!!!Књига FČS PDF

П РИ Р ОД Н О- МА Т Е МА ТИ Ч К И Ф А К У Л Т Е Т
FĆ
Тијана С. Кевкић
УВОД У ФИЗИКУ ЧВРСТОГ

СТАЊА
Косовска Митровица
2017.
Тијана Кевкић
Издавач:
Универзитет у Приштини
Природо-математички факултет
Косовска Митровица
Рецензенти:
др Драган Петковић, редовни професор, Природно-математички
факултет, Косовска Митровица
др Зоран Павловић, ванредни професор, Природно-математички
факултет, Ниш
Техничко уређивање:
Аутор
Лектор:
Одлуком Наставно-научног већа број ___________ Природно-

математичког факултета у Косовској Митровици рукопис је одобрен
за штампу као универзитетски уџбеник.
Штампа:
Тираж:
1|
УВОД У ФИЗИКУ ЧВРСТОГ СТАЊА
-САДРЖАЈ-
УВОД ............................................................................................................ 7
1. КРИСТАЛОФИЗИКА ................................................................................... 10
1.1. Структура кристала.................................................................................... 10
1.2. Елементарна ћелија ................................................................................... 11
1.3. Примитивна и сложена елементарна ћелија ................................ 13
1.4. Симетрија кристала.................................................................................... 16
1.5. Кристални системи..................................................................................... 18
1.6. Густина кристала. Веза Авогадровог броја и густине кристала.
Координациони број ................................................................................................ 20
1.7. Положај чворова, праваца и равни у кристалној решетки .... 22
1.7.1. Милерови индекси правца.......................................................... 24
1.7.2. Милерови индекси равни............................................................ 25
1.8. Гранични елементи кристала ............................................................... 26
2. ХЕМИЈСКЕ ВЕЗЕ У КРИСТАЛИМА...................................................... 28

2.1. Енергија везе .............................................................................................. 30
2.2. Молекулски кристали............................................................................ 32
2.3. Јонски кристали ........................................................................................ 35
2.3.1. Енергија везе у јонским кристалима ................................ 36
2.4. Ковалентни кристали ............................................................................ 38
2.5. Метални кристали ................................................................................... 40
3. ДИФРАКЦИЈА ЗРАЧЕЊА НА КРИСТАЛНОЈ РЕШЕТКИ.

РЕЦИПРОЧНА РЕШЕТКА.............................................................................. 43
3.1. Дифракција електромагнетног и честичног зрачења на
кристалима .............................................................................................................. 44
3.2. Брагов закон дифракције ........................................................................ 46
3.3. Амплитуда расејаног таласа по Лауеу .............................................. 47
3.4. Расејање на решетки тачкастих атома ............................................. 49
2|
3.5. Дифракциони услови................................................................................. 52

3.6. Геометријске особине реципрочне решетке ................................. 53
3.7. Реципрочнa решетка у простору ......................................................... 57
3.8. Милерови индекси у реципрочној решетки .................................. 58
3.9. Евалдова конструкција............................................................................. 59
3.10. Брилуенове зоне ........................................................................................ 60
3.11. Реципрочне решетке за кубне кристале ....................................... 61
3.12. Експерименталне дифракционе методе....................................... 64
3.12.1. Метода обртног кристала......................................................... 64
3.12.2. Лауеова метода .............................................................................. 66
3.12.3. Метода кристалног праха ......................................................... 66
4. ДЕФЕКТИ У КРИСТАЛИМА .................................................................. 68

4.1. Слободна енергија кристала .................................................................. 68
4.2. Класификација дефеката у кристалима .......................................... 69
4.3. Тачкасти дефекти ........................................................................................ 70
4.3.1. Дефекти по Шоткију ...................................................................... 70
4.3.2. Дефект по Френкељу ..................................................................... 73
4.3.3. Примесни дефекти .......................................................................... 74
4.3.4. Центри обојености .......................................................................... 76
4.4. Линијски дефекти ....................................................................................... 76
4.4.1. Бургерсов вектор ............................................................................. 78
4.4.2. Кретање дислокација .................................................................... 79
4.4.3. Еластична енергија дислокације ............................................. 80
4.4.4. Силе напрезања код дислокација ........................................... 83
4.5. Дводимензионални дефекти ................................................................. 84
5. ВИБРАЦИЈЕ КРИСТАЛНЕ РЕШЕТКЕ. ФОНОНСКА ПОБУЂЕЊА У

КРИСТАЛИМА ................................................................................................... 87
5.1. Вибрације једноатомских линеарних рештки.............................. 88
5.1.1. Дисперзиона релација................................................................... 90
3|
5.1.2. Борн-Карманови услови .............................................................. 92

5.2. Осциловање атомских равни ................................................................. 94
5.3. Осциловање једнодимензионалне двоатомске решетке........ 97
5.4. Осциловање атома идеалне тродимензионалне решетке ... 101
5.5. Фонони ............................................................................................................ 103
6. ТОПЛОТНА СВОЈСТВА ЧВРСТИХ ТЕЛА ............................................104

6.1. Класична теорија топлотног капацитета кристала ................ 104
6.2. Ајнштајнов модел топлотног капацитета .................................... 106
6.3. Дебајев модел .............................................................................................. 109
6.4. Топлотно ширење кристала ................................................................ 115
6.5. Топлотна отпорност кристала............................................................ 118
6.6. Топлотна проводност кристала ......................................................... 120
7. ЗОНСКА ТЕОРИЈА ЧВРСТОГ ТЕЛА ..................................................122

7.1. Шредингерова једначина за чврсто тело ...................................... 122
7.2. Адијабатска апроксимација ................................................................. 124
7.3. Валентна и једноелектронска апроксимација ........................... 124
7.4. Блохова функција ...................................................................................... 126
7.5. Квазиимпулс електрона ......................................................................... 128
7.6. Брилуенове зоне. Појам енергетских зона ................................... 130
7.7. Модел скоро слободног електрона .................................................. 132
7.8. Кронинг-Пенијев једнодимензионални модел.......................... 134
7.9. Ефективна маса електрона. Појам шупљина .............................. 139
8. ПОЛУПРОВОДНИЧКИ КРИСТАЛИ..................................................144
8.1. Забрањена зона полупроводника ..................................................... 144
8.2. Концентрација носилаца у сопственом полупроводнику .... 147
8.2.1. Апроксимативна решења Ферми-Диракових
интеграла ............................................................................................................ 150
8.3. Положај Фермијевог нивоа у сопственом полупроводнику 152
4|
8.4. Теорија примесних стања...................................................................... 154

8.5. Расподела носилаца наелектрисања у примесном
полупроводнику....................................................................................................... 156
8.6. Положај Фермијевог нивоа у примесном полупроводнику 159
8.6.1. Положај Фермијевог нивоа у полупроводнику n-
типа ........................................................................................................................ 160
8.6.2. Полупроводник са акцепторским примесама ................ 163
8.7. Полупроводник са донорским и акцепторским примесама 166
8.8. Дегенерисани полупроводник ........................................................... 169
9. МЕТАЛИ .......................................................................................................173
9.1. Друдеова класична теорија .................................................................. 174
9.2. Eлектрична проводност метала ........................................................ 175
9.3. Топлотна проводност метала ............................................................. 176
9.4. Квантна теорија електронског гаса ................................................. 179
9.5. Ферми-Диракова функција расподеле ........................................... 183
9.6. Средња вредност енергије електрона ............................................ 185
9.7. Зомерфилдов модел ................................................................................. 187
9.8. Топлотни капацитет електронског гаса........................................ 192
9.9. Топлотна проводност метала ............................................................. 194
10. ДИЕЛЕКТРИЧНЕ ОСОБИНЕ ЧВРСТИХ ТЕЛА ...............................196

10.1. Класификација диелектрика ............................................................ 197
10.2. Локално електрично поље ................................................................. 199
10.3. Поље у диелектрику између плоча кондензатора................. 202
10.4. Диелектрична чврста тела у спољашњем пољу .................... 203
10.5. Механизми еластичног поларизовања диелектрика........... 205
10.5.1. Електронска еластична поларизација ............................. 206
10.5.2. Јонска еластична поларизација ........................................... 208
10.5.3. Оријентациона еластична поларизација ........................ 210
10.6. Топлотна проводност диелектрика .............................................. 213
5|
11. МАГНЕТНЕ ОСОБИНЕ ЧВРСТИХ ТЕЛА ..........................................217

11.1. Mагнетни момент електрона ............................................................ 217
11.2. Магнетно поље у супстанци .............................................................. 220
11.3. Дијамагнетизам ....................................................................................... 221
11.4. Парамагнетизам ...................................................................................... 225
11.5. Феромагнетизам ..................................................................................... 227
11.5.1. Магнетизација феромагнетика ........................................... 229
11.5.2. Хистерзисна петља ..................................................................... 230
11.5.3. Зависност феромагнетних појава од температуре.... 232
12. СУПЕРПРОВОДНИЦИ ............................................................................234

12.1. Подела суперпроводника ................................................................... 236
12.2. Ефекти суперпроводности ................................................................. 237
12.2.1. Ишчезавање електричне отпорности и суперструје 237
12.2.2. Мајснеров ефекат ........................................................................ 241
12.2.3. Једначина Лондонових............................................................. 242
12.2.4. Идеални дијамагнетизам........................................................ 243
12.2.5. Критична јачина магнетног поља. Типови
суперпроводника ............................................................................................ 244
12.3.6. Критична густина електричне струје .............................. 246
12.3. BCS теорија ................................................................................................. 248
12.3.1. Стварање парова посредством фонона ........................... 251
12.3.2. Основно стање суперпроводника ....................................... 252
12.4. Квантизација магнетног флукса ..................................................... 253
12.5. Џозефсонов ефекат ................................................................................ 255
12.6. Примена суперпроводника ................................................................ 258
ЛИТЕРАТУРА ..................................................................................................260
6|
УВ ОД
Физика чврстог стања је област физике која проучава
својства, структуру и физичке облике кретања материје у чврстом
стању. Настала је четрдесетих година ХХ века удруживањем, до тада
аутономних, научних области које су истраживале својства чврстих
материјала: кристалографије, металургије, теорије еластичности,
магнетизма и др.
Заснована на сазнањима класичне, атомске, нуклеарне,
статистичке и квантне физике, физика чврстог стања испитује
појаве и процесе у чврстим телима које су праћене променама
одговарајућих физичких величина (на пример: температуре,
притиска, димензија и облика микрокристала, броја и врсте
дефеката у кристалној решетки и друге).
Према макроскопској дефиницији, чврсто тело је материјални
систем који остаје у равнотежи под дејством сталног смичућег
напона. С друге стране, чврсто тело би се могло дефинисати и као
скуп огромног броја структурних елемената (атома или група
атома) које међусобно тесно упаковане држи одређени тип везе у
чијој је основи кулоновска интеракција атомских јона и електрона.
Чврста тела се, у односу на структуру и основна својства,
деле на кристална и аморфна. Код кристала изграђивачке честице
су правилно просторно распоређене због чега се каже да кристали
поседују дугодосежно уређење. Спољашњи облик природно
насталог кристала је по правилу полиедарски. На пример, кварц је
облика шестостране призме која се завршава шестостраном
пирамидом, кристали стипсе имају облик октаедра, а камене соли
облик коцке. Свако кристално тело карактерише оштар фазни
прелаз, односно одређена тачка топљења.
За разлику од кристала, код аморфних тела (грчки а = без,
morphe = облик) нема правилности у просторном распореду
честица. Због недовољне микроскопске правилности, аморфна тела
су увек изотропна, тј. у свим правцима имају исте особине. Поред
тога, аморфна тела немају тачно одређену тачку топљења, већ при
загревању постепено омекшавају, вискозност им се смањује и
понашају се попут течности.
О давнашњем визуелном проучавању кристала сведочe
сачувани кристал кварца из VIII века нове ере у Јапану, као и цртеж
кристала из XI века пронађен у кинеској фармакопеји. Међутим,
скоро до краја средњег века реч „кристал“ односила се искључиво на
кварц што није необично када се зна да је кварц (силицијум-
7|
диоксид) други по реду најзаступљенији минерал у природи и да сам

чини 12% Земљине континенталне коре. Тек су у XVII веку
минеролози утврдили да одређени кристал има увек исти
геометријски облик без обзира на величину и налазиште. Поред
тога, у лабораторији је утврђено да за време раста кристала његов
облик остаје исти при непроменљивим спољашњим условима, као
да се идентични изграђивачки делови непрекидно додају кристалу.
Од тада се почело наслућивати да правилни симетрични облици
кристала потичу од њиховог правилног унутрашњег уређења. На
везу између правилног спољашњег геометријског облика кристала
и уређеног унутрашњег распореда његових изграђивачких јединица
први је покушао да укаже Јохан Кеплер 1611. године у раду „A New
Year’s Gift or the Six-Corner Snowflake“. У њему је показао како се
густим слагањем малих куглица леда могу добити шестоугаоне
снежне пахуљице, али никада петоугаоне или седмоугаоне.
У књизи „Micrographia“ енглески научник Роберт Хук је 1665.
године описао и нацртао изглед пахуљица и комадића кристала
кремена (слика 1).
Слика 1.
Хук је помоћу оптичког микроскопа уочио на површини

преломљеног већег комада кремена геометријске ликове попут
ромба, квадрата и правоугаоника. Појаву ових геомеријских ликова
објаснио је слагањем куглица које представљају изграђивачке
јединице кремена, односно циглице чијим се слагањем добија
спољашњи изглед (слика 2).
Слика 2.
8|
Значајно откриће да су вредности индекса праваца свих

постојећих равни цели бројеви (Хаји) обележило је XVIII век, док је
Зебер 1824. године потврдио Кеплерову и Хукову идеју о малим
сферама које чине елементарне делиће кристала. Зебер је такође
предложио емпиријски закон за међуатомску силу са областима
привлачног и одбојног деловања што је услов за стабилно стање
кристалне структуре. Ипак, скоро цео век касније коначно се успело
проникнути у унутрашњу структуру кристала захваљујући
Рендгеновом открићу Х-зрака и Лауеовој претпоставци да би
кристал могао да се употреби као дифракциона решетка за ове
зраке. Чланак Фридриха, Книпинга и Лауеа под насловом
„Интерференциони ефекти са рендгенским зрацима“, објављен 8.
јуна 1912. године, означио је почетак ере интензивног проучавања
структуре кристала помоћу дифракције рендгенских зрака. Већ
годину дана касније у радовима Брага описане су, на тај начин
одређене, кристалне структуре KCl, NaCl, KBr и KJ.
9|
1 . КР ИСТАЛ ОФИЗ ИКА
1.1. Структура кристала

Кристалографија (од грчких речи crystallos = лед и graphein
= писати) је наука која проучава кристале, њихов спољашњи облик
као и унутрашњу грађу. У оквиру кристалографије изграђен је
специфичан „језик“ - језик симбола за описивање кристалних
структура и објашњавање сложене геометрије различитих
кристалних форми. Помоћу овог језика формирање идеалног
кристала описује се као бесконачно правилно понављање у простору
идентичних структурних елемената облика паралелопипеда.
Структурни елемент може садржати само један атом (као у случају
кристала бакра, сребра, злата и алкалних метала), два атома
(кристали цинка и дијаманта), до 100 атома код неорганских и чак
до 105 атома код протеинских кристала. Поред тога, кристал може
елемент NaCl састоји се од једног Na и једног Cl јона.

бити сачињен од више хемијских елемената, на пример структурни
Поменутим језиком симбола структура било ког кристала

представља се помоћу периодичне просторне решетке и групе атома
која се придружује сваком чвору решетке или поставља у сваки
елементарни паралелопипед. Ова група атома назива се структурни
мотив, а може бити састављен од једног атома или молекула, или
групе атома, молекула или јона. Структурни мотив од два или више
атома назива се базис.
Слика 1.1. Формирање кристалне структуре
10 |
Периодична просторна решетка, или краће, просторна

решетка, јесте тродимензионални бесконачни низ тачака (чворова)
такав да је свака тачка на идентичан начин окружена својим
суседима. Када се свакој тачки просторне решетке на исти начин
придружи по један идентичан структурни мотив добија се
кристална структура (слика 1.1).
1.2. Елементарна ћелија

У кристалографији је уведен и појам кристалне решетке под
којим се подразумева уређен скуп тачака који репрезентује
унутрашњу грађу кристала. Формирање кристалне решетке може се
објаснити помоћу слике 1.2. Транслацијом тачке дуж једног правца
добија се низ, затим се транслацијом низа у другом
неколинеарном правцу добија мрежа, а транслацијом мреже у
трећем некомпланарном правцу формира се кристална решетка.
Низ, мрежа и решетка су уређени скупови тачака дуж неког правца,
у некој равни или простору и све се понашају као тачке на које се
могу применити операције симетрије и кроз које пролазе елементи
симетрије.
Слика 1.2. Формирање кристалне решетке
Било која тачка кристала може се пресликати у њој

еквивалентну једном комплетном операцијом транслације за
вектор који је једнак збиру вектора појединачних транслација:
= + + (1.1)
где су , и - произвољни цели бројеви.
За конструисање кристалне решетке потребно је изабрати 4 тачке у
простору тако да на једној правој не буде више од две тачке, а у
једној равни не више од три тачке. Остале тачке или чворови
11 |
решетке добијају се транслацијом дуж три међусобно независна

правца, тј. дуж координатних оса изабраног система. Скуп чворова
на једној правој чини низ, а растојање између њих је параметар низа.
Транслацијом низа у два правца добијају се равни или мреже.
Паралелопипеди чија темена заузимају чворови решетке и чијим се
транслаторним померањем у сва три правца може покрити цела
кристална решетка без остатка или преклапања (слика 1.3) називају
се елементарне ћелије. Према геометријској дефиницији,
елементарна ћелија је део простора који се сукцесивно понавља, а
који је одређен конструкцијом полиедра над три елементарна
вектора транслације.
Слика 1.3. Елементарна ћелија у просторној решетки
Кристална решетка се може описати као бесконачан скуп

различитих елементарних ћелија, али се у кристалографији она
бира тако да има:
1. ивице најкраћих дужина, односно да има најмању могућу
запремину,
2. максималан број нормалних ивица, односно таквих да су
углови између ивица елементарне ћелије што ближи
правом углу, чиме се обезбеђује услов максималне
симетрије.
12 |
Слика 1.4. Елементарна ћелија кристала
Величину и облик елементарне ћелије дефинишу вектори ,
поклапају са правцима кристалографских оса (слика 1.4). Вектори ,

и чији су почеци у теменима елементарне ћелије, а правци им се
или периоде кристалне решетке. Њихове дужине , , и углови

и зову се елементарни вектори транслације, ортови решетке
, , између њих представљају параметре решетке. Запремина

елементарне ћелије једнака је мешовитом производу елементарних
вектора:
. 1.2
У дводимензионалном случају елементарна ћелија је паралелограм
са чворовима решетке у теменима његових углова (слика 1.5).
Слика 1.5. Избор елементарне ћелије у простору и равни
1.3. Примитивна и сложена елементарна ћелија

Елементарна ћелија која има чворове решетке само у
теменима својих рогљева назива се примитивном (простом) и
означава са Р. Сваки чвор у рогљу елементарне ћелије подељен је
између 8 суседних елементарних ћелија у решетки, четири у
посматраном нивоу, а 4 одмах изнад или испод (слика 1.6).
13 |
Слика 1.6. Чвор решетке подељен између 4 елементарне ћелије

приказаног нивоа и 4 елементарне ћелије у нивоу одмах изнад
Отуда, примитивна ћелија има " 8⁄8 1 чвор решетке по

елементарној ћелији. На целу запремину (односно површину у
дводимензионалном случају) елементарне ћелије долази један чвор
и један структурни мотив (слика 1.7). Кристална решетка изграђена
од примитивних ћелија назива се простом.
Слика 1.7. Примитивна елементарна ћелија
Примитивну ћелију могуће је изабрати тако да испољава

симетрију решетке. Таква је Вигнер-Зајцова примитивна ћелија,
дефинисана као скуп тачака у простору око чвора решетке које су
ближе том него било ком другом чвору.
У случају дводимензионалне решетке поступак одређивања
Вигнер-Зајцове примитивне ћелије је следећи: Кроз дати чвор
повуку се праве које повезују најближе суседне чворове. Затим се
повуку праве које су симетрале растојања уоченог чвора са
најближим суседним чворовима. Полигон најмање површине који је
добијен на овај начин јесте Вигнер-Зајцова примитивна ћелија
(слика 1.8).
Слика 1.8. Вигнер-Зајцова примитивна ћелија
14 |
У тродимензионалном случају Вигнер-Зајцова примитивна

ћелија конструише се тако што се на половинама дужи које спајају
посматрани чвор са суседним чворовима конструишу ортогоналне
равни симетрије. Полиедар најмање запремине који формирају
пресечене равни симетрије је Вигнер-Зајцова примитивна ћелија у
тродимензионалном простору (слика 1.9).
Слика 1.9. Вигнер-Зајцова примитивна ћелија у простору
Ако се чворови просторне решетке не налазе само у

рогљевима елементарне ћелије говоримо о непримитивној, односно
сложеној елементарној ћелији. Најпознатије непримитивне
елементарне ћелије су:
1. Запремински центрирана елементарна ћелија, код које се
допунски чвор налази на пресеку просторних дијагонала (ћелија
8⁄8 1 2.
I на слици 1.10). Овој ћелији припадају два чвора, један на темену
рогља, док се други налази у њеном центру, тј. "
Слика 1.10. Примитивна (P), Запремински центрирана (I), базно

центрирана (F) и површински центрирана (C)елементарна
ћелија
2. Базно центрирана елементарна ћелија има 2 чвора од којих је

један на ивици рогља, а допунски на центру једне од основа, тј.
8⁄8 2 ∙ 1⁄2 2.
базе елементарног паралелопипеда (ћелија F на слици 1.10). У
овом случају је "
15 |
3. Површински центрирана елементарна ћелија има још 6 чворова

на центрима свих страна. Сваки од њих деле по две суседне
8⁄8) + 6 ∙ (1⁄2) = 4. Такође,

елементарне ћелије, тако да је број чворова решетке по
елементарној ћелији једнак "
она има 4 структурна мотива по елементарној ћелији (ћелија С на
слици 1.10).
1.4. Симетрија кристала

Под симетријом тела, у најширем смислу речи, подразумева се
да посматрано тело поседује нека својства која су инваријантна у
односу на неке трансформације. Трансформације које доводе до
поклапања посматраног тела са собом самим називају се
трансформацијама (операцијама) симетрије, а геометријски
облици који их описују елементима симетрије. У трансформације
симетрије спадају обртање (ротација) око неке осе (праве или
равни), огледање (рефлексија) у некој тачки или равни, итд. Из
геометрије је познато да се неко тело може посматрати као систем
тачака и да свако има бар једну тачку која остаје на свом месту при
примени трансформације симетрије. Таква тачка је посебно важна
код кристала који поседују тзв. тачкасту симетрију, за разлику од
просторне симетрије која је својствена кристалним решеткама.
Код кристала се разликују следећи основни облици
симетрије: огледалска (раванска) симетрија, обртна (проста или
огледалска) симетрија, централна симетрија (централна инверзија)
и др.
- Огледалска симетрија одговара простом рефлектовању,
односно огледању тела у равни као код обичног равног
огледала. Таква раван дели тело на два подударна, једнака
дела који се међусобно поклапају по свим својим тачкама
приликом огледања у њој.
- Проста обртна симетрија јесте обртање тела око праве
линије (тзв. осе симетрије) за неки, n-ти део кружнице (тј.
за угао од 3600/n), при чему се при обртању то тело
пресликава у само себе. На пример, ако код тела постоји
оса симетрије шестог реда (n=6), онда се то тело
пресликава у себе обртањем за 1/6 кружнице, односно
угао од 600. Поред простих постоји и огледалско обртна
симетрија, која истовремено спаја обртања око праве (осе
симетрије), за n–ти део кружнице и огледање у равни
нормалној на ту осу. Кристал је инваријантан у односу на
16 |
ротације за 360, 180, 120, 90 и 60 степени. Према томе, у

кристалу могу постојати само осе првог, другог, трећег,
четвртог и шестог реда. То ограничење произилази из
транслацијске симетрије идеалног кристала, тј. није
могуће имати, рецимо, транслацијску инваријантност и
ротацију петог реда. Изузетак су квазикристали, нађени
1982. године, који имају и ротацију петог реда јер за њих
не важи транслациона симетрија.
- Централна симетрија или централна инверзија
представља посебну трансформацију обртања тачака око
једне, инваријантне тачке унутар тела, при чему се оно
пресликава у само себе. Дакле, операцијом инверзије тело
се огледа (рефлектује) у односу на дату инваријантну
тачку, па је добијени лик окренут и изврнут. Ако се
координатни систем смести у центар симетрије, онда ова
(, ), *) у тачку (−(, −), −*).

операција симетрије преводи тачку са координатама
Комбиновањем наведених простих операција и елемената

симетрије, али и раније поменуте транслације која не делује на
било коју тачку решетке, већ на решетку као целину, добијају се
сложене (допунске) операције и елементи симетрије. Две најважније
су:
- Спирална обртна симетрија, која се добија комбиновањем
обртањем за угао 2,⁄ и транслацијом , где је = 2, 3, 4, 6

просте обртне симетрије и транслације, односно
ред осе обртања.

- Раванска клизна симетрија добија се када се на
равни и транслација (клизање за вектор /2).

посматрани систем истовремено примене огледање у
На крају, истакнимо да сваки кристални полиедар има

одређени број елемената симетрије. Скуп елемената симетрије који
описује симетрију тела у општем случају назива се класа симетрије.
С обзиром да је број комбинација елемената симетрије ограничен, то
је и број класа симетрије ограничен. На основу детаљне анализе,
Федоров је утврдио да од пет оса симетрије (пет простих и пет
огледалских), равни симетрије и центра симетрије могу да се
реализују укупно 32 класе симетрије.
17 |
1.5. Кристални системи
елементарних вектора транслације , , и углова између њих , , ,

Август Браве (1811-1863) је према односу величина
утврдио да су сви познати кристали изграђени од 14 врста

елементарних ћелија, односно да постоји само 14 просторних
решетки (слика 1.11).
-
Слика 1.11. Бравеове просторне решетке
Од 14 Бравеових просторних решетки седам је простих (Р), са

чворовима само у теменима рогљева паралелопипеда. Остале
18 |
решетке су сложене, јер имају чворове и у неким додатним тачкама,

односно:
- три су запремински (просторно) центриране (ZC) са
чворовима у средишту паралелопипеда,
- две су површински центриране (PC), са чворовима на
средини свих страница паралелопипеда, и
- две базно центриране (BC) решетке, са чворовима на
средини горње и доње базе паралелопипеда.
14 Бравеових просторних решетки је сврстано у 7 кристалних

система приказаних на слици 1.12.
Слика 1.12. Кристални системи и кристалне решетке
Најопштији кристални систем је триклинични. Триклинични

систем има најмање елемената симетрије – само транслациону.
Највећим бројем елемената симетрије одликује се кубни кристални
систем јер су у њему сва три угла и све три странице једнаке. Сваки
кристални систем може се гранати у највише четири Бравеове
решетке.
Упркос бројним могућностима избора примитивне ћелије,
Браве је утврдио да у равни постоји само пет нееквивалентних
дводимензионалних решетки: једна косоугла и четири специјалне.
Њихове основне карактеристике дате су у табели 1.1.
19 |
Табела 1.1. Основне карактеристике дводимензионалних

Бравеових решетки
Тачкастe
Осе
Елементарна групe
Тип решетке елементарне
ћелија симетријe
ћелије
≠ ,
ћелије
≠ 902
Косоугла паралелограм 2
= ,
= 902
Квадратна квадрат 4
= ,
= 1202
Хексагонална ромб 6
≠ ,
= 902
Правоугла правоугаоник 2
≠ ,
= 902
Правоугла правоугаоник 2
центрирана
1.6. Густина кристала. Веза Авогадровог броја и

густине кристала. Координациони број
Број изграђивача (атома, молекула или јона) који припадају
једној елементарној ћелији кристала означава се са " . С обзиром на
Авогадров број 34 изграђивача у једном молу кристала, следи да мол
кристала садржи 34 ⁄ " елементарних ћелија.
Запремина правоугаоне елементарне ћелије једнака је
производу дужина њених ивица , а моларна запремина је отуда:
34
5 = . (1.4)
"
Однос моларне масе кристала 6 и моларне запремине кристала даје

густину кристала:
6
7= . (1.5)
5
Одавде, заменом (1.4) следи:

6∙ "
7= за = = = 90; . (1.6)
∙ ∙ ∙ 34
Уколико су дужине ивица елеменарне ћелије , , и број "
одређени помоћу дифракције Х зрака на кристалу, а густина
20 |
одредити Авогадров број 34 . Обрнуто, ако се зна 34 може се, на

кристала (на датој температури) позната, онда се из (1.6) може
пример, одредити дужина ивице елементарне ћелије код кубне

решетке :
6∙ "
7 , 1.7
∙ 34
oдносно:
6∙ "
= . 1.8
>
7 ∙ 34
Ако запремину једног изграђивача означимо са " , а елементарне

ћелије са , следећи однос даје коефицијент попуњености кристала:
? . 1.9
" "
Координационим бројем @ одређеног изграђивача назива се

број најближих суседа истог типа на подједнаком растојању од
референтног изграђивача. Ако центре најближих изграђивача
мисаоно спојимо правим линијама добићемо тзв. координациони
полиедар. Изграђивач, за кога се формира координациони полиедар
налази се у центру полиедра (слика 1.13). Координациони полиедар
није повезан са спољашњим обликом кристала и не одговара му.
Координациони број зависи од врсте честица, природе веза између
честица у кристалу и поларизационих особина. Код јонских
кристала, координациони број зависи од величине катјона и анјона.
Слика 1.13. Координациони полиедар и Вигнер-зајцова ћелија за

РК решетку
Рецимо, координациони број структуре дијаманта је @ 4,
6, јер је сваки јон Na окружен са 6 јона Cl распоређених по

па је координациони полиедар тетраедар (слика 1.14 а). Код NaCl је
@
21 |
кубној решетки CsCl је @ 8, а координациони полиедар је коцка

врховима координационог полиедра–октаедра (слика 1.14 б). У
12, а координациони полиедар је кубоктаедар (слика 1.14 г).

(слика 1.14 в). У површински центрираној кубној решетки бакра је
@
Слика 1.14. Координациони полиедри у неким кристалним

структурама
1.7. Положај чворова, праваца и равни у кристалној

решетки
При одређивању положаја неког чвора у кристалној решетки
неопходно је изабрати координатни систем тако да је његов
ћелије и да се координатне осе поклапају са ивицама ћелије , и .

координатни почетак у темену рогља одговарајуће елеменарне
, и елементарне ћелије. Координате чвора који је смештен у

Координате било ког чвора изражавају се као делови дужина ивица
координатном почетку су (0,0,0). Чворови који се налазе у теменима

рогљева елементарне ћелије имају целобројне координате, док су
координате чворова унутар елементарне ћелије увек разломци. На
слици 1.15 приказана је елементарна ћелија цезијум-хлорида у
чијим се теменима рогљева налазе атоми Cs, па су координате
темена рогљева истовремено и координате атома Cs. Чвор са
22 |
координатама 1⁄2, 1⁄2, 1⁄2) поклапа се са центром атома Cl.

Координате чворова се записују између двоструких угластих
заграда. На пример, координате претходног чвора су BC DE.
Слика 1.15. Означавање положаја атома у елементарној ћелији

цезијум хлорида
Координате било којег чвора у кристалној решетки могу се

одредити додавањем целих бројева координатама одговарајућег
чвора из елементарне ћелије која је конструисана над већ датим
координатним системом. Тако се у случају површински центриране
кубне решетке чија је раван xOy приказана на слици 1.16
координате чвора В добијају када се свакој координати чвора А дода
1, координате чвора С када се координатама чвора А дода 2, а
координате чвора D када се координатама чвора А дода -1. Када је
нека од координата чвора негативна она се означава цртом изнад
GG
координате. Тако су, на пример, координате чвора F BC 0DE.
Слика 1.16. Означавање координата чворова површински

центриране кубне решетке
23 |
1.7.1. Милерови индекси правца

За одређивање Милерових индекса неког кристалног правца
најпре се од свих правих паралелних том правцу уочи она која
пролази кроз почетак изабраног координатног система, а затим се
одређују координате чвора најближег координатном почетку кроз
који такође пролази ова права. Како су координате овог чвора у
општем случају три рационална броја, то се множењем њиховим
најмањим заједничким садржаоцем они редукују на целе бројеве
датог кристалног правца HIJKL.

који се ставе у угласте заграде, означавајући Милерове индексе
На слици 1.17 приказана је елементарна ћелија запремински

центриране кубне решетке са правама 1, 2, 3 и 4 које пролазе кроз
одговарајуће чворове ћелије. Милерови индекси правца праве 1, која
пролази кроз координатни почетак и кроз чвор BC DE који је
овог чвора са 2. Дакле, Милерови индекси праваца праве 1 су H111L

најближи координатном почетку, добијају се множењем координата
или H1M1M1ML. Даље, права 2 не пролази кроз координатни почетак, па

најпре треба уочити њој паралелну праву која пролази кроз
координатни почетак (испрекидана линија на слици 1.17). Чворови
права су NH11M0LO и NH1M10LO, па су индекси праваца за праву 2

који су најближи координатном почетку, а кроз које пролази ова
једнакиH11M0L или H1M10L. Сличним поступком се добијају индекси

праве 3 H101ML или H1M01L, док су за праву 4 то H01M1L или H011ML.
Слика 1.17. Означавање Милерових индекса неких правих које

пролазе кроз чворове запремински центриране кубне решетке
24 |
истог кристалографског типа, користи се симбол 〈IJK〉. На пример

За означавање фамилије еквивалентних праваца, тј. праваца
за 〈100〉 еквивалентни правци су: H010L, H001L, H01M0L, H1M00L, H001ML.
1.7.2. Милерови индекси равни

За означавање кристалних равни или пљосни користе се
Милерови индекси (hkl) који се одређују на следећи начин:
1. Уоче се одсечци R , R и R равни на кристалографским осама.
2. Запишу се реципрочне вредности ових бројева.
3. Ове реципрочне вредности се затим помноже са најмањим
заједничким садржаоцем да би се добила три цела броја h,k,l.
Из односа реципрочних вредности бројева R , R и R
дефинише се однос три најмања цела броја h,k и l:
1 1 1
: : = ℎ: U: V.
R R R
Вредности h,k,l називају се Милерови индекси равни,
означавају се са (hkl) и дефинишу оријентацију кристалних равни.
осама (, ), * су R = 1, R = 3 и R = 2. Реципрочне вредности ових

На пример, одсечци равни на слици 1.18 а) на кристалографским
одсечака су:
1 1 1 1 1 1
: : = : : .
R R R 1 3 2
6, па се добија ℎ = X = 6, U = X = 2, V = X = 3. Дакле, Милерови

Најмањи заједнички садржалац бројних вредности ових одсечака је
W W W
Y Z >
индекси посматране равни су (623).
одсечак једнак ∞, па је Милеров индекс нула. Ако је одсечак на оси

Када раван не сече осу него је са њом паралелна узимамо да је
негативан пише се цртица изнад броја. Промена предзнака свих

индекса (hkl) не мења оријентацију равни, већ је преноси на страну
супротну од координатног почетка (слика 1.18 б). Све паралелне
равни имају једнаке индексе и чине систем равни. Равни једног
растојања \]@^ . За кубни систем, код кога су сва три параметра

система су међусобно удаљене за величину међураванског
решетке једнака, међураванско растојање се израчунава на основу

релације:
25 |
\]@^ , 1.10
√T U V
За остале кристалне системе релације за \]@^ су сложеније.

где је – параметар решетке тј. дужина ивице елементарне ћелије.
Слика 1.18. Милерови индекси равни
Кристалне равни еквивалентне по симетрији означавају се
фамилију кристалних равни `TUVa. Тако на пример, симбол `100a

помоћу Милерових индекса у витичастим заградама и чине
укључује све кубне равни 100 , 1M00 , 010 , 01M0 , 001 и 001M .
геометријске облике. На пример, равни `100a образују коцку, равни

Равни једне фамилије се међусобно секу и образују правилне
`110a додекаедар, равни `111a октаедар итд.
1.8. Гранични елементи кристала

Спољашњи полиедарски облик кристала дефинише се
граничним елементима кристала:
• Пљосни-глатке равне површине које омеђују кристал са свих
страна;
• Ивице –линеарни елементи на месту контакта две пљосни;
• Рогљеви –гранични елементи одређени пресеком три или
више пљосни;
• Темена - места спајања три или више ивица рогља.
26 |
Означи ли се са b број пљосни, са c број ивица и са d број

рогљева (темена), онда за све полиедре важи следеће, тзв. Ојлерово
b d c 2. 1.11
правило:
Овај однос се може проверити и показати на ма којем полиедру.

Узмимо на пример хексаедар, односно коцку (слика 1.19).
Слика 1.19. Илустрација Ојлеровог правила
број ивица је 12. Дакле, b 6, d 8, c 12, па важи Ојлерова

Очигледно је да је број пљосни једнак 6, број рогљева је 8, а
једнакост:
6 8 12 2.
Равни кристала распоређене су такође према извесним
правилностима. Углови између одговарајућих равни и ивица свих
кристала једне супстанце остају исти без обзира на чињеницу да
кристали поједине супстанце не морају бити међусобно исти ни по
величини ни по облику. За кристале је карактеристично да се равни
приликом раста кристала померају паралелно, па отуда и правило
константности углова.
27 |
2 . ХЕМ ИЈСК Е ВЕЗ Е У КР ИСТАЛ ИМА

Кристална структура неког елемента или једињења је
стабилна захваљујући равнотежи између привлачних и одбојних
сила које делују на његове честице. Те силе држе честице кристала
на одређеним растојањима у равнотежним положајима које
карактерише минимум потенцијалне енергије. Досадашња искуства
показала су да су поменуте силе електричне природе и да у највећој
мери зависе од просторне расподеле густине наелектрисања.
Привлачне силе су резултат електростатичког привлачења између
негативних наелектрисања електрона и позитивних наелектрисања
језгара, док су одбојне последица електростатичког одбијања
између електрона и електрона, језгра и језгра, итд. Израчунавања
потенцијала интеракције између честица које граде кристал
показала су да су магнетне силе веома слабе, а да се гравитационе
силе могу у потпуности занемарити.
Слика 2.1. Зависност а)привлачне и одбојне силе; b) енергије

узајамног дејства од растојања између атома
28 |
На слици 2.1 a) приказане су привлачна и одбојна сила између
други у положају А на равнотежном растојању c; ≈ 10 ; f),

два атома чврстог тела. Кадa се један атом налази у положају О а
атома смањи (c < c;) доћи ће до узајамног продирања електронских

привлачне и одбојне силе су уравнотежене. Ако се растојање између
облака ова два атома. С обзиром на то да Паулијев принцип

искључења не дозвољава да се два или више електрона налазе у
истом квантном стању, јавља се снажно одбијање посматраних
од равнотежног c > c; између њих ће преовладавати привлачна

атома. Уколико се, пак, два суседна атома нађу на растојању већем
интеракција. На великим међусобним растојањима интеракција

између атома је занемарљива.
При узајамном деловању атома једне врсте са атомима друге
врсте успостављају се различите хемијске везе зависно од
од њихове електронегативности i. Елемент са већом

способности ових атома да захвате или отпусте електроне, односно
електронегативношћу лакше прима, а са мањом лакше отпушта

електроне. Електронегативност зависи од броја и конфигурације
валентних електрона елемента, као и од атомског пречника.
Најелектронегативнији елемент је флуор (4.0eV), а
најелектропозитивнији је францијум (0.7eV).
Према Миликену, приближна вредност електронегативности
атома је средња вредност првог јонизационог потенцијала и
енергије афинитета атома ка електрону:
1
χ = (k + l). (2.1)
2
Под јонизационим потенцијалом I подразумева се енергија коју
треба саопштити атому да би се откинуо један његов спољашњи
електрон. Најмање вредности јонизационог потенцијала су код
алкалних метала (Li, K, Na, Rb, Cs) од 3.9 - 5.4 eV. Највеће вредности
јонизационог потенцијала бележе се код инертних гасова (He, Ne, Ar,
Kr, Xe, Rn) од 12 - 25 eV. И халогени елементи (F, Cl, Br, J) имају
релативно велике вредности првог јонизационог потенцијала 10 -
18 eV.
Енергија афинитета А дефинише се као количина
апсорбоване енергије када је један електрон додат неутралном
изолованом атому да би се добио јон са наелектрисањем -1. Већина
елемената има негативну енергију афинитета што значи да већини
елемената није потребно довести енергију да би добили електрон.
Другим речима неутрални непобуђени атоми јонизацијом
29 |
ослобађају енергију. Велику енергију афинитета имају атоми

халогених елемената 3.6 eV (Cl), 3.4 eV (Br и F), 3.1 eV (J). Хлор најјаче
привлачи „екстра“ електроне, док их радон најслабије привлачи.
Пре него што пређемо на описивање појединих типова веза
између честица у кристалу, подсетимо се да су у електронском
дефинишу главни квантни број , орбитални V и магнетни квантни

омотачу атома електрони распоређени по орбиталама које
број f. Притом је свака орбитала дефинисана тако да је вероватноћа

да се електрон нађе у њој ≥ 90%, а ван ње < 10%. Електрони
попуњавају орбитале у складу са Паулијевим принципом и по
следећем редоследу:
(1R) (2R) (2b)W (3R) (3b)W (3\) ; (4R) (4b)W (4\) ; …
Због тежње за постизањем стабилне електронске конфигурације
као код атома инертних гасова, атоми чврстог тела ступају у неку од
следећих типова хемијских веза:
1. металну,
2. ковалентну,
3. јонску,
4. Ван дер Валсову.
2.1. Енергија везе

Јачину везе између атома у кристалу одређује енергија везе p;
дефинисана следећом разликом:
p; = q; − qM , (2.2)
где је qM средња укупна енергија кристала једнака збиру кинетичке и
потенцијалне енергије свих његових атома (молекула или јона), а q;
је укупна енергија истог броја слободних, међусобно бесконачно
удаљених атома. Утврђено је да кристална структура датог
елемента или једињења може бити стабилна само ако је енергија
везе позитивна величина, односно ако је његова средња укупна
енергија нижа од енергије слободних атома.
изразе за потенцијал привлачних prs (c) и одбојних сила p2t (c). На

Да би се оценила енергија везе у кристалу потребно је знати
суседна атома у од њиховог међусобног растојања p(c). Потенцијал

слици 2.1 б) приказана је зависност потенцијалне енергије два
привлачних сила има електростатичку природу и може да се

представи у облику степене функције:
30 |
prs c − , (2.3)
cu
где су = v Rw > 0, f > 0, а c - растојање између атома. За m = 1
добија се потенцијал обичне Кулонове интеракције.
Потенцијал одбојних сила условљен је, пре свега, одбијањем
језгара интерагујућих атома и зависи од њихове заклоњености
(екранизације) електронима који их окружују. Класична теорија даје
релацију:
p2t (c) = , (2.4)

cx
где су , > 0 константе и n - Борнов експонент.
Узимањем у обзир релација (2.3) и (2.4), за потенцијалну
енергију суседних атома добија се израз:
p(c) = prs (c) + p2t (c) = −

+ . (2.5)
cu cx
Минимум потенцијалне енергије одређује се изједначавањем њеног
првог извода са нулом:
\p
= 0. (2.6)
\c
На овај начин, из једнакости (2.5) и (2.6) добија се равнотежно
растојање између атома:
Y
c; = y z . (2.7)
{|}
f
Заменом у израз (2.5) за енергију везе добија се:
p; = − u ~1 − •. (2.8)
c;
Како је > f, из (2.8) следи да енергији везе главни допринос
даје потенцијал силе привлачења prs , док потенцијал сила одбијања
p2t незнатно утиче на вредност p; . То је последица чињенице да
растојања c да његов удео у укупној енергији у минимуму функције

потенцијал сила одбијања расте толико брзо при смањењу
p(c) постаје релативно мали. Ово се, наравно, односи на систем од

две честице. Ако се претпостави да у кристалу интеракција двеју
честица не зависи од присуства других честица, онда се може
одредити енергија интеракције било ког атома са свим осталим
атомима, а затим и укупна потенцијална енергија кристала.
31 |
Нека је p c"€ потенцијална енергија интеракције два атома у

кристалу који се налазе на растојању c"€ . Тада је енергија
интеракције i − тог атома са свим осталим атомима једнака:
p" • p c"€ . (2.9)

€‚"
3 − 1) добиће се укупна потенцијална енергија решетке кристала:

Ако се ово понови и за све остале атоме (уз претпоставку да их има
1 1
p = 3p" = 3 • p c"€ . (2.10)
2 2
"‚€
Члан ½ узима се због тога што се сумирање спроводи за сваки пар

атома. На описан начин се могу одредити енергије везе код
молекулских и јонских кристала.
2.2. Молекулски кристали

Молекулски кристали су састављени од молекула са
засићеним везама, или атома неких инертних гасова (Ar, Ne, Kr, Xe,
Rn) чије су вредности јонизационог потенцијала врло високе.
Привлачне интеракције између атома са попуњеним периферним
електронским љускама, односно између молекула чије су везе
засићене, може се објаснити на примеру два идентична атома
инертног гаса који се налазе на међусобном растојању R, већем од
њихових радијуса. Ови атоми не би испољавали кохезију у случају да
су њихове расподеле наелектрисања непомичне, односно да су
електростатички потенцијали електрона и језгра уравнотежени.
Са друге стране, експерименти показују да постоје
кондензовани гасови, тј. да између атома инертних гасова постоји
интеракција. Узрок ове интеракције је у непрекидном кретању
електрона око језгра услед ког се у једном тренутку центри
наелектрисања електрона и језгра неће поклопити него ће бити на
неком растојању (слика 2.2).
32 |
Слика 2.2. Шематски приказ образовања тренутног дипола

атома хелијума
дипол са диполним моментом b који ће произвести електрично

То значи да ће неполарни атом постати тренутни електрични
поље ƒ 2b ⁄„ у центру другог атома. Поље ƒ ће индуковати

диполни момент b ƒ 2 b ⁄„ другог атома и тако редом се
овај процес наставља. Привлачно дејство између дипола различитих
атома је Ван дер Валсова интеракција. Ова се интеракција назива још
и Лондоновом, као и интеракцијом флуктуирајућих дипола.
Потенцијална енергија привлачења дипола је:
2b b 4 b
prs „ ≈ − − , 2.11
„ „W
– електронска поларизабилност, а b - диполни момент.
r
…
где је
c; , а диполни момент dc; . Уношењем вредности за наелектрисање

Поларизабилност има димензију трећег степена атомског радијуса
електрона и атомски радијус у (2.11) добија се да је енергија Ван дер

Валсове интеракције:
4d c;† ‡
prs „ ≈ − ≈ − W . 2.12
„ W „
Ова енергија је истог реда величине као и температура топљења
кристала инертних гасова. Из израза (2.12) очигледно је да енергија
интеракције врло брзо расте са смањењем растојања. При
приближавању два атома А и В на довољно малом растојању долази
до постепеног прекривања њихових електронских облака (слика
2.3).
33 |
Слика 2.3. Расподеле наелектрисања електрона при

приближавању атома. Пуни кружићи означавају језгра
При том, електрони из атома А теже да делимично заузму већ

заузета стања атома В и обрнуто. С обзиром да Паулијев принцип
спречава вишеструко заузимање истог стања електрони ће се
померати у незаузета виша енергијска стања атома. На тај начин,
електронско прекривање повећава укупну енергију система и даје
одбојни део интеракције чија се потенцијална енергија може
изразити у облику степене функције растојања:
‰
p2tˆ „
, 2.13
„
где је ‰-позитивна емпиријска константа одређена, као и константа
‡, експериментално на основу извршених мерења код гасне фазе.
Експонент 12 у имениоцу нема неког физичког основа, али се
енергија интеракције два атома на растојању „ je тада:

показао као проста и добра апроксимација. Укупна потенцијална
‡ ‰
p „ − , ‡, ‰ h 0. 2.14
„ W „
Постоје и друге релације које описују потенцијалну енергију
интеракције атома инертних гасова. Једна од најважнијих је Ленард
– Џонсонова:
‹ ‹ W
p „ 4Š B~ • − ~ • E, 2.15
„ „
где су Š Œ‰⁄‡ и ‹ ‡ Ž ⁄4‰ параметри који се добијају
•
експериментално. За одбојну интеракцију користе се и други
p2tˆ „ • ∙ exp −„⁄7 , где је 7 мера домета интеракције. Овај се

емпиријски изрази, а нарочито експоненцијални израз облика
34 |
облик анализира на исти начин као и у случају реципрочне степене

функције.
Напоменимо да Ван дер Валсове силе не делују само између
атома са попуњеном спољашњом орбитом, већ и између било којих
других атома кад су довољно близу. Та је интеракција, међутим,
заклоњена интеракцијама већег интензитета (јонска, ковалентна,
а растојање c"€ између референтног i-тог атома и било ког другог j-

метална). Ако се занемари кинетичка енергија атома инертног гаса,
c"€ „“"€ , онда се укупна потенцијална енергија кристала који

атома изрази у јединицама растојања са најближим суседима, тј.
садржи N атома инертног гаса добија сумирањем (2.15) по свим

паровима атома:
‹ ‹ W
p 23Š Bl ~ • − lW ~ • E. (2.16)
„ „
Овде су:
1 1
l =• , lW = • W (2.17)
“"€ “"€
€‚" €‚"
пример, за површински центрирану кристалну решетку је l =

структурне суме које зависе само од типа кристалне решетке. На
12,131 и lW = 14, 454. С обзиром да се вредности ових сума не

разликују у већој мери од вредности координационог броја @ = 12
за PCK структуру, то следи да главни допринос енергији
интеракције у кристалима инертних гасова потиче од најближих
суседа.
Из услова минимума укупне потенцијалне енергије добија се
енергија везе кристала инертних гасова:
lW
p; = −3Š ≅ −8.63Š, (2.18)
2l
Вредности енергије везе израчунате према (2.18) добро се слажу са
експериментално добијеним вредностима.
2.3. Јонски кристали

Јонска веза се остварује силама електростатичког
привлачења између позитивних и негативних јона због чега се често
назива и хетерополарном везом. Гради се између елемената са
ниским јонизационим потенцијалом (елементи I и II групе
35 |
периодног система елемента) и елемената чији је афинитет ка

електрону велики (VI и VII групе ПСЕ). Типични представници
јонских кристала су халогениди алкалних метала (NaCl са РСК
решетком и CsCl са ZCK решетком). Код NaCl, атом Na отпуша свој
једини валентни електрон, а атом Cl га прима као осми у своју
спољашњу љуску, односно дешава се уједињење:
Na Cl Na Cl .
На тај начин, оба атома постижу стабилну електронску
конфигурацију инертних гасова. Сваки јон једног простог јонског
кристала имаће попуњену валентну љуску и сферно–симетричну
расподелу наелектрисања као код атома инертних гасова, са
извесним изобличењем у близини додира са суседним јонима. Ова
представа је потврђена рендгенским испитивањима расподеле
растојање између Na и њему најближег Cl у кристалном натријум

електрона. Рендгенска испитивања су такође показала да је
хлориду c; 0,281nm, што значи да је вредност привлачне

потенцијалне интеракције ова два јона d ⁄c; 5,1 eV. Поређење
са познатом вредношћу кохезионе енергије кристала NaCl од 7,9 eV
указује на доминантни допринос привлачне интеракције у енергији
везе јонског кристала.
2.3.1. Енергија везе у јонским кристалима
уочимо —-ти јон са наелектрисањем * d и јон j чије је наелектрисање

Посматрамо једнодимензионални низ јона (слика 2.4) и
* d, а који се налазе на међусобном растојању c"€ . Израз за енергију

интеракције ова два јона садржи два члана:
* * d
p"€ ˜ 2.19
4,Š; c"€ c"€x
од којих први одговара потенцијалу Кулонових интеракција, а други
потенцијалу одбојних сила.
Слика 2.4. Једнодимензионални низ јона
36 |
Стављајући да је c"€ “"€ c, где је c растојање између

најближих суседних јона и сумирајући по свим јонима за — ≠ ™ за
енергију интеракције — -тог јона са свим осталим јонима у кристалу
добија се:
l* * d ‰
p" = − + x, (2.20)
4,Š; c c
где су структурне суме:
1 1
l = • š± ›, ‰= • š± ›. (2.21)
“"€ “"€x
€‚" €‚"
У обе суме знак плус односи се на случај када је i -ти јон негативан, а
j − ти позитиван, а знак минус ако је и j − ти јон такође негативан.
Константа А, названа Маделунговом константом, зависи од
координационог броја и типа кристалне структуре. При
израчунавању ове константе мора се водити рачуна о слабој
конвергентности реда којим је дефинисана, али и о броју чланова
реда. На пример, за струкуру NaCl са полазним јоном Cl- и најкраћим
растојањем r између јона Cl- и Na+, Маделунгова константа се може
оценити из следеће релације:
l 1 1 1 6 12 8 64 24
= • = y − + − + − ⋯z. (2.22)
c c “"€ c √1 √2 √3 √4 √5
€‚"
Бројиоц 6 значи да је јон Cl- окружен са 6 јона Na+ на растојању c√1,

са 12 јона Na+ на растојању c√2, затим са 8 јона Na+ на растојању c√3,
итд. Маделунгова константа за NaCl одређена на овај начин има
вредност А=1,748. На сличан начин утврђена вредност Маделунгове
константе за CsCl је А=1,763.
Укупна енергија јонског кристала који садржи N јона може се
добити из следећег израза:
3 3 l* * d ‰
p(c) = + p" = − š + x ›, (2.23)
2 2 4,Š; c c
•
при чему је број јонских парова. Из услова минимума укупне
енергије у равнотежном стању (c = c; ):
\p 3 l* * d ‰
y z = š − x ›=0 (2.24)
\c sžsŸ 2 4,Š; c; c;
добија се:
37 |
* * d l x
‰ c; . (2.25)
4,Š;
Одавде је енергија везе јонског кристала по јонском пару једнака:
* * d l 1
p(c; ) = − y1 − z. (2.26)
4,Š; c
Oво је позната Борн-Ландеова формула.
(* = * = 1), Маделунговом константом А=1,748 и Борновим

За молекул NaCl са једнаким наелектрисањима јона Cl- и Na+
експонентом = 9,4, из Борн-Ландеове формуле (2.26) добија се

енергија везе по јонском пару p(c; ) ≈ −8eV. Овај резултат се од
експерименталног разликује за свега 3%. Утврђено неслагање се
експоненцијални потенцијал p2t = •d s⁄ . Тада се за енергију

може смањити уколико се, уместо Борновог степеног, користи
јонског кристала добија:

3* * d l
p(c) = − − ‰d s⁄
. (2.27)
2 4,Š; c
Из услова минимума ове енергије добија се енергија везе кристала
по јонском пару:
* * d l 7
p(c; ) = − y1 − z. (2.28)
4,Š; c; c;
однос c; ⁄7 ≈ 10,46 и из њега димензија области око јона у којој се

Ово је Борн-Мајерова формула. Из стишљивости кристала одређен је
одвија интеркација одбијања 7 = 3 ∙ 10 m.
2.4. Ковалентни кристали

Ковалентна веза је карактеристична за кристале са једном
врстом атома као што су дијамант, Si, Ge, али и за кристална
једињења облика AIIIBV, AIBVI AIBVII. При образовању ковалентне везе
атоми кристала „удружују“ своје валентне електроне образујући
електронске парове. Електрони образованог пара су са
антипаралелним спиновима, а припадају истовремено и једном и
другом атому који на овај начин допуњавају своје периферне орбите
до стабилне конфигурације. Образовање ковалентне везе кристала
Si приказано је на слици 2.5.
38 |
Слика 2.5. Формирање ковалентних веза на примеру силицијума
Четири валентна електрона атома Si образују четири

делимично локализована електронска пара са 4 суседна атома. На
тај начин сваки атом Si достиже стабилну електронску
конфигурацију од 8 електрона. Одавде се може се закључити да је
ковалентна веза засићена, тј. да је сваки атом способан да образује
везу само са одређеним бројем својих суседа. У општем случају
ковалентна веза је усмерена између интерагујућих атома, а смерови
тих веза заклапају тачно одређене углове. Због тога интензитет
ковалентне везе зависи од размака између интерагујућих атома и од
валентних углова. Захваљујући усмерености ковалентне везе ове
кристале одликује велика тврдоћа и кртост.
Све везе у ковалентним кристалима су јаке, на пример
енергија везе између два атома угљеника износи 7,3 eV што је на
нивоу енергије везе јонских кристала. Код Si енергија везе је 4,64 eV,
код Ge је 3,86 eV, док је код SiC чак 12,27 eV.
Веома згодан пример атомске кристалне решетке (са
ковалентном везом) јесте кристална решетка дијаманта која
показује такву правилност да се поједини атоми налазе у теменима
коцке, затим на средиштима свих шест страна коцке и још један атом
у центру коцке (слика 2.6). Атоми у решетки су упаковани тако да
сваки атом има везу са четири суседна атома. Одмах се може
закључити да је координациони број за кристалну решетку
дијаманта 4, јер се око једног уоченог атома, узетог као центар,
налазе 4 оближња суседна атома у одговарајућим теменима.
39 |
Слика 2.6. Кристална структура дијаманта
Неке од важнијих карактеристика ковалентних кристала јесу

мали координациони бројеви, одсуство густих паковања, јако
изражена температурна зависност ширине забрањене зоне, битан
утицај примеса и температуре на проводност, велика тврдоћа, као и
високе температуре топљења.
2.5. Метални кристали

Метална веза се јавља у чврстим металним телима I, II и III
групе Периодног система елемената. Валентни електрони металних
атома при образовању металног кристала лако „кидају“ своје везе са
језгром и напуштају своје атоме. Ослобођени електрони се хаотично
крећу између позитивних јона по чврстом телу и због тога се
називају слободним електронима. Слободни електрони припадају
свим атомима чврстог металног кристала, због чега се метални
кристал шематски приказује као решетка састављена од
позитивних атомских јона која је уроњена у електронски гас
слободних електрона (слика 2.7).
Слика 2.7. Шематски приказ металне кристалне решетке
40 |
Захваљујући привлачном дејству између слободних

електрона и позитивних јона, као и одбојном дејству између самих
јона, формира се стабилна кристална решетка са релативно
хомогеном расподелом негативног наелектрисања. Позитивни јони
се размештају на таква међусобна равнотежна растојања која
одговарају минимуму потенцијалне енергије. С друге стране,
привлачна интеракција електрона и позитивних јона не дозвољава
слободним електронима да излете из метала, односно приморава их
да остану унутар метала.
Прорачун енергије везе код металних кристала веома је
сложен када се узму у обзир међусобне интеракције атомских јона,
јона са електронским гасом и међусобне интеракције између
електрона у електронском гасу. Ипак, за грубу оцену енергије везе
може се искористити исти модел као и за јонске кристале. Према
њему, потенцијална енергија кулоновог привлачења између
позитивних јона и електрона код алкалних метала износи:
36,85
pr − , (2.28)
cX ⁄ ;
= 0,529 ∙ 10 m - Боров радијус, cX = ¡~Ž£•• - полупречник

; > ¢
где је ;
сфере чија запремина одговара запремини коју заузима један

колективизирани електрон.
Потенцијална енергија одбијања везана је за притисак који
електронски гас ствара у кристалу и једнака је кинетичкој енергији
електрона:
30,1
p2t = q@ = .
~¥ •
s¤
Ÿ
Укупна енергија алкалног метала је, према томе:

30,1 36,85
p= − .
cX ⁄ ; cX ⁄ ;
= 1,6. Експериментално одређене вредности ¥¤ се код алкалних

s¤ s
Ова енергија се изражава у eV по атому, а минимум достиже за однос
¥Ÿ Ÿ
метала крећу од 2 до 6. Знатна разлика између експериментално и
теоријски добијених вредности указује на непримереност примене
модела за јонске кристале код метала. Ипак, представа о структури
метала као јонском костуру потопљеном у електронски гас који
41 |
компензује силе одбијања између јона и везује их у кристал,

довољно тачно одражава физичку реалност.
За металне кристале карактеристични су већи
координациони бројеви и густо паковање честица. Слободни
електрони условљавају високу електричну и топлотну проводност
метала. Метали су непровидни за електромагнетне таласе, од
ниских фреквенција па до далеке ултраљубичасте области, и имају
високу рефлексиону способност. Већина метала образује структуре
типа бакра (елементарна ћелија је кубна површински центрирана,
густо пакована), магнезијума (елементарна ћелија је хексагонална,
густо пакована) или волфрама (кубна запремински центрирана).
Метална веза је веома јака. Вредности енергије везе за неке
елементарне металне кристале дата је у наредној табели.
Табела 2.1. Енергије везе елементарних метала
Кристал Li Na K Cu Ag Au Al Fe Co
¦§ ¨© 1,56 1,13 1,00 3,51 2,95 3,77 3,34 4,29 4,38
42 |
3 . ДИФР АК ЦИЈА ЗРА ЧЕЊА НА

К Р ИСТАЛ НОЈ Р ЕШЕТК И. Р ЕЦИПР ОЧ НА
Р ЕШЕТК А
Познато је да ће светлосни зрак скренути са праволинијског
правца кад наиђе на отвор или препреку чија је величина упоредива
са таласном дужином светлости. Ова појава скретања светлосног
зрака названа је дифракција (од грчке речи difractio –савијање).
Дифракција светлости настаје услед интерференције секундарних
светлосних таласа који се јављају на ивицама препреке на коју је
светлост наишла. Ако се на пут монохроматске светлости постави
дифракциона решетка сачињена од равномерно распоређених
низова уских пукотина на међусобно малом растојању, свака
пукотина ће се понашати као нови извор светлости, стварајући
карактеристичну интерференциону слику на заклону. Светла места
на интерференционој слици одговарају дифракционим
максимумима, а тамне пруге дифракционим минимумима.
Слика 3.1. Дифракциона слика добијена пропуштањем Х-зрака

кроз кристал бакар-сулфата
Полазећи од Винове и Зомерфилдове тврдње да су

рендгенови зраци електромагнетни таласи са таласном дужином
реда 10-10 m, као и претпоставке да су међуатомска растојања у
кристалу такође око 10-10 m, Лауе је 1912. године предложио да се
као дифракциона решетка за Х–зраке употреби природна
тродимензионална решетка – кристал. Ову хипотезу су
експериментално проверили Фридрих и Книпинг 1913. године,
пропуштајући сноп колимисаног Х зрачења кроз кристал бакар -
43 |
сулфата (CuSO4), произвољне оријентације. На фотографској плочи,

постављеној иза кристала, појавио се упадљив траг централног
снопа који је непромењен прошао кроз кристал, али и дифракционе
правилне тачке јасно скренуте са праволинијске путање (слика 3.1).
Овај пионирски експеримент је означио почетак развоја
дифракционих метода за одређивање кристалне структуре, а
истовремено је дао и потврду о таласној природи Х –зрака.
3.1. Дифракција електромагнетног и честичног

зрачења на кристалима
Након Фридриховог и Книпинговог експеримента наступио
је период интензивног испитивања кристалних структура
посредством дифракције зрака који интерагују са атомима и чије су
таласне дужине упоредиве са међуатомским растојањем у
кристалима. Зрачење већих таласних дужина није могло разлучити
детаље структуре по „атомској скали“, а зрачења много мањих
таласних дужина су дифрактовала под неповољно малим угловима.
Тако су развијене следеће дифракционе методе:
• Рендгенографија, која користи карактеристичне Х зраке са
енергијама фотона од 10 до 50 keV;
• Електронографија, која користи споре електроне са
енергијама око 150 eV;
• Неутронографија, која користи сноп термалних или
хладних неутрона малих енергија око 0,08 eV.
Задатак дифракционих метода је одређивање облика и
величине елементарне ћелије кристала, положаја језгара и
расподеле електрона унутар елементарне ћелије. На основу
дифракционе слике добијене на филму или фотоплочи одмах се
може извршити квалитативна процена структурног стања чврстог
тела. Дифракционе слике монокристалних узорака су облика скупа
тачака, док су за поликристалне узорке то скупови концентричних
кругова. С друге стране, ако је на дифракционој слици присутна
једна или максимално две дифузне контуре – хале, онда је
испитивана супстанца у аморфном стању.
При проласку кроз испитивани материјал Х-зраци интерагују
са електронским облаком атома, па се на основу дифракционе слике
ћелији 7 (, ), *). Сноп електрона интерагује са потенцијалом поља

може добити просторна расподела наелектрисања у елементарној
ª((, ), *) кога граде језгра испитиване супстанце. Због веће јачине
44 |
ове интеракције од интеракције између Х-фотона и електрона, и

интензитет линија електронског зрачења је око милион пута већи
од одговарајућих интензитета Х-зрачења. Због тога је за добијање
рендгенограма потребно неколико часова, а за електронограм само
неколико секунди. С друге стране, због мале енергије електрона и
кулоновских одбојних интеракција са електронским омотачем
атома испитиваног материјала, сноп електрона продире плитко у
узорак па се углавном користи за испитивање његове површине.
језгра “ (, ), *). Вероватноћа за дифракцију је око 100 пута мања

Спори неутрони интерагују са нуклеарним потенцијалом
него са Х-зрачењем, али је дубина продирања неутралног неутрона

практично неограничена. Поред тога, расејање термалних неутрона
не зависи од атомског броја Z испитиване супстанце, па се помоћу
неутронске дифракције релативно лако виде положаји атома са
блиским редним бројем (на пример атоми гвожђа и кобалта у
систему Fe-Co), што је тешко уочити са Х-зрацима или електронима.
За разлику од Х-зрака и електрона, дифракција спорих неутрона
омогућује одређивање положаја лакших атома (на пример атома Н)
у кристалној структури. Језгро водоника ефикасно расејава
неутроне због приближно једнаких маса. Напоменимо и то да
неутрон има магнетни момент захваљујући којем се магнетном
дифракцијом директно могу одредити магнетне структуре кристала
у чији састав улазе атоми са сталним магнетним моментом, и добити
информације о оријентацији магнетних момената атома у
елементарној ћелији. Међутим, неопходно је нагласити да се
дифракција неутрона може изводити само на великим нуклеарним
машинама, тако да није доступна великом броју истраживача.
којом од три поменуте методе, добијају се функције облика: 7((, ), *),

Као коначан резултат одређивања атомске структуре, било
ª((, ), *) и “((, ), *). Максимуми ових функција одговарају

равнотежним положајима атома у елементарној ћелији испитиваног
кристала. Све поменуте дифракционе методе су засноване на
општим принципима дифракције таласа или честица, што значи да
геометријска теорија дифракције важи како за електромагнетно
тако и за честично зрачење.
45 |
3.2. Брагов закон дифракције

Физичар Лоренс Браг дошао је до закона дифракције
разматрајући интеракцију зрака са кристалом као рефлексију
упадних зрака од паралелних кристалографских равни. На слици 3.2
кристалу на једнаким међусобним растојањима \. Према Брагу,

хоризонталним линијама су представљене паралелне равни атома у
свака од ових равни понаша се попут слабо посребреног огледала
упадним углом « и рефлектују се правилно од њих под истим

које рефлектује само мали део зрачења. Зраци падају на равни под
одбојним углом «.
Слика 3.2. Дифракција Х-зрака на кристалној решетки
Путна разлика два зрака „ и „ , рефлектованих од две

суседне l и l равни је:
∆R l‰ ‰‡ 2\ sin «. 3.1
Ова два зрака ће конструктивно интерферирати, стварајући
целобројном умношку таласне дужине •, односно ако је ∆R •.

дифрактовани зрак, уколико је њихова путна разлика једнака
Уношењем овог израза за ∆R у релацију (3.1), добија се услов

конструктивне интерференције рефлектованог зрачења, односно
Брагов закон дифракције:
2\ sin « •. 3.2
1 говори о
2, 3, … називају се
Цео број одређује ред рефлексије, тако да се за
рефлексији првог реда. Рефлексије са
рефлексијама другог реда, трећег реда, итд. Оне одговарају путним
46 |
разликама од 2,3,... таласне дужине. Интензитет рефлексије првог

реда је највећи, а када расте интензитет рефлектованих зрака
слаби.
Важно је истаћи чињеницу да ће се зраци рефлектовани од
свих паралелних кристалографских равни сабирати у фази и дати
вредностима упадног угла «. Насупрот овоме, када би рефлексија са

један снажан дифрактовани сноп зрака само при одређеним
сваке равни била тотална, тада би зрачење стизало само до прве
Брагова рефлексија се може јавити само за таласне дужине • ≤ 2\.

равни, а рефлексија би се вршила при било којој таласној дужини.
Овим се објашњава немогућност употребе видљиве светлости у

дифракционим кристалографским методама.
3.3. Амплитуда расејаног таласа по Лауеу

Лауе је интеракцију зрачења и кристала посматрао као
расејање зрака (Х зрака или неутрона) на електронима унутар
елементарне ћелије кристала. Наиме, Х зрак који погоди атом
кристала побуђује његове електроне на принудно осциловање.
Сваки електрон овог атома постаје извор сферног електромагнетног
таласа са таласном дужином једнаком таласној дужини упадног
зрака. Језгро атома не учествује у расејавању због своје знатно веће
масе. Једина претпоставка Лауеовог приступа је да Х зраци расејани
на атомима могу конструктивно да интерферирају. Поред тога, Лауе
Х зрак представља раванским таласом облика d " @s ° , где је U
таласни вектор (U = 2,⁄•), а ± кружна учестаност.
Посматра се равански талас чија је амплитуда у некој тачки ( у

Упрошћен Лауеов поступак је илустрован на слици 3.3.
односу на изабрани координатни почетак О, слободног простора:

²(() = ²; expN— U( − ±w O. (3.3)
У тренутку w = 0 овај талас наилази на кристал малих димензија и
индекса преламања приближно једнаког јединици за Х-зраке (као и
променити. Све појаве надаље се посматрају у тренутку w = 0. Нека

за неутроне) због чега се облик упадног снопа таласа неће
су елементарни вектори транслације просте решетке , и

нека се кристал састоји од 6 примитивних ћелија. Претпоставља се
и
такође да апсолутна вредност таласног вектора пре и после расејања

остаје иста, односно да су таласне дужине упадног и расејаног таласа
једнаке.
47 |
Слика 3.3. Шематски приказ расејања по Лауеу
Амплитуда таласа упадног снопа у тачки 7 унутар кристала

биће:
² 7 ²; exp —U7 . 3.4
Известан део упадног зрачења расејава се на атому у тачки 7, тако
да ће до спољне тачке P која се налази на растојању c од тачке 7,
стићи расејани зрак амплитуде:
d "@s
² 7 c ~ ~²; d "@
•´ µ, 3.5
c
расејаног атомом у тачки 7. Укупни фазни фактор у тачки Р је

где други чинилац описује просторну промену амплитуде зрачења
производ два фазна фактора:

d "@ ∙ d "@s . 3.6
За троугао ОАР, са слике 3.3, важи косинусна теорема:
c „ 7 − 2„7 cos . 3.7
Како је „ ≫ 7, други члан се занемарује и након развијања у ред
добија:
c ≈ „ − 7 cos . 3.8
Уношењем (3.8) у израз (3.6), добија се фазни фактор:
d" @ @¹ @ º»¼ ½
. 3.9
48 |
С обзиром на то да се зраци расејавају на електронима
елементом запремине \
оправдана је претпоставка да ће амплитуда таласа расејаног
7 у \ . То значи да ће амплитуда
кристала бити пропорционална
концентрацији електрона
таласа расејаног на кристалу и примљеног у тачки Р бити:
² „ ~¾ 7 d" @ @ º»¼ ½
\ . 3.10
Фактор d "@¹ из (3.9) овде је изостављен, јер је константан по

запремини. Експонент у (3.10) може се записати на следећи начин:
—U 7 − —U7 cos ≡ —7 ∙ U − Ud′ ≡ −—7 ∙ ∆U, 3.11
где је d′ јединични вектор у правцу расејавања зрака. Aкo је d
јединични вектор упадног зрака (слика 3.4), разлика између
расејаног и упадног таласног вектора је:
∆U U d Á − d ≡ U Á − U. 3.12
Слика 3.4. Лауеова дифракција зрака
Вектор ∆U има важну улогу у теорији. Претпоставка да су

апсолутне вредности таласног вектора пре и после расејања једнаке,
тј. да је ÂUÂ ÃU′Ã, еквивалентна је тврђењу да се фреквенција не
мења после расејања.
3.4. Расејање на решетки тачкастих атома

Положаји чворова у кристалној решетки дефинисани су
следећом релацијом:
7 „ • " " . 3.13

"ž
49 |
Према Лауеу, у сваком чвору решетке налазе се идентични тачкасти

центри расејања због чега се амплитуда расејаног зрачења своди се
на суму по дискретним чворовима решетке. Укупна амплитуда
расејаног зрачења у тачки Р (слика 3.3) је:
² ≡ •d " ∆@
. (3.14)
Према изразу (3.13), укупна амплитуда се може записати у следећем

облику:
²≡ • d "(xY ¥Y xZ ¥Z x> ¥> )∆@

, (3.15)
xY ,xZ ,x>
или у облику производа:
² = Ä• d "xY ¥Y ∆@
Å ∙ Ä• d "xZ ¥Z ∆@
Å ∙ Ä• d "x> ¥> ∆@
Å. (3.16)
xY xZ x>
Интензитет расејаног таласа пропорционалан је квадрату

апсолутне вредности амплитуде, односно:
|²| = Ç• d "xY ¥Y ∆@
Ç ∙ ÇÄ• d "xZ ¥Z ∆@
ÅÇ ∙ Ç• d "x> ¥> ∆@
Ç .
xY xZ x>
6 у правцу , где је 6 цео број. Суму по 6 вредности индекса

Размотримо једну од сума израза (3.16), за кристал димензија
тражимо помоћу израза:

5 È È
1 (5
•( xY
= •( xY
− • ( xY = − .
1−( 1−(
xY ž; xY ž; xY ž5
Имајући у виду да је ( = d " ¥Y ∆@

, прву од сума израза (3.16)
добијамо у следећем облику
5
1−d d d Z5 −d
É É É
"5 ¥Y ∆@ 5 ¥Y ∆@ ¥Y ∆@ 5 ¥Y ∆@
•d = = ∙ .
Z Z
"xY ¥Y ∆@
1−d d
É
d
É
−d
" ¥Y ∆@ É
¥Y ∆@ ¥Y ∆@ ¥Y ∆@
xY ž; Z Z Z
На основу познате релације sin ( =

Ê ÉË Ê |ÉË
, последња једнакост
постаје:
50 |
sin 6 " ∆U
5
Ç• d "xY ¥É ∆@
Ç . 3.17
xY
sin " ∆U
Ова функција аргумента " ∆U има различите максимуме (слика 3.5).

Апсолутни максимум се постиже кад год су сви чланови суме на
левој страни једнаки јединици, односно када је:
∆U 2,f , 3.18
где је f цео број.
Слика 3.5. Облик функције дате изразом (3.17)
функције sin 6 ∆U ⁄2 која се јавља када се ∆U промени од

При одређивању ширине максимума користи се прва нула
вредности у изразу (3.18) до блиске вредности:

∆U 2,f Š, 3.19
где је Š најмањи број различит од нуле, такав да је:
1
sin 6Š 0, 3.20
2
односно:
1 2,
6Š , ⇒ Š . 3.21
2 6
51 |
5
Одавде следи да је ширина максимума пропорционална са , што
помножено са висином максимума 6 даје његову површину
приближно једнаку 6. Ако кристал у три димензије има укупно 6
пропорционалан са 6 .
атома, онда ће интензитет расејаног таласа бити директно
3.5. Дифракциони услови

Да би се образовао јак дифракциони зрак морају бити
задовољени Лауеови услови дифракције:
∆U = 2,f
∆U = 2,f (3.22)
∆U = 2,f .
Решавањем ових једначина по ∆U добијају се његови елементарни
вектори , и , такви да је
∆U = f
∆U = f (3.23)
∆U = f .
Када се леве и десне стране Лауеових услова (3.22) помноже
одговарајућим векторским производом:
( × )∆U = 2,f ( × )
( × )∆U = 2,f ( × ) (3.24)
( × )∆U = 2,f ( × ),
па замени ∆U из једнакости (3.23), добија се:
( × )f = 2,f ( × )
( × )f = 2,f ( × ) (3.25)
( × )f = 2,f ( × ).
Имајући у виду да је запремина елементарне ћелије
мешовити производ елементарних вектора транслације, тј.
= ( × )= ( × )= ( × ),
52 |
Лауеови услови дифракције (3.22) могу се преформулисати на

следећи начин:
∙ = 2,( × )
∙ = 2,( × )
∙ = 2,( × ),
односно:
2,( × )
=
2,( × )
= (3.26)
2,( × )
= .
Вектори , и називају се елементарним векторима

транслације реципрочне решетке. Конструкција реципрочне
решетке (о којој ће у следећем делу бити речи) показала се веома
Вектор реципрочне решетке ∆U може се изразити у облику:

корисном за објашњење дифракционих услова на кристалима.
∆U = f +f +f = • f" " (3.27)

"ž
односно:
∆U = Í , (3.28)
где је је Í вектор транслације реципрочне решетке, а једначина
(3.28) представља Лауеов услов дифракције, јер једначине (3.22) важе
ако важи једначина (3.28).
3.6. Геометријске особине реципрочне решетке

Простор у којем се чворови кристалне решетке
интерпретирају као положаји атома у кристалу и описују
координатама с обзиром на кристалографску базу назива се
директним простором. Сама кристална решетка се често назива и
директном решетком. С друге стране, реципрочна решетка се
конструише у тродимензионалном простору таласних вектора
53 |
U U 2,⁄• . Чворови и цела реципрочна решетка придружени су

директној решетки и структури кристала преко Фуријеовог
пресликавања. Уколико је дата директна кристална решетка,
реципрочна решетка се може добити на следећи начин:
• на сваку раван директне решетке конструише се нормала,
• дужина нормале се „ограничи“ на реципрочну вредност
растојања између дате равни и њој најближе паралелне
равни,
• на крајеве сваке ограничене нормале поставља се тачка,
• скуп на тај начин добијених тачака представља кристалну
решетку, другачију од полазне.
Описана процедура конструисања реципрочне решетке
најлакше се може схватити на примеру дводимензионалне
квадратне решетке (слика 3.6). Део квадратне решетке ивице a и
скуп паралелних (hl) правих на једнаким међусобним растојањима
d приказан је на слици 3.6. а). Уочи се права која пролази кроз
координатни почетак О и њој суседна права која сече ивице
елементарне ћелије у тачкама А и С (слика 3.6. б). Са В је означено
подножје нормале из тачке О на дуж АС.
Слика 3.6. Квадратна решетка
Имајући у виду једнакости Îl ] , Î‡ ^ , Î‰ \, дужина

¥ ¥
дужи АС може се израчунати помоћу Питагорине теореме:
1 1
l‡ ŒÎl Î‡ =~ • ~ • = . 3.29
T V T V
Због једнаких углова, троуглови АОВ и АСО су слични, па је:

Î‰ Î‡
, односно \ ∙ l‡ . 3.30
Îl lС TV
54 |
Из (3.29) и (3.30), после сређивања, добија се растојање \ ≡ \]^ дужи

АС од координатног почетка:
\]^ . 3.31
√T V
Реципрочна решетка се добија стављањем тачке Ô]^ на сваку
нормалу на праву (hl), при чему је растојање ‹]^ тачке Ô]^ од
координатног почетка:
ÎÔ]^ ‹]^ . 3.32

\]^
За константу пропорционалности може се усвојити да је једнака
јединици тако да је:
1
‹]^ ŒT V . 3.33
Када би се за све могуће вредности Милерових индекса h и l

означиле тачке на нормалама, на претходно описан начин, добио би
се скуп тачака као на слици 3.7.
Слика 3.7. Реципрочна квадратна решетка
У случају праве чији су индекси (h0), дуж d (слика 3.6.а) је
према релацији (3.33), на растојању ‹]; T⁄ од координатног

нормална на њу а одговарајућа тачка реципрочне решетке се налази,
почетка. Ако је h = 1, та тачка је на растојању ‹ ; 1⁄ од

координатног почетка што је илустровано на слици 3.7, где је са М
означена дата тачка. Када је h=2, 3, 4, ... одговарајуће тачке
реципрочне решетке се налазе на растојањима која су 2, 3, 4, ... пута
већа од растојања ОМ. Слично важи и у случају праве чији су
реципрочне решетке, означена са N, такође на растојању ‹; 1⁄

Милерови индекси (01). Наиме, тада је l = 1, па је одговарајућа тачка
(слика 3.7).
55 |
А) заклапа угао “ (слика 3.6) важи:

У случају произвољне праве (hl) чија нормала са правом р(О,
⁄T V \ T⁄
tÖ “ , cos “ .
⁄V T ⁄T 1⁄\
Тачка реципрочне решетке се налази на правој нормалној на праву
(hl) на растојању:
1 T V
‹]^ ŒT V =y z y z . 3.34
Релација (3.34) може да се посматра и као примена Питагорине

теореме на троугао који је дат на слици 3.8. Дакле, конструкцијом
одговарајућег правоуглог троугла добијамо тачку Phl реципрочне
решетке, која одговара правој (hl). Сада можемо да закључимо да
скуп тачака реципрочне решетке заиста представља чворове
кристалне решетке. Наиме, индекси h и l се односе као цели,
узајамно прости бројеви. Због тога све тачке облика Phl добијамо
преко одговарајућих правоуглих троуглова чије катете су
вектора директне решетке 1⁄ . Стога добијамо поново решетку

целобројни умношци реципрочне вредности интензитета основног
чији су мотиви распоређени у теменима квадрата странице 1⁄ .
Слика 3.8. Правоугаона решетка
са параметрима и добиће се такође правоугаона реципрочна

Ако се описана процедура примени на правоугаону решетку
решетка чија елементарна ћелија има ивице дужина 1⁄ и 1⁄ .

Дакле, реципрочна решетка било које дводимензионалне решетке је
кристална решетка чији су мотиви распоређени у теменима оне
геометријске фигуре која одговара распореду мотива у полазној
решетки. Притом се димензије полазне и новодобијене фигуре
разликују као и њихове оријентације.
56 |
3.7. Реципрочнa решетка у простору
, и
Веза између реципрочне и директне решетке дата је
решетке имају димензију дужине , док вектори , и

релацијом (3.26). Елементарни вектори директне
димензију реципрочне дужине 1/ . Вектори , и су нормални

имају
на равни дефинисане паровима вектора ( , ), ( , ) и ( , ).

Наглашава се да ће , и бити узајамно ортогонални само ако
су , и ортогонални. Из дефиниције ових вектора следи да je
скаларни производ вектора " и ј :
" € = 2,“"€ , (3.35)

где је “"€ Кронекеров симбол, дат у облику:
“"€ = 0, —≠™
(3.36)
“"€ = 1, — = ™.
Паралелопипед формиран над векторима , и назива се

елементарном ћелијом реципрочне решетке, а њена запремина
одређена је релацијом:
VÙ = × . (3.37)
, и ,
запремина VÙ може се изразити помоћу запремине елементарне
Уврштањем дефиниционе релације (3.26) вектора
ћелије V, тј.
(2,)
Vˆ = . (3.38)
V
, и
По аналогији са директном решетком, линеарна комбинација
три елементарна вектора транслације даје вектор
транслације реципрочне решетке:
Í=f +f +f = • f" " , (3.39)

"ž
где су f , f , f = 0, ±1, ±2, ±3, …
целе бројеве f" дефинише решетку реципрочног или U– простора.

Скуп свих тачака које су одређене једначином (3.39) за све
Реципрочна решетка је бесконачна и периодична, као и идеална

кристална решетка. Две еквивалентне тачке реципрочне решетке
57 |
повезане су транслацијским вектором Í реципрочног простора.

Скаларни производ вектора транслације „ и Í је:
Í„ ´• f" " µ ´• " "µ 2, f f f 2,™, 3.40

"ž "ž
где је ™ – цео број. Одавде следи да је:

d" Ú¹
d" ∆@
d" £€
1. 3.41
Овим је потврђено да ће Лауеове једначине за дифракцију таласа
(3.22) бити задовољене само ако је ∆U Í .
3.8. Милерови индекси у реципрочној решетки
Сваки вектор U, као линеарна комбинација елементарних

вектора реципрочне решетке " — 1,2,3 , увек је нормалан на неки
скуп равни директне решетке. Најчешће се узима вектор Í , као
Милеровим индексима TUV даје основни вектор реципрочне

нормални вектор најмање дужине. Дакле, нормала на раван са
решетке:
Í T U V . 3.42
Слика 3.9.
Посматра се сада произвољна раван која сече (, ) и * осу

(слика 3.9), а која се може формално дефинисати помоћу вектора I
) − ( и J ) − * . Као доказ да је вектор Í нормалан на
приказану раван, довољно је доказати да је нормалан на векторе I и
J, односно да је I ∙ Í 0 и J ∙ Í 0. Подсетимо се још и да је, на
58 |
основу дефиниције Милерових индекса TUV 1⁄(, 1⁄), 1⁄*),

односно (ℎ = )U = *V = 1. Тада је скаларни производ вектора I и
вектора Í реципрочне решетке:
I ∙ Í = () −( )∙ ℎ +U +V = 2,()U − (ℎ) = 0. (3.43)
На исти начин се показује да је и J ∙ Í = 0.
једнака \]@^ = 2,⁄Í , где је Í = ÂÍ Â интензитет вектора Í . Са слике

Покажимо и да је удаљеност између суседних равни решетке
3.9 уочавамо да најближа раван која је паралелна равни (ℎUV)
равни дато је пројекцијом једног од вектора ( , ) , * на нормалу

пролази кроз координатни почетак. Према томе, растојање између
равни (ℎUV) која пролази кроз координатни почетак. Смер нормале

дат је јединичним вектором Í ⁄Í , јер смо већ утврдили да је Í
нормалан на раван одређену векторима I и J. Према томе:
Í (ℎ 2,
\]@^ = ( ∙ = 2, = . (3.44)
Í Í Í
Дакле, удаљеност између равни једнака је количнику 2, и
вредности Í. Сада је јасна веза између вектора реципрочне решетке
и равни у кристалу: вектор Í = Í]@^ повезан је са равнима (ℎUV) и
нормалан је на њих. Напоменимо да је за кубне кристале са
константом решетке :
\]@^ = . (3.45)
√ℎ + U + V
3.9. Евалдова конструкција
помоћу тзв. Евалдове сфере чији је полупречник 2,⁄•. Дифракција се

Још један згодан геометријски приказ Браговог закона је
налази на површини Евалдове сфере. Угао између вектора U и U′ је

запажа само када се тачка реципрочног простора (Í на слици 3.10)
2«. Из уобичајеног облика Браговог закона 2\ sin « = •, лако се

може одредити размак између равни кристала који је повезан са
вектором реципрочне решетке као:
2,
Í= . (3.46)
\]@^
59 |
Слика 3.10. Илустрација конструкције Евалдове сфере
Таласни вектори расејаног и упадног зрачења повезани су

релацијом:
UÁ U Í . 3.47
Квадрирањем овог израза добија се:
ÂU′Â ÂUÂ ÂÍ Â 2UÍ . 3.48
непроменљиве што значи да је ÂU Á Â ÂUÂ због чега се последња

У процесу расејавања, фреквенција и таласна дужина остају
релација своди на:

Í 2UÍ 0, 3.49
односно:
2UÍ sin « Í , 3.50
или:
2U sin « Í. 3.51
Ова једначина представља Брагов закон у реципрочној решетки.
3.10. Брилуенове зоне
запремина коју ограничавају равни нормалне на сваки од вектора Í

За примитивну ћелију реципрочне решетке узима се најмања
које су провучене кроз средишње тачке ивица кристалне решетке. У

темену сваке примитивне ћелије налази се по један чвор решетке.
60 |
Примитивна ћелија реципрочне решетке назива се Прва Брилуенова

зона. Поступак одређивања Прве Брилуенове зоне у равни приказан
је на слици 3.11.
Слика 3.11. Илустрација прве Брилуенове зоне у равни
Са слике се види да је поступак одређивања Прве Брилуенове

зоне у суштини исти као и за примитивну ћелију директне решетке.
3.11. Реципрочне решетке за кубне кристале

На слици 3.12 а) илустрована је површински центрирана
кубна решетка (PCK) чији су елементарни вектори транслације:
(( + ); ); = (); + *; ); = ((; + *; ), (3.52)

2 ; 2 2
где је дужина ивице елементарне ћелије коцке, док су (; , ); и *;
јединични вектори у правцу одговарајућих оса. Запремина
елементарне ћелије је:
= ( ×
. )= (3.53)
;
4
Из релација (3.26) добијамо елементарне векторе транслације
реципрочне решетке:
2,
= ((; + ); − *; );
2,
= (−(; + ); + *; ); (3.54)
2,
= ((; − ); + *; ).
61 |
Ово су, заправо, елементарни вектори транслације директне ZCK

решетке, односно ZCK решетка је реципрочна решетка за РСК
решетку. Сада је вектор транслације:
Í T U V
2,
H T − U − V (; T U − V ); −T U V *; L.
Најкраћи вектори Í различити од нуле чине систем од следећих
2,
осам вектора:
˜(; ˜ ); ˜ *; . 3.55
Дакле, границе примитивне ћелије у реципрочној решетки
могу да се одреде са осам равни управних на ове векторе у њиховим
средишњим тачкама. Рогљеви овако образованог октаедра
одређени су равнима које су нормалне бисектрисе следећих шест
вектора реципрочне решетке:
2, 2, 2,
˜2(; , ˜2); , ˜2*; . 3.56
Примитивна ћелија је, значи, зарубљени октаедар (слика 3.12. б) и

ово је прва Брилуенова зона за РСК кристалну решетку.
Слика 3.12. Примитивна ћелија: а) директне РСК, б) реципрочне

решетке
На слици 3.13. илустрована је ZCK решетка. Аналогно као код

РСК решетке, пођимо од елементарних вектора транслације ZCK
решетке:
62 |
(; ); − *; ,
2
−(; ); *; , 3.57
2
( − ); *; .
2 ;
Овде је дужина ивице елементарне ћелије коцке, а (; , ); и *;
јединични вектори у правцу одговарајућих оса. Запремина
примитивне ћелије је:
. 3.58
;
2
Слика 3.13. а) Примитивна ћелија ZCK решетке, б) прва

Брилуенова зона је правилни ромбични додекаедар
Елементарне векторе транслације реципрочне решетке

добијамо помоћу (3.26) у следећем облику:
2, 2, 2,
(; ); , ); *; , (; *; . 3.59
Одмах можемо запазити да су ови вектори у исто време елементарни

вектори директне РСК решетке, односно да је РСК решетка
реципрочна решетка ZCK решетки. Вектор транслације реципрочне
решетке је:
2,
Í T U V H T V (; T U ); U V *; L. 3.60
63 |
Најкраћи вектори Í који су различити од нуле су следећих 12

вектора:
2, 2, 2,
(±(; ± ); ), (±); ± *; ), (±(; ± *; ). (3.61)
Вектори који су повучени из координатног почетака до центра сваке

равни ромбичног додекаедра (слика 3.13. б) који чине прву
Брилуенову зону једнаки су половини вектора на основу израза
, , ,
(3.26), односно:
(±(; ± ); ), (±); ± *; ), (±(; ± *; ). (3.62)
Нагласимо, без провере, још и то да је реципрочна решетка простој

кубној решетки такође проста кубна решетка.
3.12. Експерименталне дифракционе методе

Коришћењем електромагнетног зрачења као и снопова
међуатомским растојањем (~10 ; f) у кристалима, реализован је

електрона и неутрона чија је таласна дужина упоредива са средњим
велики број недеструктивних експерименталних дифракционих

метода.
У зависности од типа испитиваног узорка (монокристал,
поликристал, аморфни материјал), односно од финалне
информације која се жели добити, експерименталне дифракционе
методе се могу поделити у две групе:
• Методе дифракције на узорцима монокристала
• Методе дифракције на поликристалним узорцима
(кристалном праху).
Три најчешће коришћене експерименталне дифракционе методе су:
-Метода обртног кристала;
-Лауеова метода;
- Метода кристалног праха.
3.12.1. Метода обртног кристала
• и упадни угао « морају да одговарају једно другом: Х-зраци

Према Браговом закону, таласна дужина коришћеног зрачења
одређене таласне дужине • који наилазе на тродимензионални

кристал под произвољним упадним углом « неће у општем случају
бити рефлектовани. Да би се задовољио Брагов закон потребно је
64 |
остварује коришћењем континуалног интервала вредности • или

мењати или таласну дужину или угао. Експериментално се ово
угла «. Први кристали проучавани методом обртног кристала били

су NaCl и KCl помоћу једноставне рендгенске коморе (слика 3.14).
Слика 3.14. Рендгенска комора са обртним кристалом
Монокристални узорак чије димензије обично не морају бити

веће од 1mm, обрће се око непокретне осе која је причвршћена за
цилиндричну касету у којој је смештен детектор (филм или бројач).
моноенергетски сноп Х-зрака. При обртању кристала за угао «,

Упадни сноп Х-зрака пролази кроз филтер тако да се добије
детектор мора да се окрене за угао 2«. Сноп се дифрактује од дате

кристалографске равни, кад год у току обртања, вредност угла θ
између правца упадног снопа и равни кристала задовољи Брагов
закон. Рефлектовани сноп изазива зацрњење филма или пораст
струје у јонизационој комори. На слици 3.15 приказани су Брагови
спектрометријски подаци за NaCl и KCl добијени методом обртног
кристала.
Слика 3.15. Брагови спектрометријски подаци
65 |
3.12.2. Лауеова метода

Код Лауове методе монокристал је непокретан у снопу Х-
зрака са континуалним спектром таласних дужина (слика 3.16).
Узорак монокристала не мора бити већи од 1mm, важно је само да се
сноп прво пропусти кроз колиматор. У зависности од размака d
између равни монокристала, рефлековаће се само они зраци чије
таласне дужине заједно са упадним углом θ задовољавају Брагов
закон.
Слика 3.16. Шематски приказ коморе за Лауеову методу
На филму (данас детектору) добијају се тамне тачке на

местима где је Брагов закон задовољен. Међутим, зацрњења су
веома неравномерна зависно од таласне дужине од које потичу.
Лауеова метода се користи за брзо одређивање симетрије
монокристала и његове оријентације, за проучавање степена
несавршености кристала под деловањем механичких и топлотних
утицаја, а скоро се никада не користи за одређивање кристалне
структуре.
3.12.3. Метода кристалног праха

Код ове методе се уместо једног кристала који има одређену
оријентацију према снопу Х–зрака, употребљавају фино иситњени
кристални прах или ситнозрнасти поликристал у којем кристалићи
имају хаотичну оријентацију. Узорак се ставља у капиларну цев
танких зидова и подвргава снопу монохроматског Х зрачења. За
66 |
детекцију се користи филм, који је цилиндрично омотан око узорка

(слика 3.17).
Слика 3.17. Рендгенска комора за методу кристалног праха
За сваку серију равни могу да се нађу кристалићи који су у

односу на упадни сноп усмерени тако да задовољавају Брагов услов
за таласну дужину • Брагов угао «, тада дифрактовани зрак гради са

при одређеној таласној дужини. Ако је за одговарајући тип равни и
упадним зраком угао 2« који може имати различите оријентације

око правца упадног снопа, што одговара различитим
оријентацијама појединих кристалића. На филму се могу видети
концентрични прстенови.
Метода криталног праха користи се и за почетно одређивање
димензија и симетрије јединичне ћелије, а нарочито је погодна јер
не захтева монокристалне узорке. Посебну примену ова метода је
нашла у анализи чврстих смеша и фазних дијаграма легура.
67 |
4 . ДЕФЕКТИ У КР ИСТА Л ИМ А
Под идеалним кристалом подразумева се монокристал
бесконачних димензија, без нечистоћа и икаквих спољашњих
утицаја. Изграђивачке честице идеалног кристала распоређене су
правилно у положајима који су одређени типом кристалне решетке.
Како у стварности поменути услови никада нису у потпуности
испуњени, грађу реалног кристала одликују различита одступања
од идеалне структуре, односно различити дефекти или
несавршености. Пре свега, сваки реалан кристал има коначне
димензије, односно има површину која га прекида, што значи да се
и сама површина може сматрати дефектом. Поред тога, реални
кристали су мање или више изложени спољашњим утицајима, на
пример: поља (електричног, магнетног, гравитационог), неких сила
или зрачења (електромагнетног, нуклеарног, космичког).
Дефекти се дефинишу и као елементи нереда у кристалној
структури који ремете локално правилан распоред атома. Њихово
присуство може значајно модификовати механичке, електричне,
оптичке, топлотне и друге особине кристала.
Број дефеката у кристалу зависи од услова добијања кристала
као и од услова у којима се већ формиран кристал налази. У циљу
минимизирања броја дефеката врши се оптимизација постојећих
техничких услова, како при добијању, тако и при чувању
монокристала.
4.1. Слободна енергија кристала

Гибсова слободна енергија Í кристала једнака је разлици:
Í Ü − Ý, (4.1)
где је Ü – енталпија, - апсолутна температура и Ý - ентропија
кристала p и производа унутрашњег притиска b и запремине

кристала. Енталпија је дефинисана збиром унутрашње енергије
кристала : Ü = p + b . Ентропија је Ý = UÞ ln ‰, где је UÞ -

Болцманова константа, а В - термодинамичка вероватноћа
дефинисана као број микроскопских стања посматраног
Према термодинамичком приступу, Гибсова енергија Í

термодинамичког система.
кристала у термичкој равнотежи при константном притиску и

температури мора бити минимална.
68 |
Утицај присуства дефеката на Гибсову енергију кристала

може се објаснити на примеру стварања једног празног места у
промена енталпије ∆Ü и значајни пораст ентропије ∆Ý. Као

решетки. Одстрањивање једног атома из решетке пратиће одређена
последица увођења једног дефекта, промена слободне енергије

кристала:
∆Í = ∆Ü − ∆Ý (4.2)
је негативна, односно слободна енергија кристала је смањена.
Реални кристали на некој температури увек садрже одређени
равнотежни број дефеката, дефинисан условом да ће повећање
енталпије због увођења још неког дефекта бити веће него што је
повећање конфигурацијске ентропије. Ово поједностављено
разматрање уједно показује да ће се равнотежни број дефеката
повећавати са температуром.
4.2. Класификација дефеката у кристалима

Према узроку стварања и њиховој природи, дефекти се могу
поделити на:
1. Структурне дефекте;
2. Дефекте хемијског састава (примесне несавршености);
3. Дефекте изазване унутрашњим дејствима у кристалу;
4. Дефекте услед коначних димензија кристала.
С друге стране, према броју димензија у простору разликујемо:
1. „0-димензионалне“ или тачкасте дефекте који могу бити:
а) електронски (електрони у проводној и шупљине у
валентној зони),
б) атомски (ваканције, интерстиције и примесни атоми);
2. „1-димензионалне“ или линијски дефекте који се деле на:
а) ивичне дислокације,
б) завојне дислокације;
3. „2-димензионалне“ или површинске дефекте у које спадају:
а) границе зрна,
б) грешке паковања равни;
4. „3-димензионалне“ или запреминске дефекте који
обухватају:
а) отворену порозност,
б) затворену порозност.
69 |
4.3. Тачкасти дефекти

Под тачкастим дефектом подразумева се несавршеност
локализована у околини једне тачке или атома у датој кристалној
структури. Линеарне димензије ових дефеката упоредиве су са
растојањем између суседних атома. Тачкасти дефекти се називају и
термодинамичким дефектима зато што у кристалу постоје на
температурама изнад апсолутне нуле повећавајући стабилност
кристала преко пораста његове ентропије.
4.3.1. Дефекти по Шоткију

Упражњено место у кристалној решетки, где се нормално
очекује да постоји атом, назива се ваканција или дефект по Шоткију
(слика 4.1). Ваканције у кристалу могу настати услед топлотне
енергије, поремећаја у расту кристала или због неравнотеже у
наелектрисању. Ако атом у унутрашњости решетке добије довољно
енергије (на пример топлотне), прећи ће из датог положаја у неки
положај на површини кристала. Ослобођени положај у решетки
остаје непопуњен, односно створена је једна ваканција.
Слика 4.1. Илустрација ваканције у кристалу
За одређивање броја ваканција у кристалу користе се
решетке. Нека је qß енергија потребна да један атом промени

најчешће статистичке методе. Полази се од моноатомске кристалне
положај из унутрашњости до површине кристала. Ако атома

промени положај постојаће ваканција, а повећање енталпије
кристала је притом:
∆Ü qß . 4.3
70 |
Укупан број начина на који се може узети n атома из кристала

који садржи укупно N атома једнак је укупном броју комбинација
(без понављања):
3 3 3 − 1) ∙∙∙ (3 − + 1) 3!
~ • = , (4.4)
! (3 − )! !
пре свега, зато што је неважан редослед по коме је створено
ваканција. Према Болцману, повећање ентропије при стварању n
ваканција у кристалу је:
3!
∆Ý = UÞ ln . (4.5)
(3 − )! !
Промена слободне енергије је тада:
3!
∆Í = ∆Ü − ∆Ý = qß − UÞ ln . (4.6)
(3 − )! !
За факторијеле у изразу (4.6) може да се употреби Стирлингова
апроксимација:
ln (! ≈ ( ln ( − (, ( ≫ 1, (4.7)
тако да је
3!
ln ≈ 3 ln 3 − (3 − ) ln(3 − ) − ln . (4.8)
(3 − )! !
У равнотежи је испуњен услов минимума слободне енергије:
áÍ 3−
â = qß − UÞ ln = 0, (4.9)
á Т
односно:
qß
ln =− . (4.10)
3− UÞ
Дакле, број створених ваканција је:
äå
= (3 − )d æç è , (4.11)
при чему се за 3 ≫ , овај резултат своди на
äå
≅ 3d æç è
. (4.12)
Са смањењем температуре број ваканција опада (слика 4.2).
Стварна концентрација ваканција биће већа од равнотежне ако је
71 |
кристал био на повишеној температури, а затим нагло охлађен. На

тај начин је извршено „замрзавање“ ваканција.
Слика 4.2. Зависност концентрације ваканција од температуре
Код јонских кристала у исто време се образују ваканције од

позитивних и од негативних јона како би се одржала електрична
неутралност кристала. Број начина, на који се може формирати n
раздвојених парова катјонских и анјонских ваканција, добија се
квадрирањем величине израчунате у једначини (4.4). Ако се
спроведе исти поступак, уз увођење експонента 2 до краја
израчунавања, добија се број парова ваканција у једном кристалу:
äéå
≅ 3d Zæç è
, 4.13
где је qrß енергија образовања једног пара ваканција.
Нагласимо да ваканције нису везане за одређено место у
кристалној решетки, већ се могу кроз њу премештати при вишим
температурама. Ова појава је названа миграција ваканција и уствари
представља прелажење атома из једног у други вакантни положај.
Ваканције се премештају на места где могу бити апсорбоване, на
пример на слободну површину кристалне супстанце или на границе
зрна у поликристалима. Насупрот томе, ако се кристал загрева
локално, ваканције се из загрејане области премештају само до
околне масе.
72 |
4.3.2. Дефект по Френкељу

При одређеним условима неки атом у кристалу може да
напусти свој равнотежни положај и да заузме место у простору
између чворова, које се назива интерстицијски положај. На тај
начин се образује једна ваканција и један интерстицијски атом.
Овакав пар, ваканција + интерстицијски атом, назива се Френкељев
дефект (слика 4.3).
Слика 4.3. Илустрација ваканција и интерстиција у кристалу
Укупан број начина на који се могу формирати "

интерстиција у кристалу који садржи N атома и N’ ваканција је:
3 3′ 3! 3Á!
y zy z ∙ . 4.14
" " 3− " ! "! 3Á − " ! "!
Повећање ентропије при стварању " интерстиција је:

3! 3Á!
∆Ý UÞ ln ∙ . 4.15
3− " ! "! 3Á − " ! "!
Сада је промена слободне енергије:

3! 3Á!
∆Í ∆Ü − ∆Ý " q" − UÞ ln ∙ , 4.16
3− " ! "! 3Á − " ! "!
где је q" енергија потребна да се атом пребаци из свог положаја у

положај интерстиције. Поновном применом Стирлингове
73 |
апроксимације и заменом добијеног апроксимативног израза у

услов равнотеже добија се:
áÍ 3− 3Á −
â q" − UÞ ln 0. 4.17
" "
á "Т "
Решавањем једначине (4.17) по " добија се апроксимативан број

интерстиција:
äÉ
" ≈ 33 Á ê
d Zæç è . 4.18
4.3.3. Примесни дефекти

Примесни тачкасти дефекти потичу од присуства атома који
су различити од атома дате кристалне структуре. Ова врста
дефеката је најраспрострањенија јер се ни најсавременијим
методама пречишћавања не може добити апсолутно чист материјал.
Примесни атом може у кристалу заменити регуларни атом
(супституцијска примеса) или се може сместити између регуларних
атома (интерстицијска примеса), као што је приказано на слици 4.4.
Слика 4.4. Илустрација примесних дефеката у кристалу
Супституцијске примесе су могуће само ако се полупречник

примесног атома не разликује за више од 15% од атома основног
кристала, јер се иначе јављају недопустива напрезања у кристалу.
Интерстицијске примесе могу да се јаве само ако им је полупречник
мањи од 59% полупречника атома основног кристала. Због
величине преосталог међуатомског простора у решетки ово је
нарочито критично код кристала са густим паковањем атома.
74 |
Примесни атоми доводе до појаве енергетских нивоа

електрона којих није било у идеалној кристалној решетки и локалне
деформације периодичног потенцијала решетке. Квалитативно и
квантитативно њихово дејство зависи од хемијске природе,
валентности, положаја у кристалној решетки и слично. У
кристалима углавном постоје две врсте примеса:
• акцепторске, које теже да од решетке приме или захвате
електрон (слика 4.5. a),
• донорске, које теже да решетки у којој се налазе предају своје
електроне (слика 4.5. б).
Слика 4.5. Шематски приказ донорске и акцепторске примесе
Примесни дефекти у кристалу изазивају и поремећаје у

кретању слободних носилаца наелектрисања: смањују средњу
дужину слободног пута електрона, директно и индиректно утичу и
на кретање шупљина јер сваки поремећај решетке изазива накнадне
интеракције између честица као њених саставних делова.
Примесни атоми могу вршити и дифузију у извесним
условима, а нарочито када се при високим температурама појављују
неравномерности и промене у њиховој концентрацији. Електрична
проводност многих материјала се значајно побољшава управо
захваљујући извесним примесама које нарушавају савршеност
њихове решетке. Поред електричних, примесе утичу и на магнетне
и оптичке особине кристала што је од велике важности за
практичну примену.
Насупрот полупроводницима, код метала је присуство
примеса штетно јер доводи до повећаног расејавања проводних
електрона при протицању електричне струје, што повећава
електричну отпорност метала.
75 |
4.3.4. Центри обојености

Центри обојености представљају дефекте у кристалној
решетки који апсорбују видљиву светлост. Разликују се:
• F-центри (од немачке речи farbe што значи боја) који
представљају дефекте са захваћеним електроном,
• V-центри (од енглеске речи vacancy што значи празнина) као
дефекти са захваћеном шупљином.
Центри обојености најчешће се јављају код халогених и
алкалних кристала као што су NaCl, KCl, CsCl, LiBr и др. Неки јонски
кристали су прозрачни у целој видљивој области спектра и лако се
обоје кад се загревају у атмосфери паре одговарајућег алкалног
метала, да би се потом брзо охладили. На пример, халит – NaCl
загревањем у присуству натријумове паре постаје жут, или силин
KCl загревањем у калијумовој пари добија пурпурну боју. С обзиром
да загревање поменутих кристала у натријумовој, односно
калијумовој пари не утиче на положај апсорпционе траке следи да је
F-трака карактеристика оптичке апсорпције кристала а не алкалног
метала који је коришћен за стварање F-центра у матичном кристалу.
Центри обојености у безбојним алкалним халогенидима могу
настати на више начина:
а) увођењем хемијских примеса, на пример имплантацијом
или дифузијом примеса,
б) бомбардовањем кристала Х-зрацима, γ-зрацима,
неутронима и електронима, и
в) процесом електролизе.
4.4. Линијски дефекти

Линијским дефектом се назива нарушење правилне
кристалне структуре дуж неке линије чија је дужина неколико
милиона пута већа од међуатомског растојања, а крај јој је на
површини кристала. Основни типови линијских дефеката у
кристалима су: ивичне и завојне дислокације.
Ивичне дислокације настају услед клизања појединих области
кристала током његовог раста (слика 4.6. a) или убацивањем једне
нове полуравни атома између редовних кристалографских равни
(слика 4.6. б). Ово доводи до померања осталих кристалографских
равни и повећаног међураванског напрезања.
76 |
Слика 4.6. Илустрација ивичне дислокације
Негативна ивична дислокација се обележава симболом ”ë”, а

позитивна ca “⏉”. Притом, вертикална линија представља правац
додатне полуравни, а хоризонална линија правац равни клизања на
којој се додата полураван завршава. Сам завршни ред атома
полуравни образује дислокациону линију.
Слика 4.7. Формирање завојне дислокације
Дислокација настала померањем једног дела

кристалографске равни у неком правцу, у односу на остале
кристалографске равни назива се завојном дислокацијом (слика 4.7).
Замислимо да је кристал делимично прорезан и да су са обе стране
прореза, паралелно ивици прореза, али у супротним смеровима,
померени делови кристала за једно међуатомско растојање. Граница
између дела кристала који је померен клизањем и дела кристала
77 |
који није померен означава завојну дислокацију. Завојна

дислокација је паралелна правцу клизања.
Важан параметар који карактерише дислокације је њихова
густина, односно дужина дислокационих линија у јединици
запремине:
V
7ìíîï . 4.19
Међутим, у пракси се чешће користи дефиниција густине

дислокација као број дислокација по јединици површине кристала:
7ìíîï
. 4.20
ìíîï
Ý
Густина дислокација се креће од 10 − 10 disl⁄cm
најсавршенијим кристалима Ge и Si, па до 10 − 10 disl⁄cm у јако
у
деформисаним металним кристалима.
4.4.1. Бургерсов вектор

Помераји одговорни за настајање дислокација у кристалној
решетки описују се помоћу Бургерсовог вектора – вектора који је
потребан за „затварање“ контуре сачињене од низа вектора (тзв.
слика 4.8 а). У овом случају је нормалан на дислокациону линију.

Бургерсове путање), око ивичне дислокације у савршеној решетки,
Слика 4.8. Бургерсов вектор код а)ивичне дислокације, b) завојне

дислокације
Код кристала са завојном дислокацијом Бургерсов вектор

може да се дефинише на следећи начин: пресечемо мисаоно кристал
по једнострукој површи која належе на неку произвољну линију
78 |
(слика 4.8. б). Затим са једне стране ове површи померамо материјал
за Бургерсов вектор . Зависно од смера померања, у кристалу ће
доћи до појаве зазора, или до прекривања ових двеју половина. Да
би се зазор попунио, односно спречило прекривање материјала
неопходно је додати, односно одузети материјал. При поновном
спајању ових делова материјала, пре него што се успостави
унутрашња равнотежа, створиће се контура дислокације са
граничном кривом и Бургерсовим вектором. У овом случају
Бургерсов вектор је паралелан са линијом дислокације и мора бити
једнак једном од дискретних вектора решетке да би се при поновном
спајању сачувала кристална структура материјала.
4.4.2. Кретање дислокација

Унутар кристала са слабо усмереним међуатомским везама
напону мањем од 0,1 N⁄cm .

дислокације почињу да се крећу при спољашњем механичком
Дислокације се могу кретати:

• клизањем по површини на којој се налазе и
дислокациона линија и Бургерсов вектор,
• пењањем када се крећу изван почетне површине
нормално на правац Бургерсовог вектора.
Кретање дислокација се најлакше одвија на клизним
кристалографским равнима са најгушћим паковањем структурних
јединица кристала. Ове клизне равни образују степенице у кристалу
(слика 4.9). Пролажењем дислокације кроз кристал долази до
померања дела кристала изнад клизне равни за један атомски
размак у односу на део испод клизне равни.
Између кристалне решетке и дислокације јавља се сила трења
(тзв. Пеиерслова сила) чији интензитет зависи од примењеног
напрезања и од кристалне структуре. Због тога је брзина кретања
дислокација кроз кристал ограничена. Теоријска граница ове
брзине је брзина звука у кристалу, док су експериментално
измерене вредности знатно мање. Поред тога, остали дефекти у
кристалу представљају препреке за кретање дислокација.
Дислокација ће се зауставити кад стигне до неке од њих, а да би се
опет покренула неопходно је додатно напрезање.
79 |
Слика 4.9. Шематски приказ клизне равни површине ñ, правац

клизања задат је вектором òó, сила у правцу клизања је ô,
вектор нормале на раван клизања је õ
4.4.3. Еластична енергија дислокације

Присуство дислокација изазива унутрашњу еластичну
деформацију у кристалу којој одговара одређено унутрашње
напрезање. Наиме, око дислокације постоји поље напрезања које се
у поједностављеној анализи може представити у облику цилиндра
(слика 4.10). Цилиндар се паралелно оси пререже до пола, затим се
део помера (спољашње напрезање) према другом делу за Бургерсов
вектор. Након тога се делови залепе чиме се ствара завојна
дислокација у смеру осе цилиндра. Замислимо сада да смо уместо
цилиндра узели кристалну решетку код које су атоми удаљени од
дислокације за само неколико међуатомских растојања. При
описаном поступку би дошло до померања ових атома из положаја
идеалне решетке за значајан износ (око 5 дужина Бургерсовог
вектора). Ово подручје се назива срж дислокације и може се изрезати
ради поједностављеног израчунавања.
Из теорије еластичности је познато да је релативна
деформација еластичног смицања Š , а напон при смицању ‹
ˆ
£s
öŠ , где је ö модул смицања. По дефиницији, напон смицања је
÷ˆ
£s
први извод силе по површини тј. ‹ tî , одакле се за енергију која је
tø
потребна да се изврши смицање за Бургерсов вектор добија:

\q \² ∙ ‹ ∙ \Ý ∙ ‹ ∙ V ∙ \c ∙ . 4.21
80 |
Слика 4.10. Поједностављен приказ поља напрезања око

Овај израз се дели са 2 јер је смицање извршено до половине

цилиндра:
ö V
\q \c. (4.22)
4,c
Са V је означена дужина цилиндра који садржи завојну дислокацију у
смеру осе (слика 4.11), са „ полупречник цилиндра, док c = ;
љусци дебљине \c = „ − ; добијамо интегрирањем горње

представља полупречник сржи дислокације. Еластичну енергију у
једначине у границама од c = ; до c = „:
¹
ö V \c
q= ¾ . (4.23)
4, c
ˆŸ
Након интеграције добијамо еластичну енергију цилиндра дужине V

и полупречника „ око дислокације:
ö V „
q(„) = ln . (4.24)
4, ;
дужином V, односно:
Еластичну енергију по јединици дужине добијамо делећи (4.24)
ö „
ù(„) = ln . (4.25)
4, ;
81 |
Слика 4.11. Цилиндар који садржи завојну дислокацију у смеру

осе
Аналогним поступком добијамо еластичну енергију по

јединици дужине за ивичну дислокацију:
ö „
ù „ ln , 4.26
4, 1 − ú ;
где је ú – Пуасонов коефицијент (однос попречног смањења и

уздужног продужења датог материјала).
Општи израз за еластичну енергију би, дакле, могао да се
напише у следећем облику:
ö „
ù „ ln , 4.27
4,ƒ ;
где је ƒ 1 за завојну, односно ƒ 1 − ú за ивичну дислокацију.
Бургерсов вектор са линијом дислокације заклапа угао «, еластична

У случају да постоји мешовит тип дислокације код које
вектора cos « и ивичне дислокације Бургерсовог вектора sin «:

енергија се добија као збир завојне дислокације Бургерсовог
ö „
ùu"û „ 1 − ú cos « ln . 4.28
4, 1 − ú ;
С обзиром да је „ под логаритмом, ù „ је релативно

независна од избора „. Кадa у кристалу постоји само једна
дислокација за „ се узима димензија кристала, док се у случају
поликристалних материјала узима димензија поликристалног зрна
(кристалита). Напоменимо још и да је за разлику од тачкастих
82 |
дефеката, код дислокација промена енталпије много већа од

промене конфигурацијске ентропије. Због тога се не може говорити
о неком равнотежном броју дислокација, већ супротно, кристал са
великим бројем дислокација тежи да их се ослободи, па је у случају
термодинамичке равнотеже број могућих дислокација занемарљив.
Каже се да је еластична енергија дислокација главни механизам за
ослобађање кристала од дислокација.
4.4.4. Силе напрезања код дислокација
дислокације Бургерсовог вектора у еластичном пољу напрезања ‹,

Да бисмо нашли израз за силу по јединици дужине
морамо нагласити да сила не делује на појединачне атоме већ на

читаву конфигурацију атома који чине дислокацију. Посматрајмо
случај ивичне дислокације (слика 4.12. а) и завојне дислокације
Дислокација је у смеру осе ( , а уметнута екстра раван је ( ( .

(слика 4.12. b).
Бургерсов вектор је у смеру ( , док је раван клизања дислокације

( ( . Ако делује сила ² онда ће у равни ( ( у смеру ( постојати
напрезање (означено са ‹ јер је напрезање тензорска величина).
Напрезање ће тежити да помери део кристала изнад равни ( (
удесно у односу на део кристала испод ове равни.
Слика 4.12. Приказ дејствујуће силе код ивичне а) и завојне б)

83 |
Претпоставимо да се дислокација, дужине V, креће удесно под

дејством силе ² и пређе пут ü. Горњи део кристала ће се померити
за износ Бургерсовог вектора , а сила ² делујући на поменуту
дислокацију ће извршити рад:
ù ² ∙ V ∙ ü. (4.29)
Рад силе спољашњег напрезања ² = ‹Ý = ‹⁄ü извршен при
‹
померању горњег дела кристала за је:
ùÁ = . (4.30)
ü∙
Из једнакости радова ù и ù Á добијамо силу ² :
² =‹∙ . (4.31)
Исти резултат се добија и за завојну дислокацију и веома је
важно истаћи да је сила увек нормална на дислокациону линију.
Напоменимо и то да интеракција између дислокација смањује
еластичну енергију кристала јер смањује Гибсову енергију.
Дислокације супротних предзнака се привлаче и могу да се пониште
што доводи до нестајања еластичне енергије. С друге стране,
дислокације истог предзнака се одбијају јер би у супротном дошло
до пораста унутрашњег напрезања, односно еластичне енергије.
Дислокације су важне за објашњење смицања у кристалу.
Такође су веома блиско повезане са скоро свим осталим механичким
феноменима као што су: тачка преноса, очвршћавање, замор
материјала, усек и оштар лом. Постојање дислокација у кристалима
омогућава механизам помоћу којег се може мењати облик или
вршити механичка деформација. Кристали који не поседују
дислокације су крхки и практично неупотребљиви.
4.5. Дводимензионални дефекти

Већ је речено да се спољашње површине које ограничавају
реалан кристал не убрајају у дводимензионалне дефекте, за разлику
од било ког прекида идеалне периодичности кристалне решетке
унутар кристала. У принципу разликујемо три врсте површинских
дефеката:
• Грешке у распореду кристалографских равни; када недостаје
једна цела раван атома или пак када постоји додатна раван
(слика 4.13. а) и 4.13. б)).
84 |
Слика 4.13. Грешке у распореду кристалографских равни
• Дислокационе зидове који настају због клизања и пењања

дислокација с тежњом да заузму просторни распоред којем
одговара најмања слободна енергија (слика 4.14). Притом
долази до мале дезоријентације између два дела кристала који
sin «⁄2 ⁄2\ , где је Бургерсов вектор. За мале углове је \

се онда зову подзрна. Угао дезоријентације се дефинише као
⁄« . Ако је угао « h150 долази до преклапања сржи

дислокација и говоримо о граници зрна.
Слика 4.14. Дислокациони зидови
• Границе зрна су граничне површине између кристалних

блокова, односно монокристала који могу бити истог или
различитог структурног састава (слика 4.15). Ако се ради о
кристалним зрнима различитог материјала онда се границе
зову међуфазне.
85 |
Слика 4.15. Границе зрна
Под тродимензионалним или запреминским дефектом може

се сматрати празно место у кристалу: пукотине, рупе, страна тела -
инклузије. Мале запремине неке друге фазе (на пример мехурићи
гаса након озрачивања) у чврстом телу се у принципу не сматрају
„правим“ тродимензионалним дефектима.
86 |
5 . В ИБРА ЦИЈЕ КР ИСТА ЛНЕ РЕШЕТКЕ.

ФОНОНСК А ПОБ УЂЕЊА У К Р ИСТАЛ ИМА
Кристали су до сада посматрани као идеално крута тела чије
су честице фиксиране у чворовима кристалне решетке. Међутим,
честице кристала нису непокретне, већ при свим температурама,
укључујући и апсолутну нулу, осцилују око својих равнотежних
положаја. Захваљујући међуатомским везама између честица,
осциловање једне честице преноси се на суседне честице, од ових на
следеће суседе и све даље. На тај начин, поремећај који је омогућио
кроз кристал. Овај талас карактеришу таласни вектор U,

почетак осциловања честица шири се у облику еластичног таласа
фреквенција ú и брзина простирања J.

Разматрањем сила које доводе до померања атома из
добија дисперзиона релација која повезује угаону фреквенцију ± и

равнотежног положаја изводи се једначина кретања тог атома и
таласни вектор U. Са аспекта квантне физике енергија еластичног

таласа је квантована, а квант ове енергије назван је фононом, по
аналогији са фотоном – квантом енергије електромагнетног таласа.
Фонон представља квантно-механички опис посебне врсте
вибрационог кретања у којем решетка осцилује равномерно са
истом фреквенцијом. Фонони имају значајну улогу у многим
физичким особинама кристала, укључујући топлотну и електричну
проводност. Звучни таласи у кристалима су састављени од
акустичних фонона, док су топлотне вибрације у кристалима
последица кретања топлотно побуђених фонона.
Иако не постоји експеримент који би дао директну потврду
постојања фонона, многи индиректни докази указују на њихово
постојање. На пример, тежња топлотног капацитета чврстог тела ка
нули када температура тежи нули може се објаснити једино
квантовањем енергије вибрација решетке.
Други доказ о постојању фонона пружа нееластично расејање
неутрона или Х-зрака на кристалима. При нееластичном расејавању
неутрона долази до промене његове енергије што се одређује на
основу промене његове таласне дужине. С друге стране, промена
импулса се одређује на основу промене правца расејаног неутрона.
Промена таласне дужине неутрона одређује заправо енергију и
фреквенцију фонона који се побуђује или ишчезава након судара са
неутроном, а промена импулса неутрона одређује таласни број
87 |
фонона. Ови експерименти представљају најбољи начин за

одређивање дисперзионе зависности фонона.
Поред тога, чињеница да специфична електрична проводност
опада за двадесетак редова величине од проводника до изолатора,
док топлотна свега два до три реда, указује на постојање некаквог
механизма преноса топлотне енергије и у условима када је број
слободних електрона веома ограничен (на пример код изолатора).
Теорија вибрације кристала представља добру подлогу за
објашњење специфичне топлоте чврстих тела, топлотне и
електричне проводности, топлотно ширење и друге физичке појаве
у кристалу. С обзиром на сложеност ове теорије, до експлицитних
решења се долази постепено уз одговарајуће апроксимације и
претпоставке које у конкретној ситуацији имају физичко
оправдање. До решења тродимензионалног проблема вибрације
кристалне решетке долази се преко генерализације решења
једнодимензионалних задатака:
• Простирања еластичних таласа у једнодимензионалној
моноатомској решетки;
• Простирања еластичних таласа у једнодимензионалној
решетки са базисом.
5.1. Вибрације једноатомских линеарних решетки

Посматра се простирање еластичних таласа у
низу је 3. Атоми су исте врсте и налазе се на једнаким међусобним

једнодимензионалном низу атома (слика 5.1). Укупан број атома у
растојањима . Осциловање атома око равнотежних положаја
има један степен слободе, а цео систем 3 степени слободе.

(чворова решетке) врши се дуж праве линије. Сваки атом овог низа
Слика 5.1. Линеарна решетка једнаких атома
88 |
Сви атоми низа су равноправни, па је довољно разматрати
равнотежног положаја (x . Померај овог атома Ix описује се

осциловање једног, на пример –тог атома око његовог
таласном функцијом облика:

Ix I; d " @ý û{ °
I; d " @ý x¥ °
, (5.1)
где је I; - амплитуда осциловања, ± – угаона фреквенција, -
константа решетке.
атом потиче од − 1 и + 1–вог атома, а пропорционална је

У апроксимацији најближих суседа, сила која делује на –ти
померају –тог атома из равнотежног положаја:

²x = − (Ix − Ix ) − (Ix − Ix ) = (Ix + Ix − 2Ix ). (5.2)
даје константу еластичности ‡.

Овде је – коефицијент квазиеластичне силе који помножен са
Једначина кретања -тог атома, на основу Другог Њутновог

закона, може се написати у следећем облику:
\ Ix
f = −f± Ix = (Ix + Ix − 2Ix ). (5.3)
\w
Заменом (5.1) у (5.3) добија се:
−f± I; d "@ý x¥ ∙ d "°
= I; d "°
d "@ý (x )¥
+ d "@ý (x )¥
− 2d "@ý x¥ ,
(5.4)
односно:
−f± d "@ý x¥ = d "@ý x¥ d "@ý ¥ + d "@ý ¥
−2 , (5.5)
или:
−f± = d "@ý ¥ + d "@ý ¥
−2 . (5.6)
Користећи идентитет:
Uþ
2 − d "@ý ¥ − d "@ý ¥
= 2 1 − cos Uþ = 4 sin (5.7)
2
једначина (5.6) своди се на:
4 Uþ
sin ± = (5.8)
f 2
Најзад, квадратни корен ове релације даје дисперзиону зависност:
89 |
4 Uþ
± ˜= sin . 5.9
f 2
С обзиром да угаона фреквенција може имати само позитивне
таласног вектора Uþ . Угаона фреквенција достиже максималну

вредности знак „-" у (5.9) одговара области негативних вредности
¡
@ý ¥
вредност ±u (слика 5.2), када је sin 1, односно за
Ž
u
максималну вредност таласног вектора:
, 2,
Uþu¥û . 5.10
•u"x
Слика 5.2. Зависност угаоне фреквенције од таласног

вектора
Према (5.10) максималној вредности таласног вектора
међуатомског растојања, односно •u"x 2 , где је ≈ 10 ; m.

одговара минимална таласна дужина која је реда величине
5.1.1. Дисперзиона релација

У области великих таласних дужина (•þ ≫ 2 ), односно
малих вредности таласног вектора Uþ ≪ ,⁄ , може се користити
апроксимација:
Uþ Uþ
≈ sin 5.11
2 2
уз коју се добија приближно линеарна дисперзиона зависност:
90 |
± Uþ ≈ Uþ = . (5.12)
f
У дуготаласној области дисперзиони ефект је очекивано

занемарљив зато што су особине кристалне структуре мање
изражене при већим таласним дужинама. Ови резултати се
поклапају са резултатима моделa еластичног континуума што значи
да се једнодимензионална решетка може сматрати хомогеном
средином за еластичне таласе великих таласних дужина.
Фазна и групна брзина еластичних таласа у кристалу
дефинисане су следећим релацијама:
@ý ¥ @ý ¥
± sin sin
J = = ±u Ç Ç = J ß Ç @ ¥ Ç, (5.13)
Uþ Uþ ý
\± ±u Uþ Uþ
J = = cos =J cos , (5.14)
\Uþ 2 2 ß
2
јер је:
4 2J ß q ²x
±u = = = , J == , q= = . (5.15)
f ß
7 Ã { { Y
Ã
¥
Фазна и групна брзина дуготаласних еластичних таласа једнаке су
односно J = J = J ß . Због тога се осциловања решетке овог типа

брзини простирања звучних таласа кроз еластичну средину,
називају акустичним (или звучним) осциловањима.

С друге стране, у области малих таласних дужина брзина
простирања еластичног таласа не остаје константна, а фазна и
групна брзина се одређују из релација (5.13) и (5.14). Зависности
фазне и групне брзине од таласног вектора приказане су на слици
вектора Uþ = ± ,⁄ ) када је таласна дужина • = 2 , дисперзиона

5.3. На границама прве Брилуенове зоне (при вредностима таласног
крива постаје равна односно групна брзина постаје једнака нули.
91 |
Слика 5.3. Зависност фазне и групне брзине од таласног

вектора
5.1.2. Борн-Карманови услови

За дефинисање граница промене таласног вектора Uþ
једнодимензионалне реципрочне решетке, тј. UþÁ → Uþ R . Према

потребно је исти увећавати за ма који цео број s вредности вектора
£
¥
(5.9) следи:
~Uþ •
£X
2,
± yUþ R z ±u Çsin ¥
Ç ± Uþ . 5.16
2
Одавде је очигледно да се фреквенција не мења, односно да је
2,⁄ . Аналогно, из израза (5.1) добија се:

фреквенција периодична функција таласног броја са периодом
IX Ix X I; d " @ý ¥x °
d" £xX
I; d " @ý ¥x °
Ix , 5.17
јер је d " £xX 1. Једнакост таласних функција IX и Ix физички значи
да су таласни вектори Uþ и UþÁ исти, односно да карактеришу исти
талас. Због тога је довољно размотрити дисперзиону релацију у
, ,
границама:
− ≤ Uþ g . 5.18
таласни вектор Uþ одговара Брилуеновој зони за таласни вектор

На основу овог израза може се закључити да област у којој се налази
електрона U.
92 |
У циљу одређивања вредности таласног вектора Uþ

претпоставља се да је број атома у решетки велики 3 ≫ 1 , као и да
су атоми распоређени по кружници великог полупречника на
међусобним растојањима (слика 5.4). Утицај било ког атома на
вибрације осталих атома је веома мали у овом случају, због чега се
гранични услови могу заменити тзв. цикличним Борн-Кармановим
условима.
Слика 5.4. Илустрација Борн-Карманових услова. Распоред

атома на прстену великог пречника
На таласну функцију Ix примењује се услов:

Ix Ix • . 5.19
Тада се, на основу (5.1) и (5.19) добија:

I; d " @ý ¥ • x °
I; d " @ý ¥x °
, 5.20
одакле следи:
d "@ý •¥ 1, 5.21
односно:
Uþ 3 2,R, 5.22
где је R –цео број. Релација (5.22) може се написати у следећем
облику:
2,
Uþ
R, 5.23
3
одакле се види да је таласни број Uþ квантован. Кад се Uþ унесе у
(5.18) добија се:
3 3
− ≤ R g . 5.24
2 2
93 |
Последња релација значи да решетка са 3 једнаких атома има 3

степена слободе, да таласни вектор Uþ има 3 дискретних вредности
у опсегу H− ,⁄ , ,⁄ L, односно 3 дозвољених вредности за енергију.
Ово се односи само на једнодимензионални случај.
5.2. Осциловање атомских равни

У случају вибрација кристалних решетки код којих на
осциловања атома неке равни значајно утичу атоми равни која је, на
пример двадесета од уочене, апроксимација најближих суседа не
даје задовољавајуће резултате. У таквим се случајевима мора
спровести сложена анализа. Ипак, проблем се може донекле
упростити ако се посматра простирање еластичних таласа само у
правцима где су поларизације таласа чисто трансверзалне или
чисто лонгитудиналне.
Слика 5.5. Померање (вибрације) равни атома при простирању

лонгитудиналног еластичног таласа. Испрекидане линије –
равни атома у равнотежном положају. Непрекидне линије-
померене равни атома
У кубној кристалној решетки такви су [100], [111]и [110]

правци. Када се талас простире дуж једног од ових праваца, читаве
равни атома у кристалу се крећу у фази. Ово кретање је паралелно
правцу простирања уколико је талас лонгитудиналан (слика 5.5), а
нормално ако је талас трансверзалан (слика 5.6).
94 |
Слика 5.6. Равни атома које су померене при пролажењу једног

трансверзалног таласа
У случају идентичних равни атома које се при пролажењу
вектор Uþ , померај s-те равни из равнотежног положаја може се

таласа померају као целине, паралелно или нормално на таласни
описати једном координатом IX . На тај начин, проблем је сведен на

једнодимензионални. Сила која делује на s-ту раван, а изазвана је
померањем равни означене са s+p, пропорционална је разлици
померања ових равни:
²X ‡r IX r − IX , 5.28
где је ‡r коефицијент реституционе силе. Узимањем у обзир свих
атомских равни добија се:
²X • ‡r IX r − IX . 5.29
r
Једначина кретања равни R је:

\ IX
f • ‡r IX − IX , 5.30
\w r
r
а њено решење је таласна функција облика:

IX r I; expN—Uþ R b − ±wO, 5.31
95 |
где је а – растојање између суседних равни, а Uþ је таласни вектор

еластичних таласа.
На основу (5.29) и (5.31) добија се:
−± fI; expN—RUþ − —±wO
= • ‡r I; CexpN—(R + b)Uþ − —±wO − expN—RUþ − —±wOD,
r
oдносно:
−± f = • ‡r Nexp —bUþ − 1O , (5.32)

r
симетрији ‡r = ‡ r , следи:
где је р цео број. Имајући у виду да је, према транслационој
± f = − • ‡r Nexp —bUþ + exp −—bUþ − 2O. (5.33)

r ;
Како је:
2 cos bUþ = exp —bUþ + exp −—bUþ , (5.34)
то је:
± f = − • ‡r 2 cos bUþ − 2 , (5.35)

r ;
или:
4 bUþ
± =− • ‡r sin . (5.36)
f 2
r ;
Kоефицијент квазиеластичне реституционе силе ‡r за р-ту
са cos cUþ , где је r цео број, а затим интеграле обе стране једначине
раван може се израчунати из (5.36) тако што се једначина помножи
по Uþ у границама прве Брилуенове зоне:

f £⁄¥
‡r = − ¾ ± cos cUþ \Uþ . (5.37)
2, £⁄¥
96 |
5.3. Осциловање једнодимензионалне двоатомске

решетке
Посматрајмо сада ланац дуж којег су наизменично, на
маса f и f (слика 5.7). Нека се атоми масе f налазе на парним, а

једнаким међусобним растојањима , поређани атоми различитих
атоми масе f на непарним позицијама у кристалу. Претпоставља се

да су померања атома око равнотежних положаја мала, као и да су
силе међу паровима суседних атома једнаке.
Слика 5.7. Двоатомска линеарна решетка
Нека је у решетки N елементарних ћелија (2N степена
атоме f и f су:
слободе). У апроксимацији најближих суседа једначине кретања за
\ I
f − 2I −I −I ;
x
\w x x x
5.38
\ I x
f − 2I x − I x − I .
\w x
Решења ових једначина су Блохове функције:

I x I d" x@ý ¥ °
; I x I d "N x @ý ¥ ° O
5.39
Амплитуде осциловања за атоме f и f су различите. Уношењем
I иI :
(5.39) у једначине кретања добија се систем хомогених једначина по
2 − f ± I − 2 I cos Uþ 0
5.40
−2 I cos Uþ 2 −f ± I 0 .
Овај систем има нетривијална решење ако је његова детерминанта
једнака нули, тј.
97 |
2 −f ± −2 cos Uþ
= 0. (5.41)
−2 cos Uþ 2 −f ±
Одавде се добија биквадратна једначина по ±:
f +f 4
±Ž − 2 ± + sin Uþ =0 (5.42)
f f f f
чија су решења:
1 1 4f f
± Uþ = y + z 1 ± =1 − sin Uþ . (5.43)
⁄
f f (f + f )
вредности таласног вектора Uþ одговарају две вредности ±, односно

Физичког смисла имају само позитивна решења. Свакој
две криве зависности ± Uþ . Граничне вредности ових фреквенција

у дуготаласној области ( тј. за Uþ ≪ 1) су:
f +f
± = ±2r ≈ =2 y z (5.44)
f f
± = ±¥@ ≈ = ∙ 2 Uþ = J ß ∙ Uþ . (5.45)
2(f + f )
таласни вектор Uþ има коначан број 3 различитих вредности које се

Применом Борн–Карманових услова цикличности утврђује се да
, ,
налазе у интервалу:
− ≤ Uþ ≤ .
2 2
Овај интервал вредности Uþ представља редуковану Брилуенову зону
односно за Uþ = ± ,⁄2 је:

за двоатомску решетку. На границама редуковане Брилуенове зоне,
2 2
±¥@ = = , ±2r = = . (5.46)
f f
С друге стране, у центру редуковане Брилуенове зоне, за Uþ = 0 је:

±¥@ (0) = 0; ±2r (0) = ±u¥û . (5.47)
98 |
решетке, са назначеним граничним фреквенцијама при Uþ 0 и

Дисперзиона зависност двоатомске једнодимензионалне
Uþ ,⁄2 , приказана је на слици 5.8. На слици су представљене две

криве зависности ± Uþ , односно две гране закона дисперзије.
Горња грана се назива оптичком јер се односи на вибрације које се у
кристалу могу побудити светлошћу одговарајуће фреквенције.
Доња грана се назива акустичном јер се односи на вибрације које
представљају таласање густине кристала, а које се кроз дати
кристал простире брзином звука.
Слика 5.8. Дисперзиона зависност за двоатомску

једнодимензионалну решетку
фреквенције (±¥@ g ∆± g ±2r у којој једначине кретања (5.38)

Између акустичне и оптичке гране налази се област
немају реалних решења. Ова област је названа забрањеном зоном

или фреквентним процепом. У забрањеној зони нема прогресивних
таласа, односно свака вибрација побуђена са фреквенцијом из ове
области била би пригушена од стране решетке. Ширина забрањене
зоне може се одредити из следеће разлике:
, , 2 f
∆± ±2r ~ • + ±¥@ ~ • = Ä= + 1Å. 5.48
2 2 f f
Одавде се види да је у случају атома једнаких маса ∆± 0. Када се

масе f и f мало разликују ширина забрањене зоне је мала, док је
у случају f ≫ f вредност ∆± значајна.
99 |
(5.38), добија се однос амплитуда осциловања I и I за акустичну и

Ако се решења (5.44) и (5.45) унесу у једначине кретања
оптичку грану. У центру Брилуенове зоне (Uþ 0) је:

I
y z 1 5.49
I ¥@
I f
y z + . 5.50
I 2r f
Однос (5.49) показује да атоми f и f осцилују са једнаком
амплитудом и у фази. Елементарна ћелија се помера као целина, што
је карактеристично за акустичне таласе. Лонгитудинални и
трансверзални акустични таласи приказани су на слици 5.9.
Слика 5.9. Шематски приказ: а) лонгитудиналног; б)

трансверзалног акустичног таласа.
Знак „минус“ у (5.50) указује на осциловање атома у

противфази, односно на супротно усмерене вибрације чије се
амплитуде односе обрнуто пропорционално масама атома.
Шематски приказ лонгитудиналног и трансверзалног оптичког
таласа дат је на слици 5.10.
Слика 5.10. Шематски приказ: а) лонгитудиналних; б)

трансверзалних оптичких еластичних таласа.
100 |
Услед осциловања у противфази, код јонских кристала са

разнонаелектрисаним јонима јавља се активан диполни момент,
због чега се каже да оптичке вибрације представљају таласну
промену диполних момената.
5.4. Осциловање атома идеалне тродимензионалне

решетке
Као што је речено код једнодимензионалног низа
састављеног од истих атома јављају се само акустичне осцилације
при којима се сви атоми померају у фази. У случају
једнодимензионалног низа са два различита атома по елементарној
ћелији јављају се, међутим, акустичне и оптичке осцилације. За
случај елементарне ћелије са n различитих атома постојало би n
типова вибрирања решетке.
Сличан резултат добија се и за тродимензионални кристал
број би био 3 . Од тога би 3 била акустична, а 3 + 1) оптичка

само са троструко већим бројем могућих осциловања, односно тај
осциловања.
од 3 примитивних Бравеових ћелија. С обиром на три степена

Размотримо случај тродимензионалне решетке састављене
слободе кретања сваког атома, цео кристал карактерише 33
равнотежног положаја мали и увођењем вектора помераја I€ , добија

степени слободе. Уз претпоставку да је померај j-тог атома из
се 33 везаних једначина кретања. Решења ових једначина се траже

у облику прогресивних таласа:
I€ = l@ý Š" Uþ d € @ý ¹ °
, (5.51)
где је:
Uþ - таласни вектор опредељеног правца простирања таласа,
l@ý -амплитуда осциловања,
Š" Uþ - јединични вектор поларизације који дефинише

правац у коме се крећу атоми,
„€ -радијус вектор ј-тог атома у равнотежној конфигурацији.
систем хомогених једначина по l@ý који ће имати нетривијална

Кад се решења (5.51) унесу у једначине кретања добија се
101 |
добија једначина трећег степена по ± која у општем случају има три

решења кад је његова детерминанта једнака нули. Из тог услова се
таласног вектора Uþ . Ово значи да постоје три гране дисперзионих

корена који морају бити реални и позитивни за сваку вредност
зависности (једна лонгитудинална ü и две трансверзалне

± ±" Uþ где је — 1,2,3 (слика 5.11. а).
и ):
Слика 5.11. Дисперзиона крива за тродимензионалну решетку:

а) примитивну; б) са базисом
Борн-Карманов услов цикличности

I€ „€ 3" " I€ „€ 5.52
биће испуњен ако је:
d "•É @ý ¥É 1 5.53
односно:
2, "
Uþ , 5.54
"
3"
где је " цео број. Таласни вектор Uþ има онолико дозвољених
вредности колико у кристалу има елементарних ћелија у границама:
−, ≤ Uþ " ≤ ,, — 1,2,3. 5.55
садржи c атома (систем са 3c3 степени слободе), добија се 3c3

Код тродимензионалне решеке чија елементарнa ћелијa
102 |
једначина кретања. Укупан број грана осциловања је 3c3, од чега су

3 акустичне, а 3c3 + 3 оптичке (слика 5.11. б).
5.5. Фонони
елементарнa ћелијa садржи c атома, вибрације атома кристала могу

У општем случају тродимензионалне решетке чија
се представити у облику суперпозиције 3c3 нормалних таласа. С

квантно механичког аспекта сваки од ових таласа представља
±" Uþ" , а енергија:

хармонијски осцилатор. Кружна фреквенција овог осцилатора је
1
q@ýÉ = ℏ±" Uþ" y + z, (5.56)
2@ýÉ
где је — = 1,2.3 … , 3c3 - број грана вибрације. Укупна енергија

вибрације кристала једнака је збиру енергија осциловања 3c3
међусобно неинтерагујућих хармонијских осцилатора:
1
q = • q@ýÉ = • ℏ±" Uþ" y + z, ~ = 0,1,2, … •. (5.57)
@ýÉ
2 @ýÉ
@ýÉ @ýÉ
Квант енергије ℏ± Uþ" назива се квантом енергије вибрације

кристала или фононом.
По аналогији са фотонима, фонони се могу смарати
носиоцима енергије вибрације решетке, односно слободним
квазичестицама. Увођење појма фонона омогућава да се кристално
чврсто тело посматра као „кутија“ у којој је затворен фононски гас.
Фонони, као и честице обичног гаса, крећу се од зида до зида такве
кутије, међусобно се сударају при чему се стварају или ишчезавају.
∆q@ýÉ = ℏ±" Uþ" ∆ @ýÉ , (5.58)

При том се енергија вибрација решетке мења као:
где је ∆ X U = ±1, при чему се знак „+“ односи на стварање

(апсорпцију) фонона у решетки, а знак „-„ на ишчезавање фонона
(зрачење од стране решетке).
103 |
6 . ТОПЛ ОТНА СВ ОЈСТВ А ЧВР СТИХ ТЕЛА
Померај једног атома кристалне решетке, као што је већ

речено, изазваће дејство силе на суседне атоме, а тиме и њихове
помераје. Кроз кристал ће почети да се простире деформација. Ако
је узрок њеног ширења осцилаторно кретање, деформација ће бити
периодична, односно кроз кристал ће се простирати еластични
таласи. Квантна механика је, на основу таласно-корпускуларног
фононе одговарајућих енергија ℏ±. Укупна унутрашња енергија

дуализма, овим таласима придружила честична обележја, односно
кристала налази се у фононима. При топлотном побуђењу кристала
кристала за ℏ± значи појаву једног фонона. Фонони се брзином

(тј. загревању) број фонона се повећава, односно пораст енергије
звука крећу кроз кристал у свим смеровима преносећи топлотну

енергију.
Физичка величина која описује топлотно понашање чврстих
тела је специфични топлотни капацитет. Специфични топлотни
капацитет кристалне решетке при константној запремини
дефинише се као:
áq
‡¢ y z , (6.1)
á ¢
где је q – унутрашња енергија кристала, а - температура.
Дилон и Пти су 1819. године експериментално установили да је на
тела константа чија је вредност приближно једнака 25 J⁄mol ∙ K.

високим температурама специфични топлотни капацитет чврстих
6.1. Класична теорија топлотног капацитета

кристала
Класична теорија је Дилон-Птијев резултат покушала да
објасни примењујући закон о равномерној расподели енергије по
степенима слободе (који важи за идеалне гасове) на чврста тела.
Овај закон се може применити на чврсто тело ако се то тело
посматра као систем честица које се крећу хармонијски и међусобно
интерагују. Према закону о равномерној расподели енергије по
одговара UÞ ⁄2 топлотне енергије, где је UÞ – Болцманова

степенима слободе сваком степену слободе кретања честице
константа.
104 |
Нека се кристал састоји од 34 атома од којих сваки има три
координатне осе. То значи да се кристалу може придружити 334

степена слободе осциловања дуж три међусобно нормалне
линеарних хармонијских осцилатора. Укупна средња енергија

линеарног хармонијског осцилатора је:
qM qM@ qMr UÞ , 6.2
где су qM@ и qMr средња кинетичка и средња потенцијална енергија
осцилатора qM@ qMr UÞ ⁄2 . Укупна средња енергија кристала је:
q 334 UÞ . 6.3
Одатле је специфични топлотни капацитет кристала при
константној запремини:
áq
‡¢ y z 334 UÞ 3„ 25 J⁄mol ∙ K, 6.4
á ß
где је „ 8.314 J⁄mol ∙ K - универзална гасна константа. Једнакост
(6.4) слаже се са Дилон-Птијевим експерименталним резултатима
на високим температурама (слика 6.1).
Слика 6.1. Зависност моларног топлотног капацитета чврстог

тела од температуре
Међутим, експерименти су показали да са снижавањем

температуре специфични топлотни капацитет није константан, већ
опада по кубном закону (као ) код изолатора, односно по
линеарном (као ) код метала. Ово неслагање између резултата
класичне теорије и експериментално одређених вредности
топлотног капацитета у области ниских температура указивало је
на неопходност увођења новог теоријског модела.
105 |
6.2. Ајнштајнов модел топлотног капацитета

1907. године Ајнштајн је развио модел топлотног капацитета
атоми кристала осцилују истом фреквенцијом ±, а интеракције

који се заснивао на Планковој квантној хипотези и према којем сви
између атома се занемарују. Дакле, кристал од N атома Ајнштајн

описује као систем од 3N неинтерагујућих линеарних квантних
ℏ±
осцилатора. Енергија квантног хармонијског осцилатора је:
Šx + ℏ±, = 0,1,2, … (6.5)

2
Систем ових осцилатора у топлотној равнотежи може се
осцилатор из основног стања Š; топлотно побуди у стање Šx је:

сматрати статистичким канонским ансамблом. Вероватноћа да се
{
Kx = ‡ ∙ d æç è . (6.6)
Константа ‡ се одређује из услова нормираности вероватноће:
{
• Kx = ‡ • d æç è = 1, (6.7)
x x
1
‡= . (6.8)
∑x d
{
æç è
вредности, једнака је суми производа енергије Šx и одговарајуће

Средња енергија осцилатора, према теореми о средњој
вероватноће:
∑x Šx d
È {
qM = • Šx Kx = ‡ • Šx d
{ æç è
æç è
= . (6.9)
∑x d
{
æç è
xž; x
Нека је сума стања:

È
{
x = •d æç è
. (6.10)
xž;
Уношењем израза (6.5) за енергију Šx добијамо:

È
ℏ Y
~x •
x = •d æç è Z , (6.11)
xž;
106 |
односно:
ℏ
ℏ ℏ Zℏ
d Zæç è
x d Zæç è y1 + d æç è +d æç è +⋯z = ℏ . (6.12)

1−d æç è
Средња енергија осцилатора може се одредити према

релацији:
á(ln x )
〈Š〉 = U
. (6.13)
á
Кадa у (6.13) унесемо израз (6.12) добија се:
ℏ
á ℏ ℏ
ℏ± ℏ± ∙ d æç è
〈Š〉 = U Bln d Zæç è − ln y1 − d æç è zE = + ,
á 2 ℏ
1−d æç è
ℏ± ℏ±
односно:
〈Š〉 = + . (6.14)
2 ℏ
d æç è −1
ℏ
Овде је енергија основног стања, а ℏ±⁄d æç è − 1 је средња енергија
ℏ°
топлотно побуђених хармонијских осцилатора. Како у интеракцији

са електронима учествују фонони који су побуђени енергијом већом
од енергије основног стања, први сабирак у (6.14) може да се
ℏ±
занемари, тј.
〈Š〉 =
. (6.15)
−1 d ℏ°⁄@ç
енергија кристала као система од 33 независних линеарних

Ово је израз за средњу енергију квантног осцилатора. Укупна
ℏ±
квантних осцилатора једнаких резонантних фреквенција биће:
q = 33〈Š〉 = 33. (6.16)

d ℏ°⁄@ç − 1
Топлотни капацитет при константној запремини овог кристала је:
áq ℏ± d ℏ°⁄@ç
‡¢ = y z = 33UÞ y z . (6.17)
á ¢ UÞ (d ℏ°⁄@ç − 1)
= ℏ±⁄UÞ , израз за топлотни капацитет добија

Ако се сада уведе карактеристична Ајнштајнова
температура
поједностављен облик:
107 |
d ä⁄
‡¢ 33UÞ y z . (6.18)
d ä⁄ − 1)
За већину кристала, у зависности од природе везе, вредности
Ајнштајнове температуре крећу се од 200–300К. Ајнштајнова
≪
температура истовремено представља границу применљивости
разматрање топлотних особина кристала, а при ≫

класичног приступа, односно за неопходно је квантно
може се
Аналитичко анализирање температурне зависности ‡¢ ( )

применити класичан приступ.
дате изразом (6.18) је тешко због чега се ограничавамо на две
(тј. UÞ ≫ ℏ±)
граничне области:
1) Високотемпературна област: ≫
Именилац из (6.18) може да се развије у ред:
d ä⁄ −1 = y1 + + ⋯ − 1z ≈ y z . (6.19)
d ä⁄ → 1, па се за топлотни капацитет добија:

Поред тога, експоненцијални члан у бројиоцу тежи јединици, тј.
1
‡¢ = 33UÞ y z = 33UÞ = v Rw. (6.20)
~ •
ä
Ова једнакост представља познати класичан Дилон-Птијев закон,

према којем топлотни капацитет кристала не зависи од
температуре.
2) Нискотемпературна област: ≪ (тј. UÞ ≪ ℏ±)
У овом случају је експоненцијални члан d ä⁄ ≫ 1, па се
јединица у имениоцу израза (6.18) може занемарити, тј.
d ä⁄ −1≈d ä⁄ . (6.21)
Израз за топлотни капацитет тада добија облик:
‡¢ = 33UÞ y z d ä⁄ . (6.22)
Из овог израза се види да са снижавањем температуре,
експоненцијални чинилац доминантнији. Међутим, ‡¢ према

топлотни капацитет кристала експоненцијално тежи ка нули јер је
108 |
експериментално утврђена степена зависност ‡¢ ~

релацији (6.22) опада много брже него што показује
(слика 6.2).
Слика 6.2. Топлотни капацитет олова у функцији температуре

одређена према Ајнштајновој теорији (испрекидана линија) и
експерименталним путем (пуна линија)
Узрок неслагања резултата Ајнштајновог модела са

експериментом лежи у релативно грубим полазним претпоставкама
да сви атоми осцилују независно и са истом фреквенцијом, односно
да сви еластични таласи у чврстом телу имају исту резонантну
фреквенцију.
6.3. Дебајев модел

Задржавши Ајнштајнову идеју о квантованој енергији
осцилатора, а одбацивши претпоставку да било који атом решетке
може да осцилује индивидуално и независно од осциловања других
атома, Дебај је 1912. године развио нови модел топлотног
капацитета чврстих тела. Сваком таласу у кристалу Дебај је
±X U и енергијом:
придружио хармонијски осцилатор са сопственом фреквенцијом
109 |
1
q@,X = ℏ±X U B U + E. (6.23)
X
2
Енергија кристалне решетке је:
ℏ±X U
s s
q = • •〈q@,X 〉 = • •
ℏ°¤ @
Xž @ Xž @ exp y z−1
@ç
ℏ±X U ℏ±X U
s
= •• + ••
Xž
d ℏ°¤ @ ê@ç
−1 XžŽ @
d ℏ°¤ @ ê@ç −1
@
= 〈q¥ 〉 + 〈q2r 〉
где су 〈q¥ 〉 и 〈q2r 〉 равнотежне вредности енергије акустичних и
оптичких осциловања, R = 1,2,3 означава три могуће поларизације –
свим дозвољеним вредностима таласног вектора U у Брилуеновој

једну лонгитудиналну и две трансверзалне. Сумирање се врши по
зони и R-тој грани спектра. Уводећи претпоставку да је број атома 3

у кристалу велики, односно да је број дозвољених вредности U у
Брилуеновој зони велики тако да се U мења квазинепрекидно, Дебај
је релативно тежак задатак сумирања заменио интеграљењем.
од 0 до ±u¥û , може сматрати квазиконтинуалном и за енергију

Поред тога, усвојио је да се промена фреквенције у акустичној грани
ℏ±
акустичних осциловања добио:
q¥ = ¾ ℏ°
∙ \3, (6.25)
exp ~ •−1
@ç
где је \3 број нормалних осцилација таласног вектора U чији

интензитет лежи у интервалу (U, U + \U) у оквиру Брилуенове зоне.
Број \3 се може одредити ако се у U – простору издвоји слој дебљине
\U између сфера полупречника U и U + \U (слика 6.3). Запремина
овог слоја је:
4 4
\= ,(U + \U) − ,U ≈ 4,U \U. (6.26)
3X
3
На једну дозвољену вредност U долази једна елементарна ћелија
реципрочног простора запремине:
(2,)
\ " = \Uû \U \U = , (6.27)
па ће у танком сферном слоју запремине \ X бити:
110 |
\ 4, U \U U \U
\3 . 6.28
X
\ " 8, 2,
Слика 6.3. Сферни слој дебљине ò у простору таласног броја
Дебај је овде додатно увео претпоставку да је брзина

простирања звука у кристалу за све таласе једнака и независна од
поларизације, односно да све три акустичне гране подлежу истом
линеарном закону дисперзије:
±X U J ß U, J ß v Rw, R 1,2,3. 6.29
\± J ß ∙ \U,
Одавде је:
(6.30)
± \±
oдносно:
U \U
. 6.31
Jß
осцилација) у интервалу ± \±:

Уношењем (6.31) у (6.28) добија се број стања (број нормалних
1
\3 ± \±, 6.32
2, J ß
односно:
\3 ±
Ö ± . 6.33
\± 2, J ß
Са Ö ± је означена густина стања вибрације решетке која
представља број нормалних осцилација \3 у јединичном интервалу
фреквенција \± и јединици запремине . Како у кристалу постоје
једна лонгитудинална грана са брзином J^ и две трансверзалне са
111 |
брзинама J , то се густина стања може представити у облику

следећег збира:
± 2± 3±
Ö ± + = , (6.34)
2, J^ 2, J 2, JX
где је JX брзина звука у кристалу усредњена по кристалографским
правцима и типу осциловања и одређена је релацијом:
1 1 1 2
= + . (6.35)
JX 3 J^ J
Израз за енергију акустичних осциловања у кристалној
решетки тада добија облик:
°
ℏ±
q¥ = ¾ ∙ Ö(±) \± . (6.36)
d ℏ°⁄@ç −1
;
фреквенција ±ì = J ß Uì , где је Uì полупречник Дебајеве сфере, која

Горња граница интеграције је максимална или такозвана Дебајева
има 3 вредности таласног вектора U, по којој се спроводи
Дебајеве сфере Uì одређује се из израза:

интеграција (уместо по целој Брилуеновој зони). Полупречник
4, (2,)
U =3∙\ =3∙ , (6.37)
3 ì "
oдакле је:
6, 3
Uì = =
>
. (6.38)
За 3⁄ ~10 cm полупречник Дебајеве сфере је 10 cm
таласна дужина еластичног таласа реда константе решетке тј. •ì =

што одговара димензијама Брилуенове зоне, тако да је минимална
2,⁄Uì ~10 ; m. У решетки се, дакле, не могу простирати таласи чија
фреквенција реда ±ì = J ß Uì ~10 R .

је дужина мања од двоструке константе решетке, тако да је Дебајева
Дебај је за спектралну функцију расподеле предложио

следеће вредности:
3
± = l± (± ≤ ±ì )
Ö(±) = !2, JX . (6.39)
0 (± ≥ ±; )
112 |
Онда израз за акустичну енергију на било којој температури за ову

функцију расподеле прелази у:
°
3 ℏ ±
q¥ ¾ ℏ°⁄@ \± (6.40)
2, J ß d ç −1
;
и када се уведу смене ( = ℏ±⁄UÞ и ì = ℏ±ì ⁄UÞ добија се:

⁄
3 ℏ UÞ Ž ( \(
q¥ = y z ¾ û . (6.41)
2, J ß ℏ d −1
;
Физички смисао Дебајеве температуре ì је у томе што

величина UÞ ì = ℏ±ì представља максималан квант енергије који
је способан да еластично побуди осцилаторну решетку. Даљим
сређивањем се добија:
⁄
( \(
q = 〈q¥ 〉 = 93UÞ y z ¾ . (6.42)
ì dû − 1
;
≫ ì
и ≪ ì
Топлотни капацитет се разматра у две температурне области
• ≫ ì (UÞ ≫ ℏ±),
d û ≈ 1 + (, а
У области високих температура
експоненцијална функција у (6.41) је
специфични топлотни капацитет:
⁄
á ( \( á Ž
1
‡¢ = 93UÞ y z ¾ = 93UÞ y z
ì
á ì ( á ì 3
;
á
= H33UÞ L
á
oдносно:
‡¢ = 33UÞ . (6.43)
Овај израз не зависи од температуре и исти је као и Дилон-
Птијев и Ајнштајнов.
• ≪ ì (UÞ ≪ ℏ±), важи
⁄ ∞,
У нискотемпературној области
ì →
∞, тј.
па се горња граница интеграла може заменити са
113 |
È
( \(
q 93UÞ y z ¾ . 6.44
ì dû − 1
;
У овим границама је:

È
( \( ,Ž
¾ , 6.45
dû − 1 15
;
па је специфични топлотни капацитет:

áq 12, Ž 3UÞ
‡¢ y z y z . 6.46
á ¢ 5 ì
Овај израз је у складу са експериментално утврђеним

нискотемпературним подацима, слика 6.4.
Слика 6.4. Специфични топлотни капацитет бакра

(експериментални резултати – тачке), Дебајев модел (пуна
линија) и Ајнштајнов модел (испрекидана линија)
У случају кристалне решетке са непримитивном

елементарном ћелијом неопходно је у изразу за укупну енергију
зависност фреквенције оптичких вибрација од таласног броја U у

(6.24) узети и удео оптичких вибрација. С обзиром на слабу
свака вибрација има исту фреквенцију ± ≈ v Rw. Енергија j-те

том се случају може применити Ајнштајнова теорија према којој
оптичке гране је:
114 |
3⁄c ∙ ℏ±
q€ , 6.47
exp ℏ± ⁄UÞ − 1
где је c – број атома у елементарној ћелији, а 3⁄c – укупан број
стања у свакој грани спектра. У општем случају постоје 3c − 3
ℏ± ⁄UÞ
оптичке гране, а њихов допринос топлотном капацитету биће
3
‡¢ 3c − 3 UÞ ℏ° ⁄@ ∙ d ℏ°ä⁄@ç . 6.48
2r
c d ä ç −1
≫ , ‡¢ је константна и не
2r
≪
На високим температурама
→ 0 оптичких
зависи од температуре. На ниским температурама удео
оптичких грана експоненцијално опада, а за
вибрација нема.
6.4. Топлотно ширење кристала

У топлотној теорији чврстог тела уведена је хармонијска
апроксимација према којој се осциловања атома сматрају
хармонијским са амплитудама малим у поређењу са константом
кристалне решетке. Силе између атома су еластичне, а потенцијална
енергија атома је:
p ( ∙ ( , 6.49
– коефицијент еластичности, ( –померај атома из
равнотежнoг положаја. Зависност p ( се може представити кривом
где је
са симетричним параболичним дном (слика 6.5).
Слика 6.5. Потенцијална енергија у хармонијској апроксимацији
115 |
растојању (, према Болцмановој функцији расподеле је:

Вероватноћа да се атом нађе ван равнотежног положаја на
p (
ù ( l ∙ exp + , 6.50
UÞ
a средња вредност помераја је:
# È (ù ( \( # ( ∙ l ∙ exp C− D \(
È È ∙û Z
È
(̅ 0 6.51
@ç
# È ù ( \( #
È
l ∙ exp C− D \(
È ∙û Z
È @ç
јер, према теореми о средњој вредности, за сваки непарни степен

важи:
È
∙(
¾ ( x ∙ exp − \( 0. 6.52
UÞ
È
Према хармонијској апроксимацији нема топлотног ширења

кристала јер се средње растојање између атома који хармонијски
осцилују не мења. Ако се кристалу доводи топлота доћи ће само до
повећања амплитуда осциловања које би у једном тренутку могло да
доведе до пуцања кристала. С обзиром да се у пракси то не дешава
хармонијска апроксимација се показала неадекватном за
објашњење топлотног ширења чврстих тела.
Значајно бољи резултати се добијају када се у изразу за
потенцијалну енергију узму у обзир и анхармонијски чланови, тј.
p ( p; ( − ( , 6.53
$Z % $> %
~ • − ~ •
$û Z ûžûŸ W $û > ûžûŸ
где јe - коефицијент еластичности, а -
коефицијент анхармоничности (слика 6.6).
Слика 6.6. Потенцијална енергија у случају анхармонијског

осциловања
116 |
Крива са асиметричном потенцијалном јамом која

представља ову потенцијалну енергију указује на постојање
Вероватноћа да се атом помери за ( из равнотежног положаја према

асиметрије у међусобној интеракцији два суседна атома решетке.
(6.51) је:
p(() p; ∙( ∙(
ù ( l exp − = l exp y− z ∙ exp š− › ∙ exp š ›.
UÞ UÞ UÞ UÞ
%Ÿ
Ако се константни члан exp ~− • изостави, а анхармонијски члан
@ç
&∙û > &∙û >
приближно напише у облику exp ~ @ • ≈ 1 + @ , израз за
ç ç
вероватноћу се своди на следећи облик:
∙( ∙(
ù(() ≈ l ∙ exp š− › ∙ š1 + ›. (6.54)
UÞ UÞ
Из услова нормираности вероватноће:
È
¾ ù(()\( = 1 (6.55)
È
одређујемо константу l:
l== . (6.56)
2,UÞ
Средњи померај атома од равнотежног положаја је:

# (ù(()\(
È
(̅ = È
, (6.57)
# È ù(()\(
È
oдносно:
# #
&
( ∙ exp ~− @ • \( + @ ( exp ~− • \(
È ∙û Z È Ž ∙û Z
È È
(̅ = ,
ç ç @ç
# #
&
exp ~− • \( + ( exp ~− • \(
È ∙û Z È ∙û Z
È @ç @ç È @ç
што се своди на:

3
(̅ = UÞ . (6.58)
4
117 |
Одавде се види да при загревању кристала долази до повећања

амплитуда осциловања атома, као и средњег растојања међу њима,
односно да долази до топлотног ширења кристала.
UÞ једнак средњој енергији атома, тако да средњи померај атома

Из кинетичко-молекуларне теорије је познато да је производ
може да се напише у следећем облику:

3
(̅ qM . (6.59)
4
Сада можемо да дефинишемо коефицијент линеарног топлотног
ширења кристала:
1 \(̅
≡ . (6.60)
(; \
Уношењем (6.58) за (̅ добија се:
3UÞ
= . (6.61)
4(;
Имајући у виду (6.59) добијамо везу између коефицијента линеарног
топлотног ширења кристала и топлотног капацитета:
3 \qM
= ∙ = ‡ ∙ ‡¢ , (6.62)
4(; \
где је ‡ коефицијент пропорционалности. При ниским
температурама ( → 0), важи ‡¢ → 0, па према (6.62) и → 0, што
значи да нема топлотног ширења кристала. На високим
Дилонг-Птијев закон, односно ‡¢ = v Rw, па је и = v Rw. У случају

температурама (за кристале, то су већ собне температуре) важи
врло високих температура анхармонијски ефекти постају сувише

велики, а релација (6.62) више не важи јер је добијена уз
претпоставку да су померања атома из равнотежног положаја врло
мала.
6.5. Топлотна отпорност кристала

Проучавајући топлотне особине диелектричних кристала,
одговорно за појаву топлотне отпорности 7 2r кристала. Код

Дебај је утврдио да је анхармонијско осциловање атома решетке
садржи анхармонијски члан ( који се односи на несиметричну

реалних диелектричних кристала израз за потенцијалну енергију
интеракцију између осцилатора. Ова се интеракција заправо своди
118 |
на расејање фонона на фононима које је праћено креирањем фонона

(када се један фонон распада на два нова), или ишчезавањем фонона
(када два фонона стварају један нов фонон).
Дебај је утврдио да је при високим температурама топлотна
отпорност диелектричних кристала обрнуто пропорционална
температури. Поред тога, утврдио је и следећу пропорционалност:
•
7 2r ∝ , (6.63)
где је • - дужина слободног пута фонона између судара, -

квадратни члан потенцијалне енергије који представља
Дебај је такође показао да 7 2r диелектричних кристала на

вероватноћу расејања фонона.
високим температурама зависи и од Болцманове константе UÞ ,

константе решетке , масе атома 6 и брзине звука J ß према
релацији:
UÞ^ u
6x J rß
7 2r = ‡ , (6.64)
J =‡ = . (6.65)
ß
6
Вредности коефицијената V, f, и b одредио је Бриџман и оне
износе V = 0, f = −8, = 3 и b = 7. Кадa се унесу у (6.64) топлотна
отпорност се добија у следећем облику:
6 J (ß
7 2r = ‡ . (6.66)
Ако се још искористи израз:

UÞ
= , (6.67)
онда је:
UÞ
7 2r = ‡ . (6.68)
6J ß
Експерименталним путем се најпре одређује константа ‡ за дати
материјал па се потом може одредити и његова отпорност 7 2r .
119 |
6.6. Топлотна проводност кристала

Провођење топлоте је вид преношења топлотне енергије из
једног дела тела у други под утицајем градијента температуре и без
значајнијег макроскопског померања честица. Свако чврсто тело
проводи топлоту. У изотропном кристалу провођење топлоте
подлеже Фуријеовом закону:
á
? +) Öc \ = −) y z , (6.69)
á x
где је: ?- флукс топлотне енергије, ) − коефицијент топлотне
проводљивости, á ⁄á –градијент температуре . Знак „-„ значи да је
смер топлотног флукса супротан од смера температурског
хладнијем крају тела. Коефицијент топлотне проводљивости )

градијента, односно да топлотна струја тече од топлијег ка
одражава квантитативну меру топлотне проводљивости
по метру по келвину (Wm K ).

материјала. Јединица коефицијента топлотне проводљивости је ват
За анизотропна тела неопходна је другачија дефиниција, тј.

á
?" = −)"€ , (6.70)
á(€
при чему )"€ – представља симетричан тензор другог реда:
) ) )
)"€ = +) ) ) +, )"€ = )€" . (6.71)
) ) )
Ако се овај тензор сведе на главне осе (,, -, ), може се записати у
)
облику:
0 0
+0 ) 0 +,
0 0 )
па израз (6.70) прелази у:
á á á
?û = −)û ; ? = −) ; ? = −) . (6.72)
á( á) á*
Анизотропни кристали се обично описују вредностима топлотне
проводности дуж кристалографских оса. За разлику од
диелектричних материјала код који је присутан само механизам
преноса топлоте фононима, код метала је актуелан и механизам
преноса топлотне енергије слободним електронима. Топлотна
120 |
проводљивост диелектрика и метала биће детаљније описане у

наставку.
121 |
7 . З ОНСКА ТЕОРИЈА ЧВР СТОГ ТЕЛА
7.1. Шредингерова једначина за чврсто тело

Чврста тела се могу посматрати као уређени системи
сачињени од огромног броја честица. Стационарно стање ових
честица описује се Шредингеровом таласном једначином:
./
Ü q/, (7.1)
. – Хамилтонов оператор, / – својствена таласна функција, а
где је Ü
q – својствена вредност Хамилтоновог оператора.
Хамилтонов оператор је збир оператора кинетичке и
. = 0 +p
..
потенцијалне енергије:
Ü (7.2)
Оператор кинетичке енергије је 0 = .Ê + . , при чему је:
• .Ê -оператор кинетичке енергије електрона:
ℏ
0Ê = • ." = − • ∆. (7.3)
2f "
" "
Овде је f – маса електрона, а ∆" је Лапласов оператор i-тог електрона

дат изразом:
á á á
∆" = + + . (7.4)
á(" á)" á*"
• . - оператор кинетичке енергије атомских језгара:
ℏ
0 = • .½ = − • ∆ , (7.5)
26½ ½
½ ½
где је 6½ − маса –тог језгра, а Лапласов оператор –тог језгра је:

á á á
∆½ = + + . (7.6)
á(½ á)½ á*½
. укључује енергије узајамног
Оператор потенцијалне енергије p
.Ê :
дејства:
• електрона p
122 |
1 d 1
.Ê
p •• ."€ ,
= •p (7.7)
2 4,Š; Šs Âc" − c€ Â 2
" €‚" "‚€
где су c" и c€ – радијус вектори —-тог и ™-тог електрона, d –

наелектрисање електрона, Š; – диелектрична пропустљивост
вакуума, Šs – релативна диелектрична пропустљивост,
• .:
атомских језгара p
1 d 1
. =
p ••
½
= •p .½ , (7.8)
2 4,Š Š Â„
; s ½ − „ Â 2
½ ½‚ ½‚
где су ½ и - редни бројеви - тог и -тог језгра, а „½ и „ - радијус
.Ê :
вектори ових језгара,
• електрона и језгра p
1 ½d
.Ê =
p •• ."½ .
= •p (7.9)
2 4,Š; Šs Âc" − „½ Â
" ½ ",½
Хамилтонијан кристала се, дакле, може записати у облику
. = .Ê + . + p
.Ê + p
. +p
.Ê .
следећег збира:
Ü (7.10)
У случају кристала у спољашњем пољу 0 , хамилтонијану треба
додати и члан 0 = 0 c , c , … , „ , „ , … који се односи на енергију
. = .Ê + . + p
.Ê + p
. +p
.Ê + 0 .
свих честица у спољашњем пољу, односно:
Ü (7.11)
Шредингеровa једначина за кристал (7.1), уношењем претходних
релација, постаје:
ℏ ℏ 1 d
− ´• ∆" + • ∆½ µ + • •
2f 26½ 2 4,Š; Šs Âc" − c€ Â
" ½ " €‚"
1 ½d 1 d
− •• + •• /
½
2 4,Š Š Âc
; s " − „½ Â 2 4,Š Š Â„
; s ½ − „ Â
" ½ ½ ½‚
= q/ (7.12)
Таласна функција / зависи од координата свих електрона (c" ) и
језгара „½ датог кристала:
123 |
/ / c , c , … ; „ , „ , … = / c" , „½ . (7.13)
За чврсто тело сачињено од 3 атома Шредингерова једначина
(7.12) садржи 3( + 1)3 променљивих. У општем облику, систем
једначина са 3( + 1)3 променљивих не може се решити за велики
број атома 3, због чега се уводе одговарајуће апроксимације које
дају приближна решења.
7.2. Адијабатска апроксимација

У равнотежном стању, кинетичке енергије језгара и
електрона су истог реда величине. Међутим, због знатно већих маса
брзине језгара су знатно мање од брзина електрона. Борн и Карман
су апроксимативно усвојили да су језгра у чврстом телу непокретна
и да се њихов положај поклапа са положајем чворова кристалне
решетке. У овој тзв. адијабатској апроксимацији скуп променљивих
„ , „ , … прелази у скуп фиксираних координата чворова кристалне
решетке „; , „; , … Кинетичка енергија непокретних језгара тежи
нули, док је потенцијална енергија интеракције језгро-језгро p½
свести на нулу. Према адијабатској апроксимацији важи . = 0 и

константна и погодним избором референтног система може се
. = 0, а кретање електрона у пољу непокретних језгара описује се

p
упрошћеном Шредингеровом једначином:
ℏ 1 d 1 ½d
− • ∆" + • • − •• /Ê
2f 2 4,Š; Šs Âc" − c€ Â 2 4,Š; Šs Âc" − „;½ Â
" " €‚" " ½
= q/Ê (7.14)
Таласна функција /Ê је функција координата електрона, али
параметарски зависи и од координата фиксираних језгара:
ΨÊ = ΨÊ c , c , … , cx , „; , „; , … , „;• . (7.15)
7.3. Валентна и једноелектронска апроксимација

Проблем понашања система електрон-језгро у чврстом телу
значајно се упрошћава увођењем такозване валентне
апроксимације према којој сви електрони на унутрашњим атомским
орбиталама са језгром формирају јон, а кретање ових електрона је
локализовано. Шредингерова једначина се, у овом случају, своди на
124 |
непокретних јона. Притом, таласна функција / зависи само од

једначину кретања валентних електрона у резултантном пољу
координата валентних електрона чије су међусобне интеракције

такође занемарене.
Хартри и Фок су предложили једноелектронску
апроксимацију према којој се међусобне интеракције валентних
електрона замењују интеракцијом било ког i-тог електрона са
i-тог валентног електрона p 3" c" зависи од кретања свих осталих

усредњеним пољем свих осталих електрона. Потенцијална енергија
електрона, али и од кретања i-тог електрона јер оно утиче својим
.е се замењује следећом сумом:

(7.12) члан p
дејством на кретање осталих електрона. У Шредингеровој једначини
1 d
•• 3" (c" ) .
→ •p (7.16)
2 4,Š; Šs Âc" − c€ Â
" €‚" "
3" (c" ) описује тзв. самоусаглашено поље у ком се валентни

Сума ∑" p
потенцијалну енергију p
електрони крећу независно један од другог. Слично, за
.Ê интеракција између валентних
електрона са језгрима користи се следећа замена:
1 ½d
− •• → • p" (c" ) . (7.17)
2 4,Š; Šs Âc" − „½ Â
" ½ "
Уз ове замене Шредингерова једначина (7.12) добија следећи

облик:
ℏ
5• 6− 3" (c" ) + p" (c" )78 /Ê = qÊ /Ê ,
• ∆" + p (7.18)
2f
" "
oдносно:
Ü
. /Ê = ´• Ü
." µ /Ê = qÊ /Ê . (7.19)
"
Под знаком суме је хамилтонијан —-тог валентног електрона:

ℏ
Ü
." = − 3" (c" ) + p" (c" ) ,
• ∆" + p (7.20)
2f
"
3" (c" ) – потенцијална енергија — -тог електрона у пољу свих
где је p
осталих електрона, а p" (c" )- поље свих осталих атомских језгара.
125 |
Према (7.19), Хамилтонијан чврстог тела се добија

сумирањем хамилтонијана појединачних електрона, због чега се
таласна функција система може добити множењем таласних
функција које описују стање одвојених честица система, односно
једноелектронских таласних функција:
/Ê c , c , … ) = / (c ) ∙ / (c ) ∙ … = 9 /" (c" ) . (7.21)

"
Укупна енергија система честица једнака је суми енергија

појединачних честица:
qÊ = q + q + ⋯ = • q" . (7.22)
"
Увођењем самоусаглашеног поља омогућено је да се електрони у

кристалу разматрају као честице које међусобно не интерагују, а
проблем више честица сведе на проблем једног електрона:
." /" = q" /" .
Ü (7.23)
7.4. Блохова функција
решетки оправдана је претпоставка да је и потенцијал решетке (c)

Због просторно периодичног распореда атома у кристалној
периодичан. За већину супстанци тачан облик овог потенцијала није
довољно је знати само да је (c) периодична функција са периодом

познат. Међутим, за добијање неких важних теоријских резултата
једнаким периоду кристалне решетке ( x ), односно да важи:

(c + x) = (c), (7.24)
где је:
x = + + , (7.25)
, и су елементарни вектори транслације, а , и су
произвољни цели бројеви. Периодична расподела потенцијала у
кристалу приказана је на слици 7.1.
У периодичном пољу кристала Шредингерова једначина има
ℏ
следећи облик:
− ∆ + (c) /(c) = q/(c). (7.26)

2f
126 |
Блох је показао да њено решење треба тражити у облику раванског

таласа модулисаног периодичношћу решетке:
/@ c I@ c exp —U ∙ c , 7.27
где члан exp —U ∙ c представља равански талас у правцу таласног
вектора U, док је I@ c нека функција положаја која зависи од
таласног вектора U и има периодичност решетке.
Слика 7.1. Илустрација расподеле потенцијала у кристалној

решетки
Због периодичности потенцијала за Блохову функцију важи:

/ c x d "@¥{ / c , 7.28
односно:
/ c d "@¥{
/ c x d "@s I@ c 7.29
где је:
I@ c d "@ s ¥{
/ c x . 7.30
. / q/, добија се:

Ü
Заменом Блохове функције у Шредингерову једначину електрона
. /@ c
Ü q U /@ c . 7.31
вектора U, односно да важи:

Из овог израза се види да и енергија електрона зависи од таласног
q q U . 7.32
127 |
7.5. Квазиимпулс електрона
За импулс слободног електрона b ℏU и његову енергију q

ℏZ @ Z
u
важе закони одржања. С друге стране, енергија и импулс
електрона у периодичном пољу кристалне решетке се мењају у току
електрона може се увести квазиимпулс електрона Ô, за који ће

времена под дејством тог поља. По аналогији са импулсом слободног
Квазиимпулсу Ô одговара оператор Ô0 који комутира са

важити закон одржања.
хамилтонијаном Ü . решетке:
NÔ0 , Ü
. O = 0. (7.33)
. и Ô0 идентичне, а да између својствених вредности ових

оператора Ü
Испуњен услов комутативности значи да су својствене функције
оператора постоји функционална зависност, тј.

q=q Ô . (7.34)
Другим речима, енергија електрона мора бити функција
квазиимпулса.
b̂ = −—ℏ∇ и оператора Ô0 полази се од првог извода:

Да би се одредила веза између оператора обичног импулса
\b̂ 1
.−Ü
= Nb̂ Ü . b̂ O = −(∇p) = ²" . (7.35)
\w —ℏ
једнаки само ако ∇p → 0. То заправо значи да оператор Ô0 мора да

Одавде се види да ће оператори импулса и квазиимпулса бити
садржи величину која зависи од облика потенцијалног поља p(c) и

која тежи нули када ∇p → 0. На основу реченог, оператор
квазиимпулса се може изразити у следећем облику:
Ô0 = −—ℏ∇ + —ℏ <(c), (7.36)
где је <(c) - оператор множења који обезбеђује комутативност
оператора Ô0 и Ü. . За ∇p → 0 оператор множења задовољава исти
услов <(c) → 0.
Својствена једначина оператора Ô0 је облика:
Ô0 /@ (c) = Ô/@ (c). (7.37)
Ако се својствена функција /@ (c) узме у облику Блохове функције
(7.27) биће:
128 |
Ô0 /@ c +—ℏ—U/@ c d "@s −—ℏ∇I@ c —ℏ </@ c

ℏU/@ c —ℏH < − ∇ ln I@ (c)L/@ (c) = Ô /@ (c)
Ô = ℏU (7.38)
< ≡ ∇ ln I@ (c). (7.39)
Ô0 = −—ℏ∇ + —ℏ(∇ ln I@ (c)) .

Значи, оператор квазиимпулса је облика:
(7.40)
Ако се на потенцијално поље p(c) дода допунско поље (c)
. = 0 +p
.+ 0 =Ü
.; + 0 .
другачије периодичности, хамилтонијан ће добити облик збира:
Ü (7.41)
Како оператор Ô0 комутира са Ü
.; , а ∇ ln I@ (c) комутира са 0 , и како је
реч о операторима множења, извод квазиимпулса по времену једнак
\Ô0
је спољашњој сили:
= −(∇p) = ²¥ . (7.42)
\w
Одавде је јасно да се квазиимпулс мења под дејством непериодичног
идеалног поља решетке. Под дејством спољашњег поља (c) долази

дела потенцијалног поља, односно при било ком нарушавању
и до промене унутрашњих сила ²" = −∇p(c), па је:

\Ô
= ²" + ²¥ . (7.43)
\w
вектора U или квазиимпулса Ô = ℏU може се одредити тако што се у

Конкретан облик зависности енергије електрона од таласног
. Ψ@ (c) = q U Ψ@ (c)
Шредингерову једначину:
Ü
ℏ ℏ U
унесе Блохова таласна функција, тј.
—ℏ
− ∆I@ (c) + − U∇ + p(c) I@ (c) = q U I@ (c). (7.44)
2f 2f f
Како је енергија реална функција, важи:
q∗ U = q U , (7.45)
129 |
функцију /@∗ c постаје:

па Шредингерова једначина за коњуговано комплексну таласну
. ∗ /@∗ c
Ü q U /@∗ c , (7.46)
ℏ
где је:
.∗ = −
Ü + p(c) (7.47)
2f
/@∗ (c) = I@∗ (c) exp −—U ∙ c . (7.48)
ℏ ℏ U
На тај начин, једначина (7.44) постаје:
—ℏ
− ΔI@∗ (c) + − U∇ + p(c) I@∗ (c) = q U I@∗ (c). (7.49)
2f 2f f
С друге стране, ако у једначину (7.44) таласну фунцију I@
заменимо функцијом I @ добијамо:
ℏ ℏ U —ℏ
− ∆I @ (c ) + − U∇ + p(c) I @ (c )
2f 2f f
= q −U I @ (c) (7.50)
Како је I@∗ (c) = I @ (c), следи да су једначине (7.49) и (7.50)
идентичне, а то значи да је испуњен услов да је енергија парна
функција таласног вектора, односно:
q U = q −U . (7.51)
Најзад, ако се посматра простор Uû , U , U тада (7.51) постаје:
q U = v Rw. (7.52)
Ова једначина представља површину константне енергије, односно
изоенергетску површину. Од облика изоенергетске површине зависе
многе особине чврстог тела.
7.6. Брилуенове зоне. Појам енергетских зона
Стања електрона у кристалу описана таласним векторима U и

U + 2,Í , где је Í вектор транслације реципрочне решетке, су
електрона периодичне функције таласног вектора U са периодом

физички еквивалентна. То значи да су таласна функција и енергија
2,Í , тј.
130 |
q U q U 2,Í . 7.53
Најпре се у U- простору конструише реципрочна решетка са
2, пута увећаним константама 2, , 2, , 2, , па се цео
реципрочни простор подели на области у којима постоје физички
еквивалентна стања - Брилуенове зоне. Полиедар са минималном
запремином који се конструише око координатног почетка у U-
простору, а који садржи сва могућа различита стања U назива се
првом Брилуеновом зоном. Било која тачка U-простора може се
превести у прву Брилуенову зону помоћу вектора Í . Изглед прве
Брилуенове зоне за просту кубну, запремински центрирану и
површински центрирану решетку приказан је на слици 7.2.
Слика 7.2. Прва Брилуенова зона за просту, запремински

центрирану и површински центрирану кубну решетку
У границама прве Брилуенове зоне таласни вектор електрона

може да има само дискретан низ вредности због коначних
димензија реалног кристала. За кристал са кубном елементарном
ћелијом број дискретних вредности U једнак је броју елементарних
ћелија, односно:
üû ü ü
3 3û 3 3 , 7.54
где су 3û , 3 , 3 бројеви чворова на одговарајућим ивицама

паралалопипеда:
üû 3û , ü 3 , ü 3 . 7.55
Ако се на таласну функцију електрона примене Борн-
Карманови циклични гранични услови добија се следећа једнакост:
Ψ (, ), * Ψ ( üû , ) ü ,* ü . 7.56
Кадa се за таласну функцију унесе Блохова функција, следи:
131 |
expN— Uû üû + U ü + U ü O ≡ 1, (7.57)
односно:
exp(—Uû üû ) = exp —U ü = exp(—U ü ) = 1. (7.58)
Једнакости (7.57) и (7.58) су испуњене ако компоненте таласног
вектора имају дискретан низ вредности:
2, 2, 2,
Uû = ,U = ,U = . (7.59)
üû ü ü
С обзиром да је енергија функција таласног вектора, значи да је и
енергија електрона у кристалу квантована.
У првој Брилуеновој зони вредности компненти таласног
, , , , , ,
вектора налазе се у интервалима:
− ≤ Uû ≤ , − ≤ U ≤ , − ≤ U ≤ . (7.60)
С обзиром на еквивалентност физичких стања U и U чија је разлика

једнака 2,Í , за потпуно описивање свих стања електрона довољно
је посматрати само област таласног вектора који је ограничен првом
Брилуеновом зоном.
Овим еквивалентним стањима, односно енергијским
нивоима може да се припише индекс n. Скуп свих енергијских нивоа
qx U за фиксирано n назива се енергетска зона. Енергетска зона
qx U има доњу и горњу границу које називамо дном и врхом зоне.
Енергијска разлика дна и врха зоне чини ширину зоне.
Ако је ширина зоне реда 1 eV, а размак између енергијских
нивоа у њој реда 10-22 eV, што је знатно мање од енергије топлотног
кретања UÞ , оправдано је занемаривање дискретности qx U . Ако
свакој дозвољеној вредности таласног вектора U одговара
дозвољени енергијски ниво, на њему се, у складу са Паулијевим
принципом, могу наћи два електрона. Ово значи да се у једној зони
са N нивоа може наћи 2N електрона.
7.7. Модел скоро слободног електрона

С обзиром да се тачан облик периодичног потенцијала (c) у
кристалу не може одредити прибегава се апроксимативним
моделима.
132 |
c решење
Шредингерове једначине (7.26) је равански талас exp —U ∙ c . За овај
За случај бесконачно малог потенцијала
талас важи q~U , као код слободног електрона. Параболична

зависност q U слободног елекрона у границама прве Брилуенове
зоне приказана је на слици 7.3
Слика 7.3. Спектар енергије слободног електрона
У случају коначно малог потенцијала c чије су амплитуде

довољно мале уводи се модел скоро слободног електрона који
имагинарне вредности U. То значи да постоје дозвољене и забрањене

показује да једним енергијама одговарају реалне, а другим само
енергијске зоне.
Дозвољеним зонама одговарају реалне вредности U, док су у
забрањеној зони вредности U имагинарне. У дозвољеним
енергијским зонама Блохове функције имају облик прогресивног
таласа модулисаног периодичношћу решетке. То значи да се
„зонски“ електрони кроз кристал крећу без пригушења и да средња
дужина слободног пута тежи бесконачности, односно димензијама
кристала.
Слободно кретање електрона се нарушава на површинама
пута постаје коначна. Дијаграм q U за случај квазислободног

кристала, тачкастим дефектима, а њихова средња дужина слободног
електрона приказан је на слици 7.4.
133 |
потенцијалне енергије § ?
Слика 7.4. Спектар енергије електрона у случају коначне
Са слике је јасно да је модел слободног електрона применљив

унутар Брилуенове зоне, али не и на њеним границама.
7.8. Кронинг-Пенијев једнодимензионални модел
Кронинг-Пенијев једнодимензионални модел који c у кристалној

Један од најчешће коришћених апроксимативних модела је
решетки. Он се представља у облику низа правоугаоних баријера

(висине ; и ширине ) и јама (ширине , чије дно се узима као
референтни ниво енергије), као на слици 7.5. Области јама
одговарају позитивно наелектрисаним јонима кристалне решетке
периодичности структуре износи \

док баријере репрезентују растојање између јона. Константа
.
Слика 7.5. Приказ Кронинг-Пенијевог периодичног потенцијала

кристалне решетке
134 |
Шредингерова једначина за област јаме и баријере дата је
\ Ψ 2fq
следећим респективним изразима:
Ψ = 0, 0≤(< , (7.61)
\( ℏ
\ Ψ 2f
+ (q − ; )Ψ = 0, − ≤ ( < 0. (7.62)
\( ℏ
Општа решења ових једначина су:
2fq
Ψ(() = ld "½û + ‰d "½û
, == , 0≤(< , (7.63)
ℏ
2f(p; − q)
Ψ(() = ‡d û
+ Fd û
, == , − ≤ ( < 0, (7.64)
ℏ
где су l, ‰, ‡ и F интеграционе константе које се одређују из услова
система од четири хомогене једначине по l, ‰, ‡ и F који има

непрекидности таласних функција и њихових извода, односно из
нетривијално решење ако је његова детерминанта једнака нули.
из које се може одредити q U зависност електрона:

Решавање поменутог система једначина доводи до једначине
−
cos U\ − sin ℎ sin − cos ℎ cos = 0. (7.65)
2
да је потенцијална баријера веома висока и веома уска ( ; → ∞, →

Због веома сложеног решавања ове једначине уводи се претпоставка
0) због чега ће у (7.65) бити cos ℎ → 1, sin ℎ → . После овог

упрошћења и неколико трансформација добија се:
sin
∙
+ cos = cos U . (7.66)
2
Ако се још уведе степен прозрачности баријере за електрон:
Ô = lim , (7.67)
ˆ→; 2
¢Ÿ →È
добија се:
sin
Ô∙ + cos = cos U . (7.68)
135 |
Зависност леве стране ове једначине од аргумента ∙ на
. Како је |cos U | ≤ 1,
слици 7.6 приказује симетричну криву на којој се максимуми (или
минимуми) смањују са повећањем израза
реална решења за енергију Е могу бити само у нешрафираним
областима – то су дозвољене зоне, све шире како , односно
енергија расте (слика 7.6). Шрафиране области енергије на слици 7.6
представљају забрањене зоне.
Слика 7.6. Дозвољене и забрањене зоне
Важно је размотрити два гранична случаја: Ô → 0 и Ô → ∞.

1. У првом случају ; → 0, пa из једнакости (7.68) следи ∙ U∙ ,
ℏZ @ Z
U, што даје енергију слободног електрона q u
2. Други гранични случај одговара услову ; → ∞, тј. електрону у
односно .
бесконачно дубокој потенцијалној јами. Из (7.68) следи да у овом

случају чинилац уз Р мора да буде једнак нули, тј.
sin
0, односно ,Ý, 7.69
где је Ý ˜1, ˜2, ˜3, … Из ове једнакости следи:

ℏ ,
q ∙ Ý , 7.70
2f
136 |
што значи да енергијска зона прелази у систем дискретних

енергијских нивоа.
параметра Ô постоје електрони са дозвољеним вредностима

Закључујемо да само за коначне ненулте вредности
енергије, који се могу слободно кретати кроз кристал тунелирајући

кроз периодични низ баријера. Енергија слободних електрона се
дубоке потенцијалне јаме (Ô ≫ 1) за коју се једначина (7.68) своди

може одредити само приближно у апроксимацији бесконачно
на облик:
∙ = , ∙ Ý + ∆( ∙ ), (7.71)
где је ∆( ∙ ) ≪ ∙ мала поправка за решење бесконачно дубоке
обзир само линеарних чланова по ∆( ∙ ) добија се:

потенцијалне јаме. Развојем леве стране (7.68) у ред и узимањем у
1 cos U
∆( ∙ ) = , ∙ Ý B− + (−1)î E. (7.72)
Ô Ô
=¡
u
ℏZ
Када се (7.72) замени у (7.70) и унесе , па се
једначина реши по енергији електрона уз задржавање само
ℏ , Ý
линеарних чланова, следи:
2 2 cos U
q= B1 − + (−1)î E. (7.73)
2f Ô Ô
Први члан је енергија S-тог енергијског нивоа електрона у
бесконачно дубокој потенцијалној јами, други се односи на
деловање периодичног поља решетке који снижава енергију
електрона у кристалу (због знака „минус“), а трећи одређује зонску
природу енергијског спектра електрона q U .
Прве три енергијске зоне на дијаграму q U за електрон у
једнодимензионалној решетки приказане су на слици 7.7. Са слике
је очигледно да електрон има исту енергију за све вредности U које
се међусобно разликују за C~ ¥ • D. Интервал од − ,⁄ до ,⁄ је прва
£
Брилуенова зона. Две области од − 2,⁄ до − ,⁄ и од ,⁄ до 2 ,⁄

представљају другу Брилуенову зону.
137 |
Слика 7.7. Зависност ¦ за електрон у једнодимензионалној

решетки
Све различите вредности енергије електрона у било којој
енергијски спектар q U може приказати на шеми редукованих зона

енергијској зони налазе се и у првој Брилуеновој зони тако да се
(слика 7.8). Свака непарна зона (S=1,3,5,...) има један минимум у

центру Брилуенове зоне и два максимума на њеним ивицама.
Обрнуто, парне зоне (S=2,4,6,...) имају један максимум у центру
спектру настаје на крајевима Брилуенове зоне, односно за U ,⁄ .

Брилуенове зоне, а два минимума на њеним крајевима. Прекид у
Како је U 2 ,⁄• следи да је • 2 .

На овај начин је добијен Брагов услов за рефлексију
електрона који пада нормално на атомске равни, што значи да
Блохова функција више није прогресиван, него стојећи талас.
Долазећи и рефлектовани талас могу да интерферирају и на два
,
начина формирају симетричну и антисиметричну комбинацију:
Ψ ( I ( Cd " Bû d "Bû D 2I ( cos ~ (•, 7.74

A A
,
Ψ ( I ( Cd " Bû − d " û
D 2I ( sin ~ (•. 7.75
A A
B
Овим двема функцијама одговарају две својствене вредности

енергије: горња граница доње зоне и доња граница горње зоне.
138 |
Слика 7.8. Зависност ¦ за електрон у једнодимензионалној

решетки сведен на Прву Брилуенову зону
сложенија. Спектар q U може бити анизотропан јер је и потенцијал

Код тродимензионалног кристала зонска структура је знатно
c анизотропан, поред тога забрањене и дозвољене зоне могу да

се преклапају што није случај код једнодимензионалних кристала.
7.9. Ефективна маса електрона. Појам шупљина

За дефинисање брзина и убрзања електрона у периодичном
пољу кристалне решетке могу послужити Хамилтонове једначине:
1 áq U
cC J U , 7.76
ℏ áU
C 1
U ² 7.77
ℏ ¥
где је J U - групна брзина, односно брзина таласног пакета, ²¥ -
спољашња сила која не укључује деловање периодичног
узето је у обзир у изразу за енергију q U која је сложена функција

потенцијала решетке. Деловање периодичног потенцијала решетке
квазиталасних вектора U.
139 |
Аналогно се дефинише убрзање:

\J 1 \ \q 1 \ q \U
y z= ∙ ∙ , (7.78)
\w ℏ \w \U ℏ \U \w
односно:
1 \ q 1 1 \ q
= ∙ ∙ ²¥ = ∙ ²¥ . (7.79)
ℏ \U ℏ ℏ \U
Ако се величина ℏ ~ Z • означи са f∗ , последња релација

tZ
t@
добија облик другог Њутновог закона:
²¥
=− , (7.80)
f∗
где је f∗ ефективна маса електрона. Ефективна маса одражава
утицај периодичног потенцијала кристалне решетке на кретање
електрона у кристалу под дејством спољашње силе. Другим речима,
спољашње силе ²¥ онако како би се кретао слободан електрон под

електрон се у периодичном пољу решетке креће под дејством
дејством ове силе ако би имао масу f∗ . Шредингерова једначина
ℏ
(7.19) ће сада променити облик у:
− ∆Ψ(c) = qΨ(c), (7.81)

2f∗
ℏ U
одaкле се добијају својствене вредности енергије:
q= . (7.82)
2f∗
У општем случају електрон се кроз кристал не креће
подједнако „лако“ у свим правцима, односно његово је кретање
анизотропно. То указује на анизотропност ефективне масе, односно
на њену зависност од смера таласног вектора. Ефективна маса
електрона се представља тензором II ранга:
\ q \ q \ q
D \Uû \Uû \U \Uû \U D
\ q \ q \ q
∗
f"€ =ℏ ∙ . (7.83)
\U \Uû \U \U \U
D \ q \ q \ q D
\U \Uû \U \U \U
140 |
С обзиром да је ефективна маса симетричан тензор, погодним

избором координатног система може се се свести на дијагонални
облик:
1
G 0 0 J
Ffûû I
1 F 1 I
y ∗z = F 0 0 I, (7.84)
f "€ f
F I
F 0 1 I
0
E f H
ℏ
односно:
f""∗ ≡ f"∗ = tZ
— = (, ), *. (7.85)
t@ÉZ
У зони стандардног облика са минимумом у центру (qu"x →

U = 0) и максимумима на њеним крајевима ~qu¥û → U = ± ¥ •,
£
ефективна маса је позитивна и блиска маси слободног електрона на
електрона са f∗ < 0 значајно разликују од особина „нормалних“

дну зоне, док је на врху негативна (слика 7.9). Како се особине
електрона показало се погодним увођење квазичестице са
+е, али са позитивном масом f∗ . Таква квазичестица је названа

позитивним наелектрисањем једнаким наелектрисању електрона
електронска шупљина, или краће шупљина.

Ако је нека енергетска зона потпуно попуњена електронима
ниједан од њих не може променити своје квантно стање под
утицајем спољашњег поља зато што су сва квантна стања у која би
дати електрон могао прећи већ попуњена. У потпуно попуњеној
зони укупни таласни број свих електрона једнак је нули:
ƒ = • U = 0. (7.86)
На физичке особине кристала највећи утицај имају

делимично попуњене зоне. Ако зони недостаје бар један електрон,
односно ако постоји једна шупљина, тада је:
ƒ = • U = • U − U; = −U; ≡ Uš r^€"xÊ ≡ U] . (7.87)

@‚@Ÿ
Најзад, у случају када на зону са једном шупљином делује

електрично поље, имамо:
141 |
\ƒ \U] \U; d
+ ² . 7.88
\w \w \w ℏ
Слика 7.9. Зависност енергије, брзине и ефективне масе

електрона од таласног вектора
Шупљина се понаша као честица позитивног наелектрисања

са брзином jeднакој брзини недостајућег електрона:
á á
J] •q − ~ v Rw − q U; • J; . 7.89
áU] áU;
@‚@Ÿ
Из израза за убрзање следи да мaсa шупљине има супротан предзнак

од масе електрона који недостаје:
142 |
1 1
(]) (Ê^)
y ∗z = − y ∗z . (7.90)
f "€ f "€
Шупљине које имају енергију близу врха валентне зоне имају
позитивну масу, а шупљине које имају енергију близу дна зоне имају
негативну масу. Нека у посматраној зони постоји само једно
непопуњено стање везано за врх зоне ~U → • када je спољашње
£
¥
електрично поље једнако нули. За ненулто спољашње поље на
упражњено место долази електрон са неког енергијски нижег нивоа,
а на његово место се спушта шупљина. Затим ће на то место доћи
други електрон, итд. Тако се шупљина, у скали енергије спушта
наниже. То значи да у кристалу струја тече не само због кретања
електрона у проводној зони већ и због кретања шупљина у
валентној зони. Појам ефективне масе има смисла само када се
електрони налазе при дну или при врху енергијске зоне. У центру
зоне ефективна маса губи смисао.
143 |
8 . ПОЛ УПР ОВ ОДНИЧ К И КР ИСТА Л И
специфична електрична отпорност налази у интервалу од 10 Ž Ωcm

Полупроводницима се називају материјали чија се
до 10 Ωcm, на собној температури. Појављују се у елементарном

облику (приказани у табели 8.1.), у облику једињења (Cu2O, PbTe,
PbS, SiC, InSb, GaAs, GaP) или легура. На температури апсолутне нуле
чист полупроводник понаша се као изолатор. Са порастом
температуре, због топлотних вибрација кристалне решетке,
енергија појединих електрона постаје довољно велика да се могу
ослободити валентних веза и постати носиоци електричне струје.
На тај начин се повећава проводност датог полупроводника.
Табела 8.1. Елементарни полупроводници
Група II II IV V VI VII
Периода
II Be B C N O
III Al Si P S Cl
IV Ga Ge As Se Br
V In Sn Sb Te J Xe
VI Pb Bi Po At
8.1. Забрањена зона полупроводника

За проучавање и описивање електричних особина
полупроводника важно је познавати енергетска стања у две највише
енергетске зоне (слика 8.1). Код идеалног кристалног
полупроводника највиша енергетска зона је скоро празна. Њу могу
попуњавати само побуђени проводни електрони те се зато назива
граница) назива се дном проводне зоне и обележава са qM . Прва нижа

проводном зоном. Најнижи енергетски ниво проводне зоне (доња
енергетска зона названа је валентном зоном, јер је попуњена
енергетски ниво валентне зоне је њен врх и обележава се са q¢ .

валентним електронима атома полупроводника. Највиши попуњени
Проводна зона је од валентне зоне раздвојена низом енергетских
144 |
нивоа које електрони не могу да заузимају и који се због тога назива

забрањеном зоном или енергетским процепом.
Слика 8.1. Дијаграм енергетских зона полупроводника
ширина забрањене зоне q qM + q¢ . То је најмањи износ енергије

Разлика енергије дна проводне и врха валентне зоне је
коју је потребно довести електрону у валентној зони да би се
полупроводника q јако зависи од температуре (слика 8.2).

ослободио валентних веза и прешао у проводну зону. Код
Температурна зависност q може се апроксимирати линеарном

функцијом облика:
q q 0 − , 8.1
где је q 0 ширина забрањене зоне на апсолутној нули, а
константа која зависи од врсте полупроводника.
Слика 8.2. Температурна зависност ширине забрањене зоне

полупроводника
145 |
Ширина забрањене зоне може се одредити помоћу оптичке
фреквенције ± и енергије q ℏ± . Услед апсорпције фотона могу

методе излагањем полупроводничког кристала фотонима
се јавити два прелаза:

• Директан - при којем се ствара један електрон у
проводној и једна шупљина у валентној зони (слика
8.3.а).
• Индиректан - када минимум забрањене зоне обухвата
UM (слика 8.3.б). Тада се индиректно ствара фонон

електроне и шупљине раздвојене таласним вектором
таласног вектора Uþ и фреквенције Ω, па су задовољени
ℏU ℏUM ℏUþ ≅ 0 и ℏ± ℏΩ. 8.2

закони одржања импулса и енергије:
2 q
троши енергија ℏΩ која је релативно мала у односу на

Фонон овде служи као извор квазиипулса и при том се
ширину забрањене зонеq .
Слика 8.3. Илустрација директног и индиректног прелаза

електрона из валентне у проводну зону полупроводника
146 |
8.2. Концентрација носилаца у сопственом

полупроводнику
На температури апсолутне нуле електрична проводност
чистог кристалног полупроводника једнака је нули зато што у њему
не постоје слободни носиоци наелектрисања. Валентна зона овог
полупроводника је потпуно попуњена електронима, а проводна је
потпуно празна тако да ниједна не даје никакав допринос
електричној проводности.
Са порастом температуре интензивира се осциловање атома
кристалне решетке које може побудити електроне и разорити
валентне везе. Поједини електрони добијају довољно енергије да
пређу у проводну зону, остављајући шупљине у валентној зони. Овај
процес стварања слободних носилаца наелектрисања у
полупроводнику назива се топлотним генерисањем. Евидентно је
да ће концентрација топлотно генерисаних електрона n у проводној
зони бити једнакa концентрацији насталих шупљина p у валентној
зони. Истовремено са генерацијом слободних носилаца дешава се и
обрнути процес – рекомбинација. Део електрона се враћа из
проводне зоне у валентну попуњавајући раскинуте везе (шупљине).
На датој температури процеси генерације и рекомбинације се
уравнотежују, а у полупроводнику се успоставља равнотежна
концентрација носилаца наелектрисања.
Равнотежна концентрација електрона, за које могући
интервал енергије лежи у границама проводне зоне, одређује се из
следеће релације:
O}BË
; ¾ 3 q N q \q . (8.3)
O
Овде је 3(q) густина квантних стања, односно број стања у

јединичном интервалу енергије и јединици запремине кристала:
2fx∗
⁄
3(q) = 4, y z Œq − qP . (8.4)
ℎ
Са N(q) је означена Ферми–Диракова функција расподеле која
одређује вероватноћу да енергетски ниво q у проводној зони буде
заузет на температури :
147 |
1
N q , (8.5)
1 + exp ~ Q
•
@ç
где је qø енергија Фермијевог нивоа. Фермијев ниво има одређено

физичко значење само код метала, где представља максималан ниво
електрона на температури апсолутне нуле. Иако код
полупроводника нема прецизну физичку интерпретацију, увођење
Фермијевог нивоа је веома важно за проучавање и објашњавање
провођења струје. Положај Фермијевог нивоа одређује се из услова
полупроводнику, при чему се може сматрати да qø не зависи од

равнотеже позитивног и негативног наелектрисања у кристалном
расподеле енергије међу честицама, већ само од њиховог укупног

броја. Заменом израза (8.4) и (8.5) у једначину (8.3) добија се:
∗ ⁄
4, ~ • Œq − qP \q
È u{
; = ¾ ]Z
. (8.6)
1 + exp ~ @ Q
•
O ç
Горња граница инеграције је промењена од qPu¥û до ∞ јер Ферми-

Диракова функција за q > qø брзо пада на нулу (слика 8.4).
Слика 8.4. Прелаз електрона из валентне у проводну зону и

Ферми-Диракова функција расподеле
Уводећи бездимензионе променљиве:

q − qP 1 qø − qP
R= ⟹ \R = \q; R = (8.7)
UÞ UÞ UÞ
148 |
релација (8.6) добија облик:
R
È
2,fx∗ UÞ 2
⁄ ⁄
2y z ¾ \R = 3P ² ⁄ R , (8.8)
ℎ √, 1 + exp R − R
;
;
£u∗ @ ⁄
где је 3P = 2 ~ ]{Z ç • ефективна густина стања, односно број
стања сведен на дно проводне зоне, док је:
R
È
2 ⁄
²⁄ R = ¾ \R (8.9)
√, 1 + exp R − R
;
константи у 3P и извесног сређивања добија се:

Ферми-Дираков интеграл реда ½. Након замене бројних вредности
⁄
fx∗
⁄
3P = 2.8 ∙ 10 T y z y z . (8.10)
f 300
Расподела шупљина по енергетским нивоима такође подлеже
Ферми–Дираковој функцији расподеле. При одређивању
концентрације шупљина треба имати на уму да је број шупљина у
валентној зони једнак броју умањења валентних електрона. Према
томе, вероватноћа да се у стању топлотне равнотеже на енергетском
нивоу Е налази шупљина, односно да се на том нивоу не налази
електрон је:
1
Nr (q) = 1 − N(q) = . (8.11)
exp ~ @Q •+1
ç
Слична процедура као за концентрацију електрона даје израз

за равнотежну концентрацију шупљина:
2,fr∗ UÞ 2 (qß − q)
⁄ å
⁄
b; = 2 š › ∙ ¾ \q . (8.12)
ℎ √, exp ~ @Q •+1
È ç
Доња граница интеграла qßu"x је замењена са −∞ због тога што

Nr (q) брзо опада. Користећи следеће ознаке:
q¢ − q 1
= Šr ⇒ \Šr = − \q,
UÞ UÞ
qM − q¢ qø − q
= Š" , = R + Š" + Šr , (8.13)
UÞ UÞ
149 |
једначина (8.12) своди се на:

È
2,fr∗ UÞ 2 ŒŠr \Šr
⁄
b; 2š › ∙ ¾ , (8.14)
ℎ √, exp Šr + R + Š" + 1
;
односно:
b; = 3¢ ² ⁄ −R − Š" . (8.15)
Овде је 3¢ ефективна густина стања, тј. ефективни број стања сведен
на врх валентне зоне:
2,fr∗ UÞ
⁄
3¢ = 2 š › , (8.16)
ℎ
Након замене бројних вредности константи добија се:
fr∗
⁄ ⁄
3¢ = 1.08 ∙ 10 š › T
y z . (8.17)
f 300
Најзад, Ферми-Дираков интеграл за валентну зону је:
È
2 ŒŠr \Šr
² ⁄ −R − Š" = ¾ . (8.18)
√, exp Šr + R + Š" + 1
;
Овде је неопходно истаћи да Ферми-Диракови интеграли немају

тачна, него само апроксимативна решења за одређене вредности
аргумента.
8.2.1. Апроксимативна решења Ферми-Диракових

интеграла
Полупроводник код којег је q − qø ≫ UÞ назива се
недегенерисаним. У случају недегенерисаног полупроводника
Ферми–Диракова функција расподеле може се заменити Максвел–
Болцмановом:
q − qø
N(q) = exp y− z. (8.19)
UÞ
Интеграл (8.9) тада постаје:
È
2
²⁄ R = ¾R ⁄
exp R − R \R (8.20)
√,
;
150 |
и ако се он упореди са гама-функцијом:

È
Г f ¾ Ru exp(−R) \R (8.21)
;
јасно је да важи ² ⁄ (() = Г(3/2). Како је Г(3/2) = √,⁄2

ÊË
√£
такозвани Пуасонов интеграл, Ферми-Дираков интеграл (8.9) има
следеће решење:
² ⁄ (() = d û ; −∞ < ( < −1. (8.22)
више од 5UÞ говори се о потпуно дегенерисаном полупроводнику, за

Ако, пак, Фермијев ниво лежи изнад дна проводне зоне за
који Ферми-Дираков интеграл има следеће приближно решење:

4
² ⁄ (() = ( ⁄
; 5 < ( < +∞. (8.23)
3 √,
Између ова два гранична случаја, тј. за qM − UÞ < qø < qM + 5UÞ ,
приближно решење Ферми-Дираковог интеграла је:
1
² ⁄ (() = ; −1 < ( < 5. (8.24)
0,27 + d û
С друге стране, апроксимативно решење за ² ⁄ −R − Š" у
случају недегенерисаног полупроводника, тј. за qø > q¢ + UÞ јесте:
² ⁄ −R − Š" = d VW XÉ
; −∞ < −R − Š" < −1. (8.25)
важи неједнакост qø < q¢ − 5UÞ добија се:

У случају потпуно дегенерисаног полупроводника, односно када
4 ⁄
² ⁄ −R − Š" = −R − Š" ; 5 < −R − Š" < +∞ (8.26)
3 √,
Најзад, између граничних случајева недегенерисаног и потпуно
дегенерисаног полупроводника приближно решење Ферми-
Дираковог интеграла (8.18) је:
1
² ⁄ −R − Š" = ; −1 < −R − Š" < 5. (8.27)
0,27 + d VW XÉ
Уз наведена апроксимативна решења Ферми-Диракових интеграла
полупроводнику код ког је познат положај Фермијевог нивоа qø .

могуће је израчунати концентрације електрона и шупљина у
151 |
8.3. Положај Фермијевог нивоа у сопственом

На основу апроксимативних решења (8.22) и (8.25),
равнотежне концентрације електрона и шупљина у сопственом
недегенерисаном полупроводнику постају:
äY |äQ
; 3M ² ⁄ R 3M d æç è , (8.28)
äQ |äZ
b; = 3¢ ² ⁄ −R − Š" = 3¢ d æçè . (8.29)
Према услову електронеутралности, равнотежне концентрације
електрона и шупљина у сопственом полупроводнику су једнаке, тј.
; = b; , (8.30)
односно:
äY |äQ äQ |äZ
3M d æç è
= 3¢ d æç è
, (8.31)
одакле је:
qM + q¢ 3¢ qM + q¢ fr∗
⁄Ž
qø = + UÞ ln = + UÞ ln š ∗ › . (8.32)
2 3M 2 fx
Одавде је очигледно да положај Фермијевог нивоа у
сопственом полупроводнику зависи од односа ефективних маса
електрона и шупљина, као и да се могу разликовати два случаја:
1. fr∗ = fx∗ , Фермијев ниво се налази на средини забрањене
2. fr∗ ≠ fx∗ , Фермијев ниво је на средини забрањене зоне само

зоне на било којој температури
на температури апсолутне нуле. Када температура почне да расте,

Фермијев ниво се линеарно мења приближавајући се зони са
лакшим носиоцима наелектрисања (слика 8.5):
∗
ué ⁄Ž
1) Ако је fr∗ > fx∗ ⇒ ln ~u∗ • > 0, qø се приближава
{
проводној зони;
∗
ué ⁄Ž
2) Ако је fr∗ < fx∗ ⇒ ln ~u∗ • < 0, qø се приближава
{
валентној зони.
152 |
Слика 8.5. Зависност Фермијевог нивоа од температуре
Како је у сопственом полупроводнику b ", онда је

сопствена концентрација носилаца jeднака:
äY |äZ
" = Œ ∙ b = Œ3M 3¢ d
Zæç è
2,UÞ
⁄ ä[
∗ ⁄Ž
= 2y z fx ∙ fr
∗
d çè .
Zæ (8.33)
ℎ
На основу овог израза види се да " у недегенерисаном
полупроводнику зависи од температуре, ширине забрањене зоне и
вредности ефективних маса електрона и шупљина, а не зависи од
положаја Фермијевог нивоа. Логаритмовањем израза (8.32) добија
се:
3 1 q
ln = v Rw − ln − . (8.34)
"
2 2UÞ
У случају високих температура, овај израз се своди на ln " ≈ јер је
тада ln ≪ .
При приближавању Фермијевог нивоа зони са лакшим
недегенерисаног у дегенерисано стање ако је Фермијев ниво за UÞ

носиоцима може доћи до преласка сопственог полупроводника из
изнад, односно испод границе поменуте зоне. Сопствена

концентрација се тада одређује из:
" = 3M ² ⁄ R = 3¢ d VW XÉ
, (8.35)
при чему се у овом случају Ферми-Дираков интеграл не замењује
експоненцијалном функцијом. Код сопственог полупроводника
дегенерација наступа само у случају велике разлике ефективних
153 |
једињења InSb код којег је fr∗ ≈ 10fx∗ .

маса електрона и шупљина, на пример код полупроводничог
8.4. Теорија примесних стања

Електрична проводност неког полупроводничког елемента
може се повећати уградњом атома других хемијских елемената у
његову кристалну решетку. Атоми који се уграђују зову се примесни
атоми, а сам процес уградње допирање. Ако се допирањем повећава
концентрација слободних електрона говори се о полупроводницима
n – типа, док се за случај повећавања концентрације шупљина
говори о полупроводницима р - типа.
Нека је у кристалној решетки елементарног силицијума један
атом Si замењен петовалентним атомом As (слика 8.6). Четири
валентна електрона атома As учествоваће у изградњи ковалентних
веза са четири суседна атома Si. Пети валентни електрон атома As,
који не учествује у формирању ковалентних веза, ступа у
електростатичку интеракцију са суседним силицијумовим атомима.
Због тих интеракција његова веза са атомом As слаби због чега се
овај електрон понаша слично електрону у атому водоника.
Слика 8.6. Примесни атом у кристалној решетки силицијума
Захваљујући овој аналогији проблем се своди на налажење

енергетског нивоа у атому сличном водонику. Међутим, због
заменити ефективном масом f∗ и узети у обзир диелектричне

периодичног поља кристалне решетке неопходно је масу електрона
карактеристике средине, тј. заменити Š; са Š; Šs .

Шредингерова једначина петог валентног електрона je:
154 |
ℏ d
+ ∆+ / qx /¥ , 8.36
2f ∗ 4,Š; Šs c ¥
где је d наелектрисање примесног јона. Својствене вредности
енергије овог електрона су:
f; d Ž f ∗ 1
qx qP − y z за m 1, 8.37
ℏ Š; Šs f;
примесе, f; - маса слободног електрона. Кад се унесу вредности

где је - главни квантни број којим се одређује ниво побуђене
константи f; , d, ℏ, Š; једначина (8.37) постаје:

13.52 ∙ f∗ 1
qx qP − y z ∙ , 8.38
Šs f;
где је 13.52(eV) - енергија јонизације атома водоника.
петовалентног донорског атома qt једнака по модулу енергији

Из релације (8.38) следи да је енергија јонизације
основног стања ( 1):

13.52 ∙ f∗
qt ∙ y z. 8.39
Šs f;
Зависност qt од указује на то да ће за веће вредности донорски
1. Кад се
унесу вредности Šs 12 и f ≈ 0.4f; у (8.39) за енергију донорског
ниво бити смештен ниже у забрањеној зони него за
∗
атома As добија се qt ≈ 0.049eV (слика 8.7). Овако мала вредност qt

значи да се пети валентни електрон лако може превести из везаног
стања у слободно, односно из забрањене у проводну зону.
Слика 8.7. Енергија јонизације неких примеса у силицијуму
155 |
Ако је, пак, у кристалу елементарног силицијума један атом Si

замењем примесним тровалентним атомом, на пример В, једна
ковалентна веза ће остати неспарена, тј. формираће се шупљина
(слика 8.8). Другим речима, атом В захвата електрон домаћина (Si) и
ствара негативан јон.
Слика 8.8. Тровалентни примесни атом у кристалу силицијума
Створена шупљина је скоро слободна, па се применом

аналогног поступка као код петовалентних примеса може добити
израз за енергију акцепторског нивоа (слика 8.7):
13.52 ∙ fr∗ 1
q¥ qß š › ∙ , 8.40
Šs f;
где је qß енергија врха валентне зоне, fr∗ је ефективна маса
шупљине. За основни ниво акцепторске примесе ( 1) добија се:
13.52 ∙ fr∗
q¥ š ›. 8.41
Šs f;
8.5. Расподела носилаца наелектрисања у примесном

донорских примеса 3t . Проводни електрони донорских примеса,

Посматра се полупроводник n-типа са концентрацијом
концентрације t , налазе се на донорском енергетском нивоу qt
донорских примеса једнак је концентрацији примесних атома 3t .

испод дна проводне зоне (слика 8.9). Број енергетских стања
156 |
Слика 8.9. Енергетски дијаграм полупроводника n-типа
Топлотним генерисањем, електрони са нивоа qt могу прећи у

проводну зону остављајући јонизоване донорске атоме чија је
концентрација:
bt 3t + t. (8.42)
Вероватноћа да је квантно стање са енергијом qt заузето
електроном одређена је Ферми-Дираковом функцијом расподеле. На
примесном донорском нивоу, према Паулијевом принципу, могу се
наћи максимално два електрона са супротно орјентисаним
спиновима.
Донорске примесе имају двоструко већу статистичку тежину
у неутралном стању у односу на донорске примесе у јонизованом
стању. Ако је вероватноћа одсуства на нивоу донорске примесе
једнака јединици, према Болцмановом принципу следи:
ä\ |äQ
bt : t = 1: 2 d æç è
. (8.43)
На основу последња два израза добија се концентрација
проводних донорских електрона:
3t
t = ä\ |äQ , (8.44)
1+ d æç è
док је концентрација позитивних донорских јона:

3t
bt = ä\ |äQ . (8.45)
1 + 2d æç è
ознака Ö. Вероватноћа налажења слободног електрона на

У општем случају се за предекспоненцијални чинилац користи
донорском нивоу може се изразити у облику:
157 |
1
N x qt ä\ |äQ , (8.46)
1+Ö d æç è
док је функција расподеле позитивних донорских јона:

1
N r (qt ) = ä\ |äQ . (8.47)
1 + Öd æç è
На основу (8.46) следи да за донорску примесу, када је примесни
вредност Ö = 2. За полупроводник р-типа са концентрацијом

ниво двоструко дегенерисан фактор спинске дегенерације има
акцепторских примеса 3¥ енергетски дијаграм приказан је на слици

8.10.
Слика 8.10. Енергетски дијаграм полупроводника р-типа
На акцепторском нивоу q¥ могу се наћи максимално два

електрона са супротним спиновима, ако акцепторски атом захвати
ковалентне везе. Степен дегенерације акцепторског нивоа је Ö = 2.

један електрон из валентне зоне ради попуњавања четврте
Концентрација електрона на акцепторском примесном нивоу је:

3¥
¥ = äB |äQ , (8.48)
1 + Öd æç è
док је концентрација слободних шупљина на нивоу акцепторске

примесе:
3¥
b¥ = äB |äQ . (8.49)
1+Ö d æç è
Слободни електрони на нивоу акцепторске примесе образују

са акцепторским атомима негативне акцепторске јоне, а слободне
158 |
шупљине на донорским нивоима образују позитивне донорске јоне.

На основу реченог може се закључити да је број слободних
електрона на донорском нивоу и слободних шупљина на
акцепторском нивоу једнак броју електрично неутралних
донорских и акцепторских атома, респективно.
8.6. Положај Фермијевог нивоа у примесном

Један полупроводник може истовремено садржати донорске
примесе концентрације Nd и акцепторске примесе концентрације Na.
Топлотним генерисањем носилаца долази до преласка носилаца са
једног нивоа на други (слика 8.11).
Слика 8.11. Полупроводник са донорским и акцепторским

примесама и могући прелази слободних носилаца
У било којој области полупроводника важи услов електричне

неутралности, према којем укупна количина наелектрисања свих
]2
наелектрисаних честица мора бити једнака нули:
? bt + ; b; − b¥ 0. (8.50)
концентрације (8.28) и (8.29), као и за bt и b¥ у (8.50) добија се:

Уношењем одговарајућих израза за сопствене равнотежне
3t qM − qø
− 3M exp y− z
1 + 2exp ~− \ Q
• UÞ
@ç
3¥ qø − q¢
= − 3¢ exp y− z.
1 + 2exp ~− B Q
• UÞ
@ç
Из ове једначине је могуће аналитички одредити положај

Фермијевог нивоа у односу на дно проводне зоне или врх валентне
159 |
валентној зони 3M и 3¢ , концентрације донорских и акцепторских

ако се знају вредности: ефективних густина стања у проводној и
примесних атома 3t и 3¥ , енергије примесних нивоа qt и q¥ , као и

температура.
Решавање горње једначине се значајно упрошћава у случају
када је концентрација једне врсте примеса знатно већа од друге,
односно када је реч о полупроводнику n или p типа. Додатно
упрошћење се постиже у случају високих температура (на пример
собне) када се може сматрати да су све примесе јонизоване и да је
концентрација носилаца наелектрисања једнака концентрацији
примеса.
8.6.1. Положај Фермијевог нивоа у полупроводнику

n-типа
је занемарљива, односно b; = 0. Поред тога, на ниским

У полупроводнику n-типа, сопствена концентрација шупљина
температурама доминантни су прелази електрона са донорског

нивоа у проводну зону при којима се не стварају шупљине. Другим
речима, прелаз из валентне у проводну зону је мање вероватан у
овом случају. Услов електронеутралности за полупроводник n-типа,
према реченом постаје:
; = bt . (8.51)
На основу израза (8.45) добија се:
3t 3t
; = ä\ |äQ = ä\ |äY äY|äQ , (8.52)
1 + Öd æç è
1 + Öd æç è
d æç è
док из израза (8.28) за недегенерисану равнотежну концентрацију

слободних електрона следи:
äY |äQ
d = . (8.53)
æç è ;
3P
Након уношења овог израза у (8.52) и извесног сређивања добија се
квадратна једначина по ; :
äY |ä\ äY |ä\
; + Ö 3M ;d
æç è
− Ö 3M 3t d æç è
= 0. (8.54)
Решење ове једначине, после извесног сређивања је:
160 |
23t
; . (8.55)
äY |ä\
=1 + 4Ö •\ d æç è +1
•O
Ако се сада израз (8.55) унесе у једнакост (8.53), добија се:

äY |äQ
2 3t ⁄3M
d æç è = . (8.56)
äY |ä\
=1 + 4Ö •\ d æç è +1
•O
Логаритмовање овог израза даје положај Фермијевог нивоа:
3M 3M äY |ä\
3M
qø = qM − UÞ ln + =y z + Öd æç è
. (8.57)
23t 23t 3t
У зависности од температурног опсега, израз (8.57) може да

се упрости на више начина:
1. У случају довољно ниских температура, када важи услов:
3M
d ( Y \ )⁄@ç ≫ , (8.58)
23t
израз (8.57) постаје:
qM + qt UÞ Ö3M
qø = − ln . (8.59)
2 2 3t
Одавде је очигледно да се на температури апсолутне нуле Фермијев
ниво налази на средини између дна проводне зоне и нивоа донорске
• За Ö3M < 3t при температурама од неколико Келвинових

примесе. Притом, важи:
степена Фермијев ниво расте до неке максималне
• За Ö3M = 3t Фермијев ниво се опет налази на средини

вредности, а затим опада.
између qM и qt .
• Са даљим порастом температуре када је Ö3M > 3t ,
Фермијев ниво се спушта у такозвану област слабе
јонизације примеса (област 1 на слици 8.12). У области
слабе јонизације концентрација сопствених носилаца је:
äY |ä\
; = ŒÖ 3P 3t d Zæç è
. (8.60)
161 |
У области високих температура је:

3M
d Y \ ⁄@ç
≪ . (8.61)
23t
У овом случају израз (8.57) апроксимира се на следећи начин:
3P
qø = qM − UÞ ln (8.62)
3t
За концентрацију носилаца се добија:
; = 3t , (8.63)
што значи да су све донорске примесе практично јонизоване и да
концентрација електрона у проводној зони не зависи од
температуре. Ова област се назива област засићења (област 2 на
донорским нивоом qø = qt назива се температура засићења и

слици 8.12). Tемпература при којој се Фермијев ниво поклопи са
одређена је следећим изразом:

qP − qt
X = . (8.64)
UÞ ln •O
•
\
Слика 8.12. Промена а) Фермијевог нивоа и б) концентрације

електрона са температуром у полупроводнику n типа
Са порастом температуре изнад X долази до пораста

концентрације слободних електрона, али на рачун преласка
електрона из валентне у проводну зону. Ово је област сопствене
162 |
проводности полупроводника (област 3 на слици 8.12). Положај

Фермијевог нивоа у сопственој области одређен је изразом:
qM q¢ UÞ 3P
qø + ln . (8.65)
2 2 3t
Фермијев ниво ће у сопственој области достићи средину забрањене
зоне, односно постати:
UÞ " 3P
qøÉ = qM − ln , (8.66)
2 3t
при температури:
q
" = . (8.67)
UÞ ln y z
•Y •Z
•\Z
Вредност " је нижа за мање ширине забрањене зоне и

концентрације донорских примеса, и обрнуто виша је за веће
вредности ефективних маса слободних електрона и шупљина.
8.6.2. Полупроводник са акцепторским примесама
слободних електрона је занемарљива ( ; = 0), а услов

Код полупроводника р-типа равнотежна концентрација
електронеутралности је:
b; = ¥. (8.68)
Доминантан механизам стварања слободних шупљина при ниским
температурама је захватање електрона из валентне зоне од стране
акцепторских примеса. Аналогним поступком као код
полупроводника -типа долази се до израза за Фермијев ниво у
следећем облику:
3¢ 3¢ 3¢ äB |äZ
qø = qM − q + UÞ ln + =y z +Ö d æç è . (8.69)
23¥ 23¥ 3¥
1) У области ниских температура је:

äB |äZ
3¢
d æç è ≫ , (8.70)
23¥
па се израз (8.69) своди на:
163 |
q¥ q¢ 3¢
qø UÞ ln Ö . 8.71
2 3¥
На апсолутној нули Фермијев ниво ће бити на средини између
врха валентне зоне и нивоа акцепторске примесе, односно:
q¥ q¢
qø
. 8.72
2
испуњен услов 3¥ h Ö3¢ , а затим се подиже до q¥ (слика 8.13). У овој

Како температура расте, Фермијев ниво ће се спуштати све док је
области концентрација слободних шупљина је:

äZ |äB
b; ŒÖ 3¥ 3¢ d æç è
. 8.73
Слика 8.13. Температурна зависност а) Фермијевог нивоа и б)

концентрације слободних шупљина у акцепторском
2) У области високих температура, када је испуњен услов:
3¢
≪
äB |äZ
d æç è , 8.74
23¥
за Фермијев ниво се добија:
3¢
qø qM − q UÞ ln Ö , 8.75
3¥
а за концентрацију носилаца:
164 |
b; 3¥ . (8.76)
Ова област температуре назива се осиромашеном облашћу јер се
карактерише тоталном јонизацијом акцепторских примеса. Са
забрањене зоне и кад се поклопи са qø" наступа област сопствене

даљим порастом температуре Фермијев ниво се подиже ка средини
проводности.
Даљим порастом температуре расте и концентрација
слободних електрона услед термичког генерисања парова електрон
- шупљина, па услов електронеутралности постаје:
b; = ; + 3¥ . (8.77)
У овом случају је:
¥ = 3¥ , (8.78)
На основу израза о дејству маса b; ; = " добија се квадратна
једначина:
b; − 3¥ b; − " = 0. (8.79)
Решење ове једначине је:
3¥ 2 "
b; = 1 + =1 + y z . (8.80)
2 3¥
äQ |äZ
Изједначавање (8.80) са b; = 3¢ d æç è даје:
3¥ 2 "
qø = q¢ − UÞ ln ! 1 + =1 + y z ^. (8.81)
23¢ 3¥
Овде је неопходно направити разлику између два могућа

случаја:
1. Ако је:
2 "
y z ≪1 (8.82)
3¥
енергија Фермијевог нивоа је:
3¥
qø = q¢ − UÞ ln , (8.83)
3¢
а концентрација шупљина:
165 |
b; 3¥ . (8.84)
што указује на поновну област осиромашених акцепторских
примеса.
2. Ако је:
2 "
y z ≫ 1, (8.85)
3¥
енергија Фермијевог нивоа је:
qø = q¢ − UÞ ln , (8.86)
"
3¢
äY |äZ
; b; = 3M 3¢ d
æç è
односно, након замене :
1 3¢
qø = (qM + q¢ ) + UÞ ln . (8.87)
2 3M
Из израза (8.87) може се одредити енергија Фермијевог нивоа у
сопственом недегенерисаном полупроводнику. На високим
температурама важи:
( )
b; ( ) = , (8.88)
"
;( )
äB |äZ
" = b" = Œ3M 3¢ d æç è

. (8.89)
8.7. Полупроводник са донорским и акцепторским

примесама
Полупроводник који садржи донорске и акепторске примесе
једнаких концентрација назива се компензованим
полупроводником. На апсолутној нули валентна зона овог
полупроводника је потпуно попуњена, а проводна зона је празна.
Електрони ће са донорског прелазити на нижи акцепторски ниво све
док се не успостави равнотежа између позитивног и негативног
наелектрисања. Са порастом температуре долази до термичког
генерисања парова електрон-шупљина као у сопственом
полупроводнику. Међутим, периодичност потенцијала кристалне
решетке компензованог полупроводника је значајно нарушена у
односу на сопствени полупроводник.
166 |
концентрације акцепторских 3t > 3¥ , говори се о делимично

Ако је, пак, концентрација донорских примеса већа од
компензованом полупроводнику. Фермијев ниво је знатно изнад

акцепторског нивоа. Акцепторска стања су заузета електронима
донорском нивоу и проводној зони је 3t + 3¥ . Овај полупроводник

који су прешли са донорског нивоа, а укупно наелектрисање на
У супротном случају 3¥ > 3t , Фермијев ниво је знатно испод

се понаша као чисто донорски полупроводник.
донорског нивоа, а донорске примесе су потпуно јонизоване. Сви
на апсолутној нули на акцепторском нивоу налази 3¥ + 3t

електрони су прешли са донорског на акцепторски ниво тако да се
шупљина. Са порастом температуре електрони из валентне зоне

бивају захваћени од стране акцепторских атома и полупроводник се
понаша као чисто акцепторски.
полупроводника код ког је 3t > 3¥ . За температуре изнад апсолутне

Размотримо случај делимично компензованог
нуле услов електронеутралности је

; t 3t − 3¥ , (8.90)
односно:
; + 3¥ = bt . (8.91)
После уношења израза за ; и bt и извесног сређивања
добијају се релације за концентрацију слободних електрона и
Фермијев ниво у зависности од температуре и концентрације обе
врсте примеса:
2(3t − 3¥ )
; =
] + ¡B~1 + ]• + ]E
Ž (•\ •B )
1+
•B •B
•Y •Y •Y
(8.92)
2 (3t − 3¥ )⁄3M
qø = qM + UÞ ln .
]¡B~1 + ]• + ]E
Ž (•\ •B )
1+
•B •B
•Y •Y •Y
где је ] = d æç è .
äY |ä\
У области високих температура (око собних) може се

сматрати да су сви донорски атоми јонизовани, односно да важи:
äY |ä\ äY |ä\
≪1 и ≪ 1.
Ž (•\ •B )
d d
•B æç è æç è
•Y •Y
(8.93)
167 |
Концентрација слободних електрона ће постати константна и

једнака броју некомпензованих донорских јона, тј.
; 3t + 3¥ . 8.94
Израз за Фермијев ниво тада постаје:
3t − 3¥
qø qM UÞ ln . 8.95
3M
Одавде је јасно да ће Фермијев ниво са порастом температуре да
опада и да се приближава средини забрањене зоне (слика 8.14).
Слика 8.14. Температурна зависност а) Фермијевог нивоа и б)

концентрације електрона за различите степене компензације
Ако је још испуњен услов 3¥ ≪ 3t , могу се уочити

температурне области у којима важи:
Ö3¥ äYæ|äè\ 4Ö 3t − 3¥ äYæ|äè\
d ç ≪ 1 ≪ d ç . 8.96
3M 3M
Изрази за концентрацију слободних електрона и Фермијев ниво
постају исти као код донорског полупроводника (крива 1 на слици
8.14.а), односно:
äY |ä\
; ŒÖ 3M 3t d æç è 8.97
qM qt UÞ 3t
qø ln . 8.98
2 2 Ö3M
У случају јаке компензације важи:
168 |
; g 3¥ g 3t , (8.99)
па је:
Ö3¥ äYæ|äè\ Ö3¥ äYæ|äè\ 4Ö(3t − 3¥ ) äYæ|äè\
d ç ≫1 и d ç > d ç . (8.100)
3M 3M 3M
Одавде следи:
3t − 3¥ äY |ä\
≅ 3M d æç è
(8.101)
;
Ö3¥
3t − 3¥ 3t − 3¥
qø = qM + UÞ ln = qt + UÞ ln , (8.102)
Ö3¥ 23¥
где смо усвојили да је Ö = 2.
(•\ •B )
•
> 1, са порастом температуре изнад 0К
B
Ако је
Фермијев ниво прво расте, а потом опада (крива 2 на слици 8.14.а).
(•\ •B )
< 1, Фермијев ниво се са порастом
• B
Ако је, пак,
температуре спушта од донорског нивоа (крива 4 на слици 8.14.а).
(• • )
Када је \• B = 1, Фермијев ниво је константан све док је испуњен
B
услов ; ≪ 3¥ , а затим се спушта (крива 3 на слици 8.14.а).
На слици 8.14.б) приказана је температурна зависност
концентрације слободних носилаца, одакле се види да ; расте са
температуром и да облик ; ( ) зависи од степена компензације
односно од односа 3¥ ⁄3t .
8.8. Дегенерисани полупроводник

У случају јако допираног полупроводника може наступити
дегенерација. Под дегенерисаним полупроводником подразумева се
зони и то за више од 5UÞ изнад дна проводне, односно испод врха

полупроводник чији Фермијев ниво лежи у проводној или валентној
валентне зоне. Код оваквог полупроводника концентрација

слободних носилаца наелектрисања не зависи од температуре.
Посматрајмо донорски полупроводник у којем је положај
Фермијевог нивоа одређен релацијом:
qM + qt UÞ 3t
qø = + ln . (8.103)
2 2 23M
169 |
Диференцирање (8.103) и изједначавање диференцијала са нулом

даје:
3t \3M
ln − = 0. (8.104)
23M 3M \
Како је:
\3M 3 3M
= , (8.105)
\ 2
једначина (8.101) постаје:
3t 3 3t
ln = ⟺ =d ⁄
. (8.106)
23M 2 23M
Фермијев ниво достиже максимум при температури u¥û за коју је:
3t
3M ( u¥û ) = ; qø = qø}BË . (8.107)
2d ⁄
С друге стране, како је:
2,ft∗ UÞ ft∗
⁄ ⁄ ⁄
3M = 2 y z = 2.5 ∙ 10 T y z y z , (8.108)
ℎ f; ;
где је ft∗ ефективна маса густине стања, а f; маса слободног

електрона, уз температуру ; = 300ƒ и израз (8.107) добија се:
ft∗ 3t ⁄
= 8.15 y z ∙ y z . (8.109)
u¥û
f; 10
Одговарајућа максимална вредност Фермијевог нивоа износи:
qM + qt ft∗ 3t ⁄
qø}BË = + 5.3 ∙ 10 Ž
y z∙y z . (8.110)
2 f; 10
Ако се такозвана критична концентрација примеса при којој
3t@s ,биће:
се Фермијев ниво поклапа са дном проводне зоне, означи са
⁄
qM + qt ft∗ 3t@s
qø}BË = qM = + 5.3 ∙ 10 Ž
y z∙š › . (8.111)
2 f; 10
Вредност 3t@s јако зависи од енергије јонизације и ефективне
масе. што се види из израза:
170 |
ft∗
⁄
3t@s 10 .†
y z (∆qt ) ⁄
. (8.112)
f;
Најзад, из апроксимативних вредности Фермијевог интеграла (8.41)
и (8.44) добијају се изрази за концентрације слободних електрона и
шупљина:
8, 2fxt∗ ⁄
= y z (qø − qM ) ⁄
, (8.113)
3 ℎ
8, 2frt∗ ⁄
b= š › (q¢ − qø ) ⁄
. (8.114)
3 ℎ
У случају јако допираног полупроводника долази до преклапања
примесне зоне са проводном, односно са валентном зоном (слика
8.15).
Слика 8.15. Густина стања и положај Фермијевог нивоа

дегенерисаног полупроводника, јако допираног полупроводника:
а) донорском и б) акцепторском примесом
171 |
зоне за величину ∆q чија вредност зависи од концентрације

Ово преклапање зона доводи до смањења ширине забрањене
примеса према следећој једначини:
3t + 3¥ 3 + 3¥
∆q (3) = ln š › + =ln š t ›+‡ , (8.115)
3; 3;
где је:
= 9.3 ∙ 10 , 3; = 10 (
f , ‡ = 0.5.
Сопствена концентрација носилаца дата је тада изразом:
∆ä[ ä[ |∆ä[
"Ê (3, ) = "; ( )d

æç è = 3 3 d . (8.116)
M ¢
æç è
172 |
9 . М ЕТАЛ И
Чврста тела са металном хемијском везом могу бити метални
елементи, њихова једињења или легуре. Метални елементи чине две
трећине периодног система елемената, а према електронској
конфигурацији се деле на нормалне и прелазне.
У нормалне метале спадају:
• Једновалентни метали: алкални (Li, Na, K, Rb, Cs, Fr) и
племенити метали (Cu, Ag, Au);
• Двовалентни: земноалкални метали (Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra) и
алкали племенитих метала (Zn, Cd, Hg);
• Тровалентни метали (Al, Tl);
• Четворовалентни (Sn, Pb);
• Петовалентни (Sb, Bi, Po), који се често називају и
полуплеменитим металима.
Прелазни метали се деле на следеће групе:
- група гвожђа или 3d - метали (Sc, Ti, V, Cr, Mn, Co, Fe, Ni),
- група платине или 5d - метали (La, Hf, Ta, W, Re, Os, Tr, Pt),
- ретке земље лантаниди или 4s -метали (Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu,
Gd, Tb, Lu),
- актиниди или 6d -5s метали (Ac, Tb, Pa, U) којима се могу
придодати и трансурански елементи (Np, Pu, Am, Cm...)
Метални елементи су распоређени на левој страни периодног
система елемената што указује на мале вредности валентности
њихових атома. Кристалне структуре метала карактеришу
релативно велики бројеви најближих суседа, на пример
хексагонална са 12, површински - центрирана кубна са 12,
запремински – центрирана кубна са 8 најближих суседа.
С обзиром на мале валентности и велике координационе
бројеве, спољашњи електрони атома метала готово униформно
попуњавају простор између позитивних јона у решетки. Велики део
запремине метала је празан, на пример у кристалној решетки Li
растојање између јона износи 0,3 nm, док је радијус јона свега 0,05
nm. Због тога се метал може замислити као низ широко размакнутих
„малих“ јона између који се скоро слободно крећу валентни
електрони.
проводност (‹ и велика специфична топлотна проводност ) ,

Метале карактерише велика специфична електрична
сјајна површина која рефлектује светлост и способност лаког
173 |
деформисања. Прве две карактеристике служе као критеријум за

одређивање металног стања.
Међутим, како и неки неметали (пре свега полупроводници)
одређеним условима, ‹ не треба узети једнозначно као параметар за

могу имати велику специфичну електричну проводност под
дефинисање металног стања. Поузданијим параметром се показала
температуре у области ниских температура, јер је познато да се ‹ са

зависност специфичне електричне проводности чврстог тела од
променом температуре различито мења код метала и

полупроводника, а што је посебно изражено у области ниских
температура.
9.1. Друдеова класична теорија

Од укупног број електрона ¥ металног атома X су слободни,
а преосталих ¥ + X су електрони атомског остатка који са језгром
граде метални јон. Посматрајући електроне у металу као
електронски гас који је у топлотној равнотежи са јонима кристалне
решетке Друде је 1900. године, развио класичну електронску
теорију проводности метала. Основна претпоставка на којој се ова
теорија базирала јесте да се електронски гас у металу понаша
слично идеалном гасу из кинетичке теорије гасова. Остале
претпоставке су:
1. Електрони се кроз метал крећу хаотично и сударају се
са јонима кристалне решетке.
2. Судари су тренутни и доводе до промене брзине
електрона по правцу и интензитету, а тиме и до промене кинетичке
енергије електрона.
јединици времена ` (апроксимација времена релаксације).

3. Вероватноћа судара електрона изражава се по
4. Између два судара, електрони не интерагују међусобно

(апроксимација независног електрона), као ни са јонима кристалне
решетке (апроксимација слободног електрона).
5. Електрони достижу термичку равнотежу са својом
околином (јонима кристалне решетке) само кроз сударе при којима
долази до измене енергије електрона са јонима. Овај ефекат је
посебно важан за објашњење проводности метала.
6. Сви електрони учествују у топлотној и електричној
проводности метала.
174 |
7. За електроне важи Максвел-Болцманова континуална

расподела.
9.2. Eлектрична проводност метала

Стање електрона у металу одређено је вектором положаја c и
брзином J, односно импулсом b. Сви смерови топлотног кретања
електрона кроз метал су равноправни због чега су средња брзина и
средњи померај уоченог електрона у неком временском интервалу
једнаки нули. То значи да топлотно (хаотично) кретање електрона
не доводи до транспорта носилаца наелектрисања, а тиме ни до
протока струје кроз метал.
У металу који се налази у спољашњем електричном пољу ƒ ,
електрони добијају усмерену, тзв. брзину дрифта Jt чији смер
зависи од смера поља. Према Другом Њутновом закону, једначина
кретања електрона је:
\Jt Jt
fš › −dƒ , (9.1)
\w `
где је d - наелектрисање електрона, ` - време релаксације, односно
време које протекне између два узастопна судара електрона са
јоном.
Вероватноћа судара електрона са јоном решетке у току
временског интервала \w пропорционална је члану , а може се
t
a
одредити уз претпоставку да систем добија брзину Jt у присуству
електричног поља ƒ , а да се затим електрично поље искључи у
тренутку w = 0. Брзина дрифта онда експоненцијално опада са
временом од Jt (0) до нуле према релацији:
Jt (w) = Jt (0)d ⁄a
. (9.2)
У равнотежном стању (где је JC t = 0), брзина дрифта је:
d
Jt = − `ƒ . (9.3)
f
поља представља покретљивост електрона и означава се са ö.

Коефицијент пропорционалности брзине дрифта и спољашњег
Брзина једног електрона укључујући топлотну JТ и дрифну

компоненту Jt је:
d
J = J − `ƒ . (9.4)
f
175 |
Густина струје у металу узрокована електричним пољем ƒ

једнака је:
1
b • +d J , 9.5
важи ∑ J 0, последња једнакост се своди на:

при чему се сумирање врши по свим електронима у металу. Како
3 d`ƒ ;d `
b +d š+ › ƒ , 9.6
f f
3⁄ - концентрација електрона.
;
Фактор пропорционалности интензитета вектора b и ƒ јесте
где је
електрична проводност метала, у ознаци:

;d `
‹
. 9.7
f
На овај начин, израз (9.6) може се написати на следећи начин:
b ‹ƒ . 9.8
Ово је познати Омов закон који даје линеарну зависност густине
струје у металу од спољашњег електричног поља.
9.3. Топлотна проводност метала

$
У присуству температурног градијента ~$û •, у металу средња
топлотна енергија електрона 〈 fJ 〉 зависи од локалне
температуре ( . Електрони осећају локалну температуру преко
судара са решетком, што значи да топлотна енергија датог
електрон који пролази кроз раван ( (; под углом « у односу на (

електрона зависи од места његовог последњег судара. На пример,
осу последњи судар је имао у положају ( (; − J ` cos « (слика 9.1.).
176 |
Слика 9.1. Пролаз електрона чија путања заклапа угао c

са d-осом кроз раван d de
Енергија овог електрона је q ( q (; + J ` vR« , а број
електрона по јединици запремине чији је правац кретања у
просторном углу \Ω је ; Ž£ (слика 9.2).
tf
Слика 9.2. Просторни угао òg у којем електрони пролазе

кроз раван d de
Број електрона који пролазе кроз јединичну површину на (;

је ; Ž£ J cos «. Флукс енергије кроз јединичну површину (; је:
tf
\Ω
± (; ¾ q (; − J ` cos « ;J cos « . 9.9
4,
Развијањем израза q (; − J ` vR« и интеграцијом по « у границама
од 0 до ,, добија се:
1 áq
± ( − ;J `y z. 9.10
3 á(
, за топлотну проводност ) добија
$ $ $
Коришћењем једнакости $û
$ $û
се:
± 1 \q 1
) ;J ` J `‡¢ , 9.11
− á ⁄á( 3 \ 3
где је ‡¢
t
; t - - топлотни капацитет по јединици запремине.
Примењујући кинетичко - молекуларну теорију гасова, Друде
је за средњу топлотну енергију и топлотни капацитет, респективно,
добио следеће изразе:
1 3 3
〈 fJ 〉 U и ‡¢ U . 9.12
2 2 Þ ;
2 Þ
177 |
На основу релација (9.11) и (9.7), за однос специфичне

топлотне и електричне проводности метала добија се:
) J `‡¢
. (9.13)
‹ xŸ Ê Z a
u
Одавде се, након уношења израза (9.12), добија познати Видеман-

Францов закон:
) 3 UÞ
= y z =ü∙ , (9.14)
‹ 2 d
где је ü - Лоренцов број чија је теоријски добијена вредност
hf
износила 1.11 ∙ 10 …Z , а што је два пута мање од Видеман-
Францове експериментално измерене вредности на собној
i
температури. Поред поменутог неслагања, класична теорија није
j
успела да објасни ни одступање односа од константне вредности
на температурама нижим од собне.
температура ( → 0K), утврђена је следећа температурна зависност

Прецизним експерименталним мерењима, у области веома ниских
топлотног капацитета метала:

‡¢ = +l , (9.15)
капацитету метала (‡Ê^ ), а други сабирак представља фононску

где је први сабирак допринос електронског гаса топлотном
компоненту, односно потиче од кристалне решетке.

Према класичној теорији, електронски допринос топлотном
капацитету метала је константан и независан од температуре, тј.
‡Ê^ = 3UÞ = „. (9.16)
Међутим, измерене вредности ‡Ê^ метала су, чак и на собној
температури, много мање него што предвиђа релација (9.16).
зависност ‹( ) код метала, за коју је експерименталним путем

Следећи неуспех класичне Друдеове теорије односи се на
утврђена следећа пропорционалност ‹ ∝

имплицира ; ` ∝ , (јер су d и f константе). С друге стране,
што према (9.7)
•̅Ê ≈ J ` реда је величине међуатомског растојања и не зависи од

према класичној теорији, средњи слободни пут сваког електрона
температуре. Како је топлотна брзина електрона J ∝ ⁄ ,
178 |
подразумева се да је ` ∝ ⁄
. То значи да би услов ; ` ∝ могао
⁄
да буде задовољен само ако је ; ∝ , што није имало никаквог
смисла.
Набројани неуспеси класичне теорије указивали су на
чињеницу да електроне не треба третирати као молекуле класичног
идеалног гаса, већ као квантно-механичке честице (фермионе). У
том правцу најзначајније доприносе дали су Паули 1925. године
предложивши принцип искључења, као и Ферми и Дирак 1926.
године развијајући Ферми-Диракову статистику. Они су показали да
су физичке величине које карактеришу метале квантоване, односно
да могу попримати само одређене дискретне вредности, за разлику
од класичне теорије према којој се физичке величине мењају
непрекидно. Следећи корак у развоју теорије електричне
проводности метала учинио је Блох 1928. године, проучавајући
међусобно деловање електрона са фононима и изводећи формулу
која описује зависност електричног отпора метала од температуре.
9.4. Квантна теорија електронског гаса

Квантна теорија описује понашање гаса слободних електрона
дужине ü 3 , где је 3 број елементарних ћелија, док је дужина

у металу полазећи од једнодимензионалног модела кристала
ивице елементарне ћелије. Претпоставља се да се електрон масе m

налази у бесконачно дубокој потенцијалној јами ширине L (слика
9.3).
179 |
Слика 9.3. Енергетски нивои и таласне функције

електрона у бесконачно дубокој потенцијалној јами ширине L
Шредингерова једначина за електрон у n-том квантном стању
ℏ \ /x
има следећи облик:
+ qx /x . 9.17
2f \(
/x 0 /x ü
Периодичне граничне услове:
0 9.18
половина таласних дужина •x садржана пута у интервалу од 0 до

задовољава таласна функција облика синусоиде, при чему је
ü, односно:
2, •x 2ü
/x ≡ l sin y (z ; ∙ ü ⇒ •x . 9.19
•x 2
Уношењем таласне функције (9.19) и њеног другог извода у
једначину (9.17) добијају се својствене вредности енергије
електрона:
ℏ , T
qx ~ • ~ • . 9.20
2f ü 2f 2ü
Дакле, у једнодимензионалном случају, енергија електрона је
квадратна функција квантног броја (слика 9.4).
180 |
Слика 9.4. Зависност енергије слободног електрона од квантног

броја n
до ü једнака је јединици, односно важи услов нормираности таласне

Вероватноћа налажења електрона било где у интервалу од 0
функције:
ï
¾ /x∗ ( /x ( \( 1. (9.21)
;
Уношењем израза (9.19) за таласну функцију, горњи интеграл

постаје:
ï
,
¾ l sin ~ (• \( = 1 , (9.22)
ü
;
одакле се за константу l добија:

2 ⁄
l=y z . (9.23)
ü
потенцијалној јами ширине ü је облика:

Дакле, нормирана таласна функција електрона у бесконачно дубокој
2 ⁄
,
/x = y z sin ~ (•. (9.24)
ü ü
Нека је потребно сместити N електрона на енергетске нивое,
почев од најнижег n=1 до највишег ø , и нека је N паран број, односно
нека важи услов:
2 ø = 3. (9.25)
се из израза за својствене вредности енергије (9.20), уз услов = ø ,

Фермијева енергија, као енергија највишег попуњеног нивоа, добија
тј.
ℎ ℎ 3
qxQ = ~ • = y z . (9.26)
ø
2f 2ü 2f 4ü
сумирањем појединачних енергија од = 1 до = ø :

Укупна енергија система од N електрона у најнижем стању добија се
181 |
•⁄ •⁄
T 1
q; 2 • qx 2 y z • . 9.27
2f 2ü
xž xž
Фактор 2 јавља се због могућности да се, према Паулијевом

принципу, на сваком енергетском нивоу могу наћи по два електрона
са супротним спиновима. Како је:
X
1 1
• R 2R 3R 1 ≈ R за R ≫ 1, 9.28
6 6
xž
релација (9.27) постаје:

1T 1 3 1
q; ≈
y z y z 3q . 9.29
3 2f 2ü 2 3 ø
Одавде се види да је у једнодимензионалном случају, средња
кинетичка енергија по електрону у основном стању једнака трећини
Фермијеве енергије.
Густина стања, односно број електронских стања по јединици
енергијског интервала одређује се из израза:
\
7 q 2
. 9.30
\q
Коефицијент 2 означава да за сваки енергетски ниво постоје два
квантна стања супротних спинова. Када се диференцира једнакост
(9.20) и замени у горњи израз, добија се:
f / 1
7 q 2ü y z . 9.31
2qx T
Густина стања одређена релацијом (9.31) приказана је на слици 9.5.
182 |
Слика 9.5. Густина електронских стања у функцији енергије
9.5. Ферми-Диракова функција расподеле

Под основним стањем било ког система подразумева се
његово стање на апсолутној нули. Пораст температуре доводи до
пораста кинетичке енергије електронског гаса и промене расподеле
електрона. Неки енергетски нивои који су били празни на
апсолутној нули сада ће бити попуњени, и обрнуто, неки нивои који
су били на апсолутној нули попуњени сада ће бити празни. Утицај
температуре на расподелу електрона у металу објашњава
статистичка механика полазећи од Ферми-Диракове функције
расподеле за електроне:
1
Nøì q, ) = . (9.32)
d ( ÷)⁄@ç + 1
Функција Nøì изражава вероватноћу да је, у идеалном електронском
гасу у топлотној равнотежи, стање са енергијом Е заузето. Са ö је
означен хемијски потенцијал који представља функцију
На апсолутној нули је ö = qø , па Ферми-Диракова функција

температуре.
добија облик:
1
Nøì = . (9.33)
d ( Q)⁄@ç + 1
Као што је већ речено, код метала Фермијева енергија qø представља
максималну енергију коју електрон има на апсолутној нули, односно
слободних. Наиме, на температури = 0 сви енергетски нивои за

Фермијев ниво је граница која одваја заузета енергетска стања од
које је q ≤ qø су потпуно попуњени електронима, тако да је Nøì = 1,

док су они за које је q > qø празни, односно Nøì = 0.
При вишим температурама мали број електрона из појаса UÞ
око Фермијевог нивоа може се термички побудити и прећи у виша
енергетска стања. Знатна разлика између хемијског потенцијала и
9.6.). Јасно ја да на свим температурама, из услова q = ö = qø следи

Фермијеве енергије уочава се при вишим температурама (слика
N(q) = 1⁄2. Такође, ако је q ≪ ö, при било којој температури ≠ 0

биће N = 1, док за q ≫ ö Ферми-Диракова функција расподеле
добија облик класичне Максвел-Болцманове функције расподеле:
N(q, ) ≈ d ÷⁄@ç ∙ d ⁄@ç
. (9.34)
183 |
Системи који подлежу класичној Максвел-Болцмановој функцији

расподеле називају се недегенерисаним, док су квантни системи који
се описују Ферми-Дираковом функцијом расподеле дегенерисани.
Слика 9.6. Зависност Ферми-Диракове функције расподеле од

енергије и температуре
q до q \q износи:
Број електрона у јединици запремине у интервалу енергије од
q \q 2N q 7 q \q. 9.35
Енергија електрона је функција таласног вектора q U ℏ U ⁄2f∗ ,
где је f∗ ефективна маса електрона. Густина стања 7 q електрона,
интервалу енергије q, q \q је:

односно број електронских стања по јединици запремине у
1 2f∗
⁄
7 q y z q ⁄
. 9.36
2, ℏ
Сада је:
È È
1 2f∗
⁄
¾ N q 7 q \q y z ¾ √q N q \q, 9.37
2, ℏ
; ;
односно:
f∗ UÞ ö
⁄
2y z ²⁄ y z. 9.38
2,ℏ UÞ
184 |
Овде је ² ⁄ ~ • Фермијев интеграл реда ½ који је већ раније

÷
@ç
дефинисан, а може се тачно решити само у следећа два гранична
случаја:
≪ 1, што одговара системима са малом густином као
÷
@ç
1.
што су полупроводници:
f∗ UÞ
⁄ k
= 2y z d æç è . (9.39)
2,ℏ
≫ 1, што одговара системима са великом густином
÷
@ç
2.
као што су метали:
4 , 1
² ⁄ (() ≈ ( ⁄
1+ +⋯ . (9.40)
3 √, 8 (
Одавде се добија:
1 2f∗ ö , UÞ
⁄
= y z 1+ y z +⋯ . (9.41)
3, ℏ 8 ö
9.6. Средња вредност енергије електрона

За одређивање средње вредности физичких величина
неопходно је познавати зависност између енергије и импулса
електрона. Енергија гаса слободних електрона је:
fJ b 1
q= = = b +b +b . (9.42)
2 2f 2f û
С обзиром да је енергија независна од правца импулса погодно је
елементарну запремину у р-простору изразити у сферном
координатном систему:
\`r = b \b sin « \«\ª. (9.43)
Интеграљење по угловима « и ª даје чинилац 4,. Разликујемо, као
засебне, случајеве класичне и квантне статистике.
1. Максвел-Болцманова функција расподеле (класична
статистика)
Средња вредност енергије може се изразити у облику:
185 |
éZ
4, #; d b \b
È rZ Z}æç è
〈q〉 u
éZ
. (9.44)
4, #; d Z}æçè b \b
È
Ако се уведе смена:

b
(= ; b = (2fUÞ )(, (9.45)
2fUÞ
одакле је:
1 \(
\b = (2fUÞ ) ⁄ , (9.46)
2 (
за средњу енергију се добија:
UÞ #; ( d \(
È
3
⁄ û
〈q〉 = = U , (9.47)
#; ( ⁄ d û \( 2 Þ
È
где је:
È È
3 3 √,
¾( ⁄
d û \( = ¾ ( ⁄
d û
\( = ∙ (9.48)
2 2 2
; ;
вредност Пуасоновог интеграла. На основу услова нормираности

Максвел-Болцманове функције расподеле, као и након интеграљења
у фазном простору добија се:
1 1 ⁄ éZ
N(q, ) = y z d Z}æç è
. (9.49)
2,fUÞ
2. Ферми-Диракова функција расподеле (квантна статистика)
Нека је Ферми-Диракова функција расподеле дата у облику:
1
N(q, ) = éZ
. (9.50)
y lzê@ç
d +1 Z}
Ако се унесе у израз за средњу вредност енергије:
4, #; ∙ b \b
È rZ
u éZ
š |m›êæç è
〈q〉 = , (9.51)
Z}
Ê
4, #; éZ b \b
È
š |m›êæç è
Z}
Ê
186 |
коришћењем смене (9.45) добија се:
#;
È û >⁄Z tû
〈q〉 UÞ Ê Ë|m ⁄æç è

. (9.52)
#; Ê Ë|m ⁄æç è
È û Y⁄Z tû
Како је, при високим температурама, UÞ ≫ n и d l⁄@ç ≈ 1,

јединице као сабирци у горњим подинтегралним изразима се могу
занемарити, па квантна статистика прелази у класичну:
3
〈q〉 =U . (9.53)
2 Þ
своде од ( = 0 до ( = n ⁄UÞ , па средња енергија постаје:

С друге стране, при ниским температурама границе интеграла се
UÞ #;
l ⁄@ç
( ⁄
\( 3
〈q〉 = = n. (9.54)
#;
l ⁄@ç
( ⁄ \( 5
Одавде се види да енергија дегенерисаног електронског гаса не

зависи од температуре, што се слаже са Дилон-Птијевим законом.
Детаљнија израчунавања показују да је средња енергија
слободних електрона:
3 5, UÞ
〈q〉 = n; 1 − y z , (9.55)
5 12 n;
где је n; хемијски потенцијал на температури апсолутне нуле.
9.7. Зомерфилдов модел

1928. године Зомерфилд је развио модел електронског гаса
који се заснивао на Друдеовој теорији, али уз следеће модификације:
• Класичну Максвел –Болцманову функцију расподеле
електрона по брзинама:
f ⁄ fJ
N5Þ (J) = y z ∙ exp š− › (9.56)
2, UÞ 2UÞ
замењује Ферми-Дираковом функцијом расподеле:
187 |
f⁄ℏ 1
Nøì J ∙
4, exp C fJ + UÞ ; êUÞ D 1
f 1
3~ • , 9.57
T exp C fJ − U êU D 1
Þ ; Þ
где је ; температура одређена из услова нормирања функције N J

и износи неколико хиљада Келвинових степени. За температуре
ниже од 103 К разлика између Максвел-Болцманове и Ферми-
Диракове функције расподеле по брзинама приказана је на слици
9.7.
Слика 9.7. Разлика између Максвел-Болцманове и Ферми-

Диракове функције расподеле електрона по брзинама
• Усваја да су енергије електрона дискретне – третира

електроне као честице у кутији константне енергије.
• Користи Паулијев принцип при расподели електрона
Концентрација електрона чије су брзине J у интервалу \J

по одговарајућим енергијским стањима.
је:
¾ N J \J . 9.58
Интеракција између електрона се занемарује, односно електронски

гас се посматра као систем неинтерагујућих честица. Шредингерова
једначина за слободан електрон у три димензије гласи:
188 |
ℏ
+ ∇ /(c) = q/(c). (9.59)
2f
Електронски гас је ограничен у коцки ивице L на Т=0.
Потенцијал унутар коцке је константан и једнак нули, док је на
границама бесконачан. Гранични услови могу да се изаберу
произвољно када запреминска својства метала не зависе од облика
површине. Зомерфилд је применио периодичне (Борн-Карманове)
/(( + ü, ) + ü, * + ü) = /((, ), *).

граничне услове:
(9.60)
На тај начин, решење Шредингерове једначине (9.59) је облика:
1
/@ (c) = d "@s . (9.61)
√
Овој таласној функцији одговарају својствене вредности енергије
ℏ U ℏ
електрона:
q(U) = = U +U +U . (9.62)
2f 2f û
Најзад, фактор нормирања таласне функције (9.61) одређује се из
услова да је вероватноћа налажења проводног електрона у
запремини једнака јединици, тј.
¾|/(c)| \c = 1. (9.63)
одређене дискретне вредности таласног вектора U, односно само за

Приметимо да су гранични услови (9.60) задовољени само за
оне вредности које задовољавају услов:

2, 2, 2,
Uû = û, U = , U = , (9.64)
ü ü ü
где су " = 0, ±1, ±2, … (— = (, ), *). На тај начин, свака вредност
таласног вектора U означава посебно стање. У квантној механици се
користи тзв. оператор импулса b̂ , па се за стање описано таласном
фунцијом (9.61) добија:
b̂ /@ = −—ℏ∇/@ = ℏU/@ . (9.65)
Одавде се види да U има улогу таласног вектора за слободне
талас /@ , док је својствена вредност ℏU.

електроне, а својствена функција оператора импулса је равански
189 |
Из једнакости fJ ℏU одређујемо брзину електрона у стању

U:
ℏ
U. 9.66
J
f
Сада су дефинисани енергетски нивои на које се електрони смештају
вредношћу таласног броја U може да прими два електрона са

у складу са Паулијевим принципом. Сваки ниво означен одређеном
супротно орјентисаним спиновима. У основном стању система од N
тачке унутар сфере у U-простору. Ова се сфера назива Фермијевом

слободних електрона, заузета стања могу бити представљена као
енергија qø . Полупречник Фермијеве сфере је Фермијев таласни број

сфером (слика 9.8). Енергија на површини сфере је Фермијева
Uø , а запремина је ,Uø .
Ž
Слика 9.8. Фермијева сфера у -простору
У сваком запреминском елементу 2,⁄ü у U-простору
тројка квантних бројева Uû , U , U . Према томе, у сфери запремине

постоји један дозвољени таласни вектор, односно једна одређена
4,Uø ⁄3 укупан број дозвољених стања износи:

4,Uø ⁄3
2 Uø 3. 9.67
2,⁄ü 3,
квантног броја за сваку дозвољену вредност U. Из претходног израза

Коефицијент 2 потиче од две дозвољене вредности спинског
добијамо да је:
⁄
3, 3
Uø š › . 9.68
190 |
Одавде видимо да Uø зависи само од концентрације електрона 3⁄

и да не зависи од њихове масе.
Сада се на основу израза (9.62) добија Фермијева енергија:
ℏ 3, 3
⁄
qø š › . 9.69
2f
Брзина електрона на Фермијевој површини је:
ℏUø ℏ 3, 3
⁄
Jø š › , 9.70
f f
ℏ Z @Q
при чему је за слободне електроне qø
Z
u
, а Фермијева брзина
ℏ@Q
електрона у металу Jø u
~10W f⁄R. Густина стања за слободне
електроне је:
2f ⁄
7 q ∙ y z ∙ q ⁄ . 9.71
2, ℏ
График зависности 7 q приказан је на слици 9.9.
Слика 9.9. Густина једноелектронских стања у функцији

температуре за гас слободних електрона
Испрекидана линија на овој слици представља густину

заузетих стања за неку коначну температуру, а добијена је
множењем Ферми-Диракове функције расподеле и густине стања.
ℏ U
Укупна енергија основног стања је:
q 2 • . 9.72
2f
@o@Q
191 |
За велико 3, вредности U су међусобно веома блиске те се практично

могу сматрати континуалним, односно сумирање се може заменити
интеграцијом:
•→ ¾ \U . (9.73)
8,
@
На тај начин, укупна енергија система електрона постаје:

ℏ U ℏ U 1 ℏ Uø†
q=2 ¾ \U = 2 ¾ 4,U \U = , (9.74)
8, 2f 8, 2f 10 , f
док је средња енергија једног електрона:
ℏ Z @Q
q q⁄
p
3 3
qM = = = ; £Z u
= Šø = UÞ ø. (9.75)
3 3⁄ @Q>
5 5
£Z
За разлику од класичног гаса, квантно механички
електронски гас има приметну енергију основног стања. На собној
температури средња енергија електронског гаса је око 100 пута већа
од средње енергије класичног гаса. Са ø је означена Фермијева
температура као однос Фермијеве енергије и Болцманове
константе:
qø
= . (9.76)
ø
UÞ
Важно је истаћи да ø нема никакве везе са температуром
електронског гаса и њена приближна вредност је реда 10† ƒ.
9.8. Топлотни капацитет електронског гаса
слободне честице је 3UÞ . То значи да би у металу који садржи N

Према класичној теорији, топлотни капацитет сваке
атома, сваки атом дао по један слободан електрон електронском
метала био 33UÞ ⁄2. Са друге стране, експериментално одређена

гасу због чега би допринос електронског гаса топлотном капацитету
вредност овог доприноса је 100 пута мања. Ово неслагање је

збуњивало Лоренца и друге истраживаче јер је указивала на
чињеницу да електрони могу да учествују у електричној
проводности метала, а да не доприносе његовом топлотном
апсолутне нуле не добија сваки електрон енергију UÞ , као што је

капацитету. На слици 9.9 може се уочити да на температурама изнад
предвиђала класична теорија. Топлотно се побуђују само они
192 |
електрони у стањима у уској области ширине неколико UÞ око

Фермијевог нивоа.
И при високим температурама експериментални резултати
се значајно разликују од резултата класичне теорије према којој
слободни електрони морају да дају допринос топлотном капацитету
метала. Решење овог проблема дао је Зомерфилдов модел
објашњавајући да топлотно осциловање атома кристалне решетке
подлеже класичној статистици, али да слободни електрони у металу
подлежу квантној Ферми-Дираковој статистици. Према
Зомерфилдовом моделу, топлотни капацитет метала је:
áq , , UÞ
‡¢ U 7 qø UÞ . (9.77)
á 3 Þ 2 qø
Овај резултат је у сагласности са експерименталним
‡¢ ~ . Наиме, на било којој коначној температури Ферми-Диракова

резултатима и из њега се лако може разумети пропорционалност
само у уској области ширине „неколико“ UÞ око своје максималне

расподела приметно мења своју вредност од оне на апсолутној нули
вредности ö. Фермијев ниво се помера за овај уски опсег енергије

услед термички створених парова електрон-шупљина. Ова стања
су за „неколико“ UÞ удаљена од ö, стања у Фермијевој сфери су и

нису ни потпуно заузета нити потпуно празна. При енергијама које
даље потпуно заузета, док стања изван сфере остају празна. На тај
начин, већина електрона је замрзнута у стањима испод Фермијеве
UÞ око Фермијевог нивоа, односно око UÞ ⁄qø од укупног броја

енергије: само они електрони који су у појасу ширине од неколико
електрона могу да се термички побуде. Само ови топлотно побуђени

електрони дају коначан допринос топлотној капацитивности.
температури је ∝ 7(qø )UÞ . Сваки од њих добија енергију ~UÞ .

Број побуђених електрона на било којој коначној
Укупна добијена енергија је ~(UÞ ) 7(qø ), па је

‡¢ ~UÞ 7(qø ). (9.78)
Пропорционалност ‡¢ ∝ није запажена на собној температури, а за
неки шири температурни опсег важи:
‡¢ = +l . (9.79)
Вредности коефицијента за алкалне метале се одлично слажу са
експерименталним вредностима. Разлике у израчунатим и
експерименталним вредностима могу се приписати другачијој
193 |
(ефективној) маси електрона која узима у обзир периодични

потенцијал кристалне решетке метала.
9.9. Топлотна проводност метала

За коефицијент топлотне проводности и специфичне
2, •̅Ê UÞ 3 2 d •̅Ê 3
електричне проводности, Зомерфилд је добио следеће изразе:
⁄ ⁄
) y z , ‹= y z . (9.80)
3 ℏ 4, 3 ℏ 4,
Однос ове две физичке величине је:
) , UÞ
= y z ∙ =ü∙ . (9.81)
‹ 3 d
Релација (9.81) је потврђивала линеарну зависност од температуре
броја (2.44 ∙ 10 WΩ⁄K ). Међутим, за температуре ниже од собне

за температуре више од собне и нумеричку вредност Лоренцовог
експериментално је утврђено веће одступање од линеарног закона,

док при веома ниским температурама поново важи линеарна
зависност. Узрок одступања је у теоријској претпоставци једнаких
средњих дужина слободног пута електрона. Оне су једнаке до
одређеног степена тачности само на високим температурама.
За квалитативну оцену температурне зависности
електрона Jø чија енергија одговара енергији Фермијевог нивоа

коефицијента топлотне проводности потребно је узети брзину
‡¢ Jø •̅Ê
тако да је:
)= . (9.82)
3
Поред тога, уместо класичне специфичне топлоте електрона 3„ ⁄2
треба узети израз (9.77), па се добија:
, UÞ
)= ∙ ∙ •̅ ∙ . (9.83)
3 fJø Ê
Ова се једнакост, у зависности од температуре , може тумачити на
следећи начин:
пута електрона је •̅Ê ~ xM ≈ , па коефицијент топлотне

1. У области високих температура, средња дужина слободног
W
проводности не зависи од температуре.
194 |
2. На нижим температурама је •̅Ê ~ > што значи да је топлотна

проводност електронског гаса пропорционална са Z.
3. На веома ниским температурама број фонона се јако смањује,
па је средња дужина слободног пута електона одређена
расејањем на дефектима атомских размера и не зависи од
температуре што значи да је коефицијент топлотне
проводности пропорционалан са .
На крају, још једном напоменимо да се топлотна проводност
метала састоји од дела условљеног фононима (осциловањем
кристалне решетке) и дела који се остварује слободним
електронима.
Доминантни механизам топлотне проводљивости метала остварује
се слободним електронима. Због тога су метали значајније бољи
проводници топлоте од диелектрика, а посебно у области врло
високих и врло ниских температура. Поређење Зомерфилдових и
Друдеових резултата показало је разлику само између величина које
експлицитно зависе од брзине и средњег слободног пута електрона
• Топлотна проводност )Ê = J•̅Ê ‡¢ остаје непромењена.

јер време релаксације не зависи од фунције расподеле:
Топлотна снага ] = − xÊ
M
Z
• је око 100 пута мања према
Зомерфилду него према Друдеу, што одговара измереним
вредностима.
• Електричне особине метала остају непромењене.
• Видерман-Францов закон остаје теоријски валидан
(експериментално важи само на врло ниским и врло високим
температурама).
195 |
1 0. ДИЕЛ ЕК ТР ИЧ НЕ ОСОБИНЕ ЧВР СТИХ

ТЕЛА
Термином „диелектрик“ (од грчке речи „die“-кроз и енглеске

речи „electric“-електрични) Мајкл Фарадеј је назвао средину у којој
трајно може да постоји електрично поље. На основу испитивања
утврђено је да се у диелектрику који је унет у спољашње електрично
поље индукује унутрашње - поларизационо поље. Ово поље је
антипаралелно спољашњем пољу и слабије је од њега због чега не
може доћи до њиховог компензовања. Овим је условљено постојање
поменутог унутрашњег поља у диелектрику (такозвана
„пропустљивост“ диелектрика).
које одликује велика специфична електрична отпорност 7~10W −

У диелектрике спадају, у првом реду, електрични изолатори
10 Ωm) и велики енергетски процеп q > 3.5eV који их на собној

температури чини практично непроводним. Међутим, појам
диелектрика је знатно шири, јер се диелектричним особинама
одликују и многи материјали који се у погледу електричне
проводности сврставају у групу полупроводника. Овакво
проширење појма диелектрик односи се на понашање диелектрика
и полупроводника у спољашњем електричном пољу.
Кад се диелектрик унесе у статичко електрично поље у њему
ће се појавити слаба електрична струја сачињена од проводне и
померајне компоненте. Проводни део електричне струје односи се
на усмерено кретање слободних носилаца наелектрисања којих у
диелектрику има занемарљиво мало, па се и њихов утицај у укупној
струји занемарује. Померајна струја настаје услед поларизације,
односно прерасподеле везаних наелектрисања у диелектрику.
Уопштено говорећи, понашање диелектрика зависи и од
јачине спољашњег електричног поља. За сваки диелектрични
материјал постоји гранична - критична вредност јачине поља при
којој долази до пробоја диелектрика и успостављања проводног
режима у њему. Критична јачина електричног поља која доводи до
(ƒ@s ). Вредност диелектричне чврстоће неких диелектрика је чак

пробоја назива се диелектричном чврстоћом датог диелектрика
109 V/m, а смањује се са порастом температуре, влаге и гасовитих

примеса. Поред тога, на вредност диелектричне чврстоће утиче
такође и облик електрода.
196 |
При топлотном побуђењу диелектрика интензивира се

прелазак електрона са врха валентне на дно проводне зоне, чиме се
повећава концентрација проводних парова електрон - шупљина и
смањује отпорност диелектрика. При одређеној вредности
температуре наступа такозвани топлотни пробој диелектрика.
Јако електрично поље може у диелектрику изазвати и
хемијске промене (електролиза, појава озона у ваздуху у близини
појава које доводе до пробоја врло брзо (после 10 ( − 10 s),

површине материјала и сл.). За разлику од електричних и топлотних
хемијске промене под дејством јаког електричног поља су знатно

спорије (и до неколико дана), а доводе до старења чврстог
диелектрика.
Да би се објасниле диелектричне особине чврстог тела није
довољна само слика његове зоналне структуре са великим
енергетским процепом и практично празном проводном зоном на
собној температури, већ је неопходно узети у обзир и динамику
честица (атома, јона или молекула) датог диелектричног
материјала. Овим се објашњавају разноврсна својства поларизације
диелектрика у једносмерним и наизменичним електричним
пољима.
10.1. Класификација диелектрика

Диелектрици се могу класификовати према: употреби,
пореклу, агрегатном стању, изолационим својствима и начину
поларизације, електричној структури итд.
Према употреби диелектрици се класификују на пасивне и
активне. Пасивни се обично користе само као изолациони
материјали. Представници пасивних диелектрика су
парадиелектрици које карактерише линеарна пропорционалност
између поларизације и јачине резултујућег електричног поља.
Активни диелектрици се употребљавају у електричним
компонентама: кондензаторима, пиезопретварачима, дисплејима
итд. Представници активних диелектрика су:
• Фероелектрици – код којих се поларизација одвија због
уређивања одређених елемената у кристалној решетки.
Поменути елементи нису били уређени у одређеном
температурном интервалу;
• Пиезоелектрици – код којих поларизација наступа услед
механичких напрезања;
197 |
• Пироелектрици - код којих се поларизација дешава услед

загревања или хлађења;
• Електрети - поларизација се одвија „замрзавањем“ центара
позитивног и негативног наелектрисања, хлађењем или
осветљавањем диелектрика у јаком константном спољашњем
електричном пољу;
Према пореклу диелектрици се класификују на органске и
неорганске, при чему и једни и други могу бити природни или
синтетички.
Према изолационим својствима, диелектрици се класификују
на слабе, добре и одличне изолаторе. Одлични изолатори су обично
материјали са ковалентним хемијским везама и електронском
поларизацијом. Добри изолатори су са јонским хемијским везама и
јонском поларизацијом, а слаби имају структуру са сталним
електричним диполима и оријентациону поларизацију.
Према електричној структури, диелектрици се класификују
на:
1) Неполарне, које одликује особина да им је
поларизација пре уношења у електрично поље и после изношења из
r
њега једнака нули, тј. P =0 .
2) Поларне, који се одликују постојањем перманентних
диполних момената стехиометријских јединица, односно
елементарних ћелија кристалних диелектрика који су оријентисани
паралелно тако да диелектрик у одсуству спољашњег поља има
уређену електричну структуру и спонтану поларизацију.
3) Антиполарне, код којих постоје елементарни диполни
моменти и уређена електрична структура, али су суседни моменти
анти паралелни због чега је резултујућа поларизација једнака нули.
Поларни кристални диелектрици се, затим деле на две класе:
- Прву класу карактерише постојање спонтане поларизације у целој
температурској области постојања чврсте фазе. Под утицајем
спољашњег електричног поља поларизација ових кристала може да
се мења по интензитету, али не и смеру. Интензитет поларизације
могу мењати и механички утицаји, на пример код пиезоелектрика,
док се код пироелектрика интензитет поларизације мења
механичким утицајима, али и променом температуре.
- Другу класу поларних кристала чине фероелектрици који се
одликују постојањем спонтане поларизације у ужем
198 |
температурском интервалу, нпр. од апсолутне нуле до тзв. Киријеве

температуре изнад које прелазе у стање неполарних диелектрика.
Остале поделе, подподеле и детаљне класификације
диелектрика врше се на основу:
1) Механичких особина: еластичност, тврдоћа,
вискозност...
2) Топлотних особина: ширење, проводност, топлотни
капацитет, топљење, испаравање...
3) Електричних особина: електропроводност,
поларизација, диелектрични губици, старење, пробој, дифузија...
Постоје и особине диелектрика које нису чисто механичке,
топлотне или електричне, већ су узајамно повезане. На пример, веза
електричних и механичких својстава највише се испољава код
пиезоелектрика, док се веза између електричних и топлотних
испољава углавном код пироелектрика. Поред тога, све појаве код
диелектрика могу да се поделе на повратне (реверзибилне) и
неповратне. Повратне појаве су: поларизација, еластична
деформација и сл. Неповратне појаве су: пробој, диелектрични
губици, старење, кидање, транспорт, итд.
10.2. Локално електрично поље

Електрично поље које делује на један, било који, атом
пољем ƒ^2@ . На слици 10.1 приказан је диелектрик са кубичном

(молекул или јон) у чврстом телу назива се локалним електричним
кристалном структуром у облику елипсоида. У унутрашњости
електрично поље ƒ; . Ако се правац спољашњег поља поклапа са

елипсоида је сферна шупљина, а елипсоид је унет у спољашње
барем једном осом елипсоида тада је:

ƒ^2@ ƒ; ƒ ƒ ƒ. (10.1)
ƒ – електрично поље настало од везаних наелектрисања на

Овде је:
ƒ – електрично поље које потиче од везаних наелектрисања

спољашњој површини елипсоида;
ƒ - електрично поље које је настало од атома унутар сферне

на површини замишљене сфере;
шупљине.
199 |
Слика 10.1. Диелектрик облика елипсоида са сферном
поље qe
шупљином у унутрашњости смештен у спољашње електрично
У случају хомогеног елипсоида је:

ƒ^2@ ƒ; ƒ . 10.2
Електрично поље ƒ назива се и деполаризујуће поље зато што је
његов смер супротан смеру спољашњег поља и поларизације Ô.
Деполаризујуће поље је пропорционално вектору поларизације Ô:
3
ƒ − Ô. 10.3
Š;
Овде је Š; 8.85 ∙ 10 ² ⁄f – диелектрична пропустљивост
вакуума, 3 - фактор деполаризовања који зависи од односа дужина
главних оса елипсоида. Вредности 3 се крећу од 0 до 1 и дате су за
неке граничне случајеве у табели 10.1.
Табела 10.1.
Облик Оса N
Сфера Произвољна 1/3

Танка плоча Нормална 1
Танка плоча У равни 0
Дугачак кружни Лонгитудинална 0
цилиндар
200 |
Дугачки кружни трансверзална 1/2

цилиндар
Поље ƒ први је израчунао Лоренц па се зато и назива
Лоренцовим пољем. Ово поље се може лако израчунати помоћу
наелектрисања Ô cos ª, при чему је ª угао између радијус вектора

слике 10.2. На зидовима сферне шупљине је површинска густина
повученог из центра сфере и смера поларизације. Електрично поље

у центру сферне шупљине полупречника је:
£
1 Ô
ƒ ¾ ∙ 2, sinª ∙ \ª ∙ Ô cos ª ∙ cos ª . 10.4
4,Š; 3Š;
;
Слика 10.2. Наелектрисање на прстену је rsótõu ∙ sòu ∙

v wxó u
Електрично поље ƒ , које потиче од дипола у унутрашњости

сферне шупљине, једини је члан који зависи од кристалне структуре
диелектричног узорка. За његово израчунавање је неопходно
познавати елементе структуре узорка. Израчунавање је тачније
уколико се узме већи број суседа, односно уколико је полупречник
замишљене сфере већи. Проблем се своди на сумирање јачина поља
које делују на i-ти дипол од стране свих осталих j-тих дипола, који се
налазе у сфери:
1 3 b€ ∙ c"€ c"€ − c"€ b€
ƒ • . 10.5
4,Š; c"€†
€‚"
Ако околина i-тог дипола има структуру високе симетрије (кубичну

или сферну) може се показати да је јачина овог поља једнака нули
или је занемарљиво мала.
201 |
10.3. Поље у диелектрику између плоча

кондензатора
Релативна диелектрична пропустљивост, као и поларизација
диелектрика, одређују се обично мерењем капацитета
кондензатора између чијих плоча се налази дати диелектрик. На
диелектрика јачина поља између плоча ƒ′. Када се простор између

слици 10.3 приказан је кондензатор код ког је у одсуству
плоча кондензатора испуни диелектриком, на његовој ће се

површини појавити поларизациона наелектрисања. Ова
наелектрисања ће се неутрализовати наелектрисањем које протиче
кроз коло на плоче кондензатора. Средња вредност поља у
y
наелектрисања на диелектрику ƒ + и поља које потиче од
диелектрику је збир поља које потиче од поларизованих
XŸ
првобитних и неутралишућих наелектрисања на плочама ƒ; ƒÁ +
y
X
.
Ÿ
Слика 10.3. Плочасти кондензатор испуњен диелектриком и

прикључен на спољашњи извор струје
диелектрику ƒ иста је као и поља када је у простору између плоча

Средња вредност електричног поља по запремини у
кондензатора био вакуум:

ƒ ƒ; ƒ ƒ Á . 10.6
Локално електрично поље је:
ƒ^2@ ƒ; ƒ ƒ ƒ
Ô Ô Ô
šƒ › š− › š › 0 , 10.7
Š; Š; 3Š;
па се за кубичну или сферну симетрију добија Лоренцова релација:
202 |
Ô
ƒ^2@ ƒ , (10.8)
3Š;
где је ƒ просторно средње поље у унутрашњости диелектрика. Ако
y
узорак има нижи степен симетрије, коефицијент уз X неће бити . .
Ÿ
10. 4. Диелектрична чврста тела у спољашњем пољу
утицајима квантитативно се описује помоћу поларизације Ô. Нека је

Понашање диелектрика под различитим спољашњим
диелектрик унет у спољашње електрично поље ƒ . Под дејством овог

поља долази до раздвајања центара позитивних и негативних
наелектрисања у атомима (молекулима или јонима), односно до
индуковања диполних момената:
b = ? ∙ \, (10.9)
где је \ растојање између центара позитивног и негативног
наелектрисања. Диполни момент јединице запремине диелектрика
је поларизација:
• x
1
Ô= • b" = • b€ , (10.10)
"ž €ž
где је 3 број атома диелектрика у запремини , а = 3/ је

концентрација атома.
Диполни моменти, а према томе и поларизација поларних
диелектрика, могу бити различити од нуле и ако се диелектрик не
налази у електричном пољу. Међутим, усвојено је да је поларизација
функција јачине спољашњег електричног поља за све диелектрике,
односно:
Ô = Š; iÊ ƒ = Š; (Šs − 1)ƒ , (10.11)
где је Š; - диелектрична пропустљивост вакуума, iÊ – диелектрична
сусцептибилност, а Šs - релативна диелектрична пропустљивост
датог материјала. У општем случају, диелектрична сусцептибилност
и релативна диелектрична пропустљивост зависе од јачине
електричног поља.
203 |
Постоје и такозвани линеарни диелектрици код којих је iÊ

v Rw, односно Šs v Rw, што значи да је Ô ~ƒ за широк распон
промене јачине електричног поља.
Важан параметар код диелектрика је и електрична индукција
која се састоји од два члана:
F = Ô + Š; ƒ . (10.12)
Први члан је условљен поларизацијом диелектрика, а други постоји
и кад диелектрика нема.
У случају изотропних диелектрика релације (10.11) и (10.12)
диелектрика вектори ƒ , F и Ô немају исти правац, а њихова

могу да се напишу у скаларном облику. Код анизотропних
сусцептибилност и пропустљивост су симетрични тензори другог

реда. Из релација (10.11) и (10.12) следи:
F = Š; (1 − iÊ )ƒ = Š; Šs ƒ , (10.13)
где се величина Š; Šs = Š назива апсолутном диелектричном
пропустљивошћу и уведена је при усвајању SI система ради
се чешће користи релативна диелектрична пропустљивост Šs због

сажетијег писања релација у електродинамици. Међутим, у пракси
могућности њеног непосредног мерења.

У изотропним диелектрицима, као и у диелектрицима са
кубном симетријом, релативна диелектрична пропустљивост
дефинисана je као:
F Ô
Šs = = 1+ = 1 + iÊ . (10.14)
Š; ƒ Š; ƒ
поларизабилност , дефинише се као однос диполног момента — –тог

Способност поларизације диелектрика или, скраћено,
атома b" и локалног електричног поља ƒ^2@(") у околини тог атома:

b"
" = . (10.15)
ƒ^2@(")
Уношењем овог израза у (10.10) добија се
Ô = • 3" " ƒ^2@(") . (10.16)

"
Овде је 3" број атома —-те врсте по јединици запремине, " и q^2@(") су
поларизабилност и локално електрично поље за атоме —-те врсте.
204 |
Уносећи израз (10.8) за локално електрично поље и након

сређивања добија се такозвана Клаузијус - Мосотијева релација:
Š+1 1
= • 3" (10.17)
Š + 1 3Š; "
"
пропустљивост Š и микроскопску величину - поларизабилност " .

која повезује макроскопску величину - диелектричну
Дакле, када је измерена диелектрична пропустљивост материјала

може се, из Клаузијус-Мосотијеве релације, одредити и његова
поларизабилност.
У општем случају, поларизабилност може да се растави на
три дела: електронску, јонску и оријентациону (диполну).
Електронска поларизација потиче од померања електрона у односу
на језгро под утицајем електричног поља. Јонска потиче од
померања и деформације јона у односу на друге јоне, под дејством
електричног поља. Орјентациона поларизација се јавља у случају
супстанци чији су молекули са перманентним електричним
диполним моментима који могу бити, мање или више, слободни да
мењају своју оријентацију у примењеном електричном пољу.
10.5. Механизми еластичног поларизовања

диелектрика
За описивање различитих облика поларизације диелектрика
који је унет у спољашње електрично поље потребно је познавати
природу честица које учествују у поларизацији, али и природу
њихове интеракције. Под дејством спољашњег поља честице
диелектрика бивају померене из својих равнотежних положаја.
Уколико су силе које теже да врате честице у њихов равнотежни
положај еластичне природе говори се о еластичној или
деформационој поларизацији.
Код еластичне поларизације улогу механичког напона (по
b
аналогији са Хуковим законом) има електрична сила:
²Ê = ? ∙ q = ? ∙ (10.18)
која изводи честице са наелектрисањем ? из равнотежног положаја

(( = 0) на растојање ( ≠ 0.
205 |
Сили ²Ê се супроставља еластична сила ²r која тежи да врати

систем у равнотежни положај. У случају слабих поља, односно при
ниским температурама еластична сила је:
²r +U (, (10.19)
где је U - константа „еластичности“.
У поларизованом стању је ²Ê = −²r и систем је у равнотежи.
Овај процес је праћен променом потенцијалне енергије система
наелектрисања:
1
p = U( . (10.20)
2
Израз (10.20) важи у случају малих померања из равнотежног
положаја (хармонијска апроксимација) и представља заправо само
први члан у општем развоју енергије по степенима померања из
равнотежног положаја:
1 1 Ž 1 W
p = U( + ( + ( +⋯ (10.21)
2 4 6
У случају када се проста линеарна зависност нарушава и
померање наелектрисања постане „квазиеластично“ неопходно је
узети и следећи члан развоја (10.21):
1 1 Ž
p = U( + ( . (10.22)
2 4
За коефицијент анхармоничности мора важити > 0 да би се
еластичности U у изразу (10.22) у принципу, може имати и

обезбедила стабилна равнотежа система, док коефицијент
позитивне и негативне вредности.

Потенцијална енергија дата релацијом (10.22) представља
анхармонијску апроксимацију и одговара већим померањима која
постоје у јаким електричним пољима, или при повишеним
температурама. Треба нагласити да појмови слабо или јако поље и
ниске и високе температуре имају условно значење и зависе од
природе датог диелектрика.
10.5.1. Електронска еластична поларизација

Електрично поље делује и на електронски омотач и на
атомско језгро, али због велике разлике у масама електрона и језгра,
целокупан ефекат се може представити као деформација
електронске путање (слика 10.4). Код поларних диелектрика под
206 |
дејством електричног поља долази до мале, али коначне

деформације електронског облака, док код неполарних
диелектрика долази до раздвајања ефективних центара позитивног
и негативног наелектрисања, односно до образовања дипола.
Електронска поларизација је присутна у свим диелектричним
материјалима (поларним и неполарним), без обзира да ли у њима
постоје други видови поларизације. Другим речима, електронска
поларизација представља универзалну компоненту укупне
поларизације за све диелектрике. Успоставља се веома брзо, за 10-17-
10-16 s. Овај механизам поларизовања, због мале масе електрона у
односу на ефективне масе осталих честица у диелектрику, има
најмању инерцију, која се уочава само на врло високим
фреквенцијама (видљиви и ултраљубичасти део спектра).
растојање ( у најпростијем атому водоника изводи сила:

Релативно померање центра негативног наелектрисања на
? (
²Ê , 10.23
4,Š; c
>
( Z
где је c -радијус атома.
Слика 10.4. Приказ електронске поларизације у неутралном

диелектрику у одсуству и присуству спољашњег електричног
поља
После успостављања равнотеже је ²Ê −²r U(, па израз за

„константу еластичности“ постаје:
?
U > . 10.24
4,Š; c ( Z
Електронска поларизабилност атома једнака је Ê ? ⁄U, односно:
207 |
>
( Z
4,Š; c š1 + › . (10.25)
Ê
c
Спољашње електрично поље је обично слабије од
самим тим је ( ≪ c, одакле следи да је:

унутрашњег локалног поља, што значи да је померање x мало, а
Ê = 4,Š; c . (10.26)
Дакле, електронска поларизабилност атома одређена је, пре свега,
његовим радијусом.
Због чињенице да је Боров модел приближан и да
електронски облаци нису локализовани, већ су расплинути око
језгра, строги квантномеханички прорачун даје нешто већу
вредност за електронску поларизабилност:
Ê = 18,Š; c . (10.27)
Ово се објашњава чињеницом да удаљенији делови раширеног
поларизабилности (~ c ) јер су слабије везани са језгром. Према

електронског облака значајније доприносе повећању
томе, јасно је да ће електронска поларизабилност атома брзо расти

са повећањем полупречника електронског облака, односно са
повећањем њиховог редног броја, а све због слабљења интеракције
између језгра и валентних електрона.
10.5.2. Јонска еластична поларизација

Још један облик неутралне и деформационе еластичне
поларизације је јонска поларизација која се јавља код диелектрика
са јонским типом међучестичне везе. На левој страни слике 10.5
приказана је решетка јонског диелектрика у којем се јони налазе на
једнаким међусобним растојањима у равнотежним положајима, у
одсуству спољашњег електричног поља. Кад се јонска решетка унесе
у спољашње електрично поље долази до промене међусобног
положаја позитивних и негативних јона (слика 10.5 десно) и
успоставља брзо, за `€ ~ 10 † − 10 Ž R, и за њу се дефинише јонска

формирања електричних дипола. Јонска поларизације се такође
поларизабилност:
?
= . (10.28)
€
U
208 |
Спорије успостављање јонске поларизације у односу на електронску

је природна последица околности да у процесу поларизовања
учествују јони чија је ефективна маса знатно већа од масе електрона.
Јонска поларизација се уочава у инфрацрвеној области
електромагнетног спектра, а израженија је код диелектрика чији
јони имају вишу валентност (Ti4+у структури BaTiO3).
Слика 10.5. Приказ јонске поларизације у јонском кристалу у

одсуству и присуству електричног поља
Код објашњења јонске поларизације усваја се модел „крутог“

јона који јоне представља у облику куглица код којих се занемарују
све интеракције осим Кулонових, а које се јављају при контакту
електронских облака два јона. Узима се да је наелектрисање јона
јона је c; . Нека се то растојање под дејством електричног поља

сконцентрисано у његовом центру, а растојање између два суседна
промени на c; (. Разлика енергија интеракције између два

једноструко наелектрисана јона на овим растојањима је:
1
p c; ( − p c; ¾ U(\( U( . 10.29
2
по ( добија се константа еластичности:

Диференцирајући два пута леву и десну страну ове релације
\ p c; (
U . 10.30
\(
После интегрирања се добија:
?
U − 1 . 10.31
4,Š; c;
Уношење израза (10.31) у (10.28) даје:
209 |
4,Š; c;
. (10.32)
€
−1
Јонска поларизабилност је дакле, као и електронска, одређена
трећим степеном полупречника јона. Међутим, поларизација
јонских диелектрика је већа од диелектрика са чисто електронском
поларизацијом, пошто је код њих, сем механизма електронске
поларизације, присутан и механизам јонског померања.
Код неких диелектрика уочена су извесна неслагања између
експерименталних и теоријских резултата (спектри соли Na, Li, Tl и
др.) као последица две околности:
- Прва околност повезана је са условним значењем појмова
„јон“ и „јонска веза“ код реалних кристала, као и са чињеницом да је
термин поларна веза - као прелаз од јонске ка ковалентној вези
далеко адекватнији.
- Друга околност је због коришћења доста упрошћеног
модела „крутог“ неполаризабилног јона. Коректнији резултати,
односно боља слагања са експериментом би се добила у случају
коришћења модела „деформабилног“ јона у којем је поларизација
делом условљена померањем „скелета“ јона, а делом померањем
електронског облака јона.
10.5.3. Оријентациона еластична поларизација

Молекули поларних диелектрика имају сопствене диполне
електричне моменте независно од спољашњег електричног поља
електрично поље ƒ долази до делимичног уређивања диполне

(слика 10.6.а). Кад се поларни диелектрик унесе у спољашње
оријентације (слика 10.6.б). Уређеност није комплетна јер услед

непрекидног топлотног кретања диполи не могу да се поставе
сасвим у правцу електричног поља.
210 |
Слика 10.6. Приказ оријентације дипола у поларном

диелектрику: а) у одсуству и б) присуству спољашњег
електричног поља
Број оријентисаних дипола у правцу поља ƒ повећава се са

повећањем јачине електричног поља и смањењем температуре (јер
се смањује термичко, неуређено кретање молекула). За
(око ` ~ 10 T R), због чега се зове спора или релаксациона

успостављање орјентационе поларизације потребно је дуже време
поларизација. Оријентациона поларизација у диелектричном

материјалу праћена је великим диелектричним губицима због
претварања електричне енергије у топлотну.
Посматра се случај молекула HCl који има стални диполни
момент (слика 10.7.а). Услед термичких вибрација молекула HCl,
њихови су диполни моменти у диелектрику хаотично распоређени
(слика 10.7.б). Кад се овај диелектрик унесе у спољашње електрично
поље стални диполни момент молекула HCl ротира за угао θ у
односу на првобитни правац, а под дејством момента електричне
силе (слика 10.7.в). У присуству спољашњег поља диполни моменти
свих молекула теже да заузму правац спољашњег поља (слика
10.7.г).
211 |
Слика 10.7. Оријентациона (диполна) поларизација
Нека је дипол са моментом b; орјентисан у правцу неког

унутрашњег електричног поља ƒ^2@ . Под дејством спољашњег
електричног поља ƒ; , дипол скреће за мали угао θ. Због обртања
поља ƒ; . Само пројекција сталног диполног момента даје допринос

дипола за угао θ мења се пројекција диполног момента на правац
поларизацији диелектрика:
b b; cos « . 10.33
Средња или просечна вредност пројекције сталних диполних
момената свих молекула у диелектрику је:
〈b〉 b; 〈 vR«〉 b; ü . 10.34
Овде је ü Ланжевенова функција коју је он првобитно извео за
парамагнетске гасове, а Дебај ју је касније применио на случај
„електричног гаса“ дипола:
d¥ d ¥
1
ü − , 10.35
d¥ − d ¥
где је:
b;
q . 10.36
U ^2@
212 |
За → ∞ (ниске температуре или јака поља ƒ^2@ ) важи ü( ) → 1,

односно 〈«〉 = 0 и сви диполи су у смеру поља, док је за ≤ 1 пак
ü( ) ≈ . Да би на собној температури било = 1, мора бити ƒ^2@ =
¥
10( V⁄cm. То значи да је за ≤ 1:

b;
〈b〉 = ƒ = t ƒ^2@ , (10.37)
3U ^2@
а одавде се добија оријентациона (диполна) поларизабилност:
b;
. = (10.38)
3U
2s
температури износи приближно 10 T Fm , дакле реда је Ê .

Вредност оријентационе поларизабилности при собној
Постоји још један облик неутралне поларизације, такозвана

међуслојна поларизација као последица постојања просторних
наелектрисања, а јавља се у случају када постоје релативно слободна
наелектрисања (нпр. јони нечистоћа) на местима дефеката у
кристалној решетки посматраног диелектрика. У присуству
спољашњег електричног поља долази до просторне прерасподеле
ових наелектрисања, што за резултат има раздвајање позитивног и
негативног наелектрисања и образовање електричних дипола. За
( u ):
међуслојну поларизацију дефинише се међуслојна поларизабилност
b= u ƒ^2@ . (10.39)
`u ~10 R.
Време потребно за прерасподелу просторног наелектрисања је
10.6. Топлотна проводност диелектрика

Због занемарљивог броја слободних електрона у
диелектрицима главни допринос топлотној проводности потиче од
осциловања атома у чворовима њихове кристалне решетке. При
загревању неког дела диелектрика амплитуде осциловања атома се
повећавају. С обзиром на еластичне везе између атома ово увећање
амплитуда се преноси на околне атоме, па са њих на њихове суседе
итд. На тај начин се кинетичка енергија осциловања атома преноси
од загрејаног ка хладнијем делу тела. Овај процес је идентичан
простирању еластичних звучних таласа кроз чврсто тело.
213 |
Осциловања атома диелектрика нису строго хармонијска јер

би се у том случају еластични таласи простирали без пригушења, а
топлотна проводност би била бесконачна. Међутим, познато је да
реалних кристала се у развоју потенцијалне енергије p ( узима у

реална чврста тела имају коначну топлотну проводност. Код
обзир анхармонијски члан Ö( који указује на интеракцију између

осцилатора, а која се своди на интеракцију између фонона или
процеси, када се два фонона са енергијама ℏ± и ℏ± и

расејање фонона на фононима. Најпознатији су тзв. трофононски
квазиимпулсима ℏU иℏU трансформишу у трећи са енергијом ℏ±

и квазиимпулсом ℏU , или када се један фонон (ℏ± и ℏU ) распада
на два фонона (ℏ± , ℏU и ℏ± и ℏU ). На тај начин се расејање
фонона на фононима остварује креирањем и ишчезавањем фонона –
без обзира да ли два фонона стварају један или се један распада на
два (слика 10.8).
ℏ± ℏ± ℏ±
Ако код трофононског процеса важи закон одржања енергије:
(10.40)
и импулса:
ℏU + ℏU = ℏU , (10.41)
онда се такав процес назива нормалним или N-процесом и личи на
судар елементарних честица. Међутим, код интеракција фонона се
не одржава њихов број.
Ако пак, при интеракцији фонона укупан импулс система није
је једнака вектору реципрочне решетке Í :

константан, или је тачније константан са тачношћу до величине која
ℏU + ℏU = ℏU + Í , (10.42)
онда се говори о прескочном или U –процесу.
214 |
Слика 10.8. Фононски сударни процеси у дводимензионалној

квадратној решетки: (а) нормални N процес; (b) прескочни U
процес. Квадрати на слици представљају прву Брилуенову зону у
фононском -простору. Вектори чији су врхови у центру зоне
представљају апсорбоване фононе, а чији су врхови од центра –
емитоване фононе при судару.
Да би се разумела разлика између N и U процеса разматра се

понашање фонона у првој Брилуеновој зони просте квадратне
решетке са константом (слика 10.8.а). N процес настаје када се при
интеракцији два фонона са таласним векторима U и U ствара
фонон чији таласни вектор U не излази ван граница Брилуенове
Uû -осу и за њих су испуњени услови (10.40) и (10.41). Топлотна

зоне. Тада сва три таласна вектора имају позитиван смер у односу на
ефективног преношења енергије таласима U и U . Ово значи да нема

енергија се преноси у смеру групне брзине фонона, односно у смеру
равнотежне расподеле фонона и да се транспорт енергије у овом

случају може остварити довољно дуго и без градијента температуре,
што одговара бесконачној вредности коефицијента топлотне
У случају U процеса ствара се фонон чији таласни вектор U′
U U излази ван граница Брилуенове зоне (слика 10.8.б). Може се
показати да је U′ еквивалентан вектору U који је унутар
Брилуенове зоне и негативног је смера у односу на Uû -осу као и да
важи U′ U Í . Код овог процеса пренос енергије се очигледно не
врши у смеровима групних брзина таласа U и U . Оваква промена
стања описаног са U увек доводи до успостављања топлотне
215 |
равнотеже и коначне вредности коефицијента топлотне

216 |
1 1. МАГ НЕТНЕ ОСОБ ИНЕ ЧВ Р СТИХ ТЕЛА

Сва чврста тела, у мањој или већој мери, испољавају извесна
магнетна својства. Нека их испољавају само кад се налазе у
магнетном пољу, а нека стално. Ова друга се називају сталним
магнетима. У теорији магнетизма уведен је термин магнетик за
означавање материјалне средине у којој се јачина магнетног поља,
бар у неким тачкама, разликује од одговарајуће јачине магнетног
поља у вакууму.
Објашњење магнетних својстава супстанце било је могуће тек
након Томсоновог доказа о постојању електрона 1897. године и
Радерфордовог открића планетарног модела 1911. године. Ова
открића су потврдила ранију Амперову претпоставку да унутар
сталних магнета постоје неке микрострује.
Магнетна својства супстанце последица су узајамног
деловања магнетних момената њених честица (атома или
молекула). Магнетни момент атома састоји се од магнетних
момената електрона (орбиталног и спинског) и спинског магнетног
момента језгра.
11.1. Mагнетни момент електрона
полупречника c (слика 11.1). Кретању наелектрисања по приказаној

Посматра се кретање електрона око језгра по кружној путањи
затвореној путањи одговара струја кроз затворену микроконтуру

која образује магнетно микропоље, аналогно пољу кружног струјног
проводника. Према овој аналогији, електрону се може приписати
особина једног малог сталног магнета који има известан орбитални
магнетни момент. Правац орбиталног магнетног момента
електрона нормалан је на површину дефинисану орбитом
електрона, а смер му се поклапа са смером магнетног поља
електрон пређе пут дужине 2,c. Због велике

микрострује.
За време
брзине електрона (око 1015 обртаја у секунди) може се сматрати да
је његово наелектрисање равномерно распоређено по кружници,
d d± dJ
што условљава сталну вредност микрострује:
k= = = , (11.1)
2, 2,c
где је d - наелектрисање електрона, ± – угаона брзина електрона, а J
-линеарна брзина електрона.
217 |
Слика 11.1. Орбитални магнетни момент електрона
Смер струје k супротан је од смера кретања електрона због

његовог негативног наелектрисања. Кружна струја k ствара
магнетно поље које се карактерише магнетним моментом bu чији
је интензитет:
dJ 1
bu k∙Ý∙ ,c dJc, 11.2
2,c 2
где је Ý - површина струјне контуре. Како се електрон може сматрати
материјалном тачком, његов момент количине кретања је:
ü fÊ J c, 11.3
где је fÊ - маса електрона. На основу (11.2) и (11.3) добија се израз
који повезује орбитални магнетни момент са моментом количине
d
кретања електрона:
bu ü. 11.4
2fÊ
d⁄2fÊ
жиромагнетни однос. Ако се уведе Боров магнетон öÞ dℏ⁄2fÊ ,
Константа пропорционалности позната је као
који представља јединицу магнетног момента, једначина (11.4)
öÞ
постаје:
bu − ü. 11.5
ℏ
Знак „минус“ указује на супротне смерове вектора bu и ü, а потиче
од негативног наелектрисања електрона. Вектори bu и ü су
нормални на раван орбите.
Код атома водониковог типа, у основном стању, орбитални
магнетни момент једнак је нули. Експериментално уочено скретање
таквих атома у магнетном пољу објашњава се чињеницом да
218 |
магнетно поље атома није узроковано само кретањем електрона у

атому, већ и чињеницом да електрони располажу својим сопственим
магнетним пољем. Другим речима, електрон има још једну врсту
магнетног момента, такозвани спински магнетни момент који
потиче од ротације електрона око сопствене осе. Ротација електрона
око сопствене осе такође образује магнетно микропоље. Према томе,
укупан магнетни момент електрона једнак је векторском збиру
орбиталног и спинског магнетног момента.
Магнетни момент атома као целине једнак је векторској суми
момената појединих електрона. У већини разматрања магнетни
момент атомског језгра се занемарује јер је око 2000 пута мањи од
магнетног момента електрона.
С обзиром на велике вредности специфичног наелектрисања
и брзине кретања електрона у атому природно се намеће закључак
да су вредности описаних магнетних момената електрона такође
велике и да у атомима владају врло јака магнетна микропоља.
Међутим, већина тела (осим феромагнетних) имају веома слабо
изражена магнетна својства због следећа два разлога:
1. Код термичког кретања атома, које постоји у свим телима,
испољава се спонтана тежња да се магнетни моменти атома
оријентишу у свим правцима подједнако, односно да увек
постоји исти број атома са супротно оријентисаним
магнетним моментима који се међусобно компензују.
2. Познато је да сва тела у природи теже да заузму положај
минималне потенцијалне енергије: за два електрона то би
био положај у којем су њихови вектори магнетних момената
орјентисани супротно. Такав пар електрона не доприноси
магнетним својствима тела. Векторски збир магнетних
момената сваке попуњене електронске љуске, с обзиром на
паран број електрона, једнак је нули. То значи да
некомпензоване магнетне моменте могу да имају само
валентни електрони, али при градњи пара од два суседна
атома опет долази до компензовања момената. Изузетак су
феромагнетна тела код којих се непопуњени електронски
слојеви формирају у унутрашњости електронског омотача.
219 |
11.2. Магнетно поље у супстанци

Основна карактеристика магнетика је магнетизација
(магнетна поларизација или намагнетисаност) 6 која представља
магнетни момент јединице запремине датог тела:
1
6 • bu" , (11.6)
"
где је ∑" bu" - векторска сума елементарних магнетних момената

свих атома у запремини .
јачине примењеног спољашњег магнетног поља Ü :

Магнетизација је векторска величина која расте са порастом
6 = iu Ü . (11.7)
Са iu је означена магнетна сусцептибилност датог магнетика која
општем случају iu је тензор који карактерише анизотропију

изражава његову осетљивост на спољашње магнетно поље. У
магнетних особина средине (код монокристала и кристала са

ниском симетријом). У изотропним срединама попут аморфних тела
и поликристала магнетна сусцептибилност има карактер скаларне
Уношењем у спољашње магнетно поље Ü , у телу се јавља

величине.
извесно унутрашње (додатно) поље магнетне индукције ‰ x .
индукције ‰Xr2^€ и поља у самом телу индукције ‰ x :

Укупно магнетно поље у телу састоји се, дакле, од спољашњег поља
‰ = ‰Xr2^€ + ‰ x . (11.8)
Први сабирак представља магнетну индукцију поља у вакууму и
сразмеран је јачини примењеног магнетног поља, док је други
сразмеран магнетизацији материјала:
‰ = ö; ∙ Ü + ö; ∙ 6 = ö; ∙ Ü + ö; ∙ i ∙ Ü = ö; ∙ (1 + i) ∙ Ü , (11.9)
oдносно:
‰ = ö; ös Ü . (11.10)
Oвде је ö; = 4, ∙ 10 ( 4 - апсолутна магнетна пропустљивост
∙u
(пермеабилност) вакуума, док је ös релативна магнетна

пропустљивост дате супстанце. Из једнакости (11.10) следи:
220 |
1
Ü ‰, (11.11)
ö; ös
чија замена у (11.7) даје следећи израз за магнетизацију:
1
6= i ‰. (11.12)
ö; ös u
Зависно од знака и понашања магнетне сусцептибилности у
функцији температуре и промене примењеног спољашњег
магнетног поља, разликују се следеће групе магнетика:
1) Дијамагнетици: iu < 0 (ös < 1), вектори 6 и Ü су
антипаралелни;
2) Парамегнетици: iu > 0 (ös > 1), вектори 6 и Ü су
паралелни;
3) Феромагнетици: iu ≫ 0 (ös ≫ 1), зависност 6(Ü ) је
нелинеарна функција, а iu није константна већ зависи од
јачине магнетног поља.
11.3. Дијамагнетизам
усмерена од магнетног поља, зависност 6(Ü ) је линеарна, док је

Код дијамагнетних чврстих тела магнетизација је супротно
сусцептибилност iu = v Rw ≠ N Ü . Уколико је iu < 0, то је

индукција ‰ у дијамагнетику мања него у вакууму. Дијамагнетизам
је присутан код свих супстанци, независно од њихове структуре или
агрегатног стања, односно представља универзално магнетно
својство. У дијамагнетне материјале спадају: органски материјали
(многи полимери), ковалентни кристали (силицијум, германијум,
дијамант), јонски кристали (алкални халогениди), метали (бакар,
сребро, злато).
Физичка природа дијамагнетика објашњава се полазећи од
орбиталног кретања електрона унутар атома, при чему је свака
електронска орбита аналогна струјној контури (слика 11.2.а).
индуковања магнетних момената b" његових атома (слика 11.2.б):

Уношење дијамагнетика у спољашње магнетно поље доводи до
d
b" = − ö c Ü. (11.13)
4fÊ ;
221 |
Индуковани моменти, сагласно Ленцовом правилу, имају

супротан смер од спољашњег магнетног поља и делимично га
компензују, што је и једини ефекат који се манифестује код
дијамагнетика (слика 11.2.в). У контури коју формира електрон
кружећи око језгра, за разлику од обичне струјне контуре,
електричном отпору је приписана нулта вредност. Због тога
индкована струја тече све док је спољашње поље укључено.
Магнетни момент везан за ову струју јесте дијамагнетни момент.
Слика 11.2. Објашњење појаве дијамагнетизма
При израчунавању дијамагнетне сусцептибилности
кружној контури полупречника r. Угаона брзина електрона је ±; , а

дијамагнетика подесно је поново посматрати кретање електрона по
d±;
орбитални магнетни момент:
bu k ∙ Ý + Ý. 11.14
2,
за ∆±, што доводи до појаве дијамагнетног момента:

После укључења магнетног поља угаона брзина електрона се мења
dÝ
∆bu +
∆±. 11.15
2,
Вредност ∆± се може одредити узимањем у обзир радијалне
силе ²; fÊ ±; c која делује на електрон и Лоренцове силе:
²ï d ±; c ‰ 11.16
кад се примени спољашње поље тако да је вектор ‰ нормалан на

која је усмерена такође радијално, а почиње да делује на електрон
површину контуре. Резултујућа центрипетална сила је збир ових

двеју радијалних сила, тј.
fÊ ± c fÊ ±; c е ±; c ‰, 11.17
односно:
222 |
fÊ ± + ± ; е ±; ‰, 11.18
или:
fÊ ± + ± ; ± ±; е ±; ‰ . 11.19
Вредности ± и ±; се релативно мало разликују, па је ± − ±; ≈ ∆± и
± ±; ≈ 2±, односно:
d‰
∆± . 11.20
2fÊ
Ова промена кружне фреквенције електрона једнака је за
било коју орбиту електрона у атому јер не зависи од полупречника
вектора ‰ и равни орбите различит од 900, онда под дејством

путање електрона ни од његове брзине. Ако је, пак, угао између
магнетног поља орбита прецесира. Нормала на раван орбите описује
фреквенцијом ∆± (слика 11.3).

конус око правца вектора магнетне индукције са тзв. Ларморовом
Слика 11.3. Прецесија орбите електрона око правца поља
Како његова орбита прецесира, електрон врши допунско

кружно кретање око правца поља што доводи до појаве магнетног
момента:
d Ý‰
∆bu − . 11.21
4,fÊ
У случају вишеелектронског атома магнетни момент је:
d 〈 〉‰
∆6¥ − . 11.22
4,fÊ
223 |
Овде је Z – број електрона у атому, 〈 〉 - средњи квадрат растојања

електрона од осе која пролази кроз језгро атома и паралелна је са ‰.
За сферно - симетрични атом је 〈 〉 2〈c 〉⁄3, где је са 〈c 〉 означен
средњи квадрат полупречника путање електрона, па је:
d 〈c 〉‰
∆6¥ − . 11.23
6fÊ
Ако се у јединици запремине датог дијамагнетика налази N атома,
онда је магнетизација једнака:
3 d 〈c 〉‰
6 3∆6¥ − . 11.24
6fÊ
Сусцептибилност датог дијамагнетног материјала биће:
ö; 6 ö; d 3 〈c 〉
iu
t
− . 11.25
‰ 6fÊ
Одавде је јасно да iu
t
не зависи од температуре, као и да расте
линеарно са редним бројем . Дијаграми iu
t
Ü , {\ , као и 6 Ü
}
за дијамагнетни материјал дати су на слици 11.4.
Слика 11.4. Дијаграми зависности |ò} ~ , € и • ~ код

•
|ò
}
дијамагнетика
хелијум су респективно: −5,5 ∙ 10 † , −0,76 ∙ 10 W и −0,5 ∙ 10 T . Важно

Вредности магнетне сусцептибилности за графит, бакар и
је напоменути и то да се дијамагнетизам често не може детектовати

код парамагнетика и феромагнетика јер је заклоњен јачим
магнетним ефектима, као и да се по престанку деловања спољашњег
магнетног поља, дијамагнетици враћају у првобитно
(ненамагнетисано) стање.
224 |
11.4. Парамагнетизам
Прва, Ланжевенова теорија парамагнетне сусцептибилности
успела је само делимично да објасни понашање парамагнетика, али
је привукла значајну пажњу због тога што је била прва теорија која
је експлицитно укључила температуру као параметар за
дефинисање понашања ових супстанци. На слици 11.5 приказан је
N атома има константни магнетни момент bu . Ови моменти

парамагнетик који садржи N атома у јединици запремине. Сваки од
међусобно слабо интерагују, а у одсуству спољашњег поља су

хаотично орјентисани (слика 11.5.а).
магнетни моменти атома bu се оријентишу у његовом смеру (слика

Кад се парамагнетик унесе у спољашње магнетно поље,
магнетизација усмерена дуж спољашњег магнетног поља Ü .

11.5.б). Као резултат ове оријентације у парамагнетику се јавља
момената bu , под утицајем спољашњег поља долази и до појаве

Истовремено са оријентацијом сопствених магнетних
индукованих магнетних момената атома b" . Моменти b" сразмерни

су јачини спољашњег магнетног поља, а супротног су смера од смера
спољашњег поља. Сопствени и индуковани магнетни моменти дају
резултујући магнетни момент атома који има исти правац и смер као
и спољашње магнетно поље, услед чега долази до појачавања
спољашњег магнетног поља (слика 11.5.в).
Слика 11.5. Објашњење појаве парамагнетизма
Ланжевен је за магнетизацију парамагнетика дао следећи

израз:
ö; 36;
6 iu
r
Ü Ü , 11.26
3UÞ
где је 3- број атома у парамагнетном телу, а 6; – магнетни момент
атома. Магнетна сусцептибилност парамагнетика је одавде:
225 |
ö; 36; ‡
iu . 11.27
r
3UÞ
Ова релација је позната као Киријев закон, при чему је ‡ - Киријева
константна дефинисана као:
ö; 36;
‡ . 11.28
3UÞ
Зависности iu Ü , и 6 Ü
r
é
{}
приказане су на графицима на
слици 11.6.
Слика 11.6. Дијаграми зависности |} ~ ; € и • ~ код

‚ •
‚
|}
парамагнетика
Линеарна зависност 6 Ü код парамагнетика се нарушава

при ниским температурама и јаким пољима, односно за:
ö; 6; Ü ≫ UÞ 11.29
када магнетизација тежи максималној вредности 6X 6; 3. Ако се
узме у обзир међудејство сталних магнетних момената, неопходно
је увести ефективно поље које на њих делује:
ÜÊ Ü K6, 11.30
где је K константа Вајсовог поља, уведена као корекција
унутрашњег магнетног поља (може бити позитивна и негативна).
Магнетизам је сада:
ö; 3f ö; 3f
6 iu ÜÊ ÜÊ Ü K6 , 11.31
r
3UÞ 3UÞ
док је парамагнетна сусцептибилност:
226 |
6 ‡ ‡
iu
r
. (11.32)
Ü − ‡K −Θ
Ово је тзв. Кири-Вајсов закон који показује да ће при вишим
температурама парамагнетна сусцептибилност имати мању
вредност.
Парамагнетна својства тела зависе од температуре јер је при
вишим температурама и топлотно кретање атома интензивније, па
је повећана тежња за статистичком оријентацијом електронских
момената у свим правцима.
У парамагнетике спадају сви елементи чији атоми имају
непаран број електрона, а тиме и некомпензован спински магнетни
момент (елементи из I, III, V и VII групе Периодног система
елемената), неки молекули са парним бројем електрона (кисеоник и
сумпор), метали (натријум, калијум, калцијум, алуминијум), итд.
После престанка деловања спољашњег магнетног поља,
парамагнетна тела се такође враћају у првобитно
(ненамагнетисано) стање.
11.5. Феромагнетизам
Феромагнетици су материјали са спонтаном магнетизацијом
која указује на уређеност елементарних магнетних момената.
Феромагнетизмом се одликују кристали само девет хемијских
елемената: 3d - метали (Fe, Co, Ni) и 4f - елементи (Gd, Dy, Tb, Ho, Er,
Tm). Ови елементи поседују спонтани магнетни момент због
непопуњене унутрашње 3d - орбитале. Остали феромагнетици су у
облику једињења и легура (Хојслерова легура са15% Al, 61% Cu, 24%
Mn, затим челик, динамолим, пермалој).
Прву теорију феромагнетизма развио је Вебер,
представљајући феромагнет као скуп уређених елементарних
магнета, а сваку магнетну појаву као резултат разуређивања тог
уређеног скупа. Према Веберу, свака феромагнетна супстанца се
састоји од великог броја домена (тзв. Вајсови домени) који су
спонтано намагнетисани до засићења. Домене чине посебне групе
атома распоређених тако да магнетни моменти њихових електрона
имају исти правац и смер. Формирање домена може се објаснити на
следећи начин: на малим растојањима магнетни моменти се
орјентишу паралелно и у истом смеру због квантно-механичке
тежње ка паралелној оријентацији, а преко одређеног броја тих
момената (димензије домена) преовладава супротна оријентација,
227 |
енергије. Линеарне димензије магнетних домена су 10-100 μm, а у

условљена макроскопски познатом тенденцијом ка минимуму
оквиру једног домена налази се група од 1015 атома. Због јаке спреге
која постоји између паралелних магнетних момената електрона
суседних атома, ствара се магнетно поље унутар домена, а цео домен
се може сматрати елементарним сталним магнетом.
У одсуству спољашњег магнетног поља елементарни магнети
орјентисани су хаотично (слика 11.7.а), тако да се њихова магнетна
поља поништавају и нема макроскопског испољавања магнетних
својстава. Такво стање домена у кристалу карактерише минимална
енергија магнетног поља која обезбеђује стабилну равнотежу овог
система.
Слика 11.7. Шематски приказ оријентације домена

феромагнетика
Кадa се феромагнетно тело нађе у спољашњем магнетном

пољу, магнетни моменти домена се оријентишу у зависности од
јачине поља, делимично или потпуно, у правцу поља. У идеалном
случају довољно јаког поља, сви домени биће оријентисани (слика
11.7.б). Тада ће резултујуће макроскопско поље свих домена имати
вредност која може вишеструко да премаши јачину примењеног
поља.
228 |
11.5.1. Магнетизација феромагнетика

Деловање спољашњег магнетног поља на феромагнетик
може се објаснити преко следећих процеса:
• Обртања вектора магнетизације у правцу примењеног јаког
магнетног поља;
• У случају слабог примењеног поља ефекат максималне
магнетизације се постиже повећањем запремине домена чија
је оријентација у односу на поље повољна, а на рачун
неповољно орјентисаних домена (слика 11.8).
Слика 11.8. Ефекат примењеног поља на домене монокристала
На слици 11.9.а) приказана је функционална зависност

магнетизације од јачине примењеног поља. На графику су означене
три области:
1) Област линеарне сразмерности 6 i ∙ Ü, у којој се
намагнетисавање остварује реверзибилним (повратним)
померањем граница домена
граница домена 6 i ∙ Ü v Rw ∙ Ü
2) Рејлијева област иреверзибилног (неповратног) померања
3) Област интензивне ротације вектора магнетних момената

домена са тежњом да се заузме правац колинеаран са правцем
поља. Даље повећање јачине спољашњег поља практично не
изазива промене магнетизације и представља област
засићења.
На слици 11.9.б) приказана је зависност магнетне индукције
феромагнетика од спољашњег поља. Најстрмији део криве приказује
наглу промену преоријентације домена (и до близу 1800) и стога
врло брзи раст магнетне индукције, а кад се сви домени
преорјентишу настаје засићење. Због нелинеарне зависности
магнетизације, магнетна пропустљивост ö код феромагнетних

индукције од иницијалног поља дуж криве првобитне
материјала није константна величина, већ је и она функција
229 |
спољашњег поља. Тек у јаком спољашњем пољу ö добија константну

вредност, сличну оној код парамагнетних материјала.
Слика 11.9. Основне криве магнетизације феромагнетика
11.5.2. Хистерзисна петља

Једна од основних карактеристика феромагнетика је
хистерзисна петља или хистерзис - затворена крива линија која
показује промену магнетне индукције у феромагнетику са
+ÜX до ÜX . Са ÜX се означава јачина спољашњег поља при којој

променом јачине спољашњег поља, у једном затвореном циклусу од
долази до сатурације (слика 11.10).
Слика 11.10. Хистерзисна петља
230 |
Крива 1 је објашњена на слици 11.9.б). При смањењу јачине

магнетног поља промена магнетне индукције се изводи дуж криве
2, са које се види да смањење магнетне индукције прати смањење
јачине магнетног поља са извесним заостајањем (хистерео -
при Ü 0 је ‰ = ‰s (реманенција). Ова појава указује на то да су и

заостајати). Због споријег опадања, вредност магнетне индукције
при таквим условима магнетни домени и даље делимично

оријентисани, што практично значи да феромагнетици могу да се
намагнетишу и постану стални магнети.
Примена спољашњег магнетног поља супротног смера
доводи до дезоријентације домена и опадања индукције на нулу,
то дешава зове се коерцитивно поље и обележава са ÜP . Затим иде

односно до размагнетисавања материјала. Јачина поља при којој се
засићење у негативном смеру и коначно пораст индукције по кривој

3, чиме се петља затвара.
Може се закључити да код феромагнетика вредност магнетне
индукције зависи како од тренутне вредности дејствујућег
магнетног поља, тако и од претходне јачине поља и фазе
намагнетисавања. Ова два последња узрока често се називају
„прошлошћу“ материјала.
Хистерзионе зависности између поменутих величина
последица су постојања неповратних процеса при намагнетисавању
феромагнетика. Енергија изгубљена у току једног циклуса
намагнетисавања сразмерна је површини хистерзисне петље.
Премагнетисавање феромагнетика је иреверзибилан процес праћен
одређеним утрошком енергије, што се у коначном исходу
трансформише у топлоту и преноси на околину. Ова
иреверзибилност представља специфичност феромагнетика и
условљена је његовом „магнетном текстуром“.
Постоје још две занимљиве појаве везане за феромагнетике:
прва од њих је Баркхаусенов ефекат под којим се подразумева појава
специфичног шума који се може детектовати одговарајућим
инструментима приликом процеса намагнетисавања
поликристалног узорка. Шум је последица нагле преоријентације
домена при повећању спољашњег поља, што проузрокује
дисконтинуални пораст индукције у централном стрмом делу криве
намагнетисавања (слика 11.11).
231 |
Слика 11.11. Баркхаусенов ефекат
Друга занимљива појава је магнетострикција, односно

могућност еластичних промена димензија тела под дејством
магнетног поља. Магнетострикција може бити позитивна и
негативна, а промене димензија нису исте у свим правцима, већ су
везане са правцима кристалних оса.
11.5.3. Зависност феромагнетних појава од

температуре
Експерименти су показали да за сваки феромагнетни
материјал постоји одређена температура на којој се губе
феромагнетна својства. Та температура се зове Киријева
температура, односно Киријева тачка P . Тумачи се разарањем
доменске структуре на вишим температурама услед интензивнијег
топлотног кретања честица које доводи до нарушавања уређености
магнетних момената у оквиру домена.
Слика 11.12. Утицај температуре на феромагнетна својства
232 |
Ако се феромагнетно тело налази на температури вишој од

Киријеве онда не може доћи до формирања домена. Када не постоје
магнетни домени, тада ишчезавају и феромагнетна својства тела.
Изнад Киријеве температуре чврсти феромагнетици испољавају
парамагнетна својства. На слици 11.12.а) приказана је промена
сусцептибилности са температуром, а на слици 11.12.б) промена
индукције са порастом температуре.
Поред магнетних својстава, на Киријевој температури мењају
се и неке друге карактеристике феромагнетних супстанци попут
специфичне топлотне капацитивности, топлотног ширења,
стишљивости и густине. Ове промене потврђују општу повезаност
магнетних са осталим својствима тела.
233 |
1 2. СУПЕР ПРОВ ОДНИЦИ
Појава да неки материјали потпуно губе своју електричну

отпорност кад се охладе до одређене, такозване критичне
температуре назива се суперпроводност. Ову појаву је открио
холандски физичар Камерлинг Онес 1911. године, при проучавању
електричних својстава чисте живе на ниским температурама. Наиме,
Онес је установио да је електрична отпорност живе на температури
течног хелијума (око 4,15 К) чак десет милиона пута мања у односу
на вредност која одговара собној температури. Касније је у обрнутом
процесу установио да се на температури од 4,2 К отпорност враћа у
материјал.
На слици 12.1. приказана је шема на којој се Онесов
експеримент заснивао (са том разликом што је у експерименту
користио оловну жицу уместо живе). Oловна завојница, која може
бити кратко спојена помоћу прекидача S1, смештена је у Дјуардов суд
и хлађењем до температуре течног хелијума преведена у
суперпроводно стање. При отвореном прекидачу S1 проток
електричне струје кроз завојницу обезбеђује електрична батерија,
преко бакарних жица. Батерија и бакарне жице су при том на собној
температури. Експеримент почиње са отвореним прекидачем S1, а
затвореним S2. Кроз суперпроводну завојницу протиче струја
стварајући магнетно поље које се региструје скретањем игле
компаса смештеног изван Дјуардовог суда.
Слика 12.1. Онесов експеримент
234 |
Отварањем прекидача S2 и затварањем S1, завојница се кратко

спаја и изолује од батерије. Међутим, кроз завојницу струја и даље
тече, што се види по отклону магнетне игле који је исти као и у
случају када је прекидач S2 био затворен. Ову електричну струју Онес
је назвао истрајном. Све док течни хелијум из Дјуардовог суда не
испари завојница је у суперпроводном стању и кроз њу протиче
истрајна струја, а магнетна игла компаса задржава исти отклон.
електрични отпор 7 достиже нулту вредност, односно дати

Температура на којој у датом материјалу специфични
материјал прелази у суперпроводно стање, назива се критичном

температуром и обележава се са M . Даљим снижавањем
температуре испод M електрични отпор посматраног
суперпроводног материјала остаје једнак нули. Промена
специфичног електричног отпора у односу на температуру код
поређења ради, приказана и 7

суперпроводника приказана је на слици 12.2. На овој слици је,
зависност код нормалног
проводника.
Слика 12.2. Зависност специфичне електричне отпорности од

температуре
Убрзо након открића ефекта суперпроводности

експерименталним путем је запажено да прелаз из обичног -
проводног у суперпроводно стање зависи и од вредности магнетног
поља у коме се дати материјал налази. Довољно јако магнетно поље
дефинише и критична јачина спољашњег магнетног поља ÜM у

може довести до нарушавања суперпроводног стања, па се зато
којем се суперпроводник налази. Поред тога, утврђено је да

235 |
електричне струје …Mî која кроз суперпроводник протиче. Када

суперпроводно стање ограничава такође и критична густина
вредност било ког од наведених параметара пређе своју, такозвану

критичну вредност, суперпроводно стање се нарушава, а материјал
прелази у нормално стање – стање са обичном електричном
проводношћу (уз присуство електричне отпорности). Из
практичних разлога је пожељно да вредности ових критичних
параметара буду што је могуће веће.
12.1. Подела суперпроводника

Окриће суперпроводности мотивисало је велики број
истраживача да пронађу материјале који би суперпроводне особине
суперпроводност показују индијум M 3,4 K), олово ( M = 7,2 K),

испољавали на вишим температурама. Убрзо је утврђено да
ниобијум ( M = 9,2 K) и метални нитрат NbN ( M = 17,3 K). Како су

све наведене температуре ниске, поменути материјали захтевају
Nb3Ge које прелази у суперпроводно стање при ( M = 23,2K), чиме је

хлађење течним хелијумом. 1973. године пронађено је једињење
отворен пут ка проналажењу високотемпературних

суперпроводника.
Нова класа суперпроводних керамичких материјала, на бази
оксида метала ретких земаља (баријум, итријум, лантан и др.) чије
су критичне температуре око 35K, откривена је 1986. године. Након
резултирала у материјале са критичним температурама до 100 K.

тога је уследила синтеза керамичких суперпроводника која је
Предност суперпроводних керамика, поред релативно високих

вредности критичних параметара, огледа се у томе да се релативно
лако добијају и у мањим лабораторијама. Недостатак ових керамика
је тај што се нису показале као стабилне у дужем временском
периоду, односно показало се да спонтано губе суперпроводне
особине.
Из чисто практичних разлога уведена је подела
суперпроводника на:
суперпроводе до 30 K.
1. Класичне или нискотемпературне суперпроводнике који
температуре веће од 77 K (тачка кључања азота).

2. Високотемпературне суперпроводнике чије су критичне
У погледу физичких карактеристика и испољавања

специфичних ефеката суперпроводног стања, нискотемпературни и
високотемпературни суперпроводници се не разликују. Једина
236 |
разлика је, као што је истакнуто, практичне природе јер се

нискотемпературна суперпроводност мора одржавати у апаратури
са течним хелијумом, која је са техничко – технолошке стране
компликована за реализацију и одржавање, док се за одржавање
високотемпературне суперпроводности може користити апаратура
са веома јефтиним и техничко-технолошки „згодним“ течним
азотом.
12.2. Ефекти суперпроводности

Поред наглог пада и потпуног ишчезавања специфичне
електричне отпорности на критичној температури, најважнији
ефекти који карактеришу суперпроводност су:
1. Дуготрајни ток електричне струје у суперпроводној
контури – истрајне струје;
2. Скоковита промена специфичне топлотне
капацитивности на критичној температури;
3. Нагли прелазак у дијамагнетно стање – Мајснеров
ефекат;
4. Постојање енергетског процепа у спектру
дозвољених једноелектронских нивоа у близини
Фермијевог нивоа;
5. Присуство изотопског и Џозефсоновог ефекта.
12.2.1. Ишчезавање електричне отпорности и

суперструје
У проводнику, на чијим је крајевима прикључена нека
разлика потенцијала, јавља се електрично поље, које делује на
слободне електроне усмеравајући њихово кретање. Усмерено
кретање електрона кроз кристал може се представити у облику
извесног усмереног таласа који не мења правац простирања у
случају идеалне кристалне структуре. Код реалних проводника,
међутим, долази до расејавања електронских таласа на
несавршеностима кристалне структуре и вибрацијама решетке
(фононима). Због поменутих расејавања број електрона који се
усмерено крећу у правцу електричног поља се смањује – на тај начин
се тумачи постојање електричне отпорности нормалних
проводника. Снижавањем температуре смањује се интензитет
237 |
вибрација кристалне решетке, па је и расејање електрона, а тиме и

отпор, мање.
У случају идеалног, безпримесног метала електрони се
расејавају само на фононима. С обзиром да фонона на температури
апсолутне нуле практично нема тада нема ни електричне
отпорности у чистом металу. Међутим, овај изостанак електричне
отпорности идеално чистог метала на температури апсолутне нуле
није суперпроводност, него идеална електрична проводност метала.
Иако реални метал не може бити у потпуности чист, на
температури испод неке критичне вредности не показује никакав
електрични отпор. Критична температура метала је увек изнад
апсолутне нуле, што значи да су вибрације решетке присутне.
Међутим, и даље изостајање отпора указује на то да у микроскопској
основи појаве суперпроводности леже неки други процеси у односу
на оне којима би се могла објаснити идеална електрична
проводност. У чистим металима прелазак из нормалног у
суперпроводно стање се у току хлађења дешава нагло на критичној
температури M која је једнозначно одређена (линија 2 на слици
12.3). С друге стране, код метала са дефектима или примесама
процес преласка у суперпроводно стање је постепенији, а критична
температура MÁ се одређује у средини температурног интервала
прелаза (линија 1 на слици 12.3).
Слика 12.3. Отпорност метала са примесама и идеално чистог

метала
Протицање струје која се одржава са временом кроз
суперпроводнике може да се објасни на примеру контуре у облику
кружног прстена (слика 12.4). Укупно магнетно поље контуре
једнако је збиру спољашњег и сопственог магнетног поља.
238 |
Слика 12.4. Модел суперпроводне контуре
Нека је електрични отпор контуре „, а јачина струје кроз

контуру —. При промени укупног магнетног поља са временом, у
контури се индукује електромоторна сила Š. Ова електромоторна
сила садржи индуковану компоненту која настаје због промене
спољашњег поља, и компоненту самоиндукције која настаје због
кроз контуру. Појава електромоторне силе Š производи проток

промене сопственог поља које прати евентуалне промене струје
електричне струје кроз прстен, а према Другом Кирхофовом

правилу биће:
\† \k
ü − „ ∙ k. 12.1
\w \w
отпорност прстена постаје „ 0, а једначина (12.1) се своди на:

Када се температура спусти испод критичне, електрична
ü\— \† 0, 12.2)
oдносно:
† ü — v Rw. (12.3)
Ова једначина указује на непроменљивост магнетног флукса
кроз контуру. Ако се флукс спољашњег магнетног поља промени,
промениће се и јачина струје у контури толико да сопственим
пољем, према Ленцовом правилу, компензује промену спољашњег
флукса кроз површину коју обухвата. Али важи и обрнуто, ако дође
до промене јачине струје у контури промениће се сопствени, а тиме
и укупни флукс. Због промене укупног флукса индукује се допунска
струја која ће по Ленцовом правилу, бити смера таквог да ће
239 |
стабилизовати промену вредности почетне струје на стару

вредност. Дакле када је електрична отпорност струјне контуре
једнака нули, електрична струја кроз контуру тече стално истом
јачином, због чега се и назива истрајном струјом.
Протицање истрајне струје кроз суперпроводнике може се
објаснити помоћу такозваног „двофлуидног модела“, односно
претпоставке да на температурама нижим од критичне постоје две
групе електрона - суперелектрони и нормални електрони, чији се
ансамбли могу третирати као независни флуиди. На критичној
температури број суперелектрона једнак је броју нормалних
електрона. За разлику од нормалних електрона, суперелектрони се
крећу кроз проводник не сударајући се ни међусобно, нити са јонима
или несавршеностима кристалне решетке. У протицању струје кроз
суперпроводник учествују обе врсте електрона. Двофлуидни модел
усваја да у протицању слабе струје учествују само суперелектрони
због чега се на крајевима суперпроводника не јавља никаква
разлика потенцијала. У супротном би се у металу створило
електрично поље које би убрзавало електроне и повећавало јачину
струје, а речено је да је њена вредност стална.
При протоку струја већих јачина суперпроводник може да се
представи као систем од два паралелно везана проводника: једног
са електричном отпорношћу и другог без електричне отпорности.
Кад се суперпроводник веже на извор једносмерне струје, кроз њега
ће протицати електрична струја чија ће јачина расти због деловања
прикључене електромоторне силе спољашњег извора. Јачина
електричне струје зависи од интензитета убрзања електрона у
датом електричном пољу, али не може неограничено да порасте јер
је ограничава унутрашња отпорност самог извора.
Када се суперпроводник прикључи на наизменични напон,
тада електрична струја, која потиче од суперелектрона, заостаје за
електричним напоном због инерције суперелектрона, те јачина
реактације (реактивних отпора ,ï и ,M ). Због реактивних отпора се

електричне струје кроз суперпроводник зависи од његове
у суперпроводнику ипак јавља пад електричног напона који сада

изазива проток нормалних електрона. Тако, електрична струја кроз
суперпроводник није последица само суперелектронског кретања,
већ и кретања нормалних електрона, а суперпроводник представља
паралелну везу две гране: једне са реактивном, а друге са активном
отпорношћу. При високим фреквенцијама, само мали део струје
протиче кроз активни отпорник, па су и губици мали. При нижим
240 |
фреквенцијама наизменичне струје суперпроводник се понаша као

нормални проводник и јављају се термогени губици.
12.2.2. Мајснеров ефекат

Кроз обичан проводник који се налази у спољашњем
магнетном пољу, то поље ће се затварати (слика 12.5.а). Када се, пак,
суперпроводник нађе у спољашњем магнетном пољу то поље не
пролази кроз њега већ га заобилази (слика 12.5.б). Особина
суперпроводника да не дозвољава продор линија спољашњег
магнетног поља, већ се понаша као идеални дијамагнетник, назива
се Мајснеров ефекат, према физичару који је ову особину објаснио
1933. године.
Слика 12.5. Понашање материјала у: (а) нормалном

(проводном); (б) суперпроводном стању при уношењу у
спољашње магнетно поље
Једно од прихватљивих објашњења Мајснеровог ефекта је да

се у суперпроводнику који је унет у спољашње магнетно поље јачине
мање од неке критичне, јавља „површинска“ електрична струја.
Индуковано магнетно поље „површинске“ струје у суперпроводнику
у потпуности компензује примењено спољашње магнетно поље.
Зато се за суперпроводнике каже да се понашају као идеални
дијамагнетици.
Откриће Мајснеровог ефекта бацило је нову светлост на
суперпроводност и показало да се она не уклапа у оквире класичне
електродинамике. Нови приступ суперпроводности предложили су
241 |
браћа Фриц и Хајнц Лондон проучавајући протицање истрајне струје

и дубину до које спољашње магнетно поље продире у
суперпроводник.
12.2.3. Једначина Лондонових

Браћа Лондон су посматрала чист проводник са
параболичном проводном зоном и скаларном ефективном масом
електрона m. Слободна енергија овог проводника је:
² ²; q… q5 (12.4)
где је:
• ²; – слободна енергија кондензованог стања система
који мирује, добијена као:
²; ¾ ²î \c , (12.5)
при чему је са ²î означена слободна енергија електрона по јединици
q… – кинетичка енергија електрона који учествују у

запремине у суперпроводној фази,
•
q5 – енергија магнетног поља створеног овим

непригушеним струјама,
•
струјама.
bî (c) =
Густина струје је:
X dJ (c ), (12.6)
где је X густина суперпроводних електрона, па се кинетичка
енергија може изразити као:
q… = # X fJ \c . (12.7)
Енергија магнетног поља је:
1
q5 = ¾ Ü \c . (12.8)
2
унутрашњег магнетног поља Ü и густине струје bî :

Када се искористе Максвелове једначине за везу између јачине
cvwÜ = bî , \—JÜ = 0 (12.9)

добија се:
² = ²; + # ~Ü + •ï ÂcvwÜ Â • \c, (12.10)
242 |
где је:
•ï .
u
¡x
‡Ê
Z
(12.11)
такозвана Лондоновска дужина.
расподелу поља Ü (c), односно из једнакости:

Минимизирањем слободне енергије у односу на просторну
“² = ¾ Ü ∙ “Ü + •ï cvwÜ ∙ cvw“Ü \c = ¾ Ü + •ï cvwcvwÜ ∙ “Ü \c

добија се конфигурација поља унутар модела која мора да
Ü + •ï cvwcvwÜ = 0.
задовољава једначину Лондонових:
(12.12)
Лондонови су указали на симетричност везе између
електричне струје и магнетног поља у суперпроводнику у подручју
температура испод критичних. Такође су показали да електрична
струја не протиче само по површини метала него да продире до
струје утврдио да износи •~10 † cm, а то је истовремено и дубина

извесне дубине у металу. Хајнц Лондон је за дубину продирања
продирања магнетног поља у узорак. На основу тога се закључује да
запремине за „површински“ слој дебљине ~10 † cm.

је суперпроводна област у проводнику мања од његове укупне
12.2.4. Идеални дијамагнетизам

Да би се из једначине Лондонових одредила дубина
продирања магнетног поља у суперпроводник, суперпроводни
са ,Î- равни, а да је област * < 0 празна. Тада Ü и bî зависе само од

узорак треба поставити тако да се његова гранична површ поклапа
* и могућа су само два случаја:

1. Јачина магнетног поља Ü паралелна је са осом *: Ü = Ü(*)d .
Из Максвелове једначине \—JÜ = 0 следи:
\Ü
= 0. (12.13)
\*
је cvwÜ = 0. Из Максвелове једначине cvwÜ = bî следи да је

То значи да је јачина поља константна у простору односно да
bî = 0. Заменом добијених вредности у једначину Лондонових

(12.12) добија се да је Ü = 0. Ово значи да линије магнетног
243 |
поља не могу бити нормалне на површ суперпроводног

узорка.
2. Јачина магнетног поља Ü нормална је на осу z и лежи у
равнима xy. Ако је још Ü паралелно са х-осом, онда је
аутоматски задовољена релација \—JÜ 0, а из cvwÜ = bî
\Ü
следи:
= ™î . (12.14)
\*
Дакле, густина електричне струје bî усмерена је искључиво
дуж )-осе: bî = ™î (*)d . Коначно, из једначине Лондонових
\ Ü Ü
следи:
− = 0, (12.15)
\* •ï
Ü;
oдносно:
Ü = Ü(*) = Ü; d ⁄ˆ‰ , ™î = ™î (*) = − ∙ d ⁄ˆ‰ . (12.16)
•ï
Јачина магнетног поља експоненцијално опада унутар
мале дубине •ï . Другим речима, димензије суперпроводног узорка

суперпроводног узорка, односно магнетно поље продире само до
су знатно веће од дубине продирања магнетног поља. Због тога се

ефекат продирања магнетног поља у узан површински слој
суперпроводног узорка може занемарити. Линије сила магнетног
поља, на тај начин се истискују из суперпроводника.
12.2.5. Критична јачина магнетног поља. Типови

суперпроводника
Као што је већ речено, магнетно поље које доводи до
означава се са ÜM . Вредност јачине критичног поља зависи и од

ишчезавања суперпроводног стања назива се критично поље и
температуре што се може представити следећом емпиријском

релацијом:
ÜM ( ) = ÜM (0) B1 − ~ • E , ≪ M,
Y
(12.17)
где је ÜM (0) критично магнетно поље суперпроводника на

температури апсолутне нуле. Зависност јачине критичног
магнетног поља суперпроводника од температуре графички је
илустрована на слици 12.6.
244 |
Слика 12.6. Температурна зависност критичног магнетног

поља суперпроводника
магнетно поље Ü веће од његовог критичног магнетног поља ÜM ,

Ако се претходно расхлађени суперпроводник стави у
неће се јавити Мајснеров ефекат, него ће материјал изгубити своја

суперпроводна својства. Материјали који изнад једне вредности
магнетног поља прелазе директно у стање уобичајеног понашања
магнетне индукције називају се суперпроводницима I врсте. Код ове
Ü ÜM
врсте суперпроводника цео узорак се враћа у нормално стање при
‰ унутар узорка, као што је приказано на слици 12.7.а). У

, када долази до потпуног продирања магнетне индукције
суперпроводнике I врсте спада чак 27 чистих метала (жива,

танталијум, лантан, олово, калај итд).
критичног магнетног поља, ÜM и ÜM , називају се

Материјали који имају две карактеристичне вредности
магнетна индукција не продире у узорак при Ü g ÜM , где је ÜM

суперпроводницима II врсте. Код ове врсте суперпроводника
прво критично поље. Када је Ü h ÜM , где је ÜM друго критично

поље, узорак се враћа у нормално стање са потпуним продирањем
поља, тј. за случај ÜM g Ü g ÜM

магнетне индукције (слика 12.7.б). Између две вредности критичног
, постоји такозвано мешано
стање које каракерише делимично продирање магнетне индукције
унутар материјала. У овом интервалу унутар узорка се јавља веома
сложена правилна микроскопска структура наизменичног
распореда суперпроводних и нормалних области, позната и као
Шубникова фаза (о чему ће касније бити више речи). У
суперпроводнике II врсте спада ниобијум-титанијум и још преко 500
других једињења.
нижим од критичне, типичне вредности критичног поља ÜM су реда

Код суперпроводника I врсте при температурама знатно
245 |
10† A⁄m. Код суперпроводника II врсте друго критично поље ÜM

може да достигне вредности и до 10 A⁄m.
Слика 12.7. Промена магнетне индукције унутар узорка у

функцији јачине примењеног магнетног поља за случај
суперпроводника: (а) I врсте, (б) II врсте
Суперпроводност се нарушава такође и ако магнетно поље

које ствара струја у суперпроводнику достиже критичну вредност на
2000 A⁄mm .
површини узорка. Највеће до сада добијене густине струје су око
12.3.6. Критична густина електричне струје
се из две паралелне компоненте: струје јачине k4 која тече у узаном

Електрична струја која протиче кроз суперпроводник састоји
појасу непосредно уз граничну површ проводника и струје јачине kí

која је последица дејства спољашњег електричног напона који се
преко електричног извора доводи проводнику. У свакој тачки
компонената k4 и kí . Када густина те укупне електричне струје k

суперпроводника укупна јачина електричне струје једнака је збиру
достигне критичну вредност ™M суперпроводно стање се руши.

Критична температура, критична густина електричне струје
и критична јачина спољашњег магнетног поља узајамно су зависни:
један зависи од друга два и то тако да се смањује са повећањем било
ког од та два. На слици 12.8 приказан је тродимензионални фазни
M, Ü ÜM и ™ ™M ) у
дијаграм преласка из суперпроводно у нормално стање материјала.
Овај дијаграм дефинише фазну површ (
тродимензионалном T – H - j простору. Испод или унутар ове
246 |
површи материјал се налази у суперпроводном стању, док је у

простору изван ове површи материјал у нормалном стању.
Слика 12.8. Фазни дијаграм S – N прелаза
попречног пресека кроз који тече електрична струја k и који се не

Јачина магнетног поља на површини проводника кружног
налази у спољашњем магнетном пољу, биће:

k
Üí
, 12.18
2,c
где је c полупречник кружног попречног пресека проводника.
Одавде се добија за критичну јачину струје:
kM 2,cÜM . (12.19)
С обзиром на поменуте вредности ÜM , код суперпроводника I врсте
пречника ~1mm, критична јачина струје је kM ~10 A, док је код
суперпроводника II врсте kM ~10† A.
поље Ü4 чији је смер паралелан са осом проводника, јачина

Ако се посматрани проводник унесе у спољашње магнетно
резултујућег поља добија се као векторски збир поља Üí
проводника) и спољашњег поља Ü4 , тј.

(произведеног струјом I које је тангенцијално на површ
k
Ü Ü4 Üí Ü4
. 12.20
4, c
Критична вредност јачине струје која одговара Ü ÜM је:
kM 2,cŒÜM − Ü4 . (12.21)
247 |
У случају да је спољашње поље нормално на осу проводника

тада његова јачина није константна свуда на површини проводника.
Максимална јачина тог поља запажа се на једној ивици проводника
и износи:
k
Ü 2Ü4 Üí 2Ü4 , (12.22)
2,c
одакле је:
kM = 2,c(ÜM − 2Ü4 . (12.23)
Дакле, критична јачина електричне струје линеарно опада са
јачином спољашњег магнетног поља.
12.3. BCS теорија

Независно један од другог, Максвел и Рејнолдс су 1950.
године утврдили да критична температура суперпроводника опада
са порастом масе изотопа јона који чине кристалну решетку
суперпроводника према следећем изразу:
‡ v Rw ∙ 6− , (12.24)
где је - параметар изотопског ефекта за који је експериментално
показано да има приближно стабилну вредност (табела 12.1).
На основу изотопског ефекта, према којем разни изотопи
једног истог метала имају различите критичне температуре,
утврђено је да јонска решетка проводника (масе јона М) активно
учествује у формирању суперпроводног стања, односно да постоји
директна веза суперпроводности са вибрацијама кристалне
решетке.
Табела 12.1. Вредности параметра изотопског ефекта
Метал ‹
Cd 0,5
Hg 0,5
Pb 0,5
Sn 0,5
Re 0,4
Zn 0,4
Tl 0,6
Mo 0,3
Os 0,2
248 |
Полазећи од изотопског ефекта Бардин, Купер и Шрифер су

1957. године успели да објасне микроскопски механизам
суперпроводности на електронском нивоу. По њима названа БЦС
теорија описала је како при веома ниским температурама пролазак
једног електрона кроз позитивно наелектрисану решетку нарушава
стабилност решетке доводећи до њеног кривљења према
електронима (слика 12.9), што за последицу има стварање фонона.
Слика 12.9. Кретање Куперових парова кроз решетку
Фонони настали у области кривљења кристалне решетке

стварају омотач позитивног наелектрисања око посматраног
електрона. Овако „позитивно“ наелектрисани електрон привлачи
други електрон који се креће кроз решетку. Ако ова привлачна
интеракција међу електронима надмашује одбојну кулоновску,
долази до спаривања електрона односно до процеса који је познат
као стварање парова посредством фонона. Парови електрона
створени овим процесом познати су као Куперови парови.
око 10 Ž eV, а средњи домет корелације између два електрона у овом

Теоријском анализом одређена је енергија везе Куперовог пара од
пару је реда 10 + 10 nm. С обзиром да је између два проводна

електрона средње растојање реда 0,1nm, лако се закључује да се
између два спарена електрона налази милион других електрона
који такође корелирају и могу да формирају парове. На основу
реченог може се претпоставити да постоји систем Куперових парова
који су јако корелисани, тако да се налазе у истом квантном стању.
Спин Куперовог пара једнак је нули, јер се увек спрежу
електрони антипаралелних спинова. Дакле, Куперови парoви су
бозони, који се одликују колективним својствима. Наиме, бозони
имају својство да се, испод неке критичне температуре, „кондензују“
на најнижем енергетском нивоу (у основном стању). Ова појава се
249 |
назива Бозе-Ајнштајнова кондензација, и уколико је већи број

Куперових парова на најнижем енергетском нивоу то је теже било
који од њих побудити из тог стања. Између најнижег и првог
чија се ширина обично обележава са 2∆ (слика 12.10).

наредног могућег енергетског стања постоји енергетски процеп
Слика 12.10. Енергетски процеп у суперпроводнику
функцијом од једне просторне променљиве / c . Електрична струја

Сви парови у таквом кондензату описују се таласном
кондензата је суперпроводна, бездисипативна: било којој честици

кондензата је „тешко“ да се расеје на неком дефекту кристалне
решетке или примесном атому јер се томе опиру све остале честице
кондензата. У интеракцији са чворовима кристалне решетке
Куперови парови могу да апсорбују фононе, али при температурама
процепа 2∆, па нема апсорпције и парови се не разграђују, а кроз

нижим од критичне, енергије фонона су мање од енергетског
енергије фонона постају веће од 2∆ и долази до разградње

решетку пролазе без расејавања. На температурама изнад критичне,
Куперових парова, услед чега се јавља расејавање електронских

таласа и термогени отпор.
Слика 12.11. Зависност енергетског процепа у суперпроводнику

од температуре
250 |
почев од вредности ∆ 0 на 0К, до нулте вредности при критичној

Енергетски процеп монотоно опада са порастом температуре,
температури (слика 12.11). Зависност ширине енергетског процепа

од температуре може се аналитички изразити емпиријским
обрасцем:
∆≈ 306d ∙ = . 12.25
M
M −
12.3.1. Стварање парова посредством фонона

За разумевање интеракције електрона посредством фонона
квазиталасним вектором U (слика 12.12). У неком тренутку он

посматра се квазислободан електрон у проводнику са
побуђује вибрацију решетке, односно емитује фонон квазиталасног

вектора ? , и прелази у стање U′ . При том је испуњен закон одржања
импулса U U′ ?. Скоро у истом тренутку други електрон
квазиталасног вектора U апсорбоваће тај фонон и прећи у стање U′ .
електрона из одговарајућих почетних стања U и U у крајња стања

Укупан резултат описаног процеса је да је дошло до расејања два
U′ и U′ :
U U U′ U′ . (12.26)
Слика 12.12. Виртуелна фононска измена
Теоријска анализа је показала да је такво расејање двају

електрона могуће само у случају да они ефективно интерагују
посредством виртуелног фонона, односно да „изменски“ фонон
251 |
постоји само при прелазу од једног до другог електрона. Према

закону интеракције електрона посредством фонона, који лежи у
основи БЦС-теорије: међусобно се привлаче само електрони чија се
највише за ℏ±ì , где је ±ì – Дебајевска учестаност јонске решетке.

енергија разликује од енергије електрона на Фермијевој површи
Енергија њихове интеракције једнака је +p; , док сви остали

електрони не интерагују.
12.3.2. Основно стање суперпроводника
Подсетимо се да се у проводнику сви електрони у U- простору

налазе унутар Фермијеве сфере, а да су сва стања изван ње празна. У
суперпроводнику, ефективно међусобно привлачење електрона
снижава укупну енергију система. Због тога основном стању
U-простору (слика 12.13.a). Сада ће минималној тоталној енергији

суперпроводника одговара не сасвим попуњена Фермијева сфера у
нека стања U-простора изнад Фермијеве површи заузета, док су

одговарати стање са „размазаном“ Фермијевом сфером у којој су
истовремено нека стања испод Фермијеве површи незаузета.
Слика 12.13. Основно стање суперпроводника и електронски

домени
Попуњавање стања иде по паровима: ако је стање U ↑ заузето,
то ће и стање +U ↓ такође бити заузето (стрелицама ↑ и ↓ означени
су правци електронских спинова). То исто важи и за незаузета стања.
Ово је шематски приказано на слици 12.13.б), одакле се види да је
најповољније спаривање електрона са супротно орјентисаним
квазиталасним векторима. У прелазу U U U′ U′ могу да
учествују само електрони из затамњеног дела стања U-простора око
252 |
Фермијеве површи. Смањењем U, затамњена област се повећава и

при U 0 тоталну енергију суперпроводног стања смањују сви
електрони чија стања леже у енергетском појасу ~ℏ±ì око
Фермијеве површи у U-простору, што значи да је ова ситуација
електрони за које важи U U 0.

енергетски најповољнија. Дакле, у основном стању спарују се
12.4. Квантизација магнетног флукса

Лондон је 1950. године претпоставио да флукс магнетног
умношку кванта флукса: †ï T⁄d, где је d – елементарно

поља кроз суперпроводни прстен мора бити једнак целобројном
наелектрисање. Потпуније истраживање овог феномена довело је до
мањи од †ï . Квантизацију магнетног флукса у суперпроводницима

констатације да је елементарни квант флукса - флуксон, два пута
први пут су експериментално демонстрирали 1961. године Дивер и

Фербенк, мерећи магнетни флукс кроз шупљи суперпроводни
цилиндар од калаја, који се налазио у спољашњем магнетном пољу
усмереном дуж осе цилиндра (слика 12.14).
Слика 12.14. Квантизација магнетног флукса
253 |
Суперпроводни цилиндар велике дебљине у односу на •ï

пропушта магнетни флукс само у квантима елементарног магнетног
флукса. Мерења, вршена применом суперпроводног квантног
интерферометра SQUID, показала су да се флукс кроз цилиндар увек
T
мења у скоковима, узимајући целе вредности:
Φ ; 12,3, … , d ∗ 2d. 12.27
d∗
Овај резултат је представљао истовремено и потврду да се ради о
кондензату Куперових парова због фактора 2, а не слободних
електрона.
Магнетни флукс кроз суперпроводник може да продире у
облику посебних кваната флукса – вортекса, градећи при том у
Унутар сваког вортекса радијуса n; , линије магнетног поља су

унутрашњости суперпроводника такозвану вортексну решетку.
паралелне линијама спољашњег поља, а укупни флукс износи Φ;

T⁄2d. У центру вортекса суперпроводност је потиснута, односно тај
део материјала је у нормалном проводном стању. У области n; g c g
•ï теку суперпроводне струје око вортекса поништавајући магнетно
поље тако да се материјал у областима између вортекса налази у
суперпроводном стању. Каже се да је материјал у мешовитом стању
(слика 12.15).
Слика 12.15. Н-Т дијаграм за суперпроводнике II врсте и

вортексна решетка
Као што је напред речено, код суперпроводника II врсте

постоје две критичне вредности јачине магнетног поља између
којих се формира мешовито стање суперпроводника. Управо то
254 |
мешовито стање се реализује преко вортексне решетке, односно

настанак вортексне решетке је карактеристичан за
суперпроводнике II врсте.
Први експериментални доказ о постојању вортексне решетке
дао је Крибије расејавањем неурона на суперпроводном ниобијуму.
Након њега, Раубле и Есман развили су методу за директно
посматрање решетке флуксоида, као и за проучавање разних
дефеката који се могу појавити у овим решеткама. На основу
експеримената је закључено:
малим областима површине ≈ 10 10 μm ,

• Да идеална решетка линија флукса постоји само у
• Код суперпроводника са великим односом •ï ⁄n;

вортекси чине хексагоналну решетку при великим
густинама, док се при малим густинама понашају као
делићи флуида.
Са опадањем густине вортекса неуређеност расте, па при
некој критичној вредности параметра решетке долази до
прелаза у „течно“ стање.
12.5. Џозефсонов ефекат

Појава да Куперови парови могу да тунелују кроз
потенцијалну баријеру која постоји на споју два различита
суперпроводна материјала названа је Џозефсоновим ефектом, по
научнику који ју је теоријски доказао 1962. године.
Слика 12.16. Попречни пресек Џозефсоновог споја
На слици 12.16 дат је упрошћен приказ попречног пресека

Џозефсоновог споја са суперпроводним електродама од легуре
255 |
олова и слојем оксида између њих нанометарске дебљине. Овај

несуперпроводни слој назива се још и слабом везом, а има улогу
тунелске баријере за Куперове парове при преласку из једне у другу
суперпроводну електроду.
Због мале дебљине слоја оксида могућност за значајно
прекривање таласних функција два макростања је значајна. Постоје
две врсте Џозефсоновог ефекта - стационарни и нестационарни. У
случају стационарног ефекта кроз Џозефсонов спој се пропушта
веома слаба једносмерна струја која протиче без отпорности. Овде
долази до изражаја најважније својство суперпроводника –
усаглашено, кохерентно понашање његових електрона. Таласна
функција електрона са једне стране слабе везе, прошавши кроз ту
везу, интерферира са таласном функцијом електрона са друге
стране слабе везе. Због тога суперпроводни електрони са обе стране
Једини утицај слабе везе огледа се у формирању фазне разлике “«

слабе везе почињу да се описују јединственом таласном функцијом.
таласне функције, која одређује интензитет суперпроводне струје
Нека је честица масе f (на пример Куперов пар) описана

кроз Џозефсонов спој.
таласном функцијом:
/ |/|d "• , (12.28)
где је ª- нека фаза. Густина струје вероватноће је:
ℏ
b = |/|
∇ª. (12.29)
f
Под претпоставком да фазни фактор у (12.28) има облик као за
равански талас:
d "• = d "@∙s (12.30)
добија се ∇ª = U, а за густину струје вероватноће:
ℏU
b = |/| . (12.31)
f
Производ израза (12.31) са наелектрисањем Куперовог пара може се
третирати као густина суперпроводне електричне струје.
Ова анализа се односи на обе стране Џозефсоновог споја,
односно и један и други систем Куперових парова могу да се описују
таласним функцијама за раван талас. При тунеловању парова кроз
баријеру долази до интерференције таласа па густина
256 |
суперпроводне струје зависи од фазне разлике таласа испред и иза

споја што се може представити следећом релацијом:
kî kM sin ª + ª , 12.32
где је kM критична јачина струје кроз спој. При kî g kM фаза се
при kî h kM појављује електрични напон. Сам облик струјно -

адаптира тако да електрична струја тече без појаве напона, док се
напонске карактеристике (слика 12.17) зависи од природе слабог

споја и целог кола.
Слика 12.17. U-I карактеристика Џозефсоновог споја
Нестационарни Џозефсонов ефекат наступа када се

једносмерна струја кроз слабу везу појачава све док се на њој не
страну споја доводи до промене енергије за 2dp. У случају правог

појави неки напон при којем прелаз Куперовог пара са једне на другу
суперфлуидног процеса, без дисипације, ова енергија мора да се
тунелирају уз емисију фотона фреквенције: ± 2dp⁄ℏ. При напону

појави као цео квант на другом месту. Тако Куперови парови могу да
од неколико миливолта јавља се микроталасно зрачење са овом

фреквенцијом, а разлика фаза се мења тако да и електрична струја
осцилује истом фреквенцијом. Џозефсонов ефекат први је
детектовао Шапиро 1963. године, запазивши да на једносмерној
индукује низ степенастих платоа струјне ширине ∆kx и константног

струјно - напонској карактеристици Џозефсоновог споја може да се
ℏ±
напона са вредностима:
px , 12.33
2d
где је цео број.
257 |
12.6. Примена суперпроводника

Због одсуства Џулових губитака суперпроводни материјали
су главну примену нашли у производњи електричне енергије
(суперпроводни генератори), као и у њеном преносу и акумулацији.
Транспорт електричне енергије без губитака реализован је помоћу
суперпроводних каблова у напонској мрежи од 100 kW и снаге 1 GW.
У огромним суперпроводним намотајима (суперпроводним
магнетима) енергија се складишти у виду магнетног поља које се
одржава истрајним електричним струјама.
Суперпроводничка левитација (лебдење), као последица
Мајснеровог ефекта, остварује се помоћу перманентног магнета и
подлоге од суперпроводног материјала. Уколико је температура
подлоге виша од критичне температуре, магнет лежи на подлози.
Када се температура снизи испод критичне, подлога постаје
суперпроводна и потискује из своје унутрашњости магнетно поље.
Јавља се, дакле, одбојна магнетна сила која се на одређеној висини
тела изнад подлоге изједначава са силом Земљине теже. Тако тело
остаје да лебди као на магнетном „јастуку“. На овом принципу су
конструисани левитацијски возови изнад суперпроводних шина
(МАГЛЕВ) и левитацијски аутомобили.
Индустријска примена суперпроводника везана је за замену
класичних проводника суперпроводним у статорима великих
електричних генератора и електромотора (снаге 100 до 500 MW),
при чему се постиже вишеструко смањење димензија ових уређаја.
Суперпроводни магнети су нашли примену у машинама са
магнетном и нуклеарном магнетном резонанцијом (у медицинској
дијагностици), као и код соленоида који се користе у ацелераторима
честица и за заштиту од космичког зрачења. Могу се користити и за
магнетну сепарацију где се магнетне честице издвајају из позадине
мање магнетних или немагнетних честица. Током педесетих и
шездесетих година прошлог века суперпроводници су коришћени за
изградњу експерименталних дигиталних рачунара са криотон
прекидачима.
Данас, суперпроводници све више налазе примену у
технологији, електротехници, транспорту, телекомуникацији,
енергетици, компјутерској техници итд. Међутим,
суперпроводљивост је осетљива на кретање магнетних поља па ће
апликацијама које користе наизменичну струју (на пример
трансформатори) бити теже да се развију од оних које се ослањају
на једносмерну струју.
258 |
За практичну примену суперпроводника веома је важно да

функционишу на температурама приближним собним јер их
утрошак енергије за хлађење чини економски непогодним. Због тога
истраживачи из области науке о материјалима већ дуги низ година
настоје да класичне суперпроводне материјале у суперпроводним
жицама, кабловима и слично, замене суперпроводним керамикама.
Ипак, још увек велики проблем представљају лоше механичке
особине (кртост, непостојаност, старење итд) ових керамика.
259 |
Л ИТЕР АТУРА
1. А. С. Давидов: „Теорија твердого тела“, Наука, Москва 1976.
2. N. W. Ashchroft, N. D. Mermin: „Solid State Physics“, Holt, New York,
1976.
3. A. Authier: “The Reciprocal Lattice”, University College Cardiff
Press,Cardiff, Wales, 2001.
4. J. Callaway: „Quantum Theory of the Solid State“, Academic Press, New
York, 1974.
5. Ј. Дојчиловић: „Физика чврстог стања“, Физички факулет,
Београд, 2007.
6. D. K. Ferry, S. M. Goodnick, J. Bird: „Transport in Nanostructures“,
University Press, Cambridge, 2009.
7. W. Jones, N. H. March: „Theoretical Solid State Physics“, Dover, New
York, 1985.
8. M. I. Kaganov: „Еlektrony, fonony, magnony“, Nauka, Moskva, 1979.
9. Ч. Кител: „Увод у физику чврстог стања“, Београд, 1970.
10. A. M. Kosevich: „The Crystal Lattice“, Wiley-VCH, Weinheim, 2005.
11. С. Лукић Д. Петровић: „Експериментална физика кондензоване
материје“, Нови Сад, 2000.
12. П. Б. Павлов, A. Ф. Xoxлов: „Физика твердого тела“, Быцшая
школа, Москва 1985.
13. J. D. Patterson, B. C. Bailey: „Solid-State Physics, Introduction to the
Theory“, Springer, Berlin Heidelberg, 2007.
14. Љ. Ристовски: „Теорија кондензованог стања“, Физички
факултет, Београд, 1994.
15. U. Rӧssler: „Solid State Theory – An Introduction“, Physica-Verlag,
Berlin Heidelberg, 2009.
16. И. Супек:„Теоријска физика и структура материје“, Школска
књига, Загреб, 1977.
17. В. Шипс: „Увод у физику чврстог стања“, Школска књига, Загреб
2003.
18. Б. С. Тошић: „Статистичка физика“, ИФ ПМФ, Нови Сад, 1978.
19. T. M. Tritt: “Thermal Conductivity – Theory, Properties and
Applications“, PlenumPublishers, New York, London, Dordrecht,
London, Moscow, 2003.
20. R. Tsu: „Superlattice to Nanoelectronics“, Elsevier, Amsterdam, 2005.
21. Ј. П. Шетрајчић: „Суперпроводност“, Змај, Нови Сад, 2005.
260 |

!!!Књига FČS PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

!!!Књига FČS PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

П РИ Р ОД Н О- МА Т Е МА ТИ Ч К И Ф А К У Л Т Е Т

УВОД У ФИЗИКУ ЧВРСТОГ

Одлуком Наставно-научног већа број ___________ Природно-

2. ХЕМИЈСКЕ ВЕЗЕ У КРИСТАЛИМА...................................................... 28

3. ДИФРАКЦИЈА ЗРАЧЕЊА НА КРИСТАЛНОЈ РЕШЕТКИ.

3.5. Дифракциони услови................................................................................. 52

4. ДЕФЕКТИ У КРИСТАЛИМА .................................................................. 68

5. ВИБРАЦИЈЕ КРИСТАЛНЕ РЕШЕТКЕ. ФОНОНСКА ПОБУЂЕЊА У

5.1.2. Борн-Карманови услови .............................................................. 92

6. ТОПЛОТНА СВОЈСТВА ЧВРСТИХ ТЕЛА ............................................104

7. ЗОНСКА ТЕОРИЈА ЧВРСТОГ ТЕЛА ..................................................122

8.4. Теорија примесних стања...................................................................... 154

10. ДИЕЛЕКТРИЧНЕ ОСОБИНЕ ЧВРСТИХ ТЕЛА ...............................196

11. МАГНЕТНЕ ОСОБИНЕ ЧВРСТИХ ТЕЛА ..........................................217

12. СУПЕРПРОВОДНИЦИ ............................................................................234

диоксид) други по реду најзаступљенији минерал у природи и да сам

Хук је помоћу оптичког микроскопа уочио на површини

Значајно откриће да су вредности индекса праваца свих

1 . КР ИСТАЛ ОФИЗ ИКА

1.1. Структура кристала

елемент NaCl састоји се од једног Na и једног Cl јона.

Поменутим језиком симбола структура било ког кристала

Слика 1.1. Формирање кристалне структуре

Периодична просторна решетка, или краће, просторна

1.2. Елементарна ћелија

Слика 1.2. Формирање кристалне решетке

Било која тачка кристала може се пресликати у њој

решетке добијају се транслацијом дуж три међусобно независна

Слика 1.3. Елементарна ћелија у просторној решетки

Кристална решетка се може описати као бесконачан скуп

Слика 1.4. Елементарна ћелија кристала

Величину и облик елементарне ћелије дефинишу вектори ,

поклапају са правцима кристалографских оса (слика 1.4). Вектори ,

или периоде кристалне решетке. Њихове дужине , , и углови

, , између њих представљају параметре решетке. Запремина

Слика 1.5. Избор елементарне ћелије у простору и равни

1.3. Примитивна и сложена елементарна ћелија

Слика 1.6. Чвор решетке подељен између 4 елементарне ћелије

Отуда, примитивна ћелија има " 8⁄8 1 чвор решетке по

Слика 1.7. Примитивна елементарна ћелија

Примитивну ћелију могуће је изабрати тако да испољава

Слика 1.8. Вигнер-Зајцова примитивна ћелија

У тродимензионалном случају Вигнер-Зајцова примитивна

Слика 1.9. Вигнер-Зајцова примитивна ћелија у простору

Ако се чворови просторне решетке не налазе само у

Слика 1.10. Примитивна (P), Запремински центрирана (I), базно

2. Базно центрирана елементарна ћелија има 2 чвора од којих је

3. Површински центрирана елементарна ћелија има још 6 чворова

8⁄8) + 6 ∙ (1⁄2) = 4. Такође,

1.4. Симетрија кристала

ротације за 360, 180, 120, 90 и 60 степени. Према томе, у

(, ), *) у тачку (−(, −), −*).

Комбиновањем наведених простих операција и елемената

обртањем за угао 2,⁄ и транслацијом , где је = 2, 3, 4, 6

ред осе обртања.

равни и транслација (клизање за вектор /2).

На крају, истакнимо да сваки кристални полиедар има

1.5. Кристални системи

елементарних вектора транслације , , и углова између њих , , ,

утврдио да су сви познати кристали изграђени од 14 врста

Од 14 Бравеових просторних решетки седам је простих (Р), са

решетке су сложене, јер имају чворове и у неким додатним тачкама,

14 Бравеових просторних решетки је сврстано у 7 кристалних

(, ), ) у тачку (−(, −), −).