kesime girmesi durumunda dalga şekilleri
ƒ Maksimum E, IL ve tq tristör
için gerekli c’nin değerini
belirler.
ƒ Kıyıcıdan elde edilebilecek
max. çıkış, tam D1 iletime
girerken T1’in tekrar
tetiklenmesiyle elde edilir.
ƒ Min. Çıkış ise birkaç faktöre
bağlıdır.
ƒ Vo ortalamanın küçük
değerlerinde T1 kısa bir süre
için iletimde kalır. Böylece C
kapasitesi +E’ye tekrardan
dolamaz. Verilen bir yük akımı
için bu T2 ateşlendiğinde T1
için az bir trv süresi sağlar.

ƒ Min. çıkış geriliminde max. yük akımını uygun bir
R değeri belirlemek için bilmemiz gerekir.

Devrenin Çalışması
ƒ T1 veT2 iletime girdiklerinde di/dt akımını sınırlamak için konan
indüktansın değeri çok küçüktür. Yük akımının sabit olduğu
kabul edilmektedir.
ƒ T1’in iletimde T2’nin kesimde olduğunu göz önüne alalım. Akım
kaynaktan yüke T1 üzerinden akacaktır. Diyot ters polardığı için
iletmeyecektir. (T2 tristörü de kesimdedir) Komütasyon
kondansatörü C, R üzerinden exponansiyel olarak +E gerilimine
dolmuştur (mavi ile gösterilen polaritede). Yük uçlarındaki
gerilim +E’dir ve kondansatör dolduğundan Ic akımı sıfırdır. T1
uçlarındaki gerilim ise bu tristör iletimde olacağından sıfır
olacaktır.
ƒ T1’i kesime sokmak istediğimiz an T2’yi iletime sokarız. Bu
durum iletimdeki iki tristör l ve C’den oluşan bir döngü ortaya
çıkaracaktır. C’deki enerji yüzünden saat yönünün tersinde

Devrenin Çalışması
akan akım bu döngüde çok hızlı olarak yükselecektir (di/dt, l
tarafından sınırlanır) ve çok çabuk olarak yük akımına eşit bir
değere ulaşacaktır. Bu anda T1’deki akım sıfıra ulaşır ve T1
kesime girer. Bu kısa süre içinde çok küçük bir şarj C’den
kaybolur. Yük akımı T2 , C ve l üzerinden akmaya başlar ve bu
yüzden VT1=-Vc olur. Dolayısıyla T1 ters polarır. Yük akımı
C’nin ters yönde şarj olmasına neden olur (çünkü IL sabittir) ve
kapasitör gerilimi –E’ye yükselir (kırmızı polarite). T1,
kondansatör gerilimi sıfıra ulaşıncaya kadarlık sürede ters
polarmış durumda kalır. Bu süre tristörün tq süresinden daha
büyük olmalıdır. Eğer küçük olursa tristör kesime giremeyebilir.
Kondansatör gerilimi –E’ye ulaştığında diyot uçlarındaki gerilim
sıfıra eşit olacaktır. İndüktif yükten ve IL’nin sabit olmasından
dolayı kondansatör gerilimi –E’den biraz daha fazla bir gerilime
şarj olur (diyodun eşik gerilimi kadar) ve diyot düz polarıp

Devrenin Çalışması
ƒ İletime girerek yük akımını T2 ve kondansatörden alır. T2
kesime giremeyecektir çünkü akım R üzerinden akmaya devam
edecektir. T2’den akan akım E/R olacaktır ve bu akım küçük bir
değerdedir. Kondansatörün gerilimi ise –E’de kalacaktır (kırmızı
polaritede).
ƒ Devre şu anda T2’nin ilettiği T1’in iletmediği konuma gelmiştir.
Devrenin orijinal konumuna gelmesi için T1 iletime sokulur. Bu
durumda Ic akımı + yönde çok çabuk olarak yükselir ve IT2 hızla
sıfıra düşer. IT2=E/R gibi küçük bir değere sahip olduğundan
dolayı bu çok hızlı olur. Biz bu yüzden bu olayın sıfır zamanda
olduğunu varsayabiliriz. Kondansatörden dolayı uçlarındaki
gerilim negatif olan T2 kesime girer. i’ sıfıra düşer ve T1 yük
akımını D üzerinden alır. Kondansatör exponansiyel olarak R
üzerinden +E’ye dolar (mavi polaritede).

Rezonans DC Kıyıcı

Devrenin Çalışması
ƒ T1 iletimdeyken yük akımı T1 üzerinden akar. D1 ise ters
polardığı için kesimdedir. Kondansatör R üzerinden +E
geilimine dolmuştur.
ƒ T1’i kesime sokmak için T2 iletime sokulur. Sinüsoidal bir
rezonans akımı T2, L, C ve T1’den akacaktır (R’yi ihmal ederek).
Rezonans periyodunun yarısından sonra rezonans akımı IR
sıfıra gidecektir ve D2 iletime geçecektir.
ƒ IT1=IL-IR olduğundan dolayı IR akımı IL’ye ulaştığında IT1 sıfıra
gider ve T1 kesime girer. Bu noktada kondansatör gerilimi eksi
değerdedir ve T1 ters polarmış durumdadır. IR=IL olduğunda
rezonans sönmüş olacaktır ve kondansatör + yönde dolmaya
başlayacaktır. Kondansatör gerilimi +E’ye ulaştığında D1 iletime
girer ve IL D1 ve D2 arasında paylaşılır. Devre bu durumda
tekrar rezonansa girer ve ¼’lük periyottan sonra IR sıfıra düşer
ve D2 kesime girer. Bu durumda D1 yük akımının tamamına
sahiptir ve komütasyon tamamlanır. D1 iletime girmeye

Devrenin Çalışması
başladığında L’de biriken enerji C’ye gider ve kondansatör
gerilimi +E’den daha yüksek bir gerilimde kalır.
Kondansatördeki bu fazlalık enerji gelecek komütasyondan
önce R’de harcanır.

İnverter Devreleri
•İnverterler sabit bir DC kaynaktan değişken genlikli ve
frekanslı AC kaynak sağlarlar.
İnverterlerin en önemli uygulama alanı değişken hızlı
asenkron motor sürücüleridir.
VX İletimdeki

Anahtarlanan
Elemanlar

I

Q1

+

E

Q1

Q1

-

E

D1

Q2

+

0

D2

Q2

-

0

Q2

Hiç biri

+

0

D2

Hiç biri

-

E

D1

Her ikisi

BNG

N

q

Elemanlar

Tek Fazlı İnverter
ƒ Aşağıdaki inverter devresi aynı zamanda 4 bölgeli DC kaynak olarak da
kullanılabilir. (±V, ±I 4 bölge olarak adlandırılır.) 4 bölgeli kıyıcı, H-köprü,
yada anahtarlama kuvvetlendiricisi olarak da adlandırılır. Yüksek
performanslı DC motor sürücülerinde kullanılır. Bu tip devrelerin çok
yaygınca kullanılmasından dolayı bir çok yarıiletken üreticileri modül olarak
anahtar üretirler.

Üreticiler IPM’s (Intellegent Power Modules) de üretirler.
Bunlar güç anahtarları, sürme devreleri ve korumaları da
içerir.
ƒ Tek fazlı inverterlerin uygulama alanları:
1. Statik Frekans Değiştiricileri (SFC): Küçük iş yerlerinde
kullanılır.

ƒ

2. UPS (Kesintisiz Güç Kaynakları)
Önemli araç ve gereçler için kullanılır. Yani elektrik kesildiğinde
aletin çalışmasını devam ettirir.

Tek Fazlı İnverterin Çalışması
Anahtarlanan IL’nin İletimdeki VL
Anahtarlar
yönü Anahtarlar

Idc=0 veya Idc= I IL I

Idc’nin
yönü

Q1 Q4

+

Q1 Q4

E

+

Q1 Q4

-

D1 D4

E

-

Q2 Q3

+

D2 D3

-E

-

Q2 Q3

-

Q2 Q3

-E

+

Q1 Q3

+

D3 Q1

0

0

Q1 Q3

-

D1 Q3

0

0

Q2 Q4

+

D2 Q4

0

0

Q2 Q4

-

Q2 D4

0

0

ƒ Devre yüke +E, -E veya 0 voltu tranzistör bazlarını
anahtarlayarak sağlayabilir. VL’nin ±E ve 0 olduğu zamanı
yüksek frekansta modüle ederek, istediğimiz herhangi düşük
frekanslı dalga şeklini inverter çıkışında elde edebiliriz.
ƒ Örnek olarak ortalama değeri farklı DC elde edelim:
ƒ Q1 ve Q4 iletimde
0 ≤ t ≤ dT
ƒ Q2 ve Q3 iletimde
dT ≤ t ≤ T
ƒ 0<d<1

VL ortalama, +E ile –E
arasında değişir.

ƒ Bu durum DC motoru kontrol etmenin bir yolu olarak görülebilir.
ƒ AC çıkış elde etmek için VL’nin ortalama değeri sıfır olmalı ve
darbelerin genişlikleri VL sinüzoidal olacak şekilde
ayarlanmalıdır. Darbelerin frekansı iyi bir sonuç almak için arzu
edilen çıkış frekansından oldukça daha büyük olmalıdır.

Ana çıkışın genliğini modülasyon işaretinin genliğini değiştirerek
kontrol edebiliriz. Bu Darbe Genişlik Modülasyonu (PWM) olarak
adlandırılır. Yukarıdaki kare dalga şeklinden ana harmonik
bileşenini elde etmek için filtre kullanırız.

Genelde yük indüktiftir. Yük indüktansı alçak geçirgen filtre
gibi davranır. Bu durumda yük, ekstra filtreye ihtiyaç
duymaksızın yeterli sayılabilir. Sonuçta yük akımı
sinüzoidaldir.

Tek Fazlı Köprü Gerilim Kaynaklı İnverter

Devrenin Çalışması
ƒ Devrede Q1 ve Q2 tranzistörleri, baz akımlarını uygulayarak
yada keserek ters olarak 180o aralıklarla iletime veya kesime
sokulurlar. Tranzistör uçlarındaki gerilim düşümlerini ihmal
edersek yükün A ucu bu yüzden sırayla DC kaynağın ya pozitif
ucuna yada negatif ucuna bağlanır. Buna benzer olarak yükün
B, ucu Q3 ve Q4 anahtarlarıyla DC kaynağın pozitif yada
negatif uçlarına bağlanır.Q1 ve Q4 aynı anda
anahtarlandığında DC gerilim (Vd), yük uçlarında görülür.
Benzer olarak Q2 ve Q3 ilettiğinde DC gerilim ters yönde yük
uçlarında görülecektir.
ƒ Eğer tranzistörlerin iletime ve kesime girme süreleri ihmal
edilirse A ve B uçlarındaki gerilimler kare dalga şekillerine sahip
olacaklardır. DC kaynağın orta noktasını kullanmamamıza
rağmen referans olarak almamız uygun olacaktır.
ƒ Bu durumda kutup gerilimleri, VAo ve VBo, Vd/2 genliğine sahip

olacaktır. Yük uçlarının DC kaynağın ortasına göre gerilimleri
kutup gerilimleri olarak adlandırılır.
ƒ Q1 ve Q4 aynı anda iletime sokulup çıkarılır ve Q2 ve Q3 de
aynı anda iletime sokulup çıkarılır. Bu yüzden yük uçlarındaki
gerilim, VAB;
ƒ
VAB= VAo-VBo
olur.
ƒ Çıkış gerilimi kare dalga olarak Vd genliğine sahiptir. Saf rezistif
yük için yük akım dalga şekli, gerilim dalga şekli ile aynı olur.
Bu durumda akım ani olarak yön değiştirebileceği için boşluk
diyotlarına gerek olmayacaktır.

Akım Dalga Şekilleri
ƒ İnverter indüktif bir yükü besliyorsa, akım uygulanan gerilimden
geride olur. Yukarıdaki şekilde inverterin bir R-L yükünü
beslediği durumda yük akımının dalga şekli gösterilmektedir.
Akım exponansiyel olarak değişir ve yük geriliminin polaritesi
değiştiğinde yükün ani güç harcaması negatif olur. Çünkü akım
ve gerilim ters polaritelere sahiptir. Bu durumda indüktif yükte
depolanan enerji boşluk diyotları üzerinden DC kaynağa geri
verilir.
ƒ Eğer inverter ileri güç faktörlü bir yükü besliyorsa bu durumda
yükün enerjisi DC kaynağa geri verilebilir. Bu durum için yük,
inverter çıkış frekansından daha yüksek bir frekansa sahip olan
seri RLC devresinden oluşabilir. Bu durumda yük akımı
yaklaşık olarak sinüzoidaldir ve yük gerilimi yön değiştirmeden
önce akım yön değiştirir.

ƒ Aşağıdaki şekilde gösterildiği gibi gerilimin her bir yarı
periyodundan sonunda öyle bir kısım vardır ki yük gerilimi ve
akımı farklı işaretlere sahiptir. Bu durumda yükteki enerji boşluk
diyotları vasıtasıyla kaynağa geri verilir.
ƒ İleri güç faktörlü yük, tranzistör akımının, gerilimin yarı
periyodundan önce sıfıra düşmesine neden olur ve yük akımı
yön değiştirerek boşluk diyotlarından artarak akmaya başlar.
ƒ Diyotun ileri yöndeki gerilim düşümü tranzistöre küçük bir ters
gerilim uygular. Bu gerilimin uygulanma süresi yarı periyodun
kalan kısmı boyuncadır. Bu yük koşulu için tranzistör kendi
kendine kesime girme kabiliyetine gerek duymaz ve bu yüzden
bu inverter devresinde tranzistörler yerine zorlamalı
komütasyon devreleri gerekmeksizin tristörler kullanılabilir.
Çünkü diyot üzerindeki gerilim düşümü tristöre ters olarak
uygulanır. Bu süre içinde tristörden geçen akım sıfır
olacağından tristör doğal olarak kesime girecektir.
ƒ Bu, tristör yük komütasyonu olarak adlandırılır.

DC Kaynak Akımı
ƒ DC kaynak akımının dalga şekli yük akımınınkine benzer olur.
Sadece yük akımında pozitif olarak görünen diyot akımları DC
kaynak akımında negatif olarak görünür. Çünkü bu durumda
yük akımı kaynağa geri verilir. Ortalama DC kaynak akımı
invertere verilen ortalama güç ile belirlenir. İnverter hemen
hemen kayıpsız olduğu için ortalama DC akım Watt olarak
ortalama yük gücü ile orantılı olacaktır.
ƒ İnverter AC bir motoru besleyebilir. Motor hızı ani olarak
azaldığında tranzistörler yarı periyotta halen anahtarlandığı
halde boşluk diyotları iletime girecek ve motordaki enerji DC
kaynağa geri verilecektir. Bu durumda ortalama DC akım
negatiftir. Bir DC akü bu gerilimi absorbe edebilir fakat
doğrultucu edemez. Bu yüzden DC link konverterde DC linkteki
kapasitör gerilimi aşırı şarjdan dolayı artacaktır. Bu durumda bu
aşırı enerjiyi harcamak için dinamik Breaking Resistor’ler
kullanılır.

Frekans ve Gerilim Kontrolü İçin Metotlar
Çeyrek-Kare Dalga
Metodu
İnverter bacaklarının her
ikisi arzu edilen
frekansta bir kare dalga
ile anahtarlanır. Çıkıştaki
ana harmoniğin genliğini
ayarlamak için iki kare
dalga arasındaki faz
kayması ayarlanır.
VL’nin ana bileşeninin
tepe değeri:

AC ve DC Taraftaki Harmonikler Arasındaki İlişki

İnverterde bir enerji depolanmasının ve herhangi bir kaybın
olmadığını varsayıyoruz. Bu yüzden:

E’nin sabit olduğunu varsayarsak; idc(t)’nin frekans spektrumu,
V (t).iac(t)’nin E sabiti ile skalalanmış frekans spektrumu ile aynı
olacaktır.

Genel olarak V(t) ve i(t), ana bileşen artı harmonik serileri
cinsinden yazılabilir (yani Fourier Serisi):
ve
Bu yüzden;

Bu sonuç, AC taraftaki her bir gerilimin harmoniği AC taraftaki her
bir akım harmoniği ile etkileşime girerek, (N+M) toplam ve
(N-M) fark frekanslarda DC akımda iki bileşen ürettiğini gösterir.

ƒ Aynı frekanstaki akımlar ve gerilimler arasındaki etkileşim, DC
akımda; DC bileşen ve iki kat frekansta (2N) bir bileşen üretir.
Bu da bize tek fazlı bir inverterin DC linkinde niçin çok büyük
2. harmonik akımı mevcut olduğunu açıklamaktadır (AC
taraftaki akım ve gerilimin ana bileşenleri arasındaki
etkileşimden dolayı (N=M=1)).
ƒ Sistemdeki aktif güç akışının, DC gerilim sabit olduğundan
dolayı sadece DC link akımındaki DC bileşenden dolayı
oluştuğunu not ediniz. Bu da sadece AC tarafta aynı
frekanstaki akım ve gerilim bileşenleri arasındaki etkileşimden
oluşmaktadır.
ƒ AC taraftaki farklı frekanslardaki (N≠M) akım ve gerilim
bileşenleri arasındaki etkileşim, inverterin DC ve AC tarafları
arasındaki enerji osilasyonundan sorumlu DC tarafta iki
harmoniğe neden olur. Bu durumda net enerji akışı yoktur.
Çünkü;

ƒ Burada γN N. harmonik frekansındaki yük faz açısıdır.

ƒ Örnek : İnveterin AC tarafında
ana harmonik ve 18. ile 20.
harmonikleri olduğunu göz önüne
alın. Diğer tüm harmonikleri ihmal
edin. Bu durumda AC taraftaki
gerilim ve akım harmoniklerinin
etkileşiminin DC taraftaki akım
harmoniklerine yansımasını
bulunuz.

ƒ * gerçek güç akışını
göstermektedir.

AC side harmonics

DC side current
harmonics

Voltage

Current

1

1

0 (dc) *

2

1

18

17

19

1

20

19

21

18

1

17

19

18

18

0 (dc) *

36

18

20

2

38

20

1

19

21

20

18

2

38

20

20

0 (dc) *

40

PWM TEKNİKLERİ
(DARBE GENİŞLİK MODÜLASYONLARI)

PWM Tekniği
ƒ Tek Fazlı köprü inverterler için PWM’in iki temel şekli
vardır.
ƒ İki Seviyeli PWM
Çıkış durumları için sadece +E (Q1 ve Q4 on) ve –E (Q2 ve
Q3 on) kullanılır. Anahtarlama işaretlerinin elde edilmesi
tek fazlı değişken frekans ve gerilim göz önüne alınarak
yapılır. En basit yöntem doğal örnekleme tekniğidir.

İki Seviyeli PWM (Doğal Örnekleme)
Modülasyon indexi:

Modülasyon derinliği:

Tek Fazlı Köprü İnverter
Frekans oranı:

fc/fm
Frekans oranı tam sayı
ise sistem senkrondur.
Aksi halde sistem
asenkrondur.

Doğal örnekleme ile İki Seviyeli PWM’in Elde Edilmesi

ƒ Doğal örneklemede MI=Md’dir. Md<1 tutulur.
ƒ İnverterden PWM dalga şeklinde değişken bir modülasyon
frekans bileşeni elde etmek için, c(t) sabit genlikte tutularak
M(t)’nin genliği değiştirilir. Modülasyon frekansı da M(t)’nin
frekansı değiştirilerek kontrol edilir. Böylece inverter çıkışında
değişken frekans ve genlik elde edilir.

PWM Dalganın Spektrumu
ƒ PWM dalga Modülasyon frekansı bileşeninden (yani arzulanan
frekanstan) ve taşıyıcı frekans ve o frekansın katlarından
oluşan harmoniklere sahiptir.
ƒ fc
ƒ fc±2 fm
2fc±fm
3fc
ƒ fc±4fm
2fc±3fm
3fc±2fm
v.s
ƒ v.s
v.s
v.s

İki Seviyeli PWM İçin Elde Edilen Dalga Şekilleri
1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01
Zaman (sn)

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

100

Vab (V)

50
0
-50
-100

Yük Akimi (A)

10
5
0
-5
-10

1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0

0.01

0.02

0.03
Zaman (sn)

0.04

0.05

0.06

100

Vab (V)

50
0
-50
-100

Yük Akimi (A)

10
5
0
-5
-10

1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0

0.01

0.02

0.03
Zaman (sn)

0.04

0.05

0.06

100

Vab (V)

50
0
-50

Yük Akimi (A)

-100

5
0
-5

Üç Seviyeli PWM
ƒ İki seviyeli PWM sıfır volt gerilim koşulunu kullanmaz. Çıkış
gerilimi sadece ±E’den oluşur. Eğer çıkışta ±E ve 0 volt elde
edilirse bu durumda daha iyi bir sonuç elde edilir. Bu üç seviyeli
PWM olarak adlandırılır.
ƒ VAo ve VBo’ın her ikisi de iki seviyeli PWM dalga şekline sahiptir
ve daha önce bahsedildiği gibi aynı genlik spektrumuna
sahiptir. Bununla birlikte VAo ve VBo’daki bazı bileşenler aynı
fazda bazıları da 180o faz farklıdır. VAB uçlarında sadece faz
bileşenlerinin dışında kalan işaretler görülür. Aynı fazdaki
bileşenler görülmez. BU bileşenler:
fc±2fm
3fc
ƒ fc
ƒ
fc±4fm
3fc±2fm
v.s
ƒ
3fc±4fm

Üç Seviyeli PWM
ƒ Faz dışındaki bileşenler VAB’de görülür. Bu bileşenler:
ƒ fm
2fc±fm
ƒ
2fc±3fm
v.s
ƒ Üç seviyeli PWM verilen bir taşıyıcı frekans için daha iyi bir
spektrum üretir.

Üç Seviyeli PWM

Üç Seviyeli PWM’in Elde Edilmesi

Üç Seviyeli PWM İçin Elde Edilen Dalga Şekilleri
1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01
Zaman (sn)

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

100

Vab (V)

50
0
-50
-100

Yük Akimi (A)

10
5
0
-5
-10

1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0

0.01

0.02

0.03
Zaman (sn)

0.04

0.05

0.06

100

Vab (V)

50
0
-50
-100

Yük Akimi (A)

10
5
0
-5
-10

1
0.5
0
-0.5
-1
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0

0.01

0.02

0.03
Zaman (sn)

0.04

0.05

0.06

100

Vab (V)

50
0
-50
-100

Yük Akimi (A)

10
5
0
-5
-10

3 Fazlı PWM

Üç Fazlı Köprü İnverter

Üç Fazlı PWM’in Elde Edilmesi

Taşıyıcı (Anahtarlama) Frekansın Seçimi
ƒ Daima anahtarlama kayıplarıyla kaliteli dalga şekli
arasında bir uyuşma vardır.
ƒ Tipik değerler:
ƒ Üç fazlı IGBT inverter için;
1 kW
16 kHz
100 kW
5 kHz
1 MW
1 kHz
ƒ Tipik üç fazlı inverterler için:
10 kW
14 kHz
2-5 kHz
55 kW
1 MW
400-800 Hz

Ticari PWM Üretimi
ƒ Doğal örnekleme şu anda çok az kullanılmaktadır.
Doğal örneklemede bir mikroişlemciyle darbe
sürelerini hesaplamak mümkün değildir. Bunun
yerine “düzenli örnekleme” tekniği kullanılır. Bu
teknikte modülasyon işareti M(t) örneklenir ve fc
veya 2fc lik bir frekansta tutulur. Daha sonra
örneklenmiş bu işaret taşıyıcı dalga c(t) ile
karşılaştırılır. Bu durumda darbe süreleri
mikroişlemcilerle kolayca hesaplanabilir. Çünkü
darbe genişlikleri sabit bir çizgiyi kesen çözüme
sahiptir.

ƒ
1.
2.
3.

Bunun için;
Örneklenecek sinüs dalgası mikroişlemci hafızasında
depolanır.
1. madde kullanılarak darbe genişlikleri hesaplanır.
PWM dalga şekillerini üretmek için 2’deki sonuçlar bir
zamanlayıcıya (timer) yüklenir.