Fotovoltaik Sistemler

FOTOVOLTAİK SİSTEMLER
LİSANS BİTİRME PROJESİ
Fizik Bölümü
Dokuz Eylül Üniversitesi
Anıl KARAPANÇAR
Mayıs 2018
ii
ONAY
Dokuz Eylül Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü 2017-2018 öğretim

yılı (Bahar Dönemi) bitirme projesi yönergesinde hazırlanmış ve anılan bölüme
sunulumuştur.
Prof. Dr. Hasan KARABIYIK

Bölüm Başkanı

Proje Yöneticisi
Sınav Jüri Üyeleri:
Prof. Dr. Kemal KOCABAŞ
Prof. Dr. Birol ENGİN
Dr. Öğretim Üyesi Kadir AKGÜNGÖR
Doç. Dr. Nazlı BOZ YURDAŞAN

iii
Özet
FOTOVOLTAİK SİSTEMLER
KARAPANÇAR, Anıl
Bitirme Projesi, Fizik
Proje Yöneticisi: Prof. Dr. Hasan KARABIYIK
Mayıs 2018, 58 sayfa
Talep edilen enerjiye karşılık mevcut enerji kaynakları kısa zaman içerisinde
yetersiz kalacaktır.Bununla birlikte artan nüfus ve artan enerji talebine bağlı
olarak dünyanın emisyon değeri zamanla artmaktadır.Bu kirliliğin devam etmesi
sonucunda karbon salınımının da etkisiyle küresel ısınma etkisi kaçınılmazdır.Bu
kirliliği yenilenebilir enerji kaynakları kullanarak engellemek mümkündür.
Yenilenebilir enerji kaynaklarının kullanımı doğaya zarar vermeden enerji
üretmeyi amaçlayan bir konudur.Bu konudaki çalışmalar gelişen teknoloji ve
bilim sayesinde gün geçtikçe geliştirilmektedir.Yapılan çalışmalar çevre dostu ve
teknolojik gelişimle birlikte geniş bir perspektifte enerji talebine cevap
verebilecek olan ideal enerji kaynaklarının kullanılması gerektiği sonucunu
doğurmuştur.Fotovoltaik sistemler bu ideal kaynaklar arasında en temiz ve en
zararsız olanı olarak görülmektedir.Fotovoltaik sistem güneşin ışınlarını
kullanılabilir enerjiye çevirmektedir.Evlerin çatılarında uygulanabildiği gibi güneş
tarlaları olarak adlandırılan büyük bir alanda da kulanılması mümkündür.
Geleceğe daha temiz bir dünya bırakmak için bu tür çalışmalar yapılması çok
önemlidir.Hazırlamış olduğum tezde fotovoltaiklerin çalışma prensibi,verimi,
avantajları ve az da olsa dezavantajlarından bahsedeceğim.
Anahtar kelimeler: Fotovoltaik,yariletken,diyot

iv
Teşekkür
Bu çalışma boyunca sadece fizik alanında değil disiplinlerarası yaklaşımıyla

hayata karşı bakış açımı değiştiren sayın hocam Prof. Dr. Hasan Karabıyık’a
teşekkür ederim.
Üniversite hayatım boyunca bana destek olan sayın hocam Dr. Öğretim
Üyesi Kadir Akgüngör’e teşekkür ederim.
Her daim olumlu yaklaşımları ve destekleyici görüşleriyle yanımda olan

sayın hocam Prof. Dr. Serpil Şakiroğlu’na teşekkür ederim.
Sadece eğitim hayatımda değil sosyal yaşamımda da yanımda olan sayın

hocam Ufuk Paksu’ya teşekkür ederim.
Tüm bu süreçlerde yanımda olan, desteğini ve anlayışını her zaman

hissettiren hayat arkadaşım Ebru Aloğlu’na teşekkür ederim.
Hayatımın her anında desteklerini esirgemeyen her türlü zorlukta arkamda

duran aileme çok teşekkür ederim.
Üniversite hayatım boyunca not,baskı,dijital içerik konusunda desteğini

esirgemeyen Kukla Dijital ekibine ve arkadaşım Yener Altuntop’a teşekkür
ederim.
Son olarak burada isimlerini yazmadığım ancak hayatımı öğrettikleri

bilgilerle daha anlamlı hale getiren bölümdeki hocalarıma teşekkür ederim.
v
İçindekiler
Bölüm
1 ENERJİ BANT TEORİSİ 1

1.1 Bir Kristal İçerisinde Elektron . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.1 Elektron Davranışının İki Örneği . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.2 Bir Kristalin Enerji Bantları . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.3 Valans ve İletkenlik Bandı . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.4 Parabolik Bant Yaklaşımı . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.5 Deşik Kavramı . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.1.6 Kristaldeki elektronun etkin kütlesi . . . . . . . . . . . . . 10
1.1.7 Enerji Bantlarında Durum Yoğunluğu . . . . . . . . . . . . 11
1.2 Özden Yarıiletkenler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.3 KatkılıYarıiletkenler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.3.1 Safsızlık Atomlarının İyonlaşması . . . . . . . . . . . . . . 17
1.3.2 Elektron Deşik Dengesi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.3.3 Fermi Seviyesinin Hesaplanması . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.4 Fermi Seviyesinin Eşitlenmesi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2 PN EKLEM DİYOT 24
2.1 PN Eklemi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2 Beslem Altında Olmayan PN Eklemi . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.3 Beslem Altındaki PN Eklemi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.4 Akım-Gerilim Karakteristiği . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.4.1 Jenerasyon/Rekombinasyon Akımı . . . . . . . . . . . . . 29
2.4.2 Eklem Bozulması . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.5 PN Eklem Sığası . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.5.1 Yük Depolama ve Anahtarlama Süresi . . . . . . . . . . . 31
3 GÜNEŞ PİLLERİ 32
3.1 Fotovoltaik Olay . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.2 Bir Güneş Pilinin Yapısı . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.3 Bir Güneş Pilinin Karakteristikleri . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.3.1 Karanlıkta Bir Güneş Pilinin Akım-Gerilim
Karakteristikleri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.3.2 Işık Altında Bir Güneş Pilinin Akım-Gerilim
Karakteristikleri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.4 Safsızlığın Fotovoltaikler Üzerine Etkisi . . . . . . . . . . . . . . . 39
vi
4 ORGANİK GÜNEŞ PİLLERİ 41

4.1 Organik Güneş Pillerinde Yüklerin
Taşınması . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.2 Elektrotlardaki Yüklerin Tahliyesi . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.3 Güneş Pili Tasarım Örnekleri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.3.1 İki KatmanlıGüneş Pili Yapısı . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.3.2 Hacimli Heteroeklem Yapıdaki Güneş Pilleri . . . . . . . . 45
4.3.3 ArdıArdına Dizilmiş (Tandem/Çok Eklemli) Güneş Pilleri 46
4.4 Güneş Pillerindeki Aktif Tabaka . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.5 Güneş Pillerinde Işığın Tuzaklanması . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5 UYGULAMA ALANLARI 52
5.1 Avantajları . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.2 Dezavantajları . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5.3 Verim . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
Kaynaklar 58
vii
Şekiller Dizini
Şekil
1.1 Serbest elektron için k’ya karşıenerji değişimi . . . . . . . . . . . . 3

1.2 Kutudaki Parçacık; a)Potansiyel kuyusu ,b)Enerji seviyeleri, c)Dalga
fonksiyonları, d)n = 1, 2, 3 için ihmaliyet yoğunluğu . . . . . . . . 3
1.3 Kristalin bükülmesi; Born-von Karman sınır şartları . . . . . . . . 5
1.4 Bir Li atomun,hayali bir Li molekülünün ve bir Li kristalinin izinli
enerji seviyeleri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.5 Bir metaldeki (A ve B), yalıtkandaki ya da yarıiletkendeki (C)
valans bandı(taban) ve iletkenlik bandı . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.6 A: İndirekt bant yapılıyarıiletken, B: Direkt bant yapılıyarıiletken 8
1.7 Enerji bantlarıve elektrik iletimi; su benzetmesi . . . . . . . . . . 9
1.8 Bir boyutlu kristalde elektronun enerjisinin ve etkin kütlesinin
k’ya karşıdeğişimi,BZ:Birinci Brillouin bölgesi . . . . . . . . . . . 10
1.9 Silikonda özden taşıyıcıkonsantrasyonunun ”ni ” sıcaklıkla değişimi 15
1.10 Donör safsızlığı(Silikondaki arsenik) . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.11 Alıcısafsızlığı(Silikondaki Bor atomu) . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.12 Silisyumda katkılıtaşıyıcıkonsantrasyonunun ”ni ” sıcaklıkla değişimi 17
1.13 Fermi seviyesinin yeri,Fermi-Dirac dağılımı”f(E)” ve N-tipi ve P-
tipi yarıiletkende elektron ve hol konsantrasyonları . . . . . . . . . 20
1.14 A:Homojen olmayan katkıprofili B:Numunenin sağ ve solundaki
enerji seviyeleri C:Tüm yapıda bant diyagramı . . . . . . . . . . . 22
1.15 Sıvılarda Bernoulli prensibi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.1 PN eklemi ve diyodu ve diyodu temsil eden simge . . . . . . . . . 24

2.2 Bir PN ekleminin akım-gerilim karakteristiği . . . . . . . . . . . . 25
2.3 Bir PN ekleminin valf sıvımekaniğine benzerliği . . . . . . . . . . 25
2.4 Ayrıayrıele alınmış N ve P tipi bölgelerde enerji bant diyagramları 26
2.5 PN eklemi ve bant diyagramı . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.6 Elektron ve hollerin difüzyonu sonucu arınmış bölgenin oluşumu . 27
2.7 Va = 0, Va > 0 ve Va < 0 için PN eklemindeki potansiyel . . . . 28
2.8 Düz beslemdeki PN eklemi ve rekombinasyonları . . . . . . . . . . 29
2.9 Eklemdeki difüzyon,jenerasyon ve rekombinasyon akımları . . . . 30
2.10 Zamana bağlıdiyot gerilimi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.1 1-Uygun bir malzeme ile fotonların soğurulması . . . . . . . . . . 33

3.2 2-Elektron-deşik çiftlerinin oluşturulması . . . . . . . . . . . . . . 33
3.3 3-Zıt yüklü serbest yüklerin rekombinasyon öncesi ayrılmaları . . 33
3.4 4-Fotonla oluşturulan yük taşıyıcılarının toplanmasıve taşınması . 34
3.5 Bir pn homoekleminin enerji-bant diyagramı . . . . . . . . . . . . 35
viii
3.6 Bir p-i-n diyodun enerji-bant diyagramı . . . . . . . . . . . . . . . 35

3.7 Lineer ölçekte farazi bir doğrultucu kontağın karanlıktaki I − V
grafiği örneği . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.8 Logaritmik ölçekte farazi bir doğrultucu kontağın karanlıktaki I − V
grafiği örneği . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.9 Işık etkisi ile bir eklemde yük taşıyıcılarının oluşumunu ve zıt ku-
tuplara hareketi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.10 Karanlıkta ve ışık altındaki bir güneş pilinin I-V karakteristikleri . 39
3.11 Bir fotovoltaikte safsızlık fotovoltaik etkisi ile birlikte tasarlanan
güneş pili . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
4.1 Bir organik yarıiletkenin HOMO ve LUMO seviyeleri arasındaki

bağ kurulma ve kurulmama durumu . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
4.2 Organik bazlıheteroeklemin donor ve alıcımalzemelerinin bantlarının
aynıhizaya gelme durumları . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
4.3 Elektrotlarda yük tahliyesi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.4 İki katmanlıbir güneş pili tasarımı . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.5 Yığın haldeki güneş pilinin şematik sunumu . . . . . . . . . . . . 45
4.6 P3HT’in molekül yapısı . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.7 P C60 BM’in yapısının molekül yapısı . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.8 Tandem güneş pili yapısının aygıt tasarım örneği . . . . . . . . . . 47
4.9 PEDOT ve PSS’in moleküler yapıları . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.10 Fulleren (C60)’ın moleküler yapısı . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.11 Organik fotovoltaikte enerji seviyeleri ile yük ayrılması . . . . . . 49
4.12 P3HT/PC60 BM bileşik sistemindeki donör ve alıcıenerji seviyeleri 50
5.1 AC ve DC yüklerinden bağımsız basit bir şebeke dışıPV sisteminin

gösterilmesi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.2 Üç eklemli III-V güneş pilinin dış kuantum verimliliği . . . . . . . 56
5.3 Farklıkaynakların seviyelenmiş maliyeti ve elektrik üretim teknolo-
jileri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
1
Bölüm 1
ENERJİ BANT TEORİSİ
1.1 Bir Kristal İçerisinde Elektron

Bu bölüm bir kristal içindeki elektronun davranışını tasvir etmektedir.
Elektronun sadece kesikli enerji değerleri alabildiği gösterilecek ve enerji bant
kavramı tanıtılacaktır.Bu kavram yarıiletkenin elektriksel özelliklerini anlamada
kilit rol oynar.
1.1.1 Elektron Davranışının İki Örneği

Bir elektron; vakumda,bir atomda ya da bir kristalde olup olmamasına
bağlı olarak farklı davranır.Bir yarıiletken kristalde elektron dinamiğini
kavramak için ilk olarak basit bir ortamda bir elektronun nasıl davrandığını
anlamak oldukça önemlidir.Bu yüzden vakumdaki bir elektronun
(serbest elektron) klasik durumlarını ve kutu şekilli bir potansiyel kuyusunda
hapsedilmiş elektronu (kutudaki parçacık) inceleyeceğiz.
Serbest Elektron
Bu modeli uygulayabilmek için çevresiyle etkileşmeyen elektrona ihtiyaç

vardır.Yani elektron, kristaldeki atomların çekimi etkisinde değildir; potansiyelin
sabit olduğu bir ortam boyunca hareket eder.Bu tür bir elekton serbest elektron
olarak adlandırılır.En basit yapı olan bir boyutlu kristalde sabit potansiyel ”V”
için zamandan bağımsız Schrödinger eşitliği yazılabilir.Referans alınan potansiyel
keyfi olduğu için potansiyel, sıfır (V = 0) olarak seçilebilir.Böylece zamandan
bağımsız Schrödinger eşitliği şu şekilde yazılabilir.
−~ d2
Ψ(x) = EΨ(x) (1.1)
2m dx2
2
Burada E elektronun enerjisi ve m onun kütlesidir.(1.1) eşitliğinin çözümü:
Ψ(x) = C1 exp(jkx) + C2 exp(−jkx) (1.2)
ile verilir.Burada;
√
2mE ~2 k 2
k= ya da E = (1.3)
~2 2m
dir.Burada 1.2 eşitliği zıt doğrultularda yayılan iki dalgayı temsil eder.
Bir boyutlu bir örnekte +x yönünde hareket eden bir elektronu göz önüne
aldığımızda ψ(x) = C1 exp(jkx) dalga fonksiyonuna momentum operatörünü
uygulayarak;
~ dψ(x)
Px ψ(x) = = C1 ~ exp(jkx) = ~kψ(x) (1.4)
j dx
ifadesi elde edilir.Böylece px operatörünün öz değerleri;
Px = ~k
olur.Buradan dalga sayısı olan k sayısının ~ çarpanına sahip elektronun

momentumu olduğu sonucunu çıkarabiliriz.Klasik mekanikte elektronun hızı
~k p
ν = m
sonucunu veren ν = m
’dir.Böylece 1.3 ifadesi ile verilen elektron
enerjisi klasik mekanikten türetilen enerji ile ilişkilendirilebilir.
~k ~k 2 1
ν= ⇒E= = mν 2 (1.5)
m 2m 2
Serbest elektronun enerjisi Şekil 1.1’de gösterildiği gibi k

momentumunun parabolik bir fonksiyonudur.Bu sonuç klasik mekanik
düşüncelerinden beklenen sonuca benzerdir; ”serbest” elektron sürekli bir şekilde
herhangi bir enerji değerini alabilir. k ve −k momentumlu elektronların aynı
enerjiye sahip oldukları açıktır.Bu elektronların momentumları aynıdır ancak
hareketleri zıt doğrultudadır.Eğer üç boyutlu bir kristali düşünürsek k bir ters
uzay dalga vektörü olarak adlandırılır.Dalganın frekansı k’ya eşit olur ve dalga
2π
boyu λ = |k|
olur. [3]
3
Şekil 1.1: Serbest elektron için k’ya karşı enerji değişimi
Kutudaki Parçacık Yaklaşımı
Serbest elektron durumunu inceledikten sonra hapsedilmiş ya da hareketi

sınırlandırılmış bir elektronu göz önüne alalım.Elektronu bir kutu içinde ya da
etrafı sonsuz yükseklikteki duvarlarla çevrili olarak düşünelim.(Şekil 1.2)
Şekil 1.2: Kutudaki Parçacık; a)Potansiyel kuyusu ,b)Enerji seviyeleri, c)Dalga

fonksiyonları, d)n = 1, 2, 3 için ihmaliyet yoğunluğu
Elektron potansiyel kuyusunda tuzaklanır ve bu yüzden kuyu kenarlarında

dalga fonksiyonu ortadan kalkar.Bu nedenle sınır şartları;
ψ(x ≤ 0) = ψ(x ≥ a) = 0 olur.Potansiyel kuyusu içerisinde (0 ≤ x ≤ a)
zamandan bağımsız Schrödinger eşitliği;
−~2 d2
Ψ(x) = EΨ(x) (1.6)
2m dx2
4
ile yazılabilir.Burada V = 0’dır.Bu eşitlik aşağıdaki gibi yeniden yazılabilir.
d2
Ψ(x) + k 2 Ψ(x) = 0 (1.7)
dx2
Homojen,ikinci dereceden olan bu diferansiyel eşitliğin çözümü;
Ψ(x) = Asin(kx) + Bcos(kx) (1.8)
dir.Birinci sınır şartı (ψ(x = 0) = 0) kullanılarak B = 0 bulunur.İkinci sınır

şartından ise (ψ(x = a) = 0) kullanılarak Asin(ka) = 0 elde edilir ve bu sebeple;
nπ
k= n = 1, 2, 3... (1.9)
a
Böylece dalga fonksiyonu;
nπx
Ψn (x) = An sin (1.10)
a
ile verilir ve elektronun enerjisi;
n 2 π 2 ~2
En = (1.11)
2ma2
dir.Bu sonuçlardan yola çıkarak serbest elektron durumunda dalga sayısı ”k” ve
enerji ”E” herhangi bir değer alırken kutu içindeki parçacık için dalga sayısı ”k”
ve enerji ”E” kesikli değerler alır.Bu değerler potansiyel kuyusu
geometrisiyle sabitlenir.
Daha iyi sonuçlar için çevrim sınır şartları olarak adlandırılan Born-von
Karman sınır şartları kullanılarak elde edilebilir.Bu sınırları oluşturmak için
kristali büktüğümüzde x = 0 ve x = L noktalarının birleşmesi gerekir.Yani
oluşan geometriden herhangi bir x değeri için ψ(x+L) = ψ(x) çevrim sınır şartına
sahip olabilelim. (Lx , Ly , Lz ) boyutlarına ship üç boyutlu bir kristal durumu için
Born-von Karman sınır şartları şu şekilde yazılabilir.
2πnx 2πny 2πnz

kx = , ky = , kz = (1.12)
Lx Ly Lz
Burada nx , ny , nz tamsayılardır. [3]
5
Şekil 1.3: Kristalin bükülmesi; Born-von Karman sınır şartları
1.1.2 Bir Kristalin Enerji Bantları

Malzemelerin elektriksel iletim özellikleri enerji-bant yapılarının farklılığına
göre değişim gösterir.Tek bir atomda elektronlar ayrık enerji seviyelerini işgal
ederler.Lityum (Z=3) gibi düşük atom sayısına sahip nispeten basit olan bir
örneği ele alalım.Li atomunda zıt spinli iki elektron en düşük enerji seviyesini
(1s seviyesi) işgal eder ve geriye kalan üçüncü elektron ikinci enerji seviyesini
(2s seviyesi) işgal eder.Bu yüzden elektronik konfigürasyonu 1s2 2s1 şeklindedir.
Tüm Li atomları tam olarak aynı enerji seviyeli elektronik konfigürasyona
sahiptirler.İki Li atomu içeren hayali bir molekül oluşursa dört elektronun da 1s
seviyesi enerjisine sahip olmak isteyeceği bir sistemin varlığı söz konusu olur.Fakat
sadece zıt spinli iki elektronun aynı enerji seviyesinde olabileceğini ifade eden
Pauli dışarlama ilkesinden dolayı 1s seviyesinin dört elektronundan sadece
ikisi 1s seviyesine yerleşebilir.Ancak bu durum,molekül için bir problem ortaya
çıkarır.Bu problem 1s seviyesinin birbirine yakın fakat yine de farklı enerjili iki
seviyeye ayrılmasıyla çözülür.(Şekil 1.4)
Şekil 1.4: Bir Li atomun,hayali bir Li molekülünün ve bir Li kristalinin izinli

enerji seviyeleri
6
Eğer N sayıda atom içeren Li kristali olursa,sistem N sayıda 1s seviyesi

içerecektir.Aynı düşünce 2s seviyesi için de geçerlidir.Bir kristalin birim
santimetreküpündeki (cm3 ) atom sayısı 5x1022 mertebesinde olur.Sonuç olarak
her bir enerji seviyesi kristal boyunca yayılan 5x1022 ayrık enerji seviyesine
yayılır.Bu seviyelerden her biri Pauli dışarlama ilkesinden dolayı iki elektron
tarafından işgal edilir.Pratikte enerji seviyesinin yarılma işleminden meydana
gelen en düşük ve en yüksek enerji seviyeleri arasındaki fark bir kaç
elektron-volttur.Bu yüzden komşu iki enerji seviyesi arasındaki enerji farkı
10−22 eV mertebesindedir.Bu değer o kadar küçüktür ki enerji seviyelerinin artık
ayrık olmadığını fakat elektron için izinli sürekli enerji değeri oluşturduğunu
düşünebiliriz.Bu,kristalin enerji bant kavramını ortaya çıkarır. [3]
1.1.3 Valans ve İletkenlik Bandı

Kimyasal reaksiyonlar atomların dış kabuğundaki elektronların karşılıklı
değişimine dayanır.Daha iç kabuklardaki elektronlar çekirdeğin yüksek
elektrostatik çekiminden dolayı kimyasal reaksiyonlara katılmazlar.Benzer
şekilde kristaldeki atomlar arasındaki bağların ve elektrik taşınım kavramının da
sebebi dış kabuktaki elektronlardır.Enerji bantları açısından atomlar arasındaki
bağları oluşturmaktan sorumlu olan elektronlar,temel atom seviyesine göre en
yüksek enerji seviyelerine sahip olan elektronların bulunduğu işgal edilmiş en dış
bantta bulunurlar.Bununla birlikte sonsuz sayıda enerj bandı vardır.Birinci bant
(en düşük) atomlara sıkıca bağlı olan 1s elektronları gibi iç (core)
elektronlarını içerir.En yüksek bantlar hiç elektron içermez.Elektronların olduğu
temel seviye bandı valans bandı olarak adlandırılır.Çünkü bunlar
atomlar arası bağları oluşturan (genellikle kovalent) elektronları bulundurur.
Şekil 1.5: Bir metaldeki (A ve B), yalıtkandaki ya da yarıiletkendeki (C) valans

bandı(taban) ve iletkenlik bandı
7
Valans bandının hemen üzerindeki izinli enerji bantları iletkenlik bandı

olarak adlandırılır.Bir yarıiletkende bu bant düşük sıcaklıklarda (T = 0K) hiç
elektron bulundurmaz.Yüksek sıcaklıklarda bazı elektronlar atomlar arasındaki
bağı oluşturma fonksiyonunu bırakacak kadar yeterli termal enerjiye sahip olurlar
ve kristal içerisinde hareket ederler.Bu elektronlar,valans bandından hareket
serbestliğine sahip oldukları için iletkenlik bandına geçerler.İletkenlik bandının
tabanı ile valans bandının tepesi arasındaki enerji farkı yasaklanmış aralık ya
da bant aralığı olarak adlandırılır ve Eg ile gösterilir.Genel anlamda atomun
periyodik tablodaki yerine göre aşağıdaki durumlar meydana gelir.(Şekil 1.5)
A: En son (valans) bandı T = 0K’de bile elektronlarla sadece kısmen

doludur.
B: En son (valans) enerji bandı T = 0K’de tamamıyla elektronla doludur.
Fakat bitişiğindeki (boş) enerji bandı ile üst üste gelir.(Eg < 0)
C: En son(valans) enerji bandı T = 0K’de tamamıyla elektronlarla doludur
ve hiçbir boş enerji bandı ile üst üste gelmez. (Eg > 0)
Yalıtkan ve yarıiletken arasındaki fark bant aralığı enerjisine bağlıdır.Bir

yarıiletkende Eg tipik olarak 2eV ’den daha azdır.En çok bilinen yarıiletkenlerin
bant aralıkları Si (1.12eV ) , Ge (0.67eV ) ve GaAs (1.42eV )’tur.Si ve Ge gibi
elementel yarıiletkenlerin yanı sıra periyodik tablonun IV . Grup elementlerinin
bir araya gelmesiyle (SiC,SiGe) ya da III. ve V . grupların bir araya
getirilmesiyle (GaAs,GaN,InP,AlGaAs,AlSb,GaP,AlP ve AlAs) bileşik
yarıiletkenler sentezlenebilir.Elmas yüksek sıcaklıklarda yarıiletken özellik
gösterir ve kalay düşük sıcaklıklarda yarıiletken hale gelir.
Enerji bant diyagramları yarıiletkenin bazı özelliklerini incelememizi sağlar.

Örneğin Şekil 1.6-B’de valans bandının maksimumu ve iletkenlik bandının
minimumu aynı k değerinde meydana gelir (k = 0).Böyle bir özelliğe sahip olan
yarıiletken direkt-bantlı yarıiletken olarak adlandırılır.Böyle bir yarıiletkende bir
elektron momentum korunum yasasını ihmal etmeden iletkenlik bandından valans
bandına geçebilir.Bu geçişteki enerji kaybı hν = Eg enerjili bir foton şeklinde
yayılır.Şekil 1.6-A’da ise iletkenlik bandındaki minimum enerji ile valans
bandındaki maksimum enerji farklı k değerlerinde meydana gelir.Bu özelliğe
sahip olan yapıya ise indirekt-bantlı yarıiletken adı verilir.Böyle bir yarıiletkende
momentumda herhangi bir değişme olmadan bir elektron iletkenlik bandından
valans bandına geçemez. [3]
8
Şekil 1.6: A: İndirekt bant yapılı yarıiletken, B: Direkt bant yapılı yarıiletken
1.1.4 Parabolik Bant Yaklaşımı

Elektrik kavramı için, sadece valans bandının maksimumu yakınına yerleşen
elektronlar ve iletkenlik bandının minimumu yakınına yerleşen elektronlar ile
ilgilenilir.Şekil 1.6’da görülebileceği gibi momentuma bağlı enerji ikinci dereceden
parabolik bir fonksiyon ile tahmin edilebilir.Böylece iletkenlik bandı minumumu
yakınında;
E(k) = Emin + A(k − kmin )2 (1.13)
Valans bandının maksimumu yakınında;
E(k) = Emax − B(k − kmax )2 (1.14)
A ile B sabitli ifadeler yazılabilir.Bu yaklaşım parabolik yaklaşım olarak

adlandırılır. [3]
9
1.1.5 Deşik Kavramı

Bir katıdaki elektrik iletimini anlamayı kolaylaştırmak için elektrik yük
akımı ile bir borudaki suyun hareketinin analojisini yapabiliriz.Her iki ucu kapalı
olan iki su borusu düşünelim(Şekil1.7-A).Alttaki boru tamamen su ile doludur ve
üstteki boru su içermemektedir(havayla doludur).Bu analojide her bir su damlası
bir elektronu temsil etmektedir.Alt ve üst borular sırasıyla valans ve iletkenlik
bandına karşılık gelir.Eğim verilen borular ise yarıiletkene uygulanan bir elektrik
alana karşılık gelir.Dolu veya boş borulara eğim verildiğinde hiçbir su hareketi
veya akışı gözlenmez.Yani yarıiletkende hiçbir elektrik akımı yoktur.Bu yüzden
yarıiletken bir yalıtkan gibi davranır(1.7-A).
Şimdi alt borudan bir su damlasını alıp üst boruya yerleştirelim;

bu,bir elektronun valans bandından iletkenlik bandına geçişine karşılık gelir.Eğer
borulara şimdi eğim verilirse net bir sıvı akışı gözlenir.Bu da yarıiletkende bir
elektrik akımına karşılık gelir(1-7-B).
Hol bir parçacık değildir ve tek başına var olamaz.Hol varlığını kristaldeki
bir elektron yokluğundan kazanır.Holle hareket eden elektronun arkasında
bıraktığı boşluğu doldurarak kristal içinde hareket edebilir.Elektron
−19
−q(q = 1.6 × 10 )C yükü taşırken; hol, pozitif +q yükü taşır. [3]
Şekil 1.7: Enerji bantları ve elektrik iletimi; su benzetmesi

10
1.1.6 Kristaldeki elektronun etkin kütlesi

Bir elektronun kütlesi m; F = ma eşitliği ile ifade edilir.Burada a; F dış
kuvveti etkisi altındak olan elektronun ivmesidir.Kristalde elektronun
bulunması durumu uygulanan elektrik alana karşı davranışını etkileyecektir.Bu
nedenle bir kristaldeki elektronun görünür etkin kütlesi vakumdaki bir elektronun
kütlesinden farklı olacaktır.
~2 k 2 ~2
E= ⇒m= 2 (1.15)
2m d E/dk 2
Burada m = m0 = 9.11 × 10−28 gram elektronun vakumdaki kütlesidir.Kütle
sabittir.Çünkü E, k’nın karesinin bir fonksiyonudur.
Şekil 1.8: Bir boyutlu kristalde elektronun enerjisinin ve etkin kütlesinin k’ya
karşı değişimi,BZ:Birinci Brillouin bölgesi
Ek olarak kristaldeki kütle, farklı enerji bantları için farklı olacaktır.Genel

gözlemler çerçevesinden bakarsak;
• Eğer elektron,enerji bandının üst yarısında ise etkin kütlesi negatiftir.
• Eğer elektron, enerji bandının alt yarısında ise etkin kütlesi pozitiftir.
• Eğer elektron,enerji bandının ortasına yakınsa etkin kütlesi sonsuz

olmaya meyillidir.
11
Enerji bandının üst kısmında bulunan elektronların negatif etkin kütlesi

şaşırtıcıdır.Fakat hol kavramı ile bu kolayca açıklanabilir.Bir ϵ elektrik alanı ile
−q yüklü ve −m∗ kütleli bir elektrona kazandırılan a ivmesini düşünelim.Bu
ivmelenmenin pozitif m∗ kütleli ve pozitif +q yüklü hole karşılık geldiğini fark
etmek kolaydır.Çünkü;
F −qϵ qϵ
a= = = ∗ m∗ > 0 (1.16)
−m ∗ −m ∗ m
Genellikle yarıiletken devre elemanı fizikçiler sadece iletkenlik bandının

minimumu yakınında yer alan elektronlar ya da valans bandının maksimumu
yakınında yerleşen hollerle ilgilenirler. [3]
1.1.7 Enerji Bantlarında Durum Yoğunluğu

Üç boyutlu bir kristalde izinli durum(hal) yoğunluğu
V
n(k) =
8π 3
ile verilir.Kristalin birim hacim başına hal yoğunluğu ise aşağıdaki gibidir.
1
n(k) = (1.17)
8π 3
Eğer f (k)’yı bu hallerin işgal edilme olasılığı olarak tanımlarsak buradan En (k)
enerji bandındaki elektron yoğunluğu, ”n”, birinci Brillouin bölgesi
üzerinden işgal edilme olasılığı ile bu hal yoğunluğunun çarpımının integralinin
alınması ile hesaplanabilir.
∫
n= n(k)f(k)dk (1.18)
Benzer şekilde enerji bandındaki hol yoğunluğu;

∫
p= n(k)[1 − f(k)]dk (1.19)
ile verilir.n(k) fonksiyonu enerji bandındaki izinli hallerin yoğunluğunu

temsil eder.f(k) fonksiyonu E(k)’nın bir fonksiyonu olan istatistiksel bir dağılım
fonksiyonudur. [3]
12
Fermi-Dirac Dağılımı
1
f (k) = (1.20)
1 + exp[(En (k) − EF )/kT]
ya da
1
f (E) = (1.21)
1 + exp[(E − Ef )/kT ]
olarak tanımlanan Fermi-Dirac dağılım fonksiyonudur.Burada ”EF ” Fermi
seviyesi olarak adlandırılan bir enerji, ”k” Boltzmann sabiti ve ”T” Kelvin
biriminde sıcaklıktır.Fermi-Dirac fonksiyonu T > 0 için şekil 1.9’da verilmiştir.
Sıcaklığa bağlı olmadan E = EF ise f (E) = 0.5 olduğu bellidir.
1.18 ya da 1.19 ifadelerinin integralinin kolayca alınabilmesi için n ve
f’nin k’ya bağımlılığı,enerjiye ”E” bağlılığına dönüştürülmelidir.Bunu yapmak
için nx = ny = nz = 1 olduğunu ve 1.12 eşitliği ile verilen kx , ky vekz ’li kristal
ters örgüsünün birim hacmini ele alalım; bu hücrenin hacmi kx ky kz = 8π 3 /L3
olur.Eğer birim hacimli ise L3 = 1 olur ve k uzayında birim hacimli kristalin
birim hücresinin hacmi 8π 3 olur.Bu kristalde k uzayında dk kalınlıklı küresel bir
kabuğun hacmi:
4π
[(k + dk)3 − k3 ] ≡ 4πk2 dk (1.22)
3
ile verilir.Bu hacimdeki birim hücre sayısı kabuk hacminin birim hücre
hacmine oranı ile verilir.
4πk 2 dk k2
= dk (1.23)
8π 3 2π 2
k vektörlerinin sayısı birim hücre sayısına karşılık gelir.Pauli dışarlama
ilkesi her bir k değeri için yalnız 2 elektron olabileceğini ifade eder.Bu ilkeyi
kullanarak elektron sayısı:
k2
n(k)dk = dk (1.24)
π2
ile verilir.Parabolik bant yaklaşımını E(k) = ~2 k2 /2m∗ ve sabit etkin
kütleyi kullanarak;
1
(2m∗ ) 2 E 2 dE
3 1
n(E)dE = (1.25)
2π ~
2 3
elde edebiliriz.Bu eşitlik E ile E + dE arasında bir enerjiye sahip m∗ kütleli

bir parçacık için hal yoğunluğunu verir.
13
İletkenlik bandının tabanına yerleşen m∗e kütleli bir elektron için referans
enerji iletkenlik bandının minimumu (EC ) olarak alınır ki bu:
1 ∗ 23 1
n(E)dE = (2m ) (E − Ec ) 2 dE (1.26)
2π 2 ~3 e
ifadesini verir.Valans bandının tepesine yerleşen m∗h kütleli hol için referans
valans bandının tepesi (Eν ) olarak alınır ve;
1
(2m∗h ) 2 (Eν − E) 2 dE
3 1
n(E)dE = (1.27)
2π ~
2 3
ifadesini elde ederiz.Şimdi 1.18 ve 1.19 eşitliklerinin integralleri alınabilir.

Fermi-Dirac (FD) dağılımını Maxwell-Boltzmann (MB) dağılımına yaklaştırarak
integral daha da basitleştirilebilir.Standart bir yarıiletken durumunda E − EF
yeterince büyüktür.Bu durumda her iki dağılım yaklaşık olarak aynı olur ve;
1
u >> 1 ≡ exp(u) (1.28)
1 + exp(u)
olur. [3]
Maxwell-Boltzmann Dağılımı
[ ]
1 E − EF
f (k) = ≡ exp − (1.29)
1 + exp[(E − EF )/kT ] kT
Fermi-Dirac Maxwell-Boltzmann
İletkenlik bandındaki (CB) elektron yoğunluğunu ”n” hesaplamak için 1.18

eşitliğinde k değerleri üzerinden integral yerine E değerleri üzerinden integral
alalım: ∫ ∫
n= n(k)f (k)dk = n(E)f (E)dE (cm−3 )
BZ CB
∫
1 E − EF
= 2 3 (2m∗h ) 2
3 1
(E − EC ) 2 exp − [ ]dE (1.30)
2π ~ CB kT
Standart bir yarıiletkende iletkenlik bandındaki çoğu elektron EC enerjisine
yakın bir enerjiye sahiptir.Bu yüzden integralin alt ve üst sınırları sırasıyla EC
ve ∞ olarak alınabilir.İntegral almak için bir değişken değişimi y = (E −EC )/kT
kullanılabilir.
14
Bu bize;
∫ ∞ [ ]
1 E − EF
n = 2 3 (2m∗e ) 2
3 1
(E − Ec ) exp − 2 dE
2π ~ Ec kT
[ ]∫ ∞
1 ∗ 3 Ec − EF 1
= 2 3 (2me kT ) 2 exp − y 2 exp(−y)dy
2π ~ kT Ec
[ ]√
1 ∗ 32 Ec − EF Π
= 2 3 (2me ) exp − (1.31)
2π ~ kT 2
ya da
[ ] ( ) 32
Ec − EF 2πm∗e kT
n = Nc exp − , Nc = 2 (cm−3 ) (1.32)
kT h2
ifadesini verir.Nc iletkenlik bandındaki etkin hal olarak adlandırılır.

Ec enerjisine sahip hal sayısını belirtir.İşgal edilme olasılığı ile çarpıldığında
ise iletkenlik bandındaki elektron sayısını bulmuş oluruz.Benzer şekilde valans
bandındaki toplam hol sayısı 1.19 eşitliğine dayanan bu teknikle hesaplanabilir.
Valans bandındaki holler için etkin hal yoğunluğu:
[ ] ( ) 32
EF − Eν 2πm∗h kT
p = Nν exp − , Nν = 2 (cm−3 ) (1.33)
kT h2
olur. [3]
1.2 Özden Yarıiletkenler

1.32 ve 1.33 ifadelerinden dolayı termodinamik denge şartları altında bir
yarıiletkende elektron ve hol konsantrasyonlarının çarpımı,
[ ] [ ]
EF − Eν Ec − EF
pn = Nν exp − Nc exp − = Nc Nν exp[−Eg /kT ]
kT kT
( ) 32 [ ]
π 2 k 2 m∗e m∗h Eg
= 32 T − 3
≡ n2i (1.34)
h4 kT
ile verilir.
15
Burada ni asal taşıyıcı yoğunluğu olarak adlandırılır.Termodinamik denge

altında pn çarpımı:
pn = n2i (1.35)
olur.Eğer çoğunluk taşıyıcılar yarıiletkenin kendi atomlarından

kaynaklanıyorsa yarıiletken asal yarıiletken olarak adlandırılır.Bu durumda eğer
elektron valans bandından iletkenlik bandına geçebilecek kadar yeterli termal
enerjiyi alırsa arkasında yani valans bandında bir hol bırakır.Bu yüzden valans
bandındaki her hol iletkenlik bandındaki bir elektrona karşılık gelir ve iletken
elektronların sayısı tam olarak valans hol sayısına eşittir:
p = n = ni (1.36)
ve
( )
EC + Eν 3 m∗h
EF = + kT ln ≡ Ei (1.37)
2 4 m∗e
ya da eğer m∗e = m∗h ise buradan;
EC + Eν
EF = (1.38)
2
elde edilir.
Burada Ei ”asal enerji seviyesi” olarak tanımlanır.Bu, asal bir
yarıiletkendeki Fermi enerji seviyesidir.ni ise asal taşıyıcı yoğunluğu olarak
tanımlanabilir. [6]
Şekil 1.9: Silikonda özden taşıyıcı konsantrasyonunun ”ni ” sıcaklıkla değişimi

16
1.3 Katkılı Yarıiletkenler

Yarıiletken endüstrisinde kullanılan silikon neredeyse tamamen saf silikon
olarak kabul edilir.Aynı zamanda silikona bilinçli bir şekilde III. sütun (Bor) veya
V. sütun (fosfor,arsenik) gibi periyodik tabloda silikona yakın olan elementler
katılabilir.Örnek olarak bir As atomu Si atomunun yerine geçerse komşuluğundaki
Si atomlarıyla 4 elektron paylaşarak 4 bağ oluşturur(Şekil 1.10).Silikondaki As
atomları donör olarak adlandırılır.Çünkü bu atomlardan her biri kristale bir
elektron verir.Serbest elektron ise elektriksel iletkenliğe katkıda bulunabilir.
Şekil 1.10: Donör safsızlığı (Silikondaki arsenik)
Benzer şekilde Si atomunun B gibi III. sütun elementlerinden bir atomla yer
değiştirmesi bir elektron kaybı ile sonuçlanır(Şekil 1.11).B atomu Si atomlarıyla
4 bağ yapması için elektron yakalayabilir.Bu yüzden hareketsiz negatif yüklü bir
B atomu oluşur.Bu, kristalde valans bandına yerleşen bir hol oluşturur.Silikonda
III. grup atomları bir elektronla doldurulabilen bir hol oluşturduğu için bu
atomlar alıcı atomları olarak adlandırılır.
Şekil 1.11: Alıcı safsızlığı (Silikondaki Bor atomu)

17
Özden yarıiletken ile katkılı yarıiletken konsantrasyonunun sıcaklıkla değişimi

arasındaki farkı aşağıda verilen grafikle daha iyi kavrayabiliriz. [8]
Şekil 1.12: Silisyumda katkılı taşıyıcı konsantrasyonunun ”ni ” sıcaklıkla değişimi
1.3.1 Safsızlık Atomlarının İyonlaşması

Bir donör safsızlık atomu bir elektron (hol) bıraktığında
iyonlaşır ve taşıyıcılar pozitif (negatif) bir yük +q(−q) taşır.Eğer katkı atomu
iyonlaşmazsa kristalde serbest bir taşıyıcı bırakmayacağı için elektrik iletimine
katkıda bulunmaz.Si’deki As gibi bir donör safsızlığını ele alalım.As atomunun
iyonlaşması;
As0 ⇔ As+ + e− (1.39)
şeklinde yazılabilir.Burada As0 iyonlaşmamış As atomunu ve As+ ise iyonlaşmış

bir As atomunu temsil eder.Bu yüzden toplam safsızlık konsantrasyonu iyonlaşmış
ve iyonlaşmamış safsızlık konsantrasyonlarının toplamıdır:
Nd = Nd+ + Nd0 (1.40)
Pauli dışarlama ilkesi uyarınca her bir enerji seviyesine iki elektron
yerleşebilir.Bu durumda yine de As atomu sadece bir elektron alabilir.Dejenere
faktörü olan düzeltme faktörü 1/2 olmasından ötürü Fermi-Dirac eşitliğine
yerleştirildiğinde;
18
1 N0
f (Ed ) = [ ]= d (1.41)
E −E Nd
1 + 12 exp dkT f
ifadesini verir.İyonlaşmış donör konsantrasyonu 1.40 ve 1.41 eşitlikleri

kullanılarak elde edilebilir. [3]
1
Nd+ = Nd − Nd0 = Nd (1 − f (Ed )) = Nd [ ] (1.42)
Ed −Ef
1 + 2exp kT
1.3.2 Elektron Deşik Dengesi

N ve P tipi safsızlık atomları içeren bir yarıiletkeni ele alalım.Kristal yük
nötralliğine sahip olduğu için;
Termodinamik denge şartları altında
n + Na− = p + Nd+ (1.43)
yazılabilir.İyonlaşmanın oda sıcaklığında olduğunu düşünürsek

Nd− ≡ Nd ve Na + ≡ Na olur.1.42 eşitliği aşağıdaki gibi yeniden yazılabilir:
n + Na = p + Nd ⇒ n − p = Nd − Na (1.44)
Temel cebir kullanarak (p+n)2 = (p−n)2 +4pn olduğu bulunur.Daha sonra

1.43 ifadesi pn = n2i ile birleştirilebilir ve bu bize (p + n)2 = (Nd − Na )2 + 4n2i ’yi
verir.(p + n) pozitif bir sayı olduğu için:
√
p+n= (Nd − Na )2 + dn2i (1.45)
elde edilir.1.44 ifadesi 1.42 ifadesi ile birleştirilirse,

[ √ ]
1
n= (Nd − Na ) + (Nd − Na )2 + dn2i (1.46)
2
ve
[ √ ]
1
p= (Na − Nd ) + (Nd − Na ) + dni
2 2
(1.47)
2
elde edilebilir.
N-tipi yarıiletkende elektron ve deşik konsantrasyonu
ni2
n ≡ Nd ve p ≡ (1.48)
Nd
ile verilir.
19
P-tipi yarıiletkende elektron ve deşik konsantrasyonu
ni2
p ≡ Na ve n ≡ (1.49)
Na
ile verildiğini görürüz.Ancak 1.47 ve 1.48 eşitlikleri için istisna olarak düşük
sıcaklıklarda tüm safsızlar iyonlaşmamış olması ve bu durumdan dolayı taşıyıcı
donması meydana gelebilir. [3]
1.3.3 Fermi Seviyesinin Hesaplanması

N -tipi yarıiletken için 1.32 ve 1.47 eşitliklerinin kullanması:
[ ]
Ec − EF
n = Nd = Nc exp − (1.50)
kT
ifadesini verir.Buradan
( )
Nc
Ec − EF = kT ln (1.51)
Nd
ifadesi elde edilir.Daha sonra 1.51 eşitliğini aşağıdaki denklemde yerine
koyarsak;
[ ] ( )
E c − Ei ni
ni = Nc exp − ⇒ Ec − Ei = kT ln
kT Nc
ve son olarak:
[ ( ) ( )]
Nc ni
Ei − EF = Ec − EF + (Ei − Ec ) = kT ln + ln
Nd Nc
( ) [ ]
Nd EF − Ei
EF − Ei = kT ln ya da n = Nd = ni exp (1.52)
ni kT
ifadesini elde ederiz. Katkı konsantrasyonu bilinirse 1.51 eşitliğinden Fermi

seviyesi ”EF ”, hesaplanabilir.N-tipi yarıiletkende Fermi seviyesi bant aralığının
üst yarısında asal seviyenin ”Ei ” üstünde yer alır.Yeni bir değişken olan Fermi
potansiyelini ”ΦF ”(volt biriminde) verilebilir.Bu potansiyel aşağıdaki eşitlikle
tanımlanır:
−qΦF = EF − Ei (1.53)
1.51 eşitliği kullanılarak elektron konsantrasyonu ile Fermi potansiyeli

arasındaki ilişkiyi elde etmiş oluruz.
20
Fermi Potansiyeli (N-tipi Yarıiletken)

[ ] ( ) ( )
−qΦF kT n kT Nd
n = ni exp ya da ΦF = − ln =− ln (1.54)
kT q ni q ni
P-tipi yarıiletken için 1.33 ile 1.48 eşitliklerinden faydalanarak:

[ ]
EF − Eν
p = Na = Nν exp − (1.55)
kT
Bundan;
( )
Nν
EF − Eν = kT ln (1.56)
Na
ifadesini elde ederiz.1.52 eşitşiğindeki ilk kısımdan faydalanarak:
[ ] ( )
Ei − Eν ni
ni = Nν exp − ⇒ Eν − Ei = kT ln
kT Nν
son olarak:
[ ( ) ( )]
Nν ni
Ei − EF = −(Eν − Ei ) − (EF − Eν ) = −kT ln + ln
Na Nν
( ) [ ]
Na Ei − EF
Ei − EF = kT ln yada p = Na = ni exp (1.57)
ni kT
ifadesini elde ederiz.
Şekil 1.13: Fermi seviyesinin yeri,Fermi-Dirac dağılımı ”f(E)” ve N-tipi ve P-tipi

yarıiletkende elektron ve hol konsantrasyonları
21
Fermi Potansiyeli (P-tipi Yarıiletken)

[ ] ( ) ( )
qΦF kT p kT Na
p = ni exp ya da ΦF = ln = ln (1.58)
kT q ni q ni
P-tipi yarıiletkende ΦF ’nin pozitif, N-tipi yarıiletkende ise negatif olduğuna

dikkat edilmelidir.N-tipi ve P-tipi iki yarıiletken için elektron ve hol
konsantrasyonları grafiksel olarak Şekil 1.13’de gösterilmiştir.Her iki tip için
Fermi seviyesi EF ve taşıyıcı yoğunluğu asimetrik bir şekildedir. [3]
1.4 Fermi Seviyesinin Eşitlenmesi

Genellikle bir yarıiletkendeki katkı konsantrasyonu materyal boyunca sabit
değildir.Herhangi bir doğrultuda ”x” katkı konsantrasyonu değişen bir N-tipi
yarıiletkeni göz önüne alalım.Katkı konsantrasyonu Şekil 1.14’de gösterilen Nd (x)
fonksiyonu ile tanımlanır.
Şimdi sağ ve solu ayrılmış bir örneği düşünelim.1.51 eşitliğine göre

EF (sağ) > EF (sol)’ olur.Çünkü Nd (sağ) > Nd (sol)’dur(1.14-B).EF (sağ) ile
EF (sol) arasına yerleşen ET enerjisine sahip bant aralığında bir deneme enerji
seviyesini düşünelim.Örneğin sol tarafında deneme seviyesinin elektronlarla işgal
edilme olasılığı düşüktür.Bunun sebebi ET > EF ’dir.Diğer yandan örneğin sağ
tarafında deneme seviyesinin işgal edilme olasılığı yüksektir.Bunun sebebi ise
ET < EF ’dir.
Tüm örneği ele alalım ve özellikle katkı konsantrasyonunun aniden değiştiği

orta bölgeye odaklanalım.Eğer x = x0 ’a yakın enerji bantları numunenin sağ ve
sol kısımlarında olduğu gibi kalırsa, ET test seviyesi, kendisine aykırı olarak
bir elektron tarafından hem düşük hem de yüksek işgal edilme ihtimaline sahip
olacaktır.Bu test seviyesi yalnızca tek bir işgal edilme ihtimaline sahip olmalıdır.
Bunun sağlanması için ise EF ’nin x0 ’ın sağ ve sol kısımlarında eşit olmasıyla
mümkün olur.Fermi seviyesi tek ve sabit olmalıdır.Termal dengedeki bir yapının
Fermi seviyesi tek ve sabittir ve bu Fermi seviyesinin çok önemli bir özelliğidir.Bu
özellik sadece homojen bir şekilde katkılandırılmamış yarıiletkenlerde değil aynı
zamanda metal-yarıiletken yapılarda ve yarıiletkenler arasındaki kontaklarda da
geçerlidir. [3]
22
Şekil 1.14: A:Homojen olmayan katkı profili B:Numunenin sağ ve solundaki enerji
seviyeleri C:Tüm yapıda bant diyagramı
Elektron konsantrasyonu EF − Ei ’ye 1.51 eşitliği ile bağlı olduğundan;

[ ]
EF − Ei (x)
n(x ) = ni exp (1.59)
kT
yazılabilir.Ya da şekil 1.14 ile verilen gösterimleri kullanarak;
[ ]
EF − Ei0 + qΦ0 (x)
n(x ) = ni exp (1.60)
kT
ya da
Elektronlar için Boltzmann eşitliği
[ ] [ ]
EF − Ei0 + qΦ0 (x) qΦ0 (x)
n(x ) = ni exp = n0 exp (1.61)
kT kT
Deşikler için Boltzmann eşitliği

[ ] [ ]
EF − Ei0 + qΦ0 (x) qΦ0 (x)
p = ni exp − = p0 exp − (1.62)
kT kT
23
Şekil 1.15: Sıvılarda Bernoulli prensibi

24
Bölüm 2
PN EKLEM DİYOT
2.1 PN Eklemi
PN eklemi oluşturmak için bir P-tipi bir N-tipi yarıiletkene ihtiyaç vardır.
Eğer P-tipi ve N-tipi bölgeler aynı yarıiletken malzemeden yapıldıysa
(N-tipi silikon ve P-tipi silikon) bu yapıya homoeklem adı verilir.Eğer farklı
malzemeden yapıldıysa (N-tipi silikon ve P-tipi germanyum) bu yapı bir
heteroeklem adını alır.
Bir diyot tek bir PN ekleminden oluşan yarıiletken devre elemanıdır
(Şekil 2.1).Dirençten farklı olarak, diyot lineer olmayan akım-gerilim
karakteristiğine sahiptir ve genellikle doğrultucu eleman olarak kullanılır.Bazı
diyotlar ışık yayabilirken(ışık yayan diyot-LED),diğerleri lazer ışığı yayabilir
(lazer diyot-LD).İki PN ekleminin kombinasyonu ile bir transistör oluşturulabilir.
Şekil 2.1: PN eklemi ve diyodu ve diyodu temsil eden simge
PN eklemi bir beslemde akım akışına izin verirken diğer beslemde izin
vermez.Bu yüzden akım doğrultur.Şekil 2.2’de gösterildiği gibi eğer Va pozitif ise
diyottan akım geçer negatif ise geçmez.Eğer Va > 0 ise diyotun düz beslemde
olduğu, Va < 0 ise ters beslemde olduğu söylenir.
25
Şekil 2.2: Bir PN ekleminin akım-gerilim karakteristiği
Deneysel ölçümlerde PN eklemindeki I akımının aşağıdaki eşitliğe uyduğu

gözlemlenmiştir.
[ ]
qVa
I = Is exp −1 (2.1)
kT
Burada Is bir sabit ve Va diyoda uygulanan potansiyeldir.
Diyot,sıvı akışını kontrol eden bi valf gibi düşünülebilir(Şekil 2.3).Bu

analojide düz yöndeki bir basınç uygulandığında valf açılırken ters yönde
uygulanan basınç olduğu zaman ise valf kapanır. [3]
Şekil 2.3: Bir PN ekleminin valf sıvı mekaniğine benzerliği

26
2.2 Beslem Altında Olmayan PN Eklemi

Bu kısımda termodinamik dengedeki bir PN eklemini yani bir beslemin
olmadığı (Va = 0) durumunu inceleyeceğiz.Yarıiletken materyali iki ayrı parça
gibi düşünelim.Bu parçalara P ve N bölgesi olarak odaklanalım.Kolaylık açısından
iki kısımdaki katkı konsantrasyonlarının sabit olduğunu ve N-tipi bölgede Nd ’ye
ve P-tipi bölgede ise Na değerine eşit olsun.Her iki bölgenin enerji bant
diyagramları şekil 2.4’te gösterilmektedir.
Şekil 2.4: Ayrı ayrı ele alınmış N ve P tipi bölgelerde enerji bant diyagramları
N tipi bölgede;
Nd
EF N − Ei = kT ln
ni
P tipi bölgede;
Na
Ei − EF P = kT ln
ni
yazabiliriz.
Şimdi N-tipi ve P-tipi bölgelerini kontak haline getirerek PN eklemi
oluşturabiliriz.Bu kontağın oluştuğu yüzey metalürjik eklem olarak adlandırılır.
Bölüm 1.4’ten bildiğimiz gibi Fermi seviyesi denge şartları altındaki bir yapıda,
elektronlar aniden elektronca zengin olan N-tipi bölgeden elektronca fakir P-tipi
bölgeye ve holler ise P-tipi bölgeden N-tipi bölgeye aniden difüze olurlar.Yükün
yer değişimi sonucunda Şekil 2.5’te gösterildiği gibi eklemde eklem potansiyeli
”ϕ0 ” olarak adlandırılan bir iç potansiyel oluşur.
27
Bir −q çarpanı ile eklem potansiyeli enerji bantlarının bükülmesine eşit

olur.
( ) ( ) ( )
Nd Na Na Nd
EF N − EF P = kT ln + kt ln = kT ln (2.2)
ni ni ni2
( )
kT Na Nd
ϕ0 = ln (2.3)
q ni2
Şekil 2.5: PN eklemi ve bant diyagramı
N-tipi bölgeden P-tipi bölgeye difüze olan elektronlar geride iyonlaşmış

donor atomları bırakırlar.Bu atomlar kristal örgü noktalarına yerleşir ve kristal
içerisinde hareket etmezler.Bu pozitif yüklü iyonların olduğu bu bölgeye arınmış
bölge adı verilir.Çünkü bu bölge elektronlardan arındırılmıştır(Şekil 2.6). [3]
Şekil 2.6: Elektron ve hollerin difüzyonu sonucu arınmış bölgenin oluşumu

28
2.3 Beslem Altındaki PN Eklemi

Eğer bir PN eklemin herhangi bir beslem uygulanmamışsa,oluşan eklem
potansiyeli ϕ0 olur.Bu potansiyel farktan dolayı oluşan sürüklenme akımı,taşıyıcı
konsantrasyonu farkından dolayı oluşan difüzyon akımına tam olarak eşittir ve zıt
yönlüdür.Burada net akım (sürüklenme akımı + difüzyon akımı= 0) olur.Denge
durumuna gelindiğinde ise potansiyel değişim ϕ(x) daha fazla elektronun P-tipi
bölgeye ve deşiğin N-tipi bölgeye geçişini önler.Bu durum,bu potansiyelin neden
bazen potansiyel engel olarak adlandığını açıklar.Aşağıdaki grafikte ekleme harici
bir Va potansiyeli uygulandığı düşünülerek oluşturulan grafik verilmiştir. [3]
Şekil 2.7: Va = 0, Va > 0 ve Va < 0 için PN eklemindeki potansiyel
2.4 Akım-Gerilim Karakteristiği

Önceki bölümde gördüğümüz gibi geçiş bölgesindeki potansiyel düşmesi
ϕ0 −Va olup Va uygulanan potansiyeldir.Eğer Va pozitif ise potansiyel engel denge
durumu değerinden ”ϕ0 ” düşük olur.Bu sebeple artık difüzyon ve
elektrik alan kuvvetleri eşit ve zıt olmazlar.Difüze olan taşıyıcılar, kısmen
eklem potansiyelinden doğan kuvvetler tarafından telafi edilirler.Bu yüzden holler
P-tipi yarıiletken bölgeden N-tipi yarıiletken bölgeye akarken , elektronlar N-tipi
yarıiletken bölgeden P-tipi yarıiletken bölgeye akabilirler.Buradaki net akımlar
Şekil 2.8’da gösterilmiştir.N-tipi bölgeye enjekte edilen holler ek azınlık
taşıyıcılardır(Şekil 2.8 akım-1).
29
Bu taşıyıcılar N-tipi yarı nötral bölgeye difüze olurlar ve çoğunluk

taşıyıcılarla rekombinasyona uğramadan önce difüzyon uzunluğu olarak
adlandırılan ortalama bir mesafe kat ederler.Her bir rekombinasyon olayı bir
elektron tükettiği için, harici kontak tarafından sürekli olarak sağlanan
elektronlar N-tipi bölgede elektron akımı meydana getirir(Şekil 2.8 akım-2).
Benzer şekilde P-tipi bölgesine enjekte edilen elektronlar (Şekil 2.8 akım-3)
P-tipi bölgesindeki hollerle rekombinasyona uğrayaran ek azınlık taşıyıcılarıdır.Bu
arada her bir rekombinasyon olayı bir hol tükettiği için P-tipi bölgede net bir hol
akımı meydana gelir(Şekil 2.8 akım-4). [3]
Şekil 2.8: Düz beslemdeki PN eklemi ve rekombinasyonları
2.4.1 Jenerasyon/Rekombinasyon Akımı

Bu kısma kadar ideal bir diyot için akım-gerilim karakteristiğini hesapladık
ve geçiş bölgesinde jenerasyon/rekombinasyon mekanizmasını ihmal ettik.Ancak
gerçek diyotlar ideal değildir ve deneysel devre elemanı karakteristiğinde
jenerasyon/rekombinasyon etkileri hesaba katılmalıdır.
Harici bir beslem ”Va ” uygulandığında geçiş bölgesine enjekte edilen

(Va > 0) veya çekilen fazla taşıyıcılardan (Va < 0) dolayı pn çarpımı denge
durumu değerinden ”ni2 ” farklı olur.Bu yüzden Fermi seviyesi iki kuasi Fermi
seviyesine bölünür.Bu iki seviye arasındaki fark uygulanan gerilim olan Va ’ya
eşittir.Geçiş bölgesindeki pn çarpımı aşağıdaki gibi verilir.
[ ( )] ( )
FFn − FFp qVa
pn = ni2 exp 2
= ni exp (2.4)
kT kT
30
Bu yüzden jenerasyon/rekombinasyon hızı aşağıdaki ifadeye eşit olur.
[ ( a) ]
pn − ni2 ni2 exp qV −1
U = [ ( −E )] = [ kT
( −E )] (2.5)
τ0 p + n + 2ni cosh EtkT i
τ0 p + n + 2ni cosh EtkT i
ya da rekombinasyon merkezlerinin rekombinasyonun en etkili olduğu bant

aralığının ortasında (Et = Ei ) olduğunu düşünürsek aşağıdaki ifade yazılabilir.
[ ( a) ]
ni2 exp qVkT
−1
U = (2.6)
τ (p + n + 2ni )
Şekil 2.9: Eklemdeki difüzyon,jenerasyon ve rekombinasyon akımları
Genellikle difüzyon ve jenerasyon/rekombinasyon akımları tek bir akım

ifadesiyle verilir.
[ ( ) ]
qVa
I = Is exp −1 (2.7)
nkT
Burada n idealite faktörü olarak adlandırılır.İdealite faktörü 1 ile 2 arasında
değişir.Bu,tamamen difüzyon mekanizmasının baskın olduğu bir diyottaki akım
için 1(ideal diyot) ve tamamen jenerasyon mekanizmasının baskın olduğu bir
diyottaki akım için 2 olur. [3]
31
2.4.2 Eklem Bozulması

Bir PN eklemi güçlü bir şekilde ters beslenmesi durumunda
eklem yakınındaki elektrik alan yüksek değerlere ulaşır.Bu elektrik alanında
hızlandırılan taşıyıcılar, bir çarpışma işleminde çarpışma iyonlaştırması (impact
ionization) ile elektron-deşik çifti oluşturabilecek kadar kinetik enerjiyi
alabilirler.Üretilen taşıyıcıların tekrar hızlandırılabilmesi ve tekrar çarpışma
iyonlaştırması ile ilave taşıyıcılar üretilebilir.Bu taşıyıcı katlanma etkisi, çığ
katlanması olarak adlandırılan bir pozitif geri beslem mekanizmasıdır.
Ters beslemli bir eklemde Zener bozulması olarak adlandırılan bir

mekanizma da vardır.Bu etki hem N hem de P bölgeleri aşırı katkılandırılmış
diyotlarda meydana gelir.Sonuçta arınmış bölgenin genişliği küçüktür ve
elektronlar doğrudan P-tipi valans bandından N-tipi iletkenlik bandına
tünelleyebilirler.Böyle diyotlar Zener diyot olarak adlandırılır ve bozulma
gerilimi konsantrasyonunu ayarlamakla doğru bir şekilde kontrol edilebilir. [3]
2.5 PN Eklem Sığası

Şimdiye kadar PN ekleminin kararlı durum karakteristiklerini inceledik.
Şimdi uygulanan gerilimin değişmesinden kaynaklanan geçiş etkilerini
inceleyelim.Daha önce gördüğümüz gibi Va ̸= 0 gibi bir gerilimin uygulanması
geçiş bölgesinde ve yarı nötral bölgede, Va = 0 durumundaki yük dağılımından
farklı bir yük dağılımına sebep olur. [3]
2.5.1 Yük Depolama ve Anahtarlama Süresi
Şekil 2.10: Zamana bağlı diyot gerilimi
N-tipi yarı nötral bölgedeki azınlık taşıyıcı artışı yük depolama olarak
adlandırılır. [3]
32
Bölüm 3
GÜNEŞ PİLLERİ
3.1 Fotovoltaik Olay

Fotovoltaik, güneş pilleri ya da dizinleri sayesinde ışık kaynağından veya
güneşten elektrik elde etme yöntemidir.Dünya yüzeyine ulaşan ışık miktarı
100mW/cm2 ’dir.Yani her metrekareye düşen güç miktarı yaklaşık olarak 1kW ’tır.
Bu değer güneş enerjisini kullanabimek için iyi bir miktardır.Güneşten gelen
termal enerjiyi elektrik enerjisine dönüştürerek güneş enerjisinden faydalanmak
mümkündür.Fotonların enerjisi direkt olarak volt cinsinden elektrik enerjisine
dönüştürülebildiği için bu işlem ”fotovoltaik (PV) dönüşüm” adını alır.Güneş pili
teknolojisi 1839 yılında Fransız fizikçi Antoine-César Becquerel ile başlamıştır.
Becquerel bir elektrot çözeltisi içindeki katı bir elektrotla deney yaparken
fotovoltaik olayı keşfetmiştir.Elektrot üzerine ışık düştüğünde potansiyel fark
oluştuğunu gözlemlemiştir.Bundan 50 yıl sonra Charles Fritts ilk gerçek güneş
pilini üretmeyi başarmıştır.İlk zamanlarda % 1 civarında olan verim günümüz
teknolojisi ile yaklaşık % 40 civarına çıkartılabilmiştir.
Günümüzde fotovoltaik pazar temelinde Si,CdTe,CIGS ,Cu(InGa)Se2 ve

III-V tabanlı bileşiklerden oluşan güneş panelleri tercih edilmektedir.Bu
sistemlerde kararlılık,ömür ve performans önemli parametrelerdendir.CdTe
direkt bant aralığına sahip olup,yasak enerji aralığı 1.58eV ’tan daha büyük
enerjili fotonları soğurabilir.CdTe ve CIGS güneş pilleri art arda dizili
(tandem/çok eklemli) yapılara ihtiyaç duymadan ve silisyuma göre maliyet
avantajı ile birlikte % 10’dan daha yüksek verimlidirler.Ancak bu malzemelerin
dezavantajları ise ortamda uzun süre kararlılık açısından dezavantaja
sahiptirler.Ayrıca Cd toksik(zehirli) bir malzemedir.
Si güneş pilleri şu anda dünyada en çok tercih edilen pillerdir ve üretilen
elektrik megawattlardan daha fazla bir değere sahiptir.Bu pillerin maliyeti ise
enerji santralleri ile mukayese edilemeyecek kadar yüksektir.
33
Fotovoltaik enerjinin etkin olarak dönüştürülmesindeki temel işlemleri

birkaç adımda sıralayalım:
Şekil 3.1: 1-Uygun bir malzeme ile fotonların soğurulması
Şekil 3.2: 2-Elektron-deşik çiftlerinin oluşturulması
Şekil 3.3: 3-Zıt yüklü serbest yüklerin rekombinasyon öncesi ayrılmaları

34
Şekil 3.4: 4-Fotonla oluşturulan yük taşıyıcılarının toplanması ve taşınması
Güneş pilinin yapısını ve çalışmasını kısaca özetleyecek olursak;bir güneş

pili veya fotovoltaik hücre (pil) en genel ifade ile güneş ışığını direkt olarak
elektriğe dönüşen elektronik aygıttır. [5]
3.2 Bir Güneş Pilinin Yapısı

Aygıtta kullanılan tabakanın üzerine gelen ışığı minimum düzeyde
yansıtması mümkünse hiç yansıtmaması gereklidir.Bu tabakanın altında eklemin
bir tabakası,soğurucu tabaka ve eklemin alt tabakası bulunur.Aygıtın dış kısmında
ise gerekli bağlantıların yapıldığı yerlerde aygıta elektrik akımı için giriş-çıkışı
sağlayan omik kontaklar bulunmalıdır.Güneş pillerinde ışığın girdiği yüzey
genellikle ızgara şeklinde metalle kaplanır.Çünkü metaller iyi bir yansıtıcıdırlar,
ızgara şeklinde kaplanmasının sebebi ise tamamen kaplandığında ışık aygıta
giremeyecek olmasıdır.Arka yüzey içinse tamamen kaplanmaması için bir
sebep yoktur,sadece akım taşımasını kolaylaştıracak bir metalik kontak olması
yeterlidir.Bir güneş pilinde ışığı soğuran yüzey alanı ne kadar büyükse üretilen
güç o kadar büyük olur.
Işığın soğurulması ve yük taşıyıcılarının oluşturulmasında yariletkenler

önemli bir rol oynar.Işığın etkin bir şekilde soğurulması ve yük taşıyıcıları
oluşturma konusunda çeşitli çalışmalar yapılmaktadır.Bu ihtiyaca cevap
verebilecek malzemeler yüksek optik soğurma,direkt bant aralığı,düşük
konsantrasyonda rekombinasyon merkezleri ve kararlı olmalarıdır.Bu amaç
doğrultusunda uygun güneş enerjisi malzemesi seçilir,en iyi büyütme şartı temin
edilir ve malzemenin mekanik,yapısal ve optik özellikleri karakterize edilir.Daha
sonra foton etkisiyle yük taşıyıcıları oluşturmak,rekombinasyona uğramadan önce
onları ayrı tutmak gerekir.Bu da elektronik aygıtta kuvvetli built-in elektrik
alanını gerektirir.
35
Bu yüzden bir PV aygıtın kalbi;uygun yarıiletkenlerin bir araya getirilerek

bir ya da daha fazla arayüzey oluşturulması ve bu aygıtlardan yük taşıyıcılarını
çıkaracak iki tane elektriksel kontak yapmaktır.En basit bölge ise pn eklemindeki
deplasyon bölgesinin olduğu yapıdır.PV aktifliği arttırmak için kuvvetli bir
built-in elektrik alanına sahip yararlı bir deplasyon bölgesi,yüksek optik soğurma
özelliklerine ve düşük rekombinasyon merkezlerine sahip bir yarıiletken
gereklidir.Uygun bir deplasyon bölgesi elde edilmesi için eklemi oluşturan iki
yarıiletken malzemenin katkı konsantrasyonu son derece belirleyicidir.En doğru
olan deplasyon bölgesi genişliği özel bir amaç için planlanan aygıt tasarımına
bağlıdır.Şekil 3.5 bir pn homoekleminin enerji-bant diyagramını ve bir pn
ekleminde fotovoltaik aktiflik mekanizmasını şematik olarak göstermektedir.
Şekil 3.5: Bir pn homoekleminin enerji-bant diyagramı
Bu konuda kulanılan en önemli tasarımlardan biri; p-i-n tipi arayüzeyler

üretilmesidir.Bu yapı p ve n tipi yarıiletkenler arasına sandviç biçiminde katkısız
(i = asal) yarıiletken veya yalıtkan yerleştirilmesi ile elde edilir.Bu yapının
enerji-bant diyagramı Şekil 3.6’da gösterilmiştir.
Şekil 3.6: Bir p-i-n diyodun enerji-bant diyagramı

36
Denge durumunda aygıtın Fermi seviyesi bir tane olacağından dolayı denge
sonunda i-bölgesinde kuvvetli bir elektrik alan oluşur.Bu şekilde bant aralığına
yakın engel yüksekliği de elde edilebilir.Güneş pilinde kullanılacak aygıtın bant
aralığı uygun seçildiğinde en iyi verim değerleri elde edilebilir.Güneş enerjisi
spektrumu yaklaşık 5800K’lik bir malzeme ile siyah cisim spektrumunun sıcaklık
değeri çok yakındır.Bu sıcaklık gazın görünür ışığa göre etkin olarak geçirgen
olduğu güneşteki fotosfer yüzeyindeki gazın sıcaklığıdır.Güneş ışığının en yoğun
şiddeti görünür bölge spektrumun sarı-yeşil bölgesine denk gelir.Bu durum
gözlerimizin neden bu dalga boyu civarındaki ışığı algıladığını da açıklar.
Güneş için basit bir tek eklemli güneş pili diyodu ile en yüksek verim elde
etmek için yaklaşık 1.4 eV değerinde bir bant aralığına sahip olması gerekir.Bu
değer de GaAs’in bant aralığına oldukça yakındır.Bu durumda prensip olarak bir
bileşik yarıiletken gerekmemelidir.Güneş spektrumunda 1.4eV ’tan daha düşük
bant aralıklı bu tür bir aygıt için enerjisinin tamamı kaybedilir.Yani bu
durumda aygıt geçirgendir.Daha yüksek verimler için çoklu eklemler içeren yapılar
kullanılmaktadır.Her bir eklem güneş spektrumunun bir kısmını soğurur ve kalanı
da aygıtın daha alt eklem veya kısımlarına iletilir. [5]
3.3 Bir Güneş Pilinin Karakteristikleri

Daha önce bahsedildiği gibi tipik bir PV hücre doğrultma özelliği gösteren
bir veya daha fazla arayüzey içeren ve her iki uçta da yük toplayabilen iki tane
elektriksel kontak içeren bir aygıttır.Genellikle omik kontak olarak kullanılan
bu iki elektriksel kontağın tabiatı kullanılan aygıt tasarımına göre değişir.Ancak
doğrulta özelliği gösteren metal kontaklar aynı zamanda aygıttaki elektrik alanı
artırmak için de kullanılır. [5]
3.3.1 Karanlıkta Bir Güneş Pilinin Akım-Gerilim

Karakteristikleri
Bir Schottky diyodun karanlık altındaki I-V (akım-gerilim) ilişkisi şu eşitlikle
verilir:
[ ( )] [ ( ) ]
∗ 2 −eΦB eV
I = AA T exp exp −1 (3.1)
kT nkT
[ ( ) ]
eV
I = I0 exp −1 (3.2)
nkT
37
Son eşitlikteki I0 sızıntı akımıdır.Aygıta yaklaşık olarak 75 mV’tan daha

büyük bir gerilim uygulandığı zaman;
( )
eV
>> 1
nkT
olur ve ”1” parantez içindeki ifadenin yanında ihmal edilebilirse; I-V ilişkisini
veren eşitlik;
( )
eV
I = I0 exp (3.3)
nkT
ifadesine dönüşür.İfadeyi düzenleyecek olursak bir PV aygıtın karanlık
altındaki V analizi açısından kullanışlı olan
( )
q
ln(I ) = V + ln(I0 ) (3.4)
2, 303nkT
denklemini elde ederiz.Lineer ölçekte I − V grafiğinin karanlık altındaki
şartlarda uygun şematik gösterimi Şekil 3.7’de gösterilmiştir.Benzer şekilde
logaritmik akıma karşı lineer V değişimine ait şematik bir karakteristik de Şekil
3.8’de gösterilmiştir.Yarı logaritmik çizmek yukarıdaki eşitliğe benzetmek ve
parametreleri kolaylıkla bulmak için yapılır.ln(I) − V grafiğinin lineer kısmına
doğrusal bir fit yaparak fitin eğiminden idealite faktörü n’yi;
(
q )
eğim = (3.5)
2.303nkT
eşitliğinden bulabiliriz. [5]
Şekil 3.7: Lineer ölçekte farazi bir doğrultucu kontağın karanlıktaki I − V grafiği
örneği
38
Şekil 3.8: Logaritmik ölçekte farazi bir doğrultucu kontağın karanlıktaki I − V

grafiği örneği
3.3.2 Işık Altında Bir Güneş Pilinin Akım-Gerilim

Karakteristikleri
Işık altındaki pn güneş pilinde fotonların etkisi ile oluşan akım karanlıktaki
akım yönü ile ters yönde akar.Bu yüzden net akım yazılırken iki akım farkına
bakmamız gerekir.Yani ışık altındaki diyot akımı;
( )
eV
I = I0 exp − IS C (3.6)
nkT
ile ifade edilebilir.Burada ISC güneş pilinin ışık altındaki ürettiği akımı
belirtir.Işık etkisi ile yük taşıyıcıların oluşma mekanizması Şekil 3.9’daki
enerji-bant diyagramında görülmektedir.Enerjisi yeterli olan foton, elektronları
valans bandından iletkenlik bandına çıkarır.Oluşan yük taşıyıcıları eklem
bölgesindeki elektrik alan tarafından zıt uçlara doğru sürüklenir.
Şekil 3.9: Işık etkisi ile bir eklemde yük taşıyıcılarının oluşumunu ve zıt kutuplara
hareketi
39
Işık altındaki ve karanlıktaki I − V değişimi lineer ölçekte aşağıdaki

Şekil 3.10’daki gibi olur. [5]
Şekil 3.10: Karanlıkta ve ışık altındaki bir güneş pilinin I-V karakteristikleri
3.4 Safsızlığın Fotovoltaikler Üzerine Etkisi

Termodinamik ve temel katı hal fiziği derslerinden bildiğimiz üzere gerçek
yarıiletkenlerde safsızlık ve kusurlardan dolayı malzemelerin bant aralığı içinde
çok sayıda kusur seviyeleri bulunabilir.Örgü uyumsuzluğu ile diğer yüzey
etkilerinden dolayı katmanlar arayüzeyinde ve dolayısı ile yapıda çok sayıda bu
tür enerji seviyelerinin bulunması da normaldir.Şekil 3.11’deki yapıda bu türden
enerji seviyeleri aygıtın arkasına yakın yerlerde ve fotonların yük taşıyıcılarına
dönüştürüldüğü yerde bulunmaktadırlar.İki ya da daha fazla fotonun farklı
aşamada soğurulması bir elektron-hol çifti oluşturabilir.Bu tür olaylarda valans
bandındaki holler ile iletkenlik bandındaki elektronlar farklı zamanlarda
görülebilirler ve aygıtta olabilen etkin eğimlerle kolaylıkla ayrılabilirler.Bu durum
rekombinasyon ihtimalini zayıflatır.Bu tür bir aygıt yapısı safsızlığın fotovoltaik
aygıt üzerine etkisi bakımından rekombinasyon ve jenerasyon işlemlerini azaltır.
40
Şekil 3.11: Bir fotovoltaikte safsızlık fotovoltaik etkisi ile birlikte tasarlanan
güneş pili
Fotovoltaik güneş pilleri kusurların varlığından fazla derecede

etkilenirler.Aygıtın kararlılığı,performansı ve verimi olumsuz şekilde etkilenebilir.
Ölçülen I −V karakteristiklerinin doğası uygulanan dış elektriksel gerilim,sıcaklık
farkı veya ışığa maruz bırakma durumunda etkilenebilir.Aygıtın arayüzeyinde
Fermi seviyesinin konumu değiştiği zaman I − V grafiklerinde kendine has
karışıklıklar,ani iniş çıkışlar ve farklı bozulmalar olabileceği deneysel çalışmalarda
görülebilmektedir.Kızılötesi fotonlarla safsızlık seviyelerine uyarılan elektronlar
ya başka bir kızılötesi fotonu ile veya çarpma ile oluşan iyonizasyon sonucu
iletkenlik bandına geçiş yapabilir.Morötesi ve görünür fotonlarla aygıtın
(Şekil 3.11) ön tarafında oluşan elektronlar yeterli momentum kazanarak yapı
içinde hızlanarak,arkadaki kusur seviyelerinde tuzaklanan elektronları
buralardan iletkenlik bandına çıkarabilirler.Bu şekilde iletkenlik bandına
geçmeleri sonucu geçişlerdeki kayıplar azalır.Sonuç olarak, çarpma ile oluşan
iyonlaştırma güneş pilinde daha fazla yük taşıyıcı oluşturmak için bahsettiğimiz
iki farklı işleme yardımcı olmaktadır. [5]
41
Bölüm 4
ORGANİK GÜNEŞ PİLLERİ
Organik yarıiletkenler karbon bazlı,yarıiletken özellik gösteren

malzemelerdirler.Bir organik yarıiletken molekülü içindeki atomlar konjuge olmuş
(ardışık tek-çift bağlı yapı hali) π bağları ile birbirlerine bağlı iken,moleküller
arasında zayıf van der Waals bağları bulunur.Hücre üzerine gelen güneş enerjisini
organik tabaka tarafından emerek, elektrik enerjisine dönüştürürler. İnorganik
güneş hücrelerinden farklı olarak geniş yüzeylere kaplanabilmesi, düşük maliyetli
olması ve kolay üretilebilmesinin yanı sıra organik kimyasındaki gelişmelere
paralel olarak daha farklı özellikler kazandırılabilinir olması bu teknolojinin
avantajlarındandır.Organik yarıiletkenler bir π konjuge sistemiyle oluşan organik
moleküllerden oluşurlar.Karbon atomları sp2 hibritleşmesine sahiptirler ve sp2
bağları komşu atomlarla üç tane kuvvetli s bağı oluştururlar.Karbonun geriye
kalan p-orbitalleri daha zayıf π bağlarının oluşması ile lokalize olmamış
elektron bulutu oluştururlar.Bu tür bir bağ yapısı konjuge organik yarıiletkenin
yaklaşık olarak bir boyutlu yapısını oluşturur.Elektronik aygıtların fiziksel yapısı
ile yorumu genellikle bant yapısı ile açıklanır.Organik yarıiletkenlerdeki bant
yapısı da benzer şekilde açıklanabilir.
Valans bandına benzeyen işgal edilmiş en yüksek moleküler orbital

(HOMO=Highest Occupied Molecular Orbital) seviyesi ve iletkenlik bandına
benzetilebilecek olan işgal edilmemiş en düşük moleküler orbital (LUMO=Lowest
Unoccupied Molecular Orbital) seviyesi bulunur.Şekil 4.1 farklı enerji
seviyelerine karşılık gelen bağ kurulmuş ve kurulmamış π bağlarının iki farklı
halini göstermektedir.Bir elektron HOMO seviyesinden LUMO seviyesine
uyarıldığı zaman molekül kendiliğinden daha yüksek bir enerji haline uyarılır.
42
Şekil 4.1: Bir organik yarıiletkenin HOMO ve LUMO seviyeleri arasındaki bağ
kurulma ve kurulmama durumu
Organik yarıiletkende bir foton soğurulmasıyla bir elektron HOMO

seviyesinden LUMO seviyesine uyarılır.Organik yarıiletkenin düşük dielektrik
sabitinden,elektron ile holün dalga fonksiyonlarının lokalize olmalarından dolayı
elektron ile hol arasında kuvvetli bir çekici Coulomb etkileşmesi oluşur.Bu bağlı
olan elektron-hol çifti eksiton olarak adlandırılır.Eksitonların enerjileri yaklaşık
olarak 0, 1 − 1, 4 eV mertebesindedir.Bu değer inorganik yarıiletkenlerdeki birkaç
meV olan bağlana enerjisinden çok daha büyüktür.Yani elektron-hol çifti
inorganik yarıiletkenle termal enerji ile rahatlıkla oluşabilirken,organik
yarıiletkenlerde bağlanma enerjileri daha büyük olduğu için elektron-hol çiftini
ayırmak için daha büyük enerji gerekmektedir. [2]
Şekil 4.2: Organik bazlı heteroeklemin donor ve alıcı malzemelerinin bantlarının

aynı hizaya gelme durumları
43
4.1 Organik Güneş Pillerinde Yüklerin

Taşınması
Eksiton bozulması sonucu ayrılan çiftler elektrotlara doğru hareket
ederler.Hollerin anoda,elektronların ise katoda doğru hareketlerinin ana itici
kuvveti sürüklenme ve difüzyon akımlarıdır.Güneş pilindeki potansiyel farktan
dolayı oluşan taşıyıcı hareketi sürüklenme akımı olarak adlandırılır.Bu
potansiyel fark aslında bir güneş pilindeki elektrotların seçilmesiyle bulunur.
Genellikle düşük iş fonksiyonlu bir katot ile yüksek iş fonksiyonlu bir anot
kullanılır ve aradaki fark güneş pilinin açık devre gerilimi VOC ’yi belirleyen pil
içinde bir built-in elektrik alanı üretir.Bir dış gerilim uygulandığında iç elektrik
alan değişir ve bundan dolayı sürüklenme akımı değişir.
Yük taşınımını sınırlandıran en önemli faktör aktif tabakadaki

mobilitedir.Organik malzemelerde elektron ile hollerin mobiliteleri düşük
olduğundan aktif tabakanın yük taşıyıcılarının kendi yaşam süreleri dahilinde
elektrotlara ulaşabilecek kadar ince olması gerekir.Organik malzemelerde
elektronların mobiliteleri yüksektir.Bundan dolayı katoda ulaşan elektronların
oranları anoda varan hollerden daha fazla olduğu için elektronlar katot civarındaki
arayüzey kısmındaki aktif bölgede birikebilirler. [2]
4.2 Elektrotlardaki Yüklerin Tahliyesi

Yük taşıyıcılarının aktif tabaka ile elektrot arasındaki arayüzeye
taşınmasından sonra yük taşıyıcılar aktif tabakadan elektrotlara doğru çıkarılırlar.
Yüksek verim elde etmek için aktif tabaka ile elektrot arayüzeyindeki
potansiyel engel mümkün olduğu kadar küçük olmalıdır.Bu sebeple anodun iş
fonksiyonu donor HOMO seviyesine,katodun iş fonksiyonunun da alıcının LUMO
seviyesine uyması beklenir.Bu şartlar sağlandığı zaman kontaklar omik kontak
olurlar ve VOC alıcı LUMO ve donor HOMO seviyeleri arasında pozitif bir fark
üretir.Eğer bu durum sağlanamazsa omik kontak oluşmayabilir.Bu durumda ise
taşıyıcı tahliyesi davranışı metal/yalıtkan/metal yapısı ile idare edilir.
Elektrotlarda iş fonksiyonu uyumu için farklı malzemelerden elektrotlar

kullanılır.Genellikle P3HT (poli-3-hekzil tiofen) HOMO seviyesine iyi uyum
sağladığı için iş fonksiyonu 4,7 eV olan ITO (indiyum kalay oksit) anot olarak
kullanılır.Katot için PCBM (fenil-C61 -butrik asit metil ester)’in LUMO
seviyesine uyumundan dolayı iş fonksiyonları küçük olan Al(4,2 eV) yaygın olarak
kullanılır. [1]
44
Şekil 4.3: Elektrotlarda yük tahliyesi
4.3 Güneş Pili Tasarım Örnekleri

4.3.1 İki Katmanlı Güneş Pili Yapısı
En genel iki katmanlı güneş pili yapısı Şekil 4.4’teki gibi sırasıyla;
• Bir anot,
• Deşik toplayıcı tabaka,
• Donor ve alıcılardan oluşan aktif tabaka
• Katottan oluşur.
Deşik ve elektron toplayan tabakalar omik kontak amacı ile elektrotların iş
fonksiyonlarını değiştirmeyi sağlar.
Şekil 4.4: İki katmanlı bir güneş pili tasarımı

45
İki katmanlı güneş pilinin bir dezavantajı; organik malzemelerin kısa

eksiton difüzyon mesafelerinin donör ve alıcı tabakalarını sınırlamasıdır.Bu
tabakalar çok kalın olursa heteroeklemden uzakta oluşan eksitonlar ekleme
ulaşmadan rekombinasyona uğrayabilirler.Zayıf soğurma olmaması için donor ve
alıcı tabakalarının kalınlıkları sınırlı tutulur (nm mertebesinde). [2]
4.3.2 Hacimli Heteroeklem Yapıdaki Güneş Pilleri

Bu tür bir elem yapısı termal olarak kaplama yapılmasına rağmen, bir
çözelti içinde donör ve alıcı sağlayıcı malzemelerin karıştırılası ve daha sonra
altık üzerine karıştırılan çözeltinin spin kaplama yöntemi ile bir aktif tabakanın
oluşturulması ile elde edilebilir.Bu durumda elde edilen film donor ve alıcı içeren
malzemelerin iç içe geçtiği nano-ölçekli bir ağı olur.Hacimli haldeki
heteroeklemlerin dahili kuantum verimi hemen hemen ”bir” dir,bu foton ile
oluşan tüm eksitonların bozulduğu anlamına gelir.Güneş pillerinin performansını
iyileştirmek için tavlama,çözücü tavlama ve polimer fonksiyonel gruplarını
değiştirmek gibi farklı metotlar kullanılmaktadır.Organik güneş pillerinde aktif
tabakayı iyileştirmek için özellikle P3HT:PCBM hacimli heteroeklemler yaygın
olarak kullanılmaktadır. [2]
Şekil 4.5: Yığın haldeki güneş pilinin şematik sunumu

46
Şekil 4.6: P3HT’in molekül yapısı
Şekil 4.7: P C60 BM’in yapısının molekül yapısı
4.3.3 Ardı Ardına Dizilmiş (Tandem/Çok Eklemli)

Güneş Pilleri
Tandem güneş pilleri, güneşin geniş ışık spektrumundan daha fazla
yararlanmak için farklı enerji aralıklarına sahip güneş pillerini art arda sıralamak
esasına dayanır.Seri olarak dizilmiş güneş pilleri büyük bir VOC elde edilmesini
sağladığı gibi, bu yapıdaki farklı soğurma bölgelerine sahip bu güneş pilinin geniş
dalga boyu aralığında ışığı soğurmasını sağlar.Bu özellik literatürde P3HT:PCBM
ve ZnPc:C60 çok eklemli yapılarda görülmektedir.Bu yapılardaki büyük bir VOC
ve geniş bir soğurma aralığı elde edilebilmektedir.Tandem yapılar,alt piller
arasında bir arayüzey tabakası olarak küçük moleküler aktif tabakalar ve
titanyum oksit/PEDOT:PSS şeklinde polimerlerin kullanılmasıyla tamamen
çözelti şeklinde üretilebilir.Genel olarak daha çok tercih edilen yaklaşım güneş
pillerini ince film katmanları halinde üst üste yerleştirmektir, yani farklı yasak
enerji aralıklı eklemleri bir araya getirerek çok eklemli bir güneş pili yapmaktır.
47
Şekil 4.8: Tandem güneş pili yapısının aygıt tasarım örneği
Tandem hücreler birden çok p-n eklemin bir araya getirilmesi ile oluşturulur.
Tandem içerisindeki her bir p-n eklem belirli bir dalga boyu aralığındaki ışınımı
soğurup, kayıp dalga boylarını azaltarak verimin arttırılmasını sağlayacak şekilde
dizayn edilir. Bu sayede tekli fotovoltaik hücreler ile ulaşılması neredeyse
imkansız gibi görünen çok yüksek teorik verimler ortaya konmuş, buna bağlı
olarak yüksek pratikte de yüksek verimlere ulaşılabileceği öngörülmektedir. [4]
Şekil 4.9: PEDOT ve PSS’in moleküler yapıları

48
4.4 Güneş Pillerindeki Aktif Tabaka

Organik fotovoltaik pil, geçirgen bir elektrot ile bir metal elektrot arasına
sandviç biçiminde yerleştirilmiş ince bir organik fotovoltaik aktif tabakadan oluşur.
Polimer tabanlı güneş pili basitçe biri donör,diğeri alıcı vazifesi gören konjuge
durumdaki polimer karışımından oluşur.Konjuge olmuş donör polimeri ve
fullerenin (tamamen 60 karbon atomuyla meydana gelen bir tür molekül)alıcı
şeklindeki türevi yüksek performanslı polimer güneş pilleri için anahtar
fotovoltaik malzemelerdirler.Fulleren C60 Şekil 4.10’da görüldüğü gibi mükemmel
bi simetri yapıya sahip, içi boş bir küresel yapıdır.Beşgen yapıyı kuşatan
altıgenlerden oluşmuş mükemmel simetrik yapı söz konusudur.Yapının silindirik
olması durumunda yapı karbon nanotüp olarak davranır.Ayrıca fullerenin
elektron mobilitesi de oldukça yüksektir.Bir tane fulleren molekülü dört tane
elektron alabilir.
Şekil 4.10: Fulleren (C60)’ın moleküler yapısı

49
Fotovoltaik tabakadaki yarıiletken donör ve alıcı tarafından şeffaf

elektrot içinden geçerek gelen ışık soğurulduğu zaman eksitonlar oluşur.Sonra bu
eksitonlar alıcıların LUMO seviyesi üzerindeki elektronlar ile donörların HOMO
seviyesindeki hollere dönüştüğü yer olan donör/alıcı arayüzeyine difüze olurlar.
Eksiton bozulmasından sonra yapıda bulunan elektrik alan tarafından elektronlar
negatif elektroda,holler ise pozitif elektroda doğru harekete zorlanırlar.Bu olayın
sonunda yük taşıyıcıların elektrotlarda toplanması,ışığın elektrona yani elektriğe
dönüşmesi gerçekleştirilmiş olur.Şekil 4.11’de organik fotovoltaik bir donör ve
alıcı yapısının basit enerji-bant diyagramı (enerji seviyeleri) ile yük ayrılması
gösterilmiştir.Işık etkisiyle donör malzemelesinin LUMO seviyesine uyarılan
elektron daha sonra alıcı malzemesinin LUMO seviyesine hareket eder.Bu sayede
yük taşıyıcıları arayüzeyden uzaklaşmış olur.
Şekil 4.11: Organik fotovoltaikte enerji seviyeleri ile yük ayrılması

50
Şekil 4.12 bir P3HT/PCBM bileşik sistemindeki donör ve alıcı enerji

seviyelerini göstermektedir.Şekilde görüldüğü üzere ∆E1 donor ve alıcı
malzemelerinin LUMO seviyeleri arasında fark olup,eksiton bağlanma enerjisini
yenmek için donör malzemesindeki eksitonların yüklere ayrılması için gerekli
kuvvet/enerjiyi verir.∆E2 alıcı malzemesinin LUMO seviyesi ile donör
malzemesinin HOMO seviyesi arasındaki fark olup, açık devre voltajı VOC ’yi
verir.∆E3 donör ve alıcı malzemelerinin HOMO seviyeleri arasındaki fark olup,
alıcı malzemesindeki eksitonları ayırmak için gerekli enerjiyi tanımlar.
Şekil 4.12’deki verilerden P3HT/PCBM yapısının 380 nm’den 670 nm’ye kadar
olan bir soğurma bandını kapsadığı sonucu çıkarılabilir.Bu değerler aktif tabakada
2,0 eV ve 3,3 eV arasındaki enerjiye sahip fotonların soğrulabileceğini ve
eksitonların oluşabileceğini gösterir.Güneş ışığından daha iyi faydalanmak için
geniş soğurma bandına sahip aktif tabakalar gereklidir.Ancak bu amaç için çok
daha dar bant aralıklı malzemeler geliştirilmektedir. [2]
Şekil 4.12: P3HT/PC60 BM bileşik sistemindeki donör ve alıcı enerji seviyeleri
4.5 Güneş Pillerinde Işığın Tuzaklanması

Daha önceden de bahsedildiği üzere güneş pili üretiminde hedeflenen nokta
yüksek oranda ve farklı enerjilerde güneşi soğurup yüksek verimli malzeme elde
etmektir.Bu konudaki en önemli teknik;güneş pili malzemesi içinde soğrulan
ışığı artırmak için ışığı tuzaklayan yapılar kullanmaktır.Bu tekniğin amacı ışık
altındaki elektron-hol çifti oluşturabilecek güneş pili malzemesinde tuzaklanan
ışık veya foton miktarını artırmaktır.Işık tuzaklayan yapılar ucuz bir altlık ve
daha düşük maliyetteki güneş pili malzemesi kullanarak daha iyi soğurma imkanı
sağlarlar.
51
Güneş pillerinde kullanılan silikon tabanlı yapılarda daha fazla ışık

iletimi için yansımayı azaltan/engelleyen kalınlığı gelen monokromatik ışığın dalga
boyunun dörtte birine eşit SiO2 , Si3 N4 , T a2 O5 , Al2 O3 , T iO2 ve CeO2 gibi
tabakalar kullanılır.Yansımayı engelleyen tabaka malzemesinin kırılma indisi
malzeme ile havanın kırılma indisleri arasında bir değerde olmalıdır.Yansımayı
engelleyen tabakanın (dielektrik filmin) kalınlığı:
λ0
d=
4n1
ifadesinden hesaplanabilir.Burada λ0 belirlenen değerdeki gelen ışığın dalga boyu
ve n1 ise yansımayı engelleyen dielektrik filmin kırılma indisidir.
Daha fazla ışık tuzaklaması elde etmek için belirli yapıların

kombinasyonundan oluşan yapılar da elde edilebilir.Bu amaçla özel olarak yapılan
silikon tabanlı yapılarda silikonun yüzeyi asidik bileşiklerle dağlanabilir
(etching).Özel olarak yapılan yapılar piramit veya ters çevrilmiş piramit,nanotel,
ızgara veya bal peteği deseni şeklinde olabilir.Bu yapıların çoğu büyük ebatlı
oldukları için özellikle mikrometre veya daha düşük boyuttaki ince film güneş
pillerinde pek de uygun değildirler.Ancak ince film güneş pilleri üzerinde yapılan
çalışmalar her geçen gün kullanılan malzeme miktarı ile maliyetinin düşürülerek
yeni malzemeler üretildiğini göstermektedir. [2]
52
Bölüm 5
UYGULAMA ALANLARI
İnsanların güneş enerjisinden teknolojik olarak yararlanması,yani güneş

enerjisini kendi geliştirdiği yollarla başka enerjilere dönüştürmesi,bir hayli eskilere
dayanır.Bilinen ilk uygulamalardan biri,Arşimed’in Sirakuza’da güneş ışınlarını
büyük aynalarla yoğunlaştırarak düşman gemilerine odaklaması ve onları
yakması olarak bilinir.17.yy da,yine aynalarla güneş ışınlarının yoğunlaştırılarak
odun yığınlarının yakılmasında kullanıldığı,18.yy da yoğunlaştırılmış güneş
ışınlarının kimyasal tepkimelerde ve güneş ocaklarında kullanıldığı görülür.19.yy
da güneş enerjisi uygulamaları artmıştır.Yoğunlaştırılmış güneş enerjisi ile metal
eritme, su dağıtma,buhar üretme,güneşle çalışan buhar makinası,baskı
makinası gibi yapılan çalışmalar,uygulama örnekleri olarak gösterilebilir.1954
yılında Bell laboratuarında güneş pillerinin geliştirilmesi ile güneş pilleri güneş
enerjisini doğrudan elektrik enerjisine dönüştüren aygıtlar olarak giderek yaygın
kullanım alanları bulmuşlardır.
Bilindiği gibi dünyadaki tüm canlıların yaşaması güneşe bağlıdır.Canlılar

için hem ışık hem de ısı kaynağı olan güneş aynı zamanda dünyamızın tek
enerji kaynağıdır.Günümüzde birçok ülke enerji problemleri nedeniyle,
yenilenebilir enerji kaynaklarına büyük önem vermektedir.Güneş enerjisi ise
üzerinde en çok araştırma yapılan yenilenebilir enerji kaynağıdır.Güneş
enerjisi teknolojilerinden en önemli olanı fotovoltaik güneş teknolojisidir.Uzay
istasyonlarında kompleks olmayan yöntemlerle kullanılan güneş pilleri günümüzde
neredeyse hayatımızın her alanına girmiş bulunmaktadır.
53
Güneş pillerinin kullanım alanları ise;
• Park, bahçe, sokak ve otopark aydınlatmaları
• Trafik işaret levhaları
• Sıcak su üretiminde
• Hesap makinelerinde,saatlerde
• Evlerde elektrik ihtiyaçlarının karşılanmasında
• Deprem ve hava gözlem istasyonlarında
• Arazi aydınlatılmasında
• GSM vericilerinin ve radyo istasyonlarının enerjilerini karşılamak için
• Güneş arabalarında
• Yapay uydularda
gibi sıralanabilir.
Şekil 5.1’de basit bir kapalı şebeke sisteminin bir tasarımı gösterilmektedir.
Bu sistemde dış etkenler ve hava koşulları sistemin verimini etkilemektedir. [2]
Şekil 5.1: AC ve DC yüklerinden bağımsız basit bir şebeke dışı PV sisteminin

gösterilmesi
54
5.1 Avantajları
Güneşin enerjisi,hidrojenin helyuma dönüşmesi sırasında ortaya çıkan
enerjinin ışınım biçiminde uzaya yayılmasıdır.Güneş daha milyonlarca yıl
ışımasını sürdüreceğinden,dünyamız için sonsuz bir enerji kaynağıdır.Güneş,
dünyadaki tüm enerji kaynaklarına dolaylı ya da dolaysız olarak temel
oluşturmaktadır.Güneş ışınları ile dünyaya 170 milyar MW güçte enerji
gelmektedir.Bu değer,dünyada insanoğlunun bugün için kullandığı toplam
enerjinin 15-16 bin katıdır.Fotovoltaik hücreler (PV hücreler) gürültüsüz,çevreyi
kirletmeden,herhangi bir hareket eden mekanizmaya gereksinim duymadan güneş
enerjisini doğrudan elektrik enerjisine çeviren sistemlerdir.
Güneş enerjisini doğrudan elektrik enerjisine dönüştürmek için fotovoltaik

sistemler kullanılır.Bu sistemlerde güneş izleme düzeni ve elektronik güç
dönüştürücüleri kullanılarak her an mümkün olan en yüksek güneş enerjisinden
yararlanılır.Güneş enerjisinin kullanıldığı güneş elektrik santralleri;güneş
enerjisini doğrudan elektrik enerjisine dönüştüren güneş hücreleri (solar cells)
giderek yaygınlık kazanmaktadır.Fotovoltaik güç sistemleri diğer elektrik enerjisi
üretim sistemleri ile karşılaştırıldığında günümüzde çok pahalı olarak görünseler
de,yakın gelecekte güç üretimine önemli katkısı olabilecek sistemlerdir.
• Güneş enerjisi temiz, yenilenebilir ve sürekli bir enerji kaynağıdır.
• Güneş enerjisi ile çalışan sistemler kolaylıkla taşınıp kurulabilir.
• Çevreyi kirletici atıkları olmayan, çevre dostu, gerektiğinde enerji

ihtiyacına bağlı olarak kolayca değiştirilebilen sistemlerdir.
• Güneş enerjisinin, yakıt sorununun olmaması, işletme kolaylığı, mekanik

yıpranma olmaması, modüler (değişebilir) olması, uzun yıllar sorunsuz
olarak çalışması gibi üstünlükleri vardır.
• Güneş pili, dayanıklı, güvenilir ve uzun ömürlüdür.
• Elektrik şebeke hattı bulunmayan ya da şebeke hattının götürülmesinin

pahalı olduğu kırsal yörelerde güneş pillerinin kullanımı daha ekonomik
olabilmektedir.
• Her ev, kendi enerjisini çatısına kurduğu güneş pilleri ile karşılayabilir.
Böylece iletim ve enerjiyi taşıma maliyetleri ve kayıpları ortadan kalkar.
55
Burada bahsettiğimiz gibi güneş enerjisinin faydaları ve kullanım alanları

çok temiz zararsız ve çok faydalı sürekli devam eden bir kaynaktır.Bu kadar
faydalı olan bu yenilebilir enerji kaynağımızı kullanmak hem bütçeye hem
ekonomiye hem de çevreye çok yararlı bir seçimdir. [7]
5.2 Dezavantajları
Neredeyse hiçbir enerji kaynağının biyo-çeşitlilik üzerine etkisinin ’sıfır’
olduğu iddia edilemez.Fosil yakıtlar,iklim değişikliği ve çölleşmede etkisi
bulunan gazlar çıkardıkları için en büyük tahribatı yaratıyor.Yakın zamanda
görülen örnekler de nükleer kazalar ve petrol sızıntılarının canlı yaşamı yok
edebildiğini gösterdi.Ancak yenilenebilir enerji kaynakları dahi bazı sorunlar
ortaya çıkarabiliyor.Rüzgar türbinleri kuşların göç rotalarıyla çakışabiliyor ve
bazı kırsal bölgelerde gürültü sebebiyle tepkilere yol açtı.Ancak sektörün sıklıkla
altını çizdiği bir husus, güneş enerjisinin bu problemlerden büyük ölçüde arınmış
olması.Güneş enerjisi diğer yenilenebilir enerji türleri arasında en masumudur
diyebiliriz.Az sayıda da olsa dezavantajlarını kısaca sıralayalım;
• Güneş Pillerinin verimleri düşüktür (% 15 civarı),
• Fotovoltaik pillerin üretim kaynaklı başlangıç ve tüketim maliyeti

yüksektir, ancak teknolojik gelişmeler ile enerji giderek yaygınlaşmakta
ve maliyette düşmektedir.
• Kesintili bir kaynak olan güneş enerjisinin depolanma imkanları sınırlıdır.
• Depolama ünitelerinin bakımı ve ömürleri gibi dezavantajlar sistemin

verimini düşürmekte ve enerjinin maliyetini artırmaktadır.
5.3 Verim
Bilim dünyası tarafından güneş pillerinde verimliliği artırmak amacıyla
birçok çalışma gerçekleştirilmektedir.Alman Fraunhofer Enstitüsü araştırmacıları,
yoğunlaştırıcı fotovoltaik sistem (CPV) ile % 44.7 oranında verimlilik sağlayarak
güneş pili teknolojisinde dünya rekorunu elde etmiştir.Güneş bataryasının bu
çeşidi yoğunlaştırıcı fotovoltaik sistem (CPV) olarak adlandırılmaktadır.En
yüksek verimliliği gerçekleştirmek amacıyla tasarlanan,III-V çoklu birleşim güneş
hücreleri uzay teknolojisi olarak nitelendiriliyor.
56
Bu çoklu birleşim güneş pili birkaç yarıiletken hücrenin birbiri üstüne

yığılmasıyla meydana gelmektedir.Bu hücreler farklı spektrumdaki güneş
dalgalarını maksimum düzeyde emerek kayıpları azaltmaktadır.Şekil 5.2’de III-V
üçlü bağlantı hücresinin alt hücrelerinin dış kuantum verimliliği gösterilmektedir.
Şekil 5.2: Üç eklemli III-V güneş pilinin dış kuantum verimliliği
Fotovoltaik modüllerin verimliliğini etkileyen bir diğer faktör modül

yüzeyinin kirlenmesidir.Kirlenmeden dolayı hücrelere iletilen güneş ışınımın da
azalma olur.Işınımda ki bu azalma soğurulma miktarını azaltır ve üretimde
kayıplar görülür.Modül yüzeyinde oluşan kirlilik yağışlardan,tozlanmadan vb.
çevresel etkenlerden kaynaklanır.Modüllerin konumlandırılması verimliliği
etkileyen bir diğer önemli konudur.Modüller maksimum verimi güney cephesinde
vermektedir.Panellerin hareketli bir konstrüksiyon üzerinde tasarlanmaları
durumunda güneş ışığını takip edebilmekte ve günün her saatinde en yüksek
verim alabilmektedir.Panellerin aşırı ısınması sonucu kayıplar oluşur.Ortam
sıcaklığı yükseldikçe hücre sıcaklığı da yükselir ve sistemde kayıplar oluşur.Bu
kayıpları önlemek için soğutma sistemleri kullanılır.Panelleri konumlandırmadan
önce bölgenin yıl içindeki sıcaklık değerleri bilinmelidir ve buna göre
konumlandırma yapılmalıdır.Fotovoltaik panellerin gölgede kalması da modül
verimliliğini etkilemektedir.Gölgeye neden olan etkenler dağlar,ormanlık araziler,
ağaçlar,binalar vb. çevresel etkenlerdir.Hücre üzerindeki küçük bir gölgelenme
verimliliğe önemli ölçüde etki eder.Bir hücredeki gölgelenme diğer dizelerde ki
hücrelerin performansını da önemli ölçüde etkiler.Dış etkenlerden kaynaklanan
gölgelenmenin yanı sıra aynı dizede ki modül sırası öndeki modül sırası tarafından
gölgelenebilir bu da verimliliğe etki eder.Bu kayıpların yanı sıra sistemde oluşan
kayıplar,kablolarda oluşan kayıplar,doğru akımı alternatif akıma çevrimde
kullanılan invertörlerde oluşan kayıpları söyleyebiliriz.
57
Aşağıdaki grafikte ise farklı yenilenebilir enerji kaynaklarının maliyetleri ve

verimleri ile ilgili bir grafik verilmiştir.Şekil 5.3’te farklı yöntemler için
düzeylendirilmiş elektrik maliyetini göstermektedir.Fotovoltaiklerin ürettiği
elektriğin düzeylendirilmiş maliyeti yenilenemez teknolojilerin biraz üzerindedir.
[2]
Şekil 5.3: Farklı kaynakların seviyelenmiş maliyeti ve elektrik üretim teknolojileri

58
Kaynaklar
[1] Taylor Francis, Introductry Semiconductor Device Pyhsics School of

Electronics and Computer Science Microelectronic Group The University
of Southampton (2004)
[2] Klaus Jger,Olindo Isabella Solar Energy Fundamentals Copyright Delft

University of Technology (2014)
[3] Jean-Pierre Colinge,Cynthia A. Colinge Physics of Semiconductor Devices

Kluwer Academic Publishers (2005)
[4] Angus Rockett, The Materials Science of Semiconductors Springer (2008)
[5] Şakir Aydoğan Katıhal Elektroniği Nobel (2015)
[6] Peter Y. Yu, Manuel Cardona Fundamentals of Semiconductors Physics and

Materials Properties Springer (2010)
[7] Konrad Mertens Photovoltaics Fundamentals, Technology and Practice

Wiley (2014)
[8] M. A. Omar Elementary Solid State Physics Principles and Applications

Addison-Wesley (1993)
[9] Darko Jardas,Andrej Čotar,Andrej Filčić Photovoltaic Systems

REA Kvarner d.o.o. (2012)
[10] R.Trykozko Principles of Photovoltaic Conversion of Solar Energy

Opto-Electr.Rev (1997)

Fotovoltaik Sistemler

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Fotovoltaik Sistemler

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

FOTOVOLTAİK SİSTEMLER

LİSANS BİTİRME PROJESİ

Dokuz Eylül Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü 2017-2018 öğretim

Prof. Dr. Hasan KARABIYIK

Prof. Dr. Hasan KARABIYIK

Sınav Jüri Üyeleri:

Prof. Dr. Hasan KARABIYIK

Prof. Dr. Kemal KOCABAŞ

Prof. Dr. Birol ENGİN

Dr. Öğretim Üyesi Kadir AKGÜNGÖR

Doç. Dr. Nazlı BOZ YURDAŞAN

Anahtar kelimeler: Fotovoltaik,yariletken,diyot

Bu çalışma boyunca sadece ﬁzik alanında değil disiplinlerarası yaklaşımıyla

Her daim olumlu yaklaşımları ve destekleyici görüşleriyle yanımda olan

Sadece eğitim hayatımda değil sosyal yaşamımda da yanımda olan sayın

Tüm bu süreçlerde yanımda olan, desteğini ve anlayışını her zaman

Hayatımın her anında desteklerini esirgemeyen her türlü zorlukta arkamda

Üniversite hayatım boyunca not,baskı,dijital içerik konusunda desteğini

Son olarak burada isimlerini yazmadığım ancak hayatımı öğrettikleri

1 ENERJİ BANT TEORİSİ 1

4 ORGANİK GÜNEŞ PİLLERİ 41

1.1 Serbest elektron için k’ya karşıenerji değişimi . . . . . . . . . . . . 3

2.1 PN eklemi ve diyodu ve diyodu temsil eden simge . . . . . . . . . 24

3.1 1-Uygun bir malzeme ile fotonların soğurulması . . . . . . . . . . 33

3.6 Bir p-i-n diyodun enerji-bant diyagramı . . . . . . . . . . . . . . . 35

4.1 Bir organik yarıiletkenin HOMO ve LUMO seviyeleri arasındaki

5.1 AC ve DC yüklerinden bağımsız basit bir şebeke dışıPV sisteminin

ENERJİ BANT TEORİSİ

1.1 Bir Kristal İçerisinde Elektron

1.1.1 Elektron Davranışının İki Örneği

Bu modeli uygulayabilmek için çevresiyle etkileşmeyen elektrona ihtiyaç

Burada E elektronun enerjisi ve m onun kütlesidir.(1.1) eşitliğinin çözümü:

Ψ(x) = C1 exp(jkx) + C2 exp(−jkx) (1.2)

ifadesi elde edilir.Böylece px operatörünün öz değerleri;

olur.Buradan dalga sayısı olan k sayısının ~ çarpanına sahip elektronun

Serbest elektronun enerjisi Şekil 1.1’de gösterildiği gibi k

Şekil 1.1: Serbest elektron için k’ya karşı enerji değişimi

Kutudaki Parçacık Yaklaşımı

Serbest elektron durumunu inceledikten sonra hapsedilmiş ya da hareketi

Şekil 1.2: Kutudaki Parçacık; a)Potansiyel kuyusu ,b)Enerji seviyeleri, c)Dalga

Elektron potansiyel kuyusunda tuzaklanır ve bu yüzden kuyu kenarlarında

ile yazılabilir.Burada V = 0’dır.Bu eşitlik aşağıdaki gibi yeniden yazılabilir.

Homojen,ikinci dereceden olan bu diferansiyel eşitliğin çözümü;

Ψ(x) = Asin(kx) + Bcos(kx) (1.8)

dir.Birinci sınır şartı (ψ(x = 0) = 0) kullanılarak B = 0 bulunur.İkinci sınır

Böylece dalga fonksiyonu;

ile verilir ve elektronun enerjisi;

2πnx 2πny 2πnz

Şekil 1.3: Kristalin bükülmesi; Born-von Karman sınır şartları

1.1.2 Bir Kristalin Enerji Bantları

Şekil 1.4: Bir Li atomun,hayali bir Li molekülünün ve bir Li kristalinin izinli

Eğer N sayıda atom içeren Li kristali olursa,sistem N sayıda 1s seviyesi

1.1.3 Valans ve İletkenlik Bandı

Şekil 1.5: Bir metaldeki (A ve B), yalıtkandaki ya da yarıiletkendeki (C) valans

Valans bandının hemen üzerindeki izinli enerji bantları iletkenlik bandı

A: En son (valans) bandı T = 0K’de bile elektronlarla sadece kısmen

Yalıtkan ve yarıiletken arasındaki fark bant aralığı enerjisine bağlıdır.Bir

Enerji bant diyagramları yarıiletkenin bazı özelliklerini incelememizi sağlar.

1.1.4 Parabolik Bant Yaklaşımı

E(k) = Emin + A(k − kmin )2 (1.13)

Valans bandının maksimumu yakınında;

E(k) = Emax − B(k − kmax )2 (1.14)

A ile B sabitli ifadeler yazılabilir.Bu yaklaşım parabolik yaklaşım olarak

1.1.5 Deşik Kavramı