1

1. ELEKTRONSKA TEORIJA PROVODNOSTI

Savremena predstava o elektri~noj provodnosti ~vrstih tela zasniva se

na klasi~noj elektronskoj teoriji provodnosti, koja je nastala na samom kraju
19. veka. Kasnije je ta teorija razvijana, uvo|ewem principa kvantne statisti-
ke i kvantno-mehani~kog modela energetskih zona. Me|utim, osnovne relacije
klasi~ne elektronske teorije provodnosti sa~uvale su svoje zna~ewe. Zbog toga,
na po~etku }emo se ukratko osvrnuti na klasi~nu teoriju kretawa elektrona u
~vrstim telima.

1.1. ELEMENTARNI MODEL ELEKTRI^NE PROVODNOSTI ^VRSTIH

TELA
Smatra}emo da se ~vrsto telo sastoji od kristalne re{etke i pokretnih
nelokalizovanih elektrona. Kristalnu re{etku ~ine jonizovani atomi koji se
nalaze u wenim ~vorovima. U stvari, deo elektrona iz valentnih elektronskih
omota~a atoma prelazi u slobodna stawa tako de se atomi ~vrstog tela jonizuju i
obrazuju, energetski najpogodniju kristalnu re{etku. Elektroni u slobodnim
stawima (slobodni elektroni) mogu da se posmatraju kao skup ~estica koje ne
interaguju izme|u sebe, koje nemaju zapreminu i koje se haoti~no kre}u kroz
prostor unutar kristalne re{etke. Ovakav model slobodnih elektrona naziva
se model idealnog elektronskog gasa.
Me|utim, pretpostavka da elektroni ne reaguju izme|u sebe u suprotnosti
je sa ~iwenicom da izme|u elektrona postoje Kulonovske sile odbijawa jer su
elektroni negativno naelektrisane ~estice. Tako|e, postoje privla~ne Kulo-
novske sile izme|u elektrona i pozitivno naelektrisanih jezgara atoma kris-
talne re{etke. Uzimaju}i u obzir uticaj celog kristala sa svojom periodi~nom
strukturom na slobodne elektrone, detaqnija kvantno-mehani~ka analiza poka-
zuje da su pretpostavke modela idealnog elektronskog gasa opravdane, ali i to
da klasi~na teorija daje samo pribli`na re{ewa. U stvari, mo`e se smatrati da
se idealni elektronski gas, zahvaquju}i sudarima elektrona sa jonima re-
{etke, nalazi u stawu termodinami~ke ravnote`e sa kristalnom re{etkom.
U odsustvu spoqa{wih poqa, kao posledica haoti~nog kretawa elektrona
(sl. 1.1.a), ne postoji wihovo usmereno kretawe, tj. za dovoqno dug interval
vremena sredwi pre|eni put i sredwa brzina elektrona su jednaki nuli. U
prisustvu spoqa{weg elektri~nog poqa na elektrone deluje sila u pravcu poqa
tako da, pored haoti~nog, elektroni imaju i usmereno kretawe (drift). Na taj
na~in dolazi do preme{tawa naelektrisawa u pravcu poqa (sl. 1.1.b), tj. do
proticawa elektri~ne struje. Sredwa brzina usmerenog kretawa elektrona
(drifta) zavisi od veli~ine primewenog elektri~nog poqa i od interakcije
elektrona sa kristalnom re{etkom. Uticaj kristalne re{etke mo`e biti
opisan nekom silom otpora, koja je proporcionalna brzini elektrona.
Elektroni se kroz kristalnu re{etku kre}u haoti~no. Pri tome, oni se
sudaraju sa jonima kristalne re{etke, {to dovodi do promene wihove brzine,
kako po intenzitetu, tako i po pravcu. Promena intenziteta brzine zna~i da se
mewa kineti~ka energija elektrona. U uslovima termodinami~ke ravnote`e
2 1. ELEKTRONSKA TEORIJA PROVODNOSTI

temperatura elektronskog gasa

K mora da bude jednaka tempera-
turi kristalne re{etke. To
zna~i da, u sredwem, nema pre-
nosa toplote ni od elektron-
(a) (b)
skog gasa kristalnoj re{etki,
Slika 1.1. [ematska predstava kretawa slobodnog
ni od re{etke elektronima.
elektrona na ra~un toplotne energije (a) i u prisustvu
spoqa{weg elektri~nog poqa (b). Ali ako se promeni temperatu-
ra elektronskog gasa, zbog iz-
mene energije izme|u elektrona i kristalne re{etke, mora se promeniti i
temperatura re{etke.
Rasejawe elektrona pri sudarima sa re{etkom ima slu~ajni karakter.
Zbog toga, za dovoqno dug interval vremena, sredwa brzina svakog elektrona i
sredwi put koji on pre|e, posmatrani kao vektorske veli~ine, moraju biti jed-
naki nuli. Po{to je sredwi put koji elektroni pre|u pri haoti~nom (toplot-
nom) kretawu jednak nuli, haoti~no kretawe ne mo`e izazvati elektri~nu
struju, odnosno prenos naelektrisawa du` uzorka. Da bi do{lo do proticawa
elektri~ne struje neophodno je obezbediti usmereno kretawe elektrona du`
uzorka, {to mo`e biti izazvano na razli~ite na~ine, npr. elektri~nim poqem,
gradijentom temperature, nehomogenim osvetqavawem uzorka.
Ako je uzorak stavqen u spoqa{we elektri~no poqe, na elektrone }e
delovati sila koja }e ih ubrzavati. Ubrzawe koje elektri~no poqe K saop{tava
elektronima je:
q
a = −m ⋅ K (1.1.1)
gde je m masa elektrona a q apsolutna vrednost wihovog naelektrisawa (naelek-
trisawe elektrona je negativno). Neka je brzina haoti~nog kretawa elektrona u
trenutku ukqu~ivawa elektri~nog poqa v T . Za vreme t od ukqu~ivawa poqa,
brzina }e dosti}i vrednost:
qt
v (t) = v T + at = v T − m K (1.1.2)
Jasno je da se brzina elektrona koji se kre}u u smeru poqa smawuje, a da se
brzina elektrona koji se kre}u u suprotnom smeru od smera poqa pove}ava.
Me|utim, gledaju}i u celini, elektroni dobijaju neku brzinu usmerenog kreta-
wa, tako da oni, kre}u}i se haoti~no, u isto vreme vr{e kretawe u smeru su-
protnom od smera poqa. Ovakvo, usmereno kretawe celine elektrona, izazvano
elektri~nim poqem, naziva se drift, a brzina tog usmerenog kretawa naziva se
driftovska brzina. Za vreme t, pod uticajem elektri~nog poqa K elektroni }e
dobiti driftovsku brzinu:
qt
v d (t) = − m K (1.1.3)
U klasi~noj elektronskoj teoriji provodnosti pretpostavqa se da do pro-
mene brzine elektrona dolazi zbog kratkotrajnog akta interakcije elektrona i
kristalne re{etke (sudara). Drugim re~ima, pretpostavqa se da je interakcija
elektrona sa atomima ili jonima re{etke sli~na mehani~kim sudarima. Izme|u
dva sudara elektron se kre}e kao slobodna ~estica i ne trpi uticaj poqa re-
{etke i ostalih elektrona. Ovakvo kretawe elektrona karakteri{e se vreme-
nom τ i du`inom λ slobodnog puta. Veli~ina τ predstavqa sredwe vreme izme|u
dva sudara elektrona sa kristalnom re{etkom, a λ je sredwi put koji elektron
1.1. Elementarni model elektri~ne provodnosti ~vrstih tela 3

pri tom pre|e. Sredwa du`ina slobodnog puta λ i sredwe vreme izme|u dva
sudara τ vezani su relacijom:
λ = vT ⋅ τ (1.1.4)
gde je v T sredwa aritmeti~ka brzina, tj. sredwa vrednost intenziteta brzine
haoti~nog kretawa elektrona.
Sredwu vrednost brzine drifta elektrona u elektri~nom poqu odredi}e-
mo kao sredwu vrednost driftne brzine neposredno posle sudara (t = 0 ) i
driftne brzine neposredno pre slede}eg sudara (t = τ ), tj:
qτ
v d = 0 + at = − m K (1.1.5)
2
Iz prethodne relacije se vidi da je sredwa brzina usmerenog kretawa
(drifta) proporcionalna ja~ini elektri~nog poqa. Konstanta proporcional-
nosti driftne brzine i elektri~nog poqa naziva se pokretqivost elektrona, i
obi~no se obele`ava sa µ , tako da je:
qτ
v d = −µK ; µ= (1.1.6)
2m
Pokretqivost elektrona numeri~ki je jednaka brzini drifta u elektri-
~nom poqu ~ija je ja~ina jednaka jedinici. Dimenzije pokretqivosti su, prema
(1.1.6), As2kg-1, ali se mnogo ~e{}e za merewe pokretqivosti koristi jedinica
cm2/Vs.
Ako je koncentracija elektrona (broj elektrona u jedinici zapremine)
jednaka n , za jedinicu vremena, kroz jedini~nu povr{inu S pro}i }e svi elek-
troni koji se nalaze u paralelopipedu du`ine λ ⋅ v d , ~ija jedna strana ima jedi-
ni~nu povr{inu (sl. 1.2.). To zna~i da }e koli~ina naelektrisawa koja u jedi-
nici vremena pro|e kroz jedini~nu povr{inu, odnosno gustina elektri~ne
struje biti:
j = −q ⋅ n ⋅ v d = −q ⋅ n ⋅ (−µK) = σK (1.1.7)
Gustina elektri~ne struje j je vektorska veli~ina ~iji je pravac odre|en nor-
malom na povr{inu S , a smer je suprotan smeru kretawa elektrona zbog wihovog
negativnog naelektrisawa.
Relacija (1.1.7) predstavqa Omov zakon u diferencijalnom obliku i po-
kazuje da je gustina elektri~ne struje j proporcionalna elektri~nom poqu K .
Konstanta proporcionalnosti σ u relaciji (1.1.7), odre|ena pomo}u (1.1.6), je:
q 2 nτ
σ= (1.1.8)
K 2m
S=1 i naziva se specifi~na elektri~na
provodnost, a izra`ava se u jedinicama
S m-3kg-1s3A2. ^esto se umesto veli~ine σ ko-
S
v risti wena recipro~na vrednost ρ = 1/σ ,
koja se naziva specifi~na elektri~na ot-
j pornost. Specifi~na elektri~na otpor-
λ .vd nost ρ se naj~e{}e meri u Ωcm.
Omov zakon va`i samo kada elek-
Slika 1.2. [ematska predstava kretawa
slobodnog elektrona i proticawa struje u tri~no poqe ne mewa koncentraciju elek-
prisustvu spoqa{weg elektri~nog poqa. trona i wihovu pokretqivost. Me|utim,
4 1. ELEKTRONSKA TEORIJA PROVODNOSTI

~esto se, sa porastom ja~ine elektri~nog poqa, pokretqivost elektrona i

wihova koncentracija mewaju. Na primer, pri ve}im vrednostima elektri~nog
poqa, driftna brzina mo`e biti uporedqiva po veli~ini sa brzinom haoti-
~nog kretawa, tako da se sredwe vreme slobodnog puta smawuje. To zna~i da se
smawuju pokretqivost i specifi~na provodnost. U tom slu~aju gustina elek-
tri~ne struje ne zavisi linearno od elektri~nog poqa, odnosno ne va`i Omov
zakon. Kriti~na vrednost veli~ine elektri~nog poqa do koje Omov zakon va`i,
utoliko je mawa ukoliko je brzina haoti~nog kretawa, odnosno temperatura,
mawa i ukoliko je ve}a pokretqivost u slu~aju slabih elektri~nih poqa.
Sredwe vreme slobodnog puta ima i druga~ije zna~ewe. Pretpostavimo da
je u nekom trenutku vremena prestalo delovawe spoqa{weg elektri~nog poqa.
Me|utim, usmereno kretawe elektrona }e se nastaviti sve dok elektroni,
sudarnim procesima, ne predaju re{etki svu kineti~ku energiju (brzinu) koju su
dobili u elektri~nom poqu. Vreme τ je sredwe vreme posle koga prestaje usme-
reno kretawe elektrona. Dakle, posle vremena τ elektroni se vra}aju u stawe
haoti~nog kretawa, {to je, u stvari, ravnote`no stawe. To zna~i da spoqa{we
elektri~no poqe dovodi do naru{avawa ravnote`nog stawa, a sudarni procesi
elektrona sa kristalnom re{etkom vra}aju sistem u ravnote`no stawe. Prelaz
nekog sistema iz neravnote`nog stawa u ravnote`no naziva se relaksacijom, a
vreme koje je potrebno za ponovno uspostavqawe naru{enog ravnote`nog stawa
je vreme relaksacije. Na taj na~in, mo`e se re}i da sredwe vreme slobodnog puta
τ predstavqa vreme relaksacije.

1.2. KLASIFIKACIJA MATERIJALA PREMA VELI^INI

SPECIFI^NE PROVODNOSTI
Prema uslovima za proticawe elektri~ne struje sva ~vrsta tela u priro-
di mogu da se podele na tri osnovne grupe: metale, dielektrike (ili izolatore)
i poluprovodnike. Ako za osnovu ove podele uzmemo veli~inu specifi~ne elek-
tri~ne provodnosti σ na sobnoj temperaturi onda se mo`e re}i da u grupu meta-
la spadaju oni materijali ~ija je specifi~na provodnost u granicama 106-104
1/Ωcm, u grupu poluprovodnika oni materijali ~ija je specifi~na provodnost u
granicama 103-10-9 1/Ωcm, a u grupu dielektrika oni materijali ~ija je speci-
fi~na provodnost u granicama 10-10-10-22 1/Ωcm. Drugim re~ima, metali su oni
materijali koji dobro provode elektri~nu struju (imaju veliku provodnost), a
dielektrici su oni materijali koji slabo provode ili prakti~no ne provode
elektri~nu struju (imaju malu provodnost). Poluprovodnici obrazuju prelaznu
grupu izme|u metala i dielektrika, a wihova specifi~na provodnost le`i u
{irokom intervalu vrednosti (14 redova veli~ine).
Me|utim, veli~ina specifi~ne provodnosti ne mo`e da bude jedini kri-
terijum za jednozna~nu podelu materijala, jer ne uzima u obzir specifi~nosti
mehanizama provo|ewa struje u odre|enom materijalu. To se pre svega odnosi na
poluprovodnike, ~ija provodnost jako zavisi od spoqa{wih uslova (tempera-
tura, osvetqenost, pritisak itd.) i unutra{we strukture kristalne re{etke
(defekti kristalne re{etke, primese itd). U stvari, specifi~na elektri~na
provodnost odre|ena kao konstanta proporcionalnosti izme|u gustine struje i
elektri~nog poqa u Omovom zakonu (1.1.7), predstavqa meru intenziteta odvi-
jawa procesa prenosa naelektrisawa, odnosno proticawa elektri~ne struje.
1.2. Klasifikacija materijala prema veli~ini specifi~ne provodnosti 5

Tabela T.1.1. Specifi~na provodnost nekih metala i

izolatora na sobnoj temperaturi.
METALI POLUPROVODNICI IZOLATORI
MATERIJAL σ, (Ωm) -1
MATERIJAL σ, (Ωm) -1
MATERIJAL σ, (Ωm)-1
Aluminijum 3,12 107 Kalaj 5 105 Mermer 1 10-6
Zlato 4,13 107 Silicijum 105 - 10-4 Dijamant 1 10-10
Bakar 5,80 107 InSb 10-3 Liskun 1,1 10-11
Srebro 6,06 107 Selen 10-10 Staklo 1 10-12
Hrom 4,76 106 Kvarc 5 10-13
Nikl 7,35 106 Ebonit 5 10-14
Cekas 7,29 105 Parafin.vosak 3,3 10-17

Jasno, {to je vi{e slobodnih naelektrisawa koja mogu da se kre}u pod dejistvom
elektri~nog poqa, i {to je ve}a sredwa brzina koju to poqe mo`e da im da, to
}e biti ve}a specifi~na elektri~na provodnost materijala. To se vidi i iz
relacije (1.1.8).
Analizira}emo zavisnost specifi~ne elektri~ne provodnosti od tempe-
rature jer se na taj na~in mo`e uo~iti jasna razlika izme|u metala i polupro-
vodnika. Specifi~na provodnost metala se smawuje sa porastom temperature u
{irokom temperaturskom intervalu, {to je prikazano na sl. 1.3.a. U stvari,
uobi~ajeno je da se umesto specifi~ne provodnosti posmatra wena recipro~na
vrednost, odnosno specifi~na otpornost, koja raste sa pove}awem temperature
(sl. 1.4.a). [ta vi{e, specifi~na otpornost metala linearno zavisi od
temperature i mo`e se predstaviti relacijom:
ρ M = ρ M0 ⋅ (1 + αθ) (1.2.1)
gde je θ temperatura u 0 C, ρ M0 je specifi~na otpornost na temperaturi θ = 0 0 C , a
α je temperaturski koeficijent otpornosti.
ln σ ln σ

(a) 1/T 1/T

(b)
Slika 1.3. Zavisnost specifi~ne provodnosti metala (a) i
poluprovodnika (b) od temperature.

ρ ρ

(a) T T
(b)
Slika 1.4. Zavisnost specifi~ne otpornosti metala (a) i
poluprovodnika (b) od temperature.
6 1. ELEKTRONSKA TEORIJA PROVODNOSTI

Poluprovodnici imaju sasvim druga~iju temperatursku zavisnost speci-

fi~ne otpornosti. U odre|enom temperaturskom intervalu ta zavisnost ima
oblik:
ρ P = ρ P0 ⋅ exp  b  (1.2.2)
T
gde je T apsolutna temperatura, a ρ P0 i b su konstante u posmatranom tempe-
raturskom intervalu, karakteristi~ne za odre|eni poluprovodni~ki materi-
jal. To zna~i da specifi~na otpornost poluprovodnika opada sa porastom
temperature, {to je ilustrovano i na sl. 1.4.b.
Koriste}i relaciju (1.2.1), odnosno (1.2.2), lako se dobija da je za metale:
d ρM d ρM
= =α>0 (1.2.3)
dθ dT
a za poluprovodnike:
d ρP
= −ρ P0 b2 exp  b  = − b2 ρ P < 0 (1.2.4)
dT T T T
Zadwe dve relacije pokazuju da je temperaturski koeficijent promene specifi-
~ne otpornosti metala i poluprovodnika razli~it: kod metala je pozitivan (ρ M
raste sa porastom temperature), a kod poluprovodnika je negativan (ρ P opada sa
porastom temperature). Ta ~iwenica odra`ava kvalitativnu razliku mehani-
zama prenosa naelektrisawa u metalima i poluprovodnicima. U stvari, sa
porastom temperature pove}ava se broj nosilaca naelektrisawa koji u~estvuju u
provo|ewu elektri~ne struje, ali se smawuje brzina drifta zbog pove}awa
verovatno}e sudara elektrona sa kristalnom re{etkom, odnosno pove}awa
brzine haoti~nog kretawa elektrona. Kod metala ve}i uticaj ima smawewe
brzine drifta jer je relativno pove}awe koncentracije elektrona sa porastom
temperature malo pa se specifi~na otpornost pove}ava kad temperatura raste.
U slu~aju poluprovodnika, pove}awe koncentracije pokretnih naelektrisawa sa
porastom temperature je veliko tako da smawewe brzine drifta ne dolazi do
izra`aja i specifi~na otpornost opada sa porastom temperature.
Za specifi~nu provodnost poluprovodnika, koriste}i (1.2.2), mo`e da se
napi{e:
E
σ P = σ P0 ⋅ exp  − b  = σ P0 ⋅ exp  − A  (1.2.5)
T kT
Veli~ina E A se naziva aktivaciona energija provodnosti poluprovodnika i
predstavqa va`nu karakteristiku ne samo provodnosti nego i drugih osobina
poluprovodnika. U stvari, {to je energija aktivacije mawa, to je porast
provodnosti poluprovodnika sa porastom temperature intenzivniji. Ako je
temperatura dovoqno niska, tako da je kT << E A , provodnost poluprovodnika je
veoma mala tako da se on prakti~no pona{a kao dielektrik. Kada temperatura
poraste, tako da je kT reda veli~ine E A , provodnost poluprovodnika naglo
po~iwe da raste sa porastom temperature. To zna~i da energija aktivacije
predstavqa kriti~nu veli~inu za temperaturnu aktivaciju provodnosti
poluprovodnika.
Ako se logaritmuju obe strane relacije (1.2.5), dobi}e se:
E
ln (σ P ) = ln (σ P0 ) − A (1.2.6)
kT
1.3. Poluprovodnici 7

To zna~i da je zavisnost specifi~ne provodnosti od temperature, predstavqena

u koordinatnom sistemu ln(σ) = f(1/T) , kao na sl. 1.3.b, prava linija sa nagibom
proporcionalnim energiji aktivacije E A . Relacija (1.2.6), odnosno zavisnost
kao na sl. 1.3.b ~esto se koriste za eksperimentalno odre|ivawe energije
aktivacije E A .

1.3. POLUPROVODNICI
Poluprovodnici su oni materijali ~ija je specifi~na provodnost izme|u
specifi~ne provodnosti metala i izolatora. Pored toga, specifi~na provod-
nost poluprovodnika u velikoj meri zavisi od spoqa{wih uslova, kao {to su
temperatura, pritisak, elektri~no i magnetno poqe, osvetqavawe izlagawe
nuklearnom zra~ewu i td. Pove}avawem temperature, odnosno dovo|ewem top-
lotne energije, provodnost poluprovodnika se pove}ava. Kada temperatura
te`i apsolutnoj nuli i kada nema dovo|ewa energije, provodnost poluprovod-
nika }e, tako|e, te`iti nuli. To zna~i da poluprovodnici imaju mogu}nost
provo|ewa elektri~ne struje samo u pobu|enom stawu. U stvari, izme|u polu-
provodnika i dielektrika nema principijelne razlike u provo|ewu struje, dok
se metali, u tom pogledu, bitno razlikuju.
Uticaj spoqa{wih uslova na provodnost poluprovodnika je rezli~it i
zavisi od strukture i svojstava materijala. Poluprovodni~ki materijal, pri
istim spoqa{wim uslovima, ima}e razli~itu provodnost, zavisno od toga da li
je u obliku ~istog i savr{enog monokristala, monokristala sa primesama i
defektima ili polikristala. Naro~ito je va`no prisustvo primesa, jer one u
velikoj meri mewaju provodnost poluprovodnika.
Prema tome, mo`e se re}i da su poluprovodnici oni materijali koji na
sobnoj temperaturi imaju specifi~nu elektri~nu provodnost u granicama od
10-8 do 106 (Ωm)-1 , a koja u velikoj meri zavisi od vrste i koli~ine primesa i
strukture materijala i od spoqa{wih uslova: temperature, osvetqewa,
elektri~nog i magnetnog poqa i td. Na taj na~in, poluprovodnici se lako
razlikuju od metala, ~ija provodnost slabo zavisi od spoqa{wih uslova.
Drugim re~ima, kod poluprovodnika, provodnost je posledica wihovog pobu|e-
nog stawa, dok je kod metala posledica nepobu|enog stawa. Razlika izme|u
poluprovodnika i dielektrika je samo kvantitativna i u znatnoj meri uslovna.
Radi se samo o razli~itim intervalima mogu}ih vrednosti provodnosti.
Postoje dve vrste poluprovodni~kih materijala: jonski i elektronski.
Kod jonskih poluprovodnika u provo|ewu struje u~estvuju joni materijala, {to
zna~i da se sa proticawem struje mewa sastav i struktura takvog poluprovod-
nika. Zbog toga jonski poluprovodnici nisu pogodni za elektronske kompo-
nente, pa se wima ne}emo baviti. Kod elektronskih poluprovodnika u provo-
|ewu struje u~estvuju elektroni tako da se sastav materijala pri proticawu
struje ne mewa. Prema tome, elektronske komponente napravqene od ovakvog
materijala mogu da rade proizvoqno dugo vremena.
U elektronske poluprovodnike spada veliki broj razli~itih materijala.
Me|utim, samo nekoliko poluprovodni~kih materijala ima prakti~nu primenu
jer postoje velike te{ko}e u vezi dobijawa ~istih monokristalnih poluprovod-
ni~kih materijala. Razvoj hemije i tehnologije dobijawa monokristala i ~istih
8 1. ELEKTRONSKA TEORIJA PROVODNOSTI

Tabela T.1.2. Neka jediwewa sa poluprovod-

Grupe II III IV V VI VII ni~kim osobinama.
Periode
AIBVII AIIBVI AIIIBV AIVBIV AIVBVI AIBVI
II Be B C N O
AgCl CdS AlSb SiC PbS CuS
III Al Si P S Cl
CuBr CdSe GaN SiGe PbSe CuO
IV Ga Ge As Se Br KBr CdTe GaSb PbTe CuO2
V In Sn Sb Te J Xe LiF ZnS GaAs
VI Pb Bi Po At ZnO GaP
ZnSe InSb
Slika 1.5. Deo periodnog sistema elemenata HgTe InAs
u kome su ozna~eni elementi sa poluprovod- HgSe InP
ni~kim osobinama.

materijala sigurno }e dovesti do mogu}nosti primene ve}eg broja poluprovod-

ni~kih materijala, naro~ito u nekim specifi~nim slu~ajevima ali }e, najvi{e
kori{}eni poluprovodni~ki materijal - silicijum, te{ko izgubiti primat.
Poluprovodni~ke osobine imaju materijali razli~iti po hemijskim
osobinama i strukturi, po~ev od hemijskih elemenata, preko mawe ili vi{e
slo`enih jediwewa do tvrdih rastvora pa ~ak i nekih neorganskih jediwewa.
Postoji dvanaest hemijskih elemenata koji imaju poluprovodni~ke osobi-
ne. Wihov polo`aj u periodnom sistemu elemenata prikazan je na sl. 1.5. Od ovih
poluprovodnika, pored silicijuma (Si) koji ima daleko najve}u primenu od svih
poluprovodnika, ranije se dosta koristio i germanijum (Ge).
Veliku grupu poluprovodni~kih materijala predstavqaju hemijska jedi-
wewa oblika AxB(8-x), gde je A elemenat grupe x, a B elemenat grupe (8-x) u
periodnom sistemu elemenata. U tabeli T.1.2. navedeni su neki od ovakvih
poluprovodni~kih materijala. Najvi{e primena imaju jediwewa oblika AIIIBV,
od kojih treba posebno izdvojiti GaAs i InSb.
Poluprovodni~ke osobine imaju i jediwewa oblika AIVBVI i AIBVI (Tabela
T.1.2.). Slo`enija hemijska jediwewa oblika AxB1(8-x)B2(8-x), A1xA2xB(8-x) i
A1xA2xB1(8-x)B2(8-x) kao i neki tvrdi rastvori (npr. GaAsP, InGaSb, ZnCdSeTe), tako|e
mogu imati poluprovodni~ke osobine. Danas je mogu}e kombinacijom razli~i-
tih elemenata dobiti poluprovodni~ki materijal sa optimalnim osobinama za
datu primenu. Na taj na~in su dobijeni poluprovodnici veoma slo`ene struk-
ture. Treba napomenuti da i neki organski materijali (benzol, naftalin,
antracen) imaju poluprovodni~ke osobine.
Veliki broj poluprovodni~kih materijala sa razli~itim osobinama
omogu}io je {iroku primenu poluprovodnika za izradu raznih elektronskih
komponenata. Danas se poluprovodni~ke komponente koriste kao ispravqa~i
(diode), poja~iva~i i generatori signala (tranzistori), pretvara~i toplotne i
svetlosne energije u elektri~nu (termoelementi i fotoelementi), pretvara~i
elektri~ne energije u svetlosnu (fotodiode, laseri) i drugo. Poluprovodni~ke
komponente se koriste kao pretvara~i (senzori) pri merewu temperature,
osvetqenosti, pritiska, magnetnog poqa, nuklearnog zra~ewa. Posebno treba
naglasiti da su poluprovodni~ka integrisana kola omogu}ila revolucionarni
napredak u telekomunikacijama i informatici.
Funkcionisawe poluprovodni~kih komponenata zasnovano je na odre|e-
nim fizi~kim procesima i pojavama, ~ije poznavawe omogu}ava pravilno ko-
1.4. Elektri~na provodnost poluprovodnika: elektroni i {upqine 9

ri{}ewe postoje}ih i razvoj novih komponenata. Drugim re~ima, fizika polu-

provodnika predstavqa teorijsku osnovu poluprovodni~ke elektronike i
mikroelektronike.

1.4. ELEKTRI^NA PROVODNOST POLUPROVODNIKA: ELEKTRONI

I [UPQINE
Medel elektri~ne provodnosti poluprovodnika razmatra}emo na primeru
silicijuma. Atom silicijuma ima 14 elektrona koji su raspore|eni po orbitama
na slede}i na~in: (1s2)(2s2)(2p6)(3s2)(3s2). Zadwa elektronska orbita nije potpuno
popuwena i sadr`i samo ~etiri elektrona. To su valentni elektroni. Pri
obrazovawu kristala ~etiri valentna elektrona svakog atoma obrazuju ~etiri
prostorno ekvivalentne veze. To zna~i da }e svaki atom biti okru`en sa ~etiri
najbli`a suseda, koji se nalaze na temenima tetraedra u ~ijem je sredi{tu taj
atom. Ovakva kristalna struktura se naziva dijamantska kristalna re{etka i
ona je kubi~na.
Na sl. 1.6.a prikazana je dvodimenziona predstava kristalne re{etke si-
licijuma. U ~vorovima te re{etke nalaze se pozitivno naelektrisani joni si-
licijuma (naelektrisawe +4q). Svakom jonu pripada ~etiri valentna elektrona.
Po dva valentna elektrona razli~itih spinova se sparuju i obrazuju kovalentnu
vezu. Na sl. 1.6 valentni elektroni su predstavqeni ta~kama a kovalentna veza
{rafiranom povr{inom.
U idealnom poluprovodniku, na temperaturi apsolutne nule, kako je pred-
stavqeno na sl. 1.6.a, sve kovalentne veze su popuwene, odnosno, svi elektroni su
vezani. Po{to nema slobodnih elektrona, kada se takav poluprovodnik stavi u
elektri~no poqe, ne mo`e da do|e do proticawa elektri~ne struje.
Pod odre|enim uslovima mo`e da do|e do prekida nekih kovalentnih veza
(sl. 1.6.b), tako {to }e se neki elektroni osloboditi svojih kovalentnih veza
koje }e ostati nepopuwene. Na taj na~in, nastaju slobodni elektroni i kad se
poluprovodnik na|e u spoqa{wem elektri~nom poqu mo`e da do|e do protica-
wa struje. Da bi se oslobodili valentnih veza, elektronima je potrebno dodati
odre|enu energiju, naj~e{}e u obliku toplotnih vibracija re{etke (pove}awem
temperature), ali i apsorpcijom svetlosti ili γ-zra~ewa. Da bi se u silicijumu
na sobnoj temperaturi valentni elektron postao slobodan treba mu dodati
energiju od 1,08 eV.

Si Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si Si

(a) (b)
Slika 1.6. Dvodimenziona predstava polo`aja valentnih veza u kristalnoj re{etki
silicijuma bez prisustva primesa: na temperaturi apsolutne nule (a) i na temperaturi
ve}oj od temperature apsolutne nule (b).
10 1. ELEKTRONSKA TEORIJA PROVODNOSTI

Stvarawem jednog slobodnog elektrona jedna kovalentna veza je ostala

nepopuwena. Drugim re~ima jedna kovalentna veza ima mawak jednog elektrona,
odnosno, u woj postoji slobodno mesto za jedan elektron. Takvo slobodno mesto
naziva se {upqina i na sl. 1.6.b predstavqeno je kru`i}em. To zna~i da se
stvarawem jednog slobodnog elektrona stvara i jedna {upqina, pa se govori o
generaciji para elektron-{upqina. Jasno, broj slobodnih elektrona jednak je
broju {upqina i takav poluprovodnik se naziva sopstveni poluprovodnik. Broj
slobodnih elektrona, odnosno {upqina, zavisi od energije (toplotne, svetlost-
ne) koja se dodaje sistemu elektrona. U sopstvenom poluprovodniku u ravnote`-
nim uslovima, broj slobodnih elektrona zavisi samo od temperature polupro-
vodnika, {to }emo kasnije detaqno analizirati.
Slobodni elektroni se haoti~no kre}u po kristalnoj re{etki, sudaraju se
sa wom, tako da se wihova energija mewa. Pod odre|enim uslovima, predaju}i
svoju energiju kristalnoj re{etki ili emituju}i kvant svetlosti, slobodni
elektron mo`e da se vrati na prazno mesto u nepopuwenoj valentnoj vezi
({upqini). Na taj na~in jedan elektron prestaje da bude slobodan, a u isto
vreme nestaje i jedna {upqina. To je proces rekombinacije, odnosno nestajawa
para elektron-{upqina.
Procesi generacije i rekombinacije se stalno de{avaju. To zna~i da }e
uvek nastajati novi parovi elektron-{upqina ali }e se u isto vreme neki
parovi elektron-{upqina rekombinovati. U ravnote`nim uslovima, verovat-
no}e de{avawa procesa generacije i rekombinacije su iste, odnosno generacija
i rekombinacija se de{avaju jednako ~esto. Prema tome, broj slobodnih elek-
trona i {upqina osta}e nepromewen. Me|utim, iako se broj elektrona, odnosno
{upqina, ne mewa, neki elektroni se stalno rekombinuju sa {upqinama, dok se
u isto vreme generi{u novi parovi elektron-{upqina.
Kada u poluprovodniku postoji elektri~no poqe K , na slobodne elektro-
ne, koji se haoti~no kre}u po poluprovodniku, deluje sila −qK , usmeravaju}i
wihovo kretawe u smeru suprotnom poqu K . Ako koncentraciju slobodnih elek-
trona (wihov broj u jedinici zapremine) ozna~imo sa n , wihovo usmereno kreta-
we pod uticajem elektri~nog poqa (drift) izazva}e proticawe elektri~ne
struje gustine:
j n = qµ n nK = σ n K (1.4.1)
gde je µ n pokretqivost slobodnih elektrona, σ n je provodnost poluprovodnika
uslovqena wihovim driftom, a −q je naelektrisawe elektrona. Jasno, smer
kretawa elektrona je suprotan smeru poqa, a smer struje je u smeru poqa, kako je
prikazano i na sl. 1.7.
U poluprovodniku, mewawem intenziteta osvetqewa ili promenom tem-
perature, mo`emo u znatnoj meri promeniti koncentraciju slobodnih elektro-
na n . To zna~i da je provodnost poluprovodnika jako zavisna od spoqa{wih
uslova, za razliku od metala, na ~iju provodnost spoqa{wi uslovi nemaju uti-
caja. Me|utim, to nije jedina razlika, jer kod poluprovodnika postoje dva meha-
nizma provo|ewa struje.
U stvari, na mestu nepopuwene valentne veze ({upqine) postoji minimum
energije za elektrone pa }e okolni valentni elektroni te`iti da do|u na to
mesto. Kad valentni elektron popuni neku od postoje}ih {upqina, wegova
valentna veza ostaje nepopuwena, tj. stvara se {upqina. Na taj na~in, valentni
1.4. Elektri~na provodnost poluprovodnika: elektroni i {upqine 11

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Slika 1.7. Kretawe elektrona i {upqina kroz kristalnu re{etku

silicijuma u prisustvu elektri~nog poqa.

elektroni haoti~no prelaze od atoma do atoma popuwavaju}i nepopuwene

valentne veze ({upqine). U stvari sve se de{ava kao da se {upqine haoti~no
kre}u kroz poluprovodnik.
Kada u poluprovodniku postoji elektri~no poqe, kretawe valentnih
elektrona od popuwenih ka nepopuwenim valentnim vezama postaje usmereno. To
zna~i da postoji prenos naelektrisawa u pravcu elektri~nog poqa, odnosno, da
i valentni elektroni u~estvuju u provo|ewu struje. Me|utim, mnogo je zgodnije,
da se umesto valentnih elektrona (koji su vezani za kristalnu re{etku)
posmatra kretawe nepopuwenih valentnih veza ({upqina).
U prisustvu spoqa{weg elektri~nog poqa kada se valentni elektroni
kre}u u smeru suprotnom smeru poqa, nepopuwene valentne veze ({upqine) se
preme{taju u smeru poqa (sl. 1.7). Kretawu negativno naelektrisanih elek-
trona u smeru suprotnom poqu ekvivalentno je kretawe pozitivnih naelektri-
sawa u smeru poqa. Zbog toga se kretawe valentnih elektrona mo`e potpuno
adekvatno zameniti kretawem pozitivno naelektrisanih kvazi~estica - {upqi-
na. Ako je koncentracija nepopuwenih valentnih veza, odnosno {upqina p , a
wihovo naelektrisawe +q , za gustinu struje valentnih elektrona, odnosno
{upqina se mo`e napisati:
j p = qµ p pK = σ p K (1.4.2)
gde je µ p pokretqivost {upqina, ~iji }emo fizi~ki smisao objasniti kasnije, a
σ p je provodnost poluprovodnika uslovqena kretawem valentnih elektrona,
odnosno {upqina.
Prema tome, u poluprovodniku postoje dve vrste nosilaca naelektrisawa:
elektroni i {upqine. Obe vrste nosilaca u~estvuju u provo|ewu struje tako da
je ukupna gustina struje u poluprovodniku u kome postoji elektri~no poqe:
j = j n + j p = q(µ n n + µ p p)K = σK (1.4.3)
jer se negativno naelektrisani elektroni kre}u suprotno poqu, a pozitivne
{upqine u smeru poqa. Me|utim, obe komponente struje su posledica kretawa
negativnih naelektrisawa (slobodnih i valentnih elektrona) u smeru
suprotnom od smera elektri~nog poqa, tako da je smer struje u smeru poqa. Ovo
je ilustrovano na sl. 1.7. Ukupna provodnost poluprovodnika jednaka je zbiru
elektronske i {upqinske provodnosti tako da je:
σ = σ n + σ p = q(µ n n + µ p p) (1.4.4)
12 1. ELEKTRONSKA TEORIJA PROVODNOSTI

Napomenimo jo{ jednom da uvek treba imati u vidu da je {upqinska pro-

vodnost uslovqena kretawem valentnih elektrona kroz poluprovodnik, bez
obzira na to {to }emo uvek smatrati da se radi o kretawu pozitivno naelek-
trisanih kvazi~estica - {upqina, kojima }emo pripisati, pored naelektrisawa
i druge karakteristike (pokretqivost, masu).

1.5. POLUPROVODNIK KOJI SADR@I PRIMESE

Poluprovodnik u kome je koncentracija elektrona jednaka koncentraciji
{upqina naziva se sopstveni poluprovodnik. Me|utim, u ve}ini slu~ajeva,
koncentracija elektrona i {upqina u poluprovodniku nije jednaka i na toj
razlici se zasniva princip rada ve}ine poluprovodni~kih komponenata.
Razlika koncentracija elektrona i {upqina posledica je prisustva primesa i
ne~isto}a (malih koli~ina atoma razli~itih od atoma osnovnog materijala) u
poluprovodniku. I pored toga {to je tehnologija dobijawa veoma ~istih
materijala napredovala do neslu}enih granica, prakti~no je nemogu}e dobiti
potpuno ~ist poluprovodnik. Drugim re~ima, u svakom poluprovodni~kom
materijalu postoji ve}a ili mawa koli~ina ne~isto}a tako da se uvek
koncentarcije elektrona i {upqina ralikuju. Za razliku od ne~isto}a ~ije
prisustvo nije po`eqno, primese se namerno dodaju poluprovodniku da bi se
napravila razlika koncentracija elektrona i {upqina. Poluprovodnik koji
sadr`i primese naziva se primesni poluprovodnik.
U primesnom poluprovodniku, ne samo da se koncentracije elektrona i
{upqina razlikuju, ve} jedne vrste nosilaca obi~no ima mnogo vi{e nego druge,
a provodnost je je znatno ve}a nego provodnost sopstvenog poluprovodnika.
Mehanizam provodnosti primesnog poluprovodnika razmotri}emo na primeru
silicijuma koji sadr`i primese. Naj~e{}e primese koje se dodaju silicijumu
(elementu ~etvrte grupe periodnog sistema) su elementi tre}e (bor,
aluminijum) i pete (fosfor, arsen) grupe periodnog sistema elemenata.
Na sl. 1.8.a {ematski je predstavqena kristalna re{etka silicijuma u
kojoj je jedan atom silicijuma zamewen atomom fosfora. Atom fosfora ima 15
elektrona koji su raspore|eni na slede}i na~in: (1s2)(2s2)(2p6)(3s2)(3s3). To zna~i
da zadwa elektronska orbita atoma fosfora sadr`i pet valentnih elektrona,
za razliku od atoma silicijuma koji ima samo ~etiri valentna elektrona. Atom
fosfora je okru`en sa ~etiri najbli`a atoma silicijuma, tako da }e ~etiri od
wegovih pet valentnih elektrona obrazovati kovalentne veze sa valentnim
elektronima najbli`ih silicijumovih atoma. Peti elektron ne mo`e u~est-
vovati u obrazovawu kovalentnih veza jer su sve veze popuwene. Taj elektron
mo`e da se oslobodi svoje veze sa atomom fosfora i da postane slobodan.
Me|utim, na taj na~in se ne}e stvoriti {upqina jer ovakvo stvarawe slobodnog
elektrona ne podrazumeva prekid neke od kovalentnih veza, ve} se slobodni
elektron stvara jonizacijom primesnog atoma. Pri tome, primesni atom postaje
pozitivno naelektrisan. Jonizacija petovalentnog primesnog atoma fosfora u
silicijumu {ematski je prikazana na sl. 1.8.a.
Zbog uticaja okolnih atoma, odnosno kristalne re{etke, veza petog va-
lentnog elektrona fosfora (preteklog posle obrazovawa kovalentnih veza) sa
svojim atomom postaje slaba. Pokazuje se da je energija potrebna da se taj elek-
tron oslobodi svoje veze desetak puta mawa od energije potrebne da se oslobodi
1.5. Poluprovodnik koji sadr`i primese 13

Si Si Si Si Si Si

slobodan slobodna
{upqina
elektron
Si P Si Si B Si

petovalentni trovalentni
fosfor bor
Si Si Si Si Si Si

(a) (b)
Slika 1.8. Dvodimenziona predstava kristalne re{etke silicijuma koji sadr`i donorske
primese fosfora (a), odnosno, akceptorske primese bora (b).

valentni elektron. Zbog toga, u silicijumu koji sadr`i primese fosfora, stva-
rawe slobodnih elektrona }e biti znatno lak{e jonizacijom primesnih atoma
nego prekidom valentnih veza, pa }e koncentracija elektrona biti ve}a nego
koncentracija {upqina.
Prema tome, prisustvo atoma pete grupe periodnog sistema u silicijumu
izaziva znatno ve}u koncentraciju elektrona nego u ~istom silicijumu. Takve
primese, ~ije prisustvo u poluprovodniku dovodi do pove}awa koncentracije
elektrona nazivaju se donori ili donorske primese (daju elektrone). Naj~e{}e
donorske primese u silicijumu su atomi fosfora i arsena.
U poluprovodniku koji sadr`i donorske primese, slobodni elektroni }e
se stvarati kako jonizacijom primesnih atoma, tako i prekidom valentnih veza
(~ime se stvaraju i {upqine). Verovatno}a jonizacije primesnih atoma je mnogo
ve}a nego verovatno}a prekida valentnih veza (jer za ovo drugo treba znatno
ve}a energija), pa }e koncentracija elektrona biti znatno ve}a od koncentra-
cije {upqina i pored toga {to je broj primesnih atoma mawi od broja valent-
nih veza. U tom slu~aju, relacija (1.4.4) koja odre|uje provodnost poluprovod-
nika postaje:
σ = σ n + σ p = q(µ n n + µ p p) ≈ qµ n n = σ n (1.5.1.)
jer je n >> p i µ n ≈ µ p , tako da je σ n >> σ p . To zna~i da je {upqinska provodnost
poluprovodnika koji sadr`i donorske primese znatno mawa od elektronske
provodnosti, tako da je ukupna provodnost prakti~no jednaka elektronskoj pro-
vodnosti. U stvari, relacija (1.5.1) pokazuje da u proticawu struje uglavnom
u~estvuju elektroni, dok je u~e{}e {upqina zanemarqivo. Zbog toga se, u ovom
slu~aju, za elektrone ka`e da su ve}inski nosioci naelektrisawa a za {upqine
da su mawinski nosioci. Poluprovodnik koji sadr`i donorske primese naziva
se poluprovodnikom n-tipa.
Posmatrajmo sada silicijum koji sadr`i primese bora, tj. slu~aj kada je u
kristalnoj re{etki silicijuma jedan atom silicijuma zamewen atomom bora (sl.
1.8.b). Atom bora ima 5 elektrona koji su raspore|eni na slede}i na~in:
(1s2)(2s2)(2p1). To zna~i da zadwa elektronska orbita atoma bora sadr`i samo tri
valentna elektrona, za razliku od atoma silicijuma koji ima ~etiri valentna
elektrona. Prema tome, atom bora ne mo`e da obrazuje kovalentne veze sa sva
~etiri najbli`a atoma silicijuma jer mu nedostaje jedan elektron. Da bi se
formirala ~etvrta kovalentna veza atoma bora sa najbli`im atomima siliciju-
ma neophodno je dovesti jo{ jedan elektron sa bilo kog mesta kristalne re{et-
14 1. ELEKTRONSKA TEORIJA PROVODNOSTI

ke. Na taj na~in se formiraju ~etiri veze atoma bora koji postaje negativan jer
sad ima jedan elektron vi{e, a negde u kristalnoj re{etki jedna od kovalentnih
veza je ostala nepopuwena, odnosno stvorena je {upqina.
Energija potrebna za formirawe ~etvrte kovalentne veze atoma bora
znatno je mawa od energije kovalentne veze izme|u silicijumovih atoma. To
zna~i da }e se jonizacija primesnog atoma bora, odnosno popuwavawe wegove
~etvrte veze de{avati mnogo ~e{}e nego prekidi valentnih veza izme|u atoma
silicijuma. Prema tome, koncentracija {upqina u silicijumu koji sadr`i pri-
mese bora bi}e ve}a od koncentracije elektrona, jer se jonizacijom primesa
bora stvaraju dodatne {upqine. Primesni atomi za ~iju je jonizaciju potreban
dodatni elektron, odnosno, ~ijom se jonizacijom stvaraju {upqine nazivaju se
akceptori ili akceptorske primese (prihvataju elektrone). Naj~e{}e akcep-
torske primese u silicijumu su atomi bora i aluminijuma.
Kada u poluprovodniku postoje akceptorske primese, prekidom valentnih
veza stvara}e se slobodni elektroni i {upqine ali }e stvarawe {upqina
jonizacijom akceptora biti dominantnije. Zbog toga }e koncentracija {upqina
biti znatno ve}a od koncentracije slobodnih elektrona, odnosno, p >> n . Kako je
µ n ≈ µ p , prema (1.4.4), za provodnost poluprovodnika koji sadr`i akceptorske
primese mo`e se napisati:
σ = σ n + σ p = q(µ n n + µ p p) ≈ qµ p p = σ p (1.5.2)
Ovo zna~i da je {upqinska provodnost znatno ve}a od elektronske provodnosti
(σ p >> σ n ), tako da je ukupna provodnost poluprovodnika koji sadr`i akceptore
prakti~no jednaka {upqinskoj provodnosti. Drugim re~ima, relacija (1.5.2)
pokazuje da u ovom slu~aju dominantnu ulogu u proticawu struje imaju {upqine,
koje su sada ve}inski nosioci naelektrisawa a elektroni su mawinski nosioci.
Poluprovodnik koji sadr`i akceptorske primese naziva se poluprovodnikom
p-tipa.
Koncentracija nosilaca naelektrisawa u poluprovodniku koji sadr`i
primese znatno je ve}a od koncentracije nosilaca u sopstvenom poluprovodniku
jer se jonizacijom primesnih atoma pove}ava koncentracija ve}inskih nosila-
ca. Koji }e nosioci biti ve}inski zavisi od vrste primesa koje su uvedene u
poluprovodnik. Generalno se mo`e re}i da se radi o donorima ako je valent-
nost atoma primesa ve}a od valentnosti atoma osnovnog materijala, a ako je
mawa, u pitawu su akceptorske primese. Na primer, u silicijumu i germanijumu,
elementi pete grupe periodnog sistema su donorske primese a elementi tre}e
grupe su akceptorske primese. Za jediwewa oblika AIIIBV, donori su elementi
{este, a akceptori elementi druge grupe periodnog sistema. Me|utim ovo
pravilo ne va`i uvek.
Ako u poluprovodniku postoje obe vrste primesa - i donori i akceptori -
do}i }e do kompenzacije jedne vrste primesa drugom, a tip poluprovodnika }e
biti odre|en onim primesama kojih ima vi{e. Kada su koncentracije donora i
akceptora jednake (potpuna kompenzacija primesa), provodnost poluprovodnika
}e biti mala i te`i}e provodnosti sopstvenog poluprovodnika.