Лабораторна робота № 1

Вивчення архітектури комп’ютера

Лабораторну роботу виконують з використанням довільних тестуючи програм

( напр. Aida, Everst ).

Завдання:

oзнайомитися з типами архітектур сучасних комп’ютерних систем;

визначити головні параметри особистого ПК;

провести тестування головних систем комп’ютера;

виконати порівняння функціональних можливостей тестуючи програм для

окремих блоків комп’ютера щодо їхньої діагностики.

Контрольні запитання
3. Які основні результати “ нульового” покоління розвитку комп’ ютерної електроніки ?
4. Охарактеризуйте перше покоління розвитку комп’ютерної електроніки.
5. Що є характерним для другого покоління розвитку комп’ютерної електроніки ?
6. Хто і коли створив перший мікропроцесор?
7. Порівняйте четверте і п’яте покоління розвитку комп’ютерної електроніки.
8. Охарактеризуйте вплив розвитку мікроелектроніки на продуктивність комп’ютерних
систем.
9. Як впливає геометричний скейлінг у мікроелектроніці на основні параметри елементної
бази комп’ ютерної електроніки?
24. Нарисуйте блок-схему ПК.
25. Дайте характеристику основних блоків комп’ютера.
26. Коротко охарактеризуйте пристрої, що входять до складу МП.
27. Що таке системна шина?
28. Яка основна характеристика системної шини ?
29. Наведіть ієрархію ЗП ПК.
30. Поясніть призначення ЗП ПК.
31. Класифікуйте зовнішні пристрої ПК.
32. Назвіть склад пристроїв кожної групи зовнішніх пристроїв ПК.
33. Що таке математичний співпроцесор, яке його призначення?
34. Що таке контролер прямого доступу до пам’яті (DMA), яке його призначення?
35. Що таке контролер переривань і яке його призначення?
36. Назвіть основні конструктивні компоненти ПК і дайте їм коротку характеристику.
37. Назвіть і поясніть основні функціональні характеристики ПК.
38. Чим визначається продуктивність комп’ютера?

Лабораторна робота № 2

Дослідження вольтамперних характеристик діодів, біполярних

транзисторів, польових транзисторів

Лабораторну роботу виконують у середовищі інструментального

програмного комплексу Multisim 10 (колиш. Embedded Workbench) фірми
National Instruments.
Завдання № 1. Дослідження прямої вітки в/а х – ки діода.

1.1 Складіть схему згідно рис.1.

1.2. Ввімкніть режим моделювання схеми зібранної згідно рис.1.

1.3. За допомогою потенціометра R1, з кроком (10 – 75 )mV, зніміть характеристику I(mA) =
f(V)mV.

1.4. Дані занесіть в таблицю і побудуйте графік в/а х – ки прямої вітки діода 1N4148.
 Завдання № 2. Дослідження оберненої вітки в/а х – ки діода.

2.1. Складіть схему згідно рис.2.

Рис.2.

2.2. Включіть режим моделювання схеми зібранної згідно рис.2.

2.3. За допомогою потенціометра R1, з кроком (6 – 10)V, зніміть характеристику I(mA)=

f(V)V.

2.4. Дані занесіть в таблицю і побудуйте графік в/а х – ки оберненої вітки діода 1N4148

Завдання № 3. Дослідження в/а характеристики біполярного транзистора.

3.1. Складіть схему згідно рис.3.

3.2 Включіть режим моделювання схеми зібраної згідно рис.3.

3.3. За допомогою потенціометра R1 ,з кроком 25 mV, зніміть х – ку Iб( A) = f(Vеб)mV

при Vке = const.

3.4. Дані занесіть в таблицю і побудуйте графік вхідної х – ки схеми з загальним

емітером на

транзисторі BC546BP.
3.5. За допомогою потенціометра R2,рухаючи повзунок потенціометра на один
крок,зніміть х – ку

Iк(mA) = f(Vке)V при Iб = const.

3.6. Дані занесіть в таблицю і побудуйте графік вихідної х – ки схеми з загальним

емітером на тран-

зисторі BC546BP.

Завдання № 4. Дослідження в/а характеристик польового транзистора.

4.1. Складіть схему згідно рис.4

4.2. Включіть режим моделювання схеми зібраної згідно рис.4.

4.3. За допомогою потенціометра R2, з кроком (0,17 – 0,20)V, зніміть х – ку Ic(mA) =

f(Vзв)V.

4.4. Дані занесіть в таблицю і побудуйте графік стік-затворної х – ки схеми з загальним

витоком виконаної на транзисторі BF245B.

4.5. Встановіть потенціометром R2 вибрану напругу Vзв.

4.6. За допомогою потенціометра R1, з кроком (0,028 – 3)V, зніміть х – ку Ic(mA) = f(Vсв)V.

4.7. Дані занесіть в таблицю і побудуйте графік вихідної х –ки схеми з загальним витоком
виконаної