Mục Lục

LỜI NÓI ĐẦU ....................................................................................................... 3

Chương 1: Tổng quan về các phương pháp đo dịch chuyển chính xác .......... 4
1.1.Vai trò của các phương pháp đo dịch chuyển chính xác ................................. 4
1.1.1.Ứng dụng đo dich chuyển nhỏ ................................................................ 4

1.1.2. Ứng dụng đo khoảng cách ..................................................................... 8

1.1.3. Ứng dụng đo chiết suất ........................................................................ 13

1.2.Phương pháp đo dựa trên nguyên lý điện cảm............................................... 14

1.2.1. Cảm biến tự cảm. ................................................................................. 14

1.2.1.1.Cảm biến tự cảm có khe từ biến thiên. .......................................... 14

1.2.1.2.Cảm biến tự cảm kép lắp theo kiểu vi sai ...................................... 18
1.2.1.3.Cảm biến tự cảm có lõi từ di động ................................................. 19

1.2.2. Cảm biến hỗ cảm.................................................................................. 19

1.3.Phương pháp đo dựa trên cảm biến điện dung............................................... 19
1.3.1.Nguyên lý hoạt động : ........................................................................... 19
1.3.2. Các loại cảm biến điện dung: ............................................................... 20
1.3.2.1. Cảm biến điện dung tụ điện đơn ................................................. 20
1.3.2.2. Cảm biến tụ kép vi sai ................................................................. 24
1.4. Các Phương pháp giao thoa laser .................................................................. 24
1.4.1. Phương pháp đo độ dài bằng giao thoa kế sử dụng nguồn laser một tần
số. ......................................................................................................................... 24
1.4.2.Phương pháp đo dộ dài bằng giao thoa kế sử dụng nguồn laser hai tần
số. ......................................................................................................................... 27
1.4.3. Phương pháp giao thoa kế sử dụng điều biến tần số.................................. 31

1
Chương 2: Nguyên lý, ứng dụng của giao thoa kế sử dụng phương pháp
điều biến pha ....................................................................................................... 35
2.1. Nguyên lý giao thoa kế sử dụng phương pháp điều biến pha ....................... 35
2.1.1.Sơ đồ nguyên lý ................................................................................... 35
2.1.2.Phương pháp tính toán ......................................................................... 36
2.2.Các thành phần sai số ảnh hưởng đến kết quả đo. ......................................... 41
2.2.1.Sai số do chiết suất thay đổi ................................................................. 42
2.2.2.Sai số do bước sóng thay đổi ............................................................... 43
2.2.3.Sai số do nhiễu của cảm biến ............................................................... 44
Chương 3 : Xây dựng mô hình giao thoa kế Michelson sử dụng phương
pháp điều biến pha ............................................................................................. 46
3.1. Xây dựng mô hình ......................................................................................... 46
3.1.1.Sơ đồ .................................................................................................... 46
3.2. Các thiết bị sử dụng trong hệ ........................................................................ 46
3.2.1. Gương Tĩnh ......................................................................................... 46
3.2.2. Gương động......................................................................................... 50
3.2.3.Bàn dịch chuyển nhỏ MT1/M .............................................................. 51
3.2.4. Nguồn Laser. ....................................................................................... 51
3.2.7. Photo detector ..................................................................................... 56
3.3. Xây dựng hệ dịch chuyển nhỏ sử dụng PZT để điều biến pha. .................... 58
3.3.1. Thiết lập quang học. ............................................................................ 58
3.3.2. Bộ điều biến pha. ................................................................................ 59
3.3.3. Bộ xử lý tín hiệu.................................................................................. 61
3.3.4. Kết quả thử nghiệm ............................................................................. 63
Chương 4: Kết Luận .......................................................................................... 65

2
 LỜI NÓI ĐẦU
Laser là nguồn sáng với những tính chất đặc biệt như độ đơn sắc và độ kết hợp
cao, mật độ năng lượng lớn và độ định hướng cao. Vì vậy laser được ứng dụng
nhiều trong các lĩnh vực như đo lường, gia công chế tạo, y học, thông tin anh năng
lượng. Trong lĩnh vực đo lường, laser được dùng trong các phép đo dịch chuyển,
vị trí, hai đo chất lượng bề mặt sử dụng giao thoa kế các phép đo này có thể đạt
đến độ chính xác cấp nanomet.

Tại Việt Nam, ngành gia công cơ khí chính xác hiện là một trong những tâm điểm
của sự phát triển kinh tế. yêu cầu của các nhà sản xuất linh kiện điện tử (như
Samsung, Canon, LG, Apple) ngày càng cao. Họ yêu cầu các chi tiết của mình
hay của các nhà cung cấp phải đạt được độ không đạt đo từ 1𝜇𝑚 ±300L/1000 đến
3𝜇𝑚 ±300L/1000 (L là kích thước của chi tiết). các nhà sản xuất chi tiết công
nghiệp ô tô xe máy ( như Toyota, Honda, Mercedes benz) kiểm soát chất lượng
luôn ở mức trung bình dưới 3𝜇𝑚 ±300L/1000. Để phục vụ cho các quy trình khắt
khe này, thị trường các thiết bị đo lường cơ khí đã có những sự mở rộng và phong
phú hóa rất lớn.
Từ tổng quan tình hình phát triển đo lường laser ở trên nhóm em quyết định thực
hiện đồ án tốt nghiệp có đề tài “THIẾT KẾ GIAO THOA KẾ ĐO DỊCH CHUYỂN
BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĐIỀU BIẾN PHA” với mục đích nhằm nhà nghiên cứu,
thực hành và hiểu biết thêm về lĩnh vực đo lường bằng laser trong cơ khí.

Chúng em xin chân thành cảm ơn thầy TS. Vũ Thanh Tùng đã hướng dẫn tận tình
chúng em trong suốt thười gian thực hiện đồ án tốt nghiệp.

3
Chương 1: Tổng quan về các phương pháp
đo dịch chuyển chính xác
1.1.Vai trò của các phương pháp đo dịch chuyển chính xác

1.1.1.Ứng dụng đo dich chuyển nhỏ

Giao thoa kế Michelson homodyne với độ phân giải dưới picometer.

Giao thoa kế Michelson homodyne là giao thoa kế được thiết kế theo sự sắp xếp
lại nhiều giữa hai gương song song để cung cấp một yếu tố nhân được trình bày.
Sự dịch chuyển tương đối của hai gương làm tăng hơn 100 lần đường quang, được
đo bằng mạch quang điện tử. Điều này dẫn đến việc giảm tỷ lệ phần trăm sai số
liên kết với phân khu của các rìa quang học, với hiệu ứng của các phi tuyến rìa, và
với nhiễu quang điện tử. Đặc biệt, việc giảm giới hạn ồn điện tử xuống mức 20 fm
Hz − 1/2 đã được chứng minh. Công thức chính xác của độ lợi đã được tính toán
và xác định bằng thực nghiệm.

Đo lường dịch chuyển đóng một vai trò quan trọng trong khía cạnh của cuộc sống
công nghệ hiện đại, mà các phương pháp đo bây giờ còn kết hợp với sự phát triển
của công nghệ thông tin và truyền thông (ICT) và công nghệ nano. Đối với phép
đo lường trong các giao thoa kế laser bán dẫn hiện nay, các phép đo vị trí forpattern
cần thiết cho photomask và kiểm soát định vị trong các máy quét wafer. Đặc biệt
là do việc sử dụng các kỹ thuật ghép đôi, yêu cầu độ chính xác của các phép đo
chiều đang phát triển nhanh chóng. Sự cải thiện độ chính xác của giao thoa kế hiện
tại của nghệ thuật là bắt buộc.

4
Heterodyne là nguồn quan trọng nhất với các phép đo trong phạm vi đo lường.
Nhiều công việc đã được thực hiện trong thập kỉ trước để cải thiện hiệu năng giao
thoa kế bằng cách giảm các hiệu ứng phi tuyến . Các phương pháp được đề xuất
dựa trên các đường quang học được tối ưu hóa để giảm thiểu hoặc vô hiệu hóa sự
phân cực, về kỹ thuật số hoặc điện tử để bù cho phi tuyến, tích hợp cảm biến điện
dung để nội suy các khung quang và sử dụng laser để hoạt động ở pha xiên. Mặc
dù đã đạt được các kết quả khả quan, tất cả các giao thoa kế này đều là phức tạp
hơn rất nhiều so với giao thoa kế Michelson cơ bản. Phương pháp thay thế dựa
trên việc sử dụng hằng số mạng nguyên tử như tham chiếu chiều dài khá phức tạp.
Phương pháp được đề xuất ở đây, dựa trên một giao thoa kế Michelson cổ điển,
bao gồm nhân con đường quang học của một con đường gấp, để hầu như giảm
laser bước sóng và do đó làm giảm các lỗi liên quan với các phân khu của các rìa
quang học.

Thí nghiệm được dựa trên một giao thoa kế Michelson homodyne.

5
 Hình 1.1 : Trình bày sơ đồ của thiết lập ngoại tuyến.

Nguồn laser là một laser He-Ne tần số ổn định phân cực tuyến tính (λ≈632,8 nm).
Bộ cách ly AFaraday (FI) ngăn chặn sự mất ổn định do phản hồi và xoay phân cực
bằng 45◦. Bộ tách chùm 50% (BS) chia chùm thành hai phần bằng nhau. Một
(đường tham chiếu) được gửi đến một gương M xed M thông qua một ret / 8
retarder: sau này có tác dụng tạo ra một chùm phân cực tròn quay trở về phía BS.
Chùm thứ hai (chùm đo lường) được gửi đến phép nhân đôi nhân đôi. Chúng ta
hãy xem xét bây giờ sau này như là một đơn fl tại gương như trong một giao thoa
kế Michelson cổ điển. Chùm tia được phản xạ lại được tổng kết lại từ gương M
trên BS và được gửi đến bộ dò tìm. Ở đây một bộ tách chùm phân cực (PBS) được
sử dụng để phân tách các thành phần dọc và ngang và dẫn chúng vào đúng hướng
các photodetectors D1 và D2. Các thành phần dọc và ngang của chùm đo được
phân cực tuyến tính được tổng hợp tương ứng với các thành phần sin và sin của
chùm tia phân cực tròn tròn tạo ra hai tín hiệu nhiễu vuông góc, cuối cùng được
khuếch đại và được gửi đến hệ thống thu nhận. Điều này được thực hiện với hai
bộ chuyển đổi AD 16 bit 100 kHz, và phần mềm Labview Rbased tính toán sự
dịch pha ở ngoài rìa. Trong giao thoa kế Michelson cổ điển, một phép xoay tròn
hoàn chỉnh (2π) tương ứng với sự dịch chuyển gương λ / 2 (316 nm trong trường
hợp hiện tại). Phép nhân bội số của đường quang bằng phương tiện nhân với mục
đích tăng độ phân giải được khai thác từ thực hiện đầu tiên của giao thoa kế
Michelshon và trong các thí nghiệm khác. Thiết lập phép nhân được trình bày ở
đây dựa trên hai sắp xếp gương được thiết lập như trên hình nó được sử dụng để
khuếch đại độ nghiêng gương trong các ứng dụng đo lường nano nan phụ. Một sự
sắp xếp tương tự đã được biểu diễn trong một giao thoa kế Michelson.

6
Hình 1.2 : Mô phỏng tìm Ray của sơ đồ phép nhân đường quang học với

N = α / β = 1–3 và M = 2–4.

Ở trong hình 2, với β góc giữa hai gương và góc α tỉ lệ trên gương A, khi điều kiện
α / β = N với N là số nguyên lần bị bão hòa, rất dễ thấy rằng chùm tia được xác
định lại giữa hai gương trước khi nó hoạt động bình thường cả hai. Do đó nó được
phản xạ trở lại, tia phàn xạ trở lại đường quang và sau khi đi về phía BS. Khi
chúng ta di chuyển một trong hai gương dọc theo bình thường của nó, chúng ta
gây ra một sự thay đổi của đường quang tỉ lệ với sự dịch chuyển gương nhân với
số lượng các phản xạ trên gương nhân bản. Điều này có thể được xem như là một
yếu tố nhân M đối với giao thoa kế Michelson cổ điển. Thật ngạc nhiên khi thấy
rằng M = N + 1 nếu chúng ta di chuyển gương A và M = Nif, chúng ta di chuyển
gương B..ảnh hưởng của góc độ laser trên gương di chuyển đã bị bỏ qua. Và do
đó M là các yếu tố không cân bằng giới hạn. Thật vậy, góc tới và độ lệch giữa các
gương phải được bố trí sao cho chùm tia phát ra ở gương A mà không bị cắt bởi
mép gương B, sau đó tác động lên gương B hoàn toàn chứa bên trong bề mặt phản
xạ. Điều kiện này, kết hợp với đường kính chùm tia, giới hạn khoảng cách tối thiểu

7
giữa các lần lặp lại. Sau thí nghiệm hiện tại bằng cách sử dụng hai đường kính 50
mm, một nhân tố vượt quá 100 đã đạt được. Để xác định hệ số nhân M, ta có
phương pháp là bắt đầu từ điều kiện cố điển Michelson ( Một trực giao với chùm)
và đếm số điều kiện autocollimation trong khi xoay gương A, tức là sự xuất hiện
và biến mất của tín hiệu trên detector. Một giây (được sử dụng trong kinh nghiệm
hiện tại) là sử dụng một trình dịch được hiệu chuẩn hóa để phản chiếu giá trị A
bằng một giá trị đã biết: số nguyên tốt nhất so sánh tỷ số giữa giao thoa kế giao
thoa kế và sự dịch chuyển thực là tỷ lệ tăng M.

Hình 1.3 : Thiết lập hệ đo dịch chuyển nhỏ thực tế.

1.1.2. Ứng dụng đo khoảng cách

Giám sát sự biến dạng bề mặt của trái đất sử dụng giao thoa kế Michelson.

Để làm được điều này, người ta thiết lập một hệ giao thoa kế Michelson dài 800
mét chạy qua vùng bề mặt trái đất được dự đoán có nguy cơ biến dạng. Các nhà

8
địa vật lý đã nghiên cứu đến lĩnh vực biến dạng bề mặt của trái đất trên một dải
rất rộng, từ tần số dưới 1 chu kỳ mỗi năm đến những người vượt quá hàng trăm
hertz. Nhiều hiện tượng địa vật lý khác nhau góp phần vào việc thay đổi bề mặt
của trái đất này, các nguồn biến dạng nhất định được chuyển thành các dải tần số
cụ thể để thuận lợi hơ cho việc đo đạc. Ở tần số thấp nhất, vũ trụ của Dirac và
Brans và Dicke dự đoán tỷ lệ biến dạng khoảng 10-10 mỗi năm do sự giảm liên
tục trong hằng số hấp dẫn, gây ra sự giãn nở của trái đất. Từ các bằng chứng địa
chất độc lập, các nhà điều tra khác đã đạt được cùng một giá trị . Tuy nhiên, các
quan sát về tỷ lệ biến dạng dài hạn là rất thưa thớt, và, so với quy mô thời gian vũ
trụ hoặc địa chất, các giai đoạn mà chúng được tạo ra ngắn. tỷ lệ 10-5 mỗi năm ở
Nhật Bản 10-6 mỗi năm - ở California và 10-7 mỗi năm ở New Jersey đã được
báo cáo. Sự khác biệt trong các tỷ lệ này có lẽ phản ánh trạng thái kiến tạo khác
nhau trong các lĩnh vực tương ứng. Các hiệu ứng theo mùa như tuyết, biến đổi
nước ngầm và giãn nở nhiệt cũng có mặt ở phần dưới của quang phổ, nhưng với
biên độ thay đổi theo địa điểm.

Hình 1.4 : Thiết lập hệ giao thoa kế Michelson đo khoảng cách trên mặt đất

9
 Hình 1.5 : một nhánh của giao thoa kế dài 800 m

Khi người ta nói về các phép đo biến dạng đất, người ta thường đề cập đến các
phép đo của phần mở rộng tuyến tính. Những thay đổi về khoảng cách giữa hai
điểm trên cùng được so sánh với chiều dài l của một tiêu chuẩn, và phần mở rộng
tuyến tính hoặc biến dạng được tính như :

[∆(1-lo)/l] = e

Nếu giả định rằng độ dài của tiêu chuẩn 1 không thay đổi, ta có :

(∆l/l) = e

Có hai loại kỹ thuật chung để đo lường biến dạng đất: các kỹ thuật thực sự đo
chiều dài của tôi và các kỹ thuật chỉ đo lường các thay đổi tương đối. Các kỹ thuật
bao gồm các kỹ thuật khảo sát chuẩn, cũng như sử dụng các loại thiết bị điện từ
phức tạp hơn. Tuy nhiên, các phép đo loại này thường không liên tục cũng như

10
không đủ độ nhạy và độ ổn định cho nhiều ứng dụng địa vật lý. Dạng công cụ
chuẩn cho phương pháp đo biến dạng đất thứ hai bao gồm, về bản chất, của hai trụ
cố định trong đất, với một thanh cứng được gắn vào một trụ, kéo dài đến một
khoảng cách nhỏ khác. Độ dài tiêu chuẩn lo được thực hiện gần bằng 1, sao cho
có thể được đo thuận tiện với nhiều bộ chuyển đổi điện và quang học. Để đo biến
dạng đất đại diện cho khu vực xung quanh, thiết bị phải đủ dài để trung bình ở quy
mô nhỏ tính không đồng nhất của những tảng đá mà nó nằm trên đó. Thông thường,
các máy đo độ căng có chiều dài là 102 mét. Các vấn đề sau đó phát sinh với độ
ổn định cơ học và nhiệt của chiều dài tiêu chuẩn. Thạch anh (silica hợp nhất), có
đặc tính cơ học tuyệt vời, có hệ số giãn nở nhiệt là 5 X 10-7 mỗi độ C. Không có
tài liệu có sẵn nào tốt hơn nhiều. Do đó, để đạt được độ ổn định 10-10, nhiệt độ
dọc theo chiều dài của máy đo biến dạng phải được biết hoặc liên tục đến 2 X 10-
4 'C. Bằng cách đặt các dụng cụ sâu dưới lòng đất vào các hầm hoặc hầm mỏ, thu
được sự ổn định nhiệt độ tốt hợp lý. Tuy nhiên, khi các phép đo mở rộng đến tần
số thấp hơn, độ ổn định nhiệt trở nên kém tin cậy hơn. Hơn nữa, các hầm và hầm
mỏ của tôi không phải là những địa điểm hấp tốt nhất để theo dõi sự biến dạng của
đất. Thông thường việc xây dựng của họ đã gây ra một lượng lớn gãy đá, và trong
nhiều mỏ, địa chất là tự nhiên không đồng nhất.

Sơ đồ nguyên lý đo khoảng cách ứng dụng giao thoa kế Michelson.

11
Hình 1.6 : sơ đồ nguyên lý đo khoảng cách ứng dụng giao thoa kế Michelson.

Nguyên lý đo dựa trên nguyên lý quang học chuyển pha. (A) Bộ tách chùm chính,
(B) bộ tách chùm phụ, bộ dịch pha (C), (D) ống kính thu hồi ống phản xạ, (E)
gương phản xạ, (F) gương phân chia góc phần tư, bộ nhân quang (G).

Sơ đồ đo khoảng cách ứng dụng giao thoa kế Michelson.

Hình 1.7 : sơ đồ bố trí quang học của giao thoa kế.

12
(A) Cấu trúc cộng hưởng laser, (B) cách ly, (C) gương lái, kính viễn vọng mở
rộng (D), (E) sân khấu thô, (F) micromet đứng thô, (G) ngang micromet thô, (H)
ổ đĩa góc thích hợp cho tay lái tốt, (I) bộ tách chùm chính, (J) bộ tách chùm phụ
trợ, (K) bộ hồi hướng cục bộ, (L) bộ cảm biến quang, cảm biến servo ống (M),
lăng kính (N) và ống kính thu hồi, ( 0) gương lái, (P) khoang khoang tham chiếu,
(Q) lò sấy tham chiếu, khoang tham chiếu (R), ống plasma (S), bộ dịch áp điện
(T).

1.1.3. Ứng dụng đo chiết suất

Đo chiết suất chất lỏng sử dụng giao thoa kế michelson.

Giao thoa kế michelson được ứng dụng rất rộng rãi trong các thí nghiệm mục đích
xác địch các chỉ số khúc xạ và chiết suất của chất lỏng. Theo lý thuyết, chỉ số khúc
xạ và chiết suất của chất lỏng phụ thuộc trực tiếp đến nồng độ, nhiệt độ và các hợp
chất quang học quan trọng của hỗn hợp chất lỏng. Bên cạnh tầm quan trọng trực
tiếp đối với việc truyền ánh sáng trong vật liệu, chúng cung cấp rất nhiều thông
tin, ví dụ, thông tin về thành phần mẫu, sự hòa tan chất tan, hoặc giãn nở nhiệt.
Đối với xác định khối lượng mol tuyệt đối của các polyme hòa tan bằng phương
pháp tán xạ ánh sáng tĩnh, kiến thức chính xác về (E), được gọi là tăng chỉ số khúc
xạ, là rất quan trọng. Do sự phụ thuộc bậc hai, các đơn nguyên trong sự gia tăng
chỉ số khúc xạ có thể dẫn đến một khối lượng cực lớn sai, và thường là nguồn
chính của lỗi. Đối với phép đo quang học của các hệ số khuếch tán Soret và nhiệt,
cả các dẫn xuất và chiết suất.

13
Hình 1.8: thiết kế hệ giao thoa michelson để đo chiết suất chất lỏng

1.2.Phương pháp đo dựa trên nguyên lý điện cảm

Cảm biến loại này là nhóm cảm biến làm việc dựa trên nguyên lý cảm ứng điện
từ. Vật cần đo vị trí hoặc dịch chuyển được gắn vào một phần tử của mạch từ gây
nên sự biến thiên từ thông qua cuộn đo. Cảm biến điện cảm được chia ra làm 2
loại là cảm biến tự cảm và cảm biến hỗ cảm.

1.2.1. Cảm biến tự cảm.

1.2.1.1.Cảm biến tự cảm có khe từ biến thiên.

Cảm biến tự cảm đơn: trên hình 1.9 trình bày sơ đồ nguyên lý cấu tạo của
một số loại cảm biến tự cảm đơn.

14
Hình 1.9: Cảm biến tự cảm

1) Lõi sắt từ 2) Cuộn dây 3) Phần động

Cảm biến tự cảm đơn gồm một cuộn dây quấn trên lõi thép cố định (phần
tĩnh) và một lõi thép có thể di động dưới tác động của đại lượng đo (phần
động), giữa phần tĩnh và phần động có khe hở không khí tạo nên một
mạch từ hở.
Sơ đồ hình 1.1a: dưới tác động của đại lượng đo XV, phần ứng của cảm
biến di chuyển, khe hở không khí d trong mạch từ thay đổi, làm cho từ trở
của mạch từ biến thiên, do đó hệ số tự cảm và tổng trở của cuộn dây thay
đổi theo.
Sơ đồ hình 1.1b: khi phần ứng quay, tiết diện khe hở không khí thay đổi,
làm cho từ trở của mạch từ biến thiên, do đó hệ số tự cảm và tổng trở của
cuộn dây thay đổi theo.
Hệ số tự cảm của cuộn dây cũng có thể thay đổi do thay đổi tổn hao sinh
ra bởi dòng điện xoáy khi tấm sắt từ dịch chuyển dưới tác động của đại
lượng đo Xv (hình 1.1c).
Nếu bỏ qua điện trở của cuộn dây và từ trở của lõi thép ta có:

15
 (1.1)

Trong đó:
W- số vòng dây.

(1.2)

δ - chiều dài khe hở không khí

s - tiết diện thực của khe hở không khí. Trường
hợp W = const ta có:

(1.3)
Với lượng thay đổi hữu hạn Δd và Δs ta có:

(1.4)

Độ nhạy của cảm biến tự cảm khi khe hở không khí thay đổi (s=const):

(1.5)

16
Độ nhạy của cảm biến tự cảm khi thay đổi tiết diện không khí (d = const):

(1.6)
Tổng trở của cảm biến

(1.7)

Từ công thức (1.7) ta thấy tổng trở Z của cảm biến là hàm tuyến tính với
tiết diện khe hở không khí s và phi tuyến với chiều dài khe hở không khí
d.

Hình 1.10: Sự phụ thuộc giữa L, Z với chiều dày khe hở không khí d

Đặc tính của cảm biến tự cảm đơn Z = f(Δd) là hàm phi tuyến và phụ thuộc
tần số nguồn kích thích, tần số nguồn kích thích càng cao thì độ nhạy của

17
cảm biến càng cao (hình 1.10).
1.2.1.2.Cảm biến tự cảm kép lắp theo kiểu vi sai
Để tăng độ nhạy của cảm biến và tăng đoạn đặc tính tuyến tính người ta
thường dùng cảm biến tự cảm kép mắc theo kiểu vi sai (hình 10.8).

Hình 1.11: Cảm biến tự cảm kép mắc theo kiểu vi sai

Đặc tính của cảm biến tự cảm kép vi sai có dạng như hình 1.4.

Hình 1.12: Đặc tính của cảm biến tự cảm kép lắp vi sa

18
1.2.1.3.Cảm biến tự cảm có lõi từ di động
1.3.Phương pháp đo dựa trên cảm biến điện dung

1.3.1.Nguyên lý hoạt động :

Một tụ điện được hình thành khi 2 tấm dẫn điện song song được đưa gần nhau và
một phía được đặt trên một trong các tấm. Hiện tại sau đó chảy qua khoảng cách
giữa các tấm. Lượng dòng điện chạy qua khe hở được xác định bởi điện áp, diện
tích của tấm, vật liệu phân chia các tấm và khoảng cách giữa các tấm.

Công thức:

Q=C*V

Với:

Q = Hiện tại (amps)

C = Điện dung (farads)

V = điện áp

Điện dung (C) lần lượt được định nghĩa là:

C = K * Ε0 * A / D

Ở đâu

C = Điện dung (farads)

K = Hằng số điện môi của vật liệu giữa các tấm. (Air = 1.0)

Ε0 = Permittivity của không gian trống (một hằng số)

A = Diện tích các tấm (Meters2)

19
D = Khoảng cách giữa các tấm (Mét)

Tại đơn giản nhất của nó, một cảm biến điện dung là một tụ điện tấm song song,
nơi điện áp (V), và diện tích (A) của các tấm được giữ cố định và như vậy tất cả
các thay đổi trong hiện tại (Q) là do thay đổi khoảng cách (D) giữa các tấm Một
cảm biến điện dung là một thiết bị đo lường sự dịch chuyển của 2 tấm song song
một trong đó là một cảm biến và một trong số đó là đối tượng được đo bằng cảm
biến.

1.3.2. Các loại cảm biến điện dung:

1.3.2.1. Cảm biến điện dung tụ điện đơn

Các cảm biến tụ điện đơn là một tụ điện phẳng hoặc hình trụ có một bản
cực gắn cố định (bản cực tĩnh) và một bản cực di chuyển (bản cực động)
liên kết với vật cần đo. Khi bản cực động di chuyển sẽ kéo theo sự thay
đổi điện dung của tụ điện.
Đối với cảm biến hình 1.9a: dưới tác động của đại lượng đo XV, bản cực
động di chuyển, khoảng các giữa các bản cực thay đổi, kéo theo điện
dung tụ điện biến thiên.

ε - hằng số điện môi của môi trường.

ε0 - hằng số điện môi của chân không.
s - diện tích nằm giữa hai điện cực.
δ - khoảng cách giữa hai bản cực.

20
 Hình 1.16: Cảm biến tụ điện đơn

- Đối với cảm biến hình 10.13b: dưới tác động của đại lượng đo XV,
bản cực động di chuyển quay, diện tích giữa các bản cực thay đổi, kéo
theo sự thay đổi của điện dung tụ điện.

(1.14)
α - góc ứng với phần hai bản cực đối diện nhau.
Đối với cảm biến hình 10.13c: dưới tác động của đại lượng đo XV, bản
cực động di chuyển thẳng dọc trục, diện tích giữa các bản cực thay đổi,
kéo theo sự thay đổi của điện dung.

21
 (1.15)

Xét trường hợp tụ điện phẳng, ta có:

Đưa về dạng sai phân ta có:

(1.16)
Khi khoảng cách giữa hai bản cực thay đổi ( e = const và s=const), độ
nhạy của cảm biến:

(1.17)

Khi diện tích của bản cực thay đổi ( e = const và d = const), độ nhạy của cảm biến:

(1.18)

22
Nếu xét đến dung kháng:

Đưa về dạng sai phân:

Tương tự trên ta có độ nhạy của cảm biến theo dung kháng:

(1.19)

(1.20)

(1.21)
Từ các biểu thức trên có thể rút ra:
-Biến thiên điện dung của cảm biến tụ điện là hàm tuyến tính khi diện
tích bản cực và hằng số điện môi thay đổi nhưng phi tuyến khi khoảng
cách giữa hai bản cực thay đổi.
-Biến thiên dung kháng của cảm biến tụ điện là hàm tuyến tính khi khoảng
cách giữa hai bản cực thay đổi nhưng phi tuyến khi diện tích bản cực và
hằng số điện môi thay đổi.
Ngoài ra giữa hai bản cực khi có điện áp đặt vào sẽ phát sinh lực hút, lực

23
này cần phải nhỏ hơn đại lượng đo.

1.3.2.2. Cảm biến tụ kép vi sai

Hình 1.17: Cảm biến tụ kép vi sai

Tụ kép vi sai có khoảng cách giữa các bản cực biến thiên dịch chuyển
thẳng (hình 1.10a) hoặc có diện tích bản cực biến thiên dịch chuyển quay
(hình 1.10b) và dịch chuyển thẳng (hình 1.10c) gồm ba bản cực. Bản cực
động A1 dịch chuyển giữa hai bản cực cố định A2 và A3 tạo thành cùng
với hai bản cực này hai tụ điện có điện dung C21 và C31 biến thiên ngược
chiều nhau.
Độ nhạy và độ tuyến tính của tụ kép vi sai cao hơn tụ đơn và lực tương
hỗ giữa các bản cực triệt tiêu lẫn nhau do ngược chiều nhau.
1.4. Các Phương pháp giao thoa laser

1.4.1. Phương pháp đo độ dài bằng giao thoa kế sử dụng nguồn laser một tần
số.

Với đo lường độ dài, dịch chuyển nhiều năm qua, một số phương pháp xử lý tín
hiệu giao thoa đã được đề xuất trong đó các giao thoa thoa kế sử dụng nguồn một

24
tần số được phát triển trước tiên. Sơ đồ nguyên lí của giao thoa kế 1 tần số được
thể hiện trong hình 1.1. Một chùm tia từ nguồn laser được chia thành hai chùm tia
với lệ bằng nhau nhờ lăng kính chia chùm, một chùm tia phản xạ bởi lăng kính và
chùm còn lại đi qua lăng kính. Cả hai chùm tia sau đó bị phản xạ bởi các gương
đặt vuông góc với phương lan truyền của bức xạ laser và kết hợp lại tại lăng kính
chia chùm. Tại đây chúng giao thoa với nhau và tín hiệu giao thoa này được thu
nhận nhờ cảm biến quang biến quang. Một gương trong giao thoa kế có thể dịch
chuyển chính xác dọc theo phương lan truyền ánh sáng và do đó có thể thay đổi
quãng đường quang học giữa nó và lăng kính. Khi gương động dịch chuyển, cường
độ của tín hiệu giao thoa thu bởi cảm biến cũng thay đổi theo. Sự thay đổi cường
độ tín hiệu giao thoa theo vị trí của gương hay hiệu quang lộ giữa hai nhánh của
giao thoa kế là cơ sở cho phép đo dịch chuyển sử dụng giao thoa kế Michelson.

4.
Gương tĩnh

rt Gương động

Laser
Lăng kính rd
chia chùm
ΔL

Cảm biến

Hình 1.18: Sơ đồ giao thoa kế 1 tần số.

25
Cường độ tín hiệu giao thoa thu được từ cảm biến được biểu diễn như sau:

I= 𝐼1 + 𝐼2 + 2√𝐼1 𝐼2 cos(∆∅)

𝑟đ −𝑟𝑡
= 𝐼1 + 𝐼2 + 2√𝐼1 𝐼2 cos (2𝜋𝑛 ),
𝜆

(1.22)

với 𝑟đ , 𝑟𝑡 là hiệu quãng đường hình học của chùm tia trong nhánh động và nhánh
tính tính từ điểm phân chia trên trên lăng kính chia chùm đến điểm chúng kết hợp
lại và giao thoa với nhau, 𝑛(𝑟đ − 𝑟𝑡 ) là hiệu quang lộ giữa hai nhánh của giao thoa
kế.

Khi gương động dịch chuyển một khoảng ∆𝐿 thì quãng đường đi của gương động
là 𝑟đ + 2∆𝐿 và độ lệch pha giữa 2 nhánh của giao thoa kế được tính như sau:

𝑟đ + 2∆𝐿 − 𝑟𝑡
∆∅ = 2𝜋𝑛
𝜆
𝑟đ −𝑟2 ∆𝐿
= 2𝜋𝑛 + 4𝜋𝑛
𝜆 𝜆

∆𝐿
= ∅0 + 4𝜋𝑛 ,
𝜆

(1.23)
𝑟đ −𝑟2
với ∅0 = 2𝜋𝑛 là độ lệch pha ban đầu giữa hai nhánh của giao thoa kế.
𝜆

Phương trình 1.2 chỉ ra rằng tín hiệu giao thoa của giao thoa kê Michelson thông
thường là một hàm của độ lệch pha giữa hai nhánh của giao thoa kế hay chính là
dịch chuyển của gương động. Tuy nhiên độ lệch pha giữa hai nhánh của giao thoa
kế là thành phần độc lập của thời gian và do đó không xác định được chiều của
chuyển động của gương động.

26
Ưu điểm của giao thoa kế một tần số là thiết kế đơn giản, sử dụng các nguồn laser
thông thường. Hơn nữa giao thoa kế một tần số có tốc độ đo cao bởi vì sự thay đổi
pha của tín hiệu giao thoa, gây ra bởi dịch chuyển của đối tượng đo, được chuyển
đổi trực tiếp thành sự thay đổi cường độ thu được nhờ cảm biến. Do đó tốc độ đo
lớn nhất của giao thoa kế một tần số chỉ bị giới hạn bởi tốc độ đáp ứng của cảm
biến, có thể đạt đến cỡ GHz, và tốc độ đáp ứng của phần điện tử, xử tý tín hiệu.
Nhược điểm của gioa thoa kế một tần số thông thường là yêu cầu độ ổn định cường
độ cao đối với nguồn laser cũng như độ ổn định của hệ hệ quang và môi trường.
Mặt khác khi muốn xác định chiều của chuyển động cần các sơ đồ giao thoa kế
phân cực hay sử dụng nhiều cảm biến kết hợp với nghiêng gương.

1.4.2.Phương pháp đo dộ dài bằng giao thoa kế sử dụng nguồn laser hai tần
số.

Trong đo lường độ dài, dịch chuyển các giao thoa thoa kế sử dụng nguồn một tần
số được phát triển trước tiên. Ưu điểm của giao thoa kế một tần số là thiết kế đơn
giản, sử dụng các nguồn laser thông thường. Hơn nữa giao thoa kế một tần số có
tốc độ đo cao bởi vì sự thay đổi pha của tín hiệu giao thoa, gây ra bởi dịch chuyển
của đối tượng đo, được chuyển đổi trực tiếp thành sự thay đổi cường độ thu được
nhờ cảm biến. Do đó tốc độ đo lớn nhất của giao thoa kế một tần số chỉ bị giới hạn
bởi tốc độ đáp ứng của cảm biến, có thể đạt đến cỡ GHz, và tốc độ đáp ứng của
phần điện tử, xử tý tín hiệu. Nhược điểm của gioa thoa kế một tần số thông thường
là yêu cầu độ ổn định cường độ cao đối với nguồn laser cũng như độ ổn định của
hệ hệ quang và môi trường. Mặt khác khi muốn xác định chiều của chuyển động
cần các sơ đồ giao thoa kế phân cực hay sử dụng nhiều cảm biến kết hợp với
nghiêng gương.

27
Giao thoa kế hai tần số cho phép đo trực tiếp sự thay đổi tần số gây ra bởi hiệu
ứng Doppler thay vì đo sự thay đổi cường độ tín hiệu giao thoa. Những ưu điểm
của giao thoa kế hai tần số có thể liệt kê như phạm vi đo lớn, xác định chiều chuyển
động của đối tượng đo, loại bỏ ảnh hưởng của sự thay đổi cường độ của nguồn
laser ở tần số thấp, ít nhạy với sự thay đổi của môi trường. Nhược điểm của giao
thoa hai tần số là yêu cầu đặc biệt về nguồn laser, phát đồng thời hai tần số, giá
thành cao hơn so với loại giao thoa kế một tần số.
Sơ đồ nguyên lý của giao thoa kế hai tần số được thể hiện trong hình 4.12. Nguồn
laser phát đồng thời hai tần số, cường độ bằng nhau và phân cực vuông góc với
nhau. Trước tiên chùm laser đi qua lăng kính chia chùm không phân cực. Một
phần của chùm ta đi vào sợi quang và được sử dụng làm tín hiệu chuẩn, cho phép
đo hiệu hai tần số của nguồn trong thời gian thực (Δf=f1-f2). Chùm tia laser hai tần
số tiếp tục đi tới lăng kính chia chùm phân cực. Tại đây, lăng kính phản xạ một
nửa chùm tia có phân cực s, tần số f2 và hướng vào gương tĩnh. Một nửa còn lại
của chùm tia có phân cực p, tần số f1, hướng vào gương động. Gương động và
gương tĩnh phản xạ các chùm tia lại lăng kính chia chùm phân cực. Hai chùm tia
lại kết hợp tại lăng kính và đi vào sợi quang. Sợi quang giúp cho tín hiệu đo ổn
định trong môi trường công nghiệp và dễ dàng kết nối với các bộ phẩn xử lý tín
hiệu đo. Dịch chuyển của gương động gây ra sự thay đổi tần số chuẩn Δf theo hiệu
ứng Doppler và đó là cơ sở của phép đo giao thoa hai tần số.

28
 Gương tĩnh
Lăng kính
chia chùm f2 ΔL
không phân cực f1 ,f2 f1
Nguồn laser
2 tần số

Lăng kính
chia chùm phân cực

Phân cực s
Cảm biến
và xử lý tín hiệu Phân cực p

Sợi quang

Hình 1.19: Giao thoa kế hai tần số.

Cường độ tín hiệu giao thoa sử dụng ngồn laser hai tần số được biểu diễn như sau:

𝐼 = 𝐼1 + 𝐼2 + 2√𝐼1 𝐼2 𝑐𝑜𝑠[2𝜋(∆𝑓 + ∆𝑓1 )𝑡]

2𝑁
= 𝐼1 + 𝐼2 + 2√𝐼1 𝐼2 𝑐𝑜𝑠 [2𝜋 (∆𝑓 + 𝑉) 𝑡],
𝜆

(1.24)

2𝑁
trong đó: ∆𝑓1 = 𝑉 là tần số thay đổi theo hiệu ứng Doppler khi gương động
𝜆

dịch chuyển, V là vận tốc của gương động, N là số nguyên phụ thuộc vào số lần
chùm tia đi vào giao thoa kế (số lần phản xạ trên gương động), trong sơ đồ hình
4.12 có N=2. Phương trình 4.21 chỉ ra rằng tín hiệu giao thoa sử dụng nguồn laser

29
hai tần số là một hàm phụ thuộc thời gian. Dấu của ∆𝑓1 phụ thuộc vào chiều
chuyển động của đối tượng đo và do đó chiều của chuyển động là hoàn toàn xác
định. Khi ∆𝑓=0 giao thoa kế trở thành trường hợp giao thoa kế sử dụng nguồn một
tần số. Mối quan hệ giữ độ lệch pha, tần số thay đổi, vận tốc và dịch chuyển được
biểu diễn như sau

𝑡 4π𝑁 𝑡 4π𝑁
∆∅1 = 2π ∫0 ∆𝑓1 𝑑𝑡 = ∫0 𝑉 𝑑𝑡 = ∆𝐿
𝜆 𝜆

(1.25)

Như vậy việc đo tần số thay đổi ∆𝑓1 cho phép xác định vận tốc của đối tượng đo.
Độ lệch pha giữa hai nhánh của giao thoa kế là tích phân của tần số thay đổi cho
phép xác định lượng dịch chuyển ∆𝐿. Phương trình 4.21 chỉ ra rằng khi ∆𝑓1  −
∆𝑓 khiến cho tần số đo xấp xỉ bằng không. Vận tốc lớn nhất của đối tượng đo 𝑉𝑚𝑎𝑥
được xác định khi mà lượng thay đổi tần số lớn nhất ∆𝑓1max  − 𝑘∆𝑓 và được xác
định như sau:
𝜆∆𝑓1max 𝑘𝜆∆𝑓
𝑉𝑚𝑎𝑥 = = (1.26)
𝑁 𝑁

với k là hệ số, thông thường k=0.8

Nguồn laser trong giao thoa kế hai tần số yêu cầu phát đồng thời hai tần số với độ
ổn định cao. Có hai phương pháp tạo ra nguồn hai tần số được sử dụng phổ biến,
phương pháp dựa vào hiệu ứng Zeeman và phương pháp sử dụng AOM (accouto-
optic modulator). Đối với phương pháp dựa trên hiệu ứng Zeeman, điện trường
mạnh được đặt dọc theo trục quang của buồng cộng hưởng He-Ne laser và phân
tách laser đơn mode ban đầu thành laser hai mode phân cực tròn ngược nhau, phân

30
cực tròn trái và phân cực tròn phải, hình 4.13a. Hai tần số này có giá trị sai khác
với tần số gốc một lượng bằng nhau, 𝑓1 = 𝑓0 + ∆𝑓/2 và 𝑓2 = 𝑓0 − ∆𝑓/2 . Tấm
trễ pha λ/4 được sử dụng để biến hai tần số phân cực tròn thành hai thành phần
phân cực thẳng vuông góc với nhau. Hiệu hai tần số ∆𝑓 phát ra từ nguồn bằng
phương pháp này nằm trong khoảng từ 1MHz đến 4 MHz. Phương pháp thứ hai
được sử dụng để tạo ra nguồn laser hai tần bằng cách sử dụng AOM. Chùm laser
phát ra từ nguồn đơn mode phân cực thẳng (phân cự p) đi qua AOM tách thành
hai chùm tia phân cực thẳng vuông góc với nhau, tia chính có phương và tần số
không đổi 𝑓1 = 𝑓0 , tia nhiễu xạ lệch góc nhỏ so với tia chính và có tần số 𝑓2 =
𝑓0 + ∆𝑓. Phương pháp này cho phép tạo ra hiệu hai tần số ∆𝑓 lên tới 20 MHz.
Điện trường dọc trục 𝑓1 = 𝑓0 + ∆𝑓/2
𝑓2 = 𝑓0 − ∆𝑓/2
𝑓1 𝑓2 AOM 𝑓
1

𝑓2

Tấm trễ pha 𝑓0

λ/4
Buồng cộng hưởng Nam châm Buồng cộng hưởng 𝑓1 = 𝑓0 + ∆𝑓
Phân cực tròn 𝑓2 = 𝑓0

Phân cực s

Phân cực p

(a) Hiệu ứng Zeeman (b) AOM

Hình 1.20: Nguồn laser hai tần số

1.4.3. Phương pháp giao thoa kế sử dụng điều biến tần số.
Sơ đồ nguyên lý của kỹ thuật điều biến tần số được thể hiện trên hình 1.4

31
 Hình 1.21: Sơ đồ giao thoa kế sử dụng điều biến tần số

Trong kỹ thuật này, tần số được điều biến từ nguồn phát laser:

𝑓 = 𝑓0 + ∆𝑓𝑠𝑖𝑛2𝜋𝑓𝑚 𝑡 (1.27)

Trong đó 𝑓 là tần số tức thời, 𝑓0 là tần số của sóng mang, ∆𝑓 là biên độ của tần số
điều biến và 𝑓𝑚 là tần số điều biến.

Tín hiệu giao thoa được xác định bởi cảm biến quang có dạng:

4𝜋𝑛 4𝜋𝑛𝑓0
𝐼 = 2|𝐸0 |2 + 2|𝐸0 |2 cos ( 𝐿+ 𝑙 + 𝑚 𝑠𝑖𝑛2𝜋𝑓𝑚 𝑡) (1.28)
𝜆0 𝑐

4𝜋𝐿Δ𝑓𝑐
Trong đó l là độ dịch chuyển L là độ bất cân bằng giữa 2 nhánh còn 𝑚 =
𝐿

(28) là độ sâu điều biến. Sau khi xử lý tín hiệu bằng bộ khuếch đại lock-in thì độ
dịch chuyển sẽ được tính với công thức:

𝜆0 𝐽2 (𝑚)𝐼3 4𝜋𝑛
𝑙= × (𝑎𝑟𝑐𝑡𝑎𝑛 (− )− 𝐿) (1.29)
4𝜋𝑛 𝐽3 (𝑚)𝐼2 𝜆0

32
Kết luận: Qua những phân tích về các phương pháp tiếp cận trên ta có thể tổng
kết rằng:

 Với phương pháp giao thoa 1 tần số có ưu điểm là tốc độ đo cao cao bởi vì
sự thay đổi pha của tín hiệu giao thoa, gây ra bởi dịch chuyển của đối tượng
đo, được chuyển đổi trực tiếp thành sự thay đổi cường độ thu được nhờ cảm
biến. Tuy nhiên có nhược điểm là quá nhạy cảm với môi trường như nhiệt
độ, rung động... và đòi hỏi nguồn laser có độ ổn định cao, muốn xác định
được chiều chuyển động phải kết hợp với gương nghiêng cùng nhiều cảm
biến.
 Phương pháp giao thoa 2 tần số có những ưu điểm như phạm vi đo lớn, xác
định chiều chuyển động của đối tượng đo, loại bỏ ảnh hưởng của sự thay
đổi cường độ của nguồn laser ở tần số thấp, ít nhạy với sự thay đổi của môi
trường. Nhưng nhược điểm của giao thoa hai tần số là yêu cầu đặc biệt về
nguồn laser, phát đồng thời hai tần số, tốc độ đo giảm, giá thành lại cao hơn
so với loại giao thoa kế một tần số.
 Phương pháp điều biến tần số là phương pháp tiếp cận thích hợp nhất với
các phép đo có độ chính xác cao, khoảng đo rộng. Tuy nhiên về phần xử lý
tín hiệu đo vẫn còn những hạn chế với độ sâu điều biến m, qua phương trình
(28) và (29) ta có thể thấy m sẽ thay đổi liên tục trong quá trình đo do đó tỉ
𝐽2 (𝑚)𝐼3
số cũng sẽ thay đổi, việc ta phải xác định m liên tục đòi hỏi phải có
𝐽3 (𝑚)𝐼2

những thiết bị đo cao cấp và đây là mặt hạn chế.

33
Do những lý do trên đề tài đặt ra mục tiêu: Xây dựng hệ giao thoa kế giá thành
hợp lý bằng phương pháp điều biến pha, có phạm vi đo lớn, độ chính xác cao do
triệt tiêu được ảnh hưởng của độ sâu điều biến m.

34
Chương 2: Nguyên lý, ứng dụng của giao thoa kế
sử dụng phương pháp điều biến pha
2.1. Nguyên lý giao thoa kế sử dụng phương pháp điều biến pha

2.1.1.Sơ đồ nguyên lý

Hình 2.1

Hình 2.1 minh họa điều biến pha hình sin (SPM) giao thoa kế Michelson. Tia sáng
từ diode laser đi qua một bộ cách ly bảo vệ nguồn khỏi sự lệch. Trên bộ tách chùm
tia, chùm ánh sáng phân chia thành 2 đèn, một đi vào gương tham chiếu được gắn
vào bộ chuyển đổi áp điện (PZT). Rung động của nó dẫn đến điều biến pha hình
sin. Một trở về ánh sáng khác từ một gương di động và kết hợp với ánh sáng điều
chế trước khi đi đến photodetector.

35
2.1.2.Phương pháp tính toán

Trong thí nghiệm trên, tia laser đi từ nguồn qua lăng kính chia chùm (Beam
Splitter) sẽ được tách ra thành 2 sóng kết hợp. Phía nhánh tham chiếu (Reference
Mirror) gương gắn trên 1 single state được di chuyển bởi chuyển động của PZT.
Nhờ tác dụng của bộ tạo hàm (Function Generator) chuyển động này sẽ được lặp
đi lặp lại theo phương trình: 𝑚𝑠𝑖𝑛𝜔𝑚 𝑡.

Chính sự dịch chuyển liên tục của gương này sẽ tạo nên sự thay đổi của đại lượng
pha trong phương trình cường độ điện trường tại nhánh tham chiếu:

𝐸𝑟 (𝑟, 𝑡) = 𝐸0 × 𝑒 𝑖(𝜔0 𝑡+𝑚 sin 𝜔𝑚 𝑡) (2.1)

Trong đó: 𝐸0 là biên độ điện trường, 𝜔0 là tần số góc của nguồn laser, 𝜔𝑚 là tần
số góc điều biến còn m là hệ số điều biến ( độ sâu điều biến).

Phương trình cường độ điện trường ở nhánh đo được biểu diễn:

4𝜋𝑛
𝑖(𝜔0 𝑡+ ∆𝐿)
𝐸𝑚 (𝑟, 𝑡) = 𝐸0 × 𝑒 𝜆0 (2.2)

Trong đó: ∆𝐿 là độ dịch chuyển cần xác định và 𝜆0 là bước sóng của nguồn laser.

Cường độ bức xạ I tại cảm biến quang (Photo Detector) tỉ lệ với bình phương
cường độ điện trường E được tính như sau:

𝐼 = 〈|𝐸𝑟 (𝑟, 𝑡) + 𝐸𝑚 (𝑟, 𝑡)|〉2 = 〈𝐸𝑟 (𝑟, 𝑡) + 𝐸𝑚 (𝑟, 𝑡)〉 × 〈𝐸𝑟 ∗ (𝑟, 𝑡) + 𝐸𝑚 ∗ (𝑟, 𝑡)〉

4𝜋𝑛
𝐼 = |𝐸𝑟 |2 + |𝐸𝑚 |2 + 2𝐸0 2 × cos [𝜔0 𝑡 + 𝑚 sin 𝜔𝑚 𝑡 − 𝜔0 𝑡 − ∆𝐿]
𝜆0

36
 4𝜋𝑛
𝐼 = 2|𝐸0 |2 + 2𝐸0 2 × cos (− ∆𝐿 + 𝑚 sin 𝜔𝑚 𝑡) (2.3)
𝜆0

Bằng phép khai triển lượng giác phương trình (2.3) được viết lại dưới dạng:

4𝜋𝑛
𝐼 = 2|𝐸0 |2 + 2|𝐸0 |2 × [cos (− ∆𝐿) × cos(𝑚 × sin 𝜔𝑚 𝑡) −
𝜆
4𝜋𝑛
sin (− ∆𝐿) × sin(𝑚 × sin 𝜔𝑚 𝑡)] (2.4)
𝜆

Mặt khác theo tính chất của hàm Bessel ta có thể khai triển:

Do vậy phương trình (2.4) được khai triển thành:

4𝜋𝑛
𝐼 = 2𝐸0 2 + 2𝐸0 2 × {cos (− ∆𝐿) × [𝐽0 (𝑚) + 2 ∑∞
𝑘=1 𝐽2𝑘 (𝑚) ×
𝜆
4𝜋𝑛
cos(2𝑘𝜔𝑚 𝑡)] − sin (− ∆𝐿) × 2 ∑∞
𝑘=1 𝐽2𝑘−1 (𝑚) × sin[(2𝑘 − 1) × 𝜔𝑚 𝑡]}
𝜆

(2.5)

Với Jn(x) được xác định theo đồ thị :

37
 Đồ thị 2.2: Nghiệm của hàm Bessel

Bây giờ việc ta cần làm là giải diều biến, tách được phần tử chứa Δ𝐿 từ một chuỗi
các hàm điều hòa, cụ thể ở đây ta sẽ sử dụng kỹ thuật dò nhạy pha, bằng bộ khuếch
đại lock-in.

Nguyên lý của bộ khuếch đại lock-in được biểu diễn ở hình 2.2:

Hình 2.3: Nguyên lý bộ khuếch đại lock-in

38
Kết cấu của bộ khuếch đại lock-in gồm 1 phần tử Mixed và 1 bộ lọc tần số thấp.
Tín hiệu đầu vào sẽ được nhân với 1 tín hiệu tham chiếu để tạo ra 1 chuỗi các hàm
điều hòa có tần số tăng dần, sau đó chỗi tín hiệu sẽ đi qua 1 bộ lọc tần số thấp vì
vậy các phần từ có tần số cao hơn phần tử ta cần sẽ bị chặn lại, qua đó thu được
tín hiệu mong muốn.

Trong khuôn khổ đề tài, ta kỳ vọng đại được tín hiệu chứa phần tử J1(m) và J2(m)
do đó ta sẽ lần lượt chọn tín hiệu tham chiếu là 𝜔𝑚 và 2𝜔𝑚 . Kết quả cụ thể như
sau:

Với tín hiệu tham chiếu 1 𝐼𝑟1 = 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑚 𝑡

4𝜋𝑛
𝐼𝑟1 × 𝐼 = 2𝑠𝑖𝑛𝜔𝑚 𝑡𝐸0 2 + 2𝐸0 2 × {cos (− ∆𝐿) × [𝐽0 (𝑚)𝑠𝑖𝑛𝜔𝑚 𝑡 +
𝜆
4𝜋𝑛
∑∞
𝑘=1 𝐽2𝑘 (𝑚) × (sin(2𝑘 + 1)𝜔𝑚 𝑡) − sin(2𝑘 − 1)𝜔𝑚 𝑡))] − sin (− ∆𝐿) ×
𝜆

∑∞
𝑘=1 𝐽2𝑘−1 (𝑚) × (cos[(2𝑘 + 2) × 𝜔𝑚 𝑡] − 𝑐𝑜𝑠2𝑘𝜔𝑚 𝑡)}

(2.6)

Lọc tín hiệu ở phương trình (2.6) với bộ lọc thấp chặn tần số 𝜔𝑚 ta thu được:

4𝜋𝑛
𝐼1 = −2𝐸0 2 × 𝐽1 (𝑚) × sin (− ∆𝐿) (2.7)
𝜆

Tương tự với tín hiệu tham chiếu 2 𝐼𝑟2 = 𝑐𝑜𝑠2𝜔𝑚 𝑡 và bộ lọc tần số thấm chặn 𝜔𝑚
ta thu được:

4𝜋𝑛
𝐼2 = 2𝐸0 2 × 𝐽2 (𝑚) × cos (− ∆𝐿) (2.8)
𝜆

Từ phương trình (2.7) và (2.8), ta tính được độ dịch chuyển:

𝜆 𝐼1 ×𝐽2 (𝑚)
∆𝐿 = × tan−1 (2.9)
4𝜋𝑛 𝐼2 ×𝐽1 (𝑚)

39
 ∆𝜔
Với phương pháp điều biến pha đề tài nêu ra, độ sâu điều biến m= là hằng số
𝜔𝑚

không phụ thuộc vào độ bất cân bằng giữa 2 nhánh đo, do vậy ta có thể chọn trước
giá trị m sao cho 𝐽1 (𝑚) = 𝐽2 (𝑚) như đồ thị 2.2

Đồ thị 2.4: Giá trị m để J1=J2

Do đó độ dịch chuyển ΔL ở phương trình (2.9) được tính lại dưới công thức:

𝜆 𝐼1
∆𝐿 = × tan−1
4𝜋𝑛 𝐼2

(2.10)

Qua đó loại bỏ được ảnh hưởng của độ sâu điều biến m!

𝐼1
Góc tan−1 sẽ được xác định bởi biểu đồ Lissajous được thiết lập dựa vào
𝐼2

phương trình I1 và I2 tại (2.7) và (2.8).

Kết quả và cách thức xử lý được thể hiện trên hình 2.3.

40
 Hình 2.5: Xử lý kết quả đo

2.2.Các thành phần sai số ảnh hưởng đến kết quả đo.

Trong các phép đo độ dài sử dụng giao thoa kế laser, các nguồn phát sinh sai số
coa thể được biểu diễn ở dạng tổng quát như sau :

∆𝐿 ∆𝑛 ∆𝜆 〈∆∅2 〉1/2 𝜆 𝜃2
= + + + , (2.11)
𝐿 𝑛 𝜆 4𝜋𝐿 2

trong đó ∆𝑛, ∆𝜆, 〈∆∅2 〉1/2 , 𝜃 2 lần lượt là sai số do chiết suất môi trường thay đổi,
sai số do bước sóng thay đổi, sai số do nhiễu của cảm biến, sai số do hệ quang
không được hiệu chỉnh chính xác.

41
2.2.1.Sai số do chiết suất thay đổi
Độ chính xác của phép đo sử dụng giao thoa kế phụ thuộc vào sự ổn định của môi
trường đo và được đặc trưng bởi chiết suất của môi trường. Mối quan hệ giữa chiết
suất với nhiệt độ, áp suất, độ ẩm được xây dựng bởi Edlen, sau này được cập nhật
thêm khi kể đến ảnh hưởng của khí CO2 [7] và được biểu diễn như sau:

2.879294×10−9 (1+0.54×10−6 (𝐶−300))𝑃

𝑛−1= − 0.42063 × 10−9 × 𝐹 (2.12)
1+0.003671×𝑇

trong đó C là hàm lượng khí CO2 tính bằng phần triệu (ppm), F là áp suất hơi nước
tính bằng Pa, P lá áp suất không khí tính bằng Pa, T là nhiệt độ không khí tính
bằng oC. Ảnh hưởng cảu các thành phần này với chiết suất được tính bằng đạo
hàm riêng của chiết suất theo từng thành phần tương ứng:

𝜕𝑛 1.55482×10−15 ×𝑃
= ppm-1
𝜕𝐶 1+0.003671×𝑇

(2.13)
𝜕𝑛 2.87929×10−10 ×(1+5.4×10−7 (𝐶−300))
= Pa-1
𝜕𝑃 1+0.003671×𝑇

(2.14)
𝜕𝑛 −1.05699×10−11 ×(1+5.4×10−7 (𝐶−300))×𝑃
= K-1
𝜕𝑇 (1+0.003671×𝑇)2

(2.15)
𝜕𝑛
= −0.42063 × 10−9 Pa
𝜕𝐹

(2.16)

42
Bảng 4.1 đưa ra ví dụ chỉ ra ảnh hưởng của các thành phần nhiệt độ, độ ẩm, áp
suất và CO2 trong điều kiện làm việc bình thường của giao thoa kế. Trong ví
dụ kể trên thấy rằng thông thường sự thay đổi nhiệt độ ảnh hưởng mạnh nhất
đến sự thay đổi áp suất. Do đo các giiao thoa kế thưởng sử dụng sợi quang để
giảm ảnh hưởng của môi trường đến kết quả đo.

Bảng 4.1: Ảnh hưởng của các tham số thành phần đến chiết suất không khí

Thông số Giá trị Giá trị thay đổi Ảnh hưởng

Nhiệt độ 20 oC 0.5 oC

Độ ẩm 1500 Pa  500 Pa

Áp suất 101325 Pa 4000 Pa

CO2 500 ppm  100 ppm

2.2.2.Sai số do bước sóng thay đổi

Bước sóng thay đổi gây ra sai số ảnh hưởng trực tiếp đến độ chính xác của phép
đo độ dài. Laser bán dẫn thông thường có độ ổn định tần số trong khoảng 10-5
đến 10-7 và rất nhạy với sự thay đổi nhiệt độ. He-Ne laser có độ ổn định tần số
nằm trong khoảng 10-7 đến 10-8. Để tăng độ ổn định, tần số của laser thường
được khóa vào tần số chuẩn. Tuần số chuẩn có thể là tần số cộng hưởng tự
nhiên của các phân tử hay nguyên tử, ví dụ I2, Rb, C2H2. He-Ne laser có tần số
được khóa vào vạch phổ hấp thụ bão hòa của phân tử I2 có thể đạt độ ổn định

43
tần số 2.5× 10−11 và được sử dụng như chuẩn tần số. Trong các ứng dụng
đòi hỏi độ chính xác cao, các laser đã được ổn định tần số được ưu tiên sử dụng.

2.2.3.Sai số do nhiễu của cảm biến

Trong các giao thoa kế, tín hiệu giao thoa được thu nhận bởi các cảm biến
quang học. Sự thay đổi pha của tín hiệu giao thoa được tính từ giá trị cường độ
của cảm biến và được sử dụng để tính toán lượng dịch chuyển cần đo. Nhiễu
từ cảm biến được đánh giá bằng sai số căn quân phương pha của tín hiệu đo
〈∆∅2 〉1/2 . Thông thường sai số này khoảng 10-3 và do đó theo phương trình
4.24, sai số dịch chuyển khoảng 0.5 nm.
Sai số do hệ quang không được hiệu chỉnh chính xác
Trong giao thoa kế đo dịch chuyển, không phải lúc nào phương của chùm tia
cũng trùng với phương của dịch chuyển và do đó gây ra sai số đo. Có hai loại
sại số dạng này là sai số Abbe và sai số cosine. Sai số Abbe gây ra khi mà
phương đo không trùng với phương dịch chuyển, hình 4.14. Khoảng cách giữa
phương đo và phương dịch chuyển gọi là khoảng lệch Abbe. Sai số Abbe được
tính như sau:

𝛿(∆𝐿)𝐴𝑏𝑏𝑒 = 𝐿𝐴𝑏𝑏𝑒 × 𝑡𝑎𝑛𝜃 = L𝐴𝑏𝑏𝑒 × 𝜃

(2.17)

trong đó 𝐿𝐴𝑏𝑏𝑒 là khoảng lệch Abbe, 𝜃 là góc lệch của bề mặt đo so với phương
dịch chuyển. Muốn giảm sai số Abbe cần giảm khoảng lệch Abbe bằng cách

44
 đưa phương đo về trùng với phương dịch chuyển và giảm khe hở khớp động
hoặc sai số gá đặt để giảm góc lệch 𝜃.

ΔL+ 𝛿(∆𝐿)𝐴𝑏𝑏𝑒

ΔL
𝜃

𝐿𝐴𝑏𝑏𝑒
Lăng kính
chia chùm
Gương động

Hình 2.6: Sai số Abbe

Sai số cosine gây ra khi phương đo không song song song với phương dịch chuyển.
Sai số cosin được biểu diễn bằng phương trình sau:

𝛿(∆𝐿)𝑐𝑜𝑠𝑖𝑛𝑒 = ∆𝐿 × (1 − 𝑐𝑜𝑠𝜃) (2.18)

Để giảm sai số cosin, trong quá trình lắp đặt hệ quang cần kiểm tra phương của
chùm tia đo song song với phương của dịch chuyển, hình 4.15.
ΔL+𝛿(∆𝐿)𝑐𝑜𝑠𝑖𝑛𝑒

ΔL

Lăng kính
chia chùm
Gương động

Hình 2.7: Sai số cosine

45
 CHƯƠNG 3 : Xây dựng mô hình giao thoa kế
Michelson sử dụng phương pháp điều biến pha
3.1. Xây dựng mô hình
3.1.1.Sơ đồ

Hình 3.1: Mô hình 3d giao thoa kế michelson sử dụng phương pháp điều biến pha

3.2. Các thiết bị sử dụng trong hệ

3.2.1. Gương Tĩnh

46
Hình 3.2:Dùng để gá đặt gương phản xạ

1-2. Núm xoay 3-4. Trục giữ Lò xo 5. Tấm gá gương

Nguyên lý hoạt động:

Khi ta vặn núm số 1 sẽ điều chỉnh độ nghiêng trên và dưới của gương. Núm số 2( Hình:
sẽ cho ta điều chỉnh độ lệch trái và phải .

Tại số 3 và 4 (Hình có gắn thêm lò xo để luôn tạo lực đàn hồi kéo cho tấm 5 trở về

Bi số 1 và 2 (Hình được sử dụng để tạo độ ngiêng trái, phải, trên dưới cho tấm gá gương.

Trục vít số 3 (Hình được gia công hình chữ V ở đầu để giữ bi số 2 (Hình. Sử dụng Bi số
2 để tạo ra độ dịch chuyển cho tấm gá gương, tránh được độ mòn chi tiết sau quá trình
sử dụng lâu và tạo dịch chuyển tốt hơn. Khi ta vặn núm xoay 1 và 2 ở Hình sẽ làm trục

47
vít tịnh tiến tác động vào Bi số 2 và làm tấm số 5 bị nghiêng. Bi số 1 sẽ làm cho tấm số
5 (Hình nghiêng được tránh bị cong vênh.

Hình 3.2 :Hình cắt chi tiết gá gương phản xạ

1-2. Bi 3. Trục vít

Để gá cụm chi tiết gá gương hay lăng kính chia chùm, thấu kính phân kỳ, gương phản
xạ thì ta cần sử dụng 1 chân đế để đỡ và 1 trụ để gá đặt, ta có thể điều chỉnh được độ cao
thấp và góc xoay 360°.

48
 Hình 3.3 : Trụ thẳng Hình 3.4: Chân đế

Sử dụng Bu lông M4 để ghép chi tiết gá với Trụ thẳng và chân đế. Ta được cơ cấu gá
gương hoàn chỉnh.

Hình 3.5: Sau khi ghép hoàn chỉnh hệ gá gương phản xạ

49
3.2.2. Gương động

Đối với gương động, ta phải sử dụng hệ thống gá đặt có thể điều chỉnh gương dịch
chuyển tịnh tiến về phía nguồn laser 1 khoảng biết trước.

Hình 3.6: Chi tiết gá gương phản xạ động

1 Vít dịch chỉnh 2 Lỗ gá gương phản xạ

Nguyên lý hoạt động:

Khi ta vặn vít dịch chỉnh sẽ làm trục 1 tịnh tiến lên xuống, tác động vào Bi số 2 , Bi số
2 tịnh tiến lên xuống sẽ làm cho khối nửa chữ V dịch chuyển vào ra. Khối nửa chữ V
được gắn với tấm gá gương nhờ trục vít số 5. Vì thế khi khối 4 dịch chuyển vào ra sẽ
làm tấm gá gương dịch chuyển theo. Trục số 3 sẽ làm cho Bi số 2 dễ dàng dịch chuyển
và tránh trình trạng bị mòn tròng thời gian sử dụng lâu dài.

50
Hình 3.7: Cơ cấu tạo dịch chuyển của chi tiết gá gương động

1. Trục vít 3. Trụ

2. Bi 4. Khối nửa chữ V

3.2.3.Bàn dịch chuyển nhỏ MT1/M

Hinh 3.8 : Bàn dịch chuyển nhỏ có gắn PZT

3.2.4. Nguồn Laser.

51
 Hình 3.9 : Đi-ốt laser CPS532

Tính năng và đặc điểm:

- CPS532 sử dụng công nghệ DPSS để phát ra phạm vi bước sóng hẹp hơn và
chính xác hơn so với mô-đun diode laser collimated thông thường. Nó phát ra một
chùm tròn đơn mode là elip phân cực.
-Mô-đun Diode Laser có thể điều chỉnh hoặc lấy nét
-Chiếu sáng ở bước sóng từ 405 nm đến 980 nm
-Phụ kiện để cấp nguồn và lắp các mô-đun laser có sẵn
-Hoạt động chế độ nguồn không đổi sử dụng phản hồi photodiode tích hợp

Quang phổ đặc trưng của CPS532 Thông số kỹ thuật

Vật liệu vỏ bọc Nhôm

Kích thước vỏ Ø11𝑚𝑚 x 72,8mm
Nhiệt độ hoạt động 10 -40 °C
Nhiệt độ cất giữ -30 – 70 °C
Lớp an toàn 3R
Bước song 532nm

52
 Công suất 4,5mW

Bước sóng của CPS532 có giá trị từ 531nm đến 533nm. Nhìn vào đồ thị trên ta
thấy biên độ đat cực đại ( 0,85a.u) tại bước song xấp xỉ 532nm

3.2.5. Lăng kính chia chùm PBS

Lăng kính và bộ phân tách chùm tia là những thành phần chủ yếu bẻ cong, phân
tách, phản xạ, và uốn khúc tia sáng qua đường truyền của cả quang hệ đơn giản và
phức tạp. Được cắt và hàn với dung sai đặc biệt và góc chính xác, lăng kính là
khối thủy tinh, hoặc chất liệu trong suốt khác, nhẵn bóng, có thể dùng làm uốn
cong hoặc làm lệch hướng chùm tia sáng, làm quay hoặc đảo ngược ảnh, phân tách

53
các trạng thái phân cực, hoặc làm tán sắc ánh sáng thành các bước sóng thành phần
của nó. Nhiều thiết kế lăng kính có thể thực hiện nhiều chức năng, thường bao
gồm việc làm thay đổi đường nhìn và đồng thời làm giảm quang trình, do đó làm
giảm kích thước của dụng cụ quang.

Giống như tên goi, bộ tách chùm được dùng để gởi trả lại một phần chùm tia sáng,
đồng thời cho phép phần còn lại tiếp tục đi theo đường thẳng. Bộ tách chùm có
thể đơn giản là một bản thủy tinh hình vuông hoặc hình chữ nhật tráng một chất
phản xạ, hoặc chúng có thể tích hợp dạng lớp phủ bề mặt trong những cơ cấu
quang nhiều thành phần phức tạp. Bộ tách chùm phổ biến nhất sử dụng hai lăng
kính góc vuông tráng ở cạnh huyền, tạo ra một bề mặt bán phản xạ, và rồi hàn lại
với nhau thành hình lập phương. Khi hợp nhất vào một quang hệ, một phần ánh
sáng truyền qua khối bị lệch góc 90 độ khi chạm phải ranh giới tráng gương giữa
hai lăng kính hình nêm. Phần còn lại truyền qua khối không bị lệch. Ngoài việc có
thể chia chùm tia sáng thành hai thành phần, bộ tách chùm cũng có thể được dùng
để kết hợp hai chùm tia sáng hoặc các ảnh tách rời thành một.

Tính năng và đặc điểm

- Dải sóng rộng bề mặt phủ AR cho 400-700nm

- Chất nền N-BK7
- Khối (25,4 mm) với tỷ lệ tách 10:90, 30:70, 50:50, 70:30 hoặc 90:10 (R:
T)

Thông số kỹ thuật

Dải bước song 400-700nm

54
 Lớp phủ AR( bốn bề R avg <0,5% ở 0 ° AOI
mặt) từ 400 - 700 nm
Vật liệu N-BK7
Dung sai kích thước + 0,0 / -0,2 mm
Độ lệch chùm tia phản 90 ° ± 5
xạ
Chất lượng bề mặt 40-20 cratch-Dig

3.2.6. Gương động và gương phản xạ

Lưu ý / thông số kỹ thuật:

1. khẩu độ : > 21.6 mm1.

2. Chất lượng bề mặt (s1): 10-5 cratch-Dig

3. Bề mặt phẳng (s1): λ/10 at 633nm3.

(s2): nghiền mịn

4. độ song song : ≤ 3arcmin

5. Thiết kế dải bước sóng: 350-400nm

6. Lớp phủ: giờ băng thông rộng, rs điện môi và rp> 99% trên phạm vi bước sóng
aoi: 0 đến 45

55
 Hình 3.10 : gương động và gương phản xạ

3.2.7. Photo detector

Hình 3.11 : Photodetector PDA36A2

56
Để biến đổi tín hiệu quang trở lại thành tín hiệu điện và khôi phục lại dạng tín hiệu
ban đầu (dạng tín hiệu trước khi được đưa vào hệ thống thông tin quang). Thành
phần chính của bộ thu là diode thu quang, thành phần này có nhiệm vụ biến đổi
tín hiệu quang thành tín hiệu điện thông qua các hiệu ứng quang điện. Các yêu cầu
đối với diode thu quang cũng tương tự như yêu cầu đối với nguồn quang, cụ thể:
độ nhạy cao, tốc độ đáp ứng nhanh, nhiễu thấp, độ tin cậy cao, kích thước phù hợp
với lõi sợi quang. Các diode thu quang được làm từ vật liệu bán dẫn hoàn toàn có
thể đáp ứng được các yêu cầu này

Tính năng, đặc điểm

Dải bước sóng trong phạm vi 200 đến 1100 nm

Tải Trở kháng 50 Ω và cao hơn cho bản băng thông > 3 kHz

Khớp nối quang không gian tự do

PDA10A2 có Nguồn cấp điện ± 12 V đi kèm.

Thông số kỹ thuật

Dải Dải Tải 50 Ω Tải Hi-Z Vùng hoạt động NEP Nhiệt độ hoạt
Bước Băng động
Sóng Thông
350 – DC - 12 0.75 kV/A - 1.51 kV/A - 13 mm2 3.25 - 10-40°C
1100 MHz 2.38 MV/Ac 4.75 MV/Ac (3.6 mm x 3.6 75.7
nm mm) pW/Hz1/2

57
3.3. Xây dựng hệ dịch chuyển nhỏ sử dụng PZT để điều biến pha.
3.3.1. Thiết lập quang học.
Thiết lập quang học của thí nghiệm này được thể hiện trong hình 3

Hình 3.12. Thiết lập quang học

Một laser diode chùm tròn chuẩn trực 0,9 mW, với bước sóng quang 532 nm cung
cấp nguồn sáng cho thí nghiệm được mô tả trong luận án này. Ánh sáng phát ra từ
diode laser truyền qua lăng kính chia chum tỉ lệ 50/50. Đảm bảo rằng chum sáng
được phân ra tạo thành 1 góc 90 °. Đảm bảo rằng khoảng cách giữa 2 nhánh gương
của giao thoa kế bằng nhau. Một chùm ánh sáng đi vào cụm điều biến và pha của

58
phương trình điện trường sẽ được điều biến, trước khi được phản xạ và tái tổ hợp
với chùm tia phản xạ từ gương đo tại cảm biến quang.

3.3.2. Bộ điều biến pha.

Hình 3.13. Bộ điều biến pha sử dụng hệ dịch chuyển PZT

Hình 3.7 cho thấy sơ đồ lắp đặt của cụm điều biến.Gương được gá trên bộ dịch
chuyển nhỏ, pzt được gắn cố định giữa phần panme và phần thân của bộ dịch
chuyển nhỏ. 2 điện cực của pzt được nối vào đầu điện áp ra của bộ điều khiển. Bộ
điều khiển PZT có thể cung cấp giá trị điện áp từ 0-150V do đó có thể đảm bảo
đáp ứng đủ điện áp khiến PZT thay đổi hình dạng.

59
 Như ta đã thảo luận ở các phần trước. sự biến đổi biến dạng của PZT tỉ lệ thuận
với giá trị điện áp giữa 2 đầu điện cực, do đó bằng cách điều khiển giá trị điện áp
ta hoàn toàn có thể diều khiển được sự biến dạng của PZT qua đó điều khiển được
chuyển động của gương.

Chúng ta điều khiển PZT bằng điện áp được tạo bởi 1 bộ tạo hàm. Theo như lý
thuyết trình bày trong chương 2, chúng ta áp dụng một tín hiệu tham chiếu của bộ
tạo hàm với hệ số điều biến m= 2.61 (J1=J2), ωm= 2000π

𝑚𝑠𝑖𝑛𝜔𝑚 𝑡 = 2.61𝑠𝑖𝑛2000𝜋𝑡

Đối với cấu hình phần mềm, chúng tôi kết nối máy phát điện chức năng với đầu
nối EXT IN trên bảng điều khiển phía sau Trong bảng điều khiển GUI, nhấp vào
nút ‘Cài đặt’ để hiển thị bảng cài đặt.

60
 Hình 3.14. Bảng cài đặt Piezo

Trong 'Drive Input Source (Open Loop)', chọn Analogue Input (VIn) + SW, trong
trường 'Analogue Input Source (Ext In)', chọn SMA Input. Nhấn OK và bất kỳ
điện áp nào trên đầu nối SMA panel phía sau bây giờ được khuếch đại bởi thiết bị
và có mặt tại đầu nối HV OUT (ổ đĩa piezo) và vị trí của bộ truyền động piezo có
thể được điều khiển bằng tín hiệu từ bộ tạo hàm.

3.3.3. Bộ xử lý tín hiệu

Đối với thiết lập xử lý tín hiệu, theo bộ khuếch đại Lock-in, chúng ta nhập vào
chương 2, chúng ta xây dựng khối như hình 3.9 bên dưới:

61
 Hình 3.15. Bộ xử lý tín hiệu

Tín hiệu cường độ được ghi bởi PD đi vào Mixer và ở đây tín hiệu từ FG với tần
số góc ωm = 2000 π và 2 ω m = 4000 π để đạt được chuỗi điều hòa có tần số góc
lớn hơn ω m = 2000 π (fm = 1 kHz).

Sau khi tín hiệu được trộn lẫn, chúng đi qua bộ lọc thông thấp với băng tần 1 kHz
để tín hiệu có tần số lớn hơn ωm = 2000 π (fm = 1 kHz) sẽ bị từ chối.

Trong kết quả chúng ta thu được một cặp thuật ngữ hài hòa cần thiết có thể vẽ một
sơ đồ Lissajous, tín hiệu này được thu thập bởi một ADC và sẽ được xử lý trên
PC.

62
3.3.4. Kết quả thử nghiệm

Từ dữ liệu thu thập được trên PC, chúng ta có thể vẽ đồ thị của giai đoạn dịch
chuyển như đồ thị 3.10

Hình 3.16. Đồ thị dịch chuyển pha

Thông thường, tín hiệu bị biến dạng bởi LD, sự lệch hướng của quang học và dao
động của môi trường được hiển thị trong biểu đồ thô ở trên. Kết quả được hiển thị
trong biểu đồ 3.11 bên dưới

63
 Hình 3.17. Biểu đồ thông thường của dịch chuyển pha

Từ đồ thị 3, chúng ta có thể đếm 10 giai đoạn của hàm sin có nghĩa là thay đổi
gương 10 × λ / 4 và dịch chuyển bổ sung có thể được tính toán từ dữ liệu được ghi
lại lần cuối.

Đối với ADC 24 bit của chúng tôi với 5 V FSR thì LSB = 5/2 ^ 24 cho kết quả
ghi lại mã dữ liệu cuối cùng cho thấy 1547279. Để chuyển đổi mã dữ liệu đó thành
điện áp định dạng thập phân, chúng ta nhân kết quả.

Sau đó, dữ liệu cuối cùng là 1547279 × 5/2 ^ 24 ≈ 0.461 V với chuẩn hóa của
chúng tôi giai đoạn chọn lọc sifting tương đương 0.312 rad.

Cuối cùng ΔL = 10 × λ / 4 + 0.312 × λ / 4π = (2.5 + 0.312 / 4π) × λ = 1343.2 nm.

64
 CHƯƠNG 4: KẾT LUẬN
4.1. Ưu nhược điểm.
Để có một cái nhìn tổng quan nhất thì để tài có những ưu và nhược điểm sau
đây:

 Ưu điểm: Xây dựng thành công hệ giao thoa kế có độ chính xác cao, khoảng
đo rộng bằng phương pháp điều biến pha sử dụng những thiết bị có giá thành
rẻ đồng thời triệt tiêu được ảnh hưởng của độ sâu điều biến m.
 Nhược điểm: Vì nhánh điều chế được điều chế cơ học bằng cách dùng PZT
dịch chuyển gương nên tín hiệu phần nào đó bị méo, vẫn còn đó những tác
động từ môi trường ảnh hưởng tới kết quả đo chưa được khắc phục.
3.2 Hướng phát triển
Trong tương lai đề tài hướng tới:

 Phát triển hệ giao thoa kế có độ chính xác cao hơn, cỡ picomet.

 Tăng cường tốc độ đo do trên lý thuyết, tốc độ đo của phương pháp điều
biến chỉ phục thuộc vào tần số điều biến, thứ ta có thể điều chỉnh.
 Phát triển những phương pháp có thể hạn chế được sự điều chế của biên độ
đi kèm với điều chế pha, tần số.

65
 TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1]. EDU-MINT1 EDU-MINT1/M Michelson Interferometer Kit User Guide

Nguồn : Thor lab.

[2].. LIGO: The Laser lnterferometer Gravi tational-Wave Observatory.

Tác giả : Alex Abramovici, William E. Althouse, Ronald W. P. Drever, Yekta Gursel,
Seiji Kawamura, Frederick J. Raab, David Shoemaker, Lisa Sievers, Robert E. Spero,
Kip S. Thorne, Rochus E. Vogt, Rainer Weiss, Stanley E. Whitcomb, Michael E. Zucker.

[3]. A Scanning Michelson Interferometer for the Measurement of the Concentration and
Temperature Derivative of the Refractive Index of Liquids.

Tác giả : A. Becker, W. Kohler, and B. Miiller Max.

[4]. Scanning Michelson interferometer for imaging surface acoustic wave fields.

Tác giả : J. V. Knuuttila, P. T. Tikka and M. M. Salomaa.

[5]. Laser interferometer for measuring high velocities of any reflecting surface.

Tác giả : L. M. Barker and R. E. Hollenbach.

[6]. A homodyne Michelson interferometer with sub-picometer resolution.

Tác giả : Marco Pisani.

[7]. Optical methods for distance and displacement measurements.

Tác giả : Garry Berkovic and Ehud Shafir.

[8]. Absolute displacement measurements using modulation of the spectrum of white

light in a Michelson interferometer.

Tác giả: L. Montgomery Smith and Chris C. Dobson

66
[9]. Absolute displacement measurements using modulation of the spectrum of white
light in a Michelson interferometer

67