Sklopovi s poluvodičkim

diodama
Izvor: Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, „Electronic devices and
circuit theory”
Statički DC otpor diode

• Tipično se kreće u rasponu od 10 Ω do 80 Ω

Dinamički AC otpor diode
Srednji dinamički AC otpor diode
Modeli poluvodičkih dioda
Analiza rada u statičkim uvjetima
Analiza rada u dinamičkim uvjetima – metoda
superpozicije
• DC analiza
Analiza rada u dinamičkim uvjetima – metoda
superpozicije
• AC analiza
Analiza rada u dinamičkim uvjetima – metoda
superpozicije

• AC analiza + DC analiza
Primjena dioda – detektor polariteta
Primjena dioda – logički i/ili sklopovi

• Logički ILI sklop • Logički I sklop

Primjena dioda – poluvalni ispravljač
Primjena dioda – poluvalni ispravljač
Primjena dioda – poluvalni ispravljač
Primjena dioda – punovalni ispravljač
Primjena dioda – punovalni ispravljač
Primjena dioda – punovalni ispravljač
Primjena dioda – punovalni ispravljač s
transformatorom s centralnim izvodom
Primjena dioda – punovalni ispravljač s
transformatorom s centralnim izvodom
 Primjena dioda – limitator napona
• Serijski
 Primjena dioda – limitator napona
• Serijski

• ?????
 Primjena dioda – limitator napona
• Serijski
 Primjena dioda – limitator napona
• Paralelni
 Primjena dioda – limitator napona
• Paralelni
 Primjena dioda – limitator napona
• Serijski
 Primjena dioda – limitator napona
• Paralelni
Primjena dioda – Zener dioda
 Primjena dioda – Zener dioda
• Naponska referenca • Ograničenje napona
 Primjena dioda – restauratori
• Podižu DC razinu izmjeničnog signala bez izobličenja
Primjena dioda – restauratori
 Primjena dioda – množila napona
• Poluvalni udvostručivač napona
 Primjena dioda – množila napona
• Punovalni udvostručivač napona
 Praktična primjena dioda
• Punjač baterija
 Praktična primjena dioda
• Zaštita
 Praktična primjena dioda
• Zaštita
 Praktična primjena dioda
• Osiguranje polariteta
 Praktična primjena dioda
• Kontrola „back up ” napajanja
 Praktična primjena dioda
• Zasloni (eng. display)
 Praktična primjena dioda
• Naponski izvori neovisni o otporu trošila
 Praktična primjena dioda
• AC regulatori i generatori pravokutnog napona
 Sveučilište J.J.
Strossmayera u Osijeku Elektrotehnički fakultet
Osijek

OSNOVE
ELEKTRONIKE
POLUVODIČKE Doc.dr.sc. Marijan Herceg
DIODE Doc.dr.sc. Tomislav Matić
Predavanje 3/22
 3. POLUVODIČKE DIODE

Poluvodičke diode se izrađuju od kristala germanija, silicija ili galij-

arsenida, te raznih drugih kombinacija poluvodiča.
Sastoje se od jednog PN-spoja (ili ispravljačkog spoja metal-poluvodič) i
ne-ispravljačkih (omskih) kontakata i kućišta.

Geometrija i struktura PN-spoja ovisi o načinu izvedbe, pri čemu se

najčešće rabe postupci difuzije (Planarna tehnologija na siliciju.).

Poluvodičke diode ilustriraju primjenu mnogih svojstava PN-spoja i spoja

metal-poluvodič:
• "osnovna svojstva” - ispravljanje i sklopni režim
• "sekundarna svojstva" - naponska referenca, ovisnost kapaciteta o
naponu, ovisnost otpora o struji, negativni otpor
Predavanje 3/22
 3. POLUVODIČKE DIODE

Podjela poluvodičkih dioda prema korištenim svojstvima PN spoja (i

spoja metal poluvodič) i namjeni:
3.1. Ispravljačke spojne diode (ispravljanje signala)
3.2. Prekidačke spojne diode (brzi rad u sklopnom režimu)
3.3. Diode s površinskom barijerom- Schottkyjeva diode (brze
prekidačke diode)
3.4. Varaktori - kapacitivne diode (naponski promjenjivi kapacitet)
3.5. PIN diode (mali otpor propusne polarizacije, mali barijerni
kapacitet neovisan o naponu)
3.6. Naponske referentne diode - Zener diode (izvor konstantnog
napona)
3.7. Tunelske - Esaki diode (brzi rad u sklopnom režimu, negativan
otpor u propusnom dijelu karakteristike)
Predavanje 3/22
 3.1. ISPRAVLJAČKE SPOJNE DIODE

naponski malo ovisna

Dobru ispravljačku diodu
struja propusne
odlikuje:
polarizacije (zanemariv
I·10 –3, A rD!)
visoki reverzni
napon proboja Q(ID,UD)
ID
Ispunjavanje
pojedinih zahtjeva
–Upr
međusobno je –Ipr U0 UD U, V
suprotstavljeno pa se zanemariva
diode obično
reverzna struja niski napon koljena
izrađuju tako da
zasićenja –12, A
Predavanje 3/22 –I·10
zadovoljavaju samo
neke od njih.
 3.1. ISPRAVLJAČKE SPOJNE DIODE

Simbol diode Tehnološki presjek diode

anoda (A)
A K aluminij (Al)
SiO2
P N

N+

katoda (K)

Predavanje 3/22
 3.1. ISPRAVLJAČKE SPOJNE DIODE -
modeli

I Idealna dioda (zanemarena reverzna

– struje zasićenja) modelira se kratkim
+
spojem kod propusne i otvorenim
krugom kod nepropusne polarizacije.
U Kroz većinu propusno
I U0
polariziranih realnih dioda
+ –
znatna struja protječe tek kad je
napon propusne polarizacije
U0 U viši od napona koljena U0.
I Dodatno poboljšanje modela
U0
dU + – s dinamičkim otporom rD =
rD  rD dU/dI koji unosi nagib u
dI
idealiziranu krivulju diode.
U0 U
Predavanje 3/22
 3.1. ISPRAVLJAČKE SPOJNE DIODE

PN-dioda se obično rabi uz zadanu (konstantnu) struju, jer je u propusnoj

polarizaciji I-U karakteristika diode vrlo strma, pa je uz zadani napon teško
dobiti zadanu struju.
Napon propusne polarizacije u mkT  I D   ID 
U  ln  1  mU ln  1
tom slučaju je određen D   T  
q  I R0   I R0 
konstantnom strujom kroz diodu:
Strujno područje ID 0,1 do 1 mA 0,1 do 1 A
(mili-ampersko) (mikro-ampersko)

Napon koljena Uo  0,7 V  0,5 V

Ako se na diodu dovede napon koji je za samo 0,1 V (4UT) manji od napona
koljena U0 jednog od strujnih područja, struja kroz diodu će biti nekoliko redova
veličine manja i može se smatrati da za taj strujni opseg dioda ne vodi!
Predavanje 3/22
 3.1. ISPRAVLJAČKE SPOJNE DIODE

Primjena: Poluvalno ispravljanje

i(t)
Ugm
ug(t) ug(t) R uR(t) u (t)
R

t t

Ugm < Upr diode !!!!

Predavanje 3/22
 3.1.1. Utjecaj širine energetskog procjepa EG na
reverznu struju zasićenja IS i napon U0

Odabirom poluvodiča  U  
sa širim EG smanjuje I  I S exp   1
  UT  
se ni  IS.
 Dn Dp 
I S  qni A  
2
Dioda s većim EG može raditi N L N L 
na višim temperaturama (šire  A n D p 

ekstrinsično/ radno područje). EG

2 3
ni CT exp(  )
kT
Dobar rad na višim temperaturama važan je jer se ispravljačka dioda
zagrijava zbog vrlo velikih struja propusne polarizacije.
Predavanje 3/22
 3.1.1. Utjecaj širine energetskog procjepa EG na
reverznu struju zasićenja IS i napon U0

Ge Si
I·10 –3, A
EG(Si) > EG(Ge)  U0(Si) >
U0(Ge)
IS(Si)

0,5 0,7 U, V
IS(Ge)  103·IS(Si) –I·10 –12, A

Snažne ispravljačke diode češće se izrađuju od Si jer ima širi EG, manju
reverznu struju zasićenja IS, šire temperaturno područje primjene, viši napon
proboja i jednostavnije se proizvodi.
Predavanje 3/22
 3.1.2. Utjecaj koncentracije primjesa na dinamički
otpor rD i napon proboja Upr

Slabije dopiranje N-strane P+N-spoja :

• smanjuje maksimalno polje,
• povećava napon proboja, i
• povećava serijski otpor propusne polarizacije rD (povećanje
temperature diode zbog I2rD gubitaka). Za smanjenje otpora slabo
dopirane strane, treba povećati njen presjek, a smanjiti duljinu -
geometrija diode!
A Slabije dopirano N područje
zaključuje se jače dopiranim
P+ N područjem istog tipa (N+) 
omski kontakt sa metalom
N+ izvoda, npr P+NN+ struktura.
K Slabije dopirano središnje
područje određuje napon proboja!
Predavanje 3/22
 3.2. PREKIDAČKE DIODE

Sklopke u digitalnim sklopovima - brzina prelaska iz vodljivog u

nevodljivo stanje bitnije svojstvo od male reverzne struje zasićenja i
gubitaka u propusnoj polarizaciji!
Za ID = konst. dioda s brzim preklapanjem mora imati:
 malo akumuliranog naboja na rubu kvazi-neutralnih
područja (Qp, Qn),
 ili vrlo kratko vrijeme života nosilaca naboja (p, n )
 ili oboje. dQ  dQ  dI  I p
Cd     p    p gd
To znači: dU  dI  dU  UT rd

• mali difuzijski kapacitet diode Cd (dodavanjem atoma

primjesa npr. zlata stvaraju se R-centri  skraćenje vremena
života nosilaca)
• mali barijerni kapacitet diode Cb (nesimetrični PN-spojevi)
dQ qN D
Cb  A
dU 2U
Predavanje k U 
3/22
 3.2. Difuzijski i barijerni kapacitet

Usporedba kapacitivnosti Cb i Cd :
a) kapacitivnost Cb je funkcija napona nepropusne polarizacije, a Cd
struje propusne polarizacije,
b) kod propusne polarizacije u mA-području struja, difuzijska
kapacitivnost je za nekoliko redova veličine veća od barijerne (Cd
>> Cb), pa se Cb može zanemariti,
C, nF
c) kod propusne polarizacije u A-području Cd
struja te su dvije kapacitivnosti približno 0,6
jednake Cb Cd, 0,4 Cb
d) kod male struje nepropusne polarizacije 0,2
(ID  10-9 - 10-10A) je Cb >> Cd  0.
–2 –1 0 0,2 0,4 0,6 U, V
Predavanje 3/22
 3.2. Dinamička svojstva PN-dioda.
Difuzijski i barijerni kapacitet

Nadomjesni sklop PN-diode Cb nepropusna

u režimu malog signala: polarizacija

Rs rd

propusna
Cd polarizacija

Ck

Cb - barijerna kapacitivnost, Cd difuzijska kapacitivnost, rd - dinamički

otpor propusno polariziranog PN-spoja, Rs - serijski otpor P- i N-područja
PN-spoja, Ck - mali parazitni kapacitet kućišta diode.
Predavanje 3/22
 3.2. PREKIDAČKE DIODE

A) Utjecaj količine primjesa zlata na skraćenje vremena života nosilaca i

skraćenje vremena oporavka diode tr (za P+N-spoj):

N(Au) 1/cm3 vrijeme života p s vrijeme oporavka tr ns

- 1 100
1014 0,1 10
1015 0,01 1
Povećanje koncentracije Au izaziva i porast struje IS, a kada se približi
koncentraciji slabije dopiranog materijala, mijenja i ukupnu ravnotežnu
koncentraciju PN-spoja.

Predavanje 3/22
 3.2. PREKIDAČKE DIODE

B) Slabije dopirana strana kraća od difuzijske duljine manjinskih nosilaca -

dioda kratkih strana!
Ako je akumulirani naboj propusne polarizacije vrlo malen - većina injektiranih
nosilaca naboja pod djelovanjem električnog polja izravno prelazi slabo
dopirano područje. Mali akumulirani naboj = kratko vrijeme preklapanja!

Predavanje 3/22
 3.3. DIODE S POVRŠINSKOM BARIJEROM -
SCHOTTKYJEVE DIODE

Ispravljačko svojstvo spoja metal-poluvodič

Brzinu preklapanja određuje barijerni kapacitet Cb, pa je vrijeme oporavka
diode tr u granicama od 0,01 do 0,1 ns (najviša radna frekvencija između 3 i
15 GHz).
 U   sličnost I-U karakteristika Schottkyjeve i PN-diode
I  I S exp   1
  UT  
precizna logaritamska komponenta: I-U karakteristika
Schottkyjeve diode vrlo slična izrazu za idealnu diodu.
Primjena u:
• digitalnim sklopovima (brze sklopke - mala površinu čipa)
• energetskim sklopovima (dobro odvođenje topline kroz metalni
kontakt i vođenje velike struje pri nižem naponu koljena U0 )
• kao naponski promjenljivi kondenzatori - varaktori.
Predavanje 3/22
 3.3. DIODE S POVRŠINSKOM BARIJEROM -
SCHOTTKYJEVE DIODE

ID, mA Schottkyjeva PN-dioda

dioda

–0,4 –0,2
0 0,2 0,4 0,6 U,V
– ID, pA
Napon koljena Schottkyjeve diode je za oko 0,2 V niži jer je njena
reverzna struja zasićenja IS (10-12 do 10-13 A) oko tri reda veličine viša od
struje zasićenja silicijeve PN-diode.
Predavanje 3/22
 3.3. DIODE S POVRŠINSKOM BARIJEROM -
SCHOTTKYJEVE DIODE

Simbol diode Tehnološki presjek diode

1 2
aluminij
1 2
SiO2
P+ N

N+

ispravljački omski
kontakt kontakt
Predavanje 3/22
 3.4. VARAKTORI

Varaktor (engl. VARiable reACTOR) - dioda kod koje

se koristi promjena barijernog kapaciteta s naponom 1
2
Cb
nepropusne polarizacije Cb(U).
mjerenje
U k  U   qN D 1 2 aproksimacija
2 Cb Uk U
Primjena:
• u ulaznom krugu radioprijemnika kao promjenjivi kapacitet za
podešavanje prijemne frekvencije,
• u oscilatorima za naponsku promjenu frekvencije,
• u mikrovalnom području za množenje frekvencija ili kao
parametarsko pojačalo.
Varaktori se izrađuju Si ili GaAs. Silicijski varaktori za niže
frekvencije često se nazivaju varicap diode (engl. varicap - VARIable
CAPacitor). Predavanje 3/22
 3.4. VARAKTORI

Kapacitet osiromašenog područja Cb ovisan je o vrsti PN-prijelaza (skokoviti

ili linearno-postupni) pa općenito vrijedi:
Cb(U), pF
1
Cb  n linearno-postupni 200
 U 
1   skokoviti
 Uk 
100
gdje je n = 1/2 za skokoviti, a
1/3 za linearno-postupni PN-
spoj. – U, V – 50 – 30 – 10

Promjene kapaciteta Cb s naponom veća je za skokoviti (hiper-

skokoviti n = 2), no za linearno-postupni PN-spoj.
Predavanje 3/22
 3.4. VARAKTORI

Primjena: Promjenjivi kapacitet titrajnog kruga

1 1 1
R Cv ω0   
LC Cb (U ) 1
U C(U) L
Un

polarizacija varicap diode

Za hiper-skokoviti PN prijelaz ( n = 2) dobiva se

linearna promjena frekvencije s naponom:
ω0  U
Hiper-skokoviti PN-prijelazi mogu se samo približno realizirati.
Predavanje 3/22
 3.5. PIN DIODE

PIN-dioda: između dva jako dopirana dobro vodljiva P + i N+-područja

nalazi se slabo vodljivo I područje (gotovo) čistog poluvodiča - intrinsično
područje.
+ N +
Primjena: P I
• kao promjenjivi otpor,
• kao posebna vrsta prekidačkih dioda na vrlo visokim frekvencijama i
pri velikim snagama.
Od PIN diode se traži
• vrlo mali otpor u propusnoj polarizaciji,
• vrlo mali barijerni kapacitet neovisan o naponu (u zadanom
naponskom području) u nepropusnoj polarizaciji.
Brzina prekidanja nije kritična veličina.
Predavanje 3/22
 3.5. PIN DIODE
3.5.1. Propusna polarizacija PIN diode

I-područje (RI) se nalazi između dva dobro vodljiva N+ i P+-područja (Rn

i Rp), pa je ukupan ekvivalentni otpor određen otporom I-područja, a on
se mijenja sa strujom propusne polarizacije I koja eksponencijalno ovisi
o naponu propusne polarizacije:
U UI
RI  I 
RI I U   U 
I S exp   I RG0 exp 
RI= f(I)  UT   2U T 
I = f(expU) Dobiven je naponom upravljivi otpor
koji služi kao sklopka ili modulator na
vrlo visokim frekvencijama. Kod vrlo
Rn+Rp velike struje I otpor RI može biti mnogo
manji od Rn+Rp.
I
Predavanje 3/22
 3.5. PIN DIODE
3.5.2. Nepropusna polarizacija PIN diode

U nepropusnoj polarizaciji (U < 0) PIN-dioda predstavlja visoku

impedanciju i već se za vrlo male iznose napona nepropusne polarizacije
osiromašeno područje širi kroz cijelo I-područje i zahvaća samo vrlo
mali dio P+ i N+-strana. Daljnjim porastom napona širina osiromašenog
područja se praktički ne mijenja i jednaka je db = w =2x0.

Cb, pF PIN-dioda djeluje kao pločasti

kondenzator vrlo malih gubitaka,
Cb  f(U) čiji kapacitet je neovisan o naponu,
jer su promjene širine osiromašenog
područja P+ i N+-strane male u
odnosu na konstantnu širinu I-
područja.
–U, V 1
Predavanje 3/22
 4.6. NAPONSKE REFERENTNE DIODE

Dobra referentna dioda:

• mala struju nepropusne polarizacije sve do probojnog napona Upr
• što manja promjena napona Upr sa strujom.
-U Upr 0
Imin
Imin - struja iznad koje se rz malo
Ipr mijenja sa strujom,
U pr
rz  Imaks - struja određena izvedbom
I pr
Imaks diode i dopuštenom
disipacijom.

Upr
Unutar opsega Imaks – Imin diferencijalni otpor područja proboja rz
iznosi 1 do 100 , tako da u okolici Upr referentna dioda može
upotrebljavati kao izvor konstantnog napona i promjenjive struje.
Predavanje 3/22
 4.6. NAPONSKE REFERENTNE DIODE

Primjena: Izvor konstantnog napona i promjenjive struje

I
R
U D Upr= UREF

Proboj je reverzibilan (ne oštećuje PN-spoj) ako se struja ograniči izvana

dodanim otpornikom R! Disipirana snaga na spoju je uz zadanu struju I kod
nepropusne polarizacije veća no kod propusne polarizacije ( napon
nepropusne polarizacije viši!). Bez otpornika R može doći do zagrijavanja
spoja i njegovog termičkog proboja.

Ograničenje struje vanjskim otpornikom potrebno je i kod propusne

polarizacije!
Predavanje 3/22
 4.6. NAPONSKE REFERENTNE DIODE

Naponske referentne diode izrađuju se za Upr od 2 do nekoliko stotina volti.

Razlikuju samo po koncentraciji primjesa početnog materijala. Napon je

proboja Upr to viši što je slabije dopirana N i/ili P-strana, a u nesimetričnom
spoju, što je niža koncentracija primjesa manje dopirane strane. Proboj
uzrokuje mehanizam lavinske multiplikacije ili tunelskog efekta. Vrsta
efekta može se prepoznati po ponašanju napona proboja pri promjeni
temperature okoline.
–U,V 5 0

lavinski Zenerov
efekt efekt

TCL>0 TCZ<0 –I,A

Predavanje 3/22
 3.7. TUNELSKE DIODE

Diode u kojima se zbog vrlo visoke koncentracije primjesa Fermijeve

razine obaju tipova poluvodiča nalaze u valentnom (P-tip) i vodljivom
(N-tip) pojasu, pa se već u termodinamičkoj ravnoteži preklapaju
energetski pojasi

Kod Zenerova proboja do preklapanja dolazi tek pri

određenom naponu nepropusne polarizacije Upr!

Pri određenom vanjskom naponu propusne polarizacije dolazi do

kvantno-mehaničkog tuneliranja elektrona kroz potencijalnu barijeru
pa se u jednom dijelu I-U karakteristike pojavljuje područje
negativnog diferencijalnog otpora.
Predavanje 3/22
 4.7. TUNELSKE DIODE

Primjena:
• vrlo brze sklopke,
• zbog negativnog diferencijalnog otpora mogu biti i aktivni
elementi mikrovalnih oscilatora s negativnim otporom.
L
C  C L  –1/R  D
R
1/R

gubici zavojnice
Često se naziva i Esakijevom diodom po L. Esakiju koji je prvi uočio i
protumačio efekt tuneliranja.

Predavanje 3/22
 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika


Ivrh
 
 Idol

Uvrh Uf U

 - područje negativnog otpora
Predavanje 3/22
 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika

U stanju ravnoteže, U = 0, jednaka je vjerojatnost

tuneliranja s obje strane pa je ukupna struja kroz
EG diodu jednaka nuli - .
I
0 –qU = 0
EFp EFn 
Ivrh
 
P
 Idol
N
Uvrh Uf U


Predavanje 3/22
 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika

Za U < 0 postoji vrlo velika vjerojatnost

tuneliranja elektrona iz valentnog (P) u vodljiv
pojas (N) - struja nepropusno polarizirane
diode - Zenerov efekt uz Upr =0 (nije potreban
dodatan napon za preklapanje energetskih pojasa
EG i tuneliranje ).
I

0 –qU 
EFp Ivrh
EFn  
P  Idol
Uvrh Uf U
N
Predavanje 3/22 
 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika

Za U > 0 veća je vjerojatnost tuneliranja

elektrona iz vodljivog (N) u valentni pojas (P) -
tehnički smjer struje tunelske diode jednak
smjeru struje propusno polarizirane diode.
Struja raste s naponom U (nasuprot popunjenih
pojavljuje se sve više nepopunjenih stanja) .
EG
EFp I
qU
0 EFn 
Ivrh
 
P  Idol
N Uvrh Uf
Predavanje 3/22 U

 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika

Za još veći napon U energetski pojasi se počinju

"mimoilaziti" pa se smanjuje broj nasuprotno
popunjenih i nepopunjenih stanja - smanjuje se
struja tuneliranja. U tom dijelu I-U karakteristike
dinamički otpor (dU/dI) je negativan. Struja
tuneliranja nestaje kad je Evod  Eval - .
I
EG
qU

Ivrh
0 EFn 
EFp 
 Idol
P
N
Predavanje 3/22
Uvrh Uf U

 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika

Uz još veći napon struja počinje ponovno rasti, ali

sada kao difuzijska struja obične PN-diode - . Ta
struja postoji i pri nižim naponima propusne
polarizacije kod kojih nastaje tuneliranje, ali je u
usporedbi sa strujom tuneliranja zanemarivo mala.

EG I

qU 
0 Ivrh
EFn  
EFp
P N  Idol

Predavanje 3/22
Uvrh Uf U

 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika tunelske diode oblikom podsjeća na slovo N, pa se takav tip

karakteristike obično naziva N-tipom negativnog otpora. Struja tunel diode
može se opisati izrazom: I

  
 U  U 

I  I v rh 
 
exp 1   Ivrh
  U v rh  
 U v rh  
Ivrh - od 1 mA do 100 mA,  Idol
Uvrh - od 50mV do 150 mV (ovisno o poluvodiču)
Uvrh Uf U
Vremenska promjena struje tuneliranja ne ovisio nabijanju difuzijskog
kapaciteta, pa je prebacivanje sa struje Ivrh na struju Idol, i obrnuto, vrlo brzo
100 ps-
Predavanje 3/22
 Sveučilište J.J.
Strossmayera u Osijeku Elektrotehnički fakultet
Osijek

OSNOVE
ELEKTRONIKE
POLUVODIČKE Doc.dr.sc. Marijan Herceg
DIODE Doc.dr.sc. Tomislav Matić
Predavanje 3/22
 3. POLUVODIČKE DIODE

Poluvodičke diode se izrađuju od kristala germanija, silicija ili galij-

arsenida, te raznih drugih kombinacija poluvodiča.
Sastoje se od jednog PN-spoja (ili ispravljačkog spoja metal-poluvodič) i
ne-ispravljačkih (omskih) kontakata i kućišta.

Geometrija i struktura PN-spoja ovisi o načinu izvedbe, pri čemu se

najčešće rabe postupci difuzije (Planarna tehnologija na siliciju.).

Poluvodičke diode ilustriraju primjenu mnogih svojstava PN-spoja i spoja

metal-poluvodič:
• "osnovna svojstva” - ispravljanje i sklopni režim
• "sekundarna svojstva" - naponska referenca, ovisnost kapaciteta o
naponu, ovisnost otpora o struji, negativni otpor
Predavanje 3/22
 3. POLUVODIČKE DIODE

Podjela poluvodičkih dioda prema korištenim svojstvima PN spoja (i

spoja metal poluvodič) i namjeni:
3.1. Ispravljačke spojne diode (ispravljanje signala)
3.2. Prekidačke spojne diode (brzi rad u sklopnom režimu)
3.3. Diode s površinskom barijerom- Schottkyjeva diode (brze
prekidačke diode)
3.4. Varaktori - kapacitivne diode (naponski promjenjivi kapacitet)
3.5. PIN diode (mali otpor propusne polarizacije, mali barijerni
kapacitet neovisan o naponu)
3.6. Naponske referentne diode - Zener diode (izvor konstantnog
napona)
3.7. Tunelske - Esaki diode (brzi rad u sklopnom režimu, negativan
otpor u propusnom dijelu karakteristike)
Predavanje 3/22
 3.1. ISPRAVLJAČKE SPOJNE DIODE

naponski malo ovisna

Dobru ispravljačku diodu
struja propusne
odlikuje:
polarizacije (zanemariv
I·10 –3, A rD!)
visoki reverzni
napon proboja Q(ID,UD)
ID
Ispunjavanje
pojedinih zahtjeva
–Upr
međusobno je –Ipr U0 UD U, V
suprotstavljeno pa se zanemariva
diode obično
reverzna struja niski napon koljena
izrađuju tako da
zasićenja –12, A
Predavanje 3/22 –I·10
zadovoljavaju samo
neke od njih.
 3.1. ISPRAVLJAČKE SPOJNE DIODE

Simbol diode Tehnološki presjek diode

anoda (A)
A K aluminij (Al)
SiO2
P N

N+

katoda (K)

Predavanje 3/22
 3.1. ISPRAVLJAČKE SPOJNE DIODE -
modeli

I Idealna dioda (zanemarena reverzna

– struje zasićenja) modelira se kratkim
+
spojem kod propusne i otvorenim
krugom kod nepropusne polarizacije.
U Kroz većinu propusno
I U0
polariziranih realnih dioda
+ –
znatna struja protječe tek kad je
napon propusne polarizacije
U0 U viši od napona koljena U0.
I Dodatno poboljšanje modela
U0
dU + – s dinamičkim otporom rD =
rD  rD dU/dI koji unosi nagib u
dI
idealiziranu krivulju diode.
U0 U
Predavanje 3/22
 3.1. ISPRAVLJAČKE SPOJNE DIODE

PN-dioda se obično rabi uz zadanu (konstantnu) struju, jer je u propusnoj

polarizaciji I-U karakteristika diode vrlo strma, pa je uz zadani napon teško
dobiti zadanu struju.
Napon propusne polarizacije u mkT  I D   ID 
U  ln  1  mU ln  1
tom slučaju je određen D   T  
q  I R0   I R0 
konstantnom strujom kroz diodu:
Strujno područje ID 0,1 do 1 mA 0,1 do 1 A
(mili-ampersko) (mikro-ampersko)

Napon koljena Uo  0,7 V  0,5 V

Ako se na diodu dovede napon koji je za samo 0,1 V (4UT) manji od napona
koljena U0 jednog od strujnih područja, struja kroz diodu će biti nekoliko redova
veličine manja i može se smatrati da za taj strujni opseg dioda ne vodi!
Predavanje 3/22
 3.1. ISPRAVLJAČKE SPOJNE DIODE

Primjena: Poluvalno ispravljanje

i(t)
Ugm
ug(t) ug(t) R uR(t) u (t)
R

t t

Ugm < Upr diode !!!!

Predavanje 3/22
 3.1.1. Utjecaj širine energetskog procjepa EG na
reverznu struju zasićenja IS i napon U0

Odabirom poluvodiča  U  
sa širim EG smanjuje I  I S exp   1
  UT  
se ni  IS.
 Dn Dp 
I S  qni A  
2
Dioda s većim EG može raditi N L N L 
na višim temperaturama (šire  A n D p 

ekstrinsično/ radno područje). EG

2 3
ni CT exp(  )
kT
Dobar rad na višim temperaturama važan je jer se ispravljačka dioda
zagrijava zbog vrlo velikih struja propusne polarizacije.
Predavanje 3/22
 3.1.1. Utjecaj širine energetskog procjepa EG na
reverznu struju zasićenja IS i napon U0

Ge Si
I·10 –3, A
EG(Si) > EG(Ge)  U0(Si) >
U0(Ge)
IS(Si)

0,5 0,7 U, V
IS(Ge)  103·IS(Si) –I·10 –12, A

Snažne ispravljačke diode češće se izrađuju od Si jer ima širi EG, manju
reverznu struju zasićenja IS, šire temperaturno područje primjene, viši napon
proboja i jednostavnije se proizvodi.
Predavanje 3/22
 3.1.2. Utjecaj koncentracije primjesa na dinamički
otpor rD i napon proboja Upr

Slabije dopiranje N-strane P+N-spoja :

• smanjuje maksimalno polje,
• povećava napon proboja, i
• povećava serijski otpor propusne polarizacije rD (povećanje
temperature diode zbog I2rD gubitaka). Za smanjenje otpora slabo
dopirane strane, treba povećati njen presjek, a smanjiti duljinu -
geometrija diode!
A Slabije dopirano N područje
zaključuje se jače dopiranim
P+ N područjem istog tipa (N+) 
omski kontakt sa metalom
N+ izvoda, npr P+NN+ struktura.
K Slabije dopirano središnje
područje određuje napon proboja!
Predavanje 3/22
 3.2. PREKIDAČKE DIODE

Sklopke u digitalnim sklopovima - brzina prelaska iz vodljivog u

nevodljivo stanje bitnije svojstvo od male reverzne struje zasićenja i
gubitaka u propusnoj polarizaciji!
Za ID = konst. dioda s brzim preklapanjem mora imati:
 malo akumuliranog naboja na rubu kvazi-neutralnih
područja (Qp, Qn),
 ili vrlo kratko vrijeme života nosilaca naboja (p, n )
 ili oboje. dQ  dQ  dI  I p
Cd     p    p gd
To znači: dU  dI  dU  UT rd

• mali difuzijski kapacitet diode Cd (dodavanjem atoma

primjesa npr. zlata stvaraju se R-centri  skraćenje vremena
života nosilaca)
• mali barijerni kapacitet diode Cb (nesimetrični PN-spojevi)
dQ qN D
Cb  A
dU 2U
Predavanje k U 
3/22
 3.2. Difuzijski i barijerni kapacitet

Usporedba kapacitivnosti Cb i Cd :
a) kapacitivnost Cb je funkcija napona nepropusne polarizacije, a Cd
struje propusne polarizacije,
b) kod propusne polarizacije u mA-području struja, difuzijska
kapacitivnost je za nekoliko redova veličine veća od barijerne (Cd
>> Cb), pa se Cb može zanemariti,
C, nF
c) kod propusne polarizacije u A-području Cd
struja te su dvije kapacitivnosti približno 0,6
jednake Cb Cd, 0,4 Cb
d) kod male struje nepropusne polarizacije 0,2
(ID  10-9 - 10-10A) je Cb >> Cd  0.
–2 –1 0 0,2 0,4 0,6 U, V
Predavanje 3/22
 3.2. Dinamička svojstva PN-dioda.
Difuzijski i barijerni kapacitet

Nadomjesni sklop PN-diode Cb nepropusna

u režimu malog signala: polarizacija

Rs rd

propusna
Cd polarizacija

Ck

Cb - barijerna kapacitivnost, Cd difuzijska kapacitivnost, rd - dinamički

otpor propusno polariziranog PN-spoja, Rs - serijski otpor P- i N-područja
PN-spoja, Ck - mali parazitni kapacitet kućišta diode.
Predavanje 3/22
 3.2. PREKIDAČKE DIODE

A) Utjecaj količine primjesa zlata na skraćenje vremena života nosilaca i

skraćenje vremena oporavka diode tr (za P+N-spoj):

N(Au) 1/cm3 vrijeme života p s vrijeme oporavka tr ns

- 1 100
1014 0,1 10
1015 0,01 1
Povećanje koncentracije Au izaziva i porast struje IS, a kada se približi
koncentraciji slabije dopiranog materijala, mijenja i ukupnu ravnotežnu
koncentraciju PN-spoja.

Predavanje 3/22
 3.2. PREKIDAČKE DIODE

B) Slabije dopirana strana kraća od difuzijske duljine manjinskih nosilaca -

dioda kratkih strana!
Ako je akumulirani naboj propusne polarizacije vrlo malen - većina injektiranih
nosilaca naboja pod djelovanjem električnog polja izravno prelazi slabo
dopirano područje. Mali akumulirani naboj = kratko vrijeme preklapanja!

Predavanje 3/22
 3.3. DIODE S POVRŠINSKOM BARIJEROM -
SCHOTTKYJEVE DIODE

Ispravljačko svojstvo spoja metal-poluvodič

Brzinu preklapanja određuje barijerni kapacitet Cb, pa je vrijeme oporavka
diode tr u granicama od 0,01 do 0,1 ns (najviša radna frekvencija između 3 i
15 GHz).
 U   sličnost I-U karakteristika Schottkyjeve i PN-diode
I  I S exp   1
  UT  
precizna logaritamska komponenta: I-U karakteristika
Schottkyjeve diode vrlo slična izrazu za idealnu diodu.
Primjena u:
• digitalnim sklopovima (brze sklopke - mala površinu čipa)
• energetskim sklopovima (dobro odvođenje topline kroz metalni
kontakt i vođenje velike struje pri nižem naponu koljena U0 )
• kao naponski promjenljivi kondenzatori - varaktori.
Predavanje 3/22
 3.3. DIODE S POVRŠINSKOM BARIJEROM -
SCHOTTKYJEVE DIODE

ID, mA Schottkyjeva PN-dioda

dioda

–0,4 –0,2
0 0,2 0,4 0,6 U,V
– ID, pA
Napon koljena Schottkyjeve diode je za oko 0,2 V niži jer je njena
reverzna struja zasićenja IS (10-12 do 10-13 A) oko tri reda veličine viša od
struje zasićenja silicijeve PN-diode.
Predavanje 3/22
 3.3. DIODE S POVRŠINSKOM BARIJEROM -
SCHOTTKYJEVE DIODE

Simbol diode Tehnološki presjek diode

1 2
aluminij
1 2
SiO2
P+ N

N+

ispravljački omski
kontakt kontakt
Predavanje 3/22
 3.4. VARAKTORI

Varaktor (engl. VARiable reACTOR) - dioda kod koje

se koristi promjena barijernog kapaciteta s naponom 1
2
Cb
nepropusne polarizacije Cb(U).
mjerenje
U k  U   qN D 1 2 aproksimacija
2 Cb Uk U
Primjena:
• u ulaznom krugu radioprijemnika kao promjenjivi kapacitet za
podešavanje prijemne frekvencije,
• u oscilatorima za naponsku promjenu frekvencije,
• u mikrovalnom području za množenje frekvencija ili kao
parametarsko pojačalo.
Varaktori se izrađuju Si ili GaAs. Silicijski varaktori za niže
frekvencije često se nazivaju varicap diode (engl. varicap - VARIable
CAPacitor). Predavanje 3/22
 3.4. VARAKTORI

Kapacitet osiromašenog područja Cb ovisan je o vrsti PN-prijelaza (skokoviti

ili linearno-postupni) pa općenito vrijedi:
Cb(U), pF
1
Cb  n linearno-postupni 200
 U 
1   skokoviti
 Uk 
100
gdje je n = 1/2 za skokoviti, a
1/3 za linearno-postupni PN-
spoj. – U, V – 50 – 30 – 10

Promjene kapaciteta Cb s naponom veća je za skokoviti (hiper-

skokoviti n = 2), no za linearno-postupni PN-spoj.
Predavanje 3/22
 3.4. VARAKTORI

Primjena: Promjenjivi kapacitet titrajnog kruga

1 1 1
R Cv ω0   
LC Cb (U ) 1
U C(U) L
Un

polarizacija varicap diode

Za hiper-skokoviti PN prijelaz ( n = 2) dobiva se

linearna promjena frekvencije s naponom:
ω0  U
Hiper-skokoviti PN-prijelazi mogu se samo približno realizirati.
Predavanje 3/22
 3.5. PIN DIODE

PIN-dioda: između dva jako dopirana dobro vodljiva P + i N+-područja

nalazi se slabo vodljivo I područje (gotovo) čistog poluvodiča - intrinsično
područje.
+ N +
Primjena: P I
• kao promjenjivi otpor,
• kao posebna vrsta prekidačkih dioda na vrlo visokim frekvencijama i
pri velikim snagama.
Od PIN diode se traži
• vrlo mali otpor u propusnoj polarizaciji,
• vrlo mali barijerni kapacitet neovisan o naponu (u zadanom
naponskom području) u nepropusnoj polarizaciji.
Brzina prekidanja nije kritična veličina.
Predavanje 3/22
 3.5. PIN DIODE
3.5.1. Propusna polarizacija PIN diode

I-područje (RI) se nalazi između dva dobro vodljiva N+ i P+-područja (Rn

i Rp), pa je ukupan ekvivalentni otpor određen otporom I-područja, a on
se mijenja sa strujom propusne polarizacije I koja eksponencijalno ovisi
o naponu propusne polarizacije:
U UI
RI  I 
RI I U   U 
I S exp   I RG0 exp 
RI= f(I)  UT   2U T 
I = f(expU) Dobiven je naponom upravljivi otpor
koji služi kao sklopka ili modulator na
vrlo visokim frekvencijama. Kod vrlo
Rn+Rp velike struje I otpor RI može biti mnogo
manji od Rn+Rp.
I
Predavanje 3/22
 3.5. PIN DIODE
3.5.2. Nepropusna polarizacija PIN diode

U nepropusnoj polarizaciji (U < 0) PIN-dioda predstavlja visoku

impedanciju i već se za vrlo male iznose napona nepropusne polarizacije
osiromašeno područje širi kroz cijelo I-područje i zahvaća samo vrlo
mali dio P+ i N+-strana. Daljnjim porastom napona širina osiromašenog
područja se praktički ne mijenja i jednaka je db = w =2x0.

Cb, pF PIN-dioda djeluje kao pločasti

kondenzator vrlo malih gubitaka,
Cb  f(U) čiji kapacitet je neovisan o naponu,
jer su promjene širine osiromašenog
područja P+ i N+-strane male u
odnosu na konstantnu širinu I-
područja.
–U, V 1
Predavanje 3/22
 4.6. NAPONSKE REFERENTNE DIODE

Dobra referentna dioda:

• mala struju nepropusne polarizacije sve do probojnog napona Upr
• što manja promjena napona Upr sa strujom.
-U Upr 0
Imin
Imin - struja iznad koje se rz malo
Ipr mijenja sa strujom,
U pr
rz  Imaks - struja određena izvedbom
I pr
Imaks diode i dopuštenom
disipacijom.

Upr
Unutar opsega Imaks – Imin diferencijalni otpor područja proboja rz
iznosi 1 do 100 , tako da u okolici Upr referentna dioda može
upotrebljavati kao izvor konstantnog napona i promjenjive struje.
Predavanje 3/22
 4.6. NAPONSKE REFERENTNE DIODE

Primjena: Izvor konstantnog napona i promjenjive struje

I
R
U D Upr= UREF

Proboj je reverzibilan (ne oštećuje PN-spoj) ako se struja ograniči izvana

dodanim otpornikom R! Disipirana snaga na spoju je uz zadanu struju I kod
nepropusne polarizacije veća no kod propusne polarizacije ( napon
nepropusne polarizacije viši!). Bez otpornika R može doći do zagrijavanja
spoja i njegovog termičkog proboja.

Ograničenje struje vanjskim otpornikom potrebno je i kod propusne

polarizacije!
Predavanje 3/22
 4.6. NAPONSKE REFERENTNE DIODE

Naponske referentne diode izrađuju se za Upr od 2 do nekoliko stotina volti.

Razlikuju samo po koncentraciji primjesa početnog materijala. Napon je

proboja Upr to viši što je slabije dopirana N i/ili P-strana, a u nesimetričnom
spoju, što je niža koncentracija primjesa manje dopirane strane. Proboj
uzrokuje mehanizam lavinske multiplikacije ili tunelskog efekta. Vrsta
efekta može se prepoznati po ponašanju napona proboja pri promjeni
temperature okoline.
–U,V 5 0

lavinski Zenerov
efekt efekt

TCL>0 TCZ<0 –I,A

Predavanje 3/22
 3.7. TUNELSKE DIODE

Diode u kojima se zbog vrlo visoke koncentracije primjesa Fermijeve

razine obaju tipova poluvodiča nalaze u valentnom (P-tip) i vodljivom
(N-tip) pojasu, pa se već u termodinamičkoj ravnoteži preklapaju
energetski pojasi

Kod Zenerova proboja do preklapanja dolazi tek pri

određenom naponu nepropusne polarizacije Upr!

Pri određenom vanjskom naponu propusne polarizacije dolazi do

kvantno-mehaničkog tuneliranja elektrona kroz potencijalnu barijeru
pa se u jednom dijelu I-U karakteristike pojavljuje područje
negativnog diferencijalnog otpora.
Predavanje 3/22
 4.7. TUNELSKE DIODE

Primjena:
• vrlo brze sklopke,
• zbog negativnog diferencijalnog otpora mogu biti i aktivni
elementi mikrovalnih oscilatora s negativnim otporom.
L
C  C L  –1/R  D
R
1/R

gubici zavojnice
Često se naziva i Esakijevom diodom po L. Esakiju koji je prvi uočio i
protumačio efekt tuneliranja.

Predavanje 3/22
 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika


Ivrh
 
 Idol

Uvrh Uf U

 - područje negativnog otpora
Predavanje 3/22
 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika

U stanju ravnoteže, U = 0, jednaka je vjerojatnost

tuneliranja s obje strane pa je ukupna struja kroz
EG diodu jednaka nuli - .
I
0 –qU = 0
EFp EFn 
Ivrh
 
P
 Idol
N
Uvrh Uf U


Predavanje 3/22
 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika

Za U < 0 postoji vrlo velika vjerojatnost

tuneliranja elektrona iz valentnog (P) u vodljiv
pojas (N) - struja nepropusno polarizirane
diode - Zenerov efekt uz Upr =0 (nije potreban
dodatan napon za preklapanje energetskih pojasa
EG i tuneliranje ).
I

0 –qU 
EFp Ivrh
EFn  
P  Idol
Uvrh Uf U
N
Predavanje 3/22 
 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika

Za U > 0 veća je vjerojatnost tuneliranja

elektrona iz vodljivog (N) u valentni pojas (P) -
tehnički smjer struje tunelske diode jednak
smjeru struje propusno polarizirane diode.
Struja raste s naponom U (nasuprot popunjenih
pojavljuje se sve više nepopunjenih stanja) .
EG
EFp I
qU
0 EFn 
Ivrh
 
P  Idol
N Uvrh Uf
Predavanje 3/22 U

 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika

Za još veći napon U energetski pojasi se počinju

"mimoilaziti" pa se smanjuje broj nasuprotno
popunjenih i nepopunjenih stanja - smanjuje se
struja tuneliranja. U tom dijelu I-U karakteristike
dinamički otpor (dU/dI) je negativan. Struja
tuneliranja nestaje kad je Evod  Eval - .
I
EG
qU

Ivrh
0 EFn 
EFp 
 Idol
P
N
Predavanje 3/22
Uvrh Uf U

 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika

Uz još veći napon struja počinje ponovno rasti, ali

sada kao difuzijska struja obične PN-diode - . Ta
struja postoji i pri nižim naponima propusne
polarizacije kod kojih nastaje tuneliranje, ali je u
usporedbi sa strujom tuneliranja zanemarivo mala.

EG I

qU 
0 Ivrh
EFn  
EFp
P N  Idol

Predavanje 3/22
Uvrh Uf U

 4.7. TUNELSKE DIODE

I-U karakteristika tunelske diode oblikom podsjeća na slovo N, pa se takav tip

karakteristike obično naziva N-tipom negativnog otpora. Struja tunel diode
može se opisati izrazom: I

  
 U  U 

I  I v rh 
 
exp 1   Ivrh
  U v rh  
 U v rh  
Ivrh - od 1 mA do 100 mA,  Idol
Uvrh - od 50mV do 150 mV (ovisno o poluvodiču)
Uvrh Uf U
Vremenska promjena struje tuneliranja ne ovisio nabijanju difuzijskog
kapaciteta, pa je prebacivanje sa struje Ivrh na struju Idol, i obrnuto, vrlo brzo
100 ps-
Predavanje 3/22
 Sveučilište J.J.
Strossmayera u Osijeku Elektrotehnički fakultet
Osijek

PN - spoj
OSNOVE
E-learning ELEKTRONIKE
Doc.dr.sc. Marijan Herceg
Doc.dr.sc. Tomislav Matić
115
 2. PN-spoj

Poluvodičke komponente se temelje na strukturama koje su spoj:

a) dvaju ili više slojeva poluvodiča različitih tipova vodljivosti (PN-
spoj) ili
b) metala i poluvodiča (MS-spoj).
(db = 3·10-7 m) osiromašeni sloj

primjese NA+ NA NA ND ND ND+ KATODA

ioni ioni
ANODA ––– +++
–Q +Q
nosioci pp+ pp ––– nn nn+
+++
naboja n p+ np pn p n+
––– +++
spoj MP+ P+P PN NN+ N+M
omski spoj ispravljački spoj omski spoj
 2. PN-spoj

Realni PN-spojevi se prema gradijentu koncentracije atoma primjesa

na metalurškoj granici poluvodiča P-tipa i N-tipa aproksimiraju
jednim od dva idealizirana tipa:
• skokovitim PN-prijelazom
• linearno-postupnim PN-prijelazom
Skokoviti PN-prijelaz - skokoviti prijelaz konstantne neto
koncentracije atoma P-strane (ND – NA) < 0 na konstantnu neto
koncentraciju N-strane (ND – NA) > 0

(ND–NA) Najsličniji spoju dobivenom

epitaksijalnim rastom sloja
N N-tipa na podlozi P-tipa, uz
0 x konstantnu koncentraciju
P
primjesa!
 2. PN-spoj

Linearno-postupni PN-prijelaz - prijelaz kod kojeg se neto

koncentracija atoma primjesa (ND – NA) postupno mijenja po
linearnom zakonu. Metalurški spoj nalazi se na mjestu gdje je NA =
ND.

Najsličniji linearno-
(ND–NA)
postupnom PN-prijelazu koji
se dobiva tehnološkim
N
postupkom difuzije donora
P 0 x (ND) u epitaksijalni sloj P-tipa
(NA)!
 2.1. PN-Spoj u stanju ravnoteže

S lijeve i desne strane PN-spoja postoji vrlo velika razlika nosilaca

naboja istog tipa (npr. mnogo više elektrona na N- nego na P-strani!)

N-strana: elektroni nn0 većinski, a šupljine pn0 manjinski nosioci

nn0  ND >> pn0 = ni2/ND
P-strana: šupljine pp0 većinski, a elektroni np0 manjinski nosioci
pp0  NA >> np0 = ni2/NA

Primjer: Za Si (ni = 1,451010 cm–3) na T = 300 K, uz neto

koncentraciju donora N-strane ND = 1016 cm–3, a akceptora P-strane
NA = 21016 cm–3, izračunati omjer koncentracija elektrona na N i P-
strani!
nn0 =ND = 1016 cm–3, np0 = ni2/NA  104 cm–3; nn0/ np0  1012
 2.1. PN-Spoj u stanju ravnoteže

– +
P-tip – + N-tip
– +
nn0
Početak “spajanja” np0 difuzija elektrona

EG
drift elektrona –qn
EFN
EFi
qp
EF P
0 drift šupljina
P-tip p N-tip
n
difuzija šupljina 0

pp0
Dijagram energetskih pojasa poluvodiča P- i N-tipa tik nakon "dodira"
 2.1. PN-Spoj u stanju ravnoteže

osiromašeno područje db
– +
P-tip – + N-tip
– +
Prijelazno stanje JFn Fu JDn
EG

EFi EFN
EFP EFi
0
P-tip
N-tip
JDp JFp

Prijelaz samo onih većinskih nosilaca koji imaju energiju veću od

potencijalne barijere! Energetski pojasi se iskrivljuju!
 2.1. PN-Spoj u stanju ravnoteže

kvazineutralno područje osiromašeno kvazineutralno područje

područje db
–– + +
P-tip –– + + N-tip
–– + +
Stanje ravnoteže JFn Fu JDn
EG
Ek
EFi –
EF qUk EF
0
P-tip

JDp JFpN-tip

Izjednačuju se driftne i difuzijske komponente struje! Fermijeva

razina je konstantna u cijeloj novoj strukturi!
 2.1. PN-Spoj u stanju ravnoteže

kvazineutralno područje osiromašeno

područje db kvazineutralno područje

–– + +
P-tip –– + + N-tip
–– + +

Područje nekompenziranog prostornog naboja u prvoj

aproksimaciji čine samo nepokretni ioni primjesa, ne i slobodni
nosioci naboja. Stoga se to područje naziva osiromašenim
područjem (engl. depletion area) ili područjem prostornog
naboja.

Kvazineutralna područja - na dovoljnoj udaljenosti od PN-

prijelaza koncentracije nosilaca naboja ostaju iste kao i prije
"spajanja" monokristala P-tipa i N-tipa!
 2.1.1. Kontaktni potencijal

osiromašeno
područje db
– – – + + +
P-tip – – – + + + N-tip
– – – + + +

(x)
 NDN A 
n Uk U k  Φn  Φ p  U T ln 
 n 2 
–xp xn
 i 
0 x
p

Primjer: Si, T = 300 K, ND =2·1016 cm-3, NA = 21016 cm-3

Uk=0,7 V.
 2.2 PN-SPOJ U STANJU NERAVNOTEŽE.
KVAZI-FERMIJEVA RAZINA

Ako se na kristal poluvodiča spoji vanjski izvor napona U, PN-spoj više

nije u ravnoteži i kroz zatvoreni strujni krug teče struja - smjer i jakost
ovise o polaritetu i iznosu vanjskog napona U.
Ograničenja pri kvalitativnoj analizi PN-spoja pod djelovanjem vanjskog
napona (idealizirani PN-spoj)
1. Osiromašeno područje (područje prostornog naboja) ima vrlo malo
slobodnih nosilaca naboja: područje najvećeg otpora u strukturi PN-
spoja  ukupan pad napona javlja se samo na osiromašenom području
PN-spoja (tj. nema pada napona na električni neutralnim dijelovima PN-
spoja!).
0V U 0V
–
– + +
P-tip –
– + + N-tip
–
– + +
U
 2.2 PN-SPOJ U STANJU NERAVNOTEŽE.
KVAZI-FERMIJEVA RAZINA

2. Energetski pojasi poluvodiča P-tipa i N-tipa izvan osiromašenog

područja su horizontalni. Vrijedi za sve napone nepropusne
polarizacije i samo za vrlo niske napone propusne polarizacije.

EG
Kod viših napona
EFi propusne
polarizacije dio napona se
EF
troši na svladavanje otpora
0
kvazineutralnog dijela
P-tip poluvodiča P-tipa i N-tipa radi
N-tip podržavanja struje kroz PN-
spoj, pa energetski pojasi
izvan osiromašenog područja
više nisu horizontalni
 2.2.1. Propusna polarizacija PN-spoja

I U

P- – +
– + N-tip
tip – +
Ako se N-strana uzemlji
Fu potencijal P-strane se diže za
isnos privedenog napona
Fv U > 0, pa je pad napona na
osiromašenom sloju:
Fuk
Uuk= n – (p + U) = Uk – U
Ukupna struja
manji od napona u ravnoteži!!
–JFn +JDn – JFp +JDp  0!!!!!
 2.2.1. Propusna polarizacija PN-spoja

Dijagram energetskih pojasa

– +
P-tip – + N-tip
– +

JFn Fuk JDn

EG

EFp=EFn
EFp qU

0 –qUuk = –q(Uk – U)

JDp JFp
Gustoća struje propusne polarizacije J = –JFn +JDn – JFp +JDp > 0!
 2.2.1. Propusna polarizacija PN-spoja

Raspodjela potencijala u propusno polariziranom PN-spoju

– +
P-tip – + N-tip
– +

(x)
 n Uk Uuk=Uk – U
–x’p x’n x
p

db(U > 0)
db(U = 0)
 2.2.2. Nepropusna polarizacija PN-spoja

I U
+

–
––– + + + +
P-tip –
––– + + + + N-tip
–
––– + + + +
Ako se N-strana uzemlji
Fu potencijal P-strane se spušta
za isnos privedenog napona
Fv U < 0, pa je pad napona na
osiromašenom sloju:
Fuk
Uuk= n – (p + U) = Uk– U
Ukupna struja
viši od napona u ravnoteži!!
–JFn +JDn – JFp +JDp  0!!!!!
 2.2.2. Nepropusna polarizacija PN-spoja

Dijagram energetskih pojasa

–––– + + + +
P-tip –––– + + + + N-tip
–––– + + + +
JFn Fuk JDn = 0
EG

EFp
qU EFp=EFn
0
–qUuk = –q(Uk – U)
JDp = 0
JFp
Gustoća struje nepropusne polarizacije (reverzna struja) J = –JFn– JFp < 0!
 2.2.2. Nepropusna polarizacija PN-spoja

Raspodjela potencijala u nepropusno polariziranom PN-spoju

–––– + + + +
P-tip –––– + + + + N-tip
–––– + + + +

(x)
–x’’p x’’n  n Uk Uuk = Uk– U
p x
U

db(U = 0)
db(U < 0)
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

Ukupna širina osiromašenog područja skokovitog PN-spoja db može se

dobiti izjednačujući izraze za potencijale P-strane i N-strane kod x = 0:

qN D 2 qN A 2
Φn  xn  Φ p  xp
2 2

ili uz Uk = n – p :

2U k
N D xn  N A x p 
2 2
q
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

Q(x) +Q = qANDxn(U)

A - površina PN-spoja!
–xp +
xn x
–Q = – qANAxp (U) – 0

db
Ako u se uvrsti db = xn+ |xp|, tada se širina osiromašenog područja db
može izraziti kao:
• funkcija koncentracije primjesa N- i P-strane i
• pada napona na barijeri

2εU k  1 1 
db    
q  N A ND 
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

2εU k 2εU k
xn  xp 
 N   N 
qN D 1  D  qN A 1  A 
 NA   ND 

Kod PN-spoja u neravnoteži širina osiromašenog područja ovisi o

ukupnom padu napona na osiromašenom području Uuk, i njegova širina db
postaje funkcija napona vanjskog izvora U:

2 U uk  1 1 
d b U     
q  N A ND 
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

Q(x)

–x’’p –xp –x’p +

x’n xn x’’n x
– 0

db(U > 0)
db(U = 0)
db(U < 0)

Širina osiromašenog područja db je funkcija napona vanjskog

izvora U!
 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

Kondenzator čiji kapacitet je nelinearan - barijerni kapacitet Cb

 2.2.3. Širina osiromašenog područja i barijerni
kapacitet

Uz dovoljno male promjene naboja kapacitet Cb ovisi o širini osiromašenog

područja db, koja je funkcija napona U - to je naponski promjenljivi
kapacitet skokovitog PN-spoja (vidi Kapacitivna dioda):

C0 A
Cb  C0 
Cb, pF  1
U 2 1 
1    U k
Uk C0 200
q  N A ND 
100
C0 - barijerni kapacitet kod U = 0
–U, V –3 –2 –1 (engl. zero-bias junction
capacitance)
 2.3 STRUJNO-NAPONSKA
KARAKTERISTIKA PN-SPOJA U
STACIONARNOM STANJU
U neravnoteži kroz PN-spoj u zatvorenom strujnom krugu teče struja.

U > 0 - velika struja kroz PN-spoj - struja propusne polarizacije (ulazi

u P-područje, a izlazi iz N-područja).
U < 0 - vrlo mala struja kroz PN-spoj - struja nepropusne polarizacije/
reverzna struja (ulazi u N-područje, a izlazi iz P-područja)

Za proračun I-U karakteristike PN-spoja u stacionarnom stanju treba

riješiti sustav od pet međusobno nezavisnih diferencijalnih jednadžbi s
pet nepoznanica: Jn, Jp, n, p i F.

Za taj nelinearni sustav jednadžbi ne postoji analitičko

rješenje, već samo numeričko - pomoću računala.
 2.3 STRUJNO-NAPONSKA
KARAKTERISTIKA PN-SPOJA U
STACIONARNOM STANJU
Približno rješenje gornjih jednadžbi temelji se na pretpostavkama W.
Schockleyja da se PN-spoj može podijeliti u dva potpuno različita
područja: osiromašeno područje - gotovo bez pokretljivih nosilaca
naboja

Osiromašeno područje
uvijek crtano nesrazmjerno
veliko!
 2.3.1. Propusna polarizacija. Dioda širokih strana

Ukupna gustoća struje kroz PN-spoj (uz pretpostavku da se struja u

području prostornog naboja ne mijenja), jednaka je zbroju gustoća struja
na rubovima osiromašenog područja i kvazineutralnih N-područja i P-
područja:
 qDn n p 0 qD p pn0 

J  Jn  xp   J p x n     exp qU   1
 Ln L p   kT  

Množenjem s površinom presjeka PN-spoja - A [cm2], uz np0 NA= ni2 i
pn0 ND = ni2, dobiva se strujno-naponska karakteristika idealne diode:
 U  
I  I S exp    1 Schockleyjeva jednadžba
  U T  
gdje je:
 Dn Dp 
I S  qni A
2    reverzna struja zasićenja
 N A Ln N D L p 
 
 2.3.1. Propusna polarizacija. Dioda širokih strana

kT - naponski ekvivalent temperature!

UT 
q
Strujno-naponska karakteristika idealne diode kod propusne polarizacije
(U nekoliko puta veće od UT):

U  I, pA
I  I S exp  
 UT 
U,V
Strujno-naponska karakteristika idealne diode kod nepropusne polarizacije
(|U | nekoliko puta veće od UT, npr 0,1 V)
I  I S
– U,V –I, pA
 2.3.1. Propusna polarizacija. Dioda širokih strana

Strujno-naponska karakteristika idealne diode za mA područje u

linearnom mjerilu:

I, mA
U 
I  I S exp  
 UT 
propusna
polarizacija
–0,6 –0,4 –0,2 U>0

I  I S 0 0,2 0,4 0,6 U,V

nepropusna – I, pA
polarizacija
U<0
 2.3.1. Propusna polarizacija. Dioda širokih strana

Strujno-naponska karakteristika idealne diode za mA područje u

semilogaritamskom mjerilu:
 I   U  U
I ln   lnexp   
 IS    U T  U T
IS
106
105
104
103
102
101 nepropusna polarizacija U < 0
100

0 10
U
5 15
UT
 2.3.5. Dioda uskih strana

Drugi granični slučaj idealne diode je dioda kratkih strana. U njoj su

kvazineutralna područja znatno kraća od difuzijskih duljina WE << Ln i
WB << Lp, pa stoga u njima ne dolazi do značajnije rekombinacije
nosilaca naboja (svi manjinski nosioci rekombiniraju tek na omskim
kontaktima takve diode).

U praksi su moguće i
kombinacije jedne široke
i jedne kratke strane!
 2.3.5. Dioda uskih strana

Gustoće struja su određene kao:

qDn n p 0   qU     qU  
J n x   J p x   n n 0
qD p
exp   1 exp   1
W 'E   kT   W 'B   kT  
Linearna promjena koncentracije ukazuje na to da je struja šupljina u cijelom
N području konstantna te da za kompenzaciju rekombiniranih šupljina ne
treba dodatna struja (isto vrijedi i za struju elektrona na P-strani). Ukupna
gustoća struje kroz PN-spoj jednaka je zbroju struja elektrona i šupljina na
samom rubu osiromašenog područja:
 qDn n p 0 qD p pn0  qU  

J  Jn  xp   J p xn     exp
   1
 W 'E W ' B   kT  
U dioda širokih strana karakteristična duljina je difuzijska duljina
manjinskih nosilaca naboja (Ln i Lp), a kod dioda kratkih strana
karakteristična duljina je duljina kvazineutralnog područja (W’E i W’B).
 2.3.7. Temperaturna ovisnost strujno-naponskih
karakteristika PN-spoja

Radi analize temperaturne ovisnosti statičkih strujno-naponskih

karakteristika PN-spoja upotrebljava se izraz za struju idealne diode:

  qU  
I  I S exp    1
  kT  
izraz za reverznu struju zasićenja:
 Dn Dp 
I S  qni A
2   
 N A Ln N D L p 
 
izraz za ovisnost intrinsične koncentracije o temperaturi i vrsti materijala

 EG 
ni  CT exp  
2

3

 kT 
 2.3.7. Temperaturna ovisnost strujno-naponskih
karakteristika PN-spoja
a) Nepropusna polarizacija (U < 0)

IS u Si dioda raste s temperaturom brže no u Ge diodama, ali sporije od

teoretske relacije (dodatna generacija nosilaca naboja u području
prostornog naboja - R-centri). Dobiveni izraz za temperaturni koeficijent
vrijedi stoga za germanijeve diode (kao strujno-naponska karakteristika
idealne diode). Za Si diode treba koristiti izraz s korekcijom struje IS.

20 100 T, C

–10–1 Iako je IS vrlo mala na gornjem

Si rubu ekstrinsičnog područja
– 100 (80-100 C za Ge i 170-200 C
– 101 Ge
za Si) njena ovisnost o
– 102 temperaturi je vrlo izražena - IS
– IS, A se može povećati i nekoliko
redova veličine!
 2.3.7. Temperaturna ovisnost strujno-naponskih
karakteristika PN-spoja
b) Propusna polarizacija (U > 0)
U = konst.
I I E  qU 
 3  G 
T T  kT 
T2 > T1
I
• temperaturni koeficijent se
smanjuje porastom napona
propusne polarizacije U
• razlika temperaturnih
+ID
koeficijenata za Ge i Si je
neznatna budući da je za istu
struju razlika (EG -qU) gotovo
U,V jednaka.
U = konst.
 2.3.7. Temperaturna ovisnost strujno-naponskih
karakteristika PN-spoja
b) Propusna polarizacija (U > 0)
I = konst.

 3kT  Drugi član je negativan i na T=300 K

 EG  
U U  q  iznosi oko - 3mV/C. Prvi je član uvijek
  pozitivan i manji od drugoga pa je ukupni
T T T
temperaturni koeficijent negativan,
T2 > T1 ovisan o temperaturi i naponu
I Naponski temperaturni koeficijent na
sobnoj temperaturi:
za Si (U=0,5 V) = – 2,4 mV/C,
I = konst. za Ge (U=0,15 V)= – 2 mV/C.

U,V
–U
 2.4 PROBOJ PN-SPOJA

I, mA
reverzna Napon proboja Upr to je viši
struja struja što je slabije dopirana N-i/ili
nepropusn propusne P-strana, a u nesimetričnom
e
Upr polarizacije
polarizacija spoju, što je niža
koncentracija primjesa
–Ipr U, V manje dopirane strane.
reverzna Proboj uzrokuju dva
struja mehanizma:
proboja - lavinska multiplikacija
–I, nA
- tunelski efekt
 Sveučilište J.J.
Strossmayera u Osijeku Elektrotehnički fakultet
Osijek

OSNOVE
ELEKTRONIKE
1.
POLUVODIČI
Doc.dr.sc. Marijan Herceg
E-learning Doc.dr.sc. Tomislav Matić
152
 Organizacija i sadržaj predmeta
Literatura:

Osnovna:
T.Švedek, Poluvodičke komponente i osnovni
sklopovi, Svezak I. Poluvodičke komponente,
Graphis Zagreb, 2001.

Dopunska:
P.Biljanović, Poluvodički elektronički elementi,
Školska knjiga, Zagreb, 1996.
B.Juzbašić, Elektronički elementi, Školska
knjiga, Zagreb, 1984.
153
 1. Poluvodiči

Čvrsta tijela se prema unutarnjem rasporedu atoma dijele na:

• kristalična - pravilan raspored atoma (poli i mono)
• amorfna - nepravilan raspored atoma

154
 1. Poluvodiči

Valentni elektroni atoma u kristalu uglavnom određuju:

• fizikalna svojstva (električna, temperaturna, magnetska,
optička)
• karakter silâ koje drže atome kristala na okupu.

Najvažnije električko svojstvo

čvrstog tijela je otpornost .

155
 1. Poluvodiči

Podjela čvrstih tijela prema iznosu otpornosti:

• vodiči -  < 103 cm metalni kristali
• poluvodiči - 103 cm <  < 106 cm ionski ili
• izolatori - 106 cm <  kovalentni
kristali
Otpornost poluvodiča ovisi o vanjskim utjecajima:
• temperaturi, optičkoj pobudi, radijaciji, tlaku, ali i o
količini i tipu primjesa namjerno dodanih monokristalu.
156
1. Poluvodiči

157
 1. Poluvodiči

U mikroelektronici poluvodiči se upotrebljavaju kao:

a) elementarni poluvodiči (jedno-atomni kristali) Si i Ge

b) složeni (kompaundni – višeatomni) poluvodiči ili intermetali 158

 1. Poluvodiči

Najčešće upotrebljavani elementarni i složeni (kompaundni)

poluvodički materijali i njihova primjena
Ge PN diode, tranzistori

Si PN diode, tranzistori, integrirani sklopovi,

IR detektori i detektori radijacije

GaAs/GAsP/InP svjetleće diode (LED), poluvodički laseri

InSb, CdSe, PbTe detektori svjetlosti

ZnS fluorescentni materijali (zaslon TV ekrana)

159
 1. Poluvodiči

Poluvodiči su u pravilu monokristali (pravilna kristalna

struktura, Si i Ge kristaliziraju u obliku dijamantne kubne
rešetke)

Vrste kubnih rešetki: (a) Jednostavna kubna, (b) kubna sa prostorno centralnim
atomom te (c) kubna sa plošno centriranim atomom. 160
 Prikaz atoma silicija (jezgra i vanjska
nepopunjena ljuska)

+4 elektron +4 jezgra atoma silicija

Naboj +4 označava pozitivni naboj iona (pozitivan naboj

jezgre - onoliko elektrona koliko ih ima u zatvorenim
ljuskama).
- naboj Ge jezgre je +32, a naboj popunjenih ljusaka je –28,
- naboj Si jezgre je +14, a naboj popunjenih ljusaka je –10.
161
 Prikaz atoma silicija (jezgra i vanjska
nepopunjena ljuska)

Naboj Si jezgre je +14, a naboj popunjenih ljusaka je –10.

10 elektrona u popunjenim ljuskama- 4 elektrona u zadnjoj-

naboj popunjenih ljusaka je: –10 valentnoj ljusci 162
 1.1. Generiranje nosilaca
naboja u poluvodiču –
čisti poluvodiči
A1) Čisti (intrinsični) poluvodič; Si na temperaturi T = 0 K

Poluvodič bez primjesa +4 +4 +4

ostalih elemenata - "čisti"

ili intrinsični poluvodič
+4 +4 +4
(lat. intrinsectus -
svojstven, svojstveno mu
je stanje poluvodljivosti). +4 +4 +4

Nema slobodnih nosilaca naboja! 163

 A2) Čisti (intrinsični) poluvodič; Si na temperaturi
T > 0 K generiranje para slobodnih nosilaca

slobodna šupljina

slobodni elektron

+4 +4 +4

+4 +4 +4

+4 +4 +4
- elektron (n) - negativan naboj
- šupljina (p) - pozitivan naboj
Elektron Šupljina 164
 1.1. Generiranje nosilaca
naboja u poluvodiču
Fonon - kvant energije dovoljan za razbijanje kovalentne veze
koji potječe od temperaturnih titranja kristalne rešetke -
termičko generiranje nosilaca naboja.
Foton - kvant energije dovoljan za razbijanje valentne veze koji
potječe od radijacije svjetla - optičko generiranje nosilaca
naboja.
Ostale vrste zračenja x-zraka, -zraka, mogu pod određenim
uvjetima također izazvati razbijanje valentnih veza.
Poluvodičke komponente su obično kućištem zaštićene od
utjecaja takvih radijacija, a samo se u posebne svrhe namjerno
izlažu njihovu utjecaju. 165
 A2) Čisti (intrinsični) poluvodič; Si na temperaturi
T > 0 K generiranje para slobodnih nosilaca

Na mjestu razbijene kovalentne veze ostaje lokaliziran

pozitivan naboj (zbog gubitka elektrona atom poluvodiča
postaje pozitivan ion).
Postoji tendencija da se ta kovalentna veza ponovno
uspostavi i neutralizira njezin pozitivan naboj uzimanjem
elektrona iz neke od susjednih kovalentnih veza. To uzrokuje
razbijanje susjedne valentne veze i cijeli proces se ponavlja
(kažemo da se šupljine gibaju).

166
 A2) Čisti (intrinsični) poluvodič; Si na temperaturi
T > 0 K generiranje para slobodnih nosilaca

Razbijanje valentnih veza u intrinsičnom poluvodiču uvijek

stvara (generira) par nosilaca naboja elektron-šupljina, stoga
vrijedi:
ni = pi ,
ni i pi - koncentracije elektrona i šupljina u čistom poluvodiču
- ovise o materijalu i temperaturi.
Tablica 1.3. Koncentracija slobodnih nosilaca naboja u čistih
poluvodiča: Si, Ge i GaAs (T = 300K)

167
 1.2. Generiranje nosilaca
naboja u poluvodiču –
primjesni poluvodiči
Za primjenu u elektronici važne su primjese koje se namjerno
unose difuzijom i/ili ionskom implantacijom u kontroliranim
količinama (od 1014 do 1020 atoma/cm3).

Unošenje primjesa u čisti poluvodič = dopiranje 

dopirani ili primjesni (ekstrinsični) poluvodič.

168
 B1a) Primjesni (ekstrinsični) poluvodič; Si na
temperaturi T = 0 K

Primjesni (ekstrinsični) poluvodič

Tablica 1.4. Popis peterovalentnih (donorskih) i trovalentnih (akceptorskih)
primjesa, tip vodljivosti, te njihova energija ionizacije u Ge i Si

169
 B1a) Primjesni (ekstrinsični) poluvodič; N-tip Si na
temperaturi T = 0 K

Primjesni (ekstrinsični) poluvodič; N-tip, Si na T = 0 K !

atom petorovalentne primjese

Četiri elektrona formiraju

+4 +4 +4
valentnu vezu

+4 +5 +4 Peti elektron - vezan slabom

elektrostatskom silom

+4 +4 +4

Nema slobodnih nosilaca naboja! 170

 B2a) Primjesni (ekstrinsični) poluvodič; N-tip, Si
na T > 0 K ! Generiranje slobodnih nosilaca naboja

pri E  Ei (energija
+4 ionizacije) peti elektron
+4 +4
postaje slobodan

atom primjese postaje

+4 +5 +4 stacionarni ion (jedinični
pozitivni naboj)

+4 +4 +4
pri E >> Ei termičko
razbijanje valentnih veza =
par elektron-šupljina
171
Kao jedinica energije elektrona uzima se obično
jedan elektron-volt (eV).

1 eV = kinetička energija elektrona ubrzanog iz stanja

mirovanja potencijalnom razlikom od 1V.

Primjesni poluvodič:
N- tipa
P-tipa
172
 B2a) Primjesni (ekstrinsični) poluvodič; N-tip, Si
na T > 0 K ! Generiranje slobodnih nosilaca naboja

Primjesni (ekstrinsični) poluvodič; N-tip, Si na T > 0 K

generiranje slobodnih nosilaca naboja

elektroni  ionizacija donora (ND) + razbijanje valentne veze (n)

šupljine  razbijanje valentne veze (p)
Odnos koncentracije nosilaca naboja N-tipa poluvodiča:
nn0= ND + n > ni > p = pn0
- elektroni nn0 = većinski (MAJORITETNI) nosioci
N-tip
- šupljine pn0 = manjinski (MINORITETNI) nosioci
173
 B1b) Primjesni (ekstrinsični) poluvodič; P-tip, Si
na T = 0 K !

atom trovalentne primjese

Tri elektrona formiraju

+4 +4 +4
valentnu vezu

+4 +3 +4
Nepopunjeno mjesto =
šupljina

+4 +4 +4

Nema slobodnih nosilaca naboja!

174
 B2b) Primjesni (ekstrinsični) poluvodič; P-tip, Si na
T > 0 K ! Generiranje slobodnih nosilaca naboja

pri E  Ei elektron popuni

+4 +4 +4
prazno mjesto
atom primjese postaje
+3 +4
stacionarni ion (jedinični
+4
negativni naboj)

+4 +4 +4 pri E >> Ei termičko

razbijanje valentnih veza =
par elektron-šupljina
175
 B2b) Primjesni (ekstrinsični) poluvodič; P-tip, Si na
T > 0 K ! Generiranje slobodnih nosilaca naboja

elektroni  razbijanje valentne veze (n)

šupljine  ionizacija akceptora (NA) + razbijanje valentne veze (p)
Odnos koncentracija nosilaca naboja P-tipa poluvodiča:
pp0 = NA + p > pi > n = np0
- šupljine pp0 = većinski (MAJORITETNI) nosioci
P-tip
- elektroni np0 = manjinski (MINORITETNI) nosioci

176
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz
Pri stvaranju kristalne rešetke pojavljuju se kvazikontinuirani energetski
pojasi koji nastaju cijepanjem svake diskretne energetske razine atoma.

pojasi dopuštenih energetskih

stanja

E,eV 2p
2s

1s

d
pojasi zabranjenih stanja, energetski
procjepi (engl. band-gap)

177
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Elektroni se u kristalu mogu gibati:

a) između dopuštenih energetskih razina unutar energetskih
pojasa ili
neophodna mala energija
reda veličine 10 -22 eV

b) između energetskih pojasa

vodljivi pojas
neophodna velika
energetski procjep energija reda veličine
nekoliko eV
valentni pojas
178
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Vodič na temperaturi T = 0K
E,eV
E,eV vodljivi pojas
vodljivi pojas
energetski procjep EG
valentni
valentni
pojas
pojas
energetski procjep
djelomično pun vodljivi pojas preklopljen vodljivi i valentni
pojas
Za gibanje elektrona unutar pojasa potrebno je malo energije!

179
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Poluvodič i izolator na temperaturi T = 0K

E,eV vodljivi pojas E,eV vodljivi pojas

Evod Evod
EG
Eval
valentni EG
pojas

prazan vodljivi pojas Eval

valentni
Moguće samo gibanje između pojasa pojas
(uz veliku uloženu energiju)!

prazan vodljivi pojas

180
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Razlika između poluvodiča i izolatora je

samo u širini energetskog procjepa

EG = Evod - Eval (1.1)

Evod - energija dna vodljivog pojasa,

Eval - energija vrha valentnog pojasa.

Kako je za ponašanje poluvodiča mjerodavna samo popunjenost

vodljivog pojasa, to se energija Eval uzima referentnom (Eval= 0), pa izraz
(1.1) prelazi u EG = Evod.

181
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Širine energetskog procjepa triju najvažnijih

poluvodičkih materijala (T=300 K)

Veća širina energetskog procjepa znači manju koncentraciju

slobodnih nosilaca naboja u čistom poluvodiču - ni!

182
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Čisti poluvodič na temperaturi T = 0K

EG

vodljivi pojas prazan, nema slobodnih nosilaca

Unutar pojasa je nemoguće gibanje naboja pod djelovanjem vanjskog

električnog polja!

183
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Čisti poluvodič na temperaturi T > 0K

ni EG

ni = pi nosioci se stvaraju u
parovima
pi 0

vodljivi pojas djelomično popunjen, valentni djelomično prazan

Unutar pojasa je moguće gibanje naboja pod djelovanjem

vanjskog električnog polja!

184
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Primjesni poluvodič N-tipa na temperaturi T = 0K

EG energija ionizacije
+ + + + + ED Ei = EG – ED
atom donorske
+ primjese 0

vodljivi pojas prazan, nema slobodnih nosilaca

Unutar pojasa je nemoguće gibanje naboja pod djelovanjem vanjskog

električnog polja!
185
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Primjesni poluvodič N-tipa na temperaturi T > 0K

Kod E  Ei = 0,03 - 0,06 eV

nn0 EG (T > Ti) ionizacija primjesa
+ + + + + ED ND
nn0 > pn0

pn0 0 Kod E  EG = 1,124 eV (T >>

Ti) i razbijanje valentnih
veza

+ pozitivni ion donorske primjese

nn0 = ND + ni > pn0 = pi  N-tip

186
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Primjesni poluvodič P-tipa na temperaturi T = 0K

EG

atom energija ionizacije

– – – – – – EA
akceptorske Ei = EA – 0
primjese 0

vodljivi pojas prazan, nema slobodnih nosilaca

Unutar pojasa je nemoguće gibanje naboja pod djelovanjem vanjskog

električnog polja!
187
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Primjesni poluvodič P-tipa na temperaturi T > 0K

Kod E  Ei = 0,03 - 0,06 eV

np0 EG (T > Ti) ionizacija primjesa
NA
pp0 > np0
– – – – – E
A
pp0 0 Kod E  EG = 1,124 eV (T >>
Ti) i razbijanje valentnih
veza

– negativni ion akceptorske primjese

pp0 = NA + pi > np0 = ni  P-tip

188
 1.3. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiču -
energetski prikaz

Kompenzacija - pretvaranje materijala jednog tipa vodljivosti u

materijal drugog tipa vodljivosti (npr. P-tipa u N-tip za ND > NA) ili u
čisti poluvodič za ND = NA

nn0 EG
+ + + ED
nn0 > pp0 ND > NA
– EA
pp0 0

Efektivna neto koncentracija: ND - NA

nn0 = ND - NA + ni > pp0  N-tip dobiven kompenzacijom
(veći ukupan broj atoma primjesa, manja pokretljivost
nosilaca naboja!) 189
 1.4. Mehanizmi generiranja i rekombinacije nosilaca
naboja.
Termodinamička ravnoteža/neravnoteža

Proces generiranja G nosilaca naboja je termičke naravi, ako je

poluvodič izvan domašaja jakog električnog polja ili svjetlosti!

Radi očuvanja energije i impulsa -

G R
postizanja dinamičke ravnoteže, dio
elektrona se mora vratiti iz vodljivog pojasa
u valentni pojas i "poništiti”sa šupljinama -
proces rekombinacije R.

190
 1.4. Mehanizmi generiranja i rekombinacije nosilaca
naboja.
Termodinamička ravnoteža/neravnoteža

Procesi generiranja i rekombinacije, iako suprotni, nerazdvojno su

povezani.

Rekombinacija se može dogoditi

a) u volumenu preko mehanizama:
- izravne rekombinacije (emisijom fotona)
- neizravne rekombinacije preko rekombinacijskih
centara (zamki)
- zbog Augerova efekta, ili
b) na površini poluvodiča.

191
 1.4. Mehanizmi generiranja i rekombinacije nosilaca
naboja.
Termodinamička ravnoteža/neravnoteža

Izravna rekombinacija ili rekombinacija pojas-pojas:

emisija fotona (radijacijska
EG
rekombinacija) ili
R
emisija fonona
(neradijacijska
0 rekombinacija)

Vjerojatnost emisije fotona mnogo manja od vjerojatnosti emisije

fonona.

192
 1.4. Mehanizmi generiranja i rekombinacije nosilaca
naboja.
Termodinamička ravnoteža/neravnoteža

U jako dopiranim poluvodičima javlja se rekombinacija u

pojasu zbog Augerova efekta - odvija se u jednom koraku.

Površinska rekombinacija dominantniji je mehanizam od rekombinacije

u volumenu (bez obzira na tip rekombinacije), jer je gustoća
rekombinacijskih centara na površini mnogo veća no u volumenu
poluvodiča.

193
 1.4. Mehanizmi generiranja i rekombinacije nosilaca
naboja.
Termodinamička ravnoteža/neravnoteža
1.2.1. Izravna rekombinacija (GaAs)

Kod čistog poluvodiča je n0 = ni ; p0 = pi, pa vrijedi :

n0 p0 = ni pi = ni2 . (1.5)

Kod primjesnog poluvodiča (npr. N-tipa) umnožak slobodnih

elektrona i šupljina (n0 = nn0 , a p0 = pn0) je također konstantan, pa
vrijedi:
n0 p0= nn 0 pn0 = ni2 .

što znači da porast koncentracije jednog tipa nosioca (npr. dopiranjem)

značiti smanjenje drugog tipa u istom omjeru!

194
 1.5. Određivanje koncentracije nosilaca
naboja

Iz zahtjeva za neutralnost prostornog naboja (ako su na sobnoj

temperaturi sve primjese ionizirane!) vrijedi:
p + ND = n + NA

1.3.1. Čisti poluvodič

Primjesa nema (ND  0 i NA  0), pa je:

p = n = pi = ni = f(EG,T)

195
 1.5. Određivanje koncentracije nosilaca
naboja

1.3.2. Poluvodič N-tipa

Koncentracije primjesa na temperaturi T su ND > NA  0:

p + (ND - NA) = n

manjinski nosioci pn0 većinski nosioci nn0

Ravnotežna koncentracija manjinskih nosilaca (pn0) može se izraziti

pomoću intrinsične koncentracije ni i ravnotežne koncentracije većinskih
nosilaca (pn0): 2
ni
pn0 
nn 0

196
 1.5. Određivanje koncentracije nosilaca
naboja

1.3.2. Poluvodič N-tipa

2
ni
 ( N D  N A )  nn 0
nn 0

Rješenje kvadratne jednadžbe:

ravnotežna
koncentracija ( N D - N A) + ( N D - N A)2  4ni 2
večinskih nn 0 =
nosilaca 2
ravnotežna
koncentracija ni 2
manjinskih p n0 
nosilaca nn0

197
 1.5. Određivanje koncentracije nosilaca
naboja

1.3.2. Poluvodič N-tipa

Rješenja vrijede unutar ekstrinsičnog ili radnog temperaturnog područja

poluvodiča (Tintr - Ti)!
nn0, pn0, Silicij, ND = 1016 cm- intrinsičn
cm-3 3
2·1016 područje ekstrinsično
o
područje
nepotpun područje
e
ionizacije nn0  ND
1· 1016
pi pn0

100 200 300 400 500 600 700 T, K

Ti Tintr
Predavanje 3/45 198
 1.5. Određivanje koncentracije nosilaca
naboja

1.3.2. Poluvodič N-tipa

U ekstrinsičnom području vrijedi

nn0  N D  N A
2
ni
pn 0 
ND  N A

199
 1.5. Određivanje koncentracije nosilaca
naboja

1.3.3. Poluvodič P-tipa

Koncentracije primjesa pri temperaturi T su NA > ND  0:

p = (NA - ND) + n .

većinski nosioci pn0 manjinski nosioci nn0

Rješenje kvadratne jednadžbe:
ravnotežna
koncentracija ( N A - N D ) + ( N A - N D )2  4ni 2
većinskih p p0 =
nosilaca 2
ravnotežna
ni 2
koncentracija
manjinskih n p0 
p p0
nosilaca
200
 1.5. Određivanje koncentracije nosilaca
naboja

1.3.3. Poluvodič P-tipa

U ekstrinsičnom području vrijedi

p p0  N A  N D
2
ni
n p0 
N A  ND

201
 1.6. Mehanizmi vođenja struje u poluvodiču

Slobodni nosioci naboja u poluvodiču stvaraju

struju gibajući se pod djelovanjem:
- električnog polja (driftna struja) i/ili
- pod djelovanjem difuzije (difuzijska struja)

Ista vrsta gibanja postoji i kod vodiča

samo što je tamo zbog mnoštva slobodnih
elektrona driftno gibanje dominantno!

202
 1.6. Mehanizmi vođenja struje u poluvodiču
1.6.1. Električno polje. Driftna brzina. Pokretljivost nosilaca naboja

Driftne brzine elektrona i šupljine:

   sn 
vdn   q F   n F cm/s
mc *
   sp 
vdp   q F   pF cm/s
mv *
proporcionalne su jakosti električnog polja, a koeficijenti proporcionalnosti
n i p su pokretljivost elektrona i šupljina:

 sn  sp
n  q ; p  q cm2/Vs
mc * mv *
203
 1.6. Mehanizmi vođenja struje u poluvodiču

1.6.1. Električno polje. Driftna brzina. Pokretljivost nosilaca naboja

Ovisnost pokretljivosti o temperaturi i koncentraciji primjesa

n(T, N), cm2/Vs

106 ND1 < 1012
105 in rn
ND2 = 41013
ND1 < ND2 < ND3
104
in
103
ND3 = 1,31017
102
10 102 103 T, K
204
 1.6. Mehanizmi vođenja struje u poluvodiču

1.6.1. Električno polje. Driftna brzina. Pokretljivost nosilaca naboja

Empirijski izraz za , cm2/Vs maks
pokretljivost elektrona i 1400
šupljina u siliciju (vrijedi za 1200
13
10 < N < 10 ) 18 n
1000
max   min 800
   min   600 p
  
1   N A N D  400 min
 N ref  200
Nref - točka infleksije 1014 1016 1018 1020 cm-3

za T = 300 K

205
 1.6. Mehanizmi vođenja struje u poluvodiču

1.6.1. Električno polje. Driftna brzina. Pokretljivost nosilaca naboja

Ovisnost driftne brzine o jakosti električnog polja  =(F)

vd, cm/s

vT, = 107

106
vdn vdp
105
102 103 104 F, V/cm

206
 1.6. Mehanizmi vođenja struje u poluvodiču

1.6.2. Driftna struja. Provodnost poluvodiča

Driftna struja teče ako je poluvodič pod utjecajem električnog
polja.
F
+ –
smjer gibanja elektrona vdn
gustoća struje elektrona JFn
smjer gibanja šupljina vdp
gustoća struje šupljina JFp

Gustoća struje J [A/cm2] u smjeru električnog polja =

količina naboja koja u jedinici vremena prođe kroz jediničnu površinu
(zbroj umnožaka naboja i driftne brzine svih nosilaca naboja u
jedinici volumena)
207
 1.6. Mehanizmi vođenja struje u poluvodiču

1.6.2. Driftna struja. Provodnost poluvodiča


   
J Fn  n q v dn  n q    n F   n F


 pq F    F
   
J Fp  pq v dp p p

Kako je struja u poluvodiču posljedica gibanja i elektrona i šupljina ukupna

gustoća driftne struje jednaka je:
  
  
J  J Fn  J Fp  q nμ n  p μ p F  σF 
a provodnost poluvodiča: 
  q nn  p  p  , 1/cm
208
 1.6. Mehanizmi vođenja struje u poluvodiču

1.6.3. Difuzija u poluvodiču. Difuzijska struja

Ako u poluvodiču postoji neravnotežna koncentracija nosilaca naboja javlja

se i druga komponenta struje - difuzijska struja.

Neravnotežna koncentracija može nastati:

 za vrijeme tehnološke izrade poluvodiča
(nehomogeni poluvodiči), ili
 pod djelovanjem vanjskog ili unutarnjeg električnog
polja, zbog osvjetljavanja poluvodiča, injekcije
nosilaca naboja, itd.
209
 1.6. Mehanizmi vođenja struje u poluvodiču

1.6.3. Difuzija u poluvodiču. Difuzijska struja

Gustoća difuzijske struje J [A/cm2] =
umnožak ukupnog broja elektrona koji sudjeluju u difuziji
(nDIF) i jediničnog naboja (–q).

J Dn   q Dn gradn  q Dn gradn

J Dp  q  D p grad p   q D p grad p

U jednodimenzionalnom slučaju promjena koncentracije postoji

samo u smjeru osi x, pa vrijedi:
dn  x  dp  x 
J Dn   q D n J Dp  q D p
dx dx
210
 1.6. Mehanizmi vođenja struje u poluvodiču

1.6.3. Difuzija u poluvodiču. Difuzijska struja

n(x)
elektroni
JDn
dn( x )
0
dx
x p(x)
šupljine
JDp
dp( x )
0
dx
x
211
 Bipolarni tranzistor
Izvor: Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, „Electronic devices and
circuit theory”
Vrste bipolarnih tranzistora

• PNP tranzistor • NPN tranzistor

Princip rada bipolarnog tranzistora

• Propusna • Nepropusna
polarizacija polarizacija
Princip rada bipolarnog tranzistora
Spoj zajedničke baze - ZB
Spoj zajedničke baze - ZB
Područje zasićenja Normalno aktivno područje

• Ulazne • Izlazne Područje zapiranje

karakteristike karakteristike
Spoj zajedničke baze - ZB
• Normalno aktivno područje (NAP) -> VBE – propusna polarizacija, VBC –
nepropusna polarizacija
• Područje zasićenja (ZAS) -> VBE – propusna polarizacija, VBC – propusna
polarizacija
• Područje zapiranja (ZAP) -> VBE – nepropusna polarizacija, VBC –
nepropusna polarizacija

• Faktor strujnog pojačanja α u ZB:

Spoj zajedničke baze - ZB
• Normalno aktivno područje (NAP) -> VBE – propusna polarizacija, VBC –
nepropusna polarizacija
• Područje zasićenja (ZAS) -> VBE – propusna polarizacija, VBC – propusna
polarizacija
• Područje zapiranja (ZAP) -> VBE – nepropusna polarizacija, VBC –
nepropusna polarizacija

• Faktor strujnog pojačanja α u ZB:

Spoj zajedničkog emitera - ZE
Spoj zajedničkog emitera - ZE
Normalno aktivno područje
Područje zasićenja

• Ulazne • Izlazne
karakteristike karakteristike Područje zapiranje
Spoj zajedničkog emitera - ZE
• Faktor strujnog pojačanja β u ZE:
Spoj zajedničkog kolektora - ZC
Ograničenja u radu tranzistora