Bazat e Elektronikës

SHKOLLA MESME PROFESIONALE
"FERIZ GURI DHE VËLLEZËRIT ÇAKA"

KAÇANIK-ISMAIL DASHI
Bazat e elektronikës
X1,2/XI1 (Telekumunikacion, Informatikë
2016/17
Përmbajtja:
Tema 1. Ndërtimi dhe veçoritë kryesore të komponentëve elektronikë
pasivë e aktivë
Tema 2. Karakteristikat rrymë-tension të diodave dhe të transistorëve.

Amplifikimi i transistorit (
Tema 3. Qarqet elektronike analoge. Amplifikatorët
Tema 4. Qarqet elektronike digjitale

Tema 5. Qarqet e integruara dhe mikroelektronika
Ndërtimi dhe veçoritë kryesore të
komponentëve elektronikë pasivë e
aktivë
1.Ndërtimi dhe veçoritë kryesore të
komponentëve elektronikë pasivë e aktivë
Rezistori, potenciometri, trimeri
Termistori, pozistori, fotorezistori e varistori
Kondensatori, kondensatori i ndryshueshëm
Bobina, variometri
Transformatori, autotransformatori
Dioda pn rrymëdrejtuese
Dioda Zener, dioda Shotki
Dioda tunel, LED-i
Fotodioda, celula diellore, dioda laser
Optoçiftuesi, LCD-ja, gypi katolik
Transistori dypolar (npn dhe pnp)
Transistori njëpolar (FET-i, IGFET-i, MOSFET-i)
Tiristori dhe triaku
Rezistori, potenciometri,
trimeri
Rezistori
Rezistorët sigurojnë një sasi specifike të
rezistencës ndaj një rruge në një qark ose teli.
Emri i komponentes Footprint
Shënimi i rezistorëve
Rezistenca duhet të përmbajë informacionin e

mëposhtëm:
 rezistencë nominale (në Ω, kΩ ose MΩ),
 toleranca nominale e rezistencës,
 fuqin nominale (në W),
tensionin kufitar (në V), etj.
 Këto të dhëna janë të shënuara në rezistencënë
rendin e dhënë, dhe nëse në trupin e rezistencës
nuk ka vend për të gjitha të dhënat atëherë spari
kanë perparsi sipas radhes të listuara .
Vlerat e rezistencave nominale, si dhe toleranca

rezistences jepen në trup te rezistenca duke
shkruar numra dhe shkronja, ose ngjyrë.
Rezistenca e rezistencës së çipit është zakonisht
tregon përdorimin e tre shifrave, ku numri tret
tregon sa zero ka pas shifres i-së së pare dhe
shifre të dute.
 Për shembull: 220 Ω ≡ 221; 47 Ω ≡ 470;5600 Ω ≡
562
Kur bëhet shënimi me shifra e shkronja përdoret
shënimi i shkurtuar
Njësia matjes Shënimi Shembull etiketimi Kuptimi
om (Ω) E ose R E47 pse R47 0,47 Ω
4E7 ose 4R7 4,7 Ω
47E ose47R 47 Ω
kiloom (kΩ) K K47 0,47 kΩ ≡ 470 Ω 4,7
4K7 kΩ
47K 47 kΩ
megaom (MΩ) M M47 0,47 MΩ ≡ 470 kΩ
4M7 4,7 MΩ
47M 47 MΩ
gigaom (GΩ) G G47 0,47 GΩ ≡ 470 MΩ
4G7 4,7 GΩ
47G 47 GΩ
teraom (TΩ) T T47 0,47 TΩ ≡ 470 GΩ
1T0 1,0 TΩ
Fuqia nominale
• Fuqia nominale (PNOM) është fuqia maksimale e lejuar e
zhvilluar në rezistencë për një kohë relativisht të gjatë në
ngarkesë të vazhdueshme dhe temperature të caktuara e
mjedisit rrethues, ku parametrat e rezistencës mbeten në
të kufijtë përcaktuara e përcaktuar.
• Kur ngarkohet me fuqi që janë më e madhe se sa vjen

fuqia nominale shkatërrimi i materialit rezistent, i cili
jetëgjatësia e punës zvogëlohet, ose nënë disa
rastedjegjen të tijë
Fuqia nominale varet nga:
– dimensioni i rezistencës,
– kushtet e ftohjes,
– kushtet e eksploatimit
Fuqia nominale
• Përcaktimi i fuqisë nominale bazohet në
temperaturën maksimale që nuk guxon te tejkalon
ne çdo vend në rezistencë.
• Vlera e fuqisë nominale përcakton vlera e rrymes
maksimale.
Imax = (Pn /R)0.5
• Vlerat nominale të fuqisë përcaktohen me

standard: 0,125W (B), 0,25W (C), 0,5W (E), 1W (G),
2W (J), 3W (K), 4W (L), 5W dhe 10W
02:06:32
Fuqia nominale
Rezistues me terminale që kalojnë përmes vrimave në
pllakën e stampuar (through hole).
Rezistenca për montim sipërfaqësor

(SMD ose cip rezistencë).
02:06:32
Toleranca
• Rezistenca nominale shprehet në Ω (p.sh. 33 Ω, 47
kΩ, 1 MΩ). Toleranca është një devijim në raport me
vlerën nominale të rezistencës dhe është shprehur
në përqindje (p.sh. ± 5%). Fuqia nominale paraqet
fuqinë maksimale të lejueshme në rezistencë dhe
shprehet në W (p.sh. 0,5 W).
• Shembull: Një rezistencë me vlere nominale me 100
Ω me tolerancë prej 5% ka një rezistencë në
intervalin 95 Ω deri në 105 Ω.
02:06:32
Kodi i rezistencave
Kodi i rezistencave –me shifra
Etiketimi bëhet duke përdorur një kod 3 ose 4 shifror
në trupin e rezistencës.
473  47 × 103Ω = 47 kΩ
4703  470 × 103Ω = 470 kΩ
Kodi 3-shifror nënkupton një tolerancë prej ± 5%

dhe një shënim 4-shifrore Tolerancë ± 1%.
02:06:32
Kodi i rezistencave –me shifra
Përcaktimi i Resistorëve të Rezistencës së Ulët2.
Resistorët SMD tregohen edhe

me ndihmën e kodeve të
veçanta, sipas standardi EIA-
96. Në disa resistors, për shkak
të përmasave të vogla, nuk ka
etiketa.
2)Rezistenca e rezistencës 0 Ω aplikohet

në elektronike
02:06:32
Rezistorë me rezistencë të
ndryshueshme
Për të ndryshuar rezistencën në një qark elektrik,
ne përdorim një rezistencë të ndryshueshme.Ky
është një rezistencë normale me një kontakt
shtesë të krahut që mund të lëvizë përgjatë
materialit rezistent dhe të heqë rezistencën e
dëshiruar.
Fig()Simbolet
Fig()Bllok skema
Konstruksioni I rezistencave variabile
Fig() Seksioni dhe pamja e

potenciometrit
shiber ose
slider
Reostat dhe trimer
Reostat qëndron për një rezistencë
të ndryshueshme që ka vetëm dy
skaje ; njëra është e lidhurnë
rrëshqitës, dhe tjetri në elementin
rezistent. Potenciometrin mund ta
lidhim si rheostat pra le të lidhim një
qark të shkurtër rrëshqitësin dhe një
lidhës.
Trimer është një potenciometër që nuk është
menduar të rregullohet shpesh, por vetëm një herë,
p.sh. te akordimi i pajisjes. Trimeri nuk ka një bosht
për montimin e leves , por një vend për një kaçavidë
për ta rregulluar atë,dhe zakonisht është fizikisht më i
vogël.
Rezistencat rregulluese (trimer)
rrotullues(shume
rrotullues -(rotary) rrotullime
(nje rrotullime)
Fig() lloje të ndryshme të potenciometrave

trimer
Termistori, pozistori,
fotorezistori e varistori
Varistorët
 Varistorët ose rezistorët VDR( Voltage Dependent
Resistor) janë rezistor tek të cilët rezistenca
ndryshon jolinerarisht me ndryshimin e intenzitetit
të fushës elektrike, rrespektivisht të tensionit në
to.
 Përdorën për stabilizim tensioni, e posaqërisht për
vlera të mëdha të tensionit
 Varistorët ndërtohen më shpesh nga oksidi i
zinkut.
 Jolineariteti i rezistencës nga fusha elektrike
 shkakton jolinearitet dhe karakteristikat tension-
rrymë e varistorit
Lloje të ndryshme të varistorve
Karaktristika rrymë-tension e varistorit
Karaktristika rrymë-tension e varistorit është dhënë me shprehjen
I= 𝒌 ∙ 𝑽 α
Ku janë :
k-konstantë
α-koficienti i jolinearitet të varistorit p.sh për prodhimin e SIEMENS –it është
𝜶 = 𝟑𝟎 ÷ 𝟓0
Karaktristika reale rrymë-tension
e varistorit
Rezistenca në varësi të
fushës magnetice
Rezistenca magnetike janë ato që ndryshojnë
rezistencën e tyre me një ndryshim të fushës
magnetike, ose densitetit të fluksit magnetik në të
cilin ndodhen. Veprimi i fushës mbi elektronet dhe
shtyrja e tyre në mënjan, çfarë zgjat rrugën e tyre,
rritet rezistenca (rruga më e gjatë – përcjellës më
i gjatë – rezistencë më e madhe). Ata ende quhen
pllakat Hall-ovit. Përdoren si qarqe pa kontakt,
për matjen e fushës magnetike.
Senzorët të temperaturës
 Senzorët të temperaturës
 Resistance thermomrters
o Wire dhe
o thin films
 Thermistors
o NTC
o PTC
 Si sensors
 Integrated sensors
Rezistenca NTC
 Në rastin e metaleve dhe disa substancave të
tjera, rezistenca rritet me rritjen e temperaturës.
Megjithatë, ekzistojnë një sërë substancash
(karboni, gjysmëpërçuesit) që sillen në mënyrë të
kundërt. Ata udhëheqin më keq në gjendjen "të
ftohtë" sesa në gjendjen "e ngrohtë",pra
rezistenca e tyre zvogëlohet me rritjen e
temperaturës. Kjo është arsyeja pse ne i quajmë
përçues të ngrohtë ose rezistorë me një
koeficient negativ të temperaturës - rezistorë
NTC. Shpesh përdoret edhe emri termistor
Moduli:Teknologji e prodhimit_2
(c) Ismail Dashi 2022
Ars. Ismail Dashi
Rezistenca PTC (pozistorë)
 Termistorë me vlerë të madhe pozitive të

koeficientit së temperaturës së rezistencës
quhen pozistor .
 përdoren si kufizues të rrymës për:
o mbrojtje të rrymës,
o si kufizues të temperaturës,
o demagnetizimi i tubave me katodë me ngjyra,
o mbrojtjen e motorit,
o rregullimi i rrymave në telefoni, i
o mbrojtja e linjave telefonike etj
Ars. Ismail Dashi
Shembull: përdorimi i rezistorëve PTC
Karakteristika e varësisë së rezistencës nga temperatura
e termistorit
Termistori - PTC Termistori - NTC
Senzorët te varurur nga drita
 LDR
 Fotogjysmëpërçues me kalim p-n
o Pasiv
 Fotodioda
 Foto tranzistor
o Aktive
 Fotoelement
 Solar cell
Simbolet e kondensatorëve
Shënimi me ngjyra i kondensatorëve
Praktikisht e njëjta tabelë përdoret për shënimin me ngjyra të kondensatorëve si për
rezistenca. Disa ndryshime ndodhin kur shënohen tolerancat. Vlera shprehet në
pikofaradet.
Ngjyra unaza e unaza e dytë unaza e tretë Toleranca
parë (factor) në
(Numri 1) (Numri 2)
Zi 0 1
Kafe 1 1 10 1%
Kuq 2 2 102 1%
Portokalltë 3 3 103
Verdh(sari) 4 4 104
Gjelbër 5 5 105 0,5%
Kaltër(blu) 6 6 106
Vjollcë 7 7 107
Hiri (gri) 8 8 108
Bardh 9 9 109
Ari - X0,1 ± 10%
Argjend - X0,01 ± 5%
Pa ngjyrë - - ± 20%
. Shënimi me ngjyra i
kondensatorëve
Shembuj:Vlera e markimit Vlerat e Kondensatorit
Identifikimi i induktiviteteve-Bobinave
Një bobine(mbështjell, spirale) është një komponent

elektronik që ka rezistenca reaktive në proporcion të
drejtë me frekuencën e sinjalit të dhënë në atë
komponent. Koeficienti i proporcionalitetit ndërmjet
rezistencës dhe frekuenca paraqet induktivitetin L
të asaj bobine.
induktivitet
mbështjellje mbështjellje me mbështjellje me
me bërthamë bërthamë feriti induktivitet të
ndyshuesh[m
Lloje të ndryshme mbështjelljesh pa
bërtham
Induktivitet i Lloje të ndryshme
mbështjelljesh
Bobinat e stampuara
Shënimi i induktiviteteve
Bobina pa bërthamë
Induktiviteti mbështjellje të gjatë njështresore

cilindrike
 një spirale ku gjatësia e l është të paktën 10 herë
më i madh se diametri i tij
Mduli:Teknologji e prodhimit_2
Ars. Ismail Dashi
TRANSFORMATORËT
Një transformator është një pajisje elektrike statike që

energjia elektrike nga një ose më shumë qarqe të rryma
alternative që furnizojnë mbështjelljet kryesore të
transformatorittransmetohet në një ose më shumë qarqe
alternative mbështjelljet në sekondar e transformatorit me
vlera të modifikuara të intenzitetit të rrymës dhe tensionit,
me frekuencë tëpandryshuar.
TRANSFORMATORËT-Simbolet
mbështjellje Kur
mbështjellje me theksohet
me bërthamë bërthamë AC/AC
hekuri feriti Rrallë përdoret
transfor
pa bërthamë mimi
Dukja e jashme transformatorve
Fotorezistori-LDR
Fotorezistorët janë rezistorë të varur nga drita LDR
- Light Dependent Resistor).
• Rezistenca e tij varet nga intensiteti i dritës rënse
mbi të.
- Nën kushte të errësirës, rezistenca është mjaft e lartë
(M Ω : quajtur rezistenca e erësirës).
- Nën kushte të ndritshme, rezistenca është vogël (disa
qindra Ω).
• Koha përgjigjjes
- Kur një fotoresistorë është i ekspozuar në dritë, ai
merr pak milisekonda, para se ai ul rezistencën e tij.
- Kur një fotoresistorit i heqjet e drita, ai mund të marrë
disa sekonda për t'u kthyer në rezistencën e tij të errët
Fotorezistori-LDR
fig() shembull dhe simboli I rezistor[ve LDR

Fotorezistori-LDR
Diagrami i ndjeshmërisësë Skema elektrike e Dritëmatësit
fotorezistorit
Fotorezistorët zbatohen në instrumente të thjeshta

për matjen e ndriçimit, të ashtuquajturit dritëmatës
(figura ), dhe si detektorë të dritës në alarme të
ndryshme dhe pajisje komanduese
Diodat optike - fotodioda
Fotodioda punon në regjimin e inverz , Iλ- rrymë
e inverse
Komponenti ka një hapje përmes së cilës drita
bie në shtresen pn
 Kur shtresa pn ekspozohet ndaj dritës, rryma
e kundërt rritet proporcionalisht
rritja e intensitetit të dritës
Rryma e errësirës
Struktura atomike e materies
• Çdo gjë është e ndërtur prej atomeve

• Ekzistojnë 118 elemente, një atom është një pjesë e
vetme e një elementi
• Atom përbëhet prej electroneve, protoneve, dhe
neutro.neve
Modeli Niels Bohr, në vitin 1913.
Modeli planetar
Materialet Elektronike
• Qëllimi i materialeve elektronike është të
gjenerojnë dhe kontrollojnë rrjedhën e një
rryme elektrike.
• Materialet elektronike përfshijnë:
1. Përçuesit: kanë rezistencë të vogël që lejon
rrjedhjen e rrymës elektrike
2. zolatorët: kanë rezistencë të lartë e cila
ndrydh rrjedhjen e rrymës elektrike
3. Gjysmëpërçuesit: mund të lejojnë ose të
shtypin rrjedhën e rrymës elektrike
A presentation of eSyst.org
Struktura atomike e përcjellësit
• Struktura atomike e
përcjellësve të mirë
zakonisht përfshin vetëm
një elektron në shtresën e
jashtme të tyre.
– Quhet elektron valence.
– Ai hiqet lehtësisht nga atomi,
duke prodhuar rrjedhën e
rrymës.
Copper
Atom
Izolatorët
Izolatorët kanë një rezistencë të lartë kështu që
rryma nuk rrjedh në to.
Izolatorët e mirë përfshijnë:
-Qelqi, qeramika, plastika dhe druri
Shumica e izolatorëve janë komponime të disa
elementeve.
Atomet janë të lidhur fortë me njëri-tjetrin,
kështu që elektronet janë të vështira për t'u
hequr për rrjedhën e rrymës.
Gjysmëpërçuesit
• Gjysmëpërçuesit janë materiale që në thelb mund

të jenë kushtëzuar për të vepruar si përçues të mirë
ose izolatorëve të mirë, apo diçka në mes tyre.
• elemente të ngjashme si karboni, silici, dhe
germanium janë gjysmëpërçues.
• Siliciumi është gjysmëpërçues më i mirë dhe
përdorshmi.
Orbita e valencës gjysmëpërçuese
• Karakteristika kryesore
e një elementi
gjysmëpërçues është se
ka katër elektrone në
orbitë të jashtme ose 4
elektrone valencë
Modeli i Bohrit
Modeli i Bohrit a)Ge, b)Si

Struktura e rrjetës kristalore
• Aftësia unike e atomeve
gjysmëpërçues është
aftësia e tyre për të
lidhur së bashku për të
formuar një strukturë
fizike të quajtur një rrjetë
kristalore.
• Atomet të lidhur së
bashku me njëri-tjetrin
ndajnë elektronet e tyre 2D Crystal Lattice
të jashtme. Structure
lidhjet e tilla quhen lidhje
kovalente.
Struktura e rrjetës kristalore 3D
Gjysmëpërcjellësit mund të jenë Izolator
• Nëse materiali është material gjysmëpërçues i pastër si silici,

struktura kristalore grilë formon një izolant të shkëlqyer pasi që
të gjitha atomet janë të lidhur me njëri-tjetrin dhe nuk janë të
lirë për të përçuar rrymën
• Një gjysmëpërçues i pastër(nuk përmban atome të materialeve
tjera në kristal) është izolator i mirë dhe quhet intrinsik
(intrinsic)
• Kështu i paraqitur, kristali i silicit ose
germaniumit është izolator ideal, në të nuk ka elektrone të lira
• Pasi që elektronet e jashtme valencë të çdo atomi janë të lidhur
fortë së bashku me njëri-tjetrin, elektronet është vështirë për të
zhvendosur për të rrjedh rryma.
• Silicon në këtë formë është një izolator i madh.
• material gjysmëpërçues shpesh përdoruret si një izolator.
Doping-u
• Për ti bërë gjysmëpërcjellësit ta përçojnë

elektricitetin, duhet u shtuar atome të tjera të
quajtura papastërti.
• “Papastërtitë ” janë elemente të tjerë.
• Ky proces quhet doping.
Gjysem percjellesit mund te jene percjelles
• Një papastërti, ose

element si arsenik, ka 5
elektrone valencë.
• Shtimi arsenik (dopingu) do
të lejojë katër nga
elektronet valencë
arsenikut të lidhne me
atomet fqinje siliciumit.
• elektronet embetura për
çdo atom arsenikut janë në
dispozicion për të përcjell e
rrjedhjen rrymës.
Efektet i Dopingut në Rezistencë
• Në qoftë se ju përdorni shumë atomeve
arsenikut për doping, këtu do të ketë plotë
elektrone shtesë dhe rezistenca e materialit do
të jetë e ulët, dhe rryma do të rrjedhë lirshëm.
• Në qoftë se ju përdorni vetëm disa atome borit,
këtu do të ketë më pak elektronet të lira kështu
që rezistenca do të jenë më larta dhe më pak të
do të rrjedh rrymë.
• Duke kontrolluar sasinë doping-ut, praktikisht
mund të arrihet çdo rezistenca.
A presentation of eSyst.org
Një mënyrë tjetër për të dopuar
.
• Ju gjithashtu mund fusni
(doping) një material
gjysmëpërçues me një atom të
tilla si bor, që ka vetëm 3
elektronet valencë.
• Të 3 elektronet në orbitën e
jashtme do të formojnë lidhje
kovalente me atomet e tij
gjysmëpërçues fqinje si më
parë. Por një elektron mungon
nga lidhja.
• Ky vend ku një elektron i
katërt duhet të jetë njihet si
vrimë.
• Vrima paraqet ngarkes pozitive
kështu që mund të tërheqë
elektrone nga ndonjë burim
tjetër.
• Vrimat bëhen një lloj i bartësit
aktual si elektronet në
mbështetje rrjedhës së rrymës
• .
Llojet e materialeve gjysmëpërçuese
– Silici i stimuluar(dopiruar) me elektrone shtesë

quhet gjysmëpërçues "tip N".
• “N“ është për negative, që është ngarkesa për një elektron.
– Silicon stimuluar me materiale që mungojnë
elektronet prodhojnë vende të quajtura vrima
quhen gjysmëpërçues " tipit P "
• “P” është për positive, e cila është ngarkesa vrimes.
Rrjedha e rrymës në gjysmëpërçuesit e tipit N
• Burimi i tensionit DC ka një
terminal pozitiv që tërheq
elektronet e lira në
gjysmëpërçues dhe i tërheq
ata larg nga atomet e tyre
duke e lënë atomet të
ngarkuar pozitivisht.
• Elektronet nga terminali
negativ të furnizimit të hyjë
në materiale gjysmëpërçues
dhe janë tërhequr nga
ngarkesat pozitive të atomeve
që kanë të humbur një nga
elektronet e tyre.
• Rryma (electronet) rrjedhin
nga terminali positivë në
terminalin negative.
Rrjedha e rrymës në gjysmëpërçuesit e tipit P
• Elektronet nga terminali
negativë furnizimit tërhiqen
nga vrimat pozitive dhe
mbushin ato.
• Terminali pozitiv i furnizimit
tërheq elektronet nga vrimat
duke I lënë vrima për të
tërhequr më shumë
elektrone.
• Rryma (elektronet) rrjedhin
nga negative terminal në
positive terminal.
• Brenda gjysmëpërçues në
fakt rrjedha e rrymës është
lëvizja e vrimave nga poli
pozitive në pol negativë.
Në përmbledhje
 Në gjendjen e tij të pastër, materiali gjysmëpërçues
është një izolant i shkëlqyer.
 Materiali gjysmëpërçues i përdorur zakonisht është
silikoni.
 Materialet gjysmëpërçuese mund të dopohen me atome
të tjera për të shtuar ose zbritur elektrone.
 Një material gjysmëpërçues i tipit N ka elektrone shtesë.
 Një material gjysmëpërçues i tipit P ka mungesë
elektronesh me boshllëqe të quajtura vrima.
 Sa më i madh të jetë dopingu, aq më e madhe është
përçueshmëria ose aq më e ulët është rezistenca.
 Duke kontrolluar dopingun e silikonit, materiali
gjysmëpërçues mund të bëhet aq përçues sipas
dëshirës.
Kalimi (bashkimi) PN
Kalimi -PN i përbërë nga dy Shpërndarja e densitetit të ngarkesave.
kristale në momentin e krijimit.
Në vendin e kalimit- bashkimit

të gjysmëpërçuesve P dhe N
krijohet zonë e pengesës, e
boshatisur nga elektronet dhe
vrimat e lira, barriera
potenciale dhe fushë e
brendshme elektrike.
Kalimi –PN në fushën e jashtme
elektrike
Kalimi PN i polarizuar në Kalimi PN i polarizuar në
drejtim përçues drejtimin jo përçues.
MBAJ MEND!!!
• Në vendin e kalimit- bashkimit të gjysmëpërçuesve P
dhe N krijohet zonë e pengesës, eboshatisur nga
elektronet dhe vrimat e lira, barriera potenciale dhe
fushë e brendshme elektrike.
• Kalimi PN i polarizuar direkt-drejtë fitohet me kyçje të
polit pozitiv të burimit në llojin P, kurse poli negativ në
llojin N dhe ai përçon rrymë.
• Kalim PN me polarizim të kundërt- invers fitohet me
kyçje të polit pozitiv të burimit të furnizimit në N, kurse
poli negativ në llojin P dhe ai nuk përçon rrymë.
Në kalimin me polarizim të kundërt rrjedh vetëm rryma
e bartësve dytësor, ajo është rryma inverse – e kundërt
e kalimit.
Diodat gjysmëpërçuese
Karakteristika statike/1
Karakteristika e diodës së Karakteristika e diodës së
polarizuar në drejtim përçues polarizuar në drejtim jo përçues
1(0-A)- 4(0-D)-është identike me zonën numër 1,

2(A-B) procesit të detektimit 5(D-E) rryma inverse i afrohet një vlere
për Geështë 0,3V, kurse për konstante, e quajtur rrymë inverse e ngopjes.
Si 0,7V 6(E-F)-për rritje tëvogël të tensionit të kundërt,
3(B-C)-zonë të rrymave të rryma inverse rritet shumë.
mëdha 7-Fillon shpimi i kalimit PN të diodës,
Shpimi i kalimit të diodës
Efekti ortek Efekti tunel ose zener
Efekti ortek ndodh në kalime me gjerësi Efekti tunel ose zener mund të
më të mëdha të shtresës së kontaktit. Në paraqitet edhe në dioda me një
tensione të larta të kundërta në shtresën gjerësi të vogël të kalimit të
e kontaktit krijohet fushë e fortë elektrike, barrierave dhe koncentrik të madh të
e cila elektroneve që lëvizin nëpër këtë primesave kimike. Me rritjen e
shtresë u jep energji të madhe kinetike tensionit të kundërt në kalim të tillë
dhe nxitim. Kur kjo energji arrin një kufi të mbi vlerën e tensionit të kundërt të
caktuar, vjen deri tek shkëputja e lidhjeve shpimit Up, elektronet nën ndikimin
të reja valente, numri i elektroneve të lira e fushës së krijuar I shkëpusin lidhjet
zmadhohet dhe valente, rritet numri i elektroneve të
krijohet ortek i elektroneve të lira lira dhe rryma e kundërt rritet
(ngjashëm si orteku i borës). Rryma e shumë. Zvogëlohet rezistenca e
kundërt mund të arrijë vlerë të madhe brendshme e diodës dhe ai nuk lejon
dhe të vijë deri te shpimi i diodës. Që të rritjen e mëtejshme të tensionit të
mos vijë deri te dëmtimi, për secilin lloj të kundërt. Ka ardhur deri te shpimi i
diodësprodhuesi e jep tensionin e kundërt kalimit, por jo edhe shkatërrimi i tij.
të shpimit (Up) i cili nuk duhet të Tensioni i kundërt ngelet injëjtë
tejkalohet.
Shpimi i kalimit të diodës
Karakteristikat e diodës Karakteristikat ediodës

ideale pjesërisht lineare.
Matja e tensionit në një diode pa matësin për diode
"Kontrollues të diodës“ siliciumit:
(a) skema elektrike. (b) Diagrami piktoresk.
Dioda Zener
• Dioda zener ka një përqindje të
Karakteristika rrymë-tension e diodës zener shtuar të primesave kimike, si në
zonën N ashtu edhe në zonën P.
Me atë është përmirësuar
karakteristika e saj rrymë-tension
në fushën e tensionit të kundërt
ku edhe është zona e punës.
Përmirësimi vërehet në
pjerrtësinë në rritje në pjesën e
karakteristikës dhe kthesën më të
ashpër pas pikës së tensionit të
shpimit
Tensioni zener në brezin nga 3,3V deri 75V; oleranca e tensionit të specifikuar, i
cili mund të jetë 5% ose 10%, por në dispozicion janë edhe toleranca më precize
siç është 0,05% për qëllime të veçanta; fuqia e diodës, e cila mund të jenë ¼, ½,
1, 5, 10 dhe 50W. Diodat zener përdoren në stabilizator të tensionit, si
burime të tensionit referent dhe në kufizuesit e tensionit.
Dioda Shotki
Simboli idiodës Shotki Karakteristika rrymë-tension idiodës
Shotki
Në diodat impulsive ose komutuese, të destinuara për

operacione të tilla, aplikohen procedura teknologjike të shtimit të
primesave të arit në pllakën e silicit të diodës, me qëllim që të
ndalohet krijimi i përqendrimit të madh të bartësve sekondarë.
Sipas kohës së komutimit, diodat impulsive ndahen në
mikrosekondare (tr>0,1 Ps) dhe nanosekondare (tr<0,1 Ps)
Dioda tunel
• Diodat tunel prodhohen nga Karakteristika rrymë-tension dhe
germaniumi me një përqendrim simbol elektrik i diodës tunel.
të madh të papastërtive
primesave.Gjerësia e zonës së
barrierës në kalimin PN në
diodën tunel është
proporcionalisht e kundërt me
përqendrimin e bartësve të lirë,
kështu që diodat tunel, për shkak
të përqindjes së rritur të
primesave, kanë një gjerësi Diodat tunel përdoren në qarqet
shumë të vogël të zonës komutuese dhe qarqet
• P jesa e karakteristike nga pika A përforcuese, dhe më shpesh në
në pikën B është quhet ,,zona e
përçueshmërisë negative", sepse oshilatorët. Dioda tunel është
me rritjen e tensionit në skajet e diodë me shpejtësi të madhe
diodës zvolet rryma nëpër të. dhe ka zbatim
nëmpërforcuesit në sferën e
mikrovalëve
Diodat optike - fotodioda
Fotodioda punon në regjimin e inverz , Iλ- rrymë
e inverse
Komponenti ka një hapje përmes së cilës drita
bie në shtresen pn
 Kur shtresa pn ekspozohet ndaj dritës, rryma
e kundërt rritet proporcionalisht
rritja e intensitetit të dritës
Rryma e errësirës
Ars. Ismail Dashi
Optoçiftuesi
Optoçiftuesi(ang.optoisolator)n
ë të njëjtën shtëpizë dioda
dritëdhënse dhe fotodetektori të
lidhur optikishtë
Për shkaktë ndërlidhjes optike
emri
tjetërndëlidhësoptikë(optocople
r).
Optoizolatori mundëson izolimin
elektrik të plotë ndërmjet hyrjes
dhe daljes
Fototransistor, optokupler dhe

ndërpresi optik (nga e majta në të
Celula diellore
Element gjysmëpërçues për konverzion të
fototensionit rrezatimi i energjisë së
diellit shëndrohet në energji elektrike
Rrezatimi i diellit gjeneron në diodën pn çifte të
bartësve bartësit i ndan fusha elektrike në
shtresën e varfruar në teminalet e diodës
fototensionburim njëkahor I tensionit.
Krakteristike e qelis diellore i përgjigjet diodës
në kuadratin e katërt
Më së shpesht janë prej siliciumit amorf(a-Si)
Ars. Ismail Dashi
Celula diellore
Skema e mbushsit të qelizave diellore
Ars. Ismail Dashi
Testimi i diodes gjysmëpërçuse
Fig() testimi I diodes Fig() testimi I diodes

gjysmëpërçuse me gjysmëpërçuse me
instrument analog instrument digjita;
Diodë Zener
 Një diodë zener është një bashkim Si pn
që është projektuar për të funksionuar në
Zonen e kundërt te shpimit
 Tensioni i shpimit është përcaktuar me
shumë kujdes dhe saktësi në gjatë
procesit të prodhimit
 Kur dioda hyn në rajonin e së kundërt te
shpimit , tensioni mbetet pothuajse
konstante ndërsa rryma ndryshon
Diodë Zener
Diodë Zener
Ars. Ismail Dashi
LED (Light Emitted Diode)
Dioda është e polarizuar drejtpërdrejt

 Elektronet nga rajoni n rikombinohen në rajonin
p dhe në për këtë ata lëshojnë energji në formën
e nxehtësisë ose dritës
 Sipërfaqja e madhe e komponentit lejon
emetimin e fotoneve si dritë e dukshme, një
process i njohur si elektrolumineshencë
 Shtohen papastërti të ndryshme gjysmëpërçues
në mënyrë që të perfitohen dritë me e gjatësisë
valore të dëshiruar
 Gjatësia e valës përcakton ngjyrën të dritës, si
dhe nëse është dritë në pjesën e dukshme të
spektrit ose se bëhet fjalë për IR
LED (Light Emitted Diode)/1
LED i parë i kuq duke përdorur GaAsP në GaAs, dhe
efikasiteti është rritur duke përdorur një substrat GaP, u
përftuan një LED me drite kuqe dhe një LED portokalli
 Më vonë është marrë LED jeshile (GaP) dhe e verdhë.
 GaAlAsP – e kuqe, e verdhë dhe jeshile
 InGaAlP – e kuqe, portokalli, e verdhë dhe jeshile
 Tensionet direkte janë dukshëm më të larta se ato të
diodave Si (1.2V-3-2V)
 Tensionet einverze janë shumë më të ulëta, zakonisht
3V-10V
Ars. Ismail Dashi
LED (Light Emitted Diode)/2
Aplikimi – displej LED me 7 segmente
Ars. Ismail Dashi
LED-i
,, dioda laser
LCD-liquid-crystal display
Transistorët
• Transistori dypolar (npn dhe pnp)
• Transistori njëpolar (FET-i, IGFET-i, MOSFET-i)
• Tiristori dhe triaku
Transistorët
Elementi gjysmëpërçues me dy kalime PN dhe tre
elektroda paraqet transistor. Emri transistor rrjedh nga
fjalët angleze TRANSfer resISTOR, që do të rezistencë
bartëse, ose më saktë, rezistencë që mundet të
menaxhohet
Tranzistori bipolar
Një tranzistor bipolar është një komponent me tre
elektroda, i cili ka një veti përforcuese në kuptimin
që ndryshime të vogla në sinjal ndërmjet
elektrodës të hyrjes dhe elektrodës së referencës,
çojnë në një ndryshim të madh të sinjalit ndërmjet
elektrodave të daljes dhe referencës. Emrat e
elektrodave janë E – emiter, B – bazë, C –
kolektor. Dy Llojet e tranzistorit janë PNP (EBC)
dhe NPN (EBC) Fig() simbolet
tranzistorve
bipolarnih
NPN dhe PNP
Testimi i tranzistorit bipolar me
ometer
Transistori NPN
Struktura dhe shenja skematike Paraqitja grafike e transistorit NPN.
e transistorit NPN.
Transistori NPN
1.P1 mbyllur, P2  hapur, burimi UC formon fushë të jashtme

EC, e orientuar nga kolektori drejt emiterit. Drejtimi i saj
përputhet me drejtimin e fushës së brendshme E2, dhe efekti i
tij është për të rritur veprimin e fushës E2, zgjerohet zona e
barrierës në kalimin e kolektorit dhe rryma IC nuk mund të
rrjedhë.
2. P2-- mbyllim ndërprerësin P2. Burimi UB krijon fushë të
jashtme Eb në mes të bazës dhe emiterit, e orientuar nga baza
drejt emiterit. Për vlera të madhe të mjaftueshme të tensionit të
burimit, fusha e jashtme Eb i kundërvihet fushës së brendshme
E1 dhe e bën kalimin e emiterin me polarizim të drejtë.
Elektronet e lira në një numër të madh lëvizin nga zona e emiterit
përmes kalimit të emiterit dhe futen në zonën e bazës.
Transistori NPN
Por, pasi që zona e bazës është shumë e vogël dhe ka numër të vogël
të vrimave, mundësia e rikombinimit të elektronevedhe vrimave është
shumë e vogël. Vetëm ata elektrone që rikombinohen me vrimat
marrin pjesë në formimin e rrymës së bazës IB. Numri i mbetur i
elektroneve nuk mund të drejtohet për në kalimin e bazës, ata përmes
rrugës së difuzionit vendosen në kufirin e zonës së pengesës mes
bazës dhe kolektorit. Këtu, ata bien nën ndikimin e fushës EC dhe E2,
e kalojnë kalimin e kolektorit dhe kalojnë në zonën e kolektorit Si
rezultat, në qarkun emiter kolektor do të kaloj rryma IC. Intensiteti i
asaj rryme do të varet nga numri i elektroneve të lira të cilët kanë
kaluar përmes kalimit të emiterit, gjegjësisht nga shkalla e polarizimit
të kalimit të emiterit.
Do me thënë, tek transistori NPN do të rrjedh rryma mes emiterit dhe

kolektorit, vetëm nëse rrjedh rrymë në qarkun emiter baze, kurse kjo
ndodh kur kolektori është me potencial më të lart se potenciali i bazës
ndaj emiterit. .
Transistori NPN Nga figura, fitohet një pasqyrë më
e qartë e procesit të formimit të
rrymës së kolektorit IC. Gjerësia e
Shpërndarja fizike e zonave bazës midis emiterit dhe kolektorit
gjysmëpërçuese të për disa lloje të transistorëve
transistorit NPN është deri në 50 μ m, kurse vetë
kalimi mes gjysmëpërçuesve P dhe
N është rreth 1 μm. Sipërfaqja e
kalimeve bazë-kolektor dhe bazë-
emiter nuk janë të njëjta.
Sipërfaqja e kalimit të kolektorit
është tre herë më e madhe se
sipërfaqja e kalimit të emiterit. Kjo
është e nevojshme që të mund
kolektori të mbledhë të gjitha
elektronet që vijnë nga emiteri.
Transistori PNP
Struktura dhe shenja skematike Paraqitja grafike e transistorit PNP.
e transistorit PNP.
Transistori PNP
1. Me mbylljen e ndërprerësit P1, në brendësi të
transistorit formohet fushë EC me veprimin e Paraqitja grafike e transistorit PNP.
burimitUC. Kjo fushë është e drejtuar nga
emiteri drejt kolektorit dhe e ndihmon
veprimin e fushës E2, me çka rritet barriera
potenciale dhe zgjerohet zona e pengimit në
mes të bazës dhe kolektorit dhe transistori
mbetet i bllokuar.
2. Me mbylljen e ndërprerësit P2, kalimi i
emiterit polarizohet drejtë. Kalimi i barrierës
i kalimit të emiterit ngushtohet dhe
eliminohet, numër i madh i vrimave futen në
zonën e bazës. Përmes rrugës së difuzionit
lëvizin drejt skajit të zonës së barrierës të
kalimit të kolektorit, ku bien nën ndikimin e
fushës rezultante EC dhe E2, e kalojnë zonën
e barrierës dhe drejtohen kah kolektori dhe
lidhja e tij metalike, ku tërheqin elektrone
nga burimi UC përmes përçuesit që është i
lidhur me kolektorin.
Transistori NPN/PNP
VDD VDD
12.0V 12.0V
R4 XMM1 R8 XMM2
22kΩ 16kΩ
R2 R6
36kΩ 18kΩ
Q1 Q2
R1 R5
18kΩ R3 36kΩ R7
16kΩ 22kΩ
Tranzistori bipolar
Karakteristikat më të rëndësishme të transistorëve
që duhet të dihen kur përdoren janë:
forma dhe dimensionet e shtëpizës
grafiku i lidhjeve(terminaleve)
faktori i përforcimit të rrymës hfe
diapazoni i frekuencës së punës
vlerat maksimale të lejuara të rrymës
vlerat maksimale të lejuara të tensionit
konsumi(disipacioni) i energjisë
temperaturat e punës
Etiketimi i transistorëve bipolarë:
a) SHENJAT EVROPIANE:
SHKRONJA E PARË TREGON
GJYSMËPËRÇUESIN:
o A – germanium,
o B – silic.
SHKRONJA E DYTË TREGON QËLLIMIN E
TRANZISTORIT:
o C – frekuencë e ulët (BC547),
o D – i fuqishëm me frekuencë të ulët (BD139),
o F – frekuencë e lartë (BF199, BFQ57),
o U – tension i lartë (BU208),
o Ndërprerës S (BSY54, BCX57).
SHKRONJA E TRETË NUK ËSHTË
STANDARDIZUAR.
b) SHENJAT AMERIKANE:
2N... – transistorë (2N3055),
1N... – dioda (1N4007).
c) JAPONI:
2SA..., 2SB... – PNP – transistorë (2SA850),
2SC..., 2SD... – NPN – transistorë
(2SC2001).
d) SHUMË SHTETE KANE SHENJAT E TYRE.
Fih() Shembuj të së transistorëve bipolarë

Transistori njëpolar
(FET-i, IGFET-i, MOSFET-i)
1920 - 1930 transistorë me efekt fushe ose FET

(Field Effect Tranzitor)
• 1952 fizikani amerikan Uilliam Shokli (William
Shockley) prezanton FET të bashkuar (JFET –
Junction Field Effect),
• Ekzistojnë dy lloje të transistorëve unipolar:
FET me kalim (JFET) dhe
MOSFET (Metal -Oxide – Semiconductor FET
Transistorët unipolarë
Transistorët unipolarë quhen transistorë me
efekt të fushës (FET - field effect transistor). Për
kontrollin e tyren nuk perdor rryme si ne rastin e
tranzistorit bipolar, por tension dhe behet me ane
te nje fushe elektrike që ndikon në rrymë
përmes kanalit përçues. Bartësit të ngarkesës
lëvizëse janë ose elektrone ose vrima. Edhe pse
janë transistorët e parë janë bërë nga
germanium, kristalet e silikonit përdoren
kryesisht për shkak të vetive të tyre më të mira
siliciumit në temperatura të larta.
Llojet e transistorëve unipolarë:
Transistor unipolar ose shkurt FET (engl.
Junction field-effect transistor)
ME PORTË TË IZOLUAR (portë) ose të
shkurtesa IGFET (engl. Insulated gate FET), ose
Shkurtesa MOSFET (metal oxide semiconductor
FET)
Duke marrë parasysh llojin e gjysmëpërçuesit, të
dy llojet mund të jenë n-kanal ose p-kanal.
Përveçse në transistorët MOSFET me kanal N
ose P mund të ndahenë në lloj të pasuruar .
Transistorët unipolarë kanë tre lidhje:
G (gate -porta) Elektroda e kontrollit
nëpërmjet tensionit UGS (VGS)
S (source -burimi – hyrje)
D (drain -).
Struktura dhe parimi i funksionimit të FET-it
Struktura e FET-it është e
përbërë nga Këto dy zona mes veti janë
një pllakë e hollë – baza me të lidhura përmes lidhjeve
seksion kënddrejtë nga metalike dhe paraqesin
gjysmëpërçuesi i silicit i llojit elektrodë hyrëse, të quajtur
N ose P. Në të dy sipërfaqet Gate-( gejt-portë) (G).
e kundërta (në figurë në të
kundërt sipas vertikales) të Në skajet e kundërta të
bazës është vendosur bazës janë të vendosura
gjysmëpërçuesi, i kundërt lidhjet metalike të Drain-
nga ai prej të cilës është (drejn-derdhjes) (D)
ndërtuar baza dhe dhe Source-(sorsit-
formohen dy kalime PN. burimit) (B). Pjesa e
ngushtë e pllakës mes
burimit dhe derdhjes
quhet kanal
Kur nuk ka tension në mes të burimit dhe gejtit, ose kur gejti është i lidhur
shkurt me burimin, kanali është rrugë e hapur për elektronet që të rrjedhin
nga burimi në drejtim të drejnit nën ndikim e burimit UD. Intensiteti i rrymës
së drejnit ID atëherë varet vetëm nga burimi i tensionit UD dhe rezistenca e
Me kyçjen e tensioni ndërmjet sursit
dhe drejnit UDS>0(UG=0) bartësit
shumicë(elektronet) lëvizin nëpër
kanal rryma rrjedh nëpër
kanal(rrezistencë omike)
Në lidhjen pn ndërmjet gejtit p dhe
kanalit n paraqitet zona e varfrimit
-
-me Kyçja e tensionit ndërmjet GS UGS është e mundur të ndryshohet zona e

varfrimit
- Nëse UGS është i till që polarizon jo drejt kalimin PNzgjerimi I barierës(zona e
varfruar) në llogari të dopiringut të dobët të kanalit nkanali përçues
zvoglohetrritet rezistenca e kanalit bie rryma e bartësve shumic në drejn
Në varësi të llojit të Nëse tërheqim paralele me
gjysmëpërçuesit të transistorin bipolar,
bazës, dallojmë FET të elektroda e gejtit-portës
llojit N, me GB ,
gjysmëpërçues-N të soursit-burimit SE me
bazës dhe FET të llojit P emiterin, kurse DC.
me lloj P, gjysmëpërçues Burimi i tensionit të
të pllakës. Simbolet vazhduar UG,
grafike të dy llojeve të i lidhur mes gejtit dhe
FET-ve jepet në fig burimit, i polarizon invers të
Parimi i funksionimit të FET-it N dhe i dy kalimet PN të gejtit dhe
FET-it P është i njëjtë, vetëm se të kanalit. Burimi UD e
tensionet e elektrodave janë polarizon drejnin në atë
me polaritete të kundërta, kurse mënyrë që të ketë shenjë
rrymat me drejtime të kundërta të kundërt prej gejtit në
raport me burimin
Kur nuk ka tension në mes të burimit dhe gejtit, ose kur gejti
është i lidhur shkurt me burimin, kanali është rrugë e hapur për
elektronet që të rrjedhin nga burimi në drejtim të drejnit nën
ndikim e burimit UD. Intensiteti i rrymës së drejnit ID atëherë
varet vetëm nga burimi i tensionit UD dhe rezistenca e kanalit
të gjysmëpërçuesit.
Me lidhjen e burimit UG, si në fig të dy kalimet PN janë të
polarizuar invers dhe përgjatë gjerësisë së kalimeve krijohet
zona e bllokimit. Gjysmëpërçuesi në kanal është i formuar nga
një përqindje e vogël e donorëve, kurse zona e gejtit është me
një përqindje më të madhe të akceptorëve, zona e bllokimit më
tepër përhapet në rajonin e kanalit se sa në gejt. Elektronet në
kanal largohen nga kufiri i zonës së bllokimit kah mesi i kanalit.
Kanali bëhet më i ngushtuar me zgjerimin e zonës së bllokimit,
kurse si pasojë zvogëlohet përçueshmëria e tij dhe intensiteti I
rrymës së drejnit. Me ndryshimin e tensionit mes gejtit dhe
burimit UGS ndryshohet edhe intensiteti I rrymës së drejnit,
gjegjësisht rryma dalëse e transistorit
Struktura e FET-it N(animacion)
Gjerësia e kanalit nuk është e barabartë përgjatë gjithë pllakës. Kanali është
më i gjërë në afërsi të burimit, kurse më i ngushtë në afërsi të drejnit. Arsyeja
qëndron në faktin se tensioni midis gejtit dhe drejnit ka vlerë më të madhe
dhe është UD + UG, kurse duke shkuar drejt burimit bie në vlerën
UG. Në kanal ka një rritje gjatësore të tensionit ose gradient të tensionit.
Struktura e FET-it N
Struktura e vërtetë e FET-it N:Në bazën ose substratin

shtohen primesa me të cilat krijohet zona-n e kanalit me
trashësi të vogël (rreth 1 mikron), pastaj me,shtimin e
ardhshëm të primesave akceptor formohet zona-p e gejtit.
Në sipërfaqe vendosenkontakte metalike në daljet e gejtit,
burimit dhe drejnit
Struktura dhe parimi i punës
së MOSFET-it me kanal të induktuar
MOSFET-i me kanal të induktuar
Baza ose trupi është nga gjysmëpërçues i
silicit i llojit P, me numër të vogël të
primesave akceptorë me trashësi prej disa
qindra mikronësh. Me procesin teknologjik,
të quajtur tërheqje, në sipërfaqen e sipërme
të bazës formohet shtresë e hollë izoluesit
nga dioksinsilici (qelq) me trashësi prej rreth
0,1 mikron. Pa marrë parasysh trashësinë e
vogël, vetitë izoluese të dioksidsilicit janë Struktura e MOSFET-it me kanal-n
shumë të mira dhe rezistenca e këtij kalimi Në këtë mënyrë formohen dy
është e madhe. rajone të llojit-n me koncentrim të
Me procedurën e mëtejme, në sipërfaqen e madh të donorëve në thellësi prej
sipërme të bazës, të mbuluar me kalim disa mikronëve, të caktuar për
izolues, hapen dy ,,dritare,, në një distancë burimin dhe drejnin. Mbi këto zona
rreth 10 mikron dhe në to futen primesa të vendoset një shtresë e hollë prej
metali për lidhjet elektrike të burim
donorëve.
dhe drejnit
Struktura dhe parimi i punës
së MOSFET-it me kanal të induktuar/1
• Në sipërfaqen e shtresës izoluese, duke mbuluar hapësirën në
mes të burimit dhe drejnit, vendoset shtresë metalike për
daljen e gejtit. Baza, gjithashtu, ka kontaktin e saj elektrik, të
shënuar me B. Për shumicën e qarqeve digjitale, kjo dalje është
e lidhur për burimin dhe detyra e saj është të izolojë njërin
transistor nga tjetri kur janë në të njëjtin çip të silicit. Përveç
këtij lloji të tre daljeve, hasen edhe transistorë me katër dalje,
ku dalja B shërben si gejt i dytë.
• Në këtë strukturë nuk ka të ndërtuar asnjë kanal mes burimit
dhe drejnit. Në rrugën mes tyre qëndrojnë dy kalime PN, të
kthyer në drejtime të kundërta njëri kah tjetri. Njëri kalim PN
është mes burimit dhe bazës, kurse tjetri mes bazës dhe drenit
• Siç shihet nga figura e mësipëme , është formuar struktura e
kondensatorit, e përbërë nga lidhja e gejtit dhe bazës, si pllaka,
dhe shtresa e oksidit, di dielektrik
Tani do të vendosim strukturën e
figurës së kaluar në qarkun si në fig
në përpjekje për tëzhvendosur
elektronet nga burimi drejt drejnit.
Tensioni mes gejtit dhe burimit është
vendosurnë zero me lidhje të shkurtër
të gejtit dhe burimit. Në këtë gjendje
nuk ekziston mënyrë përtë rrjedhur
rryma mes drejnit dhe burimit për shkak
të ekzistimit të dy kalimeve PN, të cilët
veprojnë si dy dioda me drejtime të
kundërta të lidhura në seri. Kur drejni Sjellja e MOSFET-it me
është me potencial pozitiv në raport me kanal-n në UGS = 0
Figura 2.41: Struktura e MOSFET-it me
kanal-n burimin, mes tyre rrjedh vetëm
rryma inverse e njërit kalim PN dhe ajo
është më e vogël se 1nA. Ky lloj i
MOSFET-it është quajtur jopërçues
Megjithatë, në qoftë se vendoset
tension pozitiv I madh i mjaftueshëm në
gejt (figura ), rryma do të rrjedh në
qarkun mes drejnit dhe burimit. Asnjë
lloj rryme nuk do të rrjedh përmes
daljes së gejtit pasi që ai është totalisht
elektrikisht i izoluar nga pjesa tjetër.
Që të kuptohet se çfarë ndodh, do të
thirremi në strukturën e përshkruar më
parë të kondensatorit. Tensioni pozitiv i
vendosur në gejt do të shkaktoj
Formimi i kanalit të induktuar
mbushjen e atij
Ajo zonë pasurohet me elektrone, boshatise
kondensatori, e cila është ekuivalente
nga vrimat dhe nga
me grumbullonin e ngarkesave pozitive gjysmëpërçues i llojit P kalon në
në gejt dhe tërheqja e po ashtu aq, por gjysmëpërçues të llojit N dhe kështu formohe
me shenjë të kundërt ngarkesa elektrike kanali. Ky parim ipunës e përcakton
në pllakën kundrejt, gjegjësisht në MOSFET-in me kanal të induktuar me
zonën e bazës mes drejnit dhe burimit. procedurën e ,,pasurimit,,. Simboli elektrik i
këtij lloji MOSFET është treguar në fig (a).
• MOSFET me kanal-P është
komplement i saktë i MOSFET
me kanal-N, i cili tashmë është
analizuar. Ai formohet me futjen
e dy zonave të llojit-P në bazën
e llojit-N dhe me shtresë
izoluese okside përballë gejtit.
Simboli elektrik i tij është
treguar në figurën 2:44 (b). Të Simbolet elektrike të MOSFET me
gjitha rrymat dhetensionet janë kanal të induktuar në regjimin e pasurimit
me polaritet të kundërt në
krahasim me MOSFET me kanal-
N, kurse analiza mbetet e
pandryshuar, me atë që bartës
të ngarkesës janë vrimat
MOSFET me kanal të ndërtuar
• Struktura e këtij lloji të
MOSFET-it ndryshon me atë
që rajoni i kanalit përçues
ndërtohet me shtimin e
primesave në zonën nën gejt MOSFET me kanal të ndërtuar
gjatë kohës së ndërtimit të tij.
Kanali i lidh rajonet e burimit
dhe drejnit dhe ekziston pa
marrë parasysh se çfarë është
polarizimi i transistorit (fig).
Baza duhet të jetë
me tension ma të
ulët se emiteri për
të hapur çelësi
Baza duhet të jetë

me tension ma të
lartë se për të
hapur çelësi
Gejti duhet të jetë Gejt duhet të jetë
me tension ma të me tension ma të
lartë sursi për të ulët se sursi për të
hapur çelësi hapur çelësi
Testimi i tranzistorit bipolar me dy ometer
Testimi i tranzistorit JFET me n kanal
Transistorët unipolar-
simbolet NI multisim
TIRISTORËT
• Nëse transistori përdoret si ndërprerës, kalimi i tij nga gjendja
jopërçuese në atë përçuese lidhet me
• Kalimin rrymës e kolektorit në një vlerë më të lartë për vlera të
caktuara të rrymës bazë. Gjate kalimit në gjendjen përçuese në
tranzistor rezulton në humbje të dukshme të fuqisë që
shndërrohet në nxehtësi. Humbjet fuqia elektrike zvogëlohet
dhe shpejtësia e ndryshimit të rrymës në element rritet nëse
elementi ka karakteristikë static e rrymës-tensionit. Është një
veti e një elementi me një karakteristikë të tillë që rryma e tij
është përafërsisht rritja e tensionit deri në një vlerë të caktuar
UPR (voltazhi i ndërprerjes) shumë i vogël dhe se ai rritet
ngadalë. Pas duke e tejkaluar atë tension, rryma do të rritet
ndjeshëm. Një element i tillë ka një strukturë me katër shtresa
dhe është i njohur si një diode me katër shtresa ose dinistor.
TIRISTORËT/1
• Strukturat me katër shtresa ndahen sipas aftësive të tyre tye
kontrollit . Domethënë, nëse struktura me katër shtresa ka
vetëm dy elektroda bazë (anodë dhe katodë), përçuese dhe
jopërçuese gjendja arrihet me ndryshimin e tensionit të
furnizimit. Nëse, nga ana tjetër, struktura me katër shtresa ka
edhe elektrodën tretë, të ashtuquajturat. elektroda e kontrollit,
kalimi i strukturës nga gjendja përçuese në jopërçuese është
gjithashtu i mundur me duke përdorur rrymën e kontrollit.
Strukturat e tilla gjysmëpërçuese me katër shtresa quhen të
kontrollueshme ose tiristorët.
• Tiristorët janë komponentë elektronikë me strukturë
gjysmëpërçuese me katër shtresa dhe me elektroda e kontrollit.
Tiristori
Fig. Struktura dhe simboli Fig. Skema ekuivalente e elektrike i tiristorit.

tiristorit.
TIRISTORËT/2
•
• Vetia më e rëndësishme e tiristorit është aftësia për të
kontrolluar fuqi shumë të mëdha me konsumimin e sasive të vogla
fuqisë. Tiristorët kanë dy gjendje të qëndrueshme (përçuese dhe
jopërçuese) dhe kalimin nga një gjendje në tjetrën gjendje eshte
shume e shpejte. Ka shumë lloje të ndryshme të tiristorëve - një
gamë e gjerë elementësh gjysmëpërçues, pra ka tiristorë me dy,
tre dhe katër elektroda. Sipas drejtimit të përcjelljes së rrymës,
tiristorët ndahen në njëkahëshe dhe dykahëshe. Sipas parimit të
funksionimit, ne dallojmë tiristorët e mëposhtëm:
• tiristor me diodë me një drejtim,
• tiristor triodik kontrollues me një drejtim (SCR),
• Tiristor me diodë me dy drejtime (DIJAK) - përdoret në
konvertuesit e energjisë, PLC,
• Konvertuesit AC, etj.
• Tiristor triodik i kontrollit dydrejtues (TRIAK).
TIRISTORËT/3
Tiristorët përdoren kryesisht aty ku ka rryma dhe tensione të larta,
dhe ato përdoren më shpesh për kontrollin e rrymave AC , ku
ndryshimi i polaritetit të rrymes bën që pajisja të fiket automatikisht.
Mund të thuash po pajisja funksionon e sinkronizuar me funksionimin
e tiristorit. Tiristorët mund të përdoren si elementë kontrolli për
këndin e fazës i kontrolluesve fazor. Ato mund të gjenden edhe në
furnizimet me energji elektrike për qarqet dixhitale, ku përdoren si një
lloj çelësi i përforcuar, për të parandaluar ndërprerjet e mundshme në
furnizimin me energji elektrike që mund të shkaktojnë dëmtimi i
komponentit. Tiristorët përdoren në kombinim me një diodë Zener e
cila është e bashkangjitur elektroda e kontrollit,. Nëse voltazhi i daljes
rritet mbi nivelin e tensionit Zener, tiristori do të bëjë lidhje te
shkurtër në dalje. Ky lloj mbrojtjeje qarku njihet si levë dhe ka një
avantazh marrëdhëniesh te çelsat dhe siguresat standarde sepse
krijon përçueshmëri të lartë drejt potencialit negativ (tokë) e cila
kullon shpejt energjinë/tensionin e tepërt.
TIRISTORËT
• Fig simbolet e tiristorvr ye ndryshem
• Figura 5.8.3 – 2 Versione të tiristorëve të ndryshëm

Dinistori
Shtresat gjysmëpërçuese
nuk janë të të njëjtës
gjerësi dhe përqendrim të
primesave. Gjerësi më të
madhe ka shtresa N1,
kurse përqendrim më të
madh të primesave kanë
shtresat në skaje P1 dhe
N2.
Struktura e skemës ekuivalente të dinistorit
Shembull:Tiristori
J1 V1
Key = Space
12V
X1
D1
BT150_500R
12V
U1
+ -
0.279n V
R1 J2
Key = Space
180kΩ
Kapitulli 2: Karakteristikat rrymë-tension të diodave dhe të transistorëve.
Amplifikimi i transistorit (16 orë)
• Karakteristika rrymë-tension e diodës

• Karakteristikat rrymë-tension të transistorit dypolar (npn, pnp)
• Karakteristikat rrymë-tension të transistorit njëpolar (FET, MOSFET)
• Karakteristikat rrymë-tension të tiristorit
• Karakteristikat rrymë-tension të triakut
• Dioda si rrymëdrejtues
• Lidhja e Grecit
• Transistori si amplifikator
• Drejtëza e punës dhe pika e punës e diodës
• Drejtëza e punës dhe pika e punës e transistorit
• Ushtrim laboratorik (nxjerrja e karakteristikave të punës të diodës
dhe të transistorit)
Karakteristika rrymë-tension e diodës
Karakteristika rrymë-tension e diodës
Karakteristika statike e diodës (figura) më së miri e përshkruan situatën
gjatë polarizimit të drejtë dhe të kundërt të diodës. Ajo është karakteristika
rrymë-tension e cila e paraqet varësinë e rrymës së diodës nga tensioni i
vazhduar në skajet e tij, gjatë një temperature konstante të ambientit.
Karakteristika e diodës së Karakteristika e diodës së
polarizuar në drejtim përçues polarizuar në drejtim jo përçues
1(0-A)- 4(0-D)-është identike me zonën numër 1,

2(A-B) procesit të detektimit 5(D-E) rryma inverse i afrohet një vlere
për Geështë 0,3V, kurse për konstante, e quajtur rrymë inverse e ngopjes.
Si 0,7V 6(E-F)-për rritje tëvogël të tensionit të kundërt,
3(B-C)-zonë të rrymave të rryma inverse rritet shumë.
mëdha 7-Fillon shpimi i kalimit PN të diodës,
Matja e karakteristikës I(U) te diodat gjysmëpërçuese
Dijagrami :Shpërndarja Dijagrami: Shpërndarja

lineare e rrymës logaritmike e rrymës
Fig(). Varësia e rrymës nga tensioni i diodës

Karakteristikat rrymë-tension të
transistorit dypolar (npn, pnp)
Karakteristikat rrymë-tension të transistorit dypolar (npn, pnp)
Karakteristika dalëse
Karakteristika e parë matet ashtu që me

potenciometrin P2 rregullohet rryma IB të jetë
0,kurse me potenciometrin P1 ndryshohet
tensioni UCE me hapa nga 1V, duke filluar nga 0
deri në 10V dhe
për çdo hap shënohet vlera e rrymës IC, gjatë
së cilët kujdesemi që rryma IB të mos
ndryshohet. Rezultatet e fituara vendosen në
sistemin koordinativ IC – UCE dhe me
bashkimin e pikave fitohet lakorja IC=f(UCE) për
IB=0.Pastaj vjen regjistrimi i lakores tjetër, ashtu
që me P2 rregullohet të fitohet rrymë IB prej
10mA, kurse e gjithë procedura përsëritet si më
parë. Me ndryshim të mëtejshëm të rrymës IB
në vlerat 20, 40, 60, 80, 100,120 dhe 140 􀁐 A
fitohen të gjitha lakoret tjera të diagramit.
IC=f(IB) për UCE=const
IB=f(UBE) për UCE=const
Karakteristika e transmetimit .
Karakteristika hyrëse.
Tensioni UCE përshtatet me potenciometrin

P1 në një vlerë, për shembull 1V, pastaj tensioni bazë – emiter rregullohet me
me P2 ndryshohet rryma e bazës me hapa potenciometrin P2, kurse tensioni UCE me
nga 20 μA dhe në miliampermetër lexohen potenciometrin P1. Me ndryshimin e
vlerat e rrymës së kolektorit. Gjatë kësaj, tensionit UBE ndryshon rryma, me çka
merret parasysh që vlera e tensionit UCE të duhet të kujdesemi që tensioni UCE të ketë
mos ndryshohet. vlerë të njëjtë. Matja e ardhshme bëhet me
vlerë konstante më të madhe të UCE etj.
UBE = f(UCE) për IB = const
transistorit njëpolar (FET, MOSFET)
Karakteristikat rrymë-tension të transistorit njëpolar (FET, MOSFET)
Qarku elektrik për regjistrimin e

karakteristikave statike të FET-it. Karakteristika statike e FET-it.
Karakteristika kalimtare
Familja e karakteristikave
Rrymë-tension (volt-amper)
Karakteristikat rrymë-tension të transistorit MOSFET
Karakteristika dalëse e Karakteristika kalimtare e

MOSFET me kanal të induktuar/ndërtuar MOSFET me kanal të induktuar/ndërtuar
tiristorit
Karakteristikat rrymë-tension të tiristorit/triakut
Karakteristikat statike e daljes e tiristorit diakut
Karakteristika statike e hyrjes e tiristorit

Dioda si rrymëdrejtues
Lidhja e Grecit
Dioda si rrymëdrejtues
Lidhja e Grecit
Transistori si amplifikator
Modet e punës
Polarizimi lidhjes p-n Emiter -bazë
Polarim i drejtë Polarizim i kundërt
Kolektor -bazë Polarizim i drejtë Ngopja(saturation) Inverz-aktive
Polarizim i kundërt Normal-aktiv bllokimi(cut off)
1. Zona e barrierë-jopërçueshmërisë definohet me polarizimin e kundërt të kalimit

Emiter –bazë dhe Kolektor -bazë  transistori sillet si çelës i hapur
2. Zona e ngopjes është e përcaktuar me polarizimin e drejtë të dy kalimeve

transistori sillet si çelës i mbyllur.
3. Transistori punon si përforcues kur kalimi Emiter –bazë është i polarizuar
drejt, kurse Kolektor –bazëi është nvers (për transistorin NPN UC > UB > UE,
për transistorin PNP UC <UB < UE).
4. Zona e fundit është Inverz-aktivedhe definohet me polarizimin e kundërt të
kalimit Emiter –bazë dhe polarizim të drejtë të kalimit të Kolektor -bazë
Transistori si komutator, mund të gjenden në regjimin e bllokimit- si
çelës i hapur, në regjimin e ngopjes- si çelës i mbyllur, dhe në
regjimin kalimtar.
Si komutator transistori përdoret në lidhjen me emiter të përbashkët.
Me polarizimin e kalimit të emiterit dhe kolektorit, transistori mund
të sillet në regjimin e ngopjes, apo në regjimin e punës aktive.
Regjimi i ndërprerjes ndodh kur emiteri është në potencial më të lartë
se sa baza.
Regjimi i ngopjes ndodh kur të dy kalimet janë me polarizim të drejtë.
1. Në cilat regjime të punës mund të gjenden transistori si
komutator?
Drejtëza e punës dhe pika e punës e
diode
Drejtëza e punës dhe pika e punës e diode
Drejtëza e punës dhe pika e punës e diode-
Për sinjal të vogël
Shembull qarku
Tensioni hyrës:
Nga qarku rrymor
Drejtëza e punës
zhvendoset me aplikimin e uG
Për sinjal të vogël
Në pikën statike të punës:

Drejtëza e punës dhe pika e punës e
transistorit
Qarku elektrik i përforcuesit për përcaktimin e pikës statike të punës.
kuacioni i drejtëzës statike të punës
Përcaktimi grafik i pikës statike të punës së transistorit
Në regjimin dinamik të punës, janë të pranishëm edhe

komponentë alternativë të sinjalit të tensionit dhe rrymës.
• Transistori punon si përforcues kur kalimi i emiterit është i
polarizuar drejt, kurse i kolektorit invers (për transistorin
NPN UC > UB > UE, për transistorin PNP UC <UB < UE).
Për sinjale të vogla konsiderohen sinjalet që shkaktojnë
pak ndryshime në pozitën e pikës së punës, ashtu që të
mos futet në pjesën jolineare të karakteristikës.
Në brezin e lëshimit të përforcuesit,kondensatorët për
bashkim dhe burimet e ushqimitkonsiderohen si lidhje e
shkurtër në raport me komponentin alternativ të sinjalit.
Drejtëza e punës vendoset ashtu që të jetë nën hiperbolën
e dispacioni- shpërndarjes. Me caktimin e pozitës së pikës
së punës, përcaktohen vlerat e rrymës së bazës, tensionit
të kolektorit, tensioni kolektor-emiter dhe rryma e
kolektorit. Me rezistencën RE, në qarkun e emiterit arrihet
stabilizimi i pikës së punës gjatë ndryshimit të
temperaturës.
Analiza grafike e punës së përforcuesit me transistorë
Analiza grafike është metodë për përcaktimin e parametrave nga karakteristika
dinamike e elementit aktiv për sinjale hyrëse të dhënë me amplitudë të madhe. Sinjali
në dalje përmban komponentë të vazhduar dhe alternative.
Formimi i karakteristikës dinamike kalimtare dhe

hyrëse.
1. Për çfarë sinjale hyrëse përdoret metoda grafike për përcaktimin e përforcimit?
2. Shpjego fitimin e karakteristikës dinamike kalimtare dhe hyrëse me ndihmën e
figurës
Analiza grafike e punës së përforcuesit me transistorë
Përcaktimi grafik i përforcimit.

Ushtrim laboratorik (nxjerrja e
karakteristikave të punës të diodës dhe
të transistorit)
Voltmetër DC dhe AC Ampermetër DC dhe AC
Inçizimi karakteristikës I(U) të diodës ( p.sh. 1N4001)
U3
+ -
12 V
DC 10MOhm
U4
D2 + -
252.505 A
V3
1N4001
0.3V DC 1e-09Ohm
Skema e lidhjes së diodës për polarizim direkt
Tabela I
UD [V] 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
ID [mA] 0.037µ 0.05µ 0.062µ
U1
+ -
0.3 V
DC 10MOhm
U2
D1 + -
0.062u A
V1
1N4001
0.3V DC 1e-09Ohm
Tabela II
UD [V] 40 45 48 49 49,5 50 50,5 51 51,5 52
ID [µA]
Skema e lidhjes së diodës për polarizim inverz
Vazhdone ushtrimin duke i plotësuar tabelën I,II me NI multisim

ose EWB dhe rezultatet paraqitni në një fletë milemetrike
Inçizimi karakteristikës I(U) te diodës Zener (BZX55C5V6)
Idal
R1 + -
252.505 A
240Ω
Uhyr D1 + Udal
2V BZX55C5V6 0.000 V
-
Skema e lidhjes së diodës për polarizim direkt

TabelaI
Udal[V] 0,1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 2
Idal[mA]
Idal1
R2 + -
252.505 A
240Ω D2
Uhyr1 BZX55C5V6 + Udal1
6V 0.000 V
-
Skema e lidhjes së diodës për polarizim Inverz
Udal[V] 0,1 1 2 3 4 5 5.5 5.75 6 6.25 6.5

Idal[mA]
plotësoni tabelën I,II me NI multisim ose EWB dhe rezultatet

paraqitni në një fletë milemetrike dhe bashkoni pikat
Karakteristika hyrëse e transistorit IB =f(UBE) për UCE=const
Ib
+ - Q1
75 A BC107BP
V1
V2 + Uce
6V
6 V
+
Ube -
0.75V 0.75 V
-
Skema e lidhjes
www.ismaildashi.tk
Tabela :Vlerat e tensionit UBE dhe rrymës IB për vlera të ndryshme të tensionit UCE.
a) UCE = 0V
UBE [UBE] 0 0,2 0,4 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8
IB [µA]
b)UCE = 3V
UBE [UBE] 0 0,2 0,4 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8
IB [µA]
c)UCE = 6V
UBE [UBE] 0 0,2 0,4 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8
IB [µA]
d)UCE = 9V
UBE [UBE] 0 0,2 0,4 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8
IB [µA]
plotësoni tabelat nën a),b), c) dhe d) me NI

multisim ose EWB dhe rezultatet paraqitni
në një fletë milemetrike
Karakteristika dalëse e transistorit Ic =f(UCE) për IB =const
Ic
+ -
-0.202m A
Ib
+ - Q1
0.888u A BC107BP
Udal
I + Uce
0.2V
0.000001A 0.2 V
-
Tabela :Vlerat e tensionit UCE dhe rrymës IC për vlera të ndryshme të rrymës IB.
a) IB = 0[µA]
UCE [V] 0 0,1 0,25 0,5 1 2 3 4 5 6
IC [mA]
b) IB = 20[µA]
UCE [UBE] 0 0,1 0,25 0,5 1 2 3 4 5 6
Ic[mA]
c) IB = 40[µA]
UCE [V] 0 0,1 0,25 0,5 1 2 3 4 5 6
Ic[mA]
d) IB = 60[µA]
UCE [UBE] 0 0,1 0,25 0,5 1 2 3 4 5 6
IC [mA]
Plotësoni tabelat nën a),b), c) dhe d) me NI

multisim ose EWB dhe rezultatet paraqitni
në një fletë milemetrike
Transistori është një element elektronike aktiv me hyrje dhe
dalje. Në qarkun elektrik ai sillet si katër-polar. Por pasi që ka
vetëm tre përfundime, njëra prej tyre do të jetë e përbashkët
për hyrjen dhe daljen. Në varësi të asaj se cili përfundim është
e përbashkët për hyrjen dhe daljen, dallojmë tre lloje të lidhjeve
të transistorëve
Llojet të lidhjeve të transistorit

Skema ekuivalente e
transistorit me parametra-h
Tranzitor është një element jolinear, por mund të bëhet modeli i
tij si një element linear, si një rast I veçantë i rrjetit të
përgjithshëm linear me dy porta. Porta përkufizohet si dy lidhje
për hyrjen dhe dy lidhje për daljen (
Analiza matematikore e
rrjetave të tilla realizohet
edhe me parametrat-h
(hibridet). Me këto dy
parametra formohen nga dy
ekuacione me të cilët
përcaktohet marrëdhënia
Transistori si katërpolar aktiv mes tensionit hyrës dhe
rrymës hyrëse ndaj tensionit
dalës dhe rrymës dalëse.
Skema ekuivalente e transistorit
me parametra-h /1
Fig()Qarku ekuivalent i transistorit.

Skema ekuivalente e transistorit me parametra-h /2
Për ilustrim, në tabelën 1 janë dhënë vlerat mesatare të
parametrave-h për transistorin BFY 67 për pikën e punës të
përcaktuar me UCE = 5V dhe IC = 1,3 mA .
Nga ana tjetër, për regjimin e punës me sinjale të vogla nuk ka nevojë të
përdoren të gjithë
katër parametrat që të merret model i pranueshëm i mirë i transistorit.
Tregohet që parametrat e
h12=hr dhe h22=h0 kanë vlera aq të vogla sa që mund të eliminohen. Për
ilustrim, në tabelën 1 janë dhënë vlerat mesatare të parametrave-h për
transistorin BFY67 për pikën e punës të përcaktuar me UCE = 5V dhe IC =
1,3 mA
Skema ekuivalente e transistorit me
parametra-h /3
Në regjimin dinamik të punës, janë të pranishëm edhe

komponentë alternativë të sinjalit të tensionit dhe
rrymës. Transistori është një element jolinear, por për
skema ekuivalente bëhet modeli i tij në formë lineare me
parametra-h.Parametrat-h përdoren për të analizuar
qarkun e transistorit për sinjale të vogla me frekuenca të
ulëta.
Me parametrat paraqitet rezistenca hyrëse dhe dalëse,
lidhja e kundërt prej daljes kah hyrja dhe përforcimi i
rrymës.
Metoda analitike për llogaritjen e
parametrave të përforcuesve
Qarku ekuivalent i përforcuesit me emiter të përbashkët.

Kapitulli 3: Qarqet elektronike analoge.
Amplifikatorët
• Qarqet analoge
• Amplifikatori dhe llojet kryesore të tij
• Amplifikatori me transistor dypolar me bazë të përbashkët
• Amplifikatori me transistor dypolar me emiter të përbashkët
• Amplifikatori me transistor dypolar me kolektor të përbashkët
• Amplifikatori me transistor njëpolar me gejt (portë) të përbashkët
• Amplifikatori me transistor njëpolar me sors (burim) të përbashkët
• Amplifikatori me transistor njëpolar me drejn (derdhje) të
përbashkët
• Lidhja e Darlingtonit
• Amplifikatori operacional
Amplifikatori
Përforcuesi është një strukturë elektronike e cila ka për
detyrë të përforcojë sinjalin që lidhet në hyrjen e tij dhe
në daljen e tij të fitohet sinjal i cili ka të njëjtën formë si
sinjali hyrës, por me amplitudë më të madhe.
=40
Amplifikatori/1
Përforcuesi nga transistori nuk prodhon
energji elektrike të re, energjinë e burimit të ushqimit të
vazhduar ai e shndërron në energji tësinjalit të përforcuar të
daljes.
Amplifikatori
Shenja skematike e
përgjithshme e përforcuesit
Lidhja kaskadë e përforcuesve

Ndarja e përforcuesve
Karakteristikat ideale Pika e punës e përforcuesit

amplitudë-frekuencë të në regjime të ndryshme të
përforcuesve të ndryshëm punës.
Ndarja e përforcuesve/1
• Përforcuesi e përforcon tensioni, rrymën ose fuqinë e

sinjalit analog ose digjital.
Thelbi i përforcimit është: ndryshimi i vogël i tensionit ose
rrymës së hyrjes shkakton ndryshim të madh në tensionin e
daljes.
Përforcuesit ndahen në disa grupe sipas:
a) llojit të përforcimit (përforcues tensioni, rryme ose
fuqie);
• b) Brezit të frekuencave (brez të gjerë, selektiv, përforcues
të frekuencave të
ulëta, përforcues të frekuencave të larta dhe të vazhduar);
c) Regjimit të punës, kjo do të thotë sipas pozitës së pikës
së punës (klasa
A, klasa AB, klasa B dhe klasa C)
• Përforcues në klasën A ka pikë të punës, të

vendosur në mes të drejtëzës së punës, me çka
fitohen deformime më të vogla jolineare të cilat
krijohen nga jolineariteti i karakteristikës rrymë-
tension të transistorit. Në këtë regjim pune
ndodhen përforcuesit e tensionit dhe rrymës.
• Pika e punës e përforcuesit në klasën B ndodhet
në fillimin drejtëzës së punës. Përforcuesi më
shpesh ndërtohet me dy transistorë.
• Përforcuesi me klasë AB ka pikë të punës e cila
është e vendosur ndërmjet pikave A dhe B. Me
pikë pune të vendosur në këtë mënyrë merren
më pak deformime në krahasim me pikën B.
• Pika e punës e përforcuesit në klasën C është e
vendosur në rajonin e polarizimit të
kundërtinvers. Kjo do të thotë se përforcuesi nuk
do të reagojë në sinjal deri sa ai nuk do ta sjellë
në regjimin në pikën B. Në këtë regjim punon
përforcuesi i fuqisë në brez të ngushtë të
frekuencës, si,
për shembull, përforcuesi dalës i radioantenave.
Përforcuesi si një katërpolar aktiv
• Përforcuesi mund të trajtohet si një katërpolar, i përbërë nga një ose
më shumë celula përforcuese. Celula përforcuese bazë ndërtohet me
transistor bipolar dhe unipolar, përforcues operacional, rezistenca,
kondensatorë dhe bobina.
Forma
komplekse e Forma sinusoidale e
sinjalit analog sinjali
Përcaktimi i parametrave të përforcuesit
• Kur përforcimi i tensionit është pozitiv, tensioni hyrës dhe
dalës janë në fazë, por kur është negativ, ata janë të
zhvendosur në fazë për 1800
•
.
Karakteristika e frekuencore dhe fazore e përforcuesit
Karakteristika e frekuencore e përforcuesit Karakteristika fazore e përforcuesit
Karakteristika e frekuencore së përforcuesit tregon se si ndryshon

përforcimi, kurse e fazës si ndryshon faza e sinjalit me ndryshimin e
frekuencës së sinjalit.
Karakteristika e frekuencore dhe fazore e përforcuesit
Parametrat bazë të përforcuesit janë përforcimi i tensioni,
rrymës dhe fuqisë, koeficienti i përforcimit, rezistenca hyrëse
dhe dalëse. Frekuenca kufitare e sipërme dhe e poshtme
është frekuenca për të cilën përforcimi i përforcuesit bie për
3dB në krahasim me përforcimin në frekuenca të mesme.
Brezi i lëshimit është brezi mes frekuencës kufitare të
sipërme dhe të poshtme të përforcuesit.
Karakteristika e fazore ( tregon se si ndryshohet
zhvendosja fazore e sinjalit dalës në krahasim me sinjalin
hyrës me ndryshimin e frekuencës. Vërehet zvogëlim i
ndryshimit fazor për frekuenca të larta dhe rritje e
frekuencave të ulëta. Për frekuencën kufitare të sipërme
ndryshimi fazor zvogëlohet për 45shkall, kurse për të
poshtmen rritet për 45 shkkal. Me zvogëlimin dhe rritjen e
ndryshimit fazor në raport për 1800 paraqiten shtrembërime
fazore të sinjalit.
Shembull: Karakteristika e frekuencore
XSC1
Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _
Ucc
R1
Rc1 12V
56kΩ 1.5kΩ
Cdal1
Chyr1 Tr1 47µF

BC107BP
RL
Uhyr1 47µF
R2 3.3kΩ
0.01Vpk
1kHz 8.2kΩ Ce1
Re1
0° 470µF
180Ω
Fig() skema e amplifikatorit të ngarkuar me emiter të përbashkët

www.ismaildashi.tk
Matni amlifikin e amplifikatori të ngarkuar me RL 3.3k për frekuencat 200Hz deri 20MHz për amplitod të tensionit në hyrje 10mV
Au=20log(udal/Uhyr) [dB]
Tabela: vlerat e amplifikimit të amplifikatorit për vlera tëndryshme të frekuencave të tensionit në hyrje
f[kHz] 02 1 2 10 20 200 1000 2000 10000 20000
Udal [V]
Au[dB]
Lloje të konfiguracioneve të përforcuesve
Përforcuesi i sinjaleve të vogla është përforcues linear në
të cilin ndryshimet e sinjal rreth pikës së punës janë mjaft
të vogla që të mund të neglizhohen deformimet jolineare dhe
të thjeshtohen llogaritjet e parametrave. Në praktikë kjo do të
thotë, ndryshimi i tensionit të sinjalit të mos kalojë brezin prej
disa qindra milivoltësh. Në analizën konsiderohet se
përforcuesi punon në pjesën e mesme të brezit të lëshimit të
frekuencave për të cilat është caktuar. Ky brez i frekuencave
të sinjalit është mjaftueshëm i lartë, kështu që të gjithë
kondensatorët për bashkim kanë impedancë të vogël dhe
llogariten si lidhje e shkurtër për komponentin alternativ të
sinjalit. Përveç kësaj, impedanca e të gjitha kapaciteteve
parazitare të lidhjeve të transistorit është mjaftueshëm e lartë,
kështu që ata paraqesin qark të hapur dhe nuk merren
parasysh. Në pjesën e mesme të brezit të lëshimit, numri më i
madh përforcuesve kanë përforcim konstant me vlerë
maksimale. Përforcimi bie në skajet e zonës së brezit të
Përforcues me konfiguracion – emiter të përbashkët
Kondensatori elektrolitik
CE dhe rezistenca RE e
lidhur paralelisht krijon
lidhje të shkurtër
përsinjalin alternativ dhe
e eliminon ndikimin e
kësaj rezistence mbi
përforcimin.
Përforcues me transistor bipolar me konfiguracion emiter të
përbashkët.
Kondensatorët për bashkim C1 dhe C2, gjithashtu paraqesin
lidhje të shkurtër për sinjalin alternativ. Nga ana tjetër,
këto kondensator e bllokojnë rrymën e vazhduar dhe gjithçka që
është majtas kondensatorit C1 dhe djathtas nga kondensatori C2
nuk ka ndikim mbi polarizimin e transistorit.Me pranimin e kushtit
IC >>IB, vlen relacioni:
Detyrë:Karakteristika e frekuencore Përforcues me
konfiguracion – emiter të përbashkët/1
XSC1
Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _
Ucc
R1
Rc 12V
56kΩ 1.5kΩ
Cdal
Chyr Tr 47µF
BC107BP
Uhyr 47µF
0.01Vpk R2
1kHz 8.2kΩ Ce
0° Re
470µF
180Ω
Fig() lidhja e amplifikatorit me emiter të përbashkët

www.ismaildashi.tk
Matni tensionin e amplifikuar për Uhyr 10mV

Tensioni i hyrjes (timebase 1 ms/Div, chanel A 10 mV/Div).
Tensioni i daljes s (timebase 1 ms/Div, chanel B 1V/Div).
Matni tensionin e amplifikuar për Uhyr 100mV

Tensioni i hyrjes (timebase 1 ms/Div, chanel A 100mV/Div).
Tensioni i daljes s (timebase 1 ms/Div, chanel B 5V/Div).
Përforcuesi me lidhje me emiter të përbashkët ka:
-Përforcim të madh të tensionit;
-Përforcim të rrymës të barabartë me koeficientin e
përforcimit të rrymës së transistorit;
-Përforcim të madh të fuqisë;
-Rezistencë hyrëse të barabartë me rezistencën hyrëse të
transistorit hie;
-Ka zhvendosje fazore të sinjalit në dalje në krahasim me
sinjalin në hyrje për 1800;
-Rezistencë dalëse në proporcional të kundërt me
përçueshmërinë dalëse të
transistorit 1/hoe.
Përforcuesi në lidhje me kolektor të përbashkët
(i njohur edhe ndjekës emiterial) e përforcon vetëm
rrymën, kurse përforcimi i tensionit është i barabartë
me 1. Ai ka rezistencë hyrëse të madhe, kurse
rezistencë dalëse të vogël dhe nuk fut zhvendosje në
fazë.
Përforcimi i tensionit i përforcuesit në lidhje me bazë
të përbashkët është i madh dhe përafërsisht është i
barabartë përforcimin e tensionit të stadit me emiter të
përbashkët. Përforcimi i rrymës është 1, rezistenca
hyrëse shumë e vogël, dalëse shumë e madhe dhe
nuk fut zhvendosje fazore. Me lidhjen e Darlingtonit
arrihet koeficient i madh i përforcimit të rrymës hfe
.
Lidhja e Darlingtonit
Kur nga transistori në përforcues kërkohet të ketë
koeficient të përforcimit të rrymës hfe (për shembull, 10
000), mund të zbatohet lidhja speciale e dy
transistorëve, e quajtur lidhje e Darlingtonit. Lidhje mund
të bëhet me transistor të llojit NPN ose PNP (figura 3.20).
Kjo lidhje ka tre dalje të cilat përfaqësojnë kolektor, bazë dhe
emiter ekuivalent. Simboli elektrik i dy transistorëve bipolar
në lidhjen e Darlingtonit është dhënë në figurën 3.21.
Simbolet elektrike të dy transistorëve

Figura 3.20: Struktura e dy transistorëve bipolar në lidhjen e Darlingtonit.
bipolar në lidhjen e Darlingtonit.
Përforcues me konfiguracion
burim (source) të përbashkë
Skema elektrike e përforcuesit
me MOSFET me konfiguracion
me burim të përbashkët.
Skema ekuivalente e
përforcuesit në
konfiguracion me burim të
përbashkët
Përforcues unipolar me
konfiguracion te ndryshme
Karakteristikat e tranzistorve bipolar
Karakteristikat më të rëndësishme të transistorëve
që duhet të dihen kur përdoren janë:
forma dhe dimensionet e shtëpizës
grafiku i lidhjeve(terminaleve)
faktori i përforcimit të rrymës hfe
diapazoni i frekuencës së punës
vlerat maksimale të lejuara të rrymës
vlerat maksimale të lejuara të tensionit
konsumi(disipacioni) i energjisë
temperaturat e punës
a) SHENJAT EVROPIANE:
SHKRONJA E PARË TREGON
GJYSMËPËRÇUESIN:
o A – germanium,
o B – silic.
SHKRONJA E DYTË TREGON QËLLIMIN E
TRANZISTORIT:
o C – frekuencë e ulët (BC547),
o D – i fuqishëm me frekuencë të ulët (BD139),
o F – frekuencë e lartë (BF199, BFQ57),
o U – tension i lartë (BU208),
o Ndërprerës S (BSY54, BCX57).
SHKRONJA E TRETË NUK ËSHTË
STANDARDIZUAR.
b) SHENJAT AMERIKANE:
2N... – transistorë (2N3055),
1N... – dioda (1N4007).
c) JAPONI:
2SA..., 2SB... – PNP – transistorë (2SA850),
2SC..., 2SD... – NPN – transistorë
(2SC2001).
d) SHUMË SHTETE KANE SHENJAT E TYRE.
Fih() Shembuj të së transistorëve bipolarë

Përforcuesit diferencial
Bllok- skema e përforcuesit diferencial.
Prëforcuesi diferencial është qark përforcues me dy hyrje i cili

e përforcon ndryshimin e tensioneve të sinjaleve hyrëse dhe
nuk reagon në ndryshimet e tensionit në fazë të cilët paraqiten
njëkohësisht në të dy hyrjet e tij.
Sinjali i hyrjes është diferencial kur të dy sinjalet e hyrjes
ndryshojnë në drejtime të kundërta. Sinjal në fazë kemi kur të
dy sinjalet hyrëse ndryshojnë në të njëjtin drejtim.
Përforcuesit diferencial
Përforcuesi diferencial ideal ka vetëm përforcim diferencial, kurse
ndryshimi në fazë është zero.
Me zbatimin e gjeneratorit të rrymës përmirësohet faktori i shtypjes së
përforcimit në fazë.
Amplifikatori operacional-
qarku ekujvalent
Amplifikatori operacional
i painvertuar
i invertuar
Për amplifikatorin
invertues nga Figura 1
realizuar me μA741
llogarit:
a) Amplifikimi nëse R1=10kΩ, R2=100kΩ(U=15V, Uhyr=10mV, f=1kHz).

Ekzekutoni simulimi me softuerin EWB ose Multisim dhe shfaq rezultatet?
b) Amplifikimi nëse R1=10kΩ, R2=1MΩ (U=15V,Uhur=10mV, f=1kHz).
Ekzekutoni simulimin EWB ose Software Multisim dhe shfaq rezultatet?
c) Për amplifikatorin me R1=10kΩ, R2=100kΩ (U=15V,Uhur=10mV, f=1kHz)
mat tensionet dhellogarit fitimin në frekuencat e
mëposhtme:
i invertuar/1
Bazuar në vlerat e matura, vizatoni kurbën e

frekuencës karakteristikë e amplifikatorit
(frekuenca e boshtit x (kHz), yboshti i fitimit A
(dB)). Duhet të përdorë Microsoft
Excel.Përcaktoni frekuencën e kufirit të poshtëm
dhe të sipërm të amplifikatorit (vendosni në
karakteristikën e frekuencës ku fitimi amplifikimi
fillon të bjerë me më shumë se 3 dB) dhe
shkruani se çfarë janë vlerat.
Mbledhësi me amplifikatori
operacional
R1 R3
2kΩ 4kΩ
V2
100Vpk
1kHz
V1 0°
12V
R5
R2 U1
20kΩ 50 %
Key=A
4kΩ
AmpOP_Mbledhsi
www.ismaildashi.tk
R4
1kΩ
Konfiguracionet themelore të amplifikatorëve operacional
Kapitulli 4: Qarqet elektronike digjitale
• Oscilatori: parimi i punës

• Llojet dhe karakteristikat e oscilatorit
• Oscilatorët RC
• Oscilatori i Majsnerit(micener
• Oscilatori i Kolpitsit
• Amplifikatori operacional
Qarqet elektronike digjitale -hyrje
Në qarqet oshilatore, në vend të elementeve aktive
diskrete, përdoren dhe qarqet e integruara
– Qarqet e integruara analoge,
• një ndryshim i vazhdueshëm në madhësis
hyrëse shkakton një ndryshim të vazhdueshëm
madhësis e dales qarqet e integruara lineare,
• Përforcuesi operacional është përdorur me
sukses për oshilatorët RC
– Qarqet e integruara dixhitale,
• një ndryshim i vazhdueshëm në madhësis
hyrëse shkakton një ndryshim diskret në në
madhësin dalëse vetëm dy vlera të madhësisë
së daljes, j
• Ka qarqe logjike, porte të llojeve të ndryshme
Qarqet elektronike digjitale –hyrje/1
• Në pajisjet elektronike të sistemeve dixhitale
(kompjuterët, mikroprocesorët, përdoren instrumente
matëse, sisteme komunikimi dixhital) oshilatorëj, siç
janë: gjeneratorët e takti, orët dixhitale, ...
– Për shkak të tensioneve të ndryshme të qarqeve
dhe rezistencave hyrëse-dalëse, përdorimi i
oshilatorëve meme transistorë diskretë do të
kërkonte një interfejs ndërmjet oshilatorit dhe
njësisë dixhitale.
• Një qark dixhital (logjik) mund të përdoret si pjesë e
një oshilatori nëse mundet sigurimi i fitimit të sinjalit
fitimi i kurthit të reagimit duhet të jetë sigurimi i
amplifukimit të sinjalit  amplifikimi I qarkut riveprues
duhet të jetë pak më i madh se një në momentin e
ndezjes së oshilatorit
Qarqet elektronike digjitale –hyrje/1
• Në pajisjet elektronike të sistemeve dixhitale
(kompjuterët, mikroprocesorët, përdoren instrumente
matëse, sisteme komunikimi dixhital) oshilatorëj, siç
janë: gjeneratorët e takti, orët dixhitale, ...
– Për shkak të tensioneve të ndryshme të qarqeve
dhe rezistencave hyrëse-dalëse, përdorimi i
oshilatorëve me transistorë diskretë do të kërkonte
një interfejs ndërmjet oshilatorit dhe njësisë
dixhitale.
• Një qark dixhital (logjik) mund të përdoret si pjesë e
një oshilatori nëse mundet sigurimi i fitimit të sinjalit
fitimi i kurthit të reagimit duhet të jetë sigurimi i
amplifukimit të sinjalit  amplifikimi I qarkut riveprues
duhet të jetë pak më i madh se një në momentin e
ndezjes së oshilatorit
Oscilatori: parimi i punës
Janë pajisje elektronike të cilët në dalje japin tension
alternativ(titrim periodik) pa patur nevoj të ketë sinjal
në hyrje, ose , këta janë qarqe të cilët tensionin
njëkahor të furnizimit e shëndrojnë në tension
alternativ të formave të ndryshme.
Oscilatorët Harmonik japin tensione të formës
sinusoidale, ndërsa relaksacik forma të tjera, p.sh
katërkëndësh, sharrë trekëndësh etj. Oscilatori
relaksacik p.sh është multivibratori astabil. Karakteritë
e së cilëve është tek osc harm frekuencën e oscilimit
më së shpeshti e përcakton frekuenca e
titrimit(oscilimit) të qarkut, kurse tek relaksacik
konstanta RC e cila përcakton kohën e mbushjes së
kondensatorit në ndonjë rrjetë.
Oscilatori: parimi i punës/1
Oscilatorë - në dalje japin një tension të alternuar pa
sinjal hyrës
Oscilatorët konstruktohen në njërën prej dy parimeve:
Rrjets në të cilën ekziston elementi me karakteristikën e të ashtuquajturës,
rezistencë negative, dikuria se me rritjen e tensionit vie deri te zvogëlimi i
rrymës nëpër këtë lloj të elementrit dhe anasjelltas (p.sh dioda tunel);
Amplifikatori me PPV, respektivisht me të cilën pjesë e sinjalit dalës
kthehet në hyrje ashtu që është në fazë me sinjalin në hyrje- i ndihmon
sinjali në hyrje; atëherë nuk ka nevojë për tension të hyrjes nga jasht.
Për këtë mënyrë të punës së amplifikatorit vlenë:
Av=Avo(1-βxAvo),
Ku duhet të plotësohet i ashtuquajturi kushti i Barkhausen-it
β x Avo=1β=1/Avo
atëherë emëruesi i shprehjës për sistem të amplifikimit me PV të barabartë
me zero, ndërsa amplifikimi Av>∞
oscilatorët e till sipas mënyrës së realizimit të lidhjes rivepruse mund ti
ndajmë në
-Osciltor RC( për frekuenca relativisht të ulta, deri 200kHz)’
-Oscilator LC( për frekuenca të larta, ndërsa për stabilizim akoma në të
përdoret kristali i kuarcit).
Llojet e Oscilatorve
- Oscilatorë RC
- Ura e Venit
- Ndërrimi i fazës
- Oscilatorë me qarqe oshilatorësh

- Kolpistit
- Hartley's
- me ndërlidhje induktive
- me rezistencë negative
- - Oscilatorë me kristal kuarci (Piersov)

Oscilatorët RC
Quhen edhe oscilator me zhvendosje fazore, pasi rrjeti pasiv në lidhjen
rivepruese e cila përmban elemente R dhe C realizin zhvendosjen e
fazës të sinjalit kthyesë për 180 0 në raport me sinjalin dalës.
Elementi aktiv (amplifikatori) zakonisht është transistor me emiterë të
përbashkët ose ampl. operacional në lidhje invertuse të amplifikatorit, i cili
e rrotullon fazën të sinjalit hyrës për 180 0, RC ose CR në degën PV, e
rrotullon fazën edhe për 180 0 si për para(rrjeti RC) ose mbrapa (rrjeti
CR) ashtu që zhvendosja totale e fazës ndërmjet sinjalit hyrës dhe të
sinjalit kthyes në hyrje 00 ose 360 0, gjë që është e njetë. Me këtë
sigurohet se sinjali kthyes i ndihmon sinjalit hyrës, respektivisht me te
është në fazë.
Kushti i dytë për oscilim β x Avo=1, do të thotë se amplifikimi i elementit
aktivë duhet të jetë me dobësimin( zvogëlimin e sinjali në dalje) në rrjetin
me lidhje të kundërt. P.sh nëse β=1/30, respektivisht sinjali dalës në
degën e lidhjes së kundërt zvogëlohet 30 herë, amplifikimi Avo i
amplifikatorit duhet të jetë spaku Avo=30.
Një qark RC ose Cr shkaton zhvendosjen e fazës për 60 0 para ose
mbrapa, ashtu që zhvendosja prej 1800 nevojiten tre qarqe të tilla.
Frekuenca e oscilimit varet prej vlerave R dhe C
Oscilatorët e tillë përdoren për frekuenca relativisht
të vogla( deri 200kHz). Ekziston edhe Oscilatori urë
Wien-it i cili i përket këtij lloji të oscilatorëve
Oscilatori i Majsnerit(Armstrong-ut
Është bërë me një transformator primari i të cilit është pjesë e
qarkut paralel të lëkundjes në dalje, dhe nëpërmjet sekondarit
realizohet lidhje rivepruse me hyrjen e oshilatorit. Qarku
paralel i oscilimit ka rezistencën më të lartë në frekuencën
1
rezon ω = , ku L është induktiviteti mbeshtjella primare.
L1C
Oscilatori oscilon në atë frekuencë, sepse nën dhe mbi atë
frekuencë tensioni i daljes bëhet ishumë më i voglë;
Për oscilim , është ende e

nevojshme të plotësohet
kushti që kxAo = 1, ku k
=N2/N1, raporti i numrit të
mbështjellave primarit dhe
sekundarit.
Oshilatori Hartley
Oshilatori Hartley është një oshilator elektronik. Frekuenca e këtij oscilimi
përcaktohet nga qarku i akorduar. Qarku i akorduar përbëhet nga lidhja k
kondensatori dhe induktori, prandaj është një oshilator LC. Në vitin 1915
nga inxhinieri amerikan Ralph Hartley shpiku këtë oshilator. Karakteristikat
e qarkut Hartley janë se qarku i akorduar i përbërë nga një kondensator i
vetëm paralel me dy induktorët që janë në seri. Nga lidhja e dy
induktorëve për qëllime lëkundjeje merret sinjali kthyes.
Përparësitë janë se frekuenca mund të ndryshohet duke përdorur

një kondensator të ndryshueshëm dhe amplituda e daljes mbetet
konstante në brezin e frekuencor, e keqja është se ka
mesinduktivitet (të kryqëzuar) midis bobinave që shkakton
frekuenca të padëshiruara të lëkundjeve. Ky oshilator përdoret në
të gjitha brezat e transmetimit duke përfshirë FM 88-108 MHz.
Një oshilator Hartley mund të ketë disa lidhje LC që shkaktojnë
shfaqjen e frekuencave të rreme të lëkundjeve, kështu që një
oshilator Kolpic shpesh përdoret në marrës si një oshilator lokal.
Oscilatori i Kolpitsit
Oscilatori Kolpic mban emrin e shpikësit të tij, Edvin H. Kolpic.
Lidhja e kundert realizohet përmes një qarku oscilues me një
ndarës kapacitiv. Ne kemi tensionin e daljes në C1, dhe në C2
është tensioni kthyes që e kthejmë në hyrje. Raporti C1/C2
është pikërisht faktori β. Për oscilim të sigurt nevojitet të
plotësohet β xAv = 1, pra Av >= C1/C2. Oscilatori punon në
frekuencën rezonante të qarkut oscilues që përbën L
Ct = C1 + C2.
Këta oshilatorë janë të përshtatshëm për frekuenca mbi 100 MHz.

Oscilatori i Kolpitsit -NI MUltisim
R1
10kΩ
L1 Q1
2N2222A V1
320µH 6V
V: 291 mV
C1 V(p-p): 5.67 V
82pF C2 V(rms): 4.35 V
82pF V(dc): 3.44 V
V V(f req): 1.15 MHz
A I: 119 uA
Output
I(p-p): 7.66 mA
I(rms): 4.62 mA
I(dc): 3.44 mA
Oscilatori i Kolpitsit R2
www.Ismaildashi.tk 1kΩ
Oscilatori klap
Oscilatori Klap është një oshilator i modifikuar Kolpic. Është ndërtuar nga
transistorë dhe një rrjet reagimesh pozitive. Fotografia tregon se rrjeti përbëhet nga
1 bobine dhe 3 kondensatorë, 2 prej të cilëve formojnë një ndarës tensioni që
përcakton një pjesë të tensionit kthyes në hyrje të tranzistorit. Ai ndryshon nga ai i
Kolpic se ka 1 kondensator me shume qe eshte ne seri me spiralen. Frekuenca e
lëkundjes për qarkun në figurë, i cili përdor një transistor FET, është:
Nëse dëshironi të përdorni një oshilator me frekuencë të ndryshueshme, atëherë

ai i Klap-it ka një aplikim më të madh në krahasim me atë të Kolpicit, sepse në
oshilatorin e Kolpicit, në ndarësin e tensionit përdoret një kondensator i
ndryshueshëm, i cili gjithashtu çon në një tension të ndryshueshëm kthyes,
kështu që nuk mund të arrijë një frekuencë. mbi kufirin e dëshiruar. Me
oshilatorin e Klap, ky problem kapërcehet duke përdorur një kondensator fiks në
ndarësin e tensionit dhe një kondensator të ndryshueshëm të lidhur në seri me
induktivitetin
Oscilatori i Kolpitsit/1
2 kondensatorë dhe 1 bobinë përcaktojnë
frekuencën e oscilimeve. Lidhja e kundërt e cil
cila nevojitet për oscilim realizohet nëpërmjet një
ndarësi të tensionit të bërë nga 2 kondensatorë.
Frekuenca eoscilimi : Frekuenca ideale e lëkundjeve për

qarqet në figurat 1 dhe 2 është dhënë nga ekuacioni:
Figura Oscilator Kolpic me

bazë tëtë përbashkët
ku lidhja serike C1 dhe C2 bëjnë kapacitetin

efektiv të qarkut LC. Qarqet reale do të lëkunden
me një frekuencë pak më të ulët.
Oscilatori klap
Oscilatori Klap është një oshilator i modifikuar Kolpic. Është ndërtuar nga
transistorë dhe një rrjet reagimesh pozitive. Fotografia tregon se rrjeti përbëhet nga
1 bobine dhe 3 kondensatorë, 2 prej të cilëve formojnë një ndarës tensioni që
përcakton një pjesë të tensionit kthyes në hyrje të tranzistorit. Ai ndryshon nga ai i
Kolpic se ka 1 kondensator me shume qe eshte ne seri me spiralen. Frekuenca e
lëkundjes për qarkun në figurë, i cili përdor një transistor FET, është:
Nëse dëshironi të përdorni një oshilator me frekuencë të ndryshueshme, atëherë

ai i Klap-it ka një aplikim më të madh në krahasim me atë të Kolpicit, sepse në
oshilatorin e Kolpicit, në ndarësin e tensionit përdoret një kondensator i
ndryshueshëm, i cili gjithashtu çon në një tension të ndryshueshëm kthyes,
kështu që nuk mund të arrijë një frekuencë. mbi kufirin e dëshiruar. Me
oshilatorin e Klap, ky problem kapërcehet duke përdorur një kondensator fiks në
ndarësin e tensionit dhe një kondensator të ndryshueshëm të lidhur në seri me
induktivitetin
Oscilatorë me kuarc
• Një kristal kuarci I kyçur në tension alternativ
sillet si një titër seri-paralel. qarku mund të
sillet në rezonancë serike dhe rezonancë
paralele, ku fs < fp.
simboli i kuarcit skema alternative e kuarcit
Oscilatorë me kuarc/1
Kur bëhet një oshilator mund të përdoret rezonanca seri ose paralele.
Kemi dy mënyra për të kryer oshilatorin me kuarc.
-Kuarci zëvendëson qarkun oscilues paralel në qarkun e daljes së
amplifikatorit ose një pjesë të qarkut lëkundës (si p.sh. Oscilatori i
Pierce-it, i cili fitohet duke vendosur kuarc në oshilatorin Colpitts në
vend të L).
-Kuarci vendoset në degën e lidhjes së riveprimit për të stabilizuar
frekuencën (një shembull është oshilatori Armstrong, i cili bëhet
Meissner nëse një kuarc që punon në seri lidhet në seri me sekondarin
e transformatorit rezonancë, kur impedanca e saj është minimale).
Përparësitë e përdorimit të kuarcit janë se ai ka një frekuencë

rezonance shumë të qëndrueshme sepse nuk varet nga vjetërsia dhe
temperatura, dhe përveç kësaj, kuarci ka një faktor shumë të madh të
mirësisë Q si qark vibrues. Faktori i mirësisë përkufizohet si një
marrëdhënie të frekuences rezonante fo sipas gjerësisë së brezit
frekuenor s. B = fg– fd. Q = fo / B
Kapitulli 5: Qarqet e integruara dhe
mikroelektronika
• Qarqet e integruara, veçoritë e tyre
• Ndërtimi i qarqeve të integruara
• Llojet e qarqeve të integruara
• Fabrikimi i qarqeve të integruara
• Përdorimi i qarqeve të integruara

Bazat e Elektronikës

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Bazat e Elektronikës

Uploaded by

Copyright:

SHKOLLA MESME PROFESIONALE

"FERIZ GURI DHE VËLLEZËRIT ÇAKA"

Tema 2. Karakteristikat rrymë-tension të diodave dhe të transistorëve.

Tema 3. Qarqet elektronike analoge. Amplifikatorët

Tema 4. Qarqet elektronike digjitale

Rezistenca duhet të përmbajë informacionin e

Vlerat e rezistencave nominale, si dhe toleranca

• Kur ngarkohet me fuqi që janë më e madhe se sa vjen

• Vlerat nominale të fuqisë përcaktohen me

Rezistenca për montim sipërfaqësor

Kodi 3-shifror nënkupton një tolerancë prej ± 5%

Resistorët SMD tregohen edhe

2)Rezistenca e rezistencës 0 Ω aplikohet

Fig() Seksioni dhe pamja e

Fig() lloje të ndryshme të potenciometrave

 Termistorë me vlerë të madhe pozitive të

Një bobine(mbështjell, spirale) është një komponent

Induktiviteti mbështjellje të gjatë njështresore

Një transformator është një pajisje elektrike statike që

fig() shembull dhe simboli I rezistor[ve LDR

Fotorezistorët zbatohen në instrumente të thjeshta

• Çdo gjë është e ndërtur prej atomeve

• Gjysmëpërçuesit janë materiale që në thelb mund

Modeli i Bohrit a)Ge, b)Si

• Nëse materiali është material gjysmëpërçues i pastër si silici,

• Për ti bërë gjysmëpërcjellësit ta përçojnë

• Një papastërti, ose

– Silici i stimuluar(dopiruar) me elektrone shtesë

Në vendin e kalimit- bashkimit

1(0-A)- 4(0-D)-është identike me zonën numër 1,

Karakteristikat e diodës Karakteristikat ediodës

Në diodat impulsive ose komutuese, të destinuara për

Fototransistor, optokupler dhe

Skema e mbushsit të qelizave diellore

Fig() testimi I diodes Fig() testimi I diodes

Dioda është e polarizuar drejtpërdrejt

1.P1 mbyllur, P2  hapur, burimi UC formon fushë të jashtme

Do me thënë, tek transistori NPN do të rrjedh rryma mes emiterit dhe

Fih() Shembuj të së transistorëve bipolarë

1920 - 1930 transistorë me efekt fushe ose FET

-me Kyçja e tensionit ndërmjet GS UGS është e mundur të ndryshohet zona e

Struktura e vërtetë e FET-it N:Në bazën ose substratin

Baza duhet të jetë

Fig. Struktura dhe simboli Fig. Skema ekuivalente e elektrike i tiristorit.

• Fig simbolet e tiristorvr ye ndryshem

• Figura 5.8.3 – 2 Versione të tiristorëve të ndryshëm

• Karakteristika rrymë-tension e diodës

1(0-A)- 4(0-D)-është identike me zonën numër 1,

Dijagrami :Shpërndarja Dijagrami: Shpërndarja

Fig(). Varësia e rrymës nga tensioni i diodës

Karakteristika e parë matet ashtu që me

Tensioni UCE përshtatet me potenciometrin

Qarku elektrik për regjistrimin e

Karakteristika dalëse e Karakteristika kalimtare e

Karakteristikat statike e daljes e tiristorit diakut

Karakteristika statike e hyrjes e tiristorit

1. Zona e barrierë-jopërçueshmërisë definohet me polarizimin e kundërt të kalimit

2. Zona e ngopjes është e përcaktuar me polarizimin e drejtë të dy kalimeve

Nga qarku rrymor

Për sinjal të vogël

Në pikën statike të punës:

Përcaktimi grafik i pikës statike të punës së transistorit

Në regjimin dinamik të punës, janë të pranishëm edhe

Formimi i karakteristikës dinamike kalimtare dhe

Përcaktimi grafik i përforcimit.

Skema e lidhjes së diodës për polarizim direkt