15

2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

U poluprovodniku, atomi su ure|eni na strogo definisan na~in, obrazuju-

}i kristalnu re{etku koju karakteri{e prostorna simetri~nost. Prou~avawe
kretawa elektrona kroz kristalnu re{etku je veoma komplikovano, obzirom da
se ne mo`e zanemariti uticaj velikog broja atoma sa svojim pozitivno naelek-
trisanim jezgrima i negativno naelektrisanim elektronskim omota~ima.
Pored toga, zbog svoje kvantne prirode i simetri~nosti kristalne re{etke,
elektroni u poluprovodniku mogu imati energiju samo u odre|enim intervali-
ma - energetskim zonama.
U ovoj glavi }e biti pokazano, koriste}i jedan od jednostavnijih modela,
da elektroni u poluprovodniku mogu imati energiju samo u odre|enim energet-
skim zonama i da su, {to se ti~e provo|ewa elektri~ne struje, interesantne
samo dve energetske zone: provodna i valentna. U tom slu~aju, umesto kretawa
elektrona kroz kristalnu re{etku mo`e se posmatrati kretawe slobodnog
elektrona sa druga~ijom masom (efektivna masa). To zna~i da efektivna masa
uzima u obzir uticaj kristalne re{etke i zavisi od vrste poluprovodnika.
Struktura energetskih zona naj~e{}e kori{}enih poluprovodnika i wihove
efektivne mase, tako|e }e biti razmotrene u ovoj glavi. Na kraju, bi}e
analiziran uticaj odstupawa od simetri~nosti kristalne re{etke, kako zbog
prisustva atoma primesa, tako i zbog ograni~enosti uzorka (prisustva grani~ne
povr{ine).

2.1. ELEKTRONI U PERIODI^NOM POTENCIJALNOM POQU

Priroda elektrona je korpuskularno-talasna, {to zna~i da ih u isto vre-
me treba posmatrati i kao ~estice i kao talase. Prema tome, elektron istovre-
meno karakteri{u, kako energija E i impuls p (brzina v ), tako i u~estanost ν
(talasna du`ina λ ) i talasni vektor k . Pri tome je:
E = hν , p = h/ k (2.1.1)
−34
gde je h =6,62 10 Js Plankova konstanta i h/ = h/(2π) . Kretawe elektrona je
opisano re{ewem [redingerove jedna~ine, oblika:
h/ 2 d ψ(r ) − V r ψ r = −Eψ r
2
( ) ( ) ( ) (2.1.2)
2m d r 2
gde je ψ(r ) talasna funkcija elektrona, E wegova energija a V(r ) potencijalna
energija. Va`an fizi~ki smisao ima kvadrat modula talasne funkcije ψψ ∗ koji
predstavqa verovatno}u nala`ewa elektrona na odre|enom mestu.
Kada se atom nalazi usamqen u prostoru, tj. osim interakcija izme|u
jezgra i elektrona nema drugih uticaja, re{ewe jedna~ine (2.1.2) pokazuje da
elektroni u atomu ne mogu imati bilo koju vrednost energije, ve} mogu zauzi-
mati samo odre|ene (diskretne) energetske nivoe. Drugim re~ima, elektroni se
nalaze u potencijalnoj energetskoj jami V(r ) , nastaloj zbog pozitivno naelek-
16 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

trisanog atomskog jezgra, u kojoj mogu zauzima-

V(r) E +qZ ti samo diskretne energetske nivoe (sl. 2.1).
r Prelaz elektrona izme|u nivoa mogu} je samo
+ apsorpcijom ili emisijom odre|ene energije.
E4 Zamislimo da se veliki broj atoma polu-
provodni~kog materijala pribli`io jedan
E3
drugom i udru`io u kristalnu re{etku. Zbog
E2 blizine atoma, pored uticaja svakog od jezgara
E1 na svoje elektrone, do izra`aja dolaze i ne
Slika 2.1. Potencijalna energija i mogu se zanemariti druge interakcije, kao {to
energetski nivoi elektrona u usam-
su interakcije izme|u jezgara razli~itih ato-
qenom atomu.
ma, izme|u elektrona razli~itih atoma, izme-
|u elektrona jednog i jezgara ostalih atoma i td. Ovako slo`eni uticaji na
elektrone u kristalnoj re{etki dovode do toga da se wihovi energetski nivoi
mewaju. Pored toga, elektroni mogu prelaziti sa jednog na drugi atom, na nivoe
sa istom energijom, pa se mo`e smatrati da su elektroni zajedni~ki za sva
jezgra. Drugim re~ima, energetski nivoi svih atoma se udru`uju formiraju}i
energetske zone.
Da bi se opisalo kretawe elektrona u kristalnoj re{etki trebalo bi za
svaki elektron napisati odgovaraju}u jedna~inu, koja bi uzela u obzir uticaj
ostalih elektrona i jezgara. Jasno je da bi se dobio sistem od ogromnog broja
jedna~ina sa ogromnim brojem promenqivih, {to bi prakti~no bilo nemogu}e
re{iti. Zbog toga se koriste aproksimativni modeli za opisivawe kretawa
elektrona u kristalnoj re{etki. Jedan od najjednostavnijih modela je onaj koji
podrazumeva da se posmatra kretawe samo jednog elektrona u potencijalnom po-
qu kristalne re{etke kojim je zamewen uticaj svih ostalih elektrona i jezgara.
Drugim re~ima, svi atomi udru`uju svoja potencijalna poqa (oblika kao na sl.
2.1), tako da se formira periodi~no potencijalno poqe kristalne re{etke, koje
za slu~aj jednodimenzione kristalne re{etke ima oblik kao na sl. 2.2.a.
Me|utim, ~ak i u jednodimenzionom slu~aju, zavisnost potencijala kris-
talne re{etke od koordinate je toliko slo`ena da u velikoj meri komplikuje
re{avawe odgovaraju}e [redin-
V(r) E c +qZ gerove jedna~ine. To zna~i da se
+ + + + + r problem mora jo{ pojednostavi-
ti i to tako {to }e se stvarna
raspodela potencijala u kris-
E3 talnoj re{etki zameniti nizom
pravouglih potencijalnih bari-
E2
jera izme|u jezgara u kristalnoj
E1 re{etki (sl. 2.2.b). Drugim re~i-
(a)
ma, kretawe elektrona u kris-
V(r)
talnoj re{etki analizira}emo
koriste}i model kretawa jednog
Vb elektrona u periodi~nom poten-
E r
cijalnom poqu sastavqenom od
(b) a beskona~nog skupa jednakih pra-
b
Slika 2.2. [ematska predstava periodi~nog potenci- vouglih potencijalnih barijera.
jala jednodimenzione kristalne re{etke (a) i apro- Taj model se naziva Kroning-Pe-
ksimacija pravouglim potencijalnim barijerama - nijev model. U slu~aju jednodi-
Kroning-Penijev model (b).
2.1. Elektroni u periodi~nom potencijalnom poqu 17

F(α a)

cos(ka)
+1
−π π 3π αa π/2 3π/2
−2π 2π 4π −π/2 ka
-1

Slika 2.3. Grafi~ko re{avawe transcedentne jedna~ine (2.1.8).

menzione kristalne re{etke, zavisnost potencijalne energije od koordinate

V(x) , prema tom modelu, mo`e se predstaviti u obliku:
V(x) = { −V b ; 0 < x < a (2.1.3)
0; a<x<a+b
Pri tome se pretpostavqa da je energija elektrona mawa od visine potenci-
jalne barijere, tj. E < V b . Ovako definisana raspodela potencijalne energije je
periodi~na, sa periodom c = a + b , {to je i perioda kristalne re{etke. To zna~i
da su sve potencijalne jame (i barijere) na sl. 2.2.b jednake, pa }e i verovatno}a
nala`ewa elektrona u wima biti jednaka, odnosno, ψψ ∗ mora biti periodi~na
funkcija sa periodom jednakom periodi kristalne re{etke.
Re{ewe odgovaraju}e [redingerove jedna~ine, odnosno jedna~ine (2.1.2)
napisane za jednodimenzioni slu~aj, uz V(x) prema (2.1.3), tra`i}emo, posebno za
oblast potencijalne barijere, a posebno u potencijalnoj jami, ali tako da
talasna funkcija uvek bude periodi~na, tj. ψ(x) = ψ(x + c) . U potencijalnoj jami
kada je 0 ≤ x ≤ a , za talasnu funkciju se mo`e napisati:
ψ(x) = A 1 ⋅ exp (iαx) + A 2 ⋅ exp (−iαx) (2.1.4)
{to je kombinacija trigonometrijskih funkcija, tako da je uslov periodi~-
nosti zadovoqen. U oblasti potencijalne barijere, kada je a ≤ x ≤ a + b , talasnu
funkciju treba tra`iti u obliku:
ψ(x) = [B 1 ⋅ exp (α 1 x) + B 2 ⋅ exp (−α 1 x)] ⋅ exp (ika) (2.1.5)
gde izraz u zagradi pokazuje da talasna funkcija eksponencijalno opada od
zidova prema unutra{wosti barijere, dok eksponent ispred zagrade obezbe|uje
wenu periodi~nost. U gorwim relacijama su uvedene oznake:
α = 1 2mE , α 1 = 1 2m(V b − E) (2.1.6)
h/ h/
Konstante integracije A1, A2, B1, B2 odre|ene su grani~nim uslovima, tj. uslovom
da su vrednosti talasnih funkcija i wihovih izvoda u ta~kama x = 0 i x = a
jednake. Na taj na~in se dobija sistem od ~etiri jedna~ine, koji se u slu~aju
uskih b → 0 , c ≈ a i visokih potencijalnih barijera V b → ∞ , ali tako da je:
P = ma bV b =const (2.1.7)
h/ 2
18 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

svodi na relaciju:
sin (αa)
F(αa) = cos (αa) + P αa = cos (ka) (2.1.8)
Pri tome je uzeto da je, zbog b → 0 , periodi~nost kristalne re{etke prakti~no
jednaka {irini potencijalnih jama, tj. c ≈ a .
Prethodna relacija je transcedentna jedna~ina po α , odnosno, zbog (2.1.6),
po energiji elektrona. Kako nije mogu}e analiti~ko re{ewe, transcedentnu
jedna~inu (2.1.8) re{ava}emo grafi~ki. Na sl. 2.3 nacrtani su jedan pored drugog
grafici funkcija F(αa) i cos(ka) , odnosno, leve i desne strane relacije (2.1.8).
Ako za neku vrednost ka = ϕ 1 na|emo odgovaraju}u vrednost cos(ϕ 1 ) , pa povu~emo
pravu paralelnu apcisi (kao na sl. 2.3), prese~ne ta~ke te prave i grafika
funkcije F(αa) odre|uju skup ta~aka αa , odnosno, re{ewa jedna~ine (2.1.8), koja
odgovaraju veli~ini ϕ 1 . Po{to cos(ka) , odnosno desna strana (2.1.8), mo`e imati
vrednosti samo u granicama od -1 do +1, jasno je da }e i mogu}e vrednosti αa koje
su re{ewa (2.1.8) biti u odre|enim intervalima, tako da bude −1 ≤ F(αa) ≤ +1 .
Drugim re~ima, veli~ina α , odnosno, zbog (2.1.6), i energija elektrona, mo`e
imati vrednosti samo u odre|enim diskretnim intervalima - dozvoqenim
zonama (koje su na sl. 2.3 predstavqene zadebqanom linijom), za razliku od
zabrawenih zona, koje predstavqaju skupove vrednosti koje veli~ina α , odnosno
energija elektrona ne mogu imati. Na taj na~in, ~ak i kvalitativna analiza,
pokazuje da elektroni u poluprovodniku mogu imati energiju samo u odre|enim
energetskim zonama.
Veli~ina i me|usobni odnos dozvoqenih i zabrewenih zona zavisi od
vrednosti veli~ine P u relaciji (2.1.8). Veli~ina P , definisana relacijom
(2.1.7), direktno je proporcionalna visini V b i {irini b potencijalnih
barijera, prema sl. 2.2.b. U fizi~kom smislu, P predstavqa prozra~nost
potencijalnih barijera za elektrone.
Kada P → ∞ , potencijalne barijere su neprozra~ne za elektrone, odnosno
elektroni su ~vrsto vezani za svoje atome. U tom slu~aju, funkcija F(αa) prese-
ca osu αa pod skoro pravim uglom. To zna~i da }e dozvoqene zone biti sasvim
male, za razliku od zabrawenih zona koje }e se pove}avati, tako da u grani~nom
slu~aju, dozvoqene zone prelaze u diskretne energetske nivoe, {to odgovara
jednom usamqenom atomu.
Drugi grani~ni slu~aj, kada P → 0 , odgovara niskim i uskim barijerama
koje su prozra~ne za elektrone. Kada P → 0 , (2.1.8) prelazi u jednostavnu zavis-
nost cos(αa) = cos(ka) , koja pokazuje da nema nikakvih zabrawenih zona. To zna~i
da su elektroni slabo vezani za svoje atome, odnosno pona{aju se kao potpuno
slobodni elektroni u kristalnoj re{etki, {to odgovara slu~aju metala.
Kod poluprovodnika, veli~ina P je velika, ali nikako ne te`i beskona~-
nosti (P >> 1 ), {to je izme|u dva prethodna grani~na slu~aja, tako da elektroni
nisu sasvim slabo, ali ni suvi{e jako vezani za svoje atome. Tada re{ewe
relacije (2.1.8) treba, prema sl. 2.3, tra`iti u blizini ta~aka αa = nπ , za
n = ±1, ±2, ±3, … . Kada se u okolini tih ta~aka, trigonometrijske funkcije na
levoj strani (2.1.8) razviju u red i zanemare ~lanovi po~ev od drugog stepena, uz
kori{}ewe (2.1.6), za energiju elektrona u dozvoqenim zonama se dobija:
E n = A n + (−1) n B n ⋅ cos (ka) (2.1.9)
gde je:
2.1. Elektroni u periodi~nom potencijalnom poqu 19

2 2 2 2
A n = h/ n 2  1 − 2  , B n = h/ n 2 2 (2.1.10)
2ma P 2ma P
Stavqaju}i cos(ka) = ±1 u (2.1.9), za granice n -te dozvoqene zone se dobija:
2 2 2 2
E max,n = h/ n 2 , E min,n = h/ n 2  1 − 4  (2.1.11)
2ma 2ma P
Jasno je da je cos(ka) = ±1 zadovoqeno za:
k = nπ a , n = ±1, ±2, ... (2.1.12)
To zna~i da je najve}a energija u dozvoqenoj zoni (vrh zone) odre|ena prvom od
relacija (2.1.11) i relacijom (2.1.12), pa se mo`e napisati i:
2 2
E max,n = h/ k (2.1.13)
2m
Prethodna relacija ima isti oblik kao izraz za energiju slobodnog elektrona,
pa se mo`e uzeti da veli~ina h/ k predstavqa impuls elektrona u dozvoqenoj
zoni. Za razliku od stvarnog impulsa, h/ k se naziva kvaziimpuls.
Prethodni rezultati, dobijeni za slu~aj jednodimenzione kristalne
re{etke, mogu se generalizovati za realnu trodimenzionu strukturu. Raspodela
potencijalne energije V(r) bi}e periodi~na u sva tri pravca, tj. du` sve tri
koordinatne ose x, y, z bi}e odre|ena zavisnostima kao na sl. 2.2. To zna~i da se
du` svake od osa x, y, z mo`e re{avati posebna [redingerova jedna~ina koja daje
odgovaraju}e talasne funkcije ψ x , ψ y , ψ z . U tom slu~aju, ukupna talasna funkci-
ja je ψ = ψ x ψ y ψ z . Za energiju elektrona se dobijaju zavisnosti, koje, kao i u
jednodimenzionom slu~aju, pokazuju postojawe dozvoqenih i zabrawenih zona.
Energija elektrona pri vrhu dozvoqene zone bi}e data izrazom:
2  n2 n 2y n 2 
E max (n x , n y , n z ) = h/  x2 + 2 + z2  (2.1.14)
2m  a x a y a z 
koji je analogan prvoj od relacija (2.1.11). Me|utim, relacija (2.1.14) pokazuje da
u trodimenzionom kristalu vrednosti energije zavise od tri kvantna broja
n x , n y , n z , od kojih svaki mo`e imati vrednosti ±1, ±2, ±3, … . Veli~ina u zagradi
relacije (2.1.14) mo`e da se predstavi kao kvadrat intenziteta nekog vektora k :
2 2 2
k 2 = n 2x  aπ  + n 2y  aπ  + n 2z  aπ  (2.1.15)
x y z

Na taj na~in, i u slu~aju trodimenzione kristalne re{etke, relacije (2.1.14) i

(2.1.15) mogu da se napi{u kao (2.1.13), tj. u istom obliku kao relacija za energiju
slobodnog elektrona. U tom slu~aju h/ k je kvaziimpuls elektrona u dozvoqenoj
zoni, a veli~ina k je talasni vektor.
Treba napomenuti da je prethodno re{ewe, dobijeno na osnovu
Kronig-Penijevog modela, koji pretpostavqa da se slo`ena zavisnost V(x) mo`e
zameniti pravouglim potencijalnim barijerama, sasvim upro{}eno i u nekim
slu~ajevima daje pogre{ne rezultate. Znatno ta~nije re{ewe (ali i mnogo
komplikovanije relacije) se dobija ako se za V(x) uzme zavisnost koja boqe
opisuje raspodelu potencijalne energije u kristalnoj re{etki. Me|utim, op{ti
zakqu~ak je isti: elektron u kristalnoj re{etki mo`e imati energiju samo u
odre|enim intervalima (dozvoqene zone), i da postoje opsezi energija koje
elektroni ne mogu da imaju (zabrawene zone).
20 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

2.2. BRILUENOVE ZONE

Za prou~avawe kretawa elektrona neobi~no je va`no poznavati odgova-
raju}u zavisnost E(k) (disperzionu zavisnost). U slu~aju potpuno slobodnih
elektrona van atoma, ta zavisnost, odre|ena relacijom (2.1.13), je paraboli~na i
na sl. 2.4.a prikazana je isprekidanom linijom. Me|utim, kada se elektroni na|u
u periodi~nom potencijalnom poqu kristalne re{etke, disperziona zavisnost
je odre|ena relacijom (2.1.8) i odstupa od paraboli~nog oblika zbog uticaja tog
poqa. [ta vi{e zavisnost E(k) nije neprekidna funkcija, tj. za svako k ,
odre|eno relacijom (2.1.12), E(k) ima prekide. Drugim re~ima, zavisnost E(k) se
sastoji iz vi{e kontinualnih delova (dozvoqene zone) izme|u prekida koji
odgovaraju zabrawenim zonama. Na sl. 2.4.a, punom linijom, prikazana je
zavisnost E(k) za elektrone u kristalnoj re{etki, a na sl. 2.4.b ilustrovan je
polo`aj i granice dozvoqenih i zabrawenih zona.
Intrevali vrednosti veli~ine k u kojima je zavisnost E(k) (odnosno ener-
gija elektrona) neprekidna funkcija, a na ~ijim krajevima E(k) ima diskonti-
nuitet (prekid) nazivaju se Briluenove zone. U jednodimenzionom slu~aju, in-
terval k od −π/a do π/a je prva Briluenova zona, intervali k od −2π/a do −π/a i
od π/a do 2π/a su druga Briluenova zona i tako daqe. Jasno je da svakoj Bri-
luenovoj zoni odgovara odre|ena zona dozvoqenih energija.
Zbog periodi~nosti kristalne re{etke, nema potrebe razmatrati elek-
trone na energetskim stawima u svim Briluenovim zonama jer se stawa sa talas-
nim vektorom k i :
k = k + n 2π
a , n = 0, ±1, ±2, ... (2.2.1)
u fizi~kom smislu ne razlikuju. [ta vi{e, mo`e se pokazati da je broj kvant-
nih stawa, odnosno maksimalni broj elektrona koji mo`e da se na|e u svakoj
Briluenovoj zoni isti. To zna~i da se bilo koje stawe elektrona sa talasnim

E E

k k
−3π/ a −2π/ a −π/ a 0 0
π/ a 2π/ a 3π/ a −π/ a π/ a
(b) (a) (v)
Slika 2.4. Disperziona zavisnost E(k) (a), energetske zone (b) i E(k) svedeno
na prvu Briluenovu zonu (v).
2.2. Briluenove zone 21

vektorom k mo`e izraziti pomo}u talasnog vektora k ~ija vrednost odgovara

prvoj Briluenovoj zoni. Drugim re~ima, sve Briluenove zone mogu da se svedu
(preslikaju) na prvu Briluenovu zonu. Na taj na~in, posmatraju}i vrednosti k u
granicama od −π/a do π/a , obuhvatamo sve mogu}e vrednosti talasnog vektora k ,
ali svakoj vrednosti k u prvoj Briluenovoj zoni odgovara vi{e dozvoqenih
energetskih zona. Na sl. 2.4.v prikazana je zavisnost E(k) svedena na prvu Bri-
luenovu zonu, tako {to su odgovaraju}e zavisnosti sa sl. 2.4.a produ`ene u
interval od −π/a do π/a .
Naravno, Briluenove zone mogu da se defini{u i za trodimenzionu kris-
talnu re{etku. U tom slu~aju, u prostoru talasnog vektora k treba zamisliti
koordinatni sistem k x , k y , k z i u wemu zavisnosti E(k) . Geometrijska mesta ta~a-
ka u k -prostoru, u kojima postoji prekid (diskontinitet) disperzione zavisnos-
ti E(k) , predstavqa skup povr{ina, simetri~no raspore|enih u odnosu na koor-
dinatni po~etak. Svake dve od tih povr{ina odre|uju zapreminu u k -prostoru,
odnosno Briluenovu zonu. Oblik tih zapremina k -prostora, odnosno Brilueno-
vih zona je dosta slo`en, i zavisi od kristalografske strukture. Me|utim, sli-
~no kao i u jednodimenzionom slu~aju, sve trodimenzione Briluenove zone mogu
da se svedu na prvu Briluenovu zonu, koja, u najprostijem slu~aju proste kubi~ne
re{etke, ima oblik kocke stranica 2π/a , u ~ijem je centru koordinatni po~etak
k -prostora.
Posmatrajmo deo linearnog niza od N x atoma izme|u kojih je jednako ra-
stojawe a x . Du`ina tog niza je L x = a x N x . Zbog periodi~nosti kristalne struk-
ture, ta~ke sa koordinatama x i x + L x moraju biti fizi~ki ekvivalentne, tako
da talasne funkcije koje opisuju stawa u tim ta~kama zadovoqavaju uslov
ψ((x) = ψ(x + L x ) , koji se, obzirom na (2.1.5) svodi na :
exp [ik x (x + L x )] = exp (ik x x) ⇒ exp (ik x L x ) = 1 (2.2.2)
Prethodni uslov je zadovoqen za k x L x = 2πn x , gde je n x = 0, ±1, ±2, … , tj. kada je:
n n
k x = 2π x = x  2π  (2.2.3)
Lx Nx ax 
Najve}a apsolutna vrednost veli~ine n x odre|ena je ~iwenicom da je prva Bri-
luenova zona ograni~ena vredno{}u k x = π/a x , tako da (2.2.3) daje n x,max = N x /2 .
Prema tome, u prvoj Briluenovoj zoni postoji N x razli~itih vrednosti k x i to
za n x = 0, ±1, ±2, …, ±(N x − 1)/2, N x /2 . Drugim re~ima, u prvoj Briluenovoj zoni
postoji N x stawa, odnosno broj stawa je jednak broju posmatranih atoma. Kada se
du`ina posmatranog niza atoma L x pove}ava, raste i broj stawa, tj. stawa se
gu{}e raspore|uju, pa za velike vrednosti veli~ine N x mo`emo smatrati da je
Briluenova zona kvazineprekidna.
Kada se posmatra trodimenziona kristalna re{etka, sve {to je napred
re~eno va`i za svaki od tri pravaca. Prema tome, ukupan broj stawa u prvoj
Briluenovoj zoni je jednak broju atoma u kristalnoj re{etki, tj. N = N x N y N z .
Mo`e da se poka`e, ali znatno komplikovanije nego u prethodnom slu~aju, da je
broj stawa u svim Briluenovim zonama, odnosno u svakoj dozvoqenoj energetskoj
zoni isti i jednak N .
Stawe elektrona, kao mikro~estice, odre|uju ~etiri fizi~ke veli~ine
(~etiri kvantna broja). Pored tri komponente talasnog vektora (k x , k y , k z ),
~etvrta veli~ina koja odre|uje stawe elektrona je spin. Me|utim prema
22 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

Paulijevom principu, elektroni mogu imati samo dve vrednosti spina 1/2 i -1/2.
To zna~i da se u jednom stawu sa odre|enim vrednostima k x , k y , k z mogu nalaziti
najvi{e dva elektrona. Prema tome, maksimalni broj elektrona u prvoj Brilue-
novoj zoni bi}e dvostruko ve}i od broja kvantnih stawa u woj.
Od interesa je odrediti gustinu kvantnih stawa, tj broj kvantnih stawa u
jedinici zapremine i jedinici zapremine k -prostora u prvoj Briluenovoj zoni.
U kristalnoj re{etki, u prvoj Briluenovoj zoni, ura~unavaju}i spin, postoji
dvostruko vi{e kvantnih stawa nego atoma, tj. N ks = 2N = 2N x N y N z . Kako je
zapremina kristalne re{etke V = L x L y L z = a x a y a z N x N y N z , a zapremina prve
Briluenove zone u k -prostoru V k = (2π/a x )(2π/a y )(2π/a z ) , to }e gustina kvantnih
stawa u prvoj Briluenovoj zoni, ura~unavaju}i i spin, biti:
3
N ks
= 2  1  (2.2.4)
VV ks 2π
Nezavisno od kristalografske strukture, gustina kvantnih stawa u svakoj
Briluenovoj zoni je ista i odre|ena relacijom (2.2.4), jer je zapremina
Briluenovih zona i ukupan broj kvantnih stawa u tim zonama uvek isti. Drugim
re~ima, najve}i mogu}i broj elektrona u svakoj dozvoqenoj energetskoj zoni je
isti, {to zna~i da u potpuno popuwenim energetskim zonama postoji jednak broj
elektrona.

2.3. PROVODNA I VALENTNA ZONA

Kao {to smo pokazali, koriste}i upro{}en Kroning-Penijev model,
elektroni u kristalnoj re{etki mogu imati energiju samo u odre|enim interva-
lima (dozvoqene zone). U stvari, udru`ivawem atoma u kristalnu re{etku,
udru`uju se i wihovi energetski nivoi stvaraju}i energetske zone. Posmatraju-
}i sa strane jednog atoma, sve se de{ava kao da se wegovi energetski nivoi {ire
obrazuju}i energetske zone, kad mu se ostali atomi pribli`e da bi se obrazo-
vala kristalna re{etka (sl. 2.5). Ukoliko su atomi bli`i jedan drugom, energe-
tske zone su {ire, {to pokazuju i relacije (2.1.11). Sa sl. 2.5 je jasno, a to
pokazuje i analiza relacija (2.1.11) da }e na vi{im energijama, energetski
procep (zabrawena zona) izme|u dozvoqenih zona biti mawi, pa ~ak mo`e do}i i
do preklapawa pojedinih dozvoqenih zona.
[ematska predstava dozvoqenih i zabrawenih zona, kao na sl. 2.4.b ili na
levom delu sl. 2.5, ~esto se koristi u analizi razli~itih poluprovodni~kih

E E3a
E3max provodna zona
E3min Ec
Eg2 E2a
E2max
E2min E1a
Eg
Eg1 Ev
E1max
E1min
valentna zona
a r Slika 2.6. Dijagram energetskih
Slika 2.5. Obrazovawe energetskih zona od energetskih zona sveden na dno provodne i vrh
nivoa kada se atomi pribli`avaju jedan drugom. valentne zone.
2.3. Provodna i valentna zona 23

struktura i naziva se dijagram energetskih zona. Na dijagramu energetskih zona,

obi~no se ne crtaju koordinatne ose, ali uvek treba imati na umu da vertikalna
osa odgovara energiji dok horizontalna osa, naj~e{}e, odgovara prostornoj
koordinati. Na taj na~in, koriste}i dijagram energetskih zona, uticaj
elektri~nog poqa, lokalnih nehomogenosti ili granica razli~itih materijala
na nosioce naelektrisawa mo`e da se prika`e kao krivqewe energetskih zona.
Pored toga, pomo}u dijagrama energetskih zona mogu}a je i kvalitativna
analiza koncentracija elektrona u pojedinim dozvoqenim zonama.
Sa stanovi{ta provo|ewa elektri~ne struje, nisu sve dozvoqene zone
interesantne, ve} samo dve. U stvari, zbog te`we minimumu energije, elektroni
}e popuniti kvantna stawa sa najni`im energijama. To zna~i da }e energetske
zone sa ni`im energijama biti potpuno popuwene elektronima. Elektroni iz
tih zona ne mogu u~estvovati u provo|ewu struje, jer su ~vrsto vezani za svoje
atome (kristalnu re{etku), a tako|e, i zbog toga {to u tim zonama nema
slobodnih kvantnih stawa u koja mogu da pre|u. Od interesa je samo zona sa
najvi{om energijom u kojoj ima elektrona. Elektroni iz zone sa najvi{om
energijom u~estvuju u formirawu valentnih veza pa se zbog toga ta zona naziva
valentna zona. Elektroni iz valentne zone ne mogu da u~estvuju u provo|ewu
struje. Me|utim, pod odre|enim uslovima, oni mogu da pre|u u susednu zonu, na
vi{oj energiji, koja je prazna i naziva se provodna zona. Elektroni koji su iz
valentne zone pre{li u provodnu zonu mogu da u~estvuju u provo|ewu struje.
[ta vi{e, takvim prelaskom elektrona (koji zna~i prekid valentne veze), u
valentnoj zoni ostaje slobodno kvantno stawe - {upqina (sl. 2.6). Stvarawem
praznih kvantnih stawa, odnosno {upqina, u valentnoj zoni, omogu}eno je pro-
vo|ewe struje elektronima iz valentne zone, koji popuwavaju prazna kvantna
stawa stvaraju}i, pri tome, nove {upqine. Drugim re~ima, u provo|ewu struje
u~estvuju elektroni koji se na|u u provodnoj zoni i {upqine koje se stvore u
valentnoj zoni. U energetskim zonama na vi{im energijama nema elektrona pa
one nisu interesantne sa stanovi{ta provo|ewa struje.
Prema tome, kretawem elektrona u provodnoj zoni i {upqina u valentnoj
zoni omogu}eno je provo|ewe struje, pa se dijagram energetskih zona obi~no
ograni~ava samo na provodnu i valentnu zonu. [ta vi{e, najve}i uticaj na
uslove za provo|ewe struje ima me|usobni polo`aj najvi{e energije valentne
zone (vrh valentne zone E v ) i najni`e energije provodne zone (dno provodne zone
E c ), odnosno zabrawena zona izme|u provodne i valentne zone (energetski
procep E g ). Zbog toga dijagram energetskih zona naj~e{}e izgleda kao na sl. 2.6.
metal poluprovodnik dielektrik
Ec

Ev Ec
E g > 2 eV
Eg
Ec Ev

Ev
(a) (b) (v)
Slika 2.7. Dijagram energetskih zona metala (a), poluprovodnika (b) i dielektrika (v).
24 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

Me|usobni polo`aji dna provodne i vrha valentne zone u nekim materija-

lima prikazani su na sl. 2.7. Kod metala, vrh valentne zone je iznad dna provod-
ne zone (E v > E c , sl. 2.7.a), odnosno, provodna i valentna zona se preklapaju, tako
da energetski procep ne postoji. To zna~i da se deo elektrona valentne zone u
isto vreme nalazi i u provodnoj zoni. Jasno je da ti elektroni mogu da u~estvuju
u provo|ewu struje, {to obja{wava visoku elektri~nu provodnost metala. U
slu~aju kada postoji energetski procep (sl. 2.7.b i sl. 2.7.v), odnosno kada je dno
provodne zone iznad vrha valentne zone (E c > E v ), na prvi pogled, ne postoje
uslovi za proticawe struje. Me|utim, kada je energetski procep mali, neki od
elektrona valentne zone mogu da dobiju dovoqno energije da pre|u u provodnu
zonu. Na taj na~in stvoreni elektroni u provodnoj zoni i {upqine u valentnoj
zoni, mogu da u~estvuju u provo|ewu struje. Jasno je da, {to je energetski procep
ve}i, treba vi{e energije da bi elektroni iz valentne zone pre{li u provodnu
zonu. Drugim re~ima, {to je energetski procep ve}i, provodnost materijala je
mawa.
Materijali kod kojih postoji energetski procep (E c > E v , E g > 0 ) su polu-
provodnici ili dielektrici (izolatori) i razlika izme|u wih je samo u veli-
~ini energetskog procepa. Prema tome, poluprovodnici su materijali kod kojih
je energetski procep mali (sl. 2.7 b), dok je kod dielektrika, odnosno, izolatora
energetski procep veliki (sl. 2.7.v). Jasno je da izme|u poluprovodnika i die-
lektrika ne postoji o{tra granica ako se wihova podela izvr{i prema
veli~ini energetskog procepa. Ipak, smatra se da su materijali sa energetskim
procepom mawim od 2eV poluprovodnici a da dielektrici i izolatori imaju
energetski procep ve}i od 2eV.

2.4. EFEKTIVNA MASA

Kako smo pokazali u prethodnim odeqcima, u provo|ewu struje u~estvuju
samo elektroni iz provodne zone i {upqine iz valentne zone, tako da daqe raz-
matrawe mo`e da se ograni~i samo na te energetske zone. Me|utim, zbog uticaja
periodi~nog potencijalnog poqa kristalne re{etke na elektrone, mora se
voditi ra~una o disperzionoj zavisnosti E(k) , koja u najjednostavnijem slu~aju
ima oblik (2.1.9). U slu~aju realnih poluprovodnika zavisnost E(k) je znatno
slo`enija od (2.1.9), tako da je razmatrawe kretawa elektrona u provodnoj i
valentnoj zoni veoma komplikovano.
Da bi smo razmatrawe uprostili, uobi~ajenu relaciju za ubrzawe ~estice
mase m pod uticajem sile F :
a= m 1F (2.4.1)
transformisa}emo na slede}i na~in:
dp    
a = dv = dv = d  d E  F = 12 d  d E  F (2.4.2)
dt dp dt dp dp  h/ d k  d k 
pri ~emu je p impuls, k talasni vektor i E energija ~estice, a recipro~na
vrednost mase ~estice je:
1 1 d dE
m = h/ 2   (2.4.3)
dk  dk 
2.4. Efektivna masa 25

Kada je elektron potpuno slobodan, E(k) je kvadratna zavisnost po k , pa

(2.4.3) odre|uje masu slobodnog elektrona i va`i relacija (2.4.1). Kada se elek-
tron kre}e u potencijalnom poqu kristalne re{etke, zavisnost E(k) je slo`ena
i zavisi od strukture kristalne re{etke. U tom slu~aju relacija (2.4.3) odre|u-
je veli~inu koja je po prirodi recipro~na masi i tako|e zavisi od strukture
kristalne re{etke. Na taj na~in, kretawe elektrona u potencijalnom poqu
kristalne re{etke mo`e da se opi{e relacijom (2.4.1) ali umesto mase treba
koristiti veli~inu odre|enu relacijom (2.4.3) uz odgovaraju}u disperzionu
zavisnost E(k) . Zbog toga se veli~ina odre|ena relacijom (2.4.3) naziva reci-
pro~na efektivna masa elektrona i ona opisuje uticaj kristalne re{etke na
wihovo kretawe. Naravno, recipro~na efektivna masa elektrona u provodnoj
zoni odre|ena je relacijom (2.4.3) uz zavisnost E(k) za provodnu zonu. Na isti
na~in se mo`e odrediti recipro~na efektivna masa {upqina u valentnoj zoni,
tako {to }e se u (2.4.3) zameniti zavisnost E(k) koja odgovara valentnoj zoni.
U stvari, relacija (2.4.2) mora da se napi{e za slu~aj trodimenzione
kristalne re{etke, tako da je:
     
a x = 12 ∂  ∂E  F x + 12 ∂  ∂E  F y + 12 ∂  ∂E  F z
h/ ∂k x  ∂k x  h/ ∂k x  ∂k y  h/ ∂k x  ∂k z 

     
a y = 12 ∂  ∂E  F x + 12 ∂  ∂E  F y + 12 ∂  ∂E  F z (2.4.4)
h/ ∂k y  ∂k x  h/ ∂k y  ∂k y  h/ ∂k y  ∂k z 

     
a z = 12 ∂  ∂E  F x + 12 ∂  ∂E  F y + 12 ∂  ∂E  F z
h/ ∂k xz  ∂k x  h/ ∂k z  ∂k y  h/ ∂k z  ∂k z 
U tom slu~aju, pravac ubrzawa a nije isti kao pravac sile F . Sve veli~ine:
1 1 ∂ ∂E
m ij = h/ 2 ∂k i ∂k j (2.4.5)

koje povezuju vektore a i F su komponente tenzora drugog reda, tj.:

∂2 E ∂2E ∂2E
→ 1 1 1
→ m xx m xy m xz ∂k 2x ∂k x ∂k y ∂k x ∂k z
1 1 1 1
= 12
∂2 E ∂2E ∂2E
m= m yx m yy m yz
h/ ∂k y ∂k x ∂k 2y ∂k y ∂k z (2.4.6)
1 1 1
m zx m zy m zz ∂2 E ∂2E ∂2E
∂k z ∂k x ∂k z ∂k y ∂k 2z

Tenzor definisan relacijom (2.4.6) je tenzor recipro~ne efektivne mase i on

uzima u obzir uticaj periodi~nog poqa kristalne re{etke na kretawe
elektrona, pa se mo`e napisati:
→
→
1 ⋅F
a= m (2.4.7)
Ponekad se uvodi i tenzor efektivne mase koji se defini{e relacijom:
→
→ → 1 0 0
→ 1
m⋅m= 0 1 0 (2.4.8)
0 0 1
Napomenimo da komponente tenzora efektivne mase nisu recipro~ne vrednosti
komponenata tenzora recipro~ne efektivne mase, ve} se moraju odre|ivati
prema relaciji (2.4.8), koriste}i osnovna pravila matri~nog ra~una, tako da je:
26 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

 →
−1
→
 1
m ij = 1  det m  (2.4.9)
M ij  
 
gde je M ij recipro~na vrednost kofaktora elementa i, j u determinanti matrice
recipro~ne efektivne mase odre|ene relacijom (2.4.6).
U ve}ini konkretnih slu~ajeva, tenzor recipro~ne efektivne mase ima
prostiji oblik nego (2.4.6), odnosno nisu sve komponente razli~ite me|usobom i
razli~ite od nule. U stvari tenzor (4.2.6) je simetri~an u odnosu na glavnu
dijagonalu, tj. va`i:
1 = 1 ; ∂2E = ∂2E (2.4.10)
m ij m ji ∂k i ∂k j ∂k j ∂k i
jer parcijalni izvodi ne zavise od redosleda diferencirawa. Biraju}i pogodan
koordinatni sistem, simetri~ni tenzor mo`e da se svede na dijagonalni oblik
kod koga su samo ~lanovi na glavnoj dijagonali razli~iti od nule, tj.:
→ 1 1
→ m xx 0 0 m1 0 0
1 1 1
m = 0 m yy 0 = 0 m 2 0 (2.4.11)
1 1
0 0 m zz 0 0 m3
U tom slu~aju m 1 , m 2 i m 3 su komponente tenzora efektivne mase.
Ako disperzionu zavisnost E(k) razvijemo u red u okolini neke ekstremne
ta~ke k 0 , u kojoj E(k) ima maksimum ili minimum, tako da je:
∂E = 0; i = x, y, z (2.4.12)
∂k i k i = k 0i
dobi}emo:
 
Σi,j  ∂k∂i ∂k
2
E(k) = E(k 0 ) + 1 E (k i − k 0i )(k j − k 0j ) (2.4.13)

2 j k0

gde i i j nezavisno jedno od drugog imaju vrednosti x, y ,z. Obzirom na (2.4.5),

(2.4.13) postaje:
2
E(k) = E(k 0 ) + h/ Σ m1 (k i − k 0i )(k j − k 0j ) (2.4.14)
2 i,j ij
Komponente brzine elektrona u okolini ta~ke ekstremuma k 0 , su:
v i = 1 ∂E = h/ Σ m1 (k j − k 0j ) (2.4.15)
h/ ∂k i j ij

odnosno, u vektorskom obliku, za brzinu mo`e da se napi{e:

→
→
v=m 1 ⋅ h/ k (2.4.16)
Prema tome, brzina elektrona u kristalnoj re{etki je jednaka proizvodu
tenzora recipro~ne efektivne mase i talasnog vektora (kvazi impulsa), tako da
pravac brzine i pravac kvaziimpulsa nisu isti.
U slu~aju kada tenzor recipro~ne efektivne mase ima razli~ite od nule
samo komponente na glavnoj dijagonali, tj. kada je oblika (2.4.11), izraz (2.4.14)
za energiju u okolini ta~ke ekstremuma k 0 postaje:
2.4. Efektivna masa 27

2
h/ 2 (k x − k 0x ) 2 h/ 2 (k y − k 0y ) h/ 2 (k z − k 0z ) 2
E(k) = E(k 0 ) + + + (2.4.17)
2m xx 2m yy 2m zz
tako da su komponente brzine:
h/ (k i − k 0i )
v i = 1 ∂E = m ii (2.4.18)
h/ ∂k i
Relacija (2.4.17) pokazuje da su povr{ine iste energije u k -prostoru (izoener-
getske povr{ine), tj. E(k) − E(k 0 ) =const , u okolini ta~ke ekstremuma k 0 , elip-
soidi (sl. 2.8). Poluose ovih elipsoida u pravcu koordinatnih osa k x , k y , k z su:
2m
a 2 = 21  E(k) − E(k 0 ) 
h/
2m
b 2 = 22  E(k) − E(k 0 )  (2.4.19)
h/
2m
c 2 = 23  E(k) − E(k 0 ) 
h/
tako da su m xx = m 1 , m yy = m 2 i m zz = m 3 efektivne mase u pravcu osnovnih osa
elipsoidnih izoenergetskih povr{ina. Po{to je brzina kretawa elektrona
proporcionalna gradijentu energije u k -prostoru, wen pravac }e biti u pravcu
normale na izoenergergetsku povr{inu. To zna~i da }e i u slu~aju elipsoidnih
izoenergetskih povr{ina, odre|enih relacijom (2.4.17), pravac brzine i pravac
talasnog vektora (kvazi impulsa) biti razli~iti. Samo u pravcu osa elipsoida
v i k }e biti i istom pravcu. Komponente brzine elektrona u pravcu osa
elipsoida su:

h/ (k i − k 0i ) 2  E(k) − E(k 0 ) 
vi = m ii = m ii (2.4.20)
odnosno, za iste energije, brzina elektrona u pravcu osa elipsoida obrnuto je
proporcionalna kvadratnom korenu efektivne mase. Po{to je veli~ina polu-
osa elipsoida direktno proporcionalna odgovaraju}oj komponenti efektivne
mase (2.4.19), jasno je da }e u pravcu u kome je elipsoid najvi{e izdu`en, kom-
ponenta efektivne mase biti najve}a a brzina elektrona najmawa.
^esto je simetrija kristalne re{etke takva da su dve glavne ose fizi~ki
ekvivalentne (na primer x i y ). Tada su odgovaraju}e komponente efektivne ma-
se jednake (m 1 = m 2 ), pa su, prema (2.4.19), jednake i dve poluose elipsoida (a = b ).
U tom slu~aju, izoenergetske povr{ine imaju oblik obrtnog elipsoida oko ose
k z u k -prostoru, koja je wegova osa simetrije. Tada je m 3 efektivna masa u pravcu
ose simetrije elipsoida pa se naziva longitu-
kz dinalna (podu`na) efektivna masa i ozna~ava
se sa m l . Komponente efektivne mase m 1 = m 2
odgovaraju pravcima normalnim na osu sime-
ky trije pa se nazivaju transverzalne (popre~ne)
efektivne mase i ozna~avaju se sa m t . Kada je
m t < m l , obrtni eliosoid koji predstavqa
izoenergetske povr{ine je izdu`en, a kada je
m t > m l on je spqo{ten u pravcu ose simetrije;
kx {to je odnos m l /m t ve}i ili mawi od jedinice
izdu`ewe, odnosno, spqo{tenost }e biti izra-
Slika 2.8. Izoenergetska povr{i-
na u obliku elipsoida u k-prostoru. `enija.
28 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

Kada kristalna re{etka ima kubi~nu simetriju, sve glavne ose su ekviva-
lentne. Tada je m 1 = m 2 = m 3 = m ∗ , pa je recipro~na efektivna masa skalarna
veli~ina, a izoenergetske povr{ine su sferne. To zna~i da je, u kristalnoj re-
{etki sa kubi~nom simetrijom, efektivna masa obrnuto proporcionalna kri-
vini izoenergetskih povr{ina u k -prostoru. U tom slu~aju, za elektrone koji se
nalaze u blizini minimuma energije, odnosno u blizini dna provodne zone je:
∂2E > 0 ; m ∗ =const> 0 (2.4.21)
∂k 2

pa elektrone treba posmatrati kao negativno naelektrisane ~estice sa pozi-

tivnom efektivnom masom. Wihova brzina i talasni vektor (kvazi impuls) su u
istom pravcu i smeru, odnosno, brzina (pravac kretawa) im je u istom pravcu i
smeru kao i spoqa{wa sila, ali u suprotnom smeru od spoqa{weg poqa. U
blizini maksimuma energije, odnosno, u blizini vrha valentne zone je:
∂2E < 0 ; m ∗ =const< 0 (2.4.22)
∂k 2
{to zna~i da je brzina u istom pravcu, ali u suprotnom smeru u odnosu na pravac
i smer kvazi impulsa. Drugim re~ima, pravac kretawa (brzina) elektrona, koji
se nalaze u blizini vrha valentne zone, bi}e u suprotnom smeru od smera
spoqa{we sile, ali u istom smeru kao spoqa{we elektri~no poqe. Umesto
elektrona u okolini vrha valentne zone (koji su negativno naelektrisani, sa
negativnom efektivnom masom) zgodnije je da posmatramo zami{qene ~estice -
{upqine sa pozitivnim naelektrisawem i pozitivnom efektivnom masom.
Jasno je da relacija (2.4.13) va`i samo u blizini ta~ke ekstremuma k 0
zavisnosti E(k) . [ta vi{e, obzirom na oblik zavisnosti E(k) , mogu} je i slu~aj:
∂2E = 0 ; m∗ → ∞ (2.4.23)
∂k 2

Drugim re~ima, model efektivnih masa zadovoqavaju}e opisuje kretawe

nosilaca u kristalnoj re{etki samo za one nosoce ~ija je energija u blizini dna
provodne zone, odnosno vrha valentne zone. Me|utim, prakti~nog zna~aja imaju
upravo ta dva slu~aja. Naime, u provodnoj zoni ima znatno vi{e kvantnih stawa
nego elektrona, pa }e biti popuwena samo kvantna stawa sa energijom u blizini
dna provodne zone, jer elektroni te`e da imaju {to mawu energiju. [to se
valentne zone ti~e, postoja}e samo mali broj kvantnih stawa koje nisu popuwena
elektronima. Nepopuwena kvantna stawa, odnosno {upqine, bi}e na energijama
uz sam vrh valentne zone. U tom slu~aju, energija {upqina je minimalna, {to
zna~i da se energija {upqina ra~una u suprotnom smeru od smera u odnosu na
koji se ra~una energija elektrona. Tada je efektivna masa {upqina
m ∗p = const > 0 .
Na temperaturi apsolutne nule, valentna zona je popuwena elektronima a
provodna zona je prazna. Sa pove}awem temperature, mali broj elektrona
prelazi iz valentne u provodnu zonu. Na taj na~in, u provodnoj zoni, u blizini
wenog dna, postoji mali broj elektrona, a u valentnoj zoni, u blizini wenog
vrha, postoji mali broj praznih kvantnih stawa, odnosno {upqina, tako da se
mo`e primeniti model efektivnih masa. Kako je {irina provodne zone ve}a od
{irine valentne zone, a veli~ina efektivne mase je obrnuto proporcionalna
{irini energetske zone, efektivna masa {upqina mora biti ve}a od efektivne
mase elektrona, tj.:
2.5. Struktura energetskih zona nekih poluprovodnika u k-prostoru 29

m ∗p > m ∗n (2.4.24)
Prema tome, elektroni u provodnoj i {upqine u valentnoj zoni ne razlikuju se
samo po znaku svog naelektrisawa nego i po veli~ini efektivnih masa.

2.5. STRUKTURA ENERGETSKIH ZONA NEKIH POLUPROVODNIKA U

k-PROSTORU
Struktura energetskih zona, odnosno, zavisnost E(k) , za sve realne polu-
provodnike je veoma slo`ena. Zbog toga, ~ak i uslu~aju silicijuma koji je naj-
~e{}e prou~avani poluprovodnik, zavisnost E(k) je odre|ena samo za neke prav-
ce u kojima se, zahvaquju}i simetriji kristalne re{etke, izra~unavawa znatno
upro{}avaju. Ipak, iako nepotpuni, rezultati teorijskih izra~unavawa, upot-
puweni eksperimentalnim rezultatima, daju zadovoqavaju}u predstavu o struk-
turi energetskih zona ve}ine poluprovodnika koji imaju prakti~nu primenu.
Mi }emo razmotriti strukturu energetskih zona realnih poluprovodnika na
primeru naj~e{}e kori{}enih elementarnih poluprovodnika (silicijum i
germanijum) i poluprovodni~kih jediwewa oblika AIIIBV (galijum arsenid i

4 4
Si Ge
[eV]

[eV]

3 3
ENERGIJA

ENERGIJA

2 2

1 Ec 1
Eg Ec
Eg
0 Ev 0 Ev

-1 -1

-2 -2
[111] 0 [100] [111] 0 [100]
(a) TALASNI VEKTOR k (b) TALASNI VEKTOR k
4 4
GaAs InSb
[eV]

[eV]

3 3
ENERGIJA

ENERGIJA

2 2
Ec
1 Eg 1

Eg Ec
0 Ev 0 Ev

-1 -1

-2 -2
[111] 0 [100]
[111] 0 [100]
(v) TALASNI VEKTOR k
(g) kTALASNI VEKTOR
Slika 2.9. Struktura energetskih zona Si (a), Ge (b), GaAs (v) i InSb (g) u k-prostoru.
30 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

001 001
010

_ _
100 100 100 100

_
010
_ _
001 001
(a) Si (b) Ge
Slika 2.10. Izoenergetske povr{ine oblika obrtnih elipsoida u k-prostoru za
provodnu zonu silicijuma (a) i germanijuma (b).

lake
{upqine

te{ke
{upqine

Si (a) (b) Ge
Slika 2.11. Izoenergetska povr{ina Slika 2.12. Dvodimenziona predstava usredwavawa
u obliku naborane sfere koja odgova- izoenergetskih povr{ina za valentnu zonu sili-
ra te{kim {upqinama u silicijumu. cijuma (a) i germanijuma (b).

indijum antimonid). U slu~aju Si, Ge, GaAs i InSb zavisnosti E(k) koje odgovaraju
provodnoj i valentnoj zoni, za neke pravce, prikazani su na sl. 2.9.
U provodnoj i valentnoj zoni silicijuma postoje po tri podzone. Zbog to-
ga se zavisnost E(k) sastoji od tri grane - tri krive na sl. 2.9.a - kako u provod-
noj, tako i u valentnoj zoni. Kao {to se vidi sa sl. 2.9.a, u provodnoj zoni, zavis-
nosti E(k) imaju apsolutni minimum u pravcu [100]. Oblast oko apsolutnog mi-
nimuma se naziva dolina. Najmawa energija u dolini oko apsolutnog minimuma
je dno provodne zone - E c . Od interesa je odrediti skupove ta~aka u k -prostoru u
kojima elektron ima istu energiju, tj. izoenergetske povr{ine. Za provodnu
zonu, izoenergetska povr{ina u k -prostoru u blizini apsolutnog minimuma E(k)
ima oblik obrtnog elipsoida oko du`e poluose koja je u pravcu [100]. Me|utim,
zbog simetri~nosti kristalne re{etke silicijuma, postoji {est ekvivalentnih
minimuma zavisnosti E(k) , odnosno {est elipsoida u pravcima ekvivalentnim
pravcu [100], kao {to je prikazano na sl. 2.10.a. Rastojawe (u k -prostoru) centra
svakog od {est ekvivalentnih elipsoida od centra Briluenove zone je tri
~etvrtine rastojawa kraja Briluenove zone od wenog centra, tako da se svih
{est elipsoida nalaze unutar Briluenove zone.
Zavisnost E(k) za provodnu zonu silicijuma u blizini apsolutnih mini-
muma mo`e da se predstavi relacijom:
2.5. Struktura energetskih zona nekih poluprovodnika u k-prostoru 31

h/ 2  (k x − k 0x ) 2 + (k y − k 0y )  h/ 2 (k z − k 0z ) 2
2

E(k) = E(k 0 ) + + (2.5.1)

2m 1 2m 3
Tenzor recipro~ne efektivne mase je oblika (2.4.11), a wegove komponente od-
re|ene su eksperimentalno, tako da je m 1 = m 2 = m t = 0, 19 ⋅ m 0 i m 3 = m l = 0, 97 ⋅ m 0
(m 0 = 9,108·10-31kg je masa slobodnog elektrona). Kako je odnos m l /m t = 5, 16 izo-
energetske povr{ine pokazuju da je silicijum anizotropan materijal (nema iste
karakteristike u svim pravcima).
U valentnoj zoni silicijuma sve tri grane E(k) imaju maksimum u centru
Briluenove zone, tj. za k 0 = 0 . Kako se vidi sa sl. 2.9.a, dve grane imaju apsolutni
maksimum (koji odgovara vrhu valentne zone E v ), a maksimum tre}e grane je na
ne{to ni`oj energiji. Za prve dve grane u blizini apsolutnih maksimuma,
zavisnost E(k) mo`e da se predstavi relacijom:
2  
E 1,2 (k) = E(0) − h/  Ak 2 ± B 2 k 4 + C 2  k 2x k 2y + k 2y k 2z + k 2z k 2x   (2.5.2)
2m  
gde su A, B i C bezdimenzione konstante. Izoenergetske povr{ine, odre|ene
relacijom (2.5.2), imaju oblik deformisanih (naboranih) sfera kao na sl. 2.11.
Te deformisane sfere imaju isti centar i sme{tene su jedna u drugu. Ako se
relacija (2.5.2) napi{e u sfernim koordinatama pa se energija usredwi po
uglovima dobija se:
2 2 2 
E 1,2 (k) = E(0) − h/ k  A ± B 2 + C  (2.5.3)
2m  5 
Drugim re~ima, naborane izoenergetske povr{ine zamewene su sredwim sfer-
nim povr{inama, kao {to je ilustrovano na sl. 2.12.a. U tom slu~aju mo`e se
smatrati da je efektivna masa skalarna veli~ina, pa mo`e da se napi{e:
m∗ = m (2.5.4)
p
A ± B 2 + 15 C 2
Prema tome, postoje dve vrste {upqina sa razli~itim efektivnim masama:
te{ke {upqine koje odgovaraju {iroj grani zavisnosti E(k) (sl. 2.9.a ili sl
2.12.a) sa efektivnom masom za koju va`i (2.5.4) sa znakom minus i lake {upqine
koje odgovaraju u`oj grani zavisnosti (sl. 2.9.a ili sl 2.12.a) sa efektivnom
masom za koju va`i (2.5.4) sa znakom plus. Eksperimenti potvr|uju postojawe
lakih (m ∗L = 0, 16 ⋅ m 0 ) i te{kih (m ∗T = 0, 50 ⋅ m 0 ) {upqina.
Za tre}u granu zavisnosti E(k) mo`e da se napi{e:
2 2
E 3 (k) = E(0) − E S0 − h/ k A (2.5.5)
2m
tako da je tre}a izoenergetska povr{ina sferna. [to zna~i da i tre}a vrsta
{upqina (sredwe {upqine) ima skalarnu efektivnu masu (m ∗S = 0, 24 ⋅ m 0 ) ~ija je
veli~ina izme|u mase lakih i mase te{kih {upqina. Me|utim, eksperimenti ne
potvr|uju postojawe sredwih {upqina, jer je maksimum odgovaraju}e grane
zavisnosti E(k) za energiju E S0 = 0, 035eV ispod maksimuma grana kojima odgova-
raju lake i te{ke {upqine (sl. 2.9.a).
Sa sl. 2.9.a se vidi da dno provodne zone i vrh valentne zone nisu u istoj
ta~ki Briluenove zone, {to ima bitnog uticaja na neke fizi~ke procese.
Najmawa energija izme|u dna provodne i vrha valentne zone ({irina zabrawene
32 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

zone ili energetski procep) za silicijum, na sobnoj temperaturi, je E g = 1,12eV i

od we zavise svi elektronski procesi koji podrazumevaju prelazak elektrona iz
valentne u provodnu zonu i obrnuto.
Struktura provodne zone germanijuma, za razliku od provodne zone sili-
cijuma, ima apsolutne minimume zavisnosti E(k) u pravcima koji su ekvivalen-
tni pravcu [111], tako da, iz razloga simetrije kristalne re{etke, postoji osam
ekvivalentnih minimuma, odnosno osam ekvivalentnih izoenergetskih povr{i-
na oblika obrtnog elipsoida (sl. 2.9.b). Me|utim, centri tih elipsoida le`e na
granici Briluenove zone tako da je samo polovina svakog elipsoida unutar
Briluenove zone (sl. 2.10.b). Zbog toga se mo`e smatrati da u Briluenovoj zoni
prakti~no postoji samo ~etiri ekvivalentna minimuma, odnosno elipsoida.
Zavisnost E(k) za provodnu zonu germanijuma u blizini apsolutnih minimuma
data je istom relacijom (2.5.1) kao i u slu~aju silicijuma. Recipro~na efektiv-
na masa je tenzor oblika (2.4.11), sa komponentama prema tabeli T.2.1. Treba na-
pomenuti da su vrednosti transverzalne i longitudinalne komponente efektiv-
ne mase za elektrone u germanijumu mawe od odgovaraju}ih vrednosti za silici-
jum, ali je odnos tih vrednosti ve}i u germanijumu nego u silicijumu (tabela
T.2.1.), {to zna~i da su izoenergetske povr{ine germanijuma vi{e izdu`ene.
Valentna zona germanijuma ima strukturu potpuno analognu strukturi
silicijuma. To zna~i da su i u valentnoj zoni germanijuma izoenergetske povr-
{ine deformisane sfere, tj. va`i relacija (2.5.2). U ovom slu~aju izoenerget-
ske povr{ine su mawe deformisane nego u slu~aju silicijuma pa se tim pre mogu
zameniti sredwim sferama (sl. 2.12). To zna~i da postoje lake i te{ke {upqine
sa skalarnim efektivnim masama za koje va`i (2.5.4), odnosno ~ije su vrednosti
date u tabeli T.2.1. Napomenimo da su vrednosti efektivnih masa te{kih i
lakih {upqina u germanijumu mawe nego u silicijumu, ali da je wihov odnos
ve}i (tabela T.2.1.). Tako|e, maksimum tre}e grane zavisnosti E(k) u germani-
jumu je vi{e spu{ten ispod apsolutnog maksimuma nego {to je to slu~aj u sili-
cijumu (sl. 2.9.a,b), pa se i u germanijumu tre}a vrsta {upqina ne mo`e
primetiti eksperimentalnim putem.

Tabela T.2.1. Veli~ine efektivnih masa i energetskog procepa nekih poluprovodnika.

VELI^INA SILICIJUM GERMANIJUM GaAs InSb
EFEKTIVNA ml=0,97m0 ml=1,60m0
MASA mt=0,19m0 mt=0,082m0 m*n=0,068m0 m*n=0,013m0
ELEKTRONA
ml/mt=5,11 ml/mt=19,5
BROJ EKVIVALENT-
NIH MINIMUMA
PROVODNE ZONE 6 4 1 1
EFEKTIVNA m*L=0,16m0 m*L=0,04m0 m*L=0,12m0 m*L=0,012m0
MASA m*T=0,50m0 m*T=0,34m0 m*T=0,50m0 m*T=0,60m0
[UPQINA
m*T/m*L=3,12 m*T/m*L=8,50 m*T/m*L=4,16 m*T/m*L=50,0
ENERGETSKI Eg(300K)=1,12eV Eg(300K)=0,66eV Eg(300K)=1,43eV Eg(300K)=0,16eV
PROCEP Eg(0K)=1,16eV Eg(0K)=0,75eV Eg(0K)=1,52eV Eg(0K)=0,26eV
PARAM. RELAC. α=7,02·10-4K-2 α=4,56·10-4K-2 α=5,80·10-4K-2
(2.5.7) β=1108K β=210K β=300K
2.5. Struktura energetskih zona nekih poluprovodnika u k-prostoru 33

Strukture energetskih zona galijum arsenida i indijum antimonida pri-

kazane su na sl. 2.9.v i sl. 2.9.g. U oba slu~aja provodna i valentna zona se sastoje
od tri podzone, tj zavisnosti E(k) imaju tri grane. Izoenergetske povr{ine,
kako u provodnoj, tako i u valentnoj zoni, su sferne {to zna~i da su efektivne
mase elektrona i {upqina skalarne veli~ine.
U slu~aju GaAs i InSb jedna od grana zavisnosti E(k) ima apsolutni
minimum u centru Briluenove zone koji odre|uje dno provodne zone. U oba
slu~aja skalarne efektivne mase za elektrone su male (m ∗n = 0, 068 ⋅ m 0 za GaAs i
m ∗n = 0, 013 ⋅ m 0 za InSb), {to zna~i da je zavisnost E(k) u blizini apsolutnog
minimuma jako zakrivqena. Me|utim, na energijama iznad dna provodne zone
zavisnost E(k) odstupa od kvadratne zavisnosti po k , tako da je:
2 2
E(k) = E c + h/ k∗ (1 − αk 2 ) (2.5.6)
2m n
gde je α parametar koji odre|uje to odstupawe. To zna~i da se sa porastom ener-
gije od dna provodne zone zakrivqewe zavisnosti E(k) smawuje ({to se vidi i na
sl. 2.9.v i sl. 2.9.g), a efektivna masa elektrona se pove}ava. Drugim re~ima,
efektivna masa elektrona u GaAs, a naro~ito u InSb, zavisi od energije.
Pored apsolutnog minimuma koji se nalazi u sredini Briluenove zone,
zavisnost E(k) u provodnoj zoni ima i druge minimume koji su na ne{to ve}oj
energiji. To je naro~ito izra`eno kod GaAs, gde je drugi minimum samo za 0,36eV
iznad apsolutnog minimuma (sl. 2.9.v). U tom slu~aju elektroni, zbog male raz-
like u energiji, lako mogu da zauzmu stawa u okolini drugog minimuma, gde imaju
ve}u efektivnu masu (1, 02 ⋅ m 0 ) jer je zavisnost E(k) mawe zakrivqena.
Zahvaquju}i ovakvoj strukturi provodne zone, GaAs je veoma pogodan materijal
za specijalne optoelektronske komponente na osnovu stimulisane elektronske
emisije (lasersko dejistvo).
Zavisnost E(k) u valentnoj zoni GaAs i InSb, tako|e se sastoji od tri grane,
pri ~emu je jedna od wih ispod apsolutnog maksimuma koji odre|uju druge dve
grane (sl. 2.9.v i sl. 2.9.g). Zbog toga u GaAs i InSb postoje lake i te{ke {upqine
sa efektivnim masama ~ije su vrednosti date u tabeli T.2.1. Napomenimo da
apsolutni maksimumi E(k) valentne zone nisu ta~no u centru Briluenove zone,
ve} su malo pomereni u pravcu [111].
[irina zabrawene zone (energetska razlika dna provodne i vrha valentne
zone) zavisi od vrste poluprovodnika, tako {to je mawa kada je naelektrisawe
atomskih jezgara ve}e. Pored toga, eksperimentalno je utvr|eno da {irina
energetskog procepa ve}ine poluprovodnika opada sa pove}awem temperature,
prema relaciji:
E g (T) = E g (0) − αT
2
(2.5.7)
T+β
gde je E g (0) {irina energetskog procepa na temperaturi apsolutne nule, a α i β
su konstante, ~ije su vrednosti za neke poluprovodnike date u tabeli T.2.1.
Zavisnosti E g (T) za slu~aj Si, Ge i GaAs prikazane su na sl. 2.13. [irina
energetskog procepa zavisi i od pritiska, pri ~emu se, na temperaturama oko
sobne temperature, u slu~aju Ge i GaAs, E g pove}ava, a u slu~aju Si, smawuje sa
porastom pritiska. Posebno pomenimo InSb kao poluprovodnik sa izuzetno
malom {irinom zabrawene zone (0,16eV na 300K).
34 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

1.5 1.52

Eg [eV]
1.435
GaAs
1.4
1.3
1.2
Si

ENERGET SKI PROCEP

1.16 1.115
1.1
1.0
0.9
0.8 0.74
0.7
0.660
Ge
0.6

0 100 200 300 400 500 600

T EMPERAT URA [K]
Slika 2.13. Zavisnost {irine energetskog procepa
Si, Ge i GaAs od temperature.

2.6. PRIMESNA STAWA

Do sada smo posmatrali idealanu kristalnu re{etku u kojoj su svi atomi
isti i nema naru{ewa prostorne simetrije. U realnim kristalima uvek postoji
odre|en broj defekata koji naru{ava simetriju kristalne re{etke. Naj~e{}a
vrsta (namerno stvorenih) defekata kod poluprovodnika su atomi primesa koji
mogu biti donorski ili akceptorski.
Neka je u kristalu (npr. silicijuma) jedan od atoma osnovnog materijala
zamewen atomom donorske primese (npr. petovalentnim atomom fosfora). U
tom slu~aju, kao {to je poznato, ~etiri elektrona donorske primese u~estvuje u
obrazovawu kovalentnih veza sa najbli`im atomima silicijuma, a peti elek-
tron ostaje slobodan. Zbog uticaja ostalih atoma iz kristalne re{etke, veza
petog elektrona sa atomom fosfora postaje slaba, tako da se on pona{a sli~no
elektronu u vodonikovom atomu. Me|utim, ovde treba uzeti u obzir da se elek-
tron nalazi, kako u elektrostati~kom poqu pozitivno naelektrisanog jona
fosfora, tako i u periodi~nom poqu kristalne re{etke. Zbog toga, za opisiva-
we kretawa ovog elektrona ne treba koristiti wegovu stvarnu masu ve} efek-
tivnu masu koja uzima u obzir uticaj periodi~nog poqa kristalne re{etke.
Pored toga, elektron i pozitivan jon fosfora se nalaze u poluprovodniku, ~ija
je relativna dielektri~na konstanta ε r , tako da je potencijalna energija
elektrona zbog prisustva pozitivnog donora:
Zq 2
V(r) = − (2.6.1)
4πε r ε 0 r
gde je ε 0 dielektri~na konstanta vakuuma a +Zq naelektrisawe donorskog jona.
I pored toga {to prethodna relacija va`i za makroskopska tela, ona se mo`e
primeniti i u slu~aju elektrona i pozitivnog donora pod uslovom da je wihovo
rastojawe dovoqno veliko, odnosno da orbita elektrona obuhvata ve}i broj
atoma kristalne re{etke.
[redingerova jedna~ina za elektron donorskog atoma koji ne u~estvuje u
obrazovawu valentnih veza, prema (2.1.2), ima oblik:
2
h/ d ψ(r) + Zq ψ(r) = −Eψ(r)
2
(2.6.2)
2m ∗ dr 2 4πε r ε 0 r
2.6. Primesna stawa 35

tj., potpuno je analogna odgovaraju}oj jedna~ini za vodonikov atom. To zna~i da

se za spstvene vrednosti energije elektrona donorske primese mo`e napisati:
m0Z2q4  m∗  1
E d,n = E c − (2.6.3)
8h 2 ε 20  m 0  ε 2r n 2
pri ~emu se energija ra~una u odnosu na dno provodne zone E c , a n ≥ 1 je kvantni
broj koji odre|uje razli~ite energetske nivoe elektrona u donorskom atomu.
Ako se zamene brojne vrednosti univerzalnih konstanti, relacija (2.6.3) mo`e
da se napi{e u obliku:
13, 6 ⋅ Z 2  m ∗  1 ∆E
E d,n = E c −  m  = E c − 2d (2.6.4)
εr
2 0 n 2
n
gde 13,6 odgovara vrednosti energije jonizacije vodonikovog atoma u eV, a
13, 6 ⋅ Z 2  m ∗ 
∆E d = E c − E d,1 =  m0  (2.6.5)
ε 2r
je razlika energija koje odgovaraju dnu provodne zone i osnovnom stawu (n = 1 )
elektrona u donorskom atomu.
Relacija (2.6.5) pokazuje da se energetski nivo osnovnog stawa (n = 1 ) do-
norske primese E d nalazi u zabrawenoj zoni poluprovodnika, za ∆E d ispod dna
provodne zone E c , kako je prikazano na sl. 2.14.a. Ustvari, ∆E d je energija joni-
zacije donorske primese koja je, prema (2.6.5), ε 2r puta mawa od energije joniza-
cije vodonikovog atoma. Pored toga, ∆E d zavisi od Z 2 , {to zna~i da se energet-
ski nivo dvostruko jonizovane donorske primese nalazi ispod energetskog nivoa
jednostruko jonizovanog donora.
Posmatrajmo slu~aj akceptorskih primesa. Neka je, na primer, u silici-
jumu jedan od atoma osnovnog materijala zamewen trovalentnim atomom bora. U
tom slu~aju, kao {to je poznato, atomu akceptorske primese nedostaje jedan
elektron za obrazovawe kovalentnih veza sa najbli`im atomima silicijuma. Da
bi se te veze uspostavile akceptorski atom zahvata jedan od elektrona iz nekog
od silicijumovih atoma. Drugim re~ima, akceptorski atom se jonizuje (postane
negativno naelektrisan), a u kristalnoj re{etki se stvori jedna {upqina.
Nepopuwena valentna veza - {upqina - mo`e da se posmatra kao pozitivno
naelektrisana ~estica u poqu negativno naelektrisanog akceptorskog jona. Na
taj na~in, potpuno analogno slu~aju donorskih primesa, za sopstvene vrednosti
energije u akceptorskim atomima se dobija:
m0Z2q4  mp∗  1 ∆E
E a,n = E v + 2 2  m0  ε2n2
= E v + 2a (2.6.6)
8h ε 0 r n
gde je:
13, 6 ⋅ Z 2  m p ∗ 
∆E a = E a,1 − E v =  m0  (2.6.7)
ε 2r
Prema tome, energetski nivo osnovnog stawa (n = 1 ) akceptorske primese E a na-
lazi se u zabrawenoj zoni poluprovodnika, za ∆E a iznad vrha valentne zone E v ,
kako je prikazano na sl. 2.14.b. Ustvari, ∆E a je energija jonizacije akceptorske
primese, odnosno, energija potrebna da akceptorski atom zahvati elektron.
Ako se u relaciju (2.6.5), odnosno (2.6.7) zamene odgovaraju}e brojne vred-
nosti, u slu~aju jednostruko jonizovanih (Z = 1 ) primesa, dobija se da je energet-
ski nivo donorskih primesa 0,025eV ispod dna provodne zone a energetski nivo
36 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

akceptorskih primesa za 0,05eV iznad vrha valentne zone. Ovako izra~unate

vrednosti energije jonizacije primesnih atoma se dosta dobro sla`u sa eksperi-
mentalnim rezultatima.
Polupre~nik putawe elektrona koji poti~e od jonizovanog donorskog
atoma, odnosno {upqine sa akceptorskog atoma, odre|en je relacijom:
ε ε h2 m
a = r 20 ∗ n 2 = a 0 0∗ ε r n 2 (2.6.8)
πq m m
gde je a 0 =0,53nm polupre~nik prve orbite u vodonikovom atomu, a umesto m ∗
treba staviti efektivnu masu elektrona, odnosno {upqine. U slu~aju siliciju-
ma (u kome je rastojawe izme|u atoma kristalne re{etke 0,543nm), smenom
odgovaraju}ih brojnih vrednosti, za osnovni energetski nivo (n = 1 ), dobija se
a =1,83nm. To zna~i da putawa obuhvata veliki broj (vi{e desetina) atoma kris-
talne re{etke. Prema tome, pretpostavka o kretawu elektrona primesnog ato-
ma u sredini sa konstantnom dielektri~nom propustqivo{}u ε r ε 0 je opravdana.
Ipak, treba napomenuti da ovo
Cu
upro{}eno teorijsko razmatrawe, za Ec Li Sb P Au
razliku od eksperimentalnih rezultata 0.033 0.039 0.044
(sl. 2.15), ne daje razli~ite energije
jonizacije za razli~ite primesne atome. 0.520 0.540
Pored toga, nije sasvim jasno koju vred-
E i A
0.370 0.350
nost efektivne mase treba uzeti u rela- 0.240 D
cijama (2.6.5), odnosno (2.6.7), mada se 0.045 0.057 0.065
najboqe slagawe sa eksperimentalnim E v B Al Ga Cu Au
vrednostima dobija kada se uzme efek-
tivna masa provodnosti.
(a) Si
Pored elemenata III i V grupe pe- Ec Li Sb P Au
riodnog sistema, i elementi I, II, VI i VII 0.0095 0.0096 0.012
0.040
A
grupe, uvedeni u poluprovodnik u obliku 0.200
primesa, obrazuju takozvane "duboke" A
energetske nivoe. Ti elementi, bilo da E i
0.150
su donori ili akceptori, mogu da se na|u A
u kristalnoj re{etki, kao neutralni 0.010 0.010 0.011 0.050
atomi, ili u obliku jednostruko ili E v D
B Al Ga Au
dvostruko naelektrisanih jona. Pored
toga, jedan isti primesni atom mo`e da (b) Ge
se pona{a i kao donor i kao akceptor,
odnosno, mo`e obrazovati i donorski i Ec Te Si Cu

akceptorski nivo. 0.003 0.002

Ec Ec Ei 0.510
Ed 0.240
0.150
Ea 0.012
0.026
0.023
Ev E v Ev
Mg Si Cu
(a) (b)
Slika 2.14. Energetski nivoi osnovnog
(v) GaAs
stawa donorskih (a) i akceptorskih (b) Slika 2.15. Energetski nivoi razli~itih
primesa u energetskom procepu polu- primesnih atoma u energetskom procepu Si
provodnika. (a), Ge (b) i GaAs (v).
2.7. Povr{inska stawa 37

Na sl. 2.15 prikazane su eksperimentalne vrednosti energije jonizacije

atoma nekih primesa u silicijumu, germanijumu i GaAs. Primesni nivoi koji
le`e iznad sredine energetskog procepa su donori (wihova energija je odre|ena
u odnosu na dno provodne zone), dok su oni ispod sredine energetskog procepa
akceptori (wihova energija je odre|ena u odnosu na vrh valentne zone). Me|utim
ima i odstupawa od ovog pravila (na primer Au u Si) i uz te energetske nivoe je
ozna~eno da li su donori (D) ili akceptori (A).

2.7. POVR[INSKA STAWA

Do sada smo posmatrali idealne kristale ~ije su dimenzije beskona~ne
tako da je o~uvana stroga periodi~nost potencijalnog poqa. Me|utim, u real-
nim kristalima neizbe`no postoji naru{ewe periodi~nosti potencijalnog po-
qa zbog prisustva wihovih granica, odnosno zbog kona~nih dimenzija kristala.
Kao i pri svakom naru{ewu periodi~nosti potencijalnog poqa, i prisustvo
povr{ine dovodi do posebnih stawa sa diskretnim energetskim nivoom u ener-
getskom procepu. Energetska stawa nastala zbog postojawa granice kristala
prema spoqa{woj sredini nazivaju se povr{inska stawa. Pored toga {to imaju
diskretan energetski nivo u zabrawenoj zoni, osnovna karakteristika povr-
{inskih stawa je da su lokalizovana na povr{ini kristala. Drugim re~ima ova
stawa su karakteristika povr{ine kristala i nalaze se na samoj povr{ini koja
okru`uje kristal i razdvaja ga od spoqa{we sredine. Povr{inska stawa mogu
biti bilo donorska, bilo akceptorska.
Koriste}i Kronig-Penijev model, uz pretpostavku da je kristalna re{et-
ka ograni~ena u jednom pravcu (recimo da postoji samo za x > 0 na sl. 2.2.), mo`e
se pokazati da, pored energetskih zona u unutra{wosti (za x > 0 ), postoji i
diskretan energetski nivo na povr{ini (x = 0 ) kristala. Naravno, u trodimen-
zionom slu~aju diskretni energetski nivoi, odnosno povr{inska stawa, bi}e
raspore|ena po celoj grani~noj povr{ini kristala. Ovakva povr{inska stawa,
koja su posledica prekida periodi~nosti kristalne re{etke na granici
kristala, nazivaju se Tamovska stawa, prema nau~niku koji je teorijski
predvideo wihovo postojawe.
Gustina Tamovskih stawa (broj po jedinici povr{ine) jednaka je broju
povr{inskih atoma. U ve}ini slu~ajeva rastojawe izme|u atoma u kristalnoj
re{etki je oko 3·10-8cm, tako da je gustina Tamovskih stawa reda veli~ine
1015cm-2. Tamovska stawa imaju zna~aj kada je wihov broj uporedqiv sa brojem
stawa u unutra{wosti kristala, odnosno kada se procesi koji bitno uti~u na
karakteristike odre|ene poluprovodni~ke komponente de{avaju u povr{in-
skom sloju debqine mawe od 10-6cm.
Tamovska stawa podrazumevaju idealno ~istu povr{inu. Me|utim, u real-
nim uslovima na povr{ini kristala postoji veliki broj razli~itih mikro-
skopskih i makroskopskih strukturnih defekata koji su posledica procesa
rasta i obrade (se~ewe, polirawe) povr{ine kristala. Pored toga, povr{ina
realnih kristala je u stalnom dodiru sa spoqa{wom sredinom, tako da je pre-
krivena tankim slojem oksida ili na woj postoji zna~ajan broj adsorbovanih
atoma ili jona razli~itih materijala. Sve ovo stvara dodatna stawa lokali-
zovana na povr{ini kristala sa energetskim nivoima u energetskom procepu.
38 2. MODEL ENERGETSKIH ZONA

Zavisno od wihovog energetskog nivoa i polo`aja Fermijevog nivoa na

povr{ini, ova stawa mogu biti donorska ili akceptorska, a tako|e i centri
zahvata nosilaca ili rekombinacioni centri. Pored toga {to pove}avaju ili
smawuju koncentraciju nosilaca u unutra{wosti kristala, zavisno od svojih
karakteristika, kada su popuwena nosiocima ili kada su prazna povr{inska
stawa mogu da budu pozitivno ili negativno naelektrisana. To zna~i da }e
povr{ina kristala biti naelektrisana, {to mo`e da ima bitan uticaj na
funkcionisawe odgovaraju}e poluprovodni~ke komponente.