Міністерство освіти та науки України

Національний університет «Львівська політехніка»

Кафедра електронних приладів

Лабораторна робота №4
з дисципліни:

«Автоматизація проектування елементів та пристроїв електронної техніки»

на тему:

«Проектування топології потужного біполярного транзистора

інтегральної схеми»

Виконав: студент гр. ЕЛ-31

Соловій Б.В.

Перевірив: асистент каф. ЕП

Вірт В.В.

Львів 2018
 Мета: 1.1. Ознайомитись з методикою проектування топологi∙бiполяpного
тpанзистоpа iнтегpальної схеми в САПР AutoCAD 2006.
1.2. Набути пpактичних навикiв pоботи з САПР AutoCAD 2006.
1.3. Побудувати топологію потужного бiполяpного тpанзистоpа iнтегpальної
схеми в САПР AutoCAD 2006.
Теоретична частина
AutoCAD — дво- і тривимірна система автоматизованого проектування і
креслення розроблена компанією Autodesk. Перша версія була випущена в 1982
році. AutoCAD і спеціалізовані додатки на його основі знайшли широке
застосування в машинобудуванні, будівництві, архітектурі та інших галузях
промисловості. Вперше випущений в грудні 1982 року AutoCAD був однією з
перших програм САПР для роботи на персональних комп'ютерах, зокрема, IBM
PC. У той час, більшість інших CAD-програм працювали на великих ЕОМ.
AutoCAD і AutoCAD LT підтримують англійську, німецьку, французьку,
італійську, іспанську, японську, корейську, китайську спрощену, китайський
традиційну, російську, чеську, польську, угорську, бразильську португальську,
датську, голландську, шведську, фінську, норвезьку і в'єтнамську мови. Рівень
локалізації варіюється від повної адаптації, до перекладу тільки довідкової
документації.
Ранні версії AutoCAD оперували невеликим числом елементарних об'єктів,
такими як кола, лінії дуги і текст, з яких складалися складніші. У цій якості
AutoCAD заслужив репутацію «електронного кульмана», яка залишається за ним і
понині. Однак, на сучасному етапі можливості AutoCAD дуже широкі і набагато
перевершують можливості «електронного кульмана».
В області двовимірного проектування AutoCAD як і раніше дозволяє
використовувати елементарні графічні примітиви для отримання складніших
об'єктів. Крім того, програма надає вельми обширні можливості роботи з шарами і
аннотативними об'єктами (розмірами, текстом, позначеннями). Використання
механізму зовнішніх посилань (XRef) дозволяє розбивати креслення на складові
файли, за які відповідальні різні розробники, а динамічні блоки розширюють
можливості автоматизації 2D-проектування звичайним користувачем без
використання програмування. Починаючи з версії 2010 в AutoCAD реалізована
підтримка двовимірного параметричного креслення.
Поточна версія програми (AutoCAD 2012) включає в себе повний набір
інструментів для комплексного тривимірного моделювання (підтримується
твердотільне, поверхневе і полігональне моделювання). AutoCAD дозволяє
отримати високоякісну візуалізацію моделей з допомогою рендеринга mental ray.
Також в програмі реалізовано управління тривимірним друком (результат
моделювання можна відправити на 3D-принтер) і підтримка хмар точок (дозволяє
працювати з результатами 3D-сканування). Тим не менш, слід зазначити, що
відсутність тривимірної параметризації не дозволяє AutoCAD безпосередньо
конкуруватиме з машинобудівними САПР середнього класу, такими як Inventor,
SolidWorks та іншими. До складу AutoCAD 2012 включена програма Inventor
Fusion, яка реалізує технологію прямого моделювання.
Хід роботи:
1. Умікнув комп’ютер (рівень доступу – STUDENT). Переконався у
наявності на диску D папки AutoCAD та папки з назвою групи EL31.
2. З робочого столу завантажив систему AutoCAD 2006.
3. Переконався, щоб для параметрів ліній (колір, товщина та тип) були
установлені значення ByLayer.
4. Активізувати команди Формат/Единицы. Установив такі параметри (рис.
1.).
 Рис. 1. Установлення системи одиниць у САПР AutoCAD 2006
5. Командою Формат/Пределы чертежа задав наступні межі креслення:
Первый угол: -100,-100 <Enter>
Противоположный угол: XB+ 100, YB+100 <Enter>.
6. Командою Вид/ Масштаб/ Окно задати такі параметри вікна:
Первый угол: -10,-10 <Enter>
Противоположный угол: XB+ 10, YB+10 <Enter>.
7. Активузував кнопки Сетка та Орто.
8. За допомогою відповідної клавіші в панелі керування або команди _layers
у командному рядку завантажив Layer Properties Manager (диспетчер
властивостей шарів)
9. За допомогою відповідної клавіші в панелі керування або комбінації Alt+N
ввести потрібні шари і задати їх параметри згідно з табл. 1.
 Таблиця 1
Параметри шарів
Name ON Freeze Lock Color Linetype Lineweigt
Izolation вкл. розмор. розблок. білий (7) Continuous 0.25
Hiden вкл. розмор. розблок. фіолетовий ACA_100 0.25
(6)
Baza вкл. розмор. розблок. червоний (1) Continuous 0.25
Emitter вкл. розмор. розблок. синій (5) Continuous 0.25
Kontact вкл. розмор. розблок. зелений (3) Continuous 0.25
Metall вкл. розмор. розблок. жовтий (2) Continuous 0.25

Установлюю поточним шар Izolation . Для цього потрібно виділити лівою

кнопкою «мишки» цей шар та активізувати кнопку ¿ (зліва від рядка Current
layer).
Вікно диспетчера властивостей шарів показано на рис. 2.

Рис.2. Вікно диспетчера властивостей шарів

10. Командою Рисовать/Прямоугольник побудував за координатами точок
A та B область ізоляці.
11. Установив поточним шар Hiden. Командою Рисовать/Прямоугольник
побудував за координатами точок С та D область «захованого» шару.
 12. Установив поточним шар Emitter. Командою Рисовать/Прямоугольник
побудував за координатами точок E та F область емітерного шару на першому
(лівому) колекторі.
13. Установити поточним шар Kontact. Командою
Рисовать/Прямоугольник побудував за координатами точок G та H область
вікон під контакти шару на першому (лівому) колекторі.
14. Для штрихування контакту на першому (лівому) колекторі активізував
команду Рисовать/Штрих….
Штриховка стандартна. Біля вікна Образец активізував кнопку з трьома
точками. Вибрати штриховку JIC_LC_20 (рис. 3).
Активізувати кнопку Добавить/Выбрать. Вказати точку всередині першого
контакту та натиснув ENTER, після чого знову з’явилось вікно Hatch and
Gradient.
15. Установив поточним шар Baza. Командою Рисовать/Прямоугольник
побудував за координатами точок I та J першу (ліву) базу.
16. Установив поточним шар Kontact . Командою Рисовать/Прямоугольник
побудував за координатами точок K та L перший контакт у першій (лівій) базі.
17. Аналогічно п. 13 заштрихував перший контакт у першій (лівій) базі.
18. Командою Изменить/Копировать або Изменить/Массив створив
потрібну кількість контактів у першій (лівій) базі.
У випадку застосування команди Изменить/Массив задав такі параметри:
- Рядов - 1;
- Столбцов - кількість контактів у першій (лівій) базі;
- Расстояние между рядами - 0;
 - Расстояние между столбцами - відстань між контактами у першій (лівій)
базі (координати XN(U) для рангованої змінної U).
 Рис.3. Вікно команди Hatch and Gradient
19. Установити поточним шар Emitter. Командою Рисовать/Прямоугольник
побудувати за координатами точок O та P першу (ліву) емітерну смужку у
першій (лівій) базі.
20. Командою Изменить/Копировать або Изменить/Массив створити
потрібну кількість емітерних смужок у першій (лівій) базі.
У випадку використання команди Изменить/Копировать потрібно клацнути
лівою кнопкою «мишки» на будь-якій лінії першої (лівої) емітерної смужки у
першій (лівій) базі. Активізувати команду Изменить/Копировать. Вказую ліві
нижні точки на першії та наступній емітерних смужок у першій (лівій) базі.
21. Вікном виділити перший (лівий) колектор та першу (ліву) базу. Натискаю
Enter. Активізую команду Изменить/Копировать. Вказую ліву нижню точку
емітерної смужки лівого колектора та ліву нижню точку емітерної області
наступного колектора XR(W=2). Таким же чином створюю копії всіх колекторів,
крім останнього.
Для виконання цієї процедури можна також використати команду
Изменить/Массив.
22. Вікном виділити перший (лівий) колектор. Натиснути Enter.
Активізувати команду Изменить/Копировать. Вказую ліву нижню точку
емітерної смужки лівого колектора та ліву нижню точку емітерної області
останнього колектора.
23. Командою Вид/ Масштаб/ Окно задати такі параметри вікна:
Первый угол: -100,-100 <Enter>
Противоположный угол: XB+ 100, YB+100 <Enter>.
24. Установив поточним шар Metall. Командою Рисовать/Полилиния
побудувати шар металізації (рис. 5).
 Рис. 4. Приклад топології транзистора без шару металізації

Рис. 5. Приклад топології транзистора з шаром металізації

Висновок: виконавши дану лабораторну роботу я ознайомився з

алгоритмом та програмою синтезу і оптимізації параметрів конструкції
біполярного транзистора інтегральної схеми; набув практичних навичок роботи з
програмою синтезу та оптимізації параметрів конструкції біполярного
транзистора інтегральної схеми. В результаті я отримав ескіз та параметри
біполярного тразистора.