24.03.2020r.

Ocena:
LABORATORIUM NR 1

Rafał Borda Podpis:

MiBM s1s4 Szymon Brylski
Grupa 1
Patrycja Janiak

MATERIAŁY DLA ELEKTRONIKI

Sprawozdanie

Prowadzący:
Dr inż. Aleksandra Drygała

1
Polecenia:
1. Przedstaw model pasmowy ciała stałego.
Model pasmowy elektronowej budowy ciała stałego tłumaczy przewodnictwo
elektryczne ciał stałych. Podstawą teorii pasmowej są zmiany, które powstają w poziomach
energetycznych atomów, gdy te zbliżają się do siebie, tworząc strukturę krystaliczną. W atomie
swobodnym wartości dozwolonych energii elektronów są rozdzielone obszarami energii
zabronionych. Podczas zbliżania się atomów do siebie, rosnące oddziaływania między nimi
wywołują efekt rozszczepienia poziomów energetycznych elektronów [1].
W pierwszej kolejności rozszczepieniu ulegają poziomy zewnętrzne, obsadzone
elektronami walencyjnymi, ponieważ oddziaływania między atomami ciała stałego wpływają
najsilniej na elektrony najsłabiej związane ze swoimi jądrami. Poziomy energetyczne
elektronów w głębiej położonych powłokach ulegają rozszczepieniu znacznie słabiej [2].
Elektrony walencyjne, zajmując dolne stany w tych pasmach energetycznych, wykazują
energię mniejszą niż w atomach swobodnych, co w stanie stałym umożliwia wiązania między
atomami [1].

Rys. 1 Powstawanie pasm energetycznych.

Z punktu widzenia pasmowej teorii przewodnictwa różnice we własnościach

elektrycznych metali i dielektryków wynikają z różnego położenia pasm energetycznych
względem siebie oraz ich różnego wypełnienia elektronami [1].
Warunkiem koniecznym wystąpienia przewodnictwa elektrycznego jest obecność
wolnych poziomów energetycznych, na które może się przenieść elektron po uzyskaniu energii
od pola energetycznego z zewnątrz. Warunek ten jest spełniony albo gdy pasmo walencyjne

2
jest tylko częściowo obsadzone przez elektrony – jest pasmem przewodzenia, albo gdy
zazębiają się dwa sąsiednie pasma – zapełnione walencyjne i sąsiadujące z nim puste [2].

Rys 2. Układ pasm energetycznych dla różnego typu materiałów.

A – przewodnik B – półprzewodnik C – dielektryk

W temperaturze 0 [K] przewodniki przewodzą prąd elektryczny, wraz ze wzrostem

temperatury ich przewodność maleje. Z kolei półprzewodniki w 0 [K] nie przewodzą prądu
elektrycznego (zachowują się jak dielektryki), wraz ze wzrostem temperatury ich
przewodność rośnie.

2. Opisz wpływ temperatury na przewodność przewodników i półprzewodników.

Ze wzrostem temperatury dochodzi do wzrostu amplitudy drgań atomów w węzłach
sieci, rośnie wtedy prawdopodobieństwo zderzeń z elektronami. Stąd ze wzrostem
temperatury maleje ruchliwość elektronów, a więc i konduktywność metalu.
Zmiana rezystywności metalu na jednostkę temperatury jest proporcjonalna do wartości
rezystywności

Gdzie:
α – temperaturowy współczynnik rezystywności.
Dla metali α>0 tj. rezystywność rośnie ze wzrostem temperatury. Dla niektórych
materiałów α może przyjąć wartości ujemne. Sama wartość jest zależna od temperatury.
W zakresie temperatur bardzo wysokich lub bardzo niskich rezystywność
przewodników metalowych wykazuje zmiany skokowe. W przypadku temperatur bardzo
wysokich jest to wynikiem zmiany stanu skupienia ze stałego na ciekły. Zaś w przypadku

3
temperatur bardzo niskich, zbliżonych do zera bezwzględnego, występuje zjawisko
nadprzewodnictwa, polegające na skokowym zaniku rezystywności niektórych przewodników
Konduktywność półprzewodników jest proporcjonalna do iloczynu ruchliwości
nośników oraz ich koncentracji. Wzrost temperatury i związane z tym zwiększenie drgań sieci
krystalicznej zmniejszają ruchliwość elektronów i dziur. W półprzewodnikach, w
przeciwieństwie do metali, koncentracja elektronów nie jest stała i silnie zależy od
temperatury. Stąd przy wzroście temperatury w półprzewodnikach zachodzą zjawiska
działające przeciwstawnie na konduktywność: zmniejszanie się ruchliwości i bardzo silny
wzrost koncentracji nośników. W rezultacie ze wzrostem temperatury silnie rośnie
konduktywność półprzewodnika [1].

3. Dokonaj podziału półprzewodników:

I. Ze względu na skład:
• Elementarne – są to kryształy zbudowane z atomów jednego
pierwiastka, takie jak np.: Ge, Si, B, Se, Te.
• Złożone – najczęściej złożone z atomów dwóch pierwiastków, w ten
sposób, że tworzą skład stechiometryczny. Mogą występować
połączenia pierwiastków grupy III (np. Al) i V (np. P) lub II (np. Zn) i
VI (np. Se) [3].

II. Ze względu na strukturę:

• Polikrystaliczne.
• Monokrystaliczne.
• Amorficzne.

III. Ze względu na czystość:

• Samoistny – materiał idealnie czysty, bez żadnych zanieczyszczeń
struktury krystalicznej, o małej ilości ładunków swobodnych.
• Domieszkowany – do materiału zostały wprowadzone i aktywowane
atomy pierwiastków domieszkowe, nie wchodzące w skład
półprzewodnika samoistnego, celem obniżenia rezystywności [2].

IV. Ze względu na rodzaj domieszki:

• n (negatywowy lub donorowy) – powstają, gdy do
czterowartościowego krzemu lub germanu zostanie dodany pierwiastek
z większą liczbą elektronów walencyjnych (o 1, np.: fosfor, antymon czy
arsen).

4
Rys 3. Sieć krystaliczna półprzewodnika domieszkowanego donorami.

Rys 4. Model pasmowy półprzewodnika domieszkowanego donorami.

• p (pozytywowy lub akceptorowy) – powstają, gdy do

czterowartościowego krzemu lub germanu dodany zostanie pierwiastek
z mniejszą liczbą elektronów walencyjnych (o 1, np. gal, aluminium, ind,
bor) [1].

5
 Rys 5. Sieć krystaliczna półprzewodnika domieszkowanego akceptorami.

Rys 6. Model pasmowy półprzewodnika domieszkowanego donorami.

V. Ze względu na rodzaj złącza:

Złącze p-n jest to złącze dwóch półprzewodników niesamoistnych o różnych typach
przewodnictwa: p i n. Stanowią one cienką warstwę przejściową między obszarami
półprzewodnika typu p i półprzewodnika typu n:
• Homozłącze p-n – wyżej wspomniane obszary są uzyskane z tego
samego półprzewodnika, przez jego odpowiednie domieszkowanie.
• Heterozłącze p-n – złącze wykonane z dwóch różnych
półprzewodników [1].

6
Bibliografia:
[1] Celiński Z., Materiałoznawstwo elektrotechniczne, Oficyna Wydawnicza Politechniki
Warszawskiej, Warszawa 1998
[2] Dobrzański L.A, Podstawy nauki o materiałach i metaloznawstwo, Wydawnictwa
Naukowo-Techniczne, Warszawa 2002
[3] Płaczek-Popko E., Fizyka odnawialnych źródeł energii, E-skrypt opracowany w ramach
projektu o nr UDA-POKL.04.01.02-00-065/09-01