Predavanje XI

II semestar (2+2+1)
Nastavnik: Prof. dr Dragan Pantić, kabinet 337
dragan.pantic@elfak.ni.ac.rs
Pregled: Bipolarni tranzistori
SIMBOLI:
Kolektorska struja
Pregled: Bipolarni tranzistori
STRUJE I NAPONI:
Pregled: Bipolarni tranzistori
POJAČANJE:
IC=8mA
RC=375W

VCE=3.5V
Dozvoljeno "pomeranje" radne tačke po radnoj
pravoj (a) i deformacija izlaznog signala kada
radna tačka "zalazi" i u oblast saturacije i u
prekidnu oblast (b)
Pregled: Bipolarni tranzistori
CUTOFF:
Pregled: Bipolarni tranzistori
SATURACIJA:
 Elektronske komponente -
5/26/2012 Pasivne komponente 15
 MOS tranzistori
 MOS – Metal Oxide Semiconductor
 Tranzistor sa efektom polja – FET (Field
Effect Transistor) – MOSFET
 Princip rada predložen još 1932. godine
 Prvi Si MOS tranzistor je proizveden tek
1960. godine – planarna tehnologija
 Osnovna komponenta IC velike gustine
pakovanja, procesora i memorija
Struktura MOS tranzistora
Vrste MOS tranzistora
N-kanalni MOS tranzistor
P-kanalni MOS tranzistor
Označavanje MOS tranzistora
 Princip rada MOS tranzistora
 Razmatramo samo MOS tranzistore
koji se najčešće koriste u praksi:
 MOS tranzistor sa indukovanim

kanalom
 MOS tranzistor sa uzemljenim

sorsom i supstratom – supstrat i

sors su kratkospojeni
 Na površini, između sorsa i drejna, a
jednim delom i iznad njih, nalazi se
tanak sloj oksida (SiO2, Si3N4), koji
služi kao dielektrik
 Preko oksida nalazi se gejt
(upravljačka elektroda), tanak sloj
aluminijuma ili polikristalnog silicijuma
S obzirom da su i sors i drejn oblasti
suprotne provodnosti od provodnosti
supstrata, to se u oblasti sorsa i drejna u
supstratu (zato što je koncentracija
primesa u supstratu znatno niža nego u
sorsu i drejnu) formiraju prelazne oblasti p-
n spojeva
 Zbog toga što su sors i drejn veoma blizu
(L je reda m), može doći do toga da se
ove oblasti spoje
 MOS tranzistori koriste efekat
poprečnog polja
 To je polje koje je normalno na
površinu, kojim se ostvaruje inverzija
tipa provodnosti površinskog sloja
poluprovodnika ispod gejta i na taj
način formira kanal između sorsa i
drejna.
 Kada se gejt n-kanalnog MOS tranzistora
priključi na pozitivan napon u odnosu na p-
supstrat, pri čemu su i sors i drejn
uzemljeni, u supstratu će se neposredno
ispod oksida na njegovoj površini, usled
dejstva Kulonove sile, indukovati
negativno naelektrisanje i to tako što će se
šupljine iz površinskog sloja udaljiti i
ostaviti nekompenzovane negativno
naelektrisane akceptorske jone.
 Pri nekoj vrednosti napona na gejtu,
koji se zove napon praga i obeležava
sa VT, površinski sloj p-supstrata
ispod oksida gejta, između sorsa i
drejna, ponaša se kao n-tip
poluprovodnika.
 Ta oblast se ponaša kao kanal od
sorsa do drejna (sors i drejn su istog
tipa provodnosti kao indukovani
kanal)
 Ako se u tim uslovima dovede pozitivan
napon na drejn u odnosu na sors, elektroni
iz sorsa kroz kanal mogu driftovski da
dođu do drejna – u tom slučaju između
sorsa i drejna će proticati struja drejna
 Ukoliko je napon na gejtu veći, “jača” je
inverzija i veći je broj elektrona u kanalu.
 U p-kanalnom MOS tranzistoru inverzija
tipa n-supstrata ostvaruje se negativnim
naponom na gejtu u odnosu na supstrat, a
u indukovanom kanalu se “skupljaju”
šupljine.
 Izlazne karakteristike MOS
tranzistora

Proticanje struje kroz n-kanalni

MOS tranzistor pri malim naponima na drejnu
 Pri veoma malim naponima na drejnu
kanal se može predstaviti kao
otpornik, tako da je struja drejna u
jednom delu strujno-naponske (ID-VD)
karakteristike približno linearno
proporcionalna naponu na drejnu
 To je linearna oblast rada MOS
tranzistora
 Pri naponima VD < VG  VT, struja drejna
sporije raste sa povećavanjem napona na
drejnu
 Kanal se u okolini drejna sužava kao
posledica povećavnja širine prelazne
oblasti p-n spoja drejn-supstrat, koji je
inverzno polarisan.
 Ta oblast, zajedno sa linearnom oblašću,
sve do napona na drejnu VD = VG  VT
se zove triodna oblast (podseća na sličnu
oblast na strujno-naponskoj karateristici
triode).
Karakteristike MOS tranzistora u
linearnoj oblasti rada
 Kada u tački y = L debljina kanala postane
jednaka nuli, dolazi do prekida kanala i to
se dešava pri naponu na drejnu VD = VG
 VT.
 Napon drejna pri kome nastaje prekid
kanala zove se napon zasićenja
(saturacije) VDsat.
 Sa daljim povećanjem napona na drejnu,
tj. za VD > VG  VT, dužina kanala se
smanjuje sa L na L' .
 Na prvi pogled može se pomisliti da će struja
drejna prestati da teče, ali ona i dalje protiče i sa
povećanjem napona na drejnu ostaje
konstantna.
 To znači da broj nosilaca naelektrisanja koji sa
sorsa stižu u tačku y = L' ostaje nepromenjen, a
s obzirom da su oni zahvaćeni poljem
osiromašene oblasti drejna, bivaju prebačeni u
drejn, tako da struja drejna ostaje, takođe,
nepromenjena i konstantna.
 Zbog toga se oblast rada MOS tranzistora pri
naponima VD  VDsat zove oblast zasićenja.
Struja između sorsa i drejna ne prestaje i kada se kanal
prekine, jer se MOS tranzistor ponaša kao bipolarni tranzistor
u stanju prodiranja
 Na osnovu izraza za gustinu driftovske struje

J  qnv  qn n K y (4.1)

struja drejna kroz kanal (pretpostavlja se da koncentracija nosilaca

ne zavisi od z) je:

x
(4.2)
I D  J  S  q n K yW  ndx
0

gde su: S – površina kanala normalna na smer struje, Ky – električno

polje u smeru y, W – širina kanala, a n  efektivna pokretljivost
elektrona u kanalu.
 Kako koncentracija elektrona opada sa udaljavanjem od
površine po složenom zakonu, integral u (4.2) je
relativno je teško izračunati, pa usvajamo aproksimaciju
kojom se vrednost integrala izjednačava sa ukupnom
količinom naelektrisanja po jedinici površine kanala
(površine gejta), koja zavisi od električnog polja u oksidu:

x
dQ
q  ndx   Dx   ox K x
0
dS x (4.3)
 Iz (4.2) i (4.3) sledi:

I D   n  oxWK x K y
(4.4)

 Električno polje u pravcu kanala je:

(4.5)
dV y
Ky  
dy
 Električno polje u oksidu, koje utiče na provodnost kanala, zavisi od
efektivnog napona na gejtu (VGeff = VG – VT) i potencijala tačke y na
kanalu. Smatrajući da je oksid homogen i bez prostornog
naelektrisanja, debljine tox, biće:
V V V V V (4.6)
Kx   
Geff y G T y

t ox t ox
 Zamenom vrednosti Ky iz (4.5) i Kx iz (4.6) u (4.4), dobija se:
 n  oxW dVy
ID  (VG  VT  V y ) (4.7)
t ox dy
 Iz jednačine (4.7), razdvajanjem promenljivih i integraljenjem duž
kanala, sledi:
 W D
L V (4.8)
I D  dy  n ox
 (VG  VT  V y )dVy
0
t ox 0

 Granice za promenljivu y su početak (0) i kraj (L) kanala, a za

promenljivu Vy napon kod sorsa, Vy(0) = 0, i napon kod drejna, Vy(L) =
VD. Posle integraljenja i sređivanja dobija se:

ID 
 n  oxW
2t ox L
  
2(VG  VT )VD  VD2   n 2(VG  VT )VD  VD2 
(4.9)
gde je TRIODNA OBLAST

 n  oxW (4.10)
n 
2t ox L
 Jednačina (4.9) za struju drejna važi samo za VG  VT  VD,
odnosno u triodnoj oblasti. Za male napone na drejnu drugi član u
srednjim zagradama u (4.9) se može zanemariti u odnosu na prvi
član, pa je tada struja drejna:

VD
I D  2 n (VG  VT )V D 
Ron
(4.11)
gde je Ron otpornost kanala pri malim naponima na drejnu:

1
Ron 
2 n (VG  VT ) (4.12)
 Iz (4.11) vidi se da za vrlo male napone na drejnu struja
drejna linearno zavisi od napona drejna, tj. tada se MOS
tranzistor nalazi u linearnoj (omskoj) oblasti rada. Drugim
rečima, tada se MOS tranzistor ponaša kao otpornik čija
je otpornost kontrolisana naponom između gejta i sorsa.
 Sa druge strane, kada se u (4.9) uvrsti VG  VT = VD,
dobija se izraz za struju drejna

I D   n VG  VT 
2

(4.13)
koji reprezentuje parabolu koja deli triodnu oblast od
oblasti zasićenja na izlaznim karakteristikama MOS
tranzistora
 Realna struja drejna će, ipak, rasti sa
porastom napona na drejnu, posebno kod
MOS tranzistora sa kratkim kanalima.
 Ovaj efekat se najjednostavnije može
opisati izrazom:

 VD 
I D   n VG  VT  1  
2
 V 
 A  (4.14)

gde je VA Erlijev napon

 Prenosne karakteristike MOS
tranzistora
 Prenosne karakteristike MOS tranzistora
predstavljaju zavisnost struje drejna od napona na
gejtu, ID = f(VG) za VD = const
 Dobijaju se iz (4.9) za triodnu oblast (VD = const):
ID 
 n  oxW
2t ox L
  
2(VG  VT )VD  VD2   n 2(VG  VT )VD  VD2 
 I iz (4.11) za oblast zasićenja (VD = const):
VD
I D  2 n (VG  VT )V D 
Ron
Grafička konstrukcija prenosnih karakterisika n-
kanalnog MOS tranzistora na osnovu poznatih
izlaznih karakterisika
Prenosna i izlazne karakteristike p-kanalnog MOS tranzistora
 EKVIVALENTNO KOLO MOS TRANZISTORA
ZA MALE SIGNALE – niske učestanosti
 Kada se na ulaz dovede mali naizmenični signal niske učestanosti, MOS
tranzistor se može smatrati linearnom komponentom i mogu se definisati
njegovi linearni parametri.
 Označavajući malim slovom u indeksu veličine koje se odnose na efektivne
vrednosti naizmenične struje i napona, za struju drejna, koja zavisi i od
napona na gejtu i od napona na drejnu, dobijamo:

I d  g mVg  g d Vd (4.15)
pri čemu su gm  prenosni, a gd  izlazni parametar MOS tranzistora,
definisani kao:
dI D Id
gm  
dVG V D  const. V g Vd  0 (4.16)

dI D Id
gd  
dVD VG  const. Vd Vg  0 (4.17)
 Prenosni parametar gm se kod MOS
tranzistora mnogo češće zove strmina,
zato u stvari predstavlja nagib tangente na
prenosnu karakteristiku
 Strmina se može praktično izračunati kao
količnik konačnih priraštaja:
I D I D 2  I D1
gm  
VG VD  const. VG 2  VG1 VD  const.

(4.18)
Grafičko određivanje gm
 Do analitičkog izraza za gm može se doći kada
se nađe parcijalni izvod struje drejna po naponu
gejta. Za n-kanalni MOS:
 u triodnoj oblasti na osnovu (4.9):
I 
D
  W
n

2t L

ox
2(V  V )V  V    2(V  V )V  V 
G T D
2
D n G T D
2
D
ox

I D
gm   2 nV D Raste linearno sa povećanjem
VG (4.19) napona na drejnu!!!

 u oblasti zasićenja na osnovu (4.13):

I D   n VG  VT 
2

I D
gm   2 n (VG  VT ) Raste linearno sa povećanjem
VG (4.20) napona na gejtu!!!
 Izlazni parametar gd, definisan izrazom (4.17),
jeste unutrašnja provodnost i ona je jednaka
recipročnoj vrednosti unutrašnje otpornosti MOS
tranzistora. Prema slici, na kojoj je data samo
jedna izlazna karakteristika, izlazna provodnost
je:

1 I D I D 2  I D1
gd   
rd VD VG  const. VD 2  VD1 VG  const.
(4.21)
 Dakle, ako gd, odnosno rd, nalazimo iz nagiba
izlazne karakteristike, ne moramo voditi računa
o tome da li je u pitanju triodna oblast ili oblast
zasićenja.
Grafičko odreĎivanje izlazne provodnosti
 Unutrašnju provodnost možemo analitički odrediti kada
se nađe parcijalni izvod struje drejna po naponu drejna i
za n-kanalni MOS tranzistor:
 u triodnoj oblasti na osnovu (4.9):

ID 
 n  oxW
2t ox L
  
2(VG  VT )VD  VD2   n 2(VG  VT )VD  VD2 
I D
gd   2 n (VG  VT  VD )
VD
 u oblasti zasićenja na osnovu (4.14):
 V 
I D   n VG  VT  1  D 
2
 V A 


I D  (V  V ) 2
gd   n G T

VD VA
Ekvivalentno kolo MOS tranzistora
za male signale i niske učestanosti
 EKVIVALENTNO KOLO MOS TRANZISTORA
ZA MALE SIGNALE – visoke učestanosti

 Kada se na MOS tranzistor dovede

naizmenični signal male amplitude i visoke
učestanosti, ne mogu se zanemariti
parazitne kapacitivnosti koje postoje
unutar strukture MOS tranzistora i koje
utiču na sam rad tranzistora na tim
frekvencijama.
Parazitne kapacitivnosti u n-kanalnom MOS tranzistoru
Parazitne kapacitivnosti u n-kanalnom MOS tranzistoru
Ekvivalentno kolo MOS tranzistora za
male signale i visoke učestanosti
 CMOS invertor
 Osnovna ćelija digitalnih CMOS integrisanih kola je CMOS invertor
 Koristi se par MOS tranzistora – jedan n-kanalni i jedan
komplementarni p-kanalni tranzistor
 Korišćenje komplementarnog para MOS tranzistora omogućava
projektovanje digitalnih kola sa minimalnom potrošnjom energije
 Karakteristika CMOS kola da imaju nisku potrošnju energije je
proširila primenu digitalnih kola
 Prekidačka brzina, odnosno maksimalna radna frekvencija, bila je u
početku nedostatak CMOS kola, ali je savremenim tehnološkim
postupcima postugnuto izuzetno smanjivanje dimenzija MOS
tranzistora, što je dovelo do veoma velikog porasta brzine
 Smanjivanje dimenzija je, takođe, omogućilo porast nivoa
integracije, i realizaciju digitalnih integrisanih kola velikih operativnih
mogućnosti
 CMOS tehnologija je postala dominantna
elektronska tehnologija!!!
CMOS invertor
CMOS invertor
U CMOS invertoru upravljačke elektrode
G1 i G2 n-kanalnog i p-kanalnog
tranzistora međusobno su spojene i služe
kao ulazna elektroda invertora
 Drejn D1 n-kanalnog i drejn D2 p-kanalnog
tranzistora su takođe međusobno spojeni i
oni su izlazna elektroda invertora
 Sors S1 n-kanalnog tranzistora je
uzemljen, a sors S2 p-kanalnog tranzistora
je spojen na napajanje VDD.
Princip rada CMOS invertora
 p-kanalni i n-kanalni MOS
tranzistori su komplementarni
po karakteristikama i naponi
praga su suprotni po
predznaku i jednaki po
apsolutnom iznosu
 Kad se na ulaz G CMOS
invertora dovede napon PMOS
logičke nule, što odgovara
naponu VGS1 = 0, tada n- 0V
kanalni MOS ne vodi
 Napon između kontrolne
elektrode G2 i sorsa S2 p-
kanalnog MOS tranzistora je NMOS
negativan i približno jednak 
VDD
 Napon praga tog tranzistora je
negativan, p-kanalni MOS
tranzistor vodi
Princip rada CMOS invertora
 Međutim, kako je n-kanalni
tranzistor zatvoren, p-kanalni
MOS radi s vrlo malom strujom
drejna Is n-kanalnog MOS
tranzistora, i nalazi se na
samom početku triodnog
područja
 Napon VDS1 = Viz ≈ VDD, pa PMOS
logičkoj nuli na ulazu odgovara
logička jedinica na izlazu 0V
 Taj slučaj ilustrovan je na slici
(levo) – radna tačka T1
odgovara izlaznom naponu VDD
i struji drejna ID = IS NMOS
 Menjanjem napona napajanja
VDD može se menjati po želji
napon logičke jedinice.
Princip rada CMOS invertora
 Ukoliko se na ulaz CMOS
invertora dovede napon
logičke jedinice, tj. napon
+VDD, tada n-kanalni MOS
tranzistor vodi
 Napon kontrolne elektrode
G2 prema sorsu S2 je PMOS
jednak nuli, pa p-kanalni +VDD
tranzistor ne vodi
 Zato n-kanalni MOS
tranzistor vodi vrlo malu
struju drejna p-kanalonog NMOS
MOS tranzistora, pa se
nalazi na samom početku
triodnog područja
karakteristika
Princip rada CMOS invertora
 Taj slučaj je predstavljen
na slici (desno), gde je
označena tačka T2 koja
odgovara stanju logičke
nule na izlazu.
 Pri vođenju n-kanalnog i PMOS
pri vođenju p-kanalnog +VDD
MOS tranzistora troši se
veoma malo energije, s
obzirom da u oba slučaja
protiče izuzetno mala NMOS
struja drejna jednog od
tranzistora!!!