Kolegji UBT

ELEKTRONIKA
DIODAT GJYSMËPËRÇUESE

Përpiloi:
Dr. sc. Lutfi Bina, prof. inordinar

Prishtinë, 2016
 Elektronika

DIODAT GJYSMËPËRÇUESE

Përmbajtja
Diodat
Bashkimi PN
Polarizimi i bashkimit PN
Karakteristika statike e diodës gjysmëpërçuese
Dioda në qark elektrik
Shpimi i bashkimit PN
Përdorimi i diodave
Diodat drejtuese
Drejtuesi dyanësor
Drejtuesi me katër dioda
Drejtuesi me filtër kapacitiv
Dioda Zener
Stabilizatorët me diodë Zener
Kapacitetet e diodës gjysmëpërçuese
Diodat ndërprerëse
Parametrat e rëndësishëm të diodave gjysmëpërçuese

2
 Diodat

 Dioda është elementi më i thjeshtë elektronik gjysmëpërçues.

 Quhen ‘dioda gjysmëpërçuese’ sepse përbëhen prej materiali
gjysmëpërçues (prej silici, Si)

 Është element gjysmëpërçues jolinear.

 Vetia themelore: rrymën e përçon vetëm Simboli grafik i diodës

në një kah.
 Pra, ka veprim ridrejtues.

 Në qarqe elektrike përdoret si: drejtues,

stabilizator tensioni ose rryme, detektor,
demodulator, element ndërprerës (çelës) etj.

Pamja e diodës reale

3
 (Dioda)

 Dioda gjysmëpërçuese përbëhet prej një pllake gjysmëpërçuese të

dizajnuar prej dy pjesëve, njëra gjysmëpërçues i tipit N dhe tjetra
gjysmëpërçues i tipit P, përkatësisht prej një bashkimi a kalimi PN (a.).

 Dioda ka dy skaje, të cilat quhen elektroda.

 Njëra elektrodë e diodës quhet anodë (A)

dhe tjetra katodë (K).

 Dioda në njërin kah, nga anoda (A) drejt

katodës (K), e lëshon rrymën, ndërsa në
kahun e kundërt (nga K drejt A) nuk e lëshon.
 Kahu i lëshimit (përçuarjes) të
rrymës quhet kah i përçuarjes i diodës.

 Maja e trekëndëshit të simbolit grafik të diodës është e kthyer në kah të

rrjedhjes së rrymës së drejtë të diodës, gjegjësisht në kahun e përçuarjes
së diodës.
4
 Bashkimi PN (8)

 Ndryshimi i potencialit ndërmjet skajeve të shtresës penguese në

bashkimin PN quhet ndryshim i potencialit të kontaktit (të P dhe
N) dhe paraqet pengesë, gjegj. barrierë për lëvizjen (kalimin) e
bartësve kryesorë të elektricitetit nëpër sipërfaqen kufitare të
bashkimit PN dhe quhet barrierë potenciale.

5
 Bashkimi PN (8)

 Kjo barrierë potenciale e ka një vlerë, në figurë të shënuar me UB.

Poli pozitiv i barrierës potenciale është i lidhur me zonën N dhe
poli negativ me zonën P. Prandaj, barriera potenciale mund të
merret si një burim tensioni.

6
 Polarizimi i bashkimit PN

 Polarizimi i drejtë i bashkimit PN

Le ta lidhim një bashkim (kalim) PN në

një burim tensioni të jashtëm me f.e.l. E
sipas figurës: Poli pozitiv i burimit E
është i lidhur me zonën P, ndërsa ai
negativ me zonën N. Lidhja e këtillë
quhet polarizim i drejtë i bashkimit PN.

 Burimi i tensionit i lidhur për bashkimin PN shkakton një fushë elektrike të

jashtme Ej e cila e kundërshton fushën e brendshme (të barrierës) Eb .

 Si pasojë e kundërshtimit të këtyre dy fushave ndodh zvogëlimi i barrierës

potenciale, përkatësisht ndryshimi i potencialit të kontaktit nga vlera UB në
një vlerë tjetër UB ‘

 Rryma Idrejtë quhet rrymë e

drejtë ose rrymë direkte

7
 Polarizimi i bashkimit PN (1)

 Tensioni i polarizimit të drejtë E, duhet të ketë vlerën ma të madhe se

tensioni i barrierës potenciale që nëpër diodë të rrjedhë rrymë.

 Vlera e tensionit të burimit i cili duhet ta mbizotërojë barrierën potenciale të

bashkimit PN dhe për të cilën ende nuk do të rrjedhë rrymë nëpër bashkimin
PN quhet tensioni i pragut i përçueshmërisë së bashkimit PN. Le ta
shënojmë këtë tension me UP.

 Për Si, UP = 0.7 V

 Për Ge, UP = 0.3 V

 Diagrami i varësisë së rrymës së drejtë të

bashkimit PN nga tensioni i drejtë i ushtruar në
skajet e diodës gjysmëpërçuese është dhënë
në figurë.

 Rryma e drejtë Idrejt rritet sipas ligjit

eksponencial me rritjen e tensionit të drejtë të
ushtruar mbi diodë. 8
 Karakteristika e këtillë tregon se dioda është element jolinear.
 Polarizimi i kundërt i bashkimit PN (2)

 Polarizimi i kundërt i bashkimit PN: realizohet duke e lidhur polin

negativ të burimit të jashtëm për zonën P dhe polin pozitiv për zonën N
(shih figurën majtas).

 Në këtë rast, fusha e jashtme e krijuar nga burimi ka kahun e njëjtë me të

fushës së brendshme, kështu që ndryshimi i potencialit te kontakti rritet,
gjegj. barriera potenciale në shtresën penguese rritet në një vlerë (UB’’ )
ma të madhe se UB.

 Nëpër bashkimin PN do të kalojë rrymë e cila quhet rrymë e kundërt ose

rrymë inverse. Shënohet me Ikund. Kahu i saj është i kundërt me kahun e
rrymës së drejtë.
 Kjo rrymë është shumë më e vogël për nga intensiteti se rryma e drejtë.

9
 Polarizimi i bashkimit PN (3)

 Për polarizimin e kundërt themi se është polarizim në kahun e

mospërçueshmërisë.

 Ndërsa, polarizimi i drejtë është polarizim në kah të përçueshmërisë.

 Në figurë është dhënë diagrami (karakteristika) i rrymës së kundërt.

Kjo rrymë në bashkimin PN nuk ndikohet nga tensioni i kundërt, prandaj
quhet rrymë e kundërt e ngopjes.

10
 Karakteristika statike e diodës gjysmëpërçuese

 Diagrami me anë të të cilit jepet varësia e rrymës së diodës gjysmëpërçuese

nga tensioni në skajet e tij për një temperaturë të caktuar quhet
karakteristikë statike e diodës gjysmëpërçuese.

 Karakteristika statike e diodës

gjysmëpërçuese shpeshherë quhet
karakteristika U-I a volt-ampere
e diodës.

Kjo karakteristikë, matematikisht

mund të shkruhet si:
I = f(U)|T
që d.m.th. se intensiteti i rrymës
varet nga tensioni i ushtruar në
skajet e tij për një temperaturë
konstante T.
11
 Karakteristika statike e diodës gjysmëpërçuese (1)

 Në kuadrantin I: Me rritjen e tensionit (në

fillim) rryma nuk rritet shumë. Pastaj, me
rritjen e tensionit rryma rritet më shpejt.
 Në kuadrantin III: Rryma e kundërt nuk
varet shumë nga rritja e tensionit të
kundërt.
 Rryma e kundërt do të rritet rrëpijshëm
(me kërcim) për vlera të tensionit të
kundërt më të mëdha se e ashtuquajtura
vlerë e tensionit të shpimit, Ushpim .

 Pas tensionit të shpimit, rryma e kundërt rritet tepër shpejt kështu që e

shkatërron (djeg) strukturën e diodës. Kjo dukuri nuk është e dëshirueshme.
 Karakteristika statike e rrymës së diodës gjysmëpërçuese matematikisht
mund të shprehet si: 𝑰 = 𝑰𝑺 (𝒆𝑼/𝑼𝑻 − 𝟏)
ku: Is - rryma e kundërt e ngopjes, U - tensioni në skajet e diodës,
UT - tensioni termik (që varet nga temperatura)
UT = 25,8 mV për temperaturë të dhomës T = 300K = 270C.
- Kur U = 0, kemi I = 0. 12
 Karakteristika statike e diodës gjysmëpërçuese) (2)

 Karakteristikat statike të diodës së ndërtuar nga Si dhe Ge dallojnë

dukshëm nga njëra-tjetra.

 Temperatura ka ndikim të madh në karakteristikat e diodës:

 për temperatura të ndryshme fitohen karakteristika të ndryshme (shih figurën).
13
 Dioda në qark elektrik

 Qarku i thjeshtë i lidhjes së diodës përmban diodën,

rezistencën e ngarkesës R dhe burimin e tensionit E.

Sipas Ligjit të dytë të Kirkofit (L2K): U =E d

E Ud
prej nga: Id = -
d
E - U - RI = 0d R R
 Le të paraqitet edhe njëherë karakteristika (U-I) e diodës kur ajo është e polarizuar drejt.
 Në të njëjtën sistem koordinativ le ta paraqesim edhe drejtëzën e rrymës Id a drejtëzën e
ngarkesës R. Për Id = 0 kemi Ud = E dhe për Ud = 0 kemi Id = E/R – i bashkojmë këto dy pika.
 Rezistenca, sipas Ligjit të Omit është: U
R
I
 Rezistenca Rs = UA /IA – quhet rezistencë statike e diodës për kushtet e punës të përcaktuara
për pikën e punës A. Me ndryshimin e pikës së punës ndryshon edhe Rs. Pika e punës A është
pikëprerja ndërmjet lakores U-I dhe drejtëzës së ngarkesës R.

14
 (Dioda në qark elektrik)

 Përveç rezistencës statike të diodës, dallohet edhe një rezistencë e ndryshueshme, ose
rezistenca dinamike rd ose rezistenca e brendshme e cila varet nga raporti i ndryshimit
të tensionit dhe rrymës në qarkun e diodës:
ΔU d
rd =
ΔI d
 Rezistenca dinamike ose rezistenca e brendshme e diodës varet, gjithashtu, edhe nga
pika e punës.

15
 Shpimi i bashkimit PN

 Nga figura, shihet se me rritjen e tensionit

të kundërt, menjëherë pas tensionit të
shpimit Ush, rryma e kundërt rritet
rrëmbimthi. Kjo dukuri quhet shpim. Këtu,
në të vërtetë ndodh shpimi i barrierës
(shtresës penguese). Në këtë rast, meqë
rryma rritet tepër sipas intensitetit dhe për
një kohë të shkurtër, dioda mund të
shkatërrohet! Dioda mund të mbrohet nga
shkatërrimi duke e vendosur ndonjë
rezistencë adekuate në qarkun e diodës.

 Dallojmë dy lloje shpimesh:

 Shpimi termik: për shkak të nxehtësisë

 Shpimi elektrik: për shkak të intensitetit të rrymës së kundërt.

 Shpimi elektrik sipas Zenerit (ose shpimi tunelor).

Ky lloj i shpimit shfaqet te bashkimet PN të krijuara nga gjysmëpërçues me përqindje të madhe
të papastërtisë.
 Në këtë rast, dioda Zener krijon kushte të atilla që për ndonjë tension të kundërt të ushtruar në
skajet e diodës ajo nuk do të shkatërrohet, por do të bëjë tunelimin (kalimin) e bartësve të lirë
nëpër shtresën penguese duke duruar rryma të mëdha.
16
 Përdorimi i diodave

 Diodat kanë gjetur përdorim të madh.

 Në bazë të përdorimit diodat ndahen në:

 dioda për drejtimin e tensionit (rrymës) alternative në

tension (rrymë) njëkahor(e), për stabilizim të tensionit,
kapacitive, si ndërprerës, diodat Shotki, PIN, tunelore, ...

 Në figurë skema ku dioda përdoret si drejtues i U (ose I)

17
 Përdorimi i diodave

 Diodat drejtuese.
 Këto dioda bëjnë shndërrimin e rrymave alternative në rryma njëkahore.
 Tashmë e dimë se diodat lëshojnë kur janë të polarizuara drejt: poli pozitiv lidhet në
zonën P (gjegj. në anodë) dhe poli negativ në zonën N (në katodë).

 Kur në skajet e saj ushtrohet tension alternativ (që e ndryshon polaritetin) atëherë
dioda do të polarizohet herë në kah të drejtë, e herë në kah të kundërt.
Kur polarizohet drejt ajo e lëshon rrymë, e kur polarizohet në të kundërt e ndalon atë.

 Pra, ka të ngjarë që dioda nën tension alternativ, njëherë e lëshon të kalojë rrymën dhe
herën tjetër e ndalon rrjedhjen e rrymës nëpër diodë. Ky drejtues quhet drejtues njëanësor.

 Detyrë: Le ta drejtojmë tensionin e  Emax sin t në tension njëkahor Udal, në dalje të

rezistorit R.

18
 Diodat drejtuese
 Paraqitja e formave valore të tensioneve të qarkut të drejtuesit njëanësor, të dhënë më
parë, janë paraqitur në figurat e mëposhtme.

 Në figurën e parë është paraqitur tensioni i burimit. Ky tension, sipas shprehjes, ka

formë sinusoidale.
 Në figurën e dytë është paraqitur rryma në
qarkun e dhënë vetëm kur dioda lëshon,
pra kur është e polarizuar drejt.
 Në figurën e tretë është paraqitur
tensioni Udal në dalje të ngarkesës Rng.
 Siç shihet, tash tensioni i cili në ‘hyrje’ të
qarkut (hyrja është burimi, pra që i jep ose e
ushqen qarkun me energji, prandaj është
hyrje!) ishte alternativ, gjegj. sinusoidal, në
dalje (Udal) do të jetë tension po ashtu i
ndryshueshëm për nga intensiteti, por jo
edhe për nga polariteti, gjegj. kahu i
polarizimit. Tensioni me formë të këtillë
quhet tension pulsant.

 Pra, tensioni alternativ e, u shndërrua në tension njëkahor (tensioni Udal është vetëm
pozitiv!), por ashtu që gjysmëperiodat negative të tensionit të burimit nuk kanë mund të
shfaqen në ngarkesën e daljes për shkak se gjatë tyre dioda ka qenë e polarizuar në të
kundërt kështu që ajo e ka bllokuar rrjedhjen e rrymës nëpër qark, prandaj nuk kemi rënie
të tensionit, gjegj. nuk kemi tensionin Udal në skajet e ngarkesës.
19
 Drejtuesi dyanësor

 Drejtuesi i shpjeguar më parë, me një diodë, quhet drejtues njëanësor.

 Drejtuesi që ka dy dioda quhet drejtues dyanësor (shih figurën).

Udal = idal ∙ R ng

20
 Drejtuesi me katër dioda – Lidhja e Grecit

 Ridrejtuesi me 4 dioda punon duke e shfrytëzuar lidhjen e diodave në të ashtuquajturën lidhje

urë e Grec-it (Leo Graetz). Shih figurën.
 Në njërën diagonale të urës së Grecit është lidhur burimi i tensionit dhe në tjetrën ngarkesa
(rezistenca).
 Diodat e lidhura në qarkun e urës së Grecit mundësojnë që dy prej tyre ta lëshojnë të rrjedhë
nëpër ato një gjysmëperiodë e rrymës sinusoidale të burimit deri te ngarkesa (rezistenca),
ndërsa dy diodat e tjera, gjysmëperiodën tjetër.

 Kështu, gjatë gjysmëperiodës pozitive të tensionit të burimit, potenciali i pikës 1 është më i madh se ai i
pikës 2 – lëshojnë diodat D2 dhe D4 - nëpër ato rrjedh rryma i1 (e paraqitur me shigjetë me vijë të plotë).

 Gjatë gjysmëperiodës negative të tensionit të burimit, potenciali i pikës 2 është më i madh se ai i pikës 1 –
lëshojnë diodat D1 dhe D3 - nëpër ato rrjedh rryma i2 (e paraqitur me shigjetë me vijë të ndërprerë) .

 Në rezistencën e ngarkesës Rng fitohet rryma ose tensioni pulsant si ai në rastin e drejtuesit me dy dioda.

21
 Dioda Zener

 Le ta kujtojmë karakteristikën statike të diodës së zakonshme dhe faktin se diodat të cilat gjenden
nën tension të kundërt i cili është më i madh se ai i shpimit, dëmtohen a prishen përgjithmonë.
 Janë disa dioda, me ndërtim special (me përqindje të lartë të papastërtive kimike në
gjysmëpërçues) që punojnë në zonën e shpimit. Këto dioda quhen dioda Zener.
 Në figurë janë dhënë simbolet grafike
të diodës Zener.
K

A
 Karakteristika statike e diodës
Zener është dhënë në figurën djathtas.

 Rritet tensioni i kundërt, por rryma e

kundërt gati nuk vërehet se po
ndryshon deri te tensioni i shpimit,
pas të cilit rryma e kundërt rritet
rrëmbimthi. Në këtë fazë, rryma
rritet shumë, por tensioni nëpër
diodë gati mbetet konstant!
Kjo është vetia e diodës Zener që e bën
atë të përdoret si rregullator tensioni a
stabilizator tensioni.
22
 (Dioda Zener)

 Pjesa e karakteristikës ndërmjet pikave A dhe B është Zonë e stabilizimit. Këtë zonë e
karakterizojnë dy vlera të rrymës së kundërt: Izmin dhe Izmax.

 Rrymat më të mëdha se Izmax shkaktojnë shpimin e diodës, ndërsa ato nën Izmin shkaktojnë
humbjen e vetisë së stabilizimit (rregullatorit të tensionit).

 Brenda brezit të rrymave Izmin dhe Izmax dioda do të punojë si stabilizues (stabilizator).

 Ndërsa stabilizimi ma i mirë i tensionit do të arrihet për Iz (rryma e Zenerit). Tensioni i cili i përgjigjet
rrymës Iz quhet tension i zenerit, Uz.

 Pika M me koordinata Iz dhe Uz quhet pika e punës së diodës Zener. Pra, dioda Zener
do ta stabilizojë tensionin për secilën pikë të punës ndërmjet pikave A dhe B.

 Pra, nga kjo që u tha është

me rëndësi të kuptohet se
dioda Zener punon si stabilizues
kur polarizohet në kah të kundërt,
brezi i punës së saj gjendet në
zonën e shpimit dhe se për
ndryshime të mëdha të rrymës
ndryshimet e tensionit duhet të
jenë shumë të vogla.

23
 Stabilizatorët me Zener-diodë

 Stabilizatorët janë qarqe elektronike të cilat shërbejnë për

stabilizimin e tensionit.
 Në figurën poshtë është paraqitur stabilizatori i tensionit me diodë Zener.
 Dioda Zener është polarizuar në kah të kundërt (polariteti pozitiv i burimit
E është lidhur me katodën K dhe polariteti negativ me anodën A) dhe e
lidhur paralel me rezistencën e ngarkesës, Rng së cilës dëshirojmë t’ia
mbajmë tensionin e pandryshueshëm.
 Rezistenca R shërben për ta mbrojtur diodën Zener nga rrymat e mëdha
gjatë lidhjes së qarkut nën tension.
 Këtu, burimi i tensionit E është i pastabilizuar, ndërsa në skajet e
ngarkesës kemi tension stabël, Est.

24
 Stabilizatorët me Zener-diodë

 Parimi i punës së stabilizatorit: me rritjen e tensionit ushqyes E, rritet rryma

I e qarkut dhe rritet edhe tensioni i kundërt në skajet e diodës Zener që
shkakton rritje më të madhe të rrjedhjes së rrymës Iz (nëpër Zener-diodë) ,
ndërkaq rryma nëpër Rng rritet fare pak ose aspak ,që do të thotë se nuk
ndryshon rënia e tensionit në Rng, gjegj. ky tension mbetet stabël.

 Qarku për stabilizim, në qarqe elektronike që duhet të ushqehen me tension

stabël (pra, të mbrohen nga mbitensionet etj.) vendoset ndërmjet drejtuesit
dhe pajisjes elektronike.

 Diodat Zener, përveç për stabilizim mund të përdoren edhe për kufizimin e
tensioneve si dhe për mbrojtjen e instrumenteve nga mbitensionet.

25
 Diodat si ndërprerës (çelës)

 Ndërprerësi mund të realizohet me anë të gjysmëpërçuesve. Ky, pra, mund të realizohet me

anë të diodës dhe quhet diodë ndërprerëse (çelës).

 Dioda ka dy gjendje:
 Të përçuarjes (gjendja kur dioda është e polarizuar drejt) - RD (rezistenca e diodës) e vogël.
- Dioda sillet si ndërprerës i mbyllur.
 Të mospërçuarjes (gjendja kur dioda është e polarizuar në kah të kundërt) - RD e madhe.
- Dioda sillet si ndërprerës i hapur.

 Dioda është ndërprerës i mirë

nëse kalon shpejtë prej njërës
gjendje në tjetrën (mbyllur-hapur
dhe e kundërta). Pra, është me
rëndësi kyçja dhe shkyçja e
shpejtë. Kjo shpejtësi varet nga
kapaciteti difuziv.

Dioda është më e shpejtë sa më

i vogël të jetë kapaciteti difuziv i
saj.
 Në figurë është paraqitur skema e
shqyrtimit të vetive të diodës si
ndërprerës.

26
 (Diodat ndërprerëse)
 Rryma e drejtë nëpër diodë rrjedh kur ndërprerësi (çelësi a komutatori) Nd është në
pozitën 1. Vlera e rrymës është: U
Id ≈ 1

R1
 Kjo është gjendja e përçueshmërisë së diodës dhe dioda praktikisht paraqet ndërpresin e
mbyllur. Rezistenca e diodës në kah të drejtë është praktikisht pakufi e vogël, gjegj. gati zero .

 Rryma nëpër diodë nuk do të rrjedh, gjegj. do të rrjedh rryma e kundërt shumë e vogël,
kur ndërprerësi Nd është në pozitën 2.

 Kjo është gjendja e mospërçueshmërisë së diodës. Ndërprerës i hapur. Rezistenca e diodës

në kah të kundërt është praktikisht pakufi e madhe.
U2
I kund ≈
R2
 Është një kohë e cila i nevojitet
diodës që ta ndërrojë gjendjen e
saj për të kaluar nga gjendja e
mbylljes në gjendje të hapjes.
Kjo quhet kohë e shkyçjes.

 Dioda është ndërprerës i mirë në qoftë se

koha e shkyçjes është sa më e vogël.

 Diodat ndërprerëse përdoren si kufizues (diskriminator), trajtëzues (formësues) të amplitudave,

në qarqe logjike etj.
27
 Parametrat e rëndësishëm të diodave gjysmëpërçuese

 Në qoftë se kemi nevojë për ndonjë diodë për përdorim të caktuar, prodhuesit i japin
karakteristikat e diodës në formë të diagramit ose në formë tabelare.

 Parametrat e rëndësishëm të diodave janë:

- Karakteristika statike e diodës

- Rryma maksimale e lejuar në kahun e drejtë, Idmax
- Tensioni i drejtë maksimal Udmax
- Tensioni i kundërt maksimal i lejuar Ukmax (rreth 70% të vlerës së tensionit të shpimit)
- Rryma e kundërt maksimale e lejuar, Ikmax,
- Fuqia maksimale e lejuar e disipacionit (shpërndarjes, në formë të nxehtësisë), Pdmax ,
- Rezistenca e diodës në kahun e drejtë, Rd
- Rezistenca e diodës në kahun e kundërt, Rkund,
- Kapaciteti i bashkimit PN,
- Frekuenca kufitare e diodës (për të cilën, rryma e drejtë zvogëlohet në 30% të vlerës
së rrymës për frekuencë 50 Hz),
- Temperatura maksimale e përdorimit dhe
- Tensioni i shpimit, Ush.

28
 Pyetje

1. Çka është dioda?

2. Përshkruaj bashkimin PN.
3. Shpjego se ç’është barriera potenciale dhe shtresa penguese.
4. Të shpjegohet polarizimi i drejtë dhe krijimi i rrymës së drejtë.
5. Çka është pragu i përçueshmërisë?
6. Të shpjegohet polarizimi i kundërt dhe krijimi i rrymës së kundërt.
7. Cila është vetia më e rëndësishme e bashkimit PN?
8. Të vizatohet dhe interpretohet karakteristika statike e diodës gjysmëpërçuese.
9. Shkruaj ekuacionin për rrymën e diodës.
10. Krahaso karakteristikat statike të diodave nga Si dhe Ge.
11. A ndryshon karakteristika statike me ndryshimin e temperaturës?
12. Çka nënkuptohet me shpimin e bashkimit PN dhe pse ndodh shpimi?
13. Numëroji llojet e diodave gjysmëpërçuese.
14. Ç’janë diodat drejtuese dhe ç’janë drejtuesit?
15. Për cilin drejtues themi se ka veti të mira?
16. Cila diodë përdoret për stabilizimin e tensionit në qarqe elektrike?
17. Çka paraqesin diodat ndërprerëse (çelës)?
18. Ku përdoren diodat PIN?

29
 Kolegji UBT

TRANSISTORËT BIPOLARË
 Elektronika

TRANSISTORËT BIPOLARË
Përmbajtja

Transistorët bipolarë
Parimi i punës së transistorit bipolar
Komponentet themelore të rrymave në transistor
Mënyrat e lidhjes së transistorit
Koeficienti i përforcimit të rrymës
Karakteristikat statike të transistorit
Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me emiter të përbashkët (EP)
Pika e punës e transistorit
Kufizimet në punën e transistorit

31
 Transistorët bipolarë

 Transistorët bipolarë janë elemente gjysmëpërçuese me tri elektroda.

 Emërtimi: TRANSISTOR = TRANSfer+resISTOR paraqet komponente
gjysmëpërçuese e cila mund t’i amplifikojë (përforcojë) sinjalet elektrike gjatë
transferimit të tyre nga terminali (skaji) i hyrjes në terminalin e daljes.

 Kështu e kanë shpjeguar emërtimin transistor shpikësit e tij, William Shockley, John
Bardeen dhe Walter Brattain nga Bell Labs, më 1948].
 Transistori quhet element aktiv sepse mund ta amplifikojë (përforcojë,
zmadhojë) sinjalin që vepron në hyrjen e tij.

 Rezistorët, kondensatorët e diodat janë elemente pasive sepse nuk mund t’i
amplifikojnë sinjalet.
 Transistorët ndërtohen nga Si ose Ge, punojnë në temperatura të larta (Si deri
në 150oC, Ge deri në 100oC), tensione të mëdha, rryma të kundërta të vogla
dhe frekuenca të larta.

 Ekzistojnë dy lloje transistorësh:

 transistorët bipolarë
 transistorët unipolarë 32
 Transistorët bipolarë

 Transistorët bipolarë zakonisht quhen thjesht transistorë.

 Rryma e përgjithshme e këtyre transistorëve formohet nga bartësit kryesorë dhe

dytësorë të elektricitetit (prej elektroneve dhe vrimave). Për këtë arsye quhen
bipolarë, d.m.th. kanë dy lloje bartësish të elektricitetit.

 Shënohen me BJT (Bipolar Junction Transistor = transistor bipolar me bashkim).

 Transistorët unipolarë zakonisht quhen thjesht FET (Field Effect Transistor =

transistor me efekt të fushës).

 Për dallim nga transistorët bipolarë, rrymën e transistorit unipolar e formojnë vetëm
bartësit kryesorë të elektricitetit (elektronet ose vrimat), prandaj quhen ‘unipolarë’
d.m.th. kanë vetëm një lloj bartësish të elektricitetit.

 Shënohen me UJT (Unipolar Junction Transistor = transistor unipolar me bashkim).

 BJT dhe UJT kanë përdorim të gjerë në qarqe të ndryshme elektrike dhe
elektronike.

33
 Parimi i punës së transistorit

 Transistorët a transistorët bipolarë formohen me bashkimin e tri shtresave gjysmëpërçuese prej të

cilave njëra është e tipit P dhe dy të tjerat janë të tipit N ose anasjelltas.
 Sipas radhitjes së shtresave gjysmëpërçuese transistorët ndahen në:

 NPN (shih fig a: struktura dhe simboli i transistorit NPN)

 PNP (shih fig a: struktura dhe simboli i transistorit PNP)

34
 (Parimi i punës së transistorit)

 Shtresa e mesme e transistorit NPN është e tipit P dhe

quhet bazë, ndërsa shtresat e jashtme N quhen njëra
emiter dhe tjetra kolektor.

 Te transistori i tipi PNP radhitja e shtresave ndryshon.

Baza është shtresë gjysmëpërçuese e tipit N, emiteri dhe
kolektori janë të tipit P.

 Baza, emiteri dhe kolektori shënohen me shkronjat B, E dhe C, përkatësisht.

 Simbolet grafike të këtyre dy tipave të transistorëve dallohen për nga kahu i shigjetës së emiterit.

 Shigjeta tregon kahun e rrjedhës së rrymës konvencionale (të vrimave).

 Në tipin NPN vrimat lëvizin prej bazës në emiter, ndërsa në tipin PNP - prej emiterit në bazë.

35
 (Parimi i punës së transistorit)

 Në figurë është paraqitur struktura e supozuar e transistorit të tipit NPN (dhe PNP) me
zonat e emiterit, bazës dhe kolektorit të cilat dallohen sipas përqindjes së papastërtive
dhe gjerësive të tyre (gjerësitë e paraqitura në figurë nuk janë reale!).
 Zona e emiterit ka përqindje më të madhe të papastërtive

 Zona e bazës, krahasuar me zonën e

emiterit ka përqindje më të vogël të
papastërtive dhe është shumë më e
ngushtë se emiteri dhe kolektori.
 Zona e kolektorit ka përqindje të papastërtive më të vogël se emiteri, por më të madhe se baza.
 % e papastërtive E > % e papastërtive C> % e papastërtive B
 Siç shihet, transistori është element me dy kalime (bashkime) PN:

 Ndërmjet emiterit dhe bazës është bashkimi (PN) emiter-bazë ose shkurt bashkimi i emiterit.
 Ndërmjet kolektorit dhe bazës është bashkimi (PN) kolektor-bazë ose shkurt bashkimi i
kolektorit.

 Parimi i punës së transistorit NPN dhe PNP në esencë është i njëjtë, vetëm se ndryshon
lloji i bartësve të elektricitetit dhe polariteti i tensioneve (të ushtruara për polarizimin e
transistorit)
 Se cilin transistor do ta zgjedhim për shqyrtim është krejt njësoj.
36
 (Parimi i punës së transistorit)

 Në figurë është paraqitur transistori NPN.

 Në mungesë të burimeve ose me fjalë të

tjera kur transistori është i papolarizuar,
barriera potenciale në bashkimet emiter-bazë
dhe kolektor-bazë është e njëjtë UB. (Fig. b.)

 Bartësit kryesorë (elektronet në zonën

N dhe vrimat në zonën P) lëvizin në
mënyrë difuzive, duke formuar rrymën
e difuzionit, ndërsa bartësit dytësorë
(vrimat në zonën N dhe elektronet në
zonën P) formojnë rrymën e driftit.

 Meqë, këto rryma e anulojnë njëra-

tjetrën, rryma e përgjithshme në
transistor është zero që d.m.th
transistori nuk është në punë
(tr. i papolarizuar).

37
 (Parimi i punës së transistorit)

 Kur transistori lidhet për burim të jashtëm atëherë ai polarizohet.

 Le ta polarizojmë bashkimin emiter-bazë në
kah të drejtë dhe bashkimin kolektor-bazë
në kah të kundërt.

o Transistori i polarizuar në këtë mënyrë do të

punojë. Kjo mënyrë e lidhjes së polariteteve kur
transistori punon quhet zonë aktive a zonë
normale punës së transistorit.

 Për shkak të polarizimit të drejtë, barriera

potenciale në shtresën penguese të bashkimit
emiter-bazë zvogëlohet në vlerën U’B (si te
dioda), ndërsa barriera potenciale në shtresën
penguese të bashkimit kolektor-bazë
zmadhohet në vlerën U’’B.

38
 Mënyrat e lidhjes së transistorit

 Transistori i ka tri terminale (ose skaje) që quhen: i pari terminal i hyrjes, i dyti
terminal i daljes dhe i treti terminal i përbashkët për hyrjen dhe daljen.
 Terminali i përbashkët, zakonisht përtokëzohet, prandaj lidhja quhet lidhje me bazë
(ose emiter, ose kolektor) të përtokëzuar.
 Në lidhjen e transistorit, varësisht nga lidhjet e tri terminaleve të tij kemi këto raste:

 Në figurën a. është paraqitur lidhja e transistorit me bazë të përbashkët (BP) sepse B

është terminali i përbashkët edhe për hyrje edhe për dalje.

 Kur emiteri (E) është terminal i përbashkët, lidhja e tillë quhet lidhje e transistorit me emiter
të përbashkët (EP)-(shih figurën b.), dhe

 Në figurën c. është paraqitur lidhja e transistorit me kolektor të përbashkët (KP).

 Në të gjitha figurat shihet se sinjali i hyrjes dhe i daljes vepron ndërmjet dy terminaleve
(E, B dhe C).

39
 (Koeficienti i përforcimit të rrymës)

 Le ta quajmë rrymën e emiterit rrymë të hyrjes dhe rrymën

e kolektorit rrymë të daljes për qarkun e dhënë në figurë.
Atëherë, koeficienti i përforcimit të rrymës është raporti
ndërmjet rrymës së daljes dhe rrymës së hyrjes.
IC

IE
 Në disa qarqe rryma e hyrjes është rryma e B, IB, ndërsa
rryma e daljes është rryma e C, IC, dhe raporti i tyre
shënohet me β: I
β= C

IB
ku, β paraqet koeficientin e përforcimit të rrymës në dalje ndaj rrymës në hyrje për
transistorin i cili është i lidhur ashtu që emiteri (E) është i përbashkët për B dhe C.
 Vlera e 𝛽 < 500 (𝑉𝑙𝑒𝑟𝑎 𝑡𝑖𝑝𝑖𝑘𝑒 ë𝑠ℎ𝑡ë 100)

 Koeficienti i përforcimit të rrymës së vazhduar për transistorët në lidhje me C të

përbashkët shënohet me γ dhe është: I
γ= E

IB
 Për α ≈ 1 del se IC ≈ IE. Duke zëvendësuar IC ≈ IE në shprehjet për β dhe γ del se koeficientet e
përforcimit β dhe γ janë përafërsisht të barabartë, pra: β ≈ γ . 40
 Karakteristikat statike të transistorit

 Karakteristikat statike të transistorit të paraqitura grafikisht

paraqesin varësinë ndërmjet:

o tensionit në hyrje,
o rrymës në hyrje,
o tensionit në dalje dhe
o rrymës në dalje të tij.

 Karakteristikat statike të transistorit jepen si familje lakoresh,

gjegj. si varësi (funksion) ndërmjet dy madhësive të ndryshme
(të përmendura më lart), por duke mbajtur njërën nga madhësitë
(të tretën) si një parametër të pandryshueshëm.

41
 Karakteristikat statike të transistorit

 Sipas kësaj, për një lidhje të transistorit mund të jepen më shumë

varësi (deri 12 sosh!), prej të cilave 4 janë me rëndësi:
1. Karakteristika e hyrjes : varësia e rrymës në hyrje nga tensioni në hyrje duke
mbajtur konstant tensionin në dalje.

I hyr = f1 ( U hyr )
U dal = konst

2. Karakteristika e daljes: varësia e rrymës në dalje nga tensioni në dalje duke

mbajtur konstante rrymën në hyrje.
Idal = f 2 ( U dal ) I
hyr = konst

3. Karakteristika e transferimit: varësia ndërmjet rrymës në dalje dhe rrymës

në hyrje duke mbajtur konstant tensionin në dalje.
I dal = f 3 (I hyr )
U dal = konst
4. Karakteristika e transferimit të kundërt: varësia ndërmjet tensionit në dalje
dhe tensionit në hyrje duke mbajtur konstante rrymën në hyrje.

U dal = f 4 ( U hyr )
I hyr = konst

42
 Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP

 Skema për nxjerrjen e karakteristikave të transistorit në lidhjen me EP është

dhënë në figurë.

 Karakteristika e hyrjes të transistorit në lidhjen me EP paraqet varësinë

ndërmjet rrymës së bazës IB dhe tensionit në hyrje UBE, por për tension konstant
në dalje UCE (si parametër).
( I hyr = f1( Uhyr ) )
U dal =konst

 Shprehja matematikore e kësaj varësie mund të shkruhet kështu:

I B = f ( U BE ) U CE = konst . 43
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Karakteristikat statike të hyrjes të transistorit të ndërtuar nga

Si, me emiter të përbashkët, për tri tensione të ndryshme UCE=0V,
-1V, -10V, janë dhënë në figurë.
 Meqë paraqiten më shumë lakore për vlera të ndryshme të
tensionit të daljes UCE, këtë grup lakoresh (në këtë rast 3 lakore) e
quajmë familje lakoresh të rrymës së hyrjes IB.

44
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Rryma e hyrjes IB deri te një vlerë e tensionit UBE (>0,4V) vlerën e ka zero
(IB =0), e pastaj me rritjen e tensionit UBE rryma fillon të rritet në mënyrë
eksponenciale. Vlera e tensionit UBE për të cilën fillon të rritet rryma IB quhet
tensioni i pragut të përçueshmërisë ose vetëm pragu i përçueshmërisë.
o Shënohet me UP.
o UP e ka vlerën ndërmjet 0,5V dhe 0,6V.
o Pragu i përçueshmërisë për transistorin
prej Ge është ndërmjet 0,1 dhe 0,2 V.

 Pragu i përçueshmërisë praktikisht është vlera

e tensionit UBE për të cilën rryma fillon të rrjedhë
nëpër transistor.
UP

 Karakteristika e hyrjes e transistorit i përngjan

shumë karakteristikës së diodës së polarizuar në kah të drejtë.

45
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Karakteristika e daljes e transistorit për lidhjen me EP (emiter të përbashkët)

paraqet varësinë e rrymës së daljes IC nga tensioni i daljes UCE duke mbajtur konstante
rrymën e bazës IB (si parametër). Matematikisht mund të shprehet kështu:
I C = f ( U CE ) I B = konst .

 Në figurë janë paraqitur një familje

lakoresh të karakteristikave të daljes të
transistorit për rryma të ndryshme
konstante të bazës, IB.

 Me fillimin e rritjes së UCE rritet shpejt IC.

 Varësisht nga rryma e B (IB), fitohen

lakore të ndryshme të IC.

46
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

(Karakteristika e daljes)
 Varësisht nga rryma e B (IB) fitohen lakore të ndryshme të IC.
I C = f ( U CE ) I B = konst .

Le ta marrim në shqyrtim lakoren e IC për IB=40 μA.

 Nga grafiku i dhënë është e qartë se në zonën e shënuar me 1, për vlerat
fillestare të tensionit UCE , vlerat e rrymave IC nuk mund të marrin vlera në
atë zonë (por, vetëm djathtas saj!) edhe
nëse rritet rryma, IB .

Zona (1) quhet zona e ngopjes së

transistorit.

Transistori do të gjendet në zonën

e ngopjes në qoftë se:
o kalimet E-B dhe C-B janë
të polarizuar drejt.
47
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Në të djathtë të ‘bërrylit’ të secilës lakore nga familja e paraqitur

në figurë, me rritjen e UCE rritet shumë ngadalë IC.

 Në këtë zonë të familjes së karakteristikave rryma IC varet kryesisht

nga rryma IB. Kjo pjesë e karakteristikave quhet zonë aktive e
transistorit (në figurë e shënuar me 2).

 Në zonën aktive
o bashkimi E-B është i polarizuar drejt,
o bashkimi C-B është i polarizuar në të
kundërt.

Në këtë zonë
transistori punon si përforcues.

48
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Zona e shënuar me 3 paraqet zonën e bllokimit të punës së

transistorit.
o Në këtë zonë për IB=0 , IC= ICEO, që d.m.th. se edhe kur në hyrje nuk
ekziston rryma IB, në dalje do të rrjedhë një rrymë (ICEO – quhet rrymë e kundërt e
ngopjes).
o Te transistorët prej Si rryma ICEO është e papërfillshme, ndërsa te ata prej
Ge merret parasysh.
o Pra, pa marrë parasysh se rritet UCE, në qoftë se rryma IB=0 , rryma e IC
nuk do ta kalojë vlerën ICEO.

 Transistori do të gjendet në
zonën e bllokimit në qoftë se:

o bashkimet E-B dhe C-E janë

të polarizuar në të kundërt.

49
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Në qoftë se transistori punon me parametra të punës të cilat

janë në zonat 1 dhe 3 themi se transistori punon si ndërprerës.

 Kur,
- IC është përafërsisht zero, pra kur nuk ka rrjedhje të rrymës nëpër
transistor, themi se transistori punon si ndërprerës i hapur (zona 3)

- IC ka vlerë maksimale (zona 1), themi se

transistori punon si ndërprerës i mbyllur.
50
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Karakteristika transmetuese e drejtë e transistorit me EP tregon

varësinë e rrymës së C (IC) nga rryma e B (IB) nëse tensioni i
daljes mbahet konstant, (UCE=konstant):
I C = f (I B ) U CE = konst .

 Diagrami i familjes së karakteristikave transmetuese është dhënë

në figurë. Kjo varësi është lineare.

 Kjo karakteristikë tregon se edhe

kur rryma IB = 0, rryma IC nuk është
zero, gjegj. (në temperaturë 15oC)
IC për Si është 0.01μA
IC për Ge është 2μA
Kjo është rrymë e kundërt e
ngopjes, ICEO.
51
 Pika e punës së transistorit

 Transistori pra, siç thamë, mund të punojë: si përforcues ose si

ndërprerës.

 Kjo ishte e mundur duke bërë zgjedhjen e burimeve

(tensioneve) dhe rrymave të transistorit me vlera të
përshtatshme për punë si përforcues ose si ndërprerës.

 Burimet dhe rrymat e zgjedhura për

punë të transistorit e përcaktojnë të
ashtuquajturën pikë të punës të
transistorit.
 Zgjedhja (caktimi) e pikës së punës
të transistorit është shumë me
rëndësi për punën e mirë (efikasitet
të shfrytëzimit) të transistorit.
52
 Pika e punës së transistorit

 Caktimi i pikës së punës. Pikën e punës mund ta caktojmë me

anë të tensioneve dhe rrymave të vazhdueshme në hyrjen dhe
daljen e transistorit.

Kjo pikë e caktuar nga madhësitë e vazhdueshme quhet pikë

statike e punës së transistorit.

 Pika statike e punës caktohet kur janë

të njohura karakteristikat statike
të transistorit (4 sosh).

Pika e punës zakonisht jepet në

zonën e familjes së karakteristikave
të daljes së transistorit me anë të
vlerave të rrymës dhe tensionit të
daljes (pika B).
53
 (Pika e punës së transistorit)

 Në dallim nga pika statike e punës e caktuar me vlera të

pandryshueshme të tensioneve dhe rrymave të transistorit mund të
caktohet pika dinamike e punës së transistorit me anë të
madhësive të ndryshueshme momentale të rrymave dhe
tensioneve të transistorit.

 Puna e transistorit në pikën dinamike të punës quhet regjim

dinamik i punës.

 Pozita e pikës së punës (shih pikat A, B

dhe C në figurë) në karakteristikën
statike të daljes varet nga kërkesat
e punës që i parashtrohen transistorit.

54
 (Pika e punës së transistorit)

 Shembull:
 Nëse kërkohet që gjatë punës transistori të mos krijojë zhurma, atëherë
pika e punës së tij zgjidhet në intervalin e rrymave të vogla të kolektorit.
 Nëse nga transistori kërkohet fuqi e madhe e dobishme, atëherë pika e
punës së transistorit do të zgjidhet ashtu që vlerat e rrymës së kolektorit
dhe të tensionit C-E të jenë të mëdha.

 Nëse nga transistori kërkohet të bëjë

përforcim të madh të tensionit, atëherë
pika e punës zgjidhet në atë pjesë të zonave
të transistorit ku koeficienti i përforcimit
ka vlerë më të madhe. Në këtë rast, pika e
punës duhet të zgjidhet në zonën aktive të
punës së transistorit (zona 2).

 Nëse kërkohet që transistori të punojë si ndërprerës, atëherë pika e

punës së tij zgjidhet të ketë vlera të rrymës dhe të tensionit nga zonat
1 dhe 3. 55
 Llojet e transistorëve

 Në praktikë, që transistori të mbrohet nga dëmtimet për shkak të

temperaturës (për shkak të rritjes së disipacionit të fuqisë) së transistorit,
në trupin e transistorit vendosen ftohës (ose radiatorë) me sipërfaqe
sa më të madhe e cila ndihmon ftohjen më të mirë dhe më të shpejtë të
transistorit.

56
 Pyetje

1. Çka është transistori?

2. Cilat janë llojet e transistorëve?
3. Për cilin transistor themi se është i polarizuar?
4. Çka nënkuptojmë me efektin transistorik?
5. Të tregohen mënyrat e lidhjes së transistorit.
6. Cila lidhje e transistorit përdoret më së shpeshti?
7. Cilat janë komponentet e rrymave të transistorit?
8. Çka është koeficienti i përforcimit të rrymës te transistori?
9. Çka quhet koeficient i përforcimit të transistorit?
10. Cilat janë karakteristikat statike të transistorit?
11. Të përkufizohen zonat e punës së transistorit në karakteristikën e tij statike të daljes.
12. Çka paraqet pika e punës dhe cila është rëndësia e saj për punën e transistorit?
13. Pse transistori quhet element aktiv?
14. Të përcaktohet zona e punës së transistorit në karakteristikën e daljes të transistorit.

57
 Kolegji UBT

TRANSISTORËT ME EFEKT FUSHE

 Elektronika

TRANSISTORËT ME EFEKT FUSHE

Përmbajtja

Transistorët me efekt fushe (FET-ët)

Ndërtimi dhe parimi i punës së FET-it
Karakteristikat statike të FET-it
Llojet e FET-ëve të përparuar

59
 Transistorët me efekt fushe (FET)

 Transistorët me efekt fushe - FET-at (Field Effect Transistors) - janë

elemente gjysmëpërçuese me tri elektroda te të cilat rrjedhja e rrymës
komandohet me anë të fushës elektrike të krijuar nga tensioni i zbatuar
në njërën nga elektrodat e tij, e quajtur elektrodë komanduese.

 Përparësitë e transistorëve me efekt fushe ndaj transistorëve bipolarë

janë:
 rezistenca e hyrjes më e madhe,
 përmasat më të vogla,
 zhurmat më të vogla,
 ecuria e prodhimit më e thjeshtë etj.

 E meta kryesore e transistorëve me efekt fushe është se reagojnë

shumë ngadalë, prandaj nuk mund të përdoren si ndërprerës (çelës) të
shpejtë.

60
 Transistorët me efekt fushe (FET)

 Në zbatime praktike përdoren lloje të ndryshme të transistorëve me efekt

fushe që dallohen nga FET-i themelor:
 IGFET - Insulated Gate FET a FET-i me gejt (portë) të izoluar. Gejti a porta është
elektrodë komanduese.
 MOSFET - Metal Oxide Semiconductor FET (FET-i metal-oksid-gjysmëpërçues) a
FET-i me oksid metali. Oksidi i metalit është izolator i elektrodës komanduese.
 FET-ët shërbejnë si elemente për përforcim dhe si ndërprerës (çelës).
Përdoren në qarqe të frekuencave të larta, në qarqe digjitale, në qarqe
ndërprerëse ku nuk kërkohet shpejtësi e madhe e ndërprerjes etj.

 Te FET-i rrymën e formojnë vetëm bartësit kryesorë të elektricitetit (elektronet

ose vrimat) dhe, meqë rryma formohet nga vetëm një lloj bartësish të
elektricitetit, ata ndryshe quhen transistorë unipolarë.
 Në literaturë njihen si JFET (Junction Field Effect Transistor: Transistor me
efekt të fushës me bashkim) a thjesht FET. 61
 Ndërtimi dhe parimi i punës së FET-it

 Në figurë është paraqitur skema e thjeshtësuar e ndërtimit të

transistorit me efekt fushe (FET-i).

 Ndërmjet gjysmëpërçuesit të tipit P+ dhe gjysmëpërçuesit të tipit N formohen

dy bashkime PN. Këtu shenja + do të thotë se gjysmëpërçuesi ka përqindje më
të madhe të papastërtive kimike se rëndom.

 Pjesa e gjysmëpërçuesit të
tipit N quhet kanal dhe
paraqet pjesën aktive (të
ndryshueshme) të FET-it.

 Nga të dy anët e kanalit janë

vendosur kontaktet metalike nga
të cilat nxirren terminalet (skajet)
e FET-it të shënuara me S dhe D.

 Terminali S quhet sors (angl. ‘source’) ose shqip ‘burim’ dhe terminali D
quhet drejn (angl. ‘drain’) ose shqip ‘derdhje’.
62
 (Ndërtimi dhe parimi i punës së FET-it)

 Përmes sorsit, bartësit kryesorë (në këtë rast elektronet) futen në

kanal.

 Drejni është terminal nëpërmjet të cilit bartësit kryesorë dalin nga

kanali.

 Në gjysmëpërçuesin e tipit P është lidhur terminali i shënuar me G, i

cili quhet gejt (angl. ‘gate’) ose shqip ‘portë’.
 Me anë të gejtit komandohet rrjedhja e rrymës nëpër kanal, andaj
gejti ndryshe quhet edhe elektrodë komanduese.

63
 (Ndërtimi dhe parimi i punës së FET-it)

 Sipas tipit të gjysmëpërçuesit në kanal kemi dy tipa FET-ësh:

 FET me kanal të tipit N dhe
 FET me kanal të tipit P.

 Në figurën e djathtë janë paraqitur simbolet e këtyre dy tipave të FET-

ëve.
 Shigjeta në simbol tregon kahun e rrjedhjes së rrymës së drejnit.

64
 (Ndërtimi dhe parimi i punës së FET-it)

 Parimi i punës së FET-it. Parimi i punës së FET-it të tipit N dhe P janë në

esencë të njëjtë.
 Në figurë është paraqitur FET-i i tipit N dhe në bazë të tij është shpjeguar parimi i
punës së FET-it.

Puna normale e FET-it sigurohet n.q.s. ai polarizohet si në figurë:

 Burimi UGS është i lidhur ndërmjet

gejtit (G) dhe sorsit (S) dhe ai i
polarizon bashkimet PN në kah të
kundërt

 Burimi UDS është i lidhur ndërmjet

drejnit (D) dhe sorsit (S) duke e
vendosur drejnin në tension më
pozitiv se sorsi.

65
 (Ndërtimi dhe parimi i punës së FET-it)

 (Parimi i punës së FET-it).

 Nën veprimin e tensionit të kundërt polarizues UGS shtresat penguese zgjerohen
duke e ngushtuar kështu kanalin N.

 Me ngushtimin e kanalit N do të zvogëlohet rrjedhja e rrymës së drejnit ID.

 Sa më shumë e rrisim tensionin e kundërt polarizues UGS aq më e gjerë bëhet

shtresa penguese dhe aq më i ngushtë bëhet kanali përçues N. Rrjedhimisht rryma e
drejnit do të zvogëlohet edhe më shumë.

 Me anë të tensionit të kundërt UGS , në

një moment mund ta mbyllim kanalin
përçues N duke i rritur edhe më tepër
shtresat penguese.
o Rryma ID do të bllokohet (bëhet zero).

o Në këtë mënyrë me anë të tensionit

të hyrjes UGS e komandojmë rrymën
e daljes (ID ).

66
 (Ndërtimi dhe parimi i punës së FET-it) - JO

 Efekti i fushës, sipas së cilës këta transistorë e kanë marrë emrin, mund të
kuptohet kështu:

 Gjatë polarizimit të kundërt në shtresën penguese krijohet fushë elektrike e orientuar

nga zona N drejt zonës P,
 Atëherë, elektronet e lira tërhiqen prej shtresës penguese në drejtim të kanalit
(pjesës së mesme të kësaj shtrese) duke bërë lëvizje të kundërt nga kahu i
(intensitetit, forcës të) fushës.

 D.m.th. shtresa penguese mbetet pa bartës të lirë të elektricitetit.

 N.q.s. tensioni i kundërt UGS rritet, do të rritet edhe intensiteti i fushës dhe numri i
elektroneve që kalojnë prej shtresës penguese do të jetë më i madh. Kështu,
shtresa penguese zgjerohet, ndërsa kanali ngushtohet, andaj përçueshmëria e tij
zvogëlohet.

 Përfundim: me veprimin e tensionit të

kundërt mund ta komandojmë rrymën e
daljes (të Drejnit) e cila rrjedh nëpër kanal.

67
 (Ndërtimi dhe parimi i punës së FET-it)

 Nga figura mund të vërehet se gjerësia

e kanalit nuk është e njëjtë në secilën
pjesë të kanalit.

o Në afërsi të Sorsit (Source)

gjerësia e kanalit është më e
madhe. Kjo varet nga UGS

o Në afërsi të drejnit (D) gjerësia e kanalit është më e vogël. Kjo

varet nga tensioni UGS + UDS. Pra, UDS ndikon në gjerësinë e kanalit
e cila ndikon në rrymën e drejnit, ID.
• Kjo varësi e rrymës ID nga tensioni UDS quhet karakteristikë e daljes e
FET-it (të ciën do ta shqyrtojmë më vonë).

 Në mënyrë të njëjtë punon FET-i me kanal P, vetëm se rrymën në kanal e

formojnë vrimat. Polarizimet e burimeve janë të kundërta me polarizimet e
FET-it me kanal N, që do të thotë se edhe rryma në kanal ka kah të kundërt.

68
 (Ndërtimi dhe parimi i punës së FET-it)

 Në figurat e mëposhtme janë dhënë skemat (mënyrat) e lidhjes të FET-it

me sors të përbashkët (SP):
 a) me kanal N dhe
 b) me kanal P

(Vëreni ndryshimet e polariteteve të tensioneve UGS dhe UDS në rastet N dhe P!)

69
 Karakteristika statike të FET-it

 Këtu do të paraqiten dy karakteristika të FET-it:

o Karakteristika statike e daljes e FET-it dhe

o Karakteristika e transferimit e FET-it

 Më poshtë është dhënë qarku elektrik për nxjerrjen e karakteristikave të

FET-it me kanal N

70
 (Karakteristika statike të FET-it )

 Karakteristika e daljes
Tregon varësinë e rrymës së drejnit nga tensioni ndërmjet drejnit
dhe sorsit kur tensioni i hyrjes ndërmjet gejtit dhe sorsit mbahet
konstant (është parametër).

Pra, matematikisht e shprehur kjo që u tha më lart duket kështu:

I D = f ( U DS ) U GS = konst .

71
 (Karakteristika statike të FET-it )

 Kur UGS=0, karakteristika statike duket si në figurën e mëposhtme.

 Për rritje të vogëla të UDS, rryma ID rritet linearisht (lakorja 1).

 Vazhdon rritja e UDS , atëherë bie tensioni në kanal, e me këtë do të rritet

tensioni i kundërt në kalimin PN duke u nisur nga sorsi drejt drejnit.

 Shtresa penguese zgjerohet, ndërsa kanali

ngushtohet deri sa për tensionin UDS= UP
shtresat penguese gati sa nuk preken dhe
kanali gati mbyllet.

 Prandaj tensioni UDS është quajtur tension

i prekjes së shtresave penguese dhe
është shënuar me indeksin P, gjegj. UP.
(Shih pikën A).

72
 (Karakteristika statike të FET-it )

 Me rritjen e UDS më tepër se UP shtresat penguese preken dhe kanali

mbyllet. Në këtë rast rryma e drejnit (IDS) do të rrjedhë edhe më tutje me
ndryshime të vogla edhe pse UDS rritet deri në vlerën USH.

 Rryma e drejnit ka arritur ngopjen, prandaj zona 2 quhet zonë e ngopjes e

FET-it.

 Në zonën 2, FET-i përdoret si përforcues.

 Rritja e tensionit UDS më tutje deri mbi

vlerën USH, shkakton rritjen e
rrëmbyeshme të rrymës së drejnit ID
ashtu që ndodh shpimi i kanalit.

 Kjo pjesë e karakteristikës, e shënuar me

3, quhet zonë e shpimit e FET-it

73
 Llojet e FET-ëve të përparuar

 FET-ët e përparuar mund të jenë disa llojesh:

 MOSFET – fitohet kur në sipërfaqen e gjysmëpërçuesit prej të cilit

ndërtohet gejti i FET-it formohet një shtresë e hollë prej dioksidit të silicit
(SiO2) i cili shërben si izolator mbi të cilin vendoset metali i cili e paraqet
gejtin. Emri vjen nga Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor.

 MOSFET-i mund të realizohet me kanal N ose me kanal P.

 MOSFET-e ka dy tipash: me kanal të induktuar dhe me kanal të formuar.

 TFT – Thin Film Transistor – janë transistorë FET të prodhuar me

teknikën e shtresimit (filmit) të hollë.

 IGFET – paraqet emërtimin e përbashkët për MOSFET dhe TFT.

74
 Llojet e FET-ëve të përparuar

 Simbolet e MOSFET-ëve:

o Me kanal të induktuar: me kanal P me kanal N

o Me kanal të formuar: me kanal P me kanal N

 Ekzistojnë edhe tipa të veçantë të MOSFET-ëve: N-MOSFET; C-MOSFET;

VMOS; CMOS etj.

75
 Pyetje

1. Cilat janë elektrodat e FET-it?

2. Shpjego parimin e punës të FET-it.
3. Përshkruaj karakteristikën statike të FET-it.
4. Cili tension quhet tension i prekjes?
5. Cilët janë tipat kryesorë të MOSFET-ëve?
6. Paraqitni simbolet e MOSFET-ëve me kanal të induktuar dhe me kanal të formuar të tipit
N dhe P, përkatësisht.
7. Cili tension quhet ‘tension i shpimit’ dhe pse?
8. Çka është tensioni i pragut të përçuarjes?

76
 Kolegji UBT

ELEMENTET OPTOELEKTRONIKE
 Elektronika

ELEMENTET OPTOELEKTRONIKE
Përmbajtja

Elementet optoelektronike
Fotorezistori
Fotodioda
Fotogjeneratori
Fototransistori
Diodat ndriçuese (LED)
Treguesit (indikatorët) e ndritshëm

78
 Elementet optoelektronike

 Elementet optoelektronike janë elemente elektronike të cilat

bëjnë shndërrimin e:

- dritës në energji elektrike ose

- të energjisë elektrike në dritë.

 Janë dy grupe elementesh optoelektronike.

 Grupi 1. Bëjnë pjesë elementet të cilat e bëjnë shndërrimin e energjisë së

dritës në energji elektrike ose që i ndryshojnë vetitë e tyre elektrike gjatë
ndriçimit: fotorezistorët, fotodiodat, fototransistorët.

 Grupi 2. Bëjnë pjesë elemente të cilat energjinë elektrike e shndërrojnë në

energji të dritës: diodat ndriçuese ose LED-at (angl. Light-emitting
Diode) dhe diodat laser.

79
 Fotorezistori (FR)

 Fotorezistori (FR) është rezistor gjysmëpërçues rezistenca e të cilit

ndryshon me ndryshimin e ndriçimit.

 Kur FR (shih figurën) nuk është i ndriçuar atëherë numri

i bartësve të elektricitetit nuk ndryshon në të.

 Kur FR ndriçohet numri i bartësve (pozitiv dhe negativ) në

gjysmëpërçues rritet sepse mbi ata ka vepruar energjie e dritës.
 Pra, me zmadhimin e ndriçimit rritet përçueshmëria e
gjysmëpërçuesit, ndërsa rezistenca e tij zvogëlohet.
 Varësia e rezistencës nga ndriçimi shihet në figurën (poshtë majtas).
 Simboli grafik i FR është treguar në figurën poshtë djathtas .

80
 Fotorezistori (FR)

 Për ndërtimin e FR përdoret sulfidi i kadmiumit.

 Në fig. është paraqitur varësia e ndjeshmërisë së FR (të ndërtuar prej sulfidi të
kadmiumit) nga gjatësisë valore e dritës. Gjatësia valore e dritës për të cilën FR
(nga sulfidi i kadmiumit) tregon ndjeshmëri maksimale është 520 nm. Nga kjo varësi
shihet se FR punojnë më së miri në zonën e dritës së dukshme.
 FR janë të ndjeshëm ndaj ndryshimeve të temperaturës (e metë).
 Kohëzgjatja e kyçjes dhe shkyçjes është relativisht e gjatë (e metë).
 FR përdoren si detektorë në automatikë (ndriçimi, reklama, alarme, sigurimi etj.)

81
 Fotodioda (FD)

 Fotodioda (FD) është element gjysmëpërçues i cili kur polarizohet në kah të

kundërt dhe ndriçohet, atëherë rryma e kundërt e cila rrjedh nëpër të do të
ndryshojë proporcionalisht me ndriçimin.
 Kur FD e polarizuar në të kundërt ndriçohet, atëherë shumica e
elektroneve të gjysmëpërçuesit fitojnë energji të mjaftueshme dhe
mund t’i lëshojnë atomet e tyre.
 Fusha e krijuar nga lidhja e kundërt e tensionit të jashtëm i shtyn çiftet
elektron-vrimë të lëvizin, ashtu që elektronet shkojnë drejt zonës N dhe
vrimat drejt zonë P, duke shkaktuar kështu rrjedhjen e rrymës nga katoda
drejt anodës. Shuma e këtyre rrymave të elektroneve dhe vrimave është
rrymë e shkaktuar nga ndriçimi i FD, Indriç.
 Përveç kësaj, nëpër FD rrjedh edhe rryma e tensionit të kundërt , U, Ikund..
 Kështu, rryma e përgjithshme e FD së ndriçuar është IFDndriç = Indriç + Ikund.
 Sa më i madh të jetë ndriçimi aq më e madhe do të jetë rryma Indriç. Kështu
do të rritet edhe IFDndriç.
 Kur FD nuk ndriçohet, d.m.th. është errësirë, nëpër FD nuk do të rrjedhë
rrymë e shkaktuar nga ndriçimi, (pra, Indriç =0), atëherë bëhet IFDerrësië = Ikund.

82
 Fotodioda (FD)

 Në figurën e mëposhtme majtas është paraqitur struktura e fotodiodës dhe

procesi i gjenerimit të çifteve elektron vrimë nën ndikimin e fotoneve të dritës
rënëse.

 Në figurën në mes është paraqitur karakteristika statike e fotodiodës, ndërsa në

figurën djathtas disa lloje të fotodiodave reale.

83
 Fotogjeneratori (FGJ)

 Fotogjeneratori është element gjysmëpërçues i cili kur ndriçohet gjeneron

tension elektrik.

 Nëse fotogjeneratori lidhet në qarkun elektrik me një rezistor, nëpër qark do të

rrjedhë rrymë me intensitet proporcional me intensitetin e dritës e cila bie mbi
fotogjeneratorin.

 Tensioni tejet i vogël i cili fitohet nga fotogjeneratori (0,45 V/cm2 ose 10 %
effiçiencë) duhet të përforcohet për përdorim të mëtejmë. Kjo veti përdoret
për matës të ndriçimit.

 Një lloj i veçantë i fotogjeneratorëve janë qelulat diellore (ose solare). Këto e
bëjnë shndërrimin e energjisë diellore në energji elektrike ose nxehtësi. Kanë
efiçiencë të ulët (rreth 13-20%).

84
 Fototransistori (FT)

 Fototransistori është një transistor i konstruktuar në mënyrë speciale i cili

punon në parimin e shndërrimit të energjisë së dritës në rrymë elektrike.
 Fototransistori mund të paraqitet me anë të një fotodiode të ndriçuar dhe një
transistori të pandriçuar (skema ekuivalente). Kjo lidhje është paraqitur në
figurën poshtë. Në të njëjtën figurë janë paraqitur simboli grafik i fototransistorit
dhe karakteristika statike e tij.

 Kur ndriçohet FT, nëpër bashkimin B-C (FD) rrjedh rrymë e kundërt e
zmadhuar e cila pastaj shkon në bazën e transistorit ku përforcohet për
koeficientin e përforcimit β, kështu që në dalje kemi rrymën e përforcuar. Me
ndriçimin më të madh (të FD) rritet rryma e bazës e cila pastaj e bën rritjen e
daljes së transistorit.
 Karakteristika statike e FR tregon se me ndryshimin e ndriçimit (E) ndryshon
85
(rritet) edhe rryma e daljes, IC.
 Diodat ndriçuese (LED)

 Veprimi i shndërrimit të energjisë elektrike në dritë arrihet përmes elementit

gjysmëpërçues LED (Light-Emitting Diode) ose diodës ndriçuese (dritëmetuese).

LED-i emiton dritë kur nëpër të kalon rrymë

elektrike.

Majtas janë paraqitur tri lloje të ndryshme

të LED-ave (kuq, gjelbër, blu , R, G, B) →

 LED ndërtohet sikur dioda e zakonshme gjysmëpërçuese. Pra, dioda punon kur
është e polarizuar në kah të drejtë. Dioda e polarizuar në kah të kundërt nuk do
të emitojë dritë
 Kështu kur në skajet e LED-it ushtrohet tension nëpër të do të rrjedhë rrymë. Rryma
që rrjedh do të shkaktojë lëvizjen e ngarkesave elektrike pozitive dhe negative duke
u ribashkuar ato. Gjatë ribashkimit të tyre do të lirohet një sasi e energjisë në
formë të dritës. Intensiteti i ndriçimit të LED-it rregullohet me anë të rrymës e
cila rrjedh nëpër diodë.
86
 Diodat ndriçuese (LED)

 Ngjyra e dritës së emituar nga LED-i varet nga lloji i gjysmëpërçuesit dhe nga lloji i
papastërtive të shtuara.
 Në figurë është paraqitur simboli grafik i LED-it .

 LED-i është shumë i ndjeshëm ndaj tensioneve dhe rrymave të mëdha. Andaj, kur
dëshirojmë të sigurohemi se LED-i nuk do të shkatërrohet në qark ku vendoset, LED-
i lidhet në seri me një rezistor R vlera e të cilit mund të llogaritet kështu:

ku, U – tensioni i burimit të ushqimit; UD – tensioni i lejuar i diodës ndriçuese dhe

rryma e lejuar e diodës ndriçuese.
 LED-i ka shumë përparësi.

87
 Treguesit (indikatorët) e ndritshëm

 Treguesit (indikatorët) e ndritshëm janë struktura gjysmëpërçuese të

krijuara prej disa diodave ndriçuese. Njihet si Displej (angl. Display).

 Ndërtohen për të treguar numra por edhe shkronja.

 Më të njohurit janë treguesit 7-segmentësh me dioda ndriçuese (LED-a).

 Ekzistojnë tipa të tjerë me 14 segmente, me 16 segmente dhe HD44780 LCD

(protokolli për LCD-të)

88
 Pyetje

1. Çka janë elementet optoelektronike dhe si ndahen?

2. Çka është fotorezistori dhe cilat janë të metat e tij?
3. Çka është fotodioda, cili është simboli i saj dhe cila është shprehja për rrymën e saj?
4. Çka është fotogjeneratori dhe çfarë tipa kemi?
5. Çka është fototransistori dhe si punon ai?
6. Çka janë diodat ndriçuese (LED), si punojnë dhe përse përdoren?
7. Kur dëshirojmë të sigurohemi se LED-i nuk do të shkatërrohet në qark çka vendosim?
8. Çka janë treguesit (indikatorët) e ndritshëm dhe cilat lloje ekzistojnë?

89