第二章 气体击穿理论分析和气体间隙绝缘

气体
液体
固体
三类介质，具有不同的击穿理论与模型。

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 第二章 气体击穿理论分析和气体间隙绝缘
 本章主要内容
第一节 气体放电的主要形式简介
第二节 带电粒子的产生和消失
第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
第四节 不均匀电场中的气体击穿的发展过程
第五节 持续电压作用下气体的击穿特性
第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性
第八节 提高气体介质电气强度的方法
第九节 大气条件对气隙击穿特性的影响及其校正

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 第一节 气体放电的主要形式简介
一．气体放电的概念
气体放电——气体中流通电流的各种形式。

1. 正常状态：优良的绝缘体。
在一个立方厘米体积内仅含几千个带电粒子,但这些
带电粒子并不影响气体的绝缘。
空气的利用：架空输电线路个相导线之间、导线与地
线之间、导线与杆塔之间的绝缘；变压器相间的绝缘等
。
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输电线路以气体作为绝缘材料

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 变压器相间绝缘以气
体作为绝缘材料

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2. 高电压状态

电压升高→达到一定数值→气体中的带电粒子大量增加
→电流增大→达到一定数值→气体失去绝缘→击穿（或闪络
）

击穿——纯气隙之间。（架空线相间的空气放电）
闪络——气体沿着固体表面击穿。（气体沿着悬挂架空线的绝
缘子串放电）

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3. 气体放电的相关概念

 击穿电压Ub或闪络电压Uf——发生击穿或闪络的最低临界电压；

 击穿场强Eb——（均匀电场中的击穿电压）/间隙距离

 平均击穿场强 E——（不均匀电场中的击穿电压）/间隙距离
b

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二．气体的放电形式
 根据气体压力、电源功率、电极形状等因素的不同，击穿后
气体放电可具有多种不同形式。利用放电管可以观察放电现
象的变化

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1. 辉光放电

 当气体压力不大，电源功率很小（放电回路中串入很大阻抗
）时，外施电压增到一定值后，回路中电流突增至明显数值
，管内阴极和阳极间整个空间忽然出现发光现象。
 特点：放电电流密度较小，放电区域通常占据了整个电极间
的空间。霓虹管中的放电就是辉光放电的例子，管中所充气
体不同，发光颜色也不同

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2. 电弧放电
 减小外回路中的阻抗，则电流增大，电流增大到一定值后，
放电通道收细，且越来越明亮，管端电压则更加降低，说明
通道的电导越来越大
 特点：电弧通道和电极的温度都很高，电流密度极大，电路
具有短路的特征

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3. 火花放电
 当外回路中阻抗很大，限制了放电电流时，电极间出现贯通
两极的断续的明亮细火花。（大气条件下）
 特点：具有收细的通道形式，并且放电过程不稳定

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 第二节 带电粒子的产生和消失
 带电粒子的产生和消失是气体放电的根本根源，是分
析气体击穿的理论基础；
 正常时气体中有正负粒子存在，但对气体的绝缘状态
没有影响；
 随着电压升高气体间隙中的带电粒子数量会迅速增加
，带电粒子的运动会产生电流。

掌握
 气体放电时，带电粒子如何产生？
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 放电结束后，带电粒子又如何消失？
一．原子的激励和电离
原子核（正电）
⒈ 原子的能级
 原子的结构可用行星系模型描述。 电子云（负电）

原子能量大小的衡量
 能级——根据原子核外电子的能量状态，原子具有一系列可
取得确定的能量状态。
 外围电子能量高 原子能量就高 能级就高；
 外围电子能量低 原子能量就低 能级就低；

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⒉ 原子的激励

 激励(激发)——原子在外界因素（电场、高温等）的作用下
，吸收外界能量使其内部能量增加，原子核外的电子将从离
原子核较近的轨道上跳到离原子核较远的轨道上去的过程。

 激励能（We）——产生激励所需的能量。等于该轨道和常
态轨道的能级差。

 注意
 激励状态存在的时间很短（ 10-7 —10-8 s），电子将自动返
回到常态轨道上去。
 原子的激励过程不会产生带电粒子。
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⒊ 原子的电离

 电离——在外界因素作用下，其一个或几个电子脱离原子核
的束缚而形成自由电子和正离子的过程。

 电离能（Wi）——使稳态原子或分子中结合最松弛的那个电
子电离出来所需要的最小能量。（电子伏 eV）

1eV＝1V×1.6×10-19C＝1.6×10-19J（焦耳）
1V电压 qe：电子的电荷（库伦）

 注意
原子的电离过程产生带电粒子。
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 表 1-1 某些气体的激励能和电离能

气体 激励能We (eV) 电离能Wi (eV) 气体 激励能We (eV) 电离能Wi (eV)

N2 6.1 15.6 CO2 10.0 13.7

O2 7.9 12.5 H2 O 7.6 12.8
H2 11.2 15.4 SF6 6.8 15.6

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4. 原子的激励与电离的关系
 原子发生电离产生带电粒子的两种情况：
⑴ 激励+电离
原子吸收了一定的能量 发生激励，跳到
再次吸收能量
，但能量不太高 更远的轨道

发生电离，产生带电粒子

⑵ 直接电离

原子吸收直接吸收了足够的能量 发生电离，产生带电粒子

 原子的激励过程不产生带电粒子；
 原子的电离过程产生带电粒子；
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 激励过程可能是电离过程的基础。
二．气体中带电粒子的产生

 电离所获能量形式不同，带电粒子产生的形式不同

⒈ 光电离

⒉ 碰撞电离

⒊ 热电离

⒋ 电极表面电离（阴极表面电离）

⒌ 负离子的形成 18/172
二．气体中带电粒子的产生
 电离所获能量形式不同，带电粒子产生的形式不同
⒈ 光电离
 光电离——光辐射引起的气体分子的电离过程。

 发生光电离的条件 注意
hc 可见光都不可能使气体
hν ≥Wi或λ≤ 直接发生光电离，只有波
Wi
长短的高能辐射线 （ 例
式中：h—普郎克常数； 如X 射线、γ射线等）才能
光子能量W＝hν 使气体发生光电离。
ν—光子的频率；
Wi—气体的电离能，eV；
c—光速=3×108m/s；
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λ—光的波长，m。
⒉ 碰撞电离

 碰撞电离——由于质点碰撞所引起的电离过程。（主要是电
子碰撞电离？？）

 电子在电场强度为 若W等于或大于
E 的电场中移过x 气体分子的电离
距离时所获得的动 能Wi，该电子
就有足够的能量
能为：
去完成碰撞电离
1 发生碰撞电离的条件
W
= = mv 2 qe Ex
2 qe Ex≥Wi
式中:m—电子的质量；
qe—电子的电荷量
与离子质量无关
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 电子为造成碰撞电离而必须飞越的最小距离：
Wi Ui
xi
= =
qe E E
式中：Ui为气体的电离电位，在数值上与以eV为单位的Wi相等。
 xi 的大小取决与场强 E ，增大气体中的场强将使 xi 值减小，
可见提高外加电场将使碰撞电离的概率和强度增大。

 注意
 碰撞电离是气体中产生带电粒子的最重要的方式。
 主要的碰撞电离均有电子完成，离子碰撞中性分子并使之电
离的概率要比电子小得多，所以在分析气体放电发展过程时
，往往只考虑电子所引起的碰撞电离。
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⒊ 热电离
 热电离——因气体热状态引起的电离过程。

 发生热电离的条件
 注意
3
Wm = kT≥Wi  分子热运动所固有的动能不足
2 以产生碰撞电离，20oC时，气
式中：k—波尔茨曼常数；
体分子平均动能约0.038eV。热
（k=1.38×10-23J/K） 电离起始温度为103K（727oC）
Wi—气体的电离能，eV；  在一定热状态下物质会发出辐
T—绝对温度，K；
射，热辐射光子能量大，会引
 绝对温度和摄氏温度的关系： 起光电离
T绝对=273+T摄氏 22/172
 热电离实质上是热状态下碰撞电离和光电离的综合
 例如：发生电弧放电时，气体温度可达数千度，
气体分子动能就足以导致发生明显的碰撞电离，
高温下高能热辐射光子也能造成气体的电离

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⒋ 电极表面电离（阴极表面电离）

 电极表面电离——电子从金属电极（阴极）表面逸出的过程。

 逸出功

 逸出功——电子从金属表面逸出所需的能量。

金属 逸出功 (eV) 金属 逸出功 (eV) 金属 逸出功 (eV)

铝 (Al ) 1.8 铁 (Fe) 3.9 氧化铜 (CuO) 5.3

银 (Ag) 3.1 铜 (Cu) 3.9 铯 (Cs) 0.7

 与表1-1相比较，可知金属的逸出功比气体分子的电离能小得
多，表明金属表面电离比气体空间电离更易发生。
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 阴极表面电离在气体放电过程中起着相当重要的作用。
 电极表面电离按外加能量形式的不同，可分为四种形式
① 正离子撞击阴极表面
 正离子碰撞阴极时把能量传递给金属极板中的电子，使其逸出金
属；
 正离子必须碰撞出一个以上电子时才能产生自由电子；(正离子需
要一个结合成分子)
 逸出的电子有一个和正离子结合成为原子，其余成为自由电子。

② 光电子发射（光电效应）

 高能辐射先照射阴极时，会引起光电子发射，其条件是光子的能
量应大于金属的逸出功；
 同样的光辐射引起的电极表面电离要比引起空间光电离强烈得多。

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③ 热电子发射
 当阴极被加热到很高温度时，其中的电子获得巨大动能，逸
出金属表面；
 在许多电子器件中常利用加热阴极来实现电子发射。
④ 强场发射（冷发射）

 当阴极表面附近空间存在很强的电场时（106V/cm数量级），
能使阴极发射电子；
 常态下作用气隙击穿完全不受影响；
 在高气压、压缩的高强度气体的击穿过程中会起一定的作
用；真空中更起着决定性作用。
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⒌ 负离子的形成
自由电子碰撞中性的分子或原子可能产生的三种结果
情况一

电子碰撞中性的分子或原子 发生电离 产生自由电子

情况二
能量不足，撞
电子碰撞中性的分子或原子 未产生自由电子
击后反弹回来
情况三
电子碰撞中性的分子或原子 没发生电离 被中性的分子捕捉
，也没被反 ，成为自己的束缚
形成了负离子 弹回来 电子
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 附着——自由电子与气体分子碰撞时，发生电子与中性分子
相结合而形成负离子的过程。

 负离子形成过程的特点
 形成负离子时可释放出能量
 有些气体容易形成负离子，称为电负性气体（如氧、氟、氯
等），SF6（绝缘性是空气的3倍，灭弧性是空气的100倍）
 负离子的形成起着阻碍放电的作用

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三．带电粒子在气体中的运动
电流：带电粒子在电场作用下定向移动，大小∝带电
粒子浓度与速度

⒈ 自由行程长度
① 带电粒子的运动轨迹
 当气体中存在电场时，带电粒子将具
有复杂的运动轨迹 
E
“混乱热运动＋沿着电场作定向漂移”

 自由行程长度——带电粒子与气体分子发生第一次碰撞到第
二次碰撞所移动的距离。（两次碰撞中未再发生任何碰撞）

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② 平均自由行程长度
 实际的自由行程长度是随机量，有很大的分散性，任意带电
粒子在1cm的行程中所遭遇的碰撞次数与分子的半径和密度
有关

 平均自由行程长度λ——带电粒子单位行程中的碰撞次数Z的
倒数。

 粒子的实际自由行程长度等于或大于某一距离x的概率为
x
−
P ( x) = e λ

 注意：由于电子的半径或体积比离子或气体分子小得多，所
以电子的平均自由行程长度要比离子或气体分子大得多。
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 由气体动力学可知，电子的平均自由行程长度
1
λe = 2
πr N
式中：r—气体分子半径；
N—气体分子密度。

p kT T
 又由 N = ⇒ λe = ⇒ λe∝
kT πr p
2
P
式中：p—气压，Pa；
T—气温，K；  平均自由行程长度与温度成正比
k—波尔茨曼常数， ，温度越高气体发散，粒子间距
（k =1.38×10-23J/K）。 离较远， λe越大
 平均自由行程长度与气压成反比
，气压越高，气体分子被得越紧
，粒子间距离较近， λe越小。
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⒉ 带电粒子的迁移率
 带电粒子的迁移率k——带电粒子在单位场强（V/m）下沿电
场方向的漂移速度。
v
k=
E
式中：v—带电粒子的速度；
E—电场强度。

注意
由于电子的平均自由行程长度比离子大得多，而电子的质量
比离子小得多。更易加速，所以电子的迁移率远大于离子。一
般电子迁移率比离子迁移率大两个数量级
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⒊ 扩散
 扩散——在热运动的过程中，粒子从浓度较大的区域运动到
浓度较小的区域，从而使每种粒子的浓度分布均匀化的物理
过程。

 扩散的特点
 气压越低，温度越高，扩散进行的越快。
 电子的热运动速度大、自由行程长度大，其扩散速度也要比
离子快得多。

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四．带电粒子消失
⒈ 带电粒子产生和消失的关系

 带电粒子产生和消失是同时发生的过程；
 若产生的带电粒子大于消失的带电粒子，则会促进气体放
电过程；
 若产生的带电粒子等于消失的带电粒子，则会促进气体就
处于稳定状态；
 若产生的带电粒子小于消失的带电粒子，则会阻碍气体放
电过程；

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⒉ 带电粒子消失的形式

① 带电粒子在电场的驱动下作定向运动，在到达电极时，消失
于电极上而形成外电路中的电流。

② 带电粒子因扩散现象而逸出气体放电空间。
 扩散的实质——某一局部的带电粒子从浓度比较高的区域，扩散
到浓度比较低的区域，使得原区域的带电粒子数减少。
 带电粒子的扩散是由于热运动造成，带电粒子的扩散规律和
气体的扩散规律相似
 气体中带电粒子的扩散和气体状态有关，气体压力越高或者
温度越低，扩散过程也就越弱
 电子质量远小于离子，所以电子的热运动速度高，它在热运
动中受到的碰撞也少，因此，电子的扩散过程比离子的要强
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③ 带电粒子的复合

 复合——气体中带异号电荷的粒子相遇而发生电荷的传递与
中和，还原为分子的过程。（是与电离相反的一种过程）
 电子复合—电子和正离子发生复合，产生一个中性分子
离子复合—正离子和负离子发生复合，产生两个中性分子
 带电粒子的复合过程中会发生光辐射，这种光辐射在一定
条件下又成为导致电离的因素
 参与复合的粒子的相对速度越大，复合概率越小。通常放
电过程中离子间的复合更为重要
 带电粒子浓度越大，复合速度越大，强烈的电离区也是强
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烈的复合区
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程

 气体的击穿过程与电场分布有很大关系，均匀电场和不均匀
电场下气体的击穿过程有很大的不同；
 均匀电场——电场中任一点的电场强度均相同；
 不均匀电场——电场中任一点的电场强度均不相同；

掌握
 非自持放电过程和自持放电过程的概念；
 汤逊气体放电理论的要点和适用范围；
 流注气体放电理论的要点和适用范围；
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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
一．非自持放电和自持放电
⒈ 非自持放电和自持放电的概念
 非自持放电——去掉外电离因素的作用后放电随即停止；
 自持放电 ——不需要外界因素，仅由电场作用而维持的放
电过程。
 ？去掉电压还可放点吗？

⒉ 非自持放电和自持放电的过程
 气体间隙中电流的变化反映放电过程

 测定气体间隙中电流变化的实验装置
 通过调节电阻，测量回路电流随电压
变化的情况 38/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 均匀电场下气体间隙中电流随电压变化的分析
① oa段 I
随着电压升高，电流增大，到
达极板的带电粒子数量和速度
也随之增大。
 加电场前，外电离因素（光照射）
在极板间产生带电粒子，但带电粒
子制作杂乱无章的热运动，不产生 I0
电流；
 加电场后，带电粒子沿电场方向定 Ua Ub Uc U
向移动，形成电流。随着电压升高
，带电粒子运动速度加快，使到达 均匀电场中气体的伏安特性
极板的带电粒子数量和速度不断增
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大，电流也随之增大。
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 均匀电场下气体间隙中电流随电压变化的分析
② ab段 I
电流趋于饱和，由外电离因素
产生的带电粒子已全部进入电
极，电流I0大小取决于外电离因
素与电压无关。

 外电离因素（光照射）的强度 I0
一定的情况下，单位时间内产
生的带电粒子数量是一定的， Ua Ub Uc U
由此产生的电流也是一定。
 I0——饱和电流。 均匀电场中气体的伏安特性
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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 均匀电场下气体间隙中电流随电压变化的分析
③ bc段 I
电流又再随电压的增大而增大。
发生电子碰撞电离。

气体间的带电粒
电压升高 子运动速度加快
I0
当能量大于极板间空
带电粒子能量 气中原子的电离能
（动能）增加 Ua Ub Uc U

均匀电场中气体的伏安特性
电子碰撞电离，产 电流急速
生大量带电粒子 增加 41/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 均匀电场下气体间隙中电流随电压变化的分析
④ c点 I
U=Uc，电流急剧增大。气体间
隙被击穿进入导电状态（自持
放电），不再需要任何外界因
素（光照射、外加电源）。

 c点处的临界电压Uc就是击穿电 I0
压Ub，当电压达到Uc后气体即
被击穿，由原来的绝缘体变成 Ua Ub Uc U
了导体。
均匀电场中气体的伏安特性
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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 均匀电场下气体间隙中电流随电压变化的分析

 当产生的电流I＜Ic：非自持放电 I
区；
 当产生的电流I≥Ic：自持放电区； 自持放电区

 当施加的电压U＜Uc：气体保持
绝缘； Ic
非自持放电区
 当施加的电压U≥Uc：气体被击穿 I0
。
Ua Ub Uc U

均匀电场中气体的伏安特性
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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
（二）汤逊放电理论

20世纪初，汤逊根据大量的试验研究结果，提出了适用
于均匀电场、低气压、短气隙时气体放电理论
 理论认为，电子的碰撞电离(α过程）和正离子撞击
阴极造成的表面电离（γ过程）起主要作用
 提出气隙放电电流和击穿电压的计算公式

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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⒈ α过程（电子崩过程）
⑴ 电子崩的形成过程
电场力作用下，电子
由外电离因素产 沿电场做定向移动 与中性粒子发 中性粒子发生电离
生一个初始电子 生电子碰撞

产生正离子 原来的电子和新产 电子数目迅速增加，如同

和自由电子 生的电子继续移动 冰山上发生雪崩一样，形
，不断发生电子碰 成了电子崩
撞电离

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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 电子崩——电子数按几何级数不断增多，像雪崩似的发展。
从而形成的急剧增大的空间电子流。

 电子崩的形状：“崩头大、崩尾小。”
 电子发生电子碰撞后，电子的速度快，所以会大量的集中在
崩头；
 正离子移动速度较慢，所以缓慢的移向崩尾。

崩尾 崩头
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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⑵ α过程引起的电流
 α的定义
 电子碰撞电离系数α——表示一个电子沿电场方向运动1cm
的行程中所完成的碰撞电离次数平均值。
 即是一个电子在单位长度行程内新电离出的电子数或正离子
数。

 注意： α必须是电子发生碰撞且电离的次数，若电子只发生
了碰撞没有导致电离则不能计入α中。

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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 α过程的分析（电子崩的计算）
设：在外电离因素光辐射的作用下，单位
时间内阴极单位面积产生n0个电子，由于
碰撞电离和电子崩得作用下，在距离阴极
x处，电子数增至n个。 na

① 在dx段上产生的新电子dn
dn＝nαdx
② 电子增长规律（n0个电子行进x距离产
生的电子数n） d
x
dn ∫ αdx 均匀场 αx
⇒ αdx ⇒ n =
= n0 e 0

α 不变
→ n = n0 e
n
令x=d，抵达阳极电子数na
na = n0 eα d 48/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 α过程的分析（电子崩的计算）
③ 途中新增的电子数或正离子数△n
∆n = na − n0 = n0 (e αd − 1) na

④ 电子电流增长规律
将式 n = n0 eα x 两边乘以电子电荷qe ⇒
I = I 0 e αx
d
式中：I0—初始电子引起的初始电流

 令x=d，进入阳极的电流（外回路电流）
I x=d = I 0 e αd
 若I0=0，则I=0，既若去掉外界电离因素，气隙中电流为0，气体放电停止。

 结论：若只有α过程，气体放电是不能自持的。 49/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⑶ α的分析
 假设电子的平均自由行程为λe，运动1cm碰撞次数为1/λe ，但
并不是每次碰撞都引起电离；
xi
-
 碰撞引起电离的概率为 e ，xi 为电子造成碰撞电离而必须飞 λe

跃的最小距离。

 根据α定义有：
xi ui ui T BP
1 −
λe xi = 1 −
λe E
λe∝ −
BP
α e →α

= E
e →α = APe

= P EE
λe λe 1
= AP
当气温不变时，
λe
, Aui B
=

式中：A、B—与气体种类有关的常数；
E—电场强度；
P—气体压力。 50/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
BP
−
 由式 α = APe E
，可得结论：

① 电场强度E增大，则α增大；
② 气体压力P很大（电子的平均自由行程λe很小）或者
气体压力P很小（电子的平均自由行程λe很大）时，
α值都很小。

既在高气压或高真空的条件下，气体间隙不易发生
放电现象，具有较高的电气强度。

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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⒉ γ过程
⑴ γ的概念

 正离子表面电离系数γ——表示一个正离子沿电场方向由阳极
向阴极运动，撞击阴极表面产生表面电离的电子数。
 正离子向阴极移动，依靠它所具有的动能及位能，在撞击
阴极时能引起表面电离，使阴极释放出自由电子

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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⑵ α过程和γ过程引起的电流
设阴极表面单位时间内发射的电子数为nc
na
nc
外电离因素产生的电子数—n0
nc
新增电子：前一秒钟产生出来的
正离子在阴极上造成的二次电子
发射所产生的电子数—γnc(eαd－1) d

 二次电子发射的形成过程
nc个电子到达阳极后 每产生一个自由电子的同
产生的新电子数 时，会产生一个正离子
，产生总电子数为：
为：nceαd－nc
na＝nceαd
正离子沿电场运动，撞击 正离子撞击阴极表
产生的新正离子数 阴极造成二次电子发射 面产生的电子数为
为：nceαd－nc γnc(eαd－1) 53/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 α过程＋γ过程的分析
① nc个电子行进d距离产生的电子数na
已知 nc＝n0＋γnc(eαd－1) na
na＝nceαd ⇒
eα d
na = n0
1 − γ (eα d − 1)
d
② 进入阳极的电流（外回路电流）
将上式两边乘以电子电荷qe
αd
 结论：
e
I = I0 若1－γ(eαd－1) ＝0，
1 − γ (eα d − 1)
即使I0=0（除去外界
 若γ=0，则I＝I0eαd，即只有α过程；
 若 1 − γ (eα d − 1) ≠ 0，当I0＝0时，I＝0 的电离因素），放电
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若 1 − γ (eα d − 1) = 0，当I0＝0时，I≠0 能维持下去。
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⒊ 汤逊理论的均匀电场中的电压
⑴ 汤逊理论的自持放电条件

γ(eαd－1) ＝1

 物理意义：一个电子从阴极到阳极途中因电子崩（α过程）
而造成的正离子数为 eαd－1 ，这批正离子在阴极上造成的
二次自由电子数（γ过程）应为γ (eαd－1 ) ，如果它等于1，
就意味着那个初始电子有了一个后继电子，从而使放电得以
自持。

55/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 当自持放电条件得到满足时，就会形成图解中闭环部分所示
的循环不息的状态，放电就能自己维持下去。

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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⑵ 击穿电压、巴申定律
 起始电压U0——放电由非自持转为自持时的电压。
 均匀电场中：起始电压U0＝击穿电压Ub
① 均匀电场击穿电压的推导
BP
−
 将α计算式 α = APe 代入自持放电条件 γ (eα d − 1) = 1 ，并
E

U0
E
且考虑均匀电场中自持放电的起始场强 0 d 得： =

B( pd ) U 0 =U b
=U0  → U b = f ( pd )
A( pd )
Ln[ ]
 1
Ln  1 + 
 λ
 结论：均匀电场中气体的击穿电压Ub是气压和电极间距
57/172
离的乘积（pd）的函数。
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
② 巴申定律——巴申实验曲线

 击穿电压与pd的规律在
汤逊碰撞电离学说提出
之前，巴申已从实验中
总结出来了，汤逊理论
从理论上解释了试验结
果。

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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 巴申定律
 从曲线可以看出，存在一个
最小值，此时击穿电压最低
 假设d不变：
 当气压很小时，气体稀薄，
虽然电子自由程大，可以得
到足够的动能，但碰撞总数
小，所以击穿电压升高
 当气体增大时，电子自由程
变小，得到的动能减小，所
以击穿电压升高。
 总有一个气压对碰撞电离最
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有利，此时击穿电压最小
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⒋ 汤逊理论的适用范围
⑴ 适用范围
均匀场、低气压、短气隙 ［pd<36.66kPa · cm(20mmHg · cm)］
⑵ 局限性
pd较大时，解释现象与实际不符
① 放电外形
汤逊理论解释：放电外形均匀，如辉光放电；
pd大时的实际现象：外形不均匀，有细小分支；
② 放电时间：Tpd大<<T汤逊
③ 击穿电压：Ub·pd大<<Ub·汤逊
④ 阴极材料影响
汤逊理论解释：阴极材料对放电有影响(γ过程）；
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pd大时的实际现象：阴极材料对放电无影响；
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
（三）气体击穿的流注放电理论
 对象：工程上感兴趣的压力较高的气体击穿，比如雷电
放电并不存在金属电极，因而与阴极上的γ过程和二次电
子发射根本无关。
 特点：认为电子碰撞电离及空间光电离是维持自持放电
的主要因素，并强调了空间电荷畸变电场（使原来均匀
的电场变成了不均匀电场）的作用
 放电过程
电子崩阶段 流注阶段 气体击穿
空间电荷畸变 电离形成二次电子崩
外电场 ，等离子体 61/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⒈ 流注理论中的电子崩过程

电子崩中空间电荷的浓度分布
⑴ 电子崩外形
 电子崩外形 - +
好似球头的锥体，空间电荷分布极不
均匀，电子崩中的电子数：n＝eαx

 例如，正常大气条件下，若E＝30kV
／cm，则α≈11cm-1，计算随着电子崩
向阳极推进，崩头中的电子数 x

x(cm) 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
n 9 27 81 245 735 2208 6634 19930 59874
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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⑵ 空间电荷对原有电场的影响

电子崩
 大大加强了崩头及崩尾的电场，削弱 - +
了崩头内正、负电荷区域之间的电场

空间电荷的电场
 电子崩头部
电场明显增强，电离过程强烈，有利
于发生分子和离子的激励现象，当它 x
们回复到正常状态时，发射出光子。

合成电场
 崩头内部正负电荷区域
电场大大削弱，但电子和正离子浓度
却是最大，有助于发生复合过程，发 均匀电场E0

射出光子。 63/172
x
 x
第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⒉ 流注的形成
 流注—电离强度和发展速度远
大于初始电子崩的新放电区（
光子
二次电子崩）以及它们不断汇
入初崩通道的过程。
⑴ 二次电子崩的形成
 主崩走完整个间隙后，大密度的头
部正离子空间电荷大大加强了后部
的电场，并向周围放射出大量光子
 光子引起空间光电离，其中电子被
主电子崩头部的正空间电荷所吸引
，在畸变而加强了的电场中，造成
了新的电子崩，称为二次电子崩 1：主电子崩 2：二次电子崩
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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⑵ 正流注

：
1主电子崩； ：
 条件：当外加电压＝击穿电压
① 正流注体的形成
 二次电子崩中的电子进入主电
子崩头部的正空间电荷区（电

2二次电子崩； ：
场强度较小），大多形成负离
子。大量的正、负带电质点构
成了等离子体，这就是正流注

 流注通道导电性良好，其头部

3流注
又是二次电子崩形成的正电荷
，因此流注头部前方出现了很
强的电场 65/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
② 正流注向阴极推进
 流注头部的电离，放射出大量光
子，继续引起空间光电离。流注
前方出现新的二次电子崩，它们
被吸引向流注头部，延长了流注
通道
 流注不断向阴极挺进，且随着流
注接近阴极，其头部电场越来越
强，因而其发展也越来越快
 流注发展到阴极，间隙被导电良
好的等离子通道所贯通，间隙的
击穿完成，这个电压就是击穿电
压 66/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⑶ 负流注

：
1主电子崩； ：
 条件：当外加电压＞击穿电压
 电压较低时，电子崩需经过整个间
隙才能积聚到足够的电子数形成流
注；电压较高时，电子崩不需经过

2二次电子崩； ：
整个间隙，其头部电离程度已足以
形成流注
 主电子崩头部的电离很强烈，光子
射到主崩前方，在前方产生新的电
子崩，主崩头部的电子和二次崩尾
的正离子形成混合通道，形成向阳

3流注
极推进的流注，称为负流注
 间隙中的正、负流注可以同时向两
67/172
极发展。
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 试验测量结果：电子崩 电子崩是沿着电力线直线发展

在电离室中得到的初始电子崩照片 初始电子崩转变为
图a和图b的时间间隔为1×10-7秒 流注瞬间照片

 电子崩在空气中的发展速度约为1.25×107cm/s 68/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 试验测量结果：正流注

在电离室中得到的阳极流注发展过程的照片
正流注的发展速度约为1×108～2×108cm/s

流注会出现曲折的分支 69/172
 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
 试验测量结果表明

 电子崩是沿着电力线直线发展，流注会出现曲折的分支
 电子崩可以同时有多个互不影响地向前发展
 汤逊放电是弥散的一片，流注放电有明亮的细通道

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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⒊ 流注理论击穿过程的总结

发生碰撞电离 畸变电场 强电场作用下

气隙间有 电子崩 发射光子
效电子

二次崩不断汇 流注高速的向
产生新电子崩 入主崩 形成等离子通 电极挺进
（二次崩） 道（流注）

由阳极向阴极(正流注)或由阴极向阳极
(负流注)击穿
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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⒋ 流注理论在均匀电场中的自持放电条件
 流注形成的条件就是自持放电条件

 一旦形成流注，放电就进入了新的阶段，放电可以由本身产
生的空间光电离而自行维持，即转入自持放电；
 如果电场均匀，间隙就将被击穿。所以流注形成的条件就是
自持放电条件，在均匀电场中也就是导致击穿的条件。
流注形成的条件
 初崩头部空间电荷数必须达到某一临界值
既: eαd＝常数 或αd＝常数（eαd为电子崩头部的电子数）
 实验所得初崩头部的电子数要达到108时，放电才能转为自持。
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 第三节 均匀电场中气体击穿的发展过程
⒌ 流注理论对pd 较大时放电现象的解释
⑴ 放电外形
 现象： pd 较大时，放电不均匀，有分支，有细小的通道
 解释：二次电子崩在空间的形成和发展带有统计性，所以火花通道
常是曲折的，并带有分枝
⑵ 放电时间
 现象： 放电时间极短
 解释：光子以光速传播，所以流注发展速度极快，这就可以说明pd
很大时放电时间特别短的现象
⑶ 阴极材料的影响
 现象： 放电与阴极材料无关
 解释： pd很大时，维持放电自持的是空间光电离，而不是阴极表
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面的电离过程
第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程

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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
（一）稍不均匀电场和极不均匀电场的放电特征

 球隙放电
 d0≈2D， d0’≈4D，
 D 球电极直径

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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
（一）稍不均匀电场和极不均匀电场的放电特征
 球隙放电
 d0≈2D， d0’≈4D，
 D 球电极直径

 电场较均匀：击穿前，看不出放电迹象

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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
（一）稍不均匀电场和极不均匀电场的放电特征
 球隙放电
 d0≈2D， d0’≈4D，
 D 球电极直径

 电场不均匀：存在电晕，刷状放电，击穿电压分散性较大

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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
（一）稍不均匀电场和极不均匀电场的放电特征
 球隙放电
 d0≈2D， d0’≈4D，
 D 球电极直径

 电场极不均匀：电晕电压<击穿电压

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第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
（一）稍不均匀电场和极不均匀电场的放电
特征
 同轴圆柱间隙
特点：内圆柱表面电场最强。

外电极半径10cm固定，3种内电极尺寸不同。
3-均匀，电子经过整个间隙才放电
2-稍不均匀，
1-极不均匀，电晕扩大，击穿。越不均匀电晕
电压与击穿电压差值越大

电子碰撞系数与电场有关，电子
崩达到一定数量才自持放电
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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程

（一）稍不均匀电场和极不均匀电场的放电特征
⒈ 均匀电场
 放电达到自持，间隙立即被击穿，击穿前看不到放电迹象
 平板电极

⒉ 稍不均匀电场
 放电特性与均匀电场相似，一旦出现自持放电便一定立即
导致整个气隙击穿。
 测高电压的球隙
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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⒊ 极不均匀电场
 特有两大特征
 电晕放电：极不均匀电场所特有的一种自持放电形式；
 极性效应：放电过程与电极的极性有关；
 典型的极不均与电场
 棒—棒（针—针）：
 棒—板（针—板）：

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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⒋ 电场不均匀系数 f
 引入电场不均匀系数 f 表示各种结构的电场的均匀程度

 f = 1， 均匀电场
Emax 
=f ⇒  f < 2，稍不均匀电场
Eav  f > 4，极不均匀电场


式中：Emax——最大电场强度；
Eav ——平均电场强度；

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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
（二）极不均匀电场中的电晕放电
⒈ 电晕放电的一般描述
⑴ 电晕放电的概念
 电晕放电——极不均匀电场所特有的一种自持放电现象；
⑵ 发生电晕放电现象的条件
 电场极不均匀时，曲率大的电极附近很小范围内α已达相当
数值时，间隙中大部分区域值α都仍然很小，放电达到自持
放电后，间隙没有击穿
 电场越不均匀，击穿电压和电晕起始电压间的差别也越大
电晕放电由于局部强场区的放电过程造成。
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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⑶ 电晕放电的效应
① 电晕放电的表现：咝咝的声音、臭氧的气味、电极附近空间蓝色
的晕光；

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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程

② 化学反应产生新物质，O3、NO、NO2；
③ 回路电流明显增加(绝对值仍很小)，可以测量到能量损失；
④ 产生高频脉冲电流；
 电压达到一定值，电晕电流为无规律的重复电流脉冲
 电压升高，脉冲特性愈来愈不显著，电晕电流转变为持续
电流
 电压继续升高，出现幅值大得多的不规则的流注型电晕电
流脉冲

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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⑷ 电晕起始电压和电晕起始场强
 电晕起始场强——开始出现电晕时电极表面的场强；
 电晕起始电压——开始出现电晕时的电压；

 电晕起始电压由于它的影响因素很多，通常利用实验的方法
求取，然后推导出相应计算电晕起始场强的经验公式。

 电晕起始场强的求取（皮克公式）  注意：在雨、雪、雾
 以输电线路为例 等坏天气时，导线表
面的水滴使导线表面
 0.3  电场发生变化，降低
=Ec 30mδ  1 +  ( kV / cm )
rδ  了电晕起始电压和起

始场强。
式中 m—导线表面粗糙系数，光滑导线的m≈1, 绞线的m ≈ 0.8～0.9；
δ —空气相对密度； 86/172
r —导线半径，cm 。
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⒉ 电晕放电的两种形式
① 电子崩形式
起晕电极曲率很大时，放电初期，电晕层很薄且比较均匀，
放电电流稳定，自持放电采用汤逊放电形式。
 放电达到自持时，α在整个间隙中部巳达到相当数值。这
时和均匀电场中情况类似
② 流注形式
 升高电压：电晕层扩大，个别电子崩→流注
 再电压升高：个别流注强烈发展→出现刷状放电
 继续升高电压：流注贯穿间隙→击穿 87/172
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⒊ 电晕放电的利弊
⑴ 不利影响
① 发光、发热，损失能量；
② 使空气发生化学反应，产生O3、NO、NO2等，引起腐蚀作
用；
 O3是强氧化剂， NO、NO2遇到水气会形成硝酸和亚硝
酸，从而会对电力设备引起腐蚀作用
③ 脉冲现象产生高频电磁波，干扰通讯和测量，还可能产生超
过环保标准的噪声。

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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⑵ 有利方面

① 电晕可削弱输电线上雷电冲击电压波的幅值及陡度；

引起线路上 电晕导致发 损失雷电冲击

雷击线路
发生电晕 光、发热 电压的能量

减小设备上的雷 有利于保护设
电过电压 备绝缘

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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
② 工业应用
 除菌及清鲜空气
利用空气中电晕放电，控制产生一定浓度臭氧(强氧化剂)，
达到杀菌及清洁空气的作用(目前消毒柜和空调中所谓的等
离子体空气清新技术)
 污水处理
利用电晕放电的高频脉冲高压产生高浓度臭氧，与污水作用
能够分解污水中的有机物，去除臭气，实现污水的处理
 烟气处理
利用电晕放电的高功率脉冲形成高能活性离子，可以实现工
厂烟气的脱硫脱硝，净化排污 90/172
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
（三）极不均匀电场的放电过程
 极不均匀电场中的放电存在明显的极性效应。既放电的发展过程
、气息的电气强度、击穿电压等都与电极的极性有关；
极性的确定
极性由表面电场较强的电极所决定
两个电极几何形状不同的场合极性取决于曲率半径较小的电极
的电位符号（“棒—板”间隙取决于棒电极电位）；
几何形状相同（“棒—棒”间隙）取决于不接地的那个电极上
的电位。

 理论基础
 短间隙——流注理论
 长间隙——先导放电（雷电放电） 91/172
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⒈ 短间隙极不均匀电场中的放电过程（棒－板间隙）
E0
⑴ 正极性（正棒—负板）
－
① 非自持放电阶段
 棒极附近强场区域内形成电子 (a)
Eq Eq
崩，电子崩头部的电子被棒极
中和，在棒极附近空间留下许 －

多正离子， (b) E
E0
 积聚起的正空间电荷，减少了 Ecom=E0+Eq
紧贴棒极附近的电场，而略微 x
加强了外部空间的电场，棒极 Eq
附近难以造成流注，使得自持 (c)
E0—原电场；Eq—空间电荷电场92/172
放电、即电晕放电难以形成 ；Ecom—合成电场
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
E0
② 流注发展阶段
－
 电子崩进入棒电极，正电荷留
在棒尖加强了前方（板极方向
(a)
）的电场； Eq Eq

 电场的加强对形成流注发展有 －
利。头部前方产生新电子崩，
(b) E
吸引入流注头部正电荷区内， E0
加强并延长流注通道； Ecom=E0+Eq
x
 流注及其头部的正电荷使强电
Eq
场区向前移，促进流注通道进
(c)
一步发展，逐渐向阴极推进， E0—原电场；Eq—空间电荷电场
形成正流注 ；Ecom—合成电场
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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程

削弱棒极附近电场 棒极附近难以形成流
注，起始电晕电压高
正空间电荷积聚，
正空间电荷 削弱了电离

（正极性）
加强了正空间电荷外 有利于流注向间隙深处
部朝向板极的电场 发展，故其击穿电压低

积聚的正空间电荷在
间隙深处加强电场
94/172
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⑵ 负极性（负棒—正板） E0

① 非自持放电阶段 ＋

 电子崩中电子离开强电场区
后，难以再引起电离，正离 (a)
Eq Eq
子逐渐向棒极运动，在棒极
附近出现了比较集中的正空 ＋
间电荷，使电场畸变
(b) E
 棒极附近的电场得到增强，
因而自待放电条件就易于得 E0 Ecom=E0+Eq
到满足，易于转入流注而形
成电晕放电 Eq x
(c)
E0—原电场；Eq—空间电荷电场；
95/172
Ecom—合成电场
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
E0
② 流注发展阶段
＋
 电子崩由强场区向弱场区发
展，对电子崩发展不利。棒 (a)
极前的正电荷区消弱了前方 Eq Eq
（阳极方向）空间的电场，
＋
使流注发展不利
(b) E
 等离子体层前方电场足够强
后，发展新电子崩，形成了 E0 Ecom=E0+Eq
大量二次电子崩，汇集起来
后使得等离子体层向阳极推
进，形成负流注 Eq x
(c)
E0—原电场；Eq—空间电荷电场；
96/172
Ecom—合成电场
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程

加强棒极附近电场 棒极附近易于形成流
注，起始电晕电压低
正空间电荷积聚，
正空间电荷 加强了电离

（负极性）
削弱了正空间电荷外 不利于流注向间隙深处
部朝向板极的电场 发展，放电发展困难，
故其击穿电压高
积聚的正空间电荷在
间隙深处减弱电场
97/172
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
 结论
在相同气隙下

正极性 负极性
（正棒—负板） （负棒—正板）

电晕起始电压 高 低

间隙击穿电压 低 高

98/172
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⑶ 放电进一步发展

 外电压较低时，流注通道深入间隙一段距离后，就停止不
前了，形成电晕放电或刷状放电
 外电压足够高时，流注通道将一直达到另一电极，从而导
致间隙完全击穿

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 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⒉ 长间隙极不均匀电场中的放电过程（棒－板间隙）
 间隙距离较长时(如棒—板间
隙远离大于1米时)，在流注
通道还不足于贯通整个间隙
的电压下，仍可能发展起击
穿过程。
 流注通道发展到足够的长度
后，将有较多的电子循通道
流向电极，通过通道根部的
电子最多，于是流注根部温
度升高，出现热电离过程。
正棒—负板间隙中先导通道的发展
 这个具有热电离过程的通道 （ａ）先导和其头部的流注ｋｍ；（ｂ）流注头部
称为先导通道。 100/172
电子崩的形成；（ｃ）ｋｍ由流注转变为先导和形
成流注ｍｎ；（ｄ）流注头部电子崩的形成；
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⑴ 正先导
电离加强，
更为明亮

电导增大
流注根部 热电离 先导
温度升高 过程 通道
轴向场强更
低

发展速度更
快

 长空气间隙的平均击穿场强远低于短间隙 101/172
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⑵ 负先导

 负棒—正板，正空间电荷大大加强棒极附近原已很强的电场
，该区域发生强烈的电离，高场强和大电流密度，使棒极附
近产生热电离，形成负先导
 负空间电荷在通道前端形成反向电场—电场屏蔽，屏蔽减弱
后，又发展新负流注、新负先导。接着，重复第一阶段的过
程，使先导通道又向前推进一段。在长间隙中，这样的过程
可能重复多次，使负先导通道的前进具有分级的特性。
 前伸的平均速度是正先导的1/5~1/3

102/172
 第四节 不均匀电场中气体击穿的发展过程
⑶ 主放电过程
 当先导通道头部发展到接近对
面电极时，将发生十分强烈的
放电过程，这个过程将沿着先
导通道以一定速度向反方向扩
展到棒极，这个过程称为主放
电过程。
 主放电过程使贯穿两极间的通
道成为温度很高、电导很大、
轴向场强很小的等离子体火花
通道(如电源功率足够，则转为 1—主放电通道
电弧通道)，从而使气隙完全失
2—主放电和先导通道的交界区
去了绝缘性能，气隙被击穿。 103/172
3—先导通道
第五节 持续电压作用下气体的击穿特性
 影响气体间隙击穿电压的主要因素
① 气体击穿电压与电场分布有关
均匀、稍不均匀、极不均匀
② 气体击穿电压与电压形式有关
直流、交流、雷电冲击、操作冲击
③ 气体击穿电压与气体种类有关
空气、电负性气体
④ 气体击穿电压与气体状态有关
104/172
气体的气压、温度、湿度、海拔高度
 第五节 持续电压作用下气体的击穿特性
（一）均匀电场中的击穿电压

持续电压（交流电、直流电）：电压变化速度很小，相比之
下放电发展的时间（us）；
冲击电压（雷电，操作过电压）：us级别

105/172
 第五节 持续电压作用下气体的击穿特性
（一）均匀电场中的击穿电压
⒈ 特点
① 通常只有间隙不大时的击穿电压实验数据；
 间隙过大，距离过长，电场便不再是均匀电场
② 击穿电压和电极极性无关（无极性效应）；
③ 直流、工频击穿电压（峰值）以及50％冲击击穿电压都
相同，分散性很小

平行电极

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 第五节 持续电压作用下气体的击穿特性
⒉ 经验公式
 击穿电压峰值
Ub 24.55δ d + 6.66 δ d (kV )
 平均击穿场强
Ub δ
E
=b = 24.55δ + 6.66 (kV / cm)
d d
式中：d—极间距离；
δ—空气相对密度。
击穿电压与极间距离的关系

 Ub随着d的增大而显著增加；
 Eb基本不变，但随着d过大，电场的均匀强度减弱，则Eb会稍
稍下降。在d=1～10cm 的范围内，其击穿场强约30kV/cm 。
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 第五节 持续电压作用下气体的击穿特性
（二）稍不均匀电场中的击穿电压
 典型电极
球—球间隙、球—板间隙、圆柱—板、同轴圆柱间隙
⒈ 特点
① 击穿前不能形成稳定的电晕放电；
② 电场不对称时，有极性效应，不很明显；
③ 直流、工频下的击穿电压(幅值)以及50％冲击击穿电压相同
，分散性不大；
④ 击穿电压和电场均匀程度关系极大，电场越均匀，同样间隙
距离下的击穿电压就越高。
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 第五节 持续电压作用下气体的击穿特性
⒉ 球—球间隙：击穿电压影响因数
 极性效应（地球电荷）
 d＜(D/4)：电场均匀，击穿电
压分散性小，无极性效应；
 D＞(D/4)：大地对电场的畸变
作用使间隙电场分布不对称，
击穿电压分散性大，电场最强
的电极为负极性时的击穿电压
略低于正极性时的数值。
 电场均匀程度影响：同一间隙
距离下，球电极直径越大，击
穿电压也越高。
109/172
 第五节 持续电压作用下气体的击穿特性
⒉ 球—球间隙：击穿电压影响因数
 极性效应（地球电荷）
击穿与极不均匀的极性相反

110/172
 第五节 持续电压作用下气体的击穿特性
（三）极不均匀电场中的击穿电压
 特点
① 影响击穿电压的主要因素是间隙距离
 短气隙：流注理论；长气隙：先导放电
② 选择电场极不均匀的极端情况典型电极来研究
 棒(尖)—板：电场分布不对称
 棒(尖)—棒(尖)：电场分布对称
③ 根据典型电极的击穿电压数据来估计绝缘距离
④ 直流、工频及冲击击穿电压间的差别比较明显，分散性较大

因为间隙大，球的直径的不同，击穿电压的差别不大
111/172
 第五节 持续电压作用下气体的击穿特性
1. 直流电压下的击穿电压
① 具有明显的极性效应（电场畸变）
 负极性的击穿电压＞正极性的击
穿电压
 棒—棒电极间的击穿电压介于极
性不同的棒—板电极之间
② 极间距离不大时的击穿场强
 正棒—负板：7.5kV/cm
 负棒—正板：20kV/cm
③ 极间距离很大时的击穿场强
 正棒—负板：4.5kV/cm
112/172
 负棒—正板：10kV/cm
 第五节 持续电压作用下气体的击穿特性
2. 工频电压下的击穿电压
① 击穿在棒的极性为正、电
压达到幅值时发生
② 间隙距离小于2.5cm，击
穿电压和距离近似直线关
系
③ 平均击穿场强(幅值)：棒
—棒间隙为5.36kV/cm，
棒—板间隙为4.8kV/cm
④ “饱和现象”：距离加大 1-上棒5m 下棒6m
，平均击穿场强明显降低
，棒—板间隙尤为严重 2-上棒5m 下棒3m
（避免“棒-板”结构） 3-上棒5m 板8×8m
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第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
雷电：雷云中积聚大量电荷，在大气中引起放电的现象。
一般雷云带负电。

直击：
感应：雷电电流突变，引起附近电磁场强烈变化→电位升高
波前时间：0.5~10us
半峰时间：20~90us
峰值电流：可达200KA 114/172
第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
（一）雷电冲击电压的标准波形
标准雷电冲击电压波
 非周期性双指数衰减波
 参数：
① 波前时间：T1=1.2μ s±30%
（反应上升速度）
② 半峰值时间：T2=50μ s±20%
（反应下降速度）
③ 标准波形通用写法
±1.2/50μ s 115/172
第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
（一）雷电冲击电压的标准波形
标准雷电冲击电压波

u / Um
1 P
0.9

0.5
0.3

t
0
o' T1 T2 116/172
 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
（二）放电时间
1. 气隙击穿的必备条件

足够幅值的电压
击穿条件
一定时间的作用

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 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
（二）放电时间
1. 气隙击穿的必备条件
① 足够大的电场强度或足够高的电压；
② 在气隙中存在有效电子；
 有效电子→引起电子崩并导致流柱和主放电
③ 需要有一定的时间，让放电得以逐步发展并完成击穿。
 持续电压（直流、工频电压），电压的变化速度很小。
相比之下放电发展所需时间可以忽略不计，当气体状态
不变时，一定距离的间隙的击穿电压具有确定的数值。
 非持续电压下（雷电、操作冲击电压），因为电压波来
去速度很快，放电发展速度就不能忽略不计了。间隙的
击穿电压与作用电压的波形（即作用时间）有很大关系
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 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
2. 气隙放电时间的构成
⑴ 概念

 静态击穿电压—长时间作用在气隙上能使气隙击穿的电压；
 仅为必要条件，要使间隙击穿，必须使该电压持续作用一
段时间
 击穿时间（放电时间）—从开始加压的瞬间起到气隙完全被
击穿的时间。

119/172
 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
⑵ 构成
 第一阶段
u
升压时间t1（0→Us静态击穿电压 U
）：击穿过程可能并未开始
 对于持续电压（直流、工频
Us
电压）：此阶段电压升到Us
，气隙即及被击穿； t1 ts tf t
 非持续电压下（雷电、操作 tlag
tb
冲击电压）：由于t1非常短，
即使电压升到Us ，气隙也不
一定被击穿。
120/172
 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性

 第二阶段
统计时延ts（Us → 出现第一个有 u
效电子）：击穿过程开始，具有 U
统计性
 由于有效电子的出现是一个
Us
随机事件，取决于很多偶然
因素，所以ts具有分散性。
t1 ts tf t
 ts每次都不一样，要确定ts就 tlag
tb
要记录多个时间值进行统计
，故称为统计时延。
 ts（平均值）的影响因数：电
极材料、外加电压、短波光
121/172
照射、电场情况。
 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
 第三阶段
放电形成时延tf（出现第一个有
u
效电子→气隙被击穿 ）：具有统 U
计性
 对于汤逊理论：α过程+γ过程
Us
→气隙被击穿；
 对于流注理论：电子碰撞电 t1 ts tf t
离+流注的形成→气隙被击穿 tlag
tb
 tf的影响因数：间隙长度、电
场均匀度、外加电压；
均匀电场中，电场处处强，
122/172
放电发展迅速，延时短
 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性

 放电时间构成的总结
u
 总放电时间tb U

tb＝t1 + ts + tf（统计性）
Us
 放电时延tlag
tlag= ts + tf （统计性） t1 ts tf t
tlag
tb

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 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
 放电时间构成的总结 u
U
统计时延ts——有效电子
（能引起电离过程并最终 Us
导致击穿的电子）产生。
不均匀电场内， ts小。 t1 ts tf t
tlag
tb
放电形成时延tf——出现电
子崩、形成流注、主放电、
间隙击穿。均匀电场内，
tf小。
放电时延 tlag＝ ts＋ tf 124/172
 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
 放电时间构成的总结 u
U
放电时延 tlag＝ ts＋ tf
影响tlag的因素 Us
增大电压U ， tlag减小
t1 ts tf t
紫外光照射 tlag
tb

冲击放电所需的全部时间
t b = t1 + t s + t f
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 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
（三）雷电冲击50%击穿电压（U50%）
 50%冲击击穿电压——击穿百分比为50%的击穿电压。

 由于放电时延和放电时间均具有统计分散性，多次重复施
加电压时可能有几次击穿而另几次没击穿。随着电压的提
高，发生击穿的百分比将越来越大。直到每次施加电压都
击穿。
 工程U50% 来表征气隙的冲击击穿特性。
 施加10次电压有4～6次击穿，这一电压为气隙的U50% 冲击
击穿电压。

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 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
1. 雷电冲击电压下均匀电场和稍不均匀电场的击穿特性

 击穿电压分散性小， U50% 和Us相差很小；

U 50%
 冲击系数β β=
Us

 均匀电场、稍不均匀电场： β＝1

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 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性

2. 雷电冲击电压下极不均匀电场的击穿特性

 放电时延tlag比较长；
 击穿电压分散性大(标准偏差可取为±3% )， U50% 和Us相
差很大；
 极不均匀电场： β＞1

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 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
（四）伏秒特性
1. 概念
 伏秒特性曲线——同一波形、不同幅值的冲击电压作用下
，间隙上出现的电压最大值和放电时间的关系曲线。

 由于气隙的击穿存在时延现象，所以其冲击击穿特性最好
用电压和时间两个参量来表示，这种在“电压—时间”平
面上形成的曲线，通常成为伏秒特性，它表示该气隙的冲
击击穿电压与放电时间的关系。

129/172
 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
2. 伏秒特性的制定方法（用实验方法求取）
保持冲击电压波形不变，
逐渐提高冲击电压的峰值
纵坐标：冲击
电压较低，放电时 电压幅值
间长，击穿发生在
波尾（图中1、2） 横坐标：放电
时间

纵坐标：冲击
电压较高，放电时 电压瞬时值
间短，击穿发生在
波头（图中3） 横坐标：放电
时间

将1、2、3点连接完成伏秒特
130/172
性曲线
 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
 实际曲线
由于放电时间具有分散
性，于是每一级电压下
可得一系列放电时间，
所以实际上伏秒特性是
以上、下包线为界的带
状区域。

 注意：工程上，常采用将
平均放电时间各点相连所
得的平均伏秒特性或 50%
伏秒特性曲线来表征一个
气隙的冲击击穿电压。 131/172
 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
3. 电场均匀程度对曲线的影响
① 均匀或稍不均匀电场
 形状：曲线较为平坦； Ub
 原因：由于击穿时平均场强
较高，流注发展较快，放电 均匀电场
时延很短。
不均匀电场
② 极不均匀电场
tb
 形状：曲线较陡；
 原因：由于击穿时平均场强
较低，而且流注总是从强场
区向弱场区发展，放电速度
受到电场分布影响，所以放
132/172
电时延长。
  问题：
S1是___伏秒特性曲线。
第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
S2是___伏秒特性曲线。
4. 伏秒特性的用途 A 保护设备；B 被保护设备
 主要用于比较不同设备绝缘的冲击特性，即用于绝缘配合。

S1 —被保护设备的伏秒特性曲线
S2 —保护设备的伏秒特性曲线

 总结：
为了使被保护设备得到可靠的保
护，被保护设备绝缘的伏秒特性
曲线的下包线必须始终高于保护
设备的伏秒特性曲线的上包线。
133/172
第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性

 这二者无法进行有效的绝缘
配合。

S1 —被保护设备的伏秒特性曲线
S2 —保护设备的伏秒特性曲线

134/172
 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
5. 极不均匀电场中U50%雷电冲击电压的击穿特性

① 棒—板间隙有明显的
极性效应；
② 棒—棒间隙也有不大
的极性效应；
 棒—棒间隙中不 棒—板
同极位接地会使 棒—棒
棒—棒
得棒极附近的电 棒—板

场强度发生变化
，从而会显出较
弱的极性效应
135/172
 第六节 雷电冲击电压下气体的击穿特性及伏秒特性
6. U50%雷电冲击电压的经验公式

 空气中棒间隙的工频击穿电压（幅值）和雷电冲击50%击
穿电压的近似计算公式如下表（标准大气条件，极间距离
d>40cm )

近似计算公式 近似计算公式
气隙 电压类型 气隙 电压类型
(d,cm;Ub,kV) (d,cm;Ub,kV)

工频交流 Ub=70+5.25d 工频交流 Ub=40+5d

棒—棒 正极性雷电冲击 Ub=75+5.6d 棒—板 正极性雷电冲击 Ub=40+5d
负极性雷电冲击 Ub=110+6d 负极性雷电冲击 Ub=215+6.7d

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 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性

（一）操作冲击电压的标准波形

电网中存在电容电感，操作时引起瞬态过渡过程，引起震荡。
频率：几十~几K赫兹
峰值：可达3~4倍最大相电压

137/172
 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性

（一）操作冲击电压的标准波形

 非周期性双指数衰减波
 衰减振荡电压波

138/172
 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性

（一）操作冲击电压的标准波形
 非周期性双指数衰减波
 参数：
1
① 波前时间：Tcr=250μ s±20% （

u / Um
反应上升速度）
0.5
② 半峰值时间：T2=2500μ s±60%
0
（反应下降速度） Tcr t
T2
③ 标准波形通用写法
250/2500μ s 139/172
 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性

 衰减震荡操作冲击波
u
 参数：
Um
① 波前时间：Tcr=1000～1500μ s
（反应上升速度）
0
Tcr t
② 极性相反的第二个半波的峰值 Tcr=1000 ～ 1500us
约为第一个半波峰值的80%

140/172
 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性
（二）操作冲击50%击穿电压
1. 操作冲击电压下均匀电场和稍不均匀电场的击穿特性
 与雷电冲击50%击穿电压、工频击穿电压（峰值）相同，
且分散性小
2. 操作冲击电压下极不均匀电场的击穿特性

① 极性效应
 正极性下50％击穿电
压比负极性下低

141/172
 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性
② 电场分布的影响
 “邻近效应”：接地物体靠近放电间隙会显著降低其正极
性击穿电压，但能多少提高一些负极性击穿电压
③ 饱和现象
 随着气隙长度增加，除了
负极性“棒—棒”气隙外
，其它棒间隙的“饱和”
现象十分明显。电气强度
最差的“棒—板”间隙饱
和现象最为严重。显然，
这时在增大“棒—板”气
隙的长度，已不能有效的
142/172
提高其击穿电压。
 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性
④ 波形的影响
 在一定波前时间范围内，U50%甚
至会比工频击穿电压低，呈现出
“U形曲线”。故对于220kV的超
高压输电系统和电力设备，应按
操作过电压的电气特性进行绝缘
设计。
 “U形曲线”是放电时延和空间电
荷(形成及迁移)这两类不同因素的
影响所造成的。
 对应极小值的波前时间随着间隙
距离加大而增加。对7m以下的间
隙，在50～200μs这段时间内， 143/172
气息的击穿最易发生。
 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性
④ 波形的影响
放电时延（形成有效电子）和空间电
荷

极小值的左边
考虑放电时延（形成有效电子），
电压越高，时间越短

144/172
 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性
④ 波形的影响 E0

放电时延（形成有效电子）和空 －

间电荷
(a)
Eq Eq
极小值的右边
－
放电时延足够，时间越长，正电
荷越分散，减弱了局部加强的电场， (b) E
放电不容易发展。 E0
Ecom=E0+Eq
x
Eq
(c)
E0—原电场；Eq—空间电荷电场
；Ecom—合成电场 145/172
 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性
④ 波形的影响
甚至比工频还低？
可以理解波前时间为工频的1/4看成
操作波波前时间5ms 5000us 》临界波
前时间
1
u / Um

0.5

0
Tcr t
T2

146/172
 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性
⑤ 分散性大
 波前时间在数十到数百位秒之间：U50%的标准偏差约为
5%。波前时间超过1000μs以后，可达8％。
 （工频及雷电冲击电压下均约为3％）

147/172
 第七节 操作冲击电压下气体的击穿特性
⑥ 50％击穿电压极小值的经验公式

 3.4 ×103
U 50%(min)= (kV ) d= 2 − 15m
 8
 1+
d

= (1.4 + 0.055d ) ×103 (kV ) d > 15m
U 50%(min)

操作冲击电压下间隙的击穿电压和放电时间的分散性比雷电
冲击电压下大得多

148/172
 第八节 提高气体介质电气强度的方法
（一）两个途径
① 改善电场分布，使之尽量均匀（内因）
② 利用其它方法来削弱气体中的电离过程（外因）
（二）方法
1. 改善电场分布的方法
① 改进电极形状
② 利用空间电荷畸变电场
③ 采用屏障
149/172
 第八节 提高气体介质电气强度的方法
2. 削弱气体电离过程的方法
① 采用高气压
② 采用高电气强度气体
③ 采用高真空

150/172
第九节 大气条件对气隙击穿特性的影响及其校正

 我国的国家标准规定的标准大气条件：
 压力：P0=101.3KPa（760mmHg）
 温度：t0=20℃或T0=293K
 绝对湿度：h0=11g/m3(每立方米水蒸气11克）

非标准大气条件要换算到标准大气条件

161/172
第九节 大气条件对气隙击穿特性的影响及其校正

 在实际试验件下的气隙击穿电压U与标准大气条件下的击穿电
压U0之间的换算关系：
Kd
U= U0
Kh
式中：Kd——空气密度校正因数；
Kh——湿度校正因数。

 注意：空气密度的变化实
际上是压力和温度的变化
162/172
 第九节 大气条件对气隙击穿特性的影响及其校正
（一）空气密度的校正
 空气的密度与压力和温度有关
1. 空气的相对密度
p
δ = 2.9
T
式中： p——气压，kPa；
T——温度，K 。

（273+20)/101 ≈2.9

163/172
 第九节 大气条件对气隙击穿特性的影响及其校正
（一）空气密度的校正
 空气的密度与压力和温度有关

2. 大气条件下，气隙的击穿电压随δ的增高而提高。
气体被压紧，气 虽然自由电子碰撞次数多，但
密度增加
隙之间距离很短 自由行程短，碰撞有效性差

电离数很低 击穿电压高

164/172
 第九节 大气条件对气隙击穿特性的影响及其校正
 实验表明，当δ处于0.95～1.05的范围内时，气隙的击穿电压
几乎与δ成正比，即此时的空气密度校正因数 Kd ≈δ，因而
U ≈δU0

3. 对更长空气间隙来说，击穿电压与大气的关系并不是一
种简单的线形关系。而是随电极形状、电压类型和气隙
长度而变化的复杂关系。
 Kd 计算式
m n 式中：m 、n 与电极形状
 p   273 + t0 
Kd 
=  ×  、气隙长度、电压类
p
 0  273 + t  型及极性有关，值在
0.4～1.0的范围内变化
165/172
 第九节 大气条件对气隙击穿特性的影响及其校正
（二）湿度的校正

① 大气的湿度越大，气隙的击穿电压增高
 大气中的水分子能够俘获自由电子而形成负离子，对气体
的放电过程起着抑制作用
② 均匀和稍不均匀电场中，湿度影响不太明显
 均匀和稍不均匀电场中，放电开始时，整个气隙的电场强
度都很大，电子运动速度较快，不易被水分子俘获

166/172
 第九节 大气条件对气隙击穿特性的影响及其校正
（二）湿度的校正
③ 极不均匀电场中，湿度影响很明显
 极不均匀电场中，放电开始时，电场强度比较低，出现电
晕放电，这时电子运动速度较慢，容易被水分子俘获
 修正式： Kh = kω

•
U0 式中：k 与绝对温度和电压类型
有关，指数 ω 之值取决于电极
U=
Kh 形状、气隙长度、电压类型及其
极性。

167/172
 第九节 大气条件对气隙击穿特性的影响及其校正
（三）海拔高度的校正
1. 海拔高度越大，气隙的击穿电压越低
 海拔越高→空气越稀薄→大气压力和相对密度越小→击穿电
压降低
2. 我国国家标准规定：对于安装在海拔高于1000m 、但不
超过4000m 处的电力设施外绝缘，其试验电压U 应为平
原地区外绝缘的试验电压Up 乘以海拔校正因数Ka
U = Ka Up
1
其中：K a =
1.1 − H × 10−4
168/172
式中：H——安装点的海拔高度，m。
  小结
内容：α过程＋γ过程
汤逊理论 自持放电条件： γ(eαd－1) ＝1
适用范围：低气压、短气隙
均匀电场
内容：电子崩＋流注过程
与电场均 流注理论 自持放电条件： eαd＝常数
匀度有关
纯空气隙 适用范围：高气压、长气隙
击穿理论
电晕放电：极不均匀电场特有的自持放
电现象
电晕起始电压高
不均匀电场
正棒—负板
间隙击穿电压低
极性效应
电晕起始电压低
负棒—正板 169/172
间隙击穿电压高
  小结
静态击穿电压（直 放电时间足够，击穿电压有确定值
流、工频）
非周期性双指数衰减波
标准波形
雷电截波
雷电冲击击
穿电压 U50%：击穿百分比为50%的击穿电压
与电压类 v-t特性：气隙的冲击击穿电压与放电
型有关 时间的关系。用于绝缘配合
纯空气隙
击穿理论 非周期性双指数衰减波
标准波形
衰减震荡操作冲击波
操作冲击击 邻近效应：接地物体靠近放电间隙
穿电压 降低正极性击穿电压，
特点
提高负极性击穿电压
饱和现象：增大气隙的长度，不
能提高其击穿电压。
波形U形曲线：一定波前时间内
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，U50%比工频击穿电压低
  小结
p
相对密度 δ = 2.9
空气密度 T
影响：气隙的击穿电压随δ的增高而提高

与气体状 校正： U ≈δU0

态有关 影响：湿度越大，气隙的击穿电压增高
空气湿度
校正： Kh = kω
影响：海拔高度越大，气隙的击穿电压越低
纯空气隙
海拔高度 1
击穿理论 校正： U = Ka Up K a =
1.1 − H × 10−4
空气
物理化学特性：无色、无味，化学性能稳定
与气体种 绝缘特性：击穿电压是空气的3倍，灭弧性能大
类有关 约是空气的100倍
SF6
混合气体：较好保持纯SF6的绝缘性能；更好的物
理化学特性(液化温度低);能取得很大的经济效益
气体绝缘电气设备：封闭式绝缘组合电器、气体
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绝缘变压器、气体绝缘管道输电线
  小结
改进电极形状 使电场分布更加均匀

改善电场 利用空间电 利用放电产生的空间电荷改善电场分

分布 荷畸变电场 布，使电场均匀度提高

利用屏障 积聚空间电荷，改善电场分布
提高气体介
质电气强度
采用高气压 减小电子平均自由行程，削弱电离过程
的方法
削弱气体
电离过程 采用高电气 卤族元素：很强的电负性；分子直径大
强度气体 ，电子自由行程短；易发生极化现象

采用高真空 削弱间隙中的碰撞电离过程

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结束！

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