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=
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Rc
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V- 0,7 V) /12,5
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15 V h21E
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6. 38 38 Rc 1 kQ,
5 V h21E
300.
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8. 3 ?
9. R .4.4.4.?
10. 3R .4.4.4.
12 V, Rc
3 kQ h21E
8 0.
11. 3R .4.4.4.
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1 W h21E
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12 3 R .4.4.4.
15 V, Rc
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r ( 2
MHz), ( )
100 kz). r
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r
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1. ?
2. ?
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4. . V'Z ?
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r R1
1 kn, h
kn,hzte
130 f
20Hz.
6. r 11 jeR8 = 100 n, h = 2 k. hzte 150 f
100z.
7. 11 r R8
10 kD,he 5 kQ,hZte = 200 f
SOz.
8. 11 Cst
, jeR8,. 1 kn,he kn,h21e = 300 /d 20Hz.
9. Cst
, jeR 1 600 n, h 2 kQ, hzte 300 / 60 Hz.
1 kn, h
2.S kD, hz1e 200
10. r R8
=
Ce=200pF.
11. r R1
600 n, h11e
W, hz1e
120
so,.F.
12. r rpaiiIIY ?
13. 11 ?
14. 1 ?
30 pF, R1
15.
3 pF,
1
-120. r
=
rii ?
16.
r
1 pF,
20 pF, R8
100 n,
-40. r
600 n.
-15. r
17.
2 pF, = 40 pF,R1
r n?
4.8.
n cn.4.8.1.
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n n , .
,
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, R,;
r. R"1
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I .
I
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.
96
.4.8.1.
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.4.8.2.
,
R.
4.8.1.
Re
lc.
lc h21el, :
4.8.2.
/ , :
- l(Rg
h11e
h21eRe) =
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h 21e
100 Re
4.8.4.
lh21e lc, :
4.8.5.
!'=l
2 4.8.5. :
= 2
4.8.6.
R8 h11 ,
, 1 2 ( = ,= 2).
:
:::::
=1
,
l,
4.8.7.
R /.
lc l:
4.8.8.
h21e.
Rul =
,
;
1 l:
.4.8.2. 1 :
Ut
hl + ReIc
U1 4.8.9, :
R ul _
(he+hzteRe)/
l
-h +h21 R
-
4.8.12.
.
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300,
.4.8.2. .4.8.1.
.
.4.8.2.
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4.1.4.
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.4.8.3.
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R-.. ---lcks
lcks
_
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.
Icks Re .4.8.3.
l h :
l =
98
=---:--:--
Rg + h
lcks
h21e :
lcks
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h21c l
h21e
Rg + h IIC
4.8.15.
Icks 4.8.13, :
R
;.
h2Je
R& + hl\e
_..;-:;. 21
- h
4.8.16.
R8 + h11c
4.8.16.
; Re,
.
4.8.16. .
600 Q h11e
4.8.16.: Riz
,
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.
,
. .
.
;
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.
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2. 4.8.3. ?
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4. , 1?
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7. Rg = 600 n, h11e
m ?
8. Rg
SO n, h11e
2SO. Re
2 kn. ,
SO, Re = 800 n. , 11
9. Rg
99
6.
4.9.
.4.9.1. )i'181!18
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hl
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h
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3000 Q,
100,
h 11 e
h21e
3000 Q/100 3 0 Q.
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4.9.4.
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Rc.
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3 kQ R
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2,S kQ Rc
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3 kQ. ,
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,
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. .5.1.1..
N- ,
. .5.1.1. .
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D.
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1 ),
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0,2 V,
1 V, 3
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N
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5.1.2.
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.
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5 V Uos
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.
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,
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C.S.l.S.
10 kQ. 0
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104
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Io
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10
10
Uos
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VDS
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.5.1.6.
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.
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0,5 V.
( 2N3819),
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, .
.
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BF245 .
.5.1.7.. ,
30 V,
300 W; ,
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2 mA 20
N ,
, N .
N- . N-.
.5.1.8.
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N- ?
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3. UGs?
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. SF-,
MOS Metal Oxide Semiconductor,
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MOSFET-oa: .
MOSFET
106
.
.
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.5.2.1. -.
N-,
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,
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-
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'
'
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- - - 1: - -
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.5.2.4.
.5.2.3. u n1
,
.
-"1+
h.
-"1+
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.5.2.5.
.5.2.4. 11
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.
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,
h
.
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, /D
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15
10 UDS(VJ
Gs
, .
1 6 V.
.5.2.5. MOSFET-a
N-n
MOSFET
-.
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ln
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10
Uosr
10 Uos
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N-
.5.2.7. ) MOSFET-a
l N
) -ll
MOSFET N-
.5.2.7., - .5.2.7..
, N- .
MOSFET-a
.
MOSFET . - MOSFET
.
.
MOSFET-a
.5.2.8. MOSFET
-.
02
1
+
N+ ,
()
.5.2.8. - t N-
N-. N-.
, .
,
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,
.5.2.10. MOSFET-a
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.
,
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MOSFET-a
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.5.2.9. Gs
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10
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110
h :
30 V,
10 V.
50 ,
300 mW.
)
)
0,25 pF.
h .5.2.I. t N-1111 ()
-; () MOSFET
!)11
.
MOSFET . -
.
. MOSFET-a
, .5.2.14..
s
01
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G
G
G2
Gl
10
.5.2.14. ) MOSFET-a ;
..
11 t ;
MOSFET-a .5.3.14.,
.5.3.14.. 'l ,
. SF-.N200;
(G1) 0,02 pF.
SF-
(
G
s
200 MHz).
. ,
.
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N
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.
D
.
.5.2.15. VOSFET-a
, .
111
)
2
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,
1, 6
11
v
v
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IJ.
. 8
. 4
8 v
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40
30
).
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V
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MTE200N05
200
4V
7 v
5V
1'
50
.5.2.16.
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VSF-
- , ,
.
VOSFET-oa
.
. , VOSFET-a BUZ45 CDS
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3500 pF 00
200 pF,
VOSFET-oa
112
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:-1
.
h
.
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4. n MOSFET-a ?
5. n MOSFET-a ?
6. n n n SF- ?
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8. n VSF-?
9. VOSFET-oa?
113
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6.1.
F-
, .
h
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, .6.1.1.,
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R1
-
Rd,
.
.6.1.2.
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:
6.1.1.
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Rd . /D , UDS .
6.1.1. h /D ( :
4.2.).
6.1.1. /D
6.1.2
, h . h
114
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6 1. 3
.
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:
6.1.4.
(.6.1.2.) .
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(mA)
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10
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UDs
UDs
.
6.1.2,
:
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.
.6.1.2.
.
.
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,
,
.
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115
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(mA)
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BF244 BF245
).
10
F245,
-0,4 -2,2 V, U0s
2 6,5 . BF245B
-1 ,6 -3,8 V 6
-UosM -4
-2
15 ; BF245C -3,2
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-1
.6.1.3. n
n
F245.
.
.6.1.3.
Io
(mA)
.6.1.1.
, -2 V
10
.6.1.4..
-2 V
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.6.1.4.
n
, .6.1.4..
.6.1.4..
,
R,
.6.1.5. R8
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,
.
.6.1.5. nn
116
.6.1.6.
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.
, .
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:
6.1.6.
R& .
6.1.6. :
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__
---
R.
UGs
R.
6.1.7.
, ,
. /0
-UGs
/0
U5 . .6.1.2.
U5
2V
4 mA -UGs
6.1.7. R5:
6.1.8.
6.1.8,
5:
Rs
Us
2V
/0
4mA
=- = --
6.1.9.
500 Q
(.6.1.6.);
.
,
lo
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',
".
.
,
10
,
.,
UcsM
.6.1.6. 11
.
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117
, 15
V). ( , 5 V)
.
.
.
.6.1.7. F245 Uos
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15 V
/0
10
4 /0 2
6
4
.
Uos,
.
-uos
-3
-4
-2
-1
R.,
R.
R.
U.llo
2,1
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/0:
kQ ( 1,1 kQ).
15 V (12,9 V)
( , 8 V), Rd (4,9 V),
=
1,05
U05 . Rd
(4,9
Rd
4,9 V/2 mA
2,45
V) (2 ):
kQ ( 2,4 kQ).
.
,
.
( )
.
,
.
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BF246C 300 U05 = );
.
,
.
R. .
. .
.
118
Io
(mA)
10 Uos(V)
.6.1.8. caMOSFET-o
.6.1.9. .6.1.8.
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.6.1.8. ,
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.6.1.9.
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SF-
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.
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N- . -
,
.
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2. ?
3. ?
4. F245,
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6. .5, ?
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119
6.2.
,
.
N-,
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.
10
------:_ )4
1.=3 mA
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),
'
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1
'
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.6.2.1.
. .5.1.4. 5.1.6
/0,
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gm
6.2. 1 .
gm d
, s :
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gm".; d
const.
6.2.2.
6.2.2. :
6.2.3.
gm .6.2.1.
05 /0
(& ID = 3 mA) s (& s = 1 V).
6.2.3, :
- /d g m
".
& /d - 3 mA
-1V
--
&05
6.2.4.
1 S (1 ),
1 mA 1 V.
120
6.2.5. :
6.2.6.
.6.2.2. /D ( /D
0,25
Ds (DS = 10 V).
6.2.6, :
/Ds
/d
0,25 mA
)
2
= 0,0000 5 s (
go = = DS = 10 v
d
6.2.7.
go .
.6.2.3. -
, -
1 =,..;
, .
6.2.1.
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g., ".
".
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10
4UDS(l0 V)
15 UDS(V)
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6.2.7. go
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..
.6.2.3.
.6.2.4.
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121
C<g
.6.2.5.
, .
gm U 6.2.8.
.6.2.5. 05
5 10 pF, CDo 1 5 pF, CDs 1 5 i>F.
MOSFET-a
, h .6.2.4.
( , 6
0
5
MOSFET-a h 101 Q 101 Q.
mAN).
1. n n nt ?
2. nt
?
3. .6.2.1.
6.3.
ID
1 mA, ID
5 mA?
.-
. h
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.6.3.1.
122
.6.3.1. n
, 05
.,
. 1;
2 .
.6.3.2.
.
1
05,
.6.3.2.,
(UaSI
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(051 .6.3.2.,
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(.6.3.2.).
In
(mA)
In
(mA)
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--
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10
Unst
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UDS
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..6.3.2. nn
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(052 .6.3.2. ').
,
.
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, . -3 V 11 V
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1 V 2,5 V.
123
.
109
h :
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6.3.1.
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h U2 U1:
- 2- d- -gU. RdR
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.
.
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6.3.2. '
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; 1
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6.3.4.
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G
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.6.3.5.
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.6.3.S. 1
Cs
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L: Vjw ,:
6.3.5.
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Km' U'".. 6.3.5. :
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.
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gm
3 mA/V = 310-3 A/V [d = 50 Hz
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10 JtF.
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2 mm. .
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175 , ta
25
(Rch
0 5 C/W) 2 mm.
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CQJIY
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213
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3.
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